JP2001344993A - Testing method of semiconductor device and testing device - Google Patents

Testing method of semiconductor device and testing device

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JP2001344993A
JP2001344993A JP2000168606A JP2000168606A JP2001344993A JP 2001344993 A JP2001344993 A JP 2001344993A JP 2000168606 A JP2000168606 A JP 2000168606A JP 2000168606 A JP2000168606 A JP 2000168606A JP 2001344993 A JP2001344993 A JP 2001344993A
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test
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skew
semiconductor device
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Hiroshi Tomizu
寛 戸水
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To integrate clocks of a semiconductor device having a SDRAM and an ASIC to one clock. SOLUTION: A LSI tester 20 inputs test data to an ASIC 13 based on an internal clock generated by a clock generating circuit 11 of a SDRAM 12, and takes out test result data from the ASIC 13. A skewness adjusting device 21 is connected to both of a clock wiring 30 and a data wiring 31 at the time of test so that the timing of a clock and data is made the same as internal signal transmitting timing at the time of normal operation, and its equivalent parasitic capacity is adjusted. Clocks of the SDRAM and the ASIC are integrated to one by enabling a test by a common internal clock.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のテス
ト方法に関し、更に詳しくは、SDRAM及びASIC
を含む半導体ユーザシステムのテスト方法として好適な
半導体装置のテスト方法に関する。
The present invention relates to a method for testing a semiconductor device, and more particularly, to an SDRAM and an ASIC.
The present invention relates to a test method of a semiconductor device suitable as a test method of a semiconductor user system including:

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のASIC装置として、同期型DR
AM(SDRAM)及びASICを同一の半導体チップ
上に集積した半導体ユーザシステムが知られている。A
SIC及びSDRAMは夫々が所定の位相関係を有する
第1のクロック及び第2のクロックで動作する。
2. Description of the Related Art As a conventional ASIC device, a synchronous DR is used.
There is known a semiconductor user system in which an AM (SDRAM) and an ASIC are integrated on the same semiconductor chip. A
The SIC and the SDRAM operate with a first clock and a second clock, each having a predetermined phase relationship.

【0003】従来の半導体ユーザシステムで、ASIC
及びDRAMを同じクロックで動作させることが出来れ
ば回路構成が簡素化するメリットがある。このような、
クロックを統合したユーザシステムを半導体テスタによ
ってテストする場合には、半導体ユーザシステムのクロ
ック発生回路が生成する内部クロックによって、半導体
テスタ及びユーザシステム全体を作動させることができ
る。
In a conventional semiconductor user system, an ASIC
If the DRAM and the DRAM can be operated at the same clock, there is an advantage that the circuit configuration is simplified. like this,
When a user system integrated with a clock is tested by a semiconductor tester, the semiconductor tester and the entire user system can be operated by an internal clock generated by a clock generation circuit of the semiconductor user system.

【0004】図5は、上記のようにテストを実施する際
の半導体ユーザシステム10とLSIテスタ20との接
続を示している。SDRAM12が内蔵するクロック発
生器11によって生成された内部クロックは、ユーザシ
ステム内部でバッファ14を介してASIC13に接続
されると共に、ユーザシステム10からLSIテスタ2
0にも外部配線を経由して供給される。一方、半導体テ
スタ20からは、同様に外部配線を介してテストデータ
が、クロック発生器11からのクロックに同期してAS
IC13に供給され、また、テスト結果データがASI
C13からLSIテスタ20に出力される。
FIG. 5 shows the connection between the semiconductor user system 10 and the LSI tester 20 when the test is performed as described above. The internal clock generated by the clock generator 11 incorporated in the SDRAM 12 is connected to the ASIC 13 via the buffer 14 inside the user system, and is transmitted from the user system 10 to the LSI tester 2.
0 is also supplied via external wiring. On the other hand, the test data from the semiconductor tester 20 is also supplied to the AS via the external wiring in synchronization with the clock from the clock generator 11.
The test result data is supplied to the IC 13
It is output from C13 to the LSI tester 20.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記テストの際には、
図5に示すように、外部配線及びLSIテスタ20内部
の配線によって、SDRAM12からのクロック配線3
0及びASIC12にデータを供給するデータ配線31
の夫々に通常動作時とは異なる寄生容量C1、C2がつ
くため、クロック及びデータの双方にCR時定数で定ま
る遅延が発生する。この遅延は、クロック及びデータの
出力に、通常動作時のタイミング差とは異なる信号タイ
ミング差を発生させる。この様子を図6に示した。
At the time of the above test,
As shown in FIG. 5, the clock wiring 3 from the SDRAM 12 is provided by external wiring and wiring inside the LSI tester 20.
0 and data wiring 31 for supplying data to the ASIC 12
Respectively, have parasitic capacitances C1 and C2 different from those in the normal operation, so that a delay determined by a CR time constant occurs in both the clock and the data. This delay causes a signal timing difference in the output of the clock and data different from the timing difference in the normal operation. This is shown in FIG.

