JP2001305191A - Test method for semicondcutor integrated circuit - Google Patents

Test method for semicondcutor integrated circuit

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for conducting a production test considering failure by the effect of cross talk and make the production test pattern considering the failure by the effect of cross talk with a minimum number of patterns. SOLUTION: A net list 1 fulfilling a logic function is input, a scan path test structure is installed (S1) and the net list is layout in a mask pattern (S2). Danger locations apt to be affected by the cross talk in the layout are extracted (S3) and to the extracted danger locations, test circuits are added (S4) to form test patterns apt to be affected by the cross talk with a gate delay ATPG. A production test is conducted (S6, 7) by using the test pattern produced by applying the gate delay ATPG (S5) on the circuit.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路(I
C)のテスト方法に閑し、特にICの故障検出のテスト
工程において、少ないテストパタン追加で、クロストー
クノイズの影響による半導体集積回路の故障を除去でき
ようにした半導体集積回路のテスト方法に関する。
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit (I).
The present invention relates to a test method of a semiconductor integrated circuit which is not suitable for the test method C), and in particular, in a test step for detecting a failure of an IC, a failure of the semiconductor integrated circuit due to the influence of crosstalk noise can be eliminated by adding a small test pattern.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路の開発は、近年プロセス
の微細化が進み、益々高集積度化、高性能化が進んでい
る。こうした状況の中では、クロストークノイズの影響
が出やすいため、しばしば問題となっている。
2. Description of the Related Art In the development of semiconductor integrated circuits, in recent years, the process has been miniaturized, and the degree of integration and performance have been further increased. In such a situation, it is often a problem because the influence of crosstalk noise is likely to occur.

【0003】このクロストークの影響は、(1)隣接配
線のの配線長が長くなるほど(2)配線間隔が狭くなる
ほど(3)ドライバの能力に差が有るほど(4)配線容
量のうち配線間容量の比率が高いほど受けやすい。ま
た、隣接配線が同時に片方が立ち上がり、一方が立ち下
がるような動作の時に、遅延値が大きくなり、同時に同
じ変化を起こす場合は遅延値が小さくなるというクロス
トークの影響が現れる。また、隣接配線の一方が固定値
であり、片方だけが変化したとしても、変化する配線よ
り、固定値の配線のドライブ能力が低く、かつ、配線容
量のうち、配線間容量の比率が高い場合は、固定値の信
号にノイズが生じ、誤動作につながるというクロストー
クの影響が現れる。
The influence of the crosstalk is as follows: (1) As the wiring length of the adjacent wiring becomes longer, (2) The wiring interval becomes narrower, (3) The difference in the performance of the driver, and (4) The higher the capacity ratio, the easier it is to receive. In addition, when an operation is performed in which one of the adjacent wirings simultaneously rises and one of the adjacent wirings falls, the delay value increases. When the same change occurs at the same time, the effect of the crosstalk appears that the delay value decreases. In addition, when one of the adjacent wirings has a fixed value, and even if only one of the wirings changes, the drive capability of the fixed-value wiring is lower than that of the changing wiring, and the ratio of the inter-wiring capacitance among the wiring capacitance is high. In the case of, there is an effect of crosstalk that noise is generated in a fixed value signal, which leads to malfunction.

【0004】このクロストークの影響については、半導
体集積回路の回路設計の段階で遅延変動、ノイズの影響
を考慮して遅延検証、機能検証を行う事で設計保証が行
われている。一方、製造テストにおいては、遅延が原因
で故障となる半導体集積回路のテストにはスキャンパス
を用いたゲートディレイATPGで作成されたテストパ
タンが用いられる。
With respect to the influence of the crosstalk, design verification is performed by performing delay verification and function verification in consideration of the effects of delay variation and noise at the circuit design stage of a semiconductor integrated circuit. On the other hand, in a manufacturing test, a test pattern created by a gate delay ATPG using a scan path is used for testing a semiconductor integrated circuit that fails due to a delay.

【0005】図8の回路図におけるORゲート回路を使
って、ゲートディレイATPGが作成するパタンについ
て説明する。このOR回路40は、入力信号が入力端子
A,Bから入力し、出力端子Xから出力信号を得てい
る。この場合、出力端子Xの立ち上がりゲート遅延故障
を検出するためには、ゲートディレイATPGツール
は、出力端子Xを立ち上がりの状態にするために、OR
ゲートの入力端子Aと入力端子Bとを、1)入力端子A
が立ち上がり、入力端子Bは0に固定のまま、2)入力
端子Aが立ち上がり、入力端子Bも立ち上がる、3)入
力端子Aが0固定で、入力端子Bが立ち上がるという3
種類の状態にするためのパタンを作ろうと試みて、容易
にその状態に設定できるようなパタン1つを選択して作
成する。
A pattern created by the gate delay ATPG will be described using the OR gate circuit in the circuit diagram of FIG. The OR circuit 40 receives input signals from input terminals A and B and obtains an output signal from an output terminal X. In this case, in order to detect a rising gate delay failure at the output terminal X, the gate delay ATPG tool performs an OR operation to bring the output terminal X into a rising state.
The input terminal A and the input terminal B of the gate are:
2) The input terminal A rises and the input terminal B also rises. 3) The input terminal A is fixed at 0 and the input terminal B rises.
An attempt is made to create a pattern for setting the type of state, and one pattern that can be easily set to that state is selected and created.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】このような仕組みで生
成されるパタンでは、クロストークの影響が現れるよう
な隣接配線の両方が同時に同じ変化、逆の変化をするよ
うなパタンが含まれるかどうかは分らない。このため、
製造時のテストにおいては、クロストークの影響による
故障は偶発的にしか除去できなかった。
In the pattern generated by such a mechanism, it is determined whether or not a pattern in which both adjacent wirings, which are affected by crosstalk, change at the same time or change at the same time is included. I don't know. For this reason,
In manufacturing tests, failures due to the effects of crosstalk could only be removed accidentally.

