JP2001332912A - Dielectric resonator, producing method therefor, oscillator, filter, duplexer and communications equipment - Google Patents
Dielectric resonator, producing method therefor, oscillator, filter, duplexer and communications equipmentInfo
- Publication number
- JP2001332912A JP2001332912A JP2000150426A JP2000150426A JP2001332912A JP 2001332912 A JP2001332912 A JP 2001332912A JP 2000150426 A JP2000150426 A JP 2000150426A JP 2000150426 A JP2000150426 A JP 2000150426A JP 2001332912 A JP2001332912 A JP 2001332912A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- resonator
- dielectric substrate
- electrode
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波やミリ
波帯での無線通信に用いられる誘電体共振器、発振器、
フィルタ、デュプレクサ、通信機装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dielectric resonator, an oscillator, and the like used for wireless communication in a microwave or millimeter wave band.
The present invention relates to a filter, a duplexer, and a communication device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の誘電体共振器を用いた発振器を、
図5に基づいて説明する。なお、図5は従来の誘電体共振
器を用いた発振器の分解斜視図である。図5に示すよう
に従来の誘電体共振器を用いた発振器110は、パッケー
ジケース111および金属板からなるパッケージ蓋119と、
パッケージ内に収納される回路基板120および誘電体共
振器の構成要素である誘電体基板130とから構成されて
いる。2. Description of the Related Art An oscillator using a conventional dielectric resonator is
This will be described with reference to FIG. FIG. 5 is an exploded perspective view of an oscillator using a conventional dielectric resonator. As shown in FIG. 5, an oscillator 110 using a conventional dielectric resonator includes a package case 111 and a package lid 119 made of a metal plate,
It is composed of a circuit board 120 housed in a package and a dielectric substrate 130 which is a component of the dielectric resonator.
【０００３】パッケージケース111はアルミナなどのセ
ラミックから形成され、誘電体基板130が収納されるた
めの凹部112と、回路基板120が搭載されるための搭載部
113が形成されている。そして、凹部112および搭載部11
3はそれぞれ金属によりメタライズされている。また、
パッケージケース111には、出力端子114およびバイアス
電圧入力端子115、116が、それぞれコプレーナ線路によ
り形成されている。A package case 111 is formed of a ceramic such as alumina, and has a concave portion 112 for accommodating a dielectric substrate 130 and a mounting portion for mounting a circuit board 120.
113 are formed. Then, the concave portion 112 and the mounting portion 11
3 are each metallized by metal. Also,
In the package case 111, an output terminal 114 and bias voltage input terminals 115 and 116 are respectively formed by coplanar lines.
【０００４】回路基板120はその表面に発振回路が構成
され、裏面には誘電体共振器が配置される位置、すなわ
ち主線路および副線路と誘電体共振器とが結合する位置
を除いてアース電極が形成されている。そして、回路基
板120上の回路とパッケージケース111に形成された出力
端子114およびバイアス電圧入力端子115、116とがそれ
ぞれ接続されている。The circuit board 120 has an oscillating circuit formed on its front surface and a ground electrode on its back surface except for the position where the dielectric resonator is arranged, that is, the position where the main line and the sub-line are coupled to the dielectric resonator. Are formed. The circuit on the circuit board 120 is connected to the output terminal 114 and the bias voltage input terminals 115 and 116 formed on the package case 111, respectively.
【０００５】また、誘電体基板130はその表裏面に電極1
31が形成され、電極131が除去されることにより互いに
対向する位置に円形の開口部132が形成されている。そ
して、誘電体基板130は導電性接着剤などにより回路基
板裏面に接続され、その回路基板120がパッケージケー
ス111内の搭載部113に搭載されることで、誘電体基板13
0がパッケージケース111内の凹部112に収納される。The dielectric substrate 130 has electrodes 1 on its front and back surfaces.
The circular opening 132 is formed at a position facing each other by forming the electrode 31 and removing the electrode 131. Then, the dielectric substrate 130 is connected to the back surface of the circuit board by a conductive adhesive or the like, and the circuit board 120 is mounted on the mounting portion 113 in the package case 111.
0 is stored in the recess 112 in the package case 111.
【０００６】このようにして、誘電体基板130、パッケ
ージケース111内凹部113に形成された金属によるメタラ
イズ、および金属板からなるパッケージ蓋119とで誘電
体共振器が構成されることになる。そしてこの誘電体共
振器は、その誘電体基板130の誘電率や厚み、誘電体基
板130と金属によるメタライズとの間隔や誘電体基板130
とパッケージ蓋119との間隔を設定することにより、誘
電体基板130に形成された二つの円形の開口部132に挟ま
れる位置にエネルギーが集中した、高い無負荷Ｑを有す
るＴＥ010モードの共振器として機能する。In this manner, a dielectric resonator is constituted by the dielectric substrate 130, the metallized metal formed in the recess 113 in the package case 111, and the package lid 119 made of a metal plate. The dielectric resonator has the dielectric constant and thickness of the dielectric substrate 130, the distance between the dielectric substrate 130 and the metallized metal, and the dielectric substrate 130.
By setting the distance between the cavity and the package lid 119, the TE 010 mode resonator having a high no-load Q in which energy is concentrated at a position sandwiched between two circular openings 132 formed in the dielectric substrate 130 Function as
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】従来の誘電体共振器を
構成する誘電体基板は、例えばεr＝24のBa（Sn、Mg、T
a）O3系からなる平板状の誘電体の両面にAuあるいはCu
からなる電極をメッキにより形成し、フォトリソグラフ
ィによりその両面に形成された電極の対向する位置に円
形の開口部を形成することにより得られる。しかしなが
ら、このようにして誘電体基板を形成する場合、その対
向する二面の電極を除去しなければならず、フォトリソ
グラフィの工程を経る際に両面露光機が必要となって、
製造装置が高価になるという問題があった。The dielectric substrate constituting the conventional dielectric resonator is made of, for example, Ba (Sn, Mg, T) having ε r = 24.
a) Au or Cu on both sides of a flat dielectric made of O 3
Is formed by plating, and a circular opening is formed at a position facing the electrodes formed on both surfaces thereof by photolithography. However, when forming a dielectric substrate in this way, the electrodes on the two opposing sides must be removed, and a double-sided exposure machine is required during the photolithography process,
There is a problem that the manufacturing apparatus becomes expensive.
