JP2001296259A - Ｘ線回折装置 - Google Patents
Ｘ線回折装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】材料の結晶構造の決定、結晶性の評価等に用い
られるＸ線回折装置において、従来技術では測定が困難
であったＭＯＣＶＤ装置（有機金属化学気相成長装置）
等の腐食性の反応ガス雰囲気中であっても、作製した材
料の事後の評価のみならず、作製中における材料の評価
も容易に行える構造のＸ線回折装置を提供する。 【解決手段】Ｘ線回折によって物質の構造を調べるＸ線
回折チャンバーを有するＸ線回折装置であって、Ｘ線回
折チャンバーは少なくともＸ線が透過する部分をＸ線透
過性の材料により作製すると共に、内面に腐食性の反応
ガスに対して耐腐食性の物質をコーティングして、反応
性ガス存在下で、作製した材料の事後の評価のみなら
ず、作製中における材料の評価も可能な構造のＸ線回折
チャンバーを備えたＸ線回折装置とする。
られるＸ線回折装置において、従来技術では測定が困難
であったＭＯＣＶＤ装置（有機金属化学気相成長装置）
等の腐食性の反応ガス雰囲気中であっても、作製した材
料の事後の評価のみならず、作製中における材料の評価
も容易に行える構造のＸ線回折装置を提供する。 【解決手段】Ｘ線回折によって物質の構造を調べるＸ線
回折チャンバーを有するＸ線回折装置であって、Ｘ線回
折チャンバーは少なくともＸ線が透過する部分をＸ線透
過性の材料により作製すると共に、内面に腐食性の反応
ガスに対して耐腐食性の物質をコーティングして、反応
性ガス存在下で、作製した材料の事後の評価のみなら
ず、作製中における材料の評価も可能な構造のＸ線回折
チャンバーを備えたＸ線回折装置とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、材料の結晶構造の
決定、結晶性の評価等に用いられるＸ線回折装置に係
り、特にＭＯＣＶＤ装置（有機金属化学気相成長装置）
等において、反応性ガスの存在下であっても、作製した
材料の事後の評価のみならず作製中における材料の評価
も可能な構造のＸ線回折装置に関する。
決定、結晶性の評価等に用いられるＸ線回折装置に係
り、特にＭＯＣＶＤ装置（有機金属化学気相成長装置）
等において、反応性ガスの存在下であっても、作製した
材料の事後の評価のみならず作製中における材料の評価
も可能な構造のＸ線回折装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線回折法は、ブラッグ（Bragg）反射
の法則を利用し、材料の結晶構造の決定、結晶性の評価
等に用いられ、半導体材料、金属材料、高分子材料等の
評価に欠かすことができない評価法となっている。特
に、最近の材料技術の発達に伴い、作製した材料の事後
の評価のみならず材料作製中における評価も求められる
ようになってきている。このためには、材料作製装置と
Ｘ線回折装置とを組み合わせる必要があり、種々の装置
が考案されている。
の法則を利用し、材料の結晶構造の決定、結晶性の評価
等に用いられ、半導体材料、金属材料、高分子材料等の
評価に欠かすことができない評価法となっている。特
に、最近の材料技術の発達に伴い、作製した材料の事後
の評価のみならず材料作製中における評価も求められる
ようになってきている。このためには、材料作製装置と
Ｘ線回折装置とを組み合わせる必要があり、種々の装置
が考案されている。
【０００３】図２に、材料を高温で熱しながら測定する
ことができる従来のＸ線回折装置の一例を示す。Ｘ線回
折装置は大きく分けてブラッグ（Bragg）反射測定を行
うためのＸ線ゴニオメーター１および試料４を保持する
ためのＸ線回折チャンバー２から構成されている。Ｘ線
回折の測定は、上記チャンバー２の側面に設けられたＸ
線入射窓３越しに、該チャンバー２内にセットした試料
４にＸ線５を照射し、試料４から生じるブラッグ反射Ｘ
線６を取り出し、Ｘ線取り出し窓７越しに検出器８で検
