JP2001308349A - フォトセンサチップの組立体およびその製造方法 - Google Patents
フォトセンサチップの組立体およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光線の屈折現象を最小限に減らすフォトセン
サチップの組立体およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 このフォトセンサチップの組立体３０に
は、頂面４２にプリント回路が布設されている基板４０
と、底面を基板４０の頂面４２に貼り合わせ、若干のフ
ォトセンサ５２から形成された感知エリア５４ならびに
若干の電気的接続パッド５６が頂面に設けられかつ電気
的接続パッド５６によって基板４０のプリント回路に電
気的に接続されているフォトセンサチップ５０と、その
フォトセンサチップ５０と基板４０が電気的に接続され
た箇所を被覆する電気絶縁保護層６０と、フォトセンサ
チップ５０の感知エリア５４を覆うように貼られる透光
性硬質保護層７０とが含まれる。その透光性硬質保護層
７０は、フォトセンサチップ５０の頂面に塗布された透
明な感光性硬質塗布材を写真製版工程によって処理する
ことから形成され、感知エリア５４上を被覆している。
サチップの組立体およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 このフォトセンサチップの組立体３０に
は、頂面４２にプリント回路が布設されている基板４０
と、底面を基板４０の頂面４２に貼り合わせ、若干のフ
ォトセンサ５２から形成された感知エリア５４ならびに
若干の電気的接続パッド５６が頂面に設けられかつ電気
的接続パッド５６によって基板４０のプリント回路に電
気的に接続されているフォトセンサチップ５０と、その
フォトセンサチップ５０と基板４０が電気的に接続され
た箇所を被覆する電気絶縁保護層６０と、フォトセンサ
チップ５０の感知エリア５４を覆うように貼られる透光
性硬質保護層７０とが含まれる。その透光性硬質保護層
７０は、フォトセンサチップ５０の頂面に塗布された透
明な感光性硬質塗布材を写真製版工程によって処理する
ことから形成され、感知エリア５４上を被覆している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトセンサチッ
プの組立体およびその製造方法に関する。
プの組立体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１に示すのは、従来のフォトセンサチ
ップの組立体の一例であり、そのフォトセンサチップの
組立体にはフォトセンサチップ１０があり、そのチップ
は基板１２に貼付けられ、その基板とチップは複数の導
線１４によって電気的に接続され、チップの頂面には透
光性樹脂保護層（Transparent mold resin material）
１６が型によって成形されている。このようなセンサの
透光性保護層は最も薄くても５０μｍを保たなければな
らず、厚い透光性保護層は光線がチップ１０を照射した
場合に屈折を発生し、光線が直線性を失う現象を起こ
す。
ップの組立体の一例であり、そのフォトセンサチップの
組立体にはフォトセンサチップ１０があり、そのチップ
は基板１２に貼付けられ、その基板とチップは複数の導
線１４によって電気的に接続され、チップの頂面には透
光性樹脂保護層（Transparent mold resin material）
１６が型によって成形されている。このようなセンサの
透光性保護層は最も薄くても５０μｍを保たなければな
らず、厚い透光性保護層は光線がチップ１０を照射した
場合に屈折を発生し、光線が直線性を失う現象を起こ
す。
【０００３】さらに、図２に示すのは、別の従来のフォ
トセンサチップの組立体であり、保護層２０はフォトセ
ンサチップ２１を保護するのに使われ、複数の電極（el
ectrode）２２はチップの底面に設けられ、導電突起２
３は電極２２にあり、さらにフォトセンサ２４が設けら
れ、また透明絶縁樹脂（Transparent insulating resi
n）２５はチップ２１をガラス基板２６の頂面に設けら
れている導電層２７に据え置くのに使われている。この
種のフォトセンサチップの組立体を使用した場合、光線
はまずガラス基板２６および絶縁樹脂２５を通ってから
チップ２１上に照射されるので、上述と同じく屈折によ
り直線性を失う現象が起こる。
トセンサチップの組立体であり、保護層２０はフォトセ
ンサチップ２１を保護するのに使われ、複数の電極（el
ectrode）２２はチップの底面に設けられ、導電突起２
