JP2001332694A - 温度センサ搭載のマイクロコンピュータ - Google Patents
温度センサ搭載のマイクロコンピュータInfo
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
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- Microcomputers (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の温度センサ搭載マイクロコンピュータ
は、ダイオードに常に電流が流れているために、消費電
流が多くなってしまうという課題があった。 【解決手段】 温度センサ搭載マイクロコンピュータ
は、ダイオードと低圧側電源との間に挿入された第１の
トランスミッションゲートと、第１のトランスミッショ
ンゲートそれぞれのオン／オフを制御する制御信号とを
備えるように構成した。
は、ダイオードに常に電流が流れているために、消費電
流が多くなってしまうという課題があった。 【解決手段】 温度センサ搭載マイクロコンピュータ
は、ダイオードと低圧側電源との間に挿入された第１の
トランスミッションゲートと、第１のトランスミッショ
ンゲートそれぞれのオン／オフを制御する制御信号とを
備えるように構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、動作環境条件の
変動により半導体チップの温度が変化した場合でも、半
導体チップに搭載されたマイクロコンピュータの誤動
作、暴走等の発生を回避可能な温度センサ搭載のマイク
ロコンピュータに関するものである。
変動により半導体チップの温度が変化した場合でも、半
導体チップに搭載されたマイクロコンピュータの誤動
作、暴走等の発生を回避可能な温度センサ搭載のマイク
ロコンピュータに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】マイクロコンピュータは、通常、動作温
度条件によってトランジスタのコンダクタンスや配線抵
抗等が変化するため、マイクロコンピュータ全体の電気
特性が大きく変化する。一般に、高温になるほど動作速
度が低くなる方向へ特性が変化し、限界周波数を超える
と誤動作、暴走等の状態に陥る。このようなことが起こ
らないように動作温度による大きな特性変化に対して一
定の動作を補償することが必要であり、実使用状態での
温度変化の範囲を予測し、シミュレーション等により設
計が行われる。
度条件によってトランジスタのコンダクタンスや配線抵
抗等が変化するため、マイクロコンピュータ全体の電気
特性が大きく変化する。一般に、高温になるほど動作速
度が低くなる方向へ特性が変化し、限界周波数を超える
と誤動作、暴走等の状態に陥る。このようなことが起こ
らないように動作温度による大きな特性変化に対して一
定の動作を補償することが必要であり、実使用状態での
温度変化の範囲を予測し、シミュレーション等により設
計が行われる。
【０００３】しかし、マイクロコンピュータが実際に製
品に搭載された状態、即ち、実際の動作環境条件下にお
けるマイクロコンピュータ内部の温度がどれくらいであ
るかということを測定することは困難であり、あまり調
べられていない。また、同じマイクロコンピュータ内部
でもブロックによって温度に差異が出てくるはずであ
る。よって、実際の動作環境条件に対して冗長な設計に
なったり、場合によっては予測した温度範囲を超えてし
まい、誤動作、暴走等の動作不良を起こしてしまうとい
う問題がある。
品に搭載された状態、即ち、実際の動作環境条件下にお
けるマイクロコンピュータ内部の温度がどれくらいであ
るかということを測定することは困難であり、あまり調
べられていない。また、同じマイクロコンピュータ内部
でもブロックによって温度に差異が出てくるはずであ
る。よって、実際の動作環境条件に対して冗長な設計に
なったり、場合によっては予測した温度範囲を超えてし
まい、誤動作、暴走等の動作不良を起こしてしまうとい
う問題がある。
【０００４】この問題を解決する方法として、特願平１
１−３４３８２６号などに記載された、温度センサおよ
び温度センサの出力信号を検出する検出回路をマイクロ
コンピュータ内部に搭載する方法がある。図１５はこの
ような従来の温度センサ搭載のマイクロコンピュータに
おける温度センサブロックを示す構成図であり、図にお
いて、１０１は温度センサとしてのダイオード、１０２
は抵抗である。ダイオード１０１と抵抗１０２は電圧源
ＶＤＤと接地源ＧＮＤとの間に直列に接続され、温度セ
ンサ１０５を構成している。１０３は抵抗、１０４はＮ
チャネルＭＯＳトランジスタであり、ゲートはダイオー
ド１０１と抵抗１０２との接続点（電位Ｖｔ）に接続さ
れている。抵抗１０３とＮチャネルＭＯＳトランジスタ
１０４は電圧源ＶＤＤと接地源ＧＮＤとの間に直列に接
続され、検出回路１０６を構成している。Ｖｔ１は抵抗
１０３とＮチャネルＭＯＳトランジスタ１０４との接続
点の電圧である。１０７は温度センサ１０５および検出
回路１０６からなる温度センサブロックである。
１−３４３８２６号などに記載された、温度センサおよ
び温度センサの出力信号を検出する検出回路をマイクロ
コンピュータ内部に搭載する方法がある。図１５はこの
ような従来の温度センサ搭載のマイクロコンピュータに
おける温度センサブロックを示す構成図であり、図にお
いて、１０１は温度センサとしてのダイオード、１０２
は抵抗である。ダイオード１０１と抵抗１０２は電圧源
ＶＤＤと接地源ＧＮＤとの間に直列に接続され、温度セ
ンサ１０５を構成している。１０３は抵抗、１０４はＮ
チャネルＭＯＳトランジスタであり、ゲートはダイオー
ド１０１と抵抗１０２との接続点（電位Ｖｔ）に接続さ
れている。抵抗１０３とＮチャネルＭＯＳトランジスタ
１０４は電圧源ＶＤＤと接地源ＧＮＤとの間に直列に接
続され、検出回路１０６を構成している。Ｖｔ１は抵抗
１０３とＮチャネルＭＯＳトランジスタ１０４との接続
点の電圧である。１０７は温度センサ１０５および検出
回路１０６からなる温度センサブロックである。
【０００５】次に動作について説明する。まず、ダイオ
ードの温度特性について説明する。図１６のような回路
において、電流Ｉｆ（例えば、電圧源ＶＤＤ＝５
［Ｖ］、抵抗Ｒ＝４３５［ｋΩ］の場合、電流Ｉｆ＝１
０［μＡ］前後）が流れた場合の温度Ｔ［℃］とダイオ
ード１０１の両端に現れる電圧Ｖｆとの関係を示す特性
図を図１７に示す。電圧Ｖｆは温度Ｔが高くなるにつれ
て、ほぼ直線的に小さくなる特性を示し、図１７は、こ
の直線の傾き即ち温度係数が約−２［ｍＶ／℃］の場合
を示している。例えば、常温（２５［℃］）での電圧Ｖ
ｆは約６５０［ｍＶ］である。これらの値は物理定数か
らほぼ決まってくるものであり、プロセスによる変動は
少ないため、電圧Ｖｆを測定することによりダイオード
１０１の配置された付近の温度を測定する機能を実現で
きる。
ードの温度特性について説明する。図１６のような回路
において、電流Ｉｆ（例えば、電圧源ＶＤＤ＝５
［Ｖ］、抵抗Ｒ＝４３５［ｋΩ］の場合、電流Ｉｆ＝１
０［μＡ］前後）が流れた場合の温度Ｔ［℃］とダイオ
ード１０１の両端に現れる電圧Ｖｆとの関係を示す特性
図を図１７に示す。電圧Ｖｆは温度Ｔが高くなるにつれ
て、ほぼ直線的に小さくなる特性を示し、図１７は、こ
の直線の傾き即ち温度係数が約−２［ｍＶ／℃］の場合
を示している。例えば、常温（２５［℃］）での電圧Ｖ
ｆは約６５０［ｍＶ］である。これらの値は物理定数か
らほぼ決まってくるものであり、プロセスによる変動は
少ないため、電圧Ｖｆを測定することによりダイオード
１０１の配置された付近の温度を測定する機能を実現で
きる。
【０００６】図１５の回路において、ダイオード１０１
の両端に現れる電圧Ｖｆは、温度が高くなるにつれて低
くなるので、温度センサ１０５の出力信号の電位Ｖｔ
（＝ＶＤＤ−Ｖｆ）は温度が高くなるにつれて高くな
る。温度が上昇して、電位ＶｔがＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ１０４をオンにするしきい値電圧よりも高くな
ると、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１０４がオンとな
り、電位Ｖｔ１はＨレベルからＬレベルへ変化する。こ
のようにして、電位Ｖｔ１のレベルに基づいて、ダイオ
ード１０１が配置された周囲の温度が所定温度以上にな
ったことを検知することができる。
の両端に現れる電圧Ｖｆは、温度が高くなるにつれて低
くなるので、温度センサ１０５の出力信号の電位Ｖｔ
（＝ＶＤＤ−Ｖｆ）は温度が高くなるにつれて高くな
る。温度が上昇して、電位ＶｔがＮチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ１０４をオンにするしきい値電圧よりも高くな
ると、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１０４がオンとな
り、電位Ｖｔ１はＨレベルからＬレベルへ変化する。こ
のようにして、電位Ｖｔ１のレベルに基づいて、ダイオ
ード１０１が配置された周囲の温度が所定温度以上にな
ったことを検知することができる。
【０００７】このように、温度センサ１０５および検出
回路１０６をマイクロコンピュータに搭載することによ
って、実際のマイクロコンピュータ内部の温度を測定
し、回路設計へ反映することができる。また、過剰な温
度上昇またはユーザーの指定した温度を検知し、マイク
ロコンピュータの誤動作、暴走等を未然に防ぐことがで
きる。
回路１０６をマイクロコンピュータに搭載することによ
って、実際のマイクロコンピュータ内部の温度を測定
し、回路設計へ反映することができる。また、過剰な温
度上昇またはユーザーの指定した温度を検知し、マイク
ロコンピュータの誤動作、暴走等を未然に防ぐことがで
きる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の温度センサ搭載
のマイクロコンピュータは以上のように構成されている
ので、温度センサ１０５において、ダイオード１０１、
抵抗１０２を通して常に電流が流れているために、マイ
クロコンピュータの消費電流が多くなってしまうという
課題があった。
のマイクロコンピュータは以上のように構成されている
ので、温度センサ１０５において、ダイオード１０１、
抵抗１０２を通して常に電流が流れているために、マイ
クロコンピュータの消費電流が多くなってしまうという
課題があった。
【０００９】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、温度センサを間欠動作させること
により、消費電流を削減することができる温度センサ搭
載のマイクロコンピュータを得ることを目的とする。
めになされたもので、温度センサを間欠動作させること
により、消費電流を削減することができる温度センサ搭
載のマイクロコンピュータを得ることを目的とする。
【００１０】また、この発明はマイクロコンピュータに
テストモードを組み込む場合でもマイクロコンピュータ
の外部から動作モード設定用の信号を入力する必要のな
い温度センサ搭載のマイクロコンピュータを得ることを
目的とする。
テストモードを組み込む場合でもマイクロコンピュータ
の外部から動作モード設定用の信号を入力する必要のな
い温度センサ搭載のマイクロコンピュータを得ることを
目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明に係る温度セン
サ搭載のマイクロコンピュータは、高圧側電源と低圧側
電源との間に接続されたダイオードおよびダイオードと
低圧側電源との間に各々並列に挿入された１乃至複数の
第１のトランスミッションゲートを備えた１乃至複数の
温度センサと、ダイオードと第１のトランスミッション
ゲートの接続点にそのゲートが接続されたトランジスタ
および高圧側電源とトランジスタとの間に挿入された抵
抗を備えて、温度センサに対応して設けられた１乃至複
数の検出回路と、１乃至複数の第１のトランスミッショ
ンゲートそれぞれのオン／オフを制御する１乃至複数の
制御信号とを備えたものである。
サ搭載のマイクロコンピュータは、高圧側電源と低圧側
電源との間に接続されたダイオードおよびダイオードと
低圧側電源との間に各々並列に挿入された１乃至複数の
第１のトランスミッションゲートを備えた１乃至複数の
温度センサと、ダイオードと第１のトランスミッション
ゲートの接続点にそのゲートが接続されたトランジスタ
および高圧側電源とトランジスタとの間に挿入された抵
