JP2001324544A - Flip-flop circuit for scan pass test - Google Patents

Flip-flop circuit for scan pass test

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JP2001324544A
JP2001324544A JP2000143247A JP2000143247A JP2001324544A JP 2001324544 A JP2001324544 A JP 2001324544A JP 2000143247 A JP2000143247 A JP 2000143247A JP 2000143247 A JP2000143247 A JP 2000143247A JP 2001324544 A JP2001324544 A JP 2001324544A
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control signal
circuit
scan
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Yoshio Tokuno
芳雄 徳野
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve an operating speed. SOLUTION: In a normal operation mode, a control signal sc is set to '1', a control signal scn is set to '0', and a scan data receiving clocked inverter 24 is set to an off-state and separated from a node 25. Clocked inverters 23, 26b, 27 and 28b are turned on and off by control signals dc, dcn, c and cn to receive the normal data DI and to output the data at the prescribed timing. In a shift mode of a scan pass test, the control signal dc is set to '1', the control signal dcn is set to '0', and the data receiving clocked inverter 23 is set to an off-state and separated from the node 25. The inverters 24, 26b, 27 and 28b are turned on and off by the control signals sc, scn, c and cn to receive the scan data SI and to output the data at the prescribed timing.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路に
用いる回路コンポーネントの1つであるスキャンパステ
スト用のフリップフロップ(以下「FF」という。)回
路に関するものである。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a flip-flop (FF) circuit for a scan path test, which is one of circuit components used in a semiconductor integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】図2(a)、(b)は、従来の半導体集
積回路の一例を示す構成図である。図2(a)に示す半
導体集積回路は、複数のデータSI1〜SInを取り込
むFF回路1−11〜1−1nを有し、この出力側に、
各種の論理回路等を組合せた組合せ回路2−1が接続さ
れている。組合せ回路2−1の出力側には、複数のデー
タ取り込み用のFF回路1−21〜1−2nを介して、
次段の組合せ回路2−2が接続されている。組合せ回路
2−2の出力側には、複数のデータ取り込み用のFF回
路1−31〜1−3nが接続され、これらのFF回路1
−31〜1−3nから複数のデータQ1〜Qnが出力さ
れるようになっている。FF回路1−11〜1−1n,
1−21〜1−2n,1−31〜1−3nや組合せ回路
2−1,2−2は、半導体集積回路の構成に応じて任意
の段数が設けられている。
2. Description of the Related Art FIGS. 2A and 2B are configuration diagrams showing an example of a conventional semiconductor integrated circuit. The semiconductor integrated circuit shown in FIG. 2A has FF circuits 1-11 to 1-1n that take in a plurality of data SI1 to SIn.
A combination circuit 2-1 combining various logic circuits and the like is connected. On the output side of the combinational circuit 2-1, via a plurality of FF circuits 1-2 to 1-2 n for taking in data,
The next-stage combinational circuit 2-2 is connected. The output side of the combinational circuit 2-2 is connected with a plurality of data taking-in FF circuits 1-31 to 1-3n.
A plurality of data Q1 to Qn are output from -31 to 1-3n. FF circuits 1-11 to 1-1n,
1-2-1 to 1-2n, 1-31 to 1-3n and combinational circuits 2-1 and 2-2 are provided with an arbitrary number of stages according to the configuration of the semiconductor integrated circuit.

【0003】このような半導体集積回路では、例えば、
複数のデータSI1〜SInが供給されると、これらの
データSI1〜SInがFF回路1−11〜1−1nに
取り込まれ、所定のタイミングで組合せ回路2−1へ送
られる。組合せ回路2−1では、所定の論理動作を行
い、この論理結果を出力する。出力された論理結果は、
次段の複数のFF回路1−21〜1−2nに取り込ま
れ、所定のタイミングで次段の組合せ回路2−2へ送ら
れる。組合せ回路2−2では、所定の論理動作を行い、
この論理結果を出力する。出力された論理結果は、次段
の複数のFF回路1−31〜1−3nに取り込まれ、所
定のタイミングで複数のデータQ1〜Qnが出力され
る。
In such a semiconductor integrated circuit, for example,
When a plurality of data SI1 to SIn are supplied, these data SI1 to SIn are taken into the FF circuits 1-11 to 1-1n and sent to the combinational circuit 2-1 at a predetermined timing. The combinational circuit 2-1 performs a predetermined logical operation and outputs the logical result. The output logical result is
The FF circuits 1-2-1 to 1-2n at the next stage take in the signals and send them to the combination circuit 2-2 at the next stage at a predetermined timing. The combinational circuit 2-2 performs a predetermined logical operation,
This logical result is output. The output logic result is taken into a plurality of FF circuits 1-3-1 to 1-3n at the next stage, and a plurality of data Q1 to Qn are output at a predetermined timing.

【0004】この種の半導体集積回路において、論理動
作のテストを行う場合、所定のテストパターンのデータ
SI1〜SInを供給する。供給されたデータSI1〜
SInは、FF回路1−11〜1−1nに取り込まれ、
組合せ回路2−1、複数のFF回路1−21〜1−2
n、組合せ回路2−2、及び複数のFF回路1−31〜
1−3nにて所定の動作が行われる。この動作結果が複
数のデータQ1〜Qnとして出力されるので、このデー
タQ1〜Qnと期待値とを比較することにより、半導体
集積回路の論理動作が正しく行われたか否かのテストが
行える。
In this type of semiconductor integrated circuit, when performing a logical operation test, data SI1 to SIn of a predetermined test pattern are supplied. The supplied data SI1
SIn is taken into the FF circuits 1-11 to 1-1n,
Combination circuit 2-1, a plurality of FF circuits 1-2-1 to 1-2
n, combinational circuit 2-2, and a plurality of FF circuits 1-31 to 31-31
A predetermined operation is performed in 1-3n. The operation result is output as a plurality of data Q1 to Qn. By comparing the data Q1 to Qn with expected values, a test can be performed as to whether or not the logic operation of the semiconductor integrated circuit has been performed correctly.

