JP2001344840A - Magneto-optical recording medium and method for reproducing - Google Patents
Magneto-optical recording medium and method for reproducingInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は情報の記録または再
生に用いられる光磁気記録媒体とそれを用いた記録再生
方法に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a magneto-optical recording medium used for recording or reproducing information and a recording / reproducing method using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光磁気記録媒体は、書き換え可能な高密
度記録媒体として実用化されている。光磁気記録媒体
は、半導体レーザーの熱エネルギーを用いて、磁性層に
磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用い
て、磁性層に記録されている情報の再生を行っている。
近年、光磁気記録媒体の記録密度を高めて、さらに大容
量の記録媒体とする要求が高まっている。2. Description of the Related Art Magneto-optical recording media have been put to practical use as rewritable high-density recording media. In a magneto-optical recording medium, information is recorded by writing magnetic domains in a magnetic layer using the thermal energy of a semiconductor laser, and information recorded in the magnetic layer is reproduced using a magneto-optical effect.
In recent years, there has been an increasing demand for increasing the recording density of a magneto-optical recording medium to achieve a larger-capacity recording medium.
【０００３】光磁気記録媒体の線記録密度は、再生時の
レーザ光の波長λ、対物レンズの開口数ＮＡに大きく依
存する。すなわち、再生時のレーザ光の波長λと対物レ
ンズの開口数ＮＡによってビームスポット径が決定し、
再生可能な最短マーク長は、０．６λ／ＮＡ程度が限界
となる。[0003] The linear recording density of a magneto-optical recording medium greatly depends on the wavelength λ of a laser beam during reproduction and the numerical aperture NA of an objective lens. That is, the beam spot diameter is determined by the wavelength λ of the laser beam during reproduction and the numerical aperture NA of the objective lens,
The shortest reproducible mark length is limited to about 0.6λ / NA.
【０００４】一方、トラック密度は、主として隣接トラ
ック間のクロストークによって制限され、最短マーク長
と同様に再生時のビームスポット径に依存する。On the other hand, the track density is mainly limited by crosstalk between adjacent tracks, and depends on the beam spot diameter at the time of reproduction as well as the shortest mark length.
【０００５】従って、従来の光磁気記録媒体で高密度化
を実現するためには、再生時のレーザ光の波長λを短く
するか、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要があ
る。しかし、レーザ光の波長を短くするのは素子の効
率、発熱などの問題で容易ではなく、また、対物レンズ
の開口数を大きくするとレンズの加工が困難になるだけ
でなく、レンズとディスクの距離が近づきすぎてディス
クと衝突する等の機械的問題が発生する。Therefore, in order to realize a high density in a conventional magneto-optical recording medium, it is necessary to shorten the wavelength λ of the laser beam during reproduction or to increase the numerical aperture NA of the objective lens. However, it is not easy to shorten the wavelength of laser light due to problems such as the efficiency of the element and heat generation, and if the numerical aperture of the objective lens is increased, not only the processing of the lens becomes difficult, but also the distance between the lens and the disk. Are too close to each other to cause mechanical problems such as collision with the disk.
【０００６】これに対して、従来の再生光学系のままで
高密度化を可能とする記録再生方式として、磁気超解像
方式がある。磁気超解像方式を用いると、ビームスポッ
トよりも小さなマークを再生することが可能である。On the other hand, there is a magnetic super-resolution method as a recording / reproducing method capable of increasing the density without changing the conventional reproducing optical system. When the magnetic super-resolution method is used, a mark smaller than a beam spot can be reproduced.
【０００７】この中で、静磁結合力を用いた磁気超解像
方式は、第１磁性層および第２磁性層とその間に非磁性
層をはさむという簡単な基本構成であり、再生時に再生
磁界が不要であるという特徴がある。[0007] Among them, the magnetic super-resolution method using the magnetostatic coupling force has a simple basic structure in which a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a non-magnetic layer are sandwiched between them. Is unnecessary.
【０００８】第１磁性層および第２磁性層は、主に希土
類−遷移金属合金が用いられている。第１磁性層は室温
では面内磁化膜であるが、温度が上昇するにつれて面内
磁化膜から垂直磁化膜へ遷移する。第２磁性層は、室温
で大きな垂直磁気異方性を有する膜で、この第２磁性層
の磁区が膜面に対して上向きか下向きかによって情報が
保持されている。The first magnetic layer and the second magnetic layer mainly use a rare earth-transition metal alloy. The first magnetic layer is an in-plane magnetic film at room temperature, but transitions from the in-plane magnetic film to the perpendicular magnetic film as the temperature increases. The second magnetic layer is a film having a large perpendicular magnetic anisotropy at room temperature, and information is held depending on whether the magnetic domain of the second magnetic layer is upward or downward with respect to the film surface.
【０００９】このような構成の光磁気記録媒体に基板側
からレーザ光を照射すると、ビームスポット内では温度
勾配が発生し、温度の高い領域と温度の低い領域とが存
在するようになる。このとき、ビームスポット内の温度
の低い領域では、第１磁性層は面内磁化膜となるために
極カー効果には寄与せず、第２磁性層に保持された情報
はマスクされて見えなくなる。When a laser beam is irradiated from the substrate side to the magneto-optical recording medium having such a configuration, a temperature gradient occurs in the beam spot, and a high-temperature region and a low-temperature region exist. At this time, in a low temperature region in the beam spot, the first magnetic layer becomes an in-plane magnetization film and does not contribute to the polar Kerr effect, and the information held in the second magnetic layer is masked and becomes invisible. .
【００１０】一方、ビームスポット内で再生温度に達す
る温度の高い領域は、第１磁性層が垂直磁化膜になり、
第２磁性層から発生する転写磁界によって、常に第１磁
性層に第２磁性層に記録されている情報が転写される。On the other hand, in the region where the temperature reaches the reproduction temperature in the beam spot, the first magnetic layer becomes a perpendicular magnetization film,
The information recorded in the second magnetic layer is always transferred to the first magnetic layer by the transfer magnetic field generated from the second magnetic layer.
【００１１】ビームスポット内の再生温度に達している
領域では、第１磁性層は第２磁性層から発生する転写磁
界によって、常に第２磁性層に記録されている情報が転
写されるため、図１１に示すように、第１磁性層の膜面
に対する垂直方向の保磁力は小さい。In the region of the beam spot where the reproducing temperature has been reached, the information recorded on the second magnetic layer is always transferred to the first magnetic layer by the transfer magnetic field generated from the second magnetic layer. As shown in FIG. 11, the coercive force in the direction perpendicular to the film surface of the first magnetic layer is small.
【００１２】一方、ビームスポット全体としては、第１
磁性層によってマスクされている領域があるため、ビー
ムスポットの大きさに比べて小さな領域だけに第２磁性
層に記録されている情報が転写されることになるので、
ビームスポットよりも小さなマークの再生が実現され
る。On the other hand, the beam spot as a whole
Since there is an area masked by the magnetic layer, information recorded on the second magnetic layer is transferred only to an area smaller than the size of the beam spot.
Reproduction of a mark smaller than the beam spot is realized.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】このような磁気超解像
方式を用いた光磁気記録媒体においては、短マークによ
る高密度化の要求に応えうるものであるが、上記のよう
な構成においては、再生時に外部磁界が発生すると、再
生信号が劣化する。特に、長マークでのマーク中央付近
では、第２磁性層からの転写磁界は小さく、第１磁性層
に第２磁性層からの情報が転写されるときに、外部磁界
の影響が大きくなる。The magneto-optical recording medium using such a magnetic super-resolution method can meet the demand for high density by using short marks. When an external magnetic field is generated during reproduction, the reproduction signal is degraded. In particular, near the center of the long mark, the transfer magnetic field from the second magnetic layer is small, and when information from the second magnetic layer is transferred to the first magnetic layer, the influence of the external magnetic field increases.
【００１４】本発明は上記課題に鑑みてなされたもので
あり、長マークにおいて、第１磁性層の膜面に対して垂
直方向の保磁力を転写磁界の最高値を超えない範囲で大
きくすることによって、再生時において安定した信号の
検出を目的とした光磁気記録媒体、光磁気記録媒体の製
造方法および再生方法を提供するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to increase the coercive force of a long mark in a direction perpendicular to the film surface of a first magnetic layer within a range not exceeding a maximum value of a transfer magnetic field. Accordingly, the present invention provides a magneto-optical recording medium, a method for manufacturing a magneto-optical recording medium, and a reproducing method for the purpose of detecting a stable signal during reproduction.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、第１の本発明（請求項１に対応）は、少なくとも
室温で面内磁化膜となり、また前記室温より高い所定の
高温で垂直磁化膜となる第１磁性層と、垂直磁気異方性
を有した第２磁性層と、前記第１磁性層と前記第２磁性
層との間に設けられた非磁性層とを少なくとも備えた光
磁気記録媒体において、前記第１磁性層は、該光磁気記
録媒体の再生温度において、膜面に対し垂直方向の保磁
力を有し、前記保磁力は５０Ｏｅ以上であることを特徴
とする光磁気記録媒体である。In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention (corresponding to claim 1) is to provide an in-plane magnetized film at least at room temperature, and at a predetermined high temperature higher than the room temperature. It comprises at least a first magnetic layer serving as a perpendicular magnetic film, a second magnetic layer having perpendicular magnetic anisotropy, and a nonmagnetic layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer. In the magneto-optical recording medium, the first magnetic layer has a coercive force in a direction perpendicular to a film surface at a reproducing temperature of the magneto-optical recording medium, and the coercive force is 50 Oe or more. It is a magneto-optical recording medium.
【００１６】また、第２の本発明（請求項２に対応）
は、前記第１磁性層と対向して、前記第２磁性層を間に
挟む位置に設けられた放熱層をさらに備えたことを特徴
とする上記本発明である。Further, the second invention (corresponding to claim 2)
Is a heat radiation layer further provided at a position facing the first magnetic layer and sandwiching the second magnetic layer therebetween.
【００１７】また、第３の本発明（請求項３に対応）
は、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられ
た第３磁性層をさらに備えたことを特徴とする上記本発
明である。Further, the third invention (corresponding to claim 3)
The present invention is the above-mentioned invention, further comprising a third magnetic layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer.
【００１８】また、第４の本発明（請求項４に対応）
は、前記第１磁性層は、少なくともＴｂおよび／または
Ｄｙを含有する組成を有することを特徴とする上記本発
明である。The fourth invention (corresponding to claim 4)
The present invention is the above-mentioned invention, wherein the first magnetic layer has a composition containing at least Tb and / or Dy.
【００１９】また、第５の本発明（請求項５に対応）
は、前記Ｔｂまたは前記Ｄｙの組成ｘ（ａｔ．％）は、
０．２≦ｘ≦１．０の範囲にあることを特徴とする上記
本発明である。The fifth invention (corresponding to claim 5)
Is a composition x (at.%) Of the Tb or the Dy,
The present invention is characterized by being in the range of 0.2 ≦ x ≦ 1.0.
【００２０】また、第６の本発明（請求項６に対応）
は、第１の本発明の光磁気記録媒体の製造方法であっ
て、前記第１磁性層を製膜する工程と、前記第２磁性膜
を製膜する工程と、比磁性層を製膜する工程と、基板側
から前記第１磁性膜にバイアス電圧を印加する工程を少
なくとも備えたことを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法である。The sixth invention (corresponding to claim 6)
Is a method for manufacturing a magneto-optical recording medium according to the first aspect of the present invention, wherein a step of forming the first magnetic layer, a step of forming the second magnetic film, and a step of forming a specific magnetic layer And a step of applying a bias voltage to the first magnetic film from the substrate side.
