JP2001323255A - 研磨液組成物 - Google Patents
研磨液組成物Info
- Publication number
- JP2001323255A JP2001323255A JP2000141025A JP2000141025A JP2001323255A JP 2001323255 A JP2001323255 A JP 2001323255A JP 2000141025 A JP2000141025 A JP 2000141025A JP 2000141025 A JP2000141025 A JP 2000141025A JP 2001323255 A JP2001323255 A JP 2001323255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- particle size
- substrate
- polished
- abrasive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
研磨材が残留することなく、被研磨基板の表面平滑性を
維持し、表面欠陥を発生させず、且つ経済的な速度で研
磨できる研磨液組成物、該研磨液組成物を用いた被研磨
基板の研磨方法、該研磨液組成物を用いた基板の製造方
法を提供すること。 【解決手段】水と研磨材を含んでなる研磨液組成物であ
って、研磨材の粒径分布において、粒径40nmにお
ける小粒径側よりの積算粒径分布(個数基準)が25%
以下で、且つ小粒径側よりの積算粒径分布(個数基
準)が50%となる粒径(D50)が50〜600nm
であることを特徴とする研磨液組成物、該研磨液組成物
を用いて被研磨基板を研磨する被研磨基板の研磨方法、
並びに前記研磨液組成物を用いて、被研磨基板を研磨す
る工程を有する基板の製造方法。
Description
研磨液組成物を用いた被研磨基板の研磨方法及び基板の
製造方法に関する。
情報を読み書きする際のメモリー磁気ディスクにおける
磁気ヘッドの浮上量はますます低くなってきている。そ
の結果、磁気ディスク基板の製造工程における表面研磨
工程において、表面平滑性〔例えば、表面粗さ(Ra)
及びうねり(wa)〕に優れ、且つ突起、スクラッチ、
ピット等の表面欠陥がなく、これら表面欠陥に起因する
磁気情報の書き込み・読み出しの際エラーも出ない、ヘ
ッドの低浮上が可能な高精度のディスク面を製造するこ
とが要求されている。
積化、動作周波数の高速化に伴って配線の微細化が進ん
でいる。半導体デバイスの製造工程においても、フォト
レジストの露光の際、配線の微細化に伴い焦点深度が浅
くなるため、パターン形成面のより一層の平滑化が望ま
れている。
より製造された研磨材は、研磨材中に残存する粗大粒子
によって、被研磨面に研磨傷が発生するため、前記のよ
うな表面平滑性に優れた面質を維持しつつ研磨を行なう
ことが困難であるという欠点がある。
が少ないコロイダルシリカが用いられている。しかしな
がら、コロイダルシリカによる研磨では、要求される高
い面精度を達成することは比較的容易であるが、粒径が
細かいために、研磨後の洗浄工程で被研磨板上に付着し
たコロイダルシリカを容易に除去できないという欠点が
ある。この被研磨基板上の残留した研磨材は、磁気記録
層の厚みむら等の原因となり、その結果、磁気特性が不
安定となるおそれがある。さらに磁気特性が不安定にな
ると、読み書きエラーの発生原因ともなるため好ましく
ない。
て、残留した研磨材を完全に除去するための様々な洗浄
方法が試みられているが、未だ十分ではない。また、今
後も研磨材の微粒化はさらに進むと考えられることから
も、その除去はますます重要な課題となっている。
後の洗浄工程で、被研磨基板上に実質的に研磨材が残留
することなく、被研磨基板の表面平滑性を維持し、表面
欠陥を発生させず、且つ経済的な速度で研磨できる研磨
液組成物、該研磨液組成物を用いた被研磨基板の研磨方
法、該研磨液組成物を用いた基板の製造方法を提供する
ことにある。
〔1〕水と研磨材を含んでなる研磨液組成物であって、
研磨材の粒径分布において、粒径40nmにおける小
粒径側よりの積算粒径分布(個数基準)が25%以下
で、且つ小粒径側よりの積算粒径分布(個数基準)が
50%となる粒径(D50)が50〜600nmである
ことを特徴とする研磨液組成物、〔2〕前記〔1〕記載
の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する被研磨基
板の研磨方法、並びに〔3〕前記〔1〕記載の研磨液組
成物を用いて、被研磨基板を研磨する工程を有する基板
の製造方法に関する。
磨用に一般に使用されている研磨材であればよい。該研
磨材として、金属;金属又は半金属の炭化物、窒化物、
酸化物、ホウ化物;ダイヤモンド等が挙げられる。金属
又は半金属元素は、周期律表(長周期型)の2A、2
B、3A、3B、4A、4B、5A、6A、7A又は8
A族由来のものである。研磨材の具体例として、酸化ア
ルミニウム、炭化珪素、ダイヤモンド、酸化マグネシウ
ム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化セリウム、酸化ジルコ
ニウム、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ等が挙げ
