JP2001337142A - Semiconductor testing apparatus - Google Patents

Semiconductor testing apparatus

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JP2001337142A
JP2001337142A JP2000161168A JP2000161168A JP2001337142A JP 2001337142 A JP2001337142 A JP 2001337142A JP 2000161168 A JP2000161168 A JP 2000161168A JP 2000161168 A JP2000161168 A JP 2000161168A JP 2001337142 A JP2001337142 A JP 2001337142A
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Japan
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relay
control
channel
circuit
relays
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Masatoshi Ohashi
正俊 大橋
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor testing device for facilitating multichannel by reducing the number of output pins of a relay-control LSI in pin electronics. SOLUTION: A switch of a test signal for each channel in pin electronics is carried out, according to make/break control of the relay of a plurality of relays in this semiconductor testing apparatus. The semiconductor testing apparatus is provided with a relay control signal producing circuit giving data for controlling the relays in the respective channels, a switching circuit selectively switching the control data of the respective channels in the relay control signal producing circuit, a flip-flop writing and storing the channel control data selected by the switching circuit by a writing enable signal for performing the relay make/break control, and a writing control signal circuit producing the writing enable signal for the flip-flop.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ピンエレクトロニ
クスにおける各チャンネルの試験信号の切り換えを複数
のリレーのメーク/ブレーク制御によりおこなう半導体
試験装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a semiconductor test apparatus for switching a test signal of each channel in pin electronics by making / break control of a plurality of relays.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来技術の例について、図2〜図4を参
照して構成と動作について説明する。最初に半導体試験
装置の構成の概要について説明する。図2に示すよう
に、半導体試験装置の構成は、ワークステーション1
と、メインフレーム2と、テストヘッド3と、パフォー
マンスボード80と、ICソケット90とで構成してい
る。
2. Description of the Related Art The configuration and operation of an example of the prior art will be described with reference to FIGS. First, the outline of the configuration of the semiconductor test apparatus will be described. As shown in FIG. 2, the configuration of the semiconductor test apparatus is a workstation 1
, A main frame 2, a test head 3, a performance board 80, and an IC socket 90.

【0003】ワークステーション1は、半導体試験装置
と人とのインタフェースとなる入出力手段である。メイ
ンフレーム2は、半導体試験装置の電源部と、コンピュ
ータと、試験信号の生成部と、論理比較器等を内蔵して
いる。テストヘッド3は、ピンエレクトロニクス10の
基板を試験チャンネル数に対応した複数内蔵している。
パフォーマンスボード80は、ピンエレクトロニクス1
0の電子回路に接続されたICソケット90を搭載して
いる。ICソケット90は、被試験デバイスを搭載する
ソケットである。
[0003] The workstation 1 is an input / output means that serves as an interface between a semiconductor test apparatus and a person. The main frame 2 contains a power supply unit of the semiconductor test apparatus, a computer, a test signal generation unit, a logical comparator, and the like. The test head 3 incorporates a plurality of substrates of the pin electronics 10 corresponding to the number of test channels.
The performance board 80 is a pin electronics 1
The IC socket 90 connected to the electronic circuit No. 0 is mounted. The IC socket 90 is a socket for mounting a device under test.

【0004】次に、半導体試験装置の動作の概要につい
て図3のブロック図を参照して説明する。パターン発生
器5において、タイミング発生器4から出力された基本
クロック信号に同期して論理データを発生する。波形整
形器6において、パターン発生器からの論理データと、
タイミング発生器4からのクロック信号とで試験パター
ンを生成する。ピンエレクトロニクス10において、試
験パターンはドライバにより所望の電圧レベルに増幅さ
れ、DUT91の入力ピンに出力する。DUT91の出
力ピンからの出力信号は、ピンエレクトロニクス10の
コンパレータにより電圧比較して論理信号として出力す
る。論理比較器7において、タイミング発生器4からの
ストローブ信号のタイミングで、DUT91の論理出力
信号と、パターン発生器5からの期待値と、論理比較さ
れてパス/フェイル判定をおこなう。
Next, the outline of the operation of the semiconductor test apparatus will be described with reference to the block diagram of FIG. The pattern generator 5 generates logical data in synchronization with the basic clock signal output from the timing generator 4. In the waveform shaper 6, the logical data from the pattern generator,
A test pattern is generated with the clock signal from the timing generator 4. In the pin electronics 10, the test pattern is amplified to a desired voltage level by a driver and output to an input pin of the DUT 91. The output signal from the output pin of the DUT 91 is compared with a voltage by a comparator of the pin electronics 10 and output as a logic signal. In the logical comparator 7, at the timing of the strobe signal from the timing generator 4, the logical output signal of the DUT 91 and the expected value from the pattern generator 5 are logically compared to make a pass / fail judgment.

