JP2001331908A - Method for manufacturing thin-film magnetic head - Google Patents

Method for manufacturing thin-film magnetic head

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JP2001331908A
JP2001331908A JP2000151977A JP2000151977A JP2001331908A JP 2001331908 A JP2001331908 A JP 2001331908A JP 2000151977 A JP2000151977 A JP 2000151977A JP 2000151977 A JP2000151977 A JP 2000151977A JP 2001331908 A JP2001331908 A JP 2001331908A
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Japan
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film
magnetic
thin
magnetic head
layer
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JP2000151977A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshiaki Mizoo
嘉章 溝尾
Hiroko Ogawa
裕子 小川
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the corrosion of a magnetic metal on an ABS surface during lapping or washing in the manufacturing process of a thin-film magnetic head. SOLUTION: In the method for manufacturing a thin-film magnetic head including two or more layers of magnetic metal films having different oxidation- reduction potentials in a head sliding surface with respect to a magnetic recording medium, before lapping, a local battery 16 is constructed in a slider cutting margin 23 or an ABS machining margin by using at least one of the magnetic metal films and a thin film 15 having ionization tendency larger than that of the magnetic metal film.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
(HDD装置)等の磁気記録媒体に対して高密度の記録
・再生を行う装置に適用され、特に、ヘッド製造加工プ
ロセスにおいて、耐食性に優れた生産歩留まりの高い構
造を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is applied to an apparatus for performing high-density recording / reproduction on a magnetic recording medium such as a magnetic disk apparatus (HDD apparatus). And a method for manufacturing a thin film magnetic head having a structure with a high production yield.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、磁気ディスク装置(HDD装置)
等の磁気記録媒体に対する記録において、処理速度の向
上と記録容量の大容量化の必要性が増してきており、高
記録密度化への取り組みが強化されつつある。そのた
め、記録トラックの狭トラック化が益々進んできてお
り、且つ、薄膜磁気ヘッドそのものの微小化も益々進め
られている。
2. Description of the Related Art In recent years, magnetic disk devices (HDD devices)
In recording on a magnetic recording medium such as the one described above, the necessity of improving the processing speed and increasing the recording capacity is increasing, and efforts to increase the recording density are being strengthened. For this reason, the recording tracks are becoming narrower and the thin-film magnetic heads themselves are becoming smaller.

【0003】以下、従来のシールド型薄膜磁気ヘッド
(以下、単に薄膜磁気ヘッドという)について図面を用
いて説明する。
Hereinafter, a conventional shield type thin film magnetic head (hereinafter simply referred to as a thin film magnetic head) will be described with reference to the drawings.

【0004】図10、図11は従来の磁気ヘッドを示す
図であり、図12は磁気ヘッドの加工工程の一部を示す
ものである。
FIGS. 10 and 11 show a conventional magnetic head, and FIG. 12 shows a part of a processing step of the magnetic head.

【0005】磁気ディスク装置における信号の磁気記録
媒体への記録再生に用いられる薄膜磁気ヘッドは、例え
ば、図10に示すようなMR・インダクティブ複合ヘッ
ドと呼ばれているものが多い。
A thin-film magnetic head used for recording and reproducing signals on a magnetic recording medium in a magnetic disk drive is often called, for example, an MR / inductive composite head as shown in FIG.

【0006】図10において、下部シールド層101の
上には、下部ギャップ絶縁層102が成膜され、更にそ
の上面に磁気抵抗効果素子(以下MR素子と称する)1
03が積層成膜形成されている。下部シールド層101
は、Fe20-Ni80、Fe50-Ni50等のパーマロイ、CoNbZr等の
Co系アモルファス磁性膜、センダスト、グラニュラー鉄
系微結晶膜等のFe系合金磁性膜等の軟磁性材料からな
る。下部ギャップ絶縁層102は、Al2O3、AlNあるいは
SiO2等の非磁性絶縁材料からなる。MR素子103とし
ては、AMR(Anisotropic Magnetic Resistance)素
子、GMR(GiantMagnetic Resistance)素子、TMR(T
unneling Magnetic Resistance)素子あるいはCMR(Co
rrosive Magnetic Resistance)素子が用いられる。
In FIG. 10, a lower gap insulating layer 102 is formed on a lower shield layer 101, and a magnetoresistive effect element (hereinafter referred to as an MR element) 1
No. 03 is formed as a laminated film. Lower shield layer 101
Is a permalloy such as Fe 20 -Ni 80 , Fe 50 -Ni 50 , CoNbZr etc.
It is made of a soft magnetic material such as an Fe-based alloy magnetic film such as a Co-based amorphous magnetic film, a sendust, and a granular iron-based microcrystalline film. The lower gap insulating layer 102 is made of Al 2 O 3 , AlN or
It is made of a non-magnetic insulating material such as SiO 2 . As the MR element 103, an AMR (Anisotropic Magnetic Resistance) element, a GMR (Giant Magnetic Resistance) element, a TMR (T
unneling Magnetic Resistance) element or CMR (Co
rrosive Magnetic Resistance) element is used.

【0007】MR素子103の左右両側端部には、CoPt
合金等の材料を用いて縦バイアス層(PM層)104が
成膜されている。PM層104の上面及びMR素子10
3の上面と両側面との交線である稜線に接するように、
低抵抗かつスメア等を起こしにくいCrあるいはTa等の材
料を用いて電極リード層105が成膜される。ここで、
電極リード層105は、PM層104の上面及びMR素
子103の上面の一部にかかるようにして成膜しても良
い。次に、電極リード層105とMR素子103の露出
した部分の上に、下部ギャップ絶縁層102と同様の非
磁性絶縁材料を用いて上部ギャップ絶縁層106(図で
は、理解し易さを考慮してあえて図示せず、透明のよう
になっている)を成膜する。更に、上部ギャップ絶縁層
106の上に、下部シールド層101と同様の軟磁性材
料を用いて共通シールド層107を成膜形成する。以上
により、再生用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド部10
0が構成される。
The left and right ends of the MR element 103 are made of CoPt.
A vertical bias layer (PM layer) 104 is formed using a material such as an alloy. Upper surface of PM layer 104 and MR element 10
3 so that it is in contact with the ridgeline that is the intersection line between the upper surface and both side surfaces,
The electrode lead layer 105 is formed using a material such as Cr or Ta which has low resistance and does not easily cause smear or the like. here,
The electrode lead layer 105 may be formed so as to cover the upper surface of the PM layer 104 and part of the upper surface of the MR element 103. Next, on the exposed portions of the electrode lead layer 105 and the MR element 103, the upper gap insulating layer 106 (in the drawing, considering the ease of understanding, using the same non-magnetic insulating material as the lower gap insulating layer 102). (Not shown, transparent). Further, a common shield layer 107 is formed on the upper gap insulating layer 106 using the same soft magnetic material as the lower shield layer 101. As described above, the reproducing magnetoresistive thin film magnetic head 10
0 is configured.

