JP2001216923A - Image building apparatus - Google Patents

Image building apparatus

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JP2001216923A
JP2001216923A JP2000026509A JP2000026509A JP2001216923A JP 2001216923 A JP2001216923 A JP 2001216923A JP 2000026509 A JP2000026509 A JP 2000026509A JP 2000026509 A JP2000026509 A JP 2000026509A JP 2001216923 A JP2001216923 A JP 2001216923A
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康二 山▲崎▼
Tomoya Onishi
智也 大西
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image building apparatus in which discharge hardly occurs in a vacuum envelope using an electron-source substrate, and high- brightness display of images is possible. SOLUTION: In this image building apparatus which forms a rectangular envelope to maintain vacuum, with a rear plate, a face plate, a support frame and a spacer, the spacer is a long and narrow plain plate which spreads over the image building area and the end of which extends to the outside of the image building area, and with respect to its rising plane in relation to each plane of the rear plate and the face plate, its rising width is substantially equal to the distance d between the face plate and the rear plate in the image building area, and is smaller than the distance d outside the image building area. The extending end of the spacer is fixed with a fixation member existing outside the image building area.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子線を用いた表
示装置などの画像形成装置に係わり、特に、外囲器内部
にスペーサを備えた画像形成装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image forming apparatus such as a display device using an electron beam, and more particularly to an image forming apparatus having a spacer inside an envelope.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、電子放出素子を利用した画像形成
装置として、冷陰極素子を多数、用いた電子源基板(リ
アプレートに設けられる)と、アノード電極および蛍光
体を具備した陽極基板(フェースプレートに設けられ
る)とを、空隙を介して、互いに平行に対向させ、前記
空隙を支持枠で囲った状態で、外囲器を構成し、その内
部を真空に排気した、所謂、平面型の電子線表示パネル
が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an image forming apparatus using an electron-emitting device, an electron source substrate (provided on a rear plate) using a large number of cold cathode devices and an anode substrate (face) provided with an anode electrode and a phosphor are used. Provided in a plate) are opposed to each other in parallel via a gap, and in a state where the gap is surrounded by a support frame, an envelope is formed, and the inside thereof is evacuated to a vacuum. Electron beam display panels are known.

【0003】このような画像形成装置において、その冷
陰極素子として、表面伝導型放出素子を用いたものは、
例えば、米国特許第5,066,883号明細書などに開示され
ている。このような、表面伝導型放出素子を用いた平面
型の電子線表示パネルは、現在広く用いられているCR
Tに比べて、軽量化、大画面化を図ることができ、ま
た、液晶を利用した平面型表示パネルやプラズマディス
プレイ、エレクトロルミネッセントディスプレイなどの
他の平面型表示パネルに比べて、より高輝度、高品質な
画像を提供することができる。
In such an image forming apparatus, an apparatus using a surface conduction type emission element as a cold cathode element thereof is as follows.
For example, it is disclosed in U.S. Pat. No. 5,066,883. Such a flat-type electron beam display panel using a surface conduction electron-emitting device has been widely used at present.
It is possible to reduce the weight and increase the screen size as compared with T, and to achieve a higher height than other flat display panels such as a flat display panel using a liquid crystal, a plasma display, and an electroluminescent display. Brightness and high quality images can be provided.

【0004】図16には、その電子放出素子を利用した
画像形成装置の一例として、従来の平面型電子線表示パ
ネルが、その一部を切り欠いた斜視図の形で示されてい
る。なお、図中、符号1015はリアプレート、101
7はフェースプレート、1016は側壁(支持枠)であ
り、これらにより、真空外囲器を構成している。また、
1011は電子源基板、1012は電子放出素子であ
り、この事例では、電子源基板上の1つの電子放出素子
に、フェースプレート1017にある1つの蛍光体(後
述)が対応している。
FIG. 16 shows a conventional flat electron beam display panel as an example of an image forming apparatus using the electron-emitting device in a perspective view with a part thereof cut away. In the figure, reference numeral 1015 denotes a rear plate, 101
Reference numeral 7 denotes a face plate, and reference numeral 1016 denotes a side wall (support frame), and these constitute a vacuum envelope. Also,
Reference numeral 1011 denotes an electron source substrate, and 1012 denotes an electron-emitting device. In this case, one phosphor (described later) on a face plate 1017 corresponds to one electron-emitting device on the electron source substrate.

【0005】また、符号1013は行方向配線、101
4は列方向配線であり、それぞれ、電子放出素子101
2に接続されている。更に、1019はメタルバック、
1018は蛍光体である。また、1020はスペーサで
あって、電子源基板1011(換言すれば、リアプレー
ト1015)とフェースプレート1017とが、互いに
所定間隔を保持するように、大気圧に耐える支持部材と
して、真空外囲器内部に配置されている。
Reference numeral 1013 denotes a row-direction wiring,
Reference numeral 4 denotes a column-direction wiring, each of which is an electron-emitting device 101
2 are connected. Furthermore, 1019 is a metal back,
Reference numeral 1018 denotes a phosphor. Reference numeral 1020 denotes a spacer, which is a vacuum envelope as a supporting member that withstands atmospheric pressure so that the electron source substrate 1011 (in other words, the rear plate 1015) and the face plate 1017 maintain a predetermined interval from each other. Located inside.

【0006】このような画像形成装置においては、例え
ば、画像形成部材(領域)に入射した電子線の一部が散
乱されて、スペーサ表面に衝突し、二次電子を放出させ
ることで、その部分の電位を上昇させるようにチャージ
アップする場合がある。これにより、真空外囲器内部の
電位分布が歪み、電子線の軌道が不安定になるばかりで
なく、内部で放電を生じ、これにより、装置が劣化した
り、破壊される畏れがある。
In such an image forming apparatus, for example, a part of the electron beam incident on the image forming member (area) is scattered and collides with the surface of the spacer to emit secondary electrons. May be charged up so as to increase the potential. As a result, the potential distribution inside the vacuum envelope is distorted, and not only the trajectory of the electron beam becomes unstable, but also a discharge is generated inside the device, which may cause the device to be deteriorated or destroyed.

【0007】即ち、チャージアップした部分は、電位が
高くなるために、電子を引き付けるので、そのチャージ
アップが更に進み、スペーサに沿って、放電が発生する
のである。このような放電の原因となるスペーサのチャ
ージアップを防止する方法としては、スペーサに適当な
インピーダンスを有する帯電防止膜を形成し、上述のよ
うにして発生したチャージを除去する方法が適用でき
る。この方法として、既に、特開昭57-118355号公報や
特開昭61-124031号公報に所載のものが提案されてい
る。
That is, since the charged portion has a higher potential and attracts electrons, the charge-up further proceeds, and a discharge is generated along the spacer. As a method for preventing charge-up of the spacer causing such discharge, a method of forming an antistatic film having an appropriate impedance on the spacer and removing the charge generated as described above can be applied. As this method, those described in JP-A-57-118355 and JP-A-61-124031 have already been proposed.

【0008】ところで、図16に示された従来例のよう
に、矩形平板状のスペーサ1020を、行方向配線10
13上に、しかも、画像形成領域内に配置する場合に
は、前記スペーサを固定するための接着剤(図示せず)
から発生するガスにより、近傍の表面伝導型放出素子を
劣化させ、電子放出効率が低下する問題があり、また、
スペーサの帯電防止膜を変質させて、局所的な抵抗値変
化をもたらし、これにより、特異な電界を形成し、画像
を歪める問題がある。
By the way, as in the conventional example shown in FIG.
13 and in the image forming area, an adhesive (not shown) for fixing the spacer
There is a problem that the gas generated from degrades the nearby surface conduction electron-emitting device, lowering the electron emission efficiency.
There is a problem that the antistatic film of the spacer is deteriorated to cause a local change in resistance value, thereby forming a unique electric field and distorting an image.

【0009】このため、画像形成領域の少なくとも1辺
よりも長い、矩形平板状のスペーサ(以下、長尺スペー
サ)を用いて、前記画像形成領域を跨ぎ、その延出端を
領域外において、固定部材により固定する方法が考えら
れている。
For this reason, a rectangular flat plate-shaped spacer (hereinafter, referred to as a long spacer) longer than at least one side of the image forming area is used to straddle the image forming area, and its extended end is fixed outside the area. A method of fixing with a member has been considered.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、固定部
材を用いて、長尺スペーサをリアプレートおよびフェー
スプレートに固定するように構成した画像表示装置にお
いては、スペーサの画像形成領域外が、フェースプレー
トあるいはリアプレートと接触せずに、微少ギャップ
(ボイド)を持つ場合があり、その微小ギャップが引き
金になって、放電し易い状況となるといった問題があっ
た。
However, in an image display device in which the long spacer is fixed to the rear plate and the face plate by using the fixing member, the face plate or the outside of the image forming area of the spacer is disposed. There is a case where there is a minute gap (void) without contacting the rear plate, and there is a problem that the minute gap triggers and a situation where discharge is easy occurs.

【0011】本発明は、上述の事情に基づいてなされた
もので、その主たる目的は、電子源基板を用いた真空外
囲域内において、放電が発生し難く、しかも、画像の高
輝度表示が可能な画像形成装置を提供することである。
The present invention has been made on the basis of the above-mentioned circumstances, and its main object is to prevent discharge from occurring in a vacuum surrounding area using an electron source substrate, and to enable high-luminance display of an image. To provide a simple image forming apparatus.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】このため、本発明では、
電子源が配置された電子源基板を有するリアプレート
と、前記電子源から放出された電子が照射されることで
画像を形成する画像形成領域を有するフェースプレート
と、前記リアプレートと前記フェースプレートとを固定
するための支持枠と、前記リアプレートと前記フェース
プレートの間に耐大気圧構造のために配置されたスペー
サとを具備し、前記リアプレート、フェースプレート、
支持枠およびスペーサにて、真空を維持する方形の外囲
器を構成している画像形成装置において、前記スペーサ
は、前記外囲器内において、前記画像形成領域を跨い
で、その端部を前記画像形成領域外に延出している細長
い平板であり、前記リアプレートおよびフェースプレー
トの各面に対して起立する前記スペーサの面に関して、
その起立幅が、前記画像形成領域内では前記フェースプ
レートとリアプレートとの間の距離:dにほぼ等しく、
また、前記画像形成領域外ではその距離:dより小さく
なっている形状であって、その延出端部が、前記フェー
スプレートまたはリアプレートに対して、画像形成領域
外にある固定部材により、固定されていることを特徴と
する。
Therefore, in the present invention,
A rear plate having an electron source substrate on which an electron source is arranged, a face plate having an image forming area for forming an image by being irradiated with electrons emitted from the electron source, the rear plate and the face plate; A supporting frame for fixing the rear plate, a spacer disposed between the rear plate and the face plate for an atmospheric pressure resistant structure, the rear plate, the face plate,
In the image forming apparatus that forms a rectangular envelope that maintains a vacuum with the support frame and the spacer, the spacer straddles the image forming region in the envelope, and the end of the spacer is the An elongated flat plate extending out of the image forming area, and with respect to a surface of the spacer that stands on each surface of the rear plate and the face plate,
The upright width is substantially equal to the distance d between the face plate and the rear plate in the image forming area,
Further, the shape is smaller than the distance: d outside the image forming area, and its extended end is fixed to the face plate or the rear plate by a fixing member outside the image forming area. It is characterized by having been done.