【０００８】また、従来の誘電体基板は、例えばBa（S
n、Mg、Ta）O3系などの一種の誘電体から構成されてお
り、その周波数の温度特性や誘電率などのような誘電体
が有する特性は一義的に決まるものである。すなわち、
一般に誘電率は共振器の設計上決まるものであり、周波
数の温度特性はその傾きが0に近いほど良いものである
が、一種の誘電体によって誘電体基板を形成した場合、
必要な周波数の温度特性を得ようとすれば必要な誘電率
が得られなくなったり、逆に必要な誘電率を得ようとす
れば必要な周波数の温度特性が得られなくなるという問
題があった。A conventional dielectric substrate is, for example, Ba (S
It is composed of a kind of dielectric such as n, Mg, Ta) O 3, and the characteristics of the dielectric such as the temperature characteristic of the frequency and the dielectric constant are uniquely determined. That is,
In general, the permittivity is determined by the design of the resonator, and the temperature characteristic of frequency is better as the slope is closer to 0, but when a dielectric substrate is formed by a kind of dielectric,
There has been a problem that a desired dielectric constant cannot be obtained when trying to obtain a temperature characteristic of a required frequency, and a temperature characteristic of a required frequency cannot be obtained when trying to obtain a required dielectric constant.
【０００９】さらに、設計上ある値の誘電率を有する誘
電体が必要になる場合もあるが、一般に使用される誘電
体は、例えばεr＝24のBa（Sn、Mg、Ta）O3系や、εr＝
38の（Zr、Sn）TiO4系の誘電体であるため、その間の細
かなオーダーの誘電率を有する誘電体から誘電体基板を
形成することができないという問題があった。In some cases, a dielectric having a certain value of dielectric constant is required in design, but a generally used dielectric is, for example, a Ba (Sn, Mg, Ta) O 3 based material having ε r = 24. And ε r =
Since it is a (Zr, Sn) TiO 4 -based dielectric of No. 38, there is a problem that a dielectric substrate cannot be formed from a dielectric having a dielectric constant of a fine order therebetween.
【００１０】さらにまた、誘電体材料段階で必要な誘電
率や周波数の温度特性が適切に設計されたものでも、誘
電体基板を製造する段階でのばらつきにより、誘電体基
板個体ごとに誘電率や周波数の温度特性のばらつきが生
じる。すなわち、ばらつきを有する誘電体基板を用いて
誘電体共振器を構成した場合、誘電体共振器ごとに特性
がばらつくという問題、あるいは必要な特性を有さない
誘電体基板を廃棄しなければならないという問題があっ
た。Furthermore, even if the dielectric constant and frequency temperature characteristics required in the dielectric material stage are appropriately designed, the dielectric constant and the dielectric constant for each individual dielectric substrate may vary due to variations in the stage of manufacturing the dielectric substrate. Variations in frequency temperature characteristics occur. That is, when a dielectric resonator is formed using a dielectric substrate having variations, the problem that the characteristics vary from one dielectric resonator to another or a dielectric substrate that does not have the required characteristics must be discarded. There was a problem.
【００１１】なお、特開平１０−３２７００１号には、
誘電体基板を２つの層から構成する技術が記載されてい
るが、その誘電体の種類および製造方法については示唆
されていない。Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10-327001 discloses that
Although a technique for forming a dielectric substrate from two layers is described, the type of the dielectric and a manufacturing method are not suggested.
【００１２】本発明の誘電体共振器、誘電体共振器の製
造方法、発振器、フィルタ、デュプレクサ、通信機装置
は、上述の問題を鑑みてなされたものであり、これらの
問題を解決し、高価な両面露光機を用いることなく、所
望の誘電率や周波数の温度特性が得られる誘電体共振
器、誘電体共振器の製造方法、発振器、フィルタ、デュ
プレクサ、通信機装置を提供することを目的としてい
る。The dielectric resonator, the method of manufacturing the dielectric resonator, the oscillator, the filter, the duplexer, and the communication device according to the present invention have been made in view of the above-described problems, and have been solved in view of the above-mentioned problems. The purpose of the present invention is to provide a dielectric resonator, a method of manufacturing a dielectric resonator, an oscillator, a filter, a duplexer, and a communication device that can obtain a desired dielectric constant and temperature characteristics of a frequency without using a double-sided exposure machine. I have.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の請求項3に係る誘電体共振器の製造方法は、第
一の誘電体層の一方主面に電極を形成する工程と、前記
第一の誘電体層に形成された電極について所定形状の電
極を除去する工程と、第二の誘電体層の一方主面に電極
を形成する工程と、前記第二の誘電体層に形成された電
極について所定形状の電極を除去する工程と、前記第一
の誘電体層と前記第二の誘電体層とを、それぞれ電極が
形成された面が最外面となるように、かつそれぞれ前記
電極が除去された箇所が対向する位置になるように配置
して、前記第一の誘電体層と前記第二の誘電体層とを含
んでなる誘電体基板を形成する工程と、前記誘電体基板
における前記電極が形成された二面から所定の間隔を隔
てて導体を配置する工程とを含んでなる。According to a third aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a dielectric resonator, comprising the steps of: forming an electrode on one principal surface of a first dielectric layer; Removing an electrode of a predetermined shape with respect to the electrode formed on the first dielectric layer, forming an electrode on one main surface of the second dielectric layer, and forming the electrode on the second dielectric layer Removing the electrode of a predetermined shape for the formed electrode, the first dielectric layer and the second dielectric layer, such that the surface on which the electrode is formed is the outermost surface, and each said Forming a dielectric substrate including the first dielectric layer and the second dielectric layer by arranging the portions where the electrodes are removed so as to be opposed to each other; A conductor is arranged at a predetermined distance from two surfaces of the substrate on which the electrodes are formed. And a process.
【００１４】この誘電体共振器の製造方法により、誘電
体基板が複数の誘電体層から構成されるため、その最外
面に形成される電極は、誘電体層が接合されて誘電体基
板になる前段階において、誘電体層の一方の面のみに形
成されることになる。したがって、この状態でフォトリ
ソグラフィ工程を経れば、露光は誘電体層の片面のみを
行えばよいので、安価な片面露光機を用いることができ
るようになる。According to this method of manufacturing a dielectric resonator, the dielectric substrate is composed of a plurality of dielectric layers. Therefore, the electrodes formed on the outermost surface are bonded to the dielectric layers to form the dielectric substrate. In the previous stage, it is formed on only one surface of the dielectric layer. Therefore, if a photolithography process is performed in this state, exposure can be performed only on one side of the dielectric layer, so that an inexpensive one-sided exposure machine can be used.
【００１５】さらに、請求項1に係る誘電体共振器は、
誘電体基板と、該誘電体基板の一方主面に形成され、所
定形状の開口部を有する第一の電極と、前記誘電体基板
の他方主面に形成され、前記開口部と対向する位置に所
定形状の開口部を有する第二の電極と、前記一方主面側
で前記誘電体基板と所定の間隔を隔てて配置された第一
の導体と、前記他方主面側で前記誘電体基板と所定の間
隔を隔てて配置された第二の導体とを含んでなる誘電体
共振器であって、前記誘電体基板が、複数種の誘電体か
ら構成されている。Further, the dielectric resonator according to claim 1 is
A dielectric substrate, a first electrode formed on one main surface of the dielectric substrate and having an opening having a predetermined shape, and a first electrode formed on the other main surface of the dielectric substrate and facing the opening. A second electrode having an opening of a predetermined shape, a first conductor disposed at a predetermined distance from the dielectric substrate on the one main surface side, and the dielectric substrate on the other main surface side; A dielectric resonator comprising: a second conductor disposed at a predetermined interval; wherein the dielectric substrate is made of a plurality of types of dielectrics.