【0006】図6に示すように、例えばテスト時のクロ
ックスキュー(dl#CLK)がデータスキュー(dl#data)に比
して大きく遅れる場合には、図示したように、所定のク
ロックパルスでラッチされるべきSDRAMからの”デ
ータA”が取り込まれない等の不具合が発生する。つま
り、実際には通常の環境であれば正常な動作を行うユー
ザシステムの出力が、期待値と異なるものと誤って判断
されることとなる。
As shown in FIG. 6, for example, when the clock skew (dl_CLK) at the time of a test is much longer than the data skew (dl_data), as shown in FIG. There is a problem that "data A" from the SDRAM to be performed is not taken in. In other words, actually, the output of the user system that performs a normal operation in a normal environment is erroneously determined to be different from the expected value.

【0007】上記クロック及びデータの伝達の際に発生
するスキューは、テスト時の外部配線やLSIテスタの
種類や形式等のテスト環境に依存する。このため、従来
の半導体ユーザシステムでは、前述のように、SDRA
M及びASICの夫々にクロック発生回路を備え、双方
は所定の位相関係を有する異なる2つのクロックに同期
して動作させる構成が採用される。この構成により、従
来の半導体ユーザシステムの構成が複雑であった。
The skew generated when transmitting the clock and data depends on the test environment such as the type and format of the external wiring and the LSI tester at the time of the test. Therefore, in the conventional semiconductor user system, as described above, the SDRA
Each of the M and the ASIC is provided with a clock generation circuit, and both operate in synchronization with two different clocks having a predetermined phase relationship. With this configuration, the configuration of the conventional semiconductor user system is complicated.

【0008】本発明は、上記に鑑み、SDRAMによっ
て生成される内部クロックを利用して、半導体ユーザシ
ステムのASICの動作テストを適正に行うことが出来
る半導体装置のテスト方法及びテスト装置を提供するこ
とによって、SDRAM及びASICのクロックを統合
できる半導体ユーザシステムを提供可能とすることを目
的とする。
In view of the above, the present invention provides a test method and a test apparatus for a semiconductor device capable of appropriately performing an operation test of an ASIC of a semiconductor user system using an internal clock generated by an SDRAM. Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor user system capable of integrating clocks of an SDRAM and an ASIC.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の半導体装置のテスト方法は、内部クロック
信号を生成するクロック発生回路と、前記内部クロック
信号に同期してデータを相互に伝達する第1の回路及び
第2の回路とを有する半導体装置をテストする、半導体
装置のテスト方法において、前記内部クロック信号に同
期して前記第1又は第2の回路にテストデータを入力す
ると共に該第1又は第2の回路からテスト結果データを
取り出す際に、前記テストデータ及び前記テスト結果デ
ータのスキューを、テスト時に発生する前記内部クロッ
ク信号のスキューに合わせて調整することを特徴とす
る。
To achieve the above object, the present invention provides a method for testing a semiconductor device, comprising: a clock generating circuit for generating an internal clock signal; and a data transmission circuit for mutually transmitting data in synchronization with the internal clock signal. A method for testing a semiconductor device having a first circuit and a second circuit, wherein test data is input to the first or second circuit in synchronization with the internal clock signal, and When fetching test result data from the first or second circuit, a skew of the test data and the test result data is adjusted in accordance with a skew of the internal clock signal generated during a test.

