JP2001337303A - Optical shutter and display device using the same - Google Patents
Optical shutter and display device using the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯情報端末やプ
ロジェクション型ライトバルブに用いられる光シャッタ
およびその光シャッタを用いた表示装置に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical shutter used for a portable information terminal and a projection type light valve, and a display device using the optical shutter.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、携帯情報端末としては、二酸化シ
リコン（以下、ＳｉＯ2と記す）等のガラスを基板とし
た透過型および反射型の液晶表示装置が主として用いら
れてきた。2. Description of the Related Art Heretofore, transmission type and reflection type liquid crystal display devices having a glass substrate such as silicon dioxide (SiO 2 ) as a substrate have been mainly used as portable information terminals.
【０００３】また、プロジェクション型ライトバルブの
表示装置としては、ＳｉＯ2等のガラスを基板とした透
過型液晶表示装置、シリコン（以下、Ｓｉと記す）を基
板とした反射型液晶表示装置、あるいはＳｉに微細加工
を施し反射鏡を画素数設けたディジタルミラーデバイス
が用いられてきた。As a display device of a projection type light valve, a transmission type liquid crystal display device using glass such as SiO 2 as a substrate, a reflection type liquid crystal display device using silicon (hereinafter, referred to as Si) as a substrate, or a display device of Si type is used. A digital mirror device has been used in which a fine mirror is formed and a reflecting mirror is provided in the number of pixels.
【０００４】最近、携帯情報端末やプロジェクション型
ライトバルブに新たに用いることのできる表示装置とし
て、鉛（Ｐｂ）、ランタン（Ｌａ）、ジルコニウム（Ｚ
ｒ）およびチタン（Ｔｉ）の化合物などからなる強誘電
体（以下、ＰＬＺＴと記す）の電気光学効果を利用した
表示装置が提案された（特開平７−１４６６５７）。Recently, lead (Pb), lanthanum (La), and zirconium (Z) have been used as display devices that can be newly used for portable information terminals and projection type light valves.
A display device utilizing the electro-optic effect of a ferroelectric (hereinafter, referred to as PLZT) made of a compound of r) and titanium (Ti) has been proposed (Japanese Patent Application Laid-Open No. 146657/1995).
【０００５】従来、強誘電体の電気光学効果を用いて光
シャッタ機能を得るため、１組の電極を設け、その間隙
に強誘電体を充填した構成としている。Conventionally, in order to obtain an optical shutter function by using the electro-optic effect of a ferroelectric substance, a configuration is adopted in which a set of electrodes is provided and a gap between the electrodes is filled with a ferroelectric substance.
【０００６】図１１は、その従来の表示装置における光
シャッタの構成を示す図であり、図１１（ａ）は電極を
透視した平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＸ−
Ｘ’線に沿った断面図を示している。FIG. 11 is a view showing the structure of an optical shutter in the conventional display device. FIG. 11 (a) is a plan view seen through an electrode, and FIG. 11 (b) is an X-ray view of FIG. 11 (a).
FIG. 4 shows a cross-sectional view along the line X ′.
【０００７】図１１（ａ）に示すように、従来の光シャ
ッタは、ＳｉＯ2からなる透明基板１上にくし型電極
２、３が形成され、さらに、図１１（ｂ）に示すよう
に、透明基板１とくし型電極２、３上およびくし型電極
２、３の間にＰＬＺＴ層４が形成され、ＰＬＺＴ層４上
にＳｉＯ2からなる保護膜としての絶縁膜５が形成さ
れ、絶縁膜５上に偏光板６が形成され、透明基板１の下
に偏光板７が形成された構造のものである。なお、偏光
板６と偏光板７は互いに偏光軸が平行である。As shown in FIG. 11A, in the conventional optical shutter, comb electrodes 2 and 3 are formed on a transparent substrate 1 made of SiO 2 , and further, as shown in FIG. A PLZT layer 4 is formed on the transparent substrate 1 and the comb electrodes 2 and 3 and between the comb electrodes 2 and 3, and an insulating film 5 as a protective film made of SiO 2 is formed on the PLZT layer 4. It has a structure in which a polarizing plate 6 is formed thereon and a polarizing plate 7 is formed below the transparent substrate 1. The polarizing axes of the polarizing plates 6 and 7 are parallel to each other.
【０００８】次に、従来の光シャッタの動作について図
１１を用いて説明する。Next, the operation of the conventional optical shutter will be described with reference to FIG.
【０００９】ＰＬＺＴは、電圧を印加すると光を通す効
果、すなわち二次の電気光学効果（カー効果）を有す
る。なお、その電気光学定数（カー定数；Ｒ）は組成に
よって変わるが、薄膜のＰＬＺＴでは最大４．０×１０
-16ｍ2／Ｖ2という値が得られている（固体物理 ６５
３〜６６０頁 Ｖｏｌ．２３ Ｎｏ．８ １９８８）。[0009] PLZT has an effect of transmitting light when a voltage is applied, that is, a secondary electro-optic effect (Kerr effect). Although the electro-optic constant (Kerr constant; R) varies depending on the composition, the PLZT of the thin film has a maximum of 4.0 × 10
-16 m 2 / V 2 (Solid Physics 65
3-page 660, Vol. 23 No. 8 1988).
【００１０】図１１（ｂ）において、光シャッタの下方
（偏光板７側）から照射された光は、偏光板７によって
直線偏光となり、くし型電極２、３の間のＰＬＺＴ層４
に進入する。このとき、くし型電極２、３の間に電界を
印加すると、くし型電極２、３の間のＰＬＺＴ層４に入
射した偏光は、カー効果によって光軸を回転しながらく
し型電極２、３の間を直進し、偏光板６を通過して出射
する。このとき、偏光板の軸と、カー効果によって回転
した偏光の軸が成す角度によって、出射光強度は決ま
る。ここで、くし型電極２、３の膜厚の厚さをＬ、間隙
をｄ、電極間電圧をＶとしたとき、この光シャッタに垂
直に入射した光の透過率Ｔは式（１）で表される。In FIG. 11B, light irradiated from below the optical shutter (from the side of the polarizing plate 7) is converted into linearly polarized light by the polarizing plate 7, and the PLZT layer 4 between the comb-shaped electrodes 2, 3 is formed.
To enter. At this time, when an electric field is applied between the comb-shaped electrodes 2 and 3, the polarized light incident on the PLZT layer 4 between the comb-shaped electrodes 2 and 3 rotates the optical axis by the Kerr effect and rotates the comb-shaped electrodes 2 and 3. , And exits through the polarizing plate 6. At this time, the intensity of the emitted light is determined by the angle formed by the axis of the polarizing plate and the axis of the polarized light rotated by the Kerr effect. Here, assuming that the thickness of the comb electrodes 2 and 3 is L, the gap is d, and the voltage between the electrodes is V, the transmittance T of the light vertically incident on the optical shutter is expressed by Expression (1). expressed.
【００１１】 Ｔ＝ｓｉｎ2（−ｎ3・Ｒ・Ｌ・π・Ｖ2／２・λ・ｄ2） （１） ただし、ｎはＰＬＺＴ層４の屈折率、λはＰＬＺＴ層４
に入射する光の波長である。[0011] T = sin 2 (-n 3 · R · L · π · V 2/2 · λ · d 2) (1) where, n is the refractive index of the PLZT layer 4, lambda is PLZT layer 4
Is the wavelength of the light incident on.
【００１２】（１）式から分かるように、Ｌ、ｄという
電極構造のパラメータが決まれば、光強度は電圧で変調
されて出射することとなる。As can be seen from the equation (1), if the parameters of the electrode structure L and d are determined, the light intensity is modulated by the voltage and emitted.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、汎用的
に入手可能な電子部品で駆動回路を構成する際、表示装
置としては光シャッタに印加する信号電圧は２０Ｖ以下
であることが望ましい。例えば、（１）式にＶ＝２０
Ｖ、Ｒ＝４．０×１０-16ｍ2／Ｖ2、ｎ＝２．５、λ＝
５．５×１０-7ｍ（緑色光）を代入し、Ｔ＝１．０とな
るＬ／ｄ2を求めると２．２×１０5ｍ-1となり、仮に電
極加工精度を勘案してｄ＝２×１０-6ｍとすると、Ｌ＝
８．８×１０-7ｍが得られ、電極の膜厚が８８０ｎｍで
しかも、幅が２μｍの電極間隙にＰＬＺＴを埋め込まな
ければならない。However, when a driving circuit is constituted by electronic parts which can be generally used, it is desirable that the signal voltage applied to the optical shutter be 20 V or less as a display device. For example, in equation (1), V = 20
V, R = 4.0 × 10 −16 m 2 / V 2 , n = 2.5, λ =
By substituting 5.5 × 10 −7 m (green light) and obtaining L / d 2 that satisfies T = 1.0, it is 2.2 × 10 5 m −1 . = 2 × 10 −6 m, L =
8.8 × 10 −7 m is obtained, and PLZT must be embedded in the electrode gap having an electrode thickness of 880 nm and a width of 2 μm.
【００１４】ここで、３つの課題が発生する。一つ目に
プロセス難易性の課題、二つ目に視野角特性劣化の課
題、三つ目には明るさの課題がある。以下、三つの課題
について説明する。Here, three problems occur. First, there is a problem of process difficulty, second, there is a problem of deterioration of viewing angle characteristics, and third, there is a problem of brightness. Hereinafter, three issues will be described.
【００１５】まず、第一の課題であるプロセス難易性に
ついて説明する。First, the first problem, process difficulty, will be described.
【００１６】ＰＬＺＴは基板温度７００度でスパッタ法
により成膜したり、ゾルゲル溶液、ＭＯＤ（Ｍｅｔａｌ
Ｏｒｇａｎｉｃ Ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）溶液
等を用い、基板に溶液を塗布し、６５０℃〜７５０℃の
高い温度で焼結により成膜される。このような高い温度
に耐え、かつ酸素雰囲気中の熱処理にも抵抗変化を示さ
ない電極の材料としては白金がある。基板上に成膜した
白金の加工には、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ・Ｉｏｎ・
Ｅｔｃｈｉｎｇ）法が用いられる。PLZT is formed at a substrate temperature of 700 ° C. by a sputtering method, a sol-gel solution, MOD (Metal
The solution is applied to the substrate using an Organic Decomposition solution or the like, and a film is formed by sintering at a high temperature of 650 ° C. to 750 ° C. Platinum is an electrode material that withstands such a high temperature and does not exhibit a change in resistance even in a heat treatment in an oxygen atmosphere. RIE (Reactive Ion.
Etching) method is used.
【００１７】しかしながら、そのエッチング速度は遅
く、膜厚が８８０ｎｍとなるように白金を加工するのは
困難である。また、アスペクト比（ｄ／Ｌ）が２．３
（２．０μｍ／８８０ｎｍ）と大きい白金の電極間をＰ
ＬＺＴで隙間なく埋め込むことも困難である。However, the etching rate is low, and it is difficult to process platinum so that the film thickness becomes 880 nm. Further, the aspect ratio (d / L) is 2.3.
(2.0 μm / 880 nm) and a large P
It is also difficult to embed with LZT without gaps.
【００１８】次に、第二の課題である視野角特性劣化に
ついて説明する。Next, a description will be given of the second problem of deterioration of the viewing angle characteristic.
【００１９】図１２（ａ）は、従来の表示装置に垂直に
進入した光の場合の開口を示し、図１２（ｂ）は、斜め
入射した光の場合の開口を示す図である。FIG. 12A shows an aperture in the case of light that has vertically entered a conventional display device, and FIG. 12B shows an aperture in the case of obliquely incident light.
【００２０】図１２（ａ）に示すように、垂直に入射し
た場合には、電極間に入射した光は１００％出射するこ
とができる。このとき、開口率ＡＲは（２）式で表され
る。ただし、ｗは１つの電極の幅である。As shown in FIG. 12A, when the light is vertically incident, 100% of the light incident between the electrodes can be emitted. At this time, the aperture ratio AR is expressed by equation (2). Here, w is the width of one electrode.
【００２１】 ＡＲ＝ｄ／（ｄ＋ｗ） （２） しかし、斜めに入射した図１２（ｂ）の場合には、入射
光の一部は電極側面に遮られて出射できない。この場合
の開口率ＡＲは（３）式で表される。ただし、θは入射
角である。AR = d / (d + w) (2) However, in the case of FIG. 12B obliquely incident, part of the incident light cannot be emitted because it is blocked by the electrode side surface. The aperture ratio AR in this case is expressed by equation (3). Here, θ is the incident angle.
