JP2001323099A - Photosensitive resin composition, porous resin, circuit substrate and circuit-printed suspension substrate - Google Patents
Photosensitive resin composition, porous resin, circuit substrate and circuit-printed suspension substrateInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は感光性樹脂組成物、
多孔質樹脂、回路基板および回路付サスペンション基板
に関し、詳しくは、回路基板および回路付サスペンショ
ン基板の絶縁層の形成のために好適に用いられる感光性
樹脂組成物および多孔質樹脂、および、そのような多孔
質樹脂を絶縁層として有する、回路基板および回路付サ
スペンション基板に関する。The present invention relates to a photosensitive resin composition,
The present invention relates to a porous resin, a circuit board and a suspension board with a circuit, and more specifically, a photosensitive resin composition and a porous resin suitably used for forming an insulating layer of a circuit board and a suspension board with a circuit, and the like. The present invention relates to a circuit board and a suspension board with a circuit having a porous resin as an insulating layer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来よりポリイミド樹脂は、高い耐熱
性、寸法安定性、絶縁性を有するために信頼性の必要な
部品、部材として、回路基板などの電子・電気機器や電
子部品に広く用いられている。最近では、電子・電気機
器の高速化、高機能化に伴い、大量の情報を蓄積し、高
速に処理、高速に伝達することが要求されており、その
ような用途に用いられるポリイミド樹脂にも、高周波化
に対応した電気的特性として、低誘電率化が求められて
いる。2. Description of the Related Art Hitherto, polyimide resin has been widely used in electronic and electric equipment and electronic parts such as circuit boards as parts and members requiring high heat resistance, dimensional stability, and insulation properties and requiring reliability. ing. Recently, with the increase in speed and functionality of electronic and electrical equipment, it has been required to accumulate a large amount of information, process it at high speed, and transmit it at high speed. Polyimide resins used in such applications are also required. As an electrical characteristic corresponding to a higher frequency, a lower dielectric constant is required.
【０００３】しかし、一般に、プラスチック材料の誘電
率は、その分子骨格から決定されてしまうため、その分
子骨格を変性しても誘電率を下げるには限界がある。そ
のため、空気の誘電率が低いこと（ε＝１．０）に着目
して、プラスチック材料を多孔化させて、その空孔率に
よって誘電率を制御しようとする方法が各種提案されて
いる。However, since the dielectric constant of a plastic material is generally determined from its molecular skeleton, there is a limit to lowering the dielectric constant even if the molecular skeleton is modified. Therefore, noting that the dielectric constant of air is low (ε = 1.0), various methods have been proposed in which a plastic material is made porous and the dielectric constant is controlled by the porosity.
【０００４】そのような多孔質樹脂を得る方法として
は、乾式法や湿式法などがあり、乾式法では、通常、物
理的方法によるものと、化学的方法によるものとが知ら
れている。物理的方法としては、クロロフルオロカーボ
ン類や炭化水素類などの低沸点液体（発泡剤）を樹脂中
に分散させた後、加熱して発泡剤を揮発させることによ
り気泡を生じさせ、これによって発泡体を得るものであ
る。また、化学的方法は、樹脂に発泡剤を添加して、こ
れを熱分解することによって生じるガスによりセルを形
成し、これによって発泡体を得るものである。物理的方
法によるものとしては、例えば、米国特許公報第４５３
２２６３号において、塩化メチレン、クロロホルム、ト
リクロロエタンなどを発泡剤として用いて、発泡ポリエ
ーテルイミドを得ることが提案されている。[0004] As a method for obtaining such a porous resin, there are a dry method and a wet method. In the dry method, a physical method and a chemical method are generally known. As a physical method, a low-boiling point liquid (blowing agent) such as chlorofluorocarbons or hydrocarbons is dispersed in a resin, and then heated to volatilize the blowing agent to generate air bubbles, thereby forming a foam. Is what you get. In the chemical method, a foaming agent is added to a resin, and cells are formed by a gas generated by thermally decomposing the foaming agent, whereby a foam is obtained. As a method by a physical method, for example, US Pat.
No. 2263 proposes to obtain a foamed polyetherimide using methylene chloride, chloroform, trichloroethane or the like as a foaming agent.
【０００５】さらに、近年では、セル径が小さく、セル
密度の高い発泡体として、窒素や二酸化炭素などの気体
を高圧にて樹脂中に溶解させた後、圧力を解放し、樹脂
のガラス転移点や軟化点付近まで加熱することにより、
気泡を生じさせる方法が提案されている。このような方
法では、微孔質発泡体を得ることができ、例えば、特開
平６−３２２１６８号公報では、この方法をポリエーテ
ルイミド樹脂に適用して、耐熱性を有する発泡体を得る
ことが提案されている。また、例えば、特開平１０−４
５９３６号公報では、この方法をシンジオタクチック構
造を有するスチレン系樹脂に適用して、気泡サイズが
０．１〜２０μｍの多孔質を有する発泡体を得て、これ
を電気回路部材として用いることが提案されている。ま
た、例えば、特開平９−１００３６３号公報では、二酸
化炭素などを発泡剤として発泡された空孔率が１０ｖｏ
ｌ％以上の多孔質なプラスチックを含む、耐熱温度が１
００℃以上で、かつ、誘電率が２．５以下である低誘電
率プラスチック絶縁フィルムが提案されている。Further, in recent years, as a foam having a small cell diameter and a high cell density, a gas such as nitrogen or carbon dioxide is dissolved in a resin at a high pressure, and then the pressure is released to reduce the glass transition point of the resin. Or by heating to near the softening point,
Methods for generating bubbles have been proposed. With such a method, a microporous foam can be obtained. For example, in JP-A-6-322168, this method can be applied to a polyetherimide resin to obtain a heat-resistant foam. Proposed. Also, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-4
In Japanese Patent No. 5936, this method is applied to a styrenic resin having a syndiotactic structure to obtain a porous foam having a cell size of 0.1 to 20 μm, which can be used as an electric circuit member. Proposed. Also, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 9-100363, a porosity of 10 vol.
1% or more of porous plastic, heat resistance temperature is 1
A low-dielectric-constant plastic insulating film having a temperature of 00 ° C. or higher and a dielectric constant of 2.5 or lower has been proposed.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような多
孔質樹脂を得る方法において、例えば、物理的手法で
は、発泡剤として用いられるクロロフルオロカーボン類
が、安全衛生上およびオゾン層の破壊などの環境上から
好ましいものではなく、また、炭化水素類を用いても、
微細かつ均一なセル径を形成することが困難である。However, in a method for obtaining such a porous resin, for example, in a physical method, chlorofluorocarbons used as a foaming agent are not suitable for safety and hygiene and environmental damage such as destruction of the ozone layer. It is not preferable from the top, and even when using hydrocarbons,
It is difficult to form a fine and uniform cell diameter.
【０００７】また、化学的手法では、発泡後、ガスを発
生させた発泡剤の残さが、発泡体中に残存するおそれが
あるため、電子・電気機器や電子部品など、低汚染性が
強く要求される用途には不向きである。[0007] Further, in the chemical method, since there is a possibility that the foaming agent which has generated a gas after foaming may remain in the foam, low pollution is strongly required for electronic / electric devices and electronic parts. It is not suitable for the intended use.
【０００８】さらに、気体を高圧で樹脂中に溶解させた
後、圧力を解放し、樹脂のガラス転移点や軟化点付近ま
で加熱することにより、気泡を生じさせる方法におい
て、例えば、特開平６−３２２１６８号公報に記載され
る方法では、高圧ガスを圧力容器中で含浸するときに、
圧力容器を樹脂のビカー軟化点またはその近傍まで加熱
するので、減圧するときには、樹脂が溶融状態にある一
方で高圧ガスが膨張しやすいために、得られた発泡体の
気泡サイズがあまり小さくならず、例えば、回路基板な
どとして用いる場合には、その厚みが厚くなってしまっ
たり、あるいは、そのパターン化において微細化に限界
を生ずる。また、例えば、特開平１０−４５９３６号公
報に記載される方法では、スチレン系樹脂のガラス転移
点が１００℃付近であるため、それ以上の高温では使用
できず、さらに、特開平９−１００３６３号公報に記載
される方法では、気泡サイズがあまり小さくならず、パ
ターン化において微細化に限界を生ずる。Further, in a method in which a gas is dissolved in a resin at a high pressure, the pressure is released, and the resin is heated to a temperature close to a glass transition point or a softening point of the resin to generate bubbles. In the method described in JP-A-322168, when impregnating a high-pressure gas in a pressure vessel,
Since the pressure vessel is heated to or near the Vicat softening point of the resin, when the pressure is reduced, the high-pressure gas is easily expanded while the resin is in a molten state, so that the bubble size of the obtained foam does not become too small. For example, when it is used as a circuit board or the like, its thickness is increased or its patterning is limited in terms of miniaturization. In addition, for example, in the method described in JP-A-10-45936, the styrene-based resin has a glass transition point of around 100 ° C., so that it cannot be used at a higher temperature than that. In the method described in the gazette, the bubble size does not become too small, and there is a limit to miniaturization in patterning.
【０００９】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、その目的とするところは、高い耐熱性、寸法安
定性、絶縁性を有し、しかも、均一で微細な気泡を有す
る多孔質樹脂、および、その多孔質樹脂を得るための感
光性樹脂組成物、さらには、そのような多孔質樹脂を絶
縁層として有する、回路基板および回路付サスペンショ
ン基板を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a porous material having high heat resistance, dimensional stability, insulating properties, and uniform and fine bubbles. An object of the present invention is to provide a resin, a photosensitive resin composition for obtaining the porous resin, and a circuit board and a suspension board with a circuit having such a porous resin as an insulating layer.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の感光性樹脂組成物は、下記一般式（１）で
示される繰り返し単位構造を有するポリイミド樹脂前駆
体と、感光剤と、前記ポリイミド樹脂前駆体に対して分
散可能な分散性化合物と、溶剤とを含有することを特徴
としている。Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, a photosensitive resin composition of the present invention comprises a polyimide resin precursor having a repeating unit structure represented by the following general formula (1): And a dispersible compound dispersible in the polyimide resin precursor, and a solvent.
【００１１】[0011]
【化２】 Embedded image
【００１２】（式中、Ｒ1 およびＲ2 は、芳香族基を、
Ｒ3 およびＲ4 は、水酸基または１価の有機基であっ
て、その少なくとも一方は、感光性を有する１価の有機
基を示す。） また、この感光性樹脂組成物においては、前記分散性化
合物が、ポリエーテルオリゴマー、ポリエステルオリゴ
マー、ポリウレタンオリゴマーからなる群から選ばれる
少なくとも１種であることが好ましい。(Wherein R 1 and R 2 represent an aromatic group,
R 3 and R 4 are a hydroxyl group or a monovalent organic group, at least one of which is a photosensitive monovalent organic group. In the photosensitive resin composition, it is preferable that the dispersible compound is at least one selected from the group consisting of a polyether oligomer, a polyester oligomer, and a polyurethane oligomer.
【００１３】また、本発明は、この感光性樹脂組成物か
ら溶剤を除くことにより、前記ポリイミド樹脂前駆体中
に前記分散性化合物が分散した状態を形成する工程、前
記分散性化合物を除去することにより、多孔化する工
程、および前記感光性樹脂組成物を硬化させる工程を含
む工程によって得られる、多孔質樹脂をも含むものであ
る。なお、この多孔質樹脂を得る工程においては、前記
感光性樹脂組成物を、露光および現像することによりパ
ターン化する工程を含むことが好ましい。Further, the present invention provides a method of forming a state in which the dispersible compound is dispersed in the polyimide resin precursor by removing a solvent from the photosensitive resin composition, and removing the dispersible compound. And a porous resin obtained by a step including a step of forming a porous resin and a step of curing the photosensitive resin composition. The step of obtaining the porous resin preferably includes a step of patterning the photosensitive resin composition by exposing and developing the photosensitive resin composition.
【００１４】そして、このような多孔質樹脂は、回路基
板の絶縁層として、とりわけ、回路付サスペンション基
板の絶縁層として好適に用いられる。[0014] Such a porous resin is suitably used as an insulating layer of a circuit board, especially as an insulating layer of a suspension board with circuit.
