JP2001294950A - インゴットの製造方法と装置 - Google Patents
インゴットの製造方法と装置Info
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- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/25—Process efficiency
Abstract
(57)【要約】
【課題】 不純物の混入を大幅に低減して高融点合金を
溶解することができ、これにより不純物が少なく高強度
の大型インゴットを安定して製造することができるイン
ゴットの製造方法と装置を提供する。 【解決手段】 中空のるつぼ１２ａを有する高周波誘導
電解炉１２と、るつぼ内の上部に設置された上皿１４ａ
を有する不純物除去装置１４とを備える。また、素材密
封ステップＳ２、真空排気ステップＳ３、素材溶解ステ
ップＳ４、凝固鋳造ステップＳ５を有し、成分を調整し
て精錬された素材を電解炉内でレビテーション溶解して
溶けた溶湯１０ａを揺動・攪拌し、水冷銅からなる上皿
１４ａに接触させて溶けずに存在するセラミックス等の
軽い不純物を上皿に付着したスカル１６ａ中に捕獲す
る。
溶解することができ、これにより不純物が少なく高強度
の大型インゴットを安定して製造することができるイン
ゴットの製造方法と装置を提供する。 【解決手段】 中空のるつぼ１２ａを有する高周波誘導
電解炉１２と、るつぼ内の上部に設置された上皿１４ａ
を有する不純物除去装置１４とを備える。また、素材密
封ステップＳ２、真空排気ステップＳ３、素材溶解ステ
ップＳ４、凝固鋳造ステップＳ５を有し、成分を調整し
て精錬された素材を電解炉内でレビテーション溶解して
溶けた溶湯１０ａを揺動・攪拌し、水冷銅からなる上皿
１４ａに接触させて溶けずに存在するセラミックス等の
軽い不純物を上皿に付着したスカル１６ａ中に捕獲す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不純物の混入を低
減して高融点合金を溶解するインゴットの製造方法と装
置に関する。
減して高融点合金を溶解するインゴットの製造方法と装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ジェットエンジンを構成するタービンデ
ィスク、ロングシャフト、ケーシング等の高温で高強度
を必要とする大型部品は、従来は主として、大量の溶湯
を高速で鋳込んでインゴットを製造し、そのインゴット
を鍛造し、機械加工して製造していた。
ィスク、ロングシャフト、ケーシング等の高温で高強度
を必要とする大型部品は、従来は主として、大量の溶湯
を高速で鋳込んでインゴットを製造し、そのインゴット
を鍛造し、機械加工して製造していた。
【０００３】また、従来、かかるインゴットの製造は、
高速誘導溶解炉（Ｖａｃｕｕｍ Ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ
Ｍｅｌｔｉｎｇ ＆ Ｃａｓｔｉｎｇ）、真空鋳造（Ｖ
ａｃｕｕｍ Ｃａｓｔｉｎｇ）、真空アーク再溶解炉
（Ｃｏｎｓｕｍａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ Ｖａｃ
ｕｕｍ Ａｒｃ Ｆｕｒｎａｃｅ）、エレクトロスラブ
再溶解炉（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｒｅｍｅｌｔｉｎｇ Ｆｕ
ｒｎａｃｅ）などを組み合わせて、対象とする大型部品
に必要な大きさのインゴットを一体鋳造していた。
高速誘導溶解炉（Ｖａｃｕｕｍ Ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ
Ｍｅｌｔｉｎｇ ＆ Ｃａｓｔｉｎｇ）、真空鋳造（Ｖ
ａｃｕｕｍ Ｃａｓｔｉｎｇ）、真空アーク再溶解炉
（Ｃｏｎｓｕｍａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ Ｖａｃ
ｕｕｍ Ａｒｃ Ｆｕｒｎａｃｅ）、エレクトロスラブ
再溶解炉（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｒｅｍｅｌｔｉｎｇ Ｆｕ