【００２２】 ＡＲ＝（ｄ−Ｌ・ｔａｎθ）／（ｄ＋ｗ） （３） ここで、Ｌ＝８８０ｎｍ、ｄ＝２μｍ、ｗ＝０．７μｍ
とした場合の開口率の角度依存性を図１３に示す。図１
３において、曲線８はＸ方向（図１１（ａ）参照）の入
射光の場合、直線９はＹ方向の入射光の場合である。Ｙ
方向の透過率が一定であるのに対して、Ｘ方向は入射角
依存性を示す。AR = (d−L · tan θ) / (d + w) (3) where L = 880 nm, d = 2 μm, w = 0.7 μm
FIG. 13 shows the angle dependence of the aperture ratio in the case of. FIG.
In FIG. 3, a curve 8 is a case of incident light in the X direction (see FIG. 11A), and a straight line 9 is a case of incident light in the Y direction. Y
While the transmittance in the direction is constant, the X direction shows incident angle dependence.
【００２３】最後に、第三の課題である明るさについて
説明する。強誘電体は屈折率が高く、例えば（Ｐｂ0.91
Ｌａ0.09）（Ｚｒ0.65Ｔｉ0.35）Ｏ3という組成のＰＬ
ＺＴで屈折率ｎ1＝２．５である。一方、透明基板（Ｓ
ｉＯ2）および絶縁膜（ＳｉＯ 2）５の屈折率はｎ0＝
１．５である。したがって、基板中を進行してきた光
は、ＰＬＺＴの入射側および反射側界面で屈折率差によ
って反射する。ここで、ＰＬＺＴの両界面における反射
を考慮したＰＬＺＴの透過率Ｔは、（４）式で表わされ
る。ただし、ＰＬＺＴの光吸収は無視できるほど小さ
い。Finally, regarding the third problem, brightness
explain. Ferroelectrics have a high refractive index, for example (Pb0.91
La0.09) (Zr0.65Ti0.35) OThreePL of composition
Refractive index n in ZT1= 2.5. On the other hand, a transparent substrate (S
iOTwo) And insulating film (SiO Two) 5 has a refractive index of n0=
1.5. Therefore, light traveling through the substrate
Is due to the refractive index difference at the interface between the incident side and the reflective side
Is reflected. Here, reflection at both interfaces of PLZT
The transmittance T of PLZT in consideration of
You. However, the light absorption of PLZT is negligibly small.
No.
【００２４】 Ｔ＝８ｎ0 2ｎ1 2／｛２（ｎ0 2＋ｎ1 2）＋４ｎ0 2ｎ1 2−（ｎ0 2−ｎ1 2）ｃｏｓ ２δ｝ （４） ただし、δ＝（２π／λ）ｎ1Ｌ ＰＬＺＴの厚さＬ＝８８０ｎｍとしたとき、青色光（λ
＝４７０ｎｍ）でＴ＝８１％、緑色光（λ＝５５０ｎ
ｍ）でＴ＝１００％、赤色光（λ＝６１０ｎｍ）で９０
％の透過率となる。従って、ＰＬＺＴは光吸収がほとん
ど無いにも関わらず、界面反射によって明るさが低下す
るという課題がある。[0024] T = 8n 0 2 n 1 2 / {2 (n 0 2 + n 1 2) + 4n 0 2 n 1 2 - (n 0 2 -n 1 2) cos 2δ} (4) However, [delta] = (2 [pi / Λ) n 1 L When the thickness L of PLZT is L = 880 nm, blue light (λ
= 470 nm), T = 81%, green light (λ = 550 n)
m) T = 100%, red light (λ = 610 nm) 90
% Transmittance. Therefore, PLZT has a problem that the brightness is reduced due to interfacial reflection, though there is almost no light absorption.
【００２５】以上のように、従来の表示装置にはプロセ
ス難易性、視野角特性劣化、明るさという３つの課題が
存在する。As described above, the conventional display device has three problems of process difficulty, deterioration of viewing angle characteristics, and brightness.
【００２６】本発明は、上記課題を解決するものであ
り、強誘電体成膜プロセスを容易にし、視野角特性を拡
大するとともに、光シャッタの明るさを向上することが
できる光シャッタとそれを用いた表示装置を提供するこ
とを目的とする。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and to provide an optical shutter capable of facilitating a ferroelectric film forming process, expanding a viewing angle characteristic and improving the brightness of an optical shutter, and an optical shutter therefor. It is an object to provide a display device used.
【００２７】[0027]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の光シャッタは、透明または光反射する基板上
に設けられた強誘電体と、前記強誘電体上に設けられた
第一の電極および第二の電極とからなり、前記第一の電
極と前記第二の電極が少なくとも２組の平行な直線状の
電極をなし、前記平行な直線状の電極がそれぞれ直交す
る方向に配置されているものである。To achieve the above object, an optical shutter according to the present invention comprises a ferroelectric substance provided on a transparent or light-reflective substrate, and a first ferroelectric substance provided on the ferroelectric substance. And the second electrode, wherein the first electrode and the second electrode form at least two sets of parallel linear electrodes, and the parallel linear electrodes are respectively arranged in orthogonal directions. Is what is being done.
【００２８】また、本発明の光シャッタは、透明または
光反射する基板上に設けられた第一の電極および第二の
電極と、前記第一の電極と前記第二の電極の上と前記基
板上に設けられた強誘電体とからなり、前記第一の電極
と前記第二の電極が少なくとも２組の平行な直線状の電
極をなし、前記平行な直線状の電極がそれぞれ直交する
方向に配置されているものである。Further, the optical shutter of the present invention comprises a first electrode and a second electrode provided on a transparent or light-reflective substrate, the first electrode and the second electrode, and The first electrode and the second electrode form at least two sets of parallel linear electrodes, and the parallel linear electrodes are respectively orthogonal to each other. It is what is arranged.
【００２９】これらにより、直線状の第一の電極および
第二の電極が平行に配置された２組の平行な直線状の電
極が直交する方向に配置されているので、１組目の電極
の視野角特性が劣化する方向と２組目の電極の広視野角
方向が一致し、互いの視野角特性を補う関係となる作用
を有する。従って、広視野角特性を得ることができる。Thus, the two sets of parallel linear electrodes in which the first linear electrodes and the second electrodes are arranged in parallel are arranged in the direction orthogonal to each other. The direction in which the viewing angle characteristics are degraded coincides with the wide viewing angle direction of the second set of electrodes, which has the effect of compensating for the mutual viewing angle characteristics. Therefore, a wide viewing angle characteristic can be obtained.
【００３０】また、本発明の光シャッタは、透明または
光反射する基板上に設けられた強誘電体と、前記強誘電
体上に設けられた第一の電極および第二の電極とからな
り、前記第一の電極および前記第二の電極がくし型の形
状であるとともに、前記第一の電極のくし歯と前記第二
の電極のくし歯が互いに前記くし歯の間に位置して対向
した電極組が２つ以上設けられ、少なくとも２つの前記
電極組のくし歯の方向が互いに９０度の角度をなしてい
るものである。The optical shutter of the present invention comprises a ferroelectric substance provided on a transparent or light-reflecting substrate, and a first electrode and a second electrode provided on the ferroelectric substance. An electrode in which the first electrode and the second electrode have a comb shape, and the comb teeth of the first electrode and the comb teeth of the second electrode are located between the comb teeth and opposed to each other. Two or more sets are provided, and the directions of the comb teeth of at least two of the electrode sets are at an angle of 90 degrees to each other.
【００３１】また、透明または光反射する基板上に設け
られた第一の電極および第二の電極と、前記第一の電極
と前記第二の電極の上と前記基板上に設けられた強誘電
体とからなり、前記第一の電極および前記第二の電極が
くし型の形状であるとともに、前記第一の電極のくし歯
と前記第二の電極のくし歯が互いに前記くし歯の間に位
置して対向した電極組が２つ以上設けられ、少なくとも
２つの前記電極組のくし歯の方向が互いに９０度の角度
をなしているものである。A first electrode and a second electrode provided on a transparent or light-reflecting substrate; and a ferroelectric substance provided on the first electrode and the second electrode and on the substrate. The first electrode and the second electrode have a comb shape, and the comb teeth of the first electrode and the comb electrodes of the second electrode are located between the comb teeth. Two or more electrode sets facing each other are provided, and the directions of the comb teeth of at least two of the electrode sets are at an angle of 90 degrees to each other.
【００３２】これにより、くし型の第一の電極および第
二の電極のくし歯が対向する電極組の２つが９０度の角
度を有しているので、１つの電極組の電極間の視野角特
性が劣化する方向と他方の電極組の電極間の広視野角方
向が一致し、互いの視野角特性を補う関係となる作用を
有する。従って、広視野角特性を得ることができる。Accordingly, since the two electrode sets facing the comb teeth of the first and second electrodes of the comb form have an angle of 90 degrees, the viewing angle between the electrodes of one electrode set is set. The direction in which the characteristics are degraded coincides with the wide viewing angle direction between the electrodes of the other electrode set, and has the effect of complementing the viewing angle characteristics of each other. Therefore, a wide viewing angle characteristic can be obtained.
【００３３】さらに、本発明の光シャッタは、９０度の
角度を有する２つの電極組の領域におけるくし歯の面積
比が同じであるものである。Further, in the optical shutter of the present invention, the area ratio of the comb teeth in the regions of the two electrode sets having an angle of 90 degrees is the same.
【００３４】これにより、視野角特性がＸ、Ｙ方向で等
しくなるので、視野角特性に優れた光シャッタを得るこ
とができる。Thus, the viewing angle characteristics become equal in the X and Y directions, so that an optical shutter having excellent viewing angle characteristics can be obtained.
【００３５】また、本発明の光シャッタは、透明または
光反射する基板上に設けられた第一の電極と第二の電極
と、前記第一の電極、前記第二の電極および前記基板の
上に設けられた強誘電体と、前記強誘電体の上に設けら
れた第三の電極と第四の電極とからなり、前記第一の電
極と第三の電極とが電気的に接続され、前記第二の電極
と第四の電極とが電気的に接続されているものである。Further, the optical shutter of the present invention comprises a first electrode and a second electrode provided on a transparent or light-reflective substrate, and a first electrode, a second electrode and a second electrode provided on the substrate. And a third electrode and a fourth electrode provided on the ferroelectric, the first electrode and the third electrode are electrically connected, The second electrode and the fourth electrode are electrically connected.
【００３６】これにより、上下の電極間に強誘電体が挟
まれた構造となり、上下電極から強誘電体に電界を印加
して光電効果を制御する作用を有する。従って、比較的
平坦な面に強誘電体を成膜するためにプロセスが容易と
なる。Thus, the structure is such that the ferroelectric is sandwiched between the upper and lower electrodes, and has a function of controlling the photoelectric effect by applying an electric field to the ferroelectric from the upper and lower electrodes. Therefore, the process for forming a ferroelectric film on a relatively flat surface becomes easy.
【００３７】また、本発明の光シャッタは、透明または
光反射する基板上に設けられた第一の電極と第二の電極
と、前記第一の電極、前記第二の電極および前記基板の
上に設けられた強誘電体と、前記強誘電体の上に設けら
れた第三の電極と第四の電極とからなり、前記第一の電
極と前記第二の電極および前記第三の電極と前記第四の
電極が、それぞれ少なくとも２組の平行な直線状の電極
をなし、前記平行な直線状の電極がそれぞれ直交する方
向に配置されているとともに、前記第一の電極と前記第
三の電極とが電気的に接続され、前記第二の電極と前記
第四の電極とが電気的に接続されているものである。Further, the optical shutter of the present invention comprises a first electrode and a second electrode provided on a transparent or light-reflecting substrate, and a first electrode, a second electrode and a second electrode provided on the substrate. And a third electrode and a fourth electrode provided on the ferroelectric, the first electrode and the second electrode and the third electrode The fourth electrode forms at least two sets of parallel linear electrodes, and the parallel linear electrodes are arranged in directions orthogonal to each other, and the first electrode and the third electrode An electrode is electrically connected, and the second electrode and the fourth electrode are electrically connected.
