JP2001313552A - Electronic switch and ultrasonic wave image pickup device using it - Google Patents

Electronic switch and ultrasonic wave image pickup device using it

Info

Publication number
JP2001313552A
JP2001313552A JP2000132425A JP2000132425A JP2001313552A JP 2001313552 A JP2001313552 A JP 2001313552A JP 2000132425 A JP2000132425 A JP 2000132425A JP 2000132425 A JP2000132425 A JP 2000132425A JP 2001313552 A JP2001313552 A JP 2001313552A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic switch
base
signal
collector
ultrasonic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000132425A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Matsumura
剛 松村
Yutaka Sato
佐藤  裕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Healthcare Manufacturing Ltd
Original Assignee
Hitachi Medical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Medical Corp filed Critical Hitachi Medical Corp
Priority to JP2000132425A priority Critical patent/JP2001313552A/en
Publication of JP2001313552A publication Critical patent/JP2001313552A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To secure a reverse block recovery time that requires an AC electronic switch with a small forward current. SOLUTION: The electronic switch is provided with an ON control circuit (Vc, FET1, R3) where the emitter and base of a bipolar transistor(TR) Q1 are electrically connected, the collector and base of the bipolar TR are inserted to an AC signal transmission circuit and a forward bias Vc is applied between the collector and the base of the TR in response to a command Vcnt for passing the AC signal and an OFF control circuit (Vp, FET1) that applies a reverse bias (Vp-Vc) between the collector and the base of the TR in response to a command Vcnt for interrupting the AC signal.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波の交流信号
をオンオフ制御する電子スイッチに関し、特に超音波撮
像装置、魚群探知機、ソナー、電子交換機、アンテナ装
置、トランシーバ、電子機器又は超音波応用計測装置な
どの信号伝送回路に好適な電子スイッチに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic switch for controlling on / off of a high-frequency AC signal, and more particularly to an ultrasonic imaging device, a fish finder, a sonar, an electronic exchange, an antenna device, a transceiver, an electronic device, or an ultrasonic applied measurement. The present invention relates to an electronic switch suitable for a signal transmission circuit such as a device.

【0002】[0002]

【従来の技術】超音波撮像装置(超音波診断装置ともい
う。)は、探触子から被検体に超音波信号を送信し、こ
れに応答して被検体から探触子に入力される超音波信号
を受信し、この受信信号に基づいて被検体の超音波撮像
を行なうものである。そして、探触子に超音波信号を送
信するタイミングと期間を制御する必要から、超音波信
号の伝送回路に送信信号のオンオフを制御する電子スイ
ッチが設けられる。同様に、探触子からの超音波信号を
受信するタイミングと期間を制御する必要から、超音波
信号の伝送回路に受信信号のオンオフを制御する電子ス
イッチが設けられる。なお、超音波撮像装置の場合は、
送信信号と受信信号が同じ信号伝送回路を通ることか
ら、電子スイッチは共用されることになる。ここで、探
触子へ送信する信号の電圧は、例えば1〜300Vで、探触
子から受信される信号の電圧は、数μV〜300mV程度で
ある。したがって、電子スイッチは、数μV〜300V、数
10kHz以上の交流信号を50〜60dB以下のクロストーク
で通過、遮断する能力が要求される。
2. Description of the Related Art An ultrasonic imaging apparatus (also referred to as an ultrasonic diagnostic apparatus) transmits an ultrasonic signal from a probe to a subject, and responds to this by transmitting an ultrasonic signal from the subject to the probe. It receives a sound wave signal and performs ultrasonic imaging of the subject based on the received signal. Then, since it is necessary to control the timing and the period of transmitting the ultrasonic signal to the probe, an electronic switch for controlling on / off of the transmission signal is provided in the ultrasonic signal transmission circuit. Similarly, since it is necessary to control the timing and period for receiving the ultrasonic signal from the probe, an electronic switch for controlling the ON / OFF of the received signal is provided in the ultrasonic signal transmission circuit. In the case of an ultrasonic imaging apparatus,
Since the transmission signal and the reception signal pass through the same signal transmission circuit, the electronic switch is shared. Here, the voltage of the signal transmitted to the probe is, for example, 1 to 300 V, and the voltage of the signal received from the probe is approximately several μV to 300 mV. Therefore, the electronic switch is required to have an ability to pass and block an AC signal of several μV to 300 V and several tens of kHz or more with crosstalk of 50 to 60 dB or less.

【0003】従来、周波数1〜10MHzの高周波で、約100V
pp(全振幅)の電圧信号のオンオフ(通過−遮断)を行
なう電子スイッチとしては、両極性の信号を通過できる
高耐圧のスイッチング素子が知られている。しかし、こ
れは回路構成が複雑で高価になってしまう問題がある。
これに対して簡単な構成で交流信号のスイッチングを実
現できる方法として、逆阻止回復時間の長いダイオード
を用いる方法(特許第1252076号)が知られている。こ
の方法は、導通状態のダイオードに逆極性の電圧が印加
されても、ダイオードが遮断状態を回復するまでに一定
の逆阻止回復時間が必要であることから、この逆阻止回
復時間よりも短い半波周期を有する周波数の交流信号を
通過させることができることに鑑みなされたものであ
る。つまり、ダイオードを瞬間的に双極性のスイッチン
グ素子として用いたものである。このようなダイオード
としては、例えば、型式HSK122のダイオードが知られて
いる。
Conventionally, at a high frequency of 1 to 10 MHz, about 100 V
As an electronic switch for turning on / off (pass-cut) a voltage signal of pp (full amplitude), a switching element having a high withstand voltage that can pass a signal of both polarities is known. However, this has a problem that the circuit configuration is complicated and expensive.
On the other hand, as a method for realizing switching of an AC signal with a simple configuration, a method using a diode having a long reverse blocking recovery time (Japanese Patent No. 1252076) is known. This method requires a fixed reverse blocking recovery time until the diode recovers the cut-off state even if a reverse polarity voltage is applied to the conducting diode. This is in view of the fact that an AC signal having a frequency having a wave cycle can be passed. That is, the diode is instantaneously used as a bipolar switching element. As such a diode, for example, a diode of type HSK122 is known.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ダイオードを交流スイ
ッチとして用いる従来の技術において、例えば、周波数
が50kHzの信号を通過させるためには、10μsの逆阻
止回復時間が必要となる。この逆阻止回復時間は一般に
順方向電流の大きさにより変わる。例えば、型式HSK122
のダイオードの場合、実験によると10μsの逆阻止回
復時間を得るには30mAの順方向の直流電流を必要とす
る。したがって、例えば50kHz以下の周波数の交流信号
を通過させるには、より長い逆阻止回復時間が要求され
るから、30mA以上の順方向電流を必要とすることにな
る。
In the conventional technology using a diode as an AC switch, for example, in order to pass a signal having a frequency of 50 kHz, a reverse blocking recovery time of 10 μs is required. The reverse blocking recovery time generally varies depending on the magnitude of the forward current. For example, model HSK122
In the case of the diode described above, 30 mA of forward direct current is required to obtain a reverse blocking recovery time of 10 μs according to experiments. Therefore, in order to pass an AC signal having a frequency of 50 kHz or less, for example, a longer reverse blocking recovery time is required, so that a forward current of 30 mA or more is required.