【００１６】誘電体基板を複数種の誘電体から構成する
ことにより、一種の誘電体からでは得られなかった特性
を有する誘電体基板が得られるようになる。すなわち、
図6に示すような周波数の温度特性を有する、例えばBaO
−Nd2O3−TiO2−Pb2O3のような誘電体と、図7に示すよ
うな先の誘電体とは逆の周波数の温度特性を有する、例
えばBaO−Nd2O3−Sm2O3−TiO2−Bi2O3のような誘電体と
を組み合わせることにより、周波数の温度特性が0に近
い誘電体共振器が得られる。この場合、組み合わせられ
る誘電体の誘電率が異なるものであれば、その誘電率が
大きい方にエネルギーが集中するため、周波数の温度特
性に与える影響も大きくなる。したがって、異なる種類
の誘電体を組み合わせるときには、その配分についても
考慮する必要がある。例えば二つの異なる誘電率および
周波数の温度特性を有する誘電体層を重ね合わせて誘電
体基板を構成する場合、誘電率の小さい側の誘電体層を
厚く形成し、誘電率の大きい側の誘電体層を薄く形成す
れば、誘電率の大きい側の誘電体層の影響を小さくする
ことができる。また、例えばεr＝24のBa（Sn、Mg、T
a）O3系の誘電体と、εr＝38の（Zr、Sn）TiO4系の誘電
体とを組み合わせ、またその組み合わせの配分を様々設
定することにより、εr＝24〜38の間で設計上必要とな
る誘電率の誘電体基板が得られる。By forming the dielectric substrate from a plurality of types of dielectrics, it is possible to obtain a dielectric substrate having characteristics that cannot be obtained from one type of dielectric. That is,
Having a temperature characteristic of frequency as shown in FIG. 6, for example, BaO
-Nd 2 O 3 -TiO 2 -Pb 2 O 3 and a dielectric such as shown in FIG. 7 has a temperature characteristic of the opposite frequency, for example, BaO-Nd 2 O 3 -Sm By combining with a dielectric such as 2 O 3 —TiO 2 —Bi 2 O 3 , a dielectric resonator having frequency temperature characteristics close to 0 can be obtained. In this case, if the dielectrics to be combined have different dielectric constants, the energy is concentrated on the side with the larger dielectric constant, so that the influence on the temperature characteristic of the frequency is also increased. Therefore, when combining different types of dielectrics, it is necessary to consider the distribution. For example, when forming a dielectric substrate by superposing two dielectric layers having different dielectric constants and temperature characteristics of frequency, a dielectric layer having a small dielectric constant is formed thick and a dielectric layer having a large dielectric constant is formed. If the layer is formed thin, the effect of the dielectric layer having the higher dielectric constant can be reduced. Further, for example, epsilon r = 24 of the Ba (Sn, Mg, T
a) By combining an O 3 -based dielectric with a (Zr, Sn) TiO 4 -based dielectric having ε r = 38 and variously setting the distribution of the combination, the ε r = 24-38 Thus, a dielectric substrate having a dielectric constant required for design can be obtained.
【００１７】さらにまた、請求項2に係る誘電体共振器
は、前記誘電体基板が少なくとも三層の誘電体層からな
り、該誘電体層のうち少なくとも一層の誘電体が他層の
誘電体と異なる種類である。さらにまた、請求項4に係
る誘電体共振器の製造方法は、前記誘電体基板が複数種
の誘電体から構成されている。Still further, in the dielectric resonator according to the present invention, the dielectric substrate includes at least three dielectric layers, and at least one of the dielectric layers is different from another dielectric layer. Different types. Further, in the method for manufacturing a dielectric resonator according to claim 4, the dielectric substrate is formed of a plurality of types of dielectrics.
【００１８】これらの誘電体共振器あるいは誘電体共振
器の製造方法により、両面露光機を用いることなく、さ
らに異なる種類の誘電体を組み合わせることにより所望
の特性を有する誘電体共振器が得られる。そして、製造
ばらつきにより異なる特性を有する誘電体層が形成され
ても、必要な誘電体共振器の特性を得るため、その特性
を測定した上で適当な種類の誘電体層を選択して誘電体
基板を形成することができる。また、誘電体基板を構成
する誘電体層をニ層ではなく三層以上にすることによ
り、誘電体基板内の誘電体層の配置を、誘電体基板にお
ける電極および開口部が形成された面に平行な中央面に
関して対称に配置することが可能となる。このように対
称な構成にすることにより、誘電体基板内のバランスが
良くなり誘電体共振器の特性が良好なものとなる。さら
に、誘電体基板を三層以上の誘電体層から構成し、中央
の層になるほど誘電率が高い誘電体層とすれば、エネル
ギーがより誘電体基板内に集中するので無負荷Qの高い
誘電体共振器が得られる。According to these dielectric resonators or the method of manufacturing the dielectric resonator, a dielectric resonator having desired characteristics can be obtained by combining different types of dielectrics without using a double-sided exposure machine. Even if a dielectric layer having different characteristics due to manufacturing variations is formed, in order to obtain the required characteristics of the dielectric resonator, an appropriate type of dielectric layer is selected after measuring the characteristics. A substrate can be formed. Also, by arranging three or more dielectric layers instead of two layers constituting the dielectric substrate, the arrangement of the dielectric layers in the dielectric substrate can be adjusted to the surface of the dielectric substrate on which the electrodes and openings are formed. It is possible to arrange them symmetrically with respect to the parallel central plane. With such a symmetrical configuration, the balance in the dielectric substrate is improved, and the characteristics of the dielectric resonator are improved. Furthermore, if the dielectric substrate is composed of three or more dielectric layers, and the dielectric layer has a higher dielectric constant toward the center layer, the energy is more concentrated in the dielectric substrate, so that the dielectric layer having a high unloaded Q has a higher dielectric constant. A body resonator is obtained.