【００３８】また、本発明の光シャッタは、透明または
光反射する基板上に設けられた第一の電極と第二の電極
と、前記第一の電極、前記第二の電極および前記基板の
上に設けられた強誘電体と、前記強誘電体の上に設けら
れた第三の電極と第四の電極とからなり、前記第一の電
極、前記第二の電極、前記第三の電極および前記第四の
電極がくし型の形状であるとともに、前記第一の電極の
くし歯と前記第二の電極のくし歯が互いに前記くし歯の
間に位置して対向した第１の電極組が２つ以上設けら
れ、少なくとも２つの前記第１の電極組のくし歯の方向
が互いに９０度の角度をなし、前記第三の電極のくし歯
と前記第四の電極のくし歯が互いに前記くし歯の間に位
置して対向した第２の電極組が２つ以上設けられ、少な
くとも２つの前記第２の電極組のくし歯の方向が互いに
９０度の角度をなし、前記第一の電極と前記第三の電極
とが電気的に接続され、前記第二の電極と前記第四の電
極とが電気的に接続されているものである。Further, the optical shutter of the present invention comprises a first electrode and a second electrode provided on a transparent or light-reflective substrate, and a first electrode, a second electrode and a second electrode provided on the substrate. And a third electrode and a fourth electrode provided on the ferroelectric, the first electrode, the second electrode, the third electrode and The fourth electrode has a comb shape, and the first electrode set in which the comb teeth of the first electrode and the comb teeth of the second electrode are located between the comb teeth and face each other is 2 At least two comb teeth of the first electrode set form an angle of 90 degrees with each other, and the comb teeth of the third electrode and the comb teeth of the fourth electrode are mutually comb teeth. Two or more second electrode sets located between and facing each other, and at least two The directions of the comb teeth of the electrode set form an angle of 90 degrees with each other, the first electrode and the third electrode are electrically connected, and the second electrode and the fourth electrode are electrically connected. Are connected to each other.
【００３９】さらに、本発明の光シャッタは、第一の電
極と第三の電極の電極パターンが同じであるとともに、
強誘電体を挟んで互いに垂直方向に平行であり、第二の
電極と第四の電極の電極パターンが同じであるとともに
強誘電体を挟んで互いに垂直方向に平行であるものであ
る。Further, in the optical shutter of the present invention, the first electrode and the third electrode have the same electrode pattern,
The second electrode and the fourth electrode are parallel to each other in the vertical direction with the ferroelectric material interposed therebetween, and are parallel to each other in the vertical direction with the ferroelectric material interposed therebetween.
【００４０】これらにより、上下の電極間に強誘電体が
挟まれた構造となり、上下電極から強誘電体に電界を印
加して光電効果を制御する作用を有するとともに、第一
の電極および第二の電極で構成される２組の平行な直線
状の電極が直交する方向に配置されるとともに、第三の
電極および第四の電極で構成される２組の平行な直線状
の電極が直交する方向に配置されているので、２組の平
行な直線状の電極において視野角特性が劣化する方向と
広視野角方向が一致し、互いの視野角特性を補う関係と
なる作用を有するので、広視野角特性を得ることができ
る。As a result, a ferroelectric material is sandwiched between the upper and lower electrodes, which has a function of controlling the photoelectric effect by applying an electric field from the upper and lower electrodes to the ferroelectric material. Are arranged in orthogonal directions, and two sets of parallel linear electrodes made up of a third electrode and a fourth electrode are orthogonal. In the two sets of parallel linear electrodes, the direction in which the viewing angle characteristics are degraded coincides with the wide viewing angle direction, and the two sets of electrodes have a function of compensating for the mutual viewing angle characteristics. A viewing angle characteristic can be obtained.
【００４１】さらに、本発明の光シャッタは、透明基板
の光透過率が８０％以上である透過型のものである。Further, the optical shutter of the present invention is of a transmission type in which the light transmittance of the transparent substrate is 80% or more.
【００４２】これにより、光透過率が８０％以上という
明るい光シャッタを得ることができる。Thus, a bright optical shutter having a light transmittance of 80% or more can be obtained.
【００４３】さらに、本発明の光シャッタは、光反射す
る基板の光反射率が６０％以上である反射型のものであ
る。Further, the optical shutter of the present invention is of a reflection type in which the light reflectivity of the light reflecting substrate is 60% or more.
【００４４】これにより、光反射率が６０％以上という
明るい反射型光シャッタを得ることができ、かつ強誘電
体層の厚さを透過型光シャッタに比べて半減することが
できるため、プロセスが容易となる。As a result, a bright reflective optical shutter having a light reflectance of 60% or more can be obtained, and the thickness of the ferroelectric layer can be reduced to half of that of the transmissive optical shutter. It will be easier.
【００４５】また、本発明の光シャッタは、透明基板上
に設けられた第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜上に設
けられた強誘電体と、前記強誘電体の上または下に設け
られた第一の電極および第二の電極と、前記基板に対し
て光入射側および光出射側に設けられた偏光板とからな
り、前記第一の絶縁膜の屈折率が前記基板の屈折率およ
び前記強誘電体の屈折率の間であるものである。Further, the optical shutter of the present invention comprises: a first insulating film provided on a transparent substrate; a ferroelectric provided on the first insulating film; A first electrode and a second electrode provided on the substrate, and a polarizing plate provided on a light incident side and a light output side with respect to the substrate, and a refractive index of the first insulating film is a refractive index of the substrate. It is between the refractive index and the refractive index of the ferroelectric.
【００４６】また、本発明の光シャッタは、透明基板上
に設けられた強誘電体と、前記強誘電体上に設けられた
第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜上に設けられた第三
の絶縁膜と、前記強誘電体の上または下に設けられた第
一の電極および第二の電極と、前記基板に対して光入射
側および光出射側に設けられた偏光板とからなり、前記
第一の絶縁膜の屈折率が前記第三の絶縁膜の屈折率およ
び前記強誘電体の屈折率の間であるものである。Further, an optical shutter according to the present invention includes a ferroelectric material provided on a transparent substrate, a first insulating film provided on the ferroelectric material, and a ferroelectric material provided on the first insulating film. A third insulating film, a first electrode and a second electrode provided above or below the ferroelectric, and a polarizing plate provided on a light incident side and a light emission side with respect to the substrate. Wherein the refractive index of the first insulating film is between the refractive index of the third insulating film and the refractive index of the ferroelectric.
【００４７】また、本発明の光シャッタは、透明基板上
に設けられた第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜上に設
けられた強誘電体と、前記強誘電体上に設けられた第二
の絶縁膜と、前記第二の絶縁膜上に設けられた第三の絶
縁膜と、前記強誘電体の上または下に設けられた第一の
電極および第二の電極と、前記基板に対して光入射側お
よび光出射側に設けられた偏光板とからなり、前記第一
の絶縁膜の屈折率が前記基板の屈折率および前記強誘電
体の屈折率の間であるとともに、前記第二の絶縁膜の屈
折率が前記強誘電体の屈折率と前記第三の絶縁膜の屈折
率の間であるものである。Further, an optical shutter according to the present invention comprises a first insulating film provided on a transparent substrate, a ferroelectric material provided on the first insulating film, and a ferroelectric material provided on the ferroelectric material. A second insulating film, a third insulating film provided on the second insulating film, a first electrode and a second electrode provided above or below the ferroelectric, A polarizing plate provided on the light incident side and the light emitting side with respect to the substrate, and the refractive index of the first insulating film is between the refractive index of the substrate and the refractive index of the ferroelectric, The refractive index of the second insulating film is between the refractive index of the ferroelectric and the refractive index of the third insulating film.
【００４８】これらにより、強誘電体の入射側、出射
側、あるいは両側ともに中間屈折率層となる絶縁膜を設
けることにより、強誘電体界面における反射を低減でき
る作用を有する。従って、明るい透過型の光シャッタを
得ることができる。Thus, by providing an insulating film serving as an intermediate refractive index layer on both the incident side, the outgoing side, and both sides of the ferroelectric, it has an effect of reducing reflection at the ferroelectric interface. Therefore, a bright transmission type optical shutter can be obtained.
【００４９】また、本発明の光シャッタは、光を反射す
る基板上に設けられた第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁
膜上に設けられた強誘電体と、前記強誘電体の上または
下に設けられた第一の電極および第二の電極と、前記基
板に対し光入射側に設けられた偏光板とからなるととも
に、前記第一の絶縁膜の屈折率が前記強誘電体の屈折率
以下であるものである。Further, the optical shutter of the present invention comprises: a first insulating film provided on a substrate that reflects light; a ferroelectric material provided on the first insulating film; A first electrode and a second electrode provided above or below, and a polarizing plate provided on the light incident side with respect to the substrate, and the refractive index of the first insulating film is the ferroelectric substance Is not more than the refractive index.
【００５０】また、本発明の光シャッタは、光を反射す
る基板上に設けられた強誘電体と、前記強誘電体上に設
けられた第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜上に設けら
れた第三の絶縁膜と、前記強誘電体の上または下に設け
られた第一の電極および第二の電極と、前記基板に対し
て光入射側に設けられた偏光板とからなるとともに、前
記第一の絶縁膜の屈折率が前記第三の絶縁膜の屈折率お
よび前記強誘電体の屈折率の間であるものである。Further, the optical shutter of the present invention comprises: a ferroelectric substance provided on a substrate that reflects light; a first insulating film provided on the ferroelectric substance; A third insulating film, a first electrode and a second electrode provided above or below the ferroelectric, and a polarizing plate provided on the light incident side with respect to the substrate. And the refractive index of the first insulating film is between the refractive index of the third insulating film and the refractive index of the ferroelectric.
【００５１】また、本発明の光シャッタは、光を反射す
る基板上に設けられた第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁
膜上に設けられた強誘電体と、前記強誘電体上に設けら
れた第二の絶縁膜と、前記第二の絶縁膜上に設けられた
第三の絶縁膜と、前記強誘電体の上または下に設けられ
た第一の電極および第二の電極と、前記基板に対して光
入射側に設けられた偏光板とからなり、前記第一の絶縁
膜の屈折率が前記強誘電体の屈折率以下であるととも
に、前記第二の絶縁膜の屈折率が前記強誘電体の屈折率
と前記第三の絶縁膜の屈折率の間であるものである。Further, the optical shutter of the present invention comprises: a first insulating film provided on a substrate that reflects light; a ferroelectric material provided on the first insulating film; A second insulating film, a third insulating film provided on the second insulating film, and a first electrode and a second electrode provided above or below the ferroelectric. And a polarizing plate provided on the light incident side with respect to the substrate, wherein the refractive index of the first insulating film is equal to or less than the refractive index of the ferroelectric, and the refractive index of the second insulating film is The refractive index is between the refractive index of the ferroelectric and the refractive index of the third insulating film.
【００５２】これらにより、強誘電体の入射側に中間屈
折率層となる絶縁膜を設けることにより、強誘電体界面
における反射を低減できる作用を有する。従って、明る
い反射型の光シャッタを得ることができる。Thus, by providing an insulating film serving as an intermediate refractive index layer on the incident side of the ferroelectric, it has the effect of reducing reflection at the ferroelectric interface. Accordingly, a bright reflective optical shutter can be obtained.
【００５３】さらに、本発明の光シャッタは、第一の絶
縁膜および第二の絶縁膜が酸化マグネシウムあるいはチ
タン酸ストロンチウムであるものである。Further, in the optical shutter of the present invention, the first insulating film and the second insulating film are made of magnesium oxide or strontium titanate.
【００５４】これにより、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）
の屈折率が１．７４、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴ
ｉＯ3）の屈折率が２．３９であるので、屈折率が１．
５のＳｉＯ2に比べて高く、高屈折率である強誘電体と
の界面反射を低減できる作用を有する。Thus, magnesium oxide (MgO)
Has a refractive index of 1.74 and strontium titanate (SrT
Since iO 3 ) has a refractive index of 2.39, the refractive index is 1.39.
5 has an effect of reducing interfacial reflection with a ferroelectric having a high refractive index, which is higher than that of SiO 2 .
【００５５】さらに、本発明の光シャッタは、基板上に
反射板が設けられたものである。Further, the optical shutter of the present invention has a reflector provided on a substrate.
【００５６】これにより、反射板を設けることで、安価
な基板を用いることができ、低価格の光シャッタを得る
ことができる。Thus, by providing the reflection plate, an inexpensive substrate can be used, and a low-cost optical shutter can be obtained.
【００５７】さらに、本発明の光シャッタは、反射板が
白金であるものである。Further, in the optical shutter of the present invention, the reflection plate is made of platinum.
【００５８】これにより、反射板に高融点金属（融点１
７７０℃）であり、かつ緑色光の反射率が６９％である
白金を用いることにより、強誘電体の焼結工程（６５０
〜７５０℃）に耐えられる反射型の光シャッタを得るこ
とができる。Thus, the high melting point metal (having a melting point of 1
770 ° C.) and the reflectance of green light is 69%, so that the ferroelectric sintering step (650
To 750 ° C.) can be obtained.
