JP2001337208A - Rough body, reflecting plate, reflective liquid crystal display device, method for producing the same and apparatus therefor - Google Patents

Rough body, reflecting plate, reflective liquid crystal display device, method for producing the same and apparatus therefor

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JP2001337208A
JP2001337208A JP2001039598A JP2001039598A JP2001337208A JP 2001337208 A JP2001337208 A JP 2001337208A JP 2001039598 A JP2001039598 A JP 2001039598A JP 2001039598 A JP2001039598 A JP 2001039598A JP 2001337208 A JP2001337208 A JP 2001337208A
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JP
Japan
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light
uneven
exposure
substrate
photosensitive polymer
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Application number
JP2001039598A
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Japanese (ja)
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Seiji Nishiyama
誠司 西山
Hiroshi Kubota
浩史 久保田
Hisahide Wakita
尚英 脇田
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a rough body capable of easily producing a rough structure, a reflecting plate, a lens, a method for producing the same and an apparatus therefor. SOLUTION: A reflecting layer having a rough structure is formed on a substrate by subjecting a negative type resist to back exposure. When the resist is converted to an absorption type resist by adding a dye, a rough structure having an inclined plane is formed by only one layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、周囲光を利用する
ことにより、低消費電力で、なおかつ、明るく良好な画
像表示を実現することが可能な散乱反射板等の凹凸構造
を有する凹凸形状体、及び散乱反射板を備えた反射型液
晶表示素子、並びにその製造方法、製造装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a concavo-convex shaped body having a concavo-convex structure such as a scattering reflector capable of realizing a bright and good image display with low power consumption by utilizing ambient light. And a reflection type liquid crystal display device provided with a scattering reflection plate, and a manufacturing method and a manufacturing apparatus thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】モバイル端末等の急速な普及に伴い、反
射型液晶パネルが注目されている。反射型液晶パネルは
外光を反射して表示を行なうため、屋外等の外光が強い
環境では充分な表示性能が得られるが、暗い屋内や夜間
では視認性が極端に低下する。
2. Description of the Related Art With the rapid spread of mobile terminals and the like, reflective liquid crystal panels have been receiving attention. The reflective liquid crystal panel reflects external light to perform display, so that sufficient display performance can be obtained in an environment where external light is strong, such as outdoors, but visibility deteriorates extremely in dark indoors or at night.

【0003】そのためには、反射型液晶パネルにおい
て、周辺から入射した光を観察者の方向に集中的に反射
させるような散乱反射板を用いることにより観察者方向
の反射率を向上することが望ましい。その実現手段とし
て、画素電極に複数の凹凸構造を形成する手法が開示さ
れている(特開平5−281533号公報)。このと
き、凹凸構造は、感光性高分子膜の塗布と露光、及び現
像処理を行った後、熱アニール処理を施すプロセスを繰
り返すことで複数層から成る凹凸構造が形成されてい
た。
[0003] For this purpose, it is desirable to improve the reflectance in the observer direction by using a scattering reflector that reflects light incident from the periphery in the direction of the observer in the reflective liquid crystal panel. . As a means for achieving this, a method of forming a plurality of uneven structures on a pixel electrode has been disclosed (Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-281533). At this time, the uneven structure composed of a plurality of layers was formed by repeating the process of applying, exposing, and developing the photosensitive polymer film, and then performing the thermal annealing process.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】パネルの観察者方向の
反射率は反射層の凹凸形状で決定される。このとき、理
想的な反射特性では正面から極角30°までの範囲で高
い輝度を保つことが必要となる。
The reflectance of the panel in the observer direction is determined by the unevenness of the reflective layer. At this time, it is necessary to maintain a high luminance in a range from the front to a polar angle of 30 ° with ideal reflection characteristics.

【0005】理想的な反射率特性を実現するには、凹凸
形状の凸部の傾斜面が略三角形状のように急峻にする必
要がある。しかし、凹凸形状の傾斜面を略三角形状に容
易に形成する手法はこれまで得られていなかった。ま
た、従来は凹凸形状を形成するために感光性高分子膜の
塗布と露光、及び現像と熱アニール処理を施すプロセス
を繰り返す手法が取られており、プロセスが複雑で生産
性に課題があった。なお、このような散乱反射板の課題
は、レンズ等の凹凸構造を有する凹凸構造体において
も、同様である。
[0005] In order to realize ideal reflectance characteristics, it is necessary to make the inclined surface of the convex portion of the uneven shape as steep as a substantially triangular shape. However, a technique for easily forming the uneven inclined surface into a substantially triangular shape has not been obtained so far. Further, conventionally, a method of repeating a process of applying and exposing a photosensitive polymer film, and a process of developing and thermally annealing to form a concave-convex shape has been adopted, and the process was complicated and there was a problem in productivity. . In addition, the problem of such a scattering reflector is the same also in the uneven structure having an uneven structure such as a lens.

【0006】本発明の目的は、上記課題を解決し、凹凸
構造を容易に製造することが可能な凹凸形状体、反射板
及びレンズ、並びにその製造方法、製造装置を提供する
ことである。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide a concave-convex-shaped body, a reflector and a lens, and a method and a device for producing the same, which can easily produce a concave-convex structure.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、基板上に凹凸構造部を有する凹凸形状体
において、前記凹凸構造部が、光吸収性物質を含む感光
性高分子を含むことを特徴とする。若しくは、凹凸構造
部が、光散乱性物質を含む感光性高分子を含むことを特
徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides an uneven body having an uneven structure on a substrate, wherein the uneven structure comprises a photosensitive polymer containing a light-absorbing substance. It is characterized by including. Alternatively, the uneven structure portion includes a photosensitive polymer including a light-scattering substance.

【0008】光吸収性物質や光散乱性物質を含む感光性
高分子を使用し、裏面露光及び現像処理を行うことによ
り、所定の傾斜角度を有する凹凸構造が得られることに
なる。なお、本発明は、凹凸構造部を有する凹凸形状
体、散乱反射板、レンズ、更には、散乱反射板を用いた
液晶表示素子等にも適用することができる。
By using a photosensitive polymer containing a light-absorbing substance or a light-scattering substance and performing backside exposure and development processing, a concavo-convex structure having a predetermined inclination angle can be obtained. Note that the present invention can be applied to an uneven body having an uneven structure, a scattering reflector, a lens, and a liquid crystal display element using the scattering reflector.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明群の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。本実施の形態によって本
発明群が限定されるものではない。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The present invention is not limited by the present embodiment.

【0010】本発明群は、基板上に凹凸構造部を有する
凹凸形状体の発明であって、光吸収性物質を含む感光性
高分子を裏面露光処理と現像処理とを行うことにより、
前記凹凸構造部の凹凸形状を形成することを主たる特徴
とするものである。本発明群の具体例として、以下に実
施の形態1〜2−9を例示して、本発明群の内容を説明
する。なお、以下の実施の形態では、凹凸形状体の一例
として液晶表示素子の反射板について説明することにす
る。
[0010] The present invention is an invention of a concavo-convex shaped body having a concavo-convex structure portion on a substrate, wherein a photosensitive polymer containing a light-absorbing substance is subjected to a backside exposure treatment and a development treatment.
The main feature is to form an uneven shape of the uneven structure portion. Embodiments 1 to 2-9 will be described below as specific examples of the present invention group, and the contents of the present invention group will be described. In the following embodiments, a reflector of a liquid crystal display element will be described as an example of the uneven body.

【0011】(実施の形態1)図1は実施の形態1の液
晶表示素子の断面図である。本実施の形態では、アレイ
基板200上に画素スイッチング素子としてのTFT素
子202が形成されており、その上に平坦化層201が
積層されている。本実施の形態の特徴は、平坦化層20
1の上に感光性高分子203の1層から成る凹凸構造が
形成されていることである。このとき、感光性高分子2
03としてはネガ型を用いるとともにネガ型の感光性高
分子(以下、レジスト)には色素等の光吸収物質が含有
されていることが望ましい。色素が含有されているレジ
ストは、図2に示すように層厚方向で光が吸収されるた
め、膜厚に応じて透過率が変化する。このため、露光時
には層の照射側は露光量が多く、反対側に行くにつれて
露光量が減少する。ネガ型レジストは露光部が残膜する
ため、裏面から露光すると、図3に示すように基板側ほ
ど残膜性が高まり、現像処理により上に凸な傾斜面を有
する凹凸構造が形成される。
(First Embodiment) FIG. 1 is a sectional view of a liquid crystal display device according to a first embodiment. In this embodiment mode, a TFT element 202 as a pixel switching element is formed on an array substrate 200, and a flattening layer 201 is stacked thereon. The feature of this embodiment is that the planarizing layer 20
1 is that an uneven structure composed of a single layer of the photosensitive polymer 203 is formed on the first polymer. At this time, the photosensitive polymer 2
It is preferable that a negative type be used as 03 and that the negative type photosensitive polymer (hereinafter referred to as a resist) contains a light absorbing substance such as a dye. A resist containing a dye absorbs light in the layer thickness direction as shown in FIG. 2, so that the transmittance changes according to the film thickness. For this reason, at the time of exposure, the amount of exposure is large on the irradiation side of the layer, and the amount of exposure decreases toward the opposite side. Since the exposed portion of the negative resist remains, when exposed from the back surface, the residual film property increases toward the substrate side as shown in FIG. 3, and an uneven structure having an upwardly inclined surface is formed by the development process.

