JP2001326219A - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

基板処理装置および半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JP2001326219A
JP2001326219A JP2001081500A JP2001081500A JP2001326219A JP 2001326219 A JP2001326219 A JP 2001326219A JP 2001081500 A JP2001081500 A JP 2001081500A JP 2001081500 A JP2001081500 A JP 2001081500A JP 2001326219 A JP2001326219 A JP 2001326219A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
gas
processing chamber
processing
manifold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001081500A
Other languages
English (en)
Inventor
Imad Mahawili
マハウィリ イマッド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Publication of JP2001326219A publication Critical patent/JP2001326219A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45589—Movable means, e.g. fans
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】基板上に膜が均一な厚さで堆積されるように、
反応ガスを基板上に均一に供給し、処理チャンバ内のガ
スの流れをより良く制御するようにする。 【解決手段】半導体基板を処理する反応器１０は、処理
チャンバ２２を画成する反応器ハウジング１４と、反応
器ハウジング内に回転可能に支持されたプラットフォー
ム２８であって、処理チャンバ内で基板を回転可能に支
持するプラットフォームとを備える。反応器は、少なく
とも一種のガスを処理チャンバ内に注入するガス注入ア
センブリ３６をさらに備える。ガス注入アセンブリは、
処理チャンバ内の動的圧力を変化させて、処理チャンバ
内での基板の処理時間を変化させる基板対面面を備え
る。例えば、ガス注入アセンブリは、基板対面面５１を
備えるガス注入マニホールド３８を備える。好ましく
は、基板対面面は、処理チャンバ内の動的圧力を変える
べく、処理チャンバ内で位置を変えることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置およ
び半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体ウエハ等
の基板上への薄膜の化学堆積や熱処理のための処理反応
器であって、チャンバー内へのガスの注入を制御して基
板処理のより良好な制御を行える処理反応器を備える基
板処理装置およびそれを使用した半導体装置の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造においては、基板上に薄膜
を堆積させるためにチャンバー内にガスを注入する。典
型的には、例えば、酸化物成長、エッチング、熱処理と
いった堆積処理中や、他の種々の温度によって活性化さ
れる処理中に基板は加熱される。堆積の制御は、ガスの
流れや動的圧力およびウエハ温度の制御に依存する。ウ
エハ温度を均一にすることによって、基板上の処理変量
が均一になる。例えば、膜の堆積において、もし基板の
一つの領域の温度が他の領域の温度と異なっていると、
これらの領域での堆積物の厚さは等しくないかもしれな
い。また、基板への堆積物の付着力の同様に変わるかも
しれない。さらに、基板の一つの領域の温度が、基板の
他の領域の温度よりも高いかまたは低いと、基板材料内
に温度勾配が生じる。この温度勾配が基板内に温度モー
メントを生じさせ、それが、基板内に径方向の局所的な
熱ストレスを生じさせる。これらの局所的熱ストレスは
基板の強度を減少させるおそれがあり、さらに、基板を
損傷するおそれがある。しかしながら、均一加熱が、新
しくそして改良されたヒータアセンブリによって最近達
成されている。このヒータアセンブリは、１９９９年９
月１４日に発行され、米国のミシガン州のGrand Rapids
のMicro C Technologies, Inc.に譲渡された米国特許第
５，９５１，８９６号に開示されている。
【０００３】膜堆積の均一性は、温度の均一性に加え
て、処理ガスの供給の均一性によって影響を受ける。良
好な処理の均一性を得るには、通常はウエハ温度均一性
と処理ガスのガスフローパターンの両方を調整し最適化
する必要がある。たいていの従来のチャンバー、すなわ
ち、反応器では、反応ガスは、ガスをチャンバ内ウエハ
上に注入する単一のポートを介して供給される。ウエハ
がこのように配置されている結果、ウエハ上へのガスの
堆積は均一ではない。
【０００４】ガスの供給を改良するために、分離された
ガスが全基板領域にわたってシャワー状パターンで注入
されるシャワー状のガス注入システムが開発されてき
た。しかしながら、そのようなガス供給システムはチャ
ンバー全体を満たすので、基板に加えてチャンバー壁に
も膜が堆積する。他の解決方法としては、基板の近傍に
配置された環状輪郭板から基板に径方向内側にガスを注
入する方法があり、例えば、米国特許第４，８３４，０
２２号に開示されている。しかしながら、この径方向内
側に注入するシステムでは、より大きい基板上にガスを
注入する際ことになるにつれて制御性が悪くなる。現在
製造されようとしている基板の大きさが大きくなるにつ
れて、この径方向に注入するシステムは、有効ではなく
なる。
