JP2001324401A - 圧力センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ハウジング内のセンサ圧力室の漏れを検出して
対処することが可能となる圧力センサを提供する。 【解決手段】センシングボディ７は圧力導入孔８の先端
部が薄肉部１０となっている。センサハウジング１に形
成した嵌入孔５にセンシングボディ７が嵌入されてい
る。センサハウジング１の内部に密閉されたセンサ圧力
室Ｒ１が形成され、同圧力室Ｒ１においてセンシングボ
ディ７の薄肉部１０の上にセンシングチップ１４が接合
され、圧力導入孔８からの圧力とセンサ圧力室Ｒ１の圧
力との差に伴うセンシングボディ７の薄肉部１０の変位
がセンシングチップ１４において電気信号に変換されて
取り出される。センサ圧力室Ｒ１に、センサ圧力室Ｒ１
の圧力の変化を電気信号にして出力するハウジング内圧
力監視素子１９が配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は圧力センサに係
り、詳しくは、相対圧（ゲージ圧）を測定する圧力セン
サに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】特開平１１−１４２２６６号公報、特開
平１１−１４２２６７号公報、特開平１１−１４２２７
４号公報等には、主に高圧（１０ＭＰａ程度以上）のゲ
ージ圧を測定する圧力センサが開示されている。このセ
ンサは、圧力導入孔の先端部が薄肉部となっているセン
シングボディがハウジングの嵌入孔に挿入され、ハウジ
ング内のセンサ圧力室においてセンシングボディの薄肉
部（金属ダイヤフラム）の上には絶縁膜を介してセンシ
ングチップが接合されている。そして、センシングチッ
プに形成した歪みゲージを用いて、圧力導入孔からの圧
力とハウジング内のセンサ圧力室の圧力との差に伴う薄
肉部の変位に応じた電気信号（センサ出力）を得てい
る。

【０００３】一方、近年、車載用圧力センサにおいて、
故障診断をできるようにしたいという要望がある。故障
モードの一つとして金属ダイヤフラムの疲労等によるハ
ウジング内のセンサ圧力室の漏れが考えられる。この漏
れによりハウジング内のセンサ圧力室の圧力と圧力導入
孔からの圧力の差が小さくなるため感度が低下してしま
う。また、圧力媒体の漏れは圧力センサを使うシステム
にとっても重大な不具合となる場合があるが、有効な故
障診断方法が提案されていない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情に鑑みなされたものであり、その目的は、ハウジング
内のセンサ圧力室の漏れを検出して対処することが可能
となる圧力センサを提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、センサ圧力室に、当該センサ圧力室の圧力の変化を
電気信号にして出力する圧力変化検出素子を配置したこ
とを特徴としている。

【０００６】よって、圧力変化検出素子によりセンサ圧
力室の圧力の変化が電気信号となって取り出され、ハウ
ジング内のセンサ圧力室の漏れを検出して対処すること
が可能となる。

【０００７】また、請求項２に記載のように、圧力変化
検出素子を、センサ圧力室の圧力の変化によって機械的
に撓む部位を有する構造とするとよい。具体的には、請
求項４に記載のように、圧力変化検出素子を、ベースプ
レートと、ベースプレートの上に接合され、薄肉部を有
する半導体基板と、半導体基板の薄肉部に形成され、ベ
ースプレートと半導体基板との間に形成された圧力基準
室とセンサ圧力室との差圧に応じた電気信号を送出する
ための歪みゲージとを備える構成にする。あるいは、請
求項６に記載のように、圧力変化検出素子を、半導体基
板と、半導体基板上に形成され、当該半導体基板との間
において圧力基準室を区画形成する膜と、膜の上に形成
され、圧力基準室とセンサ圧力室との差圧に応じた電気
信号を送出するための歪みゲージとを備える構成にす
る。

【０００８】また、請求項３に記載のように、圧力変化
検出素子を、センサ圧力室の圧力の変化によって破損す
る部位を有する構造とするとよい。具体的には、請求項
５に記載のように、圧力変化検出素子を、ベースプレー
トと、ベースプレートの上に接合され、薄肉部を有する
半導体基板と、半導体基板の薄肉部に形成され、ベース
プレートと半導体基板との間に形成された圧力基準室と
センサ圧力室との差圧が所定値を上回ると断線する配線
とを備える構成にする。あるいは、請求項７に記載のよ
うに、圧力変化検出素子を、半導体基板と、半導体基板
上に形成され、半導体基板との間において圧力基準室を
区画形成する膜と、膜の上に形成され、圧力基準室とセ
ンサ圧力室との差圧が所定値を上回ると断線する配線と
を備える構成にする。