【0005】このようなテスト方法では、例えば、複数
のFF回路1−21〜1−2nの値は、前段の組合せ回
路2−1により確定される。各回路部分が正常に動作す
るか否かをテストするには、半導体集積回路を構成する
全ての回路部分の組合せを考慮した膨大なテストパター
ンのデータSI1〜SInが必要になる。そこで、テス
トの容易化を図るために、図2(b)に示すようなスキ
ャンパステスト方法が提案されている。
In such a test method, for example, the values of the plurality of FF circuits 1-2-1 to 1-2n are determined by the preceding combination circuit 2-1. In order to test whether or not each circuit portion operates normally, a huge amount of test pattern data SI1 to SIn in consideration of a combination of all circuit portions constituting the semiconductor integrated circuit is required. Therefore, to facilitate the test, a scan path test method as shown in FIG. 2B has been proposed.

【0006】図2(b)に示す半導体集積回路では、F
F回路1−11〜1−1n,1−21〜1−2n,1−
31〜1−3n,…をスキャンパステスト用のFF回路
1A−11〜1A−1n,1A−21〜1A−2n,1
A−31〜1A−3n,…に置き換え、これらの全ての
FF回路1A−11〜1A−1n,1A−21〜1A−
2n,1A−31〜1A−3n,…を縦続接続してい
る。
In the semiconductor integrated circuit shown in FIG.
F circuits 1-11 to 1-1n, 1-21 to 1-2n, 1-
, 31-1 to 3n, ... are FF circuits 1A-11 to 1A-1n, 1A-21 to 1A-2n, 1 for scan path test.
, And all of these FF circuits 1A-11 to 1A-1n, 1A-21 to 1A-
2n, 1A-31 to 1A-3n,... Are connected in cascade.

【0007】図3は、図2(b)に示す各スキャンパス
テスト用FF回路1A−11〜1A−1n,1A−21
〜1A−2n,1A−31〜1A−3n,…の一例を示
す構成図である。このスキャンパステスト用FF回路1
Aは、データDIを入力するデータ入力端子11、及び
スキャンデータSIを入力するスキャンデータ入力端子
12を有し、これらの端子11,12に2入力1出力の
セレクタ13が接続されている。セレクタ13は、セレ
クタ制御信号SELに応答して、入力されるデータDI
又はスキャンデータSIのいずれか一方を選択してデー
タDとして出力するものであり、この出力側に遅延型F
F(以下「D−FF」という。)14のデータ入力端子
14aが接続されている。D−FF14は、クロック入
力端子14bに入力されるクロック信号CKに同期し
て、データ入力端子14aよりデータDを取り込み、所
定のタイミングでデータ出力端子14cより遅延したデ
ータQを出力する回路である。
FIG. 3 shows the scan path test FF circuits 1A-11 to 1A-1n and 1A-21 shown in FIG.
1A to 2A, 1A-31 to 1A-3n,... This scan path test FF circuit 1
A has a data input terminal 11 for inputting data DI and a scan data input terminal 12 for inputting scan data SI, and a selector 13 having two inputs and one output is connected to these terminals 11 and 12. The selector 13 receives the input data DI in response to the selector control signal SEL.
Alternatively, one of the scan data SI is selected and output as data D, and a delay type F
The data input terminal 14a of the F (hereinafter referred to as "D-FF") 14 is connected. The D-FF 14 is a circuit that fetches data D from the data input terminal 14a and outputs data Q delayed from the data output terminal 14c at a predetermined timing in synchronization with the clock signal CK input to the clock input terminal 14b. .

【0008】図2(b)の半導体集積回路では、セレク
タ制御信号SELを切り替えることにより、通常の動作
時には、通常のデータSI1〜SInをFF回路1A−
11〜1A−1nに取り込み、スキャンパステスト時に
は、スキャンデータSIをFF回路1A−11に取り込
む。FF回路1A−11に取り込まれたスキャンデータ
SIは、FF回路1A−12〜1A−1n,1A−21
〜1A−2n,1A−31〜1A−3n,…へ順次シフ
トされていく。これにより、外部より供給されたスキャ
ンデータSIを直接FF回路1A−11〜1A−1n,
1A−21〜1A−2n,1A−31〜1A−3n,…
に設定できるため、少ないテストパターンの組合せによ
り、半導体集積回路における各回路部分が正常に動作す
るか否かのテストが行える。
In the semiconductor integrated circuit of FIG. 2B, by switching the selector control signal SEL, during normal operation, normal data SI1 to SIn are transferred to the FF circuit 1A-.
The scan data SI is taken into the FF circuit 1A-11 at the time of the scan path test. The scan data SI captured by the FF circuits 1A-11 are the FF circuits 1A-12 to 1A-1n and 1A-21.
-1A-2n, 1A-31-1A-3n,... As a result, the scan data SI supplied from the outside is directly transferred to the FF circuits 1A-11 to 1A-1n,
1A-21 to 1A-2n, 1A-31 to 1A-3n, ...
Therefore, it is possible to test whether or not each circuit portion in the semiconductor integrated circuit operates normally by using a small number of test pattern combinations.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
スキャンパステスト用FF回路1Aでは、データDI又
はスキャンデータSIの入力を選択するために、D−F
F14の入力側にセレクタ13を設けているので、FF
回路1Aのセットアップ時間が増大し、このFF回路1
Aを適用した図2(b)の半導体集積回路における最大
動作速度が低下してしまうという課題があった。本発明
は、前記従来技術がもっていた課題を解決し、高速化が
可能なスキャンパステスト用FF回路を提供することを
目的とする。
However, in the conventional scan path test FF circuit 1A, the DF circuit is required to select the input of the data DI or the scan data SI.
Since the selector 13 is provided on the input side of F14,
The setup time of the circuit 1A increases, and the FF circuit 1
There is a problem that the maximum operation speed in the semiconductor integrated circuit of FIG. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the problems of the prior art and to provide a scan path test FF circuit capable of high-speed operation.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のうちの第1の発明は、スキャンパステスト
用FF回路において、レベルの異なる第1及び第2の電
位をもつ第1の制御信号の遷移に応答して通常動作モー
ド時の通常データを取り込んで所定のタイミングでノー
ドへ出力するデータ取り込み手段と、レベルの異なる第
1及び第2の電位をもつ第2の制御信号の遷移に応答し
てスキャンパステストのシフトモード時のスキャンデー
タを取り込んで所定のタイミングで前記ノードへ出力す
るスキャンデータ取り込み手段と、レベルの異なる第1
及び第2の電位をもつ第3の制御信号の遷移に応答して
前記ノード上のデータをラッチして所定のタイミングで
出力するラッチ手段と、を有している。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a scan path test FF circuit having first and second potentials having different levels of first and second potentials. A data fetching means for fetching normal data in the normal operation mode in response to the transition of the control signal and outputting the data to the node at a predetermined timing; and a second control signal having first and second potentials having different levels. A scan data acquisition means for acquiring scan data in a shift mode of a scan path test in response to a transition and outputting the scan data to the node at a predetermined timing;
And latch means for latching data on the node in response to a transition of a third control signal having a second potential and outputting the data at a predetermined timing.