出する方式である。
ことができる従来のＸ線回折装置の一例を示す。Ｘ線回
折装置は大きく分けてブラッグ（Bragg）反射測定を行
うためのＸ線ゴニオメーター１および試料４を保持する
ためのＸ線回折チャンバー２から構成されている。Ｘ線
回折の測定は、上記チャンバー２の側面に設けられたＸ
線入射窓３越しに、該チャンバー２内にセットした試料
４にＸ線５を照射し、試料４から生じるブラッグ反射Ｘ
線６を取り出し、Ｘ線取り出し窓７越しに検出器８で検
出する方式である。
【０００４】このＸ線回折装置を、例えば、反応性ガス
を用いるＭＯＣＶＤ装置（Metalorganic chemica1 vapo
r deposition：有機金属化学気相成長装置）に使用する
場合、使用するガスによってはＸ線回折チャンバー２を
構成する材料と反応を起こす可能性がある。例えば、該
チャンバー２の一部にＸ線を透過しやすいアルミニウム
を使った場合、原料用ガスとしてＴＭＧ（Trimethy1gal
lium）を用いると、ＴＭＧ中のＧａ原子がアルミニウム
と反応し、該チャンバー２の壁の腐食を招く恐れがあ
る。これを防ぐために、通常、ＭＯＣＶＤ装置で用いら
れている石英やステンレス板を使って該チャンバー２を
作製すると、今度はＸ線が透過しないという問題が生じ
てしまい、Ｘ線回折を行うことが困難となる。
を用いるＭＯＣＶＤ装置（Metalorganic chemica1 vapo
r deposition：有機金属化学気相成長装置）に使用する
場合、使用するガスによってはＸ線回折チャンバー２を
構成する材料と反応を起こす可能性がある。例えば、該
チャンバー２の一部にＸ線を透過しやすいアルミニウム
を使った場合、原料用ガスとしてＴＭＧ（Trimethy1gal
lium）を用いると、ＴＭＧ中のＧａ原子がアルミニウム
と反応し、該チャンバー２の壁の腐食を招く恐れがあ
る。これを防ぐために、通常、ＭＯＣＶＤ装置で用いら
れている石英やステンレス板を使って該チャンバー２を
作製すると、今度はＸ線が透過しないという問題が生じ
てしまい、Ｘ線回折を行うことが困難となる。
【０００５】また、図２に示すようなＸ線入射窓３ある
いはＸ線取り出し窓７としては、通常ベリリウムが用い
られるが、ベリリウム自体はそれほど強く丈夫でないこ
とから、ＭＯＣＶＤ装置のような高温かつ反応性ガスを
使用する雰囲気においては、ベリリウム窓のクラック等
による事故が生じる可能性がある。
いはＸ線取り出し窓７としては、通常ベリリウムが用い
られるが、ベリリウム自体はそれほど強く丈夫でないこ
とから、ＭＯＣＶＤ装置のような高温かつ反応性ガスを
使用する雰囲気においては、ベリリウム窓のクラック等
による事故が生じる可能性がある。
【０００６】さらに、反応ガスをシールしながらＸ線を
透過することのできるベリリウム窓は非常に高価なもの
となり、反応性ガスの生成物が付着しやすいＭＯＣＶＤ
装置には適当な材料であるとは言えない。同様の事例
は、例えば上記チャンバーに塩素ガス、硫化水素ガス等
を導入し、金属の初期腐食過程を調べる場合においても
生じる。
透過することのできるベリリウム窓は非常に高価なもの
となり、反応性ガスの生成物が付着しやすいＭＯＣＶＤ
装置には適当な材料であるとは言えない。同様の事例
は、例えば上記チャンバーに塩素ガス、硫化水素ガス等
を導入し、金属の初期腐食過程を調べる場合においても
生じる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、材料
の結晶構造の決定、結晶性の評価等に用いられるＸ線回
折装置において、従来技術では測定が困難であった、Ｍ
ＯＣＶＤ装置（有機金属化学気相成長装置）等の反応性
ガス雰囲気中であっても、作製した材料の事後の評価の
みならず作製中における材料の評価も容易に行える構造
のＸ線回折装置を提供することにある。
の結晶構造の決定、結晶性の評価等に用いられるＸ線回
折装置において、従来技術では測定が困難であった、Ｍ
ＯＣＶＤ装置（有機金属化学気相成長装置）等の反応性
