JP2001291688A - Wafer-stripping apparatus and wafer-polishing apparatus - Google Patents

Wafer-stripping apparatus and wafer-polishing apparatus

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JP2001291688A
JP2001291688A JP2000106152A JP2000106152A JP2001291688A JP 2001291688 A JP2001291688 A JP 2001291688A JP 2000106152 A JP2000106152 A JP 2000106152A JP 2000106152 A JP2000106152 A JP 2000106152A JP 2001291688 A JP2001291688 A JP 2001291688A
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順一 松崎
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健郎 林
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公之 川副
Koichi Hatano
光一 波田野
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform stripping of a wafer automatically and surely, in a short time. SOLUTION: The wafer-polishing apparatus comprises a polishing head 2, having an annular retainer 10 for supporting a wafer W from the outer circumference thereof and holding the wafer by the surface tension of liquid supplied to the rear surface of the wafer, a means for polishing the surface of the wafer W held by the polishing head 2, and an apparatus 1 for stripping the wafer W from the polishing head 2, after polishing of the wafer is ended. The annular retainer 10 has a cut 11, made in the inner circumferential surface thereof and the stripping apparatus 1 comprises a stripping base 3, having a bank part 4 abutting against the retainer at the circumferential edge, a groove 5 made at a position which faces the retainer 10, where the distance to the inner circumferential edge 4a of the bank is shorter than the distance to the outer circumferential edge 4b thereof, while closing the opposite ends 5a, and an opening 6 for ejecting liquid from the inside of the groove 5 to the retainer 10.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ保持装置か
らウエハを剥離するウエハ剥離装置及び剥離手段を備え
たウエハ研磨装置に関するものであり、特に液体の表面
張力によってウエハを保持するワックスレス方式のウエ
ハ保持装置からウエハを剥離する剥離手段に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer peeling device for peeling a wafer from a wafer holding device and a wafer polishing device provided with a peeling means, and more particularly to a waxless system for holding a wafer by surface tension of a liquid. The present invention relates to a separating unit that separates a wafer from a wafer holding device.

【0002】[0002]

【従来の技術】ウエハの研磨工程では、ワックスレス方
式の場合、液体の表面張力や真空吸引等によりウエハ裏
面を研磨ヘッドのベースプレートに密着保持した状態
で、研磨ヘッドを研磨クロス上で回転することによりウ
エハ表面を研磨する。そして、研磨工程の終了後ウエハ
を研磨ヘッドから剥離する必要があるが、ウエハは研磨
ヘッドに密着しているため、容易にウエハを剥離するこ
とができない。
2. Description of the Related Art In a wafer polishing process, in the case of a waxless method, a polishing head is rotated on a polishing cloth while a back surface of a wafer is held in close contact with a base plate of the polishing head by liquid surface tension or vacuum suction. Polishes the wafer surface. After the polishing step, the wafer needs to be peeled off from the polishing head. However, since the wafer is in close contact with the polishing head, the wafer cannot be easily peeled off.

【0003】このため、このようなワックスレス方式の
研磨ヘッドからウエハを剥離するウエハ剥離装置及び方
法としては、ピンセット等の治具を用いてウエハを研磨
ヘッドから手動で取り外したり、ウォータガンを手動で
当てて液体の噴射によりウエハを取り外す方式が従来か
ら一般的に知られている。
Therefore, as a wafer peeling apparatus and method for peeling a wafer from such a waxless type polishing head, a wafer is manually removed from the polishing head using a jig such as tweezers, or a water gun is manually operated. 2. Description of the Related Art A method of removing a wafer by spraying a liquid on the wafer has been generally known.

【0004】また、特開平11−233467号には、
ウエハをその外周から支持する環状リテナーの内周面に
一定間隔で切り欠き部を設け、研磨ヘッドを低速回転さ
せながらこの切り欠き部に対して噴射口から液体を噴射
することにより、液体が切り欠き部からウエハ裏面とベ
ースプレートに貼着された軟質プレートに介入してウエ
ハを研磨ヘッドのベースプレートから容易に剥離できる
ウエハ剥離装置及び方法が開示されている。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-233467 discloses that
Notches are provided at regular intervals on the inner peripheral surface of the annular retainer that supports the wafer from its outer periphery, and the liquid is cut by ejecting the liquid from the ejection port to these notches while rotating the polishing head at low speed. There is disclosed a wafer peeling apparatus and a wafer peeling method capable of easily peeling a wafer from a base plate of a polishing head by interposing a wafer back surface and a soft plate attached to a base plate from a notch portion.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このようなウエハ剥離
装置は、ピンセット等の治具を用いることなく、またウ
ォータガンによる水の噴射を手動で行う必要もなく、ウ
エハを研磨ヘッドから剥離できるので、ウエハへの傷の
防止やウエハ剥離作業の能率化を図れる点で優れてい
る。
In such a wafer peeling apparatus, the wafer can be peeled from the polishing head without using a jig such as tweezers and without having to manually spray water with a water gun. This is advantageous in that it can prevent damage to the wafer and increase the efficiency of the wafer peeling operation.