【0008】次に、共通シールド層107の上面に下部
ギャップ絶縁層102と同様の非磁性絶縁材料を用いて
記録ギャップ層111を成膜する。更に記録ギャップ層
111を介して共通シールド層107に対向し、且つ、
他の部分で共通シールド層107に接している上部コア
(上部磁極)112を下部シールド層101と同じよう
な軟磁性材料を用いて成膜形成する。記録ギャップ層1
11を介して共通シールド層107と上部コア112が
対向している部分と、上部コア112が共通シールド層
107に接している部分との間に、Cu等の低抵抗金属
で作製された巻線コイル113が配置される。巻線コイ
ル113は、共通シールド層107と上部磁極112か
ら絶縁材(図示せず)を介して絶縁されている。以上の
要素により、記録用の誘導型薄膜磁気ヘッド部110が
構成される。ここで、共通シールド層107は、再生用
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド部100のシールド機能
と記録用誘導型薄膜磁気ヘッド部110の下部磁極機能
とを兼ね備えた機能を有している。
Next, a recording gap layer 111 is formed on the upper surface of the common shield layer 107 using the same non-magnetic insulating material as the lower gap insulating layer 102. Further, it faces the common shield layer 107 via the recording gap layer 111, and
An upper core (upper magnetic pole) 112 which is in contact with the common shield layer 107 in other portions is formed by using a soft magnetic material similar to that of the lower shield layer 101. Recording gap layer 1
11, a winding made of a low-resistance metal such as Cu is provided between a portion where the common shield layer 107 and the upper core 112 face each other and a portion where the upper core 112 is in contact with the common shield layer 107. The coil 113 is arranged. The winding coil 113 is insulated from the common shield layer 107 and the upper magnetic pole 112 via an insulating material (not shown). The above elements constitute the inductive thin film magnetic head unit 110 for recording. Here, the common shield layer 107 has a function having both the shield function of the magnetoresistive thin film magnetic head section 100 for reproduction and the lower magnetic pole function of the inductive thin film magnetic head section 110 for recording.

【0009】図12の、磁気記録媒体の摺動面側から見
た正面概略図に示されるように、下部シールド層101
の上面に成膜された下部ギャップ絶縁層102の上に、
MR素子103が形成される。MR素子103の左右両
側面に接して、左右一対のPM層104が形成され、そ
の上に左右一対の電極リード層105が形成されてい
る。更に、それらの上に上部ギャップ絶縁層106が成
膜され、更にその上に、共通シールド層107が形成さ
れる。更に、その上に記録ギャップ層111が成膜さ
れ、その上にトラック幅114(図11に図示)の上部
コア112が成膜形成される。
As shown in a schematic front view of the magnetic recording medium viewed from the sliding surface side in FIG.
On the lower gap insulating layer 102 formed on the upper surface of
An MR element 103 is formed. A pair of left and right PM layers 104 are formed in contact with the left and right sides of the MR element 103, and a pair of left and right electrode lead layers 105 are formed thereon. Further, an upper gap insulating layer 106 is formed thereon, and a common shield layer 107 is further formed thereon. Further, a recording gap layer 111 is formed thereon, and an upper core 112 having a track width 114 (shown in FIG. 11) is formed thereon.

【0010】巻線コイル113に記録電流が供給される
ことにより、記録用誘導型薄膜磁気ヘッド部110の上
部コア112と共通シールド層107に記録磁界が発生
し、記録ギャップ層111を介して対向する上部コア1
12と共通シールド層107との間に漏洩磁束が発生
し、磁気記録媒体に記録信号を記録する。また、信号が
記録された磁気記録媒体に記録された信号の磁界を再生
用磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド部100で再生し、M
R素子103による抵抗変化に応じた再生信号を電極リ
ード層105の端子から検出する。
When a recording current is supplied to the winding coil 113, a recording magnetic field is generated in the upper core 112 and the common shield layer 107 of the recording induction type thin film magnetic head section 110, and the recording magnetic field is generated via the recording gap layer 111. Upper core 1
A leakage magnetic flux is generated between the magnetic recording medium 12 and the common shield layer 107, and a recording signal is recorded on the magnetic recording medium. Further, the magnetic field of the signal recorded on the magnetic recording medium on which the signal is recorded is reproduced by the reproducing magnetoresistive thin film magnetic head unit 100,
A reproduction signal corresponding to a resistance change by the R element 103 is detected from a terminal of the electrode lead layer 105.

【0011】通常の磁気ヘッド製造プロセスの一部を図
12に示す。(a)は、一般にウエファ状態より、いく
つかのヘッド素子を並べて短冊状に切り出されたバー1
21を示す。この状態で、所定のMR素子のストライプ
ハイトになるようにラップ加工がされて、(b)に示す
ように所定の形状が作製される。この後、露出した下部
シールド層、共通シールド、上部コア、磁気抵抗素子の
磁性金属面を保護し、所望のCSS(Contact Start St
op)特性を得るため、DLC、スパッタカーボン、CN等
からなる保護膜122が設けられる。さらに所望の浮上
特性を得るため、ABS面123から、機械加工または
エッチングにより、複雑なABS面形状が作製される。
FIG. 12 shows a part of a normal magnetic head manufacturing process. (A) shows a bar 1 which is generally cut out in a strip shape by arranging several head elements from a wafer state.
21 is shown. In this state, lapping is performed so that the stripe height of the predetermined MR element is obtained, and a predetermined shape is formed as shown in FIG. Thereafter, the exposed lower shield layer, the common shield, the upper core, and the magnetic metal surface of the magnetoresistive element are protected and the desired CSS (Contact Start Strategies) is protected.
op) In order to obtain characteristics, a protective film 122 made of DLC, sputtered carbon, CN or the like is provided. Further, in order to obtain desired flying characteristics, a complicated ABS surface shape is produced from the ABS surface 123 by machining or etching.

【0012】近年、装置及びそれに伴う薄膜磁気ヘッド
の小型化への強い取り組みが進められ、高記録密度化に
対応して記録トラック幅114を狭める取り組みがなさ
れている。従来用いられていたFe20-Ni80パーマロイ
は、比較的耐食性が良く、低磁歪であるが、飽和磁束密
度が低い、あるいは導電率が低いため高周波での渦電流
損失が大きい等の欠点がある。記録能率を向上するた
め、シルード材料や記録コア材料に、Fe20-Ni80パーマ
ロイ以外に、Fe50-Ni50高Bsパーマロイや、FeN等の鉄系
微結晶材料が用いられるようになっている。
In recent years, strong efforts have been made to reduce the size of the apparatus and the thin-film magnetic head associated therewith, and efforts have been made to narrow the recording track width 114 in response to higher recording densities. Conventionally used Fe 20 -Ni 80 permalloy has relatively good corrosion resistance and low magnetostriction, but has disadvantages such as low saturation magnetic flux density or high eddy current loss at high frequency due to low conductivity. . In order to improve recording efficiency, iron-based microcrystalline materials such as Fe 50 -Ni 50 high Bs permalloy and FeN are being used as silo materials and recording core materials in addition to Fe 20 -Ni 80 permalloy. .