【0007】別の技術としては、ゲートディレイATP
Gにおけるパタン生成時に、取り得る全ての入力組合せ
をパタンとして生成し、そのパタンを用いて製造テスト
を行う事で、クロストークの影響により故障するような
半導体集積回路の除去を行うという方法が取られてい
た。この方法においては、図8のORゲートの入力端子
A,Bにおいては、2の4乗の32通りのゲートディレ
イテストパタンの組合せが必要となり、これが回路の全
ての端子について必要となるため、端子数のべき乗のパ
タン数が必要となり、クロストークの影響を製造テスト
時に考慮するためには膨大なテストパタンが必要という
問題がある。
Another technique is a gate delay ATP.
When a pattern is generated in G, all possible input combinations are generated as a pattern, and a manufacturing test is performed using the pattern to remove a semiconductor integrated circuit that fails due to the influence of crosstalk. Had been. In this method, at the input terminals A and B of the OR gate in FIG. 8, 32 combinations of 2 4 power gate delay test patterns are required, and this is necessary for all terminals of the circuit. There is a problem that an enormous number of test patterns are required in order to consider the influence of crosstalk during a manufacturing test because a number of powers of a number is required.

【0008】本発明の目的は、クロストークの影響によ
る故障を考慮した製造テストを行うことができると共
に、クロストークの影響による故障を考慮した製造テス
トパタンを最小のパタン数で作成できるようにした半導
体集積回路のテスト方法を提供することにある。
An object of the present invention is to make it possible to carry out a manufacturing test in which a failure due to the influence of crosstalk is taken into consideration and to create a production test pattern with a minimum number of patterns in consideration of a failure due to the influence of crosstalk. A test method for a semiconductor integrated circuit is provided.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
のテスト方法の構成は、論理機能を満たすネットリスト
を入力し、スキャンパステスト構造を作り込み、そのネ
ットリストをマスクパタンレイアウトした後、そのレイ
アウトにおけるクロストークの影響が現れやすい危険箇
所を抽出し、この抽出した危険箇所にクロストークの影
響が現れるようなテストパタンをゲートディレイATP
Gで作成するためにテスト回路を付加し、その回路にお
けるートディレイATPGを行って生成されたテストパ
タンを使って製造テストを行うことを特徴とする。
A test method for a semiconductor integrated circuit according to the present invention comprises the steps of: inputting a netlist satisfying a logical function; creating a scan path test structure; laying out the netlist with a mask pattern; A danger point where the influence of crosstalk is likely to appear in the layout is extracted, and a test pattern in which the influence of crosstalk appears at the extracted danger point is gated ATP.
It is characterized in that a test circuit is added in order to create a G, and a manufacturing test is performed using a test pattern generated by performing a delay ATPG in the circuit.

【0010】本発明において、論理機能を満たすネット
リストを入力し、スキャンパステスト構造を作り込み、
ネットリスト中の各信号線の0,1への制御性、観測性
が十分でない箇所についてはスキャンFFまたは、外部
端子を追加し、制御性、観測性を向上させるステップ1
と、スキャンパスが挿入された論理機能を満たすネット
リストを入力し、マスクパタンレイアウトを行なうステ
ップ2と、クロストークノイズの影響が及ぶ隣接配線箇
所を抽出するステップ3と、抽出した論理ゲートの入力
信号を、ゲートディレイATPGツールを使って、クロ
ストークノイズが発生しやすい信号値の遷移にするため
のテスト回路を、ステップ3で抽出したの危険箇所情報
ファイルの内容を利用してステップ1のネットリストに
付加するステップ4と、ゲートディレイATPGツール
によりステップ4のテスト回路を使って、ステップ3で
抽出した論理ゲートの入力をクロストークノイズが発生
しやすい信号値となるテストパタンを生成するステップ
5と、ステップ5で追加したテスト回路の外部端子にお
ける期待値を削除するというテストパタン修正のステッ
プ6と、ステップ6で修正したテストパタンにより半導
体集積回路をテストするステップ7とを含むことができ
る。
In the present invention, a netlist satisfying a logical function is input, a scan path test structure is created,
Step 1 for improving controllability and observability by adding a scan FF or an external terminal to a portion where the controllability and observability of each signal line in the netlist to 0 and 1 are not sufficient.
Inputting a netlist satisfying the logical function into which the scan path has been inserted, and performing a mask pattern layout step 2; extracting adjacent wiring locations affected by crosstalk noise; and inputting the extracted logical gate. Using a gate delay ATPG tool, a test circuit for changing the signal value, which is likely to cause crosstalk noise, using a gate delay ATPG tool. Step 4 of adding to the list, and step 5 of using the test circuit of step 4 with the gate delay ATPG tool to generate a test pattern that converts the input of the logic gate extracted in step 3 to a signal value that is likely to cause crosstalk noise. And the expected value at the external terminal of the test circuit added in step 5 is deleted Step 6 of the test pattern modifications that that may include a step 7 for testing a semiconductor integrated circuit by a test pattern that is modified in step 6.