【００１９】また、請求項5に係る発振器は、請求項1、
2記載の誘電体共振器または請求項3、4記載の誘電体共
振器の製造方法を用いて製造された誘電体共振器を含ん
でなる。さらに、請求項6に係るフィルタは、請求項1、
2記載の誘電体共振器または請求項3、4記載の誘電体共
振器の製造方法を用いて製造された誘電体共振器を含ん
でなる。さらにまた、請求項7に係るデュプレクサは、
請求項6記載のフィルタを含んでなる。さらにまた、請
求項8に係る通信機装置は、請求項5記載の発振器、請求
項6記載のフィルタ、または請求項7記載のデュプレクサ
を含んでなる。これらにより、安価な製造設備で、所望
の特性が得られる発振器、フィルタ、デュプレクサ、通
信機装置が得られる。The oscillator according to claim 5 is the oscillator according to claim 1,
The dielectric resonator according to claim 2 or a dielectric resonator manufactured by using the dielectric resonator manufacturing method according to claims 3 and 4. Further, the filter according to claim 6, claim 1,
The dielectric resonator according to claim 2 or a dielectric resonator manufactured by using the dielectric resonator manufacturing method according to claims 3 and 4. Furthermore, the duplexer according to claim 7 is:
A filter according to claim 6 is provided. Furthermore, a communication device according to claim 8 includes the oscillator according to claim 5, the filter according to claim 6, or the duplexer according to claim 7. As a result, an oscillator, a filter, a duplexer, and a communication device that can obtain desired characteristics can be obtained with inexpensive manufacturing equipment.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例である誘電
体共振器を用いた発振器を、図1に基づいて説明する。
なお、図1は本実施例の誘電体共振器を用いた発振器の
分解斜視図である。図1に示すように本実施例の誘電体
共振器を用いた発振器10は、パッケージケース11および
金属板からなるパッケージ蓋19と、パッケージ内に収納
される回路基板20および誘電体共振器の構成要素である
誘電体基板30とから構成されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An oscillator using a dielectric resonator according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
FIG. 1 is an exploded perspective view of an oscillator using the dielectric resonator of the present embodiment. As shown in FIG. 1, an oscillator 10 using the dielectric resonator of the present embodiment includes a package case 11, a package lid 19 made of a metal plate, a circuit board 20 housed in the package, and a configuration of the dielectric resonator. And a dielectric substrate 30 as an element.
【００２１】パッケージケース11はアルミナなどのセラ
ミックから形成され、誘電体基板30が収納されるための
凹部12と、回路基板20が搭載されるための搭載部13が形
成されている。そして、凹部12および搭載部13はそれぞ
れ金属によりメタライズされている。また、パッケージ
ケース11には、出力端子14およびバイアス電圧入力端子
15、16が、それぞれコプレーナ線路により形成されてい
る。The package case 11 is formed of a ceramic such as alumina, and has a concave portion 12 for accommodating the dielectric substrate 30 and a mounting portion 13 for mounting the circuit board 20. The concave portion 12 and the mounting portion 13 are each metalized with metal. The package case 11 has an output terminal 14 and a bias voltage input terminal.
15 and 16 are each formed by a coplanar line.
【００２２】回路基板20はその表面に発振回路が構成さ
れ、裏面には誘電体共振器が配置される位置、すなわち
主線路27および副線路28と誘電体共振器とが結合する位
置を除いてアース電極が形成されている。The circuit board 20 has an oscillating circuit formed on its front surface and a rear surface on which a dielectric resonator is disposed, that is, a position where the main line 27 and the sub-line 28 are coupled to the dielectric resonator. A ground electrode is formed.
【００２３】回路基板20上の発振回路は、セラミックあ
るいは樹脂基板上にパターニングされた電極からなるマ
イクロストリップラインと、それぞれ所定の位置に配置
されるGaAsFET21、バラクタダイオード22、チップコン
デンサ23a、23b、チップ抵抗24a、24b、24cおよび薄膜
抵抗25a、25bから構成されている。また、パターニング
された電極の所定箇所では、それぞれスルーホール26に
より裏面に形成されたアース電極と接続されている。The oscillation circuit on the circuit board 20 includes a microstrip line composed of electrodes patterned on a ceramic or resin substrate, a GaAs FET 21, a varactor diode 22, chip capacitors 23a and 23b, It comprises resistors 24a, 24b, 24c and thin film resistors 25a, 25b. Further, at predetermined positions of the patterned electrode, each is connected to a ground electrode formed on the back surface through a through hole 26.
【００２４】回路基板20上の主線路27の一端はGaAsFET2
1のゲートに接続され、他端は薄膜抵抗25aを介して接地
されている。回路基板20上の副線路28は一方においてバ
ラクタダイオード22に接続され、バラクタダイオード22
の他端は接地されている。また、副線路28は他方におい
てチップコンデンサ23aを介して接地されるとともに、
チップ抵抗24aを介してパッケージケース11に形成され
たバイアス電圧入力端子15に接続されている。このよう
な構成によれば、バラクタダイオード22に電圧が付与さ
れると、バラクタダイオード22の容量が変化し、それに
より発振器10の発振周波数を変化させることができる。One end of the main line 27 on the circuit board 20 is GaAsFET2
The other end is grounded via a thin film resistor 25a. The sub-line 28 on the circuit board 20 is connected on one side to the varactor diode 22 and
Is grounded. The sub-line 28 is grounded via the chip capacitor 23a on the other side,
It is connected to a bias voltage input terminal 15 formed on the package case 11 via a chip resistor 24a. According to such a configuration, when a voltage is applied to the varactor diode 22, the capacitance of the varactor diode 22 changes, whereby the oscillation frequency of the oscillator 10 can be changed.
【００２５】一方、GaAsFET21のドレインはチップコン
デンサ23bを介して接地されるとともに、チップ抵抗24b
を介してパッケージケース11に形成されたバイアス電圧
入力端子16に接続されている。さらに、GaAsFET21のソ
ースは一方においてチップ抵抗24cを介して接地され、
他方においてマイクロストリップラインにより形成され
た容量成分29を介して一端が接地された薄膜抵抗25bに
接続されるとともに、パッケージケース11に形成された
出力端子14に接続されている。On the other hand, the drain of the GaAs FET 21 is grounded via a chip capacitor 23b,
Is connected to a bias voltage input terminal 16 formed in the package case 11 through the terminal. Further, the source of the GaAsFET 21 is grounded on one side via a chip resistor 24c,
On the other hand, one end is connected to a grounded thin film resistor 25b via a capacitance component 29 formed by a microstrip line, and is connected to an output terminal 14 formed on the package case 11.
【００２６】また、誘電体基板30はその表裏面に電極31
が形成され、電極31が除去されることにより互いに対向
する位置に円形の開口部32が形成されている。そして、
誘電体基板30は導電性接着剤などにより、誘電体基板30
に形成された開口部32と回路基板20に形成された主線路
27および副線路28とが重なる位置になるように回路基板
20裏面に接続される。さらに、その回路基板20がパッケ
ージケース11内の搭載部13に搭載されることで、誘電体
基板30がパッケージケース11内の凹部12に収納される。The dielectric substrate 30 has electrodes 31 on its front and back surfaces.
Are formed, and the circular openings 32 are formed at positions facing each other by removing the electrodes 31. And
The dielectric substrate 30 is formed using a conductive adhesive or the like.
Opening 32 formed in the main board and the main line formed in the circuit board 20
Circuit board so that 27 and sub-line 28 overlap
20 Connected to the back. Further, by mounting the circuit board 20 on the mounting portion 13 in the package case 11, the dielectric substrate 30 is housed in the concave portion 12 in the package case 11.