【0005】そのため、多チャンネルスイッチを実現し
ようとすると、消費電力が大きくなり、省エネルギの要
望に反するという問題がある。例えば、超音波診断装置
においては、1つの装置に接続される探触子の数、及び
1つの探触子に搭載される超音波振動子の数がますます
増加しており、これらの数に応じて交流電子スイッチの
数が必要になるから、ダイオードの順方向電流を大きく
することは問題である。
[0005] For this reason, there is a problem that, when an attempt is made to realize a multi-channel switch, power consumption is increased, which is against the demand for energy saving. For example, in an ultrasonic diagnostic apparatus, the number of probes connected to one device and the number of ultrasonic transducers mounted on one probe are increasing, and these numbers are Increasing the forward current of the diode is problematic as the number of AC electronic switches is required accordingly.

【0006】本発明が解決しようとする課題は、逆阻止
回復時間を利用して交流信号を通過させる電子スイッチ
において、少ない順方向電流で必要な逆阻止回復時間を
確保することにある。
An object of the present invention is to secure a required reverse blocking recovery time with a small forward current in an electronic switch that allows an AC signal to pass through using the reverse blocking recovery time.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の課題は、次の手段
により解決することができる。
The above objects can be attained by the following means.

【0008】本発明の電子スイッチは、バイポーラトラ
ンジスタのエミッタ・ベース間を電気的に接続し、この
バイポーラトランジスタのコレクタ・ベース間を交流信
号の伝送回路に挿入し、前記交流信号を遮断させる指令
に応答して前記トランジスタのコレクタ・ベース間に逆
バイアスを印加するオフ制御回路を設けたものである。
The electronic switch of the present invention electrically connects the emitter and the base of the bipolar transistor, inserts the collector and the base of the bipolar transistor into an AC signal transmission circuit, and issues a command to cut off the AC signal. An off control circuit for applying a reverse bias between the collector and the base of the transistor in response is provided.

【0009】すなわち、本発明は、バイポーラトランジ
スタのコレクタ・ベースのPN結合を交流信号のスイッ
チ回路として用いることを特徴とする。また、エミッタ
・ベース間を電気的に接続する理由は、エミッタの耐圧
保護を考慮するとともに、逆阻止回復時間が長大化する
という知見に基づくものである。
That is, the present invention is characterized in that the collector-base PN junction of a bipolar transistor is used as a switch circuit for an AC signal. The reason for electrically connecting the emitter and the base is based on the knowledge that the withstand voltage protection of the emitter is taken into consideration and that the reverse blocking recovery time is lengthened.

【0010】ここで、エミッタ・ベース間を電気的に接
続するにあたっては、コンデンサにより接続することが
最も好ましい。特に、コンデンサの容量を大きくするに
つれて、同じ順方向電流に対して逆阻止回復時間を長く
できる。但し、コンデンサに限られるものではなく、コ
ンデンサに代えて、短絡線、ダイオード、抵抗、又はそ
れらの組み合わせを用いることができる。いずれにして
も、従来のダイオードに比べて逆阻止回復時間を長くす
ることができる。
Here, when electrically connecting between the emitter and the base, it is most preferable to connect with a capacitor. In particular, as the capacitance of the capacitor is increased, the reverse blocking recovery time can be increased for the same forward current. However, the present invention is not limited to the capacitor, and a short-circuit line, a diode, a resistor, or a combination thereof can be used instead of the capacitor. In any case, the reverse blocking recovery time can be made longer than that of the conventional diode.

【0011】本発明の電子スイッチにおいて、交流信号
の電圧がコレクタ・ベース間をオンさせるレベル以上の
場合であって、かつ交流信号の通過タイミングを制御す
る必要がない場合は、バイポーラトランジスタのコレク
タ・ベース間に順方向のバイアスを印加するオン制御回
路は不要である。しかし、交流信号の通過タイミングを
制御する必要がある場合、又は交流信号の電圧がコレク
タ・ベース間をオンさせるレベル未満の場合は、交流信
号を通過させる指令に応答してバイポーラトランジスタ
のコレクタ・ベース間に順方向バイアスを印加するオン
制御回路を設ける必要がある。
In the electronic switch of the present invention, when the voltage of the AC signal is equal to or higher than the level for turning on the collector and the base and when it is not necessary to control the passage timing of the AC signal, the collector and the collector of the bipolar transistor may be used. There is no need for an ON control circuit for applying a forward bias between the bases. However, if it is necessary to control the passage timing of the AC signal, or if the voltage of the AC signal is lower than the level for turning on the collector and the base, the collector and base of the bipolar transistor are responded to the command to pass the AC signal. It is necessary to provide an ON control circuit for applying a forward bias therebetween.

【0012】本発明の電子スイッチに係るバイポーラト
ランジスタは、NPNタイプ又はPNPタイプのいずれ
でも適用できる。但し、オン制御回路を設けない場合
は、伝送する交流信号の第1半波の極性が順方向になる
タイプのバイポーラトランジスタを選択する。
The bipolar transistor according to the electronic switch of the present invention can be applied to either an NPN type or a PNP type. However, when the ON control circuit is not provided, a bipolar transistor in which the polarity of the first half wave of the transmitted AC signal is in the forward direction is selected.

【0013】また、伝送回路にバイポーラトランジスタ
を複数並列に、又は複数直列に挿入して、1つの電子ス
イッチを構成することができる。この場合、複数のバイ
ポーラトランジスタは、コレクタ・ベース間の順方向を
一致させても、逆方向を混在させてもよい。順方向を一
致させて並列した場合は、電子スイッチのオン抵抗を低
くすることができる。順方向と逆方向を混在させて並列
した場合は、電子スイッチのオン抵抗を低くすることが
できる他、オン制御回路がなくても、かつ第1半波が負
であっても双方向の電子スイッチを実現できる。一方、
バイポーラトランジスタを複数直列にした場合は、オフ
時の漏れ電流を低減でき、いわゆるオフアイソレーショ
ンが向上する。また、バイポーラトランジスタを複数並
列する場合、NPNとPNPを混在させてもよい。これ
によれば、スイッチングに伴うスパイクノイズがNPN
とPNPのスイッチング回路で相殺される利点がある。
Further, one electronic switch can be configured by inserting a plurality of bipolar transistors in a transmission circuit in parallel or in series. In this case, the plurality of bipolar transistors may have the same forward direction between the collector and the base or may have the same reverse direction. When the forward direction is matched and parallel, the on-resistance of the electronic switch can be reduced. When the forward direction and the reverse direction are mixed in parallel, the on-resistance of the electronic switch can be reduced, and even if the on-control circuit is not provided and the first half wave is negative, bidirectional electronic Switch can be realized. on the other hand,
When a plurality of bipolar transistors are connected in series, leakage current at the time of off can be reduced, and so-called off isolation is improved. When a plurality of bipolar transistors are arranged in parallel, NPN and PNP may be mixed. According to this, spike noise due to switching is reduced to NPN.
And a PNP switching circuit.

