JP2001308721A - Product code encoder and decoder - Google Patents

Product code encoder and decoder

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JP2001308721A
JP2001308721A JP2000117907A JP2000117907A JP2001308721A JP 2001308721 A JP2001308721 A JP 2001308721A JP 2000117907 A JP2000117907 A JP 2000117907A JP 2000117907 A JP2000117907 A JP 2000117907A JP 2001308721 A JP2001308721 A JP 2001308721A
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真史 佐藤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a product code encoder and a decoder which can more decrease the number of memory access clocks for performing treatment of encoding and decoding of a product code at the time of using a memory with large bus width which is incorporated in an LSI. SOLUTION: A sink block outputted from a data compression circuit 113 is sequentially written in a memory 11 and outside code parity is added to a stored data matrix by an outside code encoding circuit 114. An inner code encoding circuit 115 reads the sink block sequentially from the memory 11 and adds inner code parity to it to output. A memory control circuit 12 is arranged so that the longitudinal direction of the data matrix is the column direction of the memory 11 when the bus width of L byte of the memory 11 is (2×A) bytes or more with respect to an A byte of the access unit of the outside code encoding circuit 14.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、積符号を構成する
誤り訂正符号の符号化および復号化処理を行う積符号符
号化装置および復号化装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a product code encoding apparatus and a decoding apparatus for encoding and decoding an error correction code constituting a product code.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、民生用ビデオカメラではDVフォ
ーマットと呼ばれるデジタルVTRが大きくシェアを延
ばしている。そのDVフォーマットでは誤り訂正符号と
して積符号が用いられている。DVフォーマットでの積
符号の符号化処理および復号化処理には数メガビットの
メモリを必要とする。
2. Description of the Related Art In recent years, in consumer video cameras, digital VTRs called DV formats have greatly increased their market share. In the DV format, a product code is used as an error correction code. Encoding and decoding of product codes in the DV format require several megabits of memory.

【0003】図11はDVフォーマットでのビデオデー
タの積符号の構成を示す図である。図11において、1
シンクブロックは77バイトからなり、138シンクブ
ロックで1つのデータマトリクスを構成している。積符
号の1コードワードは1バイトであり、外符号パリティ
ーがデータマトリクスの縦方向に11バイト生成され、
内符号パリティーがデータマトリクスの横方向(シンク
ブロック方向)に8バイト生成される。
FIG. 11 is a diagram showing the structure of a product code of video data in the DV format. In FIG. 11, 1
The sync block is composed of 77 bytes, and one data matrix is composed of 138 sync blocks. One codeword of the product code is one byte, and an outer code parity is generated by 11 bytes in the vertical direction of the data matrix.
Eight bytes of the inner code parity are generated in the horizontal direction (sync block direction) of the data matrix.

【0004】従来のDVフォーマットでの積符号符号化
装置および復号化装置としては、例えば、特開平8−2
73347号広報「データ一時記憶装置」等が挙げられ
る。以下、従来のDVフォーマットでの積符号符号化装
置について説明する。
[0004] As a conventional product code encoding apparatus and decoding apparatus in the DV format, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-2
No. 73347, "Data temporary storage device" and the like. Hereinafter, a conventional product code encoding apparatus in the DV format will be described.

【0005】図12は従来の積符号符号化装置を示すブ
ロック図である。メモリ111は、例えばLSIに外付
けされる汎用シンクロナスDRAMであり、データバス
のバス幅は16ビット(=2バイト)である。LSIに
外付けするメモリはピン数の制約などから16ビット程
度のバス幅がほとんどである。メモリ制御回路112
は、各回路からの指示に従ってメモリ111にアクセス
し、メモリ111に対してデータを読み書きする。デー
タ圧縮回路113は、ビデオデータに圧縮処理を施して
シンクブロック(データマトリクスの横データ)を形成
し、シンクブロックに一対一に対応するシンクブロック
番号とともにメモリ制御回路112に出力する。外符号
符号化回路114は、外符号系列順(データマトリクス
の縦)にデータをメモリ111から読み出すようにメモ
リ制御回路112に指示し、読み出したデータに対して
外符号パリティーを生成して出力し、メモリ111に書
き戻すようにメモリ制御回路112に指示する。この外
符号符号化回路114は、一度に2つの外符号系列を処
理する。内符号符号化回路115は、シンクブロックに
一対一に対応するシンクブロック番号をメモリ制御回路
112に出力して、シンクブロック番号に対応するシン
クブロックを入力し、シンクブロックに対して内符号パ
リティーを生成してシンクブロックに付加して出力す
る。
FIG. 12 is a block diagram showing a conventional product code encoder. The memory 111 is, for example, a general-purpose synchronous DRAM external to an LSI, and has a data bus width of 16 bits (= 2 bytes). Most of the memory external to the LSI has a bus width of about 16 bits due to restrictions on the number of pins. Memory control circuit 112
Accesses the memory 111 according to an instruction from each circuit, and reads and writes data from and to the memory 111. The data compression circuit 113 performs a compression process on the video data to form a sync block (horizontal data of the data matrix), and outputs the sync block to the memory control circuit 112 together with a sync block number corresponding to the sync block on a one-to-one basis. The outer code encoding circuit 114 instructs the memory control circuit 112 to read data from the memory 111 in the order of the outer code sequence (vertical of the data matrix), and generates and outputs an outer code parity for the read data. , And instruct the memory control circuit 112 to write back to the memory 111. The outer code encoding circuit 114 processes two outer code sequences at a time. The inner code encoding circuit 115 outputs the sync block number corresponding to the sync block one-to-one to the memory control circuit 112, inputs the sync block corresponding to the sync block number, and generates the inner code parity for the sync block. Generate, add to sync block and output.

【0006】図13は従来の積符号符号化装置における
メモリ111のマッピング方式を10個のシンクブロッ
クについて示す図である。メモリ111にはシンクブロ
ックが行方向にマッピングされており、メモリ111は
1アドレス2バイトであるので、1シンクブロック77
バイト(内符号パリティーが付加されていない時点での
1シンクブロックは77バイトである)は同一行アドレ
スの連続する39列アドレスに記憶される。このマッピ
ングにより、シンクブロックアクセスはDRAMのペー
ジモードアクセスを利用して高速にアクセスをすること
ができる。一方、外符号符号化のアクセスは同一列アド
レスの連続行アドレスを1アドレスづつアクセスするこ
とになり、ランダムアクセスとなる。
FIG. 13 is a diagram showing a mapping method of the memory 111 in the conventional product code encoder for ten sync blocks. Sync blocks are mapped in the memory 111 in the row direction, and the memory 111 has one address and two bytes.
The bytes (one sync block at the time when the inner code parity is not added is 77 bytes) are stored in 39 consecutive column addresses of the same row address. With this mapping, sync block access can be performed at high speed using page mode access of the DRAM. On the other hand, the access of the outer code encoding is to access consecutive row addresses of the same column address one by one, which is a random access.

【0007】図14は従来の積符号符号化装置における
データ圧縮回路113からメモリ111への書き込みア
クセスを示すタイミング図である。CLKはシンクロナ
スDRAMを動作させるクロック、RASは行アドレス
ストローブ、CASは列アドレスストローブ、ADRS
はアドレス、WEはライトイネーブル、DATAはアク
セスデータを表す。CLKの立ち上がりにおいて、RA
S=0、CAS=1、WE=1のときADRSの行アド
レスをアクティブ状態とする。RAS=0、CAS=
1、WE=0のときADRSの行アドレスをプリチャー
ジする。RAS=1、CAS=0、WE=0のときAD
RSの列アドレスにDATAのデータを書き込む。RA
S=1、CAS=0、WE=1のときADRSの列アド
レスからDATAのデータが読み出される。1シンクブ
ロックの書き込みアクセスは、ページモードアクセスを
利用しており、同一行アドレスの連続39列アドレスに
データを書き込むのに、行アクティブからプリチャージ
まで41クロックを要する。したがって、1つのデータ
マトリクス(138シンクブロック)を書き込むのに、
41×138=5658クロックを要する。
FIG. 14 is a timing chart showing write access from the data compression circuit 113 to the memory 111 in the conventional product code encoder. CLK is a clock for operating the synchronous DRAM, RAS is a row address strobe, CAS is a column address strobe, ADRS
Represents an address, WE represents a write enable, and DATA represents access data. At the rise of CLK, RA
When S = 0, CAS = 1, and WE = 1, the row address of ADRS is activated. RAS = 0, CAS =
When 1, WE = 0, the row address of ADRS is precharged. AD when RAS = 1, CAS = 0, WE = 0
Write the data of DATA to the column address of RS. RA
When S = 1, CAS = 0, and WE = 1, data of DATA is read from the column address of ADRS. Write access of one sync block utilizes page mode access, and it takes 41 clocks from row active to precharge to write data to consecutive 39 column addresses of the same row address. Therefore, when writing one data matrix (138 sync blocks),
41 × 138 = 5658 clocks are required.