３は電極２２にあり、さらにフォトセンサ２４が設けら
れ、また透明絶縁樹脂（Transparent insulating resi
n）２５はチップ２１をガラス基板２６の頂面に設けら
れている導電層２７に据え置くのに使われている。この
種のフォトセンサチップの組立体を使用した場合、光線
はまずガラス基板２６および絶縁樹脂２５を通ってから
チップ２１上に照射されるので、上述と同じく屈折によ
り直線性を失う現象が起こる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
主な目的は、フォトセンサチップに光線が照射されたと
きに起こる屈折現象を最小限に減らすことができるフォ
トセンサチップの組立体およびその製造方法を提供する
ことにある。
主な目的は、フォトセンサチップに光線が照射されたと
きに起こる屈折現象を最小限に減らすことができるフォ
トセンサチップの組立体およびその製造方法を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めの本発明のフォトセンサチップの組立体には、頂面に
プリント回路が布設されている基板と、底面を基板の頂
面に貼り合わせ、若干のフォトセンサから形成された感
知エリアならびに若干の電気的接続パッドがチップの頂
面に設けられ、かつ電気的接続パッドによって基板のプ
リント回路に電気的に接続されているフォトセンサチッ
プと、そのチップと基板が電気的に接続された箇所を被
覆する絶縁保護層と、チップの感知エリアを覆うように
貼られる透光性硬質保護層とが含まれる。上述により、
その透光性硬質保護層はフォトセンサチップの感知エリ
アだけを被覆すればいいので厚みを極めて薄くすること
ができ、そうすれば、光線照射時に光線が直線性を失う
という従来のものに起こっていた現象が改善される。
めの本発明のフォトセンサチップの組立体には、頂面に
プリント回路が布設されている基板と、底面を基板の頂
面に貼り合わせ、若干のフォトセンサから形成された感
知エリアならびに若干の電気的接続パッドがチップの頂
面に設けられ、かつ電気的接続パッドによって基板のプ
リント回路に電気的に接続されているフォトセンサチッ
プと、そのチップと基板が電気的に接続された箇所を被
覆する絶縁保護層と、チップの感知エリアを覆うように
貼られる透光性硬質保護層とが含まれる。上述により、
その透光性硬質保護層はフォトセンサチップの感知エリ
アだけを被覆すればいいので厚みを極めて薄くすること
ができ、そうすれば、光線照射時に光線が直線性を失う
という従来のものに起こっていた現象が改善される。
【０００６】この他、本発明のフォトセンサチップの組
立体の製造方法の主な特徴には次の処理手順があり、す
なわち高透明度を有する感光性硬質塗布材（photo-imag
inable hard-coating material）をフォトセンサチップ
の頂面に塗布し、そして写真の製版工程をもって感知エ
リアだけに硬質の透光性保護層を形成する。
立体の製造方法の主な特徴には次の処理手順があり、す
なわち高透明度を有する感光性硬質塗布材（photo-imag
inable hard-coating material）をフォトセンサチップ
の頂面に塗布し、そして写真の製版工程をもって感知エ
リアだけに硬質の透光性保護層を形成する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。まず図３に示すように、本発明の一実
施例によるフォトセンサチップの組立体３０にはフォト
センサチップ５０があり、そのフォトセンサチップ５０
の頂面中央箇所には複数のフォトセンサ５２（例えばフ
ォトトランジスタ、フォトダイオード、ＣＣＤ、ＣＭＯ
Ｓ）によって感知エリア５４を構成し、その頂面両側辺
には若干の電気的接続パッド５６が設けられている。
づいて説明する。まず図３に示すように、本発明の一実
施例によるフォトセンサチップの組立体３０にはフォト
センサチップ５０があり、そのフォトセンサチップ５０
の頂面中央箇所には複数のフォトセンサ５２（例えばフ
ォトトランジスタ、フォトダイオード、ＣＣＤ、ＣＭＯ
Ｓ）によって感知エリア５４を構成し、その頂面両側辺
には若干の電気的接続パッド５６が設けられている。
【０００８】基板４０の頂面４２にはプリント回路が布
設され（すなわち一般のプリント回路板、ＰＣＢ）、そ
の底面４３の両側には筋状の溶接パッド４４が設けられ
ており、チップ５０の底面を基板４０の頂面４２に据え
置いて組合わせる。複数の導線（bonding wire）４５は
各電気的接続パッド５６およびプリント回路の接続端を