【０００５】さらに最近では、１または複数のガスを基
板の離散的な領域に向けて、基板上へのガスの供給をよ
り良く制御する改良されたガス供給システムが開発され
ている。このシステムは、米国のミシガン州のGrand Ra
pidsのMicro C Technologies, Inc.に譲渡された米国特
許第５，８１４，３６５号に開示されている。しかしな
がら、ガスの供給の制御が増加すると、処理チャンバ内
の動的な圧力をより良く制御することによって、更なる
最適化が達成できると信じられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】その結果、基板上に堆
積される１つのまたは複数の膜が基板のデバイス側の全
面に実質的に均一な厚さで堆積されるように、処理中に
１または複数の反応ガスの流れを基板上に均一に供給
し、かつ向けることができ、さらに、反応器の処理チャ
ンバ内のガスの流れをより良く制御することができる処
理反応器が必要とされている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
基板を処理する反応器は、基板上、特に３００ｍｍまで
のまたはそれを越えるより大きい基板上に１または複数
の膜をより均一な膜厚で形成すべくガスを注入するガス
注入システムを備える。
【０００８】本発明の第１の態様によれば、処理チャン
バを画成するハウジングと、前記ハウジング内に支持さ
れたプラットフォームであって、前記処理チャンバ内で
前記基板を支持する前記プラットフォームと、少なくと
も前記基板を処理している時に、少なくとも一種のガス
を前記処理チャンバ内そして前記基板上に注入するガス
注入アセンブリであって、前記処理チャンバ内の動的圧
力を変化させて、前記処理チャンバ内での前記基板の処
理時間を変化させる基板対面面を備える基板処理装置が
提供される。
【０００９】好ましくは、前記基板対面面は、前記処理
チャンバ内の動的圧力を変えるべく、前記処理チャンバ
内で位置を変えることができる。
【００１０】また、好ましくは、前記基板対面面は、前
記処理チャンバ内の動的圧力を変化させる少なくとも一
つの前記プラットフォームに対して傾いた傾斜部を備え
ている。
【００１１】さらに好ましくは、前記傾斜部は、第１の
傾斜部を備え、前記基板対面面は第２の傾斜部を備え
る。
【００１２】また、好ましくは、前記ガス注入アセンブ
リは、横断通路を備え、前記基板対面面は、前記横断通
路内に位置している。
【００１３】また、好ましくは、前記基板対面面は、前
記横断通路内に移動可能に支持されている。
【００１４】本発明の第２の態様によれば、処理チャン
バを画成するハウジングと、前記ハウジング内に支持さ
れたプラットフォームであって、前記処理チャンバ内で
前記基板を支持する前記プラットフォームと、少なくと
も前記基板を処理している時に、少なくとも一種のガス
を前記処理チャンバ内そして前記基板上に注入するガス
注入アセンブリであって、前記処理チャンバ内の動的圧
力を変化させて、前記処理チャンバ内での前記基板の処
理時間を変化させる基板対面面を備える基板処理装置を
使用して、前記基板を処理する工程を備えることを特徴
とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１５】本発明の第３の態様によれば、半導体基板
を処理する処理反応器であって、前記反応器が、処理チ
ャンバを画成する反応器ハウジングと、前記ハウジング
内に回転可能に支持されたプラットフォームであって、
前記処理チャンバ内で前記基板を回転可能に支持する前
記プラットフォームと、前記プラットフォームが前記基
板を回転させている時に、少なくとも一種のガスを前記
処理チャンバ内そして前記基板上に注入するガス注入ア
センブリであって、前記処理チャンバ内の動的圧力を変
化させて、前記処理チャンバ内での前記基板の処理時間
を変化させる基板対面面を備える処理反応器が提供され
る。
【００１６】好ましくは、前記基板対面面は、前記処理
チャンバ内の動的圧力を変えるべく、前記処理チャンバ
内で位置を変えることができる。
【００１７】また、好ましくは、前記ガス注入アセンブ
リは、前記基板対面面を備えるガス注入マニホールドを
備える。
【００１８】また、好ましくは、前記ガス注入アセンブ
リは、前記処理チャンバ内の動的圧力を変えるべく、前
記ハウジング内に移動可能に搭載されている。
【００１９】また、好ましくは、前記基板対面面は、前
記処理チャンバ内の動的圧力を変化させる少なくとも一
つの前記プラットフォームに対して傾いた傾斜部を備え
ている。
【００２０】さらに好ましくは、前記傾斜部は、第１の
傾斜部を備え、前記基板対面面は第２の傾斜部を備え
る。
【００２１】また、好ましくは、前記２つの傾斜部は接
合されて頂部を形成している。
【００２２】また、好ましくは、前記頂部は、前記基板
の中央部に位置している。
【００２３】また、好ましくは、前記第１および第２の
傾斜部はそれぞれ平面部を備える。
【００２４】また、好ましくは、前記ガス注入アセンブ
リは、第１のガスを前記処理チャンバ内に注入する少な
くとも一つのポートを含む。
【００２５】また、好ましくは、前記ポートは、前記基
板対面面に位置している。
【００２６】また、好ましくは、前記ポートは、前記基
板対面面の中央部に位置している。
【００２７】また、好ましくは、前記ポートは第１のポ
ートを備え、前記ガス注入アセンブリは、第２のガスを
前記処理チャンバ内に注入する第２のポートを備えてい
る。
【００２８】また、好ましくは、前記第のポートと第２
のポートは同軸である。
【００２９】本発明の第４の態様によれば、半導体基板
を処理する処理反応器であって、前記処理反応器が、処
理チャンバを備えるハウジングと、前記ハウジング内に
回転可能に支持されたプラットフォームであって、前記
処理チャンバ内で前記基板を回転可能に支持する前記プ
ラットフォームと、前記基板を加熱するヒータと、前記
処理チャンバ内の動的圧力を変化させて、前記基板の処
理時間を変化させる基板対面面と、前記基板上にガスを
軸方向に注入する少なくとも一つの注入ポートとを備え
