JP2001293333A - Device and method for treating organic chlorinated compound - Google Patents

Device and method for treating organic chlorinated compound

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JP2001293333A
JP2001293333A JP2000115131A JP2000115131A JP2001293333A JP 2001293333 A JP2001293333 A JP 2001293333A JP 2000115131 A JP2000115131 A JP 2000115131A JP 2000115131 A JP2000115131 A JP 2000115131A JP 2001293333 A JP2001293333 A JP 2001293333A
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Japan
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processing
gas
adsorbent
substance
organic chlorine
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Hideaki Miyata
秀明 宮田
Hiroo Fukushima
宏雄 福島
Takashi Kawagishi
喬 河岸
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make dioxins harmless, while adsorbents are used repeatedly, thereby reliably preventing the dioxins from being regenerated and to eliminate the risk of inflammation or explosion of the adsorbents. SOLUTION: An adsorption layer, on which zeolite is carried as an adsorbent, is provided in a treating device 20 for gas. An object gas, which may contain dioxins and precursors whereof, is introduced into the device 20. The dioxins and the precursors thereof in the object gas are adsorbed on the zeolite. A hot nitrogen gas is introduced into the device 20 to make harmless the dioxins and precursors thereof adsorbed on the zeolite by dechlorinating the dioxins and precursors by means of the hot nitrogen gas, thereby removing the dioxins and precursors from the zeolite.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、廃棄物の焼却炉等
のようにダイオキシン類及びその前駆物質を生成し得る
燃焼装置又はその他の装置類からの排出物等に含まれる
ダイオキシン類、ダイオキシン類の前駆物質、及びPC
B類等の有機塩素化合物を吸着及び分解して無害化する
有機塩素化合物処理装置及び有機塩素化合物処理方法に
関する。
The present invention relates to dioxins and dioxins contained in emissions from combustion equipment or other equipment capable of producing dioxins and their precursors, such as waste incinerators, etc. Precursor and PC
The present invention relates to an organic chlorine compound treating apparatus and an organic chlorine compound treating method for adsorbing and decomposing an organic chlorine compound such as Class B to make it harmless.

【0002】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
りダイオキシン類の除去及び無害化のための技術として
様々な提案が行われている。
2. Description of the Related Art Various proposals have conventionally been made as techniques for removing and detoxifying dioxins.

【0003】そのうち、触媒を利用しながら加熱により
ダイオキシン類を分解して無害化しようとするものは、
冷却時にダイオキシン類が再生する危険性が比較的高
く、これを防止する対策が必要であった。
[0003] Among them, those which attempt to decompose dioxins by heating while using a catalyst to make them harmless,
The risk of dioxins being regenerated during cooling is relatively high, and measures have been required to prevent this.

【0004】また、吸着剤を利用してダイオキシン類を
吸着除去しようとするものは、吸着剤の消費によるコス
トが嵩むと共に、使用後の吸着剤の処理が必要となる。
特に、活性炭を吸着剤として使用するものは、焼却炉の
排ガス等の高温対象物を処理する場合、吸着剤が発火し
たり、炭塵爆発を起す等の危険性があった。
[0004] Further, those which attempt to adsorb and remove dioxins by using an adsorbent increase the cost due to consumption of the adsorbent and require treatment of the adsorbent after use.
In particular, when activated carbon is used as an adsorbent, there is a risk that the adsorbent may ignite or a coal dust explosion may occur when treating a high-temperature object such as exhaust gas from an incinerator.

【0005】本発明は、従来技術に存した上記のような
問題点に鑑み行われたものであって、その目的とすると
ころは、吸着剤を繰り返し使用して、ダイオキシン類等
の再生を確実性高く防止しつつダイオキシン類等の無害
化処理を行うことができ、而も吸着剤の発火や爆発の危
険性がない有機塩素化合物処理装置及び有機塩素化合物
処理方法を提供することにある。
[0005] The present invention has been made in view of the above-mentioned problems in the prior art, and an object of the present invention is to repeatedly use an adsorbent to ensure the regeneration of dioxins and the like. An object of the present invention is to provide an organic chlorine compound processing apparatus and an organic chlorine compound processing method that can perform a detoxification treatment of dioxins and the like while preventing the occurrence of high toxicity, and that does not cause the risk of ignition or explosion of the adsorbent.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】(1) 上記目的を達成す
る本発明の有機塩素化合物処理装置は、ゼオライトから
なる対象有機塩素化合物用の吸着剤を内部に有してなる
処理器と、対象有機塩素化合物を含有し得る処理対象物
を前記吸着剤に供給する処理対象物供給手段と、前記吸
着剤に吸着された対象有機塩素化合物を脱塩素無害化す
るための処理用物質として不活性および/または還元性
の処理用ガスをその吸着剤に供給する処理用物質供給手
段を備え、吸着剤に到達した状態の処理用ガスが、前記
吸着剤に吸着された対象有機塩素化合物を脱塩素化し得
る温度の処理用熱ガスであることを特徴とする。
(1) An apparatus for treating an organochlorine compound according to the present invention, which achieves the above object, comprises: a treatment device having an adsorbent for a target organochlorine compound comprising zeolite therein; An object supply means for supplying an object to be treated, which may contain an organic chlorine compound, to the adsorbent, and an inert and inactive substance for treatment for detoxifying and detoxifying the target organic chlorine compound adsorbed on the adsorbent. And / or a processing substance supply means for supplying a reducing processing gas to the adsorbent, wherein the processing gas reaching the adsorbent dechlorinates the target organic chlorine compound adsorbed by the adsorbent. It is characterized in that it is a processing hot gas at a temperature to be obtained.

【0007】また、本発明の有機塩素化合物処理方法
は、対象有機塩素化合物を含有し得る処理対象物を、ゼ
オライトからなる対象有機塩素化合物用の吸着剤に導く
ことにより、その処理対象物に含有され得る対象有機塩
素化合物を吸着剤に吸着させ、処理用物質として不活性
および/または還元性の処理用熱ガスを前記吸着剤に導
くことにより、前記吸着剤に吸着された対象有機塩素化
合物を脱塩素無害化することを特徴とする。
Further, the method for treating an organic chlorine compound of the present invention comprises introducing an object to be treated that can contain the target organic chlorine compound into an adsorbent for the target organic chlorine compound made of zeolite, thereby containing the target organic chlorine compound. The target organochlorine compound adsorbed by the adsorbent is adsorbed onto the adsorbent, and an inert and / or reducing heat gas for treatment is introduced to the adsorbent as a treatment substance. It is characterized by dechlorination and detoxification.

【0008】前記本発明の有機塩素化合物処理装置を用
いることにより、前記本発明の有機塩素化合物処理方法
を次のように実施し得る。
By using the apparatus for treating an organic chlorine compound of the present invention, the method for treating an organic chlorine compound of the present invention can be carried out as follows.

【0009】対象有機塩素化合物を含有し得る処理対象
物を、処理対象物供給手段により処理器内の吸着剤に供
給することによって、処理対象物に含有され得る対象有
機塩素化合物がその吸着剤に吸着される。
[0009] By supplying an object to be treated which can contain the target organic chlorine compound to the adsorbent in the processing unit by means of the object to be treated supply means, the target organic chlorine compound which can be contained in the object to be treated is added to the adsorbent. Adsorbed.

【0010】このように対象有機塩素化合物が吸着剤に
吸着された状態において、処理用物質として不活性およ
び/または還元性の処理用ガス(すなわち、不活性の処
理用ガス及び還元性の処理用ガスの両方又は何れか一
方)を処理用物質供給手段により処理器内の吸着剤に供
給する。吸着剤に到達した状態の処理用ガスは、例えば
処理器導入以前の加熱や、処理器内での加熱や、処理器
内での反応による加熱等により、或いはそのような加熱
無しで、前記吸着剤に吸着された対象有機塩素化合物を
脱塩素化し得る所要温度の処理用熱ガスとなっているの
で、その吸着剤に吸着された対象有機塩素化合物は処理
用熱ガスによる脱塩素によって無害化されて吸着剤から
脱離する。このように対象有機塩素化合物が無害化され
て脱離することにより、吸着剤の対象有機塩素化合物吸
着能力が再生され、吸着剤を繰り返し使用することが可
能となる。而も、不活性および/または還元性の処理用
熱ガスにより脱塩素無害化が行なわれるので、対象有機
塩素化合物の再生を確実性高く防止することができる。
なお、吸着剤に吸着された対象有機塩素化合物の一部
は、諸条件によっては、処理用熱ガスによらずに分解す
ることも有り得る。
In the state where the target organochlorine compound is thus adsorbed on the adsorbent, an inert and / or reducing processing gas (ie, an inert processing gas and a reducing processing gas) is used as the processing substance. Gas or both) is supplied to the adsorbent in the processing unit by the processing substance supply means. The processing gas that has reached the adsorbent may be adsorbed by, for example, heating before introduction into the processing unit, heating in the processing unit, heating by a reaction in the processing unit, or without such heating. The target organic chlorine compound adsorbed by the adsorbent is a processing hot gas at a required temperature that can dechlorinate the target organic chlorine compound, and the target organic chlorine compound adsorbed by the adsorbent is detoxified by the dechlorination by the processing hot gas. To desorb from the adsorbent. By detoxifying and desorbing the target organic chlorine compound in this way, the target organic chlorine compound adsorption capacity of the adsorbent is regenerated, and the adsorbent can be used repeatedly. Since dechlorination and detoxification are performed by the inert and / or reducing heat gas for treatment, regeneration of the target organic chlorine compound can be prevented with high reliability.
In addition, a part of the target organic chlorine compound adsorbed by the adsorbent may be decomposed depending on various conditions without depending on the processing hot gas.

【0011】前記有機塩素化合物処理装置は、対象有機
塩素化合物を含有し得る処理対象物の供給源である処理
対象物源と、その処理対象物源から供給される処理対象
物を処理器内部に導入して処理器内の吸着剤へ導くため
の対象物導入部と、処理対象物が対象有機塩素化合物の
吸着処理を受けてなる処理済物を処理器から外部へ排出
するための処理済物排出部と、吸着剤に吸着された対象
有機塩素化合物を脱塩素無害化するための処理用物質の
供給源である処理用物質源と、その処理用物質源から供
給される処理用物質を処理器内部に導入して吸着剤へ導
くための処理用物質導入部と、少なくとも対象有機塩素
化合物が前記処理用物質により脱塩素無害化処理されて
生成する生成物を処理器から排出するための生成物類排
出部を有し、吸着剤に到達した状態の処理用物質が、吸
着剤に吸着された対象有機塩素化合物を脱塩素化し得る
温度を有する不活性および/または還元性の処理用熱ガ
スであるものとすることができる。
The organic chlorine compound processing apparatus includes: a processing object source which is a supply source of a processing object which may contain a target organic chlorine compound; and a processing object supplied from the processing object source. An object introduction part for introducing and leading to the adsorbent in the processing unit, and a treated object for discharging the treated object obtained by subjecting the treated object to the adsorption treatment of the target organic chlorine compound from the processing unit to the outside Discharge part, treatment substance source that is a supply source of treatment substance to dechlorinate and detoxify the target organochlorine compound adsorbed by the adsorbent, and treat the treatment substance supplied from the treatment substance source A treatment substance introduction section for introducing the substance into the vessel and leading to the adsorbent; and a production section for discharging at least a product generated by dechlorinating the target organic chlorine compound by the treatment substance to be detoxified from the treatment apparatus. It has a material discharge section and adsorbs Treatment material while traveling to and can be assumed to be inert and / or reducing treatment for hot gas having a temperature which can be dechlorinated target organic chlorine compounds adsorbed by the adsorbent.

【0012】この有機塩素化合物処理装置は次のように
使用し得る。
This organic chlorine compound treating apparatus can be used as follows.

【0013】対象有機塩素化合物を含有し得る処理対象
物を、処理対象物源から、対象物導入部を通じ処理器内
に導入することによって、その処理対象物が処理器内の
吸着剤へ導かれ、処理対象物に含有され得る対象有機塩
素化合物がその吸着剤に吸着される。処理対象物は、こ
のように吸着処理されて処理済物となり、その処理済物
は、処理済物排出部から排出される。
[0013] An object to be treated, which may contain the target organochlorine compound, is introduced from the object to be treated into the processor through the object introduction section, whereby the object to be treated is guided to the adsorbent in the processor. Then, the target organic chlorine compound that can be contained in the object to be treated is adsorbed by the adsorbent. The object to be processed is subjected to the adsorption process in this way to become a processed product, and the processed product is discharged from the processed product discharge unit.

【0014】対象有機塩素化合物が吸着剤に吸着された
状態において、処理用物質を、処理用物質源から、処理
用物質導入部を通じ処理器内に導入することにより、そ
の処理用物質が吸着剤へ導かれる。吸着剤に到達した状
態の処理用物質は、吸着剤に吸着された対象有機塩素化
合物を脱塩素化し得る温度を有する不活性および/また
は還元性の処理用熱ガスである。すなわち、吸着剤に到
達した状態の処理用物質は、不活性および/または還元
性の処理用ガスであり、その処理用ガスは、例えば処理
器導入以前の加熱や、処理器内での加熱や、処理器内で
の反応による加熱等により、或いはそのような加熱無し
で、前記吸着剤に吸着された対象有機塩素化合物を脱塩
素化し得る所要温度を有する不活性の処理用熱ガスおよ
び/または還元性の処理用熱ガスとなっている。そのた
め、吸着剤に吸着された対象有機塩素化合物は処理用熱
ガスによる脱塩素によって無害化されて吸着剤から脱離
し、少なくとも対象有機塩素化合物が前記処理用ガスに
より脱塩素無害化処理されて生成する生成物及び例えば
処理用ガス等の他の物質が、生成物類排出部から排出さ
れる。このように対象有機塩素化合物が無害化されて脱
離することにより、吸着剤の対象有機塩素化合物吸着能
力が再生され、吸着剤を繰り返し使用することが可能と
なる。而も、不活性および/または還元性の処理用熱ガ
スにより脱塩素無害化が行なわれるので、対象有機塩素
化合物の再生を確実性高く防止することができる。
In a state where the target organic chlorine compound is adsorbed by the adsorbent, the processing substance is introduced into the processing unit from the processing substance source through the processing substance introduction section, whereby the processing substance is adsorbed. Led to. The treatment substance that has reached the adsorbent is an inert and / or reducing treatment heat gas having a temperature capable of dechlorinating the target organic chlorine compound adsorbed on the adsorbent. That is, the processing substance that has reached the adsorbent is an inert and / or reducing processing gas, and the processing gas may be heated, for example, before the introduction into the processing apparatus, or may be heated in the processing apparatus. An inert processing hot gas having a required temperature capable of dechlorinating the target organochlorine compound adsorbed on the adsorbent by heating or the like by a reaction in a treatment device or without such heating, and / or It is a reducing hot gas for processing. Therefore, the target organochlorine compound adsorbed by the adsorbent is detoxified by dechlorination with the hot gas for treatment and desorbed from the adsorbent, and at least the target organic chlorine compound is dechlorinated and detoxified by the treatment gas to be produced. The resulting product and other substances, such as, for example, process gases, are discharged from the product outlet. By detoxifying and desorbing the target organic chlorine compound in this way, the target organic chlorine compound adsorption capacity of the adsorbent is regenerated, and the adsorbent can be used repeatedly. Since dechlorination and detoxification are performed by the inert and / or reducing heat gas for treatment, regeneration of the target organic chlorine compound can be prevented with high reliability.

【0015】処理器としては、例えば、室状、管状、塔
状等の気密性を有し処理対象物や粒状又は粉状のゼオラ
イトを用いる場合の吸着剤等が漏れないようなものを適
宜選択し得る。その他に、例えば、回転ドラム若しくは
ロータリーキルン型のものを用いることや、粒状又は粉
状のゼオライトを流動層に用いるもの等を使用すること
も可能である。
As the treatment device, for example, a treatment device having a gas-tightness such as a chamber, a tube, a tower and the like which does not leak an object to be treated or an adsorbent when using a granular or powdery zeolite is appropriately selected. I can do it. In addition, it is also possible to use, for example, a rotary drum or rotary kiln type, or a type using granular or powdery zeolite for the fluidized bed.

【0016】対象物導入部、処理用物質導入部、処理済
物排出部及び生成物類排出部は、それぞれ、例えば開閉
弁等により開閉され得る開口を有するものとすることが
できる。対象物導入部、処理用物質導入部、処理済物排
出部及び生成物類排出部は、それぞれ別個とすることが
できるほか、例えば、何れか2つが共通(例えば、対象
物導入部と処理用物質導入部、又は処理済物排出部と生
成物類排出部、又は処理済物排出部と処理用物質導入
部)で残りの2つは別個であるもの、何れか2つが共通
(例えば、対象物導入部と処理用物質導入部、又は処理
済物排出部と処理用物質導入部)で残りの2つも共通で
あるもの、何れか3つが共通であるもの、或いは、全て
が共通であるものとすることができる。
Each of the object introduction section, the processing substance introduction section, the processed material discharge section, and the product discharge section may have an opening which can be opened and closed by, for example, an on-off valve. The object introduction part, the processing substance introduction part, the processed material discharge part, and the product discharge part can be separately provided, and for example, any two of them are common (for example, the object introduction part and the processing substance discharge part). The substance introduction part, or the processed material discharge part and the product discharge part, or the processed material discharge part and the processing substance introduction part), the other two being separate, and any two are common (for example, (The substance introduction part and the treatment substance introduction part, or the processed material discharge part and the treatment substance introduction part), the other two are also common, any three are common, or all are common It can be.

【0017】対象物導入部と処理用物質導入部或いは処
理済物排出部と生成物類排出部の両方又は何れかが別個
のものである場合、対象物導入部から処理済物排出部に
達する経路と、処理用物質導入部から生成物類排出部に
達する経路は、通常の場合ほぼ同じであるが、例えば、
その向きを逆とすることもできる。
In the case where the object introduction part and the treatment substance introduction part or the treated matter discharge part and / or the product discharge part are separate, they reach the treated matter discharge part from the object introduction part. The path and the path from the processing substance introduction section to the product discharge section are almost the same in the normal case.
The direction can be reversed.

【0018】処理対象物供給手段は、処理対象物源と対
象物導入部を含むものとすることができる。
The processing object supply means may include a processing object source and an object introduction unit.

【0019】処理対象物供給手段の例としては、処理対
象物を発生又は貯留する焼却炉又はその他の装置類等の
処理対象物源と、気体処理対象物送給管、気体処理対象
物送給用のブロワやファン、固体処理対象物送給用のス
クリューコンベヤ、対象物導入部に対する開閉弁等の処
理対象物送給および/または分配装置との組合せを挙げ
ることができる。
Examples of the processing object supply means include a processing object source such as an incinerator or other apparatus for generating or storing the processing object, a gas processing object supply pipe, and a gas processing object supply. And a combination with a blower or a fan for feeding a solid processing target, a screw conveyor for feeding a solid processing target, and an on-off valve for the target introduction unit and the like, and a target feeding and / or distributing device.

【0020】処理用物質供給手段は、処理用物質源と処
理用物質導入部を含むものとすることができる。
The processing substance supply means may include a processing substance source and a processing substance introduction unit.