【００５９】さらに、本発明の光シャッタは、反射板
が、異なる屈折率を有する誘電体の多層膜であるもので
ある。Further, in the optical shutter of the present invention, the reflection plate is a dielectric multilayer film having different refractive indexes.
【００６０】これにより、反射板を誘電体などの多層膜
で形成することで、強誘電体の焼結工程に耐えられる反
射型の光シャッタを得ることができる。Thus, by forming the reflection plate with a multilayer film such as a dielectric, a reflection type optical shutter that can withstand the sintering process of the ferroelectric can be obtained.
【００６１】また、本発明の表示装置は、上記記載の光
シャッタと、前記光シャッタを構成する第一の電極およ
び第二の電極への電圧印加装置をマトリクス状に配置し
ているものである。A display device according to the present invention includes the optical shutter described above and a device for applying voltages to the first and second electrodes constituting the optical shutter, arranged in a matrix. .
【００６２】これにより、光シャッタと電圧印加装置を
マトリクス状に配置することで、電気信号を２次元の光
情報として表示することができる。Thus, by arranging the optical shutter and the voltage applying device in a matrix, the electric signal can be displayed as two-dimensional optical information.
【００６３】[0063]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００６４】（実施の形態１）図１は、本発明における
第１の実施の形態を示す光シャッタの電極を透視した平
面図である。図２（ａ）は図１のＸ−Ｘ’線に沿った断
面図であり、図２（ｂ）は図１のＹ−Ｙ’線に沿った断
面図である。(Embodiment 1) FIG. 1 is a plan view seen through an electrode of an optical shutter according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2A is a sectional view taken along line XX ′ of FIG. 1, and FIG. 2B is a sectional view taken along line YY ′ of FIG.
【００６５】図１および図２に示すように、本発明にお
ける第１の実施の形態の光シャッタは、ＳｉＯ2からな
る透明基板１０上に膜厚Ｌが２．０μｍのＰＬＺＴ層１
１が形成され、ＰＬＺＴ層１１の上にはくし型電極１
２、１３が形成され、くし型電極１２、１３の間、くし
型電極１２、１３の上およびＰＬＺＴ層１１の上にＳｉ
Ｏ2からなる絶縁膜１４が形成され、ＳｉＯ2層１４上に
偏光板１５が形成され、透明基板１０の下に偏光板１６
が形成された構造のものである。なお、偏光板１５、１
６は互いに偏光軸が平行である。また、くし型電極１
２、１３は、図１に示すように、そのくし歯が互いに対
向する形状であるとともに、くし型電極１２、１３を破
線で示すように２つの領域Ｓ１およびＳ２に分けたと
き、領域Ｓ１のくし型電極１２、１３のくし歯と領域Ｓ
２のくし型電極１２、１３のくし歯とが互いに直交する
方向に形成された形状をしている。なお、くし型電極１
２とくし型電極１３の間隔ｄは、２．０μｍである。As shown in FIGS. 1 and 2, the optical shutter according to the first embodiment of the present invention comprises a PLZT layer 1 having a thickness L of 2.0 μm on a transparent substrate 10 made of SiO 2.
1 is formed, and the comb-shaped electrode 1 is formed on the PLZT layer 11.
2 and 13 are formed, and Si is formed between the comb electrodes 12 and 13, on the comb electrodes 12 and 13 and on the PLZT layer 11.
An insulating film 14 made of O 2 is formed, a polarizing plate 15 is formed on the SiO 2 layer 14, and a polarizing plate 16 is formed under the transparent substrate 10.
Is formed. The polarizing plates 15, 1
Numerals 6 have parallel polarization axes. In addition, the comb-shaped electrode 1
As shown in FIG. 1, the combs 2 and 13 have a shape in which the comb teeth are opposed to each other, and when the comb electrodes 12 and 13 are divided into two areas S1 and S2 as shown by broken lines, Comb and area S of the comb electrodes 12 and 13
The two comb-shaped electrodes 12 and 13 have a shape formed in a direction orthogonal to each other. In addition, the comb-shaped electrode 1
The interval d between the comb electrodes 13 is 2.0 μm.
【００６６】次に、図１および図２を用いて第１の実施
の形態における光シャッタの製造方法について説明す
る。Next, a method of manufacturing the optical shutter according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.
【００６７】まず、ＳｉＯ2（石英）からなる透明基板
１０上に、ＰＬＺＴのＭＯＤ溶液をスピンコートにより
塗布する。例えば、（Ｐｂ0.91Ｌａ0.09）（Ｚｒ0.65Ｔ
ｉ0. 35）Ｏ3という組成のＰＬＺＴが大きなカー定数を
有することが知られており、光シャッタ用途として望ま
しい。First, a MOD solution of PLZT is applied on a transparent substrate 10 made of SiO 2 (quartz) by spin coating. For example, (Pb 0.91 La 0.09 ) (Zr 0.65 T
i 0. 35) are known to have a PLZT large Kerr constant of the composition of O 3, preferably as an optical shutter applications.
【００６８】次に、酸素雰囲気中で４００〜４５０℃の
温度で５分間の熱処理を行った後、６５０〜７５０℃の
温度で３０分間の焼結処理を行う。このとき、塗布膜厚
が大きいとクラックが発生するため、塗布するＭＯＤ溶
液の膜厚は、１００ｎｍ程度の膜厚が望ましい。従っ
て、これより厚いＰＬＺＴ層を成膜する場合には、上記
スピンコート、熱処理、焼結処理を繰り返して、所望の
膜厚のＰＬＺＴ層１１を得ることとなる。Next, after performing a heat treatment at a temperature of 400 to 450 ° C. for 5 minutes in an oxygen atmosphere, a sintering process is performed at a temperature of 650 to 750 ° C. for 30 minutes. At this time, if the applied film thickness is large, cracks occur. Therefore, the thickness of the MOD solution to be applied is preferably about 100 nm. Therefore, when a thicker PLZT layer is formed, the above-described spin coating, heat treatment, and sintering are repeated to obtain the PLZT layer 11 having a desired film thickness.
【００６９】次に、ＰＬＺＴ層１１を成膜後に、白金
（Ｐｔ）をスパッタ法で１００ｎｍの厚さに堆積し、フ
ォトリソグラフィーにより、くし型電極１２、１３を焼
き付けた後、図１に示すような形状の白金のくし型電極
１２、１３をＲＩＥ法でエッチングによって形成する。Next, after the PLZT layer 11 is formed, platinum (Pt) is deposited to a thickness of 100 nm by sputtering, and the comb-shaped electrodes 12 and 13 are baked by photolithography, as shown in FIG. Platinum comb electrodes 12 and 13 having various shapes are formed by etching by RIE.
【００７０】次に、くし型電極１２、１３を形成後、Ｓ
ｉＯ2からなる絶縁膜１４をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で、くし型電
極１２、１３の間、くし型電極１２、１３の上およびＰ
ＬＺＴ層１１の上に堆積させる。Next, after the comb electrodes 12 and 13 are formed,
The insulating film 14 made of iO 2 is formed by CVD (chemical
Vapor Deposition method, between the comb-shaped electrodes 12, 13, on the comb-shaped electrodes 12, 13 and P
It is deposited on the LZT layer 11.
【００７１】最後に、絶縁膜１４上に偏光板１５を形成
するとともに、透明基板１０の下に偏光板１６を形成す
る。このとき偏光板１５、１６の偏光軸が９０度の角度
を成すように形成する。Finally, a polarizing plate 15 is formed on the insulating film 14 and a polarizing plate 16 is formed below the transparent substrate 10. At this time, the polarizers 15 and 16 are formed so that the polarization axes thereof form an angle of 90 degrees.
【００７２】このようにして製造された光シャッタにお
けるＰＬＺＴ層１１の電場の様子を図３に示す。図３に
おいてＰＬＺＴ層１１の内部に描かれた点線で示す曲線
が、電場を表わしている。なお、透明基板１０の厚さは
２．０μｍ、誘電率は３．９とし、ＰＬＺＴ層１１の厚
さは２．０μｍ、誘電率は１０００、くし型電極１２、
１３の厚さはそれぞれ０．１μｍ、幅は０．７μｍ、く
し型電極１２、１３の間隔は２．０μｍ、絶縁膜１４の
厚さは２．０μｍ、誘電率は３．９である。FIG. 3 shows the state of the electric field of the PLZT layer 11 in the optical shutter manufactured as described above. In FIG. 3, a curve shown by a dotted line drawn inside the PLZT layer 11 represents an electric field. The thickness of the transparent substrate 10 is 2.0 μm, the dielectric constant is 3.9, the thickness of the PLZT layer 11 is 2.0 μm, the dielectric constant is 1,000,
The thickness of each of the electrodes 13 is 0.1 μm, the width thereof is 0.7 μm, the interval between the comb electrodes 12 and 13 is 2.0 μm, the thickness of the insulating film 14 is 2.0 μm, and the dielectric constant is 3.9.
【００７３】図３に示すように、電極間の中心付近の電
場はほぼ垂直となっており、ＰＬＺＴ層１１に対して水
平方向（くし型電極１２からくし型電極１３に向かう方
向）に有効に電界が印加されていることが分かる。As shown in FIG. 3, the electric field near the center between the electrodes is substantially vertical, and is effective in the horizontal direction (the direction from the comb electrode 12 to the comb electrode 13) with respect to the PLZT layer 11. It can be seen that an electric field is applied.
【００７４】図３の結果から、光シャッタに垂直に入射
する光に対するＰＬＺＴ層１１の電気光学効果を見積も
り、得られた印加電圧と透過率の関係を図４に示す。図
４より明らかなように、第１の実施の形態では約１８Ｖ
の印加電圧で最大透過率が得られていることがわかる。
したがって、光シャッタを駆動するのに汎用的な部品で
回路を構成することが可能である。From the results shown in FIG. 3, the electro-optic effect of the PLZT layer 11 on the light vertically incident on the optical shutter is estimated, and the relationship between the obtained applied voltage and the transmittance is shown in FIG. As is apparent from FIG. 4, in the first embodiment, about 18 V
It can be seen that the maximum transmittance was obtained at an applied voltage of.
Therefore, it is possible to configure a circuit with general-purpose components for driving the optical shutter.
【００７５】なお、第１の実施の形態においては、図１
に示すように、くし型電極１２、１３の形状は、そのく
し歯が領域Ｓ１と領域Ｓ２の面積比が等しくなるように
設計してある。したがって、図５に示すように、その視
野角特性は、Ｘ方向の斜め入射光の場合と、Ｙ方向の斜
め入射光の場合とで等しくなる。In the first embodiment, FIG.
As shown in (1), the shapes of the comb electrodes 12 and 13 are designed such that the comb teeth have the same area ratio between the region S1 and the region S2. Therefore, as shown in FIG. 5, the viewing angle characteristics are the same between oblique incident light in the X direction and oblique incident light in the Y direction.
【００７６】また、第１の実施の形態において、ＰＬＺ
Ｔ層１１の表面にくし型電極１２、１３を形成している
ため、くし型電極１２、１３の厚さがＰＬＺＴ層１１中
の電界強度に与える影響は無視できるほど小さい。従っ
て、くし型電極１２、１３の電極抵抗が上昇して書き込
み特性を劣化させない程度まで電極を薄膜化することが
できる。これにより、第１の実施の形態において、くし
型電極１２、１３の電極の厚さを１００ｎｍとしたた
め、電極側面に遮られる光が減少し、図５に示すように
Ｘ方向における視野角特性を著しく改善できた。In the first embodiment, the PLZ
Since the comb electrodes 12 and 13 are formed on the surface of the T layer 11, the effect of the thickness of the comb electrodes 12 and 13 on the electric field strength in the PLZT layer 11 is negligibly small. Therefore, the electrodes can be thinned to such an extent that the electrode resistance of the comb-shaped electrodes 12 and 13 does not increase to deteriorate the writing characteristics. Thereby, in the first embodiment, since the thickness of the electrodes of the comb electrodes 12 and 13 is set to 100 nm, light blocked on the side surfaces of the electrodes is reduced, and the viewing angle characteristic in the X direction is reduced as shown in FIG. It was significantly improved.
【００７７】なお、第１の実施の形態では、ＰＬＺＴ層
１１の上にくし型電極１２、１３を形成したが、透明基
板の上にくし型電極を形成した後、くし型電極の上にＰ
ＬＺＴ層を形成しても同様の効果が得られる。また、領
域Ｓ１と領域Ｓ２の面積比は任意に設計できるパラメー
タであり、目標とする光スイッチの視野角特性に対して
最適設計される。In the first embodiment, the comb electrodes 12 and 13 are formed on the PLZT layer 11, but after forming the comb electrodes on the transparent substrate, the P electrodes are formed on the comb electrodes.