【0010】また、本発明の半導体装置のテスト装置
は、内部クロック信号を生成するクロック発生回路と、
前記内部クロック信号に同期して相互にデータを伝達す
る第1の回路及び第2の回路とを有する半導体装置をテ
ストする、半導体装置のテスト装置において、前記内部
クロック信号のスキューを調整するクロックスキュー調
整手段と、前記スキュー調整した内部クロック信号に基
づいて前記第1又は第2の回路にテストデータを入力す
ると共に該第1又は第2の回路からテスト結果データを
取り出すデータ入出力手段と、前記テストデータ及び前
記テスト結果データのスキューを調整するデータスキュ
ー調整手段とを備えることを特徴とする。
A test apparatus for a semiconductor device according to the present invention includes a clock generation circuit for generating an internal clock signal;
A test apparatus for testing a semiconductor device having a first circuit and a second circuit that mutually transmit data in synchronization with the internal clock signal, wherein a clock skew for adjusting a skew of the internal clock signal is provided. Adjusting means; data input / output means for inputting test data to the first or second circuit based on the skew-adjusted internal clock signal and extracting test result data from the first or second circuit; Data skew adjusting means for adjusting the skew of the test data and the test result data.

【0011】本発明に係る半導体装置のテスト方法及び
テスト装置によると、テスト時に内部クロック信号のス
キューとデータのスキューとを調整することで、LSI
テスタと第1又は第2の回路との間の信号伝達タイミン
グを、通常動作時における第1の回路と第2の回路との
間の信号伝達タイミングに合わせることが出来るので、
正常な動作をする回路がテスト時に誤動作をすると誤っ
て判断されることがない。
According to the method and the apparatus for testing a semiconductor device according to the present invention, the skew of the internal clock signal and the skew of the data are adjusted at the time of the test, so that the LSI
Since the signal transmission timing between the tester and the first or second circuit can be adjusted to the signal transmission timing between the first circuit and the second circuit during normal operation,
There is no erroneous determination that a normally operating circuit malfunctions during a test.

【0012】ここで、本発明の半導体装置のテスト方法
は、前記第1の回路及び第2の回路が夫々SDRAM及
びASICである半導体ユーザシステムに特に好適に適
用できる。
Here, the method of testing a semiconductor device according to the present invention can be particularly suitably applied to a semiconductor user system in which the first circuit and the second circuit are an SDRAM and an ASIC, respectively.

【0013】本発明の半導体装置のテスト方法の好まし
い態様では、前記データのスキュー調整が、前記テスト
データ及びテスト結果データを伝達するデータ配線に接
続されるダイナミック・ロード及び/又はロードリレー
抵抗によって行われる。この場合、データのスキュー調
整が容易に行われる。
In a preferred aspect of the semiconductor device test method according to the present invention, the skew adjustment of the data is performed by a dynamic load and / or a load relay resistor connected to a data line transmitting the test data and the test result data. Is In this case, skew adjustment of data is easily performed.

【0014】また、本発明の半導体装置のテスト装置
は、前記クロックスキュー調整手段及びデータスキュー
調整手段が夫々、前記内部クロック信号を伝達するクロ
ック配線及びデータを入出力するデータ配線に、ダイナ
ミック・ロード及び/又はロードリレー抵抗を接続する
バッファを備えることが好ましい。この場合、クロック
スキュー及びデータスキューを個別に調整でき、テスト
時のクロックとデータのタイミング差を最適に調整でき
る。
Further, in the test apparatus for a semiconductor device according to the present invention, the clock skew adjusting means and the data skew adjusting means may include a dynamic load on a clock wiring for transmitting the internal clock signal and a data wiring for inputting / outputting data. And / or a buffer for connecting a load relay resistor. In this case, the clock skew and the data skew can be adjusted individually, and the timing difference between the clock and the data at the time of the test can be adjusted optimally.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。図1
は、本発明の第1の実施形態例に係る半導体装置のテス
ト方法を実施する際の様子を示すブロック図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on embodiments of the present invention with reference to the drawings. FIG.
FIG. 3 is a block diagram showing a state when a test method of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention is performed.