【0021】処理用物質供給手段の例としては、窒素ガ
ス発生装置・窒素ガス分離装置・窒素ガスボンベ等の窒
素ガス源、その他の不活性ガス類ボンベ等の不活性ガス
類源、還元性ガス類ボンベ等の還元性ガス類源、熱分解
又は気化により還元性ガス類を生ずる物質(例えばメタ
ノールやエタノールのように揮発し易いもの)の供給源
等の処理用物質源と、処理用物質送給管や処理用物質導
入部に対する開閉弁等の処理用物質送給および/または
分配装置との組合せ、或いは、これらと処理用物質加熱
用の熱交換器および/またはその他の加熱装置との組合
せを挙げることができる。
Examples of the processing substance supply means include a nitrogen gas generator, a nitrogen gas separator, a nitrogen gas source such as a nitrogen gas cylinder, other inert gas sources such as an inert gas cylinder, and reducing gas. A processing substance source such as a reducing gas source such as a cylinder, a supply source of a substance generating a reducing gas by thermal decomposition or vaporization (e.g., a substance that is easily volatilized such as methanol or ethanol), and a processing substance supply Combination with a processing substance supply and / or distribution device such as an on-off valve for a pipe or a processing substance introduction portion, or a combination of these with a heat exchanger and / or another heating device for heating a processing substance. Can be mentioned.

【0022】本発明の有機塩素化合物処理装置は、処理
済物排出部から処理済物を外部へ排出するための処理済
物排出手段を備えるものとすることができる。処理済物
排出部からの処理済物の排出は、例えば、流体(処理対
象物、処理済物又は処理用物質等)による押し出しによ
る排出、吸引装置等による吸引による排出、重力による
排出、各種フィーダ等の機械的な排出装置による排出、
又はこれらの2以上の組合わせ等により行ない得る。
The apparatus for treating an organic chlorine compound according to the present invention may include a treated material discharging means for discharging the treated material from the treated material discharging portion to the outside. The discharge of the processed material from the processed material discharge unit includes, for example, discharge by extrusion with a fluid (a processing object, a processed material, a processing substance, or the like), discharge by suction using a suction device, discharge by gravity, various feeders. Discharge by a mechanical discharge device such as
Alternatively, it can be performed by a combination of two or more of these.

【0023】また本発明の有機塩素化合物処理装置は、
少なくとも対象有機塩素化合物が前記処理用ガスにより
脱塩素無害化処理されて生成する生成物を生成物類排出
部から排出するための生成物類排出手段を備えるものと
することができる。対象有機塩素化合物が前記処理用ガ
スにより脱塩素無害化処理されて生成する生成物等の生
成物類排出部からの排出は、例えば、処理用ガスによる
押し出しによる排出および/または吸引装置等による吸
引による排出等により行ない得る。
Further, the apparatus for treating an organic chlorine compound of the present invention comprises:
At least a product discharging means for discharging a product generated by subjecting at least the target organic chlorine compound to dechlorination and detoxification treatment by the processing gas from the product discharging section may be provided. The discharge from the product discharge section, such as products generated by subjecting the target organic chlorine compound to dechlorination treatment by the processing gas, is, for example, discharge by extrusion with the processing gas and / or suction by a suction device or the like. Can be carried out by discharging the wastewater.

【0024】吸着及び無害化処理は、例えば、吸着剤に
到達した状態の処理対象物が実質的に気体であるもの及
び実質的に固体であるものの何れであっても可能であ
り、気体と固体が混合した状態のものであっても可能で
ある。超微粉体等を含んでいてもよい。
The adsorption and detoxification treatment can be performed, for example, regardless of whether the object to be treated reaching the adsorbent is substantially gas or substantially solid. Can be mixed. It may contain ultrafine powder or the like.

【0025】また、吸着剤による対象有機塩素化合物の
吸着は、吸着剤に到達した状態の処理対象物が実質的に
液体であるもの又は液体を含むものであってもよい。
The adsorption of the target organochlorine compound by the adsorbent may be a substance which is substantially liquid or contains a liquid when the treatment target reaches the adsorbent.

【0026】特に、処理対象物が液体を含み得るもので
ある場合、吸着剤の乾燥状態を検知する乾燥状態検知手
段を有し、少なくとも、吸着剤が所定状態以上に乾燥し
ていることを前記乾燥状態検知手段により検知した後に
おいて、吸着剤への処理用物質の供給が行われるものと
することが望ましい。この場合、及びその他の場合に
も、吸着剤を乾燥させるための乾燥手段を有するものと
することができる。
In particular, when the object to be treated can contain a liquid, it has a dry state detecting means for detecting the dry state of the adsorbent, and at least that the adsorbent is dried to a predetermined state or more. After the detection by the dry state detection means, it is desirable that the processing substance be supplied to the adsorbent. In this case and in other cases, a drying means for drying the adsorbent may be provided.

【0027】吸着剤の乾燥状態を検知する乾燥状態検知
手段としては、処理器内又は例えば処理済物排出部の下
流側に、例えば温度センサおよび/または1若しくは2
以上の所定成分を検出する1若しくは2以上のセンサを
設け、温度センサにより検知される温度の変化(例えば
急激な上昇)によりおよび/または検出された成分の量
や割合等により、コンピュータ等を利用して判定するも
のを例示することができる。
The dry state detecting means for detecting the dry state of the adsorbent includes, for example, a temperature sensor and / or 1 or 2 inside the processing unit or downstream of the processed material discharge section.
One or more sensors for detecting the above predetermined components are provided, and a computer or the like is used according to a change in temperature (for example, a sharp rise) detected by the temperature sensor and / or an amount or a ratio of the detected components. The determination can be made as an example.

【0028】吸着剤への処理用物質の供給は、吸着剤が
所定状態以上に乾燥していることを前記乾燥状態検知手
段により検知した後に始めるものとする(例えば乾燥状
態検知手段により所定状態以上に乾燥していることを検
知した後、吸着剤への処理用物質の供給を、例えば開閉
弁を開くことにより開始する)他、例えばそれ以前から
行われるものとすることもできる。
The supply of the processing substance to the adsorbent is started after the dry state detecting means detects that the adsorbent has dried to a predetermined state or more (for example, the predetermined state or more is detected by the dry state detecting means). The supply of the processing substance to the adsorbent is started after the dry state is detected, for example, by opening an on-off valve.) Alternatively, for example, the supply may be performed before that.

【0029】前記乾燥手段としては、電熱線を用いた電
気ヒータ、マイクロ波照射、減圧装置等の1又は2以上
を例示することができる。
Examples of the drying means include one or more of an electric heater using a heating wire, microwave irradiation, a decompression device, and the like.

【0030】また、対象有機塩素化合物の吸着及び吸着
された対象有機塩素化合物の処理用熱ガスによる脱塩素
無害化の効率は、150乃至600℃の範囲においてほ
とんど変化なく良好である。吸着剤がゼオライトからな
るので、処理対象物が高温(例えば300乃至600
℃)であっても活性炭を用いた場合のような発火や爆発
の危険性がない。処理対象物を600℃程度までの高温
で処理することができるので、吸着剤による吸着処理前
に処理対象物の冷却が必要な場合でも必要な冷却の程度
を活性炭を用いた場合に比し低くすることができる。
The efficiency of adsorption of the target organic chlorine compound and detoxification of the adsorbed target organic chlorine compound by the hot gas for treatment is almost unchanged within the range of 150 to 600 ° C. Since the adsorbent is made of zeolite, the object to be treated has a high temperature (for example, 300 to 600).
° C), there is no danger of ignition or explosion as in the case of using activated carbon. Since the object to be treated can be treated at a high temperature of up to about 600 ° C., even when the object to be treated needs to be cooled before the adsorption treatment by the adsorbent, the required degree of cooling is lower than when using activated carbon. can do.

【0031】対象有機塩素化合物は、ダイオキシン類、
ダイオキシン類の前駆物質(例えば塩化ベンゼン、塩化
フェノール、塩化ナフタレン、塩化ナフトール、塩化ジ
フェニルエーテル等の芳香族系塩素化合物、熱および/
または触媒反応により芳香族系塩素化合物を生成し得る
有機塩素化合物)、及びPCB類からなる群から選ばれ
た1種又は2種以上であるものとすることができるが、
他の有機塩素化合物も対象となり得る。
The target organic chlorine compounds include dioxins,
Dioxin precursors (eg, aromatic chlorine compounds such as benzene chloride, phenol chloride, naphthalene chloride, naphthol chloride, and diphenyl ether chloride, heat and / or
Or one or more selected from the group consisting of PCBs, and an organic chlorine compound capable of generating an aromatic chlorine compound by a catalytic reaction.
Other organochlorine compounds may be of interest.

【0032】ダイオキシン類というのは、2,3,7,8−テ
トラクロロジベンゾ−パラ−ジオキシン(2,3,7,8-TCD
D)などの塩化ジベンゾ−パラ−ジオキシン類(Polychl
orinated dibenzo-p-dioxins)、塩化ジベンゾフラン類
(Polychlorinated dibenzofurans)、及びコプラナー
PCB類(Coplanar polychlorinated biphenyls)を言
うものとする。
Dioxins are defined as 2,3,7,8-tetrachlorodibenzo-para-dioxin (2,3,7,8-TCD
D), such as dibenzo-para-dioxins (Polychl
orinated dibenzo-p-dioxins), polychlorinated dibenzofurans, and coplanar PCBs (Coplanar polychlorinated biphenyls).

【0033】塩化ジベンゾ−パラ−ジオキシン類として
は、他に、1,2,3,7,8-PeCDD;1,2,3,4,7,8-HxCDD;1,2,
3,6,7,8-HxCDD;1,2,3,7,8,9-HxCDD;1,2,3,4,6,7,8-Hp
CDD;1,2,3,4,6,7,8,9-OCDD等を例示することができ
る。
Other examples of dibenzo-para-dioxins include 1,2,3,7,8-PeCDD; 1,2,3,4,7,8-HxCDD;
3,6,7,8-HxCDD; 1,2,3,7,8,9-HxCDD; 1,2,3,4,6,7,8-Hp
CDD; 1,2,3,4,6,7,8,9-OCDD and the like can be exemplified.

【0034】塩化ジベンゾフラン類としては、2,3,7,8-
TCDF;1,2,3,7,8-PeCDF;2,3,4,7,8-PeCDF;1,2,3,4,7,
8-HxCDF;1,2,3,6,7,8-HxCDF;1,2,3,7,8,9-HxCDF;2,
3,4,6,7,8-HxCDF;1,2,3,4,7,8,9-HpCDF;1,2,3,4,6,7,
8-HpCDF;1,2,3,4,6,7,8,9-OCDF等を例示することがで
きる。
As the dibenzofurans, 2,3,7,8-
TCDF; 1,2,3,7,8-PeCDF; 2,3,4,7,8-PeCDF; 1,2,3,4,7,
8-HxCDF; 1,2,3,6,7,8-HxCDF; 1,2,3,7,8,9-HxCDF; 2,
3,4,6,7,8-HxCDF; 1,2,3,4,7,8,9-HpCDF; 1,2,3,4,6,7,
8-HpCDF; 1,2,3,4,6,7,8,9-OCDF and the like can be exemplified.

【0035】コプラナーPCB類とは、扁平な構造を持
つ1群のPCB類(Polychlorinated biphenyls)を言
う。
The coplanar PCBs are a group of PCBs (Polychlorinated biphenyls) having a flat structure.

【0036】コプラナーPCB類としては、3,3',4,4'-
TCB;3,3',4,4',5-PeCB;3,3',4,4',5,5'-HxCB;2,3,
3',4,4'-PeCB;2,3',4,4',5-PeCB;2',3,4,4',5-PeCB;
2,3,4,4',5-PeCB;2,3,3',4,4',5-HxCB;2,3,3',4,4'5'
-HxCB;2,3,4,4',5,5'-HxCB;2,3,3',4,4',5,5'-HpCB;
2,2',3,3',4,4',5-HpCB;2,2',3,4,4',5,5'-HpCB等を例
示することができる。
As coplanar PCBs, 3,3 ', 4,4'-
TCB; 3,3 ', 4,4', 5-PeCB; 3,3 ', 4,4', 5,5'-HxCB; 2,3,
3 ', 4,4'-PeCB;2,3', 4,4 ', 5-PeCB; 2', 3,4,4 ', 5-PeCB;
2,3,4,4 ', 5-PeCB; 2,3,3', 4,4 ', 5-HxCB; 2,3,3', 4,4'5 '
-HxCB; 2,3,4,4 ', 5,5'-HxCB;2,3,3', 4,4 ', 5,5'-HpCB;
2,2 ', 3,3', 4,4 ', 5-HpCB; 2,2', 3,4,4 ', 5,5'-HpCB and the like can be exemplified.

【0037】また、PCB類は、「化学物質の審査およ
び製造等の規制に関する法律(化審法)」において「第
一種特定化学物質」に指定されている有害物質で、20
9種類の一連の化合物群の総称である。
PCBs are harmful substances designated as "first-class specific chemical substances" in the "Law Concerning Regulations on the Examination and Production of Chemical Substances (Chemical Substances Control Law)".
It is a generic term for a series of nine compound groups.

【0038】なお、所定条件(例えば一定温度範囲、具
体例としては、150乃至600℃)下で分解若しくは
一部離脱等が生じることにより対象有機塩素化合物と不
活性および/または還元性のガスを生成し易い物質の場
合、そのように生成する対象有機塩素化合物を吸着剤に
吸着させ、その対象有機塩素化合物を、生成した不活性
および/または還元性の熱ガスにより或はその生成した
熱ガスと他の処理用熱ガスにより脱塩素無害化すること
も可能である。
Under certain conditions (for example, a certain temperature range, specifically, 150 to 600 ° C.), decomposition or partial elimination of the target organic chlorine compound and an inert and / or reducing gas can occur. In the case of a substance which is easily formed, the target organochlorine compound thus formed is adsorbed on an adsorbent, and the target organochlorine compound is converted by the generated inert and / or reducing hot gas or by the generated hot gas. It is also possible to detoxify and detoxify by using another processing hot gas.

【0039】吸着剤に到達した状態の処理対象物の例と
しては、実質的に気体であるもの、実質的に固体である
もの、実質的に気体と固体からなるものを挙げることが
できる。
Examples of the object to be treated after reaching the adsorbent include those that are substantially gas, those that are substantially solid, and those that substantially consist of gas and solid.

【0040】処理器内へ導入された状態において液体で
あっても、吸着剤に到達する前に気化や熱分解等により
気体となり得る。その場合の気化や熱分解等のための加
熱手段としては、電熱線を用いた電気ヒータやマイクロ
波照射等の公知の加熱手段を適宜利用し得る。
Even if the liquid is introduced into the processing unit, it can be converted into a gas by vaporization or thermal decomposition before reaching the adsorbent. In this case, as a heating means for vaporization, thermal decomposition, or the like, a known heating means such as an electric heater using a heating wire or microwave irradiation can be appropriately used.

【0041】気体処理対象物というのは、気体の対象有
機塩素化合物及び他の気体(一般には、例えば二酸化炭
素や窒素等)を含むものである。
The object to be gas-treated includes a target organic chlorine compound as a gas and another gas (generally, for example, carbon dioxide or nitrogen).

【0042】固体処理対象物というのは、対象有機塩素
化合物が付着したおよび/または対象有機塩素化合物を
内蔵した固体(例えば、金属微粒子、金属酸化物の微粒
子、未燃炭素微粒子、粉状・粒状若しくは片状の金属若
しくはその他の無機物又は有機物等)並びにその他の固
体物質である。
The object to be solid-processed is a solid to which the target organic chlorine compound is adhered and / or contains the target organic chlorine compound (for example, metal fine particles, metal oxide fine particles, unburned carbon fine particles, powdery / granular particles). Or flaky metal or other inorganic or organic substances) and other solid substances.

【0043】実質的に気体であるというのは、前記のよ
うな気体のみのもののほか、前記のような気体中に前記
のような固体粒子(特に微細な固体粒子)や液滴(特に
微細な液滴)等を若干量分散状態等で含むものを言う
が、固体粒子や液滴(特に液滴)を含まないものである
ことが好ましい。
The term "substantially gaseous" means not only the above-mentioned gas alone but also the above-mentioned solid particles (particularly fine solid particles) or droplets (particularly fine particles) in the above-mentioned gas. Droplets) and the like in a dispersed state or the like, but preferably do not contain solid particles or droplets (particularly, droplets).

【0044】実質的に固体であるというのは、気体状の
処理対象物や液体を若干量含むものを言うが、これらを
含まないものであることが好ましい。
The term "substantially solid" refers to a substance containing a small amount of a gaseous object or a liquid, but preferably does not contain these.

【0045】本発明の装置及び方法を使用する場合、吸
着剤に到達した状態の処理対象物は、200乃至480
℃であることが望ましい。このような温度とするために
必要な場合、適宜の加熱手段を用いて加熱することがで
きる。
When the apparatus and method of the present invention are used, the object to be treated that has reached the adsorbent is 200 to 480.
C. is desirable. If necessary to achieve such a temperature, heating can be performed using an appropriate heating means.

【0046】ゼオライト(Zeolite)は、合成ゼオライ
トでも天然ゼオライトでもよいが、本発明において吸着
剤に用いるゼオライトは、有する微細孔として6乃至1
3オングストロームの孔径の微細孔の割合が可及的に大
きいものであることが望ましい。このようなゼオライト
は、対象有機塩素化合物、特にダイオキシン類及びPC
B類を効率良く吸着し得る。
The zeolite (Zeolite) may be a synthetic zeolite or a natural zeolite. The zeolite used as the adsorbent in the present invention has a fine pore of 6 to 1
It is desirable that the proportion of micropores having a pore size of 3 Å is as large as possible. Such zeolites can be used as target organochlorine compounds, especially dioxins and PC.
B can be adsorbed efficiently.

【0047】吸着剤に用いるゼオライトとして望ましい
ものとしては、例えばゼオライトにおける50%以上の
微細孔の孔径が6乃至13オングストロームであるもの
である。
The zeolite used as the adsorbent is preferably, for example, a zeolite in which the pore size of 50% or more of the fine pores is 6 to 13 Å.

【0048】吸着剤に用いるゼオライトとしてより望ま
しいものは、ゼオライトにおける80%以上の微細孔の
孔径が6乃至13オングストロームであるものである。
この場合、ゼオライトが対象有機塩素化合物、特にダイ
オキシン類及びPCB類を、極めて効率良く吸着するこ
とができる。このような合成ゼオライトの例として、Z
SM−5(孔径:約7オングストローム)及びFAUj
asite(孔径:約7オングストローム)を挙げるこ
とができる。尤も、ゼオライトにおける微細孔の孔径が
6乃至13オングストロームであるものの割合が50%
未満(例えば10乃至30%程度)であるものであって
も、使用可能である。
More preferably, the zeolite used as the adsorbent has a pore size of 80% or more of the micropores in the zeolite being 6 to 13 Å.
In this case, the zeolite can adsorb the target organic chlorine compound, particularly dioxins and PCBs, very efficiently. Examples of such synthetic zeolites include Z
SM-5 (pore size: about 7 angstroms) and FAUj
asite (pore diameter: about 7 angstroms). However, the proportion of micropores having a pore size of 6 to 13 angstroms in zeolite is 50%.
Even if it is less than (for example, about 10 to 30%), it can be used.

【0049】ゼオライトは、その成分中におけるSi/
Alの原子比の値が3以上の疎水性であることが望まし
い。
The zeolite has a Si /
It is desirable that Al has a hydrophobicity with an atomic ratio of 3 or more.