接続し、チップ５０と基板４０は電気的に接続される。
設され（すなわち一般のプリント回路板、ＰＣＢ）、そ
の底面４３の両側には筋状の溶接パッド４４が設けられ
ており、チップ５０の底面を基板４０の頂面４２に据え
置いて組合わせる。複数の導線（bonding wire）４５は
各電気的接続パッド５６およびプリント回路の接続端を
接続し、チップ５０と基板４０は電気的に接続される。
【０００９】電気絶縁保護層６０は、例えば電気絶縁樹
脂をチップ５０の両側辺、各導線４５および基板４０の
各接続端に均一に塗布することらなる。厚み約１μｍの
透光性硬質保護層７０をチップ５０の感知エリア５４上
に被せ、貼り合わせる。上述の説明から分かるように、
本実施例のフォトセンサチップの組立体３０を使用した
場合、光線は厚みがわずか約１μｍの透光性硬質保護層
７０を通って各フォトセンサ５２に感知されるので、屈
折により直線性を失う現象は最小程度に減少する。
脂をチップ５０の両側辺、各導線４５および基板４０の
各接続端に均一に塗布することらなる。厚み約１μｍの
透光性硬質保護層７０をチップ５０の感知エリア５４上
に被せ、貼り合わせる。上述の説明から分かるように、
本実施例のフォトセンサチップの組立体３０を使用した
場合、光線は厚みがわずか約１μｍの透光性硬質保護層
７０を通って各フォトセンサ５２に感知されるので、屈
折により直線性を失う現象は最小程度に減少する。
【００１０】さらに図４に示すように、前述のフォトセ
ンサチップの組立体３０は、次の製造方法によって製成
される。まず従来の半導体製造工程（semiconductor pr
ocess）によってウェーハ３０１を作り出し、そのウェ
ーハに若干のフォトセンサ５２および電気的接続パッド
５６を布設する。
ンサチップの組立体３０は、次の製造方法によって製成
される。まず従来の半導体製造工程（semiconductor pr
ocess）によってウェーハ３０１を作り出し、そのウェ
ーハに若干のフォトセンサ５２および電気的接続パッド
５６を布設する。
【００１１】それから、高透明度を有する感光性硬質塗
布材、本実施例では日商Goo Chemicals Cor.の商品番号
“PCC-100”をそのウェーハのフォトセンサが設けられ
ている一面に塗布する。さらに、従来の写真製版工程、
例えば感光、現像、エッチングなどの工程をもって高透
明度を有する感光性硬質塗布材３０２を処理し、それに
よって各フォトセンサ５２に構成されている感知エリア
５４上に極めて薄い（約１〜１０μｍの間に介在する）
透光性硬質保護層７０を形成する。
布材、本実施例では日商Goo Chemicals Cor.の商品番号
“PCC-100”をそのウェーハのフォトセンサが設けられ
ている一面に塗布する。さらに、従来の写真製版工程、
例えば感光、現像、エッチングなどの工程をもって高透
明度を有する感光性硬質塗布材３０２を処理し、それに
よって各フォトセンサ５２に構成されている感知エリア
５４上に極めて薄い（約１〜１０μｍの間に介在する）
透光性硬質保護層７０を形成する。
【００１２】続いて従来のチップ切開法によって、ウェ
ーハ３０１を若干の独立したフォトセンサチップ５０に
切開し、さらに従来のダイボンディング（die bondin
g）工程によってチップ５０のフォトセンサをもたない
一面を基板４０の頂面４２に貼付け、その頂面４２にプ
リント回路を布設する。次の手順は、従来のワイヤボン
ディング（wire bonding）工程によって、基板４０のプ
リント回路と各チップ上の各電気的接続パッド５６とを
導線４５で電気的に接続させる。それから、電気絶縁を
もって基板４０と各チップ５０との各電気的接続箇所を
被覆し、図面に示す電気絶縁保護層６０を形成する。
ーハ３０１を若干の独立したフォトセンサチップ５０に
切開し、さらに従来のダイボンディング（die bondin
g）工程によってチップ５０のフォトセンサをもたない
一面を基板４０の頂面４２に貼付け、その頂面４２にプ
リント回路を布設する。次の手順は、従来のワイヤボン
ディング（wire bonding）工程によって、基板４０のプ
リント回路と各チップ上の各電気的接続パッド５６とを
導線４５で電気的に接続させる。それから、電気絶縁を
もって基板４０と各チップ５０との各電気的接続箇所を
被覆し、図面に示す電気絶縁保護層６０を形成する。
【００１３】前述工程を完了したあと、最後に従来の球
ろう付け（solder ball mounting）または電極前ろう付
け（electrode pre soldering）工程によって、基板４
０の底面４３に図５に示すような球形ろう付けパッド４