【００２７】このようにして、誘電体基板30、パッケー
ジケース11内凹部12に形成された金属によるメタライ
ズ、および金属板からなるパッケージ蓋19とで誘電体共
振器が構成されることになる。そしてこの誘電体共振器
は、その誘電体基板30の誘電率や厚み、誘電体基板30と
金属によるメタライズとの間隔や誘電体基板30とパッケ
ージ蓋19との間隔を設定することにより、誘電体基板30
に形成された二つの円形の開口部32に挟まれる位置にエ
ネルギーが集中した、高い無負荷Ｑを有するＴＥ 010モ
ードの共振器として機能する。In this manner, the dielectric substrate 30 and the package
Metallization formed in the recess 12 in the case 11
And the package lid 19 made of a metal plate.
A shaker is configured. And this dielectric resonator
Is the dielectric constant and thickness of the dielectric substrate 30 and the dielectric substrate 30
Interval between metallization by metal and package with dielectric substrate 30
By setting the distance between the dielectric substrate 30 and the
At the position between the two circular openings 32 formed in
TE with high no-load Q where energy is concentrated 010Mo
It functions as a resonator of the circuit.
【００２８】本実施例で用いられる誘電体共振器を構成
する誘電体基板30は、εr＝24のBa（Sn、Mg、Ta）O3系
の誘電体から形成される誘電体層と、εr＝38のBa（Z
r、Sn）TiO4系の誘電体から形成される誘電体層とにお
いて、それぞれ片面にAuあるいはCuをメッキすることに
より電極31を形成する。そして、電極31が形成された誘
電体層に片面露光機によるフォトリソグラフィ工程を経
ることにより、それぞれ同円形状の開口部32を形成す
る。さらに、誘電体層に形成された開口部32が対向する
位置になるように、両者の電極31が形成されていない側
を接着剤により接合する。なお、接合方法については特
に問うものではないが、接着剤を用いる場合にはその接
着剤の誘電率なども考慮して設計する必要がある。The dielectric substrate 30 constituting the dielectric resonator used in the present embodiment includes a dielectric layer formed of a Ba (Sn, Mg, Ta) O 3 based dielectric having ε r = 24, Ba (Z of ε r = 38
An electrode 31 is formed by plating Au or Cu on one surface of each of the dielectric layer formed of a (r, Sn) TiO 4 -based dielectric. Then, the dielectric layer on which the electrode 31 is formed is subjected to a photolithography process using a single-sided exposure machine to form openings 32 having the same circular shape. Further, the two sides on which the electrodes 31 are not formed are joined by an adhesive so that the openings 32 formed in the dielectric layer face each other. The joining method is not particularly limited, but when an adhesive is used, it is necessary to design in consideration of the dielectric constant of the adhesive.
【００２９】また、本実施例においては、異なる誘電率
を有する誘電体を組み合わせたが、例えばεr＝24のBa
（Sn、Mg、Ta）O3系の誘電体とεr＝24のBa｛Mg、（S
b、Ta）｝O3系の誘電体のように、同程度の誘電率を有
する誘電体層を組み合わせても良い。さらに、本実施例
においては二層の誘電体層からなる誘電体基板30を用い
たが、三層以上の誘電体層からなる誘電体基板を用いて
も良い。さらにまた、片面露光機を用いることができる
という観点から見れば、同種の誘電体層からなる誘電体
基板であっても良い。Further, in this embodiment, a combination of dielectrics with different dielectric constants, for example epsilon r = 24 of the Ba
(Sn, Mg, Ta) O 3 based dielectric and Ba ｛Mg with ε r = 24, (S
b, Ta) Dielectric layers having similar dielectric constants, such as an O 3 -based dielectric, may be combined. Further, in the present embodiment, the dielectric substrate 30 including two dielectric layers is used, but a dielectric substrate including three or more dielectric layers may be used. Furthermore, from the viewpoint that a one-sided exposure machine can be used, a dielectric substrate made of the same type of dielectric layer may be used.
【００３０】一方、誘電体層を製造する際に生じる製造
ばらつきによる誘電体層の特性について個体間ばらつき
が生じても、その特性を測定した上で適宜設計に応じた
誘電体層を選択することにより、所望の特性を有する誘
電体共振器が得られる。On the other hand, even if the characteristics of the dielectric layer vary from individual to individual due to the manufacturing variations that occur when the dielectric layer is manufactured, it is necessary to measure the characteristics and select an appropriate dielectric layer according to the design. As a result, a dielectric resonator having desired characteristics can be obtained.
【００３１】次に、本発明の実施例であるフィルタを、
図2に基づいて説明する。なお、図2は本実施例のフィル
タの分解斜視図である。また、誘電体共振器を構成する
誘電体基板については、その構成および機能が先の実施
例とほぼ同じであるので、その説明は省略する。図2に
示すように本実施例のフィルタ40は、ベース基板41と、
ベース基板41上に配置されるケース50と、ケース50内に
収納される誘電体基板60および電磁波吸収体55と、ケー
ス50上に配置される蓋56とから構成されている。Next, a filter according to an embodiment of the present invention will be described.
This will be described with reference to FIG. FIG. 2 is an exploded perspective view of the filter of this embodiment. Further, the configuration and function of the dielectric substrate constituting the dielectric resonator are substantially the same as those of the previous embodiment, and thus the description thereof will be omitted. As shown in FIG. 2, the filter 40 of the present embodiment includes a base substrate 41,
The case 50 includes a case 50 arranged on the base substrate 41, a dielectric substrate 60 and an electromagnetic wave absorber 55 housed in the case 50, and a lid 56 arranged on the case 50.
【００３２】ベース基板41はテフロン（登録商標）から
なり、その裏面には全面に電極が形成されている。一方
ベース基板41の表面にはマイクロストリップライン42
a、43aおよびそれに接続された燐青銅の金属片42b、43b
から構成される入出力手段42、43と、マイクロストリッ
プラインによって形成された極形成用のパターン44と、
ケース50が配置される位置に、先の入出力手段42、43と
極形成用パターン44とは接続されないように接地電極45
が形成されている。The base substrate 41 is made of Teflon (registered trademark), and electrodes are formed on the entire back surface thereof. On the other hand, the microstrip line 42 is provided on the surface of the base substrate 41.
a, 43a and phosphor bronze metal pieces 42b, 43b connected to it
I / O means 42, 43 composed of, and a pattern 44 for pole formation formed by a microstrip line,
At the position where the case 50 is arranged, the input / output means 42, 43 and the electrode forming pattern 44 are not connected to the ground electrode 45.
Are formed.