抗を備えて、温度センサに対応して設けられた１乃至複
数の検出回路と、１乃至複数の第１のトランスミッショ
ンゲートそれぞれのオン／オフを制御する１乃至複数の
制御信号とを備えたものである。
【００１２】この発明に係る温度センサ搭載のマイクロ
コンピュータの検出回路は、トランジスタと低圧側電源
との間に挿入され、１乃至複数の制御信号のいずれかに
よってオン／オフが制御される第２のトランスミッショ
ンゲートを備えたものである。
コンピュータの検出回路は、トランジスタと低圧側電源
との間に挿入され、１乃至複数の制御信号のいずれかに
よってオン／オフが制御される第２のトランスミッショ
ンゲートを備えたものである。
【００１３】この発明に係る温度センサ搭載のマイクロ
コンピュータの検出回路は、１乃至複数の制御信号のい
ずれかをゲートとし、抵抗とトランジスタとの間の電位
を保持するラッチを備えたものである。
コンピュータの検出回路は、１乃至複数の制御信号のい
ずれかをゲートとし、抵抗とトランジスタとの間の電位
を保持するラッチを備えたものである。
【００１４】この発明に係る温度センサ搭載のマイクロ
コンピュータの温度センサは、複数の第１のトランスミ
ッションゲートそれぞれのオン抵抗値が異なるように構
成されたものである。
コンピュータの温度センサは、複数の第１のトランスミ
ッションゲートそれぞれのオン抵抗値が異なるように構
成されたものである。
【００１５】この発明に係る温度センサ搭載のマイクロ
コンピュータの温度センサは、第１のトランスミッショ
ンゲートのゲート電位を変化させることにより、第１の
トランスミッションゲートのオン抵抗値を変化させるよ
うにしたものである。
コンピュータの温度センサは、第１のトランスミッショ
ンゲートのゲート電位を変化させることにより、第１の
トランスミッションゲートのオン抵抗値を変化させるよ
うにしたものである。
【００１６】この発明に係る温度センサ搭載のマイクロ
コンピュータの複数の制御信号は、それぞれ時分割で有
効となるようにしたものである。
コンピュータの複数の制御信号は、それぞれ時分割で有
効となるようにしたものである。
【００１７】この発明に係る温度センサ搭載のマイクロ
コンピュータは、高圧側電源と低圧側電源との間に接続
されたダイオードおよびダイオードと低圧側電源との間
に挿入された第１のトランスミッションゲートを備えた
温度センサと、ダイオードと第１のトランスミッション
ゲートの接続点にそのゲートが接続されたトランジスタ
および高圧側電源とトランジスタとの間に挿入された抵
抗を備えた検出回路と、第１のトランスミッションゲー
トのオン／オフを制御するリセット信号とを備え、検出
回路は、抵抗とトランジスタとの接続点から動作モード
設定信号を出力するようにしたものである。
コンピュータは、高圧側電源と低圧側電源との間に接続
されたダイオードおよびダイオードと低圧側電源との間
に挿入された第１のトランスミッションゲートを備えた
温度センサと、ダイオードと第１のトランスミッション
ゲートの接続点にそのゲートが接続されたトランジスタ
および高圧側電源とトランジスタとの間に挿入された抵
抗を備えた検出回路と、第１のトランスミッションゲー
トのオン／オフを制御するリセット信号とを備え、検出
回路は、抵抗とトランジスタとの接続点から動作モード
設定信号を出力するようにしたものである。
【００１８】この発明に係る温度センサ搭載のマイクロ
コンピュータは、リセット信号を入力し、遅延させて出
力する遅延回路と、リセット信号および遅延回路の出力
信号を入力し、その排他的論理和を出力する排他的論理
和回路とを備え、検出回路は、トランジスタと低圧側電
源との間に挿入され、排他的論理和回路の出力信号によ
ってオン／オフが制御される第２のトランスミッション
ゲートおよび排他的論理和回路の出力信号をゲートと
し、抵抗とトランジスタとの間の電位を保持するラッチ
を備えたものである。
コンピュータは、リセット信号を入力し、遅延させて出
力する遅延回路と、リセット信号および遅延回路の出力
信号を入力し、その排他的論理和を出力する排他的論理
和回路とを備え、検出回路は、トランジスタと低圧側電
源との間に挿入され、排他的論理和回路の出力信号によ
ってオン／オフが制御される第２のトランスミッション
ゲートおよび排他的論理和回路の出力信号をゲートと
し、抵抗とトランジスタとの間の電位を保持するラッチ
を備えたものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１による温
度センサ搭載のマイクロコンピュータにおける温度セン
サブロックを示す構成図であり、図において、１は温度
センサ素子としてのダイオード、２は内部回路（図示せ
ず）から制御信号Ｃ１を入力し、反転した制御信号Ｃ１
Ｎを出力するインバータ、３は制御信号Ｃ１を一方のゲ
ートに入力し、反転した制御信号Ｃ１Ｎを他方のゲート
に入力するトランスミッションゲート（第１のトランス
ミッションゲート）であり、制御信号Ｃ１がＨレベル
（反転した制御信号Ｃ１ＮがＬレベル）のときにオンと
なる。ダイオード１とトランスミッションゲート３は電
圧源（高圧側電源）ＶＤＤと接地源（低圧側電源）ＧＮ
Ｄとの間に直列に接続され、ダイオード１、インバータ
２およびトランスミッションゲート３によって温度セン
サ４を構成している。５はダイオード１とトランスミッ
ションゲート３との接続点の電位Ｖｔを検出し、他の内
部回路（図示せず）へ電位Ｖｔ２の信号を出力する検出
回路であり、６は温度センサ４および検出回路５からな
る温度センサブロックである。
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１による温
度センサ搭載のマイクロコンピュータにおける温度セン
サブロックを示す構成図であり、図において、１は温度
センサ素子としてのダイオード、２は内部回路（図示せ
ず）から制御信号Ｃ１を入力し、反転した制御信号Ｃ１
Ｎを出力するインバータ、３は制御信号Ｃ１を一方のゲ
ートに入力し、反転した制御信号Ｃ１Ｎを他方のゲート
に入力するトランスミッションゲート（第１のトランス
ミッションゲート）であり、制御信号Ｃ１がＨレベル
（反転した制御信号Ｃ１ＮがＬレベル）のときにオンと
なる。ダイオード１とトランスミッションゲート３は電
圧源（高圧側電源）ＶＤＤと接地源（低圧側電源）ＧＮ
Ｄとの間に直列に接続され、ダイオード１、インバータ
２およびトランスミッションゲート３によって温度セン
サ４を構成している。５はダイオード１とトランスミッ
ションゲート３との接続点の電位Ｖｔを検出し、他の内
部回路（図示せず）へ電位Ｖｔ２の信号を出力する検出
回路であり、６は温度センサ４および検出回路５からな
る温度センサブロックである。
【００２０】図２は検出回路５を示す構成図であり、図
において、７は抵抗、８はＮチャネルＭＯＳトランジス
タ（トランジスタ）であり、そのゲートはダイオード１
とトランスミッションゲート３との接続点（電位Ｖｔ）
に接続されている。９は制御信号Ｃ１を入力し、反転し
た制御信号Ｃ１Ｎを出力するインバータ、１０は制御信
号Ｃ１を一方のゲートに入力し、反転した制御信号Ｃ１
Ｎを他方のゲートに入力するトランスミッションゲート
（第２のトランスミッションゲート）であり、制御信号
Ｃ１がＨレベル（反転した制御信号Ｃ１ＮがＬレベル）
のときにオンとなる。抵抗７、ＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタ８およびトランスミッションゲート１０は電圧源
ＶＤＤと接地源ＧＮＤとの間に直列に接続されている。
１１はインバータ、１２は抵抗７およびＮチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ８の接続点（電位Ｖｔ１）とインバータ
１１とを接続し、制御信号Ｃ１を一方のゲートに入力
し、反転した制御信号Ｃ１Ｎを他方のゲートに入力する
トランスミッションゲートであり、制御信号Ｃ１がＨレ
ベル（反転した制御信号Ｃ１ＮがＬレベル）のときにオ
ンとなる。１３はインバータ１１の出力信号を入力する
インバータである。１４はインバータ１３の出力とイン
バータ１１の入力とを接続し、反転した制御信号Ｃ１Ｎ
を一方のゲートに入力し、制御信号Ｃ１を他方のゲート
に入力するトランスミッションゲートであり、制御信号
Ｃ１がＬレベル（反転した制御信号Ｃ１ＮがＨレベル）
のときにオンとなる。１５はインバータ１１の出力信号
を入力し、反転して電位Ｖｔ２の信号を他の内部回路へ
出力するインバータである。１６はインバータ１１，１
３，１５およびトランスミッションゲート１２，１４か
ら構成されたラッチである。
において、７は抵抗、８はＮチャネルＭＯＳトランジス
タ（トランジスタ）であり、そのゲートはダイオード１
とトランスミッションゲート３との接続点（電位Ｖｔ）
に接続されている。９は制御信号Ｃ１を入力し、反転し
た制御信号Ｃ１Ｎを出力するインバータ、１０は制御信
号Ｃ１を一方のゲートに入力し、反転した制御信号Ｃ１
Ｎを他方のゲートに入力するトランスミッションゲート
（第２のトランスミッションゲート）であり、制御信号
Ｃ１がＨレベル（反転した制御信号Ｃ１ＮがＬレベル）
のときにオンとなる。抵抗７、ＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタ８およびトランスミッションゲート１０は電圧源
ＶＤＤと接地源ＧＮＤとの間に直列に接続されている。
１１はインバータ、１２は抵抗７およびＮチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ８の接続点（電位Ｖｔ１）とインバータ
１１とを接続し、制御信号Ｃ１を一方のゲートに入力
し、反転した制御信号Ｃ１Ｎを他方のゲートに入力する
トランスミッションゲートであり、制御信号Ｃ１がＨレ
ベル（反転した制御信号Ｃ１ＮがＬレベル）のときにオ
ンとなる。１３はインバータ１１の出力信号を入力する
インバータである。１４はインバータ１３の出力とイン
バータ１１の入力とを接続し、反転した制御信号Ｃ１Ｎ
を一方のゲートに入力し、制御信号Ｃ１を他方のゲート
に入力するトランスミッションゲートであり、制御信号
Ｃ１がＬレベル（反転した制御信号Ｃ１ＮがＨレベル）
のときにオンとなる。１５はインバータ１１の出力信号
を入力し、反転して電位Ｖｔ２の信号を他の内部回路へ
出力するインバータである。１６はインバータ１１，１
３，１５およびトランスミッションゲート１２，１４か
ら構成されたラッチである。
【００２１】次に動作について説明する。内部回路から
の制御信号Ｃ１がＨレベル（反転した制御信号Ｃ１Ｎが
Ｌレベル）の場合、トランスミッションゲート３，１０
はオンとなり、ダイオード１の両端に現れる電圧Ｖｆは
ダイオード１の周囲の温度が高くなるにつれて低くなる
ので、温度センサ４の出力信号の電位Ｖｔ（＝ＶＤＤ−
Ｖｆ）は温度が高くなるにつれて高くなる。ダイオード
１の周囲の温度が低く、電位ＶｔがＮチャネルＭＯＳト
ランジスタ８をオンにするしきい値電圧よりも低い場
合、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８はオフとなり、電
位Ｖｔ１はＨレベルとなる。温度が上昇して、電位Ｖｔ
がＮチャネルＭＯＳトランジスタ８をオンにするしきい
値電圧よりも高くなると、ＮチャネルＭＯＳトランジス
タ８はオンとなり、電位Ｖｔ１はＨレベルからＬレベル
へ変化する。制御信号Ｃ１がＬレベル（反転した制御信
号Ｃ１ＮがＨレベル）の場合、トランスミッションゲー
ト３，１０はオフとなり、ＮチャネルＭＯＳトランジス
タ８もオフとなるので、電位Ｖｔ１は常にＨレベルとな
る。このようにして、温度センサ４を動作させるために
制御信号Ｃ１をＨレベルとすると、電位Ｖｔ１のＨレベ
ルからＬレベルへの変化により、ダイオード１の周囲温
度がある温度以上になったことを検出できる。また、温
度センサ４を動作させない場合は、制御信号Ｃ１をＬレ
ベルとすることにより、ダイオード１を通して流れる電
流およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ８を通して流れ
る電流を遮断することができる。
の制御信号Ｃ１がＨレベル（反転した制御信号Ｃ１Ｎが
Ｌレベル）の場合、トランスミッションゲート３，１０
はオンとなり、ダイオード１の両端に現れる電圧Ｖｆは
ダイオード１の周囲の温度が高くなるにつれて低くなる
ので、温度センサ４の出力信号の電位Ｖｔ（＝ＶＤＤ−
Ｖｆ）は温度が高くなるにつれて高くなる。ダイオード
１の周囲の温度が低く、電位ＶｔがＮチャネルＭＯＳト
ランジスタ８をオンにするしきい値電圧よりも低い場