【0050】処理対象物に液滴状の水分を含み得る場合
に、ゼオライトが対象有機塩素化合物より先に水分を吸
着してしまうことにより対象有機塩素化合物の吸着能力
が低下することが防がれる。また、粉状体等の固体状の
処理対象物は、それ自体疎水性であることが多いから、
吸着剤が疎水性であるほうが吸着し易い。
When the object to be treated can contain water in the form of droplets, it is possible to prevent the zeolite from adsorbing moisture earlier than the target organic chlorine compound, thereby preventing the adsorption ability of the target organic chlorine compound from being reduced. . In addition, since solid objects to be treated such as powders are often hydrophobic themselves,
Adsorption is easier when the adsorbent is hydrophobic.

【0051】処理器の内部に有する吸着剤は、例えば、
多管集合構造に形成されたゼオライト、多管集合構造の
担体の表面に担持されたゼオライト、海綿状多孔構造の
ゼオライト、繊維状のゼオライト、定形若しくは不定形
粒状のゼオライト状、粉状のゼオライト、定形若しくは
不定形棒状のゼオライト、及び、定形若しくは不定形板
状のゼオライトからなる群から選ばれた1種又は2種以
上であるものとすることができる。
The adsorbent inside the processing unit is, for example,
Zeolite formed in a multitubular aggregated structure, zeolite supported on the surface of a carrier with a multitubular aggregated structure, zeolite in a spongy porous structure, zeolite in a fibrous form, zeolite in a regular or irregular-shaped granular form, zeolite in a powder form, It may be one or two or more selected from the group consisting of zeolite in the form of a regular or irregular rod and zeolite in the form of a regular or irregular plate.

【0052】多管集合構造というのは、多数の管が集合
した構造(例えば、ほぼ平行状に集合した構造、すなわ
ち平行状多管集合構造。)であり、具体的には、例え
ば、ハニカム状構造や、1又は2以上の段の段ダンボー
ル状構造(1又は2以上の平板と1又は2以上の波形状
板が交互に積層し、各平板と各波形状板の片面との間に
1波長分ずつの多数の管状部が形成された構造)を挙げ
ることができる。
The multi-tube assembly structure is a structure in which a large number of tubes are assembled (for example, a structure in which the tubes are substantially parallel, that is, a parallel multi-tube assembly structure). Structure or corrugated cardboard structure of one or more steps (one or two or more flat plates and one or two or more corrugated plates are alternately laminated, and one Structure in which a large number of tubular portions are formed for each wavelength).

【0053】特に、吸着剤が多管集合構造(例えば平行
状多管集合構造)に形成されたゼオライト又は多管集合
構造(例えば平行状多管集合構造)の担体の表面に担持
されたゼオライトであるものは、処理対象物が実質上気
体である場合において好ましい。
In particular, the adsorbent is a zeolite formed in a multitubular aggregated structure (for example, parallel multitubular aggregated structure) or a zeolite supported on the surface of a multitubular aggregated structure (for example, parallel multitubular aggregated structure). Some are preferred when the object to be treated is substantially a gas.

【0054】処理器内において処理対象物が対象物導入
部から処理済物排出部へ流動するものである場合、前記
多管集合構造に形成されたゼオライト又は多管集合構造
の担体は、ほぼ処理対象物の流動方向の回転軸線の回り
に回転し得るよう回転自在に支持されて回転駆動機構に
より回転駆動されるものであると共に、その回転軸線方
向に処理対象物が通過し得る多数の貫通孔により構成さ
れたものであることが好ましい。その具体例としては、
各種ハニカムロータにおけるハニカム状構造の表面にゼ
オライトが担持されたものを挙げることができる。
In the case where the object to be treated flows from the object introduction part to the treated matter discharge part in the treatment device, the zeolite or the carrier having the multi-tube assembly structure formed in the multi-tube assembly structure is substantially treated. It is rotatably supported and rotatably driven by a rotation drive mechanism so as to be rotatable around a rotation axis in the flow direction of the object, and has a large number of through holes through which the object to be processed can pass in the direction of the rotation axis. It is preferable that it is comprised by these. As a specific example,
A variety of honeycomb rotors in which zeolite is supported on the surface of a honeycomb structure can be given.

【0055】吸着剤は、処理器中において処理対象物及
び処理用熱ガスが流動する経路上における複数の箇所
に、異なる態様で設けることが好ましい。例えば、多管
集合構造(平行状多管集合構造等)の担体の表面に吸着
剤としてゼオライトが担持されたものを複数用いる場
合、多管集合構造として互いに異なる構造のものを用い
たり、用いるゼオライトの微細孔の径の分布や疎水性又
は親水性の度合いを異なるものとすることができる。ま
た、1つの多管集合構造(例えば平行状多管集合構造)
の担体に担持されたゼオライトを、その多管集合構造の
位置(例えば処理対象物及び処理用熱ガスが流動する方
向における位置)により前記のように異なるものとする
こともできる。
It is preferable that the adsorbent is provided in a plurality of places on the flow path of the processing object and the processing hot gas in the processing apparatus in different modes. For example, in the case of using a plurality of tubes each having a zeolite supported as an adsorbent on the surface of a carrier having a multitubular aggregate structure (parallel multitubular aggregate structure or the like), a zeolite having a different structure from the multitubular aggregate structure may be used. The distribution of the diameter of the micropores and the degree of hydrophobicity or hydrophilicity can be different. In addition, one multi-tube assembly structure (for example, a parallel multi-tube assembly structure)
The zeolite supported on the carrier may be varied as described above depending on the position of the multi-tube assembly structure (for example, the position in the direction in which the processing object and the processing hot gas flow).

【0056】本発明の装置及び方法を使用する場合、ゼ
オライトからなる対象有機塩素化合物用の吸着剤は、2
00乃至480℃の範囲における例えば±20℃等の所
定温度範囲内に(例えば処理器内に導入する処理対象物
や処理用物質の熱により、或いは電熱線を用いた電気ヒ
ータやマイクロ波照射等の他の公知手段により)維持さ
れることが望ましい。処理対象物が実質的に固体である
場合は、250乃至480℃に維持されることが望まし
い。温度の維持は、必要に応じ温度センサを用いて温度
を検知しつつ行うことができる。
When using the apparatus and method of the present invention, the adsorbent for the target organochlorine compound consisting of zeolite is 2
Within a predetermined temperature range of, for example, ± 20 ° C. in the range of 00 to 480 ° C. (for example, by the heat of an object to be treated or a substance to be treated introduced into the processor, or by an electric heater using heating wire, microwave irradiation, etc. (By other known means). When the object to be treated is substantially solid, it is desirable to maintain the temperature at 250 to 480 ° C. Maintaining the temperature can be performed while detecting the temperature using a temperature sensor as needed.

【0057】処理用物質は、不活性ガス類および/また
は還元性ガス類であるものとすることができる。処理器
に供給される前において熱分解および/または触媒分解
等により不活性ガス類および/または還元性ガス類を生
ずる物質であっても勿論差し支えない。
The processing substances can be inert gases and / or reducing gases. Of course, a substance which generates an inert gas and / or a reducing gas by thermal decomposition and / or catalytic decomposition before being supplied to the processor may be used.

【0058】また、処理用物質供給手段により処理器内
の吸着剤に供給される(若しくは処理用物質源から処理
用物質導入部を通じて処理器内に導入される)処理用物
質が、熱分解により還元性ガス類を生ずる物質、或いは
熱分解により還元性ガス類を生ずる物質並びに処理用ガ
スとしての不活性ガス類および/または還元性ガス類で
あり、前記の熱分解により還元性ガス類を生ずる物質が
吸着剤に到達する前にその物質を処理器内において熱分
解させて処理用ガスとしての還元性ガス類を生じさせる
ための加熱手段を有するものとすることもできる。その
場合の加熱手段としては、電熱線を用いた電気ヒータや
マイクロ波照射等の公知の加熱手段を適宜利用し得る。
Further, the processing substance supplied to the adsorbent in the processing unit by the processing substance supply means (or introduced into the processing unit from the processing substance source through the processing substance introduction unit) is thermally decomposed. A substance that generates reducing gases, or a substance that generates reducing gases by thermal decomposition, and an inert gas and / or a reducing gas as a processing gas. Before the substance reaches the adsorbent, a heating means for thermally decomposing the substance in the processor to generate reducing gases as a processing gas may be provided. As a heating means in that case, a known heating means such as an electric heater using a heating wire or microwave irradiation can be appropriately used.

【0059】前記不活性ガス類は、例えば、窒素ガス、
ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトン
ガス及びキセノンガスからなる群から選ばれた1又は2
以上とすることができる。
The inert gases include, for example, nitrogen gas,
1 or 2 selected from the group consisting of helium gas, neon gas, argon gas, krypton gas and xenon gas
The above can be considered.

【0060】前記還元性ガス類としては、水素ガスおよ
び/または一酸化炭素ガスの他、本発明において処理用
ガスとして使用し得る温度範囲(例えば150乃至60
0℃)及び圧力下においてガスであるもの、例えば各種
アルコール類(例えばメタノール、エタノール、プロパ
ノール、ブタノール等)、有機酸(例えば、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、シュウ酸等)等を挙げることができ
る。その他、炭素及び水素を含む化合物であって、本発
明において処理用ガスとして使用し得る温度範囲及び圧
力下においてガスであるものも使用し得る。
Examples of the reducing gas include a hydrogen gas and / or a carbon monoxide gas, and a temperature range (for example, 150 to 60) that can be used as a processing gas in the present invention.
0 ° C.) and those which are gases under pressure, such as various alcohols (eg, methanol, ethanol, propanol, butanol, etc.), organic acids (eg, formic acid, acetic acid, propionic acid, oxalic acid, etc.). . In addition, a compound containing carbon and hydrogen, which is a gas in a temperature range and a pressure that can be used as a processing gas in the present invention, may also be used.

【0061】また、前記の熱分解により還元性ガス類を
生ずる物質は、例えば、アンモニア、アミン類、使用条
件下でアンモニアやアミン類を生ずる物質、炭化水素類
(例えばメタン、エタン、プロパン、ブタン等の脂肪族
炭化水素)、有機酸(例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン
酸、シュウ酸等)、アルコール類(例えばメタノール、
エタノール、プロパノール、ブタノール等)、ケトン類
(例えばアセトン、エチルメチルケトン)、糖類、及び
界面活性剤(アニオン系、カチオン系、又はノニオン
系)からなる群から選ばれた1又は2以上とすることが
できる。その他の炭素及び水素を含む化合物も使用し得
る。
Examples of the substance that generates reducing gases by the thermal decomposition include ammonia, amines, substances that generate ammonia and amines under use conditions, and hydrocarbons (eg, methane, ethane, propane, butane). Such as aliphatic hydrocarbons), organic acids (eg, formic acid, acetic acid, propionic acid, oxalic acid, etc.), alcohols (eg, methanol,
One or more selected from the group consisting of ethanol, propanol, butanol, etc., ketones (eg, acetone, ethyl methyl ketone), saccharides, and surfactants (anionic, cationic, or nonionic) Can be. Other compounds containing carbon and hydrogen may also be used.

【0062】吸着剤に到達した状態の処理用熱ガスの温
度は、例えば150乃至600℃とすることができる。
The temperature of the processing hot gas that has reached the adsorbent can be, for example, 150 to 600 ° C.

【0063】処理用熱ガスの温度として、150℃は、
ほぼ、対象有機塩素化合物を脱塩素無害化させるための
反応下限温度であり、600℃は、ほぼ、吸着剤として
のゼオライトの耐熱温度である。吸着剤に到達した状態
の処理用熱ガスの温度としてより好ましいのは、250
乃至500℃である。
The temperature of the processing hot gas is 150 ° C.
It is almost the lower limit temperature of the reaction for detoxifying the target organic chlorine compound, and 600 ° C. is almost the heat resistant temperature of zeolite as an adsorbent. More preferably, the temperature of the processing hot gas reaching the adsorbent is 250
To 500 ° C.

【0064】また、吸着剤に到達した状態の処理用物質
としての処理用ガスの温度が、その吸着剤に吸着された
対象有機塩素化合物を脱塩素無害化するために必要な温
度となるように、前記処理用物質を加熱するための加熱
手段を有するものとすることができる。
Further, the temperature of the processing gas as the processing substance that has reached the adsorbent is set to a temperature required for dechlorinating the target organic chlorine compound adsorbed by the adsorbent. And a heating means for heating the processing substance.

【0065】このような加熱手段は、処理器(処理用物
質導入部)の上流側および/または処理器に設けること
ができ、公知の加熱手段を適宜利用し得る。その例とし
ては、電熱線を用いた電気ヒータやマイクロ波照射等を
挙げることができる。また、温度センサを処理器(処理
用物質導入部)の上流側および/または処理器等の適宜
位置に設け、温度センサによる検知温度に応じ加熱手段
による加熱を行なうものとすることもできる。
Such a heating means can be provided on the upstream side of the processing unit (processing substance introduction part) and / or in the processing unit, and a known heating unit can be appropriately used. Examples thereof include an electric heater using a heating wire and microwave irradiation. Further, a temperature sensor may be provided upstream of the processing unit (processing substance introduction unit) and / or at an appropriate position in the processing unit or the like, and heating may be performed by a heating unit according to the temperature detected by the temperature sensor.

【0066】(2) 上記有機塩素化合物処理装置におい
て、処理器内の吸着剤への処理対象物の供給が停止され
た後、処理器内の吸着剤への処理用ガスの供給が行なわ
れるものとすることができる。
(2) In the above apparatus for treating an organic chlorine compound, the supply of the processing gas to the adsorbent in the processing unit is performed after the supply of the processing object to the adsorbent in the processing unit is stopped. It can be.

【0067】処理器内の吸着剤への処理対象物の供給が
停止された後に処理器内の吸着剤へ処理用ガスが供給さ
れることにより、吸着剤に吸着された状態の対象有機塩
素化合物が処理用ガス(所要温度の処理用熱ガス)によ
り効率高く脱塩素無害化される。なお、前述のように、
吸着剤に吸着された対象有機塩素化合物の一部は、諸条
件によっては、処理用熱ガスによらずに分解することも
有り得る。
After the supply of the processing object to the adsorbent in the processing unit is stopped after the supply of the processing object to the adsorbent in the processing unit is stopped, the target organic chlorine compound adsorbed by the adsorbent is supplied. Is efficiently dechlorinated and detoxified by the processing gas (processing hot gas at a required temperature). As mentioned above,
Part of the target organic chlorine compound adsorbed on the adsorbent may be decomposed depending on various conditions without using the processing hot gas.

【0068】また、処理器内の吸着剤への処理用ガスの
供給が、処理器内の吸着剤への処理対象物の供給と全部
又は一部並行して行なわれるものとすることもできる。
Further, the supply of the processing gas to the adsorbent in the processing unit may be performed in whole or in part with the supply of the processing object to the adsorbent in the processing unit.

【0069】(3-1) 上記有機塩素化合物処理装置にお
いて、処理器は、吸着剤を移動可能な状態で内部に収容
し得、対象有機塩素化合物を含有し得る処理対象物が対
象物導入部から内部に導入される吸着処理部と、処理用
物質が処理用物質導入部から内部に導入される脱塩素処
理部と、少なくとも吸着剤を、吸着処理部から脱塩素処
理部へ移送するための移送機構を備えてなるものとする
ことができる。
(3-1) In the apparatus for treating an organic chlorine compound, the treating device can accommodate the adsorbent therein in a movable state, and the treatment object which can contain the target organic chlorine compound is introduced into the object introduction section. From the adsorption treatment section introduced into the inside, and the dechlorination treatment section in which the treatment substance is introduced from the treatment substance introduction section, and at least the adsorbent, for transferring the adsorbent from the adsorption treatment section to the dechlorination treatment section A transport mechanism may be provided.

【0070】この場合、吸着処理部において、処理対象
物に含有され得る対象有機塩素化合物が吸着剤に吸着さ
れ、その吸着剤が移送機構により脱塩素処理部に移送さ
れ、脱塩素処理部において、吸着剤に吸着された状態の
対象有機塩素化合物が処理用熱ガスにより効率高く脱塩
素無害化される。
In this case, the target organochlorine compound which can be contained in the object to be treated is adsorbed by the adsorbent in the adsorption treatment section, and the adsorbent is transferred to the dechlorination treatment section by the transfer mechanism. The target organochlorine compound adsorbed by the adsorbent is dechlorinated and detoxified with high efficiency by the processing hot gas.

【0071】(3-2) この有機塩素化合物処理装置の一
例として、脱塩素処理された吸着剤を、脱塩素処理部か
ら吸着処理部へ移送するための移送機構を備えてなるも
のとすることができる。
(3-2) As an example of the apparatus for treating an organic chlorine compound, the apparatus is provided with a transfer mechanism for transferring the dechlorinated adsorbent from the dechlorination section to the adsorption section. Can be.

【0072】この場合、脱塩素処理されて再生された吸
着剤を繰り返し使用しつつ連続的に処理対象物における
対象有機塩素化合物の吸着及び脱塩素無害化処理を行う
ことが可能である。
In this case, it is possible to continuously perform the adsorption of the target organic chlorine compound on the object to be treated and the dechlorination harmless treatment while repeatedly using the adsorbent regenerated by the dechlorination treatment.

【0073】(3-3) (3-1)又は(3-2)の有機塩素化合物
処理装置の一例として、吸着剤が、繊維状のゼオライ
ト、定形若しくは不定形粒状のゼオライト状、粉状のゼ
オライト、定形若しくは不定形棒状のゼオライト、及
び、定形若しくは不定形板状のゼオライトからなる群か
ら選ばれた1種又は2種以上であると共に、処理対象物
が実質上固体であり、対象物導入部により吸着処理部内
へ供給された前記処理対象物に含有され得る対象有機塩
素化合物を前記ゼオライトに吸着させるためにその吸着
処理部内で前記処理対象物と前記ゼオライトを混合する
混合装置と、ゼオライトと処理済物を分離する分離装置
を備えるものを挙げることができる。
(3-3) As an example of the apparatus for treating an organic chlorine compound according to (3-1) or (3-2), the adsorbent may be a fibrous zeolite, a fixed or irregular shaped zeolite, or a powdery zeolite. One or more selected from the group consisting of zeolite, zeolite in the form of a fixed or irregular shaped rod, and zeolite in the form of a fixed or irregular shaped plate, and the object to be treated is substantially solid; A mixing device that mixes the zeolite with the object to be treated in the adsorption treatment part to adsorb the target organochlorine compound that can be contained in the object to be treated supplied into the adsorption treatment part by the part into the zeolite, and a zeolite; An example of the apparatus includes a separation device for separating the processed material.

【0074】この場合、混合装置を備えた吸着処理部と
して、ロータリーキルン型のものを使用することがで
き、脱塩素処理部としても同様のものを使用することが
できる。
In this case, a rotary kiln type can be used as the adsorption section provided with the mixing device, and the same can be used as the dechlorination section.

【0075】また、処理対象物がゼオライトと混合され
て吸着処理されてなる処理済物とゼオライトとを分離す
る分離装置を有するものとすることができ、必要な場合
は、分離されたゼオライトを処理器内の脱塩素処理部等
の所要箇所に送給する送給装置を有するものとすること
ができる。
Further, it is possible to have a separation device for separating the treated object obtained by mixing the object to be treated with zeolite and carrying out the adsorption treatment and the zeolite. If necessary, the separated zeolite can be treated. The apparatus may have a feeding device for feeding a required portion such as a dechlorination section in the vessel.