【００３３】また、ケース50はFeからなり、その内部に
は誘電体基板60および電磁波吸収体55が載置されるため
の載置部51が形成されている。また、ケース下端の入出
力手段42、43の位置および長手方向両端部には切り欠き
52a、52bが設けられている。そして、ケース50の長手方
向両端部に設けられた切り欠き52bより、ケース50内部
における燐青銅の金属片42b、43bの位置を調節して、誘
電体基板60と入出力手段42、43との位置関係を調節し結
合度を変化させる。The case 50 is made of Fe, and has a mounting portion 51 on which the dielectric substrate 60 and the electromagnetic wave absorber 55 are mounted. Notches are provided at the positions of the input / output means 42 and 43 at the lower end of the case and at both ends in the longitudinal direction.
52a and 52b are provided. Then, the positions of the phosphor bronze metal pieces 42b, 43b inside the case 50 are adjusted from the cutouts 52b provided at both ends in the longitudinal direction of the case 50, so that the dielectric substrate 60 and the input / output means 42, 43 Adjust the positional relationship to change the degree of coupling.
【００３４】誘電体基板60上の一方主面には矩形状の五
つの開口部62a〜62eを有する電極61が形成され、他方主
面にも先の五つの開口部と対向する位置それぞれに同矩
形状の開口部を有する電極が形成されている。なお、こ
こでの開口部62a〜62eは両端の開口部62a、62eが同形状
を有しており、中央三つの開口部62b〜62dが同形状を有
し、それぞれ前者がＴＥ101モードで共振し、後者がＴ
Ｅ102モードで共振する。そして、このような構成の誘
電体基板60がケース50内の載置部51に半田や導電性接着
剤を介して配置されている。また、ケース内50の載置部
51にはシリコン樹脂にFeを混合した電磁波吸収体55が載
置され、不要モードが発生することを防いでいる。さら
に、Feからなる蓋56がケース50上に配置され、半田など
により接合されている。On one main surface of the dielectric substrate 60, an electrode 61 having five rectangular openings 62a to 62e is formed, and on the other main surface, the electrode 61 is provided at a position facing the above five openings. An electrode having a rectangular opening is formed. Here, the opening 62a~62e of has openings 62a at both ends, is 62e has a same shape, has a central three openings 62b~62d is the same shape, the former each resonance in TE 101 mode And the latter is T
Resonates in E102 mode. The dielectric substrate 60 having such a configuration is disposed on the mounting portion 51 in the case 50 via solder or a conductive adhesive. In addition, the mounting part of 50 in the case
An electromagnetic wave absorber 55 in which Fe is mixed with silicon resin is placed on 51 to prevent generation of an unnecessary mode. Further, a lid 56 made of Fe is arranged on the case 50 and joined by solder or the like.
【００３５】このような構成を有するフィルタ40におい
ては、開口部62a〜62eが形成された誘電体基板60と、ベ
ース基板41裏面に形成された電極と、誘電体基板60上方
に配置される蓋56とで、それぞれその間隔などを設定す
ることにより誘電体共振器が構成されている。そして、
入出力手段42より入力された信号が初段の開口部62aで
構成される誘電体共振器と結合し、初段の共振器と二段
目の開口部62bで構成される共振器とが、二段目の共振
器と三段目の開口部62cで構成される共振器とが、三段
目の共振器と四段目の開口部62dで構成される共振器と
が、四段目の共振器と最終段の開口部62eで構成される
共振器とがそれぞれ結合し、さらに最終段の共振器と入
出力手段43とが結合することにより、誘電体共振器で規
定される所定の周波数のみを通過させる帯域通過フィル
タとして機能する。In the filter 40 having such a configuration, the dielectric substrate 60 in which the openings 62a to 62e are formed, the electrodes formed on the back surface of the base substrate 41, and the lid disposed above the dielectric substrate 60 With 56, a dielectric resonator is formed by setting the intervals and the like. And
The signal input from the input / output means 42 is coupled to the dielectric resonator formed by the first-stage opening 62a, and the first-stage resonator and the resonator formed by the second-stage opening 62b are The third-stage resonator and the resonator formed by the third-stage opening 62d are different from the fourth-stage resonator by the fourth-stage resonator. And the resonator composed of the final-stage opening 62e are coupled to each other, and furthermore, the final-stage resonator is coupled to the input / output means 43, so that only a predetermined frequency defined by the dielectric resonator is It functions as a band-pass filter that passes.
【００３６】さらに、本発明の実施例であるデュプレク
サを、図3に基づいて説明する。なお、図3は本実施例の
デュプレクサの分解斜視図であり、先のフィルタの実施
例と同一部には同符号を付し、詳細な説明は省略する。
図3に示すように本実施例のデュプレクサ70は、二主面
に電極61が形成された誘電体基板60上の五つの開口部62
a〜62eで構成される五つの誘電体共振器からなる第一フ
ィルタ部71と、別の五つの開口部62f〜62jで構成される
五つの誘電体共振器からなる第二フィルタ部72とからな
る。第一フィルタ部71を構成する五つの誘電体共振器
は、それぞれ磁界結合し送信用帯域通過フィルタとな
る。第二フィルタ部72を構成する、第一フィルタ部71の
誘電体共振器とは異なる共振周波数を有する五つの誘電
体共振器もまた、磁界結合し受信用帯域通過フィルタと
なる。Further, a duplexer according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is an exploded perspective view of the duplexer of the present embodiment, and the same parts as those of the above-described filter are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
As shown in FIG. 3, the duplexer 70 of this embodiment has five openings 62 on a dielectric substrate 60 on which electrodes 61 are formed on two main surfaces.
a first filter unit 71 composed of five dielectric resonators composed of a to 62e, and a second filter unit 72 composed of five dielectric resonators composed of another five openings 62f to 62j. Become. The five dielectric resonators constituting the first filter unit 71 are magnetically coupled to each other to form a transmission band-pass filter. Five dielectric resonators constituting the second filter unit 72 and having different resonance frequencies from the dielectric resonators of the first filter unit 71 are also magnetically coupled to form a reception band-pass filter.
【００３７】第一フィルタ部71の初段の誘電体共振器に
結合する入出力手段46は、外部の送信用回路に接続され
ている。また、第二フィルタ部72の最終段の誘電体共振
器に結合する入出力手段47は、外部の受信用回路に接続
されている。さらに、第一フィルタ部71の最終段の誘電
体共振器に結合する入出力手段48aと、第二フィルタ部7
2の初段の誘電体共振器に結合する入出力手段48bとは、
アンテナ接続用手段48に統合され、外部のアンテナに接
続されている。The input / output means 46 coupled to the first-stage dielectric resonator of the first filter unit 71 is connected to an external transmission circuit. Further, the input / output means 47 coupled to the dielectric resonator at the last stage of the second filter unit 72 is connected to an external receiving circuit. Further, the input / output means 48a coupled to the dielectric resonator at the last stage of the first filter unit 71, and the second filter unit 7
The input / output means 48b coupled to the first-stage dielectric resonator 2 is
It is integrated with the antenna connection means 48 and connected to an external antenna.