【0012】従来は、レジストを2層以上積層して凹凸
構造を形成していたが、上記手法を用いることで、レジ
スト1層のみで傾斜面を有する凹凸構造が容易に形成さ
れる。
Conventionally, two or more resist layers are laminated to form an uneven structure. However, by using the above method, an uneven structure having an inclined surface can be easily formed with only one resist layer.

【0013】このようにして形成した凹凸構造の上に金
属など導電性材料を用いて反射層204を積層して反射
電極とする。反射電極は、平坦化層201に開口したコ
ンタクトホール210を介してTFT素子202と接続
されており、このTFT素子によって画像信号が反射電
極に供給される。そして反射電極と、対向基板207上
に形成された対向電極(図示せず)との間にはさまれた
液晶205の光学特性が画像信号に応じて制御される。
液晶層205の光学特性の変化は、対向基板の外部に配
置された偏光板209と位相差板208によって透過率
の変化に変換されて画像が表示される。なお、本実施形
態ではTFT素子を用いるアクティブマトリックス方式
を例にとったが、TFTを用いない単純マトリックス方
式でもこのような反射電極が適用できることは言うまで
もない。ここで説明した反射電極の役割と液晶表示素子
の動作は、以降の実施形態でも同様である。
The reflective layer 204 is laminated on the thus formed uneven structure using a conductive material such as a metal to form a reflective electrode. The reflective electrode is connected to the TFT element 202 via a contact hole 210 opened in the flattening layer 201, and an image signal is supplied to the reflective electrode by the TFT element. Then, the optical characteristics of the liquid crystal 205 sandwiched between the reflective electrode and a counter electrode (not shown) formed on the counter substrate 207 are controlled according to the image signal.
The change in the optical characteristics of the liquid crystal layer 205 is converted into a change in transmittance by the polarizing plate 209 and the phase difference plate 208 disposed outside the counter substrate, and an image is displayed. In the present embodiment, an active matrix system using a TFT element is taken as an example, but it goes without saying that such a reflective electrode can be applied to a simple matrix system using no TFT. The role of the reflective electrode and the operation of the liquid crystal display element described here are the same in the following embodiments.

【0014】[基板上の凹凸構造部の製造方法]先ず、
凹凸構造部の製造方法の原理を説明し、その後に具体的
な製造方法を説明することにする。
[Method of Manufacturing Concavo-convex Structure on Substrate]
The principle of the method of manufacturing the uneven structure will be described, and then a specific manufacturing method will be described.

【0015】(1)凹凸構造部の製造方法の原理 図3は本実施の形態における凹凸構造部の製造方法を示
す原理図である。図3(a)に示すように、基板200
上にネガ型の感光性高分子203を塗布した後、マスク
213を用いて基板裏面から紫外線214で露光するこ
とで、凸部215(図3(b)参照)を形成する。この
とき、感光性高分子203が色素を含有すると、紫外線
214が層厚方向で吸収され、現像時のエッチングレー
トが層厚方向で異なる。このため現像後に傾斜面を有す
る凹凸構造が形成される。このように層厚方向にエッチ
ングレートを異ならしめることで、現像後の凹凸構造に
傾斜面を形成することが可能となる。このため1層構成
で凹凸構造が形成される。また裏面露光を用いることで
上に凸の構成が得られる。このときのエッチングレート
は、層厚と色素の含有量で決まり凹凸構造の傾斜角に応
じて任意に設定できる。また、層厚が厚く、色素での吸
収が大きいほど、エッチングレートの層変化が大きく凸
部は上に急峻となる。
(1) Principle of Manufacturing Method for Concavo-convex Structure FIG. 3 is a principle diagram showing a method for manufacturing a concavo-convex structure in the present embodiment. As shown in FIG.
After the negative photosensitive polymer 203 is applied thereon, the convex portion 215 (see FIG. 3B) is formed by exposing the substrate back surface with ultraviolet rays 214 using a mask 213. At this time, if the photosensitive polymer 203 contains a dye, the ultraviolet rays 214 are absorbed in the layer thickness direction, and the etching rate during development differs in the layer thickness direction. Therefore, an uneven structure having an inclined surface is formed after the development. By making the etching rate different in the layer thickness direction in this way, it becomes possible to form an inclined surface in the uneven structure after development. Therefore, an uneven structure is formed with a one-layer structure. By using the backside exposure, an upwardly convex structure can be obtained. The etching rate at this time is determined by the layer thickness and the content of the dye, and can be arbitrarily set according to the inclination angle of the uneven structure. Also, the greater the layer thickness and the greater the absorption by the dye, the greater the layer change in the etching rate and the sharper the projections.

【0016】(2)凹凸構造部の製造方法の具体例 上記原理に基づき本実施の形態での具体的な凹凸構造部
の製造方法を説明する。アレイ基板200上にネガ型の
感光性高分子203(OMR−83、東京応化工業製)
を膜厚2μmで塗布した。このとき、感光性高分子20
3には色素を含有させ、膜厚2μmの場合に波長405
nmの光吸収率を80%となるようにした。
(2) Specific Example of Manufacturing Method for Concavo-convex Structure A specific method for manufacturing the concavo-convex structure in the present embodiment will be described based on the above principle. On the array substrate 200, a negative photosensitive polymer 203 (OMR-83, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
Was applied at a film thickness of 2 μm. At this time, the photosensitive polymer 20
No. 3 contains a dye and has a wavelength of 405 when the film thickness is 2 μm.
The light absorption in nm was set to 80%.

【0017】次に開口部として直径10μmの円形が多
数並んだマスクを用いて、波長405nmの紫外線を用
いて基板裏面からプロジェクション露光した後、OMR
現像液とリンス液(共に東京応化工業製)で現像処理を
行った。
Next, using a mask in which a large number of circles each having a diameter of 10 μm are arranged as openings, projection exposure is performed from the back surface of the substrate using ultraviolet light having a wavelength of 405 nm.
Development processing was performed with a developer and a rinse solution (both manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.).

【0018】基板をレーザー顕微鏡で観察したところ表
面に、平均傾斜角10°のなだらかな凹凸構造部が形成
されていた。色素含有率により膜厚2μmのときの光吸
収率を変えて同様の処理を行い凹凸構造の平均傾斜角を
測定した結果を図4に示す。光吸収率が増加するに従
い、平均傾斜角は指数関数的に増大した。これは層厚方
向のエッチングレートが光吸収率に相関するためであ
る。光吸収率が50%以下ではエッチングレートの差が
小さいため平均傾斜角も1〜2°程度と小さく反射特性
も鏡面状で良好な反射表示が得られなかった。
When the substrate was observed with a laser microscope, it was found that a smooth uneven structure having an average inclination angle of 10 ° was formed on the surface. FIG. 4 shows the result of measuring the average inclination angle of the concavo-convex structure by performing the same treatment by changing the light absorption rate when the film thickness is 2 μm according to the dye content. As the light absorptivity increased, the average tilt angle increased exponentially. This is because the etching rate in the layer thickness direction correlates with the light absorption rate. When the light absorptance is 50% or less, the difference in etching rate is small, so that the average inclination angle is as small as about 1 to 2 °, and the reflection characteristics are mirror-like, so that good reflection display cannot be obtained.

【0019】光吸収率50%以上で平均傾斜角は3°以
上となり、散乱性能が生じ始めた。良好な反射表示が得
られる平均傾斜角8°〜15°は光吸収率70%以上で
得られた。なお、光吸収率が大きすぎると露光時間が長
くなるので、生産性の観点から光吸収率は95%を超え
ないことが望ましい。
When the light absorption rate was 50% or more, the average inclination angle became 3 ° or more, and scattering performance began to occur. The average tilt angle of 8 ° to 15 ° at which a good reflection display was obtained was obtained at a light absorption rate of 70% or more. Note that if the light absorption is too large, the exposure time will be long. Therefore, it is desirable that the light absorption not exceed 95% from the viewpoint of productivity.

【0020】従来は、レジストを2層以上積層して凹凸
構造を形成していたが、上記手法を用いることで、レジ
スト1層のみで傾斜面を有する凹凸構造が容易に形成さ
れた。
Conventionally, two or more resist layers are laminated to form an uneven structure. However, by using the above-described method, an uneven structure having an inclined surface can be easily formed using only one resist layer.