【0005】次に、ピンエレクトロニクス10と、DU
T91との信号関係の動作について図4を参照して説明
する。図4に示すように、ピンエレクトロニクス10に
おいて、波形整形器(FC)からの試験パターンを所望
の電圧レベルに増幅してDUT91に出力するドライバ
D11と、DUT91からの出力信号を電圧比較するコ
ンパレータC11とは、リレーS12によりメーク(O
N)/ブレーク(OFF)される。また、電圧を印加し
て電流を測定するユニバーサルDCテストユニット(U
DC)とDUT91とのピンとは、リレーS11により
メーク/ブレークされる。さらに、DUT91の出力ピ
ンからの信号を終端する終端抵抗R1は、リレーS13
によりメーク/ブレークされる。
Next, the pin electronics 10 and the DU
The operation of the signal relationship with T91 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 4, in the pin electronics 10, a driver D11 that amplifies a test pattern from a waveform shaper (FC) to a desired voltage level and outputs the amplified voltage to a DUT 91, and a comparator C11 that compares an output signal from the DUT 91 with a voltage. Means make (O) by relay S12
N) / break (OFF). In addition, a universal DC test unit (U
DC) and the pin of the DUT 91 are made / breaked by the relay S11. Further, the terminating resistor R1 for terminating the signal from the output pin of the DUT 91 is connected to the relay S13.
Make / break.

【0006】同様に、DUT91の各ピンごとにリレー
S21、S22、S23をメーク/ブレークしている。
ここで、リレーは、例えばリードリレーであり、30〜
40mAのドライブ電流によりメーク/ブレーク制御さ
れる。また、DUT91の各ピンに対応するピンエレク
トロニクス10における各チャンネルに使用されるリレ
ーの数は3個としたが、実際に使用される数はピンエレ
クトロニクスの種類により3〜8個である。
Similarly, make / break of relays S21, S22, S23 is performed for each pin of DUT 91.
Here, the relay is, for example, a reed relay, and 30 to
Make / break control is performed by a drive current of 40 mA. Although the number of relays used for each channel in the pin electronics 10 corresponding to each pin of the DUT 91 is three, the number actually used is three to eight depending on the type of pin electronics.

【0007】次に、従来技術の半導体試験装置のリレー
の制御回路について図5を参照して説明する。図5に示
すように、リレー制御回路は、リレー制御部70と、リ
レー制御LSI20と、リレードライバRd11、Rd
12、Rd21、Rd22、・・・、Rdn1、Rdn
2とで構成している。そして、リレーS11、S12、
S21、S22、・・・、Sn1、Sn2をメーク/ブ
レーク制御している。但し、図5のピンエレクトロニク
ス10において、制御されるリレーの数は、図を簡明と
するために各チャンネルあたり2個分を示した。また、
リレーにより制御される信号の回路素子はドライバD1
1のみ示して他は省略している。
Next, a control circuit of a relay of a conventional semiconductor test apparatus will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 5, the relay control circuit includes a relay control unit 70, a relay control LSI 20, relay drivers Rd11, Rd
12, Rd21, Rd22, ..., Rdn1, Rdn
And 2. And relays S11, S12,
Make / break control is performed on S21, S22,..., Sn1 and Sn2. However, in the pin electronics 10 of FIG. 5, the number of relays to be controlled is two for each channel in order to simplify the drawing. Also,
The circuit element of the signal controlled by the relay is a driver D1
Only one is shown and the others are omitted.

【0008】リレー制御部70は、DUT91を試験す
るプログラムに対応してリレーを制御する制御信号をリ
レー制御LSI20にバス形式で供給する。
The relay control section 70 supplies a control signal for controlling the relay in accordance with a program for testing the DUT 91 to the relay control LSI 20 in the form of a bus.