【００２１】また、第７の本発明（請求項７に対応）
は、上記の本発明の光磁気記録媒体にレーザ光を照射し
て、前記第１磁性層と前記第２磁性層とを磁気的に結合
させることにより、前記第２磁性層に記録された情報を
再生する再生工程を備えた光磁気記録媒体の再生方法で
あって、前記再生工程においては、第１磁性層と前記第
２磁性層との磁気的結合により、前記第２磁性層に記録
された情報が前記第１磁性層に外部磁界の影響を受けず
に転写され、前記情報の再生が行なわれることを特徴と
する光磁気記録媒体の再生方法である。Further, a seventh aspect of the present invention (corresponding to claim 7)
Irradiates the above-described magneto-optical recording medium of the present invention with a laser beam to magnetically couple the first magnetic layer and the second magnetic layer, thereby obtaining information recorded on the second magnetic layer. A reproducing method for a magneto-optical recording medium comprising a reproducing step of reproducing the data recorded in the second magnetic layer by the magnetic coupling between the first magnetic layer and the second magnetic layer. Wherein the reproduced information is transferred to the first magnetic layer without being affected by an external magnetic field, and the information is reproduced.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１から図１０を用いて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【００２３】（実施の形態１）図２は本発明の実施の形
態による光磁気記録媒体の断面図である。基板１０１は
ポリカーボネート製の基板である。ポリカーボネート製
の基板は成形が容易であるために光磁気記録媒体の基板
としてよく用いられている。また、基板１０１はトラッ
ク幅が０．６μｍのサンプルサーボ方式用の基板であ
る。(Embodiment 1) FIG. 2 is a sectional view of a magneto-optical recording medium according to an embodiment of the present invention. The substrate 101 is a substrate made of polycarbonate. Polycarbonate substrates are often used as substrates for magneto-optical recording media because of their ease of molding. The substrate 101 is a substrate for a sample servo system having a track width of 0.6 μm.
【００２４】本実施の形態の光磁気記録媒体は、基板１
０１に、順に第１誘電体層１０２、第１磁性層１０３、
第２誘電体層１０４、第２磁性層１０５、第３誘電体層
１０６、オーバーコート層１０７を製膜した構成の光磁
気記録媒体である。The magneto-optical recording medium according to the present embodiment
01, a first dielectric layer 102, a first magnetic layer 103,
This is a magneto-optical recording medium having a configuration in which a second dielectric layer 104, a second magnetic layer 105, a third dielectric layer 106, and an overcoat layer 107 are formed.
【００２５】次に、図２に示す光磁気記録媒体の作製方
法について説明する。Next, a method of manufacturing the magneto-optical recording medium shown in FIG. 2 will be described.
【００２６】基板１０１への薄膜の製膜にはスパッタリ
ング装置を用いた。スパッタリング装置にはＴｂＦｅＣ
ｏ合金ターゲット、ＧｄＴｂＦｅＣｏ合金ターゲット、
Ｓｉターゲットがそれぞれ独立のカソードに設置されて
おり、ポリカーボネート製である基板１０１をスパッタ
リング装置内の基板ホルダーに設置する。基板１０１を
設置後、スパッタリング装置のチャンバー内を２×１０
-7Ｔｏｒｒ以下の高真空になるまでクライオポンプで真
空排気した。For forming a thin film on the substrate 101, a sputtering apparatus was used. TbFeC for sputtering equipment
o alloy target, GdTbFeCo alloy target,
Si targets are installed on independent cathodes, respectively, and a substrate 101 made of polycarbonate is installed on a substrate holder in a sputtering apparatus. After installing the substrate 101, the inside of the chamber of the sputtering apparatus is 2 × 10
Evacuation was performed with a cryopump until a high vacuum of -7 Torr or less was obtained.
【００２７】高真空に排気後、チャンバー内にＡｒガス
を２×１０-3ＴｏｒｒおよびＮ２ガスを４×１０-3Ｔｏ
ｒｒ導入し、投入電力を１ｋＷ印加して、基板１０１上
にＤＣスパッタリング法を用いて第１誘電体層１０２と
してＳｉＮ膜の製膜を行った。本実施の形態において
は、第１誘電体層１０２であるＳｉＮ膜の膜厚を８０ｎ
ｍとした。After evacuating to a high vacuum, the chamber is supplied with Ar gas at 2 × 10 -3 Torr and N2 gas at 4 × 10 -3 Ton.
rr was introduced, an input power of 1 kW was applied, and a SiN film was formed as the first dielectric layer 102 on the substrate 101 by DC sputtering. In the present embodiment, the thickness of the SiN film that is the first dielectric layer 102 is 80 n.
m.
【００２８】再度、チャンバー内の真空度を２×１０-7
Ｔｏｒｒ以下にして、チャンバー内にＡｒガスを５×１
０-3Ｔｏｒｒ導入する。Ａｒガス導入後、第１誘電体層
１０２の上に第１磁性層１０３としてＧｄＴｂＦｅＣｏ
膜の製膜を行った。スパッタリング方法は第１誘電体層
１０２と同様にＤＣスパッタリング法である。Again, the degree of vacuum in the chamber is set to 2 × 10 -7
Torr or lower, Ar gas was introduced into the chamber at 5 × 1
Introduce 0 -3 Torr. After introducing Ar gas, GdTbFeCo is formed as a first magnetic layer 103 on the first dielectric layer 102.
A film was formed. The sputtering method is a DC sputtering method as in the case of the first dielectric layer 102.
【００２９】第１磁性層１０３の膜厚は、十分な再生信
号が得られることが必要なため、本実施の形態において
は、第１磁性層１０３の膜厚を５０ｎｍとした。In the present embodiment, the thickness of the first magnetic layer 103 is set to 50 nm because it is necessary to obtain a sufficient reproduction signal.
【００３０】本実施の形態において、第１磁性層１０３
であるＧｄＴｂＦｅＣｏ膜の組成はＧｄ２９．９Ｔｂ
０．７Ｆｅ６１．１Ｃｏ８．３（ａｔ．％）とした。本
実施の形態の第１磁性層１０３は、キュリー温度が３２
０℃、かつ１５０℃前後の温度領域において面内磁化膜
から垂直磁化膜へと遷移するような希土類リッチの組成
のＧｄＴｂＦｅＣｏ膜である。In this embodiment, the first magnetic layer 103
The composition of the GdTbFeCo film is Gd29.9Tb
0.7Fe61.1Co8.3 (at.%). The first magnetic layer 103 of the present embodiment has a Curie temperature of 32.
It is a rare earth-rich GdTbFeCo film that transitions from an in-plane magnetized film to a perpendicular magnetized film in a temperature range of about 0 ° C. and about 150 ° C.
【００３１】第１磁性層１０３を製膜後、再度、２×１
０-7Ｔｏｒｒまで真空排気して、第１磁性層１０３の上
に第２誘電体層１０４の製膜を行った。第２誘電体層１
０４は第１誘電体層１０２と同様にＳｉＮ膜を用いてお
り、製膜条件も第１誘電体層１０２の場合と同様であ
り、チャンバー内にＡｒガスを２×１０-3Ｔｏｒｒおよ
びＮ２ガスを４×１０-3Ｔｏｒｒ導入して、投入電力を
１ｋＷ印加して製膜を行った。After forming the first magnetic layer 103, the 2 × 1
After evacuation to 0 −7 Torr, a second dielectric layer 104 was formed on the first magnetic layer 103. Second dielectric layer 1
04 uses an SiN film in the same manner as the first dielectric layer 102, and the film formation conditions are the same as those in the case of the first dielectric layer 102. Ar gas is introduced into the chamber at 2 × 10 −3 Torr and N 2 gas. Was introduced at 4 × 10 −3 Torr, and an input power of 1 kW was applied to form a film.
【００３２】第２誘電体層１０４の膜厚は、第１磁性層
１０３と第２磁性層１０５との静磁結合力に強く影響を
及ぼす。第２誘電体層１０４の膜厚が薄いほうが、第１
磁性層１０３と第２磁性層１０５との距離が短くなり、
静磁結合力が強くなるため、第２誘電体層１０４の膜厚
を８０ｎｍ以下にするのが望ましく、３０ｎｍ以下にす
るのがさらに望ましい。しかし、第２誘電体層１０４の
膜厚が非常に薄くなると、第１磁性層１０３と第２磁性
層１０５との間で交換結合力が静磁結合力より大きくな
るため、第２誘電体層１０４の膜厚を２ｎｍ以上にする
ことが必要である。本実施の形態においては、第２誘電
体層１０４の膜厚を２ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍとしたデ
ィスクをそれぞれ作製した。The thickness of the second dielectric layer 104 strongly affects the magnetostatic coupling between the first magnetic layer 103 and the second magnetic layer 105. The smaller the thickness of the second dielectric layer 104 is,
The distance between the magnetic layer 103 and the second magnetic layer 105 is reduced,
The thickness of the second dielectric layer 104 is desirably 80 nm or less, and more desirably 30 nm or less, because the magnetostatic coupling force is increased. However, when the thickness of the second dielectric layer 104 is extremely small, the exchange coupling force between the first magnetic layer 103 and the second magnetic layer 105 becomes larger than the magnetostatic coupling force. It is necessary that the film thickness of 104 be 2 nm or more. In the present embodiment, disks in which the thickness of the second dielectric layer 104 was 2 nm, 5 nm, and 10 nm were respectively manufactured.
【００３３】次に、２×１０-3Ｔｏｒｒまで真空排気し
た後、チャンバー内にＡｒガスを５×１０-3Ｔｏｒｒ導
入し、第２磁性層１０５としてＴｂＦｅＣｏ膜を、第２
誘電体層１０４の上に５０ｎｍの膜厚で製膜を行った。Next, after evacuating to 2 × 10 −3 Torr, Ar gas was introduced into the chamber at 5 × 10 −3 Torr, and a TbFeCo film was formed as the second magnetic layer 105.
A film having a thickness of 50 nm was formed on the dielectric layer 104.
【００３４】本実施の形態において、第２磁性層１０５
のＴｂＦｅＣｏ膜の組成は、Ｔｂ２２．１Ｆｅ７１．２
Ｃｏ６．７（ａｔ．％）とした。本実施の形態の第２磁
性層１０５であるＴｂＦｅＣｏ膜は、キュリー温度が２
４０℃の遷移金属リッチである。In the present embodiment, the second magnetic layer 105
The composition of the TbFeCo film was Tb22.1Fe71.2
Co was 6.7 (at.%). The TbFeCo film, which is the second magnetic layer 105 of the present embodiment, has a Curie temperature of 2
Transition metal rich at 40 ° C.
【００３５】再度、２×１０-7Ｔｏｒｒまで真空排気を
行う。真空排気後、第１誘電体層１０２と同様にチャン
バー内にＡｒガスを２×１０-3ＴｏｒｒおよびＮ２ガス
を４×１０-3Ｔｏｒｒ導入した。ＡｒガスおよびＮ２ガ
ス導入後、第２磁性層１０５の上に、第１誘電体層１０
２および第２誘電体層１０４と同様に１ｋＷの投入電力
を印加して、第３誘電体層１０６としてＳｉＮ膜の製膜
を行った。Evacuation is performed again to 2 × 10 −7 Torr. After evacuation, the Ar gas 2 × 10 -3 Torr and N2 gas was introduced 4 × 10 -3 Torr to first dielectric layer 102 in the same manner as in the chamber. After the introduction of the Ar gas and the N 2 gas, the first dielectric layer 10 is formed on the second magnetic layer 105.
As in the case of the second and second dielectric layers 104, an input power of 1 kW was applied to form a SiN film as the third dielectric layer 106.
【００３６】第３誘電体層１０６の膜厚は、第２磁性層
１０５を酸化等の腐食から保護することが必要であり、
５０ｎｍ以上が望ましい。本実施の形態においては、第
３誘電体層１０６の膜厚を８０ｎｍとした。The thickness of the third dielectric layer 106 needs to protect the second magnetic layer 105 from corrosion such as oxidation.
50 nm or more is desirable. In the present embodiment, the thickness of the third dielectric layer 106 is set to 80 nm.
【００３７】基板１０１上に上記の条件で各薄膜を製膜
した光磁気記録媒体をチャンバーから取り出して、各薄
膜を製膜した光磁気記録媒体の膜表面側に、紫外線硬化
樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射する
ことによってオーバーコート層１０７を作製した。本実
施の形態においては、紫外線硬化樹脂の粘度とスピンコ
ーターの回転数を制御することにより、オーバーコート
層１０７の膜厚を１０μｍとした。The magneto-optical recording medium on which each thin film is formed on the substrate 101 under the above conditions is taken out of the chamber, and an ultraviolet curable resin is spin-coated on the film surface side of the magneto-optical recording medium on which each thin film is formed. The overcoat layer 107 was formed by applying and irradiating ultraviolet rays. In the present embodiment, the thickness of the overcoat layer 107 is set to 10 μm by controlling the viscosity of the ultraviolet curable resin and the rotation speed of the spin coater.
【００３８】本発明の光磁気記録媒体の第１磁性層１０
３は、希土類元素の副格子磁気モーメントが優勢の組成
であるＧｄＴｂＦｅＣｏ膜を用いた。第１磁性層１０３
は温度によって、それぞれ図３（ａ）（ｂ）（ｃ）に示
すような磁気特性を持つ。First magnetic layer 10 of magneto-optical recording medium of the present invention
For No. 3, a GdTbFeCo film having a composition in which the sublattice magnetic moment of the rare earth element is dominant was used. First magnetic layer 103
Has magnetic characteristics as shown in FIGS. 3A, 3B and 3C depending on the temperature.