ガス雰囲気中であっても、作製した材料の事後の評価の
みならず作製中における材料の評価も容易に行える構造
のＸ線回折装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記本発明の課題を解決
するために、特許請求の範囲に記載のような構成とする
ものである。すなわち、請求項１に記載のように、Ｘ線
回折によって物質の構造を調べるＸ線回折チャンバーを
有するＸ線回折装置であって、上記Ｘ線回折チャンバー
は、少なくともＸ線が透過する該チャンバーの壁部分を
Ｘ線透過性の材質により作製すると共に、その内面に反
応性ガスに対し耐腐食性の物質をコーティングして、反
応性ガス存在下で、作製した材料の事後の評価のみなら
ず作製中における材料の評価も可能な構造のＸ線回折チ
ャンバーを備えたＸ線回折装置とするものである。
するために、特許請求の範囲に記載のような構成とする
ものである。すなわち、請求項１に記載のように、Ｘ線
回折によって物質の構造を調べるＸ線回折チャンバーを
有するＸ線回折装置であって、上記Ｘ線回折チャンバー
は、少なくともＸ線が透過する該チャンバーの壁部分を
Ｘ線透過性の材質により作製すると共に、その内面に反
応性ガスに対し耐腐食性の物質をコーティングして、反
応性ガス存在下で、作製した材料の事後の評価のみなら
ず作製中における材料の評価も可能な構造のＸ線回折チ
ャンバーを備えたＸ線回折装置とするものである。
【０００９】また、請求項２に記載のように、請求項１
に記載のＸ線回折装置のＸ線回折チャンバーにおいて、
入射Ｘ線およびブラッグ反射Ｘ線が透過する上記チャン
バーの壁部分は、部分的に取り外し、取り付けが可能な
構造としたＸ線回折装置とするものである。
に記載のＸ線回折装置のＸ線回折チャンバーにおいて、
入射Ｘ線およびブラッグ反射Ｘ線が透過する上記チャン
バーの壁部分は、部分的に取り外し、取り付けが可能な
構造としたＸ線回折装置とするものである。
【００１０】また、請求項３に記載のように、請求項１
または２に記載のＸ線回折装置のＸ線回折チャンバーに
おいて、該チャンバーを構成する材料は、ベリリウムま
たはベリリウムの酸化物、窒化物、ホウ素またはホウ素
の酸化物、窒化物、炭化物、カーボンまたは炭化物、ア
ルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金、チ
タンまたはチタンを主成分とする合金、バナジウムまた
はバナジウムを主成分とする合金、クロムまたはクロム
を主成分とする合金、マンガンまたはマンガンを主成分
とする合金のうちから選択される少なくとも１種の材料
よりなるＸ線回折装置とするものである。
または２に記載のＸ線回折装置のＸ線回折チャンバーに
おいて、該チャンバーを構成する材料は、ベリリウムま
たはベリリウムの酸化物、窒化物、ホウ素またはホウ素
の酸化物、窒化物、炭化物、カーボンまたは炭化物、ア
ルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金、チ
タンまたはチタンを主成分とする合金、バナジウムまた
はバナジウムを主成分とする合金、クロムまたはクロム
を主成分とする合金、マンガンまたはマンガンを主成分
とする合金のうちから選択される少なくとも１種の材料
よりなるＸ線回折装置とするものである。
【００１１】また、請求項４に記載のように、請求項１
または２に記載のＸ線回折装置のＸ線回折チャンバーに
おいて、該チャンバーの内壁を、酸化ケイ素、カーボ
ン、ベリリウム、ステンレス、モリブデン、モネル合金
のうちより選択される少なくとも１種の材料によってコ
ーティングしてなるＸ線回折装置とするものである。
または２に記載のＸ線回折装置のＸ線回折チャンバーに
おいて、該チャンバーの内壁を、酸化ケイ素、カーボ
ン、ベリリウム、ステンレス、モリブデン、モネル合金
のうちより選択される少なくとも１種の材料によってコ
ーティングしてなるＸ線回折装置とするものである。
【００１２】上記請求項１〜４に記載のような構造のＸ