【0009】リレー制御LSI20は、各チャンネルご
とにメーク/ブレーク制御するリレーに対応した制御信
号を出力する。
The relay control LSI 20 outputs a control signal corresponding to a relay for performing make / break control for each channel.

【0010】リレードライバRd11、Rd12、Rd
21、Rd22、・・・、Rdn1、Rdn2は、リレ
ー制御LSI20からのメーク/ブレーク制御信号によ
りリレーS11、S12、S21、S22、・・・、S
n1、Sn2の各電磁コイルをそれぞれ駆動してメーク
/ブレークする。リレーS11、S12、S21、S2
2、・・・、Sn1、Sn2は、電磁式であるため、電
磁コイルに電流を流すことで誘導起電力が生じ、この起
電力でリレー制御LSI20を破損してしまうのでリレ
ードライバRd11、Rd12、Rd21、Rd22、
・・・、Rdn1、Rdn2が必ず必要である。
[0010] Relay drivers Rd11, Rd12, Rd
, Rdn1,..., Rdn1, Rdn2 are relays S11, S12, S21, S22,.
The make / break is performed by driving the respective electromagnetic coils of n1 and Sn2. Relays S11, S12, S21, S2
2,..., Sn1, Sn2 are of the electromagnetic type, so that an induced electromotive force is generated when a current flows through the electromagnetic coil, and the electromotive force damages the relay control LSI 20, so that the relay drivers Rd11, Rd12, Rd21, Rd22,
.., Rdn1 and Rdn2 are always required.

【0011】ここで、ピンエレクトロニクス10の各チ
ャンネルにメーク/ブレーク制御必要なリレーの数を6
個とし、ピンエレクトロニクス10の電子回路が80チ
ャンネルとすれば、制御信号数は、6×80チャンネル
=480チャンネルとなる。従って、半導体試験装置の
多チャンネル化により、リレー制御LSI20は、出力
信号が多くなるので、半導体試験装置の多チャンネル化
と1チャンネル当たりの制御リレー数の増加に対応し
て、リレー制御LSI20も多ピン化しなければならな
い。
Here, the number of relays required for make / break control for each channel of the pin electronics 10 is six.
Assuming that the number of electronic circuits of the pin electronics 10 is 80, the number of control signals is 6 × 80 = 480. Accordingly, the output signal of the relay control LSI 20 increases due to the increase in the number of channels of the semiconductor test device. Therefore, the relay control LSI 20 also increases in response to the increase of the number of channels of the semiconductor test device and the number of control relays per channel. Must be pinned.

【0012】その結果、リレー制御LSI20のパッケ
ージのサイズも大きくなりピンエレクトロニクス10の
基板が大きくなり、テストヘッドも大きくなる。
As a result, the package size of the relay control LSI 20 becomes large, the substrate of the pin electronics 10 becomes large, and the test head becomes large.