【００３９】図３（ａ）は、第１磁性層１０３の、室温
におけるカー回転角と磁界の関係を示す図である。第１
磁性層１０３は、室温では面内磁化膜であるので、膜面
に対して垂直方向の小さな磁界では磁化が膜面に対して
垂直方向に向きにくく、磁化を膜面に対して垂直方向に
向けるためには非常に大きな磁界が必要である。FIG. 3A is a diagram showing the relationship between the Kerr rotation angle and the magnetic field of the first magnetic layer 103 at room temperature. First
Since the magnetic layer 103 is an in-plane magnetized film at room temperature, the magnetization is hardly directed in the direction perpendicular to the film surface with a small magnetic field perpendicular to the film surface, and the magnetization is directed in the direction perpendicular to the film surface. Requires a very large magnetic field.
【００４０】図３（ｂ）は、第１磁性層１０３の磁化が
膜面方向から膜面に対して垂直方向へ遷移する温度にお
けるカー回転角と外部磁界の関係を示す図である。この
温度領域では、ある程度の大きさの磁界を印加すると、
第１磁性層１０３の磁化は完全に膜面に対して垂直方向
に向くが、しかし、小さな磁界に対しては磁化は完全に
膜面に対して垂直方向に向かないので、カー回転角は小
さい。FIG. 3B is a diagram showing the relationship between the Kerr rotation angle and the external magnetic field at a temperature at which the magnetization of the first magnetic layer 103 changes from the film surface direction to the film surface perpendicular direction. In this temperature range, when a magnetic field of a certain magnitude is applied,
The magnetization of the first magnetic layer 103 is completely oriented perpendicular to the film surface, but the Kerr rotation angle is small because the magnetization is not completely oriented perpendicular to the film surface for a small magnetic field. .
【００４１】図３（ｃ）は、第１磁性層１０３の高温に
おけるカー回転角と磁界の関係を示す図である。高温に
なると、第１磁性層１０３は垂直磁化膜となり、小さな
磁界で飽和し、大きなカー回転角が得られる。第１磁性
層１０３には、図３（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すような室
温では面内磁化膜、高温になるにつれて垂直磁化膜とな
るような膜を用いた。FIG. 3C shows the relationship between the Kerr rotation angle of the first magnetic layer 103 at a high temperature and the magnetic field. When the temperature rises, the first magnetic layer 103 becomes a perpendicular magnetization film, is saturated by a small magnetic field, and a large Kerr rotation angle is obtained. As the first magnetic layer 103, a film that becomes an in-plane magnetic film at room temperature and becomes a perpendicular magnetic film as the temperature increases as shown in FIGS. 3A, 3B, and 3C is used.
【００４２】第１磁性層１０３の再生温度付近では、飽
和磁化と膜面に対して垂直方向の残留磁化が等しく、保
磁力は６０Ｏｅである。一方、従来の光磁気記録媒体の
第１磁性層の再生温度付近の保磁力は、約１５Ｏｅであ
る。In the vicinity of the reproducing temperature of the first magnetic layer 103, the saturation magnetization is equal to the residual magnetization in the direction perpendicular to the film surface, and the coercive force is 60 Oe. On the other hand, the coercive force of the first magnetic layer of the conventional magneto-optical recording medium near the reproducing temperature is about 15 Oe.
【００４３】第１磁性層１０３において、面内磁化膜か
ら垂直磁化膜へ遷移する温度領域は、第１磁性層を構成
する各元素の割合を変えることによって設定することが
可能である。ＧｄＴｂＦｅＣｏ膜の場合では、一般的に
Ｇｄ量の割合を多くすると、面内磁化膜から垂直磁化膜
へ遷移する温度領域は高くなる。反対に、面内磁化膜か
ら垂直磁化膜へ遷移する温度領域を低くする場合は、Ｇ
ｄ量の割合を少なくすればよい。In the first magnetic layer 103, the temperature region where the transition from the in-plane magnetization film to the perpendicular magnetization film can be set by changing the ratio of each element constituting the first magnetic layer. In the case of the GdTbFeCo film, generally, when the ratio of the Gd amount is increased, the temperature region where the transition from the in-plane magnetization film to the perpendicular magnetization film increases. On the other hand, to lower the temperature region where the transition from the in-plane magnetization film to the perpendicular magnetization film occurs,
What is necessary is just to reduce the ratio of d amount.
【００４４】図４は、上記のような室温では面内磁化
膜、高温になると垂直磁化膜となるような第１磁性層１
０３の垂直磁気異方性エネルギーＫｕおよび反磁界エネ
ルギー２πＭｓ2と温度との関係を示す図である。一般
的に上記のような磁性層の場合、垂直磁気異方性エネル
ギーをＫｕ、飽和磁化をＭｓとすると、室温のときは次
式が成り立つ。FIG. 4 shows that the first magnetic layer 1 becomes an in-plane magnetic film at room temperature and a perpendicular magnetic film at high temperature.
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between perpendicular magnetic anisotropy energy Ku and demagnetizing field energy 2πMs 2 of No. 03 and temperature. In general, when the perpendicular magnetic anisotropy energy is Ku and the saturation magnetization is Ms in the case of the magnetic layer as described above, the following equation is satisfied at room temperature.
【００４５】[0045]
【数１】Ｋｕ＜２πＭｓ2 垂直磁気異方性エネルギーＫｕが反磁界エネルギー２π
Ｍｓ2より小さい場合、第１磁性層１０３は面内磁化膜
となる。つまりＫｕと２πＭｓ2が一致する温度をＴｍ
とすると、第１磁性層１０３は、Ｔｍ未満の低温領域で
は面内磁化膜となる。また図４に示すように、第１磁性
層１０３の温度が高くなっていくとＫｕと２πＭｓ２の
大きさが近づき、Ｔｍよりも高くなると次式のようにな
る。Ku <2πMs 2 perpendicular magnetic anisotropy energy Ku is demagnetizing field energy 2π
When it is smaller than Ms 2 , the first magnetic layer 103 becomes an in-plane magnetized film. That is, the temperature at which Ku and 2πMs 2 match is defined as Tm
Then, the first magnetic layer 103 becomes an in-plane magnetized film in a low temperature region lower than Tm. As shown in FIG. 4, when the temperature of the first magnetic layer 103 increases, the magnitudes of Ku and 2πMs2 approach each other, and when the temperature becomes higher than Tm, the following equation is obtained.
【００４６】[0046]
【数２】Ｋｕ＞２πＭｓ2 第１磁性層１０３は、この式が成り立つときに垂直磁化
膜となる。Ku> 2πMs 2 The first magnetic layer 103 becomes a perpendicular magnetization film when this equation is satisfied.
【００４７】また、第１磁性層１０３は第２磁性層１０
５に記録されている情報の再生を担う層であるため、再
生温度における第１磁性層１０３のカー回転角は大きい
ほうがよい。図５は、希土類−遷移金属合金のカー回転
角とキュリー温度の関係を示す図である。図５に示すよ
うに、キュリー温度が高くなるほど、カー回転角は大き
くなる。The first magnetic layer 103 is the second magnetic layer 10
5, the Kerr rotation angle of the first magnetic layer 103 at the reproduction temperature is preferably large. FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the Kerr rotation angle and the Curie temperature of a rare earth-transition metal alloy. As shown in FIG. 5, as the Curie temperature increases, the Kerr rotation angle increases.
【００４８】上記より、第１磁性層１０３はキュリー温
度が高くなるような材料および組成が適している。本実
施の形態においては、第１磁性層１０３であるＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ膜はキュリー温度が３２０℃である。As described above, the first magnetic layer 103 is suitably made of a material and a composition that increase the Curie temperature. In the present embodiment, the first magnetic layer 103 of GdTb
The Curie temperature of the FeCo film is 320 ° C.
【００４９】図６は、本実施の形態で用いた第２磁性層
１０５の飽和磁化Ｍｓと温度の関係を示す図である。静
磁結合力は磁気モーメントと強い相関があり、磁気モー
メントが大きいほど、静磁結合力は大きくなる。磁気モ
ーメントは飽和磁化と膜厚の積であるため、飽和磁化は
静磁結合力に大きな影響をおよぼす。本実施の形態で用
いた第２磁性層１０５は、Ｔｂ２２．１Ｆｅ７１．２Ｃ
ｏ６．７（ａｔ．％）の組成でキュリー温度が２４０℃
である遷移金属リッチの組成のＴｂＦｅＣｏ膜である。FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the saturation magnetization Ms of the second magnetic layer 105 used in the present embodiment and the temperature. The magnetostatic coupling force has a strong correlation with the magnetic moment, and the larger the magnetic moment, the greater the magnetostatic coupling force. Since the magnetic moment is the product of the saturation magnetization and the film thickness, the saturation magnetization has a great effect on the magnetostatic coupling force. The second magnetic layer 105 used in the present embodiment is made of Tb22.1Fe71.2C
o Curie temperature 240 ° C with composition of 6.7 (at.%)
Is a TbFeCo film having a composition rich in transition metal.
【００５０】第２磁性層１０５は、補償温度が室温付近
にあるほうが、室温における飽和磁化と再生温度におけ
る飽和磁化との差が大きくなり、温度に対して飽和磁化
の変化が急峻になる。また室温において垂直磁気異方性
が大きく、保磁力が大きいため、安定に記録情報を保持
することが可能である。本実施の形態で用いた第２磁性
層１０５の室温における飽和磁化はほぼ０であり、温度
が上昇するにつれて、第２磁性層１０５の飽和磁化は大
きくなっていき、再生温度となる所定の温度、つまり第
１磁性層１０３へ記録情報を転写する温度では、第２磁
性層１０５に記録されている情報を第１磁性層１０３に
信号が十分に転写することが可能な飽和磁化の値を示す
ようになる。When the compensation temperature of the second magnetic layer 105 is near room temperature, the difference between the saturation magnetization at room temperature and the saturation magnetization at the reproduction temperature increases, and the change in saturation magnetization with temperature becomes sharper. Further, since the perpendicular magnetic anisotropy is large and the coercive force is large at room temperature, it is possible to stably hold recorded information. The saturation magnetization of the second magnetic layer 105 used in the present embodiment at room temperature is almost 0, and as the temperature rises, the saturation magnetization of the second magnetic layer 105 increases, and a predetermined temperature at which the reproduction temperature is reached. In other words, at the temperature at which the recording information is transferred to the first magnetic layer 103, the temperature indicates a saturation magnetization value at which a signal can be sufficiently transferred from the information recorded in the second magnetic layer 105 to the first magnetic layer 103. Become like
【００５１】第２磁性層１０５の膜厚は、再生温度にお
いて第１磁性層１０３に信号を転写させるために、第２
磁性層１０５の磁気モーメントを大きくする必要がある
ため、２５ｎｍ以上であることが望ましい。しかし、第
２磁性層１０５の膜厚が厚くなりすぎると温度上昇に必
要となるレーザ光のパワーが大きくなり、記録感度が低
下する原因となるため、第２磁性層１０５の膜厚は２０
０ｎｍ以下であることが望ましい。本実施の形態におい
ては、第２磁性層１０５の膜厚を５０ｎｍとした。The film thickness of the second magnetic layer 105 is set at the second temperature in order to transfer a signal to the first magnetic layer 103 at the reproducing temperature.
Since it is necessary to increase the magnetic moment of the magnetic layer 105, the thickness is preferably 25 nm or more. However, if the thickness of the second magnetic layer 105 is too large, the power of the laser beam required for increasing the temperature increases, which causes a decrease in recording sensitivity.
It is desirable that the thickness be 0 nm or less. In the present embodiment, the thickness of the second magnetic layer 105 is set to 50 nm.
【００５２】次に、本実施の形態において作製した光磁
気記録媒体の記録再生特性を調べた。本発明の再生方法
には波長６５０ｎｍの半導体レーザー、ＮＡが０．６の
対物レンズを用いた。媒体の線速は３．５ｍ／ｓとし
た。Next, the recording / reproducing characteristics of the magneto-optical recording medium manufactured in this embodiment were examined. In the reproducing method of the present invention, a semiconductor laser having a wavelength of 650 nm and an objective lens having an NA of 0.6 were used. The linear velocity of the medium was 3.5 m / s.