ｒｎａｃｅ）などを組み合わせて、対象とする大型部品
に必要な大きさのインゴットを一体鋳造していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、ジェットエンジ
ンの高性能化・高温化に伴い、その素材にアルミニウ
ム、チタン、タングステン、モリブデン等を含有する高
融点合金が用いられるようになってきている。しかし、
かかる高融点合金は、上述したいずれの溶解・鋳造手段
によっても、溶解後の凝縮時に偏析や粒子の粗大化が生
じやすく、インゴットに欠陥ができやすい問題点があっ
た。
ンの高性能化・高温化に伴い、その素材にアルミニウ
ム、チタン、タングステン、モリブデン等を含有する高
融点合金が用いられるようになってきている。しかし、
かかる高融点合金は、上述したいずれの溶解・鋳造手段
によっても、溶解後の凝縮時に偏析や粒子の粗大化が生
じやすく、インゴットに欠陥ができやすい問題点があっ
た。
【０００５】ここで偏析（ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ）と
は、合金での不純物，含有物，合金成分の不均一な分布
を意味し、合金の本来の強度を発揮できない重大な欠陥
の１つである。また、粒子の粗大化によっても、合金強
度が大幅に低下することが知られている。
は、合金での不純物，含有物，合金成分の不均一な分布
を意味し、合金の本来の強度を発揮できない重大な欠陥
の１つである。また、粒子の粗大化によっても、合金強
度が大幅に低下することが知られている。
【０００６】すなわち、タービンディスク等の大型部品
は、高温で高強度を必要とするにもかかわらず、従来の
インゴットの製造手段では、偏析や粒子の粗大化によ
り、必要な大きさのインゴットを、全体を均質でかつ十
分な高強度に製造することが実質的に不可能なほど困難
であった。また、従来のインゴットには、溶解時に使用
した坩堝（るつぼ）の一部（例えばセラミックス）が剥
離して混入するのを避けがたく、その結果不純物の混入
が多い問題点があった。
は、高温で高強度を必要とするにもかかわらず、従来の
インゴットの製造手段では、偏析や粒子の粗大化によ
り、必要な大きさのインゴットを、全体を均質でかつ十
分な高強度に製造することが実質的に不可能なほど困難
であった。また、従来のインゴットには、溶解時に使用
した坩堝（るつぼ）の一部（例えばセラミックス）が剥
離して混入するのを避けがたく、その結果不純物の混入
が多い問題点があった。
【０００７】本発明はかかる問題点を解決するために創
案されたものである。すなわち、本発明の目的は、不純
物の混入を大幅に低減して高融点合金を溶解することが
でき、これにより不純物が少なく高強度の大型インゴッ
トを安定して製造することができるインゴットの製造方
法と装置を提供することにある。
案されたものである。すなわち、本発明の目的は、不純
物の混入を大幅に低減して高融点合金を溶解することが
でき、これにより不純物が少なく高強度の大型インゴッ
トを安定して製造することができるインゴットの製造方
法と装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、中空の
るつぼ（１２ａ）を有する高周波誘導電解炉（１２）
と、前記るつぼ内の上部に設置された上皿（１４ａ）を
有する不純物除去装置（１４）とを備え、成分を調整し
て精錬された素材を前記電解炉内に密封する素材密封ス
テップＳ２と、電解炉内を真空に排気する真空排気ステ
ップＳ３と、電解炉内の素材を高周波誘導加熱により溶
解する素材溶解ステップＳ４と、電解炉内で真空溶解し
た溶湯（１０ａ）を所定のインゴットケース内に滴下し
凝固させてインゴットを鋳造する凝固鋳造ステップＳ５
とを有する、ことを特徴とするインゴットの製造方法が
提供される。
るつぼ（１２ａ）を有する高周波誘導電解炉（１２）
と、前記るつぼ内の上部に設置された上皿（１４ａ）を
有する不純物除去装置（１４）とを備え、成分を調整し
て精錬された素材を前記電解炉内に密封する素材密封ス
テップＳ２と、電解炉内を真空に排気する真空排気ステ
ップＳ３と、電解炉内の素材を高周波誘導加熱により溶