Similar effects can be obtained by forming an LZT layer. The area ratio between the region S1 and the region S2 is a parameter that can be arbitrarily designed, and is optimally designed for a target viewing angle characteristic of the optical switch.
【００７８】（実施の形態２）図６は、本発明における
第２の実施の形態を示す光シャッタの電極を透視した平
面図である。図７（ａ）は図６のＸ−Ｘ’線に沿った断
面図であり、図７（ｂ）は図６のＹ−Ｙ’線に沿った断
面図である。(Embodiment 2) FIG. 6 is a plan view seen through an electrode of an optical shutter according to a second embodiment of the present invention. FIG. 7A is a cross-sectional view taken along line XX ′ of FIG. 6, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along line YY ′ of FIG.
【００７９】図６および図７に示すように、光シャッタ
は、ＳｉＯ2からなる透明基板１７上にくし型下部電極
１８、１９が形成され、くし型下部電極１８、１９の
間、くし型下部電極１８、１９の上および透明基板１７
の上にＰＬＺＴ層２０が形成され、ＰＬＺＴ層２０の上
には、くし型上部電極２１、２２が形成され、くし型上
部電極２１、２２の間、くし型上部電極２１、２２の上
およびＰＬＺＴ層２０の上にＳｉＯ2からなる第一の絶
縁膜２３が形成され、第一の絶縁膜２３上に第一のアル
ミニウム（ＡＬ）層２４および第二のＡＬ層２５が形成
され、第一のＡＬ層２４は、ＰＬＺＴ層２０および第一
の絶縁膜２３に設けられた第一のコンタクトホール２６
を介してくし型下部電極１８の一部に電気的に接続され
るとともに、第一の絶縁膜２３に設けられた第二のコン
タクトホール２７を介してくし型上部電極２１の一部に
電気的に接続され、また、第二のＡＬ層２５は、ＰＬＺ
Ｔ層２０および第一の絶縁膜２３に設けられた第三のコ
ンタクトホール２８を介してくし型下部電極１９の一部
に電気的に接続されるとともに、第一の絶縁膜２３に設
けられた第四のコンタクトホール２９を介してくし型上
部電極２２の一部に電気的に接続され、さらに、第一の
ＡＬ層２４、第二のＡＬ層２５および第一の絶縁膜２３
上に第二の絶縁膜３０が形成され、第二の絶縁膜３０の
上に偏光板３１が形成され、透明基板１７の下に偏光板
３２が形成された構造のものである。なお、偏光板３
１、３２は互いに偏光軸が平行である。As shown in FIGS. 6 and 7, the optical shutter comprises a comb-shaped lower electrode 18, 19 formed on a transparent substrate 17 made of SiO 2 , and a space between the comb-shaped lower electrodes 18, 19. On the electrodes 18 and 19 and on the transparent substrate 17
A PLZT layer 20 is formed on the PZT layer. Comb-shaped upper electrodes 21 and 22 are formed on the PLZT layer 20, between the comb-shaped upper electrodes 21 and 22, on the comb-shaped upper electrodes 21 and 22, and on the PLZT layer. A first insulating film 23 made of SiO 2 is formed on the layer 20, a first aluminum (AL) layer 24 and a second AL layer 25 are formed on the first insulating film 23, The AL layer 24 has a first contact hole 26 provided in the PLZT layer 20 and the first insulating film 23.
Is electrically connected to a part of the comb-shaped lower electrode 18 via a second contact hole 27 provided in the first insulating film 23, and is electrically connected to a part of the comb-shaped upper electrode 21 via a second contact hole 27. Is connected to the second AL layer 25.
It is electrically connected to a part of the comb-shaped lower electrode 19 through a third contact hole 28 provided in the T layer 20 and the first insulating film 23 and is provided in the first insulating film 23. It is electrically connected to a part of the comb-shaped upper electrode 22 via the fourth contact hole 29, and furthermore, the first AL layer 24, the second AL layer 25 and the first insulating film 23
The second insulating film 30 is formed thereon, the polarizing plate 31 is formed on the second insulating film 30, and the polarizing plate 32 is formed below the transparent substrate 17. The polarizing plate 3
1, 32 have their polarization axes parallel to each other.
【００８０】また、くし型上部電極２１、２２の電極パ
ターンは、図６に示すように、そのくし歯が互いに対向
する形状であるとともに、光シャッタを点線で示すよう
に２つの領域Ｓ３およびＳ４に分けたとき、領域Ｓ３の
くし型電極２１、２２のくし歯と領域Ｓ４のくし型電極
２１、２３のくし歯とが互いに直交する方向に形成され
た形状をしている。さらに、くし型下部電極１８、１９
の電極パターンは、それぞれくし型上部電極２１、２２
と同じ電極パターンにするとともに、図６の平面図から
見たときに、一致するような配置にしてある。ただし、
くし形下部電極１８の第一のＡＬ層２４と接続する領域
には、第一のコンタクトホール２６まで延長されてい
る。また、くし形下部電極１７の第二のＡＬ層２５と接
続する領域には第三のコンタクトホール２８にまで延長
されている。As shown in FIG. 6, the electrode patterns of the comb-shaped upper electrodes 21 and 22 have a shape in which the comb teeth are opposed to each other, and the optical shutter has two regions S3 and S4 as indicated by dotted lines. In this case, the comb teeth of the comb electrodes 21 and 22 in the region S3 and the comb teeth of the comb electrodes 21 and 23 in the region S4 are formed in a direction orthogonal to each other. Further, the comb-shaped lower electrodes 18 and 19
Electrode patterns are comb-shaped upper electrodes 21 and 22 respectively.
The electrode patterns are the same as those described above, and are arranged so as to match when viewed from the plan view of FIG. However,
A region of the comb-shaped lower electrode 18 connected to the first AL layer 24 is extended to a first contact hole 26. Further, a region of the comb-shaped lower electrode 17 connected to the second AL layer 25 is extended to a third contact hole 28.
【００８１】次に、第２の実施の形態における光シャッ
タの製造方法について図６および図７を用いて説明す
る。Next, a method of manufacturing the optical shutter according to the second embodiment will be described with reference to FIGS.
【００８２】まず、ＳｉＯ2（石英）からなる透明基板
１７上に、Ｐｔをスパッタ法で１００ｎｍの厚さに堆積
し、フォトリソグラフィーにより、くし型下部電極１
８、１９の形状を焼き付けた後、図６に示すような形状
のくし型下部電極１８、１９をＲＩＥ法でエッチングに
よって形成する。First, Pt is deposited to a thickness of 100 nm by sputtering on a transparent substrate 17 made of SiO 2 (quartz), and the comb-shaped lower electrode 1 is formed by photolithography.
After baking the shapes 8 and 19, the comb-shaped lower electrodes 18 and 19 having a shape as shown in FIG. 6 are formed by etching by RIE.
【００８３】次に、ＰＬＺＴのＭＯＤ溶液をスピンコー
トにより塗布する。例えば、（Ｐｂ 0.91Ｌａ0.09）（Ｚ
ｒ0.65Ｔｉ0.35）Ｏ3という組成のＰＬＺＴが大きなカ
ー定数を有することが知られており、光シャッタ用途と
して望ましい。Next, the MOD solution of PLZT was spin-coated.
G. For example, (Pb 0.91La0.09) (Z
r0.65Ti0.35) OThreePLZT with the composition
-It is known to have a constant
It is desirable.
【００８４】次に、酸素雰囲気中で４００〜４５０℃の
温度で５分間の熱処理を行った後、６５０〜７５０℃の
温度で３０分間の焼結処理を行う。これらのスピンコー
ト、熱処理、焼結処理の各工程を複数回繰り返して所望
の膜厚のＰＬＺＴ層２０を得る。Next, after performing a heat treatment at a temperature of 400 to 450 ° C. for 5 minutes in an oxygen atmosphere, a sintering process is performed at a temperature of 650 to 750 ° C. for 30 minutes. These steps of spin coating, heat treatment, and sintering are repeated a plurality of times to obtain a PLZT layer 20 having a desired film thickness.
【００８５】次に、前記方法と同様にＰｔを堆積、パタ
ーニングしてくし型上部電極２１、２２を形成する。Next, Pt is deposited and patterned in the same manner as described above to form the comb-shaped upper electrodes 21 and 22.
【００８６】次に、くし型上部電極２１、２２およびＰ
ＬＺＴ層２０の上にＳｉＯ2層からなる第一の絶縁膜２
３をＣＶＤ法で堆積し、ＰＬＺＴ層２０および第一の絶
縁膜２３にくし型下部電極１８の一部を露出するように
第一のコンタクトホール２６を、第一の絶縁膜２３にく
し型上部電極２１の一部を露出するように第二のコンタ
クトホール２７を、また、ＰＬＺＴ層２０および第一の
絶縁膜２３にくし型下部電極１９の一部を露出するよう
に第三のコンタクトホール２８を、第一の絶縁膜２３に
くし型上部電極２２の一部を露出するように第四のコン
タクトホール２９をドライエッチングにより開口する。Next, the comb-shaped upper electrodes 21, 22 and P
First insulating film 2 made of SiO 2 layer on LZT layer 20
3 is deposited by the CVD method, and a first contact hole 26 is formed in the PLZT layer 20 and the first insulating film 23 so that a part of the comb-shaped lower electrode 18 is exposed. A second contact hole 27 is formed to expose a part of the electrode 21, and a third contact hole 28 is formed in the PLZT layer 20 and the first insulating film 23 so as to expose a part of the comb-shaped lower electrode 19. Then, a fourth contact hole 29 is opened by dry etching so that a part of the comb-shaped upper electrode 22 is exposed in the first insulating film 23.
【００８７】次に、ＡＬをスパッタ法で堆積し、パター
ニングしてくし型下部電極１８、くし型上部電極２１お
よび第一のＡＬ層２４を第一のコンタクトホール２６お
よび第二のコンタクトホール２７を介して電気的に接続
するとともに、くし型下部電極１９、くし型上部電極２
２および第二のＡＬ層２５を第三のコンタクトホール２
８および第四のコンタクトホール２９を介して電気的に
接続する。Next, AL is deposited by a sputtering method and patterned to form a comb-shaped lower electrode 18, a comb-shaped upper electrode 21 and a first AL layer 24 into first contact holes 26 and second contact holes 27. Are electrically connected to each other via a comb-shaped lower electrode 19 and a comb-shaped upper electrode 2.
2 and the second AL layer 25 to the third contact hole 2
8 and a fourth contact hole 29 for electrical connection.
【００８８】次に、第一のＡＬ層２４、第二のＡＬ層２
５および第一の絶縁膜２３上にＳｉＯ2からなる第二の
絶縁膜３０をＣＶＤ法で堆積させる。Next, the first AL layer 24 and the second AL layer 2
5 and a second insulating film 30 made of SiO 2 is deposited on the first insulating film 23 by a CVD method.
【００８９】最後に、第二の絶縁膜３０上に偏光板３１
を、透明基板１７の下面に偏光板３２を、互いの偏光板
の偏光軸が９０度の角度を成すように接着する。Finally, the polarizing plate 31 is formed on the second insulating film 30.
Is bonded to the lower surface of the transparent substrate 17 such that the polarization axes of the respective polarizing plates form an angle of 90 degrees.
【００９０】第二の実施の形態では、ＰＬＺＴ層２０を
挟むようにくし型上部電極２１、２２とくし型下部電極
１８、１９を形成し、それら上下の電極を第一と第二の
ＡＬ層２４、２５によって電気的に接続した構成として
いるので、ＰＬＺＴ層２０に印加する電界強度を第１の
実施の形態で示した実施よりも高めることができ、低電
圧駆動化が図られる。In the second embodiment, the comb-shaped upper electrodes 21 and 22 and the comb-shaped lower electrodes 18 and 19 are formed so as to sandwich the PLZT layer 20, and the upper and lower electrodes are connected to the first and second AL layers 24. , 25, the electric field strength applied to the PLZT layer 20 can be increased as compared with the embodiment shown in the first embodiment, and low voltage driving can be achieved.
【００９１】（実施の形態３）図８は、本発明における
第３の実施の形態を示す光シャッタの断面図である。(Embodiment 3) FIG. 8 is a sectional view of an optical shutter according to a third embodiment of the present invention.