線回折チャンバーを備えたＸ線回折装置とすることによ
り、従来技術では測定が困難であったＭＯＣＶＤ装置
（有機金属化学気相成長装置）等の腐食性の反応ガス雰
囲気中であっても、作製した材料の事後の評価のみなら
ず作製中における材料の評価も簡便に行うことができ、
半導体材料および金属材料への開発に大きく貢献でき
る。
線回折チャンバーを備えたＸ線回折装置とすることによ
り、従来技術では測定が困難であったＭＯＣＶＤ装置
（有機金属化学気相成長装置）等の腐食性の反応ガス雰
囲気中であっても、作製した材料の事後の評価のみなら
ず作製中における材料の評価も簡便に行うことができ、
半導体材料および金属材料への開発に大きく貢献でき
る。
【００１３】本発明のＸ線回折装置は、少なくともＸ線
入射窓およびＸ線取り出し窓の部分の材質をＸ線透過性
の材質で作製し、内面に反応性ガスに対して耐腐食性物
質をコーティングしたＸ線回折チャンバーを備えたもの
である。このＸ線回折チャンバーは、試料上で材料を作
製（例えば成膜）する場合は、試料をヒーターで加熱す
ると共に、反応性ガスを該チャンバー上部に設けたガス
導入口より該チャンバー内に導入し、試料上で熱分解さ
せ成膜する。反応後のガスは排気ポートからチャンバー
外に排気され、除害装置で無毒化される。このようなプ
ロセスを踏むことにより、試料上に材料の作製が可能と
なり、プロセスの各段階においてＸ線回折を行うことが
可能となり、材料の結晶構造の決定、結晶性の評価等が
実施でき、半導体材料、金属材料等の開発への貢献を図
ることができる。
入射窓およびＸ線取り出し窓の部分の材質をＸ線透過性
の材質で作製し、内面に反応性ガスに対して耐腐食性物
質をコーティングしたＸ線回折チャンバーを備えたもの
である。このＸ線回折チャンバーは、試料上で材料を作
製（例えば成膜）する場合は、試料をヒーターで加熱す
ると共に、反応性ガスを該チャンバー上部に設けたガス
導入口より該チャンバー内に導入し、試料上で熱分解さ
せ成膜する。反応後のガスは排気ポートからチャンバー
外に排気され、除害装置で無毒化される。このようなプ
ロセスを踏むことにより、試料上に材料の作製が可能と
なり、プロセスの各段階においてＸ線回折を行うことが
可能となり、材料の結晶構造の決定、結晶性の評価等が
実施でき、半導体材料、金属材料等の開発への貢献を図
ることができる。
【００１４】本発明のＸ線回折チャンバーの材質として
は、ベリリウムまたはベリリウムの酸化物、窒化物等、
ホウ素またはホウ素の酸化物、窒化物、炭化物等、カー
ボンまたは炭化物等、アルミニウムまたはアルミニウム
を主成分とする合金、チタンまたはチタンを主成分とす
る合金、バナジウムまたはバナジウムを主成分とする合
金、クロムまたはクロムを主成分とする合金、マンガン
またはマンガンを主成分とする合金等の中から１種以
上、任意に選択して使用することができる。
は、ベリリウムまたはベリリウムの酸化物、窒化物等、
ホウ素またはホウ素の酸化物、窒化物、炭化物等、カー
ボンまたは炭化物等、アルミニウムまたはアルミニウム
を主成分とする合金、チタンまたはチタンを主成分とす
る合金、バナジウムまたはバナジウムを主成分とする合
金、クロムまたはクロムを主成分とする合金、マンガン
またはマンガンを主成分とする合金等の中から１種以
上、任意に選択して使用することができる。
【００１５】また、Ｘ線回折チャンバーの内面の耐腐食
コーティング材料としては、酸化ケイ素、カーボン、ベ
リリウム、ステンレス、モリブデンまたはモネル合金等
の中から少なくとも１種以上、任意に選択して使用する
ことができるが、反応性ガスに対して耐腐食性が良好な
ものであれば良く、特にその種類を特定するものではな
い。
コーティング材料としては、酸化ケイ素、カーボン、ベ
リリウム、ステンレス、モリブデンまたはモネル合金等
の中から少なくとも１種以上、任意に選択して使用する
ことができるが、反応性ガスに対して耐腐食性が良好な
ものであれば良く、特にその種類を特定するものではな
