JP2001297899A - Plasma processing device - Google Patents
Plasma processing deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
に関し、特に大面積で均一な高周波放電プラズマを生成
・制御するためのプラズマ処理装置に関する。The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly to a plasma processing apparatus for generating and controlling a large-area and uniform high-frequency discharge plasma.
【0002】[0002]
【背景技術】シリコンなどでできている基板の上に、導
体、半導体、絶縁物の薄膜を張り合わせて組み立てられ
ているLSI(大規模集積回路)などは、小型化のため
や、信号の遅れが少なくなるように部品間の配線を短く
するために、より薄くより細かく作ることが今日要求さ
れている。薄膜作成法は大別すると、物理的方法と化学
的方法に分けられており、前者は、真空蒸着法やスパッ
タリングにより飛来した物質が基板上に堆積するもの
で、物理的蒸着(Physical Vapor Deposition,PV
D)と称される。後者は、水素化物などをなんらかの方
法で分解して活性種をつくり、それらが基板表面で反応
・堆積するもので、化学的相堆積(Chemical Vapor Dep
osition,CVD)と称される。例えば、シリコン単結
晶膜はCVD法によって製造することができ、SiH4
(気体)を900℃以上に加熱、分解して結晶成長させ
ることで作成される。この熱分解により膜を生成する処
理法を熱CVD法と呼ぶのに対して、放電プラズマによ
って気体を分解して膜を生成する処理法を、プラズマC
VD法(Plasma CVD,Plasma-assisted CVD,Plasma-en
hanced CVD)と呼ぶ。例えばSiH4ガスに放電を行う
と、高エネルギー電子との衝突解難によって発生したS
iHx等の活性種の表面反応によって、シリコン薄膜が
できる。低温,ドライ・プロセスであるプラズマCVD
法は、LSI製造などに広く実用されている。このプラ
ズマCVD法によって、大面積な基板上に高速に成膜す
るために、基板上で均一な高周波放電プラズマを生成・
制御することが望まれている。しかしながら、プラズマ
の誘電率は実部が負になることもあり、アンテナから放
射された電磁波はわずかな距離で急激に減衰し、均一な
プラズマを得ることは必ずしも容易ではない。2. Description of the Related Art LSIs (large-scale integrated circuits) assembled by laminating thin films of conductors, semiconductors, and insulators on a substrate made of silicon or the like are used to reduce the size or delay of signals. Today, there is a demand for thinner and finer structures in order to shorten the wiring between components so as to reduce them. Thin film preparation methods can be broadly divided into physical methods and chemical methods. The former is a method in which a substance flying by a vacuum evaporation method or sputtering is deposited on a substrate, and physical vapor deposition (Physical Vapor Deposition, PV
D). In the latter, hydrides and the like are decomposed by some method to form active species, which react and deposit on the substrate surface. Chemical vapor deposition (Chemical Vapor Dep.
osition, CVD). For example, a silicon single crystal film can be manufactured by a CVD method, and SiH 4
It is created by heating and decomposing (gas) to 900 ° C. or higher to grow crystals. The processing method of generating a film by thermal decomposition is called a thermal CVD method, whereas the processing method of decomposing a gas by discharge plasma to generate a film is called a plasma CVD method.
VD method (Plasma CVD, Plasma-assisted CVD, Plasma-en
hanced CVD). For example, when a discharge is performed to SiH 4 gas, S generated due to difficult collision with high energy electrons
the active species of the surface reaction such iH x, it is the silicon thin film. Plasma CVD is a low temperature, dry process
The method is widely used in LSI manufacturing and the like. In order to form a film on a large substrate at high speed by this plasma CVD method, uniform high frequency discharge plasma is generated on the substrate.