【００１５】また、本発明は、このような多孔質樹脂を
絶縁層として有している、回路基板および回路付サスペ
ンション基板をも含むものである。The present invention also includes a circuit board and a suspension board with circuit having such a porous resin as an insulating layer.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】本発明の感光性樹脂組成物は、下
記一般式（１）で示される繰り返し単位構造を有するポ
リイミド樹脂前駆体と、感光剤と、ポリイミド樹脂前駆
体に対して分散可能な分散性化合物と、溶剤とを含有し
ている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The photosensitive resin composition of the present invention can be dispersed in a polyimide resin precursor having a repeating unit structure represented by the following general formula (1), a photosensitive agent, and a polyimide resin precursor. A highly dispersible compound and a solvent.
【００１７】[0017]
【化３】 Embedded image
【００１８】（式中、Ｒ1 およびＲ2 は、芳香族基を、
Ｒ3 およびＲ4 は、水酸基または１価の有機基であっ
て、その少なくとも一方は、感光性を有する１価の有機
基を示す。） 本発明に用いられるポリイミド樹脂前駆体は、Ｒ1 で示
される芳香族基を有する無水カルボン酸含有化合物と、
Ｒ3 またはＲ4 で示される１価の有機基を有する水酸基
含有化合物とをエステル化反応させた後、この反応で得
られたエステル化合物に、Ｒ2 で示される芳香族基を有
するジアミン化合物を重縮合反応させて、この反応で得
られた重縮合化合物を、必要に応じて精製することによ
り得ることができる。(Wherein R 1 and R 2 represent an aromatic group,
R 3 and R 4 are a hydroxyl group or a monovalent organic group, at least one of which is a photosensitive monovalent organic group. The polyimide resin precursor used in the present invention is a carboxylic anhydride-containing compound having an aromatic group represented by R 1 ,
After an esterification reaction with a hydroxyl-containing compound having a monovalent organic group represented by R 3 or R 4 , a diamine compound having an aromatic group represented by R 2 is added to the ester compound obtained by this reaction. A polycondensation reaction can be performed, and the polycondensation compound obtained by this reaction can be obtained by purifying as necessary.
【００１９】無水カルボン酸化合物としては、例えば、
ピロメリット酸二無水物、３，３'，４，４’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（２，３
−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−
ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３
−ヘキサフルオロプロパン二無水物、３，３' ，４，
４' −ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン酸二無
水物などの有機テトラカルボン酸二無水物が挙げられ
る。それらは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用
してもよい。Examples of the carboxylic anhydride compound include:
Pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (2,3
-Dicarboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-
Hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis (3,
4-dicarboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3
-Hexafluoropropane dianhydride, 3,3 ', 4,
4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride,
Organic tetracarboxylic dianhydrides such as bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfonic dianhydride are exemplified. They may be used alone or in combination of two or more.
【００２０】Ｒ3 またはＲ4 で示される１価の有機基を
有する水酸基含有化合物としては、例えば、ペンタエリ
スリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールト
リメタクリレート、ペンタエリスリトールアクリレート
ジメタクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレー
トメタクリレート、グリセロールジアクリレート、グリ
セロールジメタクリレート、グリセロールアクリレート
メタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレー
ト、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキ
シエチルメタリレート、グリシジルアクリレート、グリ
シジルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリ
レート、２−ヒドロキシプロピルメタリレート、２−ヒ
ドロキシブチルアクリレート、２−ヒドロキシブチルメ
タリレートなどのヒドロキシアクリレート類が挙げられ
る。それらは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用
してもよい。Examples of the hydroxyl-containing compound having a monovalent organic group represented by R 3 or R 4 include pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol acrylate dimethacrylate, pentaerythritol diacrylate methacrylate, glycerol diacrylate. Acrylate, glycerol dimethacrylate, glycerol acrylate methacrylate, trimethylolpropane diacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, 2- Hydroxybutyl acrylate and 2-hydroxybutyl metalate Droxyacrylates. They may be used alone or in combination of two or more.
【００２１】そして、無水カルボン酸含有化合物と水酸
基含有化合物との反応は、例えば、無水カルボン酸含有
化合物１モルに対して、水酸基含有化合物を１．５〜３
倍モル、好ましくは、２．０〜２．５倍モルの割合にお
いて、反応溶媒として、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プロ
トン性極性溶媒を用い、触媒として、例えば、トリエチ
ルアミン、ピリジン、トリエタノールアミンなどの塩基
性触媒を用いて、常温下において行なうことができる。The reaction between the carboxylic anhydride-containing compound and the hydroxyl-containing compound is carried out, for example, by adding 1.5 to 3 hydroxyl-containing compounds to 1 mol of the carboxylic anhydride-containing compound.
In a molar ratio of preferably 2.0 to 2.5 times, as a reaction solvent, for example, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide and the like And a basic catalyst such as triethylamine, pyridine or triethanolamine as a catalyst at room temperature.
【００２２】次いで、この反応で得られたエステル化合
物に、ジアミン化合物を重縮合反応させる。ジアミン化
合物としては、例えば、ｍ−フェニレンジアミン、Ｐ−
フェニレンジアミン、３，４' −ジアミノジフェニルエ
ーテル、４，４' −ジアミノジフェニルエーテル、４，
４' −ジアミノジフェニルスルホン、３，３' −ジアミ
ノジフェニルスルホン、２，２−ビス（４−アミノフェ
ノキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノ
フェノキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３
−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，４−ジアミ
ノトルエン、２，６−ジアミノトルエン、ジアミノジフ
ェニルメタン、４，４' −ジアミノ−２，２−ジメチル
ビフェニル、２，２−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４' −ジアミノビフェニルなどが挙げられる。それ
らは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよ
い。Next, the ester compound obtained by this reaction is subjected to a polycondensation reaction with a diamine compound. Examples of the diamine compound include m-phenylenediamine, P-
Phenylenediamine, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,
4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) hexafluoropropane, 1,3
-Bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 2,4-diaminotoluene, 2,6-diaminotoluene, diaminodiphenylmethane, 4,4'-diamino-2,2 -Dimethylbiphenyl, 2,2-bis (trifluoromethyl)-
4,4'-diaminobiphenyl and the like. They may be used alone or in combination of two or more.
【００２３】そして、エステル化合物とジアミン化合物
との反応は、これらが実質的に等モル比となるような割
合において脱水縮合させればよく、例えば、エステル化
合物を、塩化チオニル、オキサリルクロライドなどの塩
化物を用いて酸クロライドとして、これをジアミンと反
応させてもよく、また、例えば、ジフェニル（２，３−
ジヒドロ−２−チオキソ−３−ベンゾキサゾール）ホス
ホナート、ジシクロヘキシルカルボジイミド、カルボニ
ルジイミダゾールなどの脱水縮合剤を用いて反応させて
もよい。また、この反応は、例えば、反応溶媒として、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホキシドなどの非プロトン性極性溶媒を用いて行なうこ
とが好ましい。その後、この反応で得られた重縮合化合
物を、必要に応じて精製することにより、ポリイミド樹
脂前駆体を得ることができる。重縮合化合物の精製は、
例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプ
ロピルアルコールなどの貧溶媒中で重縮合化合物を沈殿
させて、これをろ別、回収し、乾燥すればよい。The reaction between the ester compound and the diamine compound may be carried out by dehydration-condensation at such a ratio that they are substantially equimolar. For example, the ester compound is converted to a chloride such as thionyl chloride or oxalyl chloride. The product may be used as an acid chloride to be reacted with a diamine. For example, diphenyl (2,3-
The reaction may be carried out using a dehydrating condensing agent such as dihydro-2-thioxo-3-benzoxazole) phosphonate, dicyclohexylcarbodiimide, and carbonyldiimidazole. In addition, this reaction, for example, as a reaction solvent,
It is preferable to use an aprotic polar solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide and the like. Thereafter, the polycondensation compound obtained by this reaction can be purified, if necessary, to obtain a polyimide resin precursor. Purification of the polycondensation compound
For example, the polycondensation compound may be precipitated in a poor solvent such as methyl alcohol, ethyl alcohol, or isopropyl alcohol, and then separated by filtration, collected, and dried.
【００２４】このようにして得られたポリイミド樹脂前
駆体は、上記式（１）で示される繰り返し単位構造から
なり、その重合度（ｎ）が、５〜４００、さらには、１
０〜２００、その数平均分子量が、５０００〜２０００
００、さらには、１００００〜１０００００であること
が好ましい。The polyimide resin precursor thus obtained has a repeating unit structure represented by the above formula (1), and has a degree of polymerization (n) of 5 to 400, more preferably 1 to 400.
0 to 200, the number average molecular weight of which is 5,000 to 2,000
00, more preferably 10,000 to 100,000.
【００２５】本発明に用いられる感光剤は、露光感度、
解像度を向上させる目的で用いられるものであって、具
体的には、光重合開始剤、増感剤、重合禁止剤などから
構成されている。また、このような感光剤は、ポリイミ
ド樹脂前駆体に配合して用いることができる。The photosensitive agent used in the present invention has an exposure sensitivity,
It is used for the purpose of improving the resolution, and is specifically composed of a photopolymerization initiator, a sensitizer, a polymerization inhibitor and the like. Further, such a photosensitive agent can be used by being blended with a polyimide resin precursor.
【００２６】光重合開始剤としては、紫外線中のｉ線
（３６５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ）において効率よく
反応性ラジカルを発生させるものが好ましく、例えば、
ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４−
ベンゾイル−４’−メチルジフェニルケトン、ジベンジ
ルケトン、２，２’−ジエトキシアセトフェノンなどの
アセトフェノン誘導体、例えば、２，６’−ジ（４’−
ジアジドベンザル）シクロヘキサノン、２，６’−ジ
（４’−ジアジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサ
ノン、２，６’−ジ（４’−ジアジドベンザル）−４−
エチルシクロヘキサノンなどのアジド化合物、例えば、
１−フェニル−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシ
ム、１，３−ジフェニルプロパントリオン−２−（ｏ−
エトキシカルボニル）オキシムなどのオキシム類、例え
ば、Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−（ｐ−エチル）フェニ
ルグリシンなどのグリシン誘導体が挙げられる。それら
は、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよ
い。また、このような光重合開始剤は、ポリイミド樹脂
前駆体１００重量部に対して、０．１〜１０重量部配合
することが好ましい。As the photopolymerization initiator, those which efficiently generate reactive radicals at i-line (365 nm) and g-line (436 nm) in ultraviolet rays are preferable.
Benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4-
Acetophenone derivatives such as benzoyl-4'-methyldiphenylketone, dibenzylketone, 2,2'-diethoxyacetophenone, for example, 2,6'-di (4'-
Diazidobenzal) cyclohexanone, 2,6'-di (4'-diazidobenzal) -4-methylcyclohexanone, 2,6'-di (4'-diazidobenzal) -4-
Azide compounds such as ethylcyclohexanone, for example,
1-phenyl-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1,3-diphenylpropanetrione-2- (o-
Oximes such as ethoxycarbonyl) oxime, and glycine derivatives such as N-phenylglycine and N- (p-ethyl) phenylglycine. They may be used alone or in combination of two or more. Further, such a photopolymerization initiator is preferably blended in an amount of 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyimide resin precursor.