【0014】本発明に係る超音波撮像装置は、超音波探
触子に接続された信号伝送回路に超音波信号の送信及び
受信をオンオフ制御する電子スイッチを備え、この電子
スイッチを制御して超音波探触子に超音波信号を送信す
るとともに、前記超音波探触子から出力される超音波信
号を受信し、この受信信号に基づいて被検体の超音波撮
像を行なう超音波撮像装置において、前記電子スイッチ
が、一対の端子にコレクタとベースが接続されたバイポ
ーラトランジスタと、このトランジスタのエミッタ・ベ
ース間に接続されたコンデンサと、前記超音波信号を遮
断させる指令に応答して前記トランジスタのコレクタ・
ベース間に逆バイアスを印加するオフ制御回路と、前記
超音波信号を通過させる指令に応答して前記バイポーラ
トランジスタのコレクタ・ベース間に順方向バイアスを
印加するオン制御回路とを有して形成されたこと特徴と
する。これにより、電子スイッチに係る消費電力を低減
することができるから、超音波探触子及び超音波振動子
の増大に容易に対応できる。
An ultrasonic imaging apparatus according to the present invention includes an electronic switch for controlling transmission and reception of an ultrasonic signal on and off in a signal transmission circuit connected to an ultrasonic probe, and controls the electronic switch to control the ultrasonic. An ultrasonic imaging apparatus that transmits an ultrasonic signal to an ultrasonic probe, receives an ultrasonic signal output from the ultrasonic probe, and performs ultrasonic imaging of a subject based on the received signal. The electronic switch includes a bipolar transistor having a collector and a base connected to a pair of terminals, a capacitor connected between an emitter and a base of the transistor, and a collector of the transistor in response to a command to cut off the ultrasonic signal.・
An off-control circuit for applying a reverse bias between the bases, and an on-control circuit for applying a forward bias between the collector and the base of the bipolar transistor in response to a command to pass the ultrasonic signal are formed. It is a feature. Thus, the power consumption of the electronic switch can be reduced, so that the number of ultrasonic probes and ultrasonic transducers can be easily increased.

【0015】また、本発明に係る電子スイッチは、超音
波撮像装置の信号伝送回路に適用が限られるものではな
く、交流信号のスイッチングが必要な様々の装置に適用
できることはいうまでもない。このような装置として
は、例えば、魚群探知機、ソナー、電子交換機、トラン
シーバ、アンテナ装置、電子機器又は超音波応用計測装
置などがある。
Further, the application of the electronic switch according to the present invention is not limited to a signal transmission circuit of an ultrasonic imaging apparatus, and it is needless to say that the electronic switch can be applied to various apparatuses that require switching of an AC signal. Examples of such a device include a fish finder, a sonar, an electronic exchange, a transceiver, an antenna device, an electronic device, and an ultrasonic applied measuring device.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明を図示実施の形態に
基づいて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described based on illustrated embodiments.

【0017】(第1実施形態)図1に、本発明の電子ス
イッチの一実施形態を示す。図に示すように、電子スイ
ッチは、一対の端子IN、OUTの間に直列に順に接続され
たコンデンサC1、NPN型のバイポーラトランジスタQ1
(以下、単にQ1という。)、電界効果型トランジスタFE
T1(以下、単にFET1という。)及びコンデンサC2を有し
て構成され、一対の端子IN、OUTを交流信号の伝送回路
の挿入接続して用いられる。Q1のエミッタ・ベース間に
コンデンサC3が接続され、Q1のコレクタ・ベース間が
交流信号の伝送回路に挿入されている。Q1のベースは
抵抗R1を介して電源Vcに接続され、コレクタはFET1の
一方の主回路電極と、抵抗R2を介して電源Vpに接続さ
れている。FET1の他の主回路電極とコンデンサC2との
接続点は抵抗R3を介して接地されている。FET1の制御
電極には、抵抗R4を介して電子スイッチのオンオフ指
令Vcntが入力されている。また、電源電圧の関係は、V
c≪Vp(例えば、Vc=5V、Vp=100V)に設定されている。
(First Embodiment) FIG. 1 shows an electronic switch according to an embodiment of the present invention. As shown in the figure, the electronic switch includes a capacitor C1 connected in series between a pair of terminals IN and OUT, and an NPN-type bipolar transistor Q1.
(Hereinafter simply referred to as Q1), field-effect transistor FE
It is configured to include T1 (hereinafter, simply referred to as FET1) and a capacitor C2, and is used by inserting and connecting a pair of terminals IN and OUT into an AC signal transmission circuit. A capacitor C3 is connected between the emitter and the base of Q1, and the collector and the base of Q1 are inserted into an AC signal transmission circuit. The base of Q1 is connected to a power supply Vc via a resistor R1, and the collector is connected to one main circuit electrode of FET1 and a power supply Vp via a resistor R2. The connection point between the other main circuit electrode of the FET1 and the capacitor C2 is grounded via a resistor R3. An on / off command Vcnt of the electronic switch is input to the control electrode of the FET1 via the resistor R4. The relationship between the power supply voltages is V
c≪Vp (for example, Vc = 5V, Vp = 100V).

【0018】このように構成される電子スイッチの動作
について図2にタイミングチャートを参照して説明す
る。端子INから入力される交流信号(図2(b))の通
過又は遮断をQ1によりスイッチングして端子OUTに伝送
するものとする。Q1のスイッチング制御は、FET1によ
り行なう。つまり、FET1は、図示していない制御装置か
ら与えられるオンオフ指令Vcnt(図2(a))に従って
オンオフされる。FET1がオンされると、電源VcからQ1
のベース・コレクタ、FET1の主電極回路、抵抗R3を通
って接地回路に、Q1の順方向電流If流れ、Q1がオンす
る。これによって、端子INから入力される交流信号(図
2(b))の通過が可能になる。ここで、Q1の逆阻止回
復時間が入力交流信号の負の半波の時間幅より大きく設
定されているので、入力交流信号はQ1を通過し、FET1
とコンデンサC2を通って端子OUTから、図2(c)に示
す出力交流信号が送出される。一方、FET1がオフされる
と、Vp≫Vcの関係から、Q1のベース・コレクタ間が逆
バイアス(Vp-Vc)となり、Q1がオフされて交流信号の
通過が遮断される。
The operation of the electronic switch thus configured will be described with reference to a timing chart shown in FIG. The passing or blocking of the AC signal (FIG. 2 (b)) input from the terminal IN is switched by Q1 and transmitted to the terminal OUT. The switching control of Q1 is performed by FET1. That is, the FET 1 is turned on and off in accordance with an on / off command Vcnt (FIG. 2A) given from a control device (not shown). When FET1 is turned on, Q1
, The main electrode circuit of FET1, the resistor R3, and the ground circuit, the forward current If flows through Q1, and Q1 turns on. As a result, the AC signal (Fig.
2 (b)). Here, since the reverse blocking recovery time of Q1 is set to be longer than the time width of the negative half wave of the input AC signal, the input AC signal passes through Q1 and
The output AC signal shown in FIG. 2 (c) is transmitted from the terminal OUT through the terminal C and the capacitor C2. On the other hand, when the FET 1 is turned off, a reverse bias (Vp-Vc) is applied between the base and the collector of the transistor Q1 due to the relationship of Vp≫Vc, and the transistor Q1 is turned off to block the passage of the AC signal.