【００９２】図８に示すように、第３の実施の形態の光
シャッタは反射型のもので、その光シャッタの構造は、
Ｓｉ基板３３上にＰｔからなる反射板３４が形成され、
反射板３４上に層間絶縁膜となるＳｉＯ2層３５が形成
され、ＳｉＯ2層３５上にＰＬＺＴ層３６が形成され、
ＰＬＺＴ層３６の上にはくし型電極３７、３８が形成さ
れ、くし型電極３７、３８の間、くし型電極３７、３８
の上およびＰＬＺＴ層３６の上にＳｉＯ2からなる絶縁
膜３９が形成され、絶縁膜３９上に偏光板４０が形成さ
れたものである。なお、くし型電極３７、３８の電極パ
ターンは図１に示すパターンと同様なので、平面図は省
略している。As shown in FIG. 8, the optical shutter of the third embodiment is of a reflection type, and the structure of the optical shutter is as follows.
A reflection plate 34 made of Pt is formed on a Si substrate 33,
An SiO 2 layer 35 serving as an interlayer insulating film is formed on the reflection plate 34, and a PLZT layer 36 is formed on the SiO 2 layer 35,
Comb-shaped electrodes 37, 38 are formed on the PLZT layer 36, and between the comb-shaped electrodes 37, 38, the comb-shaped electrodes 37, 38 are formed.
An insulating film 39 made of SiO 2 is formed on the insulating film 39 and the PLZT layer 36, and a polarizing plate 40 is formed on the insulating film 39. Since the electrode patterns of the comb electrodes 37 and 38 are the same as those shown in FIG. 1, the plan view is omitted.
【００９３】次に、第３の実施の形態における光シャッ
タの製造方法について図８を用いて説明する。Next, a method of manufacturing the optical shutter according to the third embodiment will be described with reference to FIG.
【００９４】まず、Ｓｉ基板３３上にＰｔからなる反射
板３４を形成し、反射板３４上に層間絶縁膜となるＳｉ
Ｏ2層３５をＣＶＤ法により堆積した後、第１の実施の
形態と同様な工法でＰＬＺＴ層３６を形成し、ＰＬＺＴ
層３６上にくし型電極３７、３８を形成し、ＰＬＺＴ層
３６上、くし型電極３７、３８の上およびくし型電極３
７、３８の間にＳｉＯ2からなる絶縁膜３９を形成し、
そして最後に、絶縁膜３９上に偏光板４０を接着する。First, a reflection plate 34 made of Pt is formed on a Si substrate 33, and a Si film serving as an interlayer insulating film is formed on the reflection plate 34.
After depositing the O 2 layer 35 by the CVD method, the PLZT layer 36 is formed by the same method as the first embodiment, and the PLZT layer 36 is formed.
Comb-shaped electrodes 37 and 38 are formed on the layer 36, and the PLZT layer 36, the comb-shaped electrodes 37 and 38 and the comb-shaped electrode 3 are formed.
An insulating film 39 made of SiO 2 is formed between 7 and 38,
Finally, the polarizing plate 40 is bonded on the insulating film 39.
【００９５】なお、第１および第２の実施の形態では透
明基板としてＳｉＯ2の基板を用いたが、第３の実施の
形態では、比較的安価なＳｉを基板とし、その上にＰｔ
からなる反射板３４を形成する。また、Ｐｔの緑色光に
対する反射率は６９％であるとともに、ＰｔはＰＬＺＴ
焼結工程の高温にも耐えられるので、反射板として適し
ている。In the first and second embodiments, a SiO 2 substrate is used as the transparent substrate. However, in the third embodiment, relatively inexpensive Si is used as a substrate, and Pt is further placed thereon.
Is formed. The reflectance of Pt for green light is 69%, and Pt is PLZT.
Since it can withstand the high temperatures of the sintering process, it is suitable as a reflector.
【００９６】第３の実施の形態において、偏光板４０側
から入射した光は、くし型電極３７およびくし型電極３
８に電圧を印加してＰＬＺＴ層３６に電界をかけると、
ＰＬＺＴ層３６の電気光学効果によって偏光軸を回転さ
せながら下方（Ｓｉ基板３１に向かう方向）に進む。In the third embodiment, light incident from the polarizing plate 40 side is reflected by the comb-shaped electrode 37 and the comb-shaped electrode 3.
8 to apply an electric field to the PLZT layer 36,
The light travels downward (in the direction toward the Si substrate 31) while rotating the polarization axis by the electro-optic effect of the PLZT layer 36.
【００９７】そして、ＳｉＯ2層３５を通過して反射板
３４に達した光は、例えば緑色光ではその６９％が反射
して上方に進路を変える。その反射光はＰＬＺＴ層３６
を再び通過することで電気光学効果を受け、偏光板４０
によって回転した偏光軸分だけ強度を変調して出射され
る。The light that has passed through the SiO 2 layer 35 and reached the reflecting plate 34 is reflected, for example, by 69% of green light, and changes its course upward. The reflected light is the PLZT layer 36
Pass through the polarizing plate 40 again due to the electro-optical effect.
Then, the intensity is modulated by the amount of the rotation of the polarization axis and emitted.
【００９８】従って、ＰＬＺＴ層３６を往復すること
で、第１および第２の実施の形態に示す透過型の光シャ
ッタに比べて２倍の電気光学効果を発揮することにな
る。これにより、ＰＬＺＴ層３６の膜厚を２分の１に薄
膜化しても、透過型と同様の電気光学効果を得ることが
でき、ＰＬＺＴ層３６のプロセスを容易とすることがで
きる。また、薄膜化によって、視野角特性を向上するこ
ともできる。Therefore, by reciprocating in the PLZT layer 36, the electro-optic effect is twice as large as that of the transmission type optical shutter shown in the first and second embodiments. Thereby, even if the thickness of the PLZT layer 36 is reduced to half, the same electro-optic effect as that of the transmission type can be obtained, and the process of the PLZT layer 36 can be facilitated. Further, the viewing angle characteristics can be improved by thinning.
【００９９】なお、反射板として異なる屈折率を有する
誘電体の多層膜を用いてもよい。この場合、ＰＬＺＴ層
の高温の焼結温度に耐えられるので、精度のよい光シャ
ッタの製造が可能となる。Note that a dielectric multilayer film having a different refractive index may be used as the reflector. In this case, it is possible to withstand the high sintering temperature of the PLZT layer, so that it is possible to manufacture an optical shutter with high accuracy.
【０１００】（実施の形態４）図９は、本発明における
第４の実施の形態を示す光シャッタの断面図である。図
９（ａ）および図９（ｂ）は透過型の光シャッタの断面
図を示し、図９（ｃ）は反射型の光シャッタの断面図を
示す図である。(Embodiment 4) FIG. 9 is a sectional view of an optical shutter according to a fourth embodiment of the present invention. 9A and 9B are cross-sectional views of a transmission-type optical shutter, and FIG. 9C is a cross-sectional view of a reflection-type optical shutter.
【０１０１】第４の実施の形態では、ＰＬＺＴ層の上面
または下面、あるいは上下両面にＭｇＯ層が形成された
ものである。In the fourth embodiment, the MgO layer is formed on the upper or lower surface of the PLZT layer, or on both the upper and lower surfaces.
【０１０２】図９（ａ）に示す光シャッタの構造は、Ｓ
ｉＯ2からなる透明基板４１上にＭｇＯ層４２が形成さ
れ、ＭｇＯ層４２上にＰＬＺＴ層４３が形成され、ＰＬ
ＺＴ層４３上にくし型電極４４、４５が形成され、くし
型電極４４、４５の間、くし型電極４４、４５上および
ＰＬＺＴ層４３上にＳｉＯ2からなる絶縁膜４６が形成
され、絶縁膜４６上に偏光板４７が形成され、透明基板
４１の下に偏光板４８が形成されたものである。なお、
偏光板４７、４８は互いに偏光軸が平行である。The structure of the optical shutter shown in FIG.
An MgO layer 42 is formed on a transparent substrate 41 made of iO 2 , a PLZT layer 43 is formed on the MgO layer 42,
Comb-shaped electrodes 44 and 45 are formed on the ZT layer 43, and an insulating film 46 made of SiO 2 is formed between the comb-shaped electrodes 44 and 45, on the comb-shaped electrodes 44 and 45 and on the PLZT layer 43. A polarizing plate 47 is formed on 46, and a polarizing plate 48 is formed below the transparent substrate 41. In addition,
The polarization axes of the polarizing plates 47 and 48 are parallel to each other.
【０１０３】図９（ｂ）に示す光シャッタの構造は、Ｓ
ｉＯ2からなる透明基板４９上に第一のＭｇＯ層５０が
形成され、第一のＭｇＯ層５０上にＰＬＺＴ層５１が形
成され、ＰＬＺＴ層５１上にくし型電極５２、５３が形
成され、くし型電極５２、５３の間、くし型電極５２、
５３上およびＰＬＺＴ層５１上に第二のＭｇＯ層５４が
形成され、第二のＭｇＯ層５４上にＳｉＯ2からなる絶
縁膜５５が形成され、絶縁膜５５上に偏光板５６が形成
され、透明基板４９の下に偏光板５７が形成されたもの
である。なお、偏光板５６、５７は互いに偏光軸が平行
である。The structure of the optical shutter shown in FIG.
A first MgO layer 50 is formed on a transparent substrate 49 made of iO 2 , a PLZT layer 51 is formed on the first MgO layer 50, and comb electrodes 52 and 53 are formed on the PLZT layer 51. Between the mold electrodes 52 and 53, the comb electrodes 52,
A second MgO layer 54 is formed on 53 and the PLZT layer 51, an insulating film 55 made of SiO 2 is formed on the second MgO layer 54, a polarizing plate 56 is formed on the insulating film 55, and a transparent plate is formed. A polarizing plate 57 is formed below a substrate 49. In addition, the polarization axes of the polarizing plates 56 and 57 are parallel to each other.
【０１０４】図９（ｃ）に示す光シャッタの構造は、Ｓ
ｉあるいはＳｉＯ2からなる基板５８上にＰｔからなる
反射板５９が形成され、反射板５９上に第一のＭｇＯ層
６０が形成され、ＭｇＯ層６０上にＰＬＺＴ層６１が形
成され、ＰＬＺＴ層６１上にくし型電極６２、６３が形
成され、くし型電極６２、６３の間、くし型電極６２、
６３上およびＰＬＺＴ層６１上に第二のＭｇＯ層６４が
形成され、第二のＭｇＯ層６４上にＳｉＯ2からなる絶
縁膜６５が形成され、絶縁膜６５上に偏光板６６が形成
されたものである。The structure of the optical shutter shown in FIG.
A reflection plate 59 made of Pt is formed on a substrate 58 made of i or SiO 2, a first MgO layer 60 is formed on the reflection plate 59, a PLZT layer 61 is formed on the MgO layer 60, and a PLZT layer 61 is formed. Comb-shaped electrodes 62 and 63 are formed thereon, and between the comb-shaped electrodes 62 and 63, the comb-shaped electrodes 62 and 63 are formed.
A second MgO layer 64 is formed on 63 and the PLZT layer 61, an insulating film 65 made of SiO 2 is formed on the second MgO layer 64, and a polarizing plate 66 is formed on the insulating film 65. It is.
【０１０５】なお、くし型電極４４、４５、５２、５
３、６２、６３の電極パターンは、図１に示す形状でも
よく、または図１１のような電極パターンでもよい。The comb electrodes 44, 45, 52, 5
The electrode patterns 3, 62, and 63 may have the shape shown in FIG. 1 or may have the electrode patterns shown in FIG.
【０１０６】第４の実施の形態における光シャッタにお
ける、ＭｇＯ層４２、第一のＭｇＯ層５０、６０および
第二のＭｇＯ層５４、６４の製造方法は、例えばスパッ
タ法、ＣＶＤ法等により成膜する。ＭｇＯ層４２、第一
のＭｇＯ層５０、６０および第二のＭｇＯ層５４、６４
以外の層あるいは電極の製造方法は前述の第１〜第３の
実施の形態と同様であるので省略する。The method of manufacturing the MgO layer 42, the first MgO layers 50 and 60, and the second MgO layers 54 and 64 in the optical shutter according to the fourth embodiment is, for example, film formation by sputtering, CVD, or the like. I do. MgO layer 42, first MgO layers 50 and 60, and second MgO layers 54 and 64
The other layers and the method of manufacturing the electrodes are the same as those in the first to third embodiments, and thus will not be described.
【０１０７】第４の実施の形態において、図９（ａ）に
示す光シャッタの場合は、ＰＬＺＴ層４３の上はＳｉＯ
2からなる絶縁膜４６と界面を形成し、ＰＬＺＴ層４３
の下はＭｇＯ層４２と界面を形成する。このような多層
膜構成における絶縁膜４６から透明基板４１に進む光の
透過率Ｔを薄膜・光デバイス（東京大学出版会）の１７
頁記載の計算手法で求め、その結果を図１０に示す。In the fourth embodiment, in the case of the optical shutter shown in FIG.