【0011】このような構成を採用したことにより、通
常動作モード時には、第1の制御信号の遷移に応答して
通常のデータがデータ取り込み手段によって取り込ま
れ、所定のタイミングでノードへ出力される。ノードへ
出力されたデータは、第3の制御信号の遷移に応答して
ラッチ手段にラッチされ、所定のタイミングで出力され
る。また、スキャンパステストのシフトモード時には、
第2の制御信号の遷移に応答してスキャンデータがスキ
ャンデータ取り込み手段に取り込まれ、所定のタイミン
グでノードへ出力される。ノードへ出力されたスキャン
データは、第3の制御信号の遷移に応答してラッチ手段
にラッチされ、所定のタイミングで出力される。
By adopting such a configuration, in the normal operation mode, normal data is fetched by the data fetching means in response to the transition of the first control signal, and is output to the node at a predetermined timing. The data output to the node is latched by the latch means in response to the transition of the third control signal, and is output at a predetermined timing. In shift mode of scan path test,
In response to the transition of the second control signal, the scan data is fetched by the scan data fetching means and output to the node at a predetermined timing. The scan data output to the node is latched by the latch means in response to the transition of the third control signal, and is output at a predetermined timing.

【0012】第2の発明は、第1の発明のスキャンパス
テスト用FF回路において、前記ラッチ手段は、前記第
3の制御信号の遷移に応答して前記ノード上のデータを
ラッチして所定のタイミングで出力する第1のラッチ回
路と、前記第3の制御信号の遷移に応答して前記第1の
ラッチ回路の出力データを転送する転送回路と、前記第
3の制御信号の遷移に応答して前記転送回路の出力デー
タをラッチして所定のタイミングで出力する第2のラッ
チ回路と、で構成している。これにより、第1の制御信
号の遷移に応答して、ノード上のデータが第1のラッチ
回路にラッチされ、このラッチされたデータが転送回路
で転送され、第2のラッチ回路にラッチされた後、所定
のタイミングで出力される。
According to a second aspect, in the scan path test FF circuit according to the first aspect, the latch means latches data on the node in response to a transition of the third control signal and performs a predetermined operation. A first latch circuit that outputs at a timing; a transfer circuit that transfers output data of the first latch circuit in response to a transition of the third control signal; and a transfer circuit that responds to a transition of the third control signal. A second latch circuit for latching the output data of the transfer circuit and outputting the latched data at a predetermined timing. Thereby, the data on the node is latched by the first latch circuit in response to the transition of the first control signal, and the latched data is transferred by the transfer circuit and latched by the second latch circuit. Thereafter, it is output at a predetermined timing.

【0013】第3の発明は、第1又は第2の発明のスキ
ャンパステスト用FF回路において、前記スキャンデー
タ取り込み手段の出力端子と、前記ノードとの間は、メ
タルマスクの入れ替えにより接続又は断線が可能なメタ
ル配線で結線している。これにより、メタルマスクの入
れ替えによって容易にメタル配線を接続したり、あるい
は切り離すことが可能となる。このスキャンパステスト
用FF回路を半導体集積回路に組み込んだ場合、所望の
動作速度が得られない時には、メタル配線を切り離すこ
とによってデータ取り込み手段の出力負荷を少なくする
ことにより、動作速度の向上が図れる。
According to a third aspect of the present invention, in the scan path test FF circuit according to the first or second aspect, the output terminal of the scan data capturing means and the node are connected or disconnected by exchanging a metal mask. Are connected by metal wiring that can be used. This makes it possible to easily connect or disconnect the metal wiring by replacing the metal mask. When a desired operation speed cannot be obtained when this scan path test FF circuit is incorporated in a semiconductor integrated circuit, the operation load can be improved by reducing the output load of the data capturing means by disconnecting the metal wiring. .