合、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８はオフとなり、電
位Ｖｔ１はＨレベルとなる。温度が上昇して、電位Ｖｔ
がＮチャネルＭＯＳトランジスタ８をオンにするしきい
値電圧よりも高くなると、ＮチャネルＭＯＳトランジス
タ８はオンとなり、電位Ｖｔ１はＨレベルからＬレベル
へ変化する。制御信号Ｃ１がＬレベル（反転した制御信
号Ｃ１ＮがＨレベル）の場合、トランスミッションゲー
ト３，１０はオフとなり、ＮチャネルＭＯＳトランジス
タ８もオフとなるので、電位Ｖｔ１は常にＨレベルとな
る。このようにして、温度センサ４を動作させるために
制御信号Ｃ１をＨレベルとすると、電位Ｖｔ１のＨレベ
ルからＬレベルへの変化により、ダイオード１の周囲温
度がある温度以上になったことを検出できる。また、温
度センサ４を動作させない場合は、制御信号Ｃ１をＬレ
ベルとすることにより、ダイオード１を通して流れる電
流およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ８を通して流れ
る電流を遮断することができる。
【００２２】よって、制御信号Ｃ１を出力する内部回路
は、温度を測定するときのみ制御信号Ｃ１を間欠的にＨ
レベルとすることにより、温度を測定しないときのマイ
クロコンピュータの消費電流を削減することができる。
しかし、制御信号Ｃ１をＨレベルからＬレベルに変化さ
せたときに、ダイオード１の周囲温度によらず電位Ｖｔ
１は常にＨレベルとなってしまうので、検出回路５は、
制御信号Ｃ１がＬレベルに変化する直前の電位Ｖｔ１の
信号レベルを保持するために、ラッチ１６を備えるよう
に構成する。
は、温度を測定するときのみ制御信号Ｃ１を間欠的にＨ
レベルとすることにより、温度を測定しないときのマイ
クロコンピュータの消費電流を削減することができる。
しかし、制御信号Ｃ１をＨレベルからＬレベルに変化さ
せたときに、ダイオード１の周囲温度によらず電位Ｖｔ
１は常にＨレベルとなってしまうので、検出回路５は、
制御信号Ｃ１がＬレベルに変化する直前の電位Ｖｔ１の
信号レベルを保持するために、ラッチ１６を備えるよう
に構成する。
【００２３】制御信号Ｃ１がＨレベル（反転した制御信
号Ｃ１ＮがＬレベル）の場合、トランスミッションゲー
ト１２はオン、トランスミッションゲート１４はオフと
なるので、検出回路５の出力信号（電位Ｖｔ２）は、ト
ランスミッションゲート１２、インバータ１１およびイ
ンバータ１５を通して、電位Ｖｔ１と同じレベルの信号
として出力される。また、インバータ１３の出力信号も
同じレベルの信号となる。ここで、制御信号Ｃ１がＬレ
ベル（反転した制御信号Ｃ１ＮがＨレベル）に変化する
と、トランスミッションゲート１２はオフ、トランスミ
ッションゲート１４はオンとなるので、インバータ１３
の出力信号がインバータ１１に入力される。このため、
インバータ１１，１３には、制御信号Ｃ１がＬレベルに
変化する直前のレベルが保持される。そして、検出回路
５の出力信号（電位Ｖｔ２）は制御信号Ｃ１がＬレベル
に変化する直前の電位Ｖｔ１の信号レベルと同じレベル
を保持する。検出回路５の出力信号を入力する他の内部
回路は、電位Ｖｔ２のレベルに基づいて、ダイオード１
が配置された周囲の温度が所定温度以上になったことを
検知することができる。
号Ｃ１ＮがＬレベル）の場合、トランスミッションゲー
ト１２はオン、トランスミッションゲート１４はオフと
なるので、検出回路５の出力信号（電位Ｖｔ２）は、ト
ランスミッションゲート１２、インバータ１１およびイ
ンバータ１５を通して、電位Ｖｔ１と同じレベルの信号
として出力される。また、インバータ１３の出力信号も
同じレベルの信号となる。ここで、制御信号Ｃ１がＬレ
ベル（反転した制御信号Ｃ１ＮがＨレベル）に変化する
と、トランスミッションゲート１２はオフ、トランスミ
ッションゲート１４はオンとなるので、インバータ１３
の出力信号がインバータ１１に入力される。このため、
インバータ１１，１３には、制御信号Ｃ１がＬレベルに
変化する直前のレベルが保持される。そして、検出回路
５の出力信号（電位Ｖｔ２）は制御信号Ｃ１がＬレベル
に変化する直前の電位Ｖｔ１の信号レベルと同じレベル
を保持する。検出回路５の出力信号を入力する他の内部
回路は、電位Ｖｔ２のレベルに基づいて、ダイオード１
が配置された周囲の温度が所定温度以上になったことを
検知することができる。
【００２４】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、高圧側電源ＶＤＤと低圧側電源ＧＮＤとの間に接続
されたダイオード１およびダイオード１と低圧側電源Ｇ
ＮＤとの間に各々並列に挿入された１乃至複数のトラン
スミッションゲート３を備えた１乃至複数の温度センサ
４と、ダイオード１とトランスミッションゲート３の接
続点にそのゲートが接続されたＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタ８および高圧側電源ＶＤＤとＮチャネルＭＯＳト
ランジスタ８との間に挿入された抵抗７を備えて、温度
センサ４に対応して設けられた１乃至複数の検出回路５
と、１乃至複数のトランスミッションゲート３それぞれ
のオン／オフを制御する１乃至複数の制御信号Ｃ１とを
備えるようにしたので、制御信号Ｃ１をＨレベルとする
と、検出回路５の出力信号のレベルを判別することによ
り過剰な温度上昇またはユーザーの指定した温度を検知
できるので、マイクロコンピュータの誤動作、暴走等を
未然に防ぐことができる。そして、制御信号Ｃ１をＬレ
ベルとすることにより、ダイオード１を通して流れる電
流を遮断することができ、温度を測定しないときのマイ
クロコンピュータの消費電流を削減することができると
いう効果がある。
ば、高圧側電源ＶＤＤと低圧側電源ＧＮＤとの間に接続
されたダイオード１およびダイオード１と低圧側電源Ｇ
ＮＤとの間に各々並列に挿入された１乃至複数のトラン
スミッションゲート３を備えた１乃至複数の温度センサ
４と、ダイオード１とトランスミッションゲート３の接
続点にそのゲートが接続されたＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタ８および高圧側電源ＶＤＤとＮチャネルＭＯＳト
ランジスタ８との間に挿入された抵抗７を備えて、温度
センサ４に対応して設けられた１乃至複数の検出回路５
と、１乃至複数のトランスミッションゲート３それぞれ
のオン／オフを制御する１乃至複数の制御信号Ｃ１とを
備えるようにしたので、制御信号Ｃ１をＨレベルとする
と、検出回路５の出力信号のレベルを判別することによ
り過剰な温度上昇またはユーザーの指定した温度を検知
できるので、マイクロコンピュータの誤動作、暴走等を
未然に防ぐことができる。そして、制御信号Ｃ１をＬレ
ベルとすることにより、ダイオード１を通して流れる電
流を遮断することができ、温度を測定しないときのマイ
クロコンピュータの消費電流を削減することができると
いう効果がある。
【００２５】また、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８と
低圧側電源ＧＮＤとの間に挿入され、１乃至複数の制御
信号Ｃ１のいずれかによってオン／オフが制御されるト
ランスミッションゲート１０を備えるようにしたので、
制御信号Ｃ１をＬレベルとすることにより、ダイオード
１を通して流れる電流だけでなく、ＮチャネルＭＯＳト
ランジスタ８を通して流れる電流も遮断することがで
き、温度を測定しないときのマイクロコンピュータの消
費電流をさらに削減することができるという効果があ
る。
低圧側電源ＧＮＤとの間に挿入され、１乃至複数の制御
信号Ｃ１のいずれかによってオン／オフが制御されるト
ランスミッションゲート１０を備えるようにしたので、
制御信号Ｃ１をＬレベルとすることにより、ダイオード
１を通して流れる電流だけでなく、ＮチャネルＭＯＳト
ランジスタ８を通して流れる電流も遮断することがで
き、温度を測定しないときのマイクロコンピュータの消
費電流をさらに削減することができるという効果があ
る。
【００２６】さらに、１乃至複数の制御信号Ｃ１のいず
れかをゲートとし、抵抗７とＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ８との間の電位Ｖｔ１を保持するラッチ１６を備え
るようにしたので、制御信号Ｃ１がＬレベルに変化して
も、検出回路５の出力信号は制御信号Ｃ１がＬレベルに
変化する直前のレベルを保持するので、パルス状の信号
を判別する必要がなくなり、検出回路５の出力信号のレ
ベルを容易に判別することができるという効果がある。
れかをゲートとし、抵抗７とＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ８との間の電位Ｖｔ１を保持するラッチ１６を備え
るようにしたので、制御信号Ｃ１がＬレベルに変化して
も、検出回路５の出力信号は制御信号Ｃ１がＬレベルに
変化する直前のレベルを保持するので、パルス状の信号
を判別する必要がなくなり、検出回路５の出力信号のレ
ベルを容易に判別することができるという効果がある。
【００２７】実施の形態２．図３はこの発明の実施の形
態２による温度センサ搭載のマイクロコンピュータにお
ける温度センサブロックを示す構成図であり、図１と同
一または相当部分には同一符号を付して重複説明を省略
する。図３において、１７は制御信号Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３
を出力するセレクタ、１８は制御信号Ｃ２を入力し、反
転した制御信号Ｃ２Ｎを出力するインバータ、１９は制
御信号Ｃ２を一方のゲートに入力し、反転した制御信号
Ｃ２Ｎを他方のゲートに入力するトランスミッションゲ
ート（第１のトランスミッションゲート）であり、制御
信号Ｃ２がＨレベル（反転した制御信号Ｃ２ＮがＬレベ
ル）のときにオンとなる。２０は制御信号Ｃ３を入力
し、反転した制御信号Ｃ３Ｎを出力するインバータ、２
１は制御信号Ｃ３を一方のゲートに入力し、反転した制
御信号Ｃ３Ｎを他方のゲートに入力するトランスミッシ
ョンゲート（第１のトランスミッションゲート）であ
り、制御信号Ｃ３がＨレベル（反転した制御信号Ｃ３Ｎ
がＬレベル）のときにオンとなる。トランスミッション
ゲート１９，２１はトランスミッションゲート３に並列
に接続され、トランスミッションゲート３，１９，２１
の順でトランジスタサイズが小さく（オン抵抗値が大き
く）なるように構成されている。２２は温度センサであ
り、ダイオード１、インバータ２，１８，２０およびト
ランスミッションゲート３，１９，２１によって構成さ
れている。２３はダイオード１とトランスミッションゲ
ート３，１９，２１との接続点の電位Ｖｔを検出し、他
の内部回路（図示せず）へ電位Ｖｔ２の信号を出力する
検出回路であり、２４はセレクタ１７、温度センサ２２
および検出回路２３からなる温度センサブロックであ
る。
態２による温度センサ搭載のマイクロコンピュータにお
ける温度センサブロックを示す構成図であり、図１と同
一または相当部分には同一符号を付して重複説明を省略
する。図３において、１７は制御信号Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３
を出力するセレクタ、１８は制御信号Ｃ２を入力し、反
転した制御信号Ｃ２Ｎを出力するインバータ、１９は制
御信号Ｃ２を一方のゲートに入力し、反転した制御信号
Ｃ２Ｎを他方のゲートに入力するトランスミッションゲ
ート（第１のトランスミッションゲート）であり、制御
信号Ｃ２がＨレベル（反転した制御信号Ｃ２ＮがＬレベ
ル）のときにオンとなる。２０は制御信号Ｃ３を入力
し、反転した制御信号Ｃ３Ｎを出力するインバータ、２
１は制御信号Ｃ３を一方のゲートに入力し、反転した制
御信号Ｃ３Ｎを他方のゲートに入力するトランスミッシ
ョンゲート（第１のトランスミッションゲート）であ
り、制御信号Ｃ３がＨレベル（反転した制御信号Ｃ３Ｎ
がＬレベル）のときにオンとなる。トランスミッション
ゲート１９，２１はトランスミッションゲート３に並列
に接続され、トランスミッションゲート３，１９，２１
の順でトランジスタサイズが小さく（オン抵抗値が大き
く）なるように構成されている。２２は温度センサであ
り、ダイオード１、インバータ２，１８，２０およびト
ランスミッションゲート３，１９，２１によって構成さ
れている。２３はダイオード１とトランスミッションゲ
ート３，１９，２１との接続点の電位Ｖｔを検出し、他
の内部回路（図示せず）へ電位Ｖｔ２の信号を出力する