【0016】半導体ユーザシステム10は、クロック発
生回路11を有するSDRAM12、及び、ASIC1
3を備える1チップの半導体装置として構成される。S
DRAM12及びASIC13の双方は、通常動作時に
クロック発生回路11が生成する内部クロックに同期し
て相互間でデータの伝達を行う。
The semiconductor user system 10 includes an SDRAM 12 having a clock generation circuit 11 and an ASIC 1
3 as a one-chip semiconductor device. S
Both the DRAM 12 and the ASIC 13 transmit data between each other in synchronization with the internal clock generated by the clock generation circuit 11 during normal operation.

【0017】LSIテスタ20は、半導体ユーザシステ
ム10のクロック発生回路11が発生する内部クロック
に同期してテストデータを例えばASIC13に入力
し、また、この内部クロックに同期してテスト結果デー
タをASIC13から取り出し、そのテスト結果データ
を分析して、半導体ユーザシステム10の動作の良否を
判定する。
The LSI tester 20 inputs test data to, for example, the ASIC 13 in synchronization with an internal clock generated by the clock generation circuit 11 of the semiconductor user system 10, and outputs test result data from the ASIC 13 in synchronization with the internal clock. The semiconductor user system 10 is extracted and analyzed, and the quality of the operation of the semiconductor user system 10 is determined.

【0018】LSIテスタ20の内部には、半導体ユー
ザシステム10から供給された内部クロックのスキュー
を調整するスキュー調整回路21が設けられる。また、
半導体ユーザシステム10にテストデータを伝達し、且
つ、半導体ユーザシステム10からテスト結果データを
取り出すデータ配線31にもスキュー調整回路21が設
けられる。双方のスキュー調整回路21は、例えばダイ
ナミックロードによって構成される。
A skew adjustment circuit 21 for adjusting the skew of the internal clock supplied from the semiconductor user system 10 is provided inside the LSI tester 20. Also,
A skew adjustment circuit 21 is also provided on a data wiring 31 for transmitting test data to the semiconductor user system 10 and extracting test result data from the semiconductor user system 10. Both skew adjustment circuits 21 are configured by, for example, a dynamic load.

【0019】ダイナミックロードは、図2に示すよう
に、2つの定電流源51、及び、ブリッジ接続された4
つのダイオード52から成り、入力端子53に接続され
たクロック配線30又はデータ配線31に対して等価的
に寄生容量を付加する。この等価寄生容量の値は、定電
流源51の電流を調整することによって調整できる。
As shown in FIG. 2, the dynamic load includes two constant current sources 51 and a bridge-connected four current sources.
A parasitic capacitance is equivalently added to the clock wiring 30 or the data wiring 31 connected to the input terminal 53. The value of the equivalent parasitic capacitance can be adjusted by adjusting the current of the constant current source 51.

【0020】ここで、通常動作時におけるデータラッチ
がクロックパルスの立ち上がりで行われる場合であっ
て、従来のLSIテスタによってテストを行う際には、
図5に示したように、テスト時にクロック信号の遅延が
大きくて、データAがラッチされない不具合があったも
のと仮定する。本実施形態例のLSIテスタ20では、
クロック配線30の等価寄生容量を小さく、データ配線
31の等価寄生容量を大きく設定することで、図3に示
すような、通常動作時のタイミングと同様なデータラッ
チタイミングを得る。これによって、テスト時にも通常
動作時と同じ信号ラッチタイミングが得られるので、従
来のLSIテスタ20によるテスト時に生じていた、本
来は正常な動作を行う半導体ユーザシステム10が、誤
って誤動作すると判定されることがなくなる。
Here, the case where the data latch at the time of the normal operation is performed at the rising edge of the clock pulse, and when the test is performed by the conventional LSI tester,
As shown in FIG. 5, it is assumed that the delay of the clock signal is large at the time of the test and the data A is not latched. In the LSI tester 20 of the present embodiment,
By setting the equivalent parasitic capacitance of the clock wiring 30 to be small and the equivalent parasitic capacitance of the data wiring 31 to be large, a data latch timing similar to the timing in the normal operation as shown in FIG. 3 is obtained. As a result, the same signal latch timing as that in the normal operation can be obtained during the test. Therefore, it is determined that the semiconductor user system 10 that normally operates normally, which has occurred during the test using the conventional LSI tester 20, erroneously malfunctions. No more.