【００２７】増感剤としては、例えば、ミヒラーズケト
ン、４，４’−ビス（ジエチルアミノベンゾフェノ
ン）、２，５−ビス（４’−ジエチルアミノベンザル）
シクロペンタノン、２，６−ビス（４’−ジエチルアミ
ノベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ビス（４’−
ジメチルアミノベンザル）−４−メチルシクロヘキサノ
ン、２，６−ビス（４’−ジエチルアミノベンザル）−
４−メチルシクロヘキサノン、Ｎ−フェニル−Ｎ’−エ
タノールアミン、Ｎ−フェニルエタノールアミン、２−
メルカプトベンゾキサゾール、２−メルカプトベンゾチ
アゾールなどが挙げられる。それらは、単独で用いても
よいし、２種以上を併用してもよい。また、このような
増感剤は、ポリイミド樹脂前駆体１００重量部に対し
て、０．１〜１０重量部配合することが好ましい。これ
ら増感剤は、使用する波長や要求感度により、適宜選択
して用いることが好ましく、これにより、各波長におけ
る解像度を向上させることができる。Examples of the sensitizer include Michler's ketone, 4,4'-bis (diethylaminobenzophenone) and 2,5-bis (4'-diethylaminobenzal)
Cyclopentanone, 2,6-bis (4′-diethylaminobenzal) cyclohexanone, 2,6-bis (4′-
Dimethylaminobenzal) -4-methylcyclohexanone, 2,6-bis (4'-diethylaminobenzal)-
4-methylcyclohexanone, N-phenyl-N'-ethanolamine, N-phenylethanolamine, 2-
Mercaptobenzoxazole, 2-mercaptobenzothiazole and the like can be mentioned. They may be used alone or in combination of two or more. Further, such a sensitizer is preferably added in an amount of 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyimide resin precursor. It is preferable that these sensitizers are appropriately selected and used depending on the wavelength to be used and the required sensitivity, whereby the resolution at each wavelength can be improved.
【００２８】重合禁止剤は、感光性樹脂組成物の保存安
定性を向上させるものであり、例えば、ヒドロキノン、
メチルヒドロキノン、ブチルキノンなどのヒドロキノン
誘導体が挙げられる。それらは、単独で用いてもよい
し、２種以上を併用してもよい。また、このような重合
禁止剤は、ポリイミド樹脂前駆体１００重量部に対し
て、０．１〜１０重量部配合することが好ましい。The polymerization inhibitor improves the storage stability of the photosensitive resin composition, and includes, for example, hydroquinone,
Hydroquinone derivatives such as methylhydroquinone and butylquinone are exemplified. They may be used alone or in combination of two or more. Further, such a polymerization inhibitor is preferably added in an amount of 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyimide resin precursor.
【００２９】また、本発明に用いられる分散性化合物
は、ポリイミド樹脂前駆体に対して分散し得る化合物で
あって、より具体的には、ポリイミド樹脂前駆体に対し
て微粒子としてミクロ相分離して、海島構造を形成し得
る化合物である。本発明に用いられる分散性化合物は、
そのような化合物であれば、特に制限されないが、ポリ
イミド樹脂前駆体に対して完全に相溶しないものが好ま
しく、また、加熱により揮散するか、もしくは、分解し
て炭化するもの、あるいは、特定の溶剤によって抽出で
きるものが好ましく用いられる。そのような化合物とし
ては、例えば、同一あるいは相異なる単量体が２以上重
合している比較的低重合度のオリゴマーが挙げられ、よ
り具体的には、例えば、ポリエーテルオリゴマー、ポリ
エステルオリゴマー、ポリウレタンオリゴマーなどが挙
げられる。The dispersible compound used in the present invention is a compound which can be dispersed in the polyimide resin precursor, and more specifically, is obtained by micro-phase-separating the polyimide resin precursor as fine particles. Is a compound capable of forming a sea-island structure. Dispersible compound used in the present invention,
As long as it is such a compound, it is not particularly limited, but a compound that is not completely compatible with the polyimide resin precursor is preferable, and is also volatilized by heating, or is decomposed and carbonized, or a specific compound. Those that can be extracted with a solvent are preferably used. Such compounds include, for example, oligomers having a relatively low degree of polymerization in which two or more identical or different monomers are polymerized. More specifically, for example, polyether oligomers, polyester oligomers, polyurethanes Oligomers and the like.
【００３０】ポリエーテルオリゴマーとしては、例え
ば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコー
ル、ポリブチレングリコール、および、それらの片末端
もしくは両末端が、メチル、フェニルなどのブロック剤
で封鎖されている封鎖物などが挙げられる。Examples of the polyether oligomer include polyethylene glycol, polypropylene glycol, polybutylene glycol, and those having one or both ends blocked with a blocking agent such as methyl and phenyl. .
【００３１】ポリエステルオリゴマーとしては、例え
ば、ε−カプロラクトン、および、それらの片末端もし
くは両末端が、メチル、フェニルなどのブロック剤で封
鎖されている封鎖物などが挙げられる。Examples of the polyester oligomer include ε-caprolactone, and a blocked product in which one or both terminals thereof are blocked with a blocking agent such as methyl and phenyl.
【００３２】ポリウレタンオリゴマーとしては、例え
ば、ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオー
ル、ポリカーボネートポリオール、ポリブタジエンポリ
オールなどのマクロポリオールと、ポリイソシアネート
モノマーとの反応生成物などのウレタンポリオールなど
が挙げられる。Examples of the polyurethane oligomer include urethane polyols such as a reaction product of a macro polyol such as polyether polyol, polyester polyol, polycarbonate polyol and polybutadiene polyol with a polyisocyanate monomer.
【００３３】このような分散性化合物は、単独で用いて
もよいし、２種以上を併用してもよい。また、その重量
平均分子量が、１５０〜１００００、さらには、３００
〜５０００の範囲にあることが好ましい。１５０未満で
あると、ポリイミド樹脂前駆体に対して良好に相溶して
しまう場合があり、一方、１００００を超えると、微細
に分散させることができない場合がある。また、このよ
うな分散性化合物は、ポリイミド樹脂前駆体１００重量
部に対して、通常、２００重量部以下、多孔質樹脂の気
泡のサイズを微細（１０μｍ未満）とするためには、好
ましくは、１０〜２００重量部、とりわけ、誘電率を３
以下とするするためには、好ましくは、３０〜１００重
量部の範囲で用いられる。These dispersing compounds may be used alone or in combination of two or more. Moreover, the weight average molecular weight is 150-10000, Furthermore, 300
It is preferably in the range of 5,000 to 5,000. If it is less than 150, it may be satisfactorily compatible with the polyimide resin precursor. On the other hand, if it exceeds 10,000, it may not be possible to disperse finely. Further, such a dispersible compound is usually 200 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the polyimide resin precursor, and in order to make the size of the bubbles of the porous resin fine (less than 10 μm), 10 to 200 parts by weight, especially a dielectric constant of 3
In order to achieve the following, it is preferably used in the range of 30 to 100 parts by weight.
【００３４】また、本発明に用いられる溶剤は、ポリイ
ミド樹脂前駆体の合成に用いた反応溶媒をそのまま用い
ればよく、さらに、そのような反応溶媒とともに、ある
いは、反応溶媒に代えて、例えば、１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン、ジグライム、トリグライム、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサン、トル
エン、キシレンなどの有機溶剤を、単独もしくは２種以
上併用して用いてもよい。溶媒の使用量は、特に限定さ
れないが、使用量を調整することによって、通常、その
目的および用途に応じた感光性樹脂組成物の粘度を調整
することができる。通常は、ポリイミド樹脂前駆体、感
光剤および分散性化合物の合計量に対して、重量比で、
等量〜１００倍量、好ましくは、２〜５０倍量の範囲で
用いられる。As the solvent used in the present invention, the reaction solvent used for synthesizing the polyimide resin precursor may be used as it is. Further, together with such a reaction solvent or instead of the reaction solvent, for example, 1 , 3-dimethyl-
Organic solvents such as 2-imidazolidinone, diglyme, triglyme, tetrahydrofuran, dioxane, cyclohexane, toluene and xylene may be used alone or in combination of two or more. The amount of the solvent used is not particularly limited, but by adjusting the amount used, the viscosity of the photosensitive resin composition can be generally adjusted according to the purpose and use. Usually, with respect to the total amount of the polyimide resin precursor, the photosensitive agent and the dispersible compound, by weight ratio,
It is used in the range of 1 to 100 times, preferably 2 to 50 times.
【００３５】そして、本発明の感光性樹脂組成物は、ポ
リイミド樹脂前駆体、感光剤、分散性化合物および溶媒
を、上記した割合において、適宜公知の方法によって配
合すればよい。このようにして得られた本発明の感光性
樹脂組成物は、高い耐熱性、寸法安定性、絶縁性を有
し、しかも、均一で微細な気泡を有し、低誘電率で微細
なパターンを形成しやすい多孔質樹脂、とりわけ、回路
基板の絶縁層を形成するための多孔質樹脂の原料として
好適に用いられる。In the photosensitive resin composition of the present invention, a polyimide resin precursor, a photosensitizer, a dispersible compound and a solvent may be appropriately blended in the above-mentioned ratio by a known method. The photosensitive resin composition of the present invention thus obtained has high heat resistance, dimensional stability, and insulating properties, and has uniform and fine bubbles, and has a fine pattern with a low dielectric constant. It is suitably used as a raw material of a porous resin which is easy to form, especially a porous resin for forming an insulating layer of a circuit board.
【００３６】次に、本発明の感光性樹脂組成物を用い
て、多孔質樹脂を製造する方法を、多孔質樹脂からなる
回路基板の絶縁層を形成する方法を例にとって説明す
る。Next, a method for producing a porous resin using the photosensitive resin composition of the present invention will be described by taking as an example a method for forming an insulating layer of a circuit board made of a porous resin.
【００３７】この方法では、図１（ａ）に示すように、
まず、所定の基材１を用意して、図１（ｂ）に示すよう
に、感光性樹脂組成物２を、その基材１上に塗工した
後、熱風乾燥などにより乾燥させて、感光性樹脂組成物
２から溶剤を除去して皮膜を形成する。In this method, as shown in FIG.
First, a predetermined base material 1 is prepared, and as shown in FIG. 1 (b), a photosensitive resin composition 2 is applied on the base material 1 and then dried by hot-air drying or the like. The solvent is removed from the conductive resin composition 2 to form a film.
【００３８】基材としては、例えば、銅、アルミニウ
ム、ステンレス、銅−ベリリウム、リン青銅、鉄−ニッ
ケルなどの金属または合金の箔または板、例えば、シリ
コンウエハー、ガラスなどのセラミックの箔または板、
例えば、ポリイミド、ポリエステルなどのプラスチック
のフィルムなどが挙げられる。As the substrate, for example, a metal or alloy foil or plate such as copper, aluminum, stainless steel, copper-beryllium, phosphor bronze, iron-nickel, etc., for example, a ceramic foil or plate such as silicon wafer or glass,
For example, a film of a plastic such as polyimide or polyester may be used.
【００３９】感光性樹脂組成物の塗工は、例えば、スピ
ンコータ、バーコータなどの公知の塗工方法によればよ
く、基材の形状や、塗工の厚さに合わせて、適宜好適な
方法により塗工すればよい。また、その乾燥後の厚み
が、０．１〜５０μｍ、好ましくは、１〜２５μｍとな
るように塗工することが好ましい。なお、塗工の前に、
基材の表面に、予めシランカップリング剤やチタネート
系カップリング剤を下塗りしておくことによって、密着
性を向上させることができる。The coating of the photosensitive resin composition may be performed by a known coating method such as a spin coater or a bar coater, and may be performed by a suitable method according to the shape of the base material and the thickness of the coating. Just apply it. Further, it is preferable to apply the coating so that the thickness after drying is 0.1 to 50 μm, preferably 1 to 25 μm. Before coating,
By pre-coating the surface of the base material with a silane coupling agent or a titanate-based coupling agent in advance, the adhesion can be improved.
【００４０】そして、乾燥は、通常、４０℃〜１５０℃
で行なう。４０℃より低いときは、溶剤の除去速度が遅
く、また、１５０℃より高いときは、ポリイミド樹脂前
駆体のイミド化が開始する場合がある。好適には、６０
〜１００℃にて行なう。このような乾燥によって、溶剤
が除去されることにより、図１（ｂ）にモデル的に示さ
れるように、分散性化合物３が、ポリイミド樹脂前駆体
４に対して不溶化して、微細な粒子としてミクロ相分離
し、ポリイミド樹脂前駆体４中に分散性化合物３の海島
構造が形成される。The drying is usually carried out at 40 ° C. to 150 ° C.
