JP2001307664A - Cathode device and its manufacturing method, and field- emission type display device - Google Patents

Cathode device and its manufacturing method, and field- emission type display device

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JP2001307664A
JP2001307664A JP2000117702A JP2000117702A JP2001307664A JP 2001307664 A JP2001307664 A JP 2001307664A JP 2000117702 A JP2000117702 A JP 2000117702A JP 2000117702 A JP2000117702 A JP 2000117702A JP 2001307664 A JP2001307664 A JP 2001307664A
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emitter
tool
less
axis table
cutting
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Mitsuhiro Nishio
光弘 西尾
Fujio Takahashi
不二男 高橋
Takayuki Masunaga
孝幸 益永
Satoshi Honda
智 本田
Masayuki Nakamoto
正幸 中本
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cathode device capable of preventing all emitters from breaking simultaneously in the case that discharging is generated in the emitter. SOLUTION: The cathode device is provided on a glass substrate 21 and has a group of emitters 23 to 25, each of which has a height difference by a specified amount based on the surface of the glass substrate 21.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、陰極装置及びその
製造方法、電界放出型ディスプレイ装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a cathode device, a method of manufacturing the same, and a field emission display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】電界放出型ディスプレイ装置のエミッタ
アレイ(陰極装置)を製造する方法には、スピント法、
転写モールド法、印刷法等があった。これらの方法によ
り製造されるエミッタアレイのエミッタは、画面全体に
おいてほぼ一様な形状と寸法であった。
2. Description of the Related Art Spindt methods, methods for manufacturing an emitter array (cathode device) of a field emission display device, and the like.
There were a transfer molding method and a printing method. The emitters of the emitter array manufactured by these methods had a substantially uniform shape and size over the entire screen.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来のエミッ
タアレイを用いた電界放出型ディスプレイ装置において
は、次のような問題があった。すなわち、エミッタとゲ
ートとの間、或いはエミッタとアノードとの間に放電が
起こった場合、そのエミッタは破壊される。スピント
法、転写モールド法、印刷法では、エミッタの形状・寸
法がほぼ一様であるため、電子放出特性を能動的に制御
することができず、個々のエミッタに放電が起こる確率
を制御することは不可能であった。したがって、一つの
画素を構成するエミッタに放電が生ずると、他のエミッ
タも同様に放電が発生し、この結果、一度の放電により
すべて同時に破壊される可能性があった。このため、装
置全体としての機能を維持することができない虞があっ
た。
The field emission display device using the above-mentioned conventional emitter array has the following problems. That is, when a discharge occurs between the emitter and the gate or between the emitter and the anode, the emitter is destroyed. In the Spindt method, the transfer molding method, and the printing method, since the shape and dimensions of the emitters are almost uniform, it is not possible to actively control the electron emission characteristics, and control the probability of discharge occurring in each emitter. Was impossible. Therefore, when a discharge is generated in the emitter constituting one pixel, a discharge is similarly generated in the other emitters, and as a result, there is a possibility that all of them are destroyed simultaneously by a single discharge. For this reason, there is a possibility that the function of the entire apparatus cannot be maintained.

【0004】一方、エミッタとゲートとの間、或いはエ
ミッタとアノードとの間に放電が起こった場合でもエミ
ッタの破壊を防ぐことができる装置の構成として、バラ
スト抵抗を個々のエミッタに配置する方法があるが、装
置の複雑化を招いていた。
On the other hand, as a configuration of a device capable of preventing the destruction of the emitter even when a discharge occurs between the emitter and the gate or between the emitter and the anode, a method of arranging a ballast resistor on each emitter is known. However, this has made the apparatus complicated.

【0005】そこで本発明は、電界放出型ディスプレイ
装置等に用いられるエミッタアレイにおいて、エミッタ
とゲートとの間、或いはエミッタとアノードとの間に放
電が起こった場合、すべてのエミッタが同時に破壊され
ることを防止し、装置全体としての機能を維持すること
が可能なエミッタアレイ及びその製造方法、電界放出型
ディスプレイ装置を提供することを目的としている。
Accordingly, the present invention is directed to an emitter array used in a field emission display device or the like, in which a discharge occurs between an emitter and a gate or between an emitter and an anode, all the emitters are destroyed at the same time. It is an object of the present invention to provide an emitter array, a method of manufacturing the same, and a field emission display device, which can prevent the occurrence of the problem and maintain the function of the entire device.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、本発明のエミッタアレイ及びその製造
方法、電界放出型ディスプレイ装置は次のように構成さ
れている。
In order to solve the above problems and to achieve the object, an emitter array, a method of manufacturing the same, and a field emission display device of the present invention are configured as follows.

【0007】(1)基板と、この基板上に設けられ、そ
れぞれ上記基板表面を基準とした高さが所定量異なる少
なくとも一組のエミッタ群と、を具備するものであるこ
とを特徴とする。
(1) It is characterized by comprising a substrate, and at least one set of emitter groups provided on the substrate and having different heights from the substrate surface by a predetermined amount.

【0008】(2)上記(1)に記載された陰極装置を
具備することを特徴とする。
(2) It is characterized by comprising the cathode device described in the above (1).

【0009】(3)高さが異なる複数のエミッタ群を有
する陰極装置を被加工物に形成する陰極装置の製造方法
において、前記被加工物を切削加工することで、前記エ
ミッタ形状を削り出す切削工程を備えていることを特徴
とする。
(3) In a method of manufacturing a cathode device having a plurality of emitter groups having different heights on a workpiece, the cathode workpiece is cut to form the emitter shape by cutting the workpiece. It is characterized by having a process.