【００５３】光磁気記録媒体への信号の記録は、光パル
ス磁界変調記録方式を用いた。記録パワーを９ｍＷ、ｄ
ｕｔｙ５０％として、レーザ光を光磁気記録媒体に照射
し、ビームスポット内の第２磁性層１０５の温度をキュ
リー温度付近まで上げる。レーザ光と反対面に磁気ヘッ
ドを近づけておいて、磁気ヘッドから記録磁界３５０Ｏ
ｅで発生する磁束の向きを変調することによって信号を
記録した。For recording signals on the magneto-optical recording medium, an optical pulse magnetic field modulation recording system was used. Recording power of 9 mW, d
The laser beam is applied to the magneto-optical recording medium at a uty of 50%, and the temperature of the second magnetic layer 105 in the beam spot is increased to near the Curie temperature. With the magnetic head close to the surface opposite to the laser beam, the recording magnetic field 350O
The signal was recorded by modulating the direction of the magnetic flux generated at e.
【００５４】第２磁性層１０５に記録されている情報の
再生は、はじめに、レーザ光を光磁気記録媒体に照射す
ることにより、ビームスポット内の第１磁性層１０３の
温度を上げて垂直磁化膜の領域を作るとともに、第２磁
性層１０５の温度を上げて、ビームスポット内の第２磁
性層１０５の磁気モーメントを大きくする。The reproduction of the information recorded on the second magnetic layer 105 is performed by first irradiating the magneto-optical recording medium with a laser beam to raise the temperature of the first magnetic layer 103 in the beam spot so that the perpendicular magnetization film is reproduced. And the temperature of the second magnetic layer 105 is increased to increase the magnetic moment of the second magnetic layer 105 in the beam spot.
【００５５】次いで第２磁性層１０５からの転写磁界に
より第２磁性層１０５の信号を第１磁性層１０３へ転写
する。Next, the signal of the second magnetic layer 105 is transferred to the first magnetic layer 103 by the transfer magnetic field from the second magnetic layer 105.
【００５６】最後に、光磁気記録媒体で反射したレーザ
光から、磁気光学効果により信号を検出する。Finally, a signal is detected from the laser beam reflected by the magneto-optical recording medium by a magneto-optical effect.
【００５７】ここで図７は、本実施の形態において、第
２誘電体層１０４の膜厚を１０ｎｍとした光磁気記録媒
体においてマーク長が１．８μｍのＣＮ比（信号量とノ
イズとの比）と外部磁界の関係を示す図である。また、
図１２は、本実施の形態と、第１磁性層を除いて同一の
構成にて作成した、従来例による光磁気記録媒体におい
て、マーク長が１．８μｍのＣＮ比と外部磁界の関係を
示す図である。FIG. 7 shows a CN ratio (a ratio between signal amount and noise) of a mark length of 1.8 μm in a magneto-optical recording medium in which the thickness of the second dielectric layer 104 is 10 nm in the present embodiment. FIG. 4 is a diagram showing a relationship between the external magnetic field and the external magnetic field. Also,
FIG. 12 shows the relationship between the CN ratio and the external magnetic field when the mark length is 1.8 μm in the magneto-optical recording medium according to the related art, which has the same configuration as that of the present embodiment except for the first magnetic layer. FIG.
【００５８】図に示すように、従来例の、第１磁性層の
保磁力１５Ｏｅの場合のものが、ＣＮ比が１ｄＢダウン
以内である外部磁界に対する安定領域が±２０Ｏｅ以上
であるのに対し、本発明の、第１磁性層の保磁力６０Ｏ
ｅの光磁気記録媒体は、ＣＮ比が１ｄＢダウン以内であ
る外部磁界に対する安定領域は±５０Ｏｅ以上と拡大し
ている。As shown in the figure, in the conventional example where the coercive force of the first magnetic layer is 15 Oe, the stable region against an external magnetic field whose CN ratio is within 1 dB down is ± 20 Oe or more. Coercive force 60O of the first magnetic layer of the present invention
In the magneto-optical recording medium e, the stable region with respect to an external magnetic field whose CN ratio is within 1 dB is expanded to ± 50 Oe or more.
【００５９】表１には、第２誘電体層１０４の膜厚を２
ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍと製膜したディスクにおいて、
マーク長が１．８μｍでの外部磁界に対する安定領域を
示す。第２誘電体層１０４のそれぞれの膜厚において
も、外部磁界に対する安定領域は拡大した。Table 1 shows that the thickness of the second dielectric layer 104 is 2
nm, 5 nm and 10 nm,
This shows a stable region with respect to an external magnetic field when the mark length is 1.8 μm. Also for each film thickness of the second dielectric layer 104, the stable region against the external magnetic field was expanded.
【００６０】[0060]
【表１】 [Table 1]
【００６１】次に、本実施の形態において、マーク長が
長い場合の第２磁性層１０５の情報を第１磁性層１０３
に転写させる方法について説明する。Next, in the present embodiment, the information of the second magnetic layer 105 when the mark length is long is stored in the first magnetic layer 103.
A method of transferring the image to the image will be described.
【００６２】図８は長いマークにおける第２磁性層１０
５から発生する転写磁界を示す図である。第２磁性層１
０５からの転写磁界は、短いマークでは変動が小さい
が、長いマークでは、マークエッジ付近とマーク中央付
近で転写磁界の大きさが異なる。マークエッジ付近の転
写磁界Ｈｒ１は、マーク中央付近の転写磁界Ｈｒ２より
も大きい。第１磁性層１０３の膜面に対して垂直方向の
保磁力Ｈｃ⊥は、以下の条件を満たしている。FIG. 8 shows the second magnetic layer 10 at a long mark.
5 is a diagram showing a transfer magnetic field generated from No. 5. FIG. Second magnetic layer 1
The transfer magnetic field from 05 has a small fluctuation in a short mark, but the transfer magnetic field in a long mark has a different size near the mark edge and near the mark center. The transfer magnetic field Hr1 near the mark edge is larger than the transfer magnetic field Hr2 near the mark center. The coercive force Hc⊥ perpendicular to the film surface of the first magnetic layer 103 satisfies the following conditions.
【００６３】[0063]
【数３】（マーク中央付近の第２磁性層１０５からの転
写磁界Ｈｒ２）＜（第１磁性層１０３の膜面に対して垂
直方向の保磁力Ｈｃ⊥）＜（マークエッジ付近の第２磁
性層１０５からの転写磁界Ｈｒ１） 再生温度において、マークエッジ付近で第２磁性層１０
５に記録されている情報は、転写磁界Ｈｒ１によって第
１磁性層１０３に転写される。第１磁性層１０３は膜面
に対して垂直方向に磁化を持つようになる。磁化の向き
は、転写磁界Ｈｒ１によって転写された情報を反映した
向きである。ビームスポットがトラック方向に移動して
いくと、マークエッジ付近で第２磁性層１０５からの転
写磁界によって磁化を持った第１磁性層１０３は、磁化
状態を保ったままそのままビームスポットとともに移動
する。## EQU3 ## (Transfer magnetic field Hr2 from the second magnetic layer 105 near the center of the mark) <(Coercive force Hc⊥ perpendicular to the film surface of the first magnetic layer 103) <(Second magnetic near the mark edge) Transfer magnetic field Hr1 from layer 105) At the reproduction temperature, the second magnetic layer 10 near the mark edge
5 is transferred to the first magnetic layer 103 by the transfer magnetic field Hr1. The first magnetic layer 103 has magnetization in a direction perpendicular to the film surface. The direction of the magnetization is a direction reflecting the information transferred by the transfer magnetic field Hr1. As the beam spot moves in the track direction, the first magnetic layer 103 having magnetization near the mark edge due to the transfer magnetic field from the second magnetic layer 105 moves with the beam spot as it is while maintaining the magnetized state.
【００６４】マーク中央付近において、第１磁性層１０
３が保っている磁化の方向と反対方向の外部磁界Ｈｅｘ
が印加された場合でも、外部磁界Ｈｅｘの大きさが以下
の条件を満たす場合は、第１磁性層１０３の磁化は保持
されつづける。In the vicinity of the center of the mark, the first magnetic layer 10
The external magnetic field Hex in the direction opposite to the direction of the magnetization held by 3
Is applied, if the magnitude of the external magnetic field Hex satisfies the following condition, the magnetization of the first magnetic layer 103 is maintained.
【００６５】[0065]
【数４】（外部磁界Ｈｅｘ）＜（第１磁性層１０３の膜
面に対して垂直方向の保磁力Ｈｃ⊥）＋（マーク中央付
近の第２磁性層１０５からの転写磁界Ｈｒ２） これを図１の第１磁性層１０３の再生温度におけるカー
ループを示す図で説明する。マークエッジ付近で転写さ
れた第１磁性層１０３は、図１のＡ点に相当する。マー
ク中央付近で転写磁界が減少し、外部磁界Ｈｅｘが支配
的になると、第１磁性層１０３は、保持している磁化の
方向と反対方向の磁界が印加されることになる。第１磁
性層１０３の保磁力が小さい従来の場合は、図１のＢ点
までの反対方向の磁界の大きさであれば、第１磁性層１
０３は磁化を保持するが、Ｂ点よりも反対方向の磁界が
大きくなると、第１磁性層１０３の磁化が反転し、情報
を保持することができない。(External magnetic field Hex) <(Coercive force Hc⊥ perpendicular to the film surface of the first magnetic layer 103) + (Transfer magnetic field Hr2 from the second magnetic layer 105 near the center of the mark) This will be described with reference to a diagram showing a Kerr loop at the reproduction temperature of the first magnetic layer 103. The first magnetic layer 103 transferred near the mark edge corresponds to the point A in FIG. When the transfer magnetic field decreases near the center of the mark and the external magnetic field Hex becomes dominant, a magnetic field in a direction opposite to the direction of the magnetization held in the first magnetic layer 103 is applied. In the conventional case where the coercive force of the first magnetic layer 103 is small, if the magnitude of the magnetic field in the opposite direction up to the point B in FIG.
03 retains the magnetization, but when the magnetic field in the opposite direction to the point B becomes larger, the magnetization of the first magnetic layer 103 is reversed, and the information cannot be retained.
【００６６】これに対して、第１磁性層１０３の保磁力
を、従来例より大きくとった本発明の場合は、図１のＢ
点までの反対方向の磁界の大きさでは、第１磁性層１０
３の保磁力が小さい従来の場合と同様に磁化を保持す
る。また、Ｂ点よりも反対方向の磁界が大きくなって
も、図１に示すように、第１磁性層１０３の磁化は反転
されることがなく、そのまま保持される。On the other hand, in the case of the present invention in which the coercive force of the first magnetic layer 103 is set to be larger than that of the conventional example, FIG.
At the magnitude of the magnetic field in the opposite direction to the point, the first magnetic layer 10
3, the magnetization is maintained as in the conventional case where the coercive force is small. Further, even if the magnetic field in the opposite direction to the point B becomes larger, the magnetization of the first magnetic layer 103 is not inverted and is maintained as shown in FIG.
【００６７】上記のように、第１磁性層１０３の保磁力
が大きいので、保持している磁化と反対方向の磁界が印
加された場合でも、第１磁性層１０３は、磁化を保持し
ながらマーク中央付近を移動し、再びマークエッジ付近
に移動する。このとき、新たに第２磁性層１０５から反
対方向の転写磁界Ｈｒ１が発生する。マークエッジ付近
の転写磁界Ｈｒ１は、第１磁性層１０３の保磁力Ｈｃ⊥
よりも大きいので、第１磁性層１０３に転写され、第１
磁性層１０３の磁化は反対方向を向く。その後は、同様
にマーク中央付近では第１磁性層１０３の磁化は保持さ
れ続けながら移動していく。As described above, since the coercive force of the first magnetic layer 103 is large, even when a magnetic field in a direction opposite to the magnetization being held is applied, the first magnetic layer 103 keeps the mark while holding the magnetization. It moves near the center and again near the mark edge. At this time, a transfer magnetic field Hr1 in the opposite direction is newly generated from the second magnetic layer 105. The transfer magnetic field Hr1 near the mark edge depends on the coercive force Hc⊥ of the first magnetic layer 103.
Is transferred to the first magnetic layer 103,
The magnetization of the magnetic layer 103 is in the opposite direction. Thereafter, similarly, near the center of the mark, the first magnetic layer 103 moves while continuing to be held.
【００６８】本実施の形態では、第１磁性層１０３の垂
直方向の保磁力を大きくとったことにより、外部磁界に
対する安定領域が拡大した。In the present embodiment, the stable region against the external magnetic field is expanded by increasing the coercive force of the first magnetic layer 103 in the vertical direction.