解する素材溶解ステップＳ４と、電解炉内で真空溶解し
た溶湯（１０ａ）を所定のインゴットケース内に滴下し
凝固させてインゴットを鋳造する凝固鋳造ステップＳ５
とを有する、ことを特徴とするインゴットの製造方法が
提供される。
【０００９】本発明の好ましい実施形態によれば、前記
素材溶解ステップＳ４における溶解は、活性合金を不純
物の混入なくかつ高融点金属を溶解可能なレビテーショ
ン溶解である。
素材溶解ステップＳ４における溶解は、活性合金を不純
物の混入なくかつ高融点金属を溶解可能なレビテーショ
ン溶解である。
【００１０】また、本発明によれば、中空のるつぼ（１
２ａ）を有する高周波誘導電解炉（１２）と、前記るつ
ぼ内の上部に設置された上皿（１４ａ）を有する不純物
除去装置（１４）とを備え、前記るつぼ（１２ａ）及び
上皿（１４ａ）は、水冷銅製であり、前記高周波誘導電
解炉（１２）は、るつぼのまわりにレビテーション溶解
に適した第１高周波コイル（１２ｂ）を有する、ことを
特徴とするインゴットの製造装置が提供される。
２ａ）を有する高周波誘導電解炉（１２）と、前記るつ
ぼ内の上部に設置された上皿（１４ａ）を有する不純物
除去装置（１４）とを備え、前記るつぼ（１２ａ）及び
上皿（１４ａ）は、水冷銅製であり、前記高周波誘導電
解炉（１２）は、るつぼのまわりにレビテーション溶解
に適した第１高周波コイル（１２ｂ）を有する、ことを
特徴とするインゴットの製造装置が提供される。
【００１１】上記本発明の方法及び装置によれば、高周
波誘導電解炉（１２）の中空のるつぼ（１２ａ）内に、
成分を調整して精錬された素材を真空状態で密封し、こ
れを第１高周波コイル（１２ｂ）を用いたいわゆるレビ
テーション溶解により、水冷銅製の電解炉内で炉壁から
磁気圧力で浮かせた状態で溶解できるので、不純物の混
入を大幅に低減して高融点合金を溶解することができ
る。
波誘導電解炉（１２）の中空のるつぼ（１２ａ）内に、
成分を調整して精錬された素材を真空状態で密封し、こ
れを第１高周波コイル（１２ｂ）を用いたいわゆるレビ
テーション溶解により、水冷銅製の電解炉内で炉壁から
磁気圧力で浮かせた状態で溶解できるので、不純物の混
入を大幅に低減して高融点合金を溶解することができ
る。
【００１２】また、るつぼ内の上部に水冷された上皿
（１４ａ）を有するので、レビテーション溶解により溶
けた溶湯（１０ａ）を揺動・攪拌し、水冷銅からなる上
皿（１４ａ）に接触して内部に溶けずに存在するセラミ
ックス等の軽い不純物を上皿（１４ａ）に付着したスカ
ル（１６ａ）中に捕獲することができる。なお、同時に
溶湯よりも重い不純物は、溶湯の下部に形成されるスカ
ル中に捕獲される。従って、溶湯（１０ａ）の上下に位
置するスカル（１６ｂ）中に不純物を捕獲し、溶湯中の
不純物を低減することができ、これにより不純物が少な
く高強度の大型インゴットを安定して製造することがで
きる。
（１４ａ）を有するので、レビテーション溶解により溶
けた溶湯（１０ａ）を揺動・攪拌し、水冷銅からなる上
皿（１４ａ）に接触して内部に溶けずに存在するセラミ
ックス等の軽い不純物を上皿（１４ａ）に付着したスカ
ル（１６ａ）中に捕獲することができる。なお、同時に
溶湯よりも重い不純物は、溶湯の下部に形成されるスカ
ル中に捕獲される。従って、溶湯（１０ａ）の上下に位
置するスカル（１６ｂ）中に不純物を捕獲し、溶湯中の
不純物を低減することができ、これにより不純物が少な
く高強度の大型インゴットを安定して製造することがで
きる。
【００１３】なお、不純物除去の効率を高めるために、
不純物除去装置（１４）の上皿（１４ａ）を上下させ、
周期的に溶湯の外に出して冷却するようにしてもよい。
不純物除去装置（１４）の上皿（１４ａ）を上下させ、
周期的に溶湯の外に出して冷却するようにしてもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
を図面を参照して説明する。図１は、いわゆるレビテー
ション（Ｌｅｖｉｔａｔｉｏｎ）溶解の模式図である。
この図に示すように、レビテーション溶解は、るつぼ２
のまわりに高周波コイル３を設けて高周波誘導加熱によ
り素材を溶解するものである。この場合、るつぼ２に水