Perform in. When the temperature is lower than 40 ° C., the removal rate of the solvent is low, and when the temperature is higher than 150 ° C., imidization of the polyimide resin precursor may start. Preferably, 60
Perform at ~ 100 ° C. As a result of such drying, the solvent is removed, so that the dispersible compound 3 is insolubilized with respect to the polyimide resin precursor 4 as shown in FIG. Microphase separation results in the formation of a sea-island structure of the dispersible compound 3 in the polyimide resin precursor 4.
【００４１】次いで、図１（ｃ）に示すように、乾燥さ
れた感光性樹脂組成物２に、フォトマスク５を介して活
性光線を照射することによって露光を行なった後、必要
により加熱することによって、ポジ型またはネガ型の潜
像を形成し、これを現像することによって、ポジ型また
はネガ型の画像、すなわち、所要のパターンを形成す
る。Next, as shown in FIG. 1 (c), the dried photosensitive resin composition 2 is exposed to actinic rays through a photomask 5 to carry out exposure, followed by heating if necessary. To form a positive or negative latent image, and by developing this, a positive or negative image, that is, a required pattern is formed.
【００４２】現像は、浸漬法やスプレー法などの公知の
方法により行なえばよく、現像温度は、通常、２５〜５
０℃の範囲が適当である。また、用いられる現像液とし
ては、良溶媒と貧溶媒との混合溶媒や、塩基性溶液など
が挙げられる。良溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ
−メチル−２−ピロリドンなどが挙げられ、また、貧溶
媒としては、例えば、低級アルコール、ケトン、水、芳
香族炭化水素などが挙げられ、さらに、塩基性溶媒とし
ては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶
液、トリエタノールアミン水溶液などが挙げられる。The development may be carried out by a known method such as an immersion method or a spray method.
A range of 0 ° C. is appropriate. Examples of the developer used include a mixed solvent of a good solvent and a poor solvent, and a basic solution. Examples of good solvents include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N
-Methyl-2-pyrrolidone, and the like, and poor solvents include, for example, lower alcohols, ketones, water, aromatic hydrocarbons, and the like. Further, basic solvents include, for example, tetramethyl hydroxide An aqueous ammonium solution, an aqueous triethanolamine solution, and the like can be given.
【００４３】なお、この方法においては、ネガ型画像で
現像することが好ましく、図１（ｄ）においては、ネガ
型画像でパターン化された態様が示されている。In this method, it is preferable to develop with a negative image, and FIG. 1D shows an embodiment in which the pattern is formed with a negative image.
【００４４】そして、図１（ｄ）に示すように、感光性
樹脂組成物２から分散性化合物３を除去することによ
り、ポリイミド樹脂前駆体４を多孔化する。Then, as shown in FIG. 1D, by removing the dispersible compound 3 from the photosensitive resin composition 2, the polyimide resin precursor 4 is made porous.
【００４５】感光性樹脂組成物から分散性化合物を除去
する方法としては、加熱により揮散させる、または、分
解して炭化する、あるいは、特定の溶剤によって抽出す
るなど、公知の方法が用いられる。これらの方法のう
ち、特定の溶剤によって抽出する方法が好ましい。溶剤
により抽出すれば、加熱によって除去しきれない分散性
化合物の残さを取り除くことができ、誘電率をさらに低
下させることができる。As a method for removing the dispersible compound from the photosensitive resin composition, a known method such as volatilization by heating, decomposition and carbonization, or extraction with a specific solvent is used. Among these methods, a method of extracting with a specific solvent is preferable. Extraction with a solvent can remove residues of the dispersible compound that cannot be completely removed by heating, and can further lower the dielectric constant.
【００４６】抽出溶剤としては、通常用いられる有機溶
剤でよく、ポリイミド樹脂前駆体の組成や分散性化合物
の種類によって、適宜選択すればよい。そのような有機
溶剤としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、１、３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、
ジメチルスルホキシド、ジグライム、トリグライムなど
の極性溶剤、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン
などのエーテル系溶剤、例えば、シクロヘキサノン、メ
チルエチルケトン、アセトンなどのケトン系溶剤、例え
ば、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶剤、
例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノールな
どのアルコール系溶剤などが挙げられる。それらは、単
独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。The extraction solvent may be a commonly used organic solvent, and may be appropriately selected depending on the composition of the polyimide resin precursor and the kind of the dispersible compound. Examples of such an organic solvent include N-methyl-2-pyrrolidone,
N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone,
Polar solvents such as dimethyl sulfoxide, diglyme and triglyme, for example, tetrahydrofuran, ether solvents such as dioxane, for example, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, ketone solvents such as acetone, for example, toluene, aromatic hydrocarbon solvents such as xylene,
For example, alcohol-based solvents such as methanol, ethanol, and isopropanol are exemplified. They may be used alone or in combination of two or more.
【００４７】また、この抽出による方法では、特に、液
化二酸化炭素、もしくは、高温高圧状態あるいは超臨界
状態にある二酸化炭素を用いることが好ましい。このよ
うな二酸化炭素を用いる場合には、例えば、耐圧容器中
で、０〜１５０℃、さらには、２０〜１２０℃で、３．
５〜１００ＭＰａ、さらには、６〜５０ＭＰａで抽出を
行なうことが好ましい。In this extraction method, it is particularly preferable to use liquefied carbon dioxide or carbon dioxide in a high-temperature, high-pressure or supercritical state. When such carbon dioxide is used, for example, in a pressure vessel at 0 to 150 ° C., further at 20 to 120 ° C .;
The extraction is preferably performed at 5 to 100 MPa, more preferably at 6 to 50 MPa.
【００４８】なお、このような、感光性樹脂組成物から
分散性化合物を除去する工程は、本発明の感光性樹脂組
成物から多孔質樹脂を得る工程中の、どの工程において
行なってもよく、独立に、または、全行程を通じて行な
ってもよい。すなわち、この説明においては、この工程
を、感光性樹脂組成物をパターン化した後、次に述べる
感光性樹脂組成物を硬化させる前の工程として述べてい
るが、感光性樹脂組成物から溶剤を除去して、ポリイミ
ド樹脂前駆体中に分散性化合物が分散した状態を形成し
た後であれば、どの工程において行なってもよく、感光
性樹脂組成物の露光前、露光後加熱前、加熱後現像前、
現像後、および、次に述べる硬化の前後、もしくは、こ
れらの各工程において複数回にわたって行なってもよ
い。The step of removing the dispersible compound from the photosensitive resin composition may be performed in any step of the step of obtaining a porous resin from the photosensitive resin composition of the present invention. It may be performed independently or throughout the entire process. That is, in this description, this step is described as a step after patterning the photosensitive resin composition and before curing the photosensitive resin composition described below, but the solvent is removed from the photosensitive resin composition. Removal may be performed in any step as long as the state in which the dispersible compound is dispersed in the polyimide resin precursor is formed, before exposure of the photosensitive resin composition, before heating after exposure, and after heating. Previous,
It may be carried out after development and before and after the curing described below, or plural times in each of these steps.
【００４９】そして、図１（ｅ）に示すように、このよ
うに形成された感光性樹脂組成物２を硬化させることに
より、本発明の多孔質樹脂からなる絶縁層６を得ること
ができる。硬化は、公知の方法により行なえばよく、例
えば、真空下または不活性ガス雰囲気下において、３５
０℃〜４００℃程度で、数時間、加熱することが好まし
い。これによって、ポリイミド樹脂前駆体がイミド化さ
れて、ポリイミド樹脂からなる多孔質樹脂の絶縁層が形
成される。Then, as shown in FIG. 1 (e), by curing the photosensitive resin composition 2 thus formed, the insulating layer 6 made of the porous resin of the present invention can be obtained. Curing may be performed by a known method, for example, under a vacuum or an inert gas atmosphere.
It is preferable to heat at about 0 ° C. to 400 ° C. for several hours. As a result, the polyimide resin precursor is imidized to form a porous resin insulating layer made of the polyimide resin.
【００５０】そして、回路基板として使用するために
は、例えば、図２（ａ）に示すように、この絶縁層６を
ベース層６として、そのベース層６の上に、導体層７
を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法、セ
ミアディティブ法などの公知のパターンニング法によっ
て、所定の回路パターンとして形成し、次いで、図２
（ｂ）に示すように、必要により、その導体層７を絶縁
層からなるカバー層８によって被覆すればよい。なお、
導体層を形成するための導体としては、例えば、銅、ニ
ッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いら
れ、その厚みは、通常、１〜１５μｍである。また、カ
バー層としては、本発明の多孔質樹脂を用いてもよく、
また、その他の、カバー層として通常用いられる公知の
樹脂を用いてもよい。カバー層の厚みは、通常、２〜２
５μｍである。For use as a circuit board, for example, as shown in FIG. 2A, the insulating layer 6 is used as a base layer 6 and a conductive layer 7 is formed on the base layer 6.
Is formed as a predetermined circuit pattern by a known patterning method such as a subtractive method, an additive method, and a semi-additive method.
As shown in (b), if necessary, the conductor layer 7 may be covered with a cover layer 8 made of an insulating layer. In addition,
As the conductor for forming the conductor layer, for example, copper, nickel, gold, solder, or an alloy thereof is used, and its thickness is usually 1 to 15 μm. Further, as the cover layer, the porous resin of the present invention may be used,
Further, other known resins that are generally used as a cover layer may be used. The thickness of the cover layer is usually 2 to 2
5 μm.
【００５１】このようにして得られる絶縁層は、ポリイ
ミド樹脂からなるので、高い耐熱性、寸法安定性、絶縁
性能を有し、しかも、１０μｍ未満、さらには、５μｍ
未満の均一で微細な気泡を有しているため、ラインアン
ドスペースが精細な回路パターンを形成することがで
き、かつ、誘電率が３以下、さらには、２．６以下の低
誘電率であるため、高周波特性を向上させることができ
る。そのため、回路基板、好ましくは、フレキシブル配
線板のベース層やカバー層として好適に用いることがで
き、このような絶縁層を有する回路基板は、高周波電気
信号を高速に伝達することのできる回路基板として有効
に用いることができる。Since the insulating layer thus obtained is made of polyimide resin, it has high heat resistance, dimensional stability, and insulating performance, and is less than 10 μm, and furthermore, 5 μm
Since it has uniform and fine bubbles of less than 3, a circuit pattern with a fine line and space can be formed, and has a low dielectric constant of 3 or less, further 2.6 or less. Therefore, high frequency characteristics can be improved. Therefore, a circuit board, preferably, can be suitably used as a base layer or a cover layer of a flexible wiring board, and a circuit board having such an insulating layer is used as a circuit board capable of transmitting high-frequency electric signals at high speed. It can be used effectively.
【００５２】とりわけ、本発明の多孔質樹脂からなる絶
縁層を、ハードディスクドライブの磁気ヘッドを実装す
る回路付サスペンション基板の絶縁層として用いれば、
そのような絶縁層を有する回路付サスペンション基板
は、磁気ヘッドにより読み書きされる大量の情報を、高
速に伝達することができる。In particular, if the insulating layer made of the porous resin of the present invention is used as an insulating layer of a suspension board with circuit for mounting a magnetic head of a hard disk drive,
A suspension board with circuit having such an insulating layer can transmit a large amount of information read and written by a magnetic head at high speed.
【００５３】次に、本発明の多孔質樹脂を、そのような
回路付サスペンション基板として用いる、具体的な態様
について詳述する。Next, a specific embodiment in which the porous resin of the present invention is used as such a suspension board with circuit will be described in detail.
【００５４】図３は、本発明の多孔質樹脂が、絶縁層と
して用いられている回路付サスペンション基板の、一実
施形態の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of one embodiment of a suspension board with circuit in which the porous resin of the present invention is used as an insulating layer.
【００５５】図３において、この回路付サスペンション
基板１１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図
示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと
磁気ディスクとが相対的に走行する時の空気流に抗し
て、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支
持するものであり、磁気ヘッドと、外部の回路としての
リード・ライト基板とを接続するための配線が、所定の
回路パターンとして一体に形成されている。In FIG. 3, the suspension board with circuit 11 has a magnetic head (not shown) of a hard disk drive mounted thereon, and the magnetic head is moved by air when the magnetic head and the magnetic disk run relatively. The magnetic head is supported while maintaining a small gap between the magnetic head and the magnetic disk. Wiring for connecting the magnetic head to a read / write board as an external circuit is provided in a predetermined circuit. It is formed integrally as a pattern.