【0014】第4の発明では、第1、第2又は第3の発
明のスキャンパステスト用FF回路において、前記デー
タ取り込み手段及び前記スキャンデータ取り込み手段
は、クロックドインバータでそれぞれ構成している。こ
れにより、第1及び第2の制御信号によって通常のデー
タ又はスキャンデータのいずれか一方を簡単に取り込め
る。
According to a fourth aspect of the present invention, in the scan path test FF circuit according to the first, second or third aspect, the data capturing means and the scan data capturing means are each constituted by a clocked inverter. Thereby, either the normal data or the scan data can be easily taken in by the first and second control signals.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】(第1の実施形態)図1は、本発
明の第1の実施形態を示すマスタスレーブ型のスキャン
パステスト用FF回路の構成図である。このマスタスレ
ーブ型のスキャンパステスト用FF回路は、通常のデー
タDIを入力するデータ入力端子21、及びスキャンデ
ータSIを入力するスキャンデータ入力端子22を有し
ている。データ入力端子21に、データ取り込み手段
(例えば、クロックドインバータ)23が接続され、さ
らにスキャンデータ入力端子22に、スキャンデータ取
り込み手段(例えば、クロックドインバータ)24が接
続されている。データ取り込み用のクロックドインバー
タ23は、相補的な第1の制御信号dc,dcnによっ
て制御され、この制御信号dcが論理値“0”(制御信
号dcnが論理値“1”)の時にオン状態となって入力
データDIを反転して出力し、制御信号dcが“1”
(制御信号dcnが“0”)の時にオフ状態となる回路
である。スキャンデータ取り込み用のクロックドインバ
ータ24は、相補的な第2の制御信号sc,scnによ
って制御され、この制御信号scが“0”(制御信号s
cnが“1”)の時にオン状態となって入力スキャンデ
ータSIを反転して出力し、制御信号scが“1”(制
御信号scnが“0”)の時にオフ状態となる回路であ
る。
(First Embodiment) FIG. 1 is a configuration diagram of a master-slave type scan path test FF circuit according to a first embodiment of the present invention. This master-slave scan path test FF circuit has a data input terminal 21 for inputting normal data DI and a scan data input terminal 22 for inputting scan data SI. The data input terminal 21 is connected to a data capturing unit (for example, a clocked inverter) 23, and the scan data input terminal 22 is connected to a scan data capturing unit (for example, a clocked inverter) 24. The clocked inverter 23 for taking in data is controlled by complementary first control signals dc and dcn, and is turned on when the control signal dc has a logical value “0” (the control signal dcn has a logical value “1”). And the input data DI is inverted and output, and the control signal dc becomes "1".
This is a circuit that is turned off when the control signal dcn is “0”. The clocked inverter 24 for taking in scan data is controlled by complementary second control signals sc and scn, and this control signal sc is set to “0” (control signal s
This circuit is turned on when cn is "1", inverts and outputs the input scan data SI, and is turned off when the control signal sc is "1" (control signal scn is "0").

【0016】クロックドインバータ23及び24の出力
端子には、ノード25を介してラッチ手段が接続されて
いる。このラッチ手段は、相補的な第3の制御信号c,
cnの遷移に応答してノード25上のデータをラッチし
て所定のタイミングでデータ出力端子29へ出力する回
路であり、第1のラッチ回路26、転送回路(例えば、
クロックドインバータ)27、及び第2のラッチ回路2
8により構成されている。
The output terminals of the clocked inverters 23 and 24 are connected to latch means via a node 25. This latch means provides a complementary third control signal c,
This is a circuit that latches the data on the node 25 in response to the transition of cn and outputs the data to the data output terminal 29 at a predetermined timing.
Clocked inverter) 27, and second latch circuit 2
8.

【0017】第1のラッチ回路26は、相補的な第3の
制御信号c,cnの遷移に応答してノード25上のデー
タをラッチして所定のタイミングで出力する回路であ
り、ノード25に接続されたインバータ26aと、この
インバータ26aの入力端子と出力端子との間に接続さ
れたクロックドインバータ26bとで構成されている。
インバータ26aの出力端子には、転送用のクロックド
インバータ27を介して、第2のラッチ回路28が接続
されている。第2のラッチ回路28は、第3の制御信号
c,cnの遷移に応答してクロックドインバータ27の
出力データをラッチして所定のタイミングでデータ出力
端子29へ出力する回路であり、クロックドインバータ
27の出力端子に接続されたインバータ28aと、この
インバータ28aの出力端子と入力端子との間に接続さ
れたクロックドインバータ28bとで構成されている。
The first latch circuit 26 is a circuit that latches data on the node 25 in response to transitions of the complementary third control signals c and cn and outputs the data at a predetermined timing. It comprises a connected inverter 26a and a clocked inverter 26b connected between the input terminal and the output terminal of the inverter 26a.
A second latch circuit 28 is connected to an output terminal of the inverter 26a via a clocked inverter 27 for transfer. The second latch circuit 28 is a circuit that latches output data of the clocked inverter 27 in response to transition of the third control signals c and cn and outputs the latched data to the data output terminal 29 at a predetermined timing. An inverter 28a is connected to the output terminal of the inverter 27, and a clocked inverter 28b is connected between the output terminal and the input terminal of the inverter 28a.

【0018】図4は、図1の制御信号dc,dcn,s
c,scn,c,cnを生成するための制御信号生成回
路の一例を示す構成図である。この制御信号生成回路
は、クロック信号CLKを反転して第3の制御信号cn
を出力するインバータ31と、クロック信号CLK及び
スキャン信号SCANを入力して第3の制御信号dcn
を出力する2入力NORゲート32と、スキャン信号S
CANを反転するインバータ33と、クロック信号CL
K及びインバータ33の出力信号を入力して第2の制御
信号scnを出力する2入力NORゲート34とを有し
ている。インバータ31の出力端子には、制御信号cn
を反転して第3の制御信号cを出力するインバータ35
が接続されている。NORゲート32の出力端子には、
制御信号dcnを反転して第1の制御信号dcを出力す
るインバータ36が接続されている。NORゲート34
の出力端子には、制御信号scnを反転して第2の制御
信号scを出力するインバータ37が接続されている。
FIG. 4 shows the control signals dc, dcn, s of FIG.
FIG. 3 is a configuration diagram illustrating an example of a control signal generation circuit for generating c, scn, c, and cn. This control signal generation circuit inverts the clock signal CLK to generate a third control signal cn.
And a third control signal dcn by inputting the clock signal CLK and the scan signal SCAN.
And a scan signal S
An inverter 33 for inverting CAN and a clock signal CL
And a two-input NOR gate 34 that inputs the output signal of the inverter 33 and outputs the second control signal scn. The output terminal of the inverter 31 has a control signal cn
35 that inverts and outputs a third control signal c
Is connected. The output terminal of the NOR gate 32
An inverter 36 that inverts the control signal dcn and outputs a first control signal dc is connected. NOR gate 34
Is connected to an inverter 37 that inverts the control signal scn and outputs a second control signal sc.

