JP2001326552A - 弾性表面波変換器 - Google Patents
弾性表面波変換器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 挿入損失の少ないトランスバーサル弾性表面
波フィルタを構成するため、一方向性基本区間ＩＤＴ電
極と励振中心位置の揃えた反射を有しない基本区間ＩＤ
Ｔ電極を得る。 【解決手段】 ４本の電極指からなる電極指対を基本区
間とした弾性表面波変換器であって、前記４本の電極指
を配列順にそれぞれ第１、第２、第３及び第４とすると
き、該第１乃至第４の電極指幅をそれぞれ０．１２１
λ、０．０６３λ、０．１１７λ及び０．１８７λと
し、前記第１及び第２の電極指の電極指間間隙を０．１
４４λ、前記第２及び第３の電極指の電極指間間隙を
０．２１３λ、前記第３及び第４の電極指の電極指間間
隙を０．０７８λ、前記第４及び隣接する基本区間の第
１’の電極指の電極指間間隙を０．０７７λとした弾性
表面波変換器。
波フィルタを構成するため、一方向性基本区間ＩＤＴ電
極と励振中心位置の揃えた反射を有しない基本区間ＩＤ
Ｔ電極を得る。 【解決手段】 ４本の電極指からなる電極指対を基本区
間とした弾性表面波変換器であって、前記４本の電極指
を配列順にそれぞれ第１、第２、第３及び第４とすると
き、該第１乃至第４の電極指幅をそれぞれ０．１２１
λ、０．０６３λ、０．１１７λ及び０．１８７λと
し、前記第１及び第２の電極指の電極指間間隙を０．１
４４λ、前記第２及び第３の電極指の電極指間間隙を
０．２１３λ、前記第３及び第４の電極指の電極指間間
隙を０．０７８λ、前記第４及び隣接する基本区間の第
１’の電極指の電極指間間隙を０．０７７λとした弾性
表面波変換器。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波（ＳＡ
Ｗ）変換器に関し、特に励振強度がＩＤＴ電極内で全て
同じトランスバーサル表面波フィルタを構成する際に、
一方向性変換器の基本区間（複数の電極指で電極周期λ
を形成する際の最小ＩＤＴ電極単位）と組み合わせて用
いられると共に、励振中心位置を一方向性変換器のそれ
と同じくした双方向性変換器に関する。
Ｗ）変換器に関し、特に励振強度がＩＤＴ電極内で全て
同じトランスバーサル表面波フィルタを構成する際に、
一方向性変換器の基本区間（複数の電極指で電極周期λ
を形成する際の最小ＩＤＴ電極単位）と組み合わせて用
いられると共に、励振中心位置を一方向性変換器のそれ
と同じくした双方向性変換器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＶＨＦからＵＨＦ帯の周波数
における広帯域弾性表面波フィルタとして、トランスバ
ーサルＳＡＷフィルタが広く用いられている。トランス
バーサルＳＡＷフィルタに用いられる一般的なＩＤＴ電
極は、該電極に直交する方向に、双方向に表面波を励起
するために、トランスバーサルＳＡＷフィルタの挿入損
失は、本質的に大きくなるという欠点を有していた。こ
れを改善するため、種々のＩＤＴ電極が開発され、実用
に供されてきたが、構造が簡単な内部反射型一方向性Ｉ
ＤＴ電極（以下、一方向性ＩＤＴ電極と称す）が提案さ
れたことにより、低損失なトランスバーサルＳＡＷフィ
ルタが実現されるようになった。
における広帯域弾性表面波フィルタとして、トランスバ
ーサルＳＡＷフィルタが広く用いられている。トランス
バーサルＳＡＷフィルタに用いられる一般的なＩＤＴ電
極は、該電極に直交する方向に、双方向に表面波を励起
するために、トランスバーサルＳＡＷフィルタの挿入損
失は、本質的に大きくなるという欠点を有していた。こ
れを改善するため、種々のＩＤＴ電極が開発され、実用
に供されてきたが、構造が簡単な内部反射型一方向性Ｉ
ＤＴ電極（以下、一方向性ＩＤＴ電極と称す）が提案さ
れたことにより、低損失なトランスバーサルＳＡＷフィ
ルタが実現されるようになった。
【０００３】例えば、特開平１１−０３１９３７には図
４に示すような反射効率のよい一方向性ＩＤＴ電極（基
本区間ＩＤＴ電極）が開示されている。即ち、圧電基板
上（図示しない）に斜線で示す３本の電極指１、２、３