【0076】(4) 上記有機塩素化合物処理装置は、処
理対象物源としての焼却炉と、処理用物質を加熱して処
理用熱ガスとするための装置として、焼却炉からの排ガ
スにより処理用物質を加熱する熱交換器および/または
別の加熱装置を有し、前記排ガスが対象物導入部を通じ
て処理器内に導入されるものとすることができる。
(4) The above-mentioned organochlorine compound processing apparatus is an incinerator as a source of an object to be treated, and an apparatus for heating a substance to be treated to be a hot gas for processing. It may have a heat exchanger for heating the substance and / or another heating device, and the exhaust gas may be introduced into the processing unit through the object introduction part.

【0077】この装置では、焼却炉において発生した排
ガスが処理対象物(気体処理対象物中に固体処理対象物
が分散したもの)となり、対象物導入部を通じて処理器
内に導入される。焼却炉において生成する固体排出物
(固体排出物というのは、所謂主灰であり、排ガス中に
飛散して排ガスと共に焼却炉から排出される灰、すなわ
ち飛灰ではない。)を処理対象物とすることもできる。
また処理用物質源(不活性ガス類、還元性ガス類、熱分
解により還元性ガス類を生ずる物質等の供給源)から供
給される処理用物質が、熱交換器および/または別の加
熱装置により加熱されて処理用熱ガスとなり、吸着剤に
吸着された対象有機塩素化合物の脱塩素無害化に用いら
れる。
In this apparatus, the exhaust gas generated in the incinerator becomes an object to be treated (a solid object to be treated is dispersed in a gas object) and is introduced into the processing unit through the object introduction section. Solid waste generated in the incinerator (solid waste is so-called main ash, which is not ash that is scattered in the exhaust gas and discharged from the incinerator together with the exhaust gas, that is, fly ash) is regarded as the object to be treated. You can also.
A processing substance supplied from a processing substance source (a source of an inert gas, a reducing gas, or a substance that generates a reducing gas by thermal decomposition) is supplied to a heat exchanger and / or another heating device. And becomes a hot gas for treatment, which is used for dechlorination and detoxification of the target organic chlorine compound adsorbed by the adsorbent.

【0078】この場合、処理用物質を加熱して処理用熱
ガスとするための装置は、焼却炉からの排ガスにより処
理対象物を加熱する熱交換器、又はその熱交換器及び別
の加熱装置であり、前記熱交換器を経た排ガスが対象物
導入部を通じて処理器内に導入されるものとすることが
できる。尤も、このような熱交換器や別の加熱装置がな
くとも、吸着剤に到達した状態の処理用物質が所要の温
度範囲になるのであれば、このような熱交換器や別の加
熱装置を設けることを必ずしも要しない。
In this case, the apparatus for heating the processing substance into the processing hot gas is a heat exchanger for heating the processing object by the exhaust gas from the incinerator, or the heat exchanger and another heating apparatus. The exhaust gas that has passed through the heat exchanger may be introduced into the processor through the object introduction unit. However, even without such a heat exchanger or another heating device, such a heat exchanger or another heating device may be used if the processing substance reaching the adsorbent has a required temperature range. It is not always necessary to provide.

【0079】(5-1) 上記有機塩素化合物処理装置は、
気体用の処理器と、固体用の処理器と、気体及び固体を
含む処理対象物における気体と固体とを分離するための
分離装置を備えており、その分離装置により分離されて
得られた実質的に気体である処理対象物が、対象物導入
部を通じて気体用の処理器内に導入され、前記分離装置
により分離されて得られた実質的に固体である処理対象
物が、対象物導入部を通じて固体用の処理器内に導入さ
れるものとすることができる。
(5-1) The apparatus for treating an organic chlorine compound is as follows:
A processing device for gas, a processing device for solid, and a separation device for separating gas and solid in a processing target including gas and solid, and a substance obtained by separation by the separation device are provided. An object to be processed, which is a gas, is introduced into the gas processing unit through the object introduction unit, and the substantially solid object to be processed obtained by separation by the separation device is an object introduction unit. Through the solids treatment device.

【0080】この場合、処理対象物が処理器に導入され
る前に、分離装置により、実質的に気体である処理対象
物と実質的に固体である処理対象物に分離され、それぞ
れ気体用の処理器と固体用の処理器に導入される。その
ため、実質的に気体である処理対象物に含まれ得る対象
有機塩素化合物と実質的に固体である処理対象物に含ま
れ得る対象有機塩素化合物が、別個の処理器においてそ
れぞれ吸着剤に吸着され、更に処理用熱ガスにより脱塩
素無害化処理される。
In this case, before the object to be treated is introduced into the processor, the object to be treated is separated into a substantially gaseous object to be treated and a substantially solid object to be treated by a separation device. It is introduced to the processor and the processor for solids. Therefore, the target organochlorine compound which can be contained in the substantially gaseous treatment target and the target organochlorine compound which can be contained in the substantially solid treatment target are respectively adsorbed to the adsorbent in separate treatment units. Then, dechlorination treatment is performed by a processing hot gas.

【0081】このように分離処理した場合、処理対象物
中に固体として含まれ得るFe、Co、Cu等の金属
が、気体用の処理器内においてダイオキシン類生成触媒
として作用することが避けられるので、ダイオキシン類
の再生が効果的に防止される。
When the separation treatment is performed as described above, metals such as Fe, Co, and Cu, which can be contained as solids in the object to be treated, are prevented from acting as a dioxin generation catalyst in a gas treatment device. In addition, regeneration of dioxins is effectively prevented.

【0082】分離装置には例えばバグフィルタや電気集
塵機等を利用することができる。その場合、分離の効率
を高める上で必要に応じ分離前の処理対象物を冷却して
温度を低下させることが望ましい。
For the separation device, for example, a bag filter, an electric dust collector or the like can be used. In that case, in order to increase the efficiency of the separation, it is desirable to cool the object to be treated before the separation and lower the temperature as necessary.

【0083】なお、気体及び固体を含む処理対象物に例
えば超微粉体が含まれていてもよく、その場合、超微粉
体は、分離装置で分離されることによって気体側及び固
体側の何れに分離されてもよい。
The object to be treated containing a gas and a solid may contain, for example, ultrafine powder. In this case, the ultrafine powder is separated by a separation device so that the ultrafine powder is separated from the gas side and the solid side. Any of them may be separated.

【0084】(5-2) (5-1)の有機塩素化合物処理装置
は、処理対象物源としての焼却炉と、処理用物質を加熱
して処理用熱ガスとするための装置として、焼却炉から
の排ガスにより処理用物質を加熱する熱交換器および/
または別の加熱装置を有し、前記排ガスが分離装置に導
入されるものとすることができる。
(5-2) The organochlorine compound treatment apparatus of (5-1) includes an incinerator as a source of an object to be treated and an incinerator as an apparatus for heating a substance to be treated into a hot gas for treatment. A heat exchanger for heating the processing substance with the exhaust gas from the furnace and / or
Or it may have another heating device, and the exhaust gas may be introduced into the separation device.

【0085】この場合、焼却炉において発生した排ガス
が処理対象物(気体処理対象物中に固体粒子等の固体処
理対象物が分散したもの)となり、分離装置に導入され
て(5-1)の有機塩素化合物処理装置と同様に処理され得
る。
In this case, the exhaust gas generated in the incinerator becomes an object to be treated (a solid object to be treated such as solid particles dispersed in a gas object), and is introduced into the separation device and is subjected to the process of (5-1). The treatment can be performed in the same manner as in the organochlorine compound treatment apparatus.

【0086】また処理用物質源及び処理用物質について
は、上記(4)の有機塩素化合物処理装置と同様である。
The source of the substance for treatment and the substance for treatment are the same as those in the apparatus for treating an organic chlorine compound in the above (4).

【0087】このような熱交換器や別の加熱装置がなく
とも、吸着剤に到達した状態の処理用物質が所要の温度
範囲になるのであれば、このような熱交換器や別の加熱
装置を設けることを必ずしも要しない。
Even without such a heat exchanger or another heating device, if the processing substance reaching the adsorbent is in a required temperature range, such a heat exchanger or another heating device may be used. Is not necessarily required.

【0088】(5-3) (5-2)の有機塩素化合物処理装置
は、処理用物質を加熱して処理用熱ガスとするための装
置が、焼却炉からの排ガスにより処理用物質を加熱する
熱交換器、又はその熱交換器及び別の加熱装置であり、
前記熱交換器を経て冷却された排ガスが分離装置に導入
されるものとすることができる。
(5-3) In the organochlorine compound treatment apparatus of (5-2), the apparatus for heating the treatment substance to produce a treatment hot gas heats the treatment substance by exhaust gas from an incinerator. Heat exchanger, or the heat exchanger and another heating device,
The exhaust gas cooled through the heat exchanger may be introduced into the separation device.

【0089】この場合、処理用物質の加熱に焼却炉の排
ガスが利用され、それにより同時に排ガスが冷却され
る。そのため、分離装置として、バグフィルタ等のよう
に対象物が比較的に低温である方が分離効率の良いもの
を用いる場合に効果的である。排ガスは、必要に応じ更
に冷却された後、バグフィルタ等の分離装置に導入され
るものとすることができる。
In this case, the exhaust gas of the incinerator is used for heating the processing substance, and at the same time, the exhaust gas is cooled. For this reason, it is effective to use a device having a relatively low temperature, such as a bag filter, having a high separation efficiency as a separation device. The exhaust gas may be further cooled if necessary and then introduced into a separation device such as a bag filter.

【0090】(5-4) (5-1)又は(5-2)の有機塩素化合物
処理装置は、分離装置により分離された固体と共に、焼
却炉において生成する固体排出物が、対象物導入部を通
じて固体用の処理器内に導入されるものとすることがで
きる。
(5-4) In the apparatus for treating an organic chlorine compound according to (5-1) or (5-2), the solid discharged in the incinerator together with the solid separated by the separation device is supplied to the object introduction section. Through the solids treatment device.

【0091】この場合、焼却炉において生成する固体排
出物と焼却炉の排ガス中に含まれ得る固体粒子等の固体
処理対象物が共に固体用の処理器で処理され、排ガスを
構成する気体は気体用の処理器で処理される。
In this case, the solid waste generated in the incinerator and the solid object to be treated such as solid particles that may be contained in the exhaust gas from the incinerator are both processed by the solid processing device, and the gas constituting the exhaust gas is a gas. It is processed by a processor.

【0092】(6-1) 上記有機塩素化合物処理装置は、
複数の処理器と、対象物導入部を通じて処理対象物が導
入される処理器と、処理用物質導入部を通じて処理用物
質が導入される処理器を、両処理器が別々のものとなる
ようにして順次切り換えることができる切り換え装置を
備え、一部の処理器においては、対象物導入部を通じて
導入された処理対象物に含有され得る対象有機塩素化合
物が吸着剤に吸着され、他の全ての処理器又は他の一部
の処理器においては、吸着剤に吸着された対象有機塩素
化合物が、処理用物質導入部を通じて導入された処理用
物質としての処理用熱ガスにより脱塩素無害化処理され
るものとすることができる。
(6-1) The apparatus for treating an organic chlorine compound is as follows:
A plurality of processing units, a processing unit into which a processing object is introduced through an object introduction unit, and a processing unit into which a processing substance is introduced through a processing substance introduction unit are configured so that both processing units are separate. In some processing units, a target organic chlorine compound that can be contained in the processing target introduced through the target introduction part is adsorbed by the adsorbent, and all other processing is performed. In the vessel or some other processing apparatus, the target organic chlorine compound adsorbed by the adsorbent is dechlorinated and detoxified by the processing hot gas as the processing substance introduced through the processing substance introduction section. Things.

【0093】切り換え装置は、対象物導入部を通じて処
理対象物を導入してその内部の吸着剤に対象有機塩素化
合物を吸着させる処理器と、処理用物質導入部を通じて
処理用物質を導入して吸着剤に吸着された対象有機塩素
化合物を脱塩素無害化させる処理器を、両処理器(一方
又は両方が複数となってもよい)が別々のものとなるよ
うにして順次切り換えることができる。尤も、例えば、
対象物導入部を通じて処理対象物を導入した処理器に対
する処理用物質の導入を、直ちに行うのではなく、その
処理器内部の吸着剤に対象有機塩素化合物を十分に吸着
させるための所要時間経過後に行うものとすることもで
きる。
The switching device includes a treatment device for introducing a treatment object through the treatment object introduction portion and adsorbing the target organic chlorine compound on the adsorbent therein, and a treatment substance introduction and adsorption through the treatment substance introduction portion. The treatment device for dechlorinating and detoxifying the target organic chlorine compound adsorbed on the agent can be sequentially switched so that both treatment devices (one or both may be plural) are separate. However, for example,
Instead of immediately introducing the processing substance into the processing unit into which the processing target has been introduced through the target introduction unit, after the required time for allowing the target organic chlorine compound to sufficiently adsorb to the adsorbent inside the processing unit, It can also be done.

【0094】そのため、一部の処理器(1又は2以上の
処理器)における吸着剤による対象有機塩素化合物の吸
着(或いは吸着剤に対する処理対象物の供給及び吸着剤
による対象有機塩素化合物の吸着)と、他の全ての処理
器又は他の一部の処理器(1又は2以上の処理器)にお
ける吸着した対象有機塩素化合物の脱塩素無害化による
吸着剤の対象有機塩素化合物吸着能力再生を、並行し
て、而も順次切り換えて行うことができる。この切り換
えのタイミングは、早い方が、吸着剤による対象有機塩
素化合物吸着の効率が高い。切り換えまでの時間は具体
的な装置構成によるが、例えば5分乃至24時間とする
ことができ、切り換えのタイミングは、例えば、吸着剤
による対象有機塩素化合物の吸着状況および/または吸
着剤に吸着された対象有機塩素化合物の脱塩素無害化の
状況を、吸着処理された処理済物および/または脱塩素
無害化反応の生成物等の成分をセンサ等によりモニター
しつつ、その結果に応じ可変とすることが望ましい。
Therefore, the adsorption of the target organic chlorine compound by the adsorbent in some of the processing units (one or two or more processing units) (or the supply of the processing target object to the adsorbent and the adsorption of the target organic chlorine compound by the adsorbent) And regeneration of the adsorption capacity of the target organic chlorine compound of the adsorbent by dechlorination and detoxification of the adsorbed target organic chlorine compound in all other processing units or some other processing units (one or more processing units). At the same time, the switching can also be performed sequentially. The earlier the timing of this switching, the higher the efficiency of adsorption of the target organic chlorine compound by the adsorbent. The time up to the switching depends on the specific device configuration, but can be, for example, 5 minutes to 24 hours. The switching timing is, for example, the adsorption state of the target organic chlorine compound by the adsorbent and / or the adsorption by the adsorbent. The dechlorination status of the target organic chlorine compound is made variable according to the result while monitoring components such as a treated product subjected to the adsorption treatment and / or a product of the dechlorination detoxification reaction by a sensor or the like. It is desirable.

【0095】従って、吸着剤による対象有機塩素化合物
の吸着を行なう処理器(更に、吸着剤に対する処理対象
物の供給及び吸着剤による対象有機塩素化合物の吸着を
行う処理器と、対象有機塩素化合物の吸着のみを行う処
理器に分けることもできる)と、吸着した対象有機塩素
化合物の脱塩素無害化を行う処理器を順次切り換えて
(例えば、一定時間にわたり2つの処理器の一方を対象
有機塩素化合物吸着に他方を対象有機塩素化合物吸着能
力再生に使用し、次の一定時間にわたり両処理器を切り
換えて使用することを繰り返して)、発生する対象有機
塩素化合物の吸着処理及び脱塩素無害化処理を、それぞ
れ連続的に行なうことも可能である。
Accordingly, a treatment device for adsorbing the target organic chlorine compound by the adsorbent (further, a treatment device for supplying the treatment object to the adsorbent and adsorbing the target organic chlorine compound by the adsorbent, It can be divided into a treatment device that performs only adsorption) and a treatment device that detoxifies and detoxifies the adsorbed target organic chlorine compound (for example, one of the two treatment devices is switched over for a certain period of time to the target organic chlorine compound). The other is used for the regeneration of the adsorption capacity of the target organic chlorine compound for adsorption, and the two processing units are switched over and used repeatedly for the next fixed time), and the adsorption processing and the dechlorination detoxification processing of the target organic chlorine compound generated are performed. , Respectively.

【0096】対象物導入部を通じて処理対象物を導入す
る処理器と処理用物質導入部を通じて処理用物質を導入
する処理器の切り換えを行なう切り換え装置としては、
例えば、各処理器における対象物導入部及び処理済物排
出部並びに処理用物質導入部及び生成物類排出部にそれ
ぞれ開閉弁を設け、これらの開閉弁の開閉制御(例え
ば、処理対象物を導入する処理器については対象物導入
部及び処理済物排出部の各開閉弁を開くと共に処理用物
質導入部及び生成物類排出部の各開閉弁を閉じ、処理用
物質を導入する処理器については対象物導入部及び処理
済物排出部の各開閉弁を閉じると共に処理用物質導入部
及び生成物類排出部の各開閉弁を開く。或いは、処理対
象物を導入する処理器については対象物導入部の開閉弁
を開くと共に処理用物質導入部及び生成物類排出部並び
に処理済物排出部の各開閉弁を閉じ、処理用物質を導入
する処理器については対象物導入部及び処理済物排出部
の各開閉弁を閉じると共に処理用物質導入部及び生成物
類排出部の各開閉弁を開き、脱塩素無害化処理後に処理
済物排出部の開閉弁を開く。)により切り換えを行なう
ものを挙げることができる。
The switching device for switching between the processing device for introducing the processing object through the object introduction portion and the processing device for introducing the processing substance through the processing substance introduction portion includes:
For example, an on-off valve is provided in each of the object introduction section and the processed material discharge section and the processing substance introduction section and the product discharge section in each processor, and the on-off control of these on-off valves (for example, the introduction of the processing object is performed). Regarding the processor that opens the on-off valve of the object introduction section and the processed material discharge section, closes the on-off valve of the processing substance introduction section and the product discharge section, and introduces the processing substance, Close the on-off valves of the object introduction section and the processed material discharge section, and open the on-off valves of the processing substance introduction section and the product discharge section, or introduce the object in the case of the processing device that introduces the processing object. Open the on-off valve of the section, close each on-off valve of the processing substance introduction section, product discharge section, and processed substance discharge section, and for the processing unit that introduces the processing substance, the object introduction section and processed substance discharge. Close each on-off valve Both Open the valves of the processing material introduction portion and products such discharge unit opens the closing valve of the processed material discharging section after dechlorination detoxification.) Makes it possible to include those to perform the switching.