【0013】このような構成では、スペーサとフェース
プレートとの微少ギャップまたはスペーサとリアプレー
トとの微小ギャップによる放電がなくなり、放電し難
く、画像の高輝度表示が可能な画像形成装置を得ること
ができる。
With such a configuration, the discharge due to the minute gap between the spacer and the face plate or the minute gap between the spacer and the rear plate is eliminated, and it is difficult to discharge, and an image forming apparatus capable of displaying an image with high luminance can be obtained. it can.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の好ましい実施の
形態について、具体的に説明する。図1、図3ないし図
6には、本発明の各実施の形態に係わる要部の断面が示
されている。また、図7にはこれらに共通する外囲器筐
体の横断平面が示され、図8にはその一部としての固定
部材の平面が示されている。また、図9は、第1の実施
の形態で代表される外囲器筐体の一部破断した斜視図で
ある。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be specifically described below. FIGS. 1, 3 to 6 show cross sections of a main part according to each embodiment of the present invention. FIG. 7 shows a cross-sectional plane of the envelope housing common to them, and FIG. 8 shows a plane of a fixing member as a part thereof. FIG. 9 is a partially broken perspective view of an envelope housing represented by the first embodiment.

【0015】図中、符号1015はリアプレート、10
16は側壁(支持枠)、1017はフェースプレートで
あり、これら部材1015〜1017により、表示パネ
ルの内部を真空に維持するための気密容器(真空外囲
器)を構成している。
In the figure, reference numeral 1015 denotes a rear plate, 10
Reference numeral 16 denotes a side wall (support frame) and 1017 denotes a face plate. These members 1015 to 1017 constitute an airtight container (vacuum envelope) for maintaining the inside of the display panel at a vacuum.

【0016】この気密容器を組み立てるに際しては、各
部材の接合部に十分な強度と気密性を保持させるため
に、封止手段が用いられるが、この封止には、例えば、
フリットガラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素
雰囲気中で、温度が摂氏400〜500度で、10分以
上の焼成をする方法が採用できる。
When assembling the hermetic container, a sealing means is used in order to maintain a sufficient strength and airtightness at a joint portion of each member.
A method can be adopted in which frit glass is applied to the joint portion and baked in air or a nitrogen atmosphere at a temperature of 400 to 500 degrees Celsius for 10 minutes or more.

【0017】なお、気密容器内部を真空に排気する方法
については後述する。また、前記気密容器の内部は、10
-6[Torr]程度の真空に保持されるので、大気圧や
不意の衝撃などによる気密容器の破壊を防止する目的
で、耐大気圧構造体として、容器内部にスペーサ102
0が設けられている。
The method for evacuating the inside of the airtight container will be described later. Further, the inside of the airtight container is 10
-6 [Torr] is maintained in a vacuum, so that the airtight container is prevented from being destroyed due to the atmospheric pressure, an unexpected impact, or the like.
0 is provided.

【0018】次に、本発明の画像形成装置に用いること
ができる電子放出素子基板(電源基板)について説明す
る。この基板は、容器を構成するリアプレート1015
の内側面に設けられ、基板上1011に複数の冷陰極素
子を配列することで、構成される。
Next, an electron-emitting device substrate (power supply substrate) that can be used in the image forming apparatus of the present invention will be described. This substrate is used as a rear plate 1015 constituting a container.
And is formed by arranging a plurality of cold cathode elements on the substrate 1011.

【0019】冷陰極素子の配列の方式には、冷陰極素子
を並列に配置し、個々の素子の両端を配線で接続する、
所謂、はしご型配置(以下、はしご型配置電子源基板と
称する)や、冷陰極素子の、一対の素子電極の、それぞ
れ、X方向配線およびY方向配線を接続した、単純マト
リクス配置(以下、マトリクス型配置電子源基板と称す
る)が挙げられる。
In the method of arranging the cold-cathode elements, the cold-cathode elements are arranged in parallel, and both ends of each element are connected by wiring.
A so-called ladder-type arrangement (hereinafter, referred to as a ladder-type arrangement electron source substrate) or a simple matrix arrangement (hereinafter, referred to as a matrix) in which a pair of element electrodes of a cold cathode element are connected to X-direction wiring and Y-direction wiring, respectively. (Referred to as a mold arrangement electron source substrate).

【0020】なお、はしご型配置電子源基板を有する画
像形成装置には、電子放出素子からの電子の飛翔を制御
する電極である制御電極(グリッド電極)が必要であ
る。ここでは、基板1011上に冷陰極素子1012が
N×M個、形成されている。なお、N、Mは、2以上の
正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて、適宜
に設定される。
Note that an image forming apparatus having a ladder-shaped electron source substrate requires a control electrode (grid electrode) that controls the flight of electrons from the electron-emitting devices. Here, N × M cold cathode elements 1012 are formed on the substrate 1011. Note that N and M are positive integers of 2 or more, and are appropriately set according to the target number of display pixels.

【0021】例えば、高品位テレビジョンの表示を目的
とした画像形成装置においては、N=3000、M=1
000以上の数を設定することが望ましい。前記N×M
個の冷陰極素子は、M本の行方向配線1013と、N本
の列方向配線1014とにより、単純マトリクス配線が
されている。そして、前記の部材1011〜1014に
よって構成される部分を、マルチ電子ビーム源と呼ぶ。
For example, in an image forming apparatus for displaying high-definition television, N = 3000 and M = 1
It is desirable to set the number to 000 or more. N × M
In each of the cold cathode elements, a simple matrix wiring is formed by M row-directional wirings 1013 and N column-directional wirings 1014. The portion constituted by the members 1011 to 1014 is called a multi-electron beam source.

【0022】本発明の画像表示装置に用いるマルチ電子
ビーム源は、それが冷陰極素子を単純マトリクス配線、
もしくは、はしご型配置とした電子源であれば、冷陰極
素子の材料や形状、あるいは、その製法に如何なる制限
もない。従って、例えば、表面伝導型放出素子やFE
型、あるいは、MIM型などの冷陰極素子を用いること
ができる。
The multi-electron beam source used in the image display device according to the present invention comprises a cold cathode element having a simple matrix wiring,
Alternatively, as long as the electron source has a ladder-type arrangement, there is no limitation on the material and shape of the cold cathode device or the manufacturing method thereof. Therefore, for example, a surface conduction type emission element or FE
, Or a cold cathode element such as an MIM type can be used.

【0023】次に,冷陰極素子として表面伝導型放出素
子を基板上に配列して単純マトリクス配線したマルチ電
子ビーム源の構造について述べる。
Next, the structure of a multi-electron beam source in which surface conduction emission devices are arranged as cold cathode devices on a substrate and arranged in a simple matrix will be described.

【0024】図12に示すのは、図9の表示パネルに用
いたマルチ電子ビーム源の平面図である。ここでは、基
板1011上に表面伝導型放出素子が配列されていて、
これらの素子は、行方向配線1013と列方向配線10
14により、単純マトリクス状に配線されている。ま
た、行方向配線1013と列方向配線1014との交差
する部分には、電極間に絶縁層(図示せず)が形成され
ており、電気的な絶縁が保たれている。
FIG. 12 is a plan view of the multi-electron beam source used for the display panel of FIG. Here, surface conduction electron-emitting devices are arranged on a substrate 1011,
These elements include a row-directional wiring 1013 and a column-directional wiring 1013.
14, wiring is performed in a simple matrix. In addition, an insulating layer (not shown) is formed between the electrodes at a portion where the row direction wiring 1013 and the column direction wiring 1014 intersect, so that electrical insulation is maintained.

【0025】図12のB−B’に沿った断面が図13に
示されている。なお、このような構造のマルチ電子源
は、予め、基板上に行方向配線1013、列方向配線1
014、電極間絶縁層(図示せず)、および、表面伝導
型放出素子の素子電極と導電性薄膜を、それぞれ、形成
した後で、行方向配線1013および列方向配線101
4を介して、各素子に給電して、通電フォーミング処理
と通電活性化処理とを行うことで製造される。
FIG. 13 shows a cross section taken along the line BB 'of FIG. Note that the multi-electron source having such a structure is provided in advance with a row-directional wiring 1013 and a column-directional wiring 1 on a substrate.
014, the inter-electrode insulating layer (not shown), and the device electrode and the conductive thin film of the surface conduction electron-emitting device, respectively, and then the row direction wiring 1013 and the column direction wiring 101
The device is manufactured by supplying power to each element through the device 4 and performing a current forming process and a current activation process.

【0026】本実施の形態においては、気密容器のリア
プレート1015に、マルチ電子ビーム源の基板101
1を固定する構成としたが、該基板1011が十分な強
度を有するものである場合には、気密容器のリアプレー
トとして、マルチ電子ビーム源の基板1011自体を用
いてもよい。
In this embodiment, the substrate 101 of the multi-electron beam source is provided on the rear plate 1015 of the hermetic container.
1 is fixed, but when the substrate 1011 has a sufficient strength, the substrate 1011 of the multi-electron beam source itself may be used as the rear plate of the airtight container.

【0027】また、フェースプレート1017の下面に
は、蛍光膜1018が形成されている。ここでは、表示
装置が、カラーであるため、蛍光膜1018の部分に
は、通常、CRTの分野で用いられる赤、緑、青の3原
色の蛍光体が、塗り分けられている。そして、各色の蛍
光体は、例えば、図10の(a)に示すように、ストラ
イプ状に塗り分けられる。また、蛍光体のストライプの
間には、それぞれ、黒色の導電体1010が設けられて
いる。
On the lower surface of the face plate 1017, a fluorescent film 1018 is formed. Here, since the display device is a color device, phosphors of three primary colors of red, green, and blue, which are generally used in the field of CRT, are separately applied to the portion of the fluorescent film 1018. Then, the phosphors of each color are separately applied in a stripe shape, for example, as shown in FIG. Black conductors 1010 are provided between the phosphor stripes.