【0019】この制御信号生成回路では、クロック信号
CLK及びスキャン信号SCANが入力されると、この
クロック信号CLKがインバータ31によって反転さ
れ、制御信号cnが出力されると共に、該制御信号cn
がインバータ35で反転されて制御信号cが出力され
る。スキャン信号SCANが“0”の時には、NORゲ
ート32がオン状態となり、クロック信号CLKが該N
ORゲート32で反転されて制御信号dcnが出力され
ると共に、この制御信号dcnがインバータ36で反転
されて制御信号dcが出力される。この時、スキャン信
号SCANがインバータ33で反転されるので、NOR
ゲート34がオフ状態となる。スキャン信号SCANが
“1”の時は、NORゲート32がオフ状態になるのに
対し、NORゲート34がオン状態になる。NORゲー
ト34がオン状態になると、クロック信号CLKが該N
ORゲート34で反転されて制御信号scnが出力され
ると共に、この制御信号scnがインバータ37で反転
されて制御信号scが出力される。
In this control signal generation circuit, when the clock signal CLK and the scan signal SCAN are input, the clock signal CLK is inverted by the inverter 31 to output the control signal cn, and the control signal cn
Are inverted by the inverter 35 to output the control signal c. When the scan signal SCAN is “0”, the NOR gate 32 is turned on, and the clock signal CLK is
The control signal dcn is output after being inverted by the OR gate 32, and the control signal dc is output after being inverted by the inverter 36. At this time, since scan signal SCAN is inverted by inverter 33, NOR
Gate 34 is turned off. When the scan signal SCAN is "1", the NOR gate 32 is turned off, whereas the NOR gate 34 is turned on. When the NOR gate 34 is turned on, the clock signal CLK becomes N
The control signal scn is output after being inverted by the OR gate 34, and the control signal sc is output after being inverted by the inverter 37.

【0020】図5は、図1のクロックドインバータ23
の一例を示す構成図である。このクロックドインバータ
23は、制御信号dcを反転するインバータ41を有
し、このインバータ41の出力端子にNチャネル型MO
Sトランジスタ(以下「NMOS」という。)42のゲ
ートが接続されている。NMOS42のドレインには電
源電位VCCが接続されている。NMOS42のソース
とノード25との間には、Pチャネル型MOSトランジ
スタ(以下「PMOS」という。)43が接続され、こ
のPMOS43のゲートにデータ入力端子21が接続さ
れている。ノード25とグランドGNDとの間には、2
個のNMOS44,45が直列接続されている。NMO
S44のゲートには、データ入力端子21が接続されて
いる。NMOS45のゲートには、制御信号dcnが入
力されるようになっている。
FIG. 5 shows the clocked inverter 23 of FIG.
FIG. 3 is a configuration diagram illustrating an example of the configuration. The clocked inverter 23 has an inverter 41 for inverting the control signal dc.
The gate of an S transistor (hereinafter referred to as “NMOS”) 42 is connected. The power supply potential VCC is connected to the drain of the NMOS 42. A P-channel MOS transistor (hereinafter referred to as “PMOS”) 43 is connected between the source of the NMOS 42 and the node 25, and the gate of the PMOS 43 is connected to the data input terminal 21. 2 between the node 25 and the ground GND
NMOS transistors 44 and 45 are connected in series. NMO
The data input terminal 21 is connected to the gate of S44. The control signal dcn is input to the gate of the NMOS 45.

【0021】このクロックドインバータ23では、入力
される制御信号dcが“0”(制御信号dcnが
“1”)の時に、該制御信号dcがインバータ41で反
転されて“1”となり、NMOS42がオン状態にな
る。この時、制御信号dcnが“1”のため、NMOS
45もオン状態となる。これにより、データ入力端子2
1に入力されるデータDIが“0”の時には、PMOS
43がオン状態、NMOS44がオフ状態となり、ノー
ド25が“1”となる。データDIが“1”の時には、
PMOS43がオフ状態、NMOS44がオン状態とな
り、ノード25が“0”となる。
In the clocked inverter 23, when the input control signal dc is "0" (the control signal dcn is "1"), the control signal dc is inverted by the inverter 41 to become "1", and the NMOS 42 is turned on. It turns on. At this time, since the control signal dcn is “1”, the NMOS
45 is also turned on. Thereby, the data input terminal 2
When the data DI input to "1" is "0", the PMOS
43 is turned on, the NMOS 44 is turned off, and the node 25 becomes “1”. When the data DI is “1”,
The PMOS 43 is turned off, the NMOS 44 is turned on, and the node 25 becomes “0”.

【0022】図1の他のクロックドインバータ24,2
6b,27,28bは、図5と同様の構成である。図6
(a)、(b)は図1に示すスキャンパステスト用FF
回路の動作を説明するためのタイミングチャートであ
り、同図(a)は通常動作モード時のタイミングチャー
ト、及び同図(b)はスキャンパステストのシフトモー
ド時のタイミングチャートである。以下、この図6
(a)、(b)を参照しつつ、通常動作モード時の動作
(A)と、スキャンパステストのシフトモード時の動作
(B)とを説明する。
The other clocked inverters 24, 2 in FIG.
6b, 27, and 28b have the same configuration as in FIG. FIG.
(A) and (b) are scan path test FFs shown in FIG.
4A and 4B are timing charts for explaining the operation of the circuit. FIG. 4A is a timing chart in a normal operation mode, and FIG. 4B is a timing chart in a shift mode of a scan path test. Hereinafter, FIG.
The operation (A) in the normal operation mode and the operation (B) in the shift mode of the scan path test will be described with reference to (a) and (b).