【0019】ここで、Q1の逆阻止回復時間について、
図3に示した測定例を用いて説明する。図3(a)は、
測定回路例を示すもので、図1と同一の機能構成を有す
る部品に同一の符号を付して説明を省略する。但し、回
路素子の電気定数は適宜変えるものとする。同図に示す
ように、Q1に順方向電流を流してオンした状態におい
て、端子INからステップ状に0Vから-10Vに変化する入力
波形を入力し、端子OUTから出力される出力波形をオシ
ロスコープで観測した。図示のように、Q1の逆阻止回
復が確立するまで逆方向の電流がしばらく流れる。この
逆方向電流がその最大値Irに対して0.1×Irに低下す
るまでの時間を逆阻止回復時間Trrとして測定した。そ
の結果、型式2SC4702の高耐圧のバイポーラトランジス
タの場合、図3(b)の線1に示すように、10mAの順方
向電流を流したときのTrrは、1.2μsであった。なお、
コンデンサC3は33000pFを用いた。これに対し、従来の
型式HSK122のダイオードの場合は、図3(b)の線2に
示す特性となり、同じ10mAの順方向電流流したときのTr
rは、0.4μsであった。また、同ダイオードのカタログ
値によれば、Trrを10μsにするには、30mAの順方向電流
を流す必要がある。これに対し、図3(b)の例のバイ
ポーラトランジスタによれば、相当低減できることがわ
かる。つまり、バイポーラトランジスタの逆阻止回復時
間は、ダイオードの約3倍の長さになる。したがって、
バイポーラトランジスタをスイッチとして用いた場合、
一定の順方向電流でダイオードよりもより低い周波数の
交流信号を通過させることができる。逆にいえば、バイ
ポーラトランジスタを用いた場合、一定の逆阻止回復時
間をダイオードよりもより小さい順方向電流で実現でき
る。
Here, with respect to the reverse blocking recovery time of Q1,
This will be described using the measurement example shown in FIG. FIG. 3 (a)
It shows an example of a measurement circuit, in which components having the same functional configuration as in FIG. However, the electrical constants of the circuit elements are changed as appropriate. As shown in the figure, in a state where a forward current is applied to Q1 and turned on, an input waveform that changes from 0V to -10V in a step-like manner is input from the terminal IN, and the output waveform output from the terminal OUT is output by an oscilloscope. Observed. As shown, a reverse current flows for some time until the reverse blocking recovery of Q1 is established. The time required for the reverse current to decrease to 0.1 × Ir with respect to the maximum value Ir was measured as a reverse blocking recovery time Trr. As a result, in the case of the high-withstand-voltage bipolar transistor of model 2SC4702, Trr was 1.2 μs when a forward current of 10 mA was passed, as shown by line 1 in FIG. 3B. In addition,
The capacitor C3 used was 33000 pF. On the other hand, in the case of the diode of the conventional type HSK122, the characteristic shown by the line 2 in FIG.
r was 0.4 μs. Also, according to the catalog value of the diode, to make Trr 10 μs, it is necessary to supply a forward current of 30 mA. On the other hand, according to the bipolar transistor of the example of FIG. That is, the reverse blocking recovery time of the bipolar transistor is about three times as long as that of the diode. Therefore,
When a bipolar transistor is used as a switch,
It is possible to pass an AC signal having a lower frequency than a diode with a constant forward current. Conversely, when a bipolar transistor is used, a fixed reverse blocking recovery time can be realized with a forward current smaller than that of a diode.

【0020】図1の実施形態において、電源Vc、FET1
及び抵抗R3からなる回路により、Q1のオン制御回路が
形成され、電源VpとFET1からなる回路により、Q1のオ
フ制御回路が形成されている。したがって、入力交流信
号の電圧レベルがQ1のオン電圧(例えば、0.6V)より
も低い場合にも適用できる。例えば、超音波探触子から
の受信信号はQ1のオン電圧よりも低い場合が多いが、
この場合の電子スイッチとしても適用できる。
In the embodiment shown in FIG. 1, the power supply Vc and the FET 1
An ON control circuit of Q1 is formed by a circuit including the resistor R3, and an OFF control circuit of Q1 is formed by a circuit including the power supply Vp and the FET1. Therefore, the present invention can be applied to a case where the voltage level of the input AC signal is lower than the ON voltage of Q1 (for example, 0.6 V). For example, the reception signal from the ultrasonic probe is often lower than the ON voltage of Q1,
In this case, it can also be applied as an electronic switch.

【0021】ところで、入力交流信号の電圧レベルがQ
1のオン電圧より高い場合はオン制御回路を省略でき
る。この場合は、交流信号が入力されるタイミングで通
過されることになる。また、Q1のオフ制御回路は図1
の例に限られるものではなく、要はQ1のコレクタ・ベ
ース間に逆バイアスを印加する回路であればよい。例え
ば、Q1のオフ時に、電源Vpの電圧を低から高に切り替
えるように構成してもよい。
When the voltage level of the input AC signal is Q
When the ON voltage is higher than 1, the ON control circuit can be omitted. In this case, the AC signal is passed at the input timing. The Q1 off control circuit is shown in FIG.
However, the invention is not limited to this example, and any circuit may be used as long as it applies a reverse bias between the collector and base of Q1. For example, when Q1 is turned off, the voltage of the power supply Vp may be switched from low to high.

【0022】また、Q1のエミッタ・ベース間に接続す
るコンデンサC3に代えて、短絡線、抵抗、ダイオー
ド、あるいはそれらの組み合わせ、又はそれらとコンデ
ンサとの組み合わせでもよい。要は、Q1の逆阻止回復
時間を所望の時間に長くすることができること、及びQ
1のオン抵抗を低くできる回路素子を選択すればよい。
ここで、コンデンサ、短絡線、抵抗、ダイオードをそれ
ぞれ単体でQ1のエミッタ・ベース間に接続した場合の
Q1のオン抵抗の測定例を図4に示す。図4(a)は測定
回路を示し、図4(b)は測定結果を示す。測定に用い
た交流信号は3.5kHZで10Vppのバースト波(3波)であ
る。また、Q1の順方向電流Ifは2mAとした。その他の
回路定数等は、図4(a)に示したとおりである。この
結果から明らかなように、Q1のエミッタ・ベース間に
接続する回路要素は、オン抵抗を低減できる点でコンデ
ンサが好ましく、かつコンデンサ容量を大きくすること
が好ましいことがわかる。
Further, instead of the capacitor C3 connected between the emitter and the base of Q1, a short-circuit line, a resistor, a diode, a combination thereof, or a combination thereof with a capacitor may be used. The point is that the reverse blocking recovery time of Q1 can be extended to a desired time,
What is necessary is just to select the circuit element which can reduce the ON resistance of 1.
Here, FIG. 4 shows a measurement example of the on-resistance of Q1 when a capacitor, a short-circuit line, a resistor, and a diode are individually connected between the emitter and base of Q1. FIG. 4A shows a measurement circuit, and FIG. 4B shows a measurement result. The AC signal used for the measurement is a burst wave (three waves) of 3.5 kHz and 10 Vpp. The forward current If of Q1 was 2 mA. Other circuit constants and the like are as shown in FIG. As is clear from these results, it is understood that the circuit element connected between the emitter and the base of Q1 is preferably a capacitor in that the on-resistance can be reduced, and it is preferable to increase the capacitance of the capacitor.