【0028】ここで、黒色の導電体1010を設ける目
的は、電子ビームの照射位置に多少のずれがあっても、
表示色にずれが生じないようにすること、外光の反射を
防止して表示コントラストの低下を防ぐこと、電子ビー
ムによる蛍光膜のチャージアップを防止することなどに
ある。なお、黒色の導電体1010には、黒鉛を主成分
として用いたが、上記の目的に適するものであれば、こ
れ以外の材料を用いても良い。
Here, the purpose of providing the black conductor 1010 is that even if the irradiation position of the electron beam is slightly shifted,
The purpose is to prevent a shift in display color, prevent reflection of external light to prevent a decrease in display contrast, and prevent charge-up of a fluorescent film by an electron beam. Although graphite is used as the main component for the black conductor 1010, any other material may be used as long as it is suitable for the above purpose.

【0029】また、3原色の蛍光体の塗り分け方は、図
10の(a)に示したストライプ状の配列に限られるも
のではなく、例えば、同じく、図10の(b)に示すよ
うなデルタ状配列や、それ以外の配列(例えば、図11
を参照)であってもよい。
The method of applying the phosphors of the three primary colors is not limited to the stripe arrangement shown in FIG. 10A. For example, similarly, as shown in FIG. A delta-like array and other arrays (for example, FIG.
See also).

【0030】なお、モノクロームの表示パネルを作成す
る場合には、単色の蛍光体材料を蛍光膜1018に用い
ればよく、また、必ずしも、黒色導電材料を用いなくと
もよいことは勿論である。
When a monochrome display panel is formed, a monochromatic phosphor material may be used for the phosphor film 1018, and it is needless to say that a black conductive material is not necessarily used.

【0031】また、蛍光膜1018の、リアプレート側
の面(即ち、気密容器内面)には、通常、CRTの分野
では公知のメタルバック1019が設けてある。このメ
タルバック1019を設けた目的は、蛍光膜1018が
発する光の一部を鏡面反射して、光利用率を向上させる
こと、負イオンの衝突から蛍光膜1018を保護するこ
と、電子ビーム加速電圧を印加するための電極として作
用させること、蛍光膜1018を励起した電子の導電路
として作用させることなどである。
A metal back 1019, which is generally known in the field of CRT, is provided on the surface of the fluorescent film 1018 on the rear plate side (ie, the inner surface of the airtight container). The purpose of providing the metal back 1019 is to improve the light utilization rate by mirror-reflecting a part of the light emitted from the fluorescent film 1018, to protect the fluorescent film 1018 from the collision of negative ions, and to increase the electron beam acceleration voltage. To act as an electrode for applying an electric field, and to act as a conductive path for excited electrons of the fluorescent film 1018.

【0032】メタルバック1019は、蛍光膜1018
をフェースプレート基板1017上に形成した後、蛍光
膜表面を平滑化処理し、その上に、Alを真空蒸着する
方法により、形成される。なお、蛍光膜1018に低電
圧用の蛍光体材料を用いた場合には、メタルバック10
19は用いない。
The metal back 1019 is a fluorescent film 1018
Is formed on the face plate substrate 1017, the surface of the fluorescent film is smoothed, and Al is vacuum-deposited thereon. When a fluorescent material for low voltage is used for the fluorescent film 1018, the metal back 1010
19 is not used.

【0033】また、本実施の形態では用いなかったが、
加速電圧の印加用や蛍光膜の導電性向上を目的として、
フェースプレート基板1017と蛍光膜1018との間
に、例えば、ITOを材料とする透明電極を設けてもよ
い。
Although not used in the present embodiment,
For the purpose of applying acceleration voltage and improving the conductivity of the fluorescent film,
For example, a transparent electrode made of ITO may be provided between the face plate substrate 1017 and the fluorescent film 1018.

【0034】図14は、図9のA−A’の断面の模式図
であり、各部の番号は、図9において使用したものに対
応している。ここで、スペーサ1020は、絶縁牲部材
1の表面に、帯電防止を目的とした高抵抗膜11を成膜
したもので、更に、このスペーサは、フェースプレート
1017の内側(メタルバック1019など)に面し
て、基板1011の表面(行方向配線1013または列
方向配線1014)に対向して当接面3を有し、その高
抵抗膜11の側面部5に、低抵抗膜21を成膜してい
る。ここでは、このスペーサ1020は、耐大気圧構造
を維持するための部材としての目的を達成するのに必要
な数だけ、所要の間隔をおいて、気密容器内に配置され
る。
FIG. 14 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 9, and the numbers of the respective parts correspond to those used in FIG. Here, the spacer 1020 is formed by depositing a high-resistance film 11 for the purpose of preventing static electricity on the surface of the insulating member 1, and furthermore, this spacer is provided inside the face plate 1017 (such as a metal back 1019). The low resistance film 21 is formed on the side surface 5 of the high resistance film 11 having the contact surface 3 facing the surface of the substrate 1011 (the row wiring 1013 or the column wiring 1014). ing. Here, the spacers 1020 are arranged in the hermetic container at a required interval by a necessary number to achieve the purpose as a member for maintaining the atmospheric pressure resistant structure.

【0035】特に、この実施の形態では、スペーサ10
20は、フェースプレートの内側および基板1011の
表面に対して、接合材(図示せず)により固定される。
また、高抵抗膜は、絶縁性部材1の表面の内、少なくと
も気密容器内で、その真空中に露出している面に成膜さ
れており、スペーサ1020上の低抵抗膜21および接
合材を介して、フェースプレート1017の内側(メタ
ルバック1019など)および基板1011の表面(行
方向配線1013または列方向配線1014)に電気的
に接続される。
Particularly, in this embodiment, the spacer 10
Reference numeral 20 is fixed to the inside of the face plate and the surface of the substrate 1011 by a bonding material (not shown).
The high-resistance film is formed on the surface of the insulating member 1, at least in the airtight container, on the surface exposed to vacuum, and the low-resistance film 21 on the spacer 1020 and the bonding material are formed. Through this, it is electrically connected to the inside of the face plate 1017 (such as the metal back 1019) and the surface of the substrate 1011 (the row wiring 1013 or the column wiring 1014).

【0036】ここで説明される実施の形態においては、
スペーサ1020の形状が薄板状であって、行方向配線
1013に平行に配置され、行方向配線1013に電気
的に接続されている。特に、本発明に係わる画像形成装
置におけるスペーサ1020としては、基板1011上
の行方向配線1013および列方向配線1014とフェ
ースプレート1017内面のメタルバック1019との
間に印加される高電圧に耐えるだけの絶縁性を有し、か
つ、スペーサ1020の表面への帯電を防止する程度の
導電性を有する必要がある。
In the embodiment described here,
The spacer 1020 has a thin plate shape, is arranged in parallel with the row wiring 1013, and is electrically connected to the row wiring 1013. In particular, as the spacer 1020 in the image forming apparatus according to the present invention, the spacer 1020 only withstands a high voltage applied between the row direction wiring 1013 and the column direction wiring 1014 on the substrate 1011 and the metal back 1019 on the inner surface of the face plate 1017. It is necessary to have an insulating property and a conductive property enough to prevent the surface of the spacer 1020 from being charged.

【0037】このための構成が、後述する各実施の形態
において説明されることになる。なお、スペーサ102
0の絶縁性部材1としては、例えば、石英ガラス、Na
などの不純物含有量を減少したガラス、ソーダライムガ
ラス、アルミナなどのセラミックス部材が挙げられる。
なお、絶縁性部材1は、その熱膨張率が気密容器および
基板1011を成す部材に近いものが好ましい。
The configuration for this will be described in each embodiment described later. The spacer 102
For example, quartz glass, Na
And ceramic members such as glass, soda lime glass, and alumina with a reduced impurity content.
The insulating member 1 preferably has a coefficient of thermal expansion close to that of the member forming the airtight container and the substrate 1011.

【0038】また、スペーサ1020を構成する高抵抗
膜11には、高電位側のフェースプレート1017(メ
タルバック1019など)に印加される加速電圧Va
を、帯電防止膜である高抵抗膜11の抵抗値Rsで除し
た値の電流が流される。
The high-resistance film 11 forming the spacer 1020 has an acceleration voltage Va applied to the face plate 1017 (metal back 1019 or the like) on the high potential side.
Is divided by the resistance value Rs of the high resistance film 11 serving as an antistatic film, and a current flows.

【0039】そこで、スペーサの抵抗値Rsは、帯電防
止および消費電力から、その望ましい範囲に設定され
る。また、帯電防止の観点から表面抵抗は1014Ω□以下
であることが好ましく、更に十分な帯電防止効果を得る
ためには1011Ω□以下が好ましい。ここでの表面抵抗の
下限は、スペーサ形状とスペーサ間に印加される電圧に
より左右されるが、107Ω□以上であることが好まし
い。
Therefore, the resistance value Rs of the spacer is set to a desirable range in terms of antistatic and power consumption. Further, the surface resistance is preferably 10 14 Ω □ or less from the viewpoint of antistatic, and more preferably 10 11 Ω □ or less to obtain a sufficient antistatic effect. The lower limit of the surface resistance here depends on the shape of the spacer and the voltage applied between the spacers, but is preferably 10 7 Ω □ or more.

【0040】絶縁材料上に形成された帯電防止膜の厚み
tは、10nm〜1μmの範囲が望ましい。これは、材料
の表面エネルギー、基板との密着性、基板温度によって
も異なるが、一般的に、10nm以下の薄膜では島状に形
成されて、抵抗が不安定で再現性に乏しく、一方、膜厚
tが1μm以上では、膜応力が大きくなって、膜はがれ
の危険性が高まり、成膜時間が長くなるために生産性が
悪い点を考慮してのことである。
The thickness t of the antistatic film formed on the insulating material is preferably in the range of 10 nm to 1 μm. This depends on the surface energy of the material, the adhesion to the substrate, and the substrate temperature, but in general, a thin film of 10 nm or less is formed in an island shape and has unstable resistance and poor reproducibility. When the thickness t is 1 μm or more, the film stress increases, the risk of film peeling increases, and the productivity is poor because the film formation time is prolonged.

【0041】従って、より好ましくは、膜厚を50〜500
nmにすることである。ここで、表面抵抗:R/□はρ
/tであり、以上に述べたR/□とtの好ましい範囲か
ら、帯電防止膜の比抵抗ρは0.1〜108Ωcmが好まし
く、更に表面抵抗と膜厚の、より好ましい範囲を実現す
るには、ρが102〜106Ωcmであるのがよい。
Therefore, more preferably, the film thickness is 50 to 500.
nm. Here, surface resistance: R / □ is ρ
/ T, and from the preferred ranges of R / □ and t described above, the specific resistance ρ of the antistatic film is preferably 0.1 to 10 8 Ωcm, and furthermore, a more preferable range of the surface resistance and the film thickness is realized. It is preferable that ρ is 10 2 to 10 6 Ωcm.