冷銅るつぼを用いることにより、るつぼの剥離や脱落を
回避できる。またレビテーション溶解による磁気圧力に
より溶湯１がるつぼ２の内面から浮いた状態で揺動され
ながら加熱されるため、溶湯全体を均質化でき、かつ不
純物の混入なしに高融点金属の溶融もできる特徴があ
る。なお、この図に示すように、溶湯１の下部は自重に
よりるつぼ２と接触するため、この部分にスカルと呼ば
れる凝固シェル４が形成される。
を図面を参照して説明する。図１は、いわゆるレビテー
ション（Ｌｅｖｉｔａｔｉｏｎ）溶解の模式図である。
この図に示すように、レビテーション溶解は、るつぼ２
のまわりに高周波コイル３を設けて高周波誘導加熱によ
り素材を溶解するものである。この場合、るつぼ２に水
冷銅るつぼを用いることにより、るつぼの剥離や脱落を
回避できる。またレビテーション溶解による磁気圧力に
より溶湯１がるつぼ２の内面から浮いた状態で揺動され
ながら加熱されるため、溶湯全体を均質化でき、かつ不
純物の混入なしに高融点金属の溶融もできる特徴があ
る。なお、この図に示すように、溶湯１の下部は自重に
よりるつぼ２と接触するため、この部分にスカルと呼ば
れる凝固シェル４が形成される。
【００１５】図２は、本発明の微結晶インゴットの製造
装置の構成図である。この図に示すように、本発明の微
結晶インゴットの製造装置は、中空のるつぼ１２ａを有
する高周波誘導電解炉１２、及び水冷された上皿１４ａ
を有する不純物除去装置１４を備える。
装置の構成図である。この図に示すように、本発明の微
結晶インゴットの製造装置は、中空のるつぼ１２ａを有
する高周波誘導電解炉１２、及び水冷された上皿１４ａ
を有する不純物除去装置１４を備える。
【００１６】高周波誘導電解炉１２のるつぼ１２ａと上
皿１４ａは、不純物となる剥離や脱落を回避するために
冷却水で冷却された水冷銅製である。この図の例では、
るつぼ１２ａは、水冷ジャケット１３を有し、このジャ
ケット内に供給される冷却水により冷却される。また、
上皿１４ａは、水冷銅製の冷却パイプ１４ｂに固定さ
れ、この内部を流れる冷却水により冷却される。るつぼ
１２ａは、この例では下面中央部に開口を有し、この開
口を閉鎖する栓１１を有する。また、この開口部分は、
開口から内部で溶かした溶湯が下方に滴下しやすいよう
にロート状の形状に形成されている。
皿１４ａは、不純物となる剥離や脱落を回避するために
冷却水で冷却された水冷銅製である。この図の例では、
るつぼ１２ａは、水冷ジャケット１３を有し、このジャ
ケット内に供給される冷却水により冷却される。また、
上皿１４ａは、水冷銅製の冷却パイプ１４ｂに固定さ
れ、この内部を流れる冷却水により冷却される。るつぼ
１２ａは、この例では下面中央部に開口を有し、この開
口を閉鎖する栓１１を有する。また、この開口部分は、
開口から内部で溶かした溶湯が下方に滴下しやすいよう
にロート状の形状に形成されている。
【００１７】更に、高周波誘導電解炉１２は、るつぼ１
２ａのまわりに上述したレビテーション溶解に適した第
１高周波コイル１２ｂを有し、この第１高周波コイル１
２ｂに図示しない電源装置から高周波電流を通電するこ
とにより、内部の溶湯１０ａを高周波誘導による磁気圧
力によりるつぼ１２ａの内面から浮いた状態で揺動・攪
拌しながら加熱するようになっている。
２ａのまわりに上述したレビテーション溶解に適した第
１高周波コイル１２ｂを有し、この第１高周波コイル１
２ｂに図示しない電源装置から高周波電流を通電するこ
とにより、内部の溶湯１０ａを高周波誘導による磁気圧
力によりるつぼ１２ａの内面から浮いた状態で揺動・攪
拌しながら加熱するようになっている。
【００１８】図３は、本発明のインゴットの製造方法を
示すフロー図である。図２及び図３により、本発明の方
法を以下に説明する。
示すフロー図である。図２及び図３により、本発明の方
法を以下に説明する。
【００１９】ステップＳ１において、まず、成分を調整
して精錬された素材を準備する。この準備は、従来のイ
ンゴット製造と同様に、高速誘導溶解炉（Ｖａｃｕｕｍ
Ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｍｅｌｔｉｎｇ ＆ Ｃａｓｔ
ｉｎｇ）、真空鋳造（Ｖａｃｕｕｍ Ｃａｓｔｉｎ