【0021】感光性高分子はネガ型であれば、上記例に
よらない。また。膜厚と色素含有量は、光吸収率を指標
にして任意に設定することができるが、実用上、膜厚は
1μm以上、5μm以下が望ましい。膜厚が1μm以下
では現像で剥離する可能性があり、膜厚が5μm以上は
現像時に層上面が削れて凹凸構造の形状が不安定になり
生産性に課題がある。レジストは上記例以外に任意のネ
ガ型レジストを用いても良い。
If the photosensitive polymer is of a negative type, the above-mentioned example is not applied. Also. The film thickness and the dye content can be arbitrarily set using the light absorptivity as an index, but in practice, the film thickness is desirably 1 μm or more and 5 μm or less. When the film thickness is 1 μm or less, there is a possibility that the layer is peeled off by development, and when the film thickness is 5 μm or more, the upper surface of the layer is shaved at the time of development, and the shape of the uneven structure becomes unstable. Any negative resist other than the above examples may be used as the resist.

【0022】(実施の形態2)本実施の形態2は、図1
と同様の構成において、感光性高分子203が、現像後
の熱アニールで凹凸構造の形状がほぼ変化しないネガ型
レジストで構成されていることを特徴とする。実施の形
態1と同様の手法で凹凸構造を形成した場合、レジスト
の残膜性が層厚方向で変化するため、上に凸な傾斜面を
有する凹凸構造が形成される。レジストで形成されたこ
の凹凸構造が熱で形状変化しない構成とすることで、パ
ネル作成時の配向膜やシール硬化等の高温プロセス時に
おいても凹凸構造が変形せず良好な反射特性が得られる
効果がある。
(Embodiment 2) The present embodiment 2 is different from FIG.
Is characterized in that the photosensitive polymer 203 is made of a negative resist in which the shape of the concavo-convex structure does not substantially change by thermal annealing after development. When the concavo-convex structure is formed in the same manner as in Embodiment 1, the residual film property of the resist changes in the layer thickness direction, so that a concavo-convex structure having an upwardly inclined surface is formed. By adopting a configuration in which this uneven structure formed of resist does not change its shape due to heat, the effect that the uneven structure is not deformed even during a high-temperature process such as alignment film or seal hardening at the time of panel production and good reflection characteristics can be obtained. There is.

【0023】従来は熱アニール処理で上層のレジストを
溶かして傾斜面を形成しており、形状制御が困難であっ
た。本構成を用いると熱処理工程が不要で、かつ凹凸形
状の制御性が増し生産性が大幅に向上する。また、熱処
理が不要なため基板にはガラスより耐熱性が低いプラス
チック基板等を用いることができる。
Conventionally, an inclined surface is formed by dissolving an upper layer resist by a thermal annealing treatment, and it has been difficult to control the shape. When this configuration is used, a heat treatment step is not required, and the controllability of the uneven shape is increased, so that the productivity is greatly improved. Since heat treatment is unnecessary, a plastic substrate having lower heat resistance than glass can be used as the substrate.

【0024】[基板上の凹凸構造部の製造方法]本実施
の形態における製造方法は、基本的には実施の形態1と
同様である。但し、感光性高分子203を、現像後の熱
アニールで凹凸構造の形状がほぼ変化しないネガ型レジ
スト(OMR−85、東京応化工業製)を使用した点
が、実施の形態1と異なる。
[Manufacturing Method of Concavo-convex Structure on Substrate] The manufacturing method in this embodiment is basically the same as that in the first embodiment. However, this embodiment differs from the first embodiment in that the photosensitive polymer 203 is a negative resist (OMR-85, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) whose shape of the concavo-convex structure is not substantially changed by thermal annealing after development.

【0025】このようなネガ型レジストを用いて、実施
の形態1と同様の方法で基板を作製した。そして、作製
された基板にパネル作製時の熱処理工程に相当する20
0℃/30分(配向膜硬化)、及び160℃/120分
(シール硬化)のアニール処理を施して凹凸構造の形状
変化をレーザー顕微鏡で観察した。その結果、アニール
前後での平均傾斜角の変化は、アニール前10.5°に
対しアニール後9.4°と1°程度と非常に小さく、変
化は10%以下であった。また、反射特性もほぼ同様な
ものが得られた。
Using such a negative resist, a substrate was manufactured in the same manner as in the first embodiment. Then, the prepared substrate is subjected to a heat treatment step of 20 for panel production.
Annealing treatment was performed at 0 ° C./30 minutes (curing of the alignment film) and at 160 ° C./120 minutes (curing of the seal), and the shape change of the concavo-convex structure was observed with a laser microscope. As a result, the change in the average inclination angle before and after annealing was as small as about 1 °, 9.4 ° after annealing, compared with 10.5 ° before annealing, and the change was 10% or less. In addition, almost the same reflection characteristics were obtained.

【0026】アニール前後の平均傾斜角の変化が20%
以下であれば傾斜角分布のバラツキを考慮に入れても
2"以下の小型パネルに使用できるレベルとなる。ま
た、10%以下であれば中型以上のパネル(3"以上)
に応用することが可能である。
Change in average tilt angle before and after annealing is 20%
If it is less than the above, it is a level that can be used for a small panel of 2 "or less even if the dispersion of the inclination angle distribution is taken into consideration.
It is possible to apply to.

【0027】このように熱処理で形状が変化しないレジ
ストで傾斜面を有する凹凸構造を構成することで、アニ
ール処理による傾斜角のバラツキが低減し生産性が向上
する。
By forming the concave-convex structure having the inclined surface with the resist whose shape does not change by the heat treatment, the variation in the inclination angle due to the annealing treatment is reduced and the productivity is improved.

【0028】(実施の形態3)図5は実施の形態3の液
晶表示素子の断面図である。アレイ基板200上に、複
数の感光性高分子が積層された構成(感光性高分子23
1A、231B、231C)の凹凸構造が形成されたと
きに、少なくとも1層がネガ型の感光性高分子であるこ
とを特徴とする。このとき、ネガ型レジストに裏面露光
を施すことで、上述した理由により傾斜面を有する凹凸
構造が形成される。また、感光性高分子層を多層構成と
すると、凹凸構造の高さと傾斜面の角度をより制御しや
すくなる効果が得られる。さらにネガ型レジスト層を最
上面とすることで、凸部の頂点が滑らかになり正反射部
が減少することで視認性が向上する。
(Embodiment 3) FIG. 5 is a sectional view of a liquid crystal display device of Embodiment 3. A configuration in which a plurality of photosensitive polymers are laminated on the array substrate 200 (photosensitive polymer 23
1A, 231B, and 231C), at least one layer is a negative photosensitive polymer when the uneven structure is formed. At this time, by performing back exposure on the negative resist, an uneven structure having an inclined surface is formed for the above-described reason. In addition, when the photosensitive polymer layer has a multilayer structure, an effect is obtained in which the height of the uneven structure and the angle of the inclined surface can be more easily controlled. Further, by making the negative resist layer the uppermost surface, the vertices of the convex portions become smooth and the regular reflection portions are reduced, so that the visibility is improved.

【0029】[基板上の凹凸構造部の製造方法]アレイ
基板200上に、ポジ型の感光性高分子231A、23
1B(共にOFPR5000、東京応化工業製)を、そ
れぞれ直径12μm、厚0.5μm、及び直径8μm、
厚0.6μmで形成した後、ネガ型の感光性高分子C2
31C(OMR−83、東京応化工業製)を膜厚2μm
で塗布し、裏面露光を行って直径4μm、厚1.0μm
の凸構造に加工した。このとき、上記3層でトータルの
段差が2.3μmの凹凸構造が得られた。そして、その
凹凸構造を樹脂で被覆し、さらにその上にアルミを用い
て反射層204を形成した。このときの反射層の凸部の
平均傾斜角は9°であり、反射特性も高輝度で良好なも
のが得られた。
[Method of Manufacturing Irregular Structure on Substrate] Positive photosensitive polymers 231A and 23
1B (both OFPR5000, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) were each 12 μm in diameter, 0.5 μm in thickness, and 8 μm in diameter.
After being formed to a thickness of 0.6 μm, the negative photosensitive polymer C2
31C (OMR-83, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)
4 μm in diameter and 1.0 μm in thickness
Was processed into a convex structure. At this time, an uneven structure having a total step of 2.3 μm was obtained in the three layers. Then, the concavo-convex structure was covered with a resin, and a reflective layer 204 was further formed thereon using aluminum. At this time, the average inclination angle of the projections of the reflective layer was 9 °, and the reflection characteristics were high and excellent.