【0011】本発明において、危険箇所の隣接配線の抽
出は、各配線の配線容量、配線長を抽出し、その隣接配
線間容量を計算し、この隣接配線間容量が所定基準値を
超えた隣接配線を取り出して行い、また全フリップフロ
ップのクロック端子のバックトレース結果から同じドラ
イブ元となるフリップフロップをグループ分けし、この
同じグループの隣接配線が同期関係にあるものを取り出
して行い、さらに隣接配線のドライブ能力に差が基準値
以上あり、そのドライブ能力の小さい方の配線の配線容
量のうちの配線間容量の比率が所定基準値を超えるもの
を取り出して行うことができる。
In the present invention, the extraction of the adjacent wiring at the danger point is performed by extracting the wiring capacitance and the wiring length of each wiring, calculating the capacitance between the adjacent wirings, and calculating the capacitance between the adjacent wirings exceeding a predetermined reference value. From the back trace results of the clock terminals of all the flip-flops, the same drive source flip-flops are divided into groups, and the adjacent wirings in the same group that have a synchronous relationship are extracted and performed. The difference between the drive capacities of the wirings having a smaller drive capacity than the reference value and the ratio of the inter-wiring capacity among the wiring capacities of the wirings having the smaller drive capacity exceeds a predetermined reference value can be taken out.

【0012】従って、本発明を使って半導体集積回路を
テストする事で、少ないテストパタン追加で、クロスト
ークノイズの影響による半導体集積回路の故障を除去す
ることが可能となるという効果が得られる。
Therefore, by testing a semiconductor integrated circuit by using the present invention, it is possible to eliminate a failure of the semiconductor integrated circuit due to the influence of crosstalk noise by adding a small number of test patterns.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の一実施形態を説
明するテスト方法のフロー図である。図1を参照する
と、所望の論理機能を満たすネットリスト1を入力とし
て、スキャンパスを挿入し、同時に制御、観測性が悪い
箇所についてテスト回路を追加し(ステップS1)、マ
スクパタンレイアウト処理を行いマスクパタンデータを
作成する(ステップS2)。配置、配線結果を用いて、
クロストークノイズの影響を受けやすい隣接配線を危険
個所として抽出し(ステップS3)、危険個所ネットフ
ァイル7に記録する。抽出した信号について、ゲートデ
ィレイATPGツールで、クロストークノイズの影響が
出やすいテストパタンを生成させるためのテスト回路を
ステップS1で作成したネットリスト2に追加(ステッ
プS4)する。この時テスト回路は、ネットリスト2に
のみ追加し、レイアウトのマスクパタンには反映しな
い。
FIG. 1 is a flowchart of a test method for explaining an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a scan path is inserted with a netlist 1 satisfying a desired logic function as an input, and at the same time, a test circuit is added for a portion having poor control and observability (step S1), and a mask pattern layout process is performed. Mask pattern data is created (step S2). Using the placement and routing results,
An adjacent wiring that is easily affected by crosstalk noise is extracted as a dangerous part (step S3) and recorded in the dangerous part net file 7. With respect to the extracted signal, a test circuit for generating a test pattern easily affected by crosstalk noise is added to the netlist 2 created in step S1 by a gate delay ATPG tool (step S4). At this time, the test circuit is added only to the netlist 2 and is not reflected in the layout mask pattern.

【0014】次に、テスト回路を追加したネットリスト
2についてゲートディレイATPGツールでテストパタ
ンを作成する。次のステップでは半導体集積回路自体に
は実在しないテスト回路として付加された端子について
の期待値を削除するというテストパタン修正処理を行い
(ステップS5)、テストを実施する(ステップS
6)。なお、ファイル3〜7は各ステップの途中でそれ
ぞれの情報を記憶するファイルである。
Next, a test pattern is created using the gate delay ATPG tool for the netlist 2 to which the test circuit has been added. In the next step, a test pattern correction process of deleting an expected value for a terminal added as a test circuit that does not exist in the semiconductor integrated circuit itself is performed (step S5), and a test is performed (step S5).
6). The files 3 to 7 are files for storing respective information in the middle of each step.

【0015】次に、ステップS3のクロストークノイズ
を受けやすい危険箇所抽出処理について説明する。図2
のフロー図を参照すると、レイアウト結果からクロスト
ークノイズの影響度をチェックするため、各配線の配線
容量(ステップS11)、隣接配線長を抽出し(ステッ
プS12)、各配線に対する隣接配線間容量を計算する
(ステップS13)。次に、あらかじめ設定したクロス
トークノイズによる遅延時間遅れ、及び誤動作となる隣
接配線間容量の基準値とステップS13で求めた隣接配
線間容量を比較し、基準値を超える隣接配線(Y)を抽
出し(ステップS14)、危険個所ネットファイル7に
記憶し、基準値を超えない隣接配線(N)は対象外ファ
イル8に記録する。
Next, a description will be given of the dangerous spot extraction processing which is susceptible to crosstalk noise in step S3. FIG.
In order to check the influence of the crosstalk noise from the layout result, the wiring capacitance of each wiring (step S11) and the length of the adjacent wiring are extracted (step S12), and the capacitance between adjacent wirings for each wiring is determined. The calculation is performed (step S13). Next, the reference value of the predetermined delay time delay due to the crosstalk noise and the capacitance between adjacent wirings causing a malfunction is compared with the capacitance between adjacent wirings obtained in step S13, and the adjacent wiring (Y) exceeding the reference value is extracted. (Step S14), the adjacent wiring (N) that does not exceed the reference value is stored in the dangerous location net file 7, and is recorded in the non-target file 8.

【0016】次に、図1のネットリスト2を使って、ネ
ットリスト中の全FFのクロック、セット、リセット端
子から、外部入力端子、論理ゲートに到達するまでバッ
クトレースし、クロストークの影響による遅延変動を受
けにくい、配線活性化率が低いリセット、セット信号、
またクロストークノイズの影響をあらかじめ受けないよ
うに配置、配線されるクロック信号名を抽出する(ステ
ップS15)。
Next, using the netlist 2 of FIG. 1, the back trace is performed from the clock, set and reset terminals of all the FFs in the netlist until reaching the external input terminal and the logic gate. Reset, set signal,
Further, the names of clock signals to be arranged and wired so as not to be affected by crosstalk noise in advance are extracted (step S15).