られる。これらの中では、酸化アルミニウム、コロイダ
ルシリカ、ヒュームドシリカ、酸化セリウム、酸化ジル
コニウム、酸化チタン等が、半導体ウエハや半導体素
子、磁気記録媒体用基板等の精密部品用基板の研磨に適
している。酸化アルミニウムについては、α、γ等の種
々の結晶系が知られているが、用途に応じ適宜選択して
使用することができる。このうち、特にコロイダルシリ
カ粒子は、より高度な平滑性を必要とする高記録密度メ
モリー磁気ディスク基板の最終研磨用途や半導体基板の
研磨用途に適している。これらの研磨材は、単独で又は
2種以上を併用することができる。
の残留量を低減する観点から粒径40nmにおける小粒
径側よりの積算粒径分布は25%以下であり、好ましく
は15%以下、より好ましくは10%以下、さらに好ま
しくは5%以下であり、特に好ましくは3%以下であ
る。小粒径側よりの積算粒径分布を25%以下にするに
は、例えば、粒径が40nm以下の研磨材の含有量を低
くすればよい。粒径が40nm以下の研磨材の含有率を
低くする方法としては、シリカゾルを核として成長させ
るコロイダルシリカの合成において、活性ゾルの添加速
度をコントロールすることにより小粒径品の含有の少な
いコロイダルシリカを調整することができる。また、小
粒径品を含有するコロイダルシリカを例えば、遠心分離
機などにより分級して用いることも何ら問題はない。
び表面平滑性に優れ、表面欠陥のない良好な面質を達成
する観点から、小粒径側よりの積算粒径分布が50%と
なる粒径(以下、D50ともいう)は、50〜600n
mであり、好ましくは50〜200nm、更に好ましく
は50〜150nmである。
粒径分布において、粒径40nmにおける小粒径側よ
りの積算粒径分布が25%以下で、D50が50〜6
00nmである点に一つの大きな特徴があり、かかる粒
径分布を有する研磨材を用いることで、通常の洗浄によ
り研磨材が被研磨物表面から容易に洗浄され得るという
効果が発現される。
優れ、表面欠陥のない良好な面質を達成する観点から、
小粒径側よりの積算粒径分布が90%となる粒径(以
下、D90ともいう)とD50の比(D90/D50)
の値は1.3〜3.0であることが好ましく、より好ま
しくは1.3〜2.0である。
整する方法としては、特に限定されないが、例えば、研
磨材がコロイダルシリカの場合、その製造段階における
粒子の成長過程で新たな核となる粒子を加えることによ
り最終製品に粒径分布を持たせる方法がある。また、異
なる粒径分布を有する少なくとも2つ以上の研磨材を混
合する方法などで達成することも可能である。この場
合、研磨材は同種のものである必要はなく、異種のもの
を混合することも何ら問題ない。
(以下SEMという)を用いて以下の方法により求める
ことができる。即ち、研磨材を含有する研磨液組成物を
研磨材濃度が0.5重量%になるようにエタノールで希
釈する。この希釈した溶液を約50℃に加温したSEM
用の試料台に均一に塗布する。その後、過剰の溶液を濾
紙で吸い取り溶液が凝集しないように均一に自然乾燥さ
せる。
させて、日立製作所(株)製電界効果走査型電子顕微鏡
(FE−SEM:S−4000型)を用いて、視野中に
500個程度の研磨材粒子が観察されるように倍率を3
000倍〜10万倍に調節し、1つの試料台について2
点観察し写真を撮影する。撮影された写真(4インチ×
5インチ)をコピー機等によりA4サイズに拡大して、
撮影されたすべての研磨材の粒径をノギス等により計測
し集計する。この操作を数回繰り返して、計測する研磨
材の数が2000個以上になるようにする。SEMによ
る測定点数を増やすことは、正確な粒径分布を求める観
点からより好ましい。測定した粒径を集計し、小さい粒
径から順にその頻度(%)を加算してその値が10%と
なる粒径をD10、同じく50%となる粒径をD50、
90%となる粒径をD90として本発明における個数基
準の粒径分布を求めることができる。尚、ここでいう粒
径分布は一次粒子の粒径分布として求められる。但し、
酸化アルミニウム、酸化セリウム、ヒュームドシリカ等
の一次粒子が融着した二次粒子が存在している場合にお
いては、その二次粒子の粒径に基づいて、粒径分布を求
めることができる。
は、研磨速度を向上させる観点から、好ましくは0.5
重量%以上、より好ましくは1重量%以上、さらに好ま
しくは3重量%以上、特に好ましくは5重量%以上であ
り、表面品質を向上させる観点、及び経済性の観点から
50重量%以下、より好ましくは40重量%以下、さら
に好ましくは30重量%以下、特に好ましくは25重量
%以下である。すなわち該含有量は、好ましくは0.5
〜50重量%、より好ましくは1〜40重量%、さらに
好ましくは3〜30重量%、特に好ましくは5〜25重
量%である。
れるものであり、その含有量は被研磨物を効率良く研磨
する観点から、好ましくは50〜99.5重量%、より
好ましくは60〜99重量%、さらに好ましくは70〜
97重量%、特に好ましくは75〜95重量%である。
応じて他の成分を配合することができる。該他の成分と
しては、単量体型の酸化合物の金属塩、アンモニウム塩
又はアミン塩、過酸化物、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩
基性物質、界面活性剤などが挙げられる。単量体型の酸
化合物の金属塩、アンモニウム塩又はアミン塩や過酸化
物の具体例としては、特開昭62-25187号公報2頁右上欄
3行〜11行、特開昭63-251163 号公報2頁左下欄6行
〜13行、特開平1-205973号公報3頁左上欄4行〜右上
欄2行、特開平3-115383号公報2頁右下欄16行〜3頁
左上欄11行、特開平4-275387号公報2頁右欄27行〜
3頁左欄12行及び17行〜23行に記載されているも
のが挙げられる。
合して錯体を形成しうる多座配位子を持つキレート化合
物を配合することができる。キレート化合物の具体例と
しては、特開平4-363385号公報2頁右欄21行〜29行
に記載されているものが挙げられる。これらの中では、
鉄(III) 塩が好ましく、エチレンジアミン四酢酸−鉄
塩、ジエチレントリアミン五酢酸−鉄塩が特に好まし
い。
種以上を混合して用いても良い。また、その含有量は、
研磨速度を向上させる観点、それぞれの機能を発現させ
る観点、及び経済性の観点から、好ましくは研磨液組成
物中0.05〜20重量%、より好ましくは0.05〜
10重量%、さらに好ましくは0.05〜5重量%であ
る。
は、該組成物製造時の濃度、及び使用時の濃度のいずれ
であってもよい。通常、濃縮液として組成物は製造さ
れ、これを使用時に希釈して用いる場合が多い。
要求品質等に応じて適宜決定することが好ましい。例え
ば、研磨液組成物のpHは、基板の洗浄性及び加工機械
の腐食防止性、作業者の安全性の観点から、2 〜12が
好ましい。また、被研磨物がNi-Pメッキされたアルミニ
ウム合金基板等の金属を主対象とした精密部品用基板で
ある場合、研磨速度の向上と表面品質の向上の観点か
ら、2〜9がより好ましく、3〜8が特に好ましい。さ
らに、半導体ウェハや半導体素子等の研磨、特にシリコ
ン基板、ポリシリコン膜、SiO2 膜等の研磨に用いる
場合は、研磨速度の向上と表面品質の向上の観点から、
7〜12が好ましく、8〜12がより好ましく、9〜1
1が特に好ましい。該pHは、必要により、硝酸、硫酸
等の無機酸、有機酸、アンモニア、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム等の塩基性物質を適宜、所望量で配合す
ることで調整することができる。
の研磨液組成物を用いて、あるいは本発明の研磨液組成
物の組成となるように各成分を混合して研磨液を調製し
て被研磨基板を研磨する工程を有している。該研磨方法
の例としては、不織布状の有機高分子系研磨布等を貼り
付けた研磨盤で基板を挟み込み、研磨液組成物を研磨面
に供給し、一定圧力を加えながら研磨盤や基板を動かす
ことにより研磨する方法などが挙げられる。本発明の研
磨方法において、本発明の研磨液組成物を用いることに
より、研磨速度を向上させ、スクラッチやピット等の表
面欠陥の発生が抑制され、表面粗さ(Ra)を低減させ
ることができ、特に精密部品用基板を好適に製造するこ
とができる。
の研磨液組成物を用いて被研磨液基板を研磨する工程を
有する。
は、例えば、シリコン、アルミニウム、ニッケル、タン
グステン、銅、タンタル、チタン等の金属又は半金属、
及びこれらの金属を主成分とした合金、ガラス、ガラス
状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質、
アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、窒化
チタン等のセラミック材料、ポリイミド樹脂などの樹脂
等が挙げられる。中でもNi−Pメッキされたアルミニ
ウム合金からなる基板や結晶化ガラス、強化ガラスなど
のガラス基板がより好ましく、Ni−Pメッキされたア
ルミニウム合金からなる基板が特に好ましい。
なく、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プ
リズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部
を有する形状が本発明の研磨液組成物を用いた研磨の対
象となる。その中でも、ディスク状の被研磨物の研磨に
特に優れている。
の研磨に好適に用いられる。例えば、磁気ディスク、光
ディスク、光磁気ディスク等の磁気記録媒体の基板、フ
ォトマスク基板、光学レンズ、光学ミラー、光学プリズ
ム、半導体基板等の研磨に適している。半導体基板の研
磨は、シリコンウェハ(ベアウェハ)のポリッシング工
程、埋め込み素子分離膜の形成工程、層間絶縁膜の平坦
化工程、埋め込み金属配線の形成工程、埋め込みキャパ
シタ形成工程等において行われる研磨がある。本発明の
研磨液組成物は、特に磁気ディスク基板の研磨に適して
いる。さらに、表面粗さ(Ra)3Å以下の磁気ディス
ク基板を得るのに適している。本明細書では、表面粗さ
(Ra)は、一般に言われる中心線粗さとして求めら
れ、80μm以下の波長成分を持つ粗さ曲線から得られ
る中心線平均粗さをRaと表す。これは以下のように測
定することができる。
て、以下の条件で測定する。 触針先端サイズ:2.5μm×2.5μm ハイパスフィルター:80μm 測定長さ:0.64mm
成物を用いた研磨工程を有し、該研磨工程は、複数の研