からなる電極指対を基本区間とするＩＤＴ電極である。
ここで基本区間とは、励振される表面波の波長λを単位
長とする区間のことを言う。同図から明らかなようにこ
の内部反射型ＩＤＴ電極は、前記３本の電極指を図中左
側から配列順に第１の電極指１、第２の電極指２及び第
３の電極指３とするとき、これらの電極指幅Ｗ１、Ｗ２
及びＷ３をそれぞれ、0.262λ、0.117λ及び0.117λと
すると共に、第１の電極指１と第２の電極指２との電極
指間間隙をｇ１、第２の電極指２と第３の電極指３との
電極指間間隙をｇ２、及び第３の電極指３と次の基本区
間の第１の電極指１との電極指間間隙をｇ３とすると
き、これらの間隙ｇ１、ｇ２及びｇ３をそれぞれ0.213
λ、0.078λ及び0.218λとして構成したものである。
４に示すような反射効率のよい一方向性ＩＤＴ電極（基
本区間ＩＤＴ電極）が開示されている。即ち、圧電基板
上（図示しない）に斜線で示す３本の電極指１、２、３
からなる電極指対を基本区間とするＩＤＴ電極である。
ここで基本区間とは、励振される表面波の波長λを単位
長とする区間のことを言う。同図から明らかなようにこ
の内部反射型ＩＤＴ電極は、前記３本の電極指を図中左
側から配列順に第１の電極指１、第２の電極指２及び第
３の電極指３とするとき、これらの電極指幅Ｗ１、Ｗ２
及びＷ３をそれぞれ、0.262λ、0.117λ及び0.117λと
すると共に、第１の電極指１と第２の電極指２との電極
指間間隙をｇ１、第２の電極指２と第３の電極指３との
電極指間間隙をｇ２、及び第３の電極指３と次の基本区
間の第１の電極指１との電極指間間隙をｇ３とすると
き、これらの間隙ｇ１、ｇ２及びｇ３をそれぞれ0.213
λ、0.078λ及び0.218λとして構成したものである。
【０００４】ここで、図４に示す基本区間ＩＤＴ電極に
おける反射特性を解析するにあたり、特開平１１−０３
１９３７にて開示された手法、即ち、電極指部（Metali
ze）とスペース部(Free)とを分布定数等価回路にて表す
と共に、その境界部を直列のインピーダンスｊＸと並列
のサセプタンスｊＢとを用いて表す新しい等価回路を使
って解析している。図４に示すように電極指１、２、３
の各エッジをそれぞれａ〜ｆとするとき、各エッジにお
ける音響反射ベクトルが図６に示すように表すことがで
きる。これらの音響反射ベクトルを合成したものが総合
的な音響反射ベクトルβとなり、図中右方への一方向性
を有することになる。従って、図４に示す一方向性ＩＤ
Ｔ電極は、これを励振用に用いると図中右方へ向かって
表面波を強勢に励起し、受信用として用いる場合には図
中右方から到来する表面波を効率よく受信するように作
用する。
おける反射特性を解析するにあたり、特開平１１−０３
１９３７にて開示された手法、即ち、電極指部（Metali
ze）とスペース部(Free)とを分布定数等価回路にて表す
と共に、その境界部を直列のインピーダンスｊＸと並列
のサセプタンスｊＢとを用いて表す新しい等価回路を使
って解析している。図４に示すように電極指１、２、３
の各エッジをそれぞれａ〜ｆとするとき、各エッジにお
ける音響反射ベクトルが図６に示すように表すことがで
きる。これらの音響反射ベクトルを合成したものが総合
的な音響反射ベクトルβとなり、図中右方への一方向性
を有することになる。従って、図４に示す一方向性ＩＤ
Ｔ電極は、これを励振用に用いると図中右方へ向かって
表面波を強勢に励起し、受信用として用いる場合には図
中右方から到来する表面波を効率よく受信するように作
用する。
【０００５】ここで、図４に示した反射中心と励振中心
について簡単に説明する。基本区間ＩＤＴ電極の反射中
心とは、基本区間の任意に位置において前記ａ〜ｆから
の反射ベクトルを合成した場合、その合成ベクトルの位
相が−π／２となる位置をいう。また、励振中心とは、
電極指２に正、電極指１、３に負の電圧を印加したとき
に、各電極指間に生じる電界をフーリエ展開したとき、
その最低次成分として求まる正弦波の最大値をいう。該
励振中心は図４に示すよう、基本区間の物理的中心とは
ずれることがある。
について簡単に説明する。基本区間ＩＤＴ電極の反射中