【0017】同時に、クロストークノイズの影響による
遅延変動が起きやすい、同時変化が起こる可能性がある
隣接配線を抽出するため、全フリップフロップ(FF)
のクロック端子のバックトレース結果から、同じドライ
ブ元となるFFを同じグループとするようなグループ分
けを行う(ステップS16)。
At the same time, all flip-flops (FFs) are extracted in order to extract adjacent wirings in which delay fluctuations are likely to occur due to the influence of crosstalk noise and in which simultaneous fluctuations may occur.
From the back trace result of the clock terminal, grouping is performed such that the FFs that are the same drive source belong to the same group (step S16).

【0018】次にステップS4で抽出した隣接配線をス
テップS1で作成したネットリスト2上で外部端子に到
達するか、または、FFに到達するまでバックトレース
し、ドライブ元を抽出する(ステップS17)。最後に
ステップS14で抽出した隣接配線で、ステップS15
により抽出した信号名でなくて、かつ、ステップS16
で作成した、FFのグループ分け情報を使って、隣接配
線が同期関係にあるかどうかを、隣接配線のドライブ元
が同じグループに属するかどうかを確認するという方法
でチェックし(ステップS18)、該当する隣接配線
(Y)を抽出して危険個所ネットファイル7に記憶し、
同期関係にない隣接配線(N)を対象外ファイル8に記
録する。。
Next, the adjacent wiring extracted in step S4 is back-traced on the netlist 2 created in step S1 until it reaches an external terminal or FF, and a drive source is extracted (step S17). . Finally, the adjacent wiring extracted in step S14 is used in step S15.
Is not the signal name extracted in step S16 and
Using the FF grouping information created in the above, it is checked whether or not the adjacent wires are in a synchronous relationship by checking whether or not the drive source of the adjacent wires belongs to the same group (step S18). Adjacent wiring (Y) to be extracted and stored in the dangerous place net file 7,
The adjacent wiring (N) that is not in a synchronous relationship is recorded in the non-target file 8. .

【0019】次に、クロストークの影響による誤動作が
おきやすい、ドライブ能力が弱い配線とドライブ能力が
強い配線で隣接配線を構成しているような箇所を抽出す
るため、隣接配線のドライバを検索する(ステップS1
9)。ステップS20において、それぞれのドライバの
ドライブ能力を比較し、あらかじめ設定した基準値を超
えるドライブ能力の差がある場合は、ステップS21
で、ドライブ能力が小さい方の配線について、ステップ
S11で求めた配線容量と、ステップS13で求めた配
線間容量から、配線間容量の占める比率を算出する。
Next, a driver of an adjacent wiring is searched to extract a portion where an adjacent wiring is formed by a wiring having a weak driving capability and a wiring having a high driving capability, in which a malfunction due to the influence of crosstalk is likely to occur. (Step S1
9). In step S20, the drive capacities of the respective drivers are compared, and if there is a difference in the drive capacities exceeding a preset reference value, step S21 is performed.
Then, for the wiring having the smaller drive capability, the ratio of the wiring capacity occupied by the wiring capacity obtained in step S11 and the wiring capacity obtained in step S13 is calculated.

【0020】次にステップS22において、配線間容量
の比率があらかじめ設定した基準比率を超えるような場
合は、その隣接配線を、クロストークノイズの影響を受
けやすいものとして、危険箇所として危険個所ネットフ
ァイル7に記憶する。
Next, in step S22, when the ratio of the capacitance between the wirings exceeds the preset reference ratio, the adjacent wiring is determined to be susceptible to the crosstalk noise, and the dangerous location net file is determined as the dangerous location. 7 is stored.

【0021】次に図1のステップS4について、図3の
ブロック図、図4の回路図を参照して説明する。図3に
おいては、半導体集積回路のマスクパタン30の中に機
能ブロック31〜34が設けられ、機能ブロック31か
ら機能ブロック34の間に、対象となる配線11,12
が配設されていることを示している。
Next, step S4 of FIG. 1 will be described with reference to the block diagram of FIG. 3 and the circuit diagram of FIG. In FIG. 3, functional blocks 31 to 34 are provided in a mask pattern 30 of a semiconductor integrated circuit, and target wirings 11 and 12 are provided between a functional block 31 and a functional block 34.
Is provided.

【0022】また、図4の回路においては、テスト回路
10により、隣接配線11,12をテストし、このテス
ト回路10の出力信号15が外部端子13から出力され
ることを示す。この隣接配線11,12は、図1のステ
ップS3で抽出したクロストークノイズの影響が出やす
い隣接配線である。この信号の値がクロストークノイズ
による遅延増の影響が現れる、隣接配線11の信号が立
ち上がり、隣接配線12の信号が立ち下がるようなテス
トパタンを生成すること目的として、テスト回路10を
追加する。
In the circuit shown in FIG. 4, the test circuit 10 tests the adjacent wirings 11 and 12, and shows that the output signal 15 of the test circuit 10 is output from the external terminal 13. The adjacent wirings 11 and 12 are adjacent wirings that are likely to be affected by the crosstalk noise extracted in step S3 of FIG. A test circuit 10 is added for the purpose of generating a test pattern in which the value of this signal is affected by an increase in delay due to crosstalk noise, in which a signal on the adjacent wiring 11 rises and a signal on the adjacent wiring 12 falls.