磨工程の中でも2工程目以降に行われるのが好ましく、
最終研磨工程に行われるのが特に好ましい。例えば、1
工程、又は2工程の研磨工程によって、表面粗さ(R
a)を5Å〜15Åに調整したNi−Pメッキされたア
ルミニウム合金からなる基板を、本発明の研磨液組成物
を用いた研磨工程によって研磨して、表面粗さ(Ra)
3Å以下の磁気ディスク基板を、好ましくは表面粗さ
(Ra)2.5Å以下の磁気ディスク基板を製造するこ
とができる。
研磨で表面粗さ(Ra)3Å以下の磁気ディスク基板
を、好ましくは表面粗さ(Ra)2.5Å以下の磁気デ
ィスク基板を製造する際の2工程目に用いられるのに適
している。
のである。例えば、磁気ディスク基板の場合は、その表
面平滑性として、表面粗さ(Ra)が3Å以下、好まし
くは2.5Å以下であることが望ましい。また、前記基
板には表面欠陥が実質的に存しない。
いることで、研磨速度を向上させると共に、スクラッ
チ、ピット等の表面欠陥が少なく、表面粗さ(Ra)等
の平滑性が向上した、表面性状に優れた高品質の磁気デ
ィスク基板を生産効率よく製造することができる。
程において特に効果があるが、これ以外の研磨工程、例
えば、ラッピング工程等にも同様に適用することができ
る。
4000型)を用い、発明の詳細な説明の項に記載した
方法(粒径はノギスで測定)により算出された積算粒径
D50が各々25〜160nmのコロイダルシリカを用
い、適宜配合し表1に示す粒径分布(40nmにおける
積算粒径分布、D50、D90及びD50/D90)を
有する研磨材を調製した。得られた研磨材25重量部お
よびイオン交換水72重量部を添加混合した後、研磨促
進剤としてEDTA−Fe 塩(キレスト(株)製、商品
名:キレストFe)3重量部をさらに添加して研磨液組
成物を調製した。また、実施例2では比較例2の研磨材
を遠心分離機を用いて小粒径の研磨材を分級除去して研
磨に供した。なお、図1は実施例2に用いた研磨材のF
E−SEM像(倍率50000倍)を示す。図2は比較
例1に用いた研磨材のFE−SEM像(倍率50000
倍)を示す。図3は実施例3に用いた研磨材の粒径分布
を示す。図4は比較例1に用いた研磨材の粒径分布を示
す。
表面粗さRa=15Å、厚さ:0.8mmの直径3.5
インチサイズのアルミニム合金基板を用いて研磨評価を
行った。研磨条件は以下の通りである。
−H 定盤回転数:50r/min スラリー供給量:20ml/min 研磨時間:4分 研磨荷重:7.8kPa 投入した基板の枚数:10枚
化より研磨速度を求め、平均粒径:D50が100nm
のコロイダルシリカで研磨した比較例2の研磨速度を基
準とした相対値(相対研磨速度)を求めた。その結果を
表1に合わせて示す。
被研磨基板上に残留した研磨材は、原子間力顕微鏡(A
FM:デジタルインスツルメント社製 Nanosco
peIII )によって、Scan rate=1Hzで被
研磨基板の裏表各3カ所で10μm×10μmの範囲を
測定し残留した研磨材(残留砥粒)の有無を確認した。
その結果を表1に示す。なお、図5は、実施例3の研磨
液組成物を用いて研磨した被研磨基板の洗浄した後のA
FM像を示す。図6は、比較例1の研磨液組成物を用い
て研磨した被研磨基板の洗浄した後のAFM像を示す。
ソン社製 タリーステップを用いて、以下の条件で中心
線表面粗さ(Ra)を測定した。その結果を表1に示
す。 触針先端サイズ:2.5μm×2.5μm ハイパスフィルター:80μm 測定長さ:0.64mm
分干渉顕微鏡)を用いて倍率200倍で各基板の表面を
60度おきに6カ所測定した。その結果を表1に示す。
渉顕微鏡)を用いて倍率200 倍で各基板の表面を30度
おきに12カ所測定し、12視野あたりのピット数を数
えた。その結果を表1に示す。
項目の平均値を求め下記の基準により評価を行った。 残留した研磨材 ○:5個以下/10μm×10μm ×:5個を越える/10μm×10μm 表面粗さ(Ra) ○:3Å以下 ×:3Åを越える スクラッチ ○:0.5本以下 ×:0.5本を越える ピット ○:3個/面以下 ×:3個/面を越える
研磨液組成物は、いずれも比較例1〜2で得られた研磨
液組成物より研磨速度が速く、研磨材の残留がなく、得
られる被研磨物の表面平滑性にも優れ、スクラッチ、ピ
ット等の表面欠陥もないものであることがわかる。
板上に研磨材の残留がなく、さらにスクラッチ、ピット
等の表面欠陥が少なく、表面粗さ(Ra)等の表面平滑
性が向上したメモリー磁気ディスク基板等の被研磨基板
を効率よく製造することができるという効果が奏され
る。
M像である。
M像である。
ある。
ある。
した被研磨基板の洗浄した後のAFM像である。
した被研磨基板の洗浄した後のAFM像である。
Claims (4)
- 【請求項1】 水と研磨材を含んでなる研磨液組成物で
あって、研磨材の粒径分布において、粒径40nmに
おける小粒径側よりの積算粒径分布(個数基準)が25
%以下で、且つ小粒径側よりの積算粒径分布(個数基
準)が50%となる粒径(D50)が50〜600nm
であることを特徴とする研磨液組成物。 - 【請求項2】 研磨材が、金属、金属又は半金属の炭化
物、窒化物、酸化物及びホウ化物、並びにダイヤモンド
からなる群より選ばれる少なくとも1種類の研磨材であ