い。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明のＸ線回折装置の構成の一
例を図２に示す。以下に本発明の実施の形態について説
明するが、本発明はこれら実施の形態に限定されるもの
ではない。 〈実施の形態〉図１に示したＸ線回折チャンバーを備え
たＸ線回折装置を用い、反応性ガスとして、ＴＭＧ（ト
リメチルガリウム）およびアルシン（ＡｓＨ３）を用い
てＧａＡｓ結晶を作製すると共に、その結晶性をＸ線回
折により評価することが可能である。図１は本実施の形
態で使用したＸ線回折装置全体の構成を示す模式図であ
る。本装置のＸ線回折測定部分は、図２に示す従来のＸ
線回折装置の構造とほぼ同様であるが、試料をセットす
るためのＸ線回折チャンバーの構造は異なっている。Ｘ
線回折を行うためには、入射Ｘ線９をＸ線回折チャンバ
ー（兼反応室）１０内にセットした試料１１に照射し、
該試料１１によって生じるブラッグ反射Ｘ線１２を検出
器１３によって測定する。ここでＸ線回折チャンバー１
０は、図１の（ｂ）に示すごとく、Ｘ線を透過しやすい
チャンバー外壁１５およびＴＭＧと反応しないコーティ
ング層１６から構成されている。
例を図２に示す。以下に本発明の実施の形態について説
明するが、本発明はこれら実施の形態に限定されるもの
ではない。 〈実施の形態〉図１に示したＸ線回折チャンバーを備え
たＸ線回折装置を用い、反応性ガスとして、ＴＭＧ（ト
リメチルガリウム）およびアルシン（ＡｓＨ３）を用い
てＧａＡｓ結晶を作製すると共に、その結晶性をＸ線回
折により評価することが可能である。図１は本実施の形
態で使用したＸ線回折装置全体の構成を示す模式図であ
る。本装置のＸ線回折測定部分は、図２に示す従来のＸ
線回折装置の構造とほぼ同様であるが、試料をセットす
るためのＸ線回折チャンバーの構造は異なっている。Ｘ
線回折を行うためには、入射Ｘ線９をＸ線回折チャンバ
ー（兼反応室）１０内にセットした試料１１に照射し、
該試料１１によって生じるブラッグ反射Ｘ線１２を検出
器１３によって測定する。ここでＸ線回折チャンバー１
０は、図１の（ｂ）に示すごとく、Ｘ線を透過しやすい
チャンバー外壁１５およびＴＭＧと反応しないコーティ
ング層１６から構成されている。
【００１７】また、試料１１上で、材料作製を行うため
には試料１１をヒーター１４で加熱すると共に、反応性
ガス１７をＸ線回折チャンバー１０の上部に設けられた
ガス導入口１８より該チャンバー１０内に導入して、試
料１１上で熱分解させる。試料１１上を通過した反応後
のガスは、排気ポート１９から該チャンバー１０の外に
排気され、除害装置で無毒化される。このようなプロセ
スを踏むことにより、試料１１上での材料作製は可能と
なる。
には試料１１をヒーター１４で加熱すると共に、反応性
ガス１７をＸ線回折チャンバー１０の上部に設けられた
ガス導入口１８より該チャンバー１０内に導入して、試
料１１上で熱分解させる。試料１１上を通過した反応後
のガスは、排気ポート１９から該チャンバー１０の外に
排気され、除害装置で無毒化される。このようなプロセ
スを踏むことにより、試料１１上での材料作製は可能と
なる。
【００１８】本発明のＸ線回折装置を用いてＸ線回折を
行う場合に問題となるのは、Ｘ線回折チャンバー１０に
よるＸ線の吸収率であるが、本実施の形態では、該チャ
ンバー１０の外壁として約２ｍｍ厚さのアルミニウム板
を使用しており、波長０.０６ｎｍのＸ線を使用した場
合に、約３０％のＸ線が該チャンバー１０の外壁に吸収
される。また、該チャンバー１０の内壁にはＴＭＧと反
応しない酸化ケイ素を約０.１μｍ厚さにコーティング
しており、ここでのＸ線の吸収率は１％以下であり、ほ
とんど無視できる。したがって、トータルのＸ線の吸収
率はほぼ３０％程度であり、測定精度および時間に大き
く影響するものではないことが分かった。
行う場合に問題となるのは、Ｘ線回折チャンバー１０に
よるＸ線の吸収率であるが、本実施の形態では、該チャ
ンバー１０の外壁として約２ｍｍ厚さのアルミニウム板