【００３８】このような構成のデュプレクサ70は、第一
フィルタ部71で所定の周波数を通過させ、第二フィルタ
部72で先の周波数とは異なる周波数を通過させる帯域通
過デュプレクサとして機能する。なお、第一フィルタ部
71と第二誘フィルタ部72とのアイソレーションをとるた
め、ケース50の中央部に仕切りが設けられている。The duplexer 70 having such a configuration functions as a band-pass duplexer that allows a predetermined frequency to pass through the first filter unit 71 and allows a frequency different from the preceding frequency to pass through the second filter unit 72. The first filter unit
A partition is provided at the center of the case 50 in order to provide isolation between the filter 71 and the second filter unit 72.
【００３９】さらにまた、本発明の実施例である通信機
装置を、図4に基づいて説明する。なお、図4は本発明の
通信機装置の概略図である。図4に示すように本発明の
通信機装置80は、送信用フィルタおよび受信用フィルタ
からなるデュプレクサ81と、デュプレクサ81のアンテナ
接続用端子に接続されるアンテナ82と、デュプレクサ81
の送信用フィルタ側の入出力端子に接続される送信用回
路83と、デュプレクサ81の受信用フィルタ側の入出力端
子に接続される受信用回路84とから構成されている。Further, a communication device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic diagram of the communication device of the present invention. As shown in FIG. 4, a communication device 80 of the present invention includes a duplexer 81 including a transmission filter and a reception filter, an antenna 82 connected to an antenna connection terminal of the duplexer 81, and a duplexer 81.
And a receiving circuit 84 connected to the input / output terminal of the duplexer 81 on the receiving filter side.
【００４０】送信用回路83にはパワーアンプ（PA）があ
り、送信信号はパワーアンプにより増幅され、送信用フ
ィルタを通してアンテナ82から発信される。また、受信
信号はアンテナ82から受信用フィルタを通して受信用回
路84に与えられ、受信用回路84におけるローノイズアン
プ（LNA）やフィルタ（RX）などを通過した後、ミキサ
（MIX）へ入力される。一方、フェーズロックループ（P
LL）構成による局部発振器（LO）は、ローカル信号をミ
キサへ出力する。そして、ミキサから中間周波数が出力
される。このような構成の通信機装置における発振器、
フィルタ、デュプレクサについて、これまでの実施例で
説明してきたものを使用することができる。The transmission circuit 83 has a power amplifier (PA), and the transmission signal is amplified by the power amplifier and transmitted from the antenna 82 through the transmission filter. Further, the received signal is provided from the antenna 82 to the receiving circuit 84 through the receiving filter, passes through the low noise amplifier (LNA) and the filter (RX) in the receiving circuit 84, and is then input to the mixer (MIX). On the other hand, the phase locked loop (P
The local oscillator (LO) having the LL) configuration outputs a local signal to the mixer. Then, the intermediate frequency is output from the mixer. An oscillator in a communication device having such a configuration,
As the filter and the duplexer, those described in the above embodiments can be used.
【００４１】[0041]
【発明の効果】以上のように本発明の製造方法によれ
ば、誘電体共振器を構成する誘電体基板について、少な
くとも二層の誘電体層から誘電体基板を構成している。
これにより、誘電体層の片面のみに電極を形成し、電極
を除去することにより所定形状の開口部を形成した後に
誘電体層を接合して誘電体基板を構成することができる
ため、電極を除去するときに利用されるフォトリソグラ
フィ工程いおいて、安価な片面露光機を用いることが可
能となる。As described above, according to the manufacturing method of the present invention, the dielectric substrate constituting the dielectric resonator is constituted by at least two dielectric layers.
Thus, an electrode is formed only on one surface of the dielectric layer, and after removing the electrode, an opening having a predetermined shape is formed, and then the dielectric layer is joined to form a dielectric substrate. In the photolithography process used when removing, an inexpensive one-sided exposure machine can be used.
【００４２】また、本発明によれば誘電体共振器を構成
する誘電体基板について、少なくとも二種の誘電体から
誘電体基板を構成している。これにより、誘電率や周波
数の温度特性などについて、一種の誘電体のみでは得ら
れなかった多種多様な設計を行うことが可能となる。Further, according to the present invention, the dielectric substrate constituting the dielectric resonator is constituted by at least two kinds of dielectrics. As a result, it is possible to perform a wide variety of designs for the dielectric constant, temperature characteristics of frequency, and the like that could not be obtained with only one type of dielectric.
【図１】本発明の誘電体共振器を用いた発振器の分解斜
視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view of an oscillator using a dielectric resonator of the present invention.
【図２】本発明の誘電体共振器を用いたフィルタの分解
斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of a filter using the dielectric resonator of the present invention.
【図３】本発明の誘電体共振器を用いたデュプレクサの
分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view of a duplexer using the dielectric resonator of the present invention.
【図４】本発明の通信機装置の概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram of a communication device of the present invention.
【図５】従来の誘電体共振器を用いた発振器の分解斜視
図である。FIG. 5 is an exploded perspective view of an oscillator using a conventional dielectric resonator.
【図６】ある種の誘電体の、温度に対する周波数の関係
を示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing the relationship of frequency to temperature for certain dielectrics.
【図７】ある種の誘電体の、温度に対する周波数の関係
を示すグラフである。FIG. 7 is a graph showing the relationship of frequency to temperature for certain dielectrics.
10 発振器 11 パッケージケース 19 パッケージ蓋 20 回路基板 30,60 誘電体基板 40 フィルタ 41 ベース基板 50 ケース 55 電磁波吸収体 56 蓋 70 デュプレクサ 80 通信機装置 10 Oscillator 11 Package case 19 Package lid 20 Circuit board 30, 60 Dielectric board 40 Filter 41 Base board 50 Case 55 Electromagnetic wave absorber 56 Lid 70 Duplexer 80 Communication equipment
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｂ 5/18 Ｈ０３Ｂ 5/18 Ｄ Ｆターム(参考） 5J006 HC03 LA01 MB02 NB04 PA01 PB04 5J013 DA05 5J081 AA11 BB01 BB06 CC46 DD05 EE10 EE18 JJ02 JJ04 KK02 KK09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H03B 5/18 H03B 5/18 DF term (Reference) 5J006 HC03 LA01 MB02 NB04 PA01 PB04 5J013 DA05 5J081 AA11 BB01 BB06 CC46 DD05 EE10 EE18 JJ02 JJ04 KK02 KK09
Claims (8)
形成され、所定形状の開口部を有する第一の電極と、前
記誘電体基板の他方主面に形成され、前記開口部と対向
する位置に所定形状の開口部を有する第二の電極と、前
記一方主面側で前記誘電体基板と所定の間隔を隔てて配
置された第一の導体と、前記他方主面側で前記誘電体基
板と所定の間隔を隔てて配置された第二の導体とを含ん
でなる誘電体共振器であって、 前記誘電体基板が、複数種の誘電体から構成されている
ことを特徴とする誘電体共振器。1. A dielectric substrate, a first electrode formed on one main surface of the dielectric substrate and having an opening having a predetermined shape, and an opening formed on the other main surface of the dielectric substrate. A second electrode having an opening of a predetermined shape at a position facing the first conductor, a first conductor disposed at a predetermined distance from the dielectric substrate on the one main surface side, and a second conductor on the other main surface side. A dielectric resonator including the dielectric substrate and a second conductor arranged at a predetermined interval, wherein the dielectric substrate is made of a plurality of types of dielectrics. And a dielectric resonator.