An interface is formed with the insulating film 46 of PLZT layer 43.
The lower part forms an interface with the MgO layer 42. In such a multilayer structure, the transmittance T of light traveling from the insulating film 46 to the transparent substrate 41 is determined by the thin film / optical device (Tokyo University Press) 17
It is obtained by the calculation method described on the page, and the result is shown in FIG.
【０１０８】図１０（ａ）において、透明基板（ＳｉＯ
2）４１の屈折率は１．５とし、ＰＬＺＴ層４３の膜の
厚さを２．０μｍ、屈折率を２．５とし、ＭｇＯ層４２
の屈折率を１．７４としたときの透過率ＴとＭｇＯ層４
２の厚さの関係を計算し、その結果を示す。なお、図１
０（ａ）において、曲線６７は青色光（λ＝４７０ｎ
ｍ）、曲線６８は緑色光（λ＝５５０ｎｍ）、曲線６９
は赤色光（λ＝６１０ｎｍ）の計算結果を示している。In FIG. 10A, a transparent substrate (SiO
2 ) The refractive index of 41 is 1.5, the thickness of the PLZT layer 43 is 2.0 μm, the refractive index is 2.5, and the MgO layer 42 is
T and MgO layer 4 when the refractive index is 1.74
The relationship between the thicknesses of No. 2 was calculated and the results are shown. FIG.
At 0 (a), curve 67 shows blue light (λ = 470n).
m), curve 68 is green light (λ = 550 nm), curve 69
Indicates the calculation result of red light (λ = 610 nm).
【０１０９】図１０（ａ）から明らかなように、ＭｇＯ
層４２の厚さを約１００ｎｍとすることにより、各色の
透過率を８９％以上とすることができる。As is clear from FIG.
By setting the thickness of the layer 42 to about 100 nm, the transmittance of each color can be 89% or more.
【０１１０】また、図９（ｂ）に示す光シャッタのよう
にＰＬＺＴ層５１の上下をＭｇＯ層５０、５４で挟んだ
構造における透過率とＭｇＯ層５４の厚さの計算結果
を、図１０（ｂ）に示す。なお、ＭｇＯ層５４の厚さを
１００ｎｍとする。図１０（ｂ）において、曲線７０は
青色光（λ＝４７０ｎｍ）、曲線７１は緑色光（λ＝５
５０ｎｍ）、曲線７２は赤色光（λ＝６１０ｎｍ）の計
算結果である。この構造ではＭｇＯ層５４の厚さを１０
０ｎｍとすることにより、さらに図９（ａ）の構造の場
合より界面反射を低減でき、各色の透過率を９６％以上
とすることができる。FIG. 10 (b) shows the calculation results of the transmittance and the thickness of the MgO layer 54 in the structure in which the upper and lower sides of the PLZT layer 51 are sandwiched between the MgO layers 50 and 54 as in the optical shutter shown in FIG. It is shown in b). Note that the thickness of the MgO layer 54 is 100 nm. In FIG. 10B, a curve 70 is blue light (λ = 470 nm), and a curve 71 is green light (λ = 5 nm).
50 nm) and a curve 72 are calculation results of red light (λ = 610 nm). In this structure, the thickness of the MgO layer 54 is set to 10
By setting the thickness to 0 nm, interface reflection can be further reduced as compared with the case of the structure of FIG. 9A, and the transmittance of each color can be 96% or more.
【０１１１】また、図９（ｃ）に示す光シャッタのよう
に、反射型光シャッタの場合にもＭｇＯ等の中間屈折率
材料を用いることにより、明るさを高めることが可能で
ある。Also, as in the optical shutter shown in FIG. 9C, the brightness can be increased by using an intermediate refractive index material such as MgO in the case of a reflection type optical shutter.
【０１１２】なお、ＭｇＯ層の代わりに、屈折率が２．
３９のチタン酸ストロンチウムからなる中間層を用いて
もよい。[0112] Instead of the MgO layer, the refractive index is 2.
An intermediate layer made of strontium titanate 39 may be used.
【０１１３】なお、第３および第４の実施の形態では反
射板としてＰｔを用いたが、例えば硫化亜鉛（ＺｎＳ）
やクライオライト等の高屈折率および低屈折率の材料を
複数積層した誘電体反射鏡を用いても良い。In the third and fourth embodiments, Pt is used as the reflection plate. However, for example, zinc sulfide (ZnS)
A dielectric reflector in which a plurality of materials having a high refractive index and a low refractive index such as cryolite and the like are laminated may be used.
【０１１４】次に、以上第１〜第４の実施の形態の光シ
ャッタのいずれかをマトリクス状に配列し、個々の光シ
ャッタには電圧を印加するためのトランジスタを設ける
とともに、駆動回路等の周辺回路を接続して表示装置を
構成し、所望の光シャッタを動作させることにより、表
示装置に送られる映像信号を表示することができる。Next, any one of the optical shutters of the first to fourth embodiments is arranged in a matrix, and each optical shutter is provided with a transistor for applying a voltage, and a drive circuit and the like are provided. By configuring a display device by connecting peripheral circuits and operating a desired optical shutter, a video signal transmitted to the display device can be displayed.
【０１１５】[0115]
【発明の効果】本発明によれば、強誘電体の上あるいは
下に電極を配置した構造とすることにより、強誘電体成
膜プロセスを容易にでき、視野角特性を拡大できる。ま
た、互いに電極間の電解方向が９０度の角度をなすよう
にくし形の電極を２組配置するとともに、この第一およ
び第二のくし型電極の電極組における２つの電極組のく
し歯が互いに９０度の角度をなすように電極を配置する
ことで、光の出射角度の偏りを改善できる。さらに、反
射型の光シャッタとすることで、強誘電体層の薄膜化が
図られ、強誘電体成膜プロセスを容易ならしめ、視野角
特性を拡大できる。さらに、中間屈折率材料を積層する
ことで、光シャッタの明るさを向上することも可能であ
る。According to the present invention, by forming a structure in which electrodes are arranged above or below a ferroelectric substance, a ferroelectric film forming process can be facilitated and a viewing angle characteristic can be expanded. Further, two sets of comb-shaped electrodes are arranged such that the electrolysis directions between the electrodes form an angle of 90 degrees, and the comb teeth of the two electrode sets in the first and second comb-shaped electrode sets are formed. By disposing the electrodes so as to form an angle of 90 degrees with each other, it is possible to improve the deviation of the light emission angle. Further, by using a reflection type optical shutter, the ferroelectric layer can be made thinner, which facilitates the ferroelectric film formation process and expands the viewing angle characteristics. Further, by laminating an intermediate refractive index material, the brightness of the optical shutter can be improved.
【図１】本発明における第１の実施の形態の光シャッタ
の透過平面図FIG. 1 is a transmission plan view of an optical shutter according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明における第１の実施の形態の光シャッタ
の断面図FIG. 2 is a cross-sectional view of the optical shutter according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明における第１の実施の形態の光シャッタ
の電場を示す図FIG. 3 is a diagram showing an electric field of an optical shutter according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明における第１の実施の形態の光シャッタ
の印加電圧と透過率の関係を示す図FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the applied voltage and the transmittance of the optical shutter according to the first embodiment of the present invention.
【図５】本発明における第１の実施の形態の光シャッタ
の視野角特性図FIG. 5 is a view angle characteristic diagram of the optical shutter according to the first embodiment of the present invention.
【図６】本発明における第２の実施の形態の光シャッタ
の透過平面図FIG. 6 is a transmission plan view of an optical shutter according to a second embodiment of the present invention.
【図７】本発明における第２の実施の形態の光シャッタ
の断面図FIG. 7 is a sectional view of an optical shutter according to a second embodiment of the present invention.
【図８】本発明における第３の実施の形態の光シャッタ
の断面図FIG. 8 is a sectional view of an optical shutter according to a third embodiment of the present invention.
【図９】本発明における第４の実施の形態の光シャッタ
の断面図FIG. 9 is a sectional view of an optical shutter according to a fourth embodiment of the present invention.
【図１０】本発明における第４の実施の形態の光シャッ
タの透過率特性図FIG. 10 is a transmittance characteristic diagram of an optical shutter according to a fourth embodiment of the present invention.
【図１１】従来の光シャッタの平面図および断面図FIG. 11 is a plan view and a sectional view of a conventional optical shutter.
【図１２】従来の光シャッタの開口率を説明する断面図FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating an aperture ratio of a conventional optical shutter.
【図１３】従来の光シャッタの視野角特性図FIG. 13 is a view angle characteristic diagram of a conventional optical shutter.
１、１０、１７、４１、４９ 透明基板 ２、３、１２、１３、３７、３８、４４、４５、５２、
５３、６２、６３ くし型電極 ４、１１、２０、３６、４３、５１、６１ ＰＬＺＴ層 ５、１４、３９、４６、５５、６５ 絶縁膜 ６、７、１５、１６、３１、３２、４０、４７、４８、
５６、５７、６６ 偏光板 ８、６７、６８、６９、７０、７１、７２ 曲線 ９ 直線 １８、１９ くし型下部電極 ２１、２２ くし型上部電極 ２３ 第一の絶縁膜 ２４ 第一のＡＬ層 ２５ 第二のＡＬ層 ２６ 第一のコンタクトホール ２７ 第二のコンタクトホール ２８ 第三のコンタクトホール ２９ 第四のコンタクトホール ３０ 第二の絶縁膜 ３３ Ｓｉ基板 ３４、５９ 反射板 ３５ ＳｉＯ2層 ４２ ＭｇＯ層 ５０、６０ 第一のＭｇＯ層 ５４、６４ 第二のＭｇＯ層 ５８ 基板1, 10, 17, 41, 49 transparent substrates 2, 3, 12, 13, 37, 38, 44, 45, 52,
53, 62, 63 Comb-shaped electrodes 4, 11, 20, 36, 43, 51, 61 PLZT layers 5, 14, 39, 46, 55, 65 Insulating films 6, 7, 15, 16, 31, 32, 40, 47, 48,
56, 57, 66 Polarizer 8, 67, 68, 69, 70, 71, 72 Curve 9 Straight line 18, 19 Comb-type lower electrode 21, 22 Comb-type upper electrode 23 First insulating film 24 First AL layer 25 Second AL layer 26 First contact hole 27 Second contact hole 28 Third contact hole 29 Fourth contact hole 30 Second insulating film 33 Si substrate 34, 59 Reflector 35 SiO 2 layer 42 MgO layer 50, 60 First MgO layer 54, 64 Second MgO layer 58 Substrate
Claims (22)
た強誘電体と、前記強誘電体上に設けられた第一の電極
および第二の電極とからなり、前記第一の電極と前記第
二の電極が少なくとも２組の平行な直線状の電極をな
し、前記平行な直線状の電極がそれぞれ直交する方向に
配置されている光シャッタ。1. A ferroelectric material provided on a transparent or light-reflective substrate, and a first electrode and a second electrode provided on the ferroelectric material, wherein the first electrode and the second electrode An optical shutter in which a second electrode forms at least two sets of parallel linear electrodes, and the parallel linear electrodes are respectively arranged in orthogonal directions.
た第一の電極および第二の電極と、前記第一の電極と前
記第二の電極の上と前記基板上に設けられた強誘電体と
からなり、前記第一の電極と前記第二の電極が少なくと
も２組の平行な直線状の電極をなし、前記平行な直線状
の電極がそれぞれ直交する方向に配置されている光シャ
ッタ。2. A first electrode and a second electrode provided on a transparent or light-reflective substrate, and a ferroelectric provided on the first electrode and the second electrode and on the substrate. An optical shutter comprising a body, wherein the first electrode and the second electrode form at least two sets of parallel linear electrodes, and the parallel linear electrodes are arranged in orthogonal directions.
た強誘電体と、前記強誘電体上に設けられた第一の電極
および第二の電極とからなり、前記第一の電極および前
記第二の電極がくし型の形状であるとともに、前記第一
の電極のくし歯と前記第二の電極のくし歯が互いに前記
くし歯の間に位置して対向した電極組が２つ以上設けら
れ、少なくとも２つの前記電極組のくし歯の方向が互い
に９０度の角度をなしている光シャッタ。3. A ferroelectric substance provided on a transparent or light-reflective substrate, and a first electrode and a second electrode provided on the ferroelectric substance, wherein the first electrode and the second electrode The second electrode has a comb shape, and two or more electrode sets are provided in which the comb teeth of the first electrode and the comb teeth of the second electrode are located between the comb teeth and face each other. An optical shutter in which the directions of the comb teeth of at least two of the electrode sets form an angle of 90 degrees with each other.