るガスマニホールドと、を備える処理反応器が提供され
る。
【００３０】好ましくは、 前記基板対面面は、前記処
理チャンバ内の動的圧力を変えるべく、前記処理チャン
バ内で位置を変えることができる。
【００３１】また、好ましくは、前記基板対面面は、第
１および第２の部分を備え、前記第１および第２の部分
の少なくとも一つは、前記プラットフォームに対して傾
いている。
【００３２】また、好ましくは、前記注入ポートは、前
記第１および第２の部分の間に位置している。
【００３３】また、好ましくは、前記ガス注入ポート
は、第１の注入ポートを備え、前記ガスマニホールド
は、第２の注入ポートを備える。
【００３４】また、好ましくは、前記第１および第２の
ポートは同軸である。
【００３５】また、好ましくは、前記ハウジングは、カ
バーを備え、前記ガスマニホールドは、前記カバー内に
支持されている。
【００３６】また、好ましくは、前記ガスマニホールド
は、前記プラットフォームに対して前記基板対面面位置
を変えることができるように、前記カバーに移動可能に
搭載されている。
【００３７】また、好ましくは、前記基板対面面は、第
１および第２の部分を備え、前記第１および第２の部分
の少なくとも一つは、前記プラットフォームに対して傾
いている。
【００３８】また、好ましくは、前記第１および第２の
部分の両方が、前記プラットフォームに対して傾いてい
る。
【００３９】また、好ましくは、前記第１および第２の
部分が傾いて、正のくさび形状基板対面面を形成する。
【００４０】また、好ましくは、前記第１および第２の
部分が傾いて、負のくさび形状基板対面面を形成する。
【００４１】また、好ましくは、前記ガスマニホールド
は略矩形である。
【００４２】また、好ましくは、前記基板対面面は略矩
形であって、正のくさび形状面および負のくさび形状面
のうちの一方を備えている。
【００４３】本発明の第５の態様によれば、半導体基板
を処理する処理反応器であって、前記処理反応器が、処
理チャンバを備える反応器ハウジングと、前記第１のハ
ウジング内に回転可能に支持されたヒータハウジング
と、前記ヒータハウジング上に支持されたプラットフォ
ームであって、前記処理チャンバ内で前記基板を回転可
能に支持する前記プラットフォームと、前記ヒータハウ
ジング内に位置し、前記基板を加熱するヒータと、前記
処理チャンバ内の動的圧力を変化させて、前記基板の処
理時間を変化させる基板対面面と、前記基板上にガスを
前記基板対面面を介して軸方向に注入する少なくとも一
つの注入ポートとを備えるガスマニホールドとを備える
処理反応器が提供される。
【００４４】好ましくは、前記ガスマニホールドは、ガ
ス注入アセンブリハウジング内に支持され、前記ガス注
入アセンブリハウジングは前記ガスマニホールドを前記
反応器ハウジング内に支持する。
【００４５】また、好ましくは、前記ガス注入アセンブ
リハウジングは、横断通路を備え、前記ガスマニホール
ドは、前記横断通路内に位置し支持されている。
【００４６】また、好ましくは、前記ガスマニホールド
は、前記横断通路内に移動可能に支持されている。
【００４７】また、好ましくは、前記ガス注入アセンブ
リハウジングは、前記処理チャンバからガスを排気する
ガス排気マニホールドをさらに支持する。
【００４８】また、好ましくは、前記ガス排気マニホー
ルドは、前記ガス注入ポートから注入されたガスを基板
の個別の領域上に隔離すべく、前記ガス注入マニホール
ドの周りに延在する。
【００４９】また、好ましくは、前記基板対面面は、正
のくさび形状対面面および負のくさび形状対面面のうち
の一方を備えている。
【００５０】本発明のこれらのおよび他の目的、利点、
目標および特徴は、当業者が添付の図面と共に次の説明
を検討することによって明らかになるであろう。
【００５１】
【発明の実施の形態】図面、特に、図１、２を参照すれ
ば、符号１０は、半導体基板を処理するのに特に好適な
本発明のガス注入システム３６を組み込んだ反応器を一
般的に指している。図示された実施の形態では、反応器
１０は、高温酸化膜、低温酸化膜、高温窒化膜、ドープ
トおよびアンドープトポリシリコン膜、シリコンエピタ
キシャル膜、金属タングステン膜、タングステンシリサ
イド膜等の薄膜の化学気相堆積や、熱アニール、ボロフ
ォスファラス（boro-phosphorous）ガスの熱リフロー等
の熱処理を含む、半導体ウエハ等の半導体基板１２上へ
の種々の製造工程を行うのに好適な枚葉式の処理反応器
を備えている。これらの処理の制御は、ガスの流れの制
御、ガスの圧力およびウエハ温度に依存する。後にさら
に詳細に説明するが、ガス注入システム３６によって、
基板上にガスが均一に供給され、さらに、基板全体にわ
たるガスの流れと処理チャンバ内の動的圧力の制御が向
上し、その結果、基板上にさらに均一な膜が形成され
る。
【００５２】図２に最もよく見られるように、反応器１
０は、円筒壁１６、ベース１８およびカバー２０によっ
て形成されるハウジング１４を備えている。円筒状壁１
６、ベース１８およびカバー２０は処理チャンバ２２を
画成する。ベース１８上には、ヒータアセンブリ２６を
収容し効果的に隔離する第２のすなわちヒータハウジン
グ２４が回転可能に支持されている。ヒータアセンブリ
２６は、以下により詳細に説明するように、基板１２を
非デバイス側１２ｂから加熱するのに使用される。ヒー
タハウジング２４は、円筒壁２５とプラットフォーム２
８とを備えている。プラットフォーム２８は、処理チャ
ンバ２２内で半導体基板１２を回転可能に支持し、さら
に、処理中にも基板１２を回転させて、基板１２の非デ
バイス側１２ｂ全面にわたる熱の分布と基板１２のデバ
イス側１２ａ上への処理ガスの分布との一層の均一化を
確実にしている。好ましくは、プラットフォーム２８
は、中央が窪んだ支持面３０と中央開口とを備えてお
り、支持面３０によって、基板１２がプラットフォーム
の上面２８ａと略面一となるように支持される。好まし
くは、窪んだ支持面３０は、処理中に基板１２の熱膨張
を妨害しない大きさとなっている。
【００５３】ヒータアセンブリ２６は、基板の温度が実
質的に均一になるような方法で基板１２に放射熱を供給