【0097】(6-2) (6-1)の有機塩素化合物処理装置
は、気体用の処理器及び固体用の処理器がそれぞれ複数
であるか、或いは気体用の処理器又は固体用の処理器が
複数であり、複数存在する気体用又は固体用の処理器に
ついて、対象物導入部を通じて処理対象物を導入する処
理器と、処理用物質導入部を通じて処理用物質を導入す
る処理器を、両処理器が別々のものとなるようにして順
次切り換えることができる切り換え装置を備え、前記の
複数存在する気体用又は固体用の処理器のうち一部の処
理器においては、対象物導入部を通じて導入された処理
対象物に含有され得る対象有機塩素化合物が吸着剤に吸
着され、その複数存在する気体用又は固体用の処理器の
うち他の全ての処理器又は他の一部の処理器において
は、吸着剤に吸着された対象有機塩素化合物が、処理用
物質導入部を通じて導入された処理用物質としての処理
用熱ガスにより脱塩素無害化処理されるものとすること
ができる。
(6-2) The apparatus for treating an organochlorine compound of (6-1) is provided with a plurality of gas treatment units and solid treatment units, or a gas treatment unit or a solid treatment unit. The apparatus is a plurality, for a plurality of gas or solid processing devices, a processing device that introduces a processing object through the object introduction unit, a processing device that introduces a processing substance through the processing substance introduction unit, It is equipped with a switching device that can be sequentially switched so that both processing units are separate, in some of the plurality of existing gas or solid processing units, through the target introduction unit The target organochlorine compound that may be contained in the introduced treatment target is adsorbed by the adsorbent, and in all or some other treatment units among the plurality of gas or solid treatment units. Is the pair adsorbed on the adsorbent Organochlorine compounds, can be assumed to be processed dechlorinated harmless by treatment for hot gas as a process for material introduced through the processing material introduction portion.

【0098】この場合、(5-1)の有機塩素化合物処理装
置と同様に、実質的に気体である処理対象物に含まれ得
る気体対象有機塩素化合物と実質的に固体である処理対
象物に含まれ得る固体対象有機塩素化合物が、別個の処
理器においてそれぞれ吸着剤に吸着され、更に処理用熱
ガスにより脱塩素無害化処理されるので、処理対象物中
に固体として含まれ得るFe、Co、Cu等の金属が、
気体用の処理器内においてダイオキシン類生成触媒とし
て作用することが避けられ、ダイオキシン類の再生が効
果的に防止される。而も、(6-1)の有機塩素化合物処理
装置と同様に、吸着剤による対象有機塩素化合物の吸着
を行なう処理器と、吸着した対象有機塩素化合物の脱塩
素無害化を行う処理器を順次切り換えて、発生する対象
有機塩素化合物の吸着処理及び脱塩素無害化処理を、そ
れぞれ、例えば連続的に行なうことができる。
In this case, similarly to the organochlorine compound treating apparatus of (5-1), the gaseous organochlorine compound which can be contained in the substantially gaseous treatment object and the substantially solid treatment object are included. The solid target organochlorine compounds that can be included are respectively adsorbed to the adsorbent in separate processing units, and further subjected to dechlorination detoxification processing by the processing hot gas, so that Fe, Co that can be included as solids in the processing target object , A metal such as Cu,
It does not act as a catalyst for forming dioxins in the gas treatment unit, and regeneration of dioxins is effectively prevented. Similarly, as in the organic chlorine compound treatment apparatus (6-1), a processor for adsorbing the target organic chlorine compound by the adsorbent and a processor for dechlorinating the adsorbed target organic chlorine compound are sequentially arranged. By switching, the adsorption treatment and the dechlorination detoxification treatment of the generated target organic chlorine compound can be performed, for example, continuously, respectively.

【0099】なお、切り換え装置による切り換えのタイ
ミングは、気体用の処理器と固体用の処理器において同
一又は独立とすることができる。
The timing of switching by the switching device can be the same or independent for the gas processing unit and the solid processing unit.

【0100】(7) 上記有機塩素化合物処理装置は、処
理器の生成物類排出部から排出された排出物を導入し、
その排出物中に、溶媒(例えば、水、アルコール、石油
系溶媒等)、或いは溶媒に[酸若しくはアルカリ]およ
び/または[酸化剤若しくは還元剤]を混合した溶媒混
合物を分散させることにより、前記排出物中に存在し得
る有害ガスを前記溶媒又は溶媒混合物により除去する有
害ガス除去部を有するものとすることができる。
(7) The apparatus for treating an organic chlorine compound introduces the discharge discharged from the product discharge section of the processor,
By dispersing a solvent (eg, water, alcohol, petroleum solvent, etc.) or a solvent mixture obtained by mixing [acid or alkali] and / or [oxidizing or reducing agent] in the solvent, It may have a harmful gas removing section for removing harmful gases that may be present in the effluent by the solvent or the solvent mixture.

【0101】処理器の生成物類排出部から排出された排
出物中に存在し得る有害ガス(塩素ガス、燐化合物ガス
等)が有害ガス除去部において除去される。このような
有害ガス除去部としては、具体的には、スクラバを用い
ることができる。
The harmful gas (chlorine gas, phosphorus compound gas, etc.) that may be present in the effluent discharged from the product discharge section of the processor is removed in the harmful gas removal section. Specifically, a scrubber can be used as such a harmful gas removing unit.

【0102】[0102]

【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施の形態の一
例としてのダイオキシン類及びその前駆物質処理装置の
概略図である。なお、以下に説明する処理装置は、PC
B類及びその他の有機塩素化合物の処理にも使用し得
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a schematic diagram of a dioxin and its precursor processing apparatus as an example of an embodiment of the present invention. Note that the processing device described below is a PC
It can also be used for the treatment of Class B and other organochlorine compounds.

【0103】この処理装置は、燃料及び燃焼用空気が供
給されるバーナ10aを備えた焼却炉10(処理対象物
源)、窒素ガス供給装置12(処理用物質源)、窒素ガ
ス加熱用の熱交換器14、排ガス冷却装置16、バグフ
ィルタ18(分離装置)、バグフィルタ18に石灰を供
給する石灰供給部、バグフィルタ18逆洗用の高圧空気
供給部、3基の気体用処理器20と気体処理器用切り換
え装置(図示せず)からなる気体用処理装置22、2基
の固体用処理器24と固体処理器用切り換え装置(図示
せず)からなる固体用処理装置26、処理済灰用フィル
タ28、水銀除去及び冷却装置30、無害化灰バケット
32、処理済灰用フィルタ28逆洗用の高圧空気供給
部、スクラバ用の水が供給される脱塩素ガス用スクラバ
34、水中和装置36、排気用ファン38、及び煙突4
0を有してなる。
This processing apparatus includes an incinerator 10 (source of processing target) equipped with a burner 10a to which fuel and combustion air are supplied, a nitrogen gas supply device 12 (processing substance source), and a heat source for heating nitrogen gas. Exchanger 14, exhaust gas cooling device 16, bag filter 18 (separation device), lime supply unit for supplying lime to bag filter 18, high pressure air supply unit for back washing of bag filter 18, three gas treatment units 20 A gas processing device 22 comprising a gas processing device switching device (not shown), a solid processing device 26 comprising two solid processing devices 24 and a solid processing device switching device (not shown), a treated ash filter 28, mercury removal and cooling device 30, detoxified ash bucket 32, treated ash filter 28, high-pressure air supply unit for backwashing, scrubber 34 for dechlorination gas supplied with water for scrubber, water neutralization device 3 , Exhaust fan 38, and the chimney 4
It has zero.

【0104】気体用処理器20は、両端が縮径された円
筒体20a内に、互いに異なるハニカム状構造を有する
2個の担体の表面にそれぞれ吸着剤としてゼオライトが
担持されてなる2つの吸着層20b・20cが、軸方向
における別の位置に設けられてなる。各吸着層20b・
20cにおけるゼオライトは同一でも異なるものでもよ
い。3基の気体用処理器20は同一構成である。このよ
うな気体用処理器20は、図2に示すような横型でも図
3に示すような縦型でもよい。縦型の場合、各吸着層2
0b・20cは例えば網状の支持棚20d上に支持され
るものとすることができる。この場合、処理対象ガス及
び熱窒素ガス(処理用熱ガス)の流動方向は上向きでも
下向きでもよい。なお、吸着層20b・20cの数は2
に限らず、1でも3以上でもよい。また、一部又は全部
の吸着層20b・20cを、ハニカム状構造の表面にゼ
オライトが担持されたハニカムロータとすることもでき
る。
The gas treatment unit 20 is composed of two adsorbing layers in which zeolite is carried as an adsorbent on the surfaces of two carriers having different honeycomb structures in a cylindrical body 20a having both ends reduced in diameter. 20b and 20c are provided at different positions in the axial direction. Each adsorption layer 20b
The zeolites in 20c may be the same or different. The three gas processors 20 have the same configuration. Such a gas processor 20 may be a horizontal type as shown in FIG. 2 or a vertical type as shown in FIG. In the case of the vertical type, each adsorption layer 2
Ob and 20c may be supported on a net-like support shelf 20d, for example. In this case, the flow direction of the processing target gas and the hot nitrogen gas (processing hot gas) may be upward or downward. The number of the adsorbing layers 20b and 20c is 2
However, the number is not limited to 1, and may be 3 or more. Further, a part or all of the adsorption layers 20b and 20c may be formed as a honeycomb rotor in which zeolite is supported on the surface of a honeycomb structure.

【0105】各気体用処理器20は、その前部において
対象ガス導入部20e(対象物導入部)と熱窒素ガス導
入部20f(処理用物質導入部)に分岐され、それぞれ
に対象ガス導入部用開閉弁42及び熱窒素ガス導入部用
開閉弁44が設けられている。また各気体用処理器20
は、その後部において処理済物排出部20gと生成物類
排出部20hに分岐され、それぞれに処理済物排出部用
開閉弁46及び生成物類排出部用開閉弁48が設けられ
ている。
Each gas processor 20 is branched at its front into a target gas introduction section 20e (target substance introduction section) and a hot nitrogen gas introduction section 20f (processing substance introduction section). And an on-off valve 42 for hot nitrogen gas introduction. In addition, each gas processing unit 20
Is divided into a processed material discharge section 20g and a product discharge section 20h at the rear thereof, and a processed material discharge opening / closing valve 46 and a product discharge section open / close valve 48 are provided respectively.

【0106】気体処理器用切り換え装置は、各気体用処
理器20についての対象ガス導入部用開閉弁42、熱窒
素ガス導入部用開閉弁44、処理済物排出部用開閉弁4
6及び生成物類排出部用開閉弁48の開閉を制御する制
御装置を有するものであり、何れか1基の気体用処理器
20について熱窒素ガス導入部用開閉弁44及び生成物
類排出部用開閉弁48を開くと共に対象ガス導入部用開
閉弁42及び処理済物排出部用開閉弁46を閉じ、他の
2基の気体用処理器20については対象ガス導入部用開
閉弁42及び処理済物排出部用開閉弁46を開くと共に
熱窒素ガス導入部用開閉弁44及び生成物類排出部用開
閉弁48を閉じる。熱窒素ガス導入部用開閉弁44及び
生成物類排出部用開閉弁48を開く気体用処理器20
は、所定時間毎に順次切り換えられる。
The switching device for the gas processor includes an on-off valve 42 for the target gas introduction unit, an on-off valve 44 for the hot nitrogen gas introduction unit, and an on-off valve 4 for the processed material discharge unit for each of the gas treatment units 20.
6 and a control device for controlling the opening / closing of a product discharge opening / closing valve 48. For any one of the gas processors 20, the hot nitrogen gas introduction opening / closing valve 44 and the product discharge section The on / off valve 48 for the target gas introduction unit and the on / off valve 46 for the processed material discharge unit are closed, and the on / off valve 42 for the target gas introduction unit and the processing for the other two gas processing units 20 are closed. The open / close valve 46 for the waste product discharge section is opened, and the open / close valve 44 for the hot nitrogen gas introduction section and the open / close valve 48 for the product discharge section are closed. The gas processor 20 that opens the on-off valve 44 for the hot nitrogen gas introduction section and the on-off valve 48 for the product discharge section
Are sequentially switched at predetermined time intervals.

【0107】固体用処理器24は、容器内の気流デッキ
上にゼオライト粒により流動層を形成する流動層処理器
であり、対象灰導入部用開閉弁50を有する対象灰導入
部24a(対象物導入部)と、熱窒素ガス導入部用開閉
弁52を有する熱窒素ガス導入部24b(処理用物質導
入部)と、処理済物及び生成物類排出部24c(処理済
物排出部と生成物類排出部が一体となったもの)が設け
られている。
The solid processing unit 24 is a fluidized bed processing unit that forms a fluidized bed with zeolite particles on an airflow deck in a container. The solid processing unit 24 has a target ash introduction unit 24a (target object) having a target ash introduction unit on-off valve 50. Introduction section), a hot nitrogen gas introduction section 24b (a processing substance introduction section) having a hot nitrogen gas introduction section opening / closing valve 52, and a processed product and products discharge section 24c (a processed product discharge section and a product). Class discharge unit).

【0108】固体処理器用切り換え装置は、各固体用処
理器24についての対象灰導入部用開閉弁50と熱窒素
ガス導入部用開閉弁52を制御する制御装置を有するも
のであり、一方の固体用処理器24について熱窒素ガス
導入部用開閉弁52を開いて対象灰導入部用開閉弁50
を閉じ、他方の固体用処理器24について対象灰導入部
用開閉弁50を開いて熱窒素ガス導入部用開閉弁52を
閉じる。熱窒素ガス導入部用開閉弁52を開く固体用処
理器24は、所定時間毎に順次切り換えられる。
The switching device for the solid processing device has a control device for controlling the on-off valve 50 for the target ash introduction unit and the on-off valve 52 for the hot nitrogen gas introduction unit for each solid processing unit 24. The open / close valve 52 for the hot nitrogen gas introduction section of the processing unit 24 is opened, and the open / close valve 50 for the target ash introduction section is opened.
Is closed, and the on-off valve 50 for the target ash introduction unit is opened for the other solid processing unit 24, and the on-off valve 52 for the hot nitrogen gas introduction unit is closed. The solid processing unit 24 that opens the hot nitrogen gas introduction unit on-off valve 52 is sequentially switched at predetermined intervals.

【0109】焼却炉10において被焼却物が焼却される
ことにより発生する排ガス(固体粒子等の固体処理対象
物を含む)は、窒素ガス加熱用の熱交換器14及び排ガ
ス冷却装置16を経て250±20℃に冷却された後、
バグフィルタ18に導入され、処理対象ガスと固体処理
対象物(飛灰)に分離される。
Exhaust gas (including solids to be treated such as solid particles) generated by incineration of the incinerator in the incinerator 10 is passed through a heat exchanger 14 for heating nitrogen gas and an exhaust gas cooling device 16 to be discharged to the incinerator 10. After cooling to ± 20 ° C
The gas is introduced into the bag filter 18 and separated into a gas to be processed and a solid processing object (fly ash).

【0110】処理対象ガスは、気体処理器用切り換え装
置により対象ガス導入部用開閉弁42及び処理済物排出
部用開閉弁46が開かれている2基の各気体用処理器2
0に、対象ガス導入部20eを経て導入され、吸着層2
0b・20cに導かれる。処理対象ガス中のダイオキシ
ン類及びその前駆物質は各吸着層20b・20cにおい
てゼオライトに吸着される。その吸着処理された処理済
ガスは、処理済物排出部20gから排出され、脱塩素ガ
ス用スクラバ34を経て排気用ファン38に吸引されて
煙突40から排気される。
The gas to be treated is supplied to the two gas treatment units 2 in which the target gas introduction part opening / closing valve 42 and the processed material discharge part opening / closing valve 46 are opened by the gas treatment unit switching device.
0, through the target gas introduction unit 20e,
0b and 20c. Dioxins and their precursors in the gas to be treated are adsorbed on zeolite in each of the adsorption layers 20b and 20c. The treated gas subjected to the adsorption treatment is discharged from the treated material discharge section 20g, is sucked by the exhaust fan 38 via the dechlorination gas scrubber 34, and is exhausted from the chimney 40.

【0111】窒素ガス供給装置12から供給される窒素
ガスは、窒素ガス加熱用の熱交換器14において排ガス
により加熱されて300乃至500℃程度の熱窒素ガス
となる。この熱窒素ガスの一部は、気体処理器用切り換
え装置により熱窒素ガス導入部用開閉弁44及び生成物
類排出部用開閉弁48が開かれている1基の気体用処理
器20に熱窒素ガス導入部20fを経て導入され、吸着
層20b・20cに導かれる。その吸着層20b・20
cに先に処理対象ガス中のダイオキシン類又はその前駆
物質が吸着されていれば、そのダイオキシン類又はその
前駆物質が熱窒素ガスにより脱塩素されて無害化され、
ゼオライトから脱離する。この反応による塩素ガス等の
生成物及び窒素ガス等は生成物類排出部20hから排出
される。このようにダイオキシン類及びその前駆物質が
無害化されて脱離することにより、吸着剤であるゼオラ
イトの吸着能力が再生され、繰り返し使用することが可
能となる。而も、熱窒素ガスにより脱塩素無害化が行な
われるので、ダイオキシン類の再生を確実性高く防止す
ることができる。
The nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply device 12 is heated by the exhaust gas in the heat exchanger 14 for heating the nitrogen gas to become hot nitrogen gas of about 300 to 500 ° C. A portion of this hot nitrogen gas is transferred to one gas processor 20 in which the hot nitrogen gas inlet / outlet valve 44 and the product discharge port on / off valve 48 are opened by the gas processor switching device. The gas is introduced through the gas introduction part 20f and guided to the adsorption layers 20b and 20c. The adsorption layer 20b
If the dioxins or their precursors in the gas to be treated are previously adsorbed to c, the dioxins or their precursors are dechlorinated and detoxified by hot nitrogen gas,
Desorbs from zeolite. Products such as chlorine gas and nitrogen gas by this reaction are discharged from the product discharge section 20h. By thus detoxifying and desorbing the dioxins and their precursors, the adsorption capacity of zeolite as an adsorbent is regenerated and can be used repeatedly. In addition, since detoxification is performed by hot nitrogen gas, regeneration of dioxins can be prevented with high certainty.

【0112】生成物類排出部20hから排出された塩素
ガス等の生成物及び窒素ガス等は、脱塩素ガス用スクラ
バ34により塩素ガスが除去された後、排気用ファン3
8に吸引されて煙突40から排気される。脱塩素ガス用
スクラバ34に用いられて塩素ガスを除去することによ
り塩酸を含んだ水は、水中和装置36においてアルカリ
により中和された後、排出される。
After the chlorine gas and the like discharged from the product discharge section 20h and the nitrogen gas and the like are removed by the dechlorination gas scrubber 34, the exhaust fan 3
8 and is exhausted from the chimney 40. The water containing hydrochloric acid by removing the chlorine gas by using the dechlorination gas scrubber 34 is neutralized by alkali in the water neutralization device 36 and then discharged.