検出回路であり、２４はセレクタ１７、温度センサ２２
および検出回路２３からなる温度センサブロックであ
る。
【００２８】図４は検出回路２３を示す構成図であり、
図２と同一または相当部分には同一符号を付して重複説
明を省略する。図４において、２５は制御信号Ｃ１，Ｃ
２，Ｃ３を入力し、その論理和を制御信号Ｃ４として出
力する論理和回路、２６は制御信号Ｃ４を入力し、反転
した制御信号Ｃ４Ｎを出力するインバータ、２７はＮチ
ャネルＭＯＳトランジスタ８と接地源ＧＮＤとの間に接
続され、制御信号Ｃ４を一方のゲートに入力し、反転し
た制御信号Ｃ４Ｎを他方のゲートに入力するトランスミ
ッションゲート（第２のトランスミッションゲート）で
あり、制御信号Ｃ４がＨレベル（反転した制御信号Ｃ４
ＮがＬレベル）のときにオンとなる。２８は抵抗７およ
びＮチャネルＭＯＳトランジスタ８の接続点（電位Ｖｔ
１）とインバータ１１とを接続し、制御信号Ｃ４を一方
のゲートに入力し、反転した制御信号Ｃ４Ｎを他方のゲ
ートに入力するトランスミッションゲートであり、制御
信号Ｃ４がＨレベル（反転した制御信号Ｃ４ＮがＬレベ
ル）のときにオンとなる。２９はインバータ１３の出力
とインバータ１１の入力とを接続し、反転した制御信号
Ｃ４Ｎを一方のゲートに入力し、制御信号Ｃ４を他方の
ゲートに入力するトランスミッションゲートであり、制
御信号Ｃ４がＬレベル（反転した制御信号Ｃ４ＮがＨレ
ベル）のときにオンとなる。３０はインバータ１１，１
３，１５およびトランスミッションゲート２８，２９か
ら構成されたラッチである。
図２と同一または相当部分には同一符号を付して重複説
明を省略する。図４において、２５は制御信号Ｃ１，Ｃ
２，Ｃ３を入力し、その論理和を制御信号Ｃ４として出
力する論理和回路、２６は制御信号Ｃ４を入力し、反転
した制御信号Ｃ４Ｎを出力するインバータ、２７はＮチ
ャネルＭＯＳトランジスタ８と接地源ＧＮＤとの間に接
続され、制御信号Ｃ４を一方のゲートに入力し、反転し
た制御信号Ｃ４Ｎを他方のゲートに入力するトランスミ
ッションゲート（第２のトランスミッションゲート）で
あり、制御信号Ｃ４がＨレベル（反転した制御信号Ｃ４
ＮがＬレベル）のときにオンとなる。２８は抵抗７およ
びＮチャネルＭＯＳトランジスタ８の接続点（電位Ｖｔ
１）とインバータ１１とを接続し、制御信号Ｃ４を一方
のゲートに入力し、反転した制御信号Ｃ４Ｎを他方のゲ
ートに入力するトランスミッションゲートであり、制御
信号Ｃ４がＨレベル（反転した制御信号Ｃ４ＮがＬレベ
ル）のときにオンとなる。２９はインバータ１３の出力
とインバータ１１の入力とを接続し、反転した制御信号
Ｃ４Ｎを一方のゲートに入力し、制御信号Ｃ４を他方の
ゲートに入力するトランスミッションゲートであり、制
御信号Ｃ４がＬレベル（反転した制御信号Ｃ４ＮがＨレ
ベル）のときにオンとなる。３０はインバータ１１，１
３，１５およびトランスミッションゲート２８，２９か
ら構成されたラッチである。
【００２９】次に動作について説明する。ここでは、複
数のトランスミッションゲート３，１９，２１のうちど
れをオンするかをセレクタ１７で選択できるように構成
している。そして、ダイオード１に流れる電流を決定す
るパラメータであるオン抵抗値はそれぞれのトランスミ
ッションゲートにより異なる。このため、温度センサの
感度の必要なブロック（図示せず）では制御信号Ｃ１を
Ｈレベル、制御信号Ｃ２，Ｃ３をＬレベルとすることに
よりトランスミッションゲート３（オン抵抗値小）のみ
オンとし、ダイオード１に流れる電流を大きくし、温度
センサの感度の不必要なブロック（図示せず）では制御
信号Ｃ３をＨレベル、制御信号Ｃ１，Ｃ２をＬレベルと
することによりトランスミッションゲート２１（オン抵
抗値大）のみオンとし、ダイオード１に流れる電流を小
さくすることが可能となる。このように、温度を測定す
るブロックに要求される温度センサの感度に応じて、ダ
イオード１を流れる電流を制御することができるので、
不必要な消費電流を削減することが可能となる。
数のトランスミッションゲート３，１９，２１のうちど
れをオンするかをセレクタ１７で選択できるように構成
している。そして、ダイオード１に流れる電流を決定す
るパラメータであるオン抵抗値はそれぞれのトランスミ
ッションゲートにより異なる。このため、温度センサの
感度の必要なブロック（図示せず）では制御信号Ｃ１を
Ｈレベル、制御信号Ｃ２，Ｃ３をＬレベルとすることに
よりトランスミッションゲート３（オン抵抗値小）のみ
オンとし、ダイオード１に流れる電流を大きくし、温度
センサの感度の不必要なブロック（図示せず）では制御
信号Ｃ３をＨレベル、制御信号Ｃ１，Ｃ２をＬレベルと
することによりトランスミッションゲート２１（オン抵
抗値大）のみオンとし、ダイオード１に流れる電流を小
さくすることが可能となる。このように、温度を測定す
るブロックに要求される温度センサの感度に応じて、ダ
イオード１を流れる電流を制御することができるので、
不必要な消費電流を削減することが可能となる。
【００３０】ここで、ダイオード１を流れる電流Ｉｆと
温度センサの感度との関係について補足する。図５はダ
イオード１の両端に現れる電圧Ｖｆとダイオード１を流
れる電流Ｉｆとの関係を示す特性図であり、例えば、電
流Ｉｆが１０μＡ付近における電圧Ｖｆは直線領域とな
るが、電流Ｉｆが小さく（オン抵抗値が大きく）なると
曲線領域に近づき、曲線領域においては電流Ｉｆの変動
による電圧Ｖｆの変動が大きくなるため、温度センサの
感度が悪くなってしまう。また、図６はトランスミッシ
ョンゲートがオンになってからの時間と電位Ｖｔとの関
係を示す特性図であり、図６（ａ）は電流Ｉｆが小さい
場合、図６（ｂ）は電流Ｉｆが大きい場合の特性図であ
る。図のように、トランスミッションゲートがオンにな
ってから電位Ｖｔが確定するまでの電位確定時間は、電
流Ｉｆが小さい（オン抵抗値が大きい）ほど長くなるの
で、制御信号の有効時間（制御信号がＨレベルの区間）
も長くする必要がある。
温度センサの感度との関係について補足する。図５はダ
イオード１の両端に現れる電圧Ｖｆとダイオード１を流
れる電流Ｉｆとの関係を示す特性図であり、例えば、電
流Ｉｆが１０μＡ付近における電圧Ｖｆは直線領域とな
るが、電流Ｉｆが小さく（オン抵抗値が大きく）なると
曲線領域に近づき、曲線領域においては電流Ｉｆの変動
による電圧Ｖｆの変動が大きくなるため、温度センサの
感度が悪くなってしまう。また、図６はトランスミッシ
ョンゲートがオンになってからの時間と電位Ｖｔとの関
係を示す特性図であり、図６（ａ）は電流Ｉｆが小さい
場合、図６（ｂ）は電流Ｉｆが大きい場合の特性図であ
る。図のように、トランスミッションゲートがオンにな
ってから電位Ｖｔが確定するまでの電位確定時間は、電
流Ｉｆが小さい（オン抵抗値が大きい）ほど長くなるの
で、制御信号の有効時間（制御信号がＨレベルの区間）
も長くする必要がある。
【００３１】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、温度センサ２２は複数のトランスミッションゲート
３，１９，２１それぞれのオン抵抗値が異なるように構
成されるようにしたので、温度を測定するブロックに要
求される温度センサの感度に応じて、ダイオード１を流
れる電流を制御することができるので、不必要な消費電
流を削減することができるという効果がある。
ば、温度センサ２２は複数のトランスミッションゲート
３，１９，２１それぞれのオン抵抗値が異なるように構
成されるようにしたので、温度を測定するブロックに要
求される温度センサの感度に応じて、ダイオード１を流
れる電流を制御することができるので、不必要な消費電
流を削減することができるという効果がある。
【００３２】実施の形態３．図７はこの発明の実施の形
態３による温度センサ搭載のマイクロコンピュータにお
ける温度センサブロックを示す構成図であり、図１と同
一または相当部分には同一符号を付して重複説明を省略
する。図７において、３１は制御信号Ｃ１に挿入され、
トランスミッションゲート３の一方のゲート電位を変化
させるレベルシフタ、３２は反転した制御信号Ｃ１Ｎに
挿入され、トランスミッションゲート３の他方のゲート
電位を変化させるレベルシフタ、３３はダイオード１、
インバータ２、トランスミッションゲート３およびレベ
ルシフタ３１，３２により構成された温度センサであ
る。３４は温度センサ３３および検出回路５からなる温
度センサブロックである。
態３による温度センサ搭載のマイクロコンピュータにお
ける温度センサブロックを示す構成図であり、図１と同
一または相当部分には同一符号を付して重複説明を省略
する。図７において、３１は制御信号Ｃ１に挿入され、
トランスミッションゲート３の一方のゲート電位を変化
させるレベルシフタ、３２は反転した制御信号Ｃ１Ｎに
挿入され、トランスミッションゲート３の他方のゲート
電位を変化させるレベルシフタ、３３はダイオード１、
インバータ２、トランスミッションゲート３およびレベ
ルシフタ３１，３２により構成された温度センサであ
る。３４は温度センサ３３および検出回路５からなる温
度センサブロックである。
【００３３】次に動作について説明する。制御信号Ｃ１
および反転した制御信号Ｃ１Ｎにレベルシフタ３１，３
２を設けてトランスミッションゲート３のゲート電位を
変化させることにより、トランスミッションゲート３の
オン抵抗値を変化させる。例えば、温度センサの感度の
必要なブロックでは、レベルシフタ３１によってトラン
スミッションゲート３のゲート電位を高くすることによ
りトランスミッションゲート３のオン抵抗値を小さくし
てダイオード１に流れる電流を大きくし、温度センサの
感度の不必要なブロックでは、レベルシフタ３１によっ
てトランスミッションゲート３のゲート電位を低くする
ことによりトランスミッションゲート３のオン抵抗値を
大きくしてダイオード１に流れる電流を小さくすること
が可能となる。このように、温度を測定するブロックに
要求される温度センサの感度に応じて、ダイオード１を
流れる電流を制御することができるので、実施の形態２
と同様に、不必要な消費電流を削減することが可能とな
る。
および反転した制御信号Ｃ１Ｎにレベルシフタ３１，３
２を設けてトランスミッションゲート３のゲート電位を
変化させることにより、トランスミッションゲート３の
オン抵抗値を変化させる。例えば、温度センサの感度の
必要なブロックでは、レベルシフタ３１によってトラン
スミッションゲート３のゲート電位を高くすることによ
りトランスミッションゲート３のオン抵抗値を小さくし
てダイオード１に流れる電流を大きくし、温度センサの
感度の不必要なブロックでは、レベルシフタ３１によっ
てトランスミッションゲート３のゲート電位を低くする
ことによりトランスミッションゲート３のオン抵抗値を
大きくしてダイオード１に流れる電流を小さくすること
が可能となる。このように、温度を測定するブロックに
要求される温度センサの感度に応じて、ダイオード１を
流れる電流を制御することができるので、実施の形態２
と同様に、不必要な消費電流を削減することが可能とな
る。
【００３４】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、温度センサは、トランスミッションゲート３のゲー
ト電位を変化させることにより、トランスミッションゲ
ート３のオン抵抗値を変化させるようにしたので、温度
を測定するブロックに要求される温度センサの感度に応
じて、ダイオード１を流れる電流を制御することができ
るので、不必要な消費電流を削減することができるとい
う効果がある。
ば、温度センサは、トランスミッションゲート３のゲー
ト電位を変化させることにより、トランスミッションゲ
ート３のオン抵抗値を変化させるようにしたので、温度
を測定するブロックに要求される温度センサの感度に応
じて、ダイオード１を流れる電流を制御することができ
るので、不必要な消費電流を削減することができるとい
う効果がある。
【００３５】実施の形態４．図８はこの発明の実施の形
態４による温度センサ搭載のマイクロコンピュータを示
す構成図であり、図において、６−１は制御信号Ｃ１−
１によって制御される温度センサブロック、６−２は制
御信号Ｃ１−２によって制御される温度センサブロッ
ク、６−３は制御信号Ｃ１−３によって制御される温度
センサブロックである。温度センサブロック６−１，６
−２，６−３は実施の形態１における温度センサブロッ
ク６と同様の構成である。３５は温度センサブロック６
−１，６−２，６−３を備えた温度センサ搭載のマイク
ロコンピュータである。図９は各制御信号Ｃ１−１，Ｃ