【0030】感光性高分子層の構成は、上記例によらず
凹凸構造の高さと傾斜面の角度により任意に設定でき
る。また、感光性高分子層に代えて無機材料を用いても
良く、例えばSi、SiO、SiNx等を用いて段差
を形成しても良い。ネガ型レジスト層を最上面とするこ
とで、凸部の頂点が滑らかになり正反射部が減少するこ
とで視認性が向上する効果が得られるが、これは必ずし
も最上層でなくても良い。下部であっても凸部頂点の形
状の上に上層が積層されることで傾斜面が得られる。た
だし、このときは上層がプレナー層となるため形状制御
が若干困難と成る。
The structure of the photosensitive polymer layer can be arbitrarily set depending on the height of the uneven structure and the angle of the inclined surface, regardless of the above example. Further, an inorganic material may be used instead of the photosensitive polymer layer, and a step may be formed using, for example, Si, SiO 2 , SiNx, or the like. By making the negative resist layer the uppermost surface, the apex of the convex portion becomes smooth, and the effect of improving the visibility by reducing the regular reflection portion is obtained. However, this is not necessarily the uppermost layer. Even in the lower part, an inclined surface can be obtained by laminating the upper layer on the shape of the convex vertex. However, in this case, since the upper layer is a planar layer, shape control becomes slightly difficult.

【0031】(実施の形態4)図5と同様の構成におい
て、感光性高分子231Cが、現像後の熱アニールで凹
凸構造の形状がほぼ変化しないネガ型レジストで構成さ
れていることを特徴とする。このように熱アニールで凹
凸構造の形状が変化しないネガ型レジストを使用する
と、上記実施の形態2で述べた理由により凹凸構造が容
易に作成でき生産性が向上することになる。
(Embodiment 4) In the structure similar to that of FIG. 5, the photosensitive polymer 231C is formed of a negative resist in which the shape of the uneven structure is not substantially changed by thermal annealing after development. I do. When a negative resist in which the shape of the uneven structure is not changed by the thermal annealing is used, the uneven structure can be easily formed for the reason described in the second embodiment, and the productivity is improved.

【0032】[基板上の凹凸構造部の作製方法]実施の
形態3と同様の構成において、感光性高分子231C
が、現像後の熱アニールで凹凸構造の形状がほぼ変化し
ないネガ型レジスト(OMR−85、東京応化工業製)
で形成した。実施の形態2で述べた理由によりパネル作
製時の熱処理工程において、凹凸構造の形状に変化がな
く、そのため作製された液晶表示素子は良好な反射特性
が得られた。
[Method of Manufacturing Concavo-convex Structure on Substrate] In the same configuration as in the third embodiment, a photosensitive polymer 231C
However, a negative resist (OMR-85, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) in which the shape of the concavo-convex structure hardly changes by thermal annealing after development
Formed. For the reason described in Embodiment 2, there was no change in the shape of the concavo-convex structure in the heat treatment step at the time of manufacturing the panel, and thus the manufactured liquid crystal display element had good reflection characteristics.

【0033】(実施の形態5)図6は実施の形態5の液
晶表示素子の断面図である。本実施の形態5は実施の形
態1に類似、対応する部分には同一の参照符号を付す。
本実施の形態5は、アレイ基板200上に開口部242
を有する遮光層241、平坦化層201等が形成された
ときに、感光性高分子203からなる凹凸構造の頂点2
40が遮光層241の開口部242上に形成されている
ことを特徴とする。
(Embodiment 5) FIG. 6 is a sectional view of a liquid crystal display device according to Embodiment 5. The fifth embodiment is similar to the first embodiment, and corresponding parts are denoted by the same reference numerals.
In the fifth embodiment, the opening 242 is formed on the array substrate 200.
When the light-shielding layer 241 and the planarizing layer 201 and the like having the
40 is formed on the opening 242 of the light shielding layer 241.

【0034】遮光層241をマスクとして裏面露光を行
うことで、ネガ型の感光性高分子203に凹凸構造を形
成することができる。このとき、頂点240は開口部2
42に形成される。
By performing backside exposure using the light-shielding layer 241 as a mask, a concave-convex structure can be formed on the negative photosensitive polymer 203. At this time, the vertex 240 corresponds to the opening 2
42.

【0035】遮光層を内付けすることで外部マスクが不
要となり、かつ合わせ精度が向上して凹凸構造の形状制
御が容易になる効果がある。また、遮光層241と反射
層204との間で蓄積容量を形成することも可能となり
生産性が向上する。
By providing the light-shielding layer internally, there is an effect that an external mask becomes unnecessary, alignment accuracy is improved, and shape control of the uneven structure is facilitated. In addition, a storage capacitor can be formed between the light shielding layer 241 and the reflection layer 204, so that productivity is improved.

【0036】[基板上の凹凸構造部の製造方法]先ず、
凹凸構造部の製造方法の原理を説明し、その後に具体的
な製造方法を説明することにする。
[Method of Manufacturing Uneven Structure on Substrate]
The principle of the method of manufacturing the uneven structure will be described, and then a specific manufacturing method will be described.

【0037】(1)凹凸構造部の製造方法の原理 図7は本実施の形態の凹凸構造部の製造方法を示す原理
図である。図7(a)に示すように、基板200上に開
口部を有する遮光層241、平坦化層201等を形成し
た後、色素等を含有するネガ型の感光性高分子を塗布し
て感光性高分子樹脂層203Aを形成する。次に基板の
裏面から紫外光214を用いて露光すると、遮光層24
1がマスクとなり、遮光層の開口部の領域に頂点を有す
る凸部215(図7(b)参照)が形成される。
(1) Principle of Manufacturing Method for Concavo-convex Structure FIG. 7 is a principle view showing a method for manufacturing a concavo-convex structure according to the present embodiment. As shown in FIG. 7A, a light-shielding layer 241 having an opening, a flattening layer 201, and the like are formed on a substrate 200, and a negative photosensitive polymer containing a dye or the like is applied to form a photosensitive layer. The polymer resin layer 203A is formed. Next, when light is exposed from the back surface of the substrate using ultraviolet light 214, the light shielding layer 24 is exposed.
1 serves as a mask, and a convex portion 215 (see FIG. 7B) having an apex in a region of the opening of the light shielding layer is formed.

【0038】遮光層241を基板に内付けすることで、
マスクが不要となると共にパターンニング精度が向上す
る利点がある。感光性高分子層は、図7に示した1層構
成以外に、図8に示した感光性高分子256A、256
Bから成る2層等の多層構成でも良い。
By providing the light shielding layer 241 inside the substrate,
There is an advantage that a mask becomes unnecessary and patterning accuracy is improved. The photosensitive polymer layer is different from the one-layer structure shown in FIG. 7 in that the photosensitive polymer 256A, 256 shown in FIG.
A multilayer structure such as two layers of B may be used.

【0039】(2)凹凸構造部の製造方法の具体例 アレイ基板200上に直径10μmの円形の開口部24
2を有するアルミの遮光層241、及び平坦化層201
(SiO2層、層厚1μm)等を形成した。次にネガ型
の感光性高分子203(OMR−83、東京応化工業
製)を膜厚2μmで塗布した後、遮光層241をマスク
として基板の裏面から露光処理を行った。露光後に現
像、及びリンス処理を行ったところ遮光層241の開口
部242に頂点240を有する凹凸構造が形成された。
このときの平均傾斜角は、8°であった。
(2) Specific Example of Manufacturing Method of Concavo-convex Structure Portion A circular opening 24 having a diameter of 10 μm is formed on the array substrate 200.
Light-shielding layer 241 having a thickness of 2 and a planarizing layer 201
(SiO 2 layer, layer thickness 1 μm) and the like. Next, a negative photosensitive polymer 203 (OMR-83, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied to a thickness of 2 μm, and then exposed from the back surface of the substrate using the light-shielding layer 241 as a mask. As a result of development and rinsing after exposure, an uneven structure having an apex 240 at the opening 242 of the light shielding layer 241 was formed.
The average inclination angle at this time was 8 °.

【0040】このように遮光層241をマスクとして裏
面露光を行うことで、ネガ型の感光性高分子203に凹
凸構造が形成された。遮光層を内付けすることで外部マ
スクが不要となり、かつ合わせ精度が向上して凹凸構造
の形状制御が容易になる効果がある。また、遮光層24
1と反射層204間は蓄積容量として兼用することも可
能となり生産性が向上する。開口部242は、凹凸構造
の形状に応じて任意の構成で良い。
As described above, by performing the back surface exposure using the light shielding layer 241 as a mask, an uneven structure was formed on the negative photosensitive polymer 203. By providing the light-shielding layer internally, there is an effect that an external mask is not required, the alignment accuracy is improved, and the shape control of the uneven structure is facilitated. Also, the light shielding layer 24
1 and the reflective layer 204 can also be used as a storage capacitor, which improves productivity. The opening 242 may have any configuration according to the shape of the uneven structure.

【0041】(実施の形態6)図9は実施の形態6の液
晶表示素子のアレイ基板の構成図である。実施の形態5
と同様の構成において、アレイ基板200上に遮光層2
41が形成され、凹凸構造が、複数の感光性高分子(2
60A、260B、260C)から成ることを特徴とす
る。感光性高分子を複数とすることで上述した理由で凹
凸構造の形状制御が容易になる効果が得られる。また、
遮光層241を内付けすることで外部マスクが不要にな
る等の効果がある。
(Embodiment 6) FIG. 9 is a structural view of an array substrate of a liquid crystal display element according to Embodiment 6. Embodiment 5
In the same configuration as described above, the light shielding layer 2
41 are formed, and the uneven structure has a plurality of photosensitive polymers (2
60A, 260B, 260C). By using a plurality of photosensitive polymers, the effect of easily controlling the shape of the uneven structure for the above-described reason can be obtained. Also,
By providing the light shielding layer 241 internally, there is an effect that an external mask becomes unnecessary.

【0042】[基板上の凹凸構造部の製造方法]実施の
形態5と同様の手法で、アレイ基板200上にアルミで
遮光層241を形成した。また、凹凸構造を上記実施の
形態3と同様の手法で複数の感光性高分子(260A、
260B、260C)から形成した。このとき、最上層
の感光性高分子260Cはネガ型レジストを裏面露光す
ることによって形成した。感光性高分子を複数とするこ
とで上述した理由で凹凸構造の形状制御が容易になる効
果が得られる。また、遮光層241を内付けすることで
外部マスクが不要になる等の効果がある。
[Method of Manufacturing Concavo-convex Structure on Substrate] A light-shielding layer 241 was formed of aluminum on the array substrate 200 in the same manner as in the fifth embodiment. Further, a plurality of photosensitive polymers (260A, 260A,
260B, 260C). At this time, the photosensitive polymer 260C of the uppermost layer was formed by exposing the negative resist to the back surface. By using a plurality of photosensitive polymers, the effect of easily controlling the shape of the uneven structure for the above-described reason can be obtained. Further, by internally providing the light shielding layer 241, there is an effect that an external mask becomes unnecessary.

【0043】(実施の形態7)図10は実施の形態7の
液晶表示素子の画素構成を示す。図6に示した実施の形
態5とほぼ同様の構成において、遮光層270の開口部
271が、回折格子の開口部形状に形成されていること
を特徴とする。このとき、開口部271が、凸部272
の頂点を含む構造とする。また、ネガ型レジストは色素
等を必ずしも含有する必要はない。なお、図10におい
て、273はコンタクトホール、274は反射電極、2
75はソースライン、276はケートラインを示す。
(Embodiment 7) FIG. 10 shows a pixel configuration of a liquid crystal display element of Embodiment 7. In the configuration substantially similar to that of the fifth embodiment shown in FIG. 6, the opening 271 of the light shielding layer 270 is formed in the shape of the opening of the diffraction grating. At this time, the opening 271 is
And a structure including the vertices. Further, the negative resist does not necessarily need to contain a dye or the like. In FIG. 10, 273 is a contact hole, 274 is a reflective electrode,
75 indicates a source line, and 276 indicates a gate line.

【0044】遮光層を回折格子形状として裏面露光を行
うと、図11(a)に示すように露光した光214は回
折光となって感光性レジストに照射される。回折光の0
次は直進して直進光214Aとなるが、1次より高次の
回折光214Bはレジストに斜めから照射されるため、
現像後の凹凸形状は傾斜面を有する凹凸構造となる(図
11(a)参照)。このように回折光を用いて露光する
と、多層構造を用いずとも傾斜面を有する凹凸構造が形
成される。また、レジストも色素等を含有する必要がな
い。
When the back surface exposure is performed with the light-shielding layer in the form of a diffraction grating, the exposed light 214 is diffracted as shown in FIG. 0 of diffracted light
Next, the light goes straight and becomes straight light 214A. However, since the diffracted light 214B having a higher order than the first order irradiates the resist obliquely,
The concavo-convex shape after the development is a concavo-convex structure having an inclined surface (see FIG. 11A). When exposure is performed using diffracted light in this manner, an uneven structure having an inclined surface is formed without using a multilayer structure. Also, the resist does not need to contain a dye or the like.

【0045】なお、上記原理の説明では、マスクを使用
して露光する場合を例として説明したけれども、開口部
を有する遮光層を形成して、マスクを省略する露光にお
いても同様である。
In the above description of the principle, the case of performing exposure using a mask has been described as an example. However, the same applies to exposure in which a light-shielding layer having an opening is formed and the mask is omitted.

【0046】[基板上の凹凸構造部の製造方法]先ず、
凹凸構造部の製造方法の原理を説明し、その後に具体的
な製造方法を説明することにする。
[Method of Manufacturing Irregularity Structure on Substrate]
The principle of the method of manufacturing the uneven structure will be described, and then a specific manufacturing method will be described.

【0047】(1)凹凸構造部の製造方法の原理 図12は本実施の形態の凹凸構造部の製造方法を示す原
理図である。実施の形態5とほぼ同様の構成において、
遮光層270が回折性能を有する形状に形成されたこと
を特徴とする。回折光を用いて露光すると、上述した理
由で感光性高分子が斜め光でも露光され傾斜面を有する
凹凸構造が形成される。回折光を用いると、ネガ型レジ
ストに色素等を含有する必要がなく低コスト化の利点が
ある。
(1) Principle of Manufacturing Method for Concavo-convex Structure FIG. 12 is a principle diagram showing a method for manufacturing a concavo-convex structure according to the present embodiment. In a configuration substantially similar to that of the fifth embodiment,
The light shielding layer 270 is formed in a shape having diffraction performance. When the exposure is performed using the diffracted light, the photosensitive polymer is exposed even to oblique light for the above-described reason, and an uneven structure having an inclined surface is formed. The use of diffracted light does not require the negative resist to contain a dye or the like, and has the advantage of cost reduction.

【0048】また、遮光層270の開口部のピッチを
P、遮光層270と凹凸構造の凸部の頂点との距離をd
としたときに、P>dとすることで回折光(干渉光)の
節と腹が短いピッチで形成され、結果的に凹凸構造を密
集して形成することが可能となる。
The pitch of the openings of the light-shielding layer 270 is P, and the distance between the light-shielding layer 270 and the apex of the projection of the uneven structure is d.
By setting P> d, nodes and antinodes of the diffracted light (interference light) are formed at a short pitch, and consequently, the uneven structure can be formed densely.

【0049】また、遮光層270の開口部の形状で凹凸
構造を変えることができる。例えば円形とすればドット
状の凹凸構造ができ、ストライプ状とすれば、ストライ
プ形状の凹凸構造が得られる。
Further, the concavo-convex structure can be changed by changing the shape of the opening of the light-shielding layer 270. For example, if it is circular, a dot-like uneven structure can be formed, and if it is a stripe, a stripe-like uneven structure can be obtained.

【0050】(2)凹凸構造部の製造方法の具体例 上記原理に基づき本実施の形態での具体的な凹凸構造部
の製造方法を説明する。実施の形態5とほぼ同様の構成
において、遮光層270をドット形状から成る回折格子
の形状に形成した。このとき、回折格子の開口部271
は、直径10μmの円形とした。次に、ネガ型の感光性
高分子(OMR−83、東京応化工業製)を膜厚2μm
で塗布した。このとき、感光性高分子は色素等を含有せ
ず光吸収率が5%のものを用いた。
(2) Specific Example of Manufacturing Method of Concavo-convex Structure A specific method of manufacturing the concavo-convex structure in this embodiment will be described based on the above principle. In a configuration substantially similar to that of the fifth embodiment, the light shielding layer 270 was formed in the shape of a dot-shaped diffraction grating. At this time, the opening 271 of the diffraction grating
Was a circle having a diameter of 10 μm. Next, a negative photosensitive polymer (OMR-83, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was
Was applied. At this time, a photosensitive polymer containing no dye or the like and having a light absorption of 5% was used.

【0051】遮光層を回折格子形状として裏面露光を行
ったところ、回折光が感光性レジストに照射された。こ
のとき、回折光の0次は直進するが、1次より高次の回
折光はレジストに斜めから照射されるため、現像後の凹
凸形状は傾斜面を有する凹凸構造となった。このときの
平均傾斜角は7°であった。このように回折光を用いて
露光すると、多層構造を用いずとも傾斜面を有する凹凸
構造が形成される。また、レジストも色素等を含有する
必要がなく低コスト化が図れる。
When the back surface exposure was performed with the light-shielding layer in the form of a diffraction grating, the photosensitive resist was irradiated with diffracted light. At this time, the 0th order of the diffracted light goes straight, but the diffracted light of higher order than the 1st order irradiates the resist obliquely, so that the concavo-convex shape after development has a concavo-convex structure having an inclined surface. The average inclination angle at this time was 7 °. When exposure is performed using diffracted light in this manner, an uneven structure having an inclined surface is formed without using a multilayer structure. Further, the resist does not need to contain a dye or the like, so that the cost can be reduced.