【0113】固体処理対象物(飛灰)は、スクリューコ
ンベヤ等の給送装置を利用して、固体処理器用切り換え
装置により対象灰導入部用開閉弁50が開かれている固
体用処理器24に対象灰導入部24aを経て導入され、
ゼオライト粒による吸着用流動層に導かれる。固体処理
対象物に付着しおよび/または内蔵されたダイオキシン
類及びその前駆物質は、吸着用流動層においてゼオライ
ト粒に吸着される。その吸着処理された処理済灰は、処
理済物及び生成物類排出部24cから排出され、処理済
灰用フィルタ28において灰が分離され、水銀除去及び
冷却装置30を経て無害化灰バケット32に排出され
る。また処理済灰用フィルタ28において分離された気
体は、脱塩素ガス用スクラバ34を経て排気用ファン3
8に吸引され、煙突40から排気される。
The object to be solid-processed (fly ash) is fed to the solid-state processing device 24 using a feeder such as a screw conveyor and the like, and the target-ash-introducing opening / closing valve 50 is opened by the solid-processing device switching device. Introduced through the target ash introduction part 24a,
It is led to a fluidized bed for adsorption by zeolite particles. The dioxins and their precursors that have adhered to and / or are contained in the solid processing target are adsorbed to the zeolite particles in the fluidized bed for adsorption. The treated ash that has been subjected to the adsorption treatment is discharged from the treated product and products discharge section 24c, the ash is separated in the treated ash filter 28, and is passed through the mercury removal and cooling device 30 to the harmless ash bucket 32. Is discharged. The gas separated in the treated ash filter 28 passes through a dechlorination gas scrubber 34 and exhaust gas 3
8 and is exhausted from the chimney 40.

【0114】また前記熱窒素ガスの一部は、固体処理器
用切り換え装置により熱窒素ガス導入部用開閉弁52が
開かれている固体用処理器24に熱窒素ガス導入部24
bを経て導入され、ゼオライト粒による吸着用流動層に
導かれる。固体処理対象物に付着しおよび/または内蔵
されたダイオキシン類又はその前駆物質がその吸着用流
動層のゼオライト粒に先に吸着されていれば、そのダイ
オキシン類又はその前駆物質が熱窒素ガスにより脱塩素
されて無害化され、ゼオライトから脱離する。この反応
による塩素ガス等の生成物及び窒素ガス等は処理済物及
び生成物類排出部24cから排出され、脱塩素ガス用ス
クラバ34により塩素ガスが除去された後、排気用ファ
ン38に吸引されて煙突40から排気される。
A part of the hot nitrogen gas is transferred to the solid processing device 24 in which the hot nitrogen gas inlet opening / closing valve 52 is opened by the solid processing device switching device.
b and is led to a fluidized bed for adsorption by zeolite particles. If the dioxins or their precursors adhering to and / or incorporated into the solid processing target are previously adsorbed on the zeolite particles of the fluidized bed for adsorption, the dioxins or their precursors are desorbed by hot nitrogen gas. Detoxified by chlorine and desorbed from zeolite. Products such as chlorine gas and nitrogen gas by this reaction are discharged from the treated product and products discharge section 24c, and after the chlorine gas is removed by the scrubber 34 for dechlorination gas, it is sucked by the exhaust fan 38. Exhaust from the chimney 40.

【0115】このようにして、処理対象ガスに含まれ得
るダイオキシン類及びその前駆物質と、固体処理対象物
に含まれ得るダイオキシン類及びその前駆物質が、別個
の処理器においてそれぞれ吸着剤であるゼオライトに吸
着され、更に熱窒素ガスにより脱塩素無害化処理される
ので、固体処理対象物中に固体として含まれ得るFe、
Co、Cu等の金属が、気体処理器内においてダイオキ
シン類生成触媒として作用することが避けられ、ダイオ
キシン類の再生が効果的に防止される。而も、処理対象
物発生源である焼却装置等を連続運転しながら、吸着剤
によるダイオキシン類及びその前駆物質の吸着を行なう
処理器と、吸着したダイオキシン類及びその前駆物質の
脱塩素無害化を行う処理器を順次切り換えて、発生する
ダイオキシン類及びその前駆物質の吸着処理及び脱塩素
無害化処理を、それぞれ連続的に行なうことができる。
In this way, the dioxins and their precursors which can be contained in the gas to be treated and the dioxins and their precursors which can be contained in the solid object to be treated are separated into zeolites, which are adsorbents, in separate processors. , And further subjected to dechlorination detoxification treatment with hot nitrogen gas, so that Fe, which can be contained as a solid in the solid processing object,
Metals such as Co and Cu are prevented from acting as dioxin generation catalysts in the gas treatment device, and regeneration of dioxins is effectively prevented. In addition, while continuously operating the incinerator, etc., which is the source of the object to be treated, a treatment device that adsorbs dioxins and their precursors with an adsorbent, and a dechlorinating detoxification of the adsorbed dioxins and their precursors. By sequentially switching the processing units to be performed, the adsorption treatment and the dechlorination detoxification treatment of the generated dioxins and their precursors can be continuously performed.

【0116】上記固体用処理装置26は図4に示す固体
用処理装置70に替えることができる。
The solid processing device 26 can be replaced with a solid processing device 70 shown in FIG.

【0117】固体処理対象物(飛灰)は、飛灰ホッパ6
0に収容された後、その飛灰ホッパ60に設けられた定
量供給装置60aを介してスクリューコンベヤ62に供
給される。スクリューコンベヤ62により送給された固
体処理対象物は、ロータリバルブ64を経て、固体用処
理装置70における加熱装置付きの吸着処理用ロータリ
ーキルン72の一端に供給される。吸着処理用ロータリ
ーキルン72内部のゼオライト粒と固体処理対象物は、
吸着処理用ロータリーキルン72内において加熱されつ
つ混合されながら吸着処理用ロータリーキルン72の他
端に向かって搬送される。それにより、固体処理対象物
に付着しおよび/または内蔵されたダイオキシン類及び
その前駆物質がゼオライト粒に吸着される。
The object to be solid-treated (fly ash) is a fly ash hopper 6
After being stored in the ash hopper 60, the fly ash is supplied to the screw conveyor 62 via the quantitative supply device 60 a provided in the fly ash hopper 60. The object to be solid-processed sent by the screw conveyor 62 is supplied to one end of a rotary kiln 72 for adsorption processing with a heating device in the processing apparatus 70 for solid through a rotary valve 64. The zeolite grains inside the rotary kiln 72 for the adsorption treatment and the solid treatment target are:
The mixture is conveyed toward the other end of the rotary kiln 72 for adsorption while being mixed while being heated in the rotary kiln 72 for adsorption. As a result, the dioxins and their precursors attached to and / or incorporated in the solid processing target are adsorbed on the zeolite particles.

【0118】吸着処理用ロータリーキルン72の他端か
ら排出されるゼオライト粒及び吸着処理を受けた処理済
物は、ロータリバルブ74を経て選別装置76(例えば
風力選別等によるもの)により選別され、処理済物は、
冷却コンベヤ78により冷却されつつ搬送されて水銀除
去及び冷却装置30を経て無害化灰バケット32に排出
される。
The zeolite particles discharged from the other end of the rotary kiln 72 for adsorption processing and the processed material subjected to the adsorption processing are sorted by a sorting device 76 (for example, by means of wind separation) through a rotary valve 74, and the processed products are treated. Things are
It is conveyed while being cooled by the cooling conveyor 78, and is discharged to the harmless ash bucket 32 through the mercury removing and cooling device 30.

【0119】一方ゼオライト粒は、選別装置76により
選別されてゼオライトホッパ80に収容された後、加熱
装置付きの脱塩素処理用ロータリーキルン82の一端部
に供給され、内部において加熱されつつ他端に向かって
搬送される。この間に、その脱塩素処理用ロータリーキ
ルン82の他端部から供給される熱窒素ガスにより、ゼ
オライト粒に吸着されたダイオキシン類および/または
その前駆物質が脱塩素されて無害化され、ゼオライト粒
から脱離する。この反応による塩素ガス及び塩素ガスの
脱離による生成物並びに窒素ガス等は、脱塩素処理用ロ
ータリーキルン82の一端部から処理済灰用フィルタ2
8へ排出される。
On the other hand, the zeolite grains are sorted by the sorting device 76 and stored in the zeolite hopper 80, and then supplied to one end of a rotary kiln 82 for dechlorination with a heating device, and heated toward the other end while being heated inside. Transported. During this time, the dioxins and / or their precursors adsorbed on the zeolite particles are dechlorinated and detoxified by the hot nitrogen gas supplied from the other end of the dechlorination rotary kiln 82, and detoxified from the zeolite particles. Let go. Chlorine gas due to this reaction, products resulting from the desorption of chlorine gas, nitrogen gas, and the like are supplied from one end of the rotary kiln 82 for dechlorination to the treated ash filter 2.
It is discharged to 8.

【0120】このようにしてダイオキシン類および/ま
たはその前駆物質が脱離して再生されたゼオライト粒
は、脱塩素処理用ロータリーキルン82の他端部から排
出され、ロータリバルブ84及びゼオライトホッパ86
を経て吸着処理用ロータリーキルン72の一端部に給送
され、再使用される。そのため、脱塩素処理されて再生
された吸着剤を繰り返し使用しつつ連続的に処理対象物
における対象有機塩素化合物の吸着及び脱塩素無害化処
理を行うことができる。
The regenerated zeolite particles from which the dioxins and / or their precursors have been desorbed are discharged from the other end of the rotary kiln 82 for dechlorination, and the rotary valve 84 and the zeolite hopper 86
Is fed to one end of the rotary kiln 72 for adsorption treatment and reused. Therefore, it is possible to continuously perform the adsorption and dechlorination detoxification of the target organic chlorine compound on the object to be treated while repeatedly using the adsorbent regenerated by the dechlorination treatment.

【0121】なお、前記固体処理対象物(飛灰)と共
に、焼却炉において生成する固体排出物(主灰)を固体
用処理器に導入して処理することも可能である。
It is also possible to introduce a solid discharge (main ash) generated in an incinerator together with the solid processing object (fly ash) into a solid processing device for processing.

【0122】また、上記固体用処理装置26は図5に示
す固体用処理装置90に替えることができる。
The solid processing device 26 can be replaced with a solid processing device 90 shown in FIG.

【0123】飛灰ホッパ60に収容された固体処理対象
物(飛灰)は、定量供給装置60aを介してスクリュー
コンベヤ62に供給され、ロータリバルブ64を経て、
固体用処理装置90における分配弁92により処理器1
00・200・300に順次分配される。
The solid processing object (fly ash) accommodated in the fly ash hopper 60 is supplied to the screw conveyor 62 via the quantitative supply device 60a, and is passed through the rotary valve 64.
The processing device 1 is controlled by the distribution valve 92 in the solid processing device 90.
It is sequentially distributed to 00, 200, and 300.

【0124】各処理器100・200・300内におけ
る気流デッキ101・201・301上に、ゼオライト
粒が収容されている。
The zeolite grains are stored on the airflow decks 101, 201, 301 in the respective processors 100, 200, 300.

【0125】分配弁92を経て各処理器100・200
・300の上部に固体処理対象物を導入する対象物導入
部102・202・302には、それぞれ対象物導入部
用開閉弁104・204・304が設けられている。
Each of the processors 100 and 200 passes through the distribution valve 92.
The object introduction units 102, 202, and 302 for introducing the solid processing object into the upper part of the 300 are provided with on-off valves 104, 204, and 304 for the object introduction unit, respectively.

【0126】また、ゼオライト粒から脱離した塩素ガス
及び塩素ガスの脱離による生成物並びに窒素ガス等を各
処理器100・200・300の上端から処理済灰用フ
ィルタ28へ排出するための生成物類排出部106・2
06・306が設けられ、生成物類排出部106・20
6・306の各処理器100・200・300側及び処
理済灰用フィルタ28側には、それぞれ第1開閉弁10
8・208・308及び第2開閉弁110・210・3
10が設けられている。
The chlorine gas desorbed from the zeolite particles, and the products generated by the desorption of the chlorine gas, and the nitrogen gas, etc., are discharged from the upper ends of the processors 100, 200, and 300 to the treated ash filter 28. Material discharge unit 106.2
06, 306 are provided, and the product discharge sections 106, 20 are provided.
The first on-off valve 10 is provided on each of the processing units 100, 200, and 300 and the processed ash filter 28 on the side of the processing ash 6 and 306.
8.208.308 and second on-off valve 110.210.3
10 are provided.

【0127】更に、各生成物類排出部106・206・
306における第1開閉弁108・208・308と第
2開閉弁110・210・310の間から各処理器10
0・200・300の下端部(気流デッキ101・20
1・301の下方)へ導く各循環部112・212・3
12に、各生成物類排出部106・206・306の側
から各処理器100・200・300の下端部の側に向
かって順に、第3開閉弁114・214・314、ブロ
ワ116・216・316、及び第4開閉弁118・2
18・318が設けられている。各循環部112・21
2・312における第3開閉弁114・214・314
とブロワ116・216・316の間には、それぞれ熱
窒素ガス導入用開閉弁120・220・320を経て熱
窒素ガスが供給される。
Further, each product discharge section 106, 206,
Each processing unit 10 is connected between the first on-off valve 108, 208, 308 and the second on-off valve 110, 210, 310 at 306.
0, 200, 300 (airflow deck 101, 20)
1) (circle below 1 ・ 301)
12, the third on-off valves 114, 214, 314, the blowers 116, 216, and the blowers 116, 216, and 316 in order from the product discharge units 106, 206, and 306 toward the lower ends of the processors 100, 200, and 300, respectively. 316 and the fourth on-off valve 118.2
18.318 are provided. Each circulation section 112 ・ 21
Third on-off valve 114, 214, 314 at 2.312
The hot nitrogen gas is supplied between the blowers 116, 216, and 316 via hot nitrogen gas introduction on-off valves 120, 220, and 320, respectively.

【0128】また、固体処理対象物が処理された処理済
物を各処理器100・200・300の下端部から下方
に排出するための処理済物排出部122・222・32
2に、処理済物排出部用開閉弁124・224・324
が設けられている。
Further, the processed material discharge sections 122, 222, and 32 for discharging the processed material on which the solid processing object has been processed downward from the lower ends of the processing units 100, 200, and 300.
2, the on-off valves 124, 224, 324 for the treated material discharge section
Is provided.

【0129】処理器100において固体処理対象物を
収容させ、処理器200において、先に収容した固体
処理対象物に付着しおよび/または内蔵されたダイオキ
シン類及びその前駆物質を、流動層を構成するゼオライ
ト粒に吸着させ、処理器300において、ゼオライト
粒に吸着したダイオキシン類および/またはその前駆物
質の脱塩素無害化処理を行う場合、次のように行うこと
ができる。なお、、、は、分配弁92及び他の開
閉弁の開閉並びにブロワ116・216・316の作動
・停止を制御する切り換え装置(図示せず)により、順
次切替える。すなわち、処理器100、処理器200及
び処理器300は、次の工程ではそれぞれ、及び
が実行され、その次の工程ではそれぞれ、及びが
実行され、更に次の工程ではそれぞれ、及びが再
び実行される。
The solid processing object is accommodated in the processing unit 100, and the dioxins and their precursors attached to and / or incorporated in the previously stored solid processing object in the processing unit 200 constitute a fluidized bed. When the dioxins and / or their precursors adsorbed on the zeolite particles are dechlorinated and detoxified in the treatment device 300 by adsorbing the zeolite particles, the treatment can be performed as follows. The switches are sequentially switched by a switching device (not shown) that controls the opening and closing of the distribution valve 92 and other on-off valves and the operation and stop of the blowers 116, 216, and 316. That is, the processor 100, the processor 200, and the processor 300 execute and in the next step, respectively, and are executed in the next step, and in the next step, and are executed again. You.

【0130】 対象物導入部用開閉弁104を開き、
対象物導入部用開閉弁204・304を閉じると共に、
ブロワ116を停止させ、第1開閉弁108、第2開閉
弁110、第3開閉弁114、第4開閉弁118、熱窒
素ガス導入用開閉弁120、並びに処理済物排出部用開
閉弁124を閉じることにより、分配弁92により固体
処理対象物を処理器100に送給して気流デッキ101
上に収容することができる。その間に、固体処理対象物
に付着しおよび/または内蔵されたダイオキシン類及び
その前駆物質の少なくとも一部が、流動層を構成するゼ
オライト粒に吸着する。
Open the on-off valve 104 for the object introduction part,
While closing the on-off valves 204 and 304 for the object introduction part,
The blower 116 is stopped, and the first on-off valve 108, the second on-off valve 110, the third on-off valve 114, the fourth on-off valve 118, the on-off valve 120 for introducing hot nitrogen gas, and the on-off valve 124 for the processed material discharge section are turned off. By closing, the object to be solid-processed is sent to the processor 100 by the distribution valve 92 and the airflow deck 101
Can be housed on top. In the meantime, at least a part of the dioxins and their precursors attached to and / or incorporated in the solid processing object are adsorbed on the zeolite particles constituting the fluidized bed.

【0131】 第1開閉弁208、第3開閉弁214
及び第4開閉弁218を開き、対象物導入部用開閉弁2
04、第2開閉弁210、熱窒素ガス導入用開閉弁22
0及び処理済物排出部用開閉弁224を閉じ、ブロワ2
16を作動させることにより、処理器200中の雰囲気
が循環しつつ気流デッキ201の上方にゼオライト粒に
よる流動層が形成され、収容された固体処理対象物とゼ
オライト粒が十分に混合して、固体処理対象物に付着し
および/または内蔵されたダイオキシン類及びその前駆
物質がゼオライト粒に吸着される。
First on-off valve 208, third on-off valve 214
And the fourth on-off valve 218 is opened, and the on-off valve 2 for the object introduction section is opened.
04, second on-off valve 210, on-off valve 22 for introducing hot nitrogen gas
0 and the on-off valve 224 for the treated material discharge section, and the blower 2
By operating 16, a fluidized bed of zeolite particles is formed above the airflow deck 201 while the atmosphere in the processing unit 200 is circulating, and the contained solid processing target and the zeolite particles are sufficiently mixed to form a solid. Dioxins and / or their precursors adhering to and / or contained in the object to be treated are adsorbed on the zeolite particles.

【0132】 第1開閉弁308、第2開閉弁31
0、第3開閉弁314、熱窒素ガス導入用開閉弁32
0、及び第4開閉弁318を開き、対象物導入部用開閉
弁304及び処理済物排出部用開閉弁324を閉じ、ブ
ロワ316を作動させる。熱窒素ガス導入用開閉弁32
0及び第4開閉弁318を経て処理器300における気
流デッキ301の下方から吹き上げられる熱窒素ガスに
より、ダイオキシン類及びその前駆物質を吸着したゼオ
ライト粒が流動層を形成し、その熱窒素ガスにより、ゼ
オライト粒に吸着されたダイオキシン類および/または
その前駆物質が脱塩素されて無害化され、ゼオライト粒
から脱離する。この反応による塩素ガス及び塩素ガスの
脱離による生成物並びに窒素ガス等は、第1開閉弁30
8及び第2開閉弁310を経て処理済灰用フィルタ28
へ排出される。
First on-off valve 308, second on-off valve 31
0, third on-off valve 314, on-off valve 32 for introducing hot nitrogen gas
0 and the fourth on-off valve 318 are opened, the on-off valve 304 for the object introduction section and the on-off valve 324 for the processed material discharge section are closed, and the blower 316 is operated. On / off valve 32 for hot nitrogen gas introduction
The hot nitrogen gas blown from below the airflow deck 301 in the processor 300 via the 0 and the fourth on-off valve 318 causes the zeolite particles adsorbing dioxins and their precursors to form a fluidized bed, and the hot nitrogen gas causes The dioxins and / or their precursors adsorbed on the zeolite particles are dechlorinated and made harmless, and desorbed from the zeolite particles. The chlorine gas due to this reaction, the product resulting from the desorption of chlorine gas, nitrogen gas and the like are supplied to the first on-off valve 30.
8 and the second on-off valve 310, the treated ash filter 28
Is discharged to

【0133】ゼオライト粒に吸着されたダイオキシン類
および/またはその前駆物質の脱塩素無害化処理が終了
した後、処理済物排出部用開閉弁324を開くことによ
り、処理済物は、水銀除去及び冷却装置30を経て無害
化灰バケット32に排出される。
After the dechlorination and detoxification treatment of the dioxins and / or precursors thereof adsorbed on the zeolite granules is completed, the treated material is opened and closed to remove mercury and to remove mercury. It is discharged to the harmless ash bucket 32 through the cooling device 30.