心とは、基本区間の任意に位置において前記ａ〜ｆから
の反射ベクトルを合成した場合、その合成ベクトルの位
相が−π／２となる位置をいう。また、励振中心とは、
電極指２に正、電極指１、３に負の電圧を印加したとき
に、各電極指間に生じる電界をフーリエ展開したとき、
その最低次成分として求まる正弦波の最大値をいう。該
励振中心は図４に示すよう、基本区間の物理的中心とは
ずれることがある。
【０００６】図７は励振作用は有するが反射作用は有し
ない基本区間ＩＤＴ電極の構成を示す平面図である。同
図から明らかなように、基本区間ＩＤＴ電極は４本の電
極指１、２、３及び４から構成され、電極指幅及びスペ
ース幅とも同一のλ／８で形成されている。図７に示す
ように各電極指１、２、３及び４のエッジをそれぞれ
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ及びｈとするとき、各エッ
ジにおける反射ベクトルを求めると図８に示すようにな
る。反射ベクトルａ、ｅはｃ、ｇと、反射ベクトルｂ、
ｆはｄ、ｈと打ち消しあって、合成ベクトルは零とな
り、反射機能を有しない。また、励振中心を求めてみる
と、該励振中心は図７に示すように電極指３の中央に位
置することとなり、基本区間の物理的中心とはかなりず
れている。
ない基本区間ＩＤＴ電極の構成を示す平面図である。同
図から明らかなように、基本区間ＩＤＴ電極は４本の電
極指１、２、３及び４から構成され、電極指幅及びスペ
ース幅とも同一のλ／８で形成されている。図７に示す
ように各電極指１、２、３及び４のエッジをそれぞれ
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ及びｈとするとき、各エッ
ジにおける反射ベクトルを求めると図８に示すようにな
る。反射ベクトルａ、ｅはｃ、ｇと、反射ベクトルｂ、
ｆはｄ、ｈと打ち消しあって、合成ベクトルは零とな
り、反射機能を有しない。また、励振中心を求めてみる
と、該励振中心は図７に示すように電極指３の中央に位
置することとなり、基本区間の物理的中心とはかなりず
れている。
【０００７】図９（ａ）は、図４に示した反射機能を有
する基本区間ＩＤＴ電極Ａ（以下、基本区間Ａと称す）
と、図７に示した反射機能を有しない基本区間ＩＤＴ電
極Ｂ（以下、基本区間Ｂと称す）とを接続して形成した
トランスバーサルＳＡＷフィルタ用ＩＤＴ電極の一区間
を示した平面図である。ただ、単に接続しただけでは、
励振中心間隔が所望とする周波数（波長λ）に合わない
ため、図９（ｂ）に示すように基本区間を調整して、励
振中心間隔をλに合わせる。このように、反射機能を有
する基本区間ＩＤＴ電極Ａと、反射機能を有しない基本
区間ＩＤＴ電極Ｂとを適当に組み合わせることにより、
ＩＤＴ電極Ａのみを用いてＩＤＴ電極を構成したときよ
りも、フィルタの通過帯域が平坦化する等の効果をもた
らすことは周知のとおりである。
する基本区間ＩＤＴ電極Ａ（以下、基本区間Ａと称す）
と、図７に示した反射機能を有しない基本区間ＩＤＴ電
極Ｂ（以下、基本区間Ｂと称す）とを接続して形成した
トランスバーサルＳＡＷフィルタ用ＩＤＴ電極の一区間
を示した平面図である。ただ、単に接続しただけでは、
励振中心間隔が所望とする周波数（波長λ）に合わない
ため、図９（ｂ）に示すように基本区間を調整して、励
振中心間隔をλに合わせる。このように、反射機能を有
する基本区間ＩＤＴ電極Ａと、反射機能を有しない基本
区間ＩＤＴ電極Ｂとを適当に組み合わせることにより、
ＩＤＴ電極Ａのみを用いてＩＤＴ電極を構成したときよ
りも、フィルタの通過帯域が平坦化する等の効果をもた
らすことは周知のとおりである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９
（ｂ）に示すように、図４に示した反射機能を有する基
本区間Ａと、図７に示した反射機能を有しない基本区間
Ｂとを接続してＩＤＴ電極を形成すると、基本区間Ａに
比べてＢの励振強度が小さいことから、一様な励振強度
分布をしないことになる。そこで、それぞれのＩＤＴ電
極における励振強度を一様にすべく、基本区間Ｂの交差
幅に重み付けを施すと、交差幅の短い電極指からの回折