【０００９】請求項８に記載の発明によれば、圧力変化
検出素子を配置するにあたり、信号処理回路と同様に基
板に配置したので、素子の圧力室への組付けが容易であ
る。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、この発明を具体化した実施
の形態を図面に従って説明する。図１には、本実施形態
における圧力センサの縦断面を示す。

【００１１】本センサのハウジング（センサハウジン
グ）１は下側ハウジング２と上側ハウジング３により構
成されている。下側ハウジング２はステンレス鋼等の金
属よりなり、耐蝕性に優れるとともに溶接可能である。
下側ハウジング２の外周面にはネジ部４が形成され、こ
のネジ部４を被検出部材のネジ孔に螺入することにより
本センサを被検出部材に装着することができるようにな
っている。また、下側ハウジング２にはセンシングボデ
ィ嵌入孔５が形成され、この嵌入孔５は上下に貫通して
いる。

【００１２】上側ハウジング３はコネクタケースとして
も機能するようになっており、コネクタピン６が上下に
貫通するように配設されている。そして、上側ハウジン
グ３は接続相手側と結合させた状態で、実質的に密閉状
態となる。つまり、上側ハウジング３は連結する相手側
がないと、コネクタピン６と上側ハウジング３の間に隙
間があり、密閉されない。

【００１３】下側ハウジング２の嵌入孔５にはセンシン
グボディ７が嵌入されている。センシングボディ７は熱
膨張率が小さい金属よりなる。より具体的には、熱膨張
率がシリコンに近いコバールを用いている。センシング
ボディ７は、円筒状をなし、その中心の圧力導入孔８の
下端は開口している。また、センシングボディ７の下端
部外周には鍔部９が形成されており、下側ハウジング２
の下端面とセンシングボディ７の鍔部９が当接してい
る。この当接部の外周側が溶接にて密着固定されてい
る。つまり、センシングボディ７の外側円筒面と下側ハ
ウジング２の内側の面との間には僅かな隙間があり、セ
ンシングボディ７と下側ハウジング２は、下側ハウジン
グ２の下端部で全周溶接されている。一方、圧力導入孔
８の先端部、即ち、センシングボディ７の上端部には薄
肉部１０が形成され、この薄肉部１０が受圧用ダイヤフ
ラムとして機能する。

【００１４】また、下側ハウジング２の上面にはスペー
サ１１を介して上側ハウジング３がＯリング１２を介し
て配置され、下側ハウジング２のかしめ部１３でハウジ
ング２，３がかしめ固定されている。このように、セン
サハウジング１に形成した嵌入孔５にセンシングボディ
７を嵌入することによりセンサハウジング１の内部にお
いて、密閉されたセンサ圧力室Ｒ１が形成されている。

【００１５】センサ圧力室Ｒ１において、センシングボ
ディ７の薄肉部１０の上にはセンシングチップ１４が低
融点ガラス（接合部材）により接合されている。つま
り、図２，３に示すように、センシングボディ７の薄肉
部１０の上には四角板状のセンシングチップ（シリコン
チップ）１４が低融点ガラス１５にて接合されている。
センシングチップ１４には４つの歪みゲージ１６ａ，１
６ｂ，１６ｃ，１６ｄが形成され、この歪みゲージ１６
ａ〜１６ｄはホイートストンブリッジ接続されている。
図３に示すように、圧力導入孔（圧力ポート）８は圧力
媒体からの圧力を受ける。その結果、センシングボディ
７の薄肉部（金属ダイヤフラム）１０が撓み、その上に
接合されているセンシングチップ（シリコン基板）１４
をも撓ませる。この圧力導入孔８からの圧力とセンサ圧
力室Ｒ１の圧力との差に伴うセンシングボディ７の薄肉
部１０の変位がセンシングチップ１４において電気信号
に変換されて取り出される。