【0008】図15は従来の積符号符号化装置における
外符号符号化回路114とメモリ111とのアクセスを
示すタイミング図である。外符号系列のアクセスは、ラ
ンダムアクセスとなり、1データのアクセスに行アクテ
ィブからプリチャージまで3クロックを要する。つま
り、外符号系列のアクセスはデータの読み出しで138
回、外符号パリティーの書き込みで11回であるので、
3×138+3×11=447クロックを要する。この
例ではメモリ111が1アドレス2バイトであるので、
2外符号系列を一度にアクセスしており、1つのデータ
マトリクス(77外符号系列)をアクセスするのに、4
47×39=17433クロックを要する。
FIG. 15 is a timing chart showing access between the outer code encoder 114 and the memory 111 in the conventional product code encoder. Access to the outer code sequence is random access, and one data access requires three clocks from row active to precharge. In other words, the access of the outer code sequence is 138 when reading data.
Times, the outer code parity is written 11 times,
3 × 138 + 3 × 11 = 447 clocks are required. In this example, since the memory 111 has 2 bytes per address,
Two outer code sequences are accessed at a time, and one data matrix (77 outer code sequences) is accessed.
47 × 39 = 17433 clocks are required.

【0009】図16は従来の積符号符号化装置における
メモリ111から内符号符号化回路115への読み出し
アクセスを示すタイミング図である。1シンクブロック
の読み出しアクセスは、ページモードアクセスを利用し
ており、同一行アドレスの連続39列アドレスからデー
タを読み出すのに、行アクティブからプリチャージまで
41クロックを要する。したがって、1つのデータマト
リクス(外符号パリティーが付加されたので149シン
クブロック)を読み出すのに、41×149=6109
クロックを要する。上記のような処理により、データ圧
縮回路113から出力されたシンクブロックを順次メモ
リ111に書き込んでいき、記憶されたデータマトリク
スに対して外符号符号化回路114により外符号パリテ
ィーを付加し、内符号符号化回路115がメモリ111
からシンクブロックを順次読み出して内符号パリティー
を付加して出力する。ビデオデータの1データマトリク
スのメモリ111のアクセスは5658+17433+
6109=29200クロックを要する。積符号復号化
装置についても、図11の積符号符号化装置とほぼ同様
の構成であり、ビデオデータの1データマトリクスのメ
モリアクセスも積符号符号化装置とほぼ同じく約300
00クロックを要する。
FIG. 16 is a timing chart showing read access from the memory 111 to the inner code encoder 115 in the conventional product encoder. Read access of one sync block utilizes page mode access, and it takes 41 clocks from row active to precharge to read data from consecutive 39 column addresses of the same row address. Therefore, to read one data matrix (149 sync blocks because the outer code parity is added), 41 × 149 = 6109
Requires a clock. By the above processing, the sync blocks output from the data compression circuit 113 are sequentially written into the memory 111, and the outer code encoding circuit 114 adds an outer code parity to the stored data matrix, and The encoding circuit 115 is a memory 111
, The sync blocks are sequentially read out, the inner code parity is added and the sync blocks are output. Access to the memory 111 of one data matrix of video data is 5658 + 17433 +
6109 = 29200 clocks are required. The product code decoding device has substantially the same configuration as the product code coding device of FIG. 11, and the memory access of one data matrix of video data is approximately 300
Requires 00 clocks.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかし、図12に示し
た従来の構成では、次のような問題点があった。近年、
LSIの微細化に伴い、数メガビットのシンクロナスD
RAMをLSIに内蔵できるようになってきている。L
SIに内蔵するシンクロナスDRAMは論理回路にLS
I内部で接続することになるので、バス幅を大きくとる
ことができ、通常128ビット程度のバス幅となってい
る。バス幅が大きいほうが当然データ転送レートが大き
くなるというメリットがある。転送レートが大きくなる
とメモリアクセスクロック数が減るので、今まで複数の
メモリで行っていた処理を1つのメモリに統合すること
も可能となり、実装面積やコストなどで大きなメリット
が発生する。
However, the conventional configuration shown in FIG. 12 has the following problems. recent years,
With the miniaturization of LSI, several megabits of synchronous D
It is becoming possible to incorporate a RAM in an LSI. L
Synchronous DRAM built into SI uses LS
Since the connection is made inside I, the bus width can be increased, and the bus width is usually about 128 bits. A larger bus width naturally has the advantage of a higher data transfer rate. When the transfer rate is increased, the number of memory access clocks is reduced, so that processing that has been performed by a plurality of memories can be integrated into one memory, and a great merit is generated in mounting area and cost.

【0011】ところが、バス幅の大きさをうまく活かし
てメモリアクセスクロックを減らすためにはメモリへの
データのマッピングに工夫が必要となる。図12に示し
た従来の積符号符号化装置と同様なマッピング、つま
り、シンクブロックをメモリの行方向にマッピングする
方法では、例えばメモリのバス幅が128ビット(=1
6バイト)であるとき、1シンクブロック77バイトは
同一行アドレスの連続する5列アドレスに記憶される。
データ圧縮回路113からメモリへの1シンクブロック
の書き込みアクセスは、ページモードアクセスを利用
し、同一行アドレスの連続5列アドレスにデータを書き
込むのに、行アクティブからプリチャージまで7クロッ
クを要する。したがって、1つのデータマトリクス(1
38シンクブロック)を書き込むのに、7×138=9
66クロックを要する。外符号符号化回路114とメモ
リとの外符号系列のアクセスは、ランダムアクセスとな
り、1アドレスのアクセスに行アクティブからプリチャ
ージまで3クロックを要する。つまり、外符号系列のア
クセスはデータの読み出しで138回、外符号パリティ
ーの書き込みで11回であるので、3×138+3×1
1=447クロックを要する。外符号符号化回路114
が一度に処理できる外符号系列が2外符号系列であると
すると、次の2外符号系列を処理するときには再度同じ
アクセスをメモリに対して行わなければならず、結局、
1つのデータマトリクス(77外符号系列)をアクセス
するのに、447×39=17433クロックを要す
る。メモリから内符号符号化回路115への1シンクブ
ロックの読み出しアクセスは、ページモードアクセスを
利用し、同一行アドレスの連続5列アドレスからデータ
を読み出すのに、行アクティブからプリチャージまで7
クロックを要する。したがって、1つのデータマトリク
ス(外符号パリティーが付加されたので149シンクブ
ロック)を読み出すのに、7×149=1043クロッ
クを要する。この結果、ビデオデータの1データマトリ
クスのメモリのアクセスは966+17433+104
3=19442クロックを要する。
However, in order to reduce the memory access clock by making good use of the bus width, it is necessary to devise a method of mapping data to the memory. In the mapping similar to that of the conventional product code encoder shown in FIG. 12, that is, in the method of mapping the sync blocks in the row direction of the memory, for example, the bus width of the memory is 128 bits (= 1 bit).
(6 bytes), 77 bytes of one sync block are stored in five consecutive column addresses of the same row address.
The write access of one sync block from the data compression circuit 113 to the memory requires seven clocks from row active to precharge to write data to consecutive five column addresses of the same row address using page mode access. Therefore, one data matrix (1
7 × 138 = 9 to write 38 sync blocks)
It requires 66 clocks. The access of the outer code sequence between the outer code encoding circuit 114 and the memory is random access, and one address access requires three clocks from row active to precharge. That is, the outer code sequence is accessed 138 times for reading data and 11 times for writing outer code parity, so that 3 × 138 + 3 × 1
1 = 447 clocks are required. Outer code encoding circuit 114
If the outer code sequence that can be processed at a time is a two outer code sequence, the same access to the memory must be performed again when processing the next two outer code sequences.
Accessing one data matrix (77 outer code sequence) requires 447 × 39 = 17433 clocks. In the read access of one sync block from the memory to the inner code encoding circuit 115, page mode access is used to read data from consecutive five column addresses of the same row address.
Requires a clock. Therefore, it takes 7 × 149 = 11043 clocks to read one data matrix (149 sync blocks because the outer code parity is added). As a result, the access of the memory of one data matrix of the video data is 966 + 17433 + 104.
3 = 19442 clocks are required.

【0012】このように、バス幅16ビットの外付けシ
ンクロナスDRAMを使用した場合に比べて、バス幅1
28ビットのLSI内蔵シンクロナスDRAMを使用し
た場合では、データ圧縮回路113からのメモリへの書
き込みが5658クロックから966クロック、メモリ
から内符号符号化回路115への読み出しが6109ク
ロックから1043クロックと大きく減っているが、外
符号符号化回路114とメモリとのアクセスが全く減っ
ていないため、合計のクロック数は29200クロック
から19422クロックへと約33%減にとどまってい
る。これではバス幅が128ビットになったことをうま
く利用できているとは言えず、複数のメモリで行ってい
た処理を1つのメモリに統合するというようなことはま
だ困難となる。
As described above, compared to the case where an external synchronous DRAM having a bus width of 16 bits is used, the bus width is one bit smaller.
In the case of using a 28-bit LSI built-in synchronous DRAM, writing from the data compression circuit 113 to the memory is from 5658 clocks to 966 clocks, and reading from the memory to the inner encoding circuit 115 is from 6109 clocks to 1043 clocks. Although the number of clocks has decreased, the total number of clocks has been reduced by about 33% from 29200 clocks to 19422 clocks because the access between the outer code encoding circuit 114 and the memory has not decreased at all. In this case, it cannot be said that the fact that the bus width has become 128 bits can be effectively used, and it is still difficult to integrate the processing performed by a plurality of memories into one memory.