ｇ）、真空アーク再溶解炉（Ｃｏｎｓｕｍａｂｌｅ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｄｅ Ｖａｃｕｕｍ Ａｒｃ Ｆｕｒｎａ
ｃｅ）、エレクトロスラブ再溶解炉（Ｅｌｅｃｔｒｏ
Ｒｅｍｅｌｔｉｎｇ Ｆｕｒｎａｃｅ）などを組み合わ
せて行うことができる。この場合、対象とする大型部品
に必要な大きさのインゴットを一体鋳造せずに、できる
だけ小さく鋳造して、アルミニウム、チタン、タングス
テン、モリブデン等を含有する高融点合金の偏析や粒子
の粗大化を最小限度にするのがよい。次いで、鋳造した
素材を粉砕して微粉化して素材として用いる。なお、以
上の工程において、セラミックス製のるつぼ等の剥離、
その他により、不純物が不可避的に混入する。
して精錬された素材を準備する。この準備は、従来のイ
ンゴット製造と同様に、高速誘導溶解炉（Ｖａｃｕｕｍ
Ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｍｅｌｔｉｎｇ ＆ Ｃａｓｔ
ｉｎｇ）、真空鋳造（Ｖａｃｕｕｍ Ｃａｓｔｉｎ
ｇ）、真空アーク再溶解炉（Ｃｏｎｓｕｍａｂｌｅ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｄｅ Ｖａｃｕｕｍ Ａｒｃ Ｆｕｒｎａ
ｃｅ）、エレクトロスラブ再溶解炉（Ｅｌｅｃｔｒｏ
Ｒｅｍｅｌｔｉｎｇ Ｆｕｒｎａｃｅ）などを組み合わ
せて行うことができる。この場合、対象とする大型部品
に必要な大きさのインゴットを一体鋳造せずに、できる
だけ小さく鋳造して、アルミニウム、チタン、タングス
テン、モリブデン等を含有する高融点合金の偏析や粒子
の粗大化を最小限度にするのがよい。次いで、鋳造した
素材を粉砕して微粉化して素材として用いる。なお、以
上の工程において、セラミックス製のるつぼ等の剥離、
その他により、不純物が不可避的に混入する。
【００２０】次に、素材密封ステップＳ２において、電
解炉１２のるつぼ１２ａ内に素材１０を密封し、真空排
気ステップＳ３において、電解炉１２のるつぼ１２ａ内
を図示しない真空装置により真空に排気する。
解炉１２のるつぼ１２ａ内に素材１０を密封し、真空排
気ステップＳ３において、電解炉１２のるつぼ１２ａ内
を図示しない真空装置により真空に排気する。
【００２１】次いで、図２に示すように、素材溶解ステ
ップＳ４において電解炉１２内の素材を高周波誘導加熱
により溶解する。この溶解は、活性合金を不純物の混入
なくかつ高融点金属を溶解可能なレビテーション溶解で
ある。次に、凝固鋳造ステップＳ６において、栓１１を
外し、電解炉１２内で真空溶解した溶湯１０ａを下方に
準備したインゴットケース（図示せず）内に滴下し急速
凝固させて微細結晶化する。
ップＳ４において電解炉１２内の素材を高周波誘導加熱
により溶解する。この溶解は、活性合金を不純物の混入
なくかつ高融点金属を溶解可能なレビテーション溶解で
ある。次に、凝固鋳造ステップＳ６において、栓１１を
外し、電解炉１２内で真空溶解した溶湯１０ａを下方に
準備したインゴットケース（図示せず）内に滴下し急速
凝固させて微細結晶化する。
【００２２】なお、急速に凝固させ微細結晶のインゴッ
トを得るために、溶湯温度は凝固温度よりわずかに高温
に制御し、かつ溶湯プールをできるだけ浅く制御するの
がよい。
トを得るために、溶湯温度は凝固温度よりわずかに高温
に制御し、かつ溶湯プールをできるだけ浅く制御するの
がよい。
【００２３】上述した本発明の方法及び装置によれば、
高周波誘導電解炉１２の中空のるつぼ１２ａ内に、成分
を調整して精錬された素材を真空状態で密封し、これを
第１高周波コイル１２ｂを用いたいわゆるレビテーショ
ン溶解により、水冷銅製の電解炉内で炉壁から磁気圧力
で浮かせた状態で溶解できるので、不純物の混入を大幅
に低減して高融点合金を溶解することができる。
高周波誘導電解炉１２の中空のるつぼ１２ａ内に、成分
を調整して精錬された素材を真空状態で密封し、これを
第１高周波コイル１２ｂを用いたいわゆるレビテーショ
ン溶解により、水冷銅製の電解炉内で炉壁から磁気圧力
で浮かせた状態で溶解できるので、不純物の混入を大幅