【0013】これらの磁性金属は、それ自身が腐食しや
すいため、磁気ヘッド近傍にAlやZr等のイオン化傾向の
大きい金属を摺動面に露出して設けることが提案されて
いる(例えば特開昭62−89210号公報、特開平1
−102710号公報、特開平3−37810号公
報)。
Since these magnetic metals are susceptible to corrosion themselves, it has been proposed to provide a metal having a high ionization tendency, such as Al or Zr, on the sliding surface in the vicinity of the magnetic head (for example, see Japanese Patent Application Laid-Open (JP-A) no. Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-89210,
-102710, JP-A-3-37810).

【0014】また2種類の磁性金属を接合して一つの層
を作製した場合、その接合部の露出面が局部電池となる
ので、接合部での腐食を避けるため、卑金属側の磁性金
属部を磁性面に露出させない方法も提案されている。
(例えば特開平3−95714号公報、特開平7−37
003号公報)
When two types of magnetic metals are joined to form a single layer, the exposed surface of the joint becomes a local battery. To avoid corrosion at the joint, the magnetic metal on the base metal side is removed. A method that does not expose the magnetic surface has also been proposed.
(For example, JP-A-3-95714, JP-A-7-37)
003 publication)

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来構成の磁気ヘッドにおいて多種類の磁性金属材料を用
いると、その所望のストライプハイトを得るためのラッ
プ加工工程において酸化還元電位の異なる2種類の金属
が露出する。これらの金属は例え絶縁されていても、加
工時のスメアやESD破壊、ラップ液、洗浄液、吸着水
等によりある程度のコンタクトが必然的に発生する。そ
れにより局部電池を構成して、酸化還元電位の低い又は
イオン化傾向の高い金属がイオン化しやすくなり、酸ア
ルカリの触媒作用で酸化腐食が発生し、シールド膜ある
いはMR膜の磁気特性の劣化、表面荒さの増大等が発生
する問題があった。
However, if a variety of magnetic metal materials are used in the above-described conventional magnetic head, two types of metals having different oxidation-reduction potentials are used in a lapping process for obtaining a desired stripe height. Is exposed. Even if these metals are insulated, a certain amount of contact is inevitably generated due to smear and ESD destruction during processing, lapping liquid, cleaning liquid, adsorbed water and the like. As a result, a local battery is formed, and a metal having a low oxidation-reduction potential or a high ionization tendency is easily ionized. Oxidative corrosion occurs due to the catalysis of acid-alkali, deterioration of the magnetic properties of the shield film or the MR film, surface There is a problem that the roughness increases.

【0016】特にラップ加工あるいは洗浄時に、加工液
または洗浄液に含まれる微量の酸、アルカリの存在下で
金属の接合部付近が局部電池となり、卑金属、特に鉄の
酸化を促進することが、磁気ヘッドの歩留まりを悪くし
ていた。
In particular, at the time of lapping or cleaning, in the presence of a trace amount of acid or alkali contained in the processing liquid or cleaning liquid, the vicinity of the joint of the metal becomes a local battery and promotes oxidation of the base metal, particularly iron. Yield was poor.

【0017】また、Cu、Al、Zr等のイオン化傾向の大き
い金属を摺動面に露出して設ける方法は、その部分でス
メア(ラップによる塑性流動に起因するショート)が発
生しやすい点、腐食部分が凹凸を持ち浮上特性やCSS
特性を劣化させる点、あるいは腐食部分でこれらの金属
の酸化物脱離粉が発生しやすくなる点で実用化が困難で
ある。
The method of providing a metal having a high ionization tendency, such as Cu, Al, or Zr, on the sliding surface is provided in such a manner that smear (short-circuit caused by plastic flow due to lap) is likely to occur at that portion, Floating characteristics and CSS with uneven parts
Practical use is difficult in that the characteristics are deteriorated, or oxide desorbed powders of these metals are easily generated in corroded portions.

【0018】また、接合部を摺動面に出さない方法は、
下記の理由で実用に供し得ない。すなわち、高い飽和磁
束を持つ金属を得るためには一般にFe等の自由電子を多
く含む元素を用い、そのため酸化還元に対して非常に活
性な膜になる。従って記録特性向上のためには、摺動面
には腐食しやすい磁性金属側が露出する。この腐食しや
すい磁性金属のみを摺動面に露出させるヘッドは、上述
したような誘導型記録ヘッドと再生専用磁気抵抗ヘッド
の組み合わせに用いるのは、極めて困難である。
In addition, the method of not projecting the joint portion on the sliding surface is as follows.
It cannot be put to practical use for the following reasons. That is, in order to obtain a metal having a high saturation magnetic flux, an element containing a lot of free electrons, such as Fe, is generally used. Therefore, in order to improve the recording characteristics, the magnetic metal which is susceptible to corrosion is exposed on the sliding surface. It is extremely difficult to use such a head that exposes only the corrosive magnetic metal on the sliding surface in a combination of the inductive recording head and the read-only magnetoresistive head as described above.

【0019】本発明は、上記の課題を解決し、薄膜磁気
ヘッド素子を形成するプロセスに、加工途中のABS露
出面に局部電池を設けることにより、磁気記録素子部の
腐食を防ぎ、素子部の磁性層は保護膜で保護され、局部
電池による腐食部分が最終的に磁気ヘッドスライダに残
らない薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的
とする。
The present invention solves the above-mentioned problems, and in the process of forming a thin-film magnetic head element, a local battery is provided on the exposed surface of the ABS during processing, thereby preventing corrosion of the magnetic recording element section and preventing the element section from being corroded. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a thin-film magnetic head in which a magnetic layer is protected by a protective film and a corroded portion caused by a local battery is not finally left on a magnetic head slider.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁気記録媒
体に対するヘッド摺動面内に、酸化還元電位の異なる2
層以上の磁性金属膜を有する薄膜磁気ヘッドを製造する
方法であって、ラップ加工を行う工程の前に、スライダ
切断しろに前記磁性金属膜の少なくとも一つと前記磁性
金属膜よりイオン化傾向の大きい薄膜とを用いて局部電
池を構成することを特徴とする。
In order to achieve this object, a method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention comprises:
A method of manufacturing a thin-film magnetic head having at least one magnetic metal film comprising at least one of said magnetic metal films and a thin film having a greater ionization tendency than said magnetic metal film before a step of performing lapping, by cutting off a slider. Are used to form a local battery.

【0021】本発明の他の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、磁気記録媒体に対するヘッド摺動面内に、酸化還元
電位の異なる2層以上の磁性金属膜を有する薄膜磁気ヘ
ッドを製造する方法であって、ラップ加工を行う工程の
前に、ABS面加工の際に磁気記録素子より深く加工さ
れる部分に、前記磁性金属膜の少なくとも一つと前記磁
性金属膜よりイオン化傾向の大きい薄膜を用いて局部電
池を構成することを特徴とする。
Another method of manufacturing a thin-film magnetic head according to the present invention is a method of manufacturing a thin-film magnetic head having two or more magnetic metal films having different oxidation-reduction potentials on a head sliding surface with respect to a magnetic recording medium. Prior to the lapping process, at least a portion of the magnetic metal film and a thin film having a higher ionization tendency than the magnetic metal film are locally applied to a portion to be processed deeper than the magnetic recording element during the ABS surface processing. It is characterized by constituting a battery.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を用いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0023】(実施の形態1)図1は、本発明の実施の
形態1における薄膜磁気ヘッドを示し、磁気記録媒体に
対向するヘッド摺動面(ABS面)から見た概略正面図
である。図2は、図1に示した薄膜磁気ヘッドの加工の
一手順を示した概略斜視図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic front view showing a thin film magnetic head according to Embodiment 1 of the present invention, viewed from a head sliding surface (ABS surface) facing a magnetic recording medium. FIG. 2 is a schematic perspective view showing one procedure of processing the thin film magnetic head shown in FIG.