It is desired to control. However, the real part of the dielectric constant of the plasma may be negative, and the electromagnetic wave radiated from the antenna rapidly attenuates at a short distance, and it is not always easy to obtain a uniform plasma.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、大面
積で均一な高周波放電プラズマを生成・制御するための
電極構造を提案し、これを用いて所定の基板に均一に成
膜することができるプラズマ処理装置を提案することで
ある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to propose an electrode structure for generating and controlling a large-area and uniform high-frequency discharge plasma, and to uniformly form a film on a predetermined substrate using the same. The purpose of the present invention is to propose a plasma processing apparatus capable of performing the above.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、高周波電源と、真空容器と、前記真空容
器内に設置され、前記高周波電源に電気的に結合された
アンテナと、前記真空容器内に設置され、前記アンテナ
により形成されるプラズマの処理対象物とを備える、高
周波放電を用いたプラズマ処理装置において、前記アン
テナは、ファラデー・シールドを有する単体のアンテナ
又はアンテナ・アレイであることを特徴とする。この構
成により、大面積にわたる均一な高周波放電プラズマの
生成や制御ができ、例えば、所定の基板に均一に成膜す
ることができる。前記ファラデー・シールドは、前記ア
ンテナの周囲に設けた複数の導体と、前記複数の導体を
電気的にショートする導体であるシールド・ショートと
を備えており、複数の導体の形状、数、間隔や、シール
ド・ショートの位置等を変化させることにより、所望の
均一な電磁界分布を得ることができ、プラズマの均一な
生成が可能となる。In order to achieve the above object, the present invention provides a high-frequency power supply, a vacuum vessel, and an antenna installed in the vacuum vessel and electrically connected to the high-frequency power supply. A plasma processing apparatus using a high-frequency discharge, which is provided in the vacuum vessel and includes a plasma processing target formed by the antenna, wherein the antenna is a single antenna or an antenna array having a Faraday shield. There is a feature. With this configuration, uniform high-frequency discharge plasma can be generated and controlled over a large area. For example, a uniform film can be formed on a predetermined substrate. The Faraday shield includes a plurality of conductors provided around the antenna, and a shield short that is a conductor that electrically shorts the plurality of conductors. By changing the position of the shield / short, etc., a desired uniform electromagnetic field distribution can be obtained, and uniform generation of plasma can be achieved.
【0005】[0005]
【発明の実施の形態】本発明は、大面積で均一な高周波
放電プラズマを生成・制御するために、ファラデー・シ
ールド付プラズマ生成用アンテナを有したプラズマ処理
装置を用いている。以下に、本発明の実施形態を、図面
を参照して、詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention uses a plasma processing apparatus having a plasma generating antenna with a Faraday shield in order to generate and control a large-area and uniform high-frequency discharge plasma. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【0006】図1は本発明の実施形態である、プラズマ
処理装置の構成図である。CVD処理を行う真空容器2
00内部は真空である。真空容器200は、外部よりガ
スを導入するためのガス導入口260を備える。この真
空容器200の内部には、高周波放電を行ってプラズマ
を生成するためのアンテナ210を備えている。外部の
高周波電源(図示せず)とアンテナ210は、高周波電
力を導く同軸線路240の芯線に取り付けて接続してい
る。真空容器200内部には、アンテナからの高周波に
より生成されるプラズマによって成膜を施すために、例
えば、半導体基板250がアンテナ210の両側に置か
れている。FIG. 1 is a configuration diagram of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Vacuum container 2 for performing CVD processing
00 is vacuum. The vacuum vessel 200 includes a gas inlet 260 for introducing a gas from the outside. An antenna 210 for performing high-frequency discharge to generate plasma is provided inside the vacuum vessel 200. An external high-frequency power supply (not shown) and an antenna 210 are attached and connected to a core wire of a coaxial line 240 for guiding high-frequency power. Inside the vacuum vessel 200, for example, semiconductor substrates 250 are placed on both sides of the antenna 210 in order to form a film using plasma generated by high frequency from the antenna.