【００１６】図１に示すように、センサ圧力室Ｒ１にお
いて下側ハウジング２の上面にはセラミック基板１７が
配置され、その上には信号処理チップ１８が配置されて
いる。信号処理チップ１８には信号処理回路が形成さ
れ、同回路はバイポーラトランジスタやＭＯＳトランジ
スタ、抵抗、キャパシタ等で構成されている。そして、
図４に示すように、信号処理チップ１８はセンシングチ
ップ１４とボンディングワイヤ等を介して電気的に接続
されるとともにコネクタピン６と電気的に接続されてい
る。そして、信号処理チップ１８はコネクタピン６にて
電源電圧Ｖccの供給を受けるとともに、センシングチッ
プ１４からの信号に対し増幅、温度補償、調整等を行い
コネクタピン６を通して圧力検出信号を外部に出力す
る。つまり、上側ハウジング（コネクタ）３に対し相手
側コネクタを結合するとセンサ圧力室Ｒ１がほぼ大気圧
になり（コネクタピン６の隙間でセンサ圧力室Ｒ１が外
部雰囲気と連通しているので）、センシングチップ１４
によりゲージ圧（大気圧との差圧）を測定することがで
きる。

【００１７】一方、本実施形態においては、図１に示す
ように、センサ圧力室Ｒ１においてセラミック基板１７
の上には圧力変化検出素子としてのハウジング内圧力監
視素子（チップ）１９が配置されている。このハウジン
グ内圧力監視素子１９は、図５，６に示す構造となって
いる。

【００１８】図５，６において、ベースプレートとして
の基板（パイレックス（登録商標）ガラスなどの基板）
２０の上にはシリコン基板（半導体基板）２１が陽極接
合などで接合されている。シリコン基板２１の下面には
凹部２２が形成され、凹部２２の開口部がガラス基板２
０により塞がれている。この凹部２２により形成された
圧力基準室Ｒ２は真空室となっている。シリコン基板２
１での凹部２２による薄肉部２３はセンサ圧力室Ｒ１の
圧力の変化、即ち、漏れの発生によって機械的に撓む部
位である。この薄肉部２３には４つの歪みゲージＲａ，
Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄが形成されている。詳しくは、歪みゲ
ージＲａ〜ＲｄはＮ型単結晶シリコン基板２１の表層部
に形成したＰ型不純物拡散領域にて構成されている。４
つの歪みゲージＲａ〜Ｒｄは、図７に示すように、ホイ
ートストンブリッジ接続されている。フルブリッジ回路
の一方の対角には定電圧Ｖccが印加されるとともに、他
方の対角での電圧Ｖout がハウジング１内のセンサ圧力
室Ｒ１の圧力に応じた信号として出力される。このよう
に歪みゲージＲａ〜Ｒｄにより、ガラス基板２０と基板
２１との間に形成された圧力基準室Ｒ２とセンサ圧力室
Ｒ１との差圧に応じた電気信号を送出することができる
ようになっている。

【００１９】また、図４に示すように、ハウジング内圧
力監視素子１９は信号処理チップ１８と電気的に接続さ
れ、ハウジング１内のセンサ圧力室Ｒ１の圧力に応じた
信号が信号処理チップ１８およびコネクタピン６を通し
て外部に出力される。あるいは、圧力室Ｒ１の圧力が異
常の場合のみ、信号処理チップ１８が故障発生信号を出
力してもよい。

【００２０】このようにして、もし、センシングボディ
７の薄肉部（金属ダイヤフラム）１０やその溶接部が疲
労などで漏れを生じると、ハウジング１内のセンサ圧力
室（空間）Ｒ１は測定側圧力に近づき、ついには測定す
べき圧力と同一圧力になってしまう。即ち、圧力センサ
の感度は低下もしくは無反応になってしまう。そこで、
本実施形態ではセンサ圧力室Ｒ１には、圧力を監視する
素子１９を配置して、この素子１９により圧力の変化を
検出することができるようになっている。