【0024】図1(a)は、(b)に示すバー22に複
数個形成された薄膜磁気ヘッドのうちの1個におけるヘ
ッド要部17を示す。図1(a)において、AlTiC等を
材料とする薄膜磁気ヘッドスライダー基板1の上面に、
Al2O3等を素材とする絶縁層2が成膜され、その上に、F
e20-Ni80パーマロイ磁性膜からなる下部シールド層3が
成膜され、更にその上にAl2O3、AlNあるいはSiO2等の非
磁性絶縁材料を用いて下部ギャップ絶縁部4が成膜され
ている。その上に、詳細は図示しないが、NiFe系合金
膜、Co、CoFe合金膜等を材料とするフリー磁性層、Cu等
を材料とする非磁性導電層、フリー磁性層と同様の強磁
性材料を用いた固定磁性層、及びIrMn系合金膜、FeMn系
合金膜、PtMn系合金膜等、α-Fe2O3、NiO系酸化物の材
料である反強磁性層から構成された磁気抵抗効果素子5
(以下、GMR素子と称する)が形成されている。GM
R素子5の両側の夫々の側面に接するように下部ギャッ
プ絶縁部4の上に、CoPt合金等の硬質磁性材料を用いて
左右一対の縦バイアス層6が形成され、更に、縦バイア
ス層6の上に、GMR素子5に少なくとも線接触するよ
うにして、CrあるいはTa等の材料を用いた左右一対の電
極リード層7が形成されている。GMR素子5の上面及
び左右一対の電極リード層7の上面には、下部ギャップ
絶縁部4と同様の材料で上部ギャップ絶縁部8が形成さ
れている。上部ギャップ絶縁部8を介してGMR素子5
に対向するように、Fe20-Ni80パーマロイ用いた共通シ
ールド層9が形成されている。電極リード層7の上部又
は端部には、電極リード層7とシールド層間の十分な絶
縁性を確保するためエキストラギャップ層14が設けら
れる。以上の要素により、薄膜磁気ヘッドの再生ヘッド
部10が形成されている。
FIG. 1A shows a main part 17 of one of the thin film magnetic heads formed on the bar 22 shown in FIG. 1B. In FIG. 1A, on the upper surface of a thin film magnetic head slider substrate 1 made of AlTiC or the like,
An insulating layer 2 made of Al 2 O 3 or the like is formed, and F
A lower shield layer 3 made of e 20 -Ni 80 permalloy magnetic film is formed, and a lower gap insulating portion 4 is formed thereon using a non-magnetic insulating material such as Al 2 O 3 , AlN or SiO 2. ing. Although not shown in detail, a free magnetic layer made of a NiFe-based alloy film, Co, CoFe alloy film, or the like, a nonmagnetic conductive layer made of a material such as Cu, or a ferromagnetic material similar to the free magnetic layer is formed thereon. A magnetoresistive element composed of a fixed magnetic layer used and an antiferromagnetic layer made of an α-Fe 2 O 3 or NiO-based oxide, such as an IrMn-based alloy film, a FeMn-based alloy film, and a PtMn-based alloy film. 5
(Hereinafter, referred to as a GMR element). GM
A pair of left and right vertical bias layers 6 is formed on the lower gap insulating portion 4 using a hard magnetic material such as a CoPt alloy so as to be in contact with the respective side surfaces on both sides of the R element 5. A pair of left and right electrode lead layers 7 made of a material such as Cr or Ta is formed on the GMR element 5 at least in line contact with the GMR element 5. On the upper surface of the GMR element 5 and on the upper surfaces of the pair of left and right electrode lead layers 7, an upper gap insulating portion 8 is formed of the same material as the lower gap insulating portion 4. GMR element 5 via upper gap insulator 8
A common shield layer 9 made of Fe 20 -Ni 80 permalloy is formed so as to face. An extra gap layer 14 is provided on the upper or end portion of the electrode lead layer 7 to ensure sufficient insulation between the electrode lead layer 7 and the shield layer. The read head section 10 of the thin-film magnetic head is formed by the above elements.

【0025】更に、共通シールド層9の上に、Al2O3
AlNあるいはSiO2等の絶縁材料を用いて記録ギャップ
層11が形成され、その上に、記録ギャップ層11を介
して共通シールド層9に対向し、且つ、他の部分で共通
シールド層9に接するように上部コア12が、Fe50-Ni
50高Bsパーマロイを用いて形成されている。図示して
いないが、共通シールド層9に接している部分の上部コ
ア12を周回するように巻線コイルが設けられ、以上の
要素により薄膜磁気ヘッドの記録ヘッド部13が形成さ
れている。
Further, on the common shield layer 9, Al 2 O 3 ,
A recording gap layer 11 is formed by using an insulating material such as AlN or SiO 2 , on which the recording gap layer 11 faces the common shield layer 9 via the recording gap layer 11 and contacts the common shield layer 9 at other portions. The upper core 12 is made of Fe 50 -Ni
It is formed using 50 high Bs permalloy. Although not shown, a winding coil is provided so as to circumnavigate the upper core 12 in a portion in contact with the common shield layer 9, and the above-described elements form a recording head section 13 of the thin-film magnetic head.

【0026】本実施形態の磁気ヘッドの製造方法におい
ては、エキストラギャップ14の更に外側に、下部シー
ルド層3と、磁性層よりイオン化傾向の大きいCu、Al、
Zn、Feから選ばれた少なくとも一種を含む金属膜で構成
された局部電池上部層15を形成し、大面積の局部電池
16を設ける。この局部電池16と共通シールド9との
距離18は、記録または再生トラック幅の10倍以上、
望ましくは100倍以上とって、切断しろ23に設け
る。またABS面から見た突き合わせ幅は、トラック幅
の十倍以上が望ましい。さらに切断しろ23上の局部電
池16は以下の工程で削除される。
In the method of manufacturing the magnetic head of the present embodiment, the lower shield layer 3 and Cu, Al, which have a higher ionization tendency than the magnetic layer, are provided further outside the extra gap 14.
A local battery upper layer 15 made of a metal film containing at least one selected from Zn and Fe is formed, and a large-area local battery 16 is provided. The distance 18 between the local battery 16 and the common shield 9 is at least 10 times the recording or reproducing track width,
Desirably, it is provided in the cutting margin 23 by taking 100 times or more. The butting width viewed from the ABS is desirably ten times or more the track width. Further, the local battery 16 on the cutting margin 23 is deleted in the following steps.