【0010】(4)高さが異なる複数のエミッタ群を有
する陰極装置を形成する陰極装置の製造方法であって、
原盤材料を切削加工することで、エミッタ形状を削り出
し原盤を形成する切削工程と、前記原盤によりメッキ工
具を成形するメッキ工具形成工程と、前記メッキ工具を
金型材料に押し付けることで、金型を形成する金型形成
工程とを備えていることを特徴とする。
(4) A method for manufacturing a cathode device having a plurality of emitter groups having different heights, the method comprising:
By cutting the master material, a cutting step of shaping the emitter shape to form a master, a plating tool forming step of forming a plating tool by the master, and pressing the plating tool against a mold material, thereby forming a mold. And a mold forming step of forming

【0011】(5)上記(4)に記載された陰極装置の
製造方法であって、前記金型形成工程は、前記メッキ工
具を位置をずらしながら前記金型材料に複数回押し付け
る工程を含むことを特徴とする。
(5) The method for manufacturing a cathode device according to (4), wherein the mold forming step includes a step of pressing the plating tool against the mold material a plurality of times while shifting the position. It is characterized by.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を説明する。なお、これらの図中矢印XYZは
互いに直交する三方向を示している。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In these figures, arrows XYZ indicate three directions orthogonal to each other.

【0013】図1は本発明の第1の実施の形態に係る電
界放出型ディスプレイ装置10の要部を示す断面図であ
る。電界放出型ディスプレイ装置10は、エミッタアレ
イ20と、このエミッタアレイ20に絶縁体31を介し
て配置されたゲート電極30と、このゲート電極30に
対向配置された表示部40とを備えている。エミッタア
レイ20は、ガラス基板21と、この基板21上に設け
られたカソード22と、このカソード22上に設けられ
た複数のエミッタ群23〜25からなる。
FIG. 1 is a sectional view showing a main part of a field emission display device 10 according to a first embodiment of the present invention. The field emission display device 10 includes an emitter array 20, a gate electrode 30 disposed on the emitter array 20 via an insulator 31, and a display unit 40 disposed opposite the gate electrode 30. The emitter array 20 includes a glass substrate 21, a cathode 22 provided on the substrate 21, and a plurality of emitter groups 23 to 25 provided on the cathode 22.

【0014】エミッタの形状・寸法は、1辺の長さL=
1〜50μm、頂角θ=約70゜、高さH=1〜50μ
mの四角錐、或いは四角錐を底面に平行な方向へ平行移
動して形成される立体であり、間隙M=1〜50μmを
置いて格子状に配列される。
The shape and dimensions of the emitter are as follows.
1 to 50 μm, apex angle θ = about 70 °, height H = 1 to 50 μm
m is a three-dimensional pyramid formed by translating a pyramid of m or a quadrangular pyramid in a direction parallel to the bottom surface, and is arranged in a lattice with a gap M = 1 to 50 μm.

【0015】表示部40は、ガラス基板41と、このガ
ラス基板41下面に形成されたアノード42と、このア
ノード42に取り付けられた蛍光体43とを備えてい
る。
The display unit 40 includes a glass substrate 41, an anode 42 formed on the lower surface of the glass substrate 41, and a phosphor 43 attached to the anode 42.

【0016】図2は、このようなエミッタアレイ20を
切削加工により製造した場合の1画素分の上面図及び側
面図を示したものであり、図3は、押付け塑性加工によ
り製造した場合の1画素分の上面図及び側面図を示した
ものである。
FIG. 2 is a top view and a side view of one pixel when such an emitter array 20 is manufactured by cutting, and FIG. 3 is a view of one pixel when manufactured by pressing plastic working. FIG. 2 shows a top view and a side view of a pixel.

【0017】図2及び図3に示すように、エミッタ群2
3のエミッタ23aは一辺の長さL1=10.0μm、
頂角θ1=70゜、高さH1=7.0μm、エミッタ群
24のエミッタ24aは一辺の長さL2=5.0μm、
頂角θ2=70゜、高さH2=3.5μm、エミッタ群
25のエミッタ25aは一辺の長さL3=2.5μm、
頂角θ3=70゜、高さH3=1.7μmである。ま
た、間隙M=10.0μmである。
As shown in FIGS. 2 and 3, the emitter group 2
3 has a side length L1 = 10.0 μm,
The apex angle θ1 = 70 °, the height H1 = 7.0 μm, the emitter 24a of the emitter group 24 has one side length L2 = 5.0 μm,
Apex angle θ2 = 70 °, height H2 = 3.5 μm, emitter 25a of emitter group 25 has one side length L3 = 2.5 μm,
The apex angle θ3 = 70 ° and the height H3 = 1.7 μm. The gap M is 10.0 μm.

【0018】このように構成されたエミッタアレイ20
の場合には、エミッタ23a〜25aとカソード22と
の間或いはエミッタ23a〜25aとアノード40との
間に放電が起こる場合、放電は高さが最も高いL1=
7.0μmのエミッタ23aに選択的に起こる。
The emitter array 20 constructed as described above
In the case of the above, when a discharge occurs between the emitters 23a to 25a and the cathode 22 or between the emitters 23a to 25a and the anode 40, the discharge has the highest height L1 =
It occurs selectively to the 7.0 μm emitter 23a.

【0019】したがって、1画素内のエミッタ23aが
すべて破壊されてしまうまでは、エミッタ24a及びエ
ミッタ25aが放電に関わることはなく、1画素内のエ
ミッタ23a〜25aがすべて同時に破壊されることを
避けることができる。エミッタ23aの破壊により1画
素内のエミッタ数は減少するが、1画素内で電界放出に
寄与するエミッタの必要数は1個で十分であり、装置の
機能は維持される。
Therefore, until all the emitters 23a in one pixel are destroyed, the emitters 24a and 25a are not involved in the discharge, and it is possible to prevent all the emitters 23a to 25a in one pixel from being destroyed at the same time. be able to. Although the number of emitters in one pixel decreases due to the destruction of the emitter 23a, the required number of emitters contributing to field emission in one pixel is sufficient, and the function of the device is maintained.

【0020】図4は、本発明の電界放出型ディスプレイ
装置のエミッタアレイ20及びエミッタアレイ原盤Qを
切削加工により製造するための加工装置100を示した
ものである。加工物Gは、無酸素銅、アルミ、インジウ
ム、無電解Niメッキ層、Niメッキ等の材料から形成
されている。
FIG. 4 shows a processing apparatus 100 for manufacturing the emitter array 20 and the emitter array master Q of the field emission display device of the present invention by cutting. The workpiece G is formed of a material such as oxygen-free copper, aluminum, indium, an electroless Ni plating layer, and Ni plating.