【0052】(実施の形態8)本実施の形態8は、基板
上の感光性高分子を露光する際に、露光光を基板に対し
て斜め方向から入射させることにより、基板上に凹凸構
造部を形成するようにしたことを特徴とする。
(Eighth Embodiment) In the eighth embodiment, when the photosensitive polymer on the substrate is exposed, the exposure light is made incident on the substrate in an oblique direction, so that the uneven structure portion is formed on the substrate. Is formed.

【0053】具体的には、凹凸構造部の作製に際して以
下に説明する製造装置を使用した。図13は本発明の基
板の製造装置の原理図を示す。図13(a)に示すよう
に、基板200上に感光性高分子203を塗布した後、
マスク213を介して複数の方向(紫外線214C、及
び紫外線214D)から露光する光を照射する手段(機
構)を有することで基板200上に凸部215(図13
(b)参照)を形成することを特徴とする。複数の方向
から照射することで、感光性高分子203の層厚方向の
エッチングレートが変わり、傾斜面を有する凹凸構造が
形成される。このとき、入射方向は極角60°以内が望
ましい。また、露光光の立体角は、0.5°以上、15
°以下であることが望ましい。
More specifically, a manufacturing apparatus described below was used for producing the uneven structure. FIG. 13 shows a principle diagram of the substrate manufacturing apparatus of the present invention. As shown in FIG. 13A, after a photosensitive polymer 203 is applied on a substrate 200,
By providing a means (mechanism) for irradiating light to be exposed from a plurality of directions (ultraviolet rays 214C and ultraviolet rays 214D) through the mask 213, the projections 215 (FIG.
(See (b)). By irradiating from a plurality of directions, the etching rate of the photosensitive polymer 203 in the layer thickness direction changes, and an uneven structure having an inclined surface is formed. At this time, the incident direction is desirably within a polar angle of 60 °. The solid angle of the exposure light is 0.5 ° or more and 15 ° or more.
° or less.

【0054】また、複数の方位から入射する際に紫外線
の入射角度を異ならせる機構を有する製造装置とするこ
とで形状が非対称な凹凸構造も容易に作成できる。この
とき、反射特性が非対称性となり、例えば基板を傾けた
場合に観察者側に反射光を集光させて高輝度化を図るこ
とができる。
Further, by using a manufacturing apparatus having a mechanism for making the incident angle of the ultraviolet ray different when the light is incident from a plurality of directions, an uneven structure having an asymmetrical shape can be easily formed. At this time, the reflection characteristics become asymmetric, and for example, when the substrate is tilted, the reflected light is condensed on the observer side to achieve high luminance.

【0055】また、紫外線214Cと紫外線214Dの
位相を互いに変えると干渉度合いを調整することができ
る。このとき、層厚方向のエッチングレートを更に任意
に調整できる効果が得られる。このため、当該基板の製
造装置に、紫外線の位相変換機構を設けるようにしても
よい。
The degree of interference can be adjusted by changing the phases of the ultraviolet rays 214C and 214D. At this time, an effect is obtained that the etching rate in the layer thickness direction can be further arbitrarily adjusted. For this reason, an ultraviolet phase conversion mechanism may be provided in the substrate manufacturing apparatus.

【0056】(実施の形態9)本実施の形態は、いわゆ
る2光束干渉法を用いた露光により、凹凸構造を有する
基板を製造することを特徴とする。
Embodiment 9 This embodiment is characterized in that a substrate having an uneven structure is manufactured by exposure using a so-called two-beam interference method.

【0057】本実施の形態に用いる露光装置は、図14
に示すように、径5μmのピンホール280を有するマ
スク281と、2個以上のスリット283を介して、感
光性樹脂285が塗布されている基板200上に露光光
を照射する。この際、露光光の光源として超高圧水銀灯
を用い、感光性樹脂285としてi線(365nm)に感
光特性を有する樹脂を用いた。また、スリット間の距離
はh(=50μm)とし、ピンホールから等距離に設定
し、さらにスリットは径5μmのピンホールを用いた。
スリットと基板との距離をD(=3.42mm)として、
露光光を感光性樹脂を照射し、現像を行ったところ、ピ
ッチΔ(=25μm)の凸形状ができた。樹脂の厚みを
2から3μmとすることで、傾斜角が10゜程度の形状
体を作製することができた。
The exposure apparatus used in this embodiment is shown in FIG.
As shown in FIG. 19, exposure light is irradiated onto the substrate 200 on which the photosensitive resin 285 is applied through a mask 281 having a pinhole 280 having a diameter of 5 μm and two or more slits 283. At this time, an ultra-high pressure mercury lamp was used as a light source of the exposure light, and a resin having a photosensitive characteristic for i-line (365 nm) was used as the photosensitive resin 285. The distance between the slits was h (= 50 μm), which was set equal to the distance from the pinhole, and the slit used was a pinhole having a diameter of 5 μm.
Assuming that the distance between the slit and the substrate is D (= 3.42 mm),
When the photosensitive resin was irradiated with exposure light and developed, a convex shape having a pitch Δ (= 25 μm) was formed. By setting the thickness of the resin to 2 to 3 μm, a shape having an inclination angle of about 10 ° could be produced.

【0058】なお、本実施の形態では、単一の光源と、
ピンホール、及び、2つのスリットを用いて、同一位相
の2つの球面波の露光光を見かけ上達成したが、例え
ば、レーザなどを2つ以上用いても同様に実施可能であ
る。また、凹凸形状のピッチをΔμm、スリット間の距
離をhμm、スリットと感光性樹脂との距離をDμm、
露光光の波長をλnmとすると、 Δ=1000×λD/h また、傾斜角をθ°、現像後の樹脂の最大膜厚をdとす
ると 2d/Δ=tanθ 上式を満たすように、Δ、h、D、λ、d、θを適切に
設定することにより、任意の凹凸形状を作製することが
可能である。
In this embodiment, a single light source and
Although the exposure light of two spherical waves having the same phase was apparently achieved by using the pinhole and the two slits, the present invention can be similarly implemented by using two or more lasers or the like. Further, the pitch of the uneven shape is Δμm, the distance between the slits is hμm, the distance between the slits and the photosensitive resin is Dμm,
Assuming that the wavelength of the exposure light is λ nm, Δ = 1000 × λD / h If the inclination angle is θ ° and the maximum thickness of the resin after development is d, 2d / Δ = tan θ By appropriately setting h, D, λ, d, and θ, it is possible to produce an arbitrary uneven shape.

【0059】(その他の事項) (1)上記実施の形態で示した液晶表示素子にバックラ
イト、筐体等を付与することにより、製造過程の簡略化
に伴う低コスト化が図れた良好な表示性能を示す液晶表
示装置を実現できる。
(Other Matters) (1) By providing a backlight, a housing, and the like to the liquid crystal display element described in the above embodiment, favorable display can be achieved at low cost due to simplification of the manufacturing process. A liquid crystal display device exhibiting high performance can be realized.

【0060】(2)上記実施の形態では、液晶表示素子
の反射板について説明したけれども、本発明はこれに限
定されるものではなく、レンズ等の光学素子、或いはそ
の他の技術分野において使用される凹凸形状体等に広く
適用することが可能である。
(2) In the above embodiment, the reflector of the liquid crystal display element has been described. However, the present invention is not limited to this, and may be used in an optical element such as a lens or in other technical fields. It can be widely applied to irregularly shaped bodies and the like.

【0061】(3)上記実施の形態では、色素等の光吸
収物質を感光性高分子に含有させるようにしたが、光吸
収物質に代えて、金属粒子等の光散乱物質を感光性高分
子に含有させるようにしてもよい。光散乱物質を含有さ
せると、光吸収物質を含有させた場合と同様に露光の際
の紫外線の吸収率が膜厚方向で変化させることが可能と
なり、凹凸構造を形成することができる。
(3) In the above embodiment, the light absorbing material such as a dye is contained in the photosensitive polymer. However, instead of the light absorbing material, a light scattering material such as metal particles is used in the photosensitive polymer. May be contained. When a light-scattering substance is contained, the absorptivity of ultraviolet rays at the time of exposure can be changed in the film thickness direction in the same manner as when a light-absorbing substance is contained, so that an uneven structure can be formed.