【0027】まず図2(a)に示すようなウエファー2
1より、図2(a)に示すように、数個以上のヘッドチ
ップが連なったバー22と呼ばれる角柱を切り出す。こ
のバー22を光学的幅、電気的抵抗あるいはインダクタ
ンスをモニタしながら、図1(b)に示すABS面29
を加工して、所望のストライプハイトを持つバー25を
得るストライプハイト加工を行う。このストライプハイ
ト加工は、切断、研削、ラップ、研磨、バフ研磨、ミリ
ング、エッチング等の方法を組み合わせて行う。こうし
て得られたバー25の表面に、図2(c)に示すよう
に、DLC、スパッタカーボン等の保護膜で被う保護膜
製造加工24を行った後、切断しろ23を切断して、図
2(d)に示すように、単一のスライダ26を得る。
First, a wafer 2 as shown in FIG.
From FIG. 1, as shown in FIG. 2A, a prism called a bar 22 in which several or more head chips are connected is cut out. While monitoring the optical width, electric resistance or inductance of the bar 22, the ABS 29 shown in FIG.
Is processed to obtain a bar 25 having a desired stripe height. This stripe height processing is performed by combining methods such as cutting, grinding, lapping, polishing, buffing, milling, and etching. As shown in FIG. 2C, the surface of the bar 25 thus obtained is subjected to a protective film manufacturing process 24 for covering with a protective film such as DLC or sputtered carbon, and then the cutting margin 23 is cut. As shown in FIG. 2D, a single slider 26 is obtained.

【0028】この構成により、酸化還元電位差はFe20-N
i80パーマロイとFe50-Ni50高Bsパーマロイよりも、Fe
20-Ni80パーマロイとCu、Al、Zn、Fe金属膜の方が大き
く、まず腐食は局部電池部16で発生し、記録ヘッド部
13や再生ヘッド部10の近傍での腐食の発生を防ぐこ
とができる。本来、このような腐食による不良は磁気ヘ
ッドの生産工程においては極力避けるべきものである
が、使用材料や水、研削液、洗浄液から来る不純物、作
業人員の汗やふけや呼気、大気中の微量ガス等を完全に
除去し、腐食を発生させないことは困難であり、腐食防
止にかけるコストと歩留まり低下によるロスコストの最
適点を求めなければならない。本実施の形態の方法によ
れば、たとえ上記理由による腐食が突発的に発生して
も、磁気記録再生素子の特性には影響を及ぼさないた
め、不良によるロスコストの低減に大きな効果がある。
さらにスライダ26には、局部電池部16がABS面2
9には残らないため、例え局部電池部16で腐食が発生
しても最終特性に影響を及ぼさない。ここでいう最終特
性とは、磁気ヘッドの浮上特性量、摺動特性を示すCS
S(コンタクト・スタート・ストップ)特性、電磁変換
特性等を意味する。
With this configuration, the oxidation-reduction potential difference is Fe 20 -N
i 80 permalloy and Fe 50 -Ni 50 higher Bs permalloy than Fe permalloy
20- Ni 80 permalloy and Cu, Al, Zn, and Fe metal films are larger. Corrosion occurs first in the local battery unit 16 and prevents corrosion near the recording head unit 13 and the reproducing head unit 10. Can be. Originally, such defects due to corrosion should be avoided as much as possible in the production process of magnetic heads.However, impurities coming from materials used, water, grinding fluid, cleaning fluid, sweat, dander and breath of workers, and trace amounts in the atmosphere It is difficult to completely remove the gas and the like so as not to cause corrosion, and it is necessary to find the optimum point of the cost for corrosion prevention and the loss cost due to a decrease in yield. According to the method of the present embodiment, even if the corrosion suddenly occurs for the above-described reason, the characteristics of the magnetic recording / reproducing element are not affected, so that there is a great effect in reducing the loss cost due to the defect.
Furthermore, the local battery section 16 is provided on the slider 26 with the ABS 2
9 does not affect final characteristics even if corrosion occurs in the local battery unit 16. Here, the final characteristics are the CS values indicating the flying characteristics and sliding characteristics of the magnetic head.
Means S (contact start / stop) characteristics, electromagnetic conversion characteristics, and the like.

【0029】特に局部電池上部層15にCu金属膜を用
いる構造は、その後の記録コイルや、スタッド導通部
(素子と外部パッドを結ぶ配線)でCu金属膜を多用す
るため、局部電池上部層を独立に作製する工数が削減で
き、効果的である。従来このようなCu金属膜はスメア等
が発生するため、摺動面に露出することはなかったが、
本発明を用いることにより、スメアが発生した局部電池
部16はその後の切断しろ23を切断する工程で除去さ
れるため、歩留まりを向上する上で有効である。
In particular, in the structure using a Cu metal film for the local battery upper layer 15, since the Cu metal film is frequently used in the subsequent recording coil and the stud conducting portion (wiring connecting the element and the external pad), the local battery upper layer is formed. The number of man-hours for independent production can be reduced, which is effective. Conventionally, such a Cu metal film is not exposed on the sliding surface because of the occurrence of smear or the like,
By using the present invention, the local battery section 16 in which smear has occurred is removed in the subsequent step of cutting the cutting margin 23, which is effective in improving the yield.

【0030】(実施の形態2)図3は、実施の形態2に
おける磁気ヘッドの製造工程における状態をABS面か
ら見た概略斜視図、図4は加工の概略工程を示した斜視
図である。
(Embodiment 2) FIG. 3 is a schematic perspective view showing a state in a manufacturing process of a magnetic head according to Embodiment 2 viewed from the ABS, and FIG. 4 is a perspective view showing a schematic process of processing.

【0031】実施の形態1と同様に、図3(a)に示す
ように、Fe20-Ni80パーマロイからなる下部シールド層
35、共通シールド36、Fe50-Ni50高Bsパーマロイ
からなる上部コア37からなる磁気ヘッド31を構成
し、図3(b)に示すABSトリミング加工される面3
2上に、パーマロイよりイオン化傾向の大きいCu、Al、
Zn、Feの少なくとも一つ以上を含む金属膜で構成された
局部電池上部層30を設け局部電池部33を作製する。
[0031] Similarly to the first embodiment, as shown in FIG. 3 (a), the lower shield layer 35 made of Fe 20 -Ni 80 permalloy, upper core consisting of a common shield 36, Fe 50 -Ni 50 high Bs permalloy The magnetic head 31 is composed of a surface 3 to be subjected to ABS trimming shown in FIG.
On top of that, Cu, Al, which have a higher ionization tendency than Permalloy,
A local battery upper layer 30 made of a metal film containing at least one of Zn and Fe is provided, and a local battery unit 33 is manufactured.