【0023】なお、図1において、コンデンサC1、C
2は、VcやVpの直流成分が外部回路に流出するのを防止
するために挿入したものであり、そのようなおそれがな
い場合は省略できる。また、本発明の電子スイッチは、
図1に実施形態に限られるものではなく、要はバイポー
ラトランジスタをスイッチ素子として用い、様々な条件
に対応して以下に述べる態様を適宜採用することができ
る。
In FIG. 1, capacitors C1, C
Numeral 2 is inserted to prevent the DC component of Vc or Vp from flowing out to an external circuit, and can be omitted if there is no such fear. Further, the electronic switch of the present invention includes:
FIG. 1 is not limited to the embodiment, but the point is that a bipolar transistor is used as a switch element, and the following modes can be appropriately adopted corresponding to various conditions.

【0024】(その他の実施形態)図5〜図18に、本
発明の電子スイッチの他の実施形態を示す。図5に示す
実施形態は、図1のQ1のNPN型をPNP型に代えたことに
ある。これに伴い、Q1のベース電圧を負の電源−Vcか
ら、コレクタ電圧を負の電源Vnから印加するようにして
いる。
(Other Embodiments) FIGS. 5 to 18 show other embodiments of the electronic switch of the present invention. In the embodiment shown in FIG. 5, the NPN type of Q1 in FIG. 1 is replaced with a PNP type. Accordingly, the base voltage of Q1 is applied from the negative power supply -Vc, and the collector voltage is applied from the negative power supply Vn.

【0025】図6に示す実施形態は、図1に示した電子
スイッチの主要部を逆並列に接続して1つの電子スイッ
チを形成したものである。特に、バイポーラトランジス
タQ1、Q2に強制的に順方向電流を流すオン制御回路を
設けていない例である。したがって、本例によれば、入
力交流信号に第1半波によりオンさせる電子スイッチで
あり、Q1とQ2を逆並列に接続しているから、第1半波
の正負に拘わらずオンされる。これによれば、電子スイ
ッチのオン抵抗を低減できる。その結果、例えば、超音
波診断装置で知られているTHI法又はパルスインバージ
ョン法においては、臨床上の効果を高めるために、装置
で発生する波形歪みを小さくする要望があるが、この
点、本実施形態によれば1つのスイッチとして、伝送波
形の歪みを最小限に抑えることができる。
In the embodiment shown in FIG. 6, one main switch of the electronic switch shown in FIG. 1 is connected in anti-parallel to form one electronic switch. In particular, this is an example in which an ON control circuit for forcibly passing a forward current to the bipolar transistors Q1 and Q2 is not provided. Therefore, according to the present example, the electronic switch is turned on by the first half-wave of the input AC signal. Since Q1 and Q2 are connected in anti-parallel, they are turned on regardless of whether the first half-wave is positive or negative. According to this, the on-resistance of the electronic switch can be reduced. As a result, for example, in the THI method or the pulse inversion method known in the ultrasonic diagnostic apparatus, in order to enhance the clinical effect, there is a demand to reduce the waveform distortion generated in the apparatus. According to the present embodiment, distortion of a transmission waveform can be minimized as one switch.

【0026】図7に示す実施形態は、2つのNPN型のバ
イポーラトランジスタQ1、Q2を信号に伝送方向に対し
て向い合せて直列に接続し、1つの電子スイッチを構成
した例である。また、オフ制御用のFET1を電源Vpの回路
に挿入している。これによれば、FET1をオンすること
により、2つのトランジスタQ1、Q2のコレクタ・ベー
ス間に逆電圧Vpを印加し、入出力端子IN、OUT間を遮断
(オフ)する。なお、オンは入力交流信号の電圧による
ものである。この実施形態によれば、2つのトランジス
タQ1、Q2が直列に接続されているから、オフアイソレ
ーションに優れている。
The embodiment shown in FIG. 7 is an example in which two NPN-type bipolar transistors Q1 and Q2 are connected in series to a signal so as to face a transmission direction to form one electronic switch. Further, an off-control FET 1 is inserted into the circuit of the power supply Vp. According to this, when the FET 1 is turned on, a reverse voltage Vp is applied between the collectors and the bases of the two transistors Q1 and Q2, and the input / output terminals IN and OUT are cut off (off). The ON state is based on the voltage of the input AC signal. According to this embodiment, since the two transistors Q1 and Q2 are connected in series, it is excellent in off-isolation.

【0027】図8に示す実施形態は、Q1とQ2をPNP型にし
たもので、図6の変形例である。図9に示した実施形態
は、PNP型とPNP型を並列に接続して、一つの電子スイッ
チを形成したものである。図8の例は、同じ部品を並列
に接続しているので、安くて性能に優れた電子スイッチ
とすることができる。一方、図9の例は、異なる型のバ
イポーラトランジスタを用いるので、VpとVnの両方の電
源が必要になり制御が複雑になるが、スイッチングのス
パイクノイズを正負で相殺できるので低減できるという
利点がる。
The embodiment shown in FIG. 8 is a modification of FIG. 6, in which Q1 and Q2 are of PNP type. In the embodiment shown in FIG. 9, one electronic switch is formed by connecting a PNP type and a PNP type in parallel. In the example of FIG. 8, since the same components are connected in parallel, an inexpensive electronic switch with excellent performance can be obtained. On the other hand, in the example of FIG. 9, since different types of bipolar transistors are used, both Vp and Vn power supplies are required, and the control becomes complicated.However, since the switching spike noise can be canceled by positive and negative, the advantage is that it can be reduced. You.

【0028】図10に示した実施形態は、図1のQ1の部
分に、単にQ2を並列接続した例である。これによれば、
オン抵抗を低減できる。図11の実施形態は、図10の
Q1、Q2をPNP型に代えた例である。
The embodiment shown in FIG. 10 is an example in which Q2 is simply connected in parallel to Q1 in FIG. According to this,
ON resistance can be reduced. The embodiment of FIG. 11 is an example in which Q1 and Q2 of FIG. 10 are replaced with PNP type.