１−２，Ｃ１−３の波形を示すタイミングチャートであ
る。
態４による温度センサ搭載のマイクロコンピュータを示
す構成図であり、図において、６−１は制御信号Ｃ１−
１によって制御される温度センサブロック、６−２は制
御信号Ｃ１−２によって制御される温度センサブロッ
ク、６−３は制御信号Ｃ１−３によって制御される温度
センサブロックである。温度センサブロック６−１，６
−２，６−３は実施の形態１における温度センサブロッ
ク６と同様の構成である。３５は温度センサブロック６
−１，６−２，６−３を備えた温度センサ搭載のマイク
ロコンピュータである。図９は各制御信号Ｃ１−１，Ｃ
１−２，Ｃ１−３の波形を示すタイミングチャートであ
る。
【００３６】次に動作について説明する。温度センサブ
ロック６−１，６−２，６−３は実施の形態１における
温度センサブロック６と同様の構成であるので、それぞ
れの動作についての説明は省略する。温度センサブロッ
ク６−１，６−２，６−３はそれぞれ制御信号Ｃ１−
１，Ｃ１−２，Ｃ１−３がＨレベルの区間において動作
をする。図９のように、各制御信号Ｃ１−１，Ｃ１−
２，Ｃ１−３を時分割でＨレベル、つまり、複数の信号
が同時にＨレベルとならないようにする。また、各制御
信号Ｃ１−１，Ｃ１−２，Ｃ１−３のＨレベルの区間
を、それぞれ温度センサブロック６−１，６−２，６−
３が安定するのに要する時間よりも長くする。このた
め、温度センサブロック６−１，６−２，６−３のそれ
ぞれで温度検出することが可能であるが、温度センサブ
ロック６−１，６−２，６−３のうちの複数が同時に動
作することを回避することができるので、温度センサ搭
載のマイクロコンピュータ３５のピーク電流値を抑える
ことができる。
ロック６−１，６−２，６−３は実施の形態１における
温度センサブロック６と同様の構成であるので、それぞ
れの動作についての説明は省略する。温度センサブロッ
ク６−１，６−２，６−３はそれぞれ制御信号Ｃ１−
１，Ｃ１−２，Ｃ１−３がＨレベルの区間において動作
をする。図９のように、各制御信号Ｃ１−１，Ｃ１−
２，Ｃ１−３を時分割でＨレベル、つまり、複数の信号
が同時にＨレベルとならないようにする。また、各制御
信号Ｃ１−１，Ｃ１−２，Ｃ１−３のＨレベルの区間
を、それぞれ温度センサブロック６−１，６−２，６−
３が安定するのに要する時間よりも長くする。このた
め、温度センサブロック６−１，６−２，６−３のそれ
ぞれで温度検出することが可能であるが、温度センサブ
ロック６−１，６−２，６−３のうちの複数が同時に動
作することを回避することができるので、温度センサ搭
載のマイクロコンピュータ３５のピーク電流値を抑える
ことができる。
【００３７】なお、ここでは実施の形態１における温度
センサブロック６に適用した場合を説明したが、実施の
形態２，３における温度センサブロック２４，３４に適
用してもよく、同様の効果が得られる。
センサブロック６に適用した場合を説明したが、実施の
形態２，３における温度センサブロック２４，３４に適
用してもよく、同様の効果が得られる。
【００３８】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、複数の制御信号Ｃ１−１，Ｃ１−２，Ｃ１−３は、
それぞれ時分割で有効となるようにしたので、温度セン
サブロック６−１，６−２，６−３のうちの複数が同時
に動作することを回避することができ、温度センサ搭載
のマイクロコンピュータ３５のピーク電流値を抑えるこ
とができる。
ば、複数の制御信号Ｃ１−１，Ｃ１−２，Ｃ１−３は、
それぞれ時分割で有効となるようにしたので、温度セン
サブロック６−１，６−２，６−３のうちの複数が同時
に動作することを回避することができ、温度センサ搭載
のマイクロコンピュータ３５のピーク電流値を抑えるこ
とができる。
【００３９】実施の形態５．図１０はこの発明の実施の
形態５による温度センサ搭載のマイクロコンピュータに
おける温度センサブロックを示す構成図であり、図にお
いて、１は温度センサ素子としてのダイオード、３６は
リセット信号ＲＥＳＥＴを入力し、反転したリセット信
号ＲＥＳＥＴＮを出力するインバータ、３７はリセット
信号ＲＥＳＥＴを一方のゲートに入力し、反転したリセ
ット信号ＲＥＳＥＴＮを他方のゲートに入力するトラン
スミッションゲート（第１のトランスミッションゲー
ト）であり、リセット信号ＲＥＳＥＴがＨレベル（反転
したリセット信号ＲＥＳＥＴＮがＬレベル）のときにオ
ンとなる。ダイオード１とトランスミッションゲート３
７は電圧源（高圧側電源）ＶＤＤと接地源（低圧側電
源）ＧＮＤとの間に直列に接続され、ダイオード１、イ
ンバータ３６およびトランスミッションゲート３７によ
って温度センサ３８を構成している。３９はダイオード
１とトランスミッションゲート３７との接続点の電位Ｖ
ｔを検出し、動作モード設定信号を内部回路（図示せ
ず）へ出力する検出回路であり、４０は温度センサ３８
および検出回路３９からなる温度センサブロックであ
る。
形態５による温度センサ搭載のマイクロコンピュータに
おける温度センサブロックを示す構成図であり、図にお
いて、１は温度センサ素子としてのダイオード、３６は
リセット信号ＲＥＳＥＴを入力し、反転したリセット信
号ＲＥＳＥＴＮを出力するインバータ、３７はリセット
信号ＲＥＳＥＴを一方のゲートに入力し、反転したリセ
ット信号ＲＥＳＥＴＮを他方のゲートに入力するトラン
スミッションゲート（第１のトランスミッションゲー
ト）であり、リセット信号ＲＥＳＥＴがＨレベル（反転
したリセット信号ＲＥＳＥＴＮがＬレベル）のときにオ
ンとなる。ダイオード１とトランスミッションゲート３
７は電圧源（高圧側電源）ＶＤＤと接地源（低圧側電
源）ＧＮＤとの間に直列に接続され、ダイオード１、イ
ンバータ３６およびトランスミッションゲート３７によ
って温度センサ３８を構成している。３９はダイオード
１とトランスミッションゲート３７との接続点の電位Ｖ
ｔを検出し、動作モード設定信号を内部回路（図示せ
ず）へ出力する検出回路であり、４０は温度センサ３８
および検出回路３９からなる温度センサブロックであ
る。
【００４０】図１１は検出回路３９を示す構成図であ
り、図において、４１は抵抗、４２はＮチャネルＭＯＳ
トランジスタ（トランジスタ）であり、そのゲートはダ
イオード１とトランスミッションゲート３７との接続点
（電位Ｖｔ）に接続されている。抵抗４１およびＮチャ
ネルＭＯＳトランジスタ４２は電圧源ＶＤＤと接地源Ｇ
ＮＤとの間に直列に接続されている。検出回路３９は抵
抗４１およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２から構
成され、抵抗４１とＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２
との接続点から動作モード設定信号を内部回路に出力す
る。
り、図において、４１は抵抗、４２はＮチャネルＭＯＳ
トランジスタ（トランジスタ）であり、そのゲートはダ
イオード１とトランスミッションゲート３７との接続点
（電位Ｖｔ）に接続されている。抵抗４１およびＮチャ
ネルＭＯＳトランジスタ４２は電圧源ＶＤＤと接地源Ｇ
ＮＤとの間に直列に接続されている。検出回路３９は抵
抗４１およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２から構
成され、抵抗４１とＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２
との接続点から動作モード設定信号を内部回路に出力す
る。
【００４１】次に動作について説明する。マイクロコン
ピュータがリセットされたとき（リセット信号ＲＥＳＥ
ＴがＬレベル）、トランスミッションゲート３７はオフ
となるので、温度センサ３８は動作しない。そして、リ
セットが解除されたとき（リセット信号ＲＥＳＥＴがＬ
レベル）、トランスミッションゲート３７はオンとな
り、温度センサ３８は動作を開始する。このとき、ダイ
オード１の周囲の温度が低く、電位ＶｔがＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタ４２をオンにするしきい値電圧よりも
低い場合、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２はオフと
なり、動作モード設定信号はＨレベルとなり、内部回路
に出力される。ダイオード１の周囲の温度が高く、電位
ＶｔがＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２をオンにする
しきい値電圧よりも高い場合、ＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタ４２はオンとなり、動作モード設定信号はＬレベ
ルとなり、内部回路に出力される。
ピュータがリセットされたとき（リセット信号ＲＥＳＥ
ＴがＬレベル）、トランスミッションゲート３７はオフ
となるので、温度センサ３８は動作しない。そして、リ
セットが解除されたとき（リセット信号ＲＥＳＥＴがＬ
レベル）、トランスミッションゲート３７はオンとな
り、温度センサ３８は動作を開始する。このとき、ダイ
オード１の周囲の温度が低く、電位ＶｔがＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタ４２をオンにするしきい値電圧よりも
低い場合、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２はオフと
なり、動作モード設定信号はＨレベルとなり、内部回路
に出力される。ダイオード１の周囲の温度が高く、電位
ＶｔがＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２をオンにする
しきい値電圧よりも高い場合、ＮチャネルＭＯＳトラン
ジスタ４２はオンとなり、動作モード設定信号はＬレベ
ルとなり、内部回路に出力される。
【００４２】マイクロコンピュータにおいて、動作モー
ド設定信号を、動作モード（実使用モードとテストモー
ド）を設定するための信号として使用するようにしてお
けば、マイクロコンピュータの動作開始（リセット解
除）時におけるダイオード１の周囲の温度に応じて動作
モードが決定するようになる。このように構成すること
により、例えば、実使用（製品規格）０〜７０［℃］の
マイクロコンピュータのテスト時には１００［℃］から
起動させればテストモードに入るというようなことが可
能となり、マイクロコンピュータにテストモードを組み
込む場合でもマイクロコンピュータの外部から動作モー
ド設定用の信号を入力する必要がなくなる。このこと
は、近年のマイクロコンピュータのインテグレーション
チップ化（他チップで構成されていた機能を同一チップ
に取り込むこと）において、重要な課題であるピン数の
削減にとって有効な手段となる。
ド設定信号を、動作モード（実使用モードとテストモー
ド）を設定するための信号として使用するようにしてお
けば、マイクロコンピュータの動作開始（リセット解
除）時におけるダイオード１の周囲の温度に応じて動作
モードが決定するようになる。このように構成すること
により、例えば、実使用（製品規格）０〜７０［℃］の
マイクロコンピュータのテスト時には１００［℃］から
起動させればテストモードに入るというようなことが可
能となり、マイクロコンピュータにテストモードを組み
込む場合でもマイクロコンピュータの外部から動作モー
ド設定用の信号を入力する必要がなくなる。このこと
は、近年のマイクロコンピュータのインテグレーション
チップ化（他チップで構成されていた機能を同一チップ
に取り込むこと）において、重要な課題であるピン数の
削減にとって有効な手段となる。
【００４３】以上のように、この実施の形態５によれ
ば、高圧側電源ＶＤＤと低圧側電源ＧＮＤとの間に接続
されたダイオード１およびダイオード１と低圧側電源Ｇ
ＮＤとの間に挿入されたトランスミッションゲート３７
を備えた温度センサ３８と、ダイオード１とトランスミ
ッションゲート３７の接続点にそのゲートが接続された
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２および高圧側電源Ｖ
ＤＤとＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２との間に挿入
された抵抗４１を備えた検出回路３９と、トランスミッ
ションゲート３７のオン／オフを制御するリセット信号
ＲＥＳＥＴとを備え、検出回路３９は、抵抗４１とＮチ
ャネルＭＯＳトランジスタ４２との接続点から動作モー