【００５６】このような回路付サスペンション基板１１
は、長手方向に延びる支持基板１２の上に、ベース層１
３が形成されており、そのベース層１３の上に、所定の
回路パターンとして形成される導体層１４が形成されて
いる。なお、この回路パターンは、互いに所定の間隔を
隔てて平行状に配置される複数の配線１４ａ、１４ｂ、
１４ｃ、１４ｄによって構成されている。支持基板１２
の先端部には、その支持基板１２を切り込むことによっ
て、磁気ヘッドを実装するためのジンバル１５が形成さ
れている。また、その支持基板１２の先端部には、磁気
ヘッドと各配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄとを接
続するための磁気ヘッド側接続端子１６が形成されると
ともに、支持基板１２の後端部には、リード・ライト基
板と各配線１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄとを接続す
るための外部側接続端子１７が形成されている。なお、
図３においては、図示されていないが、実際には、導体
層１４の上には、絶縁体からなるカバー層１８が被覆さ
れている。Such a suspension board with circuit 11
A base layer 1 on a support substrate 12 extending in the longitudinal direction.
3, and a conductor layer 14 formed as a predetermined circuit pattern is formed on the base layer 13. The circuit pattern includes a plurality of wirings 14a, 14b, which are arranged in parallel at a predetermined interval from each other.
14c and 14d. Support substrate 12
A gimbal 15 for mounting a magnetic head is formed by cutting the support substrate 12 at the tip of the. A magnetic head-side connection terminal 16 for connecting the magnetic head to each of the wirings 14a, 14b, 14c, and 14d is formed at a front end of the support substrate 12, and is formed at a rear end of the support substrate 12. Is formed with an external connection terminal 17 for connecting the read / write board to each of the wirings 14a, 14b, 14c, and 14d. In addition,
Although not shown in FIG. 3, the conductor layer 14 is actually covered with a cover layer 18 made of an insulator.
【００５７】次に、このような回路付サスペンション基
板１１を製造する一方法について、図４〜図６を参照し
て詳述する。なお、図４〜図６においては、回路付サス
ペンション基板１１の長手方向途中を、その回路付サス
ペンション基板１１の長手方向に直交する方向に沿う断
面として示している。Next, one method of manufacturing such a suspension board with circuit 11 will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 6, a part of the suspension board with circuit 11 in the longitudinal direction is shown as a cross section along a direction orthogonal to the longitudinal direction of the suspension board with circuit 11.
【００５８】まず、図４に示すように、支持基板１２を
用意して、その支持基板１２の上に、所定のパターンで
ベース層１３を形成する。支持基板１２としては、金属
箔または金属薄板を用いることが好ましく、例えば、ス
テンレス、４２アロイなどが好ましく用いられる。ま
た、その厚さが、１０〜６０μｍ、さらには、１５〜３
０μｍ、その幅が、５０〜５００ｍｍ、さらには、１２
５〜３００ｍｍのものが好ましく用いられる。First, as shown in FIG. 4, a support substrate 12 is prepared, and a base layer 13 is formed on the support substrate 12 in a predetermined pattern. As the support substrate 12, a metal foil or a thin metal plate is preferably used, and for example, stainless steel, 42 alloy, or the like is preferably used. Further, the thickness is 10 to 60 μm, furthermore, 15 to 3 μm.
0 μm, the width of which is 50 to 500 mm,
Those having a thickness of 5 to 300 mm are preferably used.
【００５９】そして、まず、図４（ａ）に示すように、
予め用意された支持基板１２上に、図４（ｂ）に示すよ
うに、感光性樹脂組成物を、その支持基板１２の全面に
塗工した後、４０℃〜１５０℃で乾燥することにより、
溶剤を除去してポリイミド樹脂前駆体中に分散性化合物
を分散させるとともに、感光性樹脂組成物の皮膜１３ａ
を形成する。Then, first, as shown in FIG.
As shown in FIG. 4B, a photosensitive resin composition is applied on the entire surface of the support substrate 12 prepared in advance, and then dried at 40 ° C. to 150 ° C.
The solvent is removed to disperse the dispersible compound in the polyimide resin precursor, and the photosensitive resin composition film 13a
To form
【００６０】次に、図４（ｃ）に示すように、その皮膜
１３ａを、フォトマスク２４を介して露光させた後、ポ
ジ型画像またはネガ型画像で現像することにより、皮膜
１３ａを所定のパターンとする。なお、フォトマスク２
４を介して照射する照射線は、その露光波長が、３００
〜４５０ｎｍ、さらには、３５０〜４２０ｎｍであるこ
とが好ましく、その露光積算光量が、１００〜５０００
ｍＪ／ｃｍ2 、さらには、２００〜３０００ｍＪ／ｃｍ
2 であることが好ましい。なお、図４においては、ネガ
型画像でパターン化された態様が示されている。Next, as shown in FIG. 4C, the film 13a is exposed through a photomask 24 and then developed with a positive image or a negative image so that the film 13a has a predetermined shape. Pattern. In addition, the photomask 2
Irradiation line 4 has an exposure wavelength of 300
To 450 nm, more preferably 350 to 420 nm, and the integrated exposure light amount is 100 to 5000 nm.
mJ / cm 2 , and more preferably 200 to 3000 mJ / cm
It is preferably 2 . FIG. 4 shows a mode in which a negative image is formed into a pattern.
【００６１】そして、図４（ｄ）に示すように、皮膜１
３ａから分散性化合物を除去することにより、ポリイミ
ド樹脂前駆体を多孔化する。分散性化合物の除去は、加
熱、分解、抽出のいずれの方法でもよいが、好ましく
は、抽出が用いられる。Then, as shown in FIG.
The polyimide resin precursor is made porous by removing the dispersible compound from 3a. The removal of the dispersible compound may be performed by any of heating, decomposition, and extraction, but extraction is preferably used.
【００６２】次いで、図４（ｅ）に示すように、ポリイ
ミド樹脂前駆体の皮膜１３ａを、３５０℃〜４００℃程
度で、数時間、加熱することによって、ポリイミド樹脂
前駆体をイミド化して、ポリイミド樹脂からなる多孔質
のベース層１３を形成する。なお、このようにして形成
されるベース層１３の厚みは、通常、２〜２０μｍ、好
ましくは、５〜１０μｍである。Next, as shown in FIG. 4 (e), the polyimide resin precursor film 13a is heated at about 350 ° C. to 400 ° C. for several hours to imidize the polyimide resin precursor, thereby obtaining a polyimide. A porous base layer 13 made of a resin is formed. The thickness of the base layer 13 thus formed is usually 2 to 20 μm, and preferably 5 to 10 μm.
【００６３】次いで、図５に示すように、ベース層１３
の上に、所定の回路パターンで導体層１４を形成する。
導体層１４を形成するための導体としては、回路付サス
ペンション基板の導体として使用できるものであれば、
特に制限されることなく使用することができる。そのよ
うな導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はん
だ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、
銅が用いられる。また、所定の回路パターンで導体層１
４を形成するには、例えば、サブトラクティブ法、アデ
ィティブ法、セミアディティブ法などの公知のパターン
ニング法のいずれでもよいが、好ましくは、セミアディ
ティブ法が用いられる。すなわち、まず、図５（ａ）に
示すように、支持基板１２およびベース層１３の全面
に、下地２０となる導体の薄膜を形成する。下地２０の
形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ま
しく用いられる。また、下地２０となる導体は、クロム
や銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例え
ば、支持基板１２およびベース層１３の全面に、クロム
薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次に形成
することが好ましい。なお、クロム薄膜の厚みが、１０
０〜６００Å、銅薄膜の厚みが、５００〜２０００Åで
あることが好ましい。Next, as shown in FIG.
The conductor layer 14 is formed with a predetermined circuit pattern thereon.
As a conductor for forming the conductor layer 14, any conductor that can be used as a conductor of the suspension board with circuit may be used.
It can be used without particular limitation. As such a conductor, for example, copper, nickel, gold, solder, or an alloy thereof is used, preferably,
Copper is used. In addition, the conductor layer 1 has a predetermined circuit pattern.
In order to form 4, any of known patterning methods such as a subtractive method, an additive method, and a semi-additive method may be used, but a semi-additive method is preferably used. That is, first, as shown in FIG. 5A, a thin film of a conductor serving as the base 20 is formed on the entire surface of the support substrate 12 and the base layer 13. The formation of the underlayer 20 is preferably performed by a vacuum deposition method, in particular, a sputter deposition method. In addition, as the conductor serving as the base 20, chromium, copper, or the like is preferably used. More specifically, for example, it is preferable that a chromium thin film and a copper thin film are sequentially formed on the entire surface of the support substrate 12 and the base layer 13 by a sputter deposition method. The thickness of the chromium thin film is 10
Preferably, the thickness of the copper thin film is from 0 to 600 ° and from 500 to 2000 °.
【００６４】次いで、図５（ｂ）に示すように、その下
地２０の上に、所定の回路パターンと逆パターンのめっ
きレジスト２１を形成する。めっきレジスト２１は、例
えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法
により、所定のレジストパターンとして形成すればよ
い。次いで、図５（ｃ）に示すように、ベース層１３に
おけるめっきレジスト２１が形成されていない部分に、
めっきにより、所定の回路パターンの導体層１４を形成
する。めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれで
もよいが、電解めっきが好ましく用いられ、なかでも、
電解銅めっきが好ましく用いられる。なお、この回路パ
ターンは、例えば、図１に示されるように、互いに所定
の間隔を隔てて平行状に配置される、複数の配線１４
ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄパターンとして形成する。
導体層１４の厚みは、通常、２〜５０μｍ、好ましく
は、５〜３０μｍであり、各配線１４ａ、１４ｂ、１４
ｃ、１４ｄの幅は、通常、５〜５００μｍ、好ましく
は、１０〜２００μｍであり、各配線１４ａ、１４ｂ、
１４ｃ、１４ｄ間の間隔は、通常、５〜５００μｍ、好
ましくは、１０〜２００μｍである。Next, as shown in FIG. 5B, a plating resist 21 having a pattern opposite to a predetermined circuit pattern is formed on the base 20. The plating resist 21 may be formed as a predetermined resist pattern by a known method using, for example, a dry film resist. Next, as shown in FIG. 5C, a portion of the base layer 13 where the plating resist 21 is not formed is
The conductor layer 14 having a predetermined circuit pattern is formed by plating. Plating may be any of electrolytic plating and electroless plating, but electrolytic plating is preferably used.
Electrolytic copper plating is preferably used. The circuit pattern includes, for example, a plurality of wirings 14 arranged in parallel at a predetermined interval from each other as shown in FIG.
a, 14b, 14c, and 14d are formed as patterns.
The thickness of the conductor layer 14 is usually 2 to 50 μm, preferably 5 to 30 μm, and each of the wirings 14 a, 14 b, 14
The width of c and 14d is usually 5 to 500 μm, preferably 10 to 200 μm.
The interval between 14c and 14d is usually 5 to 500 μm, preferably 10 to 200 μm.
【００６５】そして、図５（ｄ）に示すように、めっき
レジスト２１を、例えば、化学エッチング（ウェットエ
ッチング）などの公知のエッチング法、または剥離によ
って除去した後、図５（ｅ）に示すように、めっきレジ
スト２１が形成されていた下地２０を、同じく、化学エ
ッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング
法により除去する。これによって、ベース層１３の上
に、導体層１４を所定の回路パターンとして形成する。Then, as shown in FIG. 5D, after the plating resist 21 is removed by a known etching method such as chemical etching (wet etching) or by stripping, as shown in FIG. Next, the base 20 on which the plating resist 21 has been formed is similarly removed by a known etching method such as chemical etching (wet etching). Thus, the conductor layer 14 is formed on the base layer 13 as a predetermined circuit pattern.