【0007】アンテナ210には、リング状の複数の導
体により構成され、アンテナ210に取り巻くようにア
ンテナ210と垂直に設置しているファラデー・シール
ド230が付属している。このファラデー・シールド2
30は、シールド・ショート220である導体により支
持されるとともに、電気的に短絡されている。半導体基
板250上に生成する膜に応じたガスを、外部からガス
導入口260より真空容器200内に導入してから、プ
ラズマを発生させるために、高周波電力をアンテナ21
0に供給する。アンテナに供給される高周波電力は、高
周波電源(図示せず)から同軸線路240を介して、真
空容器200内のアンテナ210に導かれる。電磁波が
アンテナ210で励振され、ファラデー・シールド23
0を介して放射される。放射された電磁波は、あらかじ
め注入しておいたガスと作用してプラズマが生成され
る。使用するガスとして、例えばシリコン膜を生成する
ためのシラン(SiH4)ガスなどが用いられる。ファ
ラデー・シールド230を介してアンテナ210から放
射された電磁波はガスと作用して放電プラズマを生成
し、この放電プラズマがアンテナ210と平行に数cm
隔てて両側に配置された半導体基板250上に所定の成
膜を行う。プラズマの分布は、ファラデー・シールド2
30を用いることにより、均一となるように制御するこ
とができる。この制御は、ファラデー・シールド230
を構成するリング状導体の寸法と間隔、シールド・ショ
ート220の取り付け位置を変化させることにより行
う。プラズマの分布が均一となることで、大面積にわた
り成膜が行われるようにすることができる。本実施形態
ではファラデー・シールド230内にアンテナ210に
折り返しアンテナを用いているが、他のアンテナの形状
またはそれらのアンテナが複数個配置されてもよい。[0007] The antenna 210 is provided with a Faraday shield 230 which is constituted by a plurality of ring-shaped conductors and is installed vertically around the antenna 210 so as to surround the antenna 210. This Faraday Shield 2
Reference numeral 30 is supported by a conductor that is a shield short 220 and is electrically short-circuited. After a gas corresponding to a film generated on the semiconductor substrate 250 is externally introduced into the vacuum vessel 200 through the gas inlet 260, high-frequency power is applied to the antenna 21 to generate plasma.
Supply 0. High-frequency power supplied to the antenna is guided from a high-frequency power supply (not shown) to the antenna 210 in the vacuum vessel 200 via the coaxial line 240. The electromagnetic wave is excited by the antenna 210 and the Faraday shield 23
Emitted through 0. The radiated electromagnetic waves interact with gas that has been injected in advance to generate plasma. As a gas to be used, for example, a silane (SiH 4 ) gas for forming a silicon film is used. The electromagnetic wave radiated from the antenna 210 via the Faraday shield 230 acts on the gas to generate a discharge plasma, and this discharge plasma is several centimeters parallel to the antenna 210.
A predetermined film is formed on the semiconductor substrates 250 arranged on both sides of the semiconductor substrate. Plasma distribution is Faraday Shield 2
By using 30, control can be performed so as to be uniform. This control is performed by the Faraday shield 230
By changing the dimensions and spacing of the ring-shaped conductors and the mounting position of the shield short 220. By making the distribution of plasma uniform, film formation can be performed over a large area. In this embodiment, a folded antenna is used as the antenna 210 in the Faraday shield 230, but another antenna shape or a plurality of such antennas may be arranged.
【0008】図2は、図1の真空容器200内のプラズ
マを生成するためのアンテナの構成を示している。図2
(a)のように、ファラデー・シールド230は複数の
リング状導体で構成されており、その寸法、形状、及び
リング間隔は任意に設定することが可能である。これら
のリングを支持し、かつ電気的に短絡するためにシール
ド・ショート220を設けている。折り返しアンテナ2
10は、図に向かって左側の方が同軸線路240を介し
て高周波電源に電気的に接続されているが、この図では
同軸線路240を省略しているため、高周波電源との接
続関係を表すために真空容器底面244と交差する点
に、交流電源の記号を用いて、給電点242を示してい
る。FIG. 2 shows the configuration of an antenna for generating plasma in the vacuum vessel 200 of FIG. FIG.
As shown in (a), the Faraday shield 230 is composed of a plurality of ring-shaped conductors, and the size, shape, and ring interval can be arbitrarily set. A shield short 220 is provided to support and electrically short these rings. Folded antenna 2
10 is electrically connected to the high-frequency power supply via the coaxial line 240 on the left side of the figure, but the connection relationship with the high-frequency power supply is shown because the coaxial line 240 is omitted in this figure. For this reason, a power supply point 242 is shown using a symbol of an AC power supply at a point intersecting with the vacuum vessel bottom surface 244.