ド設定信号を出力するようにしたので、動作モード設定
信号を、マイクロコンピュータの動作モードを設定する
ための信号として使用するようにしておけば、マイクロ
コンピュータの動作開始時におけるダイオード１の周囲
の温度に応じて動作モードが決定し、マイクロコンピュ
ータにテストモードを組み込む場合でもマイクロコンピ
ュータの外部から動作モード設定用の信号を入力する必
要がなくなり、ピン数を削減することができるという効
果がある。
ば、高圧側電源ＶＤＤと低圧側電源ＧＮＤとの間に接続
されたダイオード１およびダイオード１と低圧側電源Ｇ
ＮＤとの間に挿入されたトランスミッションゲート３７
を備えた温度センサ３８と、ダイオード１とトランスミ
ッションゲート３７の接続点にそのゲートが接続された
ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２および高圧側電源Ｖ
ＤＤとＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２との間に挿入
された抵抗４１を備えた検出回路３９と、トランスミッ
ションゲート３７のオン／オフを制御するリセット信号
ＲＥＳＥＴとを備え、検出回路３９は、抵抗４１とＮチ
ャネルＭＯＳトランジスタ４２との接続点から動作モー
ド設定信号を出力するようにしたので、動作モード設定
信号を、マイクロコンピュータの動作モードを設定する
ための信号として使用するようにしておけば、マイクロ
コンピュータの動作開始時におけるダイオード１の周囲
の温度に応じて動作モードが決定し、マイクロコンピュ
ータにテストモードを組み込む場合でもマイクロコンピ
ュータの外部から動作モード設定用の信号を入力する必
要がなくなり、ピン数を削減することができるという効
果がある。
【００４４】実施の形態６．図１２はこの発明の実施の
形態６による温度センサ搭載のマイクロコンピュータに
おける温度センサブロックを示す構成図であり、図にお
いて、１は温度センサ素子としてのダイオード、４３は
リセット信号ＲＥＳＥＴを入力し、遅延させて出力する
遅延回路、４４はリセット信号ＲＥＳＥＴと遅延回路４
３の出力信号とを入力し、その排他的論理和をリセット
信号ＲＥＳＥＴＣとして出力する排他的論理和回路、４
５はリセット信号ＲＥＳＥＴＣを入力し、反転したリセ
ット信号ＲＥＳＥＴＣＮを出力するインバータ、４６は
リセット信号ＲＥＳＥＴＣを一方のゲートに入力し、反
転したリセット信号ＲＥＳＥＴＣＮを他方のゲートに入
力するトランスミッションゲート（第１のトランスミッ
ションゲート）であり、リセット信号ＲＥＳＥＴＣがＬ
レベル（反転したリセット信号ＲＥＳＥＴＣＮがＨレベ
ル）のときにオンとなる。ダイオード１とトランスミッ
ションゲート４６は電圧源（高圧側電源）ＶＤＤと接地
源（低圧側電源）ＧＮＤとの間に直列に接続され、ダイ
オード１、インバータ４５およびトランスミッションゲ
ート４６によって温度センサ４７を構成している。４８
はダイオード１とトランスミッションゲート４６との接
続点の電位Ｖｔを検出し、動作モード設定信号を出力す
る検出回路であり、４９は遅延回路４３、排他的論理和
回路４４、温度センサ４７および検出回路４８からなる
温度センサブロックである。
形態６による温度センサ搭載のマイクロコンピュータに
おける温度センサブロックを示す構成図であり、図にお
いて、１は温度センサ素子としてのダイオード、４３は
リセット信号ＲＥＳＥＴを入力し、遅延させて出力する
遅延回路、４４はリセット信号ＲＥＳＥＴと遅延回路４
３の出力信号とを入力し、その排他的論理和をリセット
信号ＲＥＳＥＴＣとして出力する排他的論理和回路、４
５はリセット信号ＲＥＳＥＴＣを入力し、反転したリセ
ット信号ＲＥＳＥＴＣＮを出力するインバータ、４６は
リセット信号ＲＥＳＥＴＣを一方のゲートに入力し、反
転したリセット信号ＲＥＳＥＴＣＮを他方のゲートに入
力するトランスミッションゲート（第１のトランスミッ
ションゲート）であり、リセット信号ＲＥＳＥＴＣがＬ
レベル（反転したリセット信号ＲＥＳＥＴＣＮがＨレベ
ル）のときにオンとなる。ダイオード１とトランスミッ
ションゲート４６は電圧源（高圧側電源）ＶＤＤと接地
源（低圧側電源）ＧＮＤとの間に直列に接続され、ダイ
オード１、インバータ４５およびトランスミッションゲ
ート４６によって温度センサ４７を構成している。４８
はダイオード１とトランスミッションゲート４６との接
続点の電位Ｖｔを検出し、動作モード設定信号を出力す
る検出回路であり、４９は遅延回路４３、排他的論理和
回路４４、温度センサ４７および検出回路４８からなる
温度センサブロックである。
【００４５】図１３は検出回路４８を示す構成図であ
り、図１１と同一または相当部分には同一符号を付して
重複説明を省略する。図１３において、５０はリセット
信号ＲＥＳＥＴＣを入力し、反転したリセット信号ＲＥ
ＳＥＴＣＮを出力するインバータ、５１はリセット信号
ＲＥＳＥＴＣを一方のゲートに入力し、反転したリセッ
ト信号ＲＥＳＥＴＣＮを他方のゲートに入力するトラン
スミッションゲート（第２のトランスミッションゲー
ト）であり、リセット信号ＲＥＳＥＴＣがＬレベル（反
転したリセット信号ＲＥＳＥＴＣＮがＨレベル）のとき
にオンとなる。抵抗４１、ＮチャネルＭＯＳトランジス
タ４２およびトランスミッションゲート５１は電圧源Ｖ
ＤＤと接地源ＧＮＤとの間に直列に接続されている。５
２はインバータ、５３は抵抗４１およびＮチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ４２の接続点（電位Ｖｔ１）とインバー
タ５２とを接続し、リセット信号ＲＥＳＥＴＣを一方の
ゲートに入力し、反転したリセット信号ＲＥＳＥＴＣＮ
を他方のゲートに入力したトランスミッションゲートで
あり、リセット信号ＲＥＳＥＴＣがＨレベル（反転した
リセット信号ＲＥＳＥＴＣＮがＬレベル）のときにオン
となる。５４はインバータ５２の出力信号を入力するイ
ンバータである。５５はインバータ５４の出力とインバ
ータ５２の入力とを接続し、反転したリセット信号ＲＥ
ＳＥＴＣＮを一方のゲートに入力し、リセット信号ＲＥ
ＳＥＴＣを他方のゲートに入力したトランスミッション
ゲートであり、リセット信号ＲＥＳＥＴＣがＬレベル
（反転したリセット信号ＲＥＳＥＴＣＮがＨレベル）の
ときにオンとなる。５６はインバータ５２の出力信号を
入力し、反転させて動作モード設定信号として内部回路
（図示せず）へ出力するインバータである。５７はイン
バータ５２，５４，５６およびトランスミッションゲー
ト５３，５５から構成されたラッチである。図１４はリ
セット信号ＲＥＳＥＴ，ＲＥＳＥＴＣおよび遅延回路４
３の出力信号（ａ点）の波形を示すタイミングチャート
である。
り、図１１と同一または相当部分には同一符号を付して
重複説明を省略する。図１３において、５０はリセット
信号ＲＥＳＥＴＣを入力し、反転したリセット信号ＲＥ
ＳＥＴＣＮを出力するインバータ、５１はリセット信号
ＲＥＳＥＴＣを一方のゲートに入力し、反転したリセッ
ト信号ＲＥＳＥＴＣＮを他方のゲートに入力するトラン
スミッションゲート（第２のトランスミッションゲー
ト）であり、リセット信号ＲＥＳＥＴＣがＬレベル（反
転したリセット信号ＲＥＳＥＴＣＮがＨレベル）のとき
にオンとなる。抵抗４１、ＮチャネルＭＯＳトランジス
タ４２およびトランスミッションゲート５１は電圧源Ｖ
ＤＤと接地源ＧＮＤとの間に直列に接続されている。５
２はインバータ、５３は抵抗４１およびＮチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ４２の接続点（電位Ｖｔ１）とインバー
タ５２とを接続し、リセット信号ＲＥＳＥＴＣを一方の
ゲートに入力し、反転したリセット信号ＲＥＳＥＴＣＮ
を他方のゲートに入力したトランスミッションゲートで
あり、リセット信号ＲＥＳＥＴＣがＨレベル（反転した
リセット信号ＲＥＳＥＴＣＮがＬレベル）のときにオン
となる。５４はインバータ５２の出力信号を入力するイ
ンバータである。５５はインバータ５４の出力とインバ
ータ５２の入力とを接続し、反転したリセット信号ＲＥ
ＳＥＴＣＮを一方のゲートに入力し、リセット信号ＲＥ
ＳＥＴＣを他方のゲートに入力したトランスミッション
ゲートであり、リセット信号ＲＥＳＥＴＣがＬレベル
（反転したリセット信号ＲＥＳＥＴＣＮがＨレベル）の
ときにオンとなる。５６はインバータ５２の出力信号を
入力し、反転させて動作モード設定信号として内部回路
（図示せず）へ出力するインバータである。５７はイン
バータ５２，５４，５６およびトランスミッションゲー
ト５３，５５から構成されたラッチである。図１４はリ
セット信号ＲＥＳＥＴ，ＲＥＳＥＴＣおよび遅延回路４
３の出力信号（ａ点）の波形を示すタイミングチャート
である。
【００４６】次に動作について説明する。遅延回路４３
はリセット信号ＲＥＳＥＴを遅延させて出力するので、
ａ点の波形は図１４のようになる。排他的論理和回路４
４はリセット信号ＲＥＳＥＴと遅延回路４３の出力信号
の排他的論理和をリセット信号ＲＥＳＥＴＣとして出力
するので、リセット信号ＲＥＳＥＴＣは、図１４のよう
に遅延回路４３による遅延時間と同じ時間だけＨレベル
となる。ここで、遅延回路４３の遅延時間は温度センサ
４７の出力が安定するのに要する時間よりも長くなるよ
うに設定しておく。マイクロコンピュータのリセットが
解除されて（リセット信号ＲＥＳＥＴがＨレベルとなっ
て）から遅延回路４３の遅延時間分リセット信号ＲＥＳ
ＥＴＣはＨレベルとなるので、トランスミッションゲー
ト４６，５１，５３はオンとなり、温度センサ４７は動
作する。
はリセット信号ＲＥＳＥＴを遅延させて出力するので、
ａ点の波形は図１４のようになる。排他的論理和回路４
４はリセット信号ＲＥＳＥＴと遅延回路４３の出力信号
の排他的論理和をリセット信号ＲＥＳＥＴＣとして出力
するので、リセット信号ＲＥＳＥＴＣは、図１４のよう
に遅延回路４３による遅延時間と同じ時間だけＨレベル
となる。ここで、遅延回路４３の遅延時間は温度センサ
４７の出力が安定するのに要する時間よりも長くなるよ
うに設定しておく。マイクロコンピュータのリセットが
解除されて（リセット信号ＲＥＳＥＴがＨレベルとなっ
て）から遅延回路４３の遅延時間分リセット信号ＲＥＳ
ＥＴＣはＨレベルとなるので、トランスミッションゲー
ト４６，５１，５３はオンとなり、温度センサ４７は動
作する。
【００４７】このとき、ダイオード１の周囲の温度が低
く、電位ＶｔがＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２をオ
ンにするしきい値電圧よりも低い場合、ＮチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ４２はオフとなり、抵抗４１とＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタ４２との接続点（電位Ｖｔ１）は
Ｈレベルとなり、トランスミッションゲート５３および
インバータ５２，５６を通り、Ｈレベルの動作モード設
定信号として内部回路に出力される。ダイオード１の周
囲の温度が高く、電位ＶｔがＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ４２をオンにするしきい値電圧よりも高い場合、Ｎ
チャネルＭＯＳトランジスタ４２はオンとなり、抵抗４
１とＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２との接続点（電
位Ｖｔ１）はＬレベルとなり、トランスミッションゲー
ト５３およびインバータ５２，５６を通り、Ｌレベルの
動作モード設定信号として内部回路に出力される。
く、電位ＶｔがＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２をオ
ンにするしきい値電圧よりも低い場合、ＮチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ４２はオフとなり、抵抗４１とＮチャネ
ルＭＯＳトランジスタ４２との接続点（電位Ｖｔ１）は
Ｈレベルとなり、トランスミッションゲート５３および
インバータ５２，５６を通り、Ｈレベルの動作モード設
定信号として内部回路に出力される。ダイオード１の周
囲の温度が高く、電位ＶｔがＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ４２をオンにするしきい値電圧よりも高い場合、Ｎ
チャネルＭＯＳトランジスタ４２はオンとなり、抵抗４
１とＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２との接続点（電
位Ｖｔ１）はＬレベルとなり、トランスミッションゲー
ト５３およびインバータ５２，５６を通り、Ｌレベルの
動作モード設定信号として内部回路に出力される。
【００４８】そして、リセット信号ＲＥＳＥＴＣがＬレ
ベルに変化すると、トランスミッションゲート５３はオ
フ、トランスミッションゲート５５はオンとなり、ラッ
チ５７はリセット信号ＲＥＳＥＴＣがＬレベルに変化す
る直前の動作モード設定信号のレベルを保持する。
ベルに変化すると、トランスミッションゲート５３はオ
フ、トランスミッションゲート５５はオンとなり、ラッ
チ５７はリセット信号ＲＥＳＥＴＣがＬレベルに変化す
る直前の動作モード設定信号のレベルを保持する。
【００４９】実施の形態５と同様に、動作モード設定信
号を動作モード（実使用モードとテストモード）を切替
える信号として使用するようにしておけば、マイクロコ
ンピュータにテストモードを組み込む場合でもマイクロ
コンピュータの外部から動作モード設定用の信号を入力
する必要がなくなり、ピン数の削減にとって有効な手段
となる。また、動作モードを設定した後はトランスミッ
ションゲート４６，５１がオフとなるので、ダイオード
１を通して流れる電流およびＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ８を通して流れる電流を遮断し、マイクロコンピュ
ータの消費電流を削減することができる。
号を動作モード（実使用モードとテストモード）を切替
える信号として使用するようにしておけば、マイクロコ
ンピュータにテストモードを組み込む場合でもマイクロ
コンピュータの外部から動作モード設定用の信号を入力
する必要がなくなり、ピン数の削減にとって有効な手段
となる。また、動作モードを設定した後はトランスミッ
ションゲート４６，５１がオフとなるので、ダイオード
１を通して流れる電流およびＮチャネルＭＯＳトランジ
スタ８を通して流れる電流を遮断し、マイクロコンピュ
ータの消費電流を削減することができる。
【００５０】以上のように、この実施の形態６によれ
ば、リセット信号ＲＥＳＥＴを入力し、遅延させて出力
する遅延回路４３と、リセット信号ＲＥＳＥＴおよび遅
延回路４３の出力信号を入力し、その排他的論理和を出
力する排他的論理和回路４４とを備え、検出回路４８
は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２と低圧側電源Ｇ
ＮＤとの間に挿入され、排他的論理和回路４４の出力信
号によってオン／オフが制御されるトランスミッション
ゲート５１および排他的論理和回路４４の出力信号をゲ
ートとし、抵抗とトランジスタとの間の電位を保持する
ラッチを備えるようにしたので、実施の形態５と同様
に、マイクロコンピュータにテストモードを組み込む場
合でもマイクロコンピュータの外部から動作モード設定
用の信号を入力する必要がなくなり、ピン数を削減する
ことができる。そして、動作モードを設定した後はトラ
ンスミッションゲート４６，５１がオフとなるので、ダ
イオード１を通して流れる電流およびＮチャネルＭＯＳ
トランジスタ８を通して流れる電流を遮断し、マイクロ
コンピュータの消費電流を削減することができる。
ば、リセット信号ＲＥＳＥＴを入力し、遅延させて出力
する遅延回路４３と、リセット信号ＲＥＳＥＴおよび遅
延回路４３の出力信号を入力し、その排他的論理和を出
力する排他的論理和回路４４とを備え、検出回路４８
は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４２と低圧側電源Ｇ
ＮＤとの間に挿入され、排他的論理和回路４４の出力信
号によってオン／オフが制御されるトランスミッション
ゲート５１および排他的論理和回路４４の出力信号をゲ
ートとし、抵抗とトランジスタとの間の電位を保持する
ラッチを備えるようにしたので、実施の形態５と同様
に、マイクロコンピュータにテストモードを組み込む場
合でもマイクロコンピュータの外部から動作モード設定
用の信号を入力する必要がなくなり、ピン数を削減する
ことができる。そして、動作モードを設定した後はトラ
ンスミッションゲート４６，５１がオフとなるので、ダ
イオード１を通して流れる電流およびＮチャネルＭＯＳ
トランジスタ８を通して流れる電流を遮断し、マイクロ
コンピュータの消費電流を削減することができる。
【００５１】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、高圧
側電源と低圧側電源との間に接続されたダイオードおよ
びダイオードと低圧側電源との間に各々並列に挿入され
た１乃至複数の第１のトランスミッションゲートを備え
た１乃至複数の温度センサと、ダイオードと第１のトラ
ンスミッションゲートの接続点にそのゲートが接続され
たトランジスタおよび高圧側電源とトランジスタとの間
に挿入された抵抗を備えて、温度センサに対応して設け
られた１乃至複数の検出回路と、１乃至複数の第１のト
ランスミッションゲートそれぞれのオン／オフを制御す
る１乃至複数の制御信号とを備えるようにしたので、制
御信号を有効とすると、検出回路の出力信号のレベルを
判別することにより過剰な温度上昇またはユーザーの指
定した温度を検知できるので、マイクロコンピュータの
誤動作、暴走等を未然に防ぐことができる。そして、制
御信号を無効とすることにより、ダイオードを通して流
れる電流を遮断することができ、温度を測定しないとき
のマイクロコンピュータの消費電流を削減することがで
きるという効果がある。
側電源と低圧側電源との間に接続されたダイオードおよ
びダイオードと低圧側電源との間に各々並列に挿入され
た１乃至複数の第１のトランスミッションゲートを備え
た１乃至複数の温度センサと、ダイオードと第１のトラ
ンスミッションゲートの接続点にそのゲートが接続され
たトランジスタおよび高圧側電源とトランジスタとの間
に挿入された抵抗を備えて、温度センサに対応して設け
られた１乃至複数の検出回路と、１乃至複数の第１のト
ランスミッションゲートそれぞれのオン／オフを制御す
る１乃至複数の制御信号とを備えるようにしたので、制
御信号を有効とすると、検出回路の出力信号のレベルを
判別することにより過剰な温度上昇またはユーザーの指
定した温度を検知できるので、マイクロコンピュータの
誤動作、暴走等を未然に防ぐことができる。そして、制
御信号を無効とすることにより、ダイオードを通して流
れる電流を遮断することができ、温度を測定しないとき
のマイクロコンピュータの消費電流を削減することがで
きるという効果がある。
【００５２】この発明によれば、検出回路は、トランジ
スタと低圧側電源との間に挿入され、１乃至複数の制御
信号のいずれかによってオン／オフが制御される第２の
トランスミッションゲートを備えるようにしたので、制
御信号を無効とすることにより、ダイオードを通して流
れる電流だけでなく、トランジスタを通して流れる電流
も遮断することができ、温度を測定しないときのマイク
ロコンピュータの消費電流をさらに削減することができ
るという効果がある。
スタと低圧側電源との間に挿入され、１乃至複数の制御
信号のいずれかによってオン／オフが制御される第２の
トランスミッションゲートを備えるようにしたので、制
御信号を無効とすることにより、ダイオードを通して流
れる電流だけでなく、トランジスタを通して流れる電流
も遮断することができ、温度を測定しないときのマイク
ロコンピュータの消費電流をさらに削減することができ
るという効果がある。
【００５３】この発明によれば、検出回路は、１乃至複
数の制御信号のいずれかをゲートとし、抵抗とトランジ
スタとの間の電位を保持するラッチを備えるようにした
ので、制御信号が無効となっても、検出回路の出力信号
は制御信号が無効となる直前のレベルを保持するので、
パルス状の信号を判別する必要がなくなり、検出回路の
出力信号のレベルを容易に判別することができるという
効果がある。
数の制御信号のいずれかをゲートとし、抵抗とトランジ
スタとの間の電位を保持するラッチを備えるようにした
ので、制御信号が無効となっても、検出回路の出力信号
は制御信号が無効となる直前のレベルを保持するので、
パルス状の信号を判別する必要がなくなり、検出回路の
出力信号のレベルを容易に判別することができるという
効果がある。
【００５４】この発明によれば、温度センサは、複数の
第１のトランスミッションゲートそれぞれのオン抵抗値
が異なるように構成されるようにしたので、温度を測定
するブロックに要求される温度センサの感度に応じて、
ダイオードを流れる電流を制御することができるので、
不必要な消費電流を削減することができるという効果が
ある。
第１のトランスミッションゲートそれぞれのオン抵抗値
が異なるように構成されるようにしたので、温度を測定
するブロックに要求される温度センサの感度に応じて、
ダイオードを流れる電流を制御することができるので、
不必要な消費電流を削減することができるという効果が
ある。
【００５５】この発明によれば、温度センサは、第１の
トランスミッションゲートのゲート電位を変化させるこ
とにより、第１のトランスミッションゲートのオン抵抗
値を変化させるようにしたので、温度を測定するブロッ
クに要求される温度センサの感度に応じて、ダイオード
を流れる電流を制御することができるので、不必要な消
費電流を削減することができるという効果がある。
トランスミッションゲートのゲート電位を変化させるこ
とにより、第１のトランスミッションゲートのオン抵抗
値を変化させるようにしたので、温度を測定するブロッ
クに要求される温度センサの感度に応じて、ダイオード
を流れる電流を制御することができるので、不必要な消
費電流を削減することができるという効果がある。
【００５６】この発明によれば、複数の制御信号は、そ
れぞれ時分割で有効となるようにしたので、複数の温度
センサブロックが同時に動作することを回避することが
でき、マイクロコンピュータのピーク電流値を抑えるこ
とができる。
れぞれ時分割で有効となるようにしたので、複数の温度
センサブロックが同時に動作することを回避することが
でき、マイクロコンピュータのピーク電流値を抑えるこ
とができる。
【００５７】この発明によれば、高圧側電源と低圧側電
源との間に接続されたダイオードおよびダイオードと低
圧側電源との間に挿入された第１のトランスミッション
ゲートを備えた温度センサと、ダイオードと第１のトラ
ンスミッションゲートの接続点にそのゲートが接続され
たトランジスタおよび高圧側電源とトランジスタとの間
に挿入された抵抗を備えた検出回路と、第１のトランス
ミッションゲートのオン／オフを制御するリセット信号
とを備え、検出回路は、抵抗とトランジスタとの接続点
から動作モード設定信号を出力するようにしたので、動
作モード設定信号を、マイクロコンピュータの動作モー
ドを設定するための信号として使用するようにしておけ
ば、マイクロコンピュータの動作開始時におけるダイオ
ードの周囲の温度に応じて動作モードが決定し、マイク
ロコンピュータにテストモードを組み込む場合でもマイ
クロコンピュータの外部から動作モード設定用の信号を
入力する必要がなくなり、ピン数を削減することができ
るという効果がある。
源との間に接続されたダイオードおよびダイオードと低
圧側電源との間に挿入された第１のトランスミッション
ゲートを備えた温度センサと、ダイオードと第１のトラ
ンスミッションゲートの接続点にそのゲートが接続され
たトランジスタおよび高圧側電源とトランジスタとの間
に挿入された抵抗を備えた検出回路と、第１のトランス
ミッションゲートのオン／オフを制御するリセット信号
とを備え、検出回路は、抵抗とトランジスタとの接続点
から動作モード設定信号を出力するようにしたので、動
作モード設定信号を、マイクロコンピュータの動作モー
ドを設定するための信号として使用するようにしておけ
ば、マイクロコンピュータの動作開始時におけるダイオ
ードの周囲の温度に応じて動作モードが決定し、マイク
ロコンピュータにテストモードを組み込む場合でもマイ
クロコンピュータの外部から動作モード設定用の信号を
入力する必要がなくなり、ピン数を削減することができ
るという効果がある。
【００５８】この発明によれば、リセット信号を入力
し、遅延させて出力する遅延回路と、リセット信号およ
び遅延回路の出力信号を入力し、その排他的論理和を出
力する排他的論理和回路とを備え、検出回路は、トラン
ジスタと低圧側電源との間に挿入され、排他的論理和回
路の出力信号によってオン／オフが制御される第２のト
ランスミッションゲートおよび排他的論理和回路の出力