【0042】スペーサは、上述したように、その上に形
成した帯電防止膜に電流が流れることにより、あるい
は、ディスプレイ全体が動作中に発熱することにより、
その温度が上昇する。そして、帯電防止膜の抵抗温度係
数が大きな負の値であると、温度が上昇した時に抵抗値
が減少し、スペーサに流れる電流が増加し、更に温度上
昇をもたらす。その結果、電流は電源の限界を越えるま
で増加しつづける。このような電流の暴走が発生する抵
抗温度係数の値は、経験的に負の値で、絶対値が1%以
上である。即ち、帯電防止膜の抵抗温度係数は−1%よ
り大であることが望ましい。
As described above, the spacer is formed by current flowing through the antistatic film formed thereon or by heat generation during operation of the entire display.
Its temperature rises. If the resistance temperature coefficient of the antistatic film is a large negative value, the resistance value decreases when the temperature rises, the current flowing through the spacer increases, and the temperature further rises. As a result, the current continues to increase until the power supply limit is exceeded. The value of the temperature coefficient of resistance at which such runaway of current occurs is empirically a negative value, and the absolute value is 1% or more. That is, the temperature coefficient of resistance of the antistatic film is desirably greater than -1%.

【0043】帯電防止特性を有する高抵抗膜11の材料
としては、例えば、金属酸化物を用いることができる。
特に、金属酸化物の中でも、クロム、ニッケル、銅の酸
化物が好ましい材料である。その理由は、これらの酸化
物の二次電子放出効率が比較的小さく、冷陰極素子10
12から放出された電子がスペーサ1020に当たった
場合においても、帯電し難いためと考えられる。
As a material of the high resistance film 11 having antistatic properties, for example, a metal oxide can be used.
In particular, among metal oxides, oxides of chromium, nickel, and copper are preferred materials. The reason is that the secondary electron emission efficiency of these oxides is relatively small and the cold cathode device 10
It is considered that even when the electrons emitted from 12 hit the spacer 1020, they are difficult to be charged.

【0044】この他に、金属酸化物以外にも、例えば、
炭素は二次電子放出効率が小さく、好ましい材料であ
る。特に、非晶質カーボンは高抵抗であるため、スペー
サ抵抗を所望の値に制御しやすい。
In addition to the metal oxides, for example,
Carbon is a preferable material because of its low secondary electron emission efficiency. In particular, since amorphous carbon has high resistance, it is easy to control the spacer resistance to a desired value.

【0045】帯電防止特性を有する高抵抗膜11の他の
材料として、アルミニウムと遷移金属合金の窒化物は、
その遷移金属の組成を調整することにより、良伝導体か
ら絶縁体までの広い範囲において、抵抗値を制御できる
ので、好適な材料である。これは、後述する表示装置の
作製工程において、抵抗値の変化が少なく、安定な材料
でもあり、その抵抗温度係数が−1%より大であり、実
用的に使いやすい材料である。なお、遷移金属元素とし
ては、Ti、Cr、Taなどがあげられる。
As another material of the high resistance film 11 having the antistatic property, nitride of aluminum and a transition metal alloy is
By adjusting the composition of the transition metal, the resistance can be controlled in a wide range from a good conductor to an insulator. This is a stable material having a small change in resistance in a manufacturing process of a display device described later, and has a temperature coefficient of resistance of more than -1%, and is practically easy to use. In addition, as a transition metal element, Ti, Cr, Ta, etc. are mentioned.

【0046】合金窒化膜は、スパッタ、窒素ガス雰囲気
中での反応性スパッタ、電子ビーム蒸着、イオンプレー
ティング、イオンアシスト蒸着法などの薄膜形成手段に
よって、絶縁性部材上に形成される。金属酸化膜も、同
様の薄膜形成法で作製することができるが、この場合、
窒素ガスに代えて酸素ガスを使用する。その他、CVD
法、アルコキシド塗布法でも金属酸化膜を形成できる。
The alloy nitride film is formed on the insulating member by thin film forming means such as sputtering, reactive sputtering in a nitrogen gas atmosphere, electron beam evaporation, ion plating, and ion assisted evaporation. The metal oxide film can also be formed by a similar thin film formation method. In this case,
Oxygen gas is used instead of nitrogen gas. Other, CVD
A metal oxide film can also be formed by a method or an alkoxide coating method.

【0047】カーボン膜は、蒸着法、スパッタ法、CV
D法、プラズマCVD法で作製することができ、特に、
非晶質カーボンを作製する場合には、成膜中の雰囲気に
水素が含まれるようにするか、成膜ガスに炭化水素ガス
を使用する。
The carbon film is formed by vapor deposition, sputtering, CV
D method, can be produced by plasma CVD method, especially,
In the case of forming amorphous carbon, hydrogen is contained in an atmosphere during film formation, or a hydrocarbon gas is used as a film formation gas.

【0048】スペーサ1020を構成する低抵抗膜21
は、高抵抗膜11を高電位側のフェースプレート101
7(メタルバック1019など)および低電位側の基板
1011(配線1013、1014など)に電気的に接
続するために設けられたものであり、以下の記述では、
中間電極層と呼称する。この中間電極層は、以下に列挙
する複数の機能を有することができる。 高抵抗膜11をフェースプレート1017および基
板1011に対して電気的に接続する。
Low resistance film 21 constituting spacer 1020
A high-resistance side face plate 101
7 (metal back 1019, etc.) and the substrate 1011 (wirings 1013, 1014, etc.) on the low potential side.
It is called an intermediate electrode layer. This intermediate electrode layer can have a plurality of functions listed below. The high resistance film 11 is electrically connected to the face plate 1017 and the substrate 1011.

【0049】既に記載したように、高抵抗膜11はスペ
ーサ1020表面での帯電を防止する目的で設けられた
ものであるが、高抵抗膜11をフェースプレート101
7(メタルバック1019など)および基板1011
(配線1013、1014など)に直接、あるいは、当
接材1041を介して、接続した場合に、接続部界面に
大きな接触抵抗が発生し、スペーサ表面に発生した電荷
を速やかに除去できなくなる可能性がある。これを避け
るために、フェースプレート1017、基板1011お
よび当接材1041と接触するスペーサ1020の当接
面3あるいは側面部5に、低抵抗の中間電極層を設ける
のである。 高抵抗膜11の電位分布を均一化する。
As described above, the high resistance film 11 is provided for the purpose of preventing charging on the surface of the spacer 1020.
7 (such as metal back 1019) and substrate 1011
(Wirings 1013, 1014, etc.) directly or via the contact material 1041, a large contact resistance may be generated at the interface of the connection portion, and the charge generated on the spacer surface may not be removed quickly. There is. In order to avoid this, a low-resistance intermediate electrode layer is provided on the contact surface 3 or the side surface 5 of the spacer 1020 that comes into contact with the face plate 1017, the substrate 1011 and the contact material 1041. The potential distribution of the high resistance film 11 is made uniform.

【0050】冷陰極素子1012より放出された電子
は、フェースプレート1017と基板1011の間に形
成された電位分布に従って、電子軌道を成す。スペーサ
1020の近傍で電子軌道に乱れが生じないようにする
ためには、高抵抗膜11の電位分布を、その全域にわた
って制御する必要がある。高抵抗膜11をフェースプレ
ート1017(メタルバック1019など)および基板
1011(配線1013、1014など)に直接、ある
いは、当接材1041を介して、接続した場合、接続部
界面の接触抵抗のために、接続状態のむらが発生し、高
抵抗膜11の電位分布が所望の値からずれてしまう可能
性がある。これを避けるために、スペーサ1020がフ
ェースプレート1017および基板1011に当接する
スペーサ端部(当接面3あるいは側面部5)の全長域
に、低抵抗の中間電極層を設け、この中間電極層の個所
に所望の電位を印加することによって、高抵抗膜11全
体の電位を制御可能としている。 放出電子の軌道を制御する。
The electrons emitted from the cold cathode element 1012 form electron orbits in accordance with the potential distribution formed between the face plate 1017 and the substrate 1011. In order to prevent the electron orbit from being disturbed in the vicinity of the spacer 1020, it is necessary to control the potential distribution of the high resistance film 11 over the entire area. When the high resistance film 11 is connected directly to the face plate 1017 (such as the metal back 1019) and the substrate 1011 (such as the wirings 1013 and 1014) or via the contact material 1041, the contact resistance at the interface of the connection portion is reduced. In addition, the connection state may be uneven, and the potential distribution of the high resistance film 11 may deviate from a desired value. In order to avoid this, a low-resistance intermediate electrode layer is provided in the entire length region of the spacer end (contact surface 3 or side surface 5) where the spacer 1020 contacts the face plate 1017 and the substrate 1011. By applying a desired potential to the location, the potential of the entire high resistance film 11 can be controlled. Controls the trajectory of emitted electrons.

【0051】冷陰極素子1012より放出された電子
は、フェースプレート1017と基板1011との間に
形成された電位分布に従って電子軌道を成す。スペーサ
近傍の冷陰極素子から放出された電子に関しては、スペ
ーサを設置することに伴う制約(配線、素子位置の変更
など)が生じる場合がある。このような場合、歪みやむ
らの無い画像を形成するために、放出された電子の軌道
を制御して、フェースプレート1017上の所望の位置
に電子を照射する必要がある。フェースプレート101
7および基板1011に当接する面(側面部5)に、低
抵抗の中間電極層を設けることにより、スペーサ102
0近傍の電位分布に、所望の特性を持たせて、放出され
た電子の軌道を制御することができる。
Electrons emitted from the cold cathode element 1012 form electron orbits in accordance with the potential distribution formed between the face plate 1017 and the substrate 1011. Regarding the electrons emitted from the cold cathode devices near the spacers, there may be restrictions (such as changes in wiring and device positions) associated with the installation of the spacers. In such a case, in order to form an image without distortion or unevenness, it is necessary to control the trajectory of the emitted electrons and irradiate a desired position on the face plate 1017 with the electrons. Face plate 101
By providing a low-resistance intermediate electrode layer on the surface (side surface portion 5) in contact with the substrate 10 and the substrate 1011
By giving desired characteristics to the potential distribution near zero, the trajectory of emitted electrons can be controlled.

【0052】なお、低抵抗膜21には、高抵抗膜11に
比べて、十分に低い抵抗値を有する材料を選択すればよ
く,Ni、Cr、Au、Mo、W、Pt、Ti、Al、Cu、Pdなどの、
金属あるいはその合金、および、Pd、Ag、Au、RuO2、Pd
−Agなどの、金属や金属酸化物とガラスなどから構成さ
れる印刷導体、あるいは、In2O3−SnO2などの、透明導
体およびポリシリコンなどの半導体材料より、適宜、選
択することができる。
The low-resistance film 21 may be made of a material having a sufficiently lower resistance than the high-resistance film 11, and may be made of Ni, Cr, Au, Mo, W, Pt, Ti, Al, Cu, Pd, etc.
Metals or their alloys, and Pd, Ag, Au, RuO 2 , Pd
Such -ag, such as from configured printing conductive metal or metal oxide and glass or, such as In 2 O 3 -SnO 2, a semiconductor material such as a transparent conductor and polysilicon, can be appropriately selected .