【００６９】（実施の形態２）次に第２の実施の形態に
ついて説明する。図９には本実施の形態による光磁気記
録媒体の断面図である。本実施の形態においては、第３
誘電体層１０６とオーバーコート層１０７の間に放熱層
１０８を設けて製膜を行った光磁気記録媒体を作製し
た。また第１磁性層１０３と第２誘電体層１０４の間に
第３磁性層１０９も設けている。基板１０１はポリカー
ボネート製である。基板１０１に順に第１誘電体層１０
２／第１磁性層１０３／第３磁性層１０９／第２誘電体
層１０４／第２磁性層１０５／第３誘電体層１０６／放
熱層１０８／オーバーコート層１０７を製膜した構成で
ある。第２誘電体層１０４であるＳｉＮ膜の膜厚を１０
ｎｍとした。基板１０１はトラック幅が０．６μｍのサ
ンプルサーボ方式用の基板である。(Embodiment 2) Next, a second embodiment will be described. FIG. 9 is a sectional view of the magneto-optical recording medium according to the present embodiment. In the present embodiment, the third
A magneto-optical recording medium having a film formed by providing a heat radiation layer 108 between the dielectric layer 106 and the overcoat layer 107 was manufactured. Also, a third magnetic layer 109 is provided between the first magnetic layer 103 and the second dielectric layer 104. The substrate 101 is made of polycarbonate. The first dielectric layer 10 is formed on the substrate 101 in order.
The structure is such that 2 / first magnetic layer 103 / third magnetic layer 109 / second dielectric layer 104 / second magnetic layer 105 / third dielectric layer 106 / heat dissipation layer 108 / overcoat layer 107 are formed. The thickness of the SiN film as the second dielectric layer 104 is set to 10
nm. The substrate 101 is a substrate for a sample servo system having a track width of 0.6 μm.
【００７０】放熱層１０８としてＡｌＴｉ膜を用いた。
放熱層１０８であるＡｌＴｉ膜の製膜は、本実施の形態
で用いたスパッタリング装置のカソードの一つにＡｌＴ
ｉ合金ターゲットを設置し、チャンバー内を２×１０−
７Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気した。真空排気後、
チャンバー内にＡｒガスを１．５×１０-3Ｔｏｒｒ導入
する。Ａｒガス導入後、投入電力を６００Ｗ印加して、
ＤＣスパッタリング法を用いてＡｌＴｉ膜の製膜を行っ
た。As the heat radiation layer 108, an AlTi film was used.
The formation of the AlTi film as the heat dissipation layer 108 is performed by using an AlT film as one of the cathodes of the sputtering apparatus used in the present embodiment.
Install an i-alloy target and set the chamber to 2 × 10-
Evacuation was performed until the pressure became 7 Torr or less. After evacuation,
Ar gas is introduced into the chamber at 1.5 × 10 −3 Torr. After the introduction of Ar gas, an input power of 600 W is applied,
An AlTi film was formed using a DC sputtering method.
【００７１】第３磁性層１０９には、ＧｄＦｅ膜を用い
た。第３磁性層１０９であるＧｄＦｅ膜の製膜は、本実
施の形態で用いたスパッタリング装置のカソードの一つ
にＧｄＦｅ合金ターゲットを設置し、チャンバー内を２
×１０-3Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気した。真空排
気後、チャンバー内にＡｒガスを５×１０-3Ｔｏｒｒ導
入する。Ａｒガス導入後、投入電力を５００Ｗ印加し
て、ＤＣスパッタリング法を用いてＧｄＦｅ膜の製膜を
行った。As the third magnetic layer 109, a GdFe film was used. In forming the GdFe film as the third magnetic layer 109, a GdFe alloy target is provided on one of the cathodes of the sputtering apparatus used in the present embodiment, and the inside of the chamber is formed by two.
The chamber was evacuated to a pressure of 10-3 Torr or less. After evacuation, Ar gas is introduced into the chamber at 5 × 10 −3 Torr. After the introduction of the Ar gas, an input power of 500 W was applied, and a GdFe film was formed using a DC sputtering method.
【００７２】第３磁性層１０９であるＧｄＦｅ膜は、第
１磁性層１０３が面内磁化膜から垂直磁化膜へ急峻に遷
移させるために、第１磁性層１０３に積層させている。
第３磁性層１０９のキュリー温度は再生温度よりも低
く、室温からキュリー温度まで、常に面内磁化膜であ
る。The GdFe film as the third magnetic layer 109 is laminated on the first magnetic layer 103 so that the first magnetic layer 103 makes a sharp transition from the in-plane magnetic film to the perpendicular magnetic film.
The Curie temperature of the third magnetic layer 109 is lower than the reproduction temperature, and is always an in-plane magnetized film from room temperature to the Curie temperature.
【００７３】他の膜は、実施の形態１の光磁気記録媒体
と同様のスパッタリング装置を用いて、実施の形態１の
光磁気記録媒体と同様の製膜条件で、ＤＣスパッタリン
グ法により製膜を行った。The other films were formed by the DC sputtering method using the same sputtering apparatus as the magneto-optical recording medium of the first embodiment under the same film-forming conditions as the magneto-optical recording medium of the first embodiment. went.
【００７４】本実施の形態において、光磁気記録媒体へ
の信号の記録および再生は実施の形態１と同様の方法で
行った。図１０には本実施の形態による光磁気記録媒体
においてマーク長が１．８μｍのＣＮ比と外部磁界の関
係を示す図である。図１２に示す従来例の場合と比較し
て、ＣＮ比が１ｄＢダウン以内である外部磁界に対する
安定領域は、±５０Ｏｅ以上と拡大した結果が得られ
た。In this embodiment, recording and reproduction of signals on and from the magneto-optical recording medium are performed in the same manner as in the first embodiment. FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the CN ratio at a mark length of 1.8 μm and the external magnetic field in the magneto-optical recording medium according to the present embodiment. As compared with the case of the conventional example shown in FIG. 12, the result that the stable region with respect to the external magnetic field whose CN ratio is within 1 dB down was expanded to ± 50 Oe or more was obtained.
【００７５】（実施の形態３）次に第３の実施の形態に
ついて説明する。本実施の形態では、実施の形態２で作
製した第１磁性層１０３の組成であるＧｄ２９．９Ｔｂ
０．７Ｆｅ６１．１Ｃｏ８．３（ａｔ．％）に加えて、
Ｇｄ２９．９Ｔｂ０．２Ｆｅ６１．６Ｃｏ８．３（ａ
ｔ．％）とＴｂの割合を少なくした光磁気記録媒体と、
Ｇｄ２９．９Ｔｂ１．０Ｆｅ６０．８Ｃｏ８．３（ａ
ｔ．％）とＴｂの割合を多くした光磁気記録媒体を作製
した。基板１０１に順に第１誘電体層１０２／第１磁性
層１０３／第３磁性層１０９／第２誘電体層１０４／第
２磁性層１０５／第３誘電体層１０６／放熱層１０８／
オーバーコート層１０７を製膜した構成である。実施の
形態３と同様に第３誘電体層１０６であるＳｉＮ膜とオ
ーバーコート層１０７の間に放熱層１０８を３５ｎｍの
膜厚で設けた。第１磁性層１０３の膜厚を３０ｎｍとし
た。基板１０１はトラック幅が０．６μｍのサンプルサ
ーボ方式用の基板であり、材質はポリカーボネートであ
る。(Embodiment 3) Next, a third embodiment will be described. In the present embodiment, Gd29.9Tb which is the composition of the first magnetic layer 103 manufactured in Embodiment 2
In addition to 0.7Fe61.1Co8.3 (at.%),
Gd29.9Tb0.2Fe61.6Co8.3 (a
t. %) And a magneto-optical recording medium in which the proportion of Tb is reduced,
Gd29.9Tb1.0Fe60.8Co8.3 (a
t. %) And the ratio of Tb was increased. The first dielectric layer 102 / the first magnetic layer 103 / the third magnetic layer 109 / the second dielectric layer 104 / the second magnetic layer 105 / the third dielectric layer 106 / the heat radiation layer 108 /
This is a configuration in which the overcoat layer 107 is formed. As in the third embodiment, a heat dissipation layer 108 having a thickness of 35 nm was provided between the SiN film as the third dielectric layer 106 and the overcoat layer 107. The thickness of the first magnetic layer 103 was set to 30 nm. The substrate 101 is a substrate for a sample servo system having a track width of 0.6 μm, and is made of polycarbonate.
【００７６】製膜方法および製膜条件は、実施の形態２
の光磁気記録媒体と同様のスパッタリング装置を用い
て、実施の形態２の光磁気記録媒体と同様の製膜条件
で、ＤＣスパッタリング法により製膜を行った。The film forming method and conditions are described in Embodiment 2.
The film was formed by the DC sputtering method under the same film forming conditions as in the magneto-optical recording medium of the second embodiment using the same sputtering apparatus as that of the magneto-optical recording medium.
【００７７】本実施の形態で用いた第１磁性層１０３で
あるＧｄＴｂＦｅＣｏは再生温度では、飽和磁化と残留
磁化が等しく、膜面に対して垂直方向の保磁力は５５Ｏ
ｅである。At the reproduction temperature, GdTbFeCo, which is the first magnetic layer 103 used in this embodiment, has the same saturation magnetization and residual magnetization, and the coercive force perpendicular to the film surface is 55O.
e.
【００７８】本実施の形態において、光磁気記録媒体へ
の信号の記録および再生は実施の形態１と同様の方法で
行った。In this embodiment, recording and reproduction of signals on and from the magneto-optical recording medium are performed in the same manner as in the first embodiment.
【００７９】表２には、第１磁性層１０３であるＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ膜のＴｂの割合を変えて製膜した光磁気記録
媒体において、マーク長が１．８μｍでの外部磁界に対
する安定領域を示す。表４に示す従来例と比較して、第
１磁性層１０３であるＧｄＴｂＦｅＣｏ膜のそれぞれの
Ｔｂの割合において、安定領域は拡大した。Table 2 shows that the first magnetic layer 103 of GdT
In a magneto-optical recording medium formed by changing the ratio of Tb in the bFeCo film, a stable region with respect to an external magnetic field at a mark length of 1.8 μm is shown. As compared with the conventional example shown in Table 4, the stable region was expanded in the ratio of each Tb of the GdTbFeCo film as the first magnetic layer 103.
【００８０】[0080]
【表２】 [Table 2]
【００８１】（実施の形態４）実施の形態４では、実施
の形態２で作製した光磁気記録媒体の第１磁性層１０３
の組成であるＧｄ２９．９Ｔｂ０．７Ｆｅ６１．１Ｃｏ
８．３（ａｔ．％）に加えて、Ｇｄ２４．３Ｔｂ０．７
Ｆｅ６６．７Ｃｏ８．３（ａｔ．％）とＧｄの割合を少
なくした光磁気記録媒体と、Ｇｄ３４．７Ｔｂ０．７Ｆ
ｅ５６．３Ｃｏ８．３（ａｔ．％）とＧｄの割合を多く
した光磁気記録媒体を作製した。基板１０１は、ポリカ
ーボネート製である。基板１０１に順に第１誘電体層１
０２／第１磁性層１０３／第３磁性層１０９／第２誘電
体層１０４／第２磁性層１０５／第３誘電体層１０６／
放熱層１０８／オーバーコート層１０７を製膜した構成
である。第１磁性層１０３の膜厚を３０ｎｍとした。ま
た第２誘電体層１０４であるＳｉＮ膜の膜厚を１０ｎｍ
とした。実施の形態３と同様に第３誘電体層１０６であ
るＳｉＮ膜とオーバーコート層１０７の間に放熱層１０
８を３５ｎｍの膜厚で設けた。基板１０１はトラック幅
が０．６μｍのサンプルサーボ方式用の基板である。(Embodiment 4) In Embodiment 4, the first magnetic layer 103 of the magneto-optical recording medium manufactured in Embodiment 2 is used.
Gd29.9Tb0.7Fe61.1Co
Gd24.3Tb0.7 in addition to 8.3 (at.%)
A magneto-optical recording medium in which the ratio of Fe66.7Co8.3 (at.%) And Gd is reduced, and Gd34.7Tb0.7F
A magneto-optical recording medium having a high ratio of e56.3Co8.3 (at.%) and Gd was manufactured. The substrate 101 is made of polycarbonate. The first dielectric layer 1 is formed on the substrate 101 in order.