【0021】図4は、スキュー調整装置を、ロードリレ
ー抵抗22によって構成した本発明の第2の実施形態例
の構成を示している。ロードリレー抵抗22は、電源ラ
インに接続するプルアップ抵抗ラインをクロック配線3
0及びデータ配線31に選択的に接続するスイッチを有
する。このロードリレー抵抗22によっても配線の時定
数を調整でき、従って、クロック信号とデータとの間の
タイミングを調整できる。
FIG. 4 shows the configuration of a second embodiment of the present invention in which the skew adjusting device is constituted by a load relay resistor 22. The load relay resistor 22 connects the pull-up resistor line connected to the power supply line to the clock wiring 3.
0 and a switch selectively connected to the data wiring 31. The time constant of the wiring can also be adjusted by the load relay resistor 22, so that the timing between the clock signal and the data can be adjusted.

【0022】上記実施形態例では、スキュー調整をダイ
ナミックロードやロードリレー抵抗によって行う例を示
したが、従来から用いられている他のスキュー調整方法
を用いることが出来る。また、データラッチのタイミン
グは、クロック信号の立ち上がりでラッチする例に限ら
ず、立ち下がりでラッチすることも出来る。
In the above embodiment, an example has been shown in which the skew adjustment is performed by a dynamic load or a load relay resistor, but other skew adjustment methods conventionally used can be used. Further, the data latch timing is not limited to the example of latching at the rising edge of the clock signal, but may be latched at the falling edge.

【0023】以上、本発明をその好適な実施形態例に基
づいて説明したが、本発明は上記実施形態例の構成にの
み限定されるものではなく、上記実施形態例の構成から
種々の修正及び変更が可能である。
As described above, the present invention has been described based on the preferred embodiments. However, the present invention is not limited only to the configuration of the above-described embodiment, and various modifications and changes can be made from the configuration of the above-described embodiment. Changes are possible.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置のテスト方法及びテスト装置によると、半導体テスト
の際にクロック信号とテストデータ及びテスト結果デー
タとの間に所望のスキュー調整が可能となり、通常動作
時と同様なタイミングでテストデータ及びテスト結果デ
ータの伝達が行われるため、正常な動作を行う半導体装
置を誤って誤動作と判定する事態が防止できるので、例
えば、SDRAMとASICとを共通のクロックによっ
て動作させる半導体ユーザシステムを提供可能とする。
As described above, according to the semiconductor device test method and test apparatus of the present invention, a desired skew can be adjusted between a clock signal, test data, and test result data during a semiconductor test. Since test data and test result data are transmitted at the same timing as during normal operation, it is possible to prevent a semiconductor device performing normal operation from being erroneously determined to be malfunctioning. And a semiconductor user system operated by the above clock can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態例のテスト方法を実施する
際のブロック図。
FIG. 1 is a block diagram when a test method according to an embodiment of the present invention is performed.

【図2】図1のダイナミックロードの実例を示す回路
図。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of the dynamic load of FIG. 1;

【図3】図1のテストにおけるデータ伝達のタイミング
を示すタイミングチャート。
FIG. 3 is a timing chart showing data transmission timing in the test of FIG. 1;

【図4】本発明の第2の実施形態例のテスト方法を実施
する際の様子を示すブロック図。
FIG. 4 is a block diagram showing a state when a test method according to a second embodiment of the present invention is performed.

【図5】従来の半導体装置のテスト方法を示すブロック
図。
FIG. 5 is a block diagram showing a conventional semiconductor device test method.