【0021】加工装置100は、架台101を備えてい
る。架台101上には、Z軸テーブル102が設けら
れ、このZ軸テーブル102によりZ軸方向の位置決め
が行われるC軸103が支持されている。なお、C軸1
03はエアスピンドルから構成されており、加工物Gが
装着され加工物Gの回転と位置決めを行う。
The processing apparatus 100 has a gantry 101. A Z-axis table 102 is provided on the gantry 101, and a C-axis 103 for positioning in the Z-axis direction is supported by the Z-axis table 102. In addition, C axis 1
Numeral 03 is composed of an air spindle, on which the workpiece G is mounted and which rotates and positions the workpiece G.

【0022】架台101上には、X軸テーブル104が
設けられ、このX軸テーブル104によりX軸方向の位
置決めが行われるY軸テーブル105が支持されてい
る。さらに、Y軸テーブル105には、Y軸テーブル1
05によりY軸方向の位置決めが行われる工具主軸10
6が設けられている。なお、工具主軸106はエアスピ
ンドルにより構成されており、工具となるダイヤモンド
バイト107が装着され、バイト切れ刃には円弧軌跡の
回転運動が与えられる。
An X-axis table 104 is provided on the gantry 101, and a Y-axis table 105 for positioning in the X-axis direction is supported by the X-axis table 104. Further, the Y-axis table 105 includes a Y-axis table 1
05 is the tool spindle 10 for positioning in the Y-axis direction
6 are provided. Note that the tool spindle 106 is formed of an air spindle, and a diamond tool 107 serving as a tool is mounted on the tool spindle.

【0023】なお、Z軸テーブル102は、ストローク
10mm以上、真直度0.1μm以下、直角度0.1μ
m以下、位置決め精度10nm以下であり、C軸103
は、径方向回転振れ量0.05μm以下、軸方向回転振
れ量0.05μm以下、位置決め精度1×10-5deg
以下である。
The Z-axis table 102 has a stroke of 10 mm or more, a straightness of 0.1 μm or less, and a squareness of 0.1 μm.
m or less, the positioning accuracy is 10 nm or less, and the C-axis 103
Indicates the amount of rotational runout of 0.05 μm or less in the radial direction, the amount of axial runout of 0.05 μm or less, and the positioning accuracy of 1 × 10 −5 deg.
It is as follows.

【0024】また、X軸テーブル104は、ストローク
800mm以上、真直度0.8μm以下、直角度0.8
μm以下、位置決め精度10nm以下、Y軸テーブル1
05は、ストローク800mm以上、真直度0.8μm
以下、直角度0.8μm以下、位置決め精度10nm以
下、工具主軸106は、径方向回転振れ量0.05μm
以下、軸方向回転振れ量0.05μm以下である。
The X-axis table 104 has a stroke of 800 mm or more, a straightness of 0.8 μm or less, and a squareness of 0.8 μm.
μm or less, positioning accuracy 10 nm or less, Y-axis table 1
05 is stroke 800mm or more, straightness 0.8μm
Hereinafter, the squareness is 0.8 μm or less, the positioning accuracy is 10 nm or less, and the tool spindle 106 has a radial rotational runout of 0.05 μm.
Hereinafter, the axial rotation runout amount is 0.05 μm or less.

【0025】図5は、切削加工の幾何学的関係を示した
ものである。ダイヤモンドバイトすくい面Jは、先端が
平坦なV字状の形状であり、工具主軸106の回転軸を
中心とする円弧軌跡J1を運動する。この円弧軌跡J1
は、加工装置100のX軸テーブル104により移動さ
れ、先端が平坦な1本のV溝G1を加工する。1本のV
溝G1が加工された後、Y軸テーブル105によりピッ
クフィードPだけY方向に移動して同様のV溝G1を加
工することにより、2本の溝の間に三角の陵Nが残る。
なお、 P=エミッタの一辺の長さLi +間隙M である。
FIG. 5 shows the geometric relationship of the cutting process. The diamond cutting tool rake face J has a flat V-shaped tip, and moves along an arc locus J1 about the rotation axis of the tool spindle 106. This arc locus J1
Is moved by the X-axis table 104 of the processing apparatus 100 to process one V-groove G1 having a flat tip. One V
After the groove G1 is machined, the Y-axis table 105 moves the pick feed P in the Y direction to machine a similar V-groove G1, leaving a triangular ridge N between the two grooves.
Here, P = the length Li of one side of the emitter + the gap M.

【0026】図6は、これを繰り返して加工物全面に形
成された3値の高さH1、H2、H3を有する三角陵列
N1〜N3を示したものである。この後、加工物GをC
軸103により90゜回転し、同様の加工を行うことに
より、三角陵Nと三角陵Nの交差する部分のみが四角錐
Ω1、或いは四角錐Ω1を底面に平行な方向へ平行移動
して形成される立体Ω2として残り、加工物G全面に四
角錐Ω1或いは立体Ω2のアレイが形成される。
FIG. 6 shows triangular rows N1 to N3 having ternary heights H1, H2 and H3 formed on the entire surface of the workpiece by repeating the above. Thereafter, the workpiece G is moved to C
By rotating by 90 ° by the shaft 103 and performing the same processing, only the intersection of the triangular ridge N and the triangular ridge N is formed by translating the quadrangular pyramid Ω1 or the quadrangular pyramid Ω1 in a direction parallel to the bottom surface. An array of square pyramids Ω1 or solid Ω2 is formed on the entire surface of the workpiece G.

【0027】この状態では、四角錐Ω1の稜線上に加工
物Gの流動に起因するバリが形成されることがあるが、
上述の同一の工具軌跡の加工を再び繰り返すことにより
切削され(ゼロカット)、バリを除去することができ
る。
In this state, burrs may be formed on the ridge line of the quadrangular pyramid Ω1 due to the flow of the workpiece G.
By repeating the processing of the same tool path described above again, cutting is performed (zero cut), and burrs can be removed.

【0028】図7は、ダイヤモンドバイト107の設計
方法を示したものである。ダイヤモンドバイト前切れ刃
長W、頂角φは、それぞれ、エミッタの間隙M、頂角θ
に等しい。
FIG. 7 shows a method of designing the diamond cutting tool 107. The cutting edge length W and the vertex angle φ of the diamond cutting tool are respectively the gap M of the emitter and the vertex angle θ.
be equivalent to.