【0062】(4)上記実施の形態では、ネガ型の感光
性高分子を使用したけれども、ポジ型の感光性高分子を
使用してもよい。ポジ型の感光性高分子を用いる場合
は、ネガ型の感光性高分子を用いる場合に使用するマス
クの遮光部と開口部とが逆の構造となったマスクを使用
すればよい。
(4) Although a negative photosensitive polymer is used in the above embodiment, a positive photosensitive polymer may be used. In the case of using a positive photosensitive polymer, a mask in which a light-shielding portion and an opening of a mask used when a negative photosensitive polymer are used may be used.

【0063】[0063]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板上に
ネガ型の感光性高分子を塗布した後、裏面から露光を行
うことで、1層構成で傾斜面を有する凹凸構造が形成さ
れる。また、熱アニールで凹凸形状を制御する必要がな
いため生産性が向上し、低コスト化が図れる。
As described above, according to the present invention, a negative photosensitive polymer is coated on a substrate and then exposed from the back surface, thereby forming a concavo-convex structure having a one-layer structure and an inclined surface. Is done. Further, since it is not necessary to control the uneven shape by thermal annealing, productivity is improved and cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1の液晶表示素子の断面図
である。
FIG. 1 is a sectional view of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】色素が含有されているレジストの膜厚と透過率
との関係を示すグラフである。
FIG. 2 is a graph showing the relationship between the thickness of a resist containing a dye and the transmittance.

【図3】実施の形態1における凹凸構造部の製造方法を
示す原理図である。
FIG. 3 is a principle view showing a method for manufacturing a concave-convex structure portion in the first embodiment.

【図4】感光性高分子の光吸収率と平均傾斜角の関係を
示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a light absorption rate of a photosensitive polymer and an average inclination angle.

【図5】実施の形態3の液晶表示素子の断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a liquid crystal display element according to a third embodiment.

【図6】実施の形態5の液晶表示素子の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to a fifth embodiment.

【図7】実施の形態5の凹凸構造部の製造方法を示す原
理図である。
FIG. 7 is a principle view illustrating a method of manufacturing a concave-convex structure portion according to a fifth embodiment.

【図8】感光性高分子256A、256Bから成る2層
等の多層構成の断面図である。
FIG. 8 is a sectional view of a multilayer structure such as two layers made of photosensitive polymers 256A and 256B.

【図9】実施の形態6の液晶表示素子のアレイ基板の構
成図である。
FIG. 9 is a configuration diagram of an array substrate of a liquid crystal display element according to a sixth embodiment.

【図10】実施の形態7の液晶表示素子の画素構成を示
す。
FIG. 10 illustrates a pixel configuration of a liquid crystal display element in Embodiment 7.

【図11】露光光が回折光となって感光性レジストを照
射する状態を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a state in which the exposure light becomes a diffracted light and irradiates a photosensitive resist.

【図12】実施の形態7の凹凸構造部の製造方法を示す
原理図である。
FIG. 12 is a principle view illustrating a method of manufacturing a concave-convex structure portion according to a seventh embodiment.

【図13】発明の基板の製造装置の原理図を示す。FIG. 13 shows a principle view of a substrate manufacturing apparatus according to the present invention.

【図14】実施の形態9に用いる露光装置の原理図であ
る。
FIG. 14 is a view illustrating the principle of an exposure apparatus used in Embodiment 9;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

200 :アレイ基板 201 :平坦化膜 202 :TFT素子 203 :感光性高分子 204 :反射層 205 :液晶 206 :カラーフィルタ 207 :対向基板 208 :位相差板 209 :偏光板 210 :コンタクトホール 200: array substrate 201: flattening film 202: TFT element 203: photosensitive polymer 204: reflective layer 205: liquid crystal 206: color filter 207: counter substrate 208: retardation plate 209: polarizing plate 210: contact hole

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/1335 520 G02F 1/1335 520 (72)発明者 脇田 尚英 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2H042 BA02 BA03 BA12 BA14 BA15 BA20 2H048 CA01 CA04 CA14 CA19 CA24 2H091 FA02Y FA08X FA11X FA14Y FB04 FB06 FC10 GA13 KA10 LA12 LA16 LA30 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat ゛ (Reference) G02F 1/1335 520 G02F 1/1335 520 (72) Inventor Naohide Wakita 1006 Odakadoma, Kadoma City, Osaka Matsushita Electric F-term in Sangyo Co., Ltd. (reference) 2H042 BA02 BA03 BA12 BA14 BA15 BA20 2H048 CA01 CA04 CA14 CA19 CA24 2H091 FA02Y FA08X FA11X FA14Y FB04 FB06 FC10 GA13 KA10 LA12 LA16 LA30