が大きくなり、トランスバーサルＳＡＷフィルタに用い
た場合に、阻止域の減衰量が劣化するという問題があっ
た。本発明は上記問題を解決するためになされたもので
あって、反射機能を有しない基本区間ＩＤＴ電極と、反
射機能を有する基本区間ＩＤＴ電極とを組み合わせたＩ
ＤＴ電極の励振強度分布を一様とすることを目的とす
る。
（ｂ）に示すように、図４に示した反射機能を有する基
本区間Ａと、図７に示した反射機能を有しない基本区間
Ｂとを接続してＩＤＴ電極を形成すると、基本区間Ａに
比べてＢの励振強度が小さいことから、一様な励振強度
分布をしないことになる。そこで、それぞれのＩＤＴ電
極における励振強度を一様にすべく、基本区間Ｂの交差
幅に重み付けを施すと、交差幅の短い電極指からの回折
が大きくなり、トランスバーサルＳＡＷフィルタに用い
た場合に、阻止域の減衰量が劣化するという問題があっ
た。本発明は上記問題を解決するためになされたもので
あって、反射機能を有しない基本区間ＩＤＴ電極と、反
射機能を有する基本区間ＩＤＴ電極とを組み合わせたＩ
ＤＴ電極の励振強度分布を一様とすることを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る弾性表面波変換器の請求項１記載の発明
は、励振される表面波の波長λを単位長とする基本区間
ＩＤＴ電極を複数個圧電基板上に配置して構成した弾性
表面波変換器において、前記基本区間ＩＤＴ電極の少な
くとも一つは４本の電極指を備えており、前記４本の電
極指を配列順にそれぞれ第１、第２、第３及び第４とす
るとき、該第１乃至第４の電極指幅をそれぞれ０．１２
１λ、０．０６３λ、０．１１７λ及び０．１８７λと
し、前記第１及び第２の電極指の電極指間間隙を０．１
４４λ、前記第２及び第３の電極指の電極指間間隙を
０．２１３λ、前記第３及び第４の電極指の電極指間間
隙を０．０７８λとしたものであることを特徴とする弾
性表面波変換器である。請求項２記載の発明は、前記圧
電基板がＸ−１１２゜Ｙ ＬｉＴａＯ3基板であること
を特徴とする請求項１記載の弾性表面波変換器である。
に本発明に係る弾性表面波変換器の請求項１記載の発明
は、励振される表面波の波長λを単位長とする基本区間
ＩＤＴ電極を複数個圧電基板上に配置して構成した弾性
表面波変換器において、前記基本区間ＩＤＴ電極の少な
くとも一つは４本の電極指を備えており、前記４本の電
極指を配列順にそれぞれ第１、第２、第３及び第４とす
るとき、該第１乃至第４の電極指幅をそれぞれ０．１２
１λ、０．０６３λ、０．１１７λ及び０．１８７λと
し、前記第１及び第２の電極指の電極指間間隙を０．１
４４λ、前記第２及び第３の電極指の電極指間間隙を
０．２１３λ、前記第３及び第４の電極指の電極指間間
隙を０．０７８λとしたものであることを特徴とする弾
性表面波変換器である。請求項２記載の発明は、前記圧
電基板がＸ−１１２゜Ｙ ＬｉＴａＯ3基板であること
を特徴とする請求項１記載の弾性表面波変換器である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るＩ
ＤＴ電極の一実施例を示す平面図であって、圧電基板上
（図示しない）に斜線で示す４本の電極指１、２、３、
４を備えた基本区間ＩＤＴ電極である。ここで、前記４
本の電極指を図中左側から配列順に第１の電極指１、第
２の電極指２、第３の電極指３及び第４の電極指４とす
る。そして、前記第１の電極指１の電極指幅Ｗ１を０．
１２１λ、第２の電極指２の電極指幅Ｗ２を０．０６３
λ、第３の電極指３の電極指幅Ｗ３を０．１１７λ及び
第４の電極指４の電極指幅Ｗ４を０．１８７λとすると
共に、第１の電極指１と第２の電極指２との電極指間の
間隙ｇ１を０．１４４λ、第２の電極指２と第３の電極
指３との電極指間の間隙ｇ２を０．２１３λ、第３の電
極指３と第４の電極指４との電極指間の間隙ｇ３を０．
０７８λ及び第４の電極指４と次に隣接する基本区間Ｉ
ＤＴ電極の第１’の電極指１’との電極指間の間隙ｇ４
を０．０７７λとして構成したものである。尚、このと
きの圧電基板にはＸ−１１２゜Ｙ LiTaO3を用い、電極
の材質はアルミニウム合金であり、電極膜厚ｈはｈ＝