するように設計されている。好ましくは、ヒータアセン
ブリ２６は、プラットフォーム２８と基板１２の下に層
構造となって支持されている複数のランプ２７を備え、
基板１２の非デバイス面１２ｂの中央部よりも周辺部に
より多くの熱を供給しその結果基板１２を均一に加熱す
るように、基板１２の幅方向にわたって熱分布を種々つ
くることができるようにする。このようなヒータアセン
ブリの好ましい例は、米国のミシガン州のGrand Rapids
のMicro C Technologies, Inc.に譲渡された米国特許第
５，９５１，８９６号「RAPID THERMALPROCESSING HEAT
ER TECHNOLOGY AND METHOD OF USE」に開示されてい
る。
【００５４】プラットフォーム２８は、種々の異なる構
成を備えることができるが、好ましくは、基板１２の非
デバイス側１２ｂを処理ガスから隔離し、さらに、基板
１２を均一に加熱するためにヒータアセンブリ２６から
の熱は許容するが、処理ガスからヒータアセンブリ２６
を隔離するプラットフォームを備えることが好ましい。
プラットフォーム２８の好ましい例の詳細は、米国特許
第６，００７，６３５号、１９９７年８月１５日にImad
Mahawili, Ph.D.によって出願された米国特許出願第０
８／９１２，２４２号「A SUBSTRATE PLATFORM FOR A S
EMICONDUCTOR SUBSTRATE DURING RAPID HIGH TEMPERATU
RE PROCESSING AND METHOD OF SUPPORTING A SUBSTRAT
E」および１９９９年１０月１８日にImad Mahawili, P
h.D.によって出願された米国特許出願第０９／４１９，
５５５号「A PLATFORM FOR SUPPORTING A SEMICONDUCTO
R SUBSTRATE AND METHOD OF SUPPORTING A SUBSTRATE D
URING RAPID HIGH TEMPERATURE PROCESSING」を参照の
こと。なお、これらはすべて、米国のミシガン州のGran
d RapidsのMicro C Technologies, Inc.に譲渡されてい
る。
【００５５】ヒータハウジング２４は、ベース１８上ハ
ウジング１４内に好ましくは回転可能に支持され、真空
シールを介して回転をハウジング２４およびベース３４
に伝える従来型のマグネットカップリング駆動機構また
は他の適切な駆動装置を使用して好ましくは回転される
ベース３４も備えている。このようにして、プラットフ
ォーム２８は、当業者に理解されるように、基板１２を
回転してその表面全面に反応ガスと熱とを均一に供給す
る。ベース３４とハウジング２４の１分当たりの回転数
（ｒｐｍ）は、これもまた、当業者に理解されることで
あるが、例えば、好ましくは、５〜６０ｒｐｍの範囲で
あって、具体的な処理に依存する。プラットフォーム２
８は、種々の大きさの基板を収容できるが、特に、直径
１５０、２００および３００ｍｍまたはこれより大きい
ものを収容できる。
【００５６】好ましくは、基板１２は、当業界で知られ
ている自動搬送ロボットのような従来型のウエハ搬送装
置（図示せず）によって、チャンバーバルブ３９を介し
て、排気されたチャンバ２２内に搬入され、プラットフ
ォーム２６上に搭載される。後により詳細に説明するよ
うに、基板１２が処理チャンバ２２内に搬入された後、
処理チャンバ２２は、好ましくは、ガス注入体アセンブ
リ３６に設けられた真空排気ポートを介して排気され
る。
【００５７】上記したように、反応器１０は、高温酸化
膜、低温酸化膜、高温窒化膜、ドープトおよびアンドー
プトポリシリコン膜、シリコンエピタキシャル膜、金属
タングステン膜、タングステンシリサイド膜等の薄膜の
化学気相堆積や、熱アニール、ボロフォスファラス（bo
ro-phosphorous）ガスの熱リフロー等の熱処理等の半導
体基板１２上への種々の製造処理を行うのに適してい
る。最もよく見られるように、ガス注入アセンブリ３６
は、好ましくは、ガス注入アセンブリ３６の洗浄や交換
ができるようにカバー２０内に取り外し可能に支持され
たモジュール式のアセンブリである。ガス注入アセンブ
リ３６は、ガス注入マニホールド３８とハウジング４０
とを備えている。ガス注入マニホールド３８は、薄膜の
堆積が起こることが望まれている基板１２のデバイス側
１２ａ上に１または複数のガスを注入する。
【００５８】図２および３を参照すれば、ハウジング４
０は、搭載フランジ４２と、その中にマニホールド３８
が位置しているハウジング４０をとおって延在する中央
横断通路４３とを備えている。マニホールド３８は、好
ましくは、伸長位置（図２に実線で示されている）まで
伸長し、複数の後退位置（そのうちの一つが図２に想像
線で示されている）まで後退するように、移動可能に搭
載される。このようにして、マニホールド３８は、望み
通りに位置を変えて処理チャンバ２２内の動的圧力を増
減させ、それによって堆積速度を変化させ、従って滞留
時間を変化させる。マニホールド３８は、好ましくは、
コンピュータ制御のサーボモータのようなコンピュータ
制御の駆動機構４５によって通路を移動する。注入シス
テム３６は、固定マニホールド３０を備えるものでもよ
いことは理解されなければならない。
【００５９】もう一度図３を参照すれば、マニホールド
３８は、その中を通って処理ガスがチャンバ２２内に注
入される少なくとも一つの注入ポート４６を備えてい
る。ガスは、ポート４６から通路４３を通ってハウジン
グ４０の外側に支持されているバルブマニホールド５０
まで延在するチューブ４９を介して注入ポート４６に供
給される。ガスは、１つ以上の入口５０ａ、５０ｂを介
してバルブマニホールド５０に供給される。さらに、ガ
ス注入アセンブリ３６は、注入マニホールド３８のまわ
りに延在し、チャンバ２２からのガスを排気する複数の
ポート４８を備える排気マニホールド４４を備えること
が好ましく、それによって、基板上に向けられたガス
は、基板を横切る個別の領域、好ましくは、基板１２の