【0023】(A) 通常動作モード時の動作(図6
(a)) 制御信号scを“1”、制御信号scnを“0”に設定
する。これにより、クロックドインバータ24がオフ状
態になり、このクロックドインバータ24がノード25
から切り離された状態になる。制御信号dc,cが
“0”に立ち下がると共に、制御信号dcn,cnが
“1”に立ち上がると、クロックドインバータ23,2
8bがオン状態、クロックドインバータ26b,27が
オフ状態になる。これにより、データ入力端子21に供
給されたデータDIがクロックドインバータ23に取り
込まれる。次に、制御信号dc,cが“1”に立ち上が
ると共に、制御信号dcn,cnが“0”に立ち下がる
と、クロックドインバータ23,28bがオフ状態、ク
ロックドインバータ26b,27がオン状態となる。こ
れにより、取り込まれたデータDIが、データQの形で
データ出力端子29から出力される。従って、図1のF
F回路は、通常のマスタスレーブ型FF回路として動作
する。
(A) Operation in Normal Operation Mode (FIG. 6)
(A)) The control signal sc is set to "1" and the control signal scn is set to "0". As a result, clocked inverter 24 is turned off, and this clocked inverter 24
It becomes a state disconnected from. When the control signals dc, c fall to “0” and the control signals dcn, cn rise to “1”, the clocked inverters 23, 2
8b is turned on, and the clocked inverters 26b and 27 are turned off. As a result, the data DI supplied to the data input terminal 21 is taken into the clocked inverter 23. Next, when the control signals dc and c rise to "1" and the control signals dcn and cn fall to "0", the clocked inverters 23 and 28b are turned off and the clocked inverters 26b and 27 are turned on. Become. Thus, the fetched data DI is output from the data output terminal 29 in the form of data Q. Therefore, F in FIG.
The F circuit operates as a normal master-slave FF circuit.

【0024】(B) スキャンパステストのシフトモー
ド時の動作(図6(b)) 制御信号dcを“1”、及び制御信号dcnを“0”に
設定すると、クロックドインバータ23がオフ状態にな
り、このクロックドインバータ23がノード25から切
り離された状態になる。制御信号sc,cが“0”に立
ち下がると共に、制御信号scn,cnが“1”に立ち
上がると、クロックドインバータ24,28bがオン状
態、クロックドインバータ26b,27がオフ状態にな
る。これにより、スキャンデータ入力端子22に供給さ
れたスキャンデータSIが、クロックドインバータ24
に取り込まれる。次に、制御信号sc,cが“1”に立
ち上がると共に、制御信号scn,cnが“0”に立ち
下がると、クロックドインバータ24,28bがオフ状
態、クロックドインバータ26b,27がオン状態にな
る。これにより、取り込まれたスキャンデータSIが、
データQの形でデータ出力端子29から出力される。よ
って、図1のスキャンパステスト用FF回路を用いて図
2(b)のような半導体集積回路を構成すれば、この半
導体集積回路のスキャンパステストが行える。
(B) Operation in Shift Mode of Scan Path Test (FIG. 6 (b)) When the control signal dc is set to "1" and the control signal dcn is set to "0", the clocked inverter 23 is turned off. Thus, the clocked inverter 23 is disconnected from the node 25. When the control signals sc and c fall to "0" and the control signals scn and cn rise to "1", the clocked inverters 24 and 28b are turned on and the clocked inverters 26b and 27 are turned off. As a result, the scan data SI supplied to the scan data input terminal 22 is
It is taken in. Next, when the control signals sc and c rise to "1" and the control signals scn and cn fall to "0", the clocked inverters 24 and 28b are turned off and the clocked inverters 26b and 27 are turned on. Become. As a result, the acquired scan data SI becomes
The data is output from the data output terminal 29 in the form of data Q. Therefore, when a semiconductor integrated circuit as shown in FIG. 2B is configured using the scan path test FF circuit of FIG. 1, a scan path test of this semiconductor integrated circuit can be performed.

【0025】この第1の実施形態では、次のような効果
がある。従来の図3のようなスキャンパステスト用FF
回路内のセレクタ13を取り除き、1個のクロックドイ
ンバータ24をスキャンデータ入力端子22に接続した
ので、セレクタ13の分だけデータ伝搬に要する時間
(即ち、セレクタ13を通る時のデータの伝搬遅延時
間)を削減でき、かつ動作は従来の図3のようなスキャ
ンパステスト用FF回路と同等の動作が保証できる。こ
のため、本実施形態のスキャンパステスト用FF回路を
用いて図2(b)のような半導体集積回路を構成すれ
ば、該スキャンパステスト用FF回路のセットアップ時
間が増大せず、半導体集積回路の動作速度を高速化でき
る。
The first embodiment has the following effects. Conventional FF for scan path test as shown in FIG.
Since the selector 13 in the circuit is removed and one clocked inverter 24 is connected to the scan data input terminal 22, the time required for data propagation by the amount of the selector 13 (ie, the data propagation delay time when passing through the selector 13) ) Can be reduced, and the same operation as that of the conventional scan path test FF circuit as shown in FIG. 3 can be guaranteed. Therefore, if a semiconductor integrated circuit as shown in FIG. 2B is configured using the scan path test FF circuit of the present embodiment, the setup time of the scan path test FF circuit does not increase, and the semiconductor integrated circuit Operation speed can be increased.