【0013】例えば、リレー制御LSI20を多ピン化
する場合、BGAパッケージとすれば小型化ができる
が、搭載するピンエレクトロニクスを多層基板としなけ
ればならずコストが激増してしまい現実的な方法でな
い。
For example, when the relay control LSI 20 has a large number of pins, a BGA package can be used for downsizing. However, the pin electronics to be mounted must be a multi-layer board, and the cost increases drastically, which is not a practical method.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】上記説明のように、従
来のピンエレクトロニクスのリレー制御方式の半導体試
験装置では、多チャンネル化する場合、リレー制御LS
Iの出力ピン数が増大し、そのパッケージのサイズも大
きくなりテストヘッドが大きくなるし、BGAパッケー
ジとすればコストが激増するなど実用上の問題があっ
た。そこで、本発明は、こうした問題に鑑みなされたも
ので、その目的は、ピンエレクトロニクスのリレー制御
LSIの出力ピン数を削減して多チャンネル化を容易に
した半導体試験装置を提供することにある。
As described above, in the conventional semiconductor test apparatus of the pin electronics relay control system, when the number of channels is increased, the relay control LS is required.
The number of output pins of I increases, the size of the package also increases, the test head increases, and there is a practical problem such as the cost increases sharply in the case of a BGA package. The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a semiconductor test apparatus in which the number of output pins of a relay control LSI of pin electronics is reduced to facilitate multichannel operation.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】即ち、上記目的を達成す
るためになされた本発明は、ピンエレクトロニクスにお
ける各チャンネルの試験信号の切換を複数のリレーのメ
ーク/ブレーク制御によりおこなう半導体試験装置にお
いて、各チャンネルのリレーを制御するデータを与える
リレー制御信号発生回路と、該リレー制御信号発生回路
の各チャンネルの制御データを切り換えて選択する切換
回路と、該切換回路で選択したチャンネルの制御データ
を書き込みイネーブル信号により書き込み保持して、前
記リレーのメーク/ブレーク制御をするフリップフロッ
プと、該フリップフロップの書き込みイネーブル信号を
発生する書き込み制御信号発生回路と、を具備している
ことを特徴とした半導体試験装置を要旨としている。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a semiconductor test apparatus for switching a test signal of each channel in pin electronics by making / break control of a plurality of relays. A relay control signal generation circuit for providing data for controlling the relay of each channel, a switching circuit for switching and selecting control data of each channel of the relay control signal generation circuit, and writing control data for the channel selected by the switching circuit A semiconductor test comprising: a flip-flop for writing / holding by an enable signal to perform make / break control of the relay; and a write control signal generating circuit for generating a write enable signal for the flip-flop. The device is the gist.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態は、下記の実
施例において説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described in the following examples.

【0017】[0017]

【実施例】本発明の実施例について、図1〜図4を参照
して構成と動作について説明する。半導体試験装置の図
2と図3に示す主要構成と動作については従来と同じで
あり従来技術において説明したので説明を省略する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The main configuration and operation of the semiconductor test apparatus shown in FIG. 2 and FIG. 3 are the same as those in the related art and have been described in the related art, so that the description is omitted.

【0018】また、図4に示すピンエレクトロニクス1
0と、DUT91との信号関係の動作についても従来と
同じであるので説明を省略する。
The pin electronics 1 shown in FIG.
The operation of the signal relation between 0 and the DUT 91 is also the same as the conventional operation, and the description is omitted.

【0019】本発明の半導体試験装置におけるリレーの
制御回路について図1を参照して説明する。図1に示す
ように、リレー制御回路は、リレー制御部70と、リレ
ー制御LSI30と、リレードライバの代わりとしてフ
リップフロップFF11、FF12、FF21、FF2
2、・・・、FFn1、FFn2とで構成している。そ
して、リレーS11、S12、S21、S22、・・
・、Sn1、Sn2をメーク/ブレーク制御している。
但し、図1のピンエレクトロニクス10において、制御
されるリレーの数は、図を簡明とするために各チャンネ
ルあたり2個分を示した。また、リレーにより制御され
る信号の回路素子はドライバD11のみ示している。
The relay control circuit in the semiconductor test apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, the relay control circuit includes a relay control unit 70, a relay control LSI 30, and flip-flops FF11, FF12, FF21, FF2 instead of a relay driver.
, FFn1 and FFn2. Then, the relays S11, S12, S21, S22,.
-Make / break control of Sn1, Sn2.
However, in the pin electronics 10 of FIG. 1, the number of relays to be controlled is shown as two for each channel in order to simplify the drawing. Further, only the driver D11 is shown as a circuit element of a signal controlled by the relay.

【0020】リレー制御部70は、DUT91を試験す
るプログラムに対応してリレーを制御する制御信号をリ
レー制御LSI30に供給する。
The relay control unit 70 supplies a control signal for controlling a relay to the relay control LSI 30 in accordance with a program for testing the DUT 91.