一方の側または一端から反対側または反対端まで延在す
る領域に閉じ込められる。ポート４８は、１以上の導管
４８ａと流体的に連通している。導管４８ａは、同様
に、バルブマニホールド５０と接続されてもよい。バル
ブマニホールド５０には処理チャンバ２２からガスを排
気するために真空ラインが接続し得る。従って、当業者
に理解されるであろうように、ポート４８を、処理チャ
ンバ２２内の動的圧力を制御し、チャンバ２２内を所望
の真空に維持し、その結果、基板を横切る処理ガスの流
れを制御するように使用してもよい。排気マニホールド
４４は、処理チャンバ２２から未反応ガスを除去するの
に加えて、反応ガスの逆流汚染を防ぐのを助ける。ポー
ト４８は、ポート４６からのガスの流れの方向をさらに
制御するために不活性ガスを注入するのにも使用しても
よいことは理解されなければならない。
【００６０】図３に最もよく見られるように、注入マニ
ホールド３８は、略矩形状であり、略矩形の基板対面側
部５１を備えている。側部５１は、プラットフォーム２
８、従って基板のデバイス側１２ａに対して傾いている
１以上の傾斜部５２、５４を備えている。マニホールド
３８は、好ましくは、特定の処理要求に適した固体であ
り、例えば、石英、ステンレス鋼であり、内部水冷等を
備えていてもよく、備えていなくてもよい。ポート４６
は、マニホールド本体を通って延在し、好ましくは、傾
斜部５２、５４の接合部に位置し、さらに好ましくは、
基板１２上で基板１２の中心に位置し、傾斜部５２およ
び５４が実質的に等しい長さ、すなわち、径方向に等し
い拡がりを持つ。傾斜部５２、５４は、好ましくは、平
坦な表面を有し、図示した例においては、正の直線状く
さび形状面５６を形成し、それによって、処理チャンバ
２２内の基板１２を横切る動的圧力を変化させる。くさ
びの中心すなわち頂点が基板１２により近い正の直線状
くさび形状面だと、膜堆積速度が増加し、従って、滞留
時間が減少する。マニホールド３８の表面の形状を変え
ることによって、チャンバ２２内の動的圧力を変化させ
ることができ、従って、基板上部のガス流の速度場を制
御することができ、それによって、処理時間を変化さ
せ、さらに、化学気相堆積または急速熱処理中に膜堆積
の厚さをさらに均一化することができる。例えば、面側
部５１の中央に単一のガス供給がある場合には、ポート
４６を、高温における急速熱酸化膜成長のための酸素の
注入に使用することができる。また、２０００年１月１
９日にImad Mahawili, Ph.D.によって出願されたAttorn
ey Docket No. MIC04P-106「REACTOR WITH REMOTE PLAS
MASYSTEM AND METHOD OF PROCESSING A SEMICONDUCTOR
SUBSTRATE」に開示されているように、ポート４６は、
リモートプラズマ励起チューブからのプラズマ活性化さ
れたガス種を注入するのに使用することができる。
【００６１】ガス注入アセンブリ３６、駆動機構４５、
およびヒータアセンブリ２６の制御は、好ましくは、Ｐ
ＬＣまたはコンピュータのような中央制御装置４７（図
１）を使用して行うことができる。また、当業者に理解
されるであろうように、制御装置４７は、ベース３４を
回転させる磁気駆動装置や反応器１０の他のシステムを
駆動し制御するのに使用してもよい。
【００６２】図４を参照すれば、注入アセンブリ１３６
の第２の実施の形態が示されている。注入アセンブリ１
３６は、注入アセンブリ３６と同様の構成であり、前述
した実施の形態と同様に、反応器１０のカバー２０に注
入アセンブリ１３６を位置させるハウジング１４０を備
えている。ハウジング１４０は、カバー２０に載せられ
る搭載フランジ１４２と中央横断通路１４３とを備えて
おり、中央横断通路１４３内にマニホールド１３８が位
置し、好ましくは、上述した実施の形態と同様に、伸長
および後退のために移動可能に搭載される。ガス注入ア
センブリ３６と同様に、ガス注入アセンブリ１３６は、
注入アセンブリ１３８の周りに延在する排気マニホール
ド１４４を備えており、また、同様に、チャンバ２２か
らのガスを排気する複数のポート１４８を備え、それに
よって、基板上に向けられた１または複数のガスは、基
板を横切る個別の領域に閉じ込められ、さらに、処理チ
ャンバ２２内の真空が制御される。
【００６３】図示された実施の形態においては、注入マ
ニホールド１３８は、一対の同心または同軸の注入ポー
ト１４６ａおよび１４６ｂを備えている。ポート１４６
ａおよび１４６ｂは、例えば、基板１２上への薄膜の堆
積に２種のガスを要求する化学堆積のために使用するこ
とができる。例えば、基板１２上に二酸化シリコンの堆
積物を形成するのに、中央、すなわち、内側ポート１４
６ａをシランを注入するのに使用し、外側のポート１４
６ｂを酸素を注入するのに使用してもよい。あるいは、
基板１２上に窒化シリコンを形成するのに、中央ポート
１４６ａをシランを注入するのに使用し、外側のポート
１４６ｂをアンモニアを注入するのに使用してもよい。
【００６４】第１の実施の形態と同様に、マニホールド
１３８は、略矩形状であり、略矩形の基板対面側部１５
１を備えており、基板対面側部１５１は第１および第２
の傾斜部１５２、１５４を備えている。傾斜部１５２、
１５４は合わさってマニホールド３８の表面５６と同様
に、正の直線状くさび形状面を形成している。減少した
動的圧力が必要とされるいくつかの適用例においては、
表面１５６または５６は負の直線状くさび形状を備えて
いてもよく、その結果、基板１２上部の動的圧力が減少
する。動的圧力が減少すると、膜堆積速度が減少し、滞
留時間が長くなる。これは、いくつかの適用例において
は、好ましいものである。
【００６５】図５を参照すれば、ガス注入アセンブリ２
３６の第３の実施の形態が示されている。ガス注入アセ
ンブリ２３６は、ガス注入アセンブリ３６および１３６
と同様の構成であり、ハウジング２４０内に支持される
ガス注入マニホールド２３８を備えている。ハウジング
２４０は、反応器１０のカバー２０内にガス注入アセン
ブリ２３６を位置させる搭載フランジ２４２を備えてい