【図6】図5のテストにおける信号伝達を示すタイミン
グチャート。
FIG. 6 is a timing chart showing signal transmission in the test of FIG. 5;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:ユーザシステム 11:クロック発生回路 12:SDRAM 13:ASIC 14:バッファ 20:LSIテスタ 21:スキュー調整装置(ダイナミックロード) 22:ロードリレー抵抗 30:クロック配線 31:データ配線 C1、C2:寄生容量 10: User system 11: Clock generation circuit 12: SDRAM 13: ASIC 14: Buffer 20: LSI tester 21: Skew adjustment device (dynamic load) 22: Load relay resistor 30: Clock wiring 31: Data wiring C1, C2: Parasitic capacitance

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11C 11/401 G11C 11/34 371A ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI theme coat ゛ (Reference) G11C 11/401 G11C 11/34 371A

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 内部クロック信号を生成するクロック発
生回路と、前記内部クロック信号に同期してデータを相
互に伝達する第1の回路及び第2の回路とを有する半導
体装置をテストする、半導体装置のテスト方法におい
て、 前記内部クロック信号に同期して前記第1又は第2の回
路にテストデータを入力すると共に該第1又は第2の回
路からテスト結果データを取り出す際に、前記テストデ
ータ及び前記テスト結果データのスキューを、テスト時
に発生する前記内部クロック信号のスキューに合わせて
調整することを特徴とする半導体装置のテスト方法。
1. A semiconductor device for testing a semiconductor device having a clock generation circuit for generating an internal clock signal, and a first circuit and a second circuit for mutually transmitting data in synchronization with the internal clock signal. In the test method, when inputting test data to the first or second circuit in synchronization with the internal clock signal and extracting test result data from the first or second circuit, the test data and the A method for testing a semiconductor device, comprising: adjusting a skew of test result data in accordance with a skew of the internal clock signal generated during a test.
【請求項2】 前記第1の回路及び第2の回路が夫々S
DRAM及びASICである、請求項1に記載の半導体
装置のテスト方法。
2. The method according to claim 1, wherein the first circuit and the second circuit are S
2. The method for testing a semiconductor device according to claim 1, wherein the method is a DRAM and an ASIC.
【請求項3】 前記データのスキュー調整が、前記テス
トデータ及びテスト結果データを伝達するデータ配線に
接続されるダイナミック・ロード及び/又はロードリレ
ー抵抗によって行われる、請求項1又は2に記載の半導
体装置のテスト方法。
3. The semiconductor according to claim 1, wherein the skew adjustment of the data is performed by a dynamic load and / or a load relay resistor connected to a data line transmitting the test data and the test result data. How to test the equipment.
【請求項4】 内部クロック信号を生成するクロック発
生回路と、前記内部クロック信号に同期して相互にデー
タを伝達する第1の回路及び第2の回路とを有する半導
体装置をテストする、半導体装置のテスト装置におい
て、 前記内部クロック信号のスキューを調整するクロックス
キュー調整手段と、前記スキュー調整した内部クロック
信号に基づいて前記第1又は第2の回路にテストデータ
を入力すると共に該第1又は第2の回路からテスト結果
データを取り出すデータ入出力手段と、前記テストデー
タ及び前記テスト結果データのスキューを調整するデー
タスキュー調整手段とを備えることを特徴とする半導体
装置のテスト装置。
4. A semiconductor device for testing a semiconductor device having a clock generation circuit for generating an internal clock signal, and a first circuit and a second circuit for mutually transmitting data in synchronization with the internal clock signal A test skew adjusting means for adjusting a skew of the internal clock signal; inputting test data to the first or second circuit based on the skew-adjusted internal clock signal; 2. A test apparatus for a semiconductor device, comprising: a data input / output unit that extracts test result data from a second circuit; and a data skew adjustment unit that adjusts a skew of the test data and the test result data.
【請求項5】 前記クロックスキュー調整手段及びデー
タスキュー調整手段が夫々、前記内部クロック信号を伝
達するクロック配線及びデータを入出力するデータ配線
に、ダイナミック・ロード及び/又はロードリレー抵抗
を接続するバッファを備える、請求項4に記載の半導体
装置のテスト装置。
5. A buffer in which the clock skew adjusting means and the data skew adjusting means respectively connect a dynamic load and / or a load relay resistor to a clock wiring for transmitting the internal clock signal and a data wiring for inputting / outputting data. The test device for a semiconductor device according to claim 4, further comprising:
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