【0053】また、接合材1041には、スペーサ10
20が行方向配線1013およびメタルバック1019
に電気的に接続されるように、導電性をもたせる必要が
あるので、導電性接着材や金属粒子や導電性フィラーを
添加したフリットガラスが好適である。
The bonding material 1041 includes a spacer 10
20 is a row direction wiring 1013 and a metal back 1019
It is necessary to impart conductivity so as to be electrically connected to the substrate. Therefore, frit glass to which a conductive adhesive, metal particles, or a conductive filler is added is preferable.

【0054】なお、符号Dx1〜DxmおよびDy1〜
Dyn、および、Hvは、当該表示パネルと電気回路
(図示せず)とを電気的に接続するために、側壁(支持
枠)1016を貫通して、構成された気密構造の電気接
続用端子である。端子Dx1〜Dxmは、マルチ電子ビ
ーム源の行方向配線1013と、端子Dy1〜Dyn
は、マルチ電子ビーム源の列方向配線1014と、端子
Hvは、フェースプレートのメタルバック1019と、
それぞれ電気的に接続している。
The symbols Dx1 to Dxm and Dy1 to Dy1
Dyn and Hv are electric connection terminals having a hermetic structure configured to penetrate a side wall (support frame) 1016 in order to electrically connect the display panel and an electric circuit (not shown). is there. The terminals Dx1 to Dxm are connected to the row wiring 1013 of the multi-electron beam source and the terminals Dy1 to Dyn.
Is the column-directional wiring 1014 of the multi-electron beam source, the terminal Hv is the metal back 1019 of the face plate,
Each is electrically connected.

【0055】また,気密容器内部を真空にするには、気
密容器を組み立てた後、排気管と真空ポンプ(いずれも
図示せず)を接続し、気密容器内を10-7[Torr]程
度の真空度まで排気する。その後、排気管を封止する
が、気密容器内の真空度を維持するために、封止の直前
あるいは封止後に、気密容器内の所定の位置にゲッター
膜(図示せず)を形成する。ゲッター膜とは、例えば、
Baを主成分とするゲッター材料を、ヒーターもしくは
高周波加熱により加熱し、蒸着して、形成した膜であ
り、該ゲッター膜の吸着作用により、気密容器内は10-5
ないしは10-7[Torr]の真空度に維持される。
To evacuate the inside of the hermetic container, after assembling the hermetic container, an exhaust pipe and a vacuum pump (both not shown) are connected, and the inside of the hermetic container is about 10 -7 [Torr]. Evacuate to a vacuum. Thereafter, the exhaust pipe is sealed, but a getter film (not shown) is formed at a predetermined position in the airtight container immediately before or after the sealing in order to maintain the degree of vacuum in the airtight container. The getter film is, for example,
It is a film formed by heating and depositing a getter material containing Ba as a main component by a heater or high-frequency heating, and the inside of the airtight container is 10 −5 due to the adsorption action of the getter film.
Alternatively, the degree of vacuum is maintained at 10 -7 [Torr].

【0056】以上、説明した表示パネルを用いた画像表
示装置では、容器外端子Dx1ないしDxm、および、
Dy1ないしDynを通じて、各冷陰極素子1012に
電圧を印加すると、各冷陰極素子1012から電子が放
出される。それと同時に、メタルバック1019に、容
器外端子Hvを通じて、数百[V]ないし数[kV]の
高圧を印加して、上述の放出電子を加速し、フェースプ
レート1017の内面に衝突させる。これにより、蛍光
膜1018をなす各色の蛍光体が励起されて、発光し、
画像を表示する。
In the image display device using the display panel described above, the terminals Dx1 to Dxm outside the container, and
When a voltage is applied to each cold cathode element 1012 through Dy1 to Dyn, electrons are emitted from each cold cathode element 1012. At the same time, a high voltage of several hundred [V] to several [kV] is applied to the metal back 1019 through the external terminal Hv to accelerate the above-mentioned emitted electrons and collide with the inner surface of the face plate 1017. Thereby, the phosphors of each color forming the fluorescent film 1018 are excited and emit light,
Display an image.

【0057】なお、通常、冷陰極素子である、本発明の
表面伝導型放出素子1012への印加電圧は、12〜1
6[V]程度であり、メタルバック1019と冷陰極素
子1012との距離:dは、0.1[mm]から8[m
m]程度、メタルバック1019と冷陰極素子1012
との間の電圧は、0.1[kV]から10[kV]程度
である。
The voltage applied to the surface conduction electron-emitting device 1012 of the present invention, which is usually a cold cathode device, is 12 to 1
The distance d between the metal back 1019 and the cold cathode element 1012 is from 0.1 [mm] to 8 [m].
m], metal back 1019 and cold cathode element 1012
Is about 0.1 [kV] to about 10 [kV].

【0058】以上、本発明に係わる実施の形態におけ
る、表示パネルの基本構成とその製法、および、画像表
示装置の概要を説明した。次に、本発明の主要な特徴部
分について説明する。
The basic configuration of the display panel, its manufacturing method, and the outline of the image display device according to the embodiment of the present invention have been described above. Next, main features of the present invention will be described.

【0059】本発明では、上述のような、電子源が配置
された電子源基板1011を有するリアプレート101
5と、前記電子源から放出された電子が照射されること
で画像を形成する画像形成領域を有するフェースプレー
ト1017と、前記リアプレートと前記フェースプレー
トとを固定するための支持枠1016と、前記リアプレ
ートと前記フェースプレートの間に耐大気圧構造のため
に配置されたスペーサ1020とを具備し、前記リアプ
レート、フェースプレート、支持枠およびスペーサに
て、真空を維持する方形の外囲器を構成している。
According to the present invention, the rear plate 101 having the electron source substrate 1011 on which the electron sources are arranged as described above.
5, a face plate 1017 having an image forming area for forming an image by irradiation of electrons emitted from the electron source, a support frame 1016 for fixing the rear plate and the face plate, A spacer 1020 is disposed between the rear plate and the face plate for an atmospheric pressure resistant structure. The rear plate, the face plate, the support frame, and the spacer form a rectangular envelope that maintains a vacuum. Make up.

【0060】そして、この外囲器を用いた画像形成装置
において、スペーサ1020が、前記外囲器内におい
て、前記画像形成領域を跨いで、その端部を前記画像形
成領域外に延出している細長い平板(延出長さ=a)で
あり、前記リアプレートおよびフェースプレートの各面
に対して起立するスペーサ1020の面に関して、その
起立幅が、前記画像形成領域内では前記フェースプレー
トとリアプレートとの間の距離:dにほぼ等しく、ま
た、前記画像形成領域外ではその距離:dより小さくな
っている形状であって、その延出端部が、前記フェース
プレートまたはリアプレートに対して、前記画像形成領
域外にある固定部材50により、固定されているのであ
る。
In the image forming apparatus using the envelope, the spacer 1020 extends across the image forming area and extends outside the image forming area in the envelope. An elongate flat plate (extended length = a), and with respect to the surface of the spacer 1020 which stands up to the respective surfaces of the rear plate and the face plate, its upright width is within the image forming area by the face plate and the rear plate. And the distance d is substantially equal to d outside the image forming area, and is smaller than the distance d. It is fixed by the fixing member 50 outside the image forming area.

【0061】(第1の実施の形態)以下に、電流場で電
界が決まる場合の説明をする。ここで、符号1015は
電子源基板を含むリアプレート、1016は側壁(支持
枠)、1017はフェースプレート、1018は蛍光
体、1019はメタルバック、1020はスペーサ、5
0は固定部材である。
(First Embodiment) A case where an electric field is determined by a current field will be described below. Here, reference numeral 1015 denotes a rear plate including an electron source substrate, 1016 denotes a side wall (support frame), 1017 denotes a face plate, 1018 denotes a phosphor, 1019 denotes a metal back, 1020 denotes a spacer,
0 is a fixing member.

【0062】フェースプレート1017およびリアプレ
ートは、ソーダライムガラスによって、また、側壁10
16は無アルカリガラスによって構成されている。スペ
ーサ1020表面には高抵抗膜を施してあり、導電性を
有している。また、スペーサ1020は、リアプレート
1015上で、その行方向配線(図示せず)の上に設置
され、画像表示領域の全域に渡っているので、隙間は無
い。さらに、スペーサ1020の延出端部は、画像形成
領域の外側では、リアプレート側に向けて、直線的に傾
斜しており、スペーサ全体として、台形平板の構成にな
っている。
The face plate 1017 and the rear plate are made of soda lime glass and
Reference numeral 16 is made of non-alkali glass. The surface of the spacer 1020 is coated with a high-resistance film and has conductivity. Further, since the spacer 1020 is installed on the row direction wiring (not shown) on the rear plate 1015 and extends over the entire image display area, there is no gap. Further, the extending end of the spacer 1020 is linearly inclined toward the rear plate outside the image forming area, and the entire spacer has a trapezoidal flat plate configuration.

【0063】このような場合、側壁1016の無アルカ
リガラスに対して、フェースプレートのソーダライムガ
ラスは低抵抗であり、アノード電極が無いにも拘わら
ず、フェースプレートの画像形成領域外にも、ほぼアノ
ード電圧と等しい電圧が掛ることになる、しかしなが
ら、この実施の形態では、スペーサ1020は、図中の
等電位線が示すように、電界を乱さずに、微小ギャップ
において、高電位差が発生するようなことはない。
In such a case, the soda lime glass of the face plate has a low resistance compared to the alkali-free glass of the side wall 1016, and even though there is no anode electrode, the soda lime glass is almost out of the image forming area of the face plate. A voltage equal to the anode voltage will be applied. However, in this embodiment, the spacer 1020 does not disturb the electric field and causes a high potential difference in the small gap as shown by the equipotential lines in the figure. There is nothing.

【0064】よって、図1に示すように、スペーサ10
20の延出端部(画像形成領域外)を斜めに形成し、ス
ペーサ全体を台形平板とすることは、従来のもの(図2
を参照)に比較して、放電抑制の点で有効である。因み
に、従来のものは、微小ギャップが電界を乱してしま
い、画像形成領域外の部分(延出端部)が長くなる程、
特に、スペーサの延出端部の上側エッジ部にて、微小ギ
ャップに高電位差が発生する。
Therefore, as shown in FIG.
It is conventional (FIG. 2) that the extended end portion (outside the image forming area) 20 is formed obliquely and the entire spacer is formed as a trapezoidal flat plate.
) Is more effective in suppressing discharge. By the way, in the conventional device, the minute gap disturbs the electric field, and the longer the portion (extended end) outside the image forming area becomes,
In particular, a high potential difference is generated in the minute gap at the upper edge of the extension end of the spacer.