【0029】前切れ刃逃げ角αは、ダイヤモンドバイト
切れ刃高さE、前切れ刃回転半径R、切り込み深さD、
前切れ刃逃げ面と切削創成面のクリアランス角度γか
ら、 α=90゜−tan−1[E/(R{1−√{1−(D/
R)2 }})]+γ で与えられる。
The clearance angle α of the front cutting edge is the cutting edge height E of the diamond cutting tool, the turning radius R of the front cutting edge, the cutting depth D,
From the clearance angle γ between the flank surface of the front cutting edge and the cutting surface, α = 90 ° −tan −1 [E / (R {1-√ {1- (D /
R) 2}})] + γ.

【0030】また、横切れ刃逃げ角βは、切れ刃が#2
5の位置にあるとき最も大きな値が必要であり、バイト
頂角ψ、前切れ刃回転半径R、切り込み深さD、前切れ
刃逃げ面と切削創成面のクリアランス角度γから、 β=√{2(D/R)−(D/R)2 }−sin(φ/
2)+γ で与えられる。
The lateral cutting edge clearance angle β is such that the cutting edge is # 2
The largest value is required at the position of 5, and from the bite vertex angle ψ, the front cutting edge turning radius R, the cutting depth D, the clearance angle γ between the front cutting edge flank surface and the cutting creation surface, β = √ { 2 (D / R)-(D / R) 2} -sin (φ /
2) It is given by + γ.

【0031】図8は、設計、製作されたダイヤモンドバ
イト107の例を示したものである。縦8mm、横8m
m、長さ約60mmの超硬合金製シャンク108の先端
に単結晶ダイヤモンドのチップ109がロウ付けされ、
各寸法は、上述の値に研磨されている。なお、クリアラ
ンス角度γは、ダイヤモンドバイト研磨の誤差を考慮し
γ=3゜とした。R=60mm、D=10μm、E=2
mm、φ=35゜の場合には、α,β≪γであり、α,
βは、無視できる。バイト切れ刃は、稜の曲率半径を
0.1μm以下に研磨されたものとする。
FIG. 8 shows an example of a diamond tool 107 designed and manufactured. 8mm long, 8m wide
m, a single crystal diamond tip 109 is brazed to the tip of a cemented carbide shank 108 having a length of about 60 mm,
Each dimension is polished to the values described above. In addition, the clearance angle γ was set to γ = 3 ° in consideration of an error of diamond cutting. R = 60 mm, D = 10 μm, E = 2
mm, φ = 35 °, α, β≪γ, and α,
β can be ignored. The cutting edge of the cutting tool is polished so that the radius of curvature of the ridge is 0.1 μm or less.

【0032】図9は、切削条件、特に最大切り取り厚さ
tと切削速度Vの設定方法を示したものである。最大切
り取り厚さtは、主軸回転数S、X軸送り速度F、前切
れ刃回転半径R、切り込み深さDから、 t=F/S√{2(D/R)−(D/R)2 } で与えられる。
FIG. 9 shows a method of setting the cutting conditions, in particular, the maximum cut thickness t and the cutting speed V. The maximum cutting thickness t is given by: t = F / S√ {2 (D / R) − (D / R) from the spindle speed S, the X-axis feed speed F, the front cutting edge turning radius R, and the cutting depth D. It is given by 2}.

【0033】また、切削速度Vは、主軸回転数S、前切
れ刃回転半径Rから、 V=2πRS で与えられる。
The cutting speed V is given by V = 2πRS from the spindle rotation speed S and the front cutting edge rotation radius R.

【0034】一方、エミッタの先端半径<30nmを得
るためには、最大切り取り厚さは、t≦1μmであるこ
とが必要である。また、切削速度Vは、V≧1×10
m/minであることが必要である。この条件は、
例えば、S=2000min 、F=100mm/m
in、R=60mm、D=0.010mmで得ることが
できる。
On the other hand, in order to obtain a tip radius of the emitter of <30 nm, the maximum cut-off thickness needs to be t ≦ 1 μm. The cutting speed V is V ≧ 1 × 10
It needs to be 2 m / min. This condition
For example, S = 2000min - 1, F = 100mm / m
in, R = 60 mm and D = 0.010 mm.

【0035】図10は、本発明の電界放出型ディスプレ
イ装置のエミッタアレイ20又はエミッタアレイ原盤Q
1を切削加工により製造するための加工装置110を示
したものである。
FIG. 10 shows an emitter array 20 or an emitter array master Q of the field emission display device of the present invention.
1 shows a processing apparatus 110 for manufacturing a workpiece 1 by cutting.

【0036】加工装置110は、架台111を備えてい
る。架台111上には、エアスピンドルにより構成され
たC軸112が設けられ、C軸112には加工物Gが装
着され加工物Gの回転と位置決めを行う。
The processing device 110 has a gantry 111. A C-axis 112 constituted by an air spindle is provided on the gantry 111, and a workpiece G is mounted on the C-axis 112 to rotate and position the workpiece G.

【0037】架台111上には、Y軸テーブル113が
設けられ、このY軸テーブル113によりY軸方向の位
置決めが行われるX軸テーブル114が支持されてい
る。さらに、X軸テーブル114には、X軸テーブル1
14によりX軸方向の位置決めが行われるZ軸テーブル
115が設けられている。また、Z軸テーブル115に
は、Z軸テーブル115によりZ軸方向の位置決めが行
われる工具主軸116が回転動バランスをとった状態で
取り付けられている。工具主軸116には、ダイヤモン
ドバイト117が装着され、バイト切れ刃には円弧軌跡
の回転運動が与えられる。
On the gantry 111, a Y-axis table 113 is provided, and an X-axis table 114 for positioning in the Y-axis direction is supported by the Y-axis table 113. Further, the X-axis table 114 includes an X-axis table 1
There is provided a Z-axis table 115 for positioning in the X-axis direction by. Further, a tool spindle 116 on which positioning in the Z-axis direction is performed by the Z-axis table 115 is mounted on the Z-axis table 115 in a state where rotational balance is maintained. A diamond tool 117 is mounted on the tool spindle 116, and the cutting edge of the tool is given a rotational motion of an arc locus.