【0009】ファラデー・シールド230をプラズマ発
生部に用いることによる効果は、一般に次のことが挙げ
られる。 (1)高速粒子からアンテナ導体を保護する。 (2)アンテナに垂直な電界成分を遮断する。 (3)準静電界成分を遮断し、いわゆる放射電磁界成分
だけを透過させる。本発明においても以上の効果を利用
するが、 (4)アンテナ全体にわたる滑らかな分布に変えること
ができる。という働きが、本発明では、主に有用である
効果である。ファラデー・シールド230を設けない場
合、電界のアンテナ軸方向成分(図2(a)におけるz
成分)が、給電点242の近傍だけ大きなピークを持つ
分布になるが、ファラデー・シールド230を設ける
と、アンテナ全体にわたる滑らかな分布に変えることが
できる。The effects obtained by using the Faraday shield 230 for the plasma generating section generally include the following. (1) Protect the antenna conductor from high-speed particles. (2) Block an electric field component perpendicular to the antenna. (3) The quasi-electrostatic field component is blocked, and only the so-called radiated electromagnetic field component is transmitted. The above effects are also used in the present invention. (4) The distribution can be changed to a smooth distribution over the entire antenna. This is an effect that is mainly useful in the present invention. When the Faraday shield 230 is not provided, the component of the electric field in the axial direction of the antenna (z in FIG.
Component) has a peak having a large peak only in the vicinity of the feeding point 242. However, when the Faraday shield 230 is provided, the distribution can be changed to a smooth distribution over the entire antenna.
【0010】図2(b)はシールド・ショート220の
位置及び本数を変化させた場合の、アンテナに垂直な断
面図を示しており、(i)は中央ショート、(ii)は反給電
側ショート、(iii)は給電側ショート、(iv)は両側ショ
ートを示している。この図2(b)を参照にしながらシ
ールド・ショート220の効果について説明する。4つ
のシールド・ショートの位置にかかわらず、シールド・
ショートは給電アンテナに対して反射器の役割を持って
おり、単なる短絡の役割のほかにショート導体の反対方
向に強く放射させる機能を兼ね備えている。ここではシ
ールド・ショートの位置を4つ示したが、なんらこれに
限定されるものではないし、他の組合せでもよい。FIG. 2B is a cross-sectional view perpendicular to the antenna when the position and the number of the shield shorts 220 are changed. FIG. , (Iii) indicates a short circuit on the power supply side, and (iv) indicates a short circuit on both sides. The effect of the shield short 220 will be described with reference to FIG. Regardless of the position of the four shield shorts,
The short has a role of a reflector for the feeding antenna, and has a function of radiating strongly in the opposite direction of the short conductor in addition to the role of a simple short. Although four shield short positions are shown here, the present invention is not limited to this, and other combinations may be used.
【0011】<実施例>ここでは具体的な実施例とし
て、図3のような、ファラデー・シールド付き折り返し
アンテナの構成を示す。図3(a),(b)に示すよう
に、アンテナ310には、給電点342で高周波電源
(図示せず)と電気的に接続されている。このアンテナ
には、垂直に設けているファラデー・シールド330、
ファラデー・シールド330を支持し、電気的にも接続
しているシールド・ショート320が付属している。こ
のアンテナ310の全長は1.51mであり、真空中で
は50MHz付近で共振する。この例におけるプラズマ
・パラメータは、プラズマ周波数:180MHz、衝突
頻度:5.3Gs-1である。線上アンテナとして折り返
しアンテナ310を用い、これと垂直に設けるファラデ
ー・シールド330には方形リング状導体を用い、シー
ルド・ショート導体320により支持している。シール
ドの間隔は3cmであり、直径1cmの折り返しアンテ
ナから1cm隔てて囲む寸法である。図3(b)のy軸
上においてy=3,4,5の各点を観測点A,B,Cと
し、各点のEz成分の電界強度を後に示す。<Embodiment> As a specific embodiment, a configuration of a folded antenna with a Faraday shield as shown in FIG. 3 is shown. As shown in FIGS. 3A and 3B, the antenna 310 is electrically connected to a high-frequency power supply (not shown) at a feeding point 342. This antenna has a vertically provided Faraday shield 330,
A shield short 320 that supports and electrically connects the Faraday shield 330 is included. The total length of the antenna 310 is 1.51 m, and resonates at about 50 MHz in a vacuum. The plasma parameters in this example are plasma frequency: 180 MHz and collision frequency: 5.3 Gs -1 . A folded antenna 310 is used as an on-line antenna, and a rectangular ring-shaped conductor is used for a Faraday shield 330 provided perpendicularly to the folded antenna 310 and is supported by a shield short conductor 320. The distance between the shields is 3 cm, which is a dimension surrounding the folded antenna having a diameter of 1 cm at a distance of 1 cm. Each point of y = 3, 4, 5 on the y-axis in FIG. 3B is defined as observation points A, B, and C, and the electric field intensity of the Ez component of each point will be described later.