【0134】[0134]

【実施例】本発明に従い、飛灰(焼却炉からの排ガス中
に含まれる灰から採取したもの)中の塩化ジベンゾ−パ
ラ−ジオキシン類をゼオライト(ZSM−5)に吸着さ
せた後、そのゼオライトを300℃の窒素ガス雰囲気で
処理して塩化ジベンゾ−パラ−ジオキシン類の脱塩素分
解を行ない、塩化ジベンゾ−パラ−ジオキシン類を塩素
原子数(Cl)により分類したそれぞれ(xが4、
5、6、7、又は8であるもの)について、経過時間
(0時間[non treated]、1時間[1Hr]、2時間[2Hrs]、
4時間[4Hrs])毎に濃度(縦軸:ng/g)を測定した
結果を図6のグラフに示す。なお、<1は、1未満であ
ることを示す。
EXAMPLE According to the present invention, dibenzo-para-dioxins in fly ash (collected from ash contained in exhaust gas from an incinerator) are adsorbed on zeolite (ZSM-5) and then adsorbed on the zeolite. Was treated in a nitrogen gas atmosphere at 300 ° C. to dechlorinate and decompose dibenzo-para-dioxins. The dibenzo-para-dioxins were classified according to the number of chlorine atoms (Cl x ) (where x is 4,
5, 6, 7, or 8), elapsed time (0 hour [non treated], 1 hour [1Hr], 2 hours [2Hrs],
The results of measuring the concentration (vertical axis: ng / g) every 4 hours [4Hrs]) are shown in the graph of FIG. In addition, <1 shows that it is less than 1.

【0135】比較例として、同じ灰から採取した飛灰中
の塩化ジベンゾ−パラ−ジオキシン(PCDD)類(塩素原
子数が8[OCDD]、7[H7CDD]、6[H6CDD]、5[P5CDD]、
4[T4CDD]のもの)をゼオライト(ZSM−5)に吸着
させ、そのゼオライトを250℃、300℃及び350
℃の各空気雰囲気中に1時間おいた後、塩化ジベンゾ−
パラ−ジオキシン類の濃度(ng/g)を各塩化ジベン
ゾ−パラ−ジオキシン類について測定した結果を図7の
表に示す。non treatedの欄は、未処理時の塩化ジベン
ゾ−パラ−ジオキシン類の濃度である。
As comparative examples, dibenzo-para-dioxins (PCDDs) in fly ash collected from the same ash (having a chlorine atom number of 8 [OCDD], 7 [H7CDD], 6 [H6CDD], 5 [P5CDD] ,
4 [T4CDD]) is adsorbed on zeolite (ZSM-5), and the zeolite is heated at 250 ° C., 300 ° C. and 350 ° C.
C. for 1 hour in each air atmosphere at
The results of measuring the concentration (ng / g) of para-dioxins for each dibenzo-para-dioxin chloride are shown in the table of FIG. The column of non treated is the concentration of untreated dibenzo-para-dioxins.

【0136】なお、図7中のT4CDD、P5CDD、H6CDD、H7C
DD、及びOCDDは、それぞれ図6におけるClのxが
4、5、6、7、及び8であるものに対応する。
Note that T4CDD, P5CDD, H6CDD, H7C in FIG.
DD and OCDD correspond to Cl x in FIG. 6 where x is 4, 5, 6, 7, and 8, respectively.

【0137】[0137]

【発明の効果】本発明によれば、処理対象物に含有され
得る対象有機塩素化合物がゼオライトからなる吸着剤に
吸着され、そのように吸着された状態において、不活性
および/または還元性の処理用熱ガスによる脱塩素によ
って無害化されて吸着剤から脱離する。これにより、吸
着剤の対象有機塩素化合物吸着能力が再生され、吸着剤
を繰り返し使用することが可能となる。而も、不活性お
よび/または還元性の処理用熱ガスにより脱塩素無害化
が行なわれるので、対象有機塩素化合物の再生を確実性
高く防止することができる。
According to the present invention, the target organochlorine compound which can be contained in the object to be treated is adsorbed by the adsorbent made of zeolite, and in such a state, the inert and / or reducing treatment is carried out. It is made harmless by dechlorination with hot gas and desorbed from the adsorbent. As a result, the ability of the adsorbent to adsorb the target organic chlorine compound is regenerated, and the adsorbent can be used repeatedly. Since dechlorination and detoxification are performed by the inert and / or reducing heat gas for treatment, regeneration of the target organic chlorine compound can be prevented with high reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】ダイオキシン類及びその前駆物質処理装置の概
略図である。
FIG. 1 is a schematic view of an apparatus for treating dioxins and precursors thereof.

【図2】横型の気体用処理器の説明図である。FIG. 2 is an explanatory view of a horizontal gas processing device.

【図3】縦型の気体用処理器の説明図である。FIG. 3 is an explanatory view of a vertical gas processor.

【図4】固体用処理装置の一例についての説明図であ
る。
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a solid processing apparatus.

【図5】固体用処理装置の別の例についての説明図であ
る。
FIG. 5 is an explanatory view of another example of the solid processing apparatus.

【図6】窒素雰囲気中での分解後のダイオキシン類濃度
を示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing the concentration of dioxins after decomposition in a nitrogen atmosphere.

【図7】空気雰囲気中での生成後のダイオキシン類生成
濃度を示す表である。
FIG. 7 is a table showing the concentration of dioxins formed after the formation in an air atmosphere.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 焼却炉 10a バーナ 12 窒素ガス供給装置 14 熱交換器 16 排ガス冷却装置 18 バグフィルタ 20 気体用処理器 20a 円筒体 20b 吸着層 20c 吸着層 20d 支持棚 20e 対象ガス導入部 20f 熱窒素ガス導入部 20g 処理済物排出部 20h 生成物類排出部 22 気体用処理装置 24 固体用処理器 24a 対象灰導入部 24b 熱窒素ガス導入部 24c 処理済物及び生成物類排出部 26 固体用処理装置 28 処理済灰用フィルタ 30 冷却装置 32 無害化灰バケット 34 脱塩素ガス用スクラバ 36 水中和装置 38 排気用ファン 40 煙突 42 対象ガス導入部用開閉弁 44 熱窒素ガス導入部用開閉弁 46 処理済物排出部用開閉弁 48 生成物類排出部用開閉弁 50 対象灰導入部用開閉弁 52 熱窒素ガス導入部用開閉弁 60 飛灰ホッパ 60a 定量供給装置 62 スクリューコンベヤ 64 ロータリバルブ 70 固体用処理装置 72 吸着処理用ロータリーキルン 74 ロータリバルブ 76 選別装置 78 冷却コンベヤ 80 ゼオライトホッパ 82 脱塩素処理用ロータリーキルン 84 ロータリバルブ 86 ゼオライトホッパ 90 固体用処理装置 92 分配弁 100 処理器 101 気流デッキ 102 対象物導入部 104 対象物導入部用開閉弁 106 生成物類排出部 108 第1開閉弁 110 第2開閉弁 112 循環部 114 第3開閉弁 116 ブロワ 118 第4開閉弁 120 熱窒素ガス導入用開閉弁 122 処理済物排出部 124 処理済物排出部用開閉弁 200 処理器 201 気流デッキ 202 対象物導入部 204 対象物導入部用開閉弁 206 生成物類排出部 208 第1開閉弁 210 第2開閉弁 212 循環部 214 第3開閉弁 216 ブロワ 218 第4開閉弁 220 熱窒素ガス導入用開閉弁 222 処理済物排出部 224 処理済物排出部用開閉弁 300 処理器 301 気流デッキ 302 対象物導入部 304 対象物導入部用開閉弁 306 生成物類排出部 308 第1開閉弁 310 第2開閉弁 312 循環部 314 第3開閉弁 316 ブロワ 318 第4開閉弁 320 熱窒素ガス導入用開閉弁 322 処理済物排出部 324 処理済物排出部用開閉弁 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Incinerator 10a Burner 12 Nitrogen gas supply device 14 Heat exchanger 16 Exhaust gas cooling device 18 Bag filter 20 Gas processor 20a Cylindrical body 20b Adsorption layer 20c Adsorption layer 20d Support shelf 20e Target gas introduction part 20f Hot nitrogen gas introduction part 20g Treated matter discharge section 20h Product discharge section 22 Gas treatment device 24 Solid processing device 24a Target ash introduction section 24b Hot nitrogen gas introduction section 24c Treated product and product discharge section 26 Solid treatment device 28 Treated Ash filter 30 Cooling device 32 Detoxification ash bucket 34 Scrubber for dechlorination gas 36 Water neutralization device 38 Exhaust fan 40 Chimney 42 Open / close valve for target gas introduction unit 44 Open / close valve for hot nitrogen gas introduction unit 46 Treated product discharge unit On-off valve 48 On-off valve for product discharge section 50 On-off valve for target ash introduction section 52 Introducing hot nitrogen gas Part on-off valve 60 Fly ash hopper 60a Quantitative supply device 62 Screw conveyor 64 Rotary valve 70 Solid processing unit 72 Rotary kiln 74 for adsorption treatment 74 Rotary valve 76 Sorting device 78 Cooling conveyor 80 Zeolite hopper 82 Rotary kiln 84 for dechlorination treatment 84 Rotary valve 86 Zeolite hopper 90 Solid processing unit 92 Distributing valve 100 Processor 101 Airflow deck 102 Object introduction unit 104 Object introduction unit on-off valve 106 Product discharge unit 108 First on-off valve 110 Second on-off valve 112 Circulation unit 114 First 3 on-off valve 116 blower 118 4th on-off valve 120 on-off valve for introducing hot nitrogen gas 122 processed material discharge section 124 on-off valve for processed material discharge section 200 processor 201 airflow deck 202 object introduction section 204 for object introduction section On-off valve 206 Product discharge section 208 First open / close valve 210 Second open / close valve 212 Circulation section 214 Third open / close valve 216 Blower 218 Fourth open / close valve 220 Open / close valve for introducing hot nitrogen gas 222 Treated matter discharge section 224 Treated matter discharge Part on-off valve 300 Processor 301 Airflow deck 302 Object introduction part 304 Object introduction part on-off valve 306 Product discharge part 308 First on-off valve 310 Second on-off valve 312 Circulation part 314 Third on-off valve 316 Blower 318 Fourth on-off valve 320 On-off valve for introducing hot nitrogen gas 322 Treated material discharge part 324 On-off valve for treated material discharge part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C07C 25/18 B01D 53/34 134E // C07D 319/24 B09B 5/00 ZABN (72)発明者 福島 宏雄 大阪府豊中市本町9丁目3番21号 (72)発明者 河岸 喬 兵庫県川西市大和東4丁目1−9 Fターム(参考) 4D002 AA21 AC04 BA02 BA04 BA12 BA14 CA07 CA09 CA13 DA01 DA45 EA01 EA04 EA05 EA08 GA01 GA02 GA03 GB03 GB08 GB11 GB12 GB20 HA08 4D004 AA37 AB03 AB06 AB07 CA12 CA22 CA42 CA47 CB05 CB31 CB42 CB43 CC04 DA01 DA02 DA03 DA06 DA20 4H006 AA02 AC13 AC26 AD17 BB61 BE20 BE40 DA10 DA25 DA46 EA13 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C07C 25/18 B01D 53/34 134E // C07D 319/24 B09B 5/00 ZABN (72) Inventor Hiroo Fukushima 9-3-21 Honcho, Toyonaka-shi, Osaka (72) Inventor Takashi Kawagishi 4- 1-9 Yamatohigashi, Kawanishi-shi, Hyogo F-term (reference) 4D002 AA21 AC04 BA02 BA04 BA12 BA14 CA07 CA09 CA13 DA01 DA45 EA01 EA04 EA05 EA08 GA01 GA02 GA03 GB03 GB08 GB11 GB12 GB20 HA08 4D004 AA37 AB03 AB06 AB07 CA12 CA22 CA42 CA47 CB05 CB31 CB42 CB43 CC04 DA01 DA02 DA03 DA06 DA20 4H006 AA02 AC13 AC26 AD17 BB61 BE20 BE40 DA10 DA25 DA46 EA13