３．０％λと設定した。
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るＩ
ＤＴ電極の一実施例を示す平面図であって、圧電基板上
（図示しない）に斜線で示す４本の電極指１、２、３、
４を備えた基本区間ＩＤＴ電極である。ここで、前記４
本の電極指を図中左側から配列順に第１の電極指１、第
２の電極指２、第３の電極指３及び第４の電極指４とす
る。そして、前記第１の電極指１の電極指幅Ｗ１を０．
１２１λ、第２の電極指２の電極指幅Ｗ２を０．０６３
λ、第３の電極指３の電極指幅Ｗ３を０．１１７λ及び
第４の電極指４の電極指幅Ｗ４を０．１８７λとすると
共に、第１の電極指１と第２の電極指２との電極指間の
間隙ｇ１を０．１４４λ、第２の電極指２と第３の電極
指３との電極指間の間隙ｇ２を０．２１３λ、第３の電
極指３と第４の電極指４との電極指間の間隙ｇ３を０．
０７８λ及び第４の電極指４と次に隣接する基本区間Ｉ
ＤＴ電極の第１’の電極指１’との電極指間の間隙ｇ４
を０．０７７λとして構成したものである。尚、このと
きの圧電基板にはＸ−１１２゜Ｙ LiTaO3を用い、電極
の材質はアルミニウム合金であり、電極膜厚ｈはｈ＝
３．０％λと設定した。
【００１１】ここで、図１に示す基本区間ＩＤＴ電極に
おける反射特性を解析するに当たり、各電極指のエッジ
を図中左側から順にａ〜ｈとするとき、各エッジにおけ
る音響反射ベクトルは、図５の等価回路を用いて計算す
ると図２のように表すことができる。即ち、全ての音響
反射ベクトルを合成すると、その強度は１つのエッジに
おける音響反射ベクトルの強度の１／１６以下にするこ
とができた。また、図１に示す基本区間ＩＤＴ電極を用
いてトランスバーサルＳＡＷフィルタを構成し、その動
作を確認したところ、反射に関しては従来の図７の基本
区間ＩＤＴ電極と同様な作用をする一方、図４の一方向
性を有する基本区間ＩＤＴ電極と同等の大きな励振強度
を呈することを確認した。
おける反射特性を解析するに当たり、各電極指のエッジ
を図中左側から順にａ〜ｈとするとき、各エッジにおけ
る音響反射ベクトルは、図５の等価回路を用いて計算す
ると図２のように表すことができる。即ち、全ての音響
反射ベクトルを合成すると、その強度は１つのエッジに
おける音響反射ベクトルの強度の１／１６以下にするこ
とができた。また、図１に示す基本区間ＩＤＴ電極を用
いてトランスバーサルＳＡＷフィルタを構成し、その動
作を確認したところ、反射に関しては従来の図７の基本
区間ＩＤＴ電極と同様な作用をする一方、図４の一方向
性を有する基本区間ＩＤＴ電極と同等の大きな励振強度
を呈することを確認した。
【００１２】図３はトランスバーサルＳＡＷフィルタへ
の応用を示す図であって、ＩＤＴ電極を形成するための
任意の区間の電極構成を示す平面図である。図４に示し
た一方向性反射を有する基本区間ＩＤＴ電極Ａと、本発
明による反射作用の極めて小さい基本区間ＩＤＴ電極Ｃ
を接続したものである。同図に示すように、基本区間Ｉ
ＤＴ電極Ａの励振中心と、基本区間ＩＤＴ電極Ｃの励振
中心との間隔が所望の波長λとなるように、基本区間Ｉ
ＤＴ電極を調整する。本発明になる反射作用の極めて小
さい基本区間ＩＤＴ電極Ｃを、一方向性を有する基本区
間ＩＤＴ電極Ａと共に用いることにより、トランスバー
サルＳＡＷフィルタを形成するＩＤＴ電極の励振強度分
布を一様にすることが可能となる。
の応用を示す図であって、ＩＤＴ電極を形成するための
任意の区間の電極構成を示す平面図である。図４に示し
た一方向性反射を有する基本区間ＩＤＴ電極Ａと、本発
明による反射作用の極めて小さい基本区間ＩＤＴ電極Ｃ
を接続したものである。同図に示すように、基本区間Ｉ
ＤＴ電極Ａの励振中心と、基本区間ＩＤＴ電極Ｃの励振
中心との間隔が所望の波長λとなるように、基本区間Ｉ
ＤＴ電極を調整する。本発明になる反射作用の極めて小
さい基本区間ＩＤＴ電極Ｃを、一方向性を有する基本区
間ＩＤＴ電極Ａと共に用いることにより、トランスバー
サルＳＡＷフィルタを形成するＩＤＴ電極の励振強度分
布を一様にすることが可能となる。
【００１３】以上の説明においては圧電基板としてＸ−