【００２１】なお、図１においてセラミック基板１７上
の各チップ１８，１９やボンディングワイヤ等は、コー
ティング材（図示略）にてコーティングされている。こ
のように、本実施の形態は下記の特徴を有する。 （イ）圧力媒体の圧力とセンサ圧力室Ｒ１の圧力との差
に伴うセンシングボディ７の薄肉部１０の変位をセンシ
ングチップ１４において電気信号に変換して取り出すよ
うにした圧力センサにおいて、センサ圧力室Ｒ１に、セ
ンサ圧力室Ｒ１の圧力の変化を電気信号にして出力する
圧力変化検出素子としてのハウジング内圧力監視素子１
９を配置した。よって、ハウジング内圧力監視素子１９
によりセンサ圧力室Ｒ１の圧力の変化が電気信号となっ
て取り出され、ハウジング１内のセンサ圧力室Ｒ１の漏
れ（圧力センサの故障）を検出して対処することが可能
となる。

【００２２】また、センサ圧力室Ｒ１を大気圧としてゲ
ージ圧（大気圧との差圧）を測定するのではなく、セン
サ圧力室Ｒ１を真空とする場合には、ハウジング１内の
センサ圧力室Ｒ１への圧力媒体の漏れがあると、センサ
圧力室Ｒ１の圧力が上昇するので、圧力上昇検出用の素
子１９によりハウジング１内のセンサ圧力室Ｒ１の漏れ
を検出して対処することが可能となる。 （ロ）センシングチップ１４からの信号を処理する信号
処理回路１８と、圧力変化検出素子１９とを基板１７上
に搭載した。このように、圧力変化検出素子１９を配置
するにあたり、信号処理回路１８と同様に基板１７に配
置したので、素子１９の圧力室Ｒ１への組付けが容易で
ある。

【００２３】以下、応用例について説明する。圧力変化
検出素子は、図５，６に示す構成の他にも図８，９に示
す歪みゲージを用いない構成としてもよい。つまり、図
８，９に示すように、ベースプレートとしてのガラス基
板３０の上にはシリコン基板（半導体基板）３１が接合
されている。シリコン基板３１の下面には凹部３２が形
成され、凹部３２の開口部がガラス基板３０により塞が
れている。この凹部３２により形成された圧力基準室Ｒ
３は真空室となっている。また、ハウジング１内のセン
サ圧力室Ｒ１は密閉状態となっており、シリコン基板３
１での凹部３２による薄肉部３３はセンサ圧力室Ｒ１の
圧力の変化、即ち、漏れの発生によって破損する部位で
ある。この薄肉部３３には配線３４が延設されている。
そして、漏れが発生して基板３０と基板３１との間に形
成された圧力基準室Ｒ３とセンサ圧力室Ｒ１との差圧が
所定値を上回ると、圧力で圧力基準室（空洞）Ｒ３が押
し潰されて配線３４が断線する。この断線にて漏れが検
出される。配線３４は良導体膜でも抵抗膜でもよい。

【００２４】また、図４においてはハウジング１内の圧
力監視素子１９を信号処理チップ１８とは別のチップに
形成したが、図１０に示すように、圧力監視素子１９と
信号処理チップ４０とを１チップ化し集積化してもよ
い。つまり、図１１に示すように、歪みゲージＲａ〜Ｒ
ｄの配置領域の周囲に信号処理回路５０を形成する。

【００２５】さらに、圧力監視素子１９の製造は、上述
では単結晶シリコン基板の一方の面をエッチングするこ
とにより凹部を形成するとともに他方の面からイオン注
入して歪みゲージを形成する、いわゆるバルクマイクロ
マシニングにて行ったが、その他にも、薄膜を加工して
ダイヤフラム形成するサーフェスマイクロマシニングに
よってもよい。具体的には、図１２に示すように、シリ
コン基板６０の上にシリコン窒化膜（あるいはシリコン
酸化膜）６１を形成するとともに圧力基準室Ｒ４の形成
領域にアルミ膜を犠牲層として形成し、その後、シリコ
ン窒化膜６２を被せ、シリコン窒化膜６２に穴６３をあ
けて当該穴６３を通して犠牲層（アルミ膜）を完全にエ
ッチングして、真空中において封止膜６４でその穴６３
を完全に埋める。封止膜の形成は減圧ＣＶＤによるポリ
シリコン膜などが考えられる。圧力基準室Ｒ４の上には
歪みゲージ６５が形成されており、圧力基準室Ｒ４とセ
ンサ圧力室Ｒ１との差圧に応じた電気信号を送出するこ
とができる。この歪みゲージ６５は、例えばポリシリコ
ン膜にイオンを注入することにより構成する。あるい
は、歪みゲージ６５の代わりに、過大な圧力が加わると
シリコン窒化膜６２が破壊して断線する配線（良導体膜
または抵抗膜）６６を用いる。