【0013】本発明は、上記の問題点を解決するもので
あり、バス幅の大きなメモリを使用したときに、積符号
の符号化および復号化の処理を行うためのメモリアクセ
スクロック数をより少なくすませることができる積符号
符号化装置および復号化装置を提供することが、本発明
の課題である。
The present invention has been made to solve the above-described problem. When a memory having a large bus width is used, the number of memory access clocks for encoding and decoding a product code can be reduced. It is an object of the present invention to provide a product code encoding device and a decoding device that can be executed.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の積符号符号化装置は、入力されてくるデ
ジタルデータを圧縮し、Jバイト単位のシンクブロック
K個からなるJ×Kバイトのデータマトリクスとして出
力するデータ圧縮手段と、2次元の行列アドレス空間を
有し、同一行アドレス方向にLバイト単位でページモー
ドアクセスが可能なメモリと、外符号系列順にメモリか
ら読み出されたデータに外符号パリティを生成して出力
する外符号符号化手段と、シンクブロック単位でメモリ
から読み出された各シンクブロックに対し内符号パリテ
ィーを生成して出力する内符号符号化手段と、メモリに
対しデータの書き込みおよび読み出しを制御するメモリ
制御手段とを備え、該メモリ制御手段は上記J×Kバイ
トのデータマトリクスのメモリへの書き込みに際してJ
バイトのシンクブロックを列方向に連続する[(J/
L)+1]行にLバイト単位で書き込む動作をシンクブ
ロック順に行方向、列方向に順次行なって、(N×L)
×[{(J×K)/(N×L)}+1]バイトのデータマ
トリクスとして入力するようにしたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, a product code encoding apparatus according to the present invention compresses input digital data and generates a J × K sync block consisting of K sync blocks in J byte units. A data compression means for outputting as a K-byte data matrix, a memory having a two-dimensional matrix address space and allowing page mode access in units of L bytes in the same row address direction, and a memory read out of the memory in the order of the outer code sequence Outer code encoding means for generating and outputting an outer code parity for the data, and inner code encoding means for generating and outputting an inner code parity for each sync block read from the memory in sync block units, A memory control means for controlling writing and reading of data to and from the memory, wherein the memory control means includes a data matrix of J × K bytes. When writing to memory
A byte sync block continues in the column direction [(J /
L) +1] is sequentially written in the row direction and the column direction in the order of the sync block in the L-byte unit to obtain (N × L)
The data is input as a data matrix of × [{(J × K) / (N × L)} + 1] bytes.

【0015】これにより、本発明の積符号符号化装置
は、バス幅の大きなメモリを使用したときに、積符号の
符号化の処理を行うためのメモリアクセスクロック数を
より少なくすませることができる。その理由は以下の通
りである。
Thus, the product code encoding apparatus of the present invention can reduce the number of memory access clocks for encoding the product code when using a memory having a large bus width. The reason is as follows.

【0016】まず、データマトリクスの横方向をメモリ
のページモードアクセス方向に配列した場合を考える。
データ入力手段からメモリへの書き込みアクセスに必要
なクロック数は、データマトリクスの1行分(Jバイ
ト)で、行アクティブとプリチャージを含めて、 J/L+2 クロック となるので、1つのデータマトリクスを書き込むのに、 (J/L+2)×K クロック となる。外符号符号化手段とメモリとのアクセスはラン
ダムアクセスとなり必要なクロック数は、1データ分で
行アクティブとプリチャージを含めて3クロックである
ので、外符号系列のアクセスは、 3×Q クロック (Qは外符号パリティを含むシンク
ブロックの総数) となり、外符号符号化手段はメモリに対してA(A=
2)バイトづつアクセスしているので、1つのデータマ
トリクスのアクセスは、 3×Q×(J/A) クロック となる。メモリから内符号符号化手段への読み出しアク
セスに必要なクロック数は、データマトリクスの1行分
で、行アクティブとプリチャージを含めて、 (J/L)+2 クロック となるので、1つのデータマトリクスを読み出すのに、 (J/L+2)×Q クロック となる。この結果、1データマトリクスのメモリのアク
セスは、KをQに近似できるとして、 2JQ/L+4Q+3JQ/A クロック を要することになる。
First, consider the case where the horizontal direction of the data matrix is arranged in the page mode access direction of the memory.
The number of clocks required for the write access from the data input means to the memory is J / L + 2 clocks including one row (J byte) of the data matrix and including row active and precharge. (J / L + 2) × K clocks for writing. Since the access between the outer code encoding means and the memory is random access and the number of required clocks is 3 clocks for one data including row active and precharge, the access of the outer code sequence is 3 × Q clock ( Q is the total number of sync blocks including the outer code parity, and the outer code encoding means sends A (A =
2) Since data is accessed one byte at a time, one data matrix is accessed by 3 × Q × (J / A) clocks. The number of clocks required for read access from the memory to the inner code encoding means is (J / L) +2 clocks for one row of the data matrix, including row active and precharge. Is read, (J / L + 2) × Q clocks. As a result, access to the memory of one data matrix requires 2 JQ / L + 4Q + 3JQ / A clocks, assuming that K can be approximated to Q.

【0017】次に、データマトリクスの縦方向をメモリ
のページモードアクセス方向に配列した場合(J×K→
K×J)を考える。データ入力手段からメモリへの書き
込みアクセスに必要なクロック数は、1アドレス分で行
アクティブとプリチャージを含めて3クロックであるの
で、データマトリクスの1行分で、 3×J/L クロック となるので、1つのデータマトリクスを書き込むのに、 3×(J/L)×K クロック となる。外符号符号化手段とメモリとのアクセスに必要
なクロック数は、1回のページモードで行アクティブと
プリチャージを含めて、 J/L+2 クロック であるので、外符号系列のアクセスは、 (J/L+2)×Q/(J/L) クロック となり、外符号符号化手段がメモリに対してAバイトづ
つアクセスしているので、1つのデータマトリクスのア
クセスは、 (J/L+2)×Q/(J/L)×J/A クロック となる。メモリから内符号符号化手段への読み出しアク
セスに必要なクロック数は、1アドレス分で行アクティ
ブとプリチャージを含めて3クロックであるので、デー
タマトリクスの1行分で、 3×J/L クロック となるので、1つのデータマトリクスを読み出すのに、 3×(J/L)×Q クロック となる。この結果、1データマトリクスのメモリのアク
セスは、KをQに近似できるとして、 6JQ/L+JQ/A+2LQ/A クロック を要することになる。
Next, when the vertical direction of the data matrix is arranged in the page mode access direction of the memory (J × K →
K × J). The number of clocks required for write access from the data input means to the memory is 3 clocks including row active and precharge for one address, so that 3 × J / L clocks for one row of the data matrix. Therefore, 3 × (J / L) × K clocks are required to write one data matrix. Since the number of clocks required for access between the outer code encoding means and the memory is J / L + 2 clocks including row active and precharge in one page mode, the access of the outer code sequence is (J / L + 2) × Q / (J / L) clocks, and the outer code encoding means accesses the memory A bytes at a time, so that one data matrix access is (J / L + 2) × Q / (J / L) × J / A clock. The number of clocks required for read access from the memory to the inner code encoding means is 3 clocks including row active and precharge for one address, so that 3 × J / L clocks for one row of the data matrix. Therefore, 3 × (J / L) × Q clocks are required to read one data matrix. As a result, access to the memory of one data matrix requires 6 JQ / L + JQ / A + 2LQ / A clocks, assuming that K can be approximated to Q.

【0018】したがって、データマトリクスの横方向を
メモリのページモードアクセス方向に配列した場合より
もデータマトリクスの縦方向をメモリのページモードア
クセス方向に配列した場合のほうがアクセスクロック数
が小さくなる条件は、 2JQ/L+4Q+3JQ/A≧6JQ/L+JQ/A
+2LQ/A となり、この式を解くと、 (L−2A)(L−J) ≦ 0 が得られる。通常、2AよりもJのほうが大きいので、
結局、 L ≧ 2A が得られる。例えば、外符号化が2系列で行われるよう
な場合には、Aが2であるから、Lが4以上であれば、
必要なクロック数を少なくすることができる。
Therefore, the condition that the number of access clocks is smaller when the vertical direction of the data matrix is arranged in the page mode access direction of the memory than when the horizontal direction of the data matrix is arranged in the page mode access direction of the memory is as follows. 2JQ / L + 4Q + 3JQ / A ≧ 6JQ / L + JQ / A
+ 2LQ / A, and solving this equation gives (L-2A) (L−J) ≦ 0. Usually, J is larger than 2A,
As a result, L ≧ 2A is obtained. For example, when outer coding is performed in two sequences, A is 2 and if L is 4 or more,
The required number of clocks can be reduced.