【００６６】次いで、図６に示すように、導体層１４の
表面を金属皮膜２２により保護した後、この導体層１４
を、絶縁体からなるカバー層１８により被覆する。すな
わち、まず、図６（ａ）に示すように、導体層１４の表
面、および、支持基板１２の表面に、金属皮膜２２を形
成する。この金属皮膜２２は、無電解ニッケルめっきに
よって、硬質のニッケル薄膜として形成することが好ま
しく、その厚みは、導体層１４の表面が露出しない程度
であればよく、例えば、０．０５〜０．２μｍ程度であ
ればよい。Next, as shown in FIG. 6, after the surface of the conductor layer 14 is protected by a metal film 22,
Is covered with a cover layer 18 made of an insulator. That is, first, as shown in FIG. 6A, the metal film 22 is formed on the surface of the conductor layer 14 and the surface of the support substrate 12. This metal film 22 is preferably formed as a hard nickel thin film by electroless nickel plating, and its thickness may be such that the surface of the conductor layer 14 is not exposed, for example, 0.05 to 0.2 μm. Any degree is acceptable.
【００６７】次いで、導体層１４を被覆するためのカバ
ー層１８を形成する。カバー層１８には、ベース層１３
と同じく、感光性樹脂組成物が用いられ、図６（ｂ）に
示すように、ベース層１３と同様の方法によって、ポリ
イミド樹脂からなる多孔質のカバー層１８を形成する。
なお、このようにして形成されるカバー層１８の厚み
は、導体層１４の厚みにもよるが、通常、２〜２５μ
ｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。Next, a cover layer 18 for covering the conductor layer 14 is formed. The cover layer 18 includes a base layer 13
Similarly to the above, a photosensitive resin composition is used, and a porous cover layer 18 made of a polyimide resin is formed by the same method as that for the base layer 13 as shown in FIG.
The thickness of the cover layer 18 formed in this manner depends on the thickness of the conductor layer 14, but is usually 2 to 25 μm.
m, preferably 5 to 20 μm.
【００６８】そして、図６（ｃ）に示すように、支持基
板１２の上に形成されている金属皮膜２２を剥離する。
なお、磁気ヘッド側接続端子１６および外部側接続端子
１７は、図には示していないが、カバー層１８の形成に
おいて、各端子部分がカバー層１８によって被覆されな
いようにしておき、支持基板１２の上に形成されている
金属皮膜２２を剥離する時に、同時に、各端子部分の金
属皮膜２２を剥離した後、露出する導体層１４の表面
を、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次行なう
ことにより形成する。なお、ニッケルめっき層および金
めっき層の厚さは、いずれも、０．２〜５μｍ程度であ
ることが好ましい。Then, as shown in FIG. 6C, the metal film 22 formed on the support substrate 12 is peeled off.
Although the magnetic head side connection terminals 16 and the external side connection terminals 17 are not shown in the drawing, in forming the cover layer 18, each terminal part is not covered with the cover layer 18, and the support substrate 12 When the metal film 22 formed thereon is peeled off, simultaneously, after the metal film 22 of each terminal portion is peeled off, the exposed surface of the conductor layer 14 is subjected to electrolytic nickel plating and electrolytic gold plating sequentially. Form. The thickness of each of the nickel plating layer and the gold plating layer is preferably about 0.2 to 5 μm.
【００６９】そして、電解ニッケルめっきおよび電解金
めっきに用いためっきリードを、化学エッチングなどに
より除去し、支持基板１２を、化学エッチングなど公知
の方法によって、ジンバル１５などの所定の形状に切り
抜き、洗浄および乾燥することにより、図３に示すよう
な回路付サスペンション基板１１を得る。Then, the plating leads used for the electrolytic nickel plating and the electrolytic gold plating are removed by chemical etching or the like, and the supporting substrate 12 is cut into a predetermined shape such as the gimbal 15 by a known method such as chemical etching, and washed. By drying, the suspension board with circuit 11 as shown in FIG. 3 is obtained.
【００７０】このようにして得られる回路付サスペンシ
ョン基板１１は、低誘電率化が図られており、高周波特
性が良好であるため、磁気ヘッドにより読み書きされる
大量の情報を、高速に伝達することができる。Since the suspension board with circuit 11 thus obtained has a low dielectric constant and good high-frequency characteristics, it can transmit a large amount of information read / written by the magnetic head at high speed. Can be.
【００７１】[0071]
【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明を
さらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例およ
び比較例に限定されることはない。The present invention will be described more specifically with reference to the following Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the Examples and Comparative Examples.
【００７２】合成例１（ポリイミド樹脂前駆体の合成） 乾燥空気導入管を有するフラスコに、３，３' ，４，
４' −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１２４ｇ
（０．４２モル）と、２−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート５４．７ｇ（０．４２モル）と、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン６４７ｇと、ヒドロキノン２．０ｇとを投入
した後、トリエチルアミン４０ｇを３０分かけて滴下
し、その後、室温で３時間反応させた。Synthesis Example 1 (Synthesis of Polyimide Resin Precursor) 3,3 ', 4,4
124 g of 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride
(0.42 mol), 54.7 g (0.42 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate, and N-methyl-2-
After charging 647 g of pyrrolidone and 2.0 g of hydroquinone, 40 g of triethylamine was added dropwise over 30 minutes, and then reacted at room temperature for 3 hours.
【００７３】反応終了後、ｐ−フェニレンジアミン４
３．２ｇ（０．４モル）を加えて、１時間攪拌し、さら
に、ジフェニル（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３
−ベンゾキサゾール）ホスホナート１５１．３ｇを３回
に分けて加え、反応させた。得られたスラリー状溶液
を、高速に攪拌したエタノール中で洗浄した後、減圧乾
燥させて、ポリイミド樹脂前駆体を得た。得られたポリ
イミド樹脂前駆体の数平均分子量をＧＰＣ（ゲルパーミ
エーションクロマトグラフィー）で測定したところ、標
準ポリスチレン換算で、２００００であった。After the reaction, p-phenylenediamine 4
3.2 g (0.4 mol) was added, and the mixture was stirred for 1 hour, and further added with diphenyl (2,3-dihydro-2-thioxo-3).
-(Benzoxazole) phosphonate (151.3 g) was added in three portions and reacted. The obtained slurry-like solution was washed in ethanol stirred at a high speed, and then dried under reduced pressure to obtain a polyimide resin precursor. The number average molecular weight of the obtained polyimide resin precursor measured by GPC (gel permeation chromatography) was 20,000 in terms of standard polystyrene.
【００７４】次いで、このポリイミド樹脂前駆体１００
重量部と、ベンゾフェノン２重量部と、ミヒラーズケト
ン５重量部と、ヒドロキノン１重量部とを、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン（ＮＭＰ）３０００重量部に溶解させ
て、感光剤が配合されたポリイミド樹脂前駆体の溶液を
得た。Next, the polyimide resin precursor 100
Parts by weight, 2 parts by weight of benzophenone, 5 parts by weight of Michler's ketone, and 1 part by weight of hydroquinone are dissolved in 3000 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) to obtain a polyimide resin precursor containing a photosensitive agent. A body solution was obtained.
【００７５】実施例１ 合成例１で得られたポリイミド樹脂前駆体の溶液に、重
量平均分子量が５５０のポリエチレングリコールモノメ
チルエーテルオリゴマーを、そのポリイミド樹脂前駆体
１００重量部に対して４０重量部添加し、攪拌して透明
な均一の感光性樹脂組成物を得た。この感光性樹脂組成
物を、厚さ２５μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４）上
に、スピンコータを用いて、乾燥後の皮膜の厚さが１５
μｍとなるように塗布し、９０℃で１５分間、加熱乾燥
して、ＮＭＰを除去することにより、ポリイミド樹脂前
駆体中に、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル
オリゴマーの海島構造が存在する皮膜を形成した。Example 1 To a solution of the polyimide resin precursor obtained in Synthesis Example 1 was added 40 parts by weight of a polyethylene glycol monomethyl ether oligomer having a weight average molecular weight of 550 based on 100 parts by weight of the polyimide resin precursor. The mixture was stirred to obtain a transparent and uniform photosensitive resin composition. This photosensitive resin composition was coated on a stainless steel foil (SUS304) having a thickness of 25 μm using a spin coater to a thickness of 15 μm after drying.
The resultant was applied to a thickness of μm, and dried by heating at 90 ° C. for 15 minutes to remove NMP, thereby forming a film in which a sea-island structure of polyethylene glycol monomethyl ether oligomer was present in the polyimide resin precursor.
【００７６】次に、フォトマスクを介して、露光量３０
０ｍＪ／ｃｍ2 にて紫外線（λ＝３５０〜４２０ｎｍ）
を露光し、シクロヘキサノンで現像処理することによ
り、ネガ型画像でパターンを形成した。Next, an exposure amount of 30 is applied through a photomask.
UV light at 0 mJ / cm 2 (λ = 350-420 nm)
Was exposed and developed with cyclohexanone to form a pattern with a negative image.
【００７７】この皮膜のパターンを８０ｍｍφのシート
状に切断し、５００ｍＬの耐圧容器に入れ、４０℃の雰
囲気中、２５ＭＰａ／ｃｍ2 に加圧した後、圧力を保っ
たままガス量にして約３Ｌ／分の流量で二酸化炭素を注
入、排気してポリエチレングリコールモノメチルエーテ
ルオリゴマーを抽出する操作を２時間行なった。その
後、１．３３Ｐａの真空下に減圧した状態で、３８０℃
で加熱し、多孔質のポリイミド樹脂からなる膜を作製し
た。This film pattern was cut into a sheet of 80 mmφ, placed in a 500 mL pressure-resistant container, and pressurized to 25 MPa / cm 2 in an atmosphere of 40 ° C. Then, while maintaining the pressure, the gas amount was reduced to about 3 L. An operation of injecting and exhausting carbon dioxide at a flow rate of / min to extract a polyethylene glycol monomethyl ether oligomer was performed for 2 hours. Thereafter, the pressure was reduced to 380 ° C. under a vacuum of 1.33 Pa.
To produce a film made of a porous polyimide resin.
【００７８】得られた多孔質膜の気泡のサイズおよび誘
電率を以下の測定条件（以下同じ）に従って求めた。そ
の結果、気泡のサイズは、１μｍであり、誘電率は、
２．５（１ＭＨｚ）であった。The size and the dielectric constant of the bubbles in the obtained porous film were determined according to the following measurement conditions (the same applies hereinafter). As a result, the bubble size is 1 μm and the dielectric constant is
2.5 (1 MHz).
【００７９】気泡のサイズ：作製した多孔質膜を液体窒
素中で凍結して割断し、その断面を走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）（日立製作所製 Ｓ−５７０型）を用いて、
加速電圧１０ｋｖにて観察することにより求めた。Bubble size: The produced porous membrane was frozen in liquid nitrogen and cut, and its cross section was measured using a scanning electron microscope (SEM) (S-570, manufactured by Hitachi, Ltd.).
It was determined by observation at an acceleration voltage of 10 kv.
【００８０】誘電率：横河ヒューレットパッカード社製
ＨＰ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメーターにより測定
した。Dielectric constant: Measured with an HP4284A Precision LCR meter manufactured by Yokogawa Hewlett-Packard Company.
【００８１】実施例２ 合成例１で得られたポリイミド樹脂前駆体の溶液に、重
量平均分子量が６００のポリエチレングリコールモノメ
チルエーテルオリゴマーを、そのポリイミド樹脂前駆体
１００重量部に対して３０重量部添加し、攪拌して透明
な均一の感光性樹脂組成物を得た。この感光性樹脂組成
物を、厚さ２５μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４）上
に、スピンコータを用いて、乾燥後の皮膜の厚さが１５
μｍとなるように塗布し、９０℃で１５分間、加熱乾燥
して、ＮＭＰを除去することにより、ポリイミド樹脂前
駆体中に、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル
オリゴマーの海島構造が存在する皮膜を形成した。Example 2 To a solution of the polyimide resin precursor obtained in Synthesis Example 1 was added 30 parts by weight of a polyethylene glycol monomethyl ether oligomer having a weight average molecular weight of 600 based on 100 parts by weight of the polyimide resin precursor. The mixture was stirred to obtain a transparent and uniform photosensitive resin composition. This photosensitive resin composition was coated on a stainless steel foil (SUS304) having a thickness of 25 μm using a spin coater to a thickness of 15 μm after drying.