【００２６】前者の場合、図１５に示すように、歪みゲ
ージはホイートストーンブリッジ接続する方法が考えら
れ、図１２の構造を６５，６５’として形成し、圧力室
Ｒ４をもたない歪みゲージ（即ち、圧力を感知しないダ
ミー）も形成して８５，８５’とする。この方法では大
きなダイヤフラムを形成しなくてもよいというメリット
がある。

【００２７】このように、圧力変化検出素子は、センサ
圧力室Ｒ１の圧力の変化によって機械的に撓む部位６７
を有する構造、あるいは、センサ圧力室Ｒ１の圧力の変
化によって破損する部位６８を有する構造とする。さら
に、圧力変化検出素子を、半導体基板６０と、半導体基
板６０上に形成され、半導体基板６０との間において圧
力基準室Ｒ４を区画形成する膜６２と、膜６２の上に形
成され、圧力基準室Ｒ４とセンサ圧力室Ｒ１との差圧に
応じた電気信号を送出するための歪みゲージ６５とを備
える構成とする。あるいは、半導体基板６０と、半導体
基板６０上に形成され、半導体基板６０との間において
圧力基準室Ｒ４を区画形成する膜６２と、膜６２の上に
形成され、圧力基準室Ｒ４とセンサ圧力室Ｒ１との差圧
が所定値を上回ると断線する配線６６とを備える構成と
してもよい。

【００２８】図１３には、基板の接合により空洞を形成
する代わりにサーフェスマイクロマシニングにより空洞
を形成する例を示す。（１００）面のシリコン基板７０
の上にシリコン窒化膜７１に形成するとともにシリコン
窒化膜７１に穴７２をあけて当該穴７２を通して（１０
０）面のシリコン基板７０に対しＫＯＨ水溶液等による
異方性エッチングを行い凹部（四角錐）７３を形成す
る。そして、真空中において封止膜７４でその穴７２を
完全に埋める。その結果、圧力基準室（空洞）Ｒ４が形
成される。なお、図１３の符号７５は、シリコン窒化膜
７１の上に形成した歪みゲージであって、圧力基準室Ｒ
４とセンサ圧力室Ｒ１との差圧に応じた電気信号を送出
する（歪みゲージ７５には例えば、イオン注入を行った
ポリシリコン膜を用いる）。あるいは、歪みゲージ７５
の代わりに、過大な圧力がかかるとシリコン窒化膜７１
が破壊して断線する配線（良導体膜または抵抗膜）７６
を用いる。前者の場合の電気的接続は図１５による方法
が考えられる。

【００２９】また、図１３においてはシリコン基板７０
を十分にエッチングした場合を示したが、これに代わ
り、図１４に示すように、シリコン基板７０のエッチン
グを、ある程度進んだところで止めてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施の形態における圧力センサの縦断面図。