【0019】また、上記の目的を達成するために、本発
明の積符号復号化装置は、2次元の行列アドレス空間を
有し、同一行アドレス方向にLバイト単位でページモー
ドアクセスが可能なメモリと、メモリに対するデータの
書込み、読み出しを制御するメモリ制御手段と、Jバイ
トのシンクブロックに(M−J)バイトの内符号が付加
されたMバイトのデータを入力して内符号復号化処理を
実行する内符号復号化手段と、K個のデータシンクブロ
ックと(N−K)個の外符号シンクブロックからなるN
個のシンクブロックを外符号系列で順次入力して外符号
復号化処理をして訂正データを出力する外符号復号化手
段と、訂正後のデータをシンクブロック単位で前記メモ
リから読み出して出力するデータ出力手段とを有し、上
記メモリ制御手段は、内符号復号化手段から出力される
Jバイトのシンクブロックを列方向に連続する[(J/
K)+1]行にLバイト単位で書き込む動作をシンクブ
ロック順に行方向、列方向に順次行なって(N×L)×
[{(J×K)/(N×L)}+1]バイトのデータマ
トリクスとしてメモリに格納するようにしたことを特徴
とする。尚、本明細書においては、[ ]の記号は、割
り算の商に小数点以下の数値があった場合は、くり上げ
ることを表わす。たとえば、[(J/L)+1]であれ
ば、J/Lが割り切れない場合は、くり上げるという意
味である。また、[{(J×K)/(N×L)}+1]
であれば、JK/NLが割り切れない場合は、くり上げ
るという意味である。
In order to achieve the above object, a product code decoding apparatus according to the present invention has a two-dimensional matrix address space, and is capable of performing page mode access in L-byte units in the same row address direction. And memory control means for controlling writing and reading of data to and from the memory, and inputting M bytes of data with an (MJ) byte inner code added to a J byte sync block to perform inner code decoding processing Inner code decoding means to be executed, and N data sync blocks composed of K data sync blocks and (NK) outer code sync blocks.
Outer code decoding means for sequentially inputting the sync blocks as outer code sequences, performing outer code decoding processing and outputting corrected data, and data for reading and outputting corrected data from the memory in sync block units Output means, and the memory control means concatenates J-byte sync blocks output from the inner code decoding means in the column direction [(J /
K) +1] An operation of writing data in L-byte units in the row is sequentially performed in the row direction and the column direction in the order of the sync block, and (N × L) ×
It is characterized in that it is stored in a memory as a data matrix of [{(J × K) / (N × L)} + 1] bytes. In this specification, the symbol [] indicates that if the quotient of the division has a numerical value below the decimal point, it is rounded up. For example, [(J / L) +1] means that if J / L is not divisible, it is rounded up. Also, [{(J × K) / (N × L)} + 1]
Then, if JK / NL is not divisible, it means to round up.

【0020】これにより、本発明の積符号復号化装置
は、バス幅の大きなメモリを使用したときに、積符号の
復号化の処理を行うためのメモリアクセスクロック数を
より少なくすませることができる。その理由は以下の通
りである。
Thus, the product code decoding device of the present invention can reduce the number of memory access clocks for decoding the product code when using a memory having a large bus width. The reason is as follows.

【0021】まず、データマトリクスの横方向をメモリ
のページモードアクセス方向に配列した場合を考える。
内符号復号化手段からメモリへの書き込みアクセスに必
要なクロック数は、データマトリクスの1行分で、行ア
クティブとプリチャージを含めて、 J/L+2 クロック となるので、1つのデータマトリクスを書き込むのに、 (J/L+2)×Q クロック となる。外符号復号化手段とメモリとのアクセスに必要
なクロック数は、1データ分で行アクティブとプリチャ
ージを含めて3クロックであるので、外符号系列のアク
セスは、 3×Q クロック となり、外符号復号化手段がメモリに対してAバイトづ
つアクセスするとすると、1つのデータマトリクスのア
クセスは、 3×Q×J/A クロック となる。メモリからデータ出力手段への読み出しアクセ
スに必要なクロック数は、データマトリクスの1行分
で、行アクティブとプリチャージを含めて、 J/L+2 クロック となるので、1つのデータマトリクスを読み出すのに、 (J/L+2)×K クロック となる。データ出力手段をB個有していれば、 (J/L+2)×K×B クロック となる。この結果、1データマトリクスのメモリのアク
セスは、KをQに近似できるとして、 (B+1)JQ/L+2(B+1)Q+3JQ/A ク
ロック を要することになる。
First, consider the case where the horizontal direction of the data matrix is arranged in the page mode access direction of the memory.
The number of clocks required for write access from the inner code decoding means to the memory is J / L + 2 clocks for one row of the data matrix, including row active and precharge. Then, (J / L + 2) × Q clock is obtained. The number of clocks required for access between the outer code decoding means and the memory is 3 clocks for one data, including row active and precharge. Therefore, the access of the outer code sequence is 3 × Q clocks, Assuming that the decoding means accesses the memory A bytes at a time, the access of one data matrix is 3 × Q × J / A clock. The number of clocks required for the read access from the memory to the data output means is J / L + 2 clocks for one row of the data matrix, including row active and precharge. Therefore, to read one data matrix, (J / L + 2) × K clocks. If there are B data output means, (J / L + 2) × K × B clocks. As a result, access to the memory of one data matrix requires (B + 1) JQ / L + 2 (B + 1) Q + 3JQ / A clocks, assuming that K can be approximated to Q.

【0022】次に、データマトリクスの縦方向をメモリ
のページモードアクセス方向に配列した場合を考える。
内符号復号化手段からメモリへの書き込みアクセスに必
要なクロック数は、1アドレス分で行アクティブとプリ
チャージを含めて3クロックであるので、データマトリ
クスの1行分で、 3×J/L クロック となるので、1つのデータマトリクスを書き込むのに、 3×(J/L)×Q クロック となる。外符号復号化手段とメモリとのアクセスに必要
なクロック数は、1回のページモードで行アクティブと
プリチャージを含めて、 J/L+2 クロック であるので、外符号系列のアクセスは、 (J/L+2)×Q/(J/L) クロック となり、外符号復号化手段がメモリに対してAバイトづ
つアクセスしているので、1つのデータマトリクスのア
クセスは、 (J/L+2)×Q/(J/L)×J/A クロック となる。メモリからデータ出力手段への読み出しアクセ
スに必要なクロック数は、1アドレス分で行アクティブ
とプリチャージを含めて3クロックであるので、データ
マトリクスの1行分で、 3×J/L クロック となるので、1つのデータマトリクスを読み出すのに、 3×(J/L)×K クロック となる。データ出力手段をB個有していれば、 3×(J/L)×K×B クロック となる。この結果、1データマトリクスのメモリのアク
セスは、KをQに近似できるとして、 3(B+1)JQ/L+JQ/A+2LQ/A クロッ
ク を要することになる。
Next, consider the case where the vertical direction of the data matrix is arranged in the page mode access direction of the memory.
The number of clocks required for write access from the inner code decoding means to the memory is 3 clocks including row active and precharge for one address, and therefore 3 × J / L clocks for one row of the data matrix. Therefore, to write one data matrix, 3 × (J / L) × Q clocks are required. The number of clocks required for access between the outer code decoding means and the memory is J / L + 2 clocks including row active and precharge in one page mode. L + 2) × Q / (J / L) clocks, and the outer code decoding means accesses the memory A bytes at a time, so one data matrix access is (J / L + 2) × Q / (J / L) × J / A clock. The number of clocks required for a read access from the memory to the data output means is 3 clocks including row active and precharge for one address, and therefore 3 × J / L clocks for one row of the data matrix. Therefore, 3 × (J / L) × K clocks are required to read one data matrix. If there are B data output means, then 3 × (J / L) × K × B clocks. As a result, access to the memory of one data matrix requires 3 (B + 1) JQ / L + JQ / A + 2LQ / A clocks, assuming that K can be approximated to Q.