を使用しており、波長０.０６ｎｍのＸ線を使用した場
合に、約３０％のＸ線が該チャンバー１０の外壁に吸収
される。また、該チャンバー１０の内壁にはＴＭＧと反
応しない酸化ケイ素を約０.１μｍ厚さにコーティング
しており、ここでのＸ線の吸収率は１％以下であり、ほ
とんど無視できる。したがって、トータルのＸ線の吸収
率はほぼ３０％程度であり、測定精度および時間に大き
く影響するものではないことが分かった。
【００１９】以上、本実施の形態で例示したように、本
発明のＸ線回折チャンバーを備えたＸ線回折装置では、
材料作製プロセスとＸ線測定を同時に行うことができ、
材料作製中のＸ線回折測定が可能となる。
発明のＸ線回折チャンバーを備えたＸ線回折装置では、
材料作製プロセスとＸ線測定を同時に行うことができ、
材料作製中のＸ線回折測定が可能となる。
【００２０】なお、本実施の形態において、Ｘ線回折チ
ャンバーを構成する材料としてアルミニウム、該チャン
バーの内壁をコーティングする材料として酸化ケイ素を
挙げて説明したが、これらの材料以外に、該チャンバー
を構成する材料として、ベリリウムまたはベリリウムの
酸化物、窒化物等、ホウ素またはホウ素の酸化物、窒化
物、炭化物等、カーボンまたは炭化物等、アルミニウム
を主成分とする合金、チタンまたはチタンを主成分とす
る合金、バナジウムまたはバナジウムを主成分とする合
金、クロムまたはクロムを主成分とする合金、マンガン
またはマンガンを主成分とする合金等の中から選択して
少なくとも１種以上用いられることを確認している。ま
た、該チャンバーの内面のコーティング材料として、酸
化ケイ素、カーボン、ベリリウム、ステンレス鋼、モリ
ブデン、モネル合金等の中から任意に選択して少なくと
も１種以上用いられることを確認している。
ャンバーを構成する材料としてアルミニウム、該チャン
バーの内壁をコーティングする材料として酸化ケイ素を
挙げて説明したが、これらの材料以外に、該チャンバー
を構成する材料として、ベリリウムまたはベリリウムの
酸化物、窒化物等、ホウ素またはホウ素の酸化物、窒化
物、炭化物等、カーボンまたは炭化物等、アルミニウム
を主成分とする合金、チタンまたはチタンを主成分とす
る合金、バナジウムまたはバナジウムを主成分とする合
金、クロムまたはクロムを主成分とする合金、マンガン
またはマンガンを主成分とする合金等の中から選択して
少なくとも１種以上用いられることを確認している。ま
た、該チャンバーの内面のコーティング材料として、酸
化ケイ素、カーボン、ベリリウム、ステンレス鋼、モリ
ブデン、モネル合金等の中から任意に選択して少なくと
も１種以上用いられることを確認している。
【００２１】
【発明の効果】本発明のＸ線回折チャンバーを備えたＸ
線回折装置を用いることにより、簡便に反応性ガスや腐
食性ガス中の材料評価にＸ線回折を利用することが可能
となり、半導体材料および金属材料の開発への貢献を図
ることができる。
線回折装置を用いることにより、簡便に反応性ガスや腐
食性ガス中の材料評価にＸ線回折を利用することが可能
となり、半導体材料および金属材料の開発への貢献を図
ることができる。
【図１】本発明の実施の形態で例示したＸ線回折チャン
バーを有するＸ線回折装置の構造を示す模式図。
バーを有するＸ線回折装置の構造を示す模式図。
【図２】従来のＸ線回折装置の構造を示す模式図。
１…Ｘ線ゴニオメーター ２…Ｘ線回折チャンバー ３…Ｘ線入射窓 ４…試料 ５…入射Ｘ線 ６…ブラッグ（Bragg）反射Ｘ線 ７…Ｘ線取り出し窓 ８…検出器 ９…入射Ｘ線 １０…Ｘ線回折チャンバー（兼反応室） １１…試料 １２…ブラッグ反射Ｘ線 １３…検出器 １４…ヒーター １５…チャンバー外壁 １６…コーティング層 １７…反応性ガス １８…ガス導入口 １９…排気ポート ２０…Ｘ線入射部 ２１…Ｘ線取り出し部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G001 AA01 BA18 CA01 GA01 GA13 JA08 JA14 KA08 LA02 NA03 NA06 NA07 NA10 NA17 PA07 QA02 QA03 QA10 RA03 RA08 SA16 4K030 AA05 AA11 BA08 BA25 FA10 KA41