【0023】このテスト回路10は、同時に隣接配線1
1の信号が立ち上がり、隣接配線12の信号が立ち下が
るような入力組合せにおいて出力信号15が立ち上がる
ような回路仕様である。この回路構成について、図1の
ステップS5のゲートディレイATPGツールによるパ
タン生成を行えば、出力信号15の立ち上がりゲートデ
ィレイ故障を追加した外部端子13を用いて検出するパ
タンが作成され、この時、クロストークノイズによる遅
延増の影響が現れる出力信号15が立ち上がり、配線1
2の信号が立ち下がるというパタンが作成される。この
場合、期待値としては、この状態での図3のテスト回路
10として追加した端子13、その他、配線11,12
が影響する外部端子全てに発生される。
The test circuit 10 is connected to the adjacent wiring 1 at the same time.
The circuit specification is such that the output signal 15 rises in an input combination in which the signal 1 rises and the signal on the adjacent wiring 12 falls. With this circuit configuration, if a pattern is generated by the gate delay ATPG tool in step S5 in FIG. 1, a pattern for detecting the rising gate delay failure of the output signal 15 using the external terminal 13 to which the gate delay failure has been added is created. The output signal 15 which is affected by the increase in delay due to the talk noise rises, and the wiring 1
A pattern is created in which the signal 2 falls. In this case, the expected values are the terminal 13 added as the test circuit 10 in FIG.
Is generated at all of the external terminals affected.

【0024】本実施形態の動作について説明する。論理
機能を有するネットリストは、図1のステップS1でス
キャンパスが挿入され、信号0,1の制御性が悪い箇所
については、図5のブロック図に示すような回路が挿入
される。このテスト回路としては、配線11,12の入
力側に、フリップフロップ(以下F/Fという)22,
24と、クロック信号29に同期したF/F26,27
と、これらF/F26,27に従属した同期回路28
と、この同期回路28の出力とF/F22,24の出力
とをテスト信号21のテストモードにより切換えるセレ
クタ23,25とを含むような回路が挿入される。この
ような回路により、スキャンパステスト中は、図5の配
線11,12の信号の0,1の制御性が100%保証さ
れる。
The operation of this embodiment will be described. A scan path is inserted into the netlist having a logical function in step S1 in FIG. 1, and a circuit as shown in a block diagram in FIG. 5 is inserted into a portion where the controllability of the signals 0 and 1 is poor. As the test circuit, a flip-flop (hereinafter referred to as F / F) 22,
24 and F / Fs 26 and 27 synchronized with the clock signal 29
And a synchronization circuit 28 dependent on these F / Fs 26 and 27.
Then, a circuit including selectors 23 and 25 for switching the output of the synchronization circuit 28 and the outputs of the F / Fs 22 and 24 according to the test mode of the test signal 21 is inserted. By such a circuit, 100% controllability of the control of the signals 0 and 1 of the wirings 11 and 12 in FIG. 5 is ensured during the scan path test.

【0025】図1のステップS1にてスキャンパスが挿
入されたネットリスト2は、図1のステップS2におい
てマスクパタンレイアウトが実施され、図3に示すよう
な半導体集積回路のマスクパターン30が作成される。
続いて、図1のステップS3のクロストークノイズの影
響を受けやすい危険箇所抽出処理を実施する。図2のス
テップS11により、隣接配線長を算出し、ステップS
12において算出した配線長を元に、隣接配線間容量を
算出し、あらかじめ設計者が設定したプロセスによって
変動する配線間容量の基準値と比較し、ステップS13
において基準値を超える隣接配線を抽出する。
The netlist 2 into which the scan path has been inserted in step S1 in FIG. 1 is subjected to a mask pattern layout in step S2 in FIG. 1, and a mask pattern 30 of the semiconductor integrated circuit as shown in FIG. 3 is created. You.
Subsequently, a dangerous spot extraction process that is easily affected by crosstalk noise in step S3 in FIG. 1 is performed. The adjacent wiring length is calculated in step S11 of FIG.
Based on the wiring length calculated in step S12, the capacitance between adjacent wirings is calculated and compared with a reference value of the capacitance between wirings that fluctuates according to a process set in advance by a designer.
, An adjacent wiring exceeding a reference value is extracted.

【0026】本実施形態では、図3のマスクパタン40
における隣接配線11,12が候補として抽出された場
合を例に、その動作を説明していく。図3の機能ブロッ
ク31から機能ブロック34への隣接配線11,12を
拡大したものが図5に相当し、説明を簡単にするため、
関係のある配線のみとし、他は記載しない。図3の配線
11,12は、図5における配線11,12に対応す
る。
In this embodiment, the mask pattern 40 shown in FIG.
The operation will be described by taking as an example a case where the adjacent wirings 11 and 12 are extracted as candidates. FIG. 5 is an enlarged view of the adjacent wirings 11 and 12 from the functional block 31 to the functional block 34 in FIG.
Only relevant wiring is described, and others are not described. The wirings 11 and 12 in FIG. 3 correspond to the wirings 11 and 12 in FIG.