に低減して高融点合金を溶解することができる。
【００２４】また、るつぼ内の上部に設置され水冷され
た上皿１４ａを有するので、レビテーション溶解により
溶けた溶湯１０ａを揺動・攪拌し、水冷銅からなる上皿
１４ａに接触して内部に溶けずに存在するセラミックス
等の軽い不純物を上皿１４ａに付着したスカル１６ａ中
に捕獲することができる。なお、同時に溶湯よりも重い
不純物は、溶湯の下部に形成されるスカル１６ｂ中に捕
獲される。
た上皿１４ａを有するので、レビテーション溶解により
溶けた溶湯１０ａを揺動・攪拌し、水冷銅からなる上皿
１４ａに接触して内部に溶けずに存在するセラミックス
等の軽い不純物を上皿１４ａに付着したスカル１６ａ中
に捕獲することができる。なお、同時に溶湯よりも重い
不純物は、溶湯の下部に形成されるスカル１６ｂ中に捕
獲される。
【００２５】従って、溶湯１０ａの上下に位置するスカ
ル１６ａ，１６ｂ中に不純物を捕獲し、溶湯中の不純物
を低減することができ、これにより不純物が少なく高強
度の大型インゴットを安定して製造することができる。
ル１６ａ，１６ｂ中に不純物を捕獲し、溶湯中の不純物
を低減することができ、これにより不純物が少なく高強
度の大型インゴットを安定して製造することができる。
【００２６】なお、本発明は上述した実施の形態に限定
されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更でき
ることは勿論である。
されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更でき
ることは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】上述したように、本発明のインゴットの
製造方法と装置は、不純物の混入を大幅に低減して高融
点合金を溶解することができ、これにより不純物が少な
く高強度の大型インゴットを安定して製造することがで
きる、等の優れた効果を有する。
製造方法と装置は、不純物の混入を大幅に低減して高融
点合金を溶解することができ、これにより不純物が少な
く高強度の大型インゴットを安定して製造することがで
きる、等の優れた効果を有する。
【図１】レビテーション溶解の模式図である。
【図２】本発明のインゴットの製造装置の構成図であ
る。
る。
【図３】本発明のインゴットの製造方法を示すフロー図
である。
である。
１ 溶湯、２ 水冷銅るつぼ、３ 高周波コイル、４
凝固シェル、１０ａ 溶湯、１１ 栓、１２ 高周波誘
導電解炉、１２ａ るつぼ、１２ｂ 第１高周波コイ
ル、１４ 不純物除去装置、１４ａ 上皿
凝固シェル、１０ａ 溶湯、１１ 栓、１２ 高周波誘
導電解炉、１２ａ るつぼ、１２ｂ 第１高周波コイ
ル、１４ 不純物除去装置、１４ａ 上皿
Claims (3)
- 【請求項１】 中空のるつぼ（１２ａ）を有する高周波
誘導電解炉（１２）と、前記るつぼ内の上部に設置され
た上皿（１４ａ）を有する不純物除去装置（１４）とを
備え、 成分を調整して精錬された素材を前記電解炉内に密封す
る素材密封ステップＳ２と、電解炉内を真空に排気する
真空排気ステップＳ３と、電解炉内の素材を高周波誘導
加熱により溶解する素材溶解ステップＳ４と、電解炉内
で真空溶解した溶湯（１０ａ）を所定のインゴットケー
ス内に滴下し凝固させてインゴットを鋳造する凝固鋳造
ステップＳ５とを有する、ことを特徴とするインゴット
の製造方法。 - 【請求項２】 前記素材溶解ステップＳ４における溶解
は、活性合金を不純物の混入なくかつ高融点金属を溶解
可能なレビテーション溶解である、ことを特徴とする請
求項１に記載のインゴットの製造方法。 - 【請求項３】 中空のるつぼ（１２ａ）を有する高周波
誘導電解炉（１２）と、前記るつぼ内の上部に設置され
た上皿（１４ａ）を有する不純物除去装置（１４）とを
備え、 前記るつぼ（１２ａ）及び上皿（１４ａ）は、水冷銅製
であり、 前記高周波誘導電解炉（１２）は、るつぼのまわりにレ
ビテーション溶解に適した第１高周波コイル（１２ｂ）
を有する、ことを特徴とするインゴットの製造装置。
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