【0021】リレー制御LSI30は、リレー制御信号
発生回路41、42、・・・、4nと、切換回路50
と、書き込み制御信号発生回路60とで構成している。
リレー制御信号発生回路41は、1チャンネル目のリレ
ーS11、S12を制御するデータD1A、D1Bを切
換回路50に出力する。また、リレー制御信号発生回路
42は、2チャンネル目のリレーS21、S22を制御
するデータD2A、D2Bを切換回路50に出力する。
同様に、リレー制御信号発生回路4nは、nチャンネル
目のリレーSn1、Sn2を制御するデータDnA、D
nBを切換回路50に出力する。
The relay control LSI 30 includes a relay control signal generation circuit 41, 42,.
And a write control signal generation circuit 60.
The relay control signal generation circuit 41 outputs data D1A and D1B for controlling the relays S11 and S12 of the first channel to the switching circuit 50. The relay control signal generation circuit 42 outputs data D2A and D2B for controlling the relays S21 and S22 of the second channel to the switching circuit 50.
Similarly, the relay control signal generation circuit 4n includes data DnA and Dn for controlling the relays Sn1 and Sn2 of the n-th channel.
nB is output to the switching circuit 50.

【0022】切換回路50は、リレー制御部70からの
制御信号で、どのチャンネルの制御データを出力するか
選択する。
The switching circuit 50 selects which channel of control data is to be output by a control signal from the relay control unit 70.

【0023】書き込み制御信号発生回路60は、リレー
を制御するデータをフリップフロップに書き込むための
クロック信号を発生させる。
The write control signal generation circuit 60 generates a clock signal for writing data for controlling the relay into the flip-flop.

【0024】フリップフロップFF11、FF12、F
F21、FF22、・・・、FFn1、FFn2は、リ
レーS11、S12、S21、S22、・・・、Sn
1、Sn2の各電磁コイルを駆動してそれぞれメーク
(ON)/ブレーク(OFF)する。
The flip-flops FF11, FF12, F
F21, FF22,... FFn1, FFn2 are relays S11, S12, S21, S22,.
1. The respective electromagnetic coils of Sn2 are driven to make (ON) / break (OFF), respectively.

【0025】例えば、1チャンネル目のリレーS11、
S12を制御する場合には、切換回路50により制御デ
ータD1A、D1Bを選択し、書き込み制御信号発生回
路60より書き込みイネーブル信号WE1を発生させ、
フリップフロップFF11、FF12にデータを書き込
み、その出力Q1A、Q1Bのハイ(High)/ロー
(LOW)により、リレーS11、S12をメーク/ブ
レークする。
For example, the first channel relay S11,
In the case of controlling S12, control data D1A and D1B are selected by the switching circuit 50, and the write enable signal WE1 is generated by the write control signal generation circuit 60.
Data is written into the flip-flops FF11 and FF12, and the relays S11 and S12 are made / breaked by the outputs Q1A and Q1B being high / low.

【0026】また、2チャンネル目のリレーS21、S
22を制御する場合には、切換回路50により制御デー
タD2A、D2Bを選択し、書き込み制御信号発生回路
60より書き込みイネーブル信号WE1を発生させ、フ
リップフロップFF21、FF22に制御データを書き
込み、その出力Q2A、Q2Bのハイ/ローにより、リ
レーS21、S22をメーク/ブレークする。このと
き、1チャンネル目のリレーS11、S12は、フリッ
プフロップFF11、FF12の制御データD1A、D
1Bが保持されているので、制御データD1A、D1B
の書き換えはおこらない。
The relays S21 and S of the second channel
In the case of controlling the control signal 22, the control data D 2 A and D 2 B are selected by the switching circuit 50, the write enable signal WE 1 is generated by the write control signal generation circuit 60, the control data is written into the flip-flops FF 21 and FF 22, and the output Q 2 A , Q2B high / low makes and breaks relays S21 and S22. At this time, the relays S11 and S12 of the first channel are connected to the control data D1A and D1 of the flip-flops FF11 and FF12.
1B, the control data D1A, D1B
Is not rewritten.

【0027】同様に、nチャンネル目のリレーSn1、
Sn2もメーク/ブレーク制御できる。
Similarly, the relay Sn1 of the n-th channel,
Make / break control can also be performed on Sn2.