【0027】図1のステップS1により、スキャンパス
が挿入されたネットリスト2を入力し、ネットリスト中
の全FFのクロック端子、セット、リセット端子から論
理ゲートに到達するか、外部入力端子13に到達する
か、FFに到達するまでバックトレースし、トレース途
中のネットをクロック、リセット配線として登録する。
また、同時にクロック端子からバックトレースして求め
たクロックの根元の論理ゲートあるいは、外部入力端子
毎に、それらのFFをグループ分けする。次に、図2の
ステップS16において、ステップS12で抽出した配
線間容量が基準値を超える配線を、外部入力端子に到達
するか、FFに到達するまでバックトレースし、隣接配
線のドライブ元の端子あるいはFFを抽出する。
In step S1 of FIG. 1, the netlist 2 into which the scan path is inserted is input, and the clock is input from the clock terminals, set and reset terminals of all the FFs in the netlist to the logic gate, or the external input terminal 13 The back trace is performed until the signal reaches the FF or reaches the FF, and the net in the middle of the trace is registered as a clock and reset wiring.
At the same time, the FFs are grouped for each logic gate at the root of the clock obtained by back-trace from the clock terminal or for each external input terminal. Next, in step S16 of FIG. 2, the wiring whose capacitance between the wirings extracted in step S12 exceeds the reference value is back-traced until it reaches the external input terminal or reaches the FF, and the drive source terminal of the adjacent wiring Alternatively, FF is extracted.

【0028】ステップS17において、ステップS14
で抽出した信号名でないか、また、ドライブ元のFFが
同じグループに属しているものかを判別し、クロック、
セット、リセット信号でなく、同期して動作する隣接配
線を抽出する。図5の配線11と配線12はドライブ元
のFFが、クロック信号29で動作するFF26とFF
27であり、危険箇所として抽出される。
In step S17, step S14
It is determined whether the signal name is not the signal name extracted in step 2 and whether the drive source FF belongs to the same group.
It extracts not the set and reset signals but the adjacent wirings that operate in synchronization. The wiring 11 and the wiring 12 in FIG.
27, which is extracted as a dangerous spot.

【0029】続いて、図1のステップS4において、ク
ロストークの影響により遅延が増大するような図5の配
線11の信号が立ち上がり、配線12の信号が立ち下が
るテストパタンを生成するために、テスト回路10aを
付加する。このテスト回路10aは、入力信号Aが立ち
上がり、入力信号Bが立ち下がる時に出力信号Yが立上
がるような回路となる。
Subsequently, in step S4 in FIG. 1, a test is performed to generate a test pattern in which the signal on the wiring 11 in FIG. 5 rises and the signal on the wiring 12 falls so that the delay increases due to the influence of crosstalk. The circuit 10a is added. The test circuit 10a is a circuit in which the output signal Y rises when the input signal A rises and the input signal B falls.

【0030】図6は、このテスト回路10aの入力端子
17,18からのテストモード信号(TM1,TM2)
を入力とし、出力信号15,16(X,Y)を出力する
テスト回路の真理値表を示す。
FIG. 6 shows test mode signals (TM1, TM2) from input terminals 17, 18 of this test circuit 10a.
Is a truth table of a test circuit which receives as input and outputs output signals 15, 16 (X, Y).

【0031】図1のステップS4において、テスト回路
が付加されたネットリストは、図1ステップS5におい
てゲートディレイ故障検出用テストパタンがゲートディ
レイATPGツールにより生成され、この時、図5の出
力Yの立ち上がり故障を検出するためのパタンにおい
て、配線11,12の信号に、所望のクロストークの影
響が現れやすいパタンが作られる。
The netlist to which the test circuit is added in step S4 of FIG. 1 is generated in step S5 of FIG. 1 by a gate delay failure detection test pattern generated by the gate delay ATPG tool. In a pattern for detecting a rise failure, a pattern is easily generated in which signals of the wirings 11 and 12 are likely to have an influence of desired crosstalk.

【0032】次に、図1のステップS6において、図5
の入力端子17,18からのテストモード、出力信号1
5.16のパタンを削除する。図1のステップS6で修
正したテストパタンを用いて、図1のステップS7の製
造テストが実施される。
Next, in step S6 of FIG.
Test mode from input terminals 17 and 18 of output signal 1
5. Delete the pattern of 16. The manufacturing test in step S7 in FIG. 1 is performed using the test pattern modified in step S6 in FIG.

【0033】図7は本発明の他の実施形態で、その基本
的構成は上記の通りであるが、図1ステップS3のクロ
ストークの影響により誤動作する可能性がある危険箇所
抽出処理について、工夫しているフローを示す。図1に
対して、ステップ15〜18が削除されている。
FIG. 7 shows another embodiment of the present invention. Although the basic configuration is as described above, the danger spot extraction processing which may malfunction due to the influence of crosstalk in step S3 in FIG. 1 is devised. This shows the flow that is performed. Steps 15 to 18 are deleted from FIG.

【0034】この場合も、ステップS11において各配
線の配線容量を算出し、ステップS12〜14におい
て、上記の実施形態と同様に、隣接配線間容量が指定し
た基準値を超える隣接配線を抽出する。次にステップS
17aにおいて、ステップS14で抽出した隣接配線を
論理ゲートに到達するまでバックトレースし、該当の隣
接配線のドライバを抽出する。ステップS20におい
て、それぞれのドライバのドライブ能力を比較し、あら
かじめ設定した基準値を超えるドライブ能力の差がある
場合は、ステップS21で、ドライブ能力が小さい方の
配線について、ステップS12で求めた配線容量と、ス
テップS13で求めた配線間容量から、配線間容量の占
める比率を算出する。次にステップS22において、配
線間容量の比率があらかじめ設定した基準値を超えるよ
うな場合は、その隣接配線を、クロストークノイズの影
響を受けやすいものとして、危険箇所と認識する。
In this case as well, the wiring capacity of each wiring is calculated in step S11, and in steps S12 to S14, as in the above-described embodiment, the adjacent wiring whose adjacent wiring capacity exceeds the specified reference value is extracted. Next, step S
In step 17a, the adjacent wiring extracted in step S14 is back-traced until the adjacent wiring reaches the logic gate, and the driver of the relevant adjacent wiring is extracted. In step S20, the drive capacities of the respective drivers are compared. If there is a difference in the drive capacities exceeding a preset reference value, in step S21, the wiring capacity obtained in step S12 is determined for the wire having the smaller drive capacity. Then, the ratio occupied by the interwiring capacitance is calculated from the interwiring capacitance obtained in step S13. Next, in step S22, when the ratio of the capacitance between the wirings exceeds a preset reference value, the adjacent wiring is recognized as a dangerous point as being susceptible to the crosstalk noise.