【0026】(第2の実施形態)図7は、本発明の第2
の実施形態を示すスキャンパステスト用FF回路の構成
図であり、第1の実施形態を示す図1中の要素と共通の
要素には共通の符号が付されている。この第2の実施形
態のスキャンパステスト用FF回路では、スキャンデー
タ取り込み用のクロックドインバータ24の出力端子と
ノード25との間を、メタルマスクの入れ替えにより接
続又は断線が可能なメタル配線30で結線している。そ
の他の構成は、第1の実施形態と同様である。クロック
ドインバータ24の出力端子とノード25とがメタル配
線30で結線されている場合、第1の実施形態を示す図
1と同一の回路となり、第1の実施形態と同様の動作を
行う。一方、メタルマスクの入れ替えによってメタル配
線30を取り除くと、通常のマスタスレーブ型FF回路
と同様の動作を行う。
(Second Embodiment) FIG. 7 shows a second embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a configuration diagram of a scan path test FF circuit according to the first embodiment, in which components common to those in FIG. 1 according to the first embodiment are denoted by common reference numerals. In the scan path test FF circuit according to the second embodiment, the metal wiring 30 that can be connected or disconnected by exchanging a metal mask connects the output terminal of the clocked inverter 24 for taking in scan data and the node 25. Connected. Other configurations are the same as those of the first embodiment. When the output terminal of the clocked inverter 24 and the node 25 are connected by the metal wiring 30, the circuit is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 1, and performs the same operation as that of the first embodiment. On the other hand, when the metal wiring 30 is removed by exchanging the metal mask, the same operation as that of a normal master-slave FF circuit is performed.

【0027】この第2の実施形態では、次のような効果
がある。メタルマスクの入れ替えによって容易にメタル
配線30を接続したり、あるいは切り離すことができ
る。このスキャンパステスト用FF回路を用いて例えば
図2(b)のような半導体集積回路を設計し、この半導
体集積回路の動作速度を測定した結果、所望の動作速度
が得られない時には、メタルマスクの入れ替えによって
メタル配線30を切り離し、ノード25からクロックド
インバータ24を見た配線容量の負荷を少なくする。こ
れにより、動作速度を上げることができるので、スキャ
ンパステスト用としては用いることができないが、通常
の半導体集積回路として使用することが可能となる。
The second embodiment has the following effects. The metal wiring 30 can be easily connected or disconnected by exchanging the metal mask. Using the scan path test FF circuit, a semiconductor integrated circuit as shown in FIG. 2B is designed, and as a result of measuring the operation speed of the semiconductor integrated circuit, if a desired operation speed cannot be obtained, a metal mask is used. The metal wiring 30 is cut off by replacing the wiring, and the load on the wiring capacitance when the clocked inverter 24 is viewed from the node 25 is reduced. As a result, the operation speed can be increased, so that it cannot be used for a scan path test, but can be used as a normal semiconductor integrated circuit.

【0028】(変形例)なお、本発明は上記実施形態に
限定されず、種々の変形が可能である。この変形例とし
ては、例えば、次の(a)〜(c)のようなものがあ
る。 (a) データ取り込み手段及びスキャンデータ取り込
み手段は、それぞれクロックドインバータ23,24で
構成したが、他の回路で構成してもよい。例えば、電界
効果トランジスタ(FET)等のトランジスタを並列接
続した構成のトランスファゲート等で構成してもよい。 (b) 第1及び第2のラッチ回路26,28及び転送
回路用のクロックドインバータ27は、トランスファゲ
ート等の他の回路で構成してもよい。また、ノード25
に接続されるラッチ手段を、第1、第2のラッチ回路2
6,28及び転送回路用のクロックドインバータ27に
代えて、他のFFで構成してもよい。 (c) メタル配線30は、メタルマスクの入れ替えに
より接続又は断線が可能な構成にしたが、このようなメ
タルマスクの入れ替えに代えて、他の方法でメタル配線
30の接続又は断線が可能な構成にすることも可能であ
る。
(Modifications) The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible. For example, there are the following modifications (a) to (c). (A) The data fetching means and the scan data fetching means are constituted by the clocked inverters 23 and 24, respectively, but may be constituted by other circuits. For example, a transfer gate having a configuration in which transistors such as a field effect transistor (FET) are connected in parallel may be used. (B) The first and second latch circuits 26 and 28 and the clocked inverter 27 for the transfer circuit may be constituted by another circuit such as a transfer gate. Node 25
Latch means connected to the first and second latch circuits 2
Instead of the clocked inverters 6 and 28 and the clocked inverter 27 for the transfer circuit, another FF may be used. (C) The metal wiring 30 is configured such that connection or disconnection can be performed by replacing the metal mask. However, instead of such replacement of the metal mask, the connection or disconnection of the metal wiring 30 can be performed by another method. It is also possible to

【0029】[0029]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、第1及び第
2の発明によれば、従来のようなデータ取り込み手段の
入力側に設けられるセレクタを取り除き、スキャンデー
タ取り込み手段をデータ取り込み手段と並列に接続した
ので、従来のようなセレクタの分だけデータ伝搬に要す
る時間を削減できる。これにより、従来のようなセレク
タを設けることによるセットアップ時間の増大を防止で
きる。従って、本発明のスキャンパステスト用FF回路
を用いて半導体集積回路を構成した場合、この半導体集
積回路の高速化が可能となる。
As described above in detail, according to the first and second aspects of the present invention, the selector provided on the input side of the conventional data capturing means is removed, and the scan data capturing means is replaced with the data capturing means. Since they are connected in parallel, the time required for data propagation can be reduced by the amount of the selector as in the related art. Thus, it is possible to prevent an increase in setup time due to the provision of the conventional selector. Therefore, when a semiconductor integrated circuit is configured using the scan path test FF circuit of the present invention, the speed of the semiconductor integrated circuit can be increased.