Claims (45)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ゼオライトからなる対象有機塩素化合物用
の吸着剤を内部に有してなる処理器と、対象有機塩素化
合物を含有し得る処理対象物を前記吸着剤に供給する処
理対象物供給手段と、前記吸着剤に吸着された対象有機
塩素化合物を脱塩素無害化するための処理用物質として
不活性および/または還元性の処理用ガスをその吸着剤
に供給する処理用物質供給手段を備え、吸着剤に到達し
た状態の処理用ガスが、前記吸着剤に吸着された対象有
機塩素化合物を脱塩素化し得る温度の処理用熱ガスであ
ることを特徴とする有機塩素化合物処理装置。
1. A processing device having therein an adsorbent for a target organic chlorine compound made of zeolite, and a processing object supply means for supplying a processing object that can contain the target organic chlorine compound to the adsorbent And a processing substance supply means for supplying an inert and / or reducing processing gas to the adsorbent as a processing substance for dechlorinating the target organic chlorine compound adsorbed on the adsorbent. An organic chlorine compound processing apparatus, wherein the processing gas having reached the adsorbent is a processing hot gas at a temperature at which the target organic chlorine compound adsorbed by the adsorbent can be dechlorinated.
【請求項2】対象有機塩素化合物を含有し得る処理対象
物の供給源である処理対象物源と、その処理対象物源か
ら供給される処理対象物を処理器内部に導入して処理器
内の吸着剤へ導くための対象物導入部と、処理対象物が
対象有機塩素化合物の吸着処理を受けてなる処理済物を
処理器から外部へ排出するための処理済物排出部と、吸
着剤に吸着された対象有機塩素化合物を脱塩素無害化す
るための処理用物質の供給源である処理用物質源と、そ
の処理用物質源から供給される処理用物質を処理器内部
に導入して吸着剤へ導くための処理用物質導入部と、少
なくとも対象有機塩素化合物が前記処理用物質により脱
塩素無害化処理されて生成する生成物を処理器から排出
するための生成物類排出部を有し、吸着剤に到達した状
態の処理用物質が、吸着剤に吸着された対象有機塩素化
合物を脱塩素化し得る温度を有する不活性および/また
は還元性の処理用熱ガスである請求項1記載の有機塩素
化合物処理装置。
2. A processing object source, which is a supply source of a processing object that may contain a target organochlorine compound, and a processing object supplied from the processing object source is introduced into the processing unit and An object introduction section for leading to the adsorbent, a treated substance discharge section for discharging a treated substance obtained by subjecting the treated object to the adsorption treatment of the target organochlorine compound from the treatment device, and an adsorbent. A treatment substance source, which is a supply source of the treatment substance for detoxifying and detoxifying the target organic chlorine compound adsorbed on the substrate, and a treatment substance supplied from the treatment substance source are introduced into the treatment unit. It has a treatment substance introduction section for leading to the adsorbent, and a product discharge section for discharging at least a product produced by dechlorination and detoxification of the target organic chlorine compound by the treatment substance from the treatment device. And the processing substance that has reached the adsorbent Organochlorine compound according to claim 1, wherein the inert and / or reducing treatment for hot gas having a temperature of target organic chlorine compounds adsorbed by the adsorbent may dechlorination treatment apparatus.
【請求項3】対象物導入部、処理用物質導入部、処理済
物排出部及び生成物類排出部が、それぞれ別個である
か、何れか2つが共通で残りの2つは別個であるか、何
れか2つ及び残りの2つがそれぞれ共通であるか、何れ
か3つが共通であるか、又は、全てが共通である請求項
2記載の有機塩素化合物処理装置。
3. An object introduction part, a treatment substance introduction part, a treated material discharge part, and a product discharge part are respectively separate, or any two are common and the other two are separate. The apparatus for treating an organochlorine compound according to claim 2, wherein any two and the remaining two are common, any three are common, or all are common.
【請求項4】対象有機塩素化合物が、ダイオキシン類、
ダイオキシン類の前駆物質、及びPCB類からなる群か
ら選ばれた1種又は2種以上である請求項1、2又は3
記載の有機塩素化合物処理装置。
4. The target organic chlorine compound is a dioxin,
4. One, two or more selected from the group consisting of dioxin precursors and PCBs.
An apparatus for treating an organic chlorine compound as described in the above.
【請求項5】吸着剤に到達した状態の処理対象物が実質
的に気体である請求項1乃至4の何れかに記載の有機塩
素化合物処理装置。
5. The apparatus for treating an organochlorine compound according to claim 1, wherein the treatment object having reached the adsorbent is substantially a gas.
【請求項6】吸着剤に到達した状態の処理対象物が実質
的に固体である請求項1乃至4の何れかに記載の有機塩
素化合物処理装置。
6. The apparatus for treating an organochlorine compound according to claim 1, wherein the treatment object having reached the adsorbent is substantially solid.
【請求項7】吸着剤に到達した状態の処理対象物が実質
的に気体と固体からなる請求項1乃至4の何れかに記載
の有機塩素化合物処理装置。
7. The apparatus for treating an organic chlorine compound according to claim 1, wherein the object to be treated having reached the adsorbent is substantially composed of gas and solid.
【請求項8】吸着剤の乾燥状態を検知する乾燥状態検知
手段を有し、少なくとも、吸着剤が所定状態以上に乾燥
していることを前記乾燥状態検知手段により検知した後
において、吸着剤への処理用物質の供給が行われる請求
項1乃至7の何れかに記載の有機塩素化合物処理装置。
8. A dry state detecting means for detecting a dry state of the adsorbent, wherein at least after the dry state detecting means detects that the adsorbent is dried to a predetermined state or more, the dry state is detected. The apparatus for treating an organochlorine compound according to claim 1, wherein the treatment substance is supplied.
【請求項9】吸着剤を乾燥させるための乾燥手段を有す
る請求項1乃至8の何れかに記載の有機塩素化合物処理
装置。
9. The apparatus for treating an organic chlorine compound according to claim 1, further comprising a drying means for drying the adsorbent.
【請求項10】ゼオライトにおける50%以上の微細孔
の孔径が6乃至13オングストロームである請求項1乃
至9の何れかに記載の有機塩素化合物処理装置。
10. The apparatus for treating an organochlorine compound according to claim 1, wherein the pore diameter of 50% or more micropores in the zeolite is 6 to 13 Å.
【請求項11】ゼオライトにおける80%以上の微細孔
の孔径が6乃至13オングストロームである請求項1乃
至9の何れかに記載の有機塩素化合物処理装置。
11. The apparatus for treating an organochlorine compound according to claim 1, wherein the pore diameter of 80% or more of the micropores in the zeolite is 6 to 13 Å.
【請求項12】ゼオライトが、その成分中におけるSi
/Alの原子比の値が3以上の疎水性である請求項1乃
至11の何れかに記載の有機塩素化合物処理装置。
12. The method according to claim 1, wherein the zeolite has a Si content in its component.
The organic chlorine compound treating apparatus according to any one of claims 1 to 11, wherein the value of the atomic ratio of / Al is 3 or more.
【請求項13】処理器の内部に有する吸着剤が、多管集
合構造に形成されたゼオライト、多管集合構造の担体の
表面に担持されたゼオライト、海綿状多孔構造のゼオラ
イト、繊維状のゼオライト、定形若しくは不定形粒状の
ゼオライト状、粉状のゼオライト、定形若しくは不定形
棒状のゼオライト、及び、定形若しくは不定形板状のゼ
オライトからなる群から選ばれた1種又は2種以上であ
る請求項1乃至12の何れかに記載の有機塩素化合物処
理装置。
13. A zeolite formed in a multitubular aggregated structure, a zeolite supported on a surface of a carrier having a multitubular aggregated structure, a zeolite having a spongy porous structure, and a fibrous zeolite. One or more selected from the group consisting of zeolite in the form of regular or irregular granules, zeolite in the form of powder, zeolite in the form of rods in the form of regular or irregular forms, and zeolite in the form of regular or irregular plates. 13. The apparatus for treating an organic chlorine compound according to any one of 1 to 12.
【請求項14】処理用物質が不活性ガス類および/また
は還元性ガス類である請求項1乃至13の何れかに記載
の有機塩素化合物処理装置。
14. An apparatus for treating an organic chlorine compound according to claim 1, wherein the processing substance is an inert gas and / or a reducing gas.
【請求項15】処理用物質源から処理用物質導入部を通
じて処理器内に導入される処理用物質が、熱分解により
還元性ガス類を生ずる物質、或いは熱分解により還元性
ガス類を生ずる物質並びに処理用ガスとしての不活性ガ
ス類および/または還元性ガス類であり、前記の熱分解
により還元性ガス類を生ずる物質が吸着剤に到達する前
にその物質を処理器内において熱分解させて処理用ガス
としての還元性ガス類を生じさせるための加熱手段を有
する請求項2乃至14の何れかに記載の有機塩素化合物
処理装置。
15. The processing substance introduced into the processing unit from the processing substance source through the processing substance introduction part is a substance that generates reducing gases by thermal decomposition or a substance that generates reducing gases by thermal decomposition. And an inert gas and / or a reducing gas as a processing gas, wherein the substance which generates the reducing gas by the thermal decomposition is thermally decomposed in the processing device before reaching the adsorbent. The apparatus for treating an organic chlorine compound according to any one of claims 2 to 14, further comprising a heating means for generating reducing gases as a processing gas.
【請求項16】不活性ガス類が、窒素ガス、ヘリウムガ
ス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガス及びキ
セノンガスからなる群から選ばれた1又は2以上である
請求項14又は15記載の有機塩素化合物処理装置。
16. The organic chlorine compound according to claim 14, wherein the inert gas is at least one selected from the group consisting of nitrogen gas, helium gas, neon gas, argon gas, krypton gas, and xenon gas. Processing equipment.
【請求項17】還元性ガス類が、水素ガスおよび/また
は一酸化炭素ガスである請求項14、15又は16記載
の有機塩素化合物処理装置。
17. The apparatus for treating an organic chlorine compound according to claim 14, wherein the reducing gas is a hydrogen gas and / or a carbon monoxide gas.
【請求項18】熱分解により還元性ガス類を生ずる物質
が、アンモニア、アミン類、炭化水素類、有機酸、アル
コール類、ケトン類、糖類、及び界面活性剤からなる群
から選ばれた1又は2以上である請求項15記載の有機
塩素化合物処理装置。
18. The method according to claim 1, wherein the substance that generates reducing gases upon thermal decomposition is one or more selected from the group consisting of ammonia, amines, hydrocarbons, organic acids, alcohols, ketones, sugars, and surfactants. The apparatus for treating an organic chlorine compound according to claim 15, wherein the number is two or more.
【請求項19】吸着剤に到達した状態の処理用物質とし
ての処理用ガスの温度が、その吸着剤に吸着された対象
有機塩素化合物を脱塩素無害化するために必要な温度と
なるように、前記処理用物質を加熱するための加熱手段
を有する請求項1乃至18の何れかに記載の有機塩素化
合物処理装置。
19. The temperature of a processing gas as a processing substance having reached the adsorbent is set to a temperature necessary for dechlorinating the target organic chlorine compound adsorbed by the adsorbent. 19. The apparatus for treating an organochlorine compound according to claim 1, further comprising heating means for heating the treatment substance.
【請求項20】吸着剤に到達した状態の処理用ガスの温
度が150乃至600℃である請求項1乃至19の何れ
かに記載の有機塩素化合物処理装置。
20. The apparatus for treating an organic chlorine compound according to claim 1, wherein the temperature of the processing gas having reached the adsorbent is 150 to 600 ° C.
【請求項21】処理器内の吸着剤への処理対象物の供給
が停止された後、処理器内の吸着剤への処理用ガスの供
給が行なわれる請求項1乃至20の何れかに記載の有機
塩素化合物処理装置。
21. The method according to claim 1, wherein the supply of the processing gas to the adsorbent in the processing unit is performed after the supply of the processing target to the adsorbent in the processing unit is stopped. Organic chlorine compound processing equipment.
【請求項22】処理器内の吸着剤への処理用ガスの供給
が、処理器内の吸着剤への処理対象物の供給と全部又は
一部並行して行なわれる請求項1乃至20の何れかに記
載の有機塩素化合物処理装置。
22. The method according to claim 1, wherein the supply of the processing gas to the adsorbent in the processing unit is performed entirely or partially in parallel with the supply of the processing target to the adsorbent in the processing unit. An apparatus for treating an organic chlorine compound according to any one of the above.
【請求項23】処理器が、吸着剤を移動可能な状態で内
部に収容し得、対象有機塩素化合物を含有し得る処理対
象物が対象物導入部から内部に導入される吸着処理部
と、処理用物質が処理用物質導入部から内部に導入され
る脱塩素処理部と、少なくとも吸着剤を、吸着処理部か
ら脱塩素処理部へ移送するための移送機構を備えてなる
ものである請求項2乃至22の何れかに記載の有機塩素
化合物処理装置。
23. An adsorption treatment section, wherein the treatment device is capable of accommodating the adsorbent therein in a movable state, and a treatment object capable of containing the target organic chlorine compound is introduced from the object introduction portion into the inside, A dechlorination section in which the processing substance is introduced from the processing substance introduction section into the inside, and a transfer mechanism for transferring at least the adsorbent from the adsorption section to the dechlorination section. 23. The apparatus for treating an organic chlorine compound according to any one of 2 to 22.
【請求項24】処理対象物源としての焼却炉と、処理用
物質を加熱して処理用熱ガスとするための装置として、
焼却炉からの排ガスにより処理用物質を加熱する熱交換
器および/または別の加熱装置を有し、前記排ガスが対
象物導入部を通じて処理器内に導入される請求項2乃至
23の何れかに記載の有機塩素化合物処理装置。
24. An incinerator as a source of an object to be treated, and an apparatus for heating a substance to be treated into a hot gas for treatment,
24. The apparatus according to claim 2, further comprising a heat exchanger and / or another heating device for heating the processing substance with the exhaust gas from the incinerator, wherein the exhaust gas is introduced into the processor through the object introduction unit. An apparatus for treating an organic chlorine compound as described in the above.
【請求項25】処理用物質を加熱して処理用熱ガスとす
るための装置が、焼却炉からの排ガスにより処理用物質
を加熱する熱交換器、又はその熱交換器及び別の加熱装
置であり、前記熱交換器を経た排ガスが対象物導入部を
通じて処理器内に導入される請求項24記載の有機塩素
化合物処理装置。
25. An apparatus for heating a treatment substance into a treatment hot gas by using a heat exchanger for heating the treatment substance by exhaust gas from an incinerator, or a heat exchanger and another heating apparatus. 25. The apparatus for treating an organic chlorine compound according to claim 24, wherein the exhaust gas that has passed through the heat exchanger is introduced into the processing unit through the object introduction unit.
【請求項26】気体用の処理器と、固体用の処理器と、
気体及び固体を含む処理対象物における気体と固体とを
分離するための分離装置を備えており、その分離装置に
より分離されて得られた実質的に気体である処理対象物
が、対象物導入部を通じて気体用の処理器内に導入さ
れ、前記分離装置により分離されて得られた実質的に固
体である処理対象物が、対象物導入部を通じて固体用の
処理器内に導入される請求項2乃至22の何れかに記載
の有機塩素化合物処理装置。
26. A processing device for a gas, a processing device for a solid,
The apparatus further includes a separation device for separating gas and solid in the processing object including gas and solid, and the substantially gas processing object obtained by the separation by the separation device is provided in the object introduction unit. 3. A substantially solid object to be processed, which is introduced into a gas processing device through a separation device and obtained by separation by the separation device, is introduced into the solid processing device through an object introduction portion. 23. The apparatus for treating an organic chlorine compound according to any one of claims to 22.
【請求項27】処理対象物源としての焼却炉と、処理用
物質を加熱して処理用熱ガスとするための装置として、
焼却炉からの排ガスにより処理用物質を加熱する熱交換
器および/または別の加熱装置を有し、前記排ガスが分
離装置に導入される請求項26記載の有機塩素化合物処
理装置。
27. An incinerator as a source of an object to be treated, and an apparatus for heating a substance to be treated into a hot gas for processing,
27. The apparatus for treating an organochlorine compound according to claim 26, further comprising a heat exchanger and / or another heating device that heats the processing substance with the exhaust gas from the incinerator, wherein the exhaust gas is introduced into the separation device.
【請求項28】処理用物質を加熱して処理用熱ガスとす
るための装置が、焼却炉からの排ガスにより処理用物質
を加熱する熱交換器、又はその熱交換器及び別の加熱装
置であり、前記熱交換器を経て冷却された排ガスが分離
装置に導入される請求項27記載の有機塩素化合物処理
装置。
28. An apparatus for heating a processing substance into a processing hot gas by heating the processing substance by exhaust gas from an incinerator, or a heat exchanger and another heating apparatus. 28. The apparatus for treating an organochlorine compound according to claim 27, wherein the exhaust gas cooled via the heat exchanger is introduced into a separation device.
【請求項29】分離装置により分離された固体と共に、
焼却炉において生成する固体排出物が、対象物導入部を
通じて固体用の処理器内に導入される請求項26、27
又は28記載の有機塩素化合物処理装置。
29. With the solid separated by the separation device,
28. The solid waste generated in the incinerator is introduced into the solid processing device through the object introduction part.
29. The apparatus for treating an organic chlorine compound according to 28.
【請求項30】複数の処理器と、対象物導入部を通じて
処理対象物が導入される処理器と、処理用物質導入部を
通じて処理用物質が導入される処理器を、両処理器が別
々のものとなるようにして順次切り換えることができる
切り換え装置を備え、一部の処理器においては、対象物
導入部を通じて導入された処理対象物に含有され得る対
象有機塩素化合物が吸着剤に吸着され、他の全ての処理
器又は他の一部の処理器においては、吸着剤に吸着され
た対象有機塩素化合物が、処理用物質導入部を通じて導
入された処理用物質としての処理用熱ガスにより脱塩素
無害化処理される請求項2乃至25の何れかに記載の有
機塩素化合物処理装置。
30. A plurality of processors, a processor into which an object to be treated is introduced through an object introduction section, and a processor into which a processing substance is introduced through a processing substance introduction section. It is equipped with a switching device that can be sequentially switched to become one, in some processors, the target organic chlorine compound that can be contained in the processing target introduced through the target introduction part is adsorbed by the adsorbent, In all other processors or some other processors, the target organochlorine compound adsorbed by the adsorbent is dechlorinated by the processing hot gas as the processing substance introduced through the processing substance introduction section. The organic chlorine compound treatment apparatus according to any one of claims 2 to 25, which is subjected to a detoxification treatment.
【請求項31】気体用の処理器及び固体用の処理器がそ
れぞれ複数であるか、或いは気体用の処理器又は固体用
の処理器が複数であり、複数存在する気体用又は固体用
の処理器について、対象物導入部を通じて処理対象物を
導入する処理器と、処理用物質導入部を通じて処理用物
質を導入する処理器を、両処理器が別々のものとなるよ
うにして順次切り換えることができる切り換え装置を備
え、前記の複数存在する気体用又は固体用の処理器のう
ち一部の処理器においては、対象物導入部を通じて導入
された処理対象物に含有され得る対象有機塩素化合物が
吸着剤に吸着され、その複数存在する気体用又は固体用
の処理器のうち他の全ての処理器又は他の一部の処理器
においては、吸着剤に吸着された対象有機塩素化合物
が、処理用物質導入部を通じて導入された処理用物質と
しての処理用熱ガスにより脱塩素無害化処理される請求
項26乃至29の何れかに記載の有機塩素化合物処理装
置。
31. A plurality of gas and solid processing units, or a plurality of gas and solid processing units, and a plurality of gas or solid processing units. As for the processing equipment, it is possible to sequentially switch between the processing equipment that introduces the processing target through the target introduction part and the processing equipment that introduces the processing substance through the processing substance introduction part so that both processing units are separate. Equipped with a switching device capable of, in some of the plurality of gas or solid processing units, the target organic chlorine compound that can be contained in the processing target introduced through the target introduction part is adsorbed. In all or some of the plurality of gas or solid processors that are adsorbed by the agent, the target organochlorine compound adsorbed by the adsorbent is used for processing. Substance introduction Organic chlorine compounds processing device according to any one of claims 26 to 29 is processed dechlorinated harmless by treatment for hot gas as introduced processing substance through.
【請求項32】処理器の生成物類排出部から排出された
排出物を導入し、その排出物中に、溶媒或いは溶媒に酸
若しくはアルカリおよび/または酸化剤若しくは還元剤
を混合した溶媒混合物を分散させることにより、前記排
出物中に存在し得る有害ガスを前記溶媒又は溶媒混合物
により除去する有害ガス除去部を有する請求項2乃至3
1の何れかに記載の有機塩素化合物処理装置。
32. A discharge discharged from a product discharge section of a processing device is introduced, and a solvent or a solvent mixture obtained by mixing an acid or alkali and / or an oxidizing agent or a reducing agent with a solvent is introduced into the discharge. 4. A harmful gas removing unit that removes harmful gas that may be present in the exhaust by the solvent or the solvent mixture by dispersing the harmful gas.
The apparatus for treating an organic chlorine compound according to any one of claims 1 to 7.
【請求項33】対象有機塩素化合物を含有し得る処理対
象物を、ゼオライトからなる対象有機塩素化合物用の吸
着剤に導くことにより、その処理対象物に含有され得る
対象有機塩素化合物を吸着剤に吸着させ、処理用物質と
して不活性および/または還元性の処理用熱ガスを前記
吸着剤に導くことにより、前記吸着剤に吸着された対象
有機塩素化合物を脱塩素無害化することを特徴とする有
機塩素化合物処理方法。
33. An object to be treated which can contain a target organic chlorine compound is led to an adsorbent for the target organic chlorine compound comprising zeolite, whereby the target organic chlorine compound which can be contained in the object to be treated becomes an adsorbent. The method is characterized in that the target organic chlorine compound adsorbed on the adsorbent is dechlorinated and made harmless by adsorbing and introducing an inert and / or reducing heat gas for processing as a processing substance to the adsorbent. Organic chlorine compound treatment method.
【請求項34】対象有機塩素化合物が、ダイオキシン
類、ダイオキシン類の前駆物質、及びPCB類からなる
群から選ばれた1種又は2種以上である請求項33記載
の有機塩素化合物処理方法。
34. The method for treating an organic chlorine compound according to claim 33, wherein the target organic chlorine compound is at least one selected from the group consisting of dioxins, dioxin precursors, and PCBs.
【請求項35】吸着剤に到達した状態の処理対象物が実
質的に気体である請求項33又は34記載の有機塩素化
合物処理方法。
35. The method for treating an organochlorine compound according to claim 33, wherein the treatment object having reached the adsorbent is substantially a gas.
【請求項36】吸着剤に到達した状態の処理対象物が実
質的に固体である請求項33又は34記載の有機塩素化
合物処理方法。
36. The method for treating an organochlorine compound according to claim 33, wherein the treatment object having reached the adsorbent is substantially solid.
【請求項37】吸着剤に到達した状態の処理対象物が実
質的に気体と固体からなる請求項33又は34記載の有
機塩素化合物処理方法。
37. The method for treating an organochlorine compound according to claim 33, wherein the treatment object having reached the adsorbent is substantially composed of gas and solid.
【請求項38】少なくとも、吸着剤が所定状態以上に乾
燥していることを検知した後において、処理用物質とし
て不活性および/または還元性の処理用熱ガスを吸着剤
に導く請求項33乃至37の何れかに記載の有機塩素化
合物処理方法。
38. The method according to claim 33, wherein at least after detecting that the adsorbent is dried to a predetermined state or more, an inert and / or reducing heat gas for treatment is introduced to the adsorbent as a treatment substance. 37. The method for treating an organochlorine compound according to any one of 37.
【請求項39】ゼオライトにおける50%以上の微細孔
の孔径が6乃至13オングストロームである請求項33
乃至38の何れかに記載の有機塩素化合物処理方法。
39. The zeolite according to claim 33, wherein the pore diameter of 50% or more of the micropores is 6 to 13 Å.
39. The method for treating an organochlorine compound according to any one of items 38 to 38.
【請求項40】ゼオライトにおける80%以上の微細孔
の孔径が6乃至13オングストロームである請求項33
乃至38の何れかに記載の有機塩素化合物処理方法。
40. The pore size of 80% or more of micropores in zeolite is 6 to 13 Å.
39. The method for treating an organochlorine compound according to any one of items 38 to 38.
【請求項41】ゼオライトが、その成分中におけるSi
/Alの原子比の値が3以上の疎水性である請求項33
乃至40の何れかに記載の有機塩素化合物処理方法。
41. The method according to claim 1, wherein the zeolite has a Si content in its component.
34. The compound is hydrophobic with an atomic ratio of / Al of 3 or more.
41. The method for treating an organic chlorine compound according to any one of the above items.
【請求項42】処理用物質が不活性ガス類および/また
は還元性ガス類である請求項33乃至41の何れかに記
載の有機塩素化合物処理方法。
42. The method for treating an organochlorine compound according to claim 33, wherein the treating substance is an inert gas and / or a reducing gas.
【請求項43】不活性ガス類が、窒素ガス、ヘリウムガ
ス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガス及びキ
セノンガスからなる群から選ばれた1又は2以上である
請求項42記載の有機塩素化合物処理方法。
43. The method according to claim 42, wherein the inert gas is at least one selected from the group consisting of nitrogen gas, helium gas, neon gas, argon gas, krypton gas and xenon gas. .
【請求項44】還元性ガス類が、水素ガスおよび/また
は一酸化炭素ガスである請求項42又は43記載の有機
塩素化合物処理方法。
44. The method according to claim 42, wherein the reducing gas is a hydrogen gas and / or a carbon monoxide gas.
【請求項45】吸着剤に到達した状態の処理用熱ガスの
温度が150乃至600℃である請求項33乃至44の
何れかに記載の有機塩素化合物処理方法。
45. The method for treating an organochlorine compound according to claim 33, wherein the temperature of the treatment hot gas reaching the adsorbent is 150 to 600 ° C.
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