【0038】なお、C軸112は、径方向回転振れ量
0.05μm以下、軸方向回転振れ量0.05μm以
下、位置決め精度1×10-5deg以下である。
The C-axis 112 has a radial rotational runout of 0.05 μm or less, an axial rotational runout of 0.05 μm or less, and a positioning accuracy of 1 × 10 −5 deg or less.

【0039】また、Y軸テーブル113は、ストローク
800mm以上、真直度0.8μm以下、直角度0.8
μm以下、位置決め精度10nm以下、X軸テーブル1
14は、ストローク800mm以上、真直度0.8μm
以下、直角度0.8μm以下、位置決め精度10nm以
下、Z軸テーブル115は、ストローク10mm以上、
真直度0.1μm以下、直角度0.1μm以下、位置決
め精度10nm以下である。また、工具主軸116は、
バイトを装着し径方向回転振れ量0.05μm以下、軸
方向回転振れ量0.05μm以下である。
The Y-axis table 113 has a stroke of 800 mm or more, a straightness of 0.8 μm or less, and a squareness of 0.8 μm.
μm or less, positioning accuracy 10 nm or less, X-axis table 1
14 has a stroke of 800 mm or more and a straightness of 0.8 μm
Hereinafter, the squareness is 0.8 μm or less, the positioning accuracy is 10 nm or less, and the Z-axis table 115 has a stroke of 10 mm or more.
Straightness is 0.1 μm or less, squareness is 0.1 μm or less, and positioning accuracy is 10 nm or less. Also, the tool spindle 116 is
With the tool attached, the radial rotational runout is 0.05 μm or less, and the axial rotational runout is 0.05 μm or less.

【0040】図11は、本発明の電界放出型ディスプレ
イ装置のエミッタアレイ金型U及びエミッタ原盤Q1及
びエミッタ金型T1を押付け塑性加工により製造する加
工装置130を示したものである。
FIG. 11 shows a processing apparatus 130 for manufacturing the emitter array mold U, the emitter master Q1, and the emitter mold T1 of the field emission display device of the present invention by pressing and plastic working.

【0041】加工装置130は、架台131を備えてい
る。架台131上には、Z軸テーブル132が設けら
れ、このZ軸テーブル132によりZ軸方向の位置決め
が行われるC軸133が支持されている。なお、C軸1
33はエアスピンドルから構成されており、加工物Gが
装着され加工物Gの回転と位置決めを行う。
The processing apparatus 130 has a gantry 131. A Z-axis table 132 is provided on the gantry 131, and a C-axis 133 for positioning in the Z-axis direction is supported by the Z-axis table 132. In addition, C axis 1
Reference numeral 33 denotes an air spindle, on which a workpiece G is mounted and which rotates and positions the workpiece G.

【0042】架台131上には、X軸テーブル134が
設けられ、このX軸テーブル134によりX軸方向の位
置決めが行われるY軸テーブル135が支持されてい
る。さらに、Y軸テーブル135には、Y軸テーブル1
35によりY軸方向の位置決めが行われる工具支持部1
36が装着されている。なお、工具支持部136には押
し付け塑性加工用の工具137及びダイヤモンドバイト
138が装着されている。
An X-axis table 134 is provided on the gantry 131, and a Y-axis table 135 for positioning in the X-axis direction is supported by the X-axis table 134. Further, the Y-axis table 135 includes the Y-axis table 1
The tool support 1 for positioning in the Y-axis direction by 35
36 are mounted. Note that a tool 137 for pressing and plastic working and a diamond bite 138 are mounted on the tool support portion 136.

【0043】なお、Z軸テーブル132は、ストローク
10mm以上、真直度0.1μm以下、直角度0.1μ
m以下、位置決め精度10nm以下であり、C軸133
は、径方向回転振れ量0.05μm以下、軸方向回転振
れ量0.05μm以下、位置決め精度1×10-5deg
以下である。
The Z-axis table 132 has a stroke of 10 mm or more, a straightness of 0.1 μm or less, and a squareness of 0.1 μm.
m or less, the positioning accuracy is 10 nm or less, and the C-axis 133
Indicates the amount of rotational runout of 0.05 μm or less in the radial direction, the amount of axial runout of 0.05 μm or less, and the positioning accuracy of 1 × 10 −5 deg.
It is as follows.

【0044】また、X軸テーブル134は、ストローク
800mm以上、真直度0.8μm以下、直角度0.8
μm以下、位置決め精度10nm以下、Y軸テーブル1
35は、ストローク800mm以上、真直度0.8μm
以下、直角度0.8μm以下、位置決め精度10nm以
下である。
The X-axis table 134 has a stroke of 800 mm or more, a straightness of 0.8 μm or less, and a squareness of 0.8 μm.
μm or less, positioning accuracy 10 nm or less, Y-axis table 1
35 has a stroke of 800 mm or more and a straightness of 0.8 μm
Hereinafter, the squareness is 0.8 μm or less, and the positioning accuracy is 10 nm or less.

【0045】工具137は、エミッタの形状と同一の四
角錐形状に研磨されたダイヤモンド圧子K、又は切削加
工によって製造された約1000×1000アレイのエ
ミッタ原盤Q1を元に製作された電解(又は無電解)N
iメッキ工具Q3、又はSiの異方性エッチングにより
製造された横約1000×縦約1000アレイのエミッ
タ金型T1を用いて製作された電解(又は無電解)Ni
メッキ工具T2又はダイヤモンド圧子Kにより押付け塑
性加工により製造されたエミッタ金型T1を用いて製作
された電解(又は無電解)Niメッキ工具T2を用い
る。なお、ダイヤモンド圧子Kは稜の曲率半径を0.1
μm以下に研磨されたものとする。
The tool 137 is made of a diamond indenter K polished to the same pyramid shape as the emitter, or an electrolytic (or non-electrolytic) made based on an emitter master Q1 of about 1000 × 1000 array manufactured by cutting. Electrolysis) N
Electrolytic (or electroless) Ni manufactured using an i-plating tool Q3 or an emitter mold T1 of about 1000 × 1000 arrays manufactured by anisotropic etching of Si.
An electrolytic (or electroless) Ni-plating tool T2 manufactured using a plating tool T2 or an emitter mold T1 manufactured by pressing and plastic working with a diamond indenter K is used. Note that the diamond indenter K has a curvature radius of the ridge of 0.1.
It is assumed that it has been polished to μm or less.