７、または図３および図４に示すようなすじ状ろう付け
パッド４４を形成する。なお、本実施例の製造方法にお
いて、高透明度を有する感光性硬質塗布材をウェーハに
塗布したあと、そのウェーハにスピン処理を施すと、そ
れによってその高透明度の感光性硬質塗布材をウェーハ
上に均一に塗布することができる。
ろう付け（solder ball mounting）または電極前ろう付
け（electrode pre soldering）工程によって、基板４
０の底面４３に図５に示すような球形ろう付けパッド４
７、または図３および図４に示すようなすじ状ろう付け
パッド４４を形成する。なお、本実施例の製造方法にお
いて、高透明度を有する感光性硬質塗布材をウェーハに
塗布したあと、そのウェーハにスピン処理を施すと、そ
れによってその高透明度の感光性硬質塗布材をウェーハ
上に均一に塗布することができる。
【図１】従来の一フォトセンサチップの組立体を示す断
面図である。
面図である。
【図２】従来の別のフォトセンサチップの組立体を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の一実施例によるフォトセンサチップの
組立体を示す断面図である。
組立体を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施例によるフォトセンサチップの
組立体の製造過程における断面図である。
組立体の製造過程における断面図である。
【図５】本発明の別の実施例によるフォトセンサチップ
の組立体を示す断面図である。
の組立体を示す断面図である。
３０ フォトセンサチップの組立体 ４０ 基板 ４２ 頂面 ５０ フォトセンサチップ ５２ フォトセンサ ５４ 感知エリア ５６ 電気的接続パッド ６０ 電気絶縁保護層 ７０ 透光性硬質保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/335 (72)発明者 白 金泉 台湾台北県三重市中正北路394巷６弄５号 ４樓 Ｆターム(参考） 4M109 AA01 AA02 BA04 CA10 DB15 EA15 EE12 GA01 4M118 AA10 AB10 BA10 BA14 CA32 HA20 HA24 HA30 5C024 CY47 CY48 EX24 GX02 GY01 GY31 GZ22 5F088 AA01 AA07 BA20 CB14 CB17 HA12 JA03 JA10
Claims (9)
- 【請求項１】 頂面にプリント回路が布設されている基
板と、 底面が前記基板に貼付けられ、頂面にはフォトセンサを
有する感知エリアならびに電気的接続パッドが形成さ
れ、その電気的接続パッドにより前記基板のプリント回
路に電気的に接続されているフォトセンサチップと、 前記フォトセンサチップおよび前記基板が電気的に接続
された部分を被覆している絶縁保護層と、 前記感知エリアを被覆している透光性硬質保護層と、 を備えることを特徴とするフォトセンサチップの組立
体。 - 【請求項２】 前記透光性硬質保護層は、高透明度を有
する感光性硬質塗布材から製成されることを特徴とする
請求項１記載のフォトセンサチップの組立体。 - 【請求項３】 前記透光性硬質保護層は、前記感光性硬
質塗布材を写真の製版工程をもって処理することから製
成されることを特徴とする請求項２記載のフォトセンサ
チップの組立体。 - 【請求項４】 前記感知エリアは、前記フォトセンサチ
ップの頂面中央部に形成されていることを特徴とする請
求項１記載のフォトセンサチップの組立体。 - 【請求項５】 導線をさらに備え、 前記導線の一端は前記電気的接続パッドに接続され、前
記導線の他端は前記基板のプリント回路に接続されてい
ることを特徴とする請求項４記載のフォトセンサチップ
の組立体。 - 【請求項６】 前記透光性硬質保護層の厚みは、１〜１
０μｍであることを特徴とする請求項１から３のいずれ
か一項記載のフォトセンサチップの組立体。 - 【請求項７】 半導体製造工程をもってウェーハにフォ
トセンサおよび電気的接続パッドを形成する手順と、 前記ウェーハのフォトセンサが形成された面に高透明度
を有する感光性硬質塗布材を塗布する手順と、 写真製版工程をもって、前記感光性硬質塗布材が前記フ
ォトセンサの感知エリアのみ被覆するように処理して透
光性硬質保護層を形成する手順と、 前記透光性硬質保護層が形成されたウェーハをチップ切
り取り法をもって複数のフォトセンサチップに切開する
手順と、 前記フォトセンサチップのフォトセンサがない面を基板
のプリント回路が布設された面にダイボンディングによ