【0028】従って、切換回路50によりnチャンネル
のデータを共有できるため、リレー制御LSI30の出
力ピンの数を減らすことができる。例えば、ピンエレク
トロニクス10の各チャンネルにメーク/ブレーク制御
必要なリレーの数を6個とし、ピンエレクトロニクス1
0の電子回路が80チャンネルとすれば、切換回路50
の制御データ出力は6本であり、書き込み制御信号発生
回路60の書き込みイネーブル信号数は、80チャンネ
ルとなる。
Therefore, since data of n channels can be shared by the switching circuit 50, the number of output pins of the relay control LSI 30 can be reduced. For example, if the number of relays required for make / break control for each channel of the pin electronics 10 is six,
If the electronic circuit of 0 is 80 channels, the switching circuit 50
Has six control data outputs, and the number of write enable signals of the write control signal generation circuit 60 is 80 channels.

【0029】一方、リレー制御部70とリレー制御LS
I30間の信号は、従来同様のバス形式で供給してい
る。例えば、バス信号のデータを8ビットとして8チャ
ンネルを制御する場合、0〜4ビット目がどのリレーを
制御するかの指定をし、5〜7ビット目がどのチャンネ
ルを制御するかの指定をし、8ビット目がリレー制御信
号発生回路41〜4nと書き込み制御信号発生回路60
との選択をする。そして、さらにチャンネル数を増加さ
せる場合、バス信号のビット数を増加させるために制御
信号数を追加させる必要があるが、従来もバス形式を採
用しているので制御本数自体は従来と同じとなる。つま
り、リレー制御部70とリレー制御LSI30間の信号
ライン数は、制御するチャンネル数が同じであれば従来
と本発明とは同じ本数となる。
On the other hand, the relay control unit 70 and the relay control LS
The signal between I30 is supplied in the same bus format as before. For example, when controlling 8 channels with the bus signal data as 8 bits, the 0th to 4th bits specify which relay is controlled, and the 5th to 7th bits specify which channel is controlled. The eighth bit is the relay control signal generation circuits 41 to 4n and the write control signal generation circuit 60
And make a choice. When further increasing the number of channels, it is necessary to add the number of control signals in order to increase the number of bits of the bus signal. However, since the conventional bus format is used, the number of control signals is the same as the conventional one. . That is, the number of signal lines between the relay control unit 70 and the relay control LSI 30 is the same as that of the related art and the present invention if the number of controlled channels is the same.

【0030】ところで、被測定デバイスのDUT91を
試験する場合、多数のチャンネルを使用するが、各チャ
ンネルのリレー設定は同じ制御であることが多い。例え
ば、図4に示すように、DUT91の内部素子のAND
ゲートA1、A2を試験する場合、ANDゲートA1、
A2の入力の4ピンに信号を与えるリレーS12、S2
1、S31、S41は、同じメーク/ブレーク制御をす
る。但し、リレーS31、S41は、図4に示していな
い。
By the way, when testing the DUT 91 of the device under test, many channels are used, but the relay setting of each channel is often the same control. For example, as shown in FIG.
When testing the gates A1, A2, the AND gates A1,
Relays S12 and S2 for providing a signal to pin 4 of the input of A2
1, S31 and S41 perform the same make / break control. However, the relays S31 and S41 are not shown in FIG.

【0031】つまり、チャンネル1〜mまでのリレーの
メーク/ブレーク制御が同じである場合、チャンネル1
〜mまでの制御データが同じでことを示す信号をリレー
制御部70からリレー制御LSI30に入力すること
で、書き込み制御信号発生回路60は書き込みイネーブ
ル信号WE1〜WEmを同じタイミングで一斉に出力
し、フリップフロップFF1〜FFmにリレー制御デー
タDA、DBを一斉に書き込み、チャンネル1〜mのリ
レーS11〜Sm1を同時に設定することができる。従
って、本発明の半導体試験装置は、リレー制御の時間が
短縮できるのでデバイスの試験時間短縮となる。
That is, if the make / break control of the relays of channels 1 to m is the same, channel 1
To the relay control LSI 30 from the relay control unit 70, the write control signal generation circuit 60 simultaneously outputs the write enable signals WE1 to WEm at the same timing, Relay control data DA and DB are simultaneously written into flip-flops FF1 to FFm, and relays S11 to Sm1 of channels 1 to m can be set at the same time. Therefore, in the semiconductor test apparatus of the present invention, the time for controlling the relay can be reduced, so that the test time for the device can be reduced.