【0023】したがって、データマトリクスの横方向を
メモリのページモードアクセス方向に配列した場合より
もデータマトリクスの縦方向をメモリのページモードア
クセス方向に配列した場合のほうがアクセスクロック数
が小さくなる条件は、 (B+1)JQ/L+2(B+1)Q+3JQ/A≧3
(B+1)JQ/L+JQ/A+2LQ/A となり、この式を解くと、 (L−A(B+1))(L−J) ≦ 0 が得られる。通常、A(B+1)よりもJのほうが大き
いので、結局、 L ≧ A(B+1) であれば、クロック数を減少させることができる。
Therefore, the condition that the number of access clocks is smaller when the vertical direction of the data matrix is arranged in the page mode access direction of the memory than when the horizontal direction of the data matrix is arranged in the page mode access direction of the memory is as follows. (B + 1) JQ / L + 2 (B + 1) Q + 3 JQ / A ≧ 3
(B + 1) JQ / L + JQ / A + 2LQ / A By solving this equation, (LA (B + 1)) (LJ) ≦ 0 is obtained. Normally, J is larger than A (B + 1), so if L ≧ A (B + 1), the number of clocks can be reduced.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。 <実施形態1>図1は、この実施形態1における積符号
符号化装置の構成を示すブロック図である。メモリ11
は、例えばLSIに内蔵されるシンクロナスDRAMで
あり、データバスのバス幅は128ビット(=16バイ
ト)である。LSIに内蔵されるメモリは、データ転送
レートを大きくするために、バス幅を大きくとっている
ものが多い。メモリ制御回路12は、各回路からの指示
に従ってメモリ11にアクセスし、メモリ11に対して
データを読み書きする。データ圧縮回路113は、ビデ
オデータに圧縮処理を施してシンクブロック(データマ
トリクスの横データ)を形成し、シンクブロックに一対
一に対応するシンクブロック番号とともにメモリ制御回
路12に出力する。外符号符号化回路114は、外符号
系列順(データマトリクスの縦)にデータをメモリ11
から読み出すようにメモリ制御回路12に指示し、読み
出したデータに対して外符号パリティーを生成して出力
し、メモリ11に書き戻すようにメモリ制御回路12に
指示する。この外符号符号化回路114は、一度に2つ
の外符号系列を処理する。内符号符号化回路115は、
シンクブロックに一対一に対応するシンクブロック番号
をメモリ制御回路12に出力して、シンクブロック番号
に対応するシンクブロックを入力し、シンクブロックに
対して内符号パリティーを生成してシンクブロックに付
加して出力する。符号化対象の積符号の構成は従来例と
同様で、図10に示した通り、1シンクブロックが77
バイトからなり、138シンクブロックで1つのデータ
マトリクスを構成している。積符号の1コードワードは
1バイトであり、外符号パリティーがデータマトリクス
の縦方向に11バイト生成され、内符号パリティーがデ
ータマトリクスの横方向(シンクブロック方向)に8バ
イト生成される。したがって、請求項1および4に当て
はめると、A=2、J=77、K=138、L=16、
M=85、N=149となり、L[=16]≧2×A
[=4]であるので、データマトリクスの縦方向をメモ
リ11のページモードアクセス方向に配列する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. <Embodiment 1> FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a product code encoder according to Embodiment 1. Memory 11
Is, for example, a synchronous DRAM built in an LSI, and the bus width of the data bus is 128 bits (= 16 bytes). Many memories built in LSI have a large bus width in order to increase the data transfer rate. The memory control circuit 12 accesses the memory 11 according to instructions from each circuit, and reads and writes data from and to the memory 11. The data compression circuit 113 performs a compression process on the video data to form a sync block (horizontal data of the data matrix), and outputs the sync block number to the memory control circuit 12 together with a sync block number corresponding to the sync block on a one-to-one basis. The outer code encoding circuit 114 stores the data in the memory 11 in the order of the outer code sequence (vertical of the data matrix).
And instructs the memory control circuit 12 to generate and output an outer code parity for the read data and write it back to the memory 11. The outer code encoding circuit 114 processes two outer code sequences at a time. The inner code encoding circuit 115
A sync block number corresponding to each sync block is output to the memory control circuit 12, a sync block corresponding to the sync block number is input, an inner code parity is generated for the sync block, and the parity is added to the sync block. Output. The configuration of the product code to be encoded is the same as that of the conventional example, and as shown in FIG.
Each data matrix is composed of 138 sync blocks. One codeword of the product code is 1 byte, 11 bytes of outer code parity are generated in the vertical direction of the data matrix, and 8 bytes of inner code parity are generated in the horizontal direction (sync block direction) of the data matrix. Therefore, when applied to claims 1 and 4, A = 2, J = 77, K = 138, L = 16,
M = 85, N = 149, and L [= 16] ≧ 2 × A
Since [= 4], the vertical direction of the data matrix is arranged in the page mode access direction of the memory 11.

【0025】図2は図13に示す従来のマッピングに対
応して本発明の実施形態1の積符号符号化装置における
メモリ11のマッピングを示す図である。メモリ11に
はシンクブロックが列方向(ランダムアクセス方向)に
マッピングされており、メモリ11は1アドレス16バ
イトであるので、1シンクブロック77バイトは同一列
アドレスの連続する5アドレスに記憶される。このマッ
ピングにより、シンクブロックアクセスは同一列アドレ
スの連続行アドレスを1アドレスづつアクセスすること
になり、ランダムアクセスとなる。一方、同一行アドレ
スの連続する5列アドレスにデータマトリクスの縦方向
がマッピングされているので、外符号符号化のアクセス
にDRAMのページモードアクセスを利用することがで
きる。
FIG. 2 is a diagram showing the mapping of the memory 11 in the product code encoder according to the first embodiment of the present invention, corresponding to the conventional mapping shown in FIG. In the memory 11, sync blocks are mapped in the column direction (random access direction). Since the memory 11 has one address of 16 bytes, one sync block of 77 bytes is stored in five consecutive addresses of the same column address. By this mapping, the sync block access is to access consecutive row addresses of the same column address one by one, which is a random access. On the other hand, since the vertical direction of the data matrix is mapped to five consecutive column addresses of the same row address, the page mode access of the DRAM can be used for the access of the outer code encoding.

【0026】図3はメモリ制御回路12が実行するマッ
ピングのフローチャートで、簡単のため10個のシンク
ブロックについてのマッピングを示している。ここで、
シンクブロック番号はS(n,j)(n=1,2,j=
1〜5)で表わし、iは、シンクブロックの何番目のア
ドレスであるかを示す。ステップS101で、n,j,
iを夫々1に初期化する。ステップS102では、シン
クブロックS(n,j)=S(1,1)のi番目(i=
1)のアドレスのデータをメモリの(0,0)番地に書
込む。ステップS103でiをインクリメントし、2番
目のアドレスのデータをメモリの(1,0)番地に書込
む。この書込み動作をi=5になる迄繰り返して、シン
クブロック1のデータ書込みが終了する。即ち、ステッ
プS104でi=5になると、ステップS105でjを
インクリメントし、次のシンクブロック[S(1,2)
=2]のデータの書込みを行なうため、ステップS10
7でiを再び1にセットして、ステップS102に戻
り、メモリ番地(0,1)から(4,1)に、シンクブ
ロック2のデータを順次書込む。このようにして、シン
クブロック5までの書込みが終了すると(S106)、
ステップS108でnをインクリメントし、2段目のシ
ンクブロックS(2,1)(=6)からS(2,5)
(=10)までのデータの書込みを行なうため、ステッ
プS110でj=1にセットして、ステップS102に
戻る。ステップS109でn=3が確認されると、全て
のシンクブロックの書込みが終了する。
FIG. 3 is a flowchart of the mapping executed by the memory control circuit 12, and shows the mapping for ten sync blocks for simplicity. here,
The sync block number is S (n, j) (n = 1, 2, j =
1 to 5), and i indicates the number of the address of the sync block. In step S101, n, j,
Initialize i to 1 respectively. In step S102, the i-th (i = i) of the sync block S (n, j) = S (1,1)
The data at the address 1) is written into the memory at the address (0,0). In step S103, i is incremented, and the data at the second address is written to the address (1, 0) of the memory. This write operation is repeated until i = 5, and the data write of the sync block 1 is completed. That is, when i = 5 in step S104, j is incremented in step S105, and the next sync block [S (1,2)]
= 2], the data is written in step S10.
In step 7, i is set to 1 again, and the process returns to step S102 to sequentially write the data of the sync block 2 from the memory addresses (0, 1) to (4, 1). In this way, when writing to the sync block 5 is completed (S106),
In step S108, n is incremented, and the second-stage sync blocks S (2,1) (= 6) to S (2,5)
To write data up to (= 10), j = 1 is set in step S110, and the process returns to step S102. If n = 3 is confirmed in step S109, the writing of all sync blocks is completed.

【0027】図4は本発明の実施形態1の積符号符号化
装置におけるデータ圧縮回路113からメモリ11への
書き込みアクセスを示すタイミング図である。CLKは
シンクロナスDRAMを動作させるクロック、RASは
行アドレスストローブ、CASは列アドレスストロー
ブ、ADRSはアドレス、WEはライトイネーブル、D
ATAはアクセスデータを表す。CLKの立ち上がりに
おいて、RAS=0、CAS=1、WE=1のときAD
RSの行アドレスをアクティブ状態とする。RAS=
0、CAS=1、WE=0のときADRSの行アドレス
をプリチャージする。RAS=1、CAS=0、WE=
0のときADRSの列アドレスにDATAのデータを書
き込む。RAS=1、CAS=0、WE=1のときAD
RSの列アドレスからDATAのデータが読み出され
る。1シンクブロックの書き込みアクセスは、ランダム
アクセスとなり、1アドレスのアクセスに行アクティブ
からプリチャージまで3クロックを要する。1シンクブ
ロックのアクセスは5アドレスの書き込みを行うので、
3×5=15クロックを要する。したがって、1つのデ
ータマトリクス(138シンクブロック)を書き込むの
に、15×138=2070クロックを要する。
FIG. 4 is a timing chart showing write access from the data compression circuit 113 to the memory 11 in the product code encoder according to the first embodiment of the present invention. CLK is a clock for operating the synchronous DRAM, RAS is a row address strobe, CAS is a column address strobe, ADRS is an address, WE is a write enable, and D is a write enable.
ATA represents access data. When RAS = 0, CAS = 1, and WE = 1 at the rise of CLK, AD
The row address of RS is set to the active state. RAS =
When 0, CAS = 1 and WE = 0, the row address of ADRS is precharged. RAS = 1, CAS = 0, WE =
When 0, DATA data is written to the column address of ADRS. AD when RAS = 1, CAS = 0, WE = 1
DATA data is read from the column address of RS. Write access of one sync block is random access, and access of one address requires three clocks from row active to precharge. Since access to one sync block involves writing of five addresses,
3 × 5 = 15 clocks are required. Therefore, it takes 15 × 138 = 2070 clocks to write one data matrix (138 sync blocks).