02 / first magnetic layer 103 / third magnetic layer 109 / second dielectric layer 104 / second magnetic layer 105 / third dielectric layer 106 /
The heat radiation layer 108 / overcoat layer 107 is formed. The thickness of the first magnetic layer 103 was set to 30 nm. The thickness of the SiN film as the second dielectric layer 104 is 10 nm.
And As in the third embodiment, the heat dissipation layer 10 is provided between the SiN film as the third dielectric layer 106 and the overcoat layer 107.
8 was provided with a thickness of 35 nm. The substrate 101 is a substrate for a sample servo system having a track width of 0.6 μm.
【００８２】製膜方法および製膜条件は、実施の形態２
の光磁気記録媒体と同様のスパッタリング装置を用い
て、実施の形態２の光磁気記録媒体と同様の製膜条件
で、ＤＣスパッタリング法により製膜を行った。The film forming method and the film forming conditions are described in Embodiment 2.
The film was formed by the DC sputtering method under the same film forming conditions as in the magneto-optical recording medium of the second embodiment using the same sputtering apparatus as that of the magneto-optical recording medium.
【００８３】第１磁性層１０３の組成をＧｄ２４．３Ｔ
ｂ０．７Ｆｅ６６．７Ｃｏ８．３（ａｔ．％）とした場
合、第１磁性層１０３が面内磁化膜から垂直磁化膜へと
遷移する温度領域が低くなった。しかし、再生パワーを
低く設定することにより磁気超解像動作が可能となり、
本実施の形態の組成においても高密度での記録再生が実
現できる。The composition of the first magnetic layer 103 is Gd24.3T
In the case of b0.7Fe66.7Co8.3 (at.%), the temperature region where the first magnetic layer 103 transitions from the in-plane magnetization film to the perpendicular magnetization film became low. However, by setting the reproduction power low, magnetic super-resolution operation becomes possible,
Even with the composition of the present embodiment, high-density recording and reproduction can be realized.
【００８４】反対に、第１磁性層１０３の組成をＧｄ３
４．７Ｔｂ０．７Ｆｅ５６．３Ｃｏ８．３（ａｔ．％）
とした場合、第１磁性層１０３が面内磁化膜から垂直磁
化膜へと遷移する温度領域が高くなった。しかし、再生
パワーを高く設定することにより磁気超解像動作が可能
となり、本実施の形態の組成においても高密度での記録
再生が実現できる。この場合、第２磁性層１０５のキュ
リー温度を高くするとさらに効果がある。On the contrary, the composition of the first magnetic layer 103 was changed to Gd3
4.7Tb0.7Fe56.3Co8.3 (at.%)
In this case, the temperature region where the first magnetic layer 103 transitions from the in-plane magnetic film to the perpendicular magnetic film was increased. However, by setting the reproducing power high, the magnetic super-resolution operation becomes possible, and recording and reproducing at high density can be realized even with the composition of the present embodiment. In this case, it is more effective to increase the Curie temperature of the second magnetic layer 105.
【００８５】本実施の形態において、光磁気記録媒体へ
の信号の記録および再生は実施の形態１と同様の方法で
行った。In the present embodiment, recording and reproduction of signals on and from the magneto-optical recording medium were performed in the same manner as in the first embodiment.
【００８６】表３には、第１磁性層１０３であるＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ膜のＧｄの割合を変えて製膜した光磁気記録
媒体において、マーク長が１．８μｍでの外部磁界に対
する安定領域を示す。第１磁性層１０３の組成をＧｄ２
４．３Ｔｂ０．７Ｆｅ６６．７Ｃｏ８．３（ａｔ．
％）、Ｇｄ２９．９Ｔｂ０．７Ｆｅ６１．１Ｃｏ８．３
（ａｔ．％）およびＧｄ３４．７Ｔｂ０．７Ｆｅ５６．
３Ｃｏ８．３（ａｔ．％）とした本実施の形態において
も、外部磁界に対する安定領域は拡大した。Table 3 shows that the first magnetic layer 103 of GdT
In a magneto-optical recording medium formed by changing the ratio of Gd in the bFeCo film, a stable region with respect to an external magnetic field at a mark length of 1.8 μm is shown. The composition of the first magnetic layer 103 is Gd2
4.3Tb0.7Fe66.7Co8.3 (at.
%), Gd29.9Tb0.7Fe61.1Co8.3
(At.%) And Gd34.7Tb0.7Fe56.
Also in the present embodiment with 3Co8.3 (at.%), The stable region with respect to the external magnetic field is expanded.
【００８７】[0087]
【表３】 [Table 3]
【００８８】（実施の形態５）次に第５の実施の形態に
ついて説明する。本実施の形態においては、第１磁性層
１０３の製膜条件を変えて、第１磁性層１０３の膜面に
対して垂直方向の保磁力を５０Ｏｅ、６３Ｏｅ、７６Ｏ
ｅとした光磁気記録媒体を作製した。構成は、基板１０
１に順に第１誘電体層１０２／第１磁性層１０３／第３
磁性層１０９／第２誘電体層１０４／第２磁性層１０５
／第３誘電体層１０６／放熱層１０８／オーバーコート
層１０７を製膜した構成である。第２誘電体層１０４で
あるＳｉＮ膜の膜厚を１０ｎｍとした。基板１０１はト
ラック幅が０．８μｍのサンプルサーボ方式用の基板で
ある。(Embodiment 5) Next, a fifth embodiment will be described. In the present embodiment, the coercive force in the direction perpendicular to the film surface of the first magnetic layer 103 is changed to 50 Oe, 63 Oe,
The magneto-optical recording medium designated as e was produced. The structure is the substrate 10
The first dielectric layer 102 / the first magnetic layer 103 / the third
Magnetic layer 109 / second dielectric layer 104 / second magnetic layer 105
/ Third dielectric layer 106 / heat dissipation layer 108 / overcoat layer 107. The thickness of the SiN film as the second dielectric layer 104 was set to 10 nm. The substrate 101 is a substrate for a sample servo system having a track width of 0.8 μm.
【００８９】本実施の形態において、光磁気記録媒体へ
の信号の記録および再生は実施の形態１と同様の方法で
行った。In the present embodiment, recording and reproduction of signals to and from the magneto-optical recording medium were performed in the same manner as in the first embodiment.
【００９０】表４には、第１磁性層１０３の膜面に対し
て垂直方向の保磁力が１５Ｏｅ（従来例）、３４Ｏｅ、
５０Ｏｅ、６３Ｏｅ、７６Ｏｅである光磁気記録媒体に
おいて、マーク長が１．８μｍでの外部磁界に対する安
定領域を示す。第１磁性層１０３のそれぞれの保磁力に
おいて、安定領域は拡大した。これに対し、従来例を含
む保磁力が５０Ｏｅ未満となる３４Ｏｅ、１５Ｏｅの場
合は、外部マージンがいずれも±４０Ｏｅとなり、充分
な安定領域を与えることができなかった。従来の光磁気
記録媒体の保磁力は１０５Ｏｅ前後であるが、本発明
は、これより高い保磁力を有しながら、高い外部磁界マ
ージンを獲得でき、安定領域が拡大したことをしめす。Table 4 shows that the coercive force in the direction perpendicular to the film surface of the first magnetic layer 103 is 15 Oe (conventional example), 34 Oe,
In the magneto-optical recording medium of 50 Oe, 63 Oe, and 76 Oe, the mark length is 1.8 μm and shows a stable region against an external magnetic field. In each coercive force of the first magnetic layer 103, the stable region expanded. On the other hand, in the case of 34 Oe and 15 Oe in which the coercive force is less than 50 Oe including the conventional example, the external margins are both ± 40 Oe, and a sufficient stable region cannot be provided. Although the coercive force of the conventional magneto-optical recording medium is around 105 Oe, the present invention shows that a high external magnetic field margin can be obtained while the coercive force is higher than this, and the stable region is expanded.
【００９１】[0091]
【表４】 [Table 4]
【００９２】（実施の形態６）次に第６の実施の形態に
ついて説明する。本実施の形態では、実施の形態３で作
製した光磁気記録媒体の第１磁性層１０３であるＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ膜をＧｄＤｙＦｅＣｏ膜に置き換えた光磁気
記録媒体を作製した。本実施の形態での第１磁性層１０
３の組成は、Ｇｄ２９．９Ｄｙ０．２Ｆｅ６１．６Ｃｏ
８．３（ａｔ．％）、Ｇｄ２９．９Ｄｙ０．７Ｆｅ６
１．１Ｃｏ８．３（ａｔ．％）およびＧｄ２９．９Ｄｙ
１．０Ｆｅ６０．８Ｃｏ８．３（ａｔ．％）である。基
板１０１に順に第１誘電体層１０２／第１磁性層１０３
／第３磁性層１０９／第２誘電体層１０４／第２磁性層
１０５／第３誘電体層１０６／放熱層１０８／オーバー
コート層１０７を製膜した構成である。実施の形態３と
同様に第３誘電体層１０６であるＳｉＮ膜とオーバーコ
ート層１０７の間に放熱層１０８を３５ｎｍの膜厚で設
けた。第１磁性層１０３の膜厚を３０ｎｍとした。基板
１０１はトラック幅が０．６μｍのサンプルサーボ方式
用の基板であり、材質はポリカーボネートである。(Embodiment 6) Next, a sixth embodiment will be described. In the present embodiment, the GdT which is the first magnetic layer 103 of the magneto-optical recording medium manufactured in the third embodiment is used.
A magneto-optical recording medium in which the bFeCo film was replaced with a GdDyFeCo film was manufactured. First magnetic layer 10 in the present embodiment
3 has a composition of Gd29.9Dy0.2Fe61.6Co.
8.3 (at.%), Gd29.9Dy0.7Fe6
1.1 Co 8.3 (at.%) And Gd 29.9 Dy
1.0Fe60.8Co8.3 (at.%). The first dielectric layer 102 / the first magnetic layer 103 are sequentially provided on the substrate 101.
/ Third magnetic layer 109 / second dielectric layer 104 / second magnetic layer 105 / third dielectric layer 106 / heat dissipation layer 108 / overcoat layer 107. As in the third embodiment, a heat dissipation layer 108 having a thickness of 35 nm was provided between the SiN film as the third dielectric layer 106 and the overcoat layer 107. The thickness of the first magnetic layer 103 was set to 30 nm. The substrate 101 is a substrate for a sample servo system having a track width of 0.6 μm, and is made of polycarbonate.
【００９３】製膜方法および製膜条件は、実施の形態２
の光磁気記録媒体と同様のスパッタリング装置を用い
て、実施の形態２の光磁気記録媒体と同様の製膜条件
で、ＤＣスパッタリング法により製膜を行った。The film forming method and the film forming conditions are described in Embodiment 2.
The film was formed by the DC sputtering method under the same film forming conditions as in the magneto-optical recording medium of the second embodiment using the same sputtering apparatus as that of the magneto-optical recording medium.
【００９４】本実施の形態において、光磁気記録媒体へ
の信号の記録および再生は実施の形態１と同様の方法で
行った。In the present embodiment, recording and reproduction of signals on and from the magneto-optical recording medium are performed in the same manner as in the first embodiment.
【００９５】表７には、第１磁性層１０３であるＧｄＤ
ｙＦｅＣｏ膜のＤｙの割合を変えて製膜した光磁気記録
媒体において、マーク長が１．８μｍでの外部磁界に対
する安定領域を示す。表４に示す従来例と比較して、第
１磁性層１０３であるＧｄＤｙＦｅＣｏ膜のそれぞれの
Ｄｙの割合において、安定領域は拡大した。Table 7 shows the GdD as the first magnetic layer 103.
In a magneto-optical recording medium formed by changing the ratio of Dy in the yFeCo film, a stable region with respect to an external magnetic field at a mark length of 1.8 μm is shown. As compared with the conventional example shown in Table 4, the stable region was expanded in the ratio of each Dy of the GdDyFeCo film as the first magnetic layer 103.