【0029】図12の実施形態は、NPN型のQ1、Q2を
同方向に直列に接続したものであり、オフ用の電源とし
て2つの電源Vp、V’p(例えば、Vp=100V、V’p=200
V)が必要になる。図13の実施形態は、図12のQ1、
Q2をPNP型に置き換えた例であり、これに合わせて電源
もVn、V’nにする。
In the embodiment shown in FIG. 12, NPN type Q1 and Q2 are connected in series in the same direction, and two power supplies Vp and V'p (for example, Vp = 100V, V ') are used as power supplies for turning off. p = 200
V) is required. The embodiment of FIG. 13 corresponds to Q1 of FIG.
This is an example in which Q2 is replaced with a PNP type, and the power source is set to Vn and V'n accordingly.

【0030】図14に示す実施形態は、図7の実施形態
のQ1、Q2のベースとコレクタの位置を入れ替えたもので
ある。また、図15に示した実施形態は、図7の実施形態
のQ1、Q2をPNP型に置き換えた例である。図16の実施
形態は、図14の実施形態のQ1、Q2をPNP型に置き換え
た例である。図17に示す実施形態は、図16の実施形
態のQ1をNPN型にした例である。図18に示した実施形
態は、図17の実施形態のQ1、Q2の直列接続の関係を変
えた例である。以上種々の実施形態を説明したが、バイ
ポーラトランジスタとして、ダーリントン接続したトラ
ンジスタを用いてもよいのは言うまでもない。
In the embodiment shown in FIG. 14, the positions of the base and the collector of Q1 and Q2 in the embodiment of FIG. 7 are interchanged. Further, the embodiment shown in FIG. 15 is an example in which Q1 and Q2 of the embodiment of FIG. 7 are replaced with PNP type. The embodiment of FIG. 16 is an example in which Q1 and Q2 of the embodiment of FIG. 14 are replaced with a PNP type. The embodiment shown in FIG. 17 is an example in which Q1 of the embodiment of FIG. 16 is an NPN type. The embodiment shown in FIG. 18 is an example in which the relationship of the series connection of Q1 and Q2 of the embodiment of FIG. 17 is changed. Although various embodiments have been described above, it goes without saying that Darlington-connected transistors may be used as the bipolar transistors.

【0031】(超音波撮像装置の実施形態)図19に、
本発明の電子スイッチを適用してなる超音波撮像装置の
全体構成概念図を示す。図示のように、超音波を用いた
探触子10は切り換えスイッチ11を介して送受分離回
路12に接続されている。送受分離回路12は、送波パ
ルス発生器13から出力される超音波の送信波を、制御
部14から与えられる指令に基づいて、切り換えスイッ
チ11を介して探触子10に送出する機能を備えてい
る。一方、探触子により受信された超音波の受信波は送
信波と同じ伝送回路を通って、切り換えスイッチ11を
介して送受分離回路12に入力される。送受分離回路1
2に入力された受信波は、受信増幅器15に入力されて
増幅される。増幅された受信波は、遅延回路16と加算
器17からなる整相回路18に入力されて処理される。
整相処理された受信波は検波器19において検波され、
表示装置20に入力される。なお、探触子10は複数
(n個)の振動子10〜10nから構成されている。
それら複数の振動子10〜10nから出力される受信
波は、切り換えスイッチ11により切り換えられて、予
め定められた送受分離回路12に入力される。この切り
換え制御は、制御部14から与えられる指令に基づいて
行なわれる。送受分離回路12は、送波パルス発生器1
3から出力される送信波を探触子10に出力するか、探
触子10から出力される受信波を受信増幅器15に送出
するかの分離を行なうものである。このように構成され
る超音波撮像装置は、探触子10から出力される被検体
の音響情報を含んだ受信波に基づき、表示装置20に備
えられた画像処理手段により画像を構成して表示画面に
表示するようになっている。
(Embodiment of Ultrasonic Imaging Apparatus) FIG.
1 shows a conceptual diagram of the overall configuration of an ultrasonic imaging apparatus to which the electronic switch of the present invention is applied. As shown, a probe 10 using ultrasonic waves is connected to a transmission / reception separation circuit 12 via a changeover switch 11. The transmission / reception separation circuit 12 has a function of transmitting an ultrasonic transmission wave output from the transmission pulse generator 13 to the probe 10 via the changeover switch 11 based on a command given from the control unit 14. ing. On the other hand, the ultrasonic wave received by the probe passes through the same transmission circuit as the transmission wave and is input to the transmission / reception separation circuit 12 via the changeover switch 11. Transmission / reception separation circuit 1
The reception wave input to 2 is input to reception amplifier 15 and amplified. The amplified received wave is input to a phasing circuit 18 including a delay circuit 16 and an adder 17 for processing.
The phasing-processed received wave is detected by the detector 19,
The data is input to the display device 20. The probe 10 is composed of a plurality (n) of vibrators 10 1 to 10 n.
The reception waves output from the plurality of transducers 10 1 to 10 n are switched by a changeover switch 11 and input to a predetermined transmission / reception separation circuit 12. This switching control is performed based on a command given from the control unit 14. The transmission / reception separation circuit 12 includes the transmission pulse generator 1
This is to separate the transmission wave output from the probe 3 to the probe 10 or the reception wave output from the probe 10 to the reception amplifier 15. The ultrasonic imaging apparatus configured as described above forms and displays an image by the image processing means provided in the display device 20 based on the reception wave including the acoustic information of the subject output from the probe 10. It is designed to be displayed on the screen.

【0032】本発明に係る電子スイッチは、上記の切り
換えスイッチ11に適用される。すなわち、最近、1つ
の探触子10に搭載される超音波振動子の数nが増大す
るだけでなく、探触子10の数が急激に増大する傾向に
ある。これに対応するには、切り換えスイッチ11を構
成する電子スイッチの数が膨大なものになる。したがっ
て、回路構成が簡単で、消費電力の少ない電子スイッチ
が強く要望されているが、本発明の電子スイッチはこの
用途に最適である。
The electronic switch according to the present invention is applied to the changeover switch 11 described above. That is, recently, not only the number n of ultrasonic transducers mounted on one probe 10 increases, but also the number of probes 10 tends to increase rapidly. To cope with this, the number of electronic switches constituting the changeover switch 11 becomes enormous. Therefore, there is a strong demand for an electronic switch having a simple circuit configuration and low power consumption. The electronic switch of the present invention is most suitable for this application.

【0033】なお、本発明の電子スイッチは、超音波撮
像装置の切り換えスイッチに適用が限られるものではな
く、交流信号のスイッチングが必要な様々の装置に適用
できることはいうまでもない。このような装置として
は、例えば、魚群探知機、ソナー、電子交換機、トラン
シーバ、アンテナ装置、電子機器又は超音波応用計測装
置などがある。
The application of the electronic switch of the present invention is not limited to a changeover switch of an ultrasonic imaging apparatus, and it is needless to say that the electronic switch can be applied to various apparatuses which require switching of an AC signal. Examples of such a device include a fish finder, a sonar, an electronic exchange, a transceiver, an antenna device, an electronic device, and an ultrasonic applied measuring device.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子スイ
ッチによれば、簡単な構成により、少ない順方向電流で
必要な逆阻止回復時間を確保できるという効果がある。
また、換言すれば、適用できる周波数の下限を広げるこ
とができる。
As described above, according to the electronic switch of the present invention, the required reverse blocking recovery time can be secured with a small forward current with a simple structure.
In other words, the lower limit of the applicable frequency can be extended.