【0065】(第2の実施の形態)また、図3に示すよ
うに、スペーサ1020の画像形成領域外の部分(延出
端部)が、斜めの縁部分と垂直の縁部分(長さ=b)と
の組み合わせ形状、即ち、スペーサ全体が6角形の平板
であってもよい。この場合には、図中の等電位線が示す
ように、第1の実施の形態における場合より、若干、電
界の乱れがあるが、それでも、従来例のように、微小ギ
ャップに高電位差を生じるようなことはない。
(Second Embodiment) As shown in FIG. 3, a portion (extending end) of the spacer 1020 outside the image forming area is formed by a slanted edge portion and a vertical edge portion (length = length). The combination with b), that is, the entire spacer may be a hexagonal flat plate. In this case, as shown by the equipotential lines in the figure, the electric field is slightly disturbed as compared with the case of the first embodiment, but a high potential difference still occurs in the minute gap as in the conventional example. There is no such thing.

【0066】(第3の実施の形態)また、図4に示すよ
うに、スペーサ1020の画像形成領域外の部分(延出
端部)が、弧状に傾斜していても、図中の等電位線が示
すように、第1の実施の形態における場合より、若干、
電界の乱れがあるが、それでも、従来例のように、微小
ギャップに高電位差を生じるようなことはない。
(Third Embodiment) Further, as shown in FIG. 4, even if the portion (extending end) of the spacer 1020 outside the image forming region is inclined in an arc shape, As indicated by the line, slightly more than in the first embodiment,
Although the electric field is disturbed, a high potential difference does not occur in the minute gap unlike the conventional example.

【0067】(第4の実施の形態)次に、静電場で電界
が決まる場合について説明する。図5に示すように、こ
こで、符号1015は電子源基板を含むリアプレート、
1016は側壁(支持枠)、1017はフェースプレー
ト、1018は蛍光体、1019はメタルバック、10
20はスペーサ、50は固定部材である。ここで、フェ
ースプレート1017およびリアプレートはソーダライ
ムガラスで構成され、側壁1016およびスペーサ10
20は無アルカリガラスで構成されており、高抵抗膜は
無い。また、スペーサ1020は、リアプレート101
5上の行方向配線(図示せず)に設置され、画像形成領
域の全域に渡っているので隙間はない。また、スペーサ
1020の延出端部(長さ=a)は、画像形成領域の端
から、矩形の切り込み(起立幅=d0のギャップ)が入
った、段差(延出端部の起立幅=d1)を持っており、
スペーサ全体として、凸型平板となっている。
(Fourth Embodiment) Next, a case where an electric field is determined by an electrostatic field will be described. As shown in FIG. 5, reference numeral 1015 denotes a rear plate including an electron source substrate,
1016 is a side wall (support frame), 1017 is a face plate, 1018 is a phosphor, 1019 is a metal back,
20 is a spacer and 50 is a fixing member. Here, the face plate 1017 and the rear plate are made of soda lime glass, and the side wall 1016 and the spacer 1010
Reference numeral 20 is made of non-alkali glass and has no high resistance film. Further, the spacer 1020 is provided on the rear plate 101.
No. 5 is provided on the row-direction wiring (not shown) and extends over the entire image forming area. The extending end (length = a) of the spacer 1020 has a step (rectangular width of the extending end = extending end = d 0 ) cut into a rectangle from the end of the image forming area. d 1 )
The entire spacer is a convex flat plate.

【0068】この実施の形態に対する比較例として、従
来例を図15に示す。この従来例によると、真空中の誘
電率をε0、スペーサ部材の比誘電率をε1、微小ギャッ
プの電界をE0、スペーサ部材に掛る電界をE1とする
と、電束密度一定により、ε00=ε1ε01からE0
ε11となり、微小ギャップ(d0)には、スペーサ上
下間に掛る電界のε1倍の電界が掛る。スペーサがガラ
スで構成された場合は、更に数倍の電界が掛かることに
なる。
FIG. 15 shows a conventional example as a comparative example with respect to this embodiment. According to this conventional example, assuming that the dielectric constant in vacuum is ε 0 , the relative dielectric constant of the spacer member is ε 1 , the electric field of the minute gap is E 0 , and the electric field applied to the spacer member is E 1 , ε 0 E 0 = ε 1 ε 0 E 1 to E 0 =
epsilon 1 E 1 becomes, the minute gap (d 0), ε 1 times the electric field of the electric field exerted between the spacer vertically consuming. When the spacer is made of glass, an electric field several times higher is applied.

【0069】これに比べて、この実施の形態では、ギャ
ップ(d0)が広がっているため、電界集中が軽減でき
る。好ましくは、図5中の距離d0とd1の関係をd0
ε1 1に近づければ、ギャップ間とスペーサ上下間の電
界が安定する。
In contrast, in this embodiment, the gear
(D0) Is spread, so the electric field concentration can be reduced
You. Preferably, the distance d in FIG.0And d1D0=
ε1d 1Close to the gap, the voltage between the gap and the top and bottom of the spacer
The world stabilizes.

【0070】(第5の実施の形態)更に、本発明の実施
の形態として、図6に示すように、画像形成領域外のス
ペーサの延出端部に、リアプレート側でも、画像形成領
域の端から、矩形の切り込み(起立幅=d2のギャッ
プ)が入った、段差(延出端部の起立幅=d1)を持っ
ているスペーサを用いても良い。この場合は、行方向配
線(図示せず)が、画像形成領域内外にわたって、直線
的でない場合に有効に適応できる。また、画像形成領域
内での、スペーサ1020の部分に、高抵抗膜が施して
あると、電子放出による帯電が緩和されて、なお良いこ
とになる。
(Fifth Embodiment) Further, as an embodiment of the present invention, as shown in FIG. 6, the extension end of the spacer outside the image formation area is connected to the rear plate side of the image formation area. It is also possible to use a spacer having a step (the rising width of the extended end portion = d 1 ) having a rectangular cut (a gap with the rising width = d 2 ) from the end. In this case, it can be effectively applied when the row direction wiring (not shown) is not linear over the inside and outside of the image forming area. If a high resistance film is applied to the spacer 1020 in the image forming area, the charge due to electron emission is reduced, which is even better.

【0071】[0071]

【実施例】(実施例1)この実施例1を、図1、7およ
び8を用いて、具体的に説明する。まず、図7にて設計
寸法を示す。画像形成領域53のX方向の長さAを200m
m、画像形成領域53から固定部材50までのスペーサ
の延出端部の長さBを10mm、固定部材50と支持枠10
16との間の長さCを10mmとした。
(Embodiment 1) Embodiment 1 will be specifically described with reference to FIGS. First, design dimensions are shown in FIG. The length A in the X direction of the image forming area 53 is 200 m
m, the length B of the extending end of the spacer from the image forming area 53 to the fixing member 50 is 10 mm, and the fixing member 50 and the support frame 10
16 was set to 10 mm.

【0072】また、画像形成領域53のY方向の長さD
を150mm、画像形成領域53と支持枠1016との間の
長さEを20mmとした。また、この寸法仕様は、全て、図
面にて、上下・左右対称とした。固定部材50の配置間
隔は、リアプレートの行方向配線1013、および、フ
ェースプレートのブラックストライプ1010の間隔で
ある0.65mmの整数倍、例えば、15.6mmとしており、スペ
ーサは、行方向配線上に配置する。なお、行方向配線1
013の幅は0.3mm、スペーサの厚さは0.2mmとした。
The length D in the Y direction of the image forming area 53
Was set to 150 mm, and the length E between the image forming area 53 and the support frame 1016 was set to 20 mm. In addition, all these dimensional specifications are vertically and horizontally symmetrical in the drawings. The arrangement interval of the fixing members 50 is an integer multiple of 0.65 mm, which is the interval between the row wiring 1013 of the rear plate and the black stripe 1010 of the face plate, for example, 15.6 mm, and the spacer is arranged on the row wiring. I do. Note that the row direction wiring 1
The width of 013 was 0.3 mm, and the thickness of the spacer was 0.2 mm.

【0073】次に、図8を用いて、固定部材50の寸法
を説明する。その固定部材の厚み(図示せず)は0.5m
m、外形辺Fは6mm、Gは5mm、接着部の孔の直径Jは3m
m、孔の位置を表すIは3mm、スペーサの挟まる溝部の幅
Hは0.25mmとした。また、この時のスペーサの長さを23
0mmにした。
Next, the dimensions of the fixing member 50 will be described with reference to FIG. The thickness of the fixing member (not shown) is 0.5m
m, outer side F is 6mm, G is 5mm, diameter J of the hole at the bonding part is 3m
m, I representing the position of the hole was 3 mm, and the width H of the groove between the spacers was 0.25 mm. Also, the length of the spacer at this time is 23
0 mm.

【0074】スペーサの延出端部は、図1に示すよう
に、アノード電極の端の部分から、リアプレート側に向
けて、斜めに形成してある。斜め部分のサイズは、図中
のa=15mmである。
As shown in FIG. 1, the extending end of the spacer is formed obliquely from the end of the anode electrode toward the rear plate. The size of the oblique portion is a = 15 mm in the figure.

【0075】なお、この実施例で用いたスペーサには、
下記の処理が施してある。まず、フェースプレートおよ
びリアプレートに電気的に接続を取るための中間電極層
を、スパッタにより、気相形成した。中間電極層は10nm
厚のTi膜と200nm厚のPt膜の2層構造であって、Ti膜はPt
膜の膜密着性を補強する下地層として必要であった。こ
の時の中間電極層の膜厚は210nmであり、表面抵抗は10
Ω/□であった。この後、基板表面に、帯電防止膜とし
て、CrおよびAlのターゲットを、高周波電源で同時スパ
ッタすることにより、Cr-Al合金窒化膜を、膜厚200nmで
形成した。この際のスパッタガスは、Ar:N2が1:2の混
合ガスで、全圧力は1mTorrである。上記条件で、同時成
膜した膜の面抵抗は2×1010Ω/□であった。ただし、
中間電極層および膜は、アノード電極と接する領域にし
か成膜していない。
The spacers used in this embodiment include:
The following processing has been performed. First, an intermediate electrode layer for electrically connecting to the face plate and the rear plate was formed in a vapor phase by sputtering. Intermediate electrode layer is 10 nm
It has a two-layer structure of a thick Ti film and a 200 nm thick Pt film, and the Ti film is a Pt film.
It was necessary as a base layer for reinforcing the film adhesion of the film. At this time, the thickness of the intermediate electrode layer is 210 nm, and the surface resistance is 10 nm.
Ω / □. Thereafter, a Cr-Al alloy nitride film having a thickness of 200 nm was formed on the substrate surface as an antistatic film by simultaneously sputtering Cr and Al targets with a high-frequency power supply. The sputtering gas at this time is a mixed gas of Ar: N 2 in a ratio of 1: 2, and the total pressure is 1 mTorr. Under the above conditions, the sheet resistance of the film formed at the same time was 2 × 10 10 Ω / □. However,
The intermediate electrode layer and the film are formed only in a region in contact with the anode electrode.