って貼付ける手順と、 前記基板のプリント回路と前記フォトセンサチップの電
気的接続パッドとをワイヤボンディングによって電気的
に接続する手順と、 前記基板および前記フォトセンサチップの電気的接続部
分を絶縁樹脂で被覆する手順と、 前記基板のプリント回路がない面に球ろう付けまたは電
極前ろう付けの処理をする手順と、 を含むことを特徴とするフォトセンサチップの組立体の
製造方法。 - 【請求項８】 前記感光性硬質塗布材を塗布する手順に
おいて、前記ウェーハを回転させることにより、前記感
光性硬質塗布材を前記ウェーハのフォトセンサが形成さ
れた面に均一に塗布することを特徴とする請求項７記載
のフォトセンサチップの組立体の製造方法。 - 【請求項９】 前記透光性硬質塗布材の厚みは、１〜１
０μｍであることを特徴とする請求項７または８記載の
フォトセンサチップの組立体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000112968A JP2001308349A (ja) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | フォトセンサチップの組立体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000112968A JP2001308349A (ja) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | フォトセンサチップの組立体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001308349A true JP2001308349A (ja) | 2001-11-02 |
Family
ID=18625026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000112968A Pending JP2001308349A (ja) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | フォトセンサチップの組立体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001308349A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004179495A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2005328028A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-11-24 | Advanced Semiconductor Engineering Inc | 光学装置のパッケージ構造体及び同パッケージ構造体の製造方法 |
| WO2009129198A1 (en) * | 2008-04-15 | 2009-10-22 | Analog Devices, Inc. | Wafer level csp sensor |
-
2000
- 2000-04-14 JP JP2000112968A patent/JP2001308349A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004179495A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| US7009295B2 (en) | 2002-11-28 | 2006-03-07 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2005328028A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-11-24 | Advanced Semiconductor Engineering Inc | 光学装置のパッケージ構造体及び同パッケージ構造体の製造方法 |
| WO2009129198A1 (en) * | 2008-04-15 | 2009-10-22 | Analog Devices, Inc. | Wafer level csp sensor |
| US7880244B2 (en) | 2008-04-15 | 2011-02-01 | Analog Devices, Inc. | Wafer level CSP sensor |
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