【0030】第3の発明によれば、スキャンデータ取り
込み手段の出力端子とノードとの間を、メタル配線で結
線したので、メタルマスクの入れ替えによって容易にメ
タル配線を接続したり、あるいは切り離すことができ
る。このため、例えば、本発明のスキャンパステスト用
FF回路を用いて半導体集積回路を設計し、この半導体
集積回路の動作速度を測定した結果、動作速度が遅けれ
ば、メタル配線を切り離すことによってノードに接続さ
れる配線容量の負荷を少なくし、動作速度を向上させる
ことができる。これにより、半導体集積回路のスキャン
パステストは行えないが、通常の半導体集積回路の動作
及び効果を期待できる。第4の発明によれば、データ取
り込み手段及びスキャンデータ取り込み手段をクロック
ドインバータでそれぞれ構成したので、データの取り込
みが簡単かつ的確に行える。
According to the third aspect, since the metal wiring is used to connect the output terminal of the scan data capturing means and the node, the metal wiring can be easily connected or disconnected by exchanging the metal mask. it can. For this reason, for example, a semiconductor integrated circuit is designed using the scan path test FF circuit of the present invention, and the operation speed of the semiconductor integrated circuit is measured. The load on the connected wiring capacitance can be reduced, and the operation speed can be improved. As a result, the scan path test of the semiconductor integrated circuit cannot be performed, but the operation and effect of a normal semiconductor integrated circuit can be expected. According to the fourth aspect, since the data fetching means and the scan data fetching means are each constituted by a clocked inverter, data fetching can be performed easily and accurately.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態を示すスキャンパステ
スト用FF回路の構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a scan path test FF circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】従来の半導体集積回路の一例を示す構成図であ
る。
FIG. 2 is a configuration diagram illustrating an example of a conventional semiconductor integrated circuit.

【図3】図2(b)における従来のスキャンパステスト
用FF回路1Aの一例を示す構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram showing an example of a conventional scan path test FF circuit 1A in FIG. 2B.

【図4】図1の制御信号を生成するための制御信号生成
回路の一例を示す構成図である。
FIG. 4 is a configuration diagram illustrating an example of a control signal generation circuit for generating the control signal of FIG. 1;

【図5】図1のクロックドインバータ23の一例を示す
構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram illustrating an example of a clocked inverter 23 in FIG. 1;

【図6】図1のスキャンパステスト用FF回路の動作を
説明するタイミングチャートである。
FIG. 6 is a timing chart illustrating the operation of the scan path test FF circuit of FIG. 1;

【図7】本発明の第2の実施形態を示すスキャンパステ
スト用FF回路の構成図である。
FIG. 7 is a configuration diagram of a scan path test FF circuit according to a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

23 データ取り込み用クロックドインバータ 24 スキャンデータ取り込み用クロックドインバー
タ 25 ノード 26 第1のラッチ回路 27 転送用クロックドインバータ 28 第2のラッチ回路 30 メタル配線
23 Clocked Inverter for Data Capture 24 Clocked Inverter for Scan Data Capture 25 Node 26 First Latch Circuit 27 Clocked Inverter for Transfer 28 Second Latch Circuit 30 Metal Wiring

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レベルの異なる第1及び第2の電位をも
つ第1の制御信号の遷移に応答して通常動作モード時の
通常データを取り込んで所定のタイミングでノードへ出
力するデータ取り込み手段と、 レベルの異なる第1及び第2の電位をもつ第2の制御信
号の遷移に応答してスキャンパステストのシフトモード
時のスキャンデータを取り込んで所定のタイミングで前
記ノードへ出力するスキャンデータ取り込み手段と、 レベルの異なる第1及び第2の電位をもつ第3の制御信
号の遷移に応答して前記ノード上のデータをラッチして
所定のタイミングで出力するラッチ手段と、 を有することを特徴とするスキャンパステスト用フリッ
プフロップ回路。
1. A data fetch means for fetching normal data in a normal operation mode in response to a transition of a first control signal having first and second potentials having different levels, and outputting the normal data to a node at a predetermined timing. Scan data capture means for capturing scan data in a shift mode of a scan path test in response to transition of a second control signal having first and second potentials having different levels and outputting the scan data to the node at a predetermined timing And latch means for latching data on the node in response to a transition of a third control signal having first and second potentials having different levels and outputting the data at a predetermined timing. Scan path test flip-flop circuit.
【請求項2】 前記ラッチ手段は、 前記第3の制御信号の遷移に応答して前記ノード上のデ
ータをラッチして所定のタイミングで出力する第1のラ
ッチ回路と、 前記第3の制御信号の遷移に応答して前記第1のラッチ
回路の出力データを転送する転送回路と、 前記第3の制御信号の遷移に応答して前記転送回路の出
力データをラッチして所定のタイミングで出力する第2
のラッチ回路と、 で構成したことを特徴とする請求項1記載のスキャンパ
ステスト用フリップフロップ回路。
2. A latch circuit, comprising: a first latch circuit that latches data on the node in response to a transition of the third control signal and outputs the data at a predetermined timing; and a third control signal. And a transfer circuit for transferring output data of the first latch circuit in response to the transition of the third control signal, and latching output data of the transfer circuit in response to a transition of the third control signal and outputting the latched data at a predetermined timing Second
2. The flip-flop circuit for scan path test according to claim 1, wherein the latch circuit comprises:
【請求項3】 前記スキャンデータ取り込み手段の出力
端子と、前記ノードとの間は、メタルマスクの入れ替え
により接続又は断線が可能なメタル配線で結線したこと
を特徴とする請求項1又は2記載のスキャンパステスト
用フリップフロップ回路。
3. An output terminal of the scan data capturing means and the node are connected by a metal wiring which can be connected or disconnected by exchanging a metal mask. Flip-flop circuit for scan path test.
【請求項4】 前記データ取り込み手段及び前記スキャ
ンデータ取り込み手段は、クロックドインバータでそれ
ぞれ構成したことを特徴とする請求項1、2又は3記載
のスキャンパステスト用フリップフロップ回路。
4. The flip-flop circuit for a scan path test according to claim 1, wherein said data fetch means and said scan data fetch means are each constituted by a clocked inverter.
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