【0046】図12は、工具137をエミッタ原盤Q1
を用いて製造するプロセスを示したものである。無酸素
銅、アルミ、インジウム、電解(又は無電解)Niメッ
キ層を加工物Gとして切削加工されたエミッタ原盤Q1
上に、1次転写の電解(又は無電解)Niメッキを施し
た後剥離し電解(又は無電解)Niメッキ金型Q2を得
る。次に電解(又は無電解)Niメッキ金型Q2上に2
次転写の電解(又は無電解)Niメッキを施した後剥離
し電解(又は無電解)Niメッキ工具Q3を得る。
FIG. 12 shows that the tool 137 is connected to the emitter master Q1.
1 shows a process of manufacturing using the method shown in FIG. Emitter master Q1 cut with oxygen-free copper, aluminum, indium, electrolytic (or electroless) Ni plating layer as workpiece G
An electrolytic (or electroless) Ni plating for primary transfer is applied thereon, and then separated to obtain an electrolytic (or electroless) Ni plating mold Q2. Next, place 2 on the electrolytic (or electroless) Ni plating mold Q2.
After performing electrolytic (or electroless) Ni plating for the next transfer, the resultant is peeled off to obtain an electrolytic (or electroless) Ni plating tool Q3.

【0047】図13は、工具137をエミッタ金型T1
を用いて製造するプロセスを示したものである。エミッ
タ金型T1上に1次転写の電解(又は無電解)Niメッ
キを施した後剥離することにより電解(又は無電解)N
iメッキ工具T2を得る。
FIG. 13 shows that the tool 137 is connected to the emitter mold T1.
1 shows a process of manufacturing using the method shown in FIG. Electrolytic (or electroless) Ni plating for primary transfer is performed on the emitter mold T1 and then peeled off.
An i-plating tool T2 is obtained.

【0048】図14は、押付け塑性加工の加工プロセス
を示したものである。平面度0.1μm以下に加工され
たFED(Field Emission Display)画面全面、或いは
タイリングによりFED画面全体を構成することのでき
る加工物Gは、加工装置130のZ軸テーブル132又
は架台131上に装着される。
FIG. 14 shows a working process of press plastic working. A workpiece G that can constitute the entire FED (Field Emission Display) screen processed to a flatness of 0.1 μm or less or the entire FED screen by tiling is placed on the Z-axis table 132 or the gantry 131 of the processing apparatus 130. Be attached.

【0049】加工物Gは、無酸素銅、アルミ、インジウ
ム、電解(又は無電解)Niメッキ層とする。ダイヤモ
ンド圧子K又は工具137は、加工装置130のZ軸テ
ーブル132或いはY軸テーブル135に装着され、X
軸テーブル134及びY軸テーブル135によって所定
の位置に位置決めされ、Z軸テーブル132によりエミ
ッタ高さH1〜H3に相当する深さまで押し込まれ、塑
性変形に必要な時間(0〜30秒)だけその位置を保っ
た後、元の位置まで引き上げられ、次の加工点の加工を
繰り返す。FED画面全体のアレイ数は、横約1500
0×縦約8000であるが、本方法による加工時間は、
1回の押付け塑性加工に要する時間を60secとし
て、 {(15000/1000)×(8000/1000)}×60sec=2hour であり、極めて短時間にFED画面全面のエミッタアレ
イ金型Uを加工することが可能である。押付け塑性加工
により、工具が押し込まれた周囲には、金型材料の塑性
変形による盛り上がりUaが発生することがある。
The workpiece G is an oxygen-free copper, aluminum, indium, electrolytic (or electroless) Ni plating layer. The diamond indenter K or the tool 137 is mounted on the Z-axis table 132 or the Y-axis table 135 of the processing apparatus 130,
It is positioned at a predetermined position by the axis table 134 and the Y-axis table 135, and is pushed down to a depth corresponding to the emitter heights H1 to H3 by the Z-axis table 132, and the position is moved for a time (0 to 30 seconds) necessary for plastic deformation. Then, it is raised to the original position and the processing at the next processing point is repeated. The number of arrays in the entire FED screen is about 1500
0 × length about 8000, but the processing time by this method is
Assuming that the time required for one press plastic working is 60 seconds, {(15000/1000) × (8000/1000)} × 60 sec = 2 hours, and the emitter array mold U on the entire surface of the FED screen is processed in a very short time. Is possible. A bulge Ua due to plastic deformation of the mold material may be generated around the tool pressed by the pressing plastic working.

【0050】この盛り上がりUaは、Y軸テーブル13
5上の電解(又は無電解)Niメッキ工具の近傍に取り
外し可能な状態で装着した平面加工用ダイヤモンドバイ
ト138を工具とし、加工物をC軸133のエアスピン
ドルで回転させ、表面の盛り上がりを平面切削加工する
ことにより、除去可能である。
This swell Ua is determined by the Y-axis table 13
5 is used as a tool, a diamond cutting tool 138 for plane processing, which is detachably mounted near an electrolytic (or electroless) Ni plating tool on the tool 5, and the work is rotated by an air spindle of a C-axis 133 to make the surface bulge flat. It can be removed by cutting.