る、請求項1に記載の研磨液組成物。 - 【請求項3】 請求項1又は2記載の研磨液組成物を用
いて被研磨基板を研磨する被研磨基板の研磨方法。 - 【請求項4】 請求項1又は2記載の研磨液組成物を用
いて、被研磨基板を研磨する工程を有する基板の製造方
法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000141025A JP4156174B2 (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | 研磨液組成物 |
MYPI20012102A MY118582A (en) | 2000-05-12 | 2001-05-04 | Polishing composition |
TW090111040A TW526259B (en) | 2000-05-12 | 2001-05-09 | Polishing composition |
CNB011169346A CN1180043C (zh) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | 抛光组合物 |
US09/852,764 US6551175B2 (en) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | Polishing composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000141025A JP4156174B2 (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | 研磨液組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001323255A true JP2001323255A (ja) | 2001-11-22 |
JP4156174B2 JP4156174B2 (ja) | 2008-09-24 |
Family
ID=18648203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000141025A Expired - Fee Related JP4156174B2 (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | 研磨液組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4156174B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005093803A1 (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-06 | Nitta Haas Incorporated | 半導体研磨用組成物 |
JP2006032966A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 酸化セリウム研磨粒子及び該研磨粒子を含む組成物 |
US7303601B2 (en) | 2002-12-26 | 2007-12-04 | Kao Corporation | Polishing composition |
JP2008536321A (ja) * | 2005-04-14 | 2008-09-04 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 水性酸化セリウム分散液 |
WO2011016323A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法 |
JP2012025873A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Yamaguchi Seiken Kogyo Kk | 研磨剤組成物 |
JP2014151424A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Fujimi Inc | 研磨用組成物、研磨用組成物製造方法および研磨物製造方法 |
JP2015189965A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
-
2000
- 2000-05-12 JP JP2000141025A patent/JP4156174B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7303601B2 (en) | 2002-12-26 | 2007-12-04 | Kao Corporation | Polishing composition |
WO2005093803A1 (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-06 | Nitta Haas Incorporated | 半導体研磨用組成物 |
JP2006032966A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 酸化セリウム研磨粒子及び該研磨粒子を含む組成物 |