【0076】上記スペーサを用いた場合、従来のような
矩形平板を用いた場合に比べて、アノード電極と接しな
い部分(延出端部)のギャップが広がり、実質的に放電
し難くなった。具体的には、従来例では、微小ギャップ
のところで放電することがあり、画像形成領域内での放
電を誘発し、画像を安定的に表示させるのが困難であっ
たが、本実施例では、Va=6kVにおいては、アノード電極
に接しない部分での放電が発生しないので、安定的に高
輝度な画像を表示させることができた。
When the spacer was used, the gap at the portion (extended end) not in contact with the anode electrode was widened as compared with the case where a conventional rectangular flat plate was used, and it was substantially difficult to discharge. Specifically, in the conventional example, discharge may occur at a small gap, and it is difficult to stably display an image by inducing a discharge in the image forming region. At Va = 6 kV, discharge did not occur in a portion not in contact with the anode electrode, so that a high-luminance image could be stably displayed.

【0077】(実施例2)本実施例が実施例1と異なる
のは、図3に示すように、スペーサの画像形成領域外
(延出端部)が、斜めの縁部分と垂直の縁部分を組み合
わせた形状、即ち、スペーサ全体が6角形の平板である
ことである。ここで、図中、符号aおよびbは、それぞ
れ、15mm、1mmとした。
(Embodiment 2) This embodiment is different from Embodiment 1 in that, as shown in FIG. 3, a portion outside the image forming area (extending end portion) of the spacer has an oblique edge portion and a vertical edge portion. , That is, the entire spacer is a hexagonal flat plate. Here, in the figure, the symbols a and b are 15 mm and 1 mm, respectively.

【0078】本実施例においても,実施例1と同様の効
果が得られ、Va= 6kVにて、画像形成領域外(延出端
部)での放電がなく、安定的に画像を表示させることが
できた。また、実施例1に比べて、スペーサの先端部に
尖鋭部(エッジ)がなく、固定する際に作業がし易い点
で、工程時間を短くできる。
In this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. At Va = 6 kV, there is no discharge outside the image forming area (extended end), and an image can be displayed stably. Was completed. Further, as compared with the first embodiment, there is no sharp portion (edge) at the distal end portion of the spacer, and the work can be easily performed at the time of fixing, so that the process time can be shortened.

【0079】(実施例3)本実施例が実施例1と異なる
のは、図4に示すように、スペーサのフェースプレート
側のアノード電極と接触する場所から固定部材との間の
部分(延出端部)が丸みを帯びた形状になっていること
である。
(Embodiment 3) This embodiment is different from Embodiment 1 in that, as shown in FIG. 4, a portion between the spacer and the fixing member from the place where the spacer comes into contact with the anode electrode on the face plate side. (End) is a rounded shape.

【0080】本実施例においても、実施例1と同様の効
果が得られ、Va=6kVにて、画像形成領域外での放電がな
く、安定的に画像を表示させることができた。また、実
施例1および2よりも、スペーサの先端部に尖鋭部(エ
ッジ)がなく、固定する際に作業がし易い点で、工程時
間を短くできる。
Also in this embodiment, the same effect as in the first embodiment was obtained. At Va = 6 kV, there was no discharge outside the image forming area, and an image could be displayed stably. Further, compared to the first and second embodiments, the process time can be shortened because there is no sharp portion (edge) at the tip of the spacer, and the work is easy when fixing.

【0081】(実施例4)本実施例では、スペーサが無
アルカリガラスで構成されており、図5に示すように、
スペーサの起立面に関して(表面積が最大の面から見
て)、画像形成領域外の部分(延出端部)は、画像形成
領域の端から、矩形の切り込みが入った段差のある形状
をしており、スペーサ全体として凸型平板とした。ここ
で、符号1015は電子源基板を含むリアプレート、1
016は側壁(支持枠)、1017はフェースプレー
ト、1018は蛍光体、1019はメタルバック、10
20はスペーサ、50は固定部材である。ここで、フェ
ースプレート1017およびリアプレートはソーダライ
ムガラス、側壁1016およびスペーサ1020は無ア
ルカリガラスで構成されている。また、スペーサ102
0はリアプレート1015上の行方向配線(図示せず)
に設置され、画像形成領域の全域にわたっているので、
隙間がない。また、図中、aの長さは15mmとした。
(Embodiment 4) In this embodiment, the spacer is made of non-alkali glass, and as shown in FIG.
Regarding the upright surface of the spacer (as viewed from the surface having the largest surface area), the portion outside the image forming area (extending end) has a rectangular stepped shape from the end of the image forming area. Thus, the entire spacer was a convex flat plate. Here, reference numeral 1015 denotes a rear plate including an electron source substrate, 1
016 is a side wall (support frame), 1017 is a face plate, 1018 is a phosphor, 1019 is a metal back,
20 is a spacer and 50 is a fixing member. Here, the face plate 1017 and the rear plate are made of soda lime glass, and the side wall 1016 and the spacer 1020 are made of non-alkali glass. Also, the spacer 102
0 is a row direction wiring on the rear plate 1015 (not shown)
Since it is installed in the entire area of the image forming area,
There are no gaps. In the figure, the length of a was 15 mm.

【0082】この時、無アルカリガラスはソーダライム
に比べて高抵抗であるから、ギャップの電場は誘電率に
よって決まる。画像形成領域外のスペーサの起立幅(高
さ)d1=1mmと、スペーサーフェースプレート間のギャ
ップd0は、およそ0.8mmとなり、狭いd0の方の高さにd1
に掛る電界の数倍の電界が掛るが、従来の微小ギャップ
に比べれば、電界強度は数十倍、弱まり、放電し難くな
った。
At this time, since the alkali-free glass has a higher resistance than soda lime, the electric field of the gap is determined by the dielectric constant. An image forming area outside of the upright width of the spacer (height) d 1 = 1 mm, the gap d 0 between the spacer face plate, d 1 approximately 0.8mm, and the the height towards the narrow d 0
An electric field several times the electric field applied is applied, but the electric field intensity is reduced by several tens of times as compared with the conventional minute gap, making it difficult to discharge.

【0083】(実施例5)本実施例が実施例4と異なる
のは、スペーサの画像形成領域内には、高抵抗膜が施し
てあることである。この場合にも、画像形成領域外(ス
ペーサの延出端部がある領域)での放電はなく、安定的
に画像を表示させることができた。また、スペーサに
は、画像形成領域内において、高抵抗膜が施してあるか
ら、このことによって、電子放出によるスペーサ表面の
帯電が緩和されて、画像歪みが改善された。
(Embodiment 5) This embodiment is different from Embodiment 4 in that a high resistance film is formed in the image forming region of the spacer. Also in this case, there was no discharge outside the image forming area (the area where the extended ends of the spacers exist), and an image could be displayed stably. In addition, since the spacer is provided with a high-resistance film in the image forming region, the charge on the spacer surface due to electron emission is reduced, and the image distortion is improved.

【0084】(実施例6)本実施例では、スペーサは無
アルカリガラスで構成され、図6に示すように、スペー
サの起立面に関して(表面積が最大の面から見て)、画
像形成領域外の部分(延出端部)は、画像形成領域の端
から、フェースプレート側およびリアプレート側につい
て、矩形の切り込みが入った段差のある形状をしてい
る。ここで、符号1015は電子源基板を含むリアプレ
ート、1016は側壁(支持枠)、1017はフェース
プレート、1018は蛍光体、1019はメタルバッ
ク、1020はスペーサ、50は固定部材である。ここ
で、フェースプレート1017およびリアプレートはソ
ーダライムガラスで構成され、側壁1016およびスペ
ーサ1020は無アルカリガラスで構成されている。
Embodiment 6 In this embodiment, the spacer is made of non-alkali glass. As shown in FIG. 6, the upright surface of the spacer (as viewed from the surface having the largest surface area) is outside the image forming area. The portion (extended end) has a stepped shape with a rectangular notch on the face plate side and the rear plate side from the end of the image forming area. Here, reference numeral 1015 denotes a rear plate including an electron source substrate, 1016 denotes a side wall (support frame), 1017 denotes a face plate, 1018 denotes a phosphor, 1019 denotes a metal back, 1020 denotes a spacer, and 50 denotes a fixing member. Here, the face plate 1017 and the rear plate are made of soda lime glass, and the side wall 1016 and the spacer 1020 are made of non-alkali glass.

【0085】また、本実施例では、行方向配線(図示せ
ず)は、画像形成領域内では直線であるが、画像形成領
域外では、非直線的に接続されている。従って、スペー
サ1020は、リアプレート1015上において、画像
形成領域内では、行方向配線上に設置されているので、
隙間はない。しかも、本実施例では、固定部材50の高
さを1mmとし、図中、d1の高さを0.4mm、d2の高さを0.7m
mとした。
Further, in this embodiment, the row direction wiring (not shown) is linear in the image forming area, but is connected non-linearly outside the image forming area. Therefore, since the spacer 1020 is provided on the row direction wiring in the image forming area on the rear plate 1015,
There are no gaps. Moreover, in this embodiment, the height of the fixing member 50 is 1 mm, and the height of d 1 is 0.4 mm and the height of d 2 is 0.7 m in the drawing.
m.

【0086】この時、画像形成領域外での、スペーサ
(延出端部)〜フェースプレート間のギャップd0は、お
よそ0.7mmとなり、電界強度はd1に比べd0、 d2のほうが
強いが、特に、リアプレート側で、行方向配線と接触し
ない場所での、微小ギャップをなくすことができるか
ら、従来の微小ギャップに比べれば、電界強度は数十倍
弱まり、放電し難くなった。
At this time, the gap d 0 between the spacer (extended end) and the face plate outside the image forming area is about 0.7 mm, and the electric field strengths d 0 and d 2 are stronger than d 1. However, since the minute gap can be eliminated particularly at the rear plate side where it does not come into contact with the row-direction wiring, the electric field intensity is reduced by several tens of times as compared with the conventional minute gap, making it difficult to discharge.

【0087】なお、本発明に係わるスペーサの延出端部
の形状は、上述の実施の形態、実施例において示される
ものに限定されることなく、微小ギャップを無くすよう
な形状であれば、如何なる形状でも良いことは、勿論で
ある。
The shape of the extending end portion of the spacer according to the present invention is not limited to those shown in the above-described embodiments and examples, and may be any shape that eliminates a minute gap. Of course, the shape may be sufficient.