【0035】また、本発明の超音波撮像装置によれば、
探触子の数が増加しても消費電力の増加を抑えることが
できる。
According to the ultrasonic imaging apparatus of the present invention,
Even if the number of probes increases, an increase in power consumption can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態に係る電子スイッチの回
路構成図である。
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of an electronic switch according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の電子スイッチの動作を説明するタイミン
グチャートである。
FIG. 2 is a timing chart illustrating the operation of the electronic switch of FIG.

【図3】本発明の効果を説明するための図であり、同図
(a)は逆阻止回復時間の測定回路を、同図(b)は順方
向電流と逆阻止回復時間の関係を示す線図である。
3A and 3B are diagrams for explaining the effect of the present invention. FIG. 3A shows a circuit for measuring a reverse blocking recovery time, and FIG. 3B shows a relationship between a forward current and a reverse blocking recovery time. FIG.

【図4】エミッタ・ベース間に接続する回路素子の違い
によるバイポーラトランジスタのオン抵抗の実験値を示
す図である。
FIG. 4 is a diagram showing experimental values of on-resistance of a bipolar transistor depending on a difference in a circuit element connected between an emitter and a base.

【図5】本発明の他の実施形態に係る電子スイッチの回
路構成図である。
FIG. 5 is a circuit configuration diagram of an electronic switch according to another embodiment of the present invention.

【図6】本発明の他の実施形態に係る電子スイッチの回
路構成図である。
FIG. 6 is a circuit configuration diagram of an electronic switch according to another embodiment of the present invention.

【図7】本発明の他の実施形態に係る電子スイッチの回
路構成図である。
FIG. 7 is a circuit configuration diagram of an electronic switch according to another embodiment of the present invention.

【図8】本発明の他の実施形態に係る電子スイッチの回
路構成図である。
FIG. 8 is a circuit configuration diagram of an electronic switch according to another embodiment of the present invention.

【図9】本発明の他の実施形態に係る電子スイッチの回
路構成図である。
FIG. 9 is a circuit configuration diagram of an electronic switch according to another embodiment of the present invention.

【図10】本発明の他の実施形態に係る電子スイッチの
回路構成図である。
FIG. 10 is a circuit configuration diagram of an electronic switch according to another embodiment of the present invention.

【図11】本発明の他の実施形態に係る電子スイッチの
回路構成図である。
FIG. 11 is a circuit configuration diagram of an electronic switch according to another embodiment of the present invention.

【図12】本発明の他の実施形態に係る電子スイッチの
回路構成図である。
FIG. 12 is a circuit configuration diagram of an electronic switch according to another embodiment of the present invention.

【図13】本発明の他の実施形態に係る電子スイッチの
回路構成図である。
FIG. 13 is a circuit configuration diagram of an electronic switch according to another embodiment of the present invention.

【図14】本発明の他の実施形態に係る電子スイッチの
回路構成図である。
FIG. 14 is a circuit configuration diagram of an electronic switch according to another embodiment of the present invention.

【図15】本発明の他の実施形態に係る電子スイッチの
回路構成図である。
FIG. 15 is a circuit configuration diagram of an electronic switch according to another embodiment of the present invention.

【図16】本発明の他の実施形態に係る電子スイッチの
回路構成図である。
FIG. 16 is a circuit configuration diagram of an electronic switch according to another embodiment of the present invention.

【図17】本発明の他の実施形態に係る電子スイッチの
回路構成図である。
FIG. 17 is a circuit configuration diagram of an electronic switch according to another embodiment of the present invention.

【図18】本発明の他の実施形態に係る電子スイッチの
回路構成図である。
FIG. 18 is a circuit configuration diagram of an electronic switch according to another embodiment of the present invention.

【図19】本発明の電子スイッチを適用してなる超音波
撮像装置の一実施形態の概念構成図である。
FIG. 19 is a conceptual configuration diagram of an embodiment of an ultrasonic imaging apparatus to which the electronic switch of the present invention is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Q1、Q2 バイポーラトランジスタ FET1 電界効果型トランジスタ C1、C2、C3 コンデンサ R1、R2、R3、R4 抵抗 Vc、Vp、Vn 電源 Vcnt オンオフ制御指令 If 順方向電流 Q1, Q2 Bipolar transistor FET1 Field effect transistor C1, C2, C3 Capacitor R1, R2, R3, R4 Resistance Vc, Vp, Vn Power supply Vcnt On / off control command If Forward current

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4C301 HH01 JA20 5J055 AX04 AX56 AX66 BX17 CX24 DX03 DX12 DX55 DX65 EX06 EX07 EY01 EY10 EY17 EY21 FX12 FX17 FX35 GX00 GX01 5J083 AA02 AB01 AB17 AC18 AC40 CA01 CC10  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4C301 HH01 JA20 5J055 AX04 AX56 AX66 BX17 CX24 DX03 DX12 DX55 DX65 EX06 EX07 EY01 EY10 EY17 EY21 FX12 FX17 FX35 GX00 GX01 5J083 AA02 AB01 AB17 AC18 AC40 CA01 CC10