【0028】図5は本発明の実施形態1の積符号符号化
装置における外符号符号化回路114とメモリ11との
アクセスを示すタイミング図である。外符号系列のアク
セスは、5アドレスづつのページモードアクセスを利用
しており、同一行アドレスの連続5列アドレスのアクセ
スに、行アクティブからプリチャージまで7クロックを
要する。外符号系列のアクセスはデータの読み出しで1
38アドレス、外符号パリティーの書き込みで11アド
レス、合計149アドレスであるので、連続5列アドレ
スのアクセスが30回、つまり、7×30=210クロ
ックを要する。外符号符号化回路114が一度に処理で
きる外符号系列が2外符号系列であるので、次の2外符
号系列を処理するときには再度同じアクセスをメモリに
対して行わなければならず、結局、1つのデータマトリ
クス(77外符号系列)をアクセスするのに、210×
39=8190クロックを要する。
FIG. 5 is a timing chart showing access between the outer code encoder 114 and the memory 11 in the product code encoder according to the first embodiment of the present invention. The access of the outer code sequence uses page mode access of five addresses, and it takes seven clocks from row active to precharge to access consecutive five column addresses of the same row address. Outer code sequence access is 1 when data is read
Since there are 38 addresses and 11 addresses for writing outer code parity, a total of 149 addresses, 30 consecutive 5-column address accesses require 30 times, that is, 7 × 30 = 210 clocks. Since the outer code sequence that can be processed by the outer code encoding circuit 114 at a time is a two outer code sequence, the same access to the memory must be performed again when processing the next two outer code sequences. To access one data matrix (77 outer code sequence)
39 = 8190 clocks are required.

【0029】図6は本発明の実施形態1の積符号符号化
装置におけるメモリ11から内符号符号化回路115へ
の読み出しアクセスを示すタイミング図である。1シン
クブロックの読み出しアクセスは、ランダムアクセスと
なり、1アドレスのアクセスに行アクティブからプリチ
ャージまで3クロックを要する。1シンクブロックのア
クセスは5アドレスの読み出しを行うので、3×5=1
5クロックを要する。したがって、1つのデータマトリ
クス(149シンクブロック)を読み出すのに、15×
149=2235クロックを要する。上記のような処理
により、データ圧縮回路113から出力されたシンクブ
ロックを順次メモリ11に書き込んでいき、記憶された
データマトリクスに対して外符号符号化回路114によ
り外符号パリティーを付加し、内符号符号化回路115
がメモリ11からシンクブロックを順次読み出して内符
号パリティーを付加して出力する。ビデオデータの1デ
ータマトリクスのメモリ11のアクセスは2070+8
190+2235=12495クロックを要する。この
クロック数は、従来の積符号符号化装置においてバス幅
16ビットの外付けシンクロナスDRAMを使用した場
合の29200クロックに対して約57%減、従来の積
符号符号化装置においてバス幅128ビットのLSI内
蔵シンクロナスDRAMを使用した場合の19422ク
ロックに対しても約36%減を実現している。これによ
り、本発明の積符号符号化装置は、バス幅の大きなメモ
リを使用したときに、積符号の符号化の処理を行うため
のメモリアクセスクロック数をより少なくすませること
ができ、複数のメモリで行っていた処理を1つのメモリ
に統合するというようなことも可能となる。
FIG. 6 is a timing chart showing a read access from the memory 11 to the inner code encoder 115 in the product code encoder of the first embodiment of the present invention. Read access of one sync block is random access, and access of one address requires three clocks from row active to precharge. Since access to one sync block involves reading five addresses, 3 × 5 = 1
Requires 5 clocks. Therefore, to read one data matrix (149 sync blocks), 15 ×
149 = 2235 clocks are required. By the above-described processing, the sync blocks output from the data compression circuit 113 are sequentially written to the memory 11, and the outer code encoding circuit 114 adds an outer code parity to the stored data matrix. Encoding circuit 115
Sequentially read out the sync blocks from the memory 11, add the inner code parity, and output them. Access to the memory 11 of one data matrix of video data is 2070 + 8
190 + 2235 = 12495 clocks are required. This number of clocks is reduced by about 57% from 29200 clocks when an external synchronous DRAM having a bus width of 16 bits is used in the conventional product code encoder, and 128 bits in the conventional product code encoder. This is about 36% lower than 19422 clocks when using the LSI built-in synchronous DRAM. As a result, the product code encoding device of the present invention can reduce the number of memory access clocks for performing the process of product code encoding when a memory having a large bus width is used. It is also possible to integrate the processing performed in step 1 into one memory.

【0030】<実施形態2>図7は、この実施形態5お
よび8における積符号復号化装置の構成を示すブロック
図である。メモリ11およびメモリ制御回路12は実施
形態1において図1に示したものと同じ構成であるの
で、ここでは詳しい説明を省略する。内符号復号化回路
65は、入力したシンクブロックに対して内符号誤り訂
正処理を施して復号した77バイトのシンクブロック
を、シンクブロックに一対一に対応するシンクブロック
番号とともにメモリ制御回路12に出力する。外符号復
号化回路64は、外符号系列順にデータをメモリ11か
ら読み出すようにメモリ制御回路12に指示し、読み出
したデータに対して外符号誤り訂正処理を施して、誤り
があった場合には、正しいデータをメモリ11に書き戻
すようにメモリ制御回路12に指示する。この外符号復
号化回路64は、一度に2つの外符号系列を処理する。
データ伸張回路63は、シンクブロックに一対一に対応
するシンクブロック番号をメモリ制御回路12に出力し
て、シンクブロック番号に対応するシンクブロックを入
力し、シンクブロックに伸張処理を施してビデオデータ
として出力する。復号化対象の積符号の構成は従来例と
同様で、図11に示した通り、1シンクブロックが77
バイトからなり、138シンクブロックで1つのデータ
マトリクスを構成している。積符号の1コードワードは
1バイトであり、外符号パリティーがデータマトリクス
の縦方向に11バイト生成されており、内符号パリティ
ーがデータマトリクスの横方向(シンクブロック方向)
に8バイト生成されている。したがって、請求項5およ
び8に当てはめると、A=2、B=1、J=77、K=
138、L=16、M=85、N=149となり、L
[=16]≧A×(B+1)[=4]であるので、デー
タマトリクスの縦方向をメモリ11の列方向に配列す
る。
<Embodiment 2> FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of a product code decoding apparatus according to Embodiments 5 and 8. Since the memory 11 and the memory control circuit 12 have the same configuration as that shown in FIG. 1 in the first embodiment, detailed description is omitted here. The inner code decoding circuit 65 outputs a 77-byte sync block obtained by performing inner code error correction processing on the input sync block to the memory control circuit 12 together with a sync block number corresponding to each sync block on a one-to-one basis. I do. The outer code decoding circuit 64 instructs the memory control circuit 12 to read data from the memory 11 in the order of the outer code sequence, performs outer code error correction processing on the read data, and, when there is an error, , And instructs the memory control circuit 12 to write the correct data back to the memory 11. The outer code decoding circuit 64 processes two outer code sequences at a time.
The data decompression circuit 63 outputs a sync block number corresponding to the sync block one-to-one to the memory control circuit 12, inputs a sync block corresponding to the sync block number, performs decompression processing on the sync block, and outputs video data. Output. The configuration of the product code to be decoded is the same as that of the conventional example, and as shown in FIG.
Each data matrix is composed of 138 sync blocks. One code word of the product code is 1 byte, 11 bytes of outer code parity are generated in the vertical direction of the data matrix, and inner code parity is horizontal direction of the data matrix (sync block direction).
8 bytes are generated. Therefore, when applied to claims 5 and 8, A = 2, B = 1, J = 77, K =
138, L = 16, M = 85, N = 149, and L
Since [= 16] ≧ A × (B + 1) [= 4], the vertical direction of the data matrix is arranged in the column direction of the memory 11.

【0031】つまり、本発明の実施形態2の積符号復号
化装置におけるメモリ11のマッピングは実施形態1に
おいて図2に示したものと同様である。メモリ11には
シンクブロックが列方向にマッピングされており、メモ
リ11は1アドレス16バイトであるので、1シンクブ
ロック77バイトは同一列アドレスの連続する5アドレ
スに記憶される。このマッピングにより、シンクブロッ
クアクセスは同一列アドレスの連続行アドレスを1アド
レスづつアクセスすることになり、ランダムアクセスと
なる。一方、同一行アドレスの連続する5列アドレスに
データマトリクスの縦方向がマッピングされているの
で、外符号復号化のアクセスにDRAMのページモード
アクセスを利用することができる。
That is, the mapping of the memory 11 in the product code decoding apparatus according to the second embodiment of the present invention is the same as that shown in FIG. 2 in the first embodiment. In the memory 11, sync blocks are mapped in the column direction. Since the memory 11 has one address of 16 bytes, 77 bytes of one sync block are stored in five consecutive addresses of the same column address. By this mapping, the sync block access is to access consecutive row addresses of the same column address one by one, which is a random access. On the other hand, since the vertical direction of the data matrix is mapped to five consecutive column addresses of the same row address, the page mode access of the DRAM can be used for the outer code decoding access.