信号をゲートとし、抵抗とトランジスタとの間の電位を
保持するラッチを備えるようにしたので、マイクロコン
ピュータにテストモードを組み込む場合でもマイクロコ
ンピュータの外部から動作モード設定用の信号を入力す
る必要がなくなり、ピン数を削減することができる。そ
して、動作モードを設定した後は第１のトランスミッシ
ョンゲートおよび第２のトランスミッションゲートがオ
フとなるので、ダイオードを通して流れる電流およびト
ランジスタを通して流れる電流を遮断し、マイクロコン
ピュータの消費電流を削減することができる。
し、遅延させて出力する遅延回路と、リセット信号およ
び遅延回路の出力信号を入力し、その排他的論理和を出
力する排他的論理和回路とを備え、検出回路は、トラン
ジスタと低圧側電源との間に挿入され、排他的論理和回
路の出力信号によってオン／オフが制御される第２のト
ランスミッションゲートおよび排他的論理和回路の出力
信号をゲートとし、抵抗とトランジスタとの間の電位を
保持するラッチを備えるようにしたので、マイクロコン
ピュータにテストモードを組み込む場合でもマイクロコ
ンピュータの外部から動作モード設定用の信号を入力す
る必要がなくなり、ピン数を削減することができる。そ
して、動作モードを設定した後は第１のトランスミッシ
ョンゲートおよび第２のトランスミッションゲートがオ
フとなるので、ダイオードを通して流れる電流およびト
ランジスタを通して流れる電流を遮断し、マイクロコン
ピュータの消費電流を削減することができる。
【図１】 この発明の実施の形態１による温度センサ搭
載のマイクロコンピュータにおける温度センサブロック
を示す構成図である。
載のマイクロコンピュータにおける温度センサブロック
を示す構成図である。
【図２】 この発明の実施の形態１による温度センサ搭
載のマイクロコンピュータにおける検出回路を示す構成
図である。
載のマイクロコンピュータにおける検出回路を示す構成
図である。
【図３】 この発明の実施の形態２による温度センサ搭
載のマイクロコンピュータにおける温度センサブロック
を示す構成図である。
載のマイクロコンピュータにおける温度センサブロック
を示す構成図である。
【図４】 この発明の実施の形態２による温度センサ搭
載のマイクロコンピュータにおける検出回路を示す構成
図である。
載のマイクロコンピュータにおける検出回路を示す構成
図である。
【図５】 ダイオードの両端に現れる電圧Ｖｆとダイオ
ードを流れる電流Ｉｆとの関係を示す特性図である。
ードを流れる電流Ｉｆとの関係を示す特性図である。
【図６】 トランスミッションゲートがオンになってか
らの時間と電位Ｖｔとの関係を示す特性図である。
らの時間と電位Ｖｔとの関係を示す特性図である。
【図７】 この発明の実施の形態３による温度センサ搭
載のマイクロコンピュータにおける温度センサブロック
を示す構成図である。
載のマイクロコンピュータにおける温度センサブロック
を示す構成図である。
【図８】 この発明の実施の形態４による温度センサ搭
載のマイクロコンピュータを示す構成図である。
載のマイクロコンピュータを示す構成図である。
【図９】 各制御信号の波形を示すタイミングチャート
である。
である。
【図１０】 この発明の実施の形態５による温度センサ
搭載のマイクロコンピュータにおける温度センサブロッ
クを示す構成図である。
搭載のマイクロコンピュータにおける温度センサブロッ
クを示す構成図である。
【図１１】 この発明の実施の形態５による温度センサ
搭載のマイクロコンピュータにおける検出回路を示す構
成図である。
搭載のマイクロコンピュータにおける検出回路を示す構
成図である。
【図１２】 この発明の実施の形態６による温度センサ
搭載のマイクロコンピュータにおける温度センサブロッ
クを示す構成図である。
搭載のマイクロコンピュータにおける温度センサブロッ
クを示す構成図である。
【図１３】 この発明の実施の形態６による温度センサ
搭載のマイクロコンピュータにおける検出回路を示す構
成図である。
搭載のマイクロコンピュータにおける検出回路を示す構
成図である。
【図１４】 リセット信号および遅延回路の出力信号の
波形を示すタイミングチャートである。
波形を示すタイミングチャートである。
【図１５】 従来の温度センサ搭載のマイクロコンピュ
ータにおける温度センサブロックを示す構成図である。
ータにおける温度センサブロックを示す構成図である。
【図１６】 ダイオードの温度特性を説明するための回
路を示す構成図である。
路を示す構成図である。
【図１７】 温度Ｔとダイオードの両端に現れる電圧Ｖ
ｆとの関係を示す特性図である。
ｆとの関係を示す特性図である。
１ ダイオード、２，９，１１，１３，１５，１８，２
０，２６，３６，４５，５０，５２，５４，５６ イン
バータ、３，１９，２１，３７，４６ トランスミッシ
ョンゲート（第１のトランスミッションゲート）、４，
２２，３３，３８，４７ 温度センサ、５，２３，３
９，４８ 検出回路、６，６−１，６−２，６−３，２
４，３４，４０，４９ 温度センサブロック、７，４１
抵抗、８，４２ ＮチャネルＭＯＳトランジスタ（ト
ランジスタ）、１０，２７，５１トランスミッションゲ
ート（第２のトランスミッションゲート）、１２，１
４，２８，２９，５３，５５ トランスミッションゲー
ト、１６，３０，５７ ラッチ、１７ セレクタ、２５
論理和回路、３１，３２ レベルシフタ、３５ 温度
センサ搭載のマイクロコンピュータ、４３ 遅延回路、
４４ 排他的論理和回路。
０，２６，３６，４５，５０，５２，５４，５６ イン
バータ、３，１９，２１，３７，４６ トランスミッシ
ョンゲート（第１のトランスミッションゲート）、４，
２２，３３，３８，４７ 温度センサ、５，２３，３
９，４８ 検出回路、６，６−１，６−２，６−３，２
４，３４，４０，４９ 温度センサブロック、７，４１
抵抗、８，４２ ＮチャネルＭＯＳトランジスタ（ト
ランジスタ）、１０，２７，５１トランスミッションゲ
ート（第２のトランスミッションゲート）、１２，１
４，２８，２９，５３，５５ トランスミッションゲー
ト、１６，３０，５７ ラッチ、１７ セレクタ、２５
論理和回路、３１，３２ レベルシフタ、３５ 温度
センサ搭載のマイクロコンピュータ、４３ 遅延回路、
４４ 排他的論理和回路。
Claims (8)
- 【請求項１】 高圧側電源と低圧側電源との間に接続さ
れたダイオードおよび上記ダイオードと上記低圧側電源
との間に各々並列に挿入された１乃至複数の第１のトラ
ンスミッションゲートを備えた１乃至複数の温度センサ
と、 上記ダイオードと上記第１のトランスミッションゲート
の接続点にそのゲートが接続されたトランジスタおよび
上記高圧側電源と上記トランジスタとの間に挿入された
抵抗を備えて、上記温度センサに対応して設けられた１
乃至複数の検出回路と、 上記１乃至複数の第１のトランスミッションゲートそれ
ぞれのオン／オフを制御する１乃至複数の制御信号とを
備えたことを特徴とする温度センサ搭載のマイクロコン
ピュータ。 - 【請求項２】 検出回路は、トランジスタと低圧側電源
との間に挿入され、１乃至複数の制御信号のいずれかに
よってオン／オフが制御される第２のトランスミッショ
ンゲートを備えたことを特徴とする請求項１記載の温度
センサ搭載のマイクロコンピュータ。 - 【請求項３】 検出回路は、１乃至複数の制御信号のい
ずれかをゲートとし、抵抗とトランジスタとの間の電位
を保持するラッチを備えたことを特徴とする請求項１ま
たは請求項２記載の温度センサ搭載のマイクロコンピュ
ータ。 - 【請求項４】 温度センサは、複数の第１のトランスミ
ッションゲートそれぞれのオン抵抗値が異なるように構
成されたことを特徴とする請求項１記載の温度センサ搭
載のマイクロコンピュータ。 - 【請求項５】 温度センサは、第１のトランスミッショ
ンゲートのゲート電位を変化させることにより、第１の
トランスミッションゲートのオン抵抗値を変化させるこ
とを特徴とする請求項１記載の温度センサ搭載のマイク
ロコンピュータ。 - 【請求項６】 複数の制御信号は、それぞれ時分割で有
効となることを特徴とする請求項１から請求項５のうち
のいずれか１項記載の温度センサ搭載のマイクロコンピ
ュータ。 - 【請求項７】 高圧側電源と低圧側電源との間に接続さ
れたダイオードおよび上記ダイオードと上記低圧側電源
との間に挿入された第１のトランスミッションゲートを
備えた温度センサと、 上記ダイオードと上記第１のトランスミッションゲート
の接続点にそのゲートが接続されたトランジスタおよび
上記高圧側電源と上記トランジスタとの間に挿入された
抵抗を備えた検出回路と、 上記第１のトランスミッションゲートのオン／オフを制
御するリセット信号とを備えた温度センサ搭載のマイク
ロコンピュータにおいて、 検出回路は、上記抵抗と上記トランジスタとの接続点か
ら動作モード設定信号を出力することを特徴とする温度
センサ搭載のマイクロコンピュータ。 - 【請求項８】 リセット信号を入力し、遅延させて出力
する遅延回路と、 上記リセット信号および上記遅延回路の出力信号を入力
し、その排他的論理和を出力する排他的論理和回路とを
備え、 検出回路は、トランジスタと低圧側電源との間に挿入さ
れ、上記排他的論理和回路の出力信号によってオン／オ
フが制御される第２のトランスミッションゲートおよび
上記排他的論理和回路の出力信号をゲートとし、抵抗と
トランジスタとの間の電位を保持するラッチを備えるこ
とを特徴とする請求項７記載の温度センサ搭載のマイク
ロコンピュータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000151842A JP2001332694A (ja) | 2000-05-23 | 2000-05-23 | 温度センサ搭載のマイクロコンピュータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000151842A JP2001332694A (ja) | 2000-05-23 | 2000-05-23 | 温度センサ搭載のマイクロコンピュータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001332694A true JP2001332694A (ja) | 2001-11-30 |
Family
ID=18657334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000151842A Pending JP2001332694A (ja) | 2000-05-23 | 2000-05-23 | 温度センサ搭載のマイクロコンピュータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001332694A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014162844A1 (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の駆動方法 |
| JP5798685B2 (ja) * | 2012-07-24 | 2015-10-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および電子装置 |
-
2000
- 2000-05-23 JP JP2000151842A patent/JP2001332694A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5798685B2 (ja) * | 2012-07-24 | 2015-10-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および電子装置 |
| WO2014162844A1 (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の駆動方法 |
| JPWO2014162844A1 (ja) * | 2013-04-05 | 2017-02-16 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の駆動方法 |
| US9915961B2 (en) | 2013-04-05 | 2018-03-13 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device drive method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060123 |