【0032】製造工程としては、まず図4(a)に示す
ウエファー41より、図4(b)に示すように、磁気ヘ
ッド31を形成した数個のヘッドチップが連なったバー
42を切り出す。このバー42に対して、図4(c)に
示す所望のストライプハイトを持つバー43を得るため
のストライプハイト加工44を、実施の形態1と同様に
行う。こうして得られたバー42の表面に、図4(c)
に示すように、DLC、スパッタカーボン、SiO2、Cr等
の保護膜で被う保護膜製造加工45を行った後、図4
(d)に示すように、所望の浮上特性を得るためのAB
S面加工46を行う。このABS面加工46は、機械加
工、ミリング、エッチング等の方法で行い、数回の加工
を重ねて所望の形状、深さを得る。磁気ヘッド31は、
図3(b)に示す最も高い突起やレール部38上に残
り、キャビティ部(削られた部分)32aの通常加工深
さは数十nmから10μmである。この加工はバー状態
あるいはスライダ状態のどちらで行っても良い。またこ
の加工は2段以上になっていても良い。このキャビティ
部32aで削り取られる部分に局部電池部33を作製す
る。この局部電池の奥行き方向の深さは、最終加工でス
ライダに腐食可能部分を残さないため、ABS面加工深
さより浅いことが望ましい。加工精度を考えると望まし
くは0.2μmから5μmである。さらにこのABS面
上に保護膜を設けても良い。またABS面加工46はバ
ーの状態あるいは、スライダに切断した後行ってもどと
らでも良い。
In the manufacturing process, first, as shown in FIG. 4B, a bar 42 formed by connecting several head chips forming the magnetic head 31 is cut from the wafer 41 shown in FIG. 4A. Stripe height processing 44 for obtaining a bar 43 having a desired stripe height shown in FIG. 4C is performed on the bar 42 in the same manner as in the first embodiment. FIG. 4 (c) shows the surface of the bar 42 thus obtained.
As shown in FIG. 4, after performing a protective film manufacturing process 45 for covering with a protective film of DLC, sputtered carbon, SiO 2 , Cr, etc., FIG.
As shown in (d), AB for obtaining desired floating characteristics
The S surface processing 46 is performed. This ABS surface processing 46 is performed by a method such as machining, milling, etching, or the like, and a desired shape and depth are obtained by repeating processing several times. The magnetic head 31
The normal processing depth of the cavity (shaved portion) 32a, which remains on the highest protrusion or the rail portion 38 shown in FIG. 3B, is several tens nm to 10 μm. This processing may be performed in either the bar state or the slider state. This processing may be performed in two or more steps. A local battery unit 33 is formed in a portion that is cut off by the cavity 32a. The depth of the local battery in the depth direction is desirably smaller than the ABS surface processing depth in order not to leave a erodable portion on the slider in the final processing. Considering the processing accuracy, it is desirably from 0.2 μm to 5 μm. Further, a protective film may be provided on the ABS. The ABS surface processing 46 may be performed in a bar state or after cutting the slider.

【0033】このようにして作製されたスライダ39に
は、局部電池部33は残らないため、例え局部電池部3
3で腐食が発生しても最終特性に影響を及ぼさない。
Since the local battery section 33 does not remain in the slider 39 manufactured in this manner, for example, the local battery section 3
Even if corrosion occurs in 3, the final characteristics are not affected.

【0034】(実施の形態3)図5〜図9は、本発明の
実施の形態3における磁気ヘッドの製造工程を説明する
ためのABS面から見た概略正面図である。本実施の形
態の説明では、局部電池を形成する種々の形態について
例示する。なお、各図において、要部のみ符号を付けて
説明するが、他の部分は図1に示した構造と同様である
ため、符号を付すことなく、説明も省略する。
(Embodiment 3) FIGS. 5 to 9 are schematic front views, viewed from the ABS, for explaining a manufacturing process of a magnetic head according to Embodiment 3 of the present invention. In the description of the present embodiment, various modes for forming a local battery will be exemplified. In each of the drawings, only the essential parts will be described with reference numerals, but the other parts are the same as those shown in FIG.

【0035】実施の形態1及び2では、下部シールド層
3、35が延長されて局部電池16,33を構成する例
を示した。一方本実施の形態では、図5に示すように、
下部シールド層51と局部電池下部層52が摺動面で分
離され、パーマロイよりイオン化傾向の大きいCu、Al、
Zn、Feの少なくとも一つ以上を含む金属膜で構成された
局部電池上部層53との間で局部電池54を形成する。
局部電池では表層の導電性液体を通じて電流が流れるた
め、共通シールド51と局部電池上部層52の導通は取
れていても絶縁されていてもどちらでも良い。この局部
電池部54は、実施の形態1及び2に示したように、切
断しろまたはABS加工しろ55に設けられるので、例
え腐食が発生しても、最終特性に影響はない。
In the first and second embodiments, the examples in which the lower shield layers 3 and 35 are extended to form the local batteries 16 and 33 have been described. On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG.
The lower shield layer 51 and the local battery lower layer 52 are separated by a sliding surface, and Cu, Al, which have a greater ionization tendency than Permalloy,
A local battery 54 is formed between the local battery 54 and a local battery upper layer 53 formed of a metal film containing at least one of Zn and Fe.
In the local battery, since current flows through the surface conductive liquid, the common shield 51 and the local battery upper layer 52 may be either conductive or insulated. As shown in the first and second embodiments, the local battery unit 54 is provided in the cutting margin or the ABS processing margin 55, so that even if corrosion occurs, the final characteristics are not affected.

【0036】さらに図6に示すように、共通シールド6
3上ににパーマロイよりイオン化傾向の大きいZn、Feの
少なくとも一つ以上を含む金属膜で構成された局部電池
上部層66を接合した局部電池部67を設けても良い。
この局部電池部67も、実施の形態1、2に示したよう
に切断しろまたはABS加工しろ68に設けられるの
で、例え腐食が発生しても、最終特性に影響はない。
Further, as shown in FIG.
A local battery unit 67 formed by bonding a local battery upper layer 66 made of a metal film containing at least one of Zn and Fe having a higher ionization tendency than that of permalloy may be provided on 3.
The local battery section 67 is also provided in the cutting margin or the ABS processing margin 68 as described in the first and second embodiments, so that even if corrosion occurs, the final characteristics are not affected.

【0037】さらに、図7に示すように、共通シールド
71と局部電池下部層72が摺動面で分離されて、パー
マロイよりイオン化傾向の大きいCu、Al、Zn、Feの少な
くとも一つ以上を含む金属膜で構成された局部電池上部
層73と接合され、局部電池74を構成していても良
い。局部電池74は表層の導電性液体を通じて電流が流
れるため、共通シールド71と局部電池上部層72の導
通、は取れていても絶縁されていてもどちらでも良い。
この局部電池部73も、実施の形態1、2に示したよう
に切断しろまたはABS加工しろ75に設けられるの
で、例え腐食が発生しても、最終特性に影響はない。
Further, as shown in FIG. 7, the common shield 71 and the local battery lower layer 72 are separated by a sliding surface and include at least one of Cu, Al, Zn, and Fe which has a higher ionization tendency than permalloy. The local battery 74 may be formed by being joined to the local battery upper layer 73 made of a metal film. Since current flows through the surface layer of the conductive liquid in the local battery 74, the conduction between the common shield 71 and the local battery upper layer 72 may be either released or insulated.
Since the local battery unit 73 is also provided in the cutting margin or the ABS machining margin 75 as described in the first and second embodiments, even if corrosion occurs, the final characteristics are not affected.