The resultant was applied to a thickness of μm, and dried by heating at 90 ° C. for 15 minutes to remove NMP, thereby forming a film in which a sea-island structure of polyethylene glycol monomethyl ether oligomer was present in the polyimide resin precursor.
【００８２】次に、フォトマスクを介して、露光量３０
０ｍＪ／ｃｍ2 にて紫外線（λ＝３５０〜４２０ｎｍ）
を露光し、シクロヘキサノンで現像処理することによ
り、ネガ型画像でパターンを形成した。Next, an exposure amount of 30 is applied through a photomask.
UV light at 0 mJ / cm 2 (λ = 350-420 nm)
Was exposed and developed with cyclohexanone to form a pattern with a negative image.
【００８３】この皮膜のパターンを８０ｍｍφのシート
状に切断し、５００ｍＬの耐圧容器に入れ、４０℃の雰
囲気中、２５ＭＰａ／ｃｍ2 に加圧した後、圧力を保っ
たままガス量にして約３Ｌ／分の流量で二酸化炭素を注
入、排気してポリエチレングリコールモノメチルエーテ
ルオリゴマーを抽出する操作を２時間行なった。その
後、１．３３Ｐａの真空下に減圧した状態で、３８０℃
で加熱し、多孔質のポリイミド樹脂からなる膜を作製し
た。The pattern of the film was cut into a sheet of 80 mmφ, put in a 500 mL pressure vessel, pressurized to 25 MPa / cm 2 in an atmosphere of 40 ° C., and kept at a pressure to maintain a gas amount of about 3 L. An operation of injecting and exhausting carbon dioxide at a flow rate of / min to extract a polyethylene glycol monomethyl ether oligomer was performed for 2 hours. Thereafter, the pressure was reduced to 380 ° C. under a vacuum of 1.33 Pa.
To produce a film made of a porous polyimide resin.
【００８４】得られた多孔質膜の気泡のサイズは、２．
５μｍであり、誘電率は、２．６（１ＭＨｚ）であっ
た。The size of the bubbles in the obtained porous membrane is as follows:
5 μm, and the dielectric constant was 2.6 (1 MHz).
【００８５】実施例３ 合成例１で得られたポリイミド樹脂前駆体の溶液に、重
量平均分子量が１０００のポリエチレングリコールモノ
メチルエーテルオリゴマーを、そのポリイミド樹脂前駆
体１００重量部に対して４０重量部添加し、攪拌して透
明な均一の感光性樹脂組成物を得た。この感光性樹脂組
成物を、厚さ２５μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４）
上に、スピンコータを用いて、乾燥後の皮膜の厚さが１
５μｍとなるように塗布し、９０℃で１５分間、加熱乾
燥して、ＮＭＰを除去することにより、ポリイミド樹脂
前駆体中に、ポリエチレングリコールモノメチルエーテ
ルオリゴマーの海島構造が存在する皮膜を形成した。Example 3 To a solution of the polyimide resin precursor obtained in Synthesis Example 1 was added 40 parts by weight of a polyethylene glycol monomethyl ether oligomer having a weight average molecular weight of 1000 with respect to 100 parts by weight of the polyimide resin precursor. The mixture was stirred to obtain a transparent and uniform photosensitive resin composition. This photosensitive resin composition is coated with a 25 μm thick stainless steel foil (SUS304).
On top, the thickness of the dried film was 1 using a spin coater.
It was applied to a thickness of 5 μm, and was heated and dried at 90 ° C. for 15 minutes to remove NMP, thereby forming a film having a polyethylene glycol monomethyl ether oligomer sea-island structure in the polyimide resin precursor.
【００８６】次に、フォトマスクを介して、露光量３０
０ｍＪ／ｃｍ2 にて紫外線（λ＝３５０〜４２０ｎｍ）
を露光し、シクロヘキサノンで現像処理することによ
り、ネガ型画像でパターンを形成した。Next, an exposure amount of 30 is applied through a photomask.
UV light at 0 mJ / cm 2 (λ = 350-420 nm)
Was exposed and developed with cyclohexanone to form a pattern with a negative image.
【００８７】この皮膜のパターンを８０ｍｍφのシート
状に切断し、１．３３Ｐａの真空下に減圧した状態で、
３８０℃で加熱し、多孔質のポリイミド樹脂からなる膜
を作製した。The film pattern was cut into a sheet of 80 mmφ, and the pressure was reduced under a vacuum of 1.33 Pa.
The film was heated at 380 ° C. to produce a film made of a porous polyimide resin.
【００８８】得られた多孔質膜の気泡のサイズは、２μ
ｍであり、誘電率は、２．８（１ＭＨｚ）であった。The size of the bubbles in the obtained porous membrane was 2 μm.
m, and the dielectric constant was 2.8 (1 MHz).
【００８９】実施例４ 合成例１で得られたポリイミド樹脂前駆体の溶液に、重
量平均分子量が４００のポリエチレングリコールオリゴ
マーを、そのポリイミド樹脂前駆体１００重量部に対し
て３０重量部添加し、攪拌して透明な均一の感光性樹脂
組成物を得た。この感光性樹脂組成物を、厚さ２５μｍ
のステンレス箔（ＳＵＳ３０４）上に、スピンコータを
用いて、乾燥後の皮膜の厚さが１５μｍとなるように塗
布し、９０℃で１５分間、加熱乾燥して、ＮＭＰを除去
することにより、ポリイミド樹脂前駆体中に、ポリエチ
レングリコールオリゴマーの海島構造が存在する皮膜を
形成した。Example 4 To a solution of the polyimide resin precursor obtained in Synthesis Example 1 was added 30 parts by weight of a polyethylene glycol oligomer having a weight average molecular weight of 400 based on 100 parts by weight of the polyimide resin precursor, and the mixture was stirred. As a result, a transparent and uniform photosensitive resin composition was obtained. This photosensitive resin composition was prepared to have a thickness of 25 μm.
A stainless steel foil (SUS304) is coated with a spin coater so that the thickness of the dried film becomes 15 μm, and heated and dried at 90 ° C. for 15 minutes to remove NMP, thereby obtaining a polyimide resin. A film was formed in which a sea-island structure of polyethylene glycol oligomer was present in the precursor.
【００９０】次に、フォトマスクを介して、露光量３０
０ｍＪ／ｃｍ2 にて紫外線（λ＝３５０〜４２０ｎｍ）
を露光し、シクロヘキサノンで現像処理することによ
り、ネガ型画像でパターンを形成した。Next, an exposure amount of 30 is applied through a photomask.
UV light at 0 mJ / cm 2 (λ = 350-420 nm)
Was exposed and developed with cyclohexanone to form a pattern with a negative image.
【００９１】この皮膜のパターンを８０ｍｍφのシート
状に切断し、１．３３Ｐａの真空下に減圧した状態で、
３８０℃で加熱し、多孔質のポリイミド樹脂からなる膜
を作製した。The film pattern was cut into a sheet of 80 mmφ, and the pressure was reduced under a vacuum of 1.33 Pa.
The film was heated at 380 ° C. to produce a film made of a porous polyimide resin.
【００９２】得られた多孔質膜の気泡のサイズは、３μ
ｍであり、誘電率は、２．７（１ＭＨｚ）であった。The size of the bubbles in the obtained porous membrane was 3 μm.
m and the dielectric constant was 2.7 (1 MHz).
【００９３】比較例１ 合成例１で得られたポリイミド樹脂前駆体の溶液を、厚
さ２５μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４）上に、スピ
ンコータを用いて、乾燥後の皮膜の厚さが１５μｍとな
るように塗布し、９０℃で１５分間、加熱乾燥して、Ｎ
ＭＰを除去することにより、ポリイミド樹脂前駆体の皮
膜を形成した。なお、これをＳＥＭ観察したところ、海
島構造のない均一な皮膜であることが確認された。Comparative Example 1 The solution of the polyimide resin precursor obtained in Synthesis Example 1 was coated on a stainless steel foil (SUS304) having a thickness of 25 μm using a spin coater so that the thickness of the dried film became 15 μm. And dried by heating at 90 ° C. for 15 minutes.
By removing the MP, a film of the polyimide resin precursor was formed. When this was observed by SEM, it was confirmed that the film was a uniform film having no sea-island structure.
【００９４】次に、フォトマスクを介して、露光量３０
０ｍＪ／ｃｍ2 にて紫外線（λ＝３５０〜４２０ｎｍ）
を露光し、シクロヘキサノンで現像処理することによ
り、ネガ型画像でパターンを形成した。Next, an exposure amount of 30 is applied through a photomask.
UV light at 0 mJ / cm 2 (λ = 350-420 nm)
Was exposed and developed with cyclohexanone to form a pattern with a negative image.
【００９５】この皮膜のパターンを８０ｍｍφのシート
状に切断し、１．３３Ｐａの真空下に減圧した状態で、
３８０℃で加熱し、ポリイミド樹脂からなる膜を作製し
た。The film pattern was cut into a sheet of 80 mmφ, and the pressure was reduced under a vacuum of 1.33 Pa.
By heating at 380 ° C., a film made of a polyimide resin was produced.
【００９６】得られた膜の断面のＳＥＭ観察を行なった
が、気泡は観察されなかった。また、誘電率は、３．１
（１ＭＨｚ）であった。The cross section of the obtained film was observed by SEM, but no bubbles were observed. The dielectric constant is 3.1
(1 MHz).
【００９７】比較例２ 合成例１で得られたポリイミド樹脂前駆体の溶液を、厚
さ２５μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４）上に、スピ
ンコータを用いて、乾燥後の皮膜の厚さが１５μｍとな
るように塗布し、９０℃で１５分間、加熱乾燥して、Ｎ
ＭＰを除去することにより、ポリイミド樹脂前駆体の皮
膜を形成した。なお、これをＳＥＭ観察したところ、海
島構造のない均一な皮膜であることが確認された。Comparative Example 2 A solution of the polyimide resin precursor obtained in Synthesis Example 1 was coated on a stainless steel foil (SUS304) having a thickness of 25 μm using a spin coater so that the thickness of the dried film became 15 μm. And dried by heating at 90 ° C. for 15 minutes.
By removing the MP, a film of the polyimide resin precursor was formed. When this was observed by SEM, it was confirmed that the film was a uniform film having no sea-island structure.
【００９８】次に、フォトマスクを介して、露光量３０
０ｍＪ／ｃｍ2 にて紫外線（λ＝３５０〜４２０ｎｍ）
を露光し、シクロヘキサノンで現像処理することによ
り、ネガ型画像でパターンを形成した。Next, an exposure amount of 30 is applied through a photomask.
UV light at 0 mJ / cm 2 (λ = 350-420 nm)
Was exposed and developed with cyclohexanone to form a pattern with a negative image.
【００９９】この皮膜のパターンを８０ｍｍφのシート
状に切断し、５００ｍＬの耐圧容器に入れ、４０℃の雰
囲気中、２５ＭＰａ／ｃｍ2 に加圧した後、圧力を保っ
たままガス量にして約３Ｌ／分の流量で二酸化炭素を注
入、排気する操作を２時間行なった。その後、１．３３
Ｐａの真空下に減圧した状態で、３８０℃で加熱し、ポ
リイミド樹脂からなる膜を作製した。This film pattern was cut into a sheet of 80 mmφ, placed in a 500 mL pressure-resistant container, and pressurized to 25 MPa / cm 2 in an atmosphere of 40 ° C. Then, while maintaining the pressure, the gas amount was reduced to about 3 L. The operation of injecting and exhausting carbon dioxide at a flow rate of / min was performed for 2 hours. Then 1.33
The film was heated at 380 ° C. under reduced pressure under a vacuum of Pa to produce a film made of a polyimide resin.