た第一の電極および第二の電極と、前記第一の電極と前
記第二の電極の上と前記基板上に設けられた強誘電体と
からなり、前記第一の電極および前記第二の電極がくし
型の形状であるとともに、前記第一の電極のくし歯と前
記第二の電極のくし歯が互いに前記くし歯の間に位置し
て対向した電極組が２つ以上設けられ、少なくとも２つ
の前記電極組のくし歯の方向が互いに９０度の角度をな
している光シャッタ。4. A first electrode and a second electrode provided on a transparent or light-reflecting substrate, and a ferroelectric provided on the first electrode and the second electrode and on the substrate. The first electrode and the second electrode have a comb shape, and the comb teeth of the first electrode and the comb electrodes of the second electrode are located between the comb teeth. An optical shutter in which two or more electrode sets facing each other are provided, and the direction of the comb teeth of at least two of the electrode sets forms an angle of 90 degrees with each other.
域におけるくし歯の面積比が同じであることを特徴とす
る請求項３または４に記載の光シャッタ。5. The optical shutter according to claim 3, wherein the area ratio of the comb teeth in the regions of the two electrode sets having an angle of 90 degrees is the same.
た第一の電極と第二の電極と、前記第一の電極、前記第
二の電極および前記基板の上に設けられた強誘電体と、
前記強誘電体の上に設けられた第三の電極と第四の電極
とからなり、前記第一の電極と第三の電極とが電気的に
接続され、前記第二の電極と第四の電極とが電気的に接
続されている光シャッタ。6. A first electrode and a second electrode provided on a transparent or light-reflecting substrate, and a ferroelectric substance provided on the first electrode, the second electrode, and the substrate. When,
It comprises a third electrode and a fourth electrode provided on the ferroelectric, the first electrode and the third electrode are electrically connected, and the second electrode and the fourth electrode An optical shutter whose electrodes are electrically connected.
た第一の電極と第二の電極と、前記第一の電極、前記第
二の電極および前記基板の上に設けられた強誘電体と、
前記強誘電体の上に設けられた第三の電極と第四の電極
とからなり、前記第一の電極と前記第二の電極および前
記第三の電極と前記第四の電極が、それぞれ少なくとも
２組の平行な直線状の電極をなし、前記平行な直線状の
電極がそれぞれ直交する方向に配置されているととも
に、前記第一の電極と前記第三の電極とが電気的に接続
され、前記第二の電極と前記第四の電極とが電気的に接
続されている光シャッタ。7. A first electrode and a second electrode provided on a transparent or light-reflecting substrate, and a ferroelectric substance provided on the first electrode, the second electrode, and the substrate. When,
Consisting of a third electrode and a fourth electrode provided on the ferroelectric, the first electrode, the second electrode, the third electrode and the fourth electrode, respectively, at least Forming two sets of parallel linear electrodes, the parallel linear electrodes are respectively arranged in orthogonal directions, and the first electrode and the third electrode are electrically connected, An optical shutter in which the second electrode and the fourth electrode are electrically connected.
た第一の電極と第二の電極と、前記第一の電極、前記第
二の電極および前記基板の上に設けられた強誘電体と、
前記強誘電体の上に設けられた第三の電極と第四の電極
とからなり、前記第一の電極、前記第二の電極、前記第
三の電極および前記第四の電極がくし型の形状であると
ともに、前記第一の電極のくし歯と前記第二の電極のく
し歯が互いに前記くし歯の間に位置して対向した第１の
電極組が２つ以上設けられ、少なくとも２つの前記第１
の電極組のくし歯の方向が互いに９０度の角度をなし、
前記第三の電極のくし歯と前記第四の電極のくし歯が互
いに前記くし歯の間に位置して対向した第２の電極組が
２つ以上設けられ、少なくとも２つの前記第２の電極組
のくし歯の方向が互いに９０度の角度をなし、前記第一
の電極と前記第三の電極とが電気的に接続され、前記第
二の電極と前記第四の電極とが電気的に接続されている
光シャッタ。8. A first electrode and a second electrode provided on a transparent or light-reflecting substrate, and a ferroelectric substance provided on the first electrode, the second electrode, and the substrate. When,
Consisting of a third electrode and a fourth electrode provided on the ferroelectric, wherein the first electrode, the second electrode, the third electrode and the fourth electrode have a comb shape. In addition, two or more first electrode sets in which the comb teeth of the first electrode and the comb teeth of the second electrode are located between the comb teeth are provided, and at least two of the first electrode sets are provided. First
The directions of the comb teeth of the electrode set form an angle of 90 degrees with each other,
Two or more second electrode sets are provided in which the comb teeth of the third electrode and the comb teeth of the fourth electrode are located between the comb teeth and opposed to each other, and at least two of the second electrodes The directions of the set of comb teeth form an angle of 90 degrees with each other, the first electrode and the third electrode are electrically connected, and the second electrode and the fourth electrode are electrically connected. Optical shutter connected.
が同じであるとともに、強誘電体を挟んで互いに垂直方
向に平行であり、第二の電極と第四の電極の電極パター
ンが同じであるとともに強誘電体を挟んで互いに垂直方
向に平行である請求項６ないし８のいずれかに記載の光
シャッタ。9. An electrode pattern of a first electrode and a third electrode are the same, and are vertically parallel to each other with a ferroelectric substance interposed therebetween, and an electrode pattern of a second electrode and a fourth electrode is 9. The optical shutter according to claim 6, which is the same and is parallel to each other in a direction perpendicular to each other with a ferroelectric material interposed therebetween.
ることを特徴とする透過型の請求項１ないし請求項９の
いずれかに記載の光シャッタ。10. The optical shutter according to claim 1, wherein the light transmittance of the transparent substrate is 80% or more.
上であることを特徴とする反射型の請求項１ないし請求
項９のいずれかに記載の光シャッタ。11. The optical shutter according to claim 1, wherein a light reflectance of the substrate that reflects light is 60% or more.
と、前記第一の絶縁膜上に設けられた強誘電体と、前記
強誘電体の上または下に設けられた第一の電極および第
二の電極と、前記基板に対して光入射側および光出射側
に設けられた偏光板とからなり、前記第一の絶縁膜の屈
折率が前記基板の屈折率および前記強誘電体の屈折率の
間であることを特徴とする透過型の光シャッタ。12. A first insulating film provided on a transparent substrate, a ferroelectric material provided on the first insulating film, and a first insulating film provided on or below the ferroelectric material. An electrode and a second electrode, and a polarizing plate provided on a light incident side and a light emitting side with respect to the substrate, wherein the refractive index of the first insulating film is the refractive index of the substrate and the ferroelectric A transmissive optical shutter characterized by a refractive index of
前記強誘電体上に設けられた第一の絶縁膜と、前記第一
の絶縁膜上に設けられた第三の絶縁膜と、前記強誘電体
の上または下に設けられた第一の電極および第二の電極
と、前記基板に対して光入射側および光出射側に設けら
れた偏光板とからなり、前記第一の絶縁膜の屈折率が前
記第三の絶縁膜の屈折率および前記強誘電体の屈折率の
間であることを特徴とする透過型の光シャッタ。13. A ferroelectric substance provided on a transparent substrate,
A first insulating film provided on the ferroelectric, a third insulating film provided on the first insulating film, and a first electrode provided on or below the ferroelectric And a second electrode, comprising a polarizing plate provided on the light incident side and light emission side with respect to the substrate, the refractive index of the first insulating film is the refractive index of the third insulating film and the A transmission type optical shutter characterized by having a refractive index between ferroelectrics.
と、前記第一の絶縁膜上に設けられた強誘電体と、前記
強誘電体上に設けられた第二の絶縁膜と、前記第二の絶
縁膜上に設けられた第三の絶縁膜と、前記強誘電体の上
または下に設けられた第一の電極および第二の電極と、
前記基板に対して光入射側および光出射側に設けられた
偏光板とからなり、前記第一の絶縁膜の屈折率が前記基
板の屈折率および前記強誘電体の屈折率の間であるとと
もに、前記第二の絶縁膜の屈折率が前記強誘電体の屈折
率と前記第三の絶縁膜の屈折率の間であることを特徴と
する透過型の光シャッタ。14. A first insulating film provided on a transparent substrate, a ferroelectric material provided on the first insulating film, and a second insulating film provided on the ferroelectric material. A third insulating film provided on the second insulating film, and a first electrode and a second electrode provided above or below the ferroelectric,
A polarizing plate provided on a light incident side and a light emitting side with respect to the substrate, wherein a refractive index of the first insulating film is between a refractive index of the substrate and a refractive index of the ferroelectric. A transmission type optical shutter, wherein a refractive index of the second insulating film is between a refractive index of the ferroelectric and a refractive index of the third insulating film.
の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜上に設けられた強誘電体
と、前記強誘電体の上または下に設けられた第一の電極
および第二の電極と、前記基板に対し光入射側に設けら
れた偏光板とからなるとともに、前記第一の絶縁膜の屈
折率が前記強誘電体の屈折率以下であることを特徴とす
る反射型の光シャッタ。15. A first insulating film provided on a substrate that reflects light, a ferroelectric material provided on the first insulating film, and a ferroelectric material provided on or below the ferroelectric material. A first electrode and a second electrode, and a polarizing plate provided on the light incident side with respect to the substrate, and a refractive index of the first insulating film is equal to or less than a refractive index of the ferroelectric. A reflective optical shutter.
電体と、前記強誘電体上に設けられた第一の絶縁膜と、
前記第一の絶縁膜上に設けられた第三の絶縁膜と、前記
強誘電体の上または下に設けられた第一の電極および第
二の電極と、前記基板に対して光入射側に設けられた偏
光板とからなるとともに、前記第一の絶縁膜の屈折率が
前記第三の絶縁膜の屈折率および前記強誘電体の屈折率
の間であることを特徴とする反射型の光シャッタ。16. A ferroelectric substance provided on a substrate that reflects light, a first insulating film provided on the ferroelectric substance,
A third insulating film provided on the first insulating film, a first electrode and a second electrode provided above or below the ferroelectric, and on a light incident side with respect to the substrate. A reflection type light comprising a polarizing plate provided, wherein the refractive index of the first insulating film is between the refractive index of the third insulating film and the refractive index of the ferroelectric. Shutter.
の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜上に設けられた強誘電体
と、前記強誘電体上に設けられた第二の絶縁膜と、前記
第二の絶縁膜上に設けられた第三の絶縁膜と、前記強誘
電体の上または下に設けられた第一の電極および第二の
電極と、前記基板に対して光入射側に設けられた偏光板
とからなり、前記第一の絶縁膜の屈折率が前記強誘電体
の屈折率以下であるとともに、前記第二の絶縁膜の屈折
率が前記強誘電体の屈折率と前記第三の絶縁膜の屈折率
の間であることを特徴とする反射型の光シャッタ。17. A first insulating film provided on a substrate that reflects light, a ferroelectric material provided on the first insulating film, and a second insulating material provided on the ferroelectric material. An insulating film, a third insulating film provided on the second insulating film, a first electrode and a second electrode provided above or below the ferroelectric, and A polarizing plate provided on the light incident side, wherein the refractive index of the first insulating film is equal to or less than the refractive index of the ferroelectric, and the refractive index of the second insulating film is the refractive index of the ferroelectric. A reflective optical shutter characterized by being between a refractive index and a refractive index of the third insulating film.
化マグネシウムあるいはチタン酸ストロンチウムである
ことを特徴とする請求項１２ないし１７のいずれかに記
載の光シャッタ。18. The optical shutter according to claim 12, wherein the first insulating film and the second insulating film are made of magnesium oxide or strontium titanate.
徴とする請求項１５ないし１７のいずれかに記載の光シ
ャッタ。19. The optical shutter according to claim 15, wherein a reflection plate is provided on the substrate.
請求項１９記載の光シャッタ。20. The optical shutter according to claim 19, wherein the reflection plate is made of platinum.
体の多層膜であることを特徴とする請求項１９記載の光
シャッタ。21. The optical shutter according to claim 19, wherein the reflection plate is a dielectric multilayer film having different refractive indexes.
の光シャッタと、前記光シャッタを構成する第一の電極
および第二の電極への電圧印加装置をマトリクス状に配
置していることを特徴とする表示装置。22. The optical shutter according to claim 1, wherein a device for applying a voltage to a first electrode and a second electrode constituting the optical shutter is arranged in a matrix. Characteristic display device.
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