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 バイポーラトランジスタのエミッタ・ベ
ース間を電気的に接続し、このバイポーラトランジスタ
のコレクタ・ベース間を交流信号の伝送回路に挿入し、
前記交流信号を遮断させる指令に応答して前記トランジ
スタのコレクタ・ベース間に逆バイアスを印加するオフ
制御回路を設けてなる電子スイッチ。
An electrical connection is made between an emitter and a base of a bipolar transistor, and a collector and a base of the bipolar transistor are inserted into an AC signal transmission circuit.
An electronic switch comprising an off control circuit for applying a reverse bias between a collector and a base of the transistor in response to a command to cut off the AC signal.
【請求項2】 前記交流信号を通過させる指令に応答し
て前記バイポーラトランジスタのコレクタ・ベース間に
順方向バイアスを印加するオン制御回路を設けてなるこ
とを特徴とする請求項1に記載の電子スイッチ。
2. The electronic device according to claim 1, further comprising an on-control circuit for applying a forward bias between a collector and a base of the bipolar transistor in response to a command to pass the AC signal. switch.
【請求項3】 前記伝送回路に前記バイポーラトランジ
スタが複数並列に挿入され、これら複数のバイポーラト
ランジスタは、コレクタ・ベース間の順方向の向きを合
わせて並列されてなることを特徴とする請求項1又は2
に記載の電子スイッチ。
3. The transmission circuit according to claim 1, wherein a plurality of the bipolar transistors are inserted in parallel, and the plurality of bipolar transistors are arranged in parallel with a forward direction between a collector and a base. Or 2
An electronic switch according to claim 1.
【請求項4】 前記伝送回路に前記バイポーラトランジ
スタが複数並列に挿入され、これら複数のバイポーラト
ランジスタは、コレクタ・ベース間の順方向と逆方向を
混在させて並列されてなることを特徴とする請求項1又
は2に記載の電子スイッチ。
4. The transmission circuit, wherein a plurality of the bipolar transistors are inserted in parallel, and the plurality of bipolar transistors are arranged in parallel with a mixture of a forward direction and a reverse direction between a collector and a base. Item 3. The electronic switch according to item 1 or 2.
【請求項5】 前記伝送回路に前記バイポーラトランジ
スタが複数直列に挿入され、これら複数のバイポーラト
ランジスタは、コレクタ・ベース間の順方向の向きを合
わせて直列されてなることを特徴とする請求項1又は2
に記載の電子スイッチ。
5. The transmission circuit according to claim 1, wherein a plurality of the bipolar transistors are inserted in series, and the plurality of bipolar transistors are connected in series with a forward direction between a collector and a base. Or 2
An electronic switch according to claim 1.
【請求項6】 前記伝送回路に前記バイポーラトランジ
スタが複数直列に挿入され、これら複数のバイポーラト
ランジスタは、コレクタ・ベース間の順方向と逆方向を
混在させて直列されてなることを特徴とする請求項1又
は2に記載の電子スイッチ。
6. The transmission circuit, wherein a plurality of the bipolar transistors are inserted in series, and the plurality of bipolar transistors are connected in series by mixing a forward direction and a reverse direction between a collector and a base. Item 3. The electronic switch according to item 1 or 2.
【請求項7】 前記バイポーラトランジスタのエミッタ
・ベース間にコンデンサが接続されてなる請求項1乃至
6のいずれかに記載の電子スイッチ。
7. The electronic switch according to claim 1, wherein a capacitor is connected between an emitter and a base of said bipolar transistor.
【請求項8】 超音波探触子に接続された信号伝送回路
に超音波信号の送信及び受信をオンオフ制御する電子ス
イッチを備え、この電子スイッチを制御して超音波探触
子に超音波信号を送信するとともに、前記超音波探触子
から出力される超音波信号を受信し、この受信信号に基
づいて被検体の超音波撮像を行なう超音波撮像装置にお
いて、前記電子スイッチが、一対の端子にコレクタとベ
ースが接続されたバイポーラトランジスタと、このトラ
ンジスタのエミッタ・ベース間に接続されたコンデンサ
と、前記超音波信号を遮断させる指令に応答して前記ト
ランジスタのコレクタ・ベース間に逆バイアスを印加す
るオフ制御回路と、前記超音波信号を通過させる指令に
応答して前記バイポーラトランジスタのコレクタ・ベー
ス間に順方向バイアスを印加するオン制御回路とを有し
て形成されたこと特徴とする超音波撮像装置。
8. A signal transmission circuit connected to an ultrasonic probe is provided with an electronic switch for controlling transmission and reception of an ultrasonic signal on and off, and controls the electronic switch to transmit an ultrasonic signal to the ultrasonic probe. And an ultrasonic imaging apparatus that receives an ultrasonic signal output from the ultrasonic probe and performs ultrasonic imaging of a subject based on the received signal. A bipolar transistor having a collector and a base connected thereto, a capacitor connected between the emitter and the base of the transistor, and applying a reverse bias between the collector and the base of the transistor in response to a command to cut off the ultrasonic signal. And a forward via between the collector and the base of the bipolar transistor in response to a command to pass the ultrasonic signal. And an on-control circuit for applying a pulse.
【請求項9】 請求項1乃至7にいずれかに記載の電子
スイッチを交流信号の伝送回路に備えてなる魚群探知
機、ソナー、電子交換機、トランシーバ、アンテナ装
置、電子機器又は超音波応用計測装置。
9. A fish finder, a sonar, an electronic exchange, a transceiver, an antenna device, an electronic device or an ultrasonic applied measuring device comprising the electronic switch according to claim 1 in a transmission circuit for an alternating current signal. .
JP2000132425A 2000-05-01 2000-05-01 Electronic switch and ultrasonic wave image pickup device using it Pending JP2001313552A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000132425A JP2001313552A (en) 2000-05-01 2000-05-01 Electronic switch and ultrasonic wave image pickup device using it

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000132425A JP2001313552A (en) 2000-05-01 2000-05-01 Electronic switch and ultrasonic wave image pickup device using it

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001313552A true JP2001313552A (en) 2001-11-09

Family

ID=18641130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000132425A Pending JP2001313552A (en) 2000-05-01 2000-05-01 Electronic switch and ultrasonic wave image pickup device using it

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001313552A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11169366A (en) * 1997-12-15 1999-06-29 Toshiba Corp Ultrasonograph
WO2010101104A1 (en) * 2009-03-04 2010-09-10 株式会社 日立メディコ Ultrasonic transmitting/receiving circuit and ultrasonic diagnostic device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11169366A (en) * 1997-12-15 1999-06-29 Toshiba Corp Ultrasonograph
WO2010101104A1 (en) * 2009-03-04 2010-09-10 株式会社 日立メディコ Ultrasonic transmitting/receiving circuit and ultrasonic diagnostic device
JP5436534B2 (en) * 2009-03-04 2014-03-05 株式会社日立メディコ Ultrasonic transmission / reception circuit, ultrasonic diagnostic equipment
US9157990B2 (en) 2009-03-04 2015-10-13 Hitachi Medical Corporation Ultrasonic transmitting/receiving circuit and ultrasonic diagnostic apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6083164A (en) Ultrasound front-end circuit combining the transmitter and automatic transmit/receiver switch
US8030822B2 (en) Ultrasonic probe and ultrasonic diagnostic apparatus
JPS6384531A (en) Ultrasonic diagnostic apparatus
US9335404B2 (en) Ultrasound diagnosis apparatus and power supply
JP2006087602A (en) Ultrasonic diagnostic equipment
US8721550B2 (en) High voltage ultrasound transmitter with symmetrical high and low side drivers comprising stacked transistors and fast discharge
JP2001313552A (en) Electronic switch and ultrasonic wave image pickup device using it
US8715192B2 (en) High voltage ultrasound transmitter with symmetrical high and low side drivers comprising stacked transistors
EP2023488B1 (en) Analog insulation/multiplexer
JP2006068090A (en) Ultrasonograph
JP4004799B2 (en) Current sending circuit to sensor coil of coordinate input device
JP2005318966A (en) Ultrasonic diagnostic apparatus
JP2001318139A (en) Signal transmission circuit and measuring device comprising the same
JP2003111756A (en) Electronic switch and ultrasonic imaging unit using the same
JP2789086B2 (en) Telephone interface circuit and method for terminating telephone lines during call pauses
JP3970383B2 (en) Switch circuit and ultrasonic diagnostic apparatus using the same
CN210780684U (en) Signal transmitting circuit of ultrasonic flowmeter
CN214585716U (en) Device for detecting field intensity and communication equipment
JP3396605B2 (en) Limiting circuit of synchronous rectifier circuit
JP2002065672A (en) Ultrasonic diagnostic device
JP2682107B2 (en) Trapezoidal wave output circuit
JPH0933638A (en) Ultrasonic transmitting and receiving circuit
JPH083528B2 (en) Ultrasonic device
JPH0723948A (en) Switch circuit and ultrasonic diagnostic device using same
JP2004230069A (en) Ultrasonograph