【0035】従って、この危険箇所抽出処理を用いた製
造テスト方法は、さらにクロストークの影響が同時動作
による遅延としての影響でなく、ノイズとして誤動作す
るような故障の検出にも効果がある。
Therefore, the manufacturing test method using the dangerous part extraction processing is also effective in detecting a fault in which the influence of crosstalk does not affect the delay due to simultaneous operation but malfunctions as noise.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スキャンパスを挿入し、レイアウトを実施した後、クロ
ストークの影響により誤動作する可能性のある危険箇所
を抽出し、その箇所についてのみ、クロストークの影響
が現れるようなテストパタンのみを生成し、そのパタン
を用いて製造テストを行う手法であるので、クロストー
クの影響が現れやすい箇所にだけ、クロストークの影響
が製造テストでテスト可能となるパタンの組合せのみを
作成するため、クロストークの影響による故障を製造テ
スト時にテストする際のパタンが最小となり、そのため
のテスト時間も最小に出来、テストコストの増減を最低
限に抑えながら品質を向上させるという効果がある。
As described above, according to the present invention,
After inserting a scan path and laying out, extracting a dangerous part that may malfunction due to the effect of crosstalk, and generating only a test pattern that shows the influence of crosstalk only for that point, Since this is a method of performing manufacturing tests using patterns, only patterns where the effects of crosstalk can be tested in manufacturing tests are created only at locations where the effects of crosstalk are likely to appear. There is an effect that a pattern when testing a failure at the time of a manufacturing test is minimized, and a test time for the test can be minimized, thereby improving quality while minimizing an increase or decrease in test cost.

【0037】また、従来例の方法においては、2入力論
理ゲートの出力ゲートディレイ故障検出とクロストーク
の影響による故障検出するためのパタンは16パタンが
必要になるのに対し、本発明では、論理ゲートの出力の
立ちあがり、立ち下がり検出のための2パタンとクロス
トークによる影響をテストする2パタンの合計4パタン
でテストすることが可能となり、テストタイム削減、そ
れによるテストコスト低減という効果がある。
In the method of the prior art, 16 patterns are required for detecting the output gate delay failure of the two-input logic gate and for detecting the failure due to the influence of crosstalk. The test can be performed with a total of four patterns, that is, two patterns for detecting the rise and fall of the gate output and two patterns for testing the influence of the crosstalk. This has the effect of reducing the test time and thereby the test cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態を説明する概略フロー
図である。
FIG. 1 is a schematic flowchart illustrating a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の詳細な処理を説明するフロー図である。FIG. 2 is a flowchart illustrating a detailed process of FIG. 1;

【図3】図1の隣接配線の配置を説明するレイアウト平
面図である。
FIG. 3 is a layout plan view illustrating an arrangement of adjacent wirings in FIG. 1;

【図4】図1の隣接配線をテストする際のブロック図で
ある。
FIG. 4 is a block diagram when testing the adjacent wiring in FIG. 1;

【図5】図3の付加回路による処理をする際のブロック
図である。
FIG. 5 is a block diagram when processing is performed by an additional circuit of FIG. 3;

【図6】図5のテスト回路の動作を説明する真理値表の
図である。
6 is a diagram of a truth table for explaining the operation of the test circuit of FIG. 5;

【図7】本発明の第2の実施形態を説明する概略フロー
図である。
FIG. 7 is a schematic flowchart illustrating a second embodiment of the present invention.

【図8】従来例のOR回路によるストする際のブロック
図である。
FIG. 8 is a block diagram when a strike is performed by a conventional OR circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,2 ネットリスト 3〜6 ファイル 7 危険個所ネットファイル 8 対象外ファイル 10,10a テスト回路 11,12 配線(隣接配線) 13,14 外部端子 15,16 出力信号 17,18 入力端子 21 テスト信号 22,24,26,27 フリップフロップ 23,25 セレクタ 28 同期回路 29 クロック信号 30 マスクパタン 31〜34 機能ブロック 40 ORゲート 1, 2 Netlist 3-6 File 7 Dangerous place net file 8 Excluded file 10, 10a Test circuit 11, 12 Wiring (adjacent wiring) 13, 14 External terminal 15, 16 Output signal 17, 18 Input terminal 21 Test signal 22 , 24, 26, 27 flip-flops 23, 25 selector 28 synchronization circuit 29 clock signal 30 mask pattern 31-34 function block 40 OR gate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 27/04 G01R 31/28 V 21/822 H01L 21/82 C 27/04 T Fターム(参考) 2G032 AA01 AB20 AC08 AC10 AD00 AE08 AE09 AE10 AE12 AG10 AK11 AK16 5B046 AA08 BA03 BA09 JA01 5F038 BH19 BH20 CD09 CD13 DF11 DT06 DT07 EZ20 5F064 BB02 BB04 BB19 EE08 EE43 EE46 EE47 EE54 HH06 HH09 HH10 9A001 BB05 JJ50 KK54 LL05 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 27/04 G01R 31/28 V 21/822 H01L 21/82 C 27/04 TF term (Reference) 2G032 AA01 AB20 AC08 AC10 AD00 AE08 AE09 AE10 AE12 AG10 AK11 AK16 5B046 AA08 BA03 BA09 JA01 5F038 BH19 BH20 CD09 CD13 DF11 DT06 DT07 EZ20 5F064 BB02 BB04 BB19 EE08 EE43 EE46 H05 EE46 H05 EE46 H05 EE47 H05 BB