【0012】図4は使用周波数50MHzにおける真空
中でのアンテナ近傍のEz成分の電界強度分布を示した
ものである。図4(a)のファラデー・シールドがない
場合のグラフは、電界Ez成分は給電部近傍及び折り返
し部に集中しており、全体的に不均一な分布となってい
る。一方、図4(b)のファラデー・シールドを付加し
た場合のグラフは給電点付近の電界の集中が弱まり、ア
ンテナの長さ方向に一様な分布が得られている。観測点
がファラデー・シールドから4cm離れた場合、電界に
細かな振動が生じているが、6cm程度離すことによっ
て均一となっており、成膜するガラス基板を設置する位
置の最適化を図ることができる。以上の結果から、ファ
ラデー・シールド330のリング状導体の間隔や寸法を
最適化することによって、より均一な電界強度分布が得
られる。同様に、図5は、プラズマ中でのアンテナ近傍
のEz成分の電界強度分布を示したものである。図5
(a)に示したファラデー・シールドがない場合のグラ
フは、電界強度は真空のときと比べて大幅に減衰してい
る。この減衰は、50MHzの周波数がプラズマ周波数
よりも小さくカットオフの状態にあるためである。ま
た、電界Ez成分はアンテナの給電部近傍及び折り返し
部に集中しており、プラズマの局所的な生成、アンテナ
導体の絶縁破壊を引き起こす恐れが生じるため不都合で
ある。これに対して、図5(b)のファラデー・シール
ドを付加した場合のグラフは、真空の場合と同様に均一
な形に近い分布となることがわかる。これらのことか
ら、本発明の一実施例である、ファラデー・シールド付
プラズマ生成用アンテナは、プラズマ処理装置において
均一なプラズマを大面積にわたり生成することができ
る。FIG. 4 shows the electric field intensity distribution of the Ez component near the antenna in a vacuum at a working frequency of 50 MHz. In the graph without the Faraday shield shown in FIG. 4A, the electric field Ez component is concentrated near the feeding portion and the folded portion, and has a non-uniform distribution as a whole. On the other hand, in the graph of FIG. 4B in the case where the Faraday shield is added, the concentration of the electric field near the feeding point is weakened, and a uniform distribution is obtained in the length direction of the antenna. When the observation point is 4 cm away from the Faraday shield, fine vibrations are generated in the electric field, but it is uniform by about 6 cm away, and it is possible to optimize the position where the glass substrate for film formation is installed it can. From the above results, a more uniform electric field intensity distribution can be obtained by optimizing the intervals and dimensions of the ring-shaped conductors of the Faraday shield 330. Similarly, FIG. 5 shows the electric field intensity distribution of the Ez component near the antenna in the plasma. FIG.
In the graph without the Faraday shield shown in (a), the electric field strength is greatly attenuated as compared with the case of a vacuum. This attenuation is due to the fact that the frequency of 50 MHz is smaller than the plasma frequency and is in a cutoff state. In addition, the electric field Ez component is concentrated near the feeding portion and the folded portion of the antenna, which is disadvantageous because it may cause local generation of plasma and dielectric breakdown of the antenna conductor. On the other hand, it can be seen that the graph in the case where the Faraday shield is added in FIG. 5B has a distribution close to a uniform shape as in the case of the vacuum. For these reasons, the plasma generation antenna with the Faraday shield, which is one embodiment of the present invention, can generate uniform plasma over a large area in the plasma processing apparatus.