【0032】図8は本発明の実施形態2の積符号復号化
装置における内符号復号化回路65からメモリ11への
書き込みアクセスを示すタイミング図である。1シンク
ブロックの書き込みアクセスは、ランダムアクセスとな
り、1アドレスのアクセスに行アクティブからプリチャ
ージまで3クロックを要する。1シンクブロックのアク
セスは5アドレスの書き込みを行うので、3×5=15
クロックを要する。したがって、1つのデータマトリク
ス(149シンクブロック)を書き込むのに、15×1
49=2235クロックを要する。
FIG. 8 is a timing chart showing write access from the inner code decoding circuit 65 to the memory 11 in the product code decoding apparatus according to the second embodiment of the present invention. Write access of one sync block is random access, and access of one address requires three clocks from row active to precharge. Since access to one sync block involves writing of 5 addresses, 3 × 5 = 15
Requires a clock. Therefore, to write one data matrix (149 sync blocks), 15 × 1
49 = 2235 clocks are required.

【0033】図9は本発明の実施形態2の積符号復号化
装置における外符号復号化回路64とメモリ11とのア
クセスを示すタイミング図である。外符号系列のアクセ
スは、5アドレスづつのページモードアクセスを利用し
ており、同一行アドレスの連続5列アドレスのアクセス
に、行アクティブからプリチャージまで7クロックを要
する。外符号系列のアクセスはデータの読み出しに14
9アドレスであるので、連続5列アドレスのアクセスが
30回、つまり、7×30=210クロックを要する。
誤りがない場合には外符号系列のアクセスは以上であ
る。外符号復号化回路64が一度に処理できる外符号系
列が2外符号系列であるので、次の2外符号系列を処理
するときには再度同じアクセスをメモリに対して行わな
ければならず、結局、1つのデータマトリクス(77外
符号系列)をアクセスするのに、210×39=819
0クロックを要する。
FIG. 9 is a timing chart showing access between the outer code decoding circuit 64 and the memory 11 in the product code decoding apparatus according to the second embodiment of the present invention. The access of the outer code sequence uses page mode access of five addresses, and it takes seven clocks from row active to precharge to access consecutive five column addresses of the same row address. Access to outer code sequence is 14
Since there are 9 addresses, 30 consecutive 5-column address accesses require 30 clocks, that is, 7 × 30 = 210 clocks.
When there is no error, the access to the outer code sequence is completed. Since the outer code sequence that can be processed by the outer code decoding circuit 64 at a time is two outer code sequences, the same access to the memory must be performed again when processing the next two outer code sequences. 210 × 39 = 819 to access one data matrix (77 outer code sequence)
Requires 0 clocks.

【0034】図10は本発明の実施形態2の積符号復号
化装置におけるメモリ11からデータ伸張回路63への
読み出しアクセスを示すタイミング図である。1シンク
ブロックの読み出しアクセスは、ランダムアクセスとな
り、1アドレスのアクセスに行アクティブからプリチャ
ージまで3クロックを要する。1シンクブロックのアク
セスは5アドレスの読み出しを行うので、3×5=15
クロックを要する。したがって、1つのデータマトリク
ス(138シンクブロック)を読み出すのに、15×1
38=2070クロックを要する。上記のような処理に
より、内符号復号化回路65から出力されたシンクブロ
ックを順次メモリ11に書き込んでいき、記憶されたデ
ータマトリクスに対して外符号復号化回路64により外
符号誤り訂正処理を施し、データ伸張回路63がメモリ
11からシンクブロックを順次読み出して伸張処理を施
してビデオデータとして出力する。ビデオデータの1デ
ータマトリクスのメモリ11のアクセスは2235+8
190+2070=12495クロックを要する。この
クロック数は、従来の積符号復号化装置においてバス幅
16ビットの外付けシンクロナスDRAMを使用した場
合の29200クロックに対して約57%減、従来の積
符号復号化装置においてバス幅128ビットのLSI内
蔵シンクロナスDRAMを使用した場合の19422ク
ロックに対しても約36%減を実現している。これによ
り、本発明の積符号復号化装置は、バス幅の大きなメモ
リを使用したときに、積符号の復号化の処理を行うため
のメモリアクセスクロック数をより少なくすませること
ができ、複数のメモリで行っていた処理を1つのメモリ
に統合するというようなことも可能となる。
FIG. 10 is a timing chart showing read access from the memory 11 to the data decompression circuit 63 in the product code decoding apparatus according to the second embodiment of the present invention. Read access of one sync block is random access, and access of one address requires three clocks from row active to precharge. Since access to one sync block involves reading of 5 addresses, 3 × 5 = 15
Requires a clock. Therefore, to read one data matrix (138 sync blocks), 15 × 1
38 = 2070 clocks are required. With the above-described processing, the sync blocks output from the inner code decoding circuit 65 are sequentially written into the memory 11, and the stored data matrix is subjected to outer code error correction processing by the outer code decoding circuit 64. The data decompression circuit 63 sequentially reads out the sync blocks from the memory 11, performs decompression processing, and outputs the data as video data. Access to the memory 11 of one data matrix of video data is 2235 + 8
190 + 2070 = 12495 clocks are required. This number of clocks is reduced by about 57% from 29200 clocks when an external synchronous DRAM having a bus width of 16 bits is used in the conventional product code decoding apparatus, and is 128 bits in the conventional product code decoding apparatus. This is about 36% lower than 19422 clocks when using the LSI built-in synchronous DRAM. Accordingly, the product code decoding apparatus of the present invention can reduce the number of memory access clocks for performing the process of decoding a product code when using a memory having a large bus width, and can reduce the number of memory access times. It is also possible to integrate the processing performed in step 1 into one memory.

【0035】[0035]

【発明の効果】本発明の積符号符号化装置は、メモリの
バス幅Lバイトが、外符号符号化手段のアクセス単位A
バイトに対して、(2×A)バイト以上であれば、デー
タマトリクスの縦方向をメモリのページモードアクセス
方向に配列する。これにより、バス幅の大きなメモリを
使用したときに、積符号の符号化の処理を行うためのメ
モリアクセスクロック数をより少なくすませることがで
きる。また、本発明の積符号復号化装置は、メモリのバ
ス幅Lバイトが、外符号復号化手段のアクセス単位Aバ
イトとデータ出力手段の個数B個に対して、(A×(B
+1))バイト以上であれば、データマトリクスの縦方
向をメモリのページモードアクセス方向に配列する。こ
れにより、バス幅の大きなメモリを使用したときに、積
符号の復号化の処理を行うためのメモリアクセスクロッ
ク数をより少なくすませることができる。以上の結果、
本発明の積符号符号化装置および復号化装置では、今ま
で複数のメモリで行っていた処理を1つのメモリに統合
することも可能となり、実装面積やコストなどで大きな
メリットが発生する。
According to the product code encoding apparatus of the present invention, the bus width L of the memory is determined by the access unit A of the outer code encoding means.
If the number of bytes is (2 × A) bytes or more, the vertical direction of the data matrix is arranged in the page mode access direction of the memory. As a result, when a memory having a large bus width is used, the number of memory access clocks for encoding the product code can be further reduced. Further, in the product code decoding apparatus of the present invention, the bus width L bytes of the memory is (A × (B)
+1)) If the number of bytes is equal to or more than one, the vertical direction of the data matrix is arranged in the page mode access direction of the memory. As a result, when a memory having a large bus width is used, the number of memory access clocks for decoding the product code can be further reduced. As a result,
In the product code encoding apparatus and the decoding apparatus according to the present invention, processing that has been performed by a plurality of memories can be integrated into a single memory, and a great merit arises in mounting area and cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施形態1における積符号符号化装
置の構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of a product code encoding device according to Embodiment 1 of the present invention.

【図2】 本発明の実施形態1の積符号符号化装置にお
けるメモリのマッピングを示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a memory mapping in the product code encoding apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の実施形態1の積符号符号化装置にお
けるデータマトリクスのメモリへのマッピング方式を示
すフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart illustrating a method of mapping a data matrix to a memory in the product code encoding device according to the first embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の実施形態1の積符号符号化装置にお
けるデータ圧縮回路からメモリへの書き込みアクセスを
示すタイミング図である。
FIG. 4 is a timing chart showing write access from a data compression circuit to a memory in the product code encoding device according to the first embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の実施形態1の積符号符号化装置にお
ける外符号符号化回路とメモリとのアクセスを示すタイ
ミング図である。
FIG. 5 is a timing chart showing access between the outer code encoder and the memory in the product code encoder according to the first embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の実施形態1の積符号符号化装置にお
けるメモリから内符号符号化回路への読み出しアクセス
を示すタイミング図である。
FIG. 6 is a timing chart showing read access from a memory to an inner code encoding circuit in the product code encoding device according to the first embodiment of the present invention.