Claims (4)
- 【請求項１】Ｘ線回折によって物質の構造を調べるＸ線
回折チャンバーを有するＸ線回折装置であって、上記Ｘ
線回折チャンバーは、少なくともＸ線が透過する該チャ
ンバーの壁部分をＸ線透過性の材質により作製すると共
に、その内面に反応性ガスに対し耐腐食性の物質をコー
ティングして、反応性ガス存在下で、作製した材料の事
後の評価のみならず作製中における材料の評価も可能な
構造のＸ線回折チャンバーを備えたことを特徴とするＸ
線回折装置。 - 【請求項２】請求項１に記載のＸ線回折装置のＸ線回折
チャンバーにおいて、入射Ｘ線およびブラッグ反射Ｘ線
が透過する上記チャンバーの壁部分は、部分的に取り外
し、取り付けが可能な構造としてなることを特徴とする
Ｘ線回折装置。 - 【請求項３】請求項１または２に記載のＸ線回折装置の
Ｘ線回折チャンバーにおいて、該チャンバーを構成する
材料は、ベリリウムまたはベリリウムの酸化物、窒化
物、ホウ素またはホウ素の酸化物、窒化物、炭化物、カ
ーボンまたは炭化物、アルミニウムまたはアルミニウム
を主成分とする合金、チタンまたはチタンを主成分とす
る合金、バナジウムまたはバナジウムを主成分とする合
金、クロムまたはクロムを主成分とする合金、マンガン
またはマンガンを主成分とする合金のうちから選択され
る少なくとも１種の材料よりなることを特徴とするＸ線
回折装置。 - 【請求項４】請求項１または２に記載のＸ線回折装置の
Ｘ線回折チャンバーにおいて、該チャンバーの内壁を、
酸化ケイ素、カーボン、ベリリウム、ステンレス鋼、モ
リブデン、モネル合金のうちより選択される少なくとも
１種の材料によってコーティングしてなることを特徴と
するＸ線回折装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000116187A JP2001296259A (ja) | 2000-04-18 | 2000-04-18 | Ｘ線回折装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000116187A JP2001296259A (ja) | 2000-04-18 | 2000-04-18 | Ｘ線回折装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001296259A true JP2001296259A (ja) | 2001-10-26 |
Family
ID=18627681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000116187A Pending JP2001296259A (ja) | 2000-04-18 | 2000-04-18 | Ｘ線回折装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001296259A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010066121A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｘ線回折装置およびｘ線回折方法 |
-
2000
- 2000-04-18 JP JP2000116187A patent/JP2001296259A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010066121A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｘ線回折装置およびｘ線回折方法 |
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