【0038】さらに、図8に示すように、上部コア81
の外側に上部コアと同じ材質で作られた局部電池下部層
82を設け、この上にパーマロイよりイオン化傾向の大
きいCu、Al、Zn、Feの少なくとも一つ以上を含む金属膜
で構成された局部電池上部層83を接合し局部電池84
を構成しても良い。この局部電池部84は、実施の形態
1、2に示したように切断しろまたはABS加工しろ8
5に設けられるので、例え腐食が発生しても、最終特性
に影響はない。
Further, as shown in FIG.
A local battery lower layer 82 made of the same material as the upper core is provided on the outside of the base, and a local layer formed of a metal film containing at least one of Cu, Al, Zn, and Fe having a higher ionization tendency than permalloy is provided thereon. The battery upper layer 83 is joined to form a local battery 84.
May be configured. The local battery section 84 is cut or ABS processed as described in the first and second embodiments.
5, the final characteristics are not affected even if corrosion occurs.

【0039】また、図9に示すように、記録ヘッドの飽
和を防ぐため、共通シールド層91、上部コア92をそ
れぞれ2層化し、共通シールド層上部93、上部コア下
部94を高飽和磁束密度の磁性層で作製することが知ら
れている。この場合共通シールド層下部96や上部コア
上部95は磁歪の小さいFe20-Ni80パーマロイで作製
し、共通シールド層上部93、上部コア下部94をFe50
-Ni50パーマロイやFeN、Fe系グラニュラー膜等の鉄系微
結晶膜などの高飽和磁束密度で作製することが望まし
い。この磁気素子部の外側のスライダ切断しろまたはA
BS加工面上に、Cu記録コイル層と同一工程で作製し
たCu金属膜で構成された局部電池下部層98、上部コア
下部94と同じ材料を用いた局部電池上部層97で構成
された局部電池99を設けても良い。この局部電池部9
9は、実施の形態1、2と同様に切断しろまたはABS
加工しろ90に設けられるので、例え腐食が発生して
も、最終特性に影響はない。
As shown in FIG. 9, in order to prevent saturation of the recording head, the common shield layer 91 and the upper core 92 are each made into two layers, and the common shield layer upper part 93 and the upper core lower part 94 are provided with a high saturation magnetic flux density. It is known to make with a magnetic layer. In this case, the common shield layer lower part 96 and the upper core upper part 95 are made of Fe 20 -Ni 80 permalloy having small magnetostriction, and the common shield layer upper part 93 and the upper core lower part 94 are made of Fe 50.
-Ni 50 Permalloy or FeN, it is desirable to produce a high saturation magnetic flux density such as iron-based microcrystalline film such as Fe-based granular film. A slider cutting margin or A outside the magnetic element portion
A local battery lower layer 98 made of a Cu metal film formed in the same process as the Cu recording coil layer and a local battery upper layer 97 made of the same material as the upper core lower portion 94 on the BS processed surface. 99 may be provided. This local battery unit 9
9 is the same as in the first and second embodiments,
Since it is provided in the working margin 90, even if corrosion occurs, it does not affect the final characteristics.

【0040】以上の説明では、主にFe20-Ni80パーマロ
イからなる磁性層を用いた構成について述べたが、他の
CoZrCr、CoTaZr、CoTaHf等のCo系アモルファス合金、セ
ンダスト系磁性膜、Fe20-Ni80、Fe50-Ni50等のパーマロ
イ磁性膜、FeN、Fe系グラニュラー膜等のFe微粒子系磁
性膜等の、任意の酸化還元電位が異なる磁性金属の組み
合わせでも、同様な効果が得られることは言うまでもな
い。
In the above description, the configuration using the magnetic layer mainly made of Fe 20 -Ni 80 permalloy has been described.
Co-based amorphous alloys such as CoZrCr, CoTaZr, and CoTaHf; sendust-based magnetic films; permalloy magnetic films such as Fe 20 -Ni 80 and Fe 50 -Ni 50 ; It goes without saying that the same effect can be obtained even with any combination of magnetic metals having different oxidation-reduction potentials.

【0041】実施の形態1〜3に示した方法により、飽
和磁束密度が高いが耐食性に問題のある磁性金属膜、例
えば純鉄や鉄窒素合金等を用いて磁気ヘッドを安定して
生産することができ、高い記録特性すなわち高い記録密
度を有する磁気記録装置を作製することが可能になる。
According to the method described in the first to third embodiments, it is possible to stably produce a magnetic head using a magnetic metal film having a high saturation magnetic flux density but having a problem in corrosion resistance, for example, pure iron or iron-nitrogen alloy. This makes it possible to manufacture a magnetic recording device having high recording characteristics, that is, high recording density.

【0042】以上の説明では、シールド型薄膜磁気ヘッ
ドについて述べたが、ヨーク型、バルク型磁気ヘッド、
単磁極型磁気ヘッドについても、本発明が効果的である
ことは言うまでもない。また、GMR型再生ヘッドを例
示したが、AMR型再生ヘッド、TMR型再生ヘッド、
誘導型再生ヘッドについても本発明が効果的であること
は言うまでもない。
In the above description, the shield type thin film magnetic head has been described, but the yoke type, bulk type magnetic head,
It goes without saying that the present invention is also effective for a single pole type magnetic head. Also, the GMR type reproducing head has been illustrated, but the AMR type reproducing head, the TMR type reproducing head,
It goes without saying that the present invention is also effective for an inductive reproducing head.

【0043】[0043]

【発明の効果】本発明によれば、薄膜磁気ヘッド素子を
構成する下部シールド層、共通シールド層あるいは上部
磁極の夫々の形成と同じプロセスにおいて、薄膜磁気ヘ
ッド素子とは異なる位置に局部電池を設け、再生素子の
ストライプハイトを形成後、金属磁性膜を保護膜で保護
し、腐食した可能性のある局部電池部を取り除くことに
より、薄膜磁気ヘッドの安定した生産、歩留まりの向上
等、優れた薄膜磁気ヘッドを作製することができる。
According to the present invention, a local battery is provided at a position different from the thin-film magnetic head element in the same process as the formation of the lower shield layer, the common shield layer, and the upper magnetic pole constituting the thin-film magnetic head element. After the stripe height of the read element is formed, the metal magnetic film is protected with a protective film, and the local battery part that may have been corroded is removed, thereby achieving stable production of thin film magnetic heads and improving yield, etc. A magnetic head can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の形態1における薄膜磁気ヘッ
ド要部の概略正面図
FIG. 1 is a schematic front view of a main part of a thin-film magnetic head according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施の形態1における薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を示す斜視図
FIG. 2 is a perspective view showing a manufacturing process of the thin-film magnetic head according to the first embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の実施の形態2の製造工程における薄
膜磁気ヘッドの状態を示す概略図
FIG. 3 is a schematic diagram showing a state of a thin-film magnetic head in a manufacturing process according to a second embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の実施の形態2における薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を示す斜視図
FIG. 4 is a perspective view showing a manufacturing process of the thin-film magnetic head according to the second embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の実施の形態3における薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を示す正面概略図
FIG. 5 is a schematic front view showing a method for manufacturing a thin-film magnetic head according to Embodiment 3 of the present invention.

【図6】 実施の形態3における薄膜磁気ヘッドの製造
方法の他の例を示す概略正面図
FIG. 6 is a schematic front view showing another example of the method of manufacturing the thin-film magnetic head according to the third embodiment.