【0051】図15は、本発明の電界放出型ディスプレ
イ装置のエミッタアレイ原盤Uを押付け塑性加工方式で
製造する加工装置140を示したものである。加工装置
140は、架台141を備えている。架台141上に
は、Y軸テーブル142が設けられ、このY軸テーブル
142によりY軸方向の位置決めが行われるX軸テーブ
ル143が支持されている。さらに、X軸テーブル14
3には、X軸テーブル143によりX軸方向の位置決め
が行われるZ軸テーブル144が設けられている。ま
た、Z軸テーブル144には、Z軸テーブル144によ
りZ軸方向の位置決めが行われる工具支持部145及び
Z軸方向の回転軸を有する平面加工用工具主軸146が
取り付けられている。工具主軸146には、平面加工用
ダイヤモンドバイト147が装着され、バイト切れ刃に
は円弧軌跡の回転運動が与えられる。工具支持部145
には、電解(又は無電解)Niメッキ工具148が取り
付けられる。
FIG. 15 shows a processing apparatus 140 for manufacturing the emitter array master U of the field emission type display apparatus of the present invention by pressing and forming. The processing device 140 includes a gantry 141. On the gantry 141, a Y-axis table 142 is provided, and the Y-axis table 142 supports an X-axis table 143 for positioning in the Y-axis direction. Further, the X-axis table 14
3 is provided with a Z-axis table 144 on which positioning in the X-axis direction is performed by the X-axis table 143. The Z-axis table 144 is provided with a tool support 145 for positioning in the Z-axis direction by the Z-axis table 144 and a plane processing tool spindle 146 having a rotation axis in the Z-axis direction. A diamond cutting tool 147 for plane machining is mounted on the tool spindle 146, and the cutting edge of the cutting tool is given a rotational motion of an arc trajectory. Tool support 145
, An electrolytic (or electroless) Ni plating tool 148 is attached.

【0052】Y軸テーブル142は、ストローク800
mm以上、真直度0.8μm以下、直角度0.8μm以
下、位置決め精度10nm以下、X軸テーブル143
は、ストローク800mm以上、真直度0.8μm以
下、直角度0.8μm以下、位置決め精度10nm以
下、Z軸テーブル144は、ストローク10mm以上、
真直度0.1μm以下、直角度0.1μm以下、位置決
め精度10nm以下である。
The Y-axis table 142 has a stroke 800
mm or more, straightness 0.8 μm or less, squareness 0.8 μm or less, positioning accuracy 10 nm or less, X-axis table 143
Has a stroke of 800 mm or more, a straightness of 0.8 μm or less, a squareness of 0.8 μm or less, a positioning accuracy of 10 nm or less, and a Z-axis table 144 with a stroke of 10 mm or more.
Straightness is 0.1 μm or less, squareness is 0.1 μm or less, and positioning accuracy is 10 nm or less.

【0053】加工装置140の場合には、図14と同様
にしてエミッタアレイ金型Uを加工した後、平面加工用
工具主軸146により平面加工用ダイヤモンドバイト1
47を回転運動させ、材料表面の盛り上がりUaを平面
フライス加工して除去する。
In the case of the processing device 140, after processing the emitter array mold U in the same manner as in FIG.
47 is rotated to remove bulges Ua on the material surface by plane milling.

【0054】図16は、このFEDから、1画素に対応
する部分の構成のみを取り出して示した分解図である。
FIG. 16 is an exploded view showing only the configuration of a portion corresponding to one pixel from the FED.

【0055】このFEDは、大きく分けてディスプレイ
装置の裏面側に配置される陰極装置200(200)
と、ディスプレイ面側に配置される陽極装置210(2
10)とからなる。
This FED is roughly divided into a cathode device 200 (200) disposed on the back side of the display device.
And the anode device 210 (2
10).

【0056】陰極装置200は、エミッタ電極202
(エミッタ形状2)が前述した方法で形成されてなる基
板201と、この基板上に絶縁層(不図示)を介して積
層されエミッタ電極202の先鋭化された先端部を囲む
開口を有するゲート電極203とを有する。
The cathode device 200 includes an emitter electrode 202
(Emitter shape 2) A substrate 201 formed by the above-described method, and a gate electrode laminated on the substrate via an insulating layer (not shown) and having an opening surrounding the sharpened tip of the emitter electrode 202 203.

【0057】そして、減圧環境の下で、ゲート電極20
3とエミッタ電極202との間に所定の電圧を印加する
ことで、エミッタ電極202の先端部から電子を放出す
ることができる。すなわち、ゲート電極203とエミッ
タ電極202は駆動回路(不図示)に接続されており、
マトリックス制御により任意のエミッタ電極202から
電子を放出させることができる。
Then, the gate electrode 20 is placed under a reduced pressure environment.
By applying a predetermined voltage between the emitter electrode 3 and the emitter electrode 202, electrons can be emitted from the tip of the emitter electrode 202. That is, the gate electrode 203 and the emitter electrode 202 are connected to a drive circuit (not shown),
Electrons can be emitted from any of the emitter electrodes 202 by matrix control.

【0058】一方、陽極装置210は、ガラス等の透光
性基板211と、この透光性基板211の陰極装置20
0に対向する面に形成されたITO膜等のアノード電極
212と、このアノード電極212の表面に形成された
R、G、Bの各蛍光膜213a、213b、213cと
からなる。アノード電極212は、駆動回路(不図示)
に接続されており、エミッタ電極202との間に所定の
電圧が印加されることで、エミッタ電極202から放出
された電子を制御することができる。
On the other hand, the anode device 210 includes a light-transmitting substrate 211 made of glass or the like, and the cathode device 20 of the light-transmitting substrate 211.
The anode electrode 212 is formed of an ITO film or the like formed on the surface opposing 0, and the R, G, and B fluorescent films 213a, 213b, and 213c formed on the surface of the anode electrode 212. The anode electrode 212 is connected to a drive circuit (not shown).
When a predetermined voltage is applied between the light emitting device and the emitter electrode 202, electrons emitted from the emitter electrode 202 can be controlled.

【0059】このことで、電子を任意の蛍光膜に衝突さ
せることができ、これにより透光性基板211を通して
所望の画像を表示させることができる。
As a result, electrons can collide with an arbitrary fluorescent film, whereby a desired image can be displayed through the translucent substrate 211.

【0060】なお、本発明は、このようなFEDに適用
されるものに限定されるものではなく、発明の要旨を変
更しない範囲で種々変形可能であることはいうまでもな
い。
It is needless to say that the present invention is not limited to the one applied to such an FED, but can be variously modified without changing the gist of the invention.

【0061】[0061]

【発明の効果】本発明によれば、エミッタとゲートとの
間、或いはエミッタとアノードとの間に放電が起こった
場合、すべてのエミッタが同時に破壊されることを防止
し、装置全体としての機能を維持することが可能であ
る。
According to the present invention, when a discharge occurs between the emitter and the gate or between the emitter and the anode, it is possible to prevent all the emitters from being destroyed at the same time, and to function as a whole device. It is possible to maintain

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態に係る電界放出ディスプ
レイ装置の要部を示す断面図。
FIG. 1 is a sectional view showing a main part of a field emission display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】同電界放出ディスプレイ装置に組み込まれたエ
ミッタアレイの要部を示す説明図。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a main part of an emitter array incorporated in the field emission display device.