【0013】<他の実施形態>図6は、本発明の実施形
態の一つであるプラズマ生成用のアンテナをアレー化し
た一例であり、図3と同様のファラデー・シールド付プ
ラズマ生成用アンテナのアレー・モデルである。このよ
うにプラズマ処理装置のプラズマ生成部にファラデー・
シールド付プラズマ生成用アンテナを複数用いたりする
ことによって、より大面積にわたってプラズマを生成す
ることができる。その際、それぞれのアンテナの間隔や
シールド・ショートの位置、ファラデー・シールドの導
体リングの間隔等、組合せを変えることもできる。<Another Embodiment> FIG. 6 shows an example in which an antenna for plasma generation according to one embodiment of the present invention is formed into an array, and is similar to the antenna for plasma generation with a Faraday shield shown in FIG. It is an array model. In this way, the Faraday /
By using a plurality of shielded plasma generation antennas, plasma can be generated over a larger area. At this time, the combination such as the distance between the antennas, the position of the shield short-circuit, the distance between the conductor rings of the Faraday shield, and the like can be changed.
【0014】[0014]
【発明の効果】本発明において、大面積にわたる均一な
高周波放電プラズマを生成・制御する装置、及び方法と
してファラデー・シールド付プラズマ生成用アンテナを
有するプラズマ処理装置を提案した。さらにシールドの
寸法、シールド・ショートの位置を変化させることによ
り均一なプラズマを大面積にわたり生成する方法を示し
た。According to the present invention, an apparatus for generating and controlling a uniform high-frequency discharge plasma over a large area and a plasma processing apparatus having a plasma generating antenna with a Faraday shield as a method have been proposed. Furthermore, a method for generating a uniform plasma over a large area by changing the size of the shield and the position of the shield short was shown.
【図1】 本発明の一実施形態の構成を示した図であ
る。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an embodiment of the present invention.
【図2】 本発明のアンテナの構成を示した図である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of an antenna according to the present invention.
【図3】 本発明の一実施例であるアンテナの構成を示
した図である。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of an antenna according to an embodiment of the present invention.
【図4】 真空中でのアンテナ近傍のEz成分の電界強
度分布を示したグラフである。FIG. 4 is a graph showing an electric field intensity distribution of an Ez component near an antenna in a vacuum.
【図5】 プラズマ中でのアンテナ近傍のEz成分の電
界強度分布を示したグラフである。FIG. 5 is a graph showing an electric field intensity distribution of an Ez component near an antenna in plasma.
【図6】 アンテナをアレー化した構成の一例を示した
図である。FIG. 6 is a diagram showing an example of a configuration in which antennas are arrayed.
200 真空容器 210 アンテナ 220 シールド・ショート 230 ファラデー・シールド 240 同軸線路 242 給電点 244 真空容器底面 250 半導体基板 260 ガス導入口 310 アンテナ 320 シールド・ショート 330 ファラデー・シールド 342 給電点 200 Vacuum container 210 Antenna 220 Shield short 230 Faraday shield 240 Coaxial line 242 Feed point 244 Vacuum container bottom 250 Semiconductor substrate 260 Gas inlet 310 Antenna 320 Shield short 330 Faraday shield 342 Feed point
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Claims (2)
器内に設置され、前記高周波電源に電気的に結合された
アンテナと、前記真空容器内に設置され、前記アンテナ
により形成されるプラズマの処理対象物とを備える、高
周波放電を用いたプラズマ処理装置において、 前記アンテナは、ファラデー・シールドを有する単体の
アンテナ又はアンテナ・アレイであることを特徴とする
プラズマ処理装置。A high-frequency power supply, a vacuum vessel, an antenna installed in the vacuum vessel, and electrically coupled to the high-frequency power supply, and a plasma formed in the vacuum vessel and formed by the antenna. A plasma processing apparatus using a high-frequency discharge including a processing target, wherein the antenna is a single antenna or an antenna array having a Faraday shield.
て、 前記ファラデー・シールドは、前記アンテナの周囲に設
けた複数の導体と、 前記複数の導体を電気的にショートする導体であるシー
ルド・ショートとを備えることを特徴とするプラズマ処
理装置。2. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the Faraday shield includes a plurality of conductors provided around the antenna, and a shield short that is a conductor that electrically shorts the plurality of conductors. A plasma processing apparatus comprising:
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