【図7】 本発明の実施形態2における積符号復号化装
置の構成を示すブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram illustrating a configuration of a product code decoding device according to a second embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の実施形態2の積符号復号化装置にお
ける内符号復号化回路からメモリへの書き込みアクセス
を示すタイミング図である。
FIG. 8 is a timing chart showing write access from the inner code decoding circuit to the memory in the product code decoding device according to the second embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の実施形態2の積符号復号化装置にお
ける外符号復号化回路とメモリとのアクセスを示すタイ
ミング図である。
FIG. 9 is a timing chart showing access between an outer code decoding circuit and a memory in the product code decoding device according to the second embodiment of the present invention.

【図10】 本発明の実施形態2の積符号復号化装置に
おけるメモリからデータ伸張回路への読み出しアクセス
を示すタイミング図である。
FIG. 10 is a timing chart showing read access from a memory to a data decompression circuit in the product code decoding device according to the second embodiment of the present invention.

【図11】 DVフォーマットでのビデオデータの積符
号の構成を示す図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating a configuration of a product code of video data in a DV format.

【図12】 従来の積符号符号化装置を示すブロック図
である。
FIG. 12 is a block diagram showing a conventional product code encoder.

【図13】 従来の積符号符号化装置におけるメモリの
マッピングを示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing memory mapping in a conventional product code encoding device.

【図14】 従来の積符号符号化装置におけるデータ圧
縮回路からメモリへの書き込みアクセスを示すタイミン
グ図である。
FIG. 14 is a timing chart showing write access from a data compression circuit to a memory in a conventional product code encoder.

【図15】 従来の積符号符号化装置における外符号符
号化回路とメモリとのアクセスを示すタイミング図であ
る。
FIG. 15 is a timing chart showing access between an outer code encoder and a memory in a conventional product code encoder.

【図16】 従来の積符号符号化装置におけるメモリか
ら内符号符号化回路への読み出しアクセスを示すタイミ
ング図である。
FIG. 16 is a timing chart showing read access from a memory to an inner code encoding circuit in a conventional product code encoding device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 メモリ 12 メモリ制御回路 63 データ伸張回路 64 外符号復号化回路 65 内符号復号化回路 113 データ圧縮回路 114 外符号符号化回路 115 内符号符号化回路 Reference Signs List 11 memory 12 memory control circuit 63 data decompression circuit 64 outer code decoding circuit 65 inner code decoding circuit 113 data compression circuit 114 outer code coding circuit 115 inner code coding circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 20/18 536 G11B 20/18 536A 544 544A 572 572B 572G Fターム(参考) 5B001 AA13 AB02 AC03 AD03 5B018 GA02 HA16 RA02 RA11 5B060 GA11 5J065 AA01 AB01 AC03 AD01 AE06 AH06 AH17 AH21 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G11B 20/18 536 G11B 20/18 536A 544 544A 572 572B 572G F term (Reference) 5B001 AA13 AB02 AC03 AD03 5B018 GA02 HA16 RA02 RA11 5B060 GA11 5J065 AA01 AB01 AC03 AD01 AE06 AH06 AH17 AH21

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力されてくるデジタルデータを圧縮
し、Jバイト単位のシンクブロックK個からなるJ×K
バイトのデータマトリクスとして出力するデータ圧縮手
段と、 2次元の行列アドレス空間を有し、同一行アドレス方向
にLバイト単位でページモードアクセスが可能なメモリ
と、 外符号系列順にメモリから読み出されたデータに外符号
パリティを生成して出力する外符号符号化手段と、 シンクブロック単位でメモリから読み出された各シンク
ブロックに対し内符号パリティーを生成して出力する内
符号符号化手段と、 メモリに対しデータの書き込みおよび読み出しを制御す
るメモリ制御手段とを備え、 該メモリ制御手段は上記J×Kバイトのデータマトリク
スのメモリへの書き込みに際してJバイトのシンクブロ
ックを列方向に連続する[(J/L)+1]行にLバイト
単位で書き込む動作をシンクブロック順に行方向、列方
向に順次行なって、(N×L)×[{(J×K)/(N
×L)}+1]バイトのデータマトリクスとして入力す
るようにしたことを特徴とする積符号符号化装置。
An input digital data is compressed, and J × K composed of K sync blocks in J byte units is provided.
A data compression means for outputting as a byte data matrix, a memory having a two-dimensional matrix address space and capable of accessing a page mode in units of L bytes in the same row address direction, and a memory read out of the memory in an outer code sequence order Outer code encoding means for generating and outputting outer code parity for data; inner code encoding means for generating and outputting inner code parity for each sync block read from the memory in sync block units; And a memory control means for controlling the writing and reading of data to the memory. The memory control means connects a J-byte sync block in the column direction when writing the J × K-byte data matrix into the memory. / L) +1] is sequentially performed in the row direction and the column direction in the order of the sync block in units of L bytes. , (N × L) × [{(J × K) / (N
× L) {+1} byte data matrix.
【請求項2】 上記メモリ制御回路は、外符号符号化に
際して、同一行アドレスの連続するN列アドレスをペー
ジモードアクセスによりアクセスするようにしたことを
特徴とする、請求項1に記載の積符号符号化装置。
2. The product code according to claim 1, wherein the memory control circuit accesses consecutive N column addresses of the same row address by a page mode access when encoding the outer code. Encoding device.
【請求項3】 上記メモリ制御回路は、内符号符号化に
際して、同一列方向に連続する[(J/L)+1]行の
データをランダムアクセスにより読み出すようにしたこ
とを特徴とする、請求項1又は2に記載の積符号符号化
装置。
3. The memory control circuit according to claim 2, wherein at the time of inner code encoding, data of [(J / L) +1] rows that are continuous in the same column direction are read out by random access. 3. The product code encoder according to 1 or 2.
【請求項4】 上記外符号符号化手段が上記メモリに対
してAバイトずつアクセスするとき、上記Lは(2×
A)以上である、請求項1、2又は3に記載の積符号符
号化装置。
4. When the outer code encoding means accesses the memory in units of A bytes, the L is (2 ×
A) The product code encoder according to claim 1, 2 or 3, which is equal to or greater than A).
【請求項5】 2次元の行列アドレス空間を有し、同一
行アドレス方向にLバイト単位でページモードアクセス
が可能なメモリと、 メモリに対するデータの書込み、読み出しを制御するメ
モリ制御手段と、 Jバイトのシンクブロックに(M−J)バイトの内符号
が付加されたMバイトのデータを入力して内符号復号化
処理を実行する内符号復号化手段と、 K個のデータシンクブロックと(N−K)個の外符号シ
ンクブロックからなるN個のシンクブロックを外符号系
列で順次入力して外符号復号化処理をして訂正データを
出力する外符号復号化手段と、 訂正後のデータをシンクブロック単位で前記メモリから
読み出して出力するデータ出力手段とを有し、 上記メモリ制御手段は、内符号復号化手段から出力され
るJバイトのシンクブロックを列方向に連続する[(J
/K)+1]行にLバイト単位で書き込む動作をシンク
ブロック順に行方向、列方向に順次行なって(N×L)
×[{(J×K)/(N×L)}+1]バイトのデータ
マトリクスとしてメモリに格納するようにしたことを特
徴とする積符号復号化装置。
5. A memory having a two-dimensional matrix address space and capable of accessing a page mode in units of L bytes in the same row address direction, memory control means for controlling writing and reading of data to and from the memory, and J bytes Inner code decoding means for inputting M bytes of data with an (MJ) byte inner code added to the sync block and executing inner code decoding processing; K data sync blocks; Outer code decoding means for sequentially inputting N sync blocks consisting of K) outer code sync blocks in the form of an outer code sequence, performing outer code decoding processing, and outputting corrected data; Data output means for reading and outputting from the memory in block units, wherein the memory control means is a J-byte sync block output from the inner code decoding means. Continuous in the column direction [(J
/ K) +1] An operation of writing in L-byte units in a row is sequentially performed in the row direction and the column direction in the order of the sync block (N × L)
A product code decoding device characterized in that the product matrix is stored in a memory as a data matrix of × [{(J × K) / (N × L)} + 1] bytes.
【請求項6】 上記メモリ制御回路は、外符号復号化に
際して、同一行アドレスの連続するN列アドレスをペー
ジモードアクセスによりアクセスするようにしたことを
特徴とする、請求項5に記載の積符号復号化装置。
6. The product code according to claim 5, wherein said memory control circuit accesses consecutive N column addresses of the same row address by page mode access when decoding the outer code. Decryption device.
【請求項7】 上記メモリ制御回路は、内符号復号化に
際して、同一列方向に連続する[(J/K)+1]行の
データをランダムアクセスにより読み出すようにしたこ
とを特徴とする、請求項5又は6に記載の積符号復号化
装置。
7. The memory control circuit according to claim 1, wherein at the time of inner code decoding, data of [(J / K) +1] rows continuous in the same column direction is read out by random access. 7. The product code decoding device according to 5 or 6.
【請求項8】 上記外符号復号化手段が上記メモリに対
してAバイトずつアクセスし、B個のデータ出力手段を
有するとき、上記Lは{A×(B×1)}以上である、
請求項5、6又は7に記載の積符号復号化装置。
8. When the outer code decoding means accesses the memory A bytes at a time and has B data output means, the L is {A × (B × 1)} or more.
The product code decoding device according to claim 5, 6 or 7.
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