【図7】 実施の形態3における薄膜磁気ヘッドの製造
方法の他の例を示す概略正面図
FIG. 7 is a schematic front view showing another example of the method of manufacturing the thin-film magnetic head according to the third embodiment.

【図8】 実施の形態3における薄膜磁気ヘッドの製造
方法の他の例を示す概略正面図
FIG. 8 is a schematic front view showing another example of the method of manufacturing the thin-film magnetic head according to the third embodiment.

【図9】 実施の形態3における薄膜磁気ヘッドの製造
方法の他の例を示す概略正面図
FIG. 9 is a schematic front view showing another example of the method of manufacturing the thin-film magnetic head according to the third embodiment.

【図10】 従来の薄膜磁気ヘッド素子を示す概略斜視
FIG. 10 is a schematic perspective view showing a conventional thin-film magnetic head element.

【図11】 従来の薄膜磁気ヘッド素子を示す概略正面
FIG. 11 is a schematic front view showing a conventional thin film magnetic head element.

【図12】 従来の薄膜磁気ヘッド素子の製造方法を示
す概略正面図
FIG. 12 is a schematic front view showing a method for manufacturing a conventional thin-film magnetic head element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 絶縁層 3、35、161、51、61、91、101 下部シ
ールド層 4、102 下部ギャップ絶縁部 5、103 磁気抵抗効果素子(MR素子、GMR素
子) 6、104 縦バイアス層 7、105 電極リード層 8、106 上部ギャップ絶縁部 9、36、63、71、92、107 共通シールド層 10、62、100 再生ヘッド部 11、64、111 記録ギャップ層 12、37、65、81、112 上部コア 13、110 記録ヘッド部 14 エキストラギャップ 15、53、66、73、83、97 局部電池上部層 16、33、54、67、74、84、99 局部電池
部 17、31 磁気ヘッド要部 20 切断しろ 21、41 ウエファー 22、25、42、43、121 バー 23、44 ストライプハイト加工 24、45 保護膜製造加工 26、39 スライダ 29、123 ABS面 32 ABSトリミング加工される面 38 スライダレール 46 ABS面加工 52、72、82、98 局部電池下部層 55、68、75、85、90 切断しろ又はABS加
工しろ 93 共通シールド上部層 94 上部コア下部層 95 上部コア上部層 96 共通シールド下部層 113 記録コイル 114 記録幅 122 保護膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Insulating layer 3, 35, 161, 51, 61, 91, 101 Lower shield layer 4, 102 Lower gap insulating part 5, 103 Magnetoresistance effect element (MR element, GMR element) 6, 104 Vertical bias layer 7, 105 electrode lead layer 8, 106 upper gap insulating part 9, 36, 63, 71, 92, 107 common shield layer 10, 62, 100 reproducing head part 11, 64, 111 recording gap layer 12, 37, 65, 81, 112 Upper core 13, 110 Recording head section 14 Extra gap 15, 53, 66, 73, 83, 97 Local battery upper layer 16, 33, 54, 67, 74, 84, 99 Local battery section 17, 31 Magnetic head main part 20 Cutting margin 21, 41 Wafer 22, 25, 42, 43, 121 Bar 23, 44 Stripe height processing 24, 5 Protective film manufacturing process 26, 39 Slider 29, 123 ABS surface 32 Surface to be ABS trimmed 38 Slider rail 46 ABS surface process 52, 72, 82, 98 Local battery lower layer 55, 68, 75, 85, 90 Cut off Or ABS processing 93 Common shield upper layer 94 Upper core lower layer 95 Upper core upper layer 96 Common shield lower layer 113 Recording coil 114 Recording width 122 Protective film

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 磁気記録媒体に対するヘッド摺動面内
に、酸化還元電位の異なる2層以上の磁性金属膜を有す
る薄膜磁気ヘッドを製造する方法において、ラップ加工
を行う工程の前に、スライダ切断しろに前記磁性金属膜
の少なくとも一つと前記磁性金属膜よりイオン化傾向の
大きい薄膜とを用いて局部電池を構成することを特徴と
する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
In a method of manufacturing a thin film magnetic head having two or more magnetic metal films having different oxidation-reduction potentials on a head sliding surface with respect to a magnetic recording medium, a slider cutting is performed before a lapping process. A method of manufacturing a thin film magnetic head, comprising forming a local battery using at least one of the magnetic metal films and a thin film having a higher ionization tendency than the magnetic metal film.
【請求項2】 所望のストライプハイトを得るラップ加
工を終えた後、前記摺動面に保護膜を作製し、前記スラ
イダ切断しろを切断するすることを特徴とする請求項1
に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
2. A lapping process for obtaining a desired stripe height is completed, a protective film is formed on the sliding surface, and the slider cutting margin is cut.
3. The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to item 1.
【請求項3】 磁気記録媒体に対するヘッド摺動面内
に、酸化還元電位の異なる2層以上の磁性金属膜を有す
る薄膜磁気ヘッドを製造する方法において、ラップ加工
を行う工程の前に、ABS面加工の際に磁気記録素子よ
り深く加工される部分に、前記磁性金属膜の少なくとも
一つと前記磁性金属膜よりイオン化傾向の大きい薄膜を
用いて局部電池を構成することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
3. A method of manufacturing a thin-film magnetic head having two or more magnetic metal films having different oxidation-reduction potentials in a head sliding surface with respect to a magnetic recording medium, wherein an ABS surface is formed before a lapping process. A thin-film magnetic head is characterized in that a local battery is formed by using at least one of the magnetic metal films and a thin film having a higher ionization tendency than the magnetic metal film in a portion to be processed deeper than the magnetic recording element during processing. Production method.
【請求項4】 所望のストライプハイトを得る面ラップ
加工等を終えた後、前記摺動面に保護膜を作製し、さら
にABS面形状作製加工を行い前記局部電池部分の表層
を取り除くことを特徴とする請求項3に記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
4. After finishing a surface lapping process or the like for obtaining a desired stripe height, a protective film is formed on the sliding surface, and an ABS surface shape forming process is performed to remove a surface layer of the local battery portion. The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 3.
【請求項5】 磁性金属膜よりイオン化傾向の大きい薄
膜がCu金属膜であることを特徴とする請求項1または3
に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
5. A thin film having a higher ionization tendency than a magnetic metal film is a Cu metal film.
3. The method for manufacturing a thin-film magnetic head according to item 1.
【請求項6】 磁性金属膜よりイオン化傾向の大きい薄
膜がAl、Zn、及びFeから選ばれた少なくとも一つを含む
金属膜であることを特徴とする請求項1または3に記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
6. The thin-film magnetic head according to claim 1, wherein the thin film having a higher ionization tendency than the magnetic metal film is a metal film containing at least one selected from Al, Zn, and Fe. Manufacturing method.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7656620B2 (en) 2005-12-06 2010-02-02 Tdk Corporation Magnetic head device provided with lead electrode electrically connected to magnetic shield layer
US7898846B2 (en) 2005-06-23 2011-03-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive element

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7898846B2 (en) 2005-06-23 2011-03-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive element
US8143684B2 (en) 2005-06-23 2012-03-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive element
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