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 論理機能を満たすネットリストを入力
し、スキャンパステスト構造を作り込み、そのネットリ
ストをマスクパタンレイアウトした後、そのレイアウト
におけるクロストークの影響が現れやすい危険箇所を抽
出し、この抽出した危険箇所にクロストークの影響が現
れるようなテストパタンをゲートディレイATPGで作
成するためにテスト回路を付加し、その回路におけるー
トディレイATPGを行って生成されたテストパタンを
使って製造テストを行うことを特徴とする半導体集積回
路のテスト方法。
1. A netlist that satisfies a logical function is input, a scan path test structure is created, and the netlist is laid out in a mask pattern. A test circuit is added in order to create a test pattern in which the influence of crosstalk appears at the extracted dangerous spot with the gate delay ATPG, and a manufacturing test is performed using the test pattern generated by performing the gate delay ATPG in the circuit. A method for testing a semiconductor integrated circuit, comprising:
【請求項2】 スキャンパステスト構造を作り込んだ
後、ネットリスト中の各信号線の0,1への制御性、観
測性が十分でない箇所についてはスキャンフリップフロ
ップ、または外部端子を追加し、制御、観測性を向上さ
せる処理を追加する請求項1記載の半導体集積回路のテ
スト方法。
2. After a scan path test structure is created, a scan flip-flop or an external terminal is added to a portion of the netlist where controllability and observability of each signal line to 0 and 1 are not sufficient, 2. The test method for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein a process for improving control and observability is added.
【請求項3】 スキャンパスが挿入された論理機能を満
たすネットリストを入力し、マスクパタンレイアウトを
行い、クロストークノイズの影響が現れやすい隣接配線
を危険箇所として抽出する請求項2記載の半導体集積回
路のテスト方法。
3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein a netlist that satisfies the logic function into which the scan path is inserted is input, a mask pattern layout is performed, and adjacent wirings that are likely to be affected by crosstalk noise are extracted as dangerous points. How to test the circuit.
【請求項4】 危険箇所の隣接配線の抽出は、各配線の
配線容量、配線長を抽出し、その隣接配線間容量を計算
し、この隣接配線間容量が所定基準値を超えた隣接配線
を取り出して行う請求項3記載の半導体集積回路のテス
ト方法。
4. Extraction of adjacent wirings at a dangerous point is performed by extracting the wiring capacity and wiring length of each wiring, calculating the capacity between adjacent wirings, and selecting the adjacent wirings whose capacity between adjacent wirings exceeds a predetermined reference value. 4. The test method for a semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein the test is performed.
【請求項5】 危険箇所の隣接配線の抽出は、全フリッ
プフロップのクロック端子のバックトレース結果から同
じドライブ元となるフリップフロップをグループ分け
し、この同じグループの隣接配線が同期関係にあるもの
を取り出して行う請求項3記載の半導体集積回路のテス
ト方法。
5. Extraction of adjacent wirings at a dangerous point is performed by grouping flip-flops serving as the same drive source from the back trace results of clock terminals of all flip-flops, and determining whether adjacent wirings in the same group have a synchronous relationship. 4. The test method for a semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein the test is performed.
【請求項6】 危険箇所の隣接配線の抽出は、隣接配線
のドライブ能力に差が基準値以上あり、そのドライブ能
力の小さい方の配線の配線容量のうちの配線間容量の比
率が所定基準値を超えるものを取り出して行う請求項4
または5記載の半導体集積回路のテスト方法。
6. A method of extracting adjacent wirings at a dangerous location, wherein the difference in drive capability between adjacent wirings is equal to or greater than a reference value, and the ratio of the inter-wiring capacitance to the wiring capacitance of the wiring having the smaller drive capability is a predetermined reference value. 5. A method in which an object exceeding the number is taken out.
Or the test method of a semiconductor integrated circuit according to 5.
【請求項7】 抽出した隣接配線への論理ゲートの入力
信号を、ゲートディレイATPGツールを使って、クロ
ストークノイズが発生しやすい信号値の遷移にするため
のテスト回路を、危険箇所の情報を用いてネットリスト
に付加する請求項1記載の半導体集積回路のテスト方
法。
7. A test circuit for converting an input signal of a logic gate to an extracted adjacent wiring into a transition of a signal value in which crosstalk noise is likely to occur using a gate delay ATPG tool. 2. The method for testing a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the method is used to add to a netlist.
【請求項8】 ゲートディレイATPGツールにより、
テスト回路を使って、抽出した論理ゲートの入力信号を
クロストークノイズが発生しやすい信号値となるテスト
パタンを生成する請求項7記載の半導体集積回路のテス
ト方法。
8. A gate delay ATPG tool,
8. The test method for a semiconductor integrated circuit according to claim 7, wherein a test pattern is generated using the test circuit so that the extracted input signal of the logic gate has a signal value that easily causes crosstalk noise.
【請求項9】 追加したテスト回路の外部端子における
期待値を削除することによりテストパタンを修正し、こ
の修正したテストパタンにより半導体集積回路をテスト
する請求項7記載の半導体集積回路のテスト方法。
9. The test method for a semiconductor integrated circuit according to claim 7, wherein the test pattern is corrected by deleting an expected value at the external terminal of the added test circuit, and the semiconductor integrated circuit is tested using the corrected test pattern.
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