JP2008536321A (ja) * | 2005-04-14 | 2008-09-04 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 水性酸化セリウム分散液 |
WO2011016323A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法 |
JPWO2011016323A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2013-01-10 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法 |
JP2012025873A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Yamaguchi Seiken Kogyo Kk | 研磨剤組成物 |
JP2014151424A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Fujimi Inc | 研磨用組成物、研磨用組成物製造方法および研磨物製造方法 |
JP2015189965A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4156174B2 (ja) | 2008-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6551175B2 (en) | Polishing composition | |
JP4231632B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
JP4251516B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
US6454820B2 (en) | Polishing composition | |
CN1673306B (zh) | 研磨液组合物 | |
US7955517B2 (en) | Polishing fluid composition | |
US7220676B2 (en) | Roll-off reducing agent | |
JP4451347B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
JP4213858B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
JP4156174B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
JP4104335B2 (ja) | 微小突起の低減方法 | |
JP4286168B2 (ja) | ナノスクラッチを低減する方法 | |
JP2007301721A (ja) | 研磨液組成物 | |
JP3472687B2 (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
JP4267546B2 (ja) | 基板の製造方法 | |
JP4092021B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
JP3982925B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
JP2000034470A (ja) | 研磨液組成物 | |
JP4076630B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
JP4076852B2 (ja) | 微小うねり低減剤 | |
JP2002030276A (ja) | 研磨液組成物 | |
JP2008012668A (ja) | 研磨液組成物 | |
JP2002030273A (ja) | 研磨液組成物 | |
JP4093506B2 (ja) | 研磨液組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061108 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070516 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070712 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070712 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071206 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080703 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080709 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130718 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |