JP2001343903A - Interconnecting structure of electrode, method for interconnecting electrode, image display device and method for manufacturing the same - Google Patents

Interconnecting structure of electrode, method for interconnecting electrode, image display device and method for manufacturing the same

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To stably obtain an image display device in which the wire connection with high connection reliability is made possible and decrease in the production processes, reduction of the cost and improvement in the productivity are realized. SOLUTION: A first electrode 103 formed on a first substrate 101 is connected through an anisotropic conductive film 120 to a second substrate 106 on which a second electrode 107 corresponding to the first electrode 103 is formed. The first electrode 103 consists of a sintered material containing metal particles (Ag) and its surface is not polished. The surface state of the first electrode 103 is controlled so as to be electrically connected to the second electrode through the conductive particles 121 in the anisotropic conductive film 120.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、平面型画像表示装
置の配線電極部の構成に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of a wiring electrode portion of a flat panel display.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、大きく重いブラウン管に替わる画
像形成装置として、薄型の平面型画像形成装置が注目さ
れている。平面型画像形成装置としては液晶表示装置が
盛んに研究開発されているが、液晶表示装置には画像が
暗い、視野角が狭いといった課題が依然として残ってい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, a thin flat type image forming apparatus has attracted attention as an image forming apparatus replacing a large and heavy cathode ray tube. Although a liquid crystal display device has been actively researched and developed as a flat-type image forming device, problems such as a dark image and a narrow viewing angle still remain in the liquid crystal display device.

【0003】液晶表示装置に替わるものとして自発光型
のディスプレイ、即ちプラズマディスプレイ(PD
P)、蛍光表示管、表面伝導型電子放出素子などの電子
放出素子を用いたディスプレイなどがある。自発光のデ
ィスプレイは液晶表示装置に比べ明るい画像が得られる
とともに視野角も広い。一方、最近では30インチ以上
の画面表示部を有するブラウン管も登場しつつあり、更
なる大型化が望まれている。しかしながら、ブラウン管
は大型化の際にはスペースを大きくとることから適して
いるとは言い難い。このような大型で明るいディスプレ
イには自発光型の平面型のディスプレイが適している。
As an alternative to a liquid crystal display device, a self-luminous display, ie, a plasma display (PD)
P), fluorescent display tubes, displays using electron-emitting devices such as surface-conduction electron-emitting devices, and the like. A self-luminous display can obtain a brighter image and has a wider viewing angle than a liquid crystal display device. On the other hand, recently, a cathode ray tube having a screen display section of 30 inches or more has been appearing, and further enlargement is desired. However, it is hard to say that a cathode ray tube is suitable for increasing the size because it takes up a large space. For such a large and bright display, a self-luminous flat display is suitable.

【0004】上述した表面伝導型電子放出素子を多数、
基板上に配置させた画像形成装置について説明する。こ
の表面伝導型電子放出素子及び配線を基板上に配置させ
た電子源基板を作製する方法は様々な方法が考えられ、
その一つとして素子配線、取り出し電極等を全てフォト
リソグラフィー法を用いる手法がある。
[0004] A large number of the above-mentioned surface conduction electron-emitting devices,
An image forming apparatus arranged on a substrate will be described. Various methods are conceivable as a method of manufacturing an electron source substrate in which the surface conduction electron-emitting device and the wiring are arranged on the substrate.
As one of them, there is a method using a photolithography method for all element wirings, extraction electrodes and the like.

【0005】一方、スクリーン印刷、オフセット印刷な
どの印刷技術を転用してこの表面伝導型電子放出素子及
びそれを含む電子源全てを印刷法で作製する方法が考え
られる。印刷法は大面積のパターンを形成するのに適し
ており、表面伝導型電子放出素子の素子電極を印刷法に
より作製することによって多数の表面伝導型電子放出素
子を基板上に形成することが可能となるだけでなく、フ
ォトリソグラフィーと比較して、コスト、工程の削減が
でき非常に有利である。
On the other hand, a method is considered in which the surface conduction electron-emitting device and all the electron sources including the same are manufactured by a printing method by using a printing technique such as screen printing or offset printing. The printing method is suitable for forming large-area patterns, and it is possible to form a large number of surface-conduction electron-emitting devices on a substrate by manufacturing the device electrodes of the surface-conduction electron-emitting device by printing. In addition to this, the cost and process can be reduced as compared with photolithography, which is very advantageous.

【0006】この印刷による配線等の作製方法は、予め
全ての配線パターンが形成できるようにマスクを設計
し、作製しておき、そのマスクを使用してガラス基板に
Agペースト等により配線を印刷するというものであ
る。また、プラズマディスプレイにおいても、バス電極
等はAgペーストによる印刷を使用されていることが多
い。
In this method of manufacturing wiring and the like by printing, a mask is designed and prepared in advance so that all wiring patterns can be formed, and the mask is used to print wiring on a glass substrate using an Ag paste or the like. That is. Also, in a plasma display, printing with an Ag paste is often used for a bus electrode and the like.

【0007】次に、表面伝導型電子放出素子、電極等を
作製された基板をリアプレートとして使用し画像表示装
置を作製する方法について簡単に説明する。
Next, a brief description will be given of a method of manufacturing an image display device using a substrate on which surface conduction electron-emitting devices, electrodes, and the like are manufactured as a rear plate.

【0008】先ず、画像表示装置のフェースプレートの
内側表面には、予め蛍光体を塗布し、さらに蛍光体に表
面に導電性を持たせたメタルバックを形成しておく。リ
アプレート電子放出部を形成し、更に電極等を印刷技術
等を使用して形成しておく。
First, a phosphor is applied in advance on the inner surface of the face plate of the image display device, and a metal back having a surface provided with conductivity on the phosphor is formed in advance. A rear plate electron emission portion is formed, and further, electrodes and the like are formed using a printing technique or the like.

【0009】これらフェースプレート、外枠、リアプレ
ートに低融点ガラスを塗布し、フェースプレートの位置
とリアプレートとの位置合わせを行なった後、治具等に
より固定した後、電気炉にいれて低融点ガラスの融点以
上の温度に加熱し、接合し機密容器を完成させる。
A low-melting glass is applied to the face plate, the outer frame, and the rear plate, the position of the face plate is aligned with the rear plate, and then fixed with a jig or the like. It is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the glass and joined to complete the confidential container.

【0010】次に、気密容器内は排気管を通して真空排
気され、素子形成に必要なプロセスを行った後、さらに
ベーキングによって脱ガスを行った後、排気管の一部を
加熱して熔融させ、封じ切る。
Next, the inside of the airtight container is evacuated through an exhaust pipe, and after performing a process necessary for forming an element, and further performing degassing by baking, a part of the exhaust pipe is heated and melted. Shut off.

【0011】このリアプレートに形成された配線と駆動
用プリント基板を接続後、画像等を表示させるが、この
リアプレートの配線と駆動用プリント基板を接続させる
のに通常、FPC基板を介して接合させている。上記の
ように作製したパネルの配線とFPCまたはTAB(T
ape Automated Bonding)とを異
方性導電フィルム(以下、単にACFと記す)を介して
接続させる方法を説明する。
After connecting the wiring formed on the rear plate to the driving printed circuit board, an image or the like is displayed. In order to connect the wiring on the rear plate and the driving printed circuit board, the connection is usually made via an FPC board. Let me. The wiring of the panel manufactured as described above and FPC or TAB (T
A method of connecting the “AUT Automated Bonding” via an anisotropic conductive film (hereinafter simply referred to as ACF) will be described.

【0012】図10は基板上に形成された配線とFPC
配線との接合の様子を示す断面図である。図10におい
て、リアプレート301に配線303が印刷により形成
されている。307はFPC306に形成されているF
PC配線、320はACFであり、321はACF32
0に含まれる導電粒子を示す。図10(a)はリアプレ
ート上の電極を、図10(b),(c)はリアプレート
301とFPC306とをACF320を介して接合す
る状態を示す。
FIG. 10 shows the wiring formed on the substrate and the FPC.
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a state of bonding with a wiring. In FIG. 10, a wiring 303 is formed on a rear plate 301 by printing. 307 is an F formed on the FPC 306;
PC wiring, 320 is ACF, 321 is ACF32
The conductive particles contained in 0 are shown. FIG. 10A shows a state where the electrodes on the rear plate are joined, and FIGS. 10B and 10C show a state where the rear plate 301 and the FPC 306 are joined via the ACF 320.

【0013】先ず、リアプレート301の電極303上
にACF320を乗せる。その後、FPC306を電極
303とFPC306のFPC配線307を位置合わせ
して置く。位置合わせが完了したら、熱圧着装置(不図
示)で上部から圧力と熱をかけて電極303とFPC配
線307を導電粒子321を介して接合を完了する。
First, the ACF 320 is placed on the electrode 303 of the rear plate 301. After that, the FPC 306 is placed with the electrode 303 and the FPC wiring 307 of the FPC 306 aligned. When the positioning is completed, pressure and heat are applied from above by a thermocompression bonding device (not shown) to complete the bonding between the electrode 303 and the FPC wiring 307 via the conductive particles 321.

【0014】その後、FPC306についているコネク
タを駆動用プリント基板にはめ込んで平面型画像表示装
置を完成させる。
After that, the connector attached to the FPC 306 is fitted to the driving printed circuit board to complete the flat panel display.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の表面伝導型電子放出素子を用いた平面型画像表
示装置や、プラズマディスプレイの外部取出し電極では
以下のような問題点がある。
However, there are the following problems in the above-mentioned conventional flat-panel image display device using the surface conduction electron-emitting device and the external extraction electrode of the plasma display.

【0016】表面伝導型電子放出素子を使用した平面型
画像表示装置及びプラズマディスプレイ等の場合、輝度
が明るいという反面、画像表示装置に必要な電流量、及
び電圧は液晶等と比較して多く必要となる。これらの電
流量、電圧に必要な外部の駆動用取出し配線の膜厚は厚
くないと耐えられない。また、これらの配線とFPC基
板を接合するのにACFを使用するが、ACFに含まれ
る導電粒子は径が小さいため、接合配線部に求められる
のは、なるべく表面性が良く平坦であることが必要であ
る。
In the case of a flat-panel image display device and a plasma display using a surface conduction electron-emitting device, the brightness is bright, but the current amount and voltage required for the image display device are larger than those of a liquid crystal or the like. Becomes If the film thickness of the external driving lead wire required for these current amounts and voltages is not large, it cannot be tolerated. ACF is used to join these wirings to the FPC board. However, since the conductive particles contained in the ACF have a small diameter, it is required that the bonding wiring portion has as good a surface property as possible and is flat. is necessary.

【0017】即ち図10(a)のように、印刷で形成さ
れた電極303の断面形状は、凹凸が大きく表面粗さが
粗いため、FPC306のFPC配線317とを接合す
るとACF320の導電粒子321が電極の凹凸内に入
りこみ、電極303の一部でしか接合されていないこと
が観察されている(図10(b),(c)参照)。
That is, as shown in FIG. 10A, the cross-sectional shape of the electrode 303 formed by printing has a large unevenness and a rough surface roughness. Therefore, when the FPC wiring 317 of the FPC 306 is joined, the conductive particles 321 of the ACF 320 are formed. It has been observed that the electrode enters into the irregularities of the electrode and is joined only at a part of the electrode 303 (see FIGS. 10B and 10C).

【0018】また、ACFの許容電流量を大きくても耐
えられるようにするには、なるべくACFの導電粒子の
接触面積を広くすることによって許容電流量を大きくす
る必要がある。
Further, in order to be able to withstand a large allowable current amount of the ACF, it is necessary to increase the allowable current amount by increasing the contact area of the conductive particles of the ACF as much as possible.

【0019】このように、ACFの導電粒子は小さいた
め、印刷で形成した配線は、配線の表面粗さが粒子径よ
り粗いため、ACFを接合するのに表面性を良くしなく
てはならない。
As described above, since the conductive particles of the ACF are small, and the wiring formed by printing has a surface roughness greater than the particle diameter, the surface properties must be improved for joining the ACF.

【0020】そこで、配線の上面を平坦にするための研
磨が行なわれている。しかしながら、配線を研磨して表
面が平坦になるまで行うと、最初に印刷した配線の厚み
が薄くなり、配線の抵抗値が上昇し、配線の許容電流量
が低くなってしまう。そのため、配線が大電流には耐え
られなくなる(図11(a),(b)参照)。この研磨
した配線を大電流に耐えるようにするには、配線を何層
か重ねて成膜して配線厚みを厚くしておかなくてはなら
ない。
Therefore, polishing for flattening the upper surface of the wiring is performed. However, if the wiring is polished until the surface becomes flat, the thickness of the wiring printed first becomes thin, the resistance value of the wiring increases, and the allowable current amount of the wiring decreases. Therefore, the wiring cannot withstand a large current (see FIGS. 11A and 11B). In order for the polished wiring to withstand a large current, it is necessary to increase the wiring thickness by stacking several wirings.

【0021】また、配線を研磨すると、研磨時に研磨片
の発生や研磨剤の付着等異物が発生するが、それらの異
物が真空内部に残ると放電等の原因となり、また取出し
配線の接合部ではFPCとの接合不良の原因にもなるの
で、異物を除去する工程、例えば、エアーブローや洗浄
等の工程も追加しなくてはならない。
Further, when the wiring is polished, foreign matters such as generation of polishing pieces and adhesion of an abrasive are generated at the time of polishing. However, if such foreign matters remain in the vacuum, it causes a discharge or the like. A step of removing foreign matter, for example, a step of air blowing or cleaning, must be added because this may cause a bonding failure with the FPC.

【0022】このように、工程の増加により、生産性が
低下し、コストが上昇するという問題点がある。
As described above, there is a problem that the productivity is reduced and the cost is increased due to the increase in the number of steps.

【0023】そこで本発明は、以上の課題に鑑みてなさ
れたものであり、接続信頼性の高い配線接続を可能と
し、製造工程の低減、コストの低減、生産性の向上した
画像表示装置を安定に実現することを目的とする。
Accordingly, the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and enables a wiring connection with high connection reliability to reduce the number of manufacturing processes, reduce costs, and stabilize an image display device with improved productivity. It is intended to be realized.

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
の結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies, the present inventors have reached the following aspects of the invention.

【0025】本発明の電極の相互接続構造は、第1の基
板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極に対応
した第2の電極が形成された第2の基板とを、異方性導
電フィルムを介して相互に接続されてなる電極の相互接
続構造であって、前記第1の電極が金属粒子を含む焼結
体からなり、表面が非研磨状態とされており、前記異方
性導電フィルムの導電性粒子により前記第2の電極と導
通するように、前記第1の電極の表面状態が制御されて
いることを特徴とする。
An electrode interconnect structure according to the present invention comprises a first electrode formed on a first substrate and a second substrate formed with a second electrode corresponding to the first electrode. An interconnect structure of electrodes connected to each other via an anisotropic conductive film, wherein the first electrode is made of a sintered body containing metal particles, and the surface is in a non-polished state, The surface state of the first electrode is controlled such that the conductive particles of the anisotropic conductive film are electrically connected to the second electrode.

【0026】本発明の電極の相互接続構造の一態様にお
いて、前記第1の電極の表面粗さRzと、前記異方性導
電フィルムの前記導電性粒子の径Dとの相互接続前の関
係が、 Rz≦D を満たす。
In one embodiment of the electrode interconnection structure of the present invention, the relationship between the surface roughness Rz of the first electrode and the diameter D of the conductive particles of the anisotropic conductive film before the interconnection is determined. Rz ≦ D.

【0027】本発明の電極の相互接続構造の一態様にお
いて、前記第1の電極の表面粗さRmaxと、前記異方
性導電フィルムの前記導電性粒子の径Dとの相互接続前
の関係が、 Rmax>D を満たす。
In one embodiment of the electrode interconnection structure of the present invention, the relationship between the surface roughness Rmax of the first electrode and the diameter D of the conductive particles of the anisotropic conductive film before the interconnection is determined. , Rmax> D.

【0028】本発明の電極の相互接続構造の一態様にお
いて、前記第1の電極の表面粗さRzが30μm以下で
ある。
In one embodiment of the electrode interconnection structure of the present invention, the first electrode has a surface roughness Rz of 30 μm or less.

【0029】本発明の電極の相互接続構造の一態様にお
いて、前記第1の電極が金属粒子及びガラスを含む焼結
体からなる。
In one embodiment of the electrode interconnection structure of the present invention, the first electrode is made of a sintered body containing metal particles and glass.

【0030】本発明の電極の相互接続構造の一態様にお
いて、前記第1の電極の金属粒子がAg,Cu,Pt,
Au,Niから選ばれた少なくとも1種である。
In one embodiment of the electrode interconnect structure of the present invention, the metal particles of the first electrode are made of Ag, Cu, Pt,
It is at least one selected from Au and Ni.

【0031】本発明の電極の相互接続方法は、第1の基
板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極に対応
した第2の電極が形成された第2の基板とを、異方性導
電フィルムを介して相互に接続する電極の相互接続方法
であって、前記第1の基板上に金属粒子を含むペースト
膜を印刷し焼成して前記第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極の表面が非研磨状態のまま、前記第2
の電極を前記第1の電極と導通するように接続すること
を特徴とする。
According to the electrode interconnection method of the present invention, a first electrode formed on a first substrate and a second substrate formed with a second electrode corresponding to the first electrode are formed. Forming a first electrode by printing and baking a paste film containing metal particles on the first substrate, wherein the first electrode is formed by printing a paste film containing metal particles on the first substrate; When,
While the surface of the first electrode is not polished, the second electrode
Are connected so as to conduct with the first electrode.

【0032】本発明の電極の相互接続方法の一態様にお
いて、前記第1の電極の表面粗さRzと、前記異方性導
電フィルムの前記導電性粒子の径Dとの相互接続前の関
係が、 Rz≦D を満たす。
In one embodiment of the electrode interconnection method of the present invention, the relationship between the surface roughness Rz of the first electrode and the diameter D of the conductive particles of the anisotropic conductive film before the interconnection is determined. Rz ≦ D.

【0033】本発明の電極の相互接続方法の一態様にお
いて、前記第1の電極の表面粗さRmaxと、前記異方
性導電フィルムの前記導電性粒子の径Dとの相互接続前
の関係が、 Rmax>D を満たす。
In one embodiment of the electrode interconnection method of the present invention, the relationship between the surface roughness Rmax of the first electrode and the diameter D of the conductive particles of the anisotropic conductive film before the interconnection is determined. , Rmax> D.

【0034】本発明の電極の相互接続方法の一態様にお
いて、前記第1の電極の表面粗さRzが30μm以下で
ある。
In one embodiment of the electrode interconnection method of the present invention, the first electrode has a surface roughness Rz of 30 μm or less.

【0035】本発明の電極の相互接続方法の一態様にお
いて、前記第1の電極が金属粒子及びガラスを含む焼結
体からなる。
In one embodiment of the electrode interconnection method of the present invention, the first electrode is made of a sintered body containing metal particles and glass.

【0036】本発明の電極の相互接続方法の一態様にお
いて、前記第1の電極の金属粒子がAg,Cu,Pt,
Au,Niから選ばれた少なくとも1種である。
In one embodiment of the method for interconnecting electrodes of the present invention, the metal particles of the first electrode are made of Ag, Cu, Pt,
It is at least one selected from Au and Ni.

【0037】本発明の画像表示装置は、電子ビームを発
生する電子放出素子が設けられた第1の基板と、前記電
子放出素子が発生する電子ビームが衝突することにより
発光する蛍光体が設けられた対向基板とを対向して配置
されてなる画像表示装置であって、前記第1の基板に第
1の電極を有するとともに、第2の電極を有する第2の
基板を備え、前記第1の基板と前記第2の基板とが、前
記第1の電極と前記第2の電極とが対応するように異方
性導電フィルムを介して相互に接続されており、 前記
第1の電極が金属粒子を含む焼結体からなり、表面が非
研磨状態とされており、前記異方性導電フィルムの導電
性粒子により前記第2の電極と導通するように、前記第
1の電極の表面状態が制御されていることを特徴とす
る。
The image display device of the present invention is provided with a first substrate provided with an electron-emitting device for generating an electron beam, and a phosphor which emits light when the electron beam generated by the electron-emitting device collides. An image display device comprising: a first substrate having a first electrode and a second substrate having a second electrode, wherein the second substrate has a second electrode. A substrate and the second substrate are connected to each other via an anisotropic conductive film such that the first electrode and the second electrode correspond to each other; The surface state of the first electrode is controlled such that the surface is in a non-polished state, and the conductive particles of the anisotropic conductive film are electrically connected to the second electrode. It is characterized by having been done.

【0038】本発明の画像表示装置の一態様において、
前記第1の電極の表面粗さRzと、前記異方性導電フィ
ルムの前記導電性粒子の径Dとの相互接続前の関係が、 Rz≦D を満たす。
In one embodiment of the image display device of the present invention,
The relationship before interconnection between the surface roughness Rz of the first electrode and the diameter D of the conductive particles of the anisotropic conductive film satisfies Rz ≦ D.

【0039】本発明の画像表示装置の一態様において、
前記第1の電極の表面粗さRmaxと、前記異方性導電
フィルムの前記導電性粒子の径Dとの相互接続前の関係
が、 Rmax>D を満たす。
In one embodiment of the image display device of the present invention,
The relationship before the interconnection between the surface roughness Rmax of the first electrode and the diameter D of the conductive particles of the anisotropic conductive film satisfies Rmax> D.

【0040】本発明の画像表示装置の一態様において、
前記第1の電極の表面粗さRzが30μm以下である。
In one embodiment of the image display device of the present invention,
The surface roughness Rz of the first electrode is 30 μm or less.

【0041】本発明の画像表示装置の一態様において、
前記第1の電極が金属粒子及びガラスを含む焼結体から
なる。
In one embodiment of the image display device of the present invention,
The first electrode is made of a sintered body containing metal particles and glass.

【0042】本発明の画像表示装置の一態様において、
前記第1の電極の金属粒子がAg,Cu,Pt,Au,
Niから選ばれた少なくとも1種である。
In one embodiment of the image display device of the present invention,
The metal particles of the first electrode are Ag, Cu, Pt, Au,
At least one selected from Ni.

【0043】本発明の画像表示装置の製造方法は、電子
ビームを発生する電子放出素子が設けられた第1の基板
と、前記電子放出素子が発生する電子ビームが衝突する
ことにより発光する蛍光体が設けられた対向基板とを対
向して配置されてなる画像表示装置の製造方法であっ
て、前記第1の基板と第2の基板とを、前記第1の基板
に設けられた第1の電極と前記第2の基板に設けられた
第2の電極とが対応するように異方性導電フィルムを介
して相互に接続するに際して、前記第1の基板上に金属
粒子を含むペースト膜を印刷し焼成して前記第1の電極
を形成する工程と、 前記第1の電極の表面が非研磨状
態のまま、前記第2の電極を前記第1の電極と導通する
ように接続することを特徴とする。
According to the method of manufacturing an image display device of the present invention, the first substrate provided with the electron-emitting device for generating the electron beam and the phosphor which emits light when the electron beam generated by the electron-emitting device collides with the first substrate are provided. A method for manufacturing an image display device, comprising: a first substrate provided on a first substrate provided on a first substrate; and a second substrate provided on a first substrate provided on the first substrate. When the electrodes are connected to each other via the anisotropic conductive film so as to correspond to the second electrodes provided on the second substrate, a paste film containing metal particles is printed on the first substrate. And baking to form the first electrode; and connecting the second electrode so as to conduct with the first electrode while the surface of the first electrode is not polished. And

【0044】本発明の画像表示装置の製造方法の一態様
において、前記第1の電極の表面粗さRzと、前記異方
性導電フィルムの前記導電性粒子の径Dとの相互接続前
の関係が、 Rz≦D を満たす。
In one embodiment of the method for manufacturing an image display device according to the present invention, the relationship before surface interconnection between the surface roughness Rz of the first electrode and the diameter D of the conductive particles of the anisotropic conductive film. Satisfies Rz ≦ D.

【0045】本発明の画像表示装置の製造方法の一態様
において、前記第1の電極の表面粗さRmaxと、前記
異方性導電フィルムの前記導電性粒子の径Dとの相互接
続前の関係が、 Rmax>D を満たす。
In one embodiment of the method for manufacturing an image display device according to the present invention, a relationship before the interconnection between the surface roughness Rmax of the first electrode and the diameter D of the conductive particles of the anisotropic conductive film. Satisfies Rmax> D.

【0046】本発明の画像表示装置の製造方法の一態様
において、前記第1の電極の表面粗さRzが30μm以
下である。
In one aspect of the method for manufacturing an image display device of the present invention, the first electrode has a surface roughness Rz of 30 μm or less.

【0047】本発明の画像表示装置の製造方法の一態様
において、前記第1の電極が金属粒子及びガラスを含む
焼結体からなる。
In one embodiment of the method for manufacturing an image display device according to the present invention, the first electrode is made of a sintered body containing metal particles and glass.

【0048】本発明の画像表示装置の製造方法の一態様
において、前記第1の電極の金属粒子がAg,Cu,P
t,Au,Niから選ばれた少なくとも1種である。
In one embodiment of the method for manufacturing an image display device of the present invention, the metal particles of the first electrode are made of Ag, Cu, P
At least one selected from t, Au, and Ni.

【0049】[0049]

【作用】本発明では、主に画像表示装置に適用される電
極の相互接続構造について、金属粒子を含む焼結体から
なり、表面が非研磨状態の第1の電極と第2の電極とが
異方性導電フィルムの導電性粒子により接続されてい
る。この場合、第1の電極は表面が非研磨状態であるた
め凹凸状であるが、表面状態が制御されているため、微
視的に見れば導電性粒子により第1の電極と第2の電極
とが接続されない部分もあるものと推測されるが、巨視
的に見れば導電性粒子により両電極が接続されている割
合が多く、従って全体的には両電極間で導通がとられる
ことになる。前記表面状態の具体例としては、第1の電
極の表面粗さRz≦導電性粒子の径Dを満たしさえすれ
ば、平均的に見て両電極の導通は十分確保されていると
見なすことができる。更には第1の電極の表面粗さRm
ax>導電性粒子の径Dであっても、前式の関係さえ満
たしていれば、導通は十分に保持される。
According to the present invention, an interconnection structure of electrodes mainly applied to an image display device is composed of a first electrode and a second electrode which are made of a sintered body containing metal particles and whose surfaces are not polished. They are connected by conductive particles of an anisotropic conductive film. In this case, the surface of the first electrode is uneven because the surface is not polished. However, since the surface state is controlled, the first electrode and the second electrode can be viewed microscopically by conductive particles. It is presumed that there is also a portion that is not connected, but macroscopically, the ratio of both electrodes connected by conductive particles is large, and therefore, conduction is generally established between both electrodes . As a specific example of the surface state, as long as the surface roughness Rz of the first electrode ≦ the diameter D of the conductive particles is satisfied, it can be considered that conduction between the two electrodes is sufficiently secured on average. it can. Further, the surface roughness Rm of the first electrode
Even if ax> diameter D of the conductive particles, conduction is sufficiently maintained as long as the relationship of the above expression is satisfied.

【0050】[0050]

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した好適な諸
実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0051】(第1の実施形態)ここでは、表面伝導型
電子放出素子をリアプレート上に複数形成し、これを用
いて画像表示装置を構成する。以下、図1〜図5を用い
て製造手順を説明する。
(First Embodiment) Here, a plurality of surface conduction electron-emitting devices are formed on a rear plate, and an image display device is constituted by using them. Hereinafter, the manufacturing procedure will be described with reference to FIGS.

【0052】図1(a)〜(e)は基板への配線形成等
から平面型画像表示装置の作製までの全体の流れを示す
概略断面図であり、図4、図5はリアプレートの作製手
順を示す概略平面図である。図1(a)は素子電極を基
板に形成した様子を、図1(b)は更にX方向配線(以
下、単に「電極」と記す)とY方向配線(以下、単に
「電極」と記す)を形成した様子を、図1(c)は導電
薄膜を形成した様子を、図1(d)は電極、素子等をリ
アプレート上に形成した後、フェースプレート及び外枠
で平面型画像表示装置を形成した様子を、図1(e)は
平面型画像表示装置にFPC基板基板を接合した様子を
それぞれ示す。これらの作製法は追って他の図面と合わ
せて詳細に説明する。
FIGS. 1A to 1E are schematic sectional views showing the entire flow from the formation of wiring on a substrate to the production of a flat panel display, and FIGS. 4 and 5 show the production of a rear plate. It is a schematic plan view showing a procedure. FIG. 1A shows a state in which element electrodes are formed on a substrate, and FIG. 1B further shows an X-direction wiring (hereinafter simply referred to as “electrode”) and a Y-direction wiring (hereinafter simply referred to as “electrode”). FIG. 1C shows a state in which a conductive thin film is formed, and FIG. 1D shows a state in which electrodes, elements and the like are formed on a rear plate, and then a flat plate type image display device is formed by a face plate and an outer frame. 1 (e) shows a state in which an FPC board is bonded to a flat panel display. These fabrication methods will be described later in detail with reference to other drawings.

【0053】図2はリアプレートの電極(X方向配線又
はY方向配線)を接合する方法を示す断面図である。な
お、図1〜図3の符号は全て同一としている。101は
ガラス基板からなるリアプレート、103,104は配
線(電極)、105は電子放出部、106はFPC、1
07はFPC電極、108は素子電極、109は導電薄
膜、111は外枠、115はフェースプレート、120
はACF、121はACF120の導電性粒子である。
FIG. 2 is a sectional view showing a method of joining electrodes (X-direction wiring or Y-direction wiring) on the rear plate. 1 to 3 are all the same. 101 is a rear plate made of a glass substrate, 103 and 104 are wirings (electrodes), 105 is an electron emitting section, 106 is an FPC, 1
07 is an FPC electrode, 108 is an element electrode, 109 is a conductive thin film, 111 is an outer frame, 115 is a face plate, 120
Denotes an ACF, and 121 denotes conductive particles of the ACF 120.

【0054】先ず、リアプレート101上にオフセット
印刷にPtレジネートペーストを用いて表面伝導型電子
放出素子の素子電極108を形成する(図1(a),図
4(a))。
First, the device electrode 108 of the surface conduction electron-emitting device is formed on the rear plate 101 by using Pt resinate paste for offset printing (FIGS. 1A and 4A).

【0055】次に、リアプレート101上にX方向配線
104をAgペーストで印刷して焼成する(図1
(b),図4(b))。続いて、配線104の上部に絶
縁層131を印刷し(図4(c))、Y方向配線103
をAgペーストで印刷して焼成してX,Y方向配線(電
極)を形成する((図1(b),図5(a))。続い
て、素子電極に導電薄膜109を形成する((図1
(c),図5(b))。
Next, an X-direction wiring 104 is printed on the rear plate 101 with an Ag paste and fired (FIG. 1).
(B), FIG. 4 (b)). Subsequently, an insulating layer 131 is printed on the wiring 104 (FIG. 4C), and the Y-directional wiring 103 is printed.
Is printed with an Ag paste and fired to form wirings (electrodes) in the X and Y directions (FIGS. 1B and 5A), and then a conductive thin film 109 is formed on the device electrodes (( FIG.
(C), FIG. 5 (b)).

【0056】ここで、Agペーストに含まれる導電性粒
子であるAgについて簡単に説明する。Agには、主に
2種類の粒子径の粒子が混入され、その内訳はAg粒子
径が0.1μmのものを50%、Ag粒子径が1μmの
ものを50%配合しており、またこのAg粒子の形状は
Agを砕いたものである。これらのAgペーストからな
る配線を焼成すると、Rmax:5〜6μm程度、R
z:5μm以下となる。
Here, Ag which is conductive particles contained in the Ag paste will be briefly described. Ag is mainly mixed with particles having two types of particle diameters. The breakdown includes 50% of Ag particles having a particle diameter of 0.1 μm and 50% of Ag particles having a particle diameter of 1 μm. The shape of the Ag particles is obtained by crushing Ag. When the wiring made of these Ag pastes is fired, Rmax: about 5 to 6 μm, Rmax
z: 5 μm or less.

【0057】前述の導電薄膜109を形成したリアプレ
ート101を作製後、気密容器170作製する方法につ
いて説明する。図3はこの気密容器の斜視図である。図
3において、前述の電子ビームを発生する電子源として
複数の表面伝導型の電子放出素子105が形成されたリ
アプレート101と、電子放出素子から放出された電子
に作用して画像を表示するフェースプレート115とが
外枠111と排気管(不図示)を介して互いに対向配置
されて気密容器170が構成されている。
A method of manufacturing the airtight container 170 after manufacturing the rear plate 101 on which the above-described conductive thin film 109 is formed will be described. FIG. 3 is a perspective view of the airtight container. In FIG. 3, a rear plate 101 on which a plurality of surface conduction electron-emitting devices 105 are formed as an electron source for generating the above-described electron beam, and a face for displaying an image by acting on electrons emitted from the electron-emitting devices. The plate 115 is opposed to the outer frame 111 via an exhaust pipe (not shown) to form an airtight container 170.

【0058】画像表示装置のフェースペレート115の
内側表面には、予め蛍光体111を塗布し、更に蛍光体
111に表面に導電性を持たせたメタルバック112を
形成しておく。
A phosphor 111 is applied in advance on the inner surface of the face plate 115 of the image display device, and a metal back 112 having a surface provided with conductivity on the phosphor 111 is formed in advance.

【0059】このフェースプレート115、外枠11
1、前述の工程で導電薄膜109まで形成したリアプレ
ート101、排気管(不図示)、スペーサ20等に低融
点ガラスを塗布し、フェースプレート115の位置とリ
アプレート101との位置合わせを行なった後、治具等
により固定した後、電気炉に入れて低融点ガラスの融点
以上の温度に加熱し、接合して気密容器を完成させる
(図1(d)、図3参照)。
The face plate 115 and the outer frame 11
1. A low-melting glass is applied to the rear plate 101, the exhaust pipe (not shown), the spacer 20, and the like formed up to the conductive thin film 109 in the above-described process, and the position of the face plate 115 and the rear plate 101 are aligned. Then, after being fixed with a jig or the like, it is placed in an electric furnace and heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the low-melting glass and joined to complete an airtight container (see FIGS.

【0060】その後、配線を通して素子電極108間に
数V〜十数Vの電圧を印加し、フォーミングと呼ばれる
通電処理を行なって導電薄膜109の一部に間隙を形成
する。続いて、通電フォーミングが終了した素子に活性
化工程と呼ばれる処理を施し、電子放出部200を形成
する(図5(c))。
Thereafter, a voltage of several volts to several tens of volts is applied between the element electrodes 108 through the wiring, and an energization process called forming is performed to form a gap in a part of the conductive thin film 109. Subsequently, a process called an activation step is performed on the element on which the energization forming has been completed to form the electron-emitting portion 200 (FIG. 5C).

【0061】次に、ホットプレートによって画像表示装
置を加熱し、脱ガスを行なう。そして、画像表示装置の
排気管をガスバーナーで加熱し、溶着することで画像表
示装置の封止を行う。
Next, the image display device is heated by a hot plate to perform degassing. Then, the image display device is sealed by heating and welding the exhaust pipe of the image display device with a gas burner.

【0062】次に、前述の如く作製した画像表示装置を
図1(e)のように画像表示装置の配線とFPCとを接
続させる方法を具体的に説明する。図2は上記リアプレ
ートに作製した配線とFPCを接合する方法を拡大断面
図に示す。
Next, a method of connecting the wiring of the image display device and the FPC to the image display device manufactured as described above as shown in FIG. 1E will be specifically described. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a method of joining the wiring formed on the rear plate and the FPC.

【0063】先ず、リアプレート101の配線103に
ACF120をリアプレート101のFPC106を接
続する位置に貼り付ける。次にリアプレート101の配
線103と、そこからプリント基板までを接続するのに
必要なFPC106を接合する位置にセットし、基板の
所定の位置合わせを行ない一致させる(図2(b))。
First, the ACF 120 is attached to the wiring 103 of the rear plate 101 at a position where the FPC 106 of the rear plate 101 is connected. Next, the wiring 103 on the rear plate 101 and the FPC 106 necessary for connecting the wiring 103 to the printed circuit board are set at a position where they are joined, and the boards are aligned at a predetermined position so that they match (FIG. 2B).

【0064】FPC106のFPC電極107とリアプ
レート101の配線103が一致したところで、FPC
106と画像表示装置を熱圧着ツール(不図示)の下に
移動させる。その後、配線103をACF120により
熱圧着させてFPC106とY方向の配線103との接
合を完了する(図2(c))。このACF120の導電
性粒子121の径は約5μmのものを使用している。ま
た、配線103の焼成後における表面粗さはRmaxが
5.3μm,Rzが4.7μmとなる。
When the FPC electrode 107 of the FPC 106 matches the wiring 103 of the rear plate 101, the FPC
106 and the image display device are moved under a thermocompression bonding tool (not shown). Thereafter, the wiring 103 is thermocompression-bonded by the ACF 120 to complete the bonding between the FPC 106 and the wiring 103 in the Y direction (FIG. 2C). The diameter of the conductive particles 121 of the ACF 120 is about 5 μm. The surface roughness of the wiring 103 after firing is 5.3 μm for Rmax and 4.7 μm for Rz.

【0065】ここで、表面粗さRmax,Rzについ
て、図6を用いて簡単に説明する。本発明における表面
粗さはJIS規格で定められているRmax(最大高
さ)、Rz(十点平均粗さ)を用いた。Rmaxは、測
定した一定の長さの中で最高の山と最深の谷の値として
いる(図7(a))。一方、Rzは、測定した一定長さ
の中で最高から5番目までの山頂と最深から5番目まで
の谷底の5個の標高を測定し、それぞれの平均値を求
め、その差から十点平均粗さを求める(図7(b))。
Here, the surface roughnesses Rmax and Rz will be briefly described with reference to FIG. For the surface roughness in the present invention, Rmax (maximum height) and Rz (ten-point average roughness) defined by JIS standards were used. Rmax is a value of the highest peak and the deepest valley in the measured fixed length (FIG. 7A). On the other hand, Rz measures the five altitudes of the highest to fifth peaks and the deepest to fifth valleys in the measured constant length, finds the average value of each, and calculates the 10-point average from the difference. The roughness is determined (FIG. 7B).

【0066】配線103の表面粗さはRmaxで5.3
μm、Rzで4.7μmとなっており、導電粒子121
の径は約5μmのものを使用しており、Rmax>導電
粒子径Dとなっているが、圧着工程において、Rmax
部分がつぶれることで、接合後にはRmax≦導電粒子
径Dとなっているのが確認されており、配線103の圧
着工程前の表面粗さとしてはRmax>導電粒子径Dで
あるが、圧着工程後はRmax≦導電粒子径Dとなる。
この配線103の圧着工程前の表面粗さRzと圧着工程
後のRmaxはほぼ同等の値を示すので、圧着工程前の
表面粗さRz≦導電粒子径Dであれば十分な通電をとる
ための接合が可能である。
The surface roughness of the wiring 103 is 5.3 in Rmax.
μm and Rz are 4.7 μm.
Has a diameter of about 5 μm, and Rmax> conductive particle diameter D. However, in the pressure bonding step, Rmax
It is confirmed that Rmax ≦ conductive particle diameter D is obtained after bonding by crushing the portion, and the surface roughness of the wiring 103 before the crimping step is Rmax> conductive particle diameter D. Thereafter, Rmax ≦ conductive particle diameter D is satisfied.
Since the surface roughness Rz of the wiring 103 before the crimping process and the Rmax after the crimping process show almost the same value, if the surface roughness Rz before the crimping process ≦ the conductive particle diameter D, sufficient electric current can be applied. Joining is possible.

【0067】圧着後の配線103と導電粒子121は、
図2(c)に示すようにFPC106のFPC電極10
7と配線103にACF120の導電粒子121が凹凸
の凹部分に入りながらも、導電粒子121が多少つぶれ
て配線103とFPC電極の接合ができ、導通もとれて
いることが確認されている。
The wiring 103 and the conductive particles 121 after the pressure bonding are
As shown in FIG. 2C, the FPC electrode 10 of the FPC 106
It has been confirmed that while the conductive particles 121 of the ACF 120 enter the concave and convex portions of the ACF 120 in the wiring 7 and the wiring 103, the conductive particles 121 are slightly crushed, so that the wiring 103 and the FPC electrode can be joined, and the conduction is established.

【0068】このように、FPC106と画像表示装置
の配線103又はl04の束毎に接合を行い、一辺終了
後は他辺の接合を行い、合計3辺の接合を終了し、配線
103,l04の接合を完了する(平面型画像表示装置
への接合断面は図1(e)参照)。
As described above, bonding is performed for each bundle of the FPC 106 and the wiring 103 or 104 of the image display device, and after finishing one side, bonding of the other sides is completed. The joining is completed (see FIG. 1 (e) for a sectional view of joining to the flat panel display).

【0069】その後、リアプレート101に接合された
FPC106についているコネクタ(不図示)をプリン
ト基板116のコネクタ部に挿し込み、リアプレート1
01とプリント基板の接続が完了する(図9参照)。
Thereafter, a connector (not shown) attached to the FPC 106 joined to the rear plate 101 is inserted into a connector portion of the printed circuit board 116, and the rear plate 1
01 and the printed circuit board are completed (see FIG. 9).

【0070】以上のように、配線の表面粗さRmaxが
ACFの導電性粒子径Dより粗くても、ACFの導電粒
子が配線の表面粗さRzと同じかそれより大きくなるよ
うに配線の表面状態が制御されていれば、ACFの導電
粒子によってFPC電極と接合できる。この場合、表面
粗さRmaxが粗くても導通がとれ、かつ接合面積も従
来とほとんど変わらないので許容電流量も同等であるこ
とが確認されている。
As described above, even if the surface roughness Rmax of the wiring is larger than the conductive particle diameter D of the ACF, the surface of the wiring is adjusted so that the conductive particles of the ACF are equal to or larger than the surface roughness Rz of the wiring. If the state is controlled, it can be joined to the FPC electrode by the conductive particles of ACF. In this case, it has been confirmed that even if the surface roughness Rmax is rough, conduction can be obtained, and the junction area is almost the same as that of the related art, so that the allowable current amount is the same.

【0071】このように、印刷配線でも配線の加工をし
なくて済むので異物等の発生がなく、また、配線を研磨
等で削らないので配線自体の厚みが厚く抵抗値は低いの
で、1度の印刷で所望の配線抵抗値が得られ、工程数も
削減でき生産性の向上、低コスト化が出来るようになっ
た。また、接合信頼性も恒温恒湿槽により、85℃、8
5%、1000Hのエージング試験によって、従来の平
坦に加工した配線の接合信頼性試験結果と同等の信頼性
が得られている。
As described above, it is not necessary to process the wiring even with the printed wiring, so that there is no generation of foreign matter, and since the wiring is not polished or the like, the wiring itself is thick and the resistance value is low. A desired wiring resistance value was obtained by printing, the number of steps could be reduced, productivity could be improved, and cost could be reduced. In addition, the bonding reliability is maintained at 85 ° C. and 8
By the aging test of 5% and 1000H, the same reliability as the bonding reliability test result of the conventional flat processed wiring is obtained.

【0072】(第2の実施形態)本発明の第2の実施形
態を以下に示して説明する。表面伝導型電子放出素子
を、基板を兼ねるリアプレート上に複数形成し、マトリ
クス状に配線して電子源を形成し、これを用いて画像形
成装置を作製した。この画像表示装置の作製方法につい
ては、ほとんど第1の実施形態と同様であるので、詳細
は省略するが、第1実施形態と異なる点について、以下
に説明する。
(Second Embodiment) A second embodiment of the present invention will be described below. A plurality of surface conduction electron-emitting devices were formed on a rear plate also serving as a substrate, and were wired in a matrix to form an electron source. Using this, an image forming apparatus was manufactured. Since the method of manufacturing the image display device is almost the same as that of the first embodiment, the details are omitted, but points different from the first embodiment will be described below.

【0073】前記異なる点について図7を参照して説明
する。図7は、リアプレートの配線とFPCとを接合す
る方法を示す断面図である。101はガラス基板からな
るリアプレート、103はリアプレートに印刷された配
線、l06はFPC,107はFPC電極、120はA
CF,121はACFの導電粒子である。
The difference will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view showing a method of joining the wiring of the rear plate and the FPC. 101 is a rear plate made of a glass substrate, 103 is wiring printed on the rear plate, 106 is an FPC, 107 is an FPC electrode, and 120 is A
CF and 121 are conductive particles of ACF.

【0074】先ず、リアプレート101上にオフセット
印刷にPtレジネートペーストを用いて表面伝導型電子
放出素子の素子電極を形成する。次に、リアプレート上
にX用の配線をAgぺ一ストで印刷し焼成する。次に配
線の上部に絶縁層(不図示)を印刷する。次にY用の配
線をAgぺ一ストで印刷し焼成し、X,Yの配線を形成
する。
First, device electrodes of a surface conduction electron-emitting device are formed on a rear plate 101 by using a Pt resinate paste for offset printing. Next, the wiring for X is printed on the rear plate with the Ag paste and baked. Next, an insulating layer (not shown) is printed on the wiring. Next, the wiring for Y is printed and baked by Ag @ 1st to form X and Y wiring.

【0075】ここで、このAgぺーストに含まれるAg
について簡単に説明する。Agには主に2種類の粒子径
の粒子が混入され、その内訳はAg粒子径が0.3μm
のものを70%、Ag粒子径が1μmのものを30%配
合しており、またこのAg粒子の形状はAgは球形に近
い形状で作製したものを使用している。これらのAgぺ
ーストからなる配線を焼成するとRmax3〜3.5μ
m程度、Rz3μm以下となることが確認されている。
Here, the Ag contained in the Ag paste
Will be described briefly. Ag is mainly mixed with particles having two types of particle diameters.
70% and Ag having a particle diameter of 1 μm are blended in an amount of 30%, and the shape of the Ag particles used is such that Ag is formed in a shape close to a sphere. When firing the wiring made of these Ag pastes, Rmax 3 to 3.5 μm is obtained.
It has been confirmed that Rz is about 3 m or less.

【0076】次に、素子電極部に導電薄膜を形成する前
述の電子放出素子を含むリアプレートを作製後、第1の
実施形態と同様に気密容器を作製し、電気処理、熱処理
等を行い画像表示装置を作製する。
Next, after a rear plate including the above-described electron-emitting device for forming a conductive thin film on the device electrode portion is prepared, an airtight container is prepared in the same manner as in the first embodiment, and an electric treatment, a heat treatment and the like are performed. A display device is manufactured.

【0077】次に、上記のように作製した画像表示装置
を図1(e)のように画像表示装置の配線とFPCとを
接続させる方法を具体的に説明する。図7は上記リアプ
レートに作製した配線とFPCを接合する方法を拡大断
面図に示す。
Next, a method for connecting the wiring of the image display device and the FPC to the image display device manufactured as described above as shown in FIG. 1E will be specifically described. FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing a method of joining the wiring and the FPC fabricated on the rear plate.

【0078】先ず、リアプレート101の配線103
(図7(a))にACF120をリアプレート101の
FPCを接続する位置に貼り付ける。次にリアプレート
101の配線103とそこからプリント基板までを接続
するのに必要なFPC106を接合する位置にセットし
て基板の所定の位置合わせを行い一致させる(図7
(b))。
First, the wiring 103 on the rear plate 101
7A, the ACF 120 is attached to the rear plate 101 at a position where the FPC is connected. Next, the wiring 103 of the rear plate 101 is set at a position where the FPC 106 necessary for connecting the wiring 103 to the printed circuit board is joined, and the substrates are aligned at a predetermined position so that they match (FIG. 7).
(B)).

【0079】FPC106のFPC電極107とリアプ
レート101の配線103が一致したところで、FPC
106と画像表示装置を熱圧着ツール(不図示)の下に
移動させる。その後熱圧着ツールを降ろしてFPC10
6と配線103をACF120によって熱圧着させ、F
PC106と配線103の接合を完了する(図7
(c))。このACFの導電粒子121の粒子径は約3
μmのものを使用している。また、配線103の焼成後
の表面粗さはRmax3.1μm、Rz2.5μmとな
っている。
When the FPC electrode 107 of the FPC 106 matches the wiring 103 of the rear plate 101, the FPC
106 and the image display device are moved under a thermocompression bonding tool (not shown). Then, lower the thermocompression bonding tool to remove FPC10
6 and the wiring 103 are thermocompressed by the ACF 120,
The bonding between the PC 106 and the wiring 103 is completed (FIG. 7).
(C)). The particle diameter of the conductive particles 121 of this ACF is about 3
μm is used. The surface roughness of the wiring 103 after firing is Rmax 3.1 μm and Rz 2.5 μm.

【0080】圧着後の配線103と導電粒子121は、
図7(c)に示すように、FPC106のFPC電極1
07と配線103にACFの導電粒子121が多少つぶ
れる配線103とFPC電極の接合ができていることが
確認されている。
The wiring 103 and the conductive particles 121 after the pressure bonding are
As shown in FIG. 7C, the FPC electrode 1 of the FPC 106
It has been confirmed that the FPC electrode is joined to the wiring 103 in which the conductive particles 121 of the ACF are slightly crushed between the wiring 103 and the wiring 103.

【0081】配線103の表面粗さはRmax3.1μ
m、Rz2.5μmとなっており、導電粒子121の径
は約3μmのものを使用しており、Rmax>導電粒子
径Dとなっているが、圧着工程において、Rmax部分
がつぶれることで、接合後にはRmax≦導電粒子径D
となっているのが確認されており、配線103の圧着工
程前の表面粗さとしてはRmax>導電粒子径Dである
が、圧着工程後はRmax≦導電粒子径Dとなってい
る。この配線103の圧着工程前の表面粗さRzと圧着
工程後のRmaxはほぼ同等の値を示すので、圧着工程
前の表面粗さRz≦導電粒子径Dであれば接合が可能で
ある。
The surface roughness of the wiring 103 is Rmax 3.1 μm.
m, Rz 2.5 μm, and the diameter of the conductive particles 121 is about 3 μm, and Rmax> conductive particle diameter D. However, in the pressure bonding step, the Rmax portion is crushed, and the bonding is performed. Later, Rmax ≦ conductive particle diameter D
It has been confirmed that the surface roughness of the wiring 103 before the pressure bonding step is Rmax> conductive particle diameter D, but after the pressure bonding step, Rmax ≦ conductive particle diameter D. Since the surface roughness Rz of the wiring 103 before the crimping process and the Rmax after the crimping process show almost the same value, bonding can be performed if the surface roughness Rz before the crimping process ≦ the conductive particle diameter D.

【0082】このように、FPC106と画像表示装置
の配線103又は104の束毎に接合を行い、一辺終了
後は他辺の接合を行い、合計3辺の接合を終了し、配線
103,104の接合を完了する(平面型画像表示装置
への接合断面は図1(e)参照)。
As described above, the bonding is performed for each bundle of the FPC 106 and the wiring 103 or 104 of the image display device, and after the completion of one side, the bonding of the other side is completed. The joining is completed (see FIG. 1 (e) for a sectional view of joining to the flat panel display).