１１２゜Ｙ ＬｉＴａＯ3基板を用いて説明したが、本
発明はこれに限定するものではなく、他の切断角度のタ
ンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、四硼酸リチウ
ム、ランガサイトとの圧電材料にも同様に適用できるこ
とは云うまでもない。
１１２゜Ｙ ＬｉＴａＯ3基板を用いて説明したが、本
発明はこれに限定するものではなく、他の切断角度のタ
ンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、四硼酸リチウ
ム、ランガサイトとの圧電材料にも同様に適用できるこ
とは云うまでもない。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、強勢な反射作用のあるＩＤＴ電極基本区間の励振
中心位置と、同じ励振中心位置を有する反射作用のない
ＩＤＴ電極の基本区間を構成することができたので、ト
ランスバーサルＳＡＷフィルタを形成するＩＤＴ電極の
励振強度分布を一様にすることができるという優れた効
果を表す。
ので、強勢な反射作用のあるＩＤＴ電極基本区間の励振
中心位置と、同じ励振中心位置を有する反射作用のない
ＩＤＴ電極の基本区間を構成することができたので、ト
ランスバーサルＳＡＷフィルタを形成するＩＤＴ電極の
励振強度分布を一様にすることができるという優れた効
果を表す。
【図１】本発明に係る反射作用のない基本区間ＩＤＴ電
極の構成を示す平面図である。
極の構成を示す平面図である。
【図２】図１に示した基本区間ＩＤＴ電極の各エッジに
おける音響反射ベクトルａ〜ｈと、その合成ベクトルα
とを表した図である。
おける音響反射ベクトルａ〜ｈと、その合成ベクトルα
とを表した図である。
【図３】従来の反射作用のある基本区間ＩＤＴ電極Ａ
と、本発明になる反射作用のない基本区間ＩＤＴ電極Ｃ
とを接続して構成したＩＤＴ電極の一区間を示す図であ
る。
と、本発明になる反射作用のない基本区間ＩＤＴ電極Ｃ
とを接続して構成したＩＤＴ電極の一区間を示す図であ
る。
【図４】従来の反射作用のある基本区間ＩＤＴ電極の構
成を示す平面図である。
成を示す平面図である。
【図５】電極指部とスペース部とを分布定数等価回路で
表した回路図である。
表した回路図である。
【図６】図４に示す基本区間ＩＤＴ電極の各エッジにお
ける音響反射ベクトルａ〜ｆと、その合成ベクトルβを
表した図である。
ける音響反射ベクトルａ〜ｆと、その合成ベクトルβを
表した図である。
【図７】従来の反射作用のない基本区間ＩＤＴ電極の構
成を示した平面図である。
成を示した平面図である。
【図８】図７の基本区間ＩＤＴ電極の各エッジにおける
音響反射ベクトルを表した図である。
音響反射ベクトルを表した図である。
【図９】（ａ）は従来の反射作用のある基本区間ＩＤＴ
電極Ａと、従来の反射作用のない基本区間ＩＤＴ電極Ｂ
とを接続して構成したＩＤＴ電極の一区間を示す図、
（ｂ）は励振中心間隔をλに調整したＩＤＴ電極の一区
間を示す図である。
電極Ａと、従来の反射作用のない基本区間ＩＤＴ電極Ｂ
とを接続して構成したＩＤＴ電極の一区間を示す図、
（ｂ）は励振中心間隔をλに調整したＩＤＴ電極の一区
間を示す図である。
１、２、３、４・・電極指 ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ・・電極指のエッジ Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４・・電極指の幅 ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４・・スペースの幅 λ・・電極周期 Ｌ１、Ｌ２・・励振中心位置
Claims (2)
- 【請求項１】 励振される表面波の波長λを単位長とす
る基本区間ＩＤＴ電極を複数個圧電基板上に配置して構
成した弾性表面波変換器において、 前記基本区間ＩＤＴ電極の少なくとも一つは４本の電極
指を備えており、前記４本の電極指を配列順にそれぞれ
第１、第２、第３及び第４とするとき、該第１乃至第４
の電極指幅をそれぞれ０．１２１λ、０．０６３λ、
０．１１７λ及び０．１８７λとし、前記第１及び第２
の電極指の電極指間間隙を０．１４４λ、前記第２及び
第３の電極指の電極指間間隙を０．２１３λ、前記第３
及び第４の電極指の電極指間間隙を０．０７８λとした
ものであることを特徴とする弾性表面波変換器。 - 【請求項２】 前記圧電基板がＸ−１１２゜Ｙ ＬｉＴ
ａＯ3基板であることを特徴とする請求項１記載の弾性
表面波変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000145858A JP2001326552A (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | 弾性表面波変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000145858A JP2001326552A (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | 弾性表面波変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001326552A true JP2001326552A (ja) | 2001-11-22 |
Family
ID=18652305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000145858A Pending JP2001326552A (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | 弾性表面波変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001326552A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009509430A (ja) * | 2005-09-23 | 2009-03-05 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 表面波で作動する変換器 |
| JP2020170983A (ja) * | 2019-04-05 | 2020-10-15 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | 表面弾性波デバイス及びその製造方法 |
| CN113508495A (zh) * | 2019-03-06 | 2021-10-15 | 株式会社村田制作所 | 滤波器、多工器、高频前端电路以及通信装置 |
-
2000
- 2000-05-18 JP JP2000145858A patent/JP2001326552A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009509430A (ja) * | 2005-09-23 | 2009-03-05 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 表面波で作動する変換器 |
| CN113508495A (zh) * | 2019-03-06 | 2021-10-15 | 株式会社村田制作所 | 滤波器、多工器、高频前端电路以及通信装置 |
| CN113508495B (zh) * | 2019-03-06 | 2022-07-19 | 株式会社村田制作所 | 滤波器、多工器、高频前端电路以及通信装置 |
| JP2020170983A (ja) * | 2019-04-05 | 2020-10-15 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | 表面弾性波デバイス及びその製造方法 |
| JP7175503B2 (ja) | 2019-04-05 | 2022-11-21 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | 表面弾性波デバイス及びその製造方法 |
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