層からなり、該誘電体層のうち少なくとも一層の誘電体
が他層の誘電体と異なる種類であることを特徴とする請
求項1記載の誘電体共振器。2. The dielectric substrate according to claim 1, wherein said dielectric substrate comprises at least three dielectric layers, and at least one of said dielectric layers is of a different type from the other dielectric layers. A dielectric resonator as described.
る工程と、前記第一の誘電体層に形成された電極につい
て所定形状の電極を除去する工程と、 第二の誘電体層の一方主面に電極を形成する工程と、前
記第二の誘電体層に形成された電極について所定形状の
電極を除去する工程と、 前記第一の誘電体層と前記第二の誘電体層とを、それぞ
れ電極が形成された面が最外面となるように、かつそれ
ぞれ前記電極が除去された箇所が対向する位置になるよ
うに配置して、前記第一の誘電体層と前記第二の誘電体
層とを含んでなる誘電体基板を形成する工程と、 前記誘電体基板における前記電極が形成された二面から
所定の間隔を隔てて導体を配置する工程とを含んでなる
ことを特徴とする誘電体共振器の製造方法。A step of forming an electrode on one principal surface of the first dielectric layer; a step of removing an electrode having a predetermined shape from the electrode formed on the first dielectric layer; Forming an electrode on one main surface of the body layer, removing an electrode having a predetermined shape with respect to the electrode formed on the second dielectric layer, and forming the first dielectric layer and the second dielectric layer. The body layer is arranged such that the surface on which the electrode is formed is the outermost surface, and the position where the electrode is removed is located at a position facing each other, and the first dielectric layer and the Forming a dielectric substrate including a second dielectric layer; and arranging a conductor at a predetermined distance from two surfaces of the dielectric substrate on which the electrodes are formed. A method for manufacturing a dielectric resonator.
されていることを特徴とする請求項3記載の誘電体共振
器の製造方法。4. The method for manufacturing a dielectric resonator according to claim 3, wherein said dielectric substrate is composed of a plurality of types of dielectrics.
項3、4記載の誘電体共振器の製造方法を用いて製造され
た誘電体共振器を含んでなることを特徴とする発振器。5. A dielectric resonator comprising the dielectric resonator according to claim 1 or 2, or a dielectric resonator manufactured using the method for manufacturing a dielectric resonator according to claim 3. Oscillator.
項3、4記載の誘電体共振器の製造方法を用いて製造され
た誘電体共振器を含んでなることを特徴とするフィル
タ。6. A dielectric resonator according to claim 1 or 2, characterized by comprising a dielectric resonator manufactured by using the dielectric resonator manufacturing method according to claim 3 or 4. filter.
を特徴とするデュプレクサ。7. A duplexer comprising the filter according to claim 6.
ルタ、または請求項7記載のデュプレクサを含んでなる
ことを特徴とする通信機装置。8. A communication device comprising the oscillator according to claim 5, the filter according to claim 6, or the duplexer according to claim 7.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000150426A JP2001332912A (en) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | Dielectric resonator, producing method therefor, oscillator, filter, duplexer and communications equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000150426A JP2001332912A (en) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | Dielectric resonator, producing method therefor, oscillator, filter, duplexer and communications equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001332912A true JP2001332912A (en) | 2001-11-30 |
Family
ID=18656144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000150426A Pending JP2001332912A (en) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | Dielectric resonator, producing method therefor, oscillator, filter, duplexer and communications equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001332912A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101033505B1 (en) * | 2010-12-29 | 2011-05-09 | 주식회사 이너트론 | Microstrip line filter comprising groung rail |
-
2000
- 2000-05-22 JP JP2000150426A patent/JP2001332912A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101033505B1 (en) * | 2010-12-29 | 2011-05-09 | 주식회사 이너트론 | Microstrip line filter comprising groung rail |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7586381B2 (en) | User-definable, low cost, low phase hit and spectrally pure tunable oscillator | |
| US6522220B2 (en) | Frequency variable filter, antenna duplexer, and communication apparatus incorporating the same | |
| JP2000151219A (en) | Complex circuit substrate, nonreversible circuit element, resonator, filter, duplexer, communication device, circuit module, manufacture of complex circuit substrate and manufacture of nonreversible circuit element | |
| US6016090A (en) | Dielectric resonator apparatus and high-frequency module | |
| US20050017824A1 (en) | Filter circuit | |
| EP1935094B1 (en) | Radio frequency filter | |
| US6992540B2 (en) | Two-port isolator and communication device | |
| US5363067A (en) | Microstrip assembly | |
| JP2001345419A (en) | Integrated high-frequency radio circuit module | |
| KR100394811B1 (en) | High-frequency circuit module, filter, duplexer, and communication device | |
| KR100263643B1 (en) | Dielectric resonance device and high frequency module | |
| JP2000151228A (en) | Resonator device, oscillator, filter, duplexer and communication device | |
| JP2001332912A (en) | Dielectric resonator, producing method therefor, oscillator, filter, duplexer and communications equipment | |
| JP4074839B2 (en) | Input / output coupling structure of dielectric waveguide resonator and oscillator using it | |
| JPH09510585A (en) | Planar structure type high frequency oscillator | |
| JPH11308008A (en) | Dielectric resonator, dielectric filter, oscillator, shared appliance and electronic appliance | |
| US6531934B1 (en) | Dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, oscillator, and communication device | |
| JP2762332B2 (en) | Multilayer dielectric duplexer | |
| US6429753B1 (en) | High-frequency filter, complex electronic component using the same, and portable radio apparatus using the same | |
| KR20070072615A (en) | Resonator for a voltage controlled oscillator and manufacturing method thereof | |
| EP0877437A1 (en) | Strip-line resonator and variable resonator | |
| JP2000124701A (en) | Dielectric resonator, oscillator, dielectric filter, dielectric duplexer, communication device and manufacture of dielectric resonator | |
| JP2001136028A (en) | High frequency oscillator mount board | |
| JPH11330817A (en) | Dielectric resonator device, dielectric filter, oscillator and electronic equipment | |
| JPH11145709A (en) | Dielectric resonator and dielectric filter and dielectric duplexer using the resonator, oscillator, and high frequency module |