【0088】[0088]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
放電耐圧の高い画像形成装置を提供することができる。
さらに、本発明では、画像表示領域外の省スペース化を
可能とするものである。
As described above, according to the present invention,
An image forming apparatus having a high discharge withstand voltage can be provided.
Further, in the present invention, it is possible to save space outside the image display area.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係わる第1の実施の形態におけるスペ
ーサ固定部の構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a spacer fixing portion according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明との対比で示す従来例のスペーサ固定部
の構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of a conventional spacer fixing portion shown in comparison with the present invention.

【図3】本発明に係わる第2の実施の形態におけるスペ
ーサ固定部の構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram of a spacer fixing portion according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明に係わる第3の実施の形態におけるスペ
ーサ固定部の構成図である。
FIG. 4 is a configuration diagram of a spacer fixing portion according to a third embodiment of the present invention.

【図5】本発明に係わる第4の実施の形態におけるスペ
ーサ固定部の構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram of a spacer fixing portion according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】本発明に係わる第5の実施の形態におけるスペ
ーサ固定部の構成図である。
FIG. 6 is a configuration diagram of a spacer fixing portion according to a fifth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施の形態における画像形成装置の平
面視での構成図である。
FIG. 7 is a configuration diagram of the image forming apparatus according to the embodiment of the present invention in plan view.

【図8】本発明の実施の形態における固定部材の平面視
での構成図である。
FIG. 8 is a plan view of a fixing member according to an embodiment of the present invention.

【図9】本発明の実施の形態における表示パネルの一部
を切欠いた斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view in which a part of the display panel is cut away in the embodiment of the present invention.

【図10】表示パネルのフェースプレートの蛍光体配列
を例示した平面図である。
FIG. 10 is a plan view illustrating a phosphor array of a face plate of a display panel.

【図11】同じく、カラー配列を例示した平面図であ
る。
FIG. 11 is a plan view similarly illustrating a color arrangement.

【図12】マルチ電子ビーム源の基板の平面図である。FIG. 12 is a plan view of a substrate of the multi-electron beam source.

【図13】マルチ電子ビーム源の基板の一部断面図あ
る。
FIG. 13 is a partial cross-sectional view of a substrate of the multi-electron beam source.

【図14】表示パネルのA−A'断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of the display panel.

【図15】従来例でのギャップについて説明するための
スペーサ固定部の構成図である。
FIG. 15 is a configuration diagram of a spacer fixing portion for explaining a gap in a conventional example.

【図16】従来例の表示パネルの一部を切り欠いて示し
た斜視図である。
FIG. 16 is a perspective view of a display panel of a conventional example with a part cut away.

【符号の説明】 1 スペーサ基板 3 電子源基板に面したスペーサの当接面 5 電子源基板に接するスペーサの側面 11 高抵抗膜 21 低抵抗膜 31a 蛍光体 31b 黒色導電体 40 層間絶縁層 50 固定部材 1011 電源基板 1012 冷陰極素子 1013 行方向配線 1014 列方向配線 1015 リアプレート 1016 側壁(支持枠) 1017 フェースプレート 1018 蛍光体 1019 メタルバック 1020 スペーサ 1102、1103 素子電極 1104 導電性薄膜 1105 電子放出部 1113 薄膜 1010 黒色導電材 1041 接合材[Description of Signs] 1 Spacer substrate 3 Contact surface of spacer facing electron source substrate 5 Side surface of spacer in contact with electron source substrate 11 High resistance film 21 Low resistance film 31a Phosphor 31b Black conductor 40 Interlayer insulating layer 50 Fixed Member 1011 Power supply board 1012 Cold cathode element 1013 Row wiring 1014 Column wiring 1015 Rear plate 1016 Side wall (support frame) 1017 Face plate 1018 Phosphor 1019 Metal back 1020 Spacer 1102, 1103 Device electrode 1104 Conductive thin film 1105 Electron emitting section 1113 Thin film 1010 Black conductive material 1041 Bonding material

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子源が配置された電子源基板を有する
リアプレートと、前記電子源から放出された電子が照射
されることで画像を形成する画像形成領域を有するフェ
ースプレートと、前記リアプレートと前記フェースプレ
ートとを固定するための支持枠と、前記リアプレートと
前記フェースプレートの間に耐大気圧構造のために配置
されたスペーサとを具備し、前記リアプレート、フェー
スプレート、支持枠およびスペーサにて、真空を維持す
る方形の外囲器を構成している画像形成装置において、 前記スペーサは、前記外囲器内において、前記画像形成
領域を跨いで、その端部を前記画像形成領域外に延出し
ている細長い平板であり、前記リアプレートおよびフェ
ースプレートの各面に対して起立する前記スペーサの面
に関して、その起立幅が、前記画像形成領域内では前記
フェースプレートとリアプレートとの間の距離:dにほ
ぼ等しく、また、前記画像形成領域外ではその距離:d
より小さくなっている形状であって、その延出端部が、
前記フェースプレートまたはリアプレートに対して、画
像形成領域外にある固定部材により、固定されているこ
とを特徴とする画像形成装置。
A rear plate having an electron source substrate on which an electron source is arranged; a face plate having an image forming area for forming an image by irradiating electrons emitted from the electron source; and the rear plate. And a support frame for fixing the face plate, and a spacer disposed between the rear plate and the face plate for an atmospheric pressure resistant structure, the rear plate, the face plate, the support frame, and In the image forming apparatus which forms a rectangular envelope that maintains a vacuum with a spacer, the spacer straddles the image forming region in the envelope, and ends its end with the image forming region. An elongate flat plate extending outwardly, with respect to the surface of the spacer standing on each surface of the rear plate and the face plate. Width, the distance between the image forming the face plate and the rear plate in the area: approximately equal to d, also, in the image forming area outside that distance: d
It is a smaller shape, the extending end of which is
An image forming apparatus, wherein the image forming apparatus is fixed to the face plate or the rear plate by a fixing member outside an image forming area.
【請求項2】 請求項1に記載の画像形成装置におい
て、前記スペーサが前記リアプレートに固定され、その
延出端部が、その起立する面に関して、前記画像形成領
域外で前記リアプレート側に直線的に傾斜していること
を特徴とする画像形成装置。
2. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the spacer is fixed to the rear plate, and an extended end of the spacer is located on the rear plate side outside the image forming area with respect to a rising surface. An image forming apparatus characterized by being linearly inclined.
【請求項3】 請求項1に記載の画像形成装置におい
て、前記スペーサが前記リアプレートに固定され、その
延出端部が、その起立する面に関して、前記画像形成領
域外で、前記リアプレート側に弧を描きながら傾斜して
いることを特徴とする画像形成装置。
3. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the spacer is fixed to the rear plate, and an extended end of the spacer is located outside the image forming region on the rear plate side with respect to a rising surface. An image forming apparatus characterized by being inclined while drawing an arc.
【請求項4】 請求項1に記載の画像形成装置におい
て、前記スペーサが前記リアプレートに固定され、前記
画像形成領域外で、その延出端部の起立幅が、前記領域
内の起立幅よりも小さくなるように、その延出端部が、
前記フェースプレート側に段差を持って、形成されてい
ることを特徴とする画像形成装置。
4. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the spacer is fixed to the rear plate, and a rising width of an extending end of the spacer outside the image forming region is larger than a rising width in the region. So that its extended end is
An image forming apparatus, wherein the image forming apparatus is formed with a step on the face plate side.
【請求項5】 請求項1に記載の画像形成装置におい
て、前記スペーサが前記リアプレートに固定され、前記
画像形成領域外で、その延出端部の起立幅が、前記領域
内の起立幅よりも小さくなるように、その延出端部が、
前記フェースプレート側およびリアプレート側に段差を
持って、形成されていることを特徴とする画像形成装
置。
5. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the spacer is fixed to the rear plate, and a rising width of an extending end of the spacer outside the image forming region is larger than a rising width in the region. So that its extended end is
An image forming apparatus, wherein the face plate and the rear plate are formed with a step.
【請求項6】 前記スペーサは、接着剤により固定され
ることを特徴とする請求項1ないし請求項5の何れか1
項に記載の画像形成装置。
6. The spacer according to claim 1, wherein the spacer is fixed by an adhesive.
Item 10. The image forming apparatus according to item 1.
【請求項7】 前記スペーサは、フリットガラスにより
固定されることを特徴とする請求項1ないし請求項5の
何れか1項に記載の画像形成装置。
7. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the spacer is fixed by frit glass.
【請求項8】 前記スペーサは、導電性であることを特
徴とする請求項1ないし請求項7の何れか1項に記載の
画像形成装置。
8. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the spacer is conductive.
【請求項9】 前記スペーサは、その表面に高抵抗膜が
成膜してあることを特徴とする請求項8に記載の画像形
成装置。
9. The image forming apparatus according to claim 8, wherein the spacer has a high resistance film formed on a surface thereof.
【請求項10】 前記高抵抗膜として、表面抵抗が107
〜1014Ω/□であることを特徴とする請求項9に記載の
画像形成装置。
10. The high-resistance film has a surface resistance of 10 7.
The image forming apparatus according to claim 9, wherein the value is from 10 to 10 14 Ω / □.
【請求項11】 前記高抵抗膜は、低抵抗膜を介して、
前記フェースプレートおよびリアプレートに対して、そ
れぞれ、電気的に接続されていることを特徴とする請求
項9に記載の画像形成装置。
11. The high-resistance film is provided through a low-resistance film,
The image forming apparatus according to claim 9, wherein the image forming apparatus is electrically connected to the face plate and the rear plate.
【請求項12】 前記低抵抗膜は、その表面抵抗値が前
記高抵抗膜の抵抗値よりも1桁以上低いことを特徴とす
る請求項11に記載の画像形成装置。
12. The image forming apparatus according to claim 11, wherein the low resistance film has a surface resistance value that is at least one digit lower than a resistance value of the high resistance film.
【請求項13】 前記スペーサは、絶縁性を保持する構
成であることを特徴とする請求項4または請求項5に記
載の画像形成装置。
13. The image forming apparatus according to claim 4, wherein the spacer is configured to maintain insulation.
【請求項14】 前記スペーサは、前記画像形成領域外
で、その絶縁性を保持する構成であることを特徴とする
請求項4または請求項5に記載の画像形成装置。
14. The image forming apparatus according to claim 4, wherein the spacer is configured to maintain its insulating property outside the image forming area.
【請求項15】 前記電子源は、冷陰極素子であること
を特徴とする請求項1ないし請求項14の何れか1項に
記載の画像形成装置。
15. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the electron source is a cold cathode device.
【請求項16】 前記電子源は、表面伝導型放出素子で
あることを特徴とする請求項15に記載の画像形成装
置。
16. The image forming apparatus according to claim 15, wherein said electron source is a surface conduction electron-emitting device.
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