【0083】その後、リアプレート101に接合された
FPC106についているコネクタ(不図示)をプリン
ト基板(不図示)のコネクタ部に挿し込み、リアプレー
ト101とプリント基板の接続が完了する(図9参
照)。
Thereafter, the connector (not shown) of the FPC 106 joined to the rear plate 101 is inserted into the connector of the printed board (not shown), and the connection between the rear plate 101 and the printed board is completed (see FIG. 9). .

【0084】以上のように、配線の表面粗さが第1の実
施形態よりも更に良くなり、ACFの導電性粒子が更に
小さくなっても、前記導電性粒子によってFPC電極と
接合できるようになった。また、このように、配線でも
取出し電極部の加工をしなくて済むので異物の発生がな
く、配線を研磨等で削らないので配線自体の厚みが厚く
抵抗値は低く、1度の印刷で所望の配線抵抗値が得ら
れ、工程数も削減でき生産性の向上、低コスト化ができ
るようになった。また、接合信頼性も恒温恒湿槽によ
り、85℃、85%、1000Hのエージング試験によ
って、従来の平坦に加工した配線の信頼性試験結果と同
等の信頼性が得られている。
As described above, the surface roughness of the wiring is better than that of the first embodiment, and even if the conductive particles of the ACF are further reduced, the conductive particles can be joined to the FPC electrode. Was. Also, as described above, it is not necessary to process the extraction electrode portion even with the wiring, so that there is no generation of foreign matter, and since the wiring is not polished or the like, the thickness of the wiring itself is large and the resistance value is low, so that it is possible to perform the printing once. , The number of steps can be reduced, productivity can be improved, and cost can be reduced. In addition, the same reliability as that of the reliability test result of the conventional flat processed wiring is obtained by the aging test of 85 ° C., 85%, and 1000 H in the constant temperature and humidity chamber in the constant temperature and humidity chamber.

【0085】本発明ではAgペーストの粒子形状を変え
ることで、表面粗さを低くすることができたが、これに
限ることなくAg粒子の分散性をよくしたり、Ag粒子
径の小さなものを使用したり、また適正な焼成温度によ
り焼成することによっても表面粗さを低くすることがで
き、上記記載の方法に限定されるものではない。
In the present invention, the surface roughness can be reduced by changing the particle shape of the Ag paste. However, the present invention is not limited to this. The surface roughness can also be reduced by using or baking at an appropriate baking temperature, and is not limited to the method described above.

【0086】(第3の実施形態)本発明の第3の実施形
態を以下に示して説明する。表面伝導型電子放出素子
を、基板を兼ねるリアプレート上に複数形成し、マトリ
クス状に配線して電子源を形成し、これを用いて画像形
成装置を作製した。この画像表示装置の製造方法につい
ては、ほとんど第1の実施形態と同様であるので、詳細
は省略するが、第1,2の実施形態と異なる点につい
て、以下に説明する。
(Third Embodiment) A third embodiment of the present invention will be described below. A plurality of surface conduction electron-emitting devices were formed on a rear plate also serving as a substrate, and were wired in a matrix to form an electron source. Using this, an image forming apparatus was manufactured. Since the method of manufacturing the image display device is almost the same as that of the first embodiment, the details are omitted, but the points different from the first and second embodiments will be described below.

【0087】前記異なる点について図8を参照して説明
する。図6はリアプレートの配線とFPC基板を接合す
る方法を示す断面図である。101はガラス基板からな
るリアプレート、102は配線のための土手、103は
リアプレートに印刷された配線、106はFPC,10
7はFPC電極、120はACF,121はACFの導
電粒子である。
The difference will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view showing a method of joining the wiring of the rear plate and the FPC board. 101 is a rear plate made of a glass substrate, 102 is a bank for wiring, 103 is a wiring printed on the rear plate, 106 is an FPC, 10
7 is an FPC electrode, 120 is an ACF, and 121 is an ACF conductive particle.

【0088】先ず、リアプレート101上にオフセット
印刷にPtレジネートペーストを用いて表面伝導型電子
放出素子の素子電極を形成する。次に、リアプレート上
にX方向用の配線を作製するための土手102を粘度の
高いAgペーストで配線について2つの土手102を印
刷し、焼成して土手を2つ形成した(図8(a))。
First, device electrodes of a surface conduction electron-emitting device are formed on a rear plate 101 by using a Pt resinate paste for offset printing. Next, two banks 102 were printed on the rear plate 102 for producing the wiring for the X direction using Ag paste having a high viscosity with respect to the wiring, and were fired to form two banks (FIG. 8A )).

【0089】次に、リアプレート101上にX方向用の
配線用として、粘度の低いAgペーストで土手102間
にぺ一ストが印刷されるように配線印刷し焼成した。次
に配線の上部に絶縁層(不図示)を印刷する。次にX配
線と同様にY用の配線に粘度の高いAgぺ一ストで1配
線について2つの土手を印刷し、焼成して土手を2つ形
成した。
Next, wiring was printed and fired on the rear plate 101 so that a paste was printed between the banks 102 using a low-viscosity Ag paste for wiring in the X direction. Next, an insulating layer (not shown) is printed on the wiring. Next, as with the X wiring, two banks were printed on the Y wiring with Ag, which has a high viscosity, for one wiring and fired to form two banks.

【0090】次に、リアプレート101上にY方向用の
配線用として、粘度の低く分散性のよいAgぺ一ストで
土手の間にぺ一ストが印刷されるように配線を印刷して
焼成し、X,Y方向の配線を形成した(図6(b))。
このX,Y方向の配線は、先ず粘度の高いペーストで土
手を先に形成し、この土手の中に粘度の低くAgぺ一ス
トを流し込む様にしてX,Yの配線を形成しているの
で、表面粗さはRmax3.1μm、Rz2.5μmで
且つ接合部分の断面形状が平坦に近く肩の部分が撫で肩
状態でなくなっている。
Next, for the wiring in the Y direction on the rear plate 101, the wiring is printed and baked so that the Ag is printed with low viscosity and good dispersibility between the banks. Then, wirings in the X and Y directions were formed (FIG. 6B).
The wirings in the X and Y directions are formed by first forming a bank with a high-viscosity paste and then pouring a low-viscosity Ag @ 1 into the bank to form the X and Y wirings. The surface roughness was Rmax 3.1 μm and Rz 2.5 μm, and the cross-sectional shape of the joined portion was almost flat, and the shoulder portion was no longer in the shoulder state.

【0091】ここで、粘度の低いAgぺ一ストに含まれ
るAgについて簡単に説明する。Agには主に2種類の
粒子径の粒子が混入され、その内訳はAg粒子径が0.
3μmのものを70%、Ag粒子径が1μmのものを3
0%配合しており、またこのAg粒子は球形に近い形状
に作製したものを使用している。
Here, Ag contained in the low-viscosity Ag list will be briefly described. Ag is mainly mixed with particles having two types of particle diameters.
70% for 3 μm, 3% for Ag particle diameter of 1 μm
The Ag particles used are made in a shape close to a sphere.

【0092】次に、電極部に導電薄膜を形成する。前述
の電子放出素子を含むリアプレートを作製後、第1の実
施形態と同様に気密容器を作製し、電気処理、熱処理等
を行い画像表示装置を作製した。
Next, a conductive thin film is formed on the electrode portion. After manufacturing the rear plate including the above-described electron-emitting device, an airtight container was manufactured in the same manner as in the first embodiment, and electrical processing, heat treatment, and the like were performed to manufacture an image display device.

【0093】次に、前述の如く作製した画像表示装置
を、図1(e)のように画像表示装置の配線とFPC基
板とを接続させる方法を具体的に説明する。図8はリア
プレートに作製した配線とFPCを接合する方法を拡大
断面図に示す。
Next, a method of connecting the wiring of the image display device and the FPC board to the image display device manufactured as described above as shown in FIG. 1E will be specifically described. FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view showing a method of joining the wiring formed on the rear plate and the FPC.

【0094】先ず、リアプレート101の配線103
(図8(b))にACF120をりアプレート101の
FPCを接続する位置に貼り付ける、次に、リアプレー
ト101の配線103と当該配線103からプリント基
板までを接続するのに必要なFPC106を接合する位
置にセットし、基板の所定の位置合わせを行い一致させ
る(図8(c))。
First, the wiring 103 on the rear plate 101
(FIG. 8 (b)), the ACF 120 is attached to the position where the FPC of the plate 101 is connected, and then the wiring 103 of the rear plate 101 and the FPC 106 necessary for connecting the wiring 103 to the printed circuit board are formed. The substrate is set at the bonding position, and the substrates are aligned at a predetermined position so that they match (FIG. 8C).

【0095】FPC106のFPC電極107とリアプ
レート101の配線103が一致したところで、FPC
106と画像表示装置を熱圧着ツール(不図示)の下に
移動させる。その後、熱圧着ツールを降ろしてFPC1
06と配線103をACF120によって熱圧着させ、
FPC106と配線103の接合を完了する(図8
(d))。このACFの導電粒子121の粒子径は約3
μmのものを使用している。
When the FPC electrode 107 of the FPC 106 and the wiring 103 of the rear plate 101 match, the FPC
106 and the image display device are moved under a thermocompression bonding tool (not shown). Then, lower the thermocompression bonding tool to remove FPC1
06 and the wiring 103 are thermocompressed by the ACF 120,
The joining of the FPC 106 and the wiring 103 is completed (FIG. 8).
(D)). The particle diameter of the conductive particles 121 of this ACF is about 3
μm is used.

【0096】図8(d)に示すように、FPC106の
FPC電極107と配線103にACFの導電粒子12
1に断面形状の肩部分が撫で肩状態となっていないた
め、より広い面積での配線103とFPC電極の接合が
できる。
As shown in FIG. 8D, the conductive particles 12 of ACF are applied to the FPC electrode 107 of the FPC 106 and the wiring 103.
In FIG. 1, since the shoulder portion of the cross-sectional shape is not stroked, the wiring 103 and the FPC electrode can be joined in a wider area.

【0097】このように、FPC106と画像表示装置
の配線103又は104の束毎に接合を行い、一辺終了
後は他辺の接合を行い、合計3辺の接合を終了し、配線
103,l04の接合を完了する(平面型画像表示装置
への接合断面は図1(e)参照)。
As described above, the bonding is performed for each bundle of the FPC 106 and the wiring 103 or 104 of the image display device, and after the completion of one side, the bonding of the other side is completed. The joining is completed (see FIG. 1 (e) for a sectional view of joining to the flat panel display).