【００９６】[0096]
【表７】 [Table 7]
【００９７】（実施の形態７）第７の実施の形態につい
て説明する。本実施の形態においては、第１磁性層１０
３の製膜時に基板側へバイアス電圧を印加した。基板１
０１はポリカーボネート製である。基板１０１に順に第
１誘電体層１０２／第１磁性層１０３／第３磁性層１０
９／第２誘電体層１０４／第２磁性層１０５／第３誘電
体層１０６／放熱層１０８／オーバーコート層１０７を
製膜した構成である。第２誘電体層１０４であるＳｉＮ
膜の膜厚を１０ｎｍとした。基板１０１はトラック幅が
０．６μｍのサンプルサーボ方式用の基板である。(Embodiment 7) A seventh embodiment will be described. In the present embodiment, the first magnetic layer 10
During film formation of No. 3, a bias voltage was applied to the substrate side. Substrate 1
01 is made of polycarbonate. First dielectric layer 102 / first magnetic layer 103 / third magnetic layer 10
9 / second dielectric layer 104 / second magnetic layer 105 / third dielectric layer 106 / heat dissipation layer 108 / overcoat layer 107. SiN as the second dielectric layer 104
The thickness of the film was 10 nm. The substrate 101 is a substrate for a sample servo system having a track width of 0.6 μm.
【００９８】第１磁性層１０３の製膜方法を説明する。
第１誘電体層１０２を製膜後、チャンバー内の真空度を
２×１０-7Ｔｏｒｒ以下にして、チャンバー内にＡｒガ
スを５×１０-3Ｔｏｒｒ導入する。Ａｒガス導入後、基
板側にバイアス電圧を印加して、第１磁性層１０３とし
てＧｄＦｅＣｏ膜の製膜を行った。スパッタリング方法
はＤＣスパッタリング法である。A method for forming the first magnetic layer 103 will be described.
After forming the first dielectric layer 102, the degree of vacuum in the chamber is reduced to 2 × 10 −7 Torr or less, and Ar gas is introduced into the chamber at 5 × 10 −3 Torr. After the introduction of the Ar gas, a bias voltage was applied to the substrate side to form a GdFeCo film as the first magnetic layer 103. The sputtering method is a DC sputtering method.
【００９９】本実施の形態において、第１磁性層１０３
であるＧｄＦｅＣｏ膜の組成をＧｄ２９．９Ｆｅ６１．
８Ｃｏ８．３（ａｔ．％）とした。本実施の形態の第１
磁性層１０３は、キュリー温度が３２０℃、かつ１５０
℃前後の温度領域において面内磁化膜から垂直磁化膜へ
と遷移するような希土類リッチの組成のＧｄＦｅＣｏ膜
である。In the present embodiment, the first magnetic layer 103
The composition of the GdFeCo film is Gd29.9Fe61.
8Co8.3 (at.%). First of this embodiment
The magnetic layer 103 has a Curie temperature of 320 ° C. and 150 ° C.
This is a rare earth-rich GdFeCo film that transitions from an in-plane magnetized film to a perpendicular magnetized film in a temperature range of about ° C.
【０１００】第１磁性層１０３の膜厚は、十分な再生信
号が得られることが必要なため、本実施の形態において
は、第１磁性層１０３の膜厚を５０ｎｍとした。In the present embodiment, the thickness of the first magnetic layer 103 is set to 50 nm because it is necessary to obtain a sufficient reproduction signal.
【０１０１】本実施の形態のように、第１磁性層１０３
であるＧｄＦｅＣｏ膜の製膜時に、基板側にバイアス電
圧を印加すると、無バイアス電圧での製膜と比較して第
１磁性層１０３の垂直磁気異方性が変化する。バイアス
電圧の大きさを調節すると、無バイアス電圧で製膜した
膜の垂直異方性よりも大きくなる。As in the present embodiment, the first magnetic layer 103
When a bias voltage is applied to the substrate side during the formation of the GdFeCo film as described above, the perpendicular magnetic anisotropy of the first magnetic layer 103 changes as compared with the case where the film is formed without a bias voltage. When the magnitude of the bias voltage is adjusted, the vertical anisotropy of the film formed with no bias voltage becomes larger.
【０１０２】なお、本実施の形態において、第１磁性層
１０３の製膜にＤＣスパッタリング法を用いたが、基板
側へのバイアス電圧の大きさを調節すれば、ＲＦスパッ
タリング法を用いても同様の効果が得られる。In this embodiment, the DC sputtering method is used to form the first magnetic layer 103. However, if the magnitude of the bias voltage to the substrate side is adjusted, the same applies even if the RF sputtering method is used. The effect of is obtained.
【０１０３】他の膜は、実施の形態２の光磁気記録媒体
と同様のスパッタリング装置を用いて、実施の形態２の
光磁気記録媒体と同様の製膜条件で、ＤＣスパッタリン
グ法により製膜を行った。The other films were formed by a DC sputtering method using the same sputtering apparatus as that of the magneto-optical recording medium of the second embodiment and under the same film-forming conditions as the magneto-optical recording medium of the second embodiment. went.
【０１０４】本実施の形態において、光磁気記録媒体へ
の信号の記録および再生は実施の形態１と同様の方法で
行った。結果を表８に示す。表４に示す従来例と比較し
て、ＣＮ比が１ｄＢダウン以内である外部磁界に対する
安定領域は±５０Ｏｅ以上と拡大した。In this embodiment, recording and reproduction of signals on and from the magneto-optical recording medium are performed in the same manner as in the first embodiment. Table 8 shows the results. Compared with the conventional example shown in Table 4, the stable region with respect to the external magnetic field whose CN ratio is within 1 dB down was expanded to ± 50 Oe or more.
【０１０５】[0105]
【表８】 [Table 8]
【０１０６】（実施の形態８）第８の実施の形態につい
て説明する。本実施の形態においては、第１磁性層１０
３の製膜条件を変えて、再生温度における第１磁性層１
０３の飽和磁化と膜面に対して垂直方向の残留磁化の比
を１：０．８、１：０．９、１：１とした光磁気記録媒
体を作製した。構成は、基板１０１に順に第１誘電体層
１０２／第１磁性層１０３／第３磁性層１０９／第２誘
電体層１０４／第２磁性層１０５／第３誘電体層１０６
／放熱層１０８／オーバーコート層１０７を製膜した構
成である。第２誘電体層１０４であるＳｉＮ膜の膜厚を
１０ｎｍとした。基板１０１はランド・グルーブ構成で
あり、トラック幅は０．８μｍである。(Eighth Embodiment) An eighth embodiment will be described. In the present embodiment, the first magnetic layer 10
3, the first magnetic layer 1 at the reproduction temperature was changed.
A magneto-optical recording medium was manufactured in which the ratio of the saturation magnetization of No. 03 to the residual magnetization perpendicular to the film surface was 1: 0.8, 1: 0.9, 1: 1. The structure is such that the first dielectric layer 102 / first magnetic layer 103 / third magnetic layer 109 / second dielectric layer 104 / second magnetic layer 105 / third dielectric layer 106 are arranged on the substrate 101 in this order.
/ Heat dissipation layer 108 / overcoat layer 107 is formed. The thickness of the SiN film as the second dielectric layer 104 was set to 10 nm. The substrate 101 has a land / groove configuration, and has a track width of 0.8 μm.
【０１０７】表５には、第１磁性層１０３の飽和磁化と
膜面に対して垂直方向の残留磁化の比が１：０．８、
１：０．９、１：１である光磁気記録媒体において、マ
ーク長が１．８μｍでの外部磁界に対する安定領域を示
す。第１磁性層１０３のそれぞれの飽和磁化と残留磁化
の比において、安定領域は拡大した。Table 5 shows that the ratio of the saturation magnetization of the first magnetic layer 103 to the residual magnetization perpendicular to the film surface is 1: 0.8,
In the magneto-optical recording medium of 1: 0.9, 1: 1, the mark length is 1.8 μm, showing a stable region against an external magnetic field. In each ratio between the saturation magnetization and the remanent magnetization of the first magnetic layer 103, the stable region was expanded.
【０１０８】[0108]
【表５】 [Table 5]
【０１０９】（実施の形態９）第９の実施の形態につい
て説明する。本実施の形態においては、再生温度におけ
る第１磁性層１０３の磁界印加時のカー回転角と無印加
時のカー回転角の比を１：０．８、１：０．９、１：１
とした。構成は、基板１０１に順に第１誘電体層１０２
／第１磁性層１０３／第３磁性層１０９／第２誘電体層
１０４／第２磁性層１０５／第３誘電体層１０６／放熱
層１０８／オーバーコート層１０７を製膜した構成であ
る。第２誘電体層１０４であるＳｉＮ膜の膜厚を１０ｎ
ｍとした。基板１０１はランド・グルーブ構成であり、
トラック幅は０．６μｍである。(Embodiment 9) A ninth embodiment will be described. In the present embodiment, the ratio of the Kerr rotation angle when the magnetic field is applied to the first magnetic layer 103 at the reproduction temperature and the Kerr rotation angle when no magnetic field is applied are 1: 0.8, 1: 0.9, and 1: 1.
And The structure is such that a first dielectric layer 102
The first magnetic layer 103 / the third magnetic layer 109 / the second dielectric layer 104 / the second magnetic layer 105 / the third dielectric layer 106 / the heat radiation layer 108 / the overcoat layer 107 are formed. The thickness of the SiN film as the second dielectric layer 104 is 10 n
m. The substrate 101 has a land / groove configuration,
The track width is 0.6 μm.
【０１１０】表６には、再生温度における第１磁性層１
０３の磁界印加時のカー回転角と無印加時のカー回転角
の比が１：０．８、１：０．９、１：１である光磁気記
録媒体において、マーク長が１．８μｍ外部磁界に対す
る安定領域を示す。第１磁性層１０３のそれぞれの磁界
印加時のカー回転角と無印加時のカー回転角の比におい
て、安定領域は拡大した。Table 6 shows that the first magnetic layer 1 at the reproducing temperature
In a magneto-optical recording medium in which the ratio of the Kerr rotation angle when no magnetic field is applied to the Kerr rotation angle when no magnetic field is applied is 1: 0.8, 1: 0.9, and 1: 1, the mark length is 1.8 μm outside. 3 shows a stable region with respect to a magnetic field. In the ratio between the Kerr rotation angle of the first magnetic layer 103 when the magnetic field is applied and the Kerr rotation angle when no magnetic field is applied, the stable region is enlarged.
【０１１１】[0111]
【表６】 [Table 6]
【０１１２】なお、以上述べた本発明の各実施の形態で
は、マーク長が１．８μｍであるが、上記の実施の形態
のマーク長に限定されるものではなく、本発明の要旨に
逸脱しない範囲内のマーク長であれば、同様の効果が得
られる。In each of the embodiments of the present invention described above, the mark length is 1.8 μm. However, the present invention is not limited to the mark length of the above embodiment, and does not depart from the gist of the present invention. A similar effect can be obtained if the mark length is within the range.
【０１１３】なお、第１磁性層１０３の膜厚は、５ｎｍ
未満では十分な再生信号が得られなくなるので、５ｎｍ
以上が望ましく、より望ましいのは８ｎｍ以上である。Note that the thickness of the first magnetic layer 103 is 5 nm.
If it is less than 5 nm, a sufficient reproduced signal cannot be obtained.
The above is desirable, and more desirably, 8 nm or more.
【０１１４】なお、本発明の実施の形態では、第１磁性
層１０３には、室温で面内磁化膜、高温で垂直磁化膜と
なる組成のＧｄＴｂＦｅＣｏおよびＧｄＤｙＦｅＣｏを
用いたが、第１磁性層１０３が上記実施の形態以外の組
成であっても、室温で面内磁化膜、高温で垂直磁化膜と
なり、膜面に対して垂直方向の保磁力が、第２磁性層１
０５からの転写磁界の最高値を超えない範囲であれば、
同様の効果が得られる。In the embodiment of the present invention, the first magnetic layer 103 is composed of GdTbFeCo and GdDyFeCo having a composition of an in-plane magnetization film at room temperature and a perpendicular magnetization film at high temperature. Has a composition other than that of the above embodiment, it becomes an in-plane magnetic film at room temperature and becomes a perpendicular magnetic film at high temperature, and the coercive force in the direction perpendicular to the film surface is higher than that of the second magnetic layer 1.
If it is within the range not exceeding the maximum value of the transfer magnetic field from 05,
Similar effects can be obtained.
【０１１５】また、第１磁性層１０３には、ＧｄＴｂＦ
ｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏおよびＧｄＦｅＣｏ以外の希
土類−遷移金属合金、例えばＤｙＦｅＣｏなどでも、室
温で面内磁化膜、高温で垂直磁化膜となり、膜面に対し
て垂直方向の保磁力が、第２磁性層１０５からの転写磁
界の最高値を超えない範囲であれば、同様の効果が得ら
れる。The first magnetic layer 103 has GdTbF
Even rare earth-transition metal alloys other than eCo, GdDyFeCo, and GdFeCo, such as DyFeCo, form an in-plane magnetized film at room temperature and a perpendicular magnetized film at a high temperature, and the coercive force in the direction perpendicular to the film surface increases from the second magnetic layer 105. The same effect can be obtained within a range not exceeding the maximum value of the transfer magnetic field.