る。ガスマニホールド２３８は、同様に、ハウジング２
４０の横断通路２４３内に移動可能に支持され、複数の
排気ポート２４８を備える排気マニホールド２４４によ
って囲まれている。
【００６６】上述した実施の形態と同様に、ガス注入マ
ニホールド２３８は、基板対面側部２５１を備えてお
り、基板対面側部２５１は少なくとも２つの傾斜部２５
２、２５４を備えている。傾斜部２５２、２５４は、好
ましくは、上述したように、正の直線状くさび形状面２
５６または負の直線状くさび形状面のいずれかを形成す
るように傾斜している。正の直線状くさび形状面２５６
を備えていると、処理チャンバ２２内の動的圧力は増加
し、それによって基板１２上への膜の堆積速度が増加す
る。従って、所定の膜厚を得る処理時間は減少する。図
示した例では、注入マニホールド２３８は、複数の注入
ポート２４６を備えている。注入ポート２４６は、種々
の異なる構成をとることができる。例えば、ポート２４
６は、複数の行と列の配置とすることができる。１以上
の行または列を第１のガスを注入するのに割り当て、他
の行、列またはグループを第２のガスを注入するのに割
り当てることができる。ガス注入ポート２４６から注入
されたガスは、略基板１２方向に向けられ、排気マニホ
ールド２４４の下の領域近傍に移動した浮遊ガス分子
は、処理チャンバ２２から排気されるであろうことは理
解されなければならない。従って、ガス注入ポート２４
６によって導入された１以上のガスは、処理チャンバ２
２内のある個別の体積内に閉じ込められ、さらには、基
板１２の個別の領域上に閉じ込められる。さらに、ポー
ト２４６は、側部２５１全体にわたって不均一なパター
ンに配置されてもよい。例えば、ポート２４６の密度を
側部２５１の外側の部分では増加させ、側部２５１の中
央部分では減少させて、基板１２を横切る可変のガス注
入プロファイルを提供することができる。好ましくは、
マニホールド２３８は、石英、ステンレス鋼マニホール
ド、または水冷ステンレス鋼マニホールドである。
【００６７】ポート２４６から流れるガスのシーケンス
を調整するのに制御装置を使用してもよいことは理解さ
れなければならない。また、各ポート２４６は、各ポー
トからのガスの流れを変化させるために従来の制御装置
によって調整できるバルブまたはレギュレータに接続さ
れていてもよい。さらに、特定のポートからの反応ガス
が止められると、不活性ガスをそのポートに注入して反
応と基板１２の表面の状態を制御し、反応物の逆流汚染
を防止してもよい。基板１２を処理するために、例え
ば、水素、アルゴン、六フッ化タングステン等の多くの
種類のガスが使用されて、ポート２４６から選択的に注
入され得ることは、当業者にとって理解されなければな
らない。ポート２４６、排気マニホールド２４４、対面
側部２５１を組み合わせて、チャンバ２２内の動的圧力
を変化させ、そして、より均一な膜厚が得られるように
基板１２上への膜の堆積を制御する。
【００６８】例えば、米国のミシガン州のGrand Rapids
のMicro C Technologies, Inc.に譲渡された米国特許第
５，８１４，３６５号に記載されている非接触放射率測
定装置等の、他の装置が反応器に組み込まれてもよいこ
とは理解されなければならない。また、マニホールドの
傾斜部は中央から片寄っていてもよく、単一のポートま
たは同軸のポートを傾斜部の接合部から片寄らせてこの
またはこれらのポートを基板の中央位置に維持し、また
は傾斜部の接合部から片寄らせてこのまたはこれらのポ
ートを基板の中央位置から片寄らせてもよい。さらに、
基板対面側部は傾斜部のない平坦なものでもよく、その
場合には、チャンバ２２内の動的圧力は、注入マニホー
ルドを通路４３内を移動させて調整してもよく、また
は、基板対面側部は、３以上の部分を備え、２以上の部
分が傾斜部を備えていてもよい。他の変更例としては、
コンピュータ制御機構４５によって駆動される一対のロ
ッド上に搭載されたマニホールドや、制御装置４７（図
１）によって制御された空気圧シリンダ等のシリンダ上
に支持されたものである。
【００６９】特定の装置や方法が添付の図面に示され、
明細書に記載されているが、請求の範囲に規定された発
明概念の単なる例示である。従って、ここに開示された
実施の形態に関連する他の物理的な特性は、明示的に請
求項でそうでないと言わない限り、制限するものと考え
るべきものではない。本発明のいくつかの形態を示し、
説明してきたが、当業者にとっては、他の形態も今や明
らかにあるであろう。例えば、注入マニホールルド３
８、１３８、２３８は、それらのそれぞれのハウジング
に固定されても、移動可能に搭載されてもよい。また、
マニホールド３８、１３８、２３８の対面側部５１、１
５１、２５１は平坦でもよく、それでも、処理チャンバ
２２内の動的圧力を増加させ、基板１２上への膜堆積速
度や膜厚の制御を高めることができることは理解され得
る。従って、図面に示され、上述の説明に記載された実
施の形態は、単なる例示の目的のためだけのものであ
り、請求の範囲で特定される本発明の範囲を制限するこ
とを意図するものでないことは理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の反応器の斜視図である。
【図２】図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った概略断面
図であり、本発明のガス注入システムを組み込んだ図１
の反応器を示している。
【図３】図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った拡大
底面図であり、図２のガス注入システムのガス注入マニ
ホールドを示している。
【図４】図４は、図３と同様な図であり、本発明のガス
注入システムのガス注入マニホールドの第２の実施の形
態を示している。
【図５】図５は、図３と同様な図であり、本発明のガス
注入システムのガス注入マニホールドの第３の実施の形
態を示している。
【符号の説明】