Claims (35)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板上に凹凸構造部を有する凹凸形状体に
おいて、 前記凹凸構造部が、光吸収性物質を含む感光性高分子を
含むことを特徴とする凹凸形状体。
1. An uneven body having an uneven structure on a substrate, wherein the uneven structure includes a photosensitive polymer containing a light-absorbing substance.
【請求項2】基板上に凹凸構造部を有する凹凸形状体に
おいて、 前記凹凸構造部が、光散乱性物質を含む感光性高分子を
含むことを特徴とする凹凸形状体。
2. An uneven shape body having an uneven structure portion on a substrate, wherein the uneven structure portion contains a photosensitive polymer containing a light-scattering substance.
【請求項3】前記光吸収性物質が色素であることを特徴
とする請求項1記載の凹凸形状体。
3. The uneven body according to claim 1, wherein said light-absorbing substance is a dye.
【請求項4】前記感光性樹脂が1層からなることを特徴
とする請求項1又は2記載の凹凸形状体。
4. The uneven body according to claim 1, wherein said photosensitive resin comprises one layer.
【請求項5】前記凹凸構造部が無機層を有することを特
徴とする請求項1又は2記載の凹凸形状体。
5. The uneven shape body according to claim 1, wherein the uneven structure portion has an inorganic layer.
【請求項6】前記凹凸構造部が有機層を有することを特
徴とする請求項1又は2記載の凹凸形状体。
6. The uneven shape body according to claim 1, wherein the uneven structure portion has an organic layer.
【請求項7】前記基板側に遮光層が形成されたことを特
徴とする請求項1乃至6の何れかに記載の凹凸形状体。
7. The uneven body according to claim 1, wherein a light shielding layer is formed on the substrate side.
【請求項8】前記遮光層がストライプ状に形成されてい
ることを特徴とする請求項7記載の凹凸形状体。
8. The uneven body according to claim 7, wherein said light shielding layer is formed in a stripe shape.
【請求項9】前記遮光層がドット状に形成されているこ
とを特徴とする請求項7記載の凹凸形状体。
9. The uneven shape body according to claim 7, wherein said light shielding layer is formed in a dot shape.
【請求項10】前記ドット状の遮光層のピッチをPμ
m、前記遮光層と前記凸部頂点の間の厚みをdμmとし
たときに、P>dが成り立つことを特徴とする請求項9
記載の凹凸形状体。
10. The pitch of the dot-shaped light-shielding layer is P μ
m, wherein when the thickness between the light-shielding layer and the apex of the convex portion is d μm, P> d is satisfied.
The uneven shape body as described.
【請求項11】基板上に凹凸構造部を有する凹凸形状体
において、 前記凹凸構造部の凹凸形状が、光吸収性物質を含む感光
性高分子に対して裏面露光処理と現像処理とを行うこと
により得られたものであることを特徴とする凹凸形状
体。
11. An uneven body having an uneven structure portion on a substrate, wherein the uneven shape of the uneven structure portion is obtained by subjecting a photosensitive polymer containing a light-absorbing substance to a back surface exposure process and a development process. An uneven shape characterized by being obtained by:
【請求項12】基板上に凹凸構造部を有する凹凸形状体
において、 前記凹凸構造部の凹凸形状が、光散乱性物質を含む感光
性高分子に対して裏面露光処理と現像処理とを行うこと
により得られたものであることを特徴とする凹凸形状
体。
12. An uneven body having an uneven structure on a substrate, wherein the uneven shape of the uneven structure is obtained by subjecting a photosensitive polymer containing a light-scattering substance to a backside exposure treatment and a development treatment. An uneven shape characterized by being obtained by:
【請求項13】基板上に凹凸構造部を有する凹凸形状体
の製造方法において、 基板上に少なくとも感光性高分子層を形成した後、裏面
露光と現像処理を行うことで、前記感光性高分子層の表
面に凹凸構造を形成することを特徴とする凹凸形状体の
製造方法。
13. A method for manufacturing an uneven shape body having an uneven structure portion on a substrate, comprising: forming at least a photosensitive polymer layer on the substrate; A method for producing a concavo-convex body, comprising forming a concavo-convex structure on a surface of a layer.
【請求項14】前記裏面露光が、マスクでの回折光を用
いた露光であることを特徴とする請求項13記載の凹凸
形状体の製造方法。
14. The method according to claim 13, wherein the backside exposure is exposure using diffracted light on a mask.
【請求項15】前記感光性高分子層が一層であることを
特徴とする請求項13記載の凹凸形状体の製造方法。
15. The method according to claim 13, wherein the photosensitive polymer layer is a single layer.
【請求項16】前記感光性高分子層が層厚方向で透過光
を減衰する材料を含有し、前記露光が前記感光性高分子
層での減衰光を用いた露光であることを特徴とする請求
項13記載の凹凸形状体の製造方法。
16. The photosensitive polymer layer contains a material that attenuates transmitted light in a layer thickness direction, and the exposure is exposure using attenuated light in the photosensitive polymer layer. A method for producing an uneven shape body according to claim 13.
【請求項17】前記感光性高分子層において、露光時に
入射する光の露光波長における強度の50%以上、95
%以下が吸収されることを特徴とする請求項16記載の
凹凸形状体の製造方法。
17. In the photosensitive polymer layer, the intensity of light incident upon exposure at an exposure wavelength of 50% or more and 95% or more.
%. The method for producing a concave-convex shaped body according to claim 16, wherein not more than% is absorbed.
【請求項18】前記感光性高分子層において、露光時に
入射する光の露光波長における強度の70%以上、95
%以下が吸収されることを特徴とする請求項16記載の
凹凸形状体の製造方法。
18. The photosensitive polymer layer, wherein the intensity of light incident upon exposure at an exposure wavelength is 70% or more and 95% or more.
%. The method for producing a concave-convex shaped body according to claim 16, wherein not more than% is absorbed.
【請求項19】前記感光性高分子層の厚みが、1μm以
上、5μm以下であることを特徴とする請求項13乃至
18の何れかに記載の凹凸形状体の製造方法。
19. The method according to claim 13, wherein the thickness of the photosensitive polymer layer is 1 μm or more and 5 μm or less.
【請求項20】基板上に凹凸構造を有する凹凸形状体の
製造方法において、 少なくとも前記凹凸構造の凸部に相当する位置に開口部
を有する遮光層を基板上に形成した後、感光性高分子層
を形成し、裏面露光と現像処理を行うことで、前記感光
性高分子層の表面に凹凸構造を形成することを特徴とす
る凹凸形状体の製造方法。
20. A method of manufacturing an uneven body having an uneven structure on a substrate, comprising: forming a light-shielding layer having an opening at least at a position corresponding to a convex portion of the uneven structure on the substrate; A method for producing a concavo-convex body, wherein a concavo-convex structure is formed on the surface of the photosensitive polymer layer by forming a layer and performing a backside exposure and a development treatment.
【請求項21】前記裏面露光が、前記遮光層の開口部に
起因する回折光を用いた裏面露光であることを特徴とす
る請求項20記載の凹凸形状体の製造方法。
21. The method according to claim 20, wherein the backside exposure is a backside exposure using diffracted light caused by an opening of the light shielding layer.
【請求項22】前記感光性高分子層が層厚方向で透過光
を減衰する材料を含有し、前記露光が、前記感光性高分
子層での減衰光を用いた露光であることを特徴とする請
求項20記載の凹凸形状体の製造方法。
22. The photosensitive polymer layer contains a material that attenuates transmitted light in a layer thickness direction, and the exposure is exposure using attenuated light in the photosensitive polymer layer. 21. The method for producing a concavo-convex body according to claim 20.
【請求項23】前記感光性高分子層において、露光時に
入射する光の露光波長における強度の50%以上、95
%以下が吸収されることを特徴とする請求項22記載の
凹凸形状体の製造方法。
23. The photosensitive polymer layer, wherein the intensity of light incident upon exposure at an exposure wavelength is 50% or more and 95% or more.
23. The method according to claim 22, wherein not more than 10% is absorbed.
【請求項24】前記感光性高分子層において、露光時に
入射する光の露光波長における強度の70%以上、95
%以下が吸収されることを特徴とする請求項22記載の
凹凸形状体の製造方法。
24. The photosensitive polymer layer, wherein the intensity of light incident upon exposure at an exposure wavelength is 70% or more and 95% or more.
23. The method according to claim 22, wherein not more than 10% is absorbed.
【請求項25】凹凸構造を有する凹凸形状体の製造方法
において、感光性高分子層が積層された基板に裏面露光
を行う際に、露光する光が基板に斜め方向から入射する
ことを特徴とする請求項13記載の凹凸形状体の製造方
法。
25. A method of manufacturing a concave-convex shaped body having a concave-convex structure, wherein when exposing a back surface to a substrate on which a photosensitive polymer layer is laminated, light to be exposed enters the substrate obliquely. The method for producing a concave-convex body according to claim 13.
【請求項26】前記裏面露光を行う際の露光する光の立
体角が0.5°以上15°以下であることを特徴とする
請求項25記載の凹凸形状体の製造方法。
26. The method according to claim 25, wherein the solid angle of the light to be exposed at the time of performing the back surface exposure is 0.5 ° or more and 15 ° or less.
【請求項27】基板上に凹凸構造部を有する凹凸形状体
において、 前記凹凸構造部の凹凸形状は、 基板上に感光性高分子層を形成し、この感光性高分子層
に対して、立体角が0.5°以上15°以下の露光光を
基板に対して斜め方向から入射させる斜め露光方式の裏
面露光処理と現像処理とを行うことにより得られたもの
であることを特徴とする凹凸形状体。
27. An uneven body having an uneven structure portion on a substrate, wherein the uneven shape of the uneven structure portion is such that a photosensitive polymer layer is formed on a substrate, and a three-dimensional structure is formed on the photosensitive polymer layer. An uneven surface characterized by being obtained by performing a back surface exposure process and a development process of an oblique exposure method in which exposure light having an angle of 0.5 ° or more and 15 ° or less is incident on a substrate in an oblique direction. Shape body.
【請求項28】基板の製造装置において、感光性高分子
層が積層された基板に裏面露光を行う際に、露光する光
を基板に斜め方向から入射させる手段を具備することを
特徴とする製造装置。
28. A manufacturing apparatus for a substrate, comprising: means for causing light to be exposed to enter the substrate obliquely when performing backside exposure on the substrate on which the photosensitive polymer layer is laminated. apparatus.
【請求項29】前記裏面露光を行う際の露光する光の立
体角が0.5°以上15°以下であることを特徴とする
請求項28記載の基板の製造装置。
29. The substrate manufacturing apparatus according to claim 28, wherein a solid angle of light to be exposed when performing the backside exposure is 0.5 ° or more and 15 ° or less.
【請求項30】請求項28記載の製造装置により製造さ
れたことを特徴とする凹凸形状体。
30. An uneven shape body manufactured by the manufacturing apparatus according to claim 28.
【請求項31】基板に感光性樹脂を塗布する工程と、少
なくとも2個の同一位相の球面波を有する露光光を前記
感光性樹脂に照射する工程と、前記露光光を照射した感
光性樹脂を現像する工程とを、有することを特徴とする
凹凸形状体の製造方法。
31. A step of applying a photosensitive resin to a substrate, a step of irradiating the photosensitive resin with exposure light having at least two spherical waves having the same phase, and a step of applying the photosensitive resin irradiated with the exposure light. And a developing step.
【請求項32】基板上に凹凸構造部を有する凹凸形状体
において、 前記凹凸構造部の凹凸形状は、 基板上に感光性高分子層を形成し、この感光性高分子層
に対して少なくとも2個の同一位相の球面波を有する露
光光を照射する露光処理と現像処理とを行うことにより
得られたものであることを特徴とする凹凸形状体。
32. An uneven body having an uneven structure portion on a substrate, wherein the uneven shape of the uneven structure portion is such that a photosensitive polymer layer is formed on a substrate, and at least two photosensitive polymer layers are formed on the photosensitive polymer layer. An uneven shape body obtained by performing an exposure process of irradiating exposure light having a same number of spherical waves of the same phase and a development process.
【請求項33】請求項1乃至12、27、30、32の
何れかに記載の凹凸形状体を含むことを特徴とするレン
ズ。
33. A lens comprising the uneven body according to any one of claims 1 to 12, 27, 30, and 32.
【請求項34】請求項1乃至12、27、30、32の
何れかに記載の凹凸形状体を含むことを特徴とする散乱
反射板。
34. A scattering reflection plate comprising the uneven body according to any one of claims 1 to 12, 27, 30, and 32.
【請求項35】請求項34記載の散乱反射板を具備する
ことを特徴とする反射型液晶表示素子。
35. A reflective liquid crystal display device comprising the scattering reflector according to claim 34.
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JP2003287772A (en) * 2002-01-23 2003-10-10 Seiko Epson Corp Reflective electrooptic device and electronic apparatus
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