【図２】 センシングチップの配置部分の斜視図。

【図３】 センシングチップの配置部分の断面図。

【図４】 圧力センサの電気的構成を示す図。

【図５】 ハウジング内圧力監視素子の斜視図。

【図６】 ハウジング内圧力監視素子の断面図。

【図７】 ハウジング内圧力監視素子の電気的構成を示
す図。

【図８】 別例のハウジング内圧力監視素子の斜視図。

【図９】 ハウジング内圧力監視素子の断面図。

【図１０】 別例の圧力センサの電気的構成を示す図。

【図１１】 別例のチップを示す図。

【図１２】 別例のハウジング内圧力監視素子を示す
図。

【図１３】 別例のハウジング内圧力監視素子を示す
図。

【図１４】 別例のハウジング内圧力監視素子を示す
図。

【図１５】 別例のハウジング内圧力監視素子の電気的
構成を示す図。

【符号の説明】

１…センサハウジング、５…嵌入孔、７…センシングボ
ディ、８…圧力導入孔、１０…薄肉部、１４…センシン
グチップ、１９…ハウジング内圧力監視素子、２０…シ
リコン基板、２１…シリコン基板、２３…薄肉部、３０
…シリコン基板、３１…シリコン基板、３３…薄肉部、
３４…配線、６０…シリコン基板、６２…シリコン窒化
膜、６５…歪みゲージ、６６…配線、７０…シリコン基
板、７１…シリコン窒化膜、７５…歪みゲージ、７６…
配線、Ｒ１…センサ圧力室、Ｒ２…圧力基準室、Ｒ３…
圧力基準室、Ｒ４…圧力基準室、Ｒａ〜Ｒｄ…歪みゲー
ジ。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 圧力媒体の圧力とセンサ圧力室（Ｒ１）
   の圧力との差に伴うセンシングボディ（７）の薄肉部
   （１０）の変位をセンシングチップ（１４）において電
   気信号に変換して取り出すようにした圧力センサにおい
   て、 前記センサ圧力室（Ｒ１）に、当該センサ圧力室（Ｒ
   １）の圧力の変化を電気信号にして出力する圧力変化検
   出素子（１９）を配置したことを特徴とする圧力セン
   サ。
2. 【請求項２】 前記圧力変化検出素子（１９）は、前記
   センサ圧力室（Ｒ１）の圧力の変化によって機械的に撓
   む部位（２３，６７）を有する構造であることを特徴と
   する請求項１に記載の圧力センサ。
3. 【請求項３】 前記圧力変化検出素子（１９）は、前記
   センサ圧力室（Ｒ１）の圧力の変化によって破損する部
   位（３３，６８）を有する構造であることを特徴とする
   請求項１に記載の圧力センサ。
4. 【請求項４】 前記圧力変化検出素子（１９）は、 ベースプレート（２０）と、 ベースプレート（２０）の上に接合され、薄肉部（２
   ３）を有する半導体基板（２１）と、 前記半導体基板（２１）の薄肉部（２３）に形成され、
   ベースプレート（２０）と半導体基板（２１）との間に
   形成された圧力基準室（Ｒ２）と前記センサ圧力室（Ｒ
   １）との差圧に応じた電気信号を送出するための歪みゲ
   ージ（Ｒａ〜Ｒｄ）と、を備えることを特徴とする請求
   項２に記載の圧力センサ。
5. 【請求項５】 前記圧力変化検出素子（１９）は、 ベースプレート（３０）と、 ベースプレート（３０）の上に接合され、薄肉部（３
   ３）を有する半導体基板（３１）と、 前記半導体基板（３１）の薄肉部（３３）に形成され、
   ベースプレート（３０）と半導体基板（３１）との間に
   形成された圧力基準室（Ｒ３）と前記センサ圧力室（Ｒ
   １）との差圧が所定値を上回ると断線する配線（３４）
   と、を備えることを特徴とする請求項３に記載の圧力セ
   ンサ。
6. 【請求項６】 前記圧力変化検出素子（１９）は、 半導体基板（６０，７０）と、 前記半導体基板（６０，７０）上に形成され、当該半導
   体基板（６０，７０）との間において圧力基準室（Ｒ
   ４）を区画形成する膜（６２，７１）と、 前記膜（６２，７１）の上に形成され、前記圧力基準室
   （Ｒ４）と前記センサ圧力室（Ｒ１）との差圧に応じた
   電気信号を送出するための歪みゲージ（６５，７５）
   と、を備えることを特徴とする請求項２に記載の圧力セ
   ンサ。
7. 【請求項７】 前記圧力変化検出素子（１９）は、 半導体基板（６０，７０）と、 前記半導体基板（６０，７０）上に形成され、当該半導
   体基板（６０，７０）との間において圧力基準室（Ｒ
   ４）を区画形成する膜（６２，７１）と、 前記膜（６２，７１）の上に形成され、前記圧力基準室
   （Ｒ４）と前記センサ圧力室（Ｒ１）との差圧が所定値
   を上回ると断線する配線（６６，７６）と、を備えるこ
   とを特徴とする請求項３に記載の圧力センサ。
8. 【請求項８】 センシングチップ（１４）からの信号を
   処理する信号処理回路（１８）と、前記圧力変化検出素
   子（１９）とが基板（１７）上に搭載されていることを
   特徴とする請求項１，２，３，７のいずれか１項に記載
   の圧力センサ。