【０１００】得られた膜の断面のＳＥＭ観察を行なった
が、気泡は観察されなかった。また、誘電率は、３．１
（１ＭＨｚ）であった。The cross section of the obtained film was observed by SEM, but no bubbles were observed. The dielectric constant is 3.1
(1 MHz).
【０１０１】[0101]
【発明の効果】以上述べたように、本発明の感光性樹脂
組成物は、高い耐熱性、寸法安定性、絶縁性能を有し、
しかも、均一で微細な気泡を有し、低誘電率で微細なパ
ターンを形成しやすい多孔質樹脂を得ることができる。
そのため、得られた多孔質樹脂は、精細な回路パターン
を形成することができ、かつ、低誘電率であるため、回
路基板の絶縁層として用いれば、その回路基板の高周波
特性を向上させることができる。したがって、そのよう
な絶縁層を有する回路基板は、高周波電気信号を高速に
伝達することのできる回路基板として有効に用いること
ができる。As described above, the photosensitive resin composition of the present invention has high heat resistance, dimensional stability and insulation performance,
In addition, it is possible to obtain a porous resin that has uniform and fine bubbles and has a low dielectric constant and is easy to form a fine pattern.
Therefore, the obtained porous resin can form a fine circuit pattern and has a low dielectric constant, so that when used as an insulating layer of a circuit board, the high-frequency characteristics of the circuit board can be improved. it can. Therefore, a circuit board having such an insulating layer can be effectively used as a circuit board that can transmit high-frequency electric signals at high speed.
【０１０２】とりわけ、回路付サスペンション基板の絶
縁層として用いると、高周波特性が良好であるため、そ
のような絶縁層を有する回路付サスペンション基板は、
磁気ヘッドにより読み書きされる大量の情報を、高速に
伝達することができる。In particular, when used as an insulating layer of a suspension board with a circuit, the suspension board with a circuit having such an insulating layer has good high frequency characteristics.
A large amount of information read and written by the magnetic head can be transmitted at high speed.
【図１】本発明の感光性樹脂組成物を用いて、多孔質樹
脂からなる回路基板の絶縁層を形成する方法を示す一実
施形態の工程図であって （ａ）は、基材を用意する工程、（ｂ）は、その基材の
上に、感光性樹脂組成物の皮膜を形成する工程、（ｃ）
は、その皮膜を、フォトマスクを介して露光させて、現
像することにより、所定のパターンとする工程、（ｄ）
は、感光性樹脂組成物から分散性化合物を除去すること
により、ポリイミド樹脂前駆体を多孔化する工程、
（ｅ）は、多孔化した皮膜を硬化させて、ベース層を形
成する工程を示す。FIG. 1 is a process diagram of an embodiment showing a method for forming an insulating layer of a circuit board made of a porous resin using the photosensitive resin composition of the present invention, wherein (a) shows a substrate prepared (B) is a step of forming a film of the photosensitive resin composition on the substrate, (c)
Is a step of exposing the film through a photomask and developing the film to form a predetermined pattern, (d)
Is a step of removing the dispersible compound from the photosensitive resin composition to make the polyimide resin precursor porous,
(E) shows a step of curing the porous film to form a base layer.
【図２】ベース層の上に、導体層およびカバー層を形成
する工程を示す断面図であって、（ａ）は、ベース層の
上に導体層を形成する工程、（ｂ）は、導体層上にカバ
ー層を形成する工程を示す。FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views illustrating a step of forming a conductor layer and a cover layer on a base layer, wherein FIG. 2A is a step of forming a conductor layer on a base layer, and FIG. 4 shows a step of forming a cover layer on the layer.
【図３】本発明の多孔質樹脂が、絶縁層として用いられ
ている回路付サスペンション基板の、一実施形態の斜視
図である。FIG. 3 is a perspective view of one embodiment of a suspension board with circuit in which the porous resin of the present invention is used as an insulating layer.
【図４】支持基板を用意して、その支持基板の上に、所
定のパターンでベース層を形成する工程を示す断面図で
あって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、（ｂ）
は、その支持基板の上に、感光性樹脂組成物の皮膜を形
成する工程、（ｃ）は、その皮膜を、フォトマスクを介
して露光させて、現像することにより、所定のパターン
とする工程、（ｄ）は、感光性樹脂組成物から分散性化
合物を除去することにより、ポリイミド樹脂前駆体を多
孔化する工程、（ｅ）は、多孔化した皮膜を硬化させ
て、ベース層を形成する工程を示す。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a step of preparing a support substrate and forming a base layer in a predetermined pattern on the support substrate, wherein (a) is a step of preparing the support substrate, )
Is a step of forming a film of the photosensitive resin composition on the supporting substrate, and (c) is a step of exposing the film through a photomask and developing the film to form a predetermined pattern. , (D) is a step of making the polyimide resin precursor porous by removing the dispersible compound from the photosensitive resin composition, and (e) is a step of curing the porous film to form a base layer. The steps will be described.
【図５】ベース層の上に、所定の回路パターンで導体層
を形成する工程を示す断面図であって、（ａ）は、支持
基板およびベース層に、下地を形成する工程、（ｂ）
は、下地の上に、所定の回路パターンと逆パターンのめ
っきレジストを形成する工程、（ｃ）は、ベース層にお
けるめっきレジストが形成されていない部分に、めっき
により、所定の回路パターンの導体層を形成する工程、
（ｄ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｅ）は、
下地を除去する工程を示す。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a step of forming a conductor layer in a predetermined circuit pattern on a base layer, wherein (a) is a step of forming a base on a support substrate and a base layer,
Is a step of forming a plating resist having a pattern opposite to a predetermined circuit pattern on a base, and (c) is a step of forming a conductive layer having a predetermined circuit pattern on a portion of the base layer where the plating resist is not formed. Forming a
(D) is a step of removing the plating resist, and (e) is a step of removing the plating resist.
4 shows a step of removing a base.
【図６】導体層の表面を金属皮膜により保護した後、カ
バー層により被覆する工程を示す断面図であって、
（ａ）は、導体層の表面に、金属皮膜を形成する工程、
（ｂ）は、ベース層および金属皮膜の上に、カバー層を
形成する工程、（ｃ）は、支持基板の上に形成されてい
る金属皮膜を剥離する工程を示す。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a step of covering the surface of the conductor layer with a cover layer after protecting the surface of the conductor layer with a metal film;
(A) is a step of forming a metal film on the surface of the conductor layer;
(B) shows a step of forming a cover layer on the base layer and the metal film, and (c) shows a step of peeling off the metal film formed on the support substrate.
１ 基材 ２ 感光性樹脂組成物 ３ 分散性化合物 ４ ポリイミド樹脂前駆体 ６ 絶縁層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base material 2 Photosensitive resin composition 3 Dispersible compound 4 Polyimide resin precursor 6 Insulating layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｋ 5/00 Ｃ０８Ｋ 5/00 Ｃ０８Ｌ 67/00 Ｃ０８Ｌ 67/00 71/00 71/00 Ｚ 75/04 75/04 79/04 79/04 Ｚ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ ５０３ ５０３Ｚ 7/027 ５１４ 7/027 ５１４ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０Ｐ ６１０Ｓ (72)発明者 金城 直隆 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 倉田 直記 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA03 AA10 AA20 AB15 AB17 AC01 AD01 BC14 BC69 CA00 CC20 EA10 FA01 FA29 FA39 4F074 AA65 AA74E AA76 AA78 AG20 CB03 CB16 CB17 CB27 CB28 DA47 4J002 CF00X CH00X CK02X CM04W FD20X GP03 GQ05 4J011 QB18 SA01 SA21 SA22 SA78 SA80 SA82 SA83 TA01 UA01 VA01 WA01 4J043 PA19 PC086 QB15 QB26 QB67 RA06 RA24 SA06 SB01 SB02 TA22 TB01 TB02 UA121 UA122 UA131 UA132 UA141 UB011 UB021 UB061 UB062 UB121 UB122 UB152 UB301 UB302 UB401 UB402 VA011 VA021 VA022 VA041 VA051 VA061 VA062 VA081 VA091 VA101 XA16 YA30 YB02 ZA12 ZA43 ZA46 ZB22 ZB50──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C08K 5/00 C08K 5/00 C08L 67/00 C08L 67/00 71/00 71/00 Z 75/04 75 / 04 79/04 79/04 Z G03F 7/004 501 G03F 7/004 501 503 503Z 7/027 514 7/027 514 H05K 1/03 610 H05K 1/03 610P 610S (72) Inventor Naotaka Kaneshiro Naotaka, Osaka, Ibaraki, Osaka 1-2-1, Shimohozumi, Ichito, Nitto Denko Corporation (72) Naoki Kurata, Inventor 1-2-1, Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka Nitto Denko Corporation F-term (reference) 2H025 AA03 AA10 AA20 AB15 AB17 AC01 AD01 BC14 BC69 CA00 CC20 EA10 FA01 FA29 FA39 4F074 AA65 AA74E AA76 AA78 AG20 CB03 CB16 CB17 CB27 CB28 DA47 4J002 CF00X CH00X CK02X CM04W FD20X GP03 GQ05 4J011 QB18 SA01 S A21 SA22 SA78 SA80 SA82 SA83 TA01 UA01 VA01 WA01 4J043 PA19 PC086 QB15 QB26 QB67 RA06 RA24 SA06 SB01 SB02 TA22 TB01 TB02 UA121 UA122 UA131 UA132 UA141 UB011 VAUB1 VA1 UB021 VA1 UB021 UB1221 XA16 YA30 YB02 ZA12 ZA43 ZA46 ZB22 ZB50
Claims (8)
位構造を有するポリイミド樹脂前駆体と、感光剤と、前
記ポリイミド樹脂前駆体に対して分散可能な分散性化合
物と、溶剤とを含有することを特徴とする、感光性樹脂
組成物。 【化１】 （式中、Ｒ1 およびＲ2 は、芳香族基を、Ｒ3 およびＲ
4 は、水酸基または１価の有機基であって、その少なく
とも一方は、感光性を有する１価の有機基を示す。）1. A polyimide resin precursor having a repeating unit structure represented by the following general formula (1), a photosensitive agent, a dispersible compound dispersible in the polyimide resin precursor, and a solvent. A photosensitive resin composition, characterized in that: Embedded image (Wherein R 1 and R 2 represent an aromatic group, R 3 and R
Reference numeral 4 denotes a hydroxyl group or a monovalent organic group, at least one of which is a photosensitive monovalent organic group. )
ゴマー、ポリエステルオリゴマー、ポリウレタンオリゴ
マーからなる群から選ばれる少なくとも１種であること
を特徴とする、請求項１に記載の感光性樹脂組成物。2. The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the dispersible compound is at least one selected from the group consisting of a polyether oligomer, a polyester oligomer, and a polyurethane oligomer.
成物から溶剤を除くことにより、前記ポリイミド樹脂前
駆体中に前記分散性化合物が分散した状態を形成する工
程、 前記分散性化合物を除去することにより、多孔化する工
程、および前記感光性樹脂組成物を硬化させる工程を含
む工程によって得られることを特徴とする、多孔質樹
脂。3. A step of forming a state in which the dispersible compound is dispersed in the polyimide resin precursor by removing a solvent from the photosensitive resin composition according to claim 1 or 2. A porous resin, which is obtained by a step including a step of forming a porous by removing and a step of curing the photosensitive resin composition.
および現像することによりパターン化する工程を含んで
いることを特徴とする、請求項３に記載の多孔質樹脂。4. The porous resin according to claim 3, further comprising a step of patterning the photosensitive resin composition by exposing and developing the photosensitive resin composition.
を特徴とする、請求項３または４に記載の多孔質樹脂。5. The porous resin according to claim 3, which is used as an insulating layer of a circuit board.
て用いられることを特徴とする、請求項３または４に記
載の多孔質樹脂。6. The porous resin according to claim 3, which is used as an insulating layer of a suspension board with circuit.
を、絶縁層として有していることを特徴とする、回路基
板。7. A circuit board comprising the porous resin according to claim 3 as an insulating layer.
を、絶縁層として有していることを特徴とする、回路付
サスペンション基板。8. A suspension board with a circuit, comprising the porous resin according to claim 3 as an insulating layer.
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