１０…反応器 １２…基板 １２ａ…デバイス側 １２ｂ…非デバイス側 １４，４０，１４０，２４０…ハウジング １６，２５…円筒壁 １８，３４…ベース ２０…カバー ２２…処理チャンバ ２４…ヒータハウジング ２６…ヒータアセンブリ ２７…ランプ ２８…プラットフォーム ２８ａ…上面 ３０…支持面 ３６，１３６，２３６…ガス注入体アセンブリ ３８，１３８，２３８…ガス注入マニホールド ３９…チャンバーバルブ ４２，１４２，２４２…搭載フランジ ４３，１４３，２４３…中央横断通路 ４４，１４４，２４４…排気マニホールド ４５…駆動機構 ４６，１４６ａ，１４６ｂ、２４６…注入ポート ４７…制御装置 ４８，１４８，２４８…ポート ４８ａ…導管 ４９…チューブ５０…バルブマニホールド ５０ａ，５０ｂ…入口 ５１，１５１，２５１…基板対面側部 ５２，５４，１５２，１５４，２５２，２５４…傾斜部 ５６，１５６，２５６…表面

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】処理チャンバを画成するハウジングと、 前記ハウジング内に支持されたプラットフォームであっ
    て、前記処理チャンバ内で前記基板を支持する前記プラ
    ットフォームと、 少なくとも前記基板を処理している時に、少なくとも一
    種のガスを前記処理チャンバ内そして前記基板上に注入
    するガス注入アセンブリであって、前記処理チャンバ内
    の動的圧力を変化させて、前記処理チャンバ内での前記
    基板の処理時間を変化させる基板対面面を備える基板処
    理装置。
  2. 【請求項２】前記基板対面面は、前記処理チャンバ内の
    動的圧力を変えるべく、前記処理チャンバ内で位置を変
    えることができる請求項１記載の基板処理装置。
  3. 【請求項３】前記基板対面面は、前記処理チャンバ内の
    動的圧力を変化させる少なくとも一つの前記プラットフ
    ォームに対して傾いた傾斜部を備えている請求項１記載
    の基板処理装置。
  4. 【請求項４】前記傾斜部は、第１の傾斜部を備え、前記
    基板対面面は第２の傾斜部を備える請求項３記載の基板
    処理装置。
  5. 【請求項５】前記ガス注入アセンブリは、横断通路を備
    え、前記基板対面面は、前記横断通路内に位置している
    請求項１記載の基板処理装置。
  6. 【請求項６】前記基板対面面は、前記横断通路内に移動
    可能に支持されている請求項５記載の基板処理装置。
  7. 【請求項７】処理チャンバを画成するハウジングと、 前記ハウジング内に支持されたプラットフォームであっ
    て、前記処理チャンバ内で前記基板を支持する前記プラ
    ットフォームと、 少なくとも前記基板を処理している時に、少なくとも一
    種のガスを前記処理チャンバ内そして前記基板上に注入
    するガス注入アセンブリであって、前記処理チャンバ内
    の動的圧力を変化させて、前記処理チャンバ内での前記
    基板の処理時間を変化させる基板対面面を備える基板処
    理装置を使用して、前記基板を処理する工程を備えるこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP2001081500A 2000-03-22 2001-03-21 基板処理装置および半導体装置の製造方法 Withdrawn JP2001326219A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/532588 2000-03-22
US09/532,588 US6544339B1 (en) 2000-03-22 2000-03-22 Rectilinear wedge geometry for optimal process control in chemical vapor deposition and rapid thermal processing

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001326219A true JP2001326219A (ja) 2001-11-22

Family

ID=24122382

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001081500A Withdrawn JP2001326219A (ja) 2000-03-22 2001-03-21 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6544339B1 (ja)
EP (1) EP1136589A1 (ja)
JP (1) JP2001326219A (ja)
KR (1) KR20010092667A (ja)
TW (1) TW466643B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100450643B1 (ko) * 2003-09-26 2004-10-01 코닉시스템 주식회사 플라즈마 급속열처리 장치
FR3061914B1 (fr) * 2017-01-16 2019-05-31 Kobus Sas Chambre de traitement pour un reacteur de depot chimique en phase vapeur (cvd) et procede de thermalisation mis en œuvre dans cette chambre

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3696779A (en) * 1969-12-29 1972-10-10 Kokusai Electric Co Ltd Vapor growth device
CH640571A5 (fr) 1981-03-06 1984-01-13 Battelle Memorial Institute Procede et dispositif pour deposer sur un substrat une couche de matiere minerale.
DE3303677C2 (de) 1982-03-06 1985-01-17 Deutsche Forschungs- und Versuchsanstalt für Luft- und Raumfahrt e.V., 5300 Bonn Plasmakanone
US4550684A (en) 1983-08-11 1985-11-05 Genus, Inc. Cooled optical window for semiconductor wafer heating
US4680447A (en) 1983-08-11 1987-07-14 Genus, Inc. Cooled optical window for semiconductor wafer heating
WO1985003460A1 (en) 1984-02-13 1985-08-15 Schmitt Jerome J Iii Method and apparatus for the gas jet deposition of conducting and dielectric thin solid films and products produced thereby
DE3422718A1 (de) 1984-06-19 1986-01-09 Plasmainvent AG, Zug Vakuum-plasma-beschichtungsanlage
US4834022A (en) 1985-11-08 1989-05-30 Focus Semiconductor Systems, Inc. CVD reactor and gas injection system
US4993358A (en) 1989-07-28 1991-02-19 Watkins-Johnson Company Chemical vapor deposition reactor and method of operation
US5155336A (en) 1990-01-19 1992-10-13 Applied Materials, Inc. Rapid thermal heating apparatus and method
US5310260A (en) 1990-04-10 1994-05-10 Luxtron Corporation Non-contact optical techniques for measuring surface conditions
US5204144A (en) 1991-05-10 1993-04-20 Celestech, Inc. Method for plasma deposition on apertured substrates
FR2682047B1 (fr) 1991-10-07 1993-11-12 Commissariat A Energie Atomique Reacteur de traitement chimique en phase gazeuse.
US5453124A (en) 1992-12-30 1995-09-26 Texas Instruments Incorporated Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment
US5444217A (en) * 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
US5366002A (en) 1993-05-05 1994-11-22 Applied Materials, Inc. Apparatus and method to ensure heat transfer to and from an entire substrate during semiconductor processing
US5531835A (en) 1994-05-18 1996-07-02 Applied Materials, Inc. Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber
US5646814A (en) * 1994-07-15 1997-07-08 Applied Materials, Inc. Multi-electrode electrostatic chuck
US5746875A (en) * 1994-09-16 1998-05-05 Applied Materials, Inc. Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
JP3308775B2 (ja) * 1995-08-28 2002-07-29 三菱電機株式会社 Ｃｖｄ装置
US5951896A (en) 1996-12-04 1999-09-14 Micro C Technologies, Inc. Rapid thermal processing heater technology and method of use
US5955383A (en) 1997-01-22 1999-09-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method for controlling etch rate when using consumable electrodes during plasma etching
US6007635A (en) 1997-11-26 1999-12-28 Micro C Technologies, Inc. Platform for supporting a semiconductor substrate and method of supporting a substrate during rapid high temperature processing
US5814365A (en) 1997-08-15 1998-09-29 Micro C Technologies, Inc. Reactor and method of processing a semiconductor substate
US6090212A (en) 1997-08-15 2000-07-18 Micro C Technologies, Inc. Substrate platform for a semiconductor substrate during rapid high temperature processing and method of supporting a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
EP1136589A1 (en) 2001-09-26
TW466643B (en) 2001-12-01
US6544339B1 (en) 2003-04-08
KR20010092667A (ko) 2001-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100446485B1 (ko) 원자 층 증착 공정을 위한 공정 스테이션
TWI718226B (zh) 非金屬性熱化學氣相沉積/原子層沉積氣體注入器與淨化系統
JP3252960B2 (ja) 原子層エピタキシー工程のための半導体薄膜蒸着装置
US5958140A (en) One-by-one type heat-processing apparatus
US20050098107A1 (en) Thermal processing system with cross-flow liner
CN107365976B (zh) 用于注射器至基板的空隙控制的装置及方法
US6352594B2 (en) Method and apparatus for improved chemical vapor deposition processes using tunable temperature controlled gas injectors
JP4772974B2 (ja) パージガスアセンブリ、基板を処理する装置、及び、基板にガスを送出する方法
US20070243317A1 (en) Thermal Processing System and Configurable Vertical Chamber
US6113984A (en) Gas injection system for CVD reactors
US20050121145A1 (en) Thermal processing system with cross flow injection system with rotatable injectors
EP1522090A2 (en) Thermal processing system and configurable vertical chamber
JP2001512789A (ja) ミニ・バッチ式プロセス・チャンバ
EP1535314A2 (en) High rate deposition at low pressures in a small batch reactor
JP3167964B2 (ja) Ｃｖｄリアクタ用ガス注入システム及びガス注入方法
EP1443543B1 (en) Thermal treating apparatus
JP6088659B2 (ja) 基板処理装置及びヒータの温度調節方法
US20020137334A1 (en) Process for producing semiconductor and apparatus for production
JP3665672B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP2001326219A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
TW578215B (en) Method to produce components or its inter-products, vacuum-processing equipment and ultra-high-vacuum CVD-reactor
EP1357202B1 (en) Silicon nitride film forming apparatus and film forming method
KR101395222B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2004311550A (ja) 基板処理装置
KR101200259B1 (ko) 단열 부재가 구비된 가스분사장치 및 이를 포함하는 기판처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20080603