【0032】従って、半導体試験装置の多チャンネル化
する場合、リレー制御LSI30は、出力信号を少なく
できるので、半導体試験装置の多チャンネル化と1チャ
ンネル当たりの制御リレー数の増加にかかわらず、リレ
ー制御LSI30を多ピン化しなくてもすむ。
Therefore, when the semiconductor test device is to be multi-channeled, the relay control LSI 30 can reduce the number of output signals. It is not necessary to increase the number of pins of the LSI 30.

【0033】リレー制御LSI30を多ピン化する場
合、パッケージのサイズも大きくしなくてもすむので、
ピンエレクトロニクス10の基板が小さくても実現で
き、テストヘッドも大きくならない。
When increasing the number of pins of the relay control LSI 30, it is not necessary to increase the package size.
This can be realized even if the substrate of the pin electronics 10 is small, and the test head does not become large.

【0034】[0034]

【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載されるような効果を奏する。即ち、
リレーの切換制御データを切換回路により共有したの
で、多数チャンネルの制御を少ないピン数のリレー制御
LSIで実現でき、テストヘッドのサイズを小さくでき
る。また、各チャンネルのリレーを同じ設定する場合、
書き込みイネーブル信号を制御することでリレーの制御
が高速にできる効果がある。
The present invention is embodied in the form described above and has the following effects. That is,
Since the switching control data of the relay is shared by the switching circuit, control of many channels can be realized by a relay control LSI having a small number of pins, and the size of the test head can be reduced. Also, if you set the same relay for each channel,
By controlling the write enable signal, there is an effect that the speed of the relay control can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の半導体試験装置の要部回路図である。FIG. 1 is a main part circuit diagram of a semiconductor test apparatus of the present invention.

【図2】半導体試験装置の外観図である。FIG. 2 is an external view of a semiconductor test apparatus.

【図3】半導体試験装置の要部ブロック図である。FIG. 3 is a main block diagram of the semiconductor test apparatus.

【図4】半導体試験装置の要部回路図である。FIG. 4 is a main part circuit diagram of the semiconductor test apparatus.

【図5】従来の半導体試験装置の要部回路図である。FIG. 5 is a main part circuit diagram of a conventional semiconductor test apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ワークステーション 2 メインフレーム 3 テストヘッド 4 タイミング発生器 5 パターン発生器 6 波形整形器 7 論理比較器 10 ピンエレクトロニクス 20、30 リレー制御LSI 41、42、・・・4n リレー制御信号発生回路 50 切換回路 60 書き込み制御信号発生回路 70 リレ制御部 80 パフォーマンスボード 90 ICソケット 91 DUT DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Workstation 2 Main frame 3 Test head 4 Timing generator 5 Pattern generator 6 Waveform shaper 7 Logic comparator 10 Pin electronics 20, 30 Relay control LSI 41, 42, ... 4n Relay control signal generation circuit 50 Switching circuit Reference Signs List 60 write control signal generation circuit 70 relay control section 80 performance board 90 IC socket 91 DUT

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ピンエレクトロニクスにおける各チャン
ネルの試験信号の切換を複数のリレーのメーク/ブレー
ク制御によりおこなう半導体試験装置において、 各チャンネルのリレーを制御するデータを与えるリレー
制御信号発生回路と、 該リレー制御信号発生回路の各チャンネルの制御データ
を切り換えて選択する切換回路と、 該切換回路で選択したチャンネルの制御データを書き込
みイネーブル信号により書き込み保持して、前記リレー
のメーク/ブレーク制御をするフリップフロップと、 該フリップフロップの書き込みイネーブル信号を発生す
る書き込み制御信号発生回路と、 を具備していることを特徴とした半導体試験装置。
1. A semiconductor test apparatus for switching a test signal of each channel in pin electronics by make / break control of a plurality of relays, a relay control signal generating circuit for providing data for controlling a relay of each channel, and the relay A switching circuit for switching and selecting control data of each channel of the control signal generating circuit; and a flip-flop for writing / holding the control data of the channel selected by the switching circuit with a write enable signal to perform make / break control of the relay. And a write control signal generation circuit for generating a write enable signal for the flip-flop.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008107366A (en) * 2008-01-09 2008-05-08 Renesas Technology Corp Interface circuit

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