【０１１６】なお、第１磁性層１０３である希土類−遷
移金属合金に、ＣｒまたはＡｌなどを添加したもので
も、室温で面内磁化膜、高温で垂直磁化膜となり、膜面
に対して垂直方向の保磁力が、第２磁性層１０５からの
転写磁界の最高値を超えない範囲であれば、同様の効果
が得られる。Even if Cr or Al is added to the rare earth-transition metal alloy as the first magnetic layer 103, it becomes an in-plane magnetized film at room temperature and a perpendicular magnetized film at high temperature. Is within a range not exceeding the maximum value of the transfer magnetic field from the second magnetic layer 105, the same effect can be obtained.
【０１１７】なお、本発明の実施の形態では、第２磁性
層１０５には、Ｔｂ２２．１Ｆｅ７１．２Ｃｏ６．７
（ａｔ．％）の組成のＴｂＦｅＣｏを用いたが、室温に
おいて膜面に対して垂直方向の保磁力が大きな垂直磁化
膜であり、記録された情報を保持することが可能であれ
ば、上記以外の組成であっても同様の効果が得られる。In the embodiment of the present invention, the second magnetic layer 105 has Tb22.1Fe71.2Co6.7.
(At.%), But a perpendicular magnetization film having a large coercive force in the direction perpendicular to the film surface at room temperature and capable of holding recorded information, other than the above. The same effect can be obtained even with the composition of
【０１１８】また、本発明の実施の形態では、第２磁性
層１０５には、ＴｂＦｅＣｏを用いたが、ＴｂＦｅＣｏ
以外の希土類−遷移金属合金、例えば、ＤｙＦｅＣｏ、
ＴｂＤｙＦｅＣｏなど、もしくは貴金属−遷移金属、例
えば、Ｐｔ／Ｃｏ、Ｐｄ／Ｃｏなどの貴金属−遷移金属
多層膜、ＰｔＣｏ、ＰｄＣｏなどの貴金属−遷移金属合
金、あるいは、ガーネット膜でも同様の効果が得られ
る。In the embodiment of the present invention, TbFeCo is used for the second magnetic layer 105.
Rare earth-transition metal alloys other than, for example, DyFeCo,
A similar effect can be obtained with TbDyFeCo or a noble metal-transition metal, for example, a noble metal-transition metal multilayer film such as Pt / Co or Pd / Co, a noble metal-transition metal alloy such as PtCo or PdCo, or a garnet film.
【０１１９】なお、本発明の実施の形態では、第３磁性
層１０９には、ＧｄＦｅを用いたが、ＧｄＦｅにＡｌ、
ＡｌＴｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、ＡｌＴａな
どを添加したものでも、キュリー温度が再生温度よりも
低く、室温からキュリー温度まで常に面内磁化膜であれ
ば、同様の効果が得られる。Although the third magnetic layer 109 is made of GdFe in the embodiment of the present invention, GdFe is made of Al,
Even if AlTi, Ta, Pt, Au, Cu, Cr, AlTa or the like is added, the same effect can be obtained as long as the Curie temperature is lower than the reproduction temperature and the in-plane magnetized film is always from room temperature to the Curie temperature.
【０１２０】なお、本発明の実施の形態において、第１
誘電体層１０２、第２誘電体層１０４および第３誘電体
層１０６には、ＳｉＮを用いたが、ＡｌＮ、ＳｉＡｌＮ
膜等の窒化物、ＳｉＯ、ＡｌＯ等の酸化物、ＺｎＳ、Ｚ
ｎＴｅ等のカルコゲン系化合物などの誘電体層を用いて
も同様の効果が得られる。In the embodiment of the present invention, the first
Although SiN was used for the dielectric layer 102, the second dielectric layer 104, and the third dielectric layer 106, AlN, SiAlN
Nitrides such as films, oxides such as SiO and AlO, ZnS, Z
The same effect can be obtained by using a dielectric layer such as a chalcogen compound such as nTe.
【０１２１】また、放熱層１０８としてＡｌＴｉの代わ
りに、ＡｌＣｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の金属層を用いて
も同様の効果が得られる。The same effect can be obtained by using a metal layer of AlCr, Cu, Au, Ag or the like instead of AlTi as the heat radiation layer 108.
【０１２２】[0122]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、第１磁性
層の膜面に対して垂直方向の保磁力を大きくすることに
よって、再生時に外部磁界が発生した場合においても、
安定した信号を検出することができるという顕著な効果
が得られる。As described above, according to the present invention, by increasing the coercive force in the direction perpendicular to the film surface of the first magnetic layer, even when an external magnetic field is generated during reproduction,
A remarkable effect that a stable signal can be detected is obtained.
【図１】本発明の第１磁性層の再生温度におけるカール
ープを示す図FIG. 1 is a diagram showing a Kerr loop at a reproduction temperature of a first magnetic layer of the present invention.
【図２】実施の形態１による光磁気記録媒体を示す断面
図FIG. 2 is a sectional view showing the magneto-optical recording medium according to the first embodiment;
【図３】本発明の実施の形態による光磁気記録媒体の特
性を示す図で （ａ）は、本発明の第１磁性層の室温におけるカー回転
角と磁界の関係を示す図 （ｂ）は、本発明の第１磁性層の磁化が膜面方向から膜
面に対して垂直方向へ遷移する温度におけるカー回転角
と磁界の関係を示す図 （ｃ）は、本発明の第１磁性層の高温におけるカー回転
角と磁界の関係を示す図である。3A and 3B are diagrams showing characteristics of the magneto-optical recording medium according to the embodiment of the present invention. FIG. 3A is a diagram showing the relationship between the Kerr rotation angle and the magnetic field at room temperature of the first magnetic layer of the present invention. FIG. 3C shows the relationship between the Kerr rotation angle and the magnetic field at a temperature at which the magnetization of the first magnetic layer of the present invention changes from the film surface direction to the direction perpendicular to the film surface. It is a figure which shows the relationship between the Kerr rotation angle and magnetic field at high temperature.
【図４】本発明の第１磁性層の垂直磁気異方性エネルギ
ーＫｕおよび反磁界エネルギー２πＭｓ２と温度の関係
を示す図FIG. 4 is a diagram showing the relationship between perpendicular magnetic anisotropy energy Ku and demagnetizing field energy 2πMs2 of the first magnetic layer of the present invention and temperature.
【図５】本発明の希土類−遷移金属合金のカー回転角と
キュリー温度の関係を示す図FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the Kerr rotation angle and the Curie temperature of the rare earth-transition metal alloy of the present invention.
【図６】本発明の第２磁性層の飽和磁化Ｍｓと温度の関
係を示す図FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the saturation magnetization Ms of the second magnetic layer of the present invention and temperature.
【図７】本発明の実施の形態１による光磁気記録媒体に
おいてＣＮ比と外部磁界の関係を示す図FIG. 7 is a diagram showing a relationship between a CN ratio and an external magnetic field in the magneto-optical recording medium according to the first embodiment of the present invention;
【図８】長いマークにおける第２磁性層から発生する転
写磁界を示す図FIG. 8 is a diagram showing a transfer magnetic field generated from a second magnetic layer in a long mark.
【図９】実施の形態２による光磁気記録媒体を示す断面
図FIG. 9 is a sectional view showing a magneto-optical recording medium according to a second embodiment;
【図１０】本発明の実施の形態２による光磁気記録媒体
においてＣＮ比と外部磁界の関係を示す図FIG. 10 is a diagram showing a relationship between a CN ratio and an external magnetic field in a magneto-optical recording medium according to a second embodiment of the present invention.
【図１１】従来例による第１磁性層の再生温度における
カーループを示す図FIG. 11 is a diagram showing a Kerr loop at a reproduction temperature of a first magnetic layer according to a conventional example.
【図１２】従来例による光磁気記録媒体においてＣＮ比
と外部磁界の関係を示す図FIG. 12 is a diagram showing a relationship between a CN ratio and an external magnetic field in a magneto-optical recording medium according to a conventional example.
１０１ 基板 １０２ 第１誘電体層 １０３ 第１磁性層 １０４ 第２誘電体層 １０５ 第２磁性層 １０６ 第３誘電体層 １０７ オーバーコート層 １０８ 放熱層 １０９ 第３磁性層 １１０ 本発明の第１磁性層のカーループ １１１ 従来の第１磁性層のカーループ 101 substrate 102 first dielectric layer 103 first magnetic layer 104 second dielectric layer 105 second magnetic layer 106 third dielectric layer 107 overcoat layer 108 heat dissipation layer 109 third magnetic layer 110 first magnetic layer of the present invention Kerr loop 111 Conventional Kerr loop of first magnetic layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５１１ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５１１Ｑ ５３１ ５３１Ｖ ５４６ ５４６Ｂ ５８６ ５８６Ｌ ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat ゛ (Reference) G11B 11/105 511 G11B 11/105 511Q 531 531V 546 546B 586 586L
Claims (7)
た前記室温より高い所定の高温で垂直磁化膜となる第１
磁性層と、 垂直磁気異方性を有した第２磁性層と、 前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた非
磁性層とを少なくとも備えた光磁気記録媒体において、 前記第１磁性層は、該光磁気記録媒体の再生温度におい
て、膜面に対し垂直方向の保磁力を有し、 前記保磁力は５０Ｏｅ以上であることを特徴とする光磁
気記録媒体。A first film which becomes an in-plane magnetic film at least at room temperature and becomes a perpendicular magnetic film at a predetermined high temperature higher than the room temperature.
A magneto-optical recording medium comprising at least a magnetic layer, a second magnetic layer having perpendicular magnetic anisotropy, and a non-magnetic layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer; The magneto-optical recording medium, wherein the first magnetic layer has a coercive force in a direction perpendicular to a film surface at a reproducing temperature of the magneto-optical recording medium, and the coercive force is 50 Oe or more.
性層を間に挟む位置に設けられた放熱層をさらに備えた
ことを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, further comprising a heat radiation layer provided at a position facing the first magnetic layer and sandwiching the second magnetic layer. .
に設けられた第３磁性層をさらに備えたことを特徴とす
る請求項１または２に記載の光磁気記録媒体。3. The magneto-optical recording medium according to claim 1, further comprising a third magnetic layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer.
び／またはＤｙを含有する組成を有することを特徴とす
る請求項１に記載の光磁気記録媒体。4. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the first magnetic layer has a composition containing at least Tb and / or Dy.
ｔ．％）は、０．２≦ｘ≦１．０の範囲にあることを特
徴とする請求項４に記載の光磁気記録媒体。5. The composition x (a) of said Tb or said Dy
t. 5. The magneto-optical recording medium according to claim 4, wherein (%) is in the range of 0.2 ≦ x ≦ 1.0.
方法であって、 前記第１磁性層を製膜する工程と、 前記第２磁性膜を製膜する工程と、 比磁性層を製膜する工程と、 基板側から前記第１磁性膜にバイアス電圧を印加する工
程を少なくとも備えたことを特徴とする光磁気記録媒体
の製造方法。6. The method of manufacturing a magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein: forming the first magnetic layer; forming the second magnetic film; A method of manufacturing a magneto-optical recording medium, comprising at least a step of forming a film and a step of applying a bias voltage to the first magnetic film from the substrate side.
気記録媒体にレーザ光を照射して、前記第１磁性層と前
記第２磁性層とを磁気的に結合させることにより、前記
第２磁性層に記録された情報を再生する再生工程を備え
た光磁気記録媒体の再生方法であって、 前記再生工程においては、第１磁性層と前記第２磁性層
との磁気的結合により、前記第２磁性層に記録された情
報が前記第１磁性層に外部磁界の影響を受けずに転写さ
れ、前記情報の再生が行なわれることを特徴とする光磁
気記録媒体の再生方法。7. The method according to claim 1, wherein the magneto-optical recording medium according to claim 1 is irradiated with a laser beam to magnetically couple the first magnetic layer and the second magnetic layer. A reproducing method for a magneto-optical recording medium comprising a reproducing step of reproducing information recorded on a second magnetic layer, wherein in the reproducing step, magnetic coupling between the first magnetic layer and the second magnetic layer is performed. A method of reproducing information from a magneto-optical recording medium, wherein information recorded on the second magnetic layer is transferred to the first magnetic layer without being affected by an external magnetic field, and the information is reproduced.
Priority Applications (1)
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