【図3】同電界放出ディスプレイ装置に組み込まれたエ
ミッタアレイの要部を示す説明図。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a main part of an emitter array incorporated in the field emission display device.

【図4】同エミッタアレイを製造するための加工装置の
第1の例を示す斜視図。
FIG. 4 is a perspective view showing a first example of a processing apparatus for manufacturing the emitter array.

【図5】同加工装置における切削加工の幾何学的関係を
示す説明図。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a geometric relationship of cutting in the processing apparatus.

【図6】同加工装置における切削加工の幾何学的関係を
示す説明図。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a geometric relationship of cutting in the processing apparatus.

【図7】同加工装置に用いるダイヤモンドバイトの設計
を示す説明図。
FIG. 7 is an explanatory view showing a design of a diamond tool used in the processing apparatus.

【図8】同ダイヤモンドバイトの形状・寸法を示す説明
図。
FIG. 8 is an explanatory view showing the shape and dimensions of the diamond cutting tool.

【図9】同加工装置における切削加工の幾何学的関係の
うち最大切取り厚さを示す説明図。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing a maximum cut-out thickness among geometrical relationships of cutting in the processing apparatus.

【図10】同加工装置の第2の例を示す斜視図。FIG. 10 is a perspective view showing a second example of the processing apparatus.

【図11】同加工装置の第3の例を示す斜視図。FIG. 11 is a perspective view showing a third example of the processing apparatus.

【図12】同加工装置によりNiメッキ工具をエミッタ
原盤から製造する工程を示す説明図。
FIG. 12 is an explanatory view showing a step of manufacturing a Ni plating tool from an emitter master using the processing apparatus.

【図13】同加工装置によりNiメッキ工具を異方性エ
ッチングにより製造されたエミッタ金型から製造する工
程を示す説明図。
FIG. 13 is an explanatory view showing a step of manufacturing a Ni plating tool from an emitter mold manufactured by anisotropic etching using the processing apparatus.

【図14】同加工装置によりエミッタアレイ金型を製造
する工程を示す説明図。
FIG. 14 is an explanatory view showing a step of manufacturing an emitter array mold by the processing apparatus.

【図15】同加工装置の第4の例を示す斜視図。FIG. 15 is a perspective view showing a fourth example of the processing apparatus.

【図16】FEDを示す分解斜視図。FIG. 16 is an exploded perspective view showing the FED.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…電界放出型ディスプレイ装置 20…エミッタアレイ 30…ゲート電極 40…表示部 21…ガラス基板 22…カソード 23〜25…エミッタ群 40…表示部 41…ガラス基板 42…アノード 100,110,130,140…加工装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Field emission display apparatus 20 ... Emitter array 30 ... Gate electrode 40 ... Display part 21 ... Glass substrate 22 ... Cathode 23-25 ... Emitter group 40 ... Display part 41 ... Glass substrate 42 ... Anode 100, 110, 130, 140 ... Processing equipment

フロントページの続き (72)発明者 高橋 不二男 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術センター内 (72)発明者 益永 孝幸 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術センター内 (72)発明者 本田 智 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術センター内 (72)発明者 中本 正幸 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術センター内 Fターム(参考) 5C031 DD17 5C036 EE19 EF01 EF06 EF08 EG02 EG12 EH04 Continued on the front page (72) Inventor Fujio Takahashi 33, Isoiso-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Toshiba Production Technology Center (72) Inventor Takayuki Masunaga 33, Isoiso-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Stock Company Inside the Toshiba Production Technology Center (72) Inventor Satoshi Honda 33, Shinisogo-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Toshiba Production Technology Center (72) Inventor Masayuki Nakamoto 33 Shinisogo-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Address F-term in Toshiba Production Technology Center Co., Ltd. (reference) 5C031 DD17 5C036 EE19 EF01 EF06 EF08 EG02 EG12 EH04

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板と、 この基板上に設けられ、それぞれ上記基板表面を基準と
した高さが所定量異なる少なくとも一組のエミッタ群
と、を具備することを特徴とする陰極装置。
1. A cathode device comprising: a substrate; and at least one set of emitter groups provided on the substrate and having different heights with respect to the substrate surface by a predetermined amount.
【請求項2】請求項1記載の陰極装置を具備することを
特徴とする電界放出型ディスプレイ装置。
2. A field emission display device comprising the cathode device according to claim 1.
【請求項3】高さが異なる複数のエミッタ群を有する陰
極装置を被加工物に形成する陰極装置の製造方法におい
て、 前記被加工物を切削加工することで、前記エミッタ形状
を削り出す切削工程を備えていることを特徴とする陰極
装置の製造方法。
3. A method of manufacturing a cathode device having a plurality of emitter groups having different heights on a workpiece, wherein the workpiece is cut to form the emitter shape by cutting the workpiece. A method for manufacturing a cathode device, comprising:
【請求項4】高さが異なる複数のエミッタ群を有する陰
極装置を形成する陰極装置の製造方法であって、 原盤材料を切削加工することで、エミッタ形状を削り出
し原盤を形成する切削工程と、 前記原盤によりメッキ工具を成形するメッキ工具形成工
程と、 前記メッキ工具を金型材料に押し付けることで、金型を
形成する金型形成工程とを備えていることを特徴とする
陰極装置の製造方法。
4. A method for manufacturing a cathode device having a plurality of emitter groups having different heights, comprising: a cutting step of shaving an emitter shape by cutting a master material to form a master. A cathode tool device, comprising: a plating tool forming step of forming a plating tool from the master; and a mold forming step of forming a mold by pressing the plating tool against a mold material. Method.
【請求項5】前記金型形成工程は、前記メッキ工具を位
置をずらしながら前記金型材料に複数回押し付ける工程
を含むことを特徴とする請求項4に記載の陰極装置製造
方法。
5. The method according to claim 4, wherein the mold forming step includes a step of pressing the plating tool against the mold material a plurality of times while shifting the position.
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