【0098】その後、リアプレート101に接合された
FPC106に付いているコネクタ(不図示)をプリン
ト基板(不図示)のコネクタ部に挿し込み、リアプレー
ト101とプリント基板の接続が完了する(図9参
照)。
Thereafter, a connector (not shown) attached to the FPC 106 joined to the rear plate 101 is inserted into a connector portion of a printed board (not shown) to complete the connection between the rear plate 101 and the printed board (FIG. 9). reference).

【0099】以上のように、配線の表面粗さは変更な
く、電極の断面形状で肩の部分が撫で肩状態でない形状
とされることにより、より広い面積でACFの導電粒子
によってFPC電極と接合できるようになった。また、
このように、印刷配線でも配線部の加工をしなくて済む
ので、塵芥の発生がなく、また、配線部を研磨等で削ら
ないので配線白体の厚みが厚く抵抗値は低いので、土手
と配線の印刷で所望の配線抵抗値が得られるようになっ
た。また、接合信頼性も恒温恒湿槽により、85℃、8
5%、1000Hのエージング試験によって、従来の平
坦に加工した配線の信頼性試験結果と同等の信頼性が得
られている。更に、Agペーストで2種類の粘度のペー
ストを使用することにより、配線の表面粗さは変更ない
ものの、電極の断面形状で肩の部分が撫で肩状態でない
ことにより、第2の実施形態よりも更にACFの導電粒
子が電極に乗る数が多くなり信頼性が向上した。
As described above, since the surface roughness of the wiring is not changed and the cross-sectional shape of the electrode is formed so that the shoulder portion is not stroked, it can be joined to the FPC electrode by the ACF conductive particles in a wider area. It became so. Also,
As described above, since the wiring portion does not need to be processed even in printed wiring, there is no generation of dust, and since the wiring portion is not ground by polishing or the like, the thickness of the wiring white body is thick and the resistance value is low, so that A desired wiring resistance value can be obtained by printing the wiring. In addition, the bonding reliability is maintained at 85 ° C. and 8
By the aging test of 5% and 1000H, the same reliability as the reliability test result of the conventional flat processed wiring is obtained. Furthermore, although the surface roughness of the wiring is not changed by using a paste having two kinds of viscosities with the Ag paste, the shoulder is not stroked in the cross-sectional shape of the electrode. The number of conductive particles of the ACF on the electrode was increased, and the reliability was improved.

【0100】なお、上述した実施例では、電子源を構成
する電子放出素子として、表面伝導型電子放出素子を用
いた場合を示したが、本発明の構成がこれに限定される
ものではない。熱電子放出素子、電界放出型電子放出素
子、半導体電子放出素子その他各種の電子放出素子を用
いた電子源を使用した場合でも同様に適用できる。ま
た、Agペーストを使用して配線を作製した画像表示装
置、例えばPDP等でも同様に適用できる。
In the above-described embodiment, the case where the surface conduction electron-emitting device is used as the electron-emitting device constituting the electron source is described. However, the configuration of the present invention is not limited to this. The same can be applied to a case where an electron source using a thermionic emission element, a field emission type electron emission element, a semiconductor electron emission element, or other various electron emission elements is used. Further, the present invention can be similarly applied to an image display device in which wiring is manufactured using an Ag paste, for example, a PDP or the like.

【0101】また、上述した実施例では配線の表面粗さ
Rzが2.5μmや4μmとしたが、Rz30μm以下
にすることによっても適用でき、また、同様に異方性導
電膜の粒子径は表面粗さRzと同等かそれ以上の径であ
ることによっても適用できる。
Although the surface roughness Rz of the wiring is 2.5 μm or 4 μm in the above-described embodiment, the present invention can be applied to a case where the surface roughness Rz is 30 μm or less. The present invention is also applicable when the diameter is equal to or greater than the roughness Rz.

【0102】本発明では、印刷配線にAg粒子を使用し
たがこれに限ることなく、Cu,Ni,Au,Pt等地
の金属粒子を使用した印刷ペーストであってもよく、ガ
ラスによる結着剤による導電焼結体であればなんら限定
されるものではない。
In the present invention, Ag particles are used for the printed wiring. However, the present invention is not limited to this, and a printing paste using metal particles of Cu, Ni, Au, Pt or the like may be used. The conductive sintered body of the present invention is not limited at all.

【0103】また、本発明では、印刷を用いて配線を形
成したが、形成後に金属を含む導電焼結体となれば印刷
に限らず、フォトリソグラフィー等によって形成しても
よい。
In the present invention, the wiring is formed by printing. However, if a conductive sintered body containing metal is formed after formation, the wiring is not limited to printing, and may be formed by photolithography or the like.

【0104】その他、本発明の技術的思想の範囲内で、
描く実施形態で示した作製方法、各種部材を適宜変更し
てもよい。
In addition, within the technical idea of the present invention,
The manufacturing method and various members shown in the illustrated embodiment may be appropriately changed.

【0105】[0105]

【発明の効果】本発明によれば、接続信頼性の高い配線
接続を可能とし、製造工程の低減、コストの低減、生産
性の向上した画像表示装置を安定に実現することが可能
となる。
According to the present invention, it is possible to stably realize an image display device which enables wiring connection with high connection reliability, reduces the number of manufacturing steps, reduces costs, and improves productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施形態において、平面型画像表示装置
の製造手順を示す概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a manufacturing procedure of a flat-panel image display device in a first embodiment.

【図2】第1の実施形態において、平面型画像表示装置
の製造手順を示す概略断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a manufacturing procedure of the flat panel display according to the first embodiment.

【図3】第1の実施形態の平面型画像表示装置を示す概
略斜視図である。
FIG. 3 is a schematic perspective view showing the flat panel display according to the first embodiment.

【図4】リアプレートの作製手順を示す概略平面図であ
る。
FIG. 4 is a schematic plan view showing a procedure for manufacturing a rear plate.

【図5】リアプレートの作製手順を示す概略平面図であ
る。
FIG. 5 is a schematic plan view showing a procedure for manufacturing a rear plate.

【図6】表面粗さを説明するための模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram for explaining surface roughness.

【図7】第2の実施形態において、基板上配線とFPC
配線とを接続させる様子を示す概略断面図である。
FIG. 7 is a view showing a wiring on a substrate and an FPC in the second embodiment;
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a state of connection with a wiring.

【図8】第3の実施形態において、基板上配線とFPC
配線とを接続させる様子を示す概略断面図である。
FIG. 8 is a view showing a wiring on a substrate and an FPC in the third embodiment;
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a state of connection with a wiring.

【図9】基板上配線とFPC配線を接続させる様子を示
す概略斜視図である。
FIG. 9 is a schematic perspective view showing a state of connecting the on-board wiring and the FPC wiring.

【図10】従来の基板上配線とFPC配線とを接続させ
る様子を示す概略断面図である。
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing how a conventional on-board wiring and an FPC wiring are connected.

【図11】従来の基板上配線に研磨を施す様子を示す概
略断面図である。
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing how a conventional on-substrate wiring is polished.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101:リアプレート 102:土手 103,104:配線 105:電子放出素子 106:FPC 107:FPC電極 108:素子電極 109:導電薄膜 111:外枠 l15:フェースプレート 120:ACF 121:ACFの導電粒子 101: rear plate 102: embankment 103, 104: wiring 105: electron emitting element 106: FPC 107: FPC electrode 108: element electrode 109: conductive thin film 111: outer frame 115: face plate 120: ACF 121: conductive particles of ACF

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01J 31/12 H01J 31/12 C H04N 5/68 H04N 5/68 B Fターム(参考) 5C032 AA01 GG13 5C036 EE14 EF01 EF06 EF09 EG33 EG34 EH08 EH11 5C058 AA03 AB01 AB06 BA35 CA14 5C094 AA31 AA42 AA43 BA32 BA34 CA19 DA12 DB02 EA04 EA05 FA01 FA02 FB12 FB15 GB01 JA08 5G435 AA14 AA17 BB02 CC09 EE32 EE34 EE40 EE42 KK02 KK05──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01J 31/12 H01J 31/12 C H04N 5/68 H04N 5/68 BF Term (Reference) 5C032 AA01 GG13 5C036 EE14 EF01 EF06 EF09 EG33 EG34 EH08 EH11 5C058 AA03 AB01 AB06 BA35 CA14 5C094 AA31 AA42 AA43 BA32 BA34 CA19 DA12 DB02 EA04 EA05 FA01 FA02 FB12 FB15 GB01 JA08 5G435 AA14 AA40 BB02 CC09 EE02 BB02 CC09 EE02

Claims (24)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の基板上に形成された第1の電極
と、前記第1の電極に対応した第2の電極が形成された
第2の基板とを、異方性導電フィルムを介して相互に接
続されてなる電極の相互接続構造であって、 前記第1の電極が金属粒子を含む焼結体からなり、表面
が非研磨状態とされており、前記異方性導電フィルムの
導電性粒子により前記第2の電極と導通するように、前
記第1の電極の表面状態が制御されていることを特徴と
する電極の相互接続構造。
1. A first electrode formed on a first substrate and a second substrate on which a second electrode corresponding to the first electrode is formed via an anisotropic conductive film. The first electrode is made of a sintered body containing metal particles, the surface is in a non-polished state, and the conductive structure of the anisotropic conductive film is An interconnect structure for electrodes, wherein a surface state of the first electrode is controlled so that conductive particles are electrically connected to the second electrode.
【請求項2】 前記第1の電極の表面粗さRzと、前記
異方性導電フィルムの前記導電性粒子の径Dとの相互接
続前の関係が、 Rz≦D を満たすことを特徴とする請求項1に記載の電極の相互
接続構造。
2. The relationship before interconnection between the surface roughness Rz of the first electrode and the diameter D of the conductive particles of the anisotropic conductive film satisfies Rz ≦ D. An electrode interconnect structure according to claim 1.
【請求項3】 前記第1の電極の表面粗さRmaxと、
前記異方性導電フィルムの前記導電性粒子の径Dとの相
互接続前の関係が、 Rmax>D を満たすことを特徴とする請求項2に記載の電極の相互
接続構造。
3. The surface roughness Rmax of the first electrode,
3. The electrode interconnect structure according to claim 2, wherein the relationship between the anisotropic conductive film and the diameter D of the conductive particles before the connection satisfies Rmax> D.
【請求項4】 前記第1の電極の表面粗さRzが30μ
m以下であることを特徴とする請求項2又は3に記載の
電極の相互接続構造。
4. The first electrode has a surface roughness Rz of 30 μm.
The electrode interconnection structure according to claim 2 or 3, wherein m is equal to or less than m.
【請求項5】 前記第1の電極が金属粒子及びガラスを
含む焼結体からなることを特徴とする請求項1〜4のい
ずれか1項に記載の電極の相互接続構造。
5. The electrode interconnection structure according to claim 1, wherein the first electrode is made of a sintered body containing metal particles and glass.
【請求項6】 前記第1の電極の金属粒子がAg,C
u,Pt,Au,Niから選ばれた少なくとも1種であ
ることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載
の電極の相互接続構造。
6. The method according to claim 6, wherein the metal particles of the first electrode are Ag, C
The electrode interconnection structure according to any one of claims 1 to 5, wherein the electrode interconnection structure is at least one selected from u, Pt, Au, and Ni.
【請求項7】 第1の基板上に形成された第1の電極
と、前記第1の電極に対応した第2の電極が形成された
第2の基板とを、異方性導電フィルムを介して相互に接
続する電極の相互接続方法であって、 前記第1の基板上に金属粒子を含むペースト膜を印刷し
焼成して前記第1の電極を形成する工程と、 前記第1の電極の表面が非研磨状態のまま、前記第2の
電極を前記第1の電極と導通するように接続することを
特徴とする電極の相互接続方法。
7. A first electrode formed on a first substrate and a second substrate on which a second electrode corresponding to the first electrode is formed via an anisotropic conductive film. A method of forming a first electrode by printing and baking a paste film containing metal particles on the first substrate; and forming a first electrode on the first substrate. A method of interconnecting electrodes, wherein the second electrode is connected to the first electrode so as to conduct while the surface is not polished.
【請求項8】 前記第1の電極の表面粗さRzと、前記
異方性導電フィルムの前記導電性粒子の径Dとの相互接
続前の関係が、 Rz≦D を満たすことを特徴とする請求項7に記載の電極の相互
接続方法。
8. The relationship before interconnection between the surface roughness Rz of the first electrode and the diameter D of the conductive particles of the anisotropic conductive film satisfies Rz ≦ D. The method for interconnecting electrodes according to claim 7.
【請求項9】 前記第1の電極の表面粗さRmaxと、
前記異方性導電フィルムの前記導電性粒子の径Dとの相
互接続前の関係が、 Rmax>D を満たすことを特徴とする請求項8に記載の電極の相互
接続方法。
9. The surface roughness Rmax of the first electrode,
The method for interconnecting electrodes according to claim 8, wherein the relationship between the anisotropic conductive film and the diameter D of the conductive particles before the connection satisfies Rmax> D.
【請求項10】 前記第1の電極の表面粗さRzが30
μm以下であることを特徴とする請求項8又は9に記載
の電極の相互接続方法。
10. The surface roughness Rz of the first electrode is 30.
The method for interconnecting electrodes according to claim 8, wherein the thickness is not more than μm.
【請求項11】 前記第1の電極が金属粒子及びガラス
を含む焼結体からなることを特徴とする請求項7〜10
のいずれか1項に記載の電極の相互接続方法。
11. The method according to claim 7, wherein the first electrode is made of a sintered body containing metal particles and glass.
The method for interconnecting electrodes according to any one of the preceding claims.
【請求項12】 前記第1の電極の金属粒子がAg,C
u,Pt,Au,Niから選ばれた少なくとも1種であ
ることを特徴とする請求項7〜11のいずれか1項に記
載の電極の相互接続方法。
12. The method according to claim 12, wherein the metal particles of the first electrode are Ag, C
The method for interconnecting electrodes according to any one of claims 7 to 11, wherein the electrode is at least one selected from u, Pt, Au, and Ni.
【請求項13】 電子ビームを発生する電子放出素子が
設けられた第1の基板と、前記電子放出素子が発生する
電子ビームが衝突することにより発光する蛍光体が設け
られた対向基板とを対向して配置されてなる画像表示装
置であって、前記第1の基板に第1の電極を有するとと
もに、第2の電極を有する第2の基板を備え、前記第1
の基板と前記第2の基板とが、前記第1の電極と前記第
2の電極とが対応するように異方性導電フィルムを介し
て相互に接続されており、 前記第1の電極が金属粒子を含む焼結体からなり、表面
が非研磨状態とされており、前記異方性導電フィルムの
導電性粒子により前記第2の電極と導通するように、前
記第1の電極の表面状態が制御されていることを特徴と
する画像表示装置。
13. A first substrate provided with an electron-emitting device for generating an electron beam is opposed to a counter substrate provided with a phosphor which emits light by collision of the electron beam generated by the electron-emitting device. An image display device comprising: a first substrate having a first electrode and a second substrate having a second electrode, wherein the first substrate has a first electrode;
And the second substrate are connected to each other via an anisotropic conductive film so that the first electrode and the second electrode correspond to each other, and the first electrode is formed of metal. The first electrode is made of a sintered body containing particles, the surface of which is in a non-polished state, and the surface state of the first electrode is changed so as to be electrically connected to the second electrode by the conductive particles of the anisotropic conductive film. An image display device being controlled.
【請求項14】 前記第1の電極の表面粗さRzと、前
記異方性導電フィルムの前記導電性粒子の径Dとの相互
接続前の関係が、 Rz≦D を満たすことを特徴とする請求項13に記載の画像表示
装置。
14. The relationship before interconnection between the surface roughness Rz of the first electrode and the diameter D of the conductive particles of the anisotropic conductive film satisfies Rz ≦ D. The image display device according to claim 13.
【請求項15】 前記第1の電極の表面粗さRmax
と、前記異方性導電フィルムの前記導電性粒子の径Dと
の相互接続前の関係が、 Rmax>D を満たすことを特徴とする請求項14に記載の画像表示
装置。
15. The surface roughness Rmax of the first electrode
The image display device according to claim 14, wherein the relationship between the conductive particles and the diameter D of the conductive particles of the anisotropic conductive film before interconnection satisfies Rmax> D.
【請求項16】 前記第1の電極の表面粗さRzが30
μm以下であることを特徴とする請求項14又は15に
記載の画像表示装置。
16. The surface roughness Rz of the first electrode is 30.
The image display device according to claim 14, wherein the size is equal to or less than μm.
【請求項17】 前記第1の電極が金属粒子及びガラス
を含む焼結体からなることを特徴とする請求項13〜1
6のいずれか1項に記載の画像表示装置。
17. The method according to claim 13, wherein the first electrode is made of a sintered body containing metal particles and glass.
7. The image display device according to any one of 6.
【請求項18】 前記第1の電極の金属粒子がAg,C
u,Pt,Au,Niから選ばれた少なくとも1種であ
ることを特徴とする請求項13〜17のいずれか1項に
記載の画像表示装置。
18. The method according to claim 18, wherein the metal particles of the first electrode are Ag, C
18. The image display device according to claim 13, wherein the image display device is at least one selected from u, Pt, Au, and Ni.
【請求項19】 電子ビームを発生する電子放出素子が
設けられた第1の基板と、前記電子放出素子が発生する
電子ビームが衝突することにより発光する蛍光体が設け
られた対向基板とを対向して配置されてなる画像表示装
置の製造方法であって、 前記第1の基板と第2の基板とを、前記第1の基板に設
けられた第1の電極と前記第2の基板に設けられた第2
の電極とが対応するように異方性導電フィルムを介して
相互に接続するに際して、 前記第1の基板上に金属粒子を含むペースト膜を印刷し
焼成して前記第1の電極を形成する工程と、 前記第1の電極の表面が非研磨状態のまま、前記第2の
電極を前記第1の電極と導通するように接続することを
特徴とする画像表示装置の製造方法。
19. A first substrate provided with an electron-emitting device for generating an electron beam is opposed to a counter substrate provided with a phosphor which emits light by collision of the electron beam generated by the electron-emitting device. A method for manufacturing an image display device, wherein the first substrate and the second substrate are provided on a first electrode provided on the first substrate and on the second substrate. The second
Forming a first electrode by printing and baking a paste film containing metal particles on the first substrate when the electrodes are connected to each other via an anisotropic conductive film so as to correspond to each other. And connecting the second electrode so as to conduct with the first electrode while the surface of the first electrode is in a non-polished state.
【請求項20】 前記第1の電極の表面粗さRzと、前
記異方性導電フィルムの前記導電性粒子の径Dとの相互
接続前の関係が、 Rz≦D を満たすことを特徴とする請求項19に記載の画像表示
装置の製造方法。
20. The relationship before interconnection between the surface roughness Rz of the first electrode and the diameter D of the conductive particles of the anisotropic conductive film satisfies Rz ≦ D. A method for manufacturing the image display device according to claim 19.
【請求項21】 前記第1の電極の表面粗さRmax
と、前記異方性導電フィルムの前記導電性粒子の径Dと
の相互接続前の関係が、 Rmax>D を満たすことを特徴とする請求項20に記載の画像表示
装置の製造方法。
21. The surface roughness Rmax of the first electrode
21. The method according to claim 20, wherein the relationship between the conductive particles and the diameter D of the conductive particles of the anisotropic conductive film before interconnection satisfies Rmax> D.
【請求項22】 前記第1の電極の表面粗さRzが30
μm以下であることを特徴とする請求項20又は21に
記載の画像表示装置の製造方法。
22. A surface roughness Rz of the first electrode is 30.
22. The method for manufacturing an image display device according to claim 20, wherein the thickness is not more than μm.
【請求項23】 前記第1の電極が金属粒子及びガラス
を含む焼結体からなることを特徴とする請求項19〜2
2のいずれか1項に記載の画像表示装置の製造方法。
23. The method according to claim 19, wherein the first electrode is made of a sintered body containing metal particles and glass.
3. The method for manufacturing an image display device according to any one of 2.
【請求項24】 前記第1の電極の金属粒子がAg,C
u,Pt,Au,Niから選ばれた少なくとも1種であ
ることを特徴とする請求項19〜23のいずれか1項に
記載の画像表示装置の製造方法。
24. The method according to claim 24, wherein the metal particles of the first electrode are Ag, C
The method according to any one of claims 19 to 23, wherein the method is at least one selected from u, Pt, Au, and Ni.
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