【0006】しかしながら、液体をリテナーの切り欠き
部に対して正確に噴射させる必要があるため、研磨ヘッ
ドの低速回転による切り欠き部の回転軌道上と噴射機構
の位置とが若干ずれたりすると、切り欠き部へ噴射液体
をうまく導入できず、この結果ウエハの剥離を確実に行
うことが困難になる場合がある。
However, since it is necessary to accurately inject the liquid into the notch of the retainer, if the position of the ejection mechanism slightly deviates from the rotation orbit of the notch due to the low-speed rotation of the polishing head, the cutting is performed. In some cases, the jetting liquid cannot be properly introduced into the notched portion, and as a result, it may be difficult to reliably separate the wafer.

【0007】また、ウエハの剥離ができる場合であって
も、切り欠き部に噴射液体がうまく導入されないことか
ら、剥離完了まで長時間を要してしまう。一方、切り欠
き部の回転軌道上に噴射機構が位置していたとしても、
切り欠き部は一定間隔で設けられているので、噴射液体
は研磨ヘッドの回転中の一定間隔ごとにしか切り欠き部
に当たらず、やはりウエハの剥離完了までは時間を要す
ることに変わりはない。特に、ウエハに対し研磨工程、
剥離工程の処理を自動的に施す場合には、より短時間の
剥離作業を行うことが望まれている。
Further, even when the wafer can be peeled, it takes a long time to complete the peeling because the jetting liquid is not properly introduced into the notch. On the other hand, even if the injection mechanism is located on the orbit of the notch,
Since the notches are provided at regular intervals, the ejected liquid strikes the notches only at regular intervals during the rotation of the polishing head, and it still takes time until the wafer is completely separated. In particular, the polishing process for the wafer,
When the processing of the peeling step is performed automatically, it is desired to perform the peeling operation in a shorter time.

【0008】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたものであり、ウエハの剥離を自動的に確実に行うこ
とができるウエハ剥離装置を提供することを主な目的と
する。本発明の別の目的は、短時間でウエハの剥離を行
えるウエハ剥離装置を提供することである。
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its main object to provide a wafer peeling apparatus capable of automatically and reliably peeling a wafer. Another object of the present invention is to provide a wafer peeling apparatus capable of peeling a wafer in a short time.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、請求項1に係る発明は、ウエハ保持装置に液体の表
面張力とウエハを外周から支持するリテナーとにより保
持されたウエハを剥離するウエハ剥離装置において、前
記ウエハ保持装置を載置する剥離台と、該剥離台の前記
リテナーに対向する位置に、両端部を閉塞して刻設され
た溝部と、前記溝部内から液体を噴射する噴射手段と、
を備えたことを特徴とするものである。
In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 separates a wafer held by a wafer holding device by a surface tension of a liquid and a retainer supporting the wafer from the outer periphery. In a wafer peeling device, a peeling table on which the wafer holding device is placed, a groove portion formed by closing both ends at positions opposite to the retainer of the peeling table, and a liquid is ejected from inside the groove portion. Injection means,
It is characterized by having.

【0010】ウエハ保持装置を剥離台に載置したとき
に、噴射手段の位置がリテナーとウエハ外周との境界面
やリテナーに設けた切り欠き部等のウエハ裏面への液体
通路となる部分からずれている場合でも、請求項1に係
る発明では、剥離台の溝部がリテナーに対向する位置に
刻設され、この溝部内から噴射手段が液体を噴射するの
で、噴射された液体は溝部内を通過し、前記液体通路と
なる部分へ導入される。このため、ウエハ保持装置の載
置位置が多少ずれていても、噴射手段からの噴射液体は
確実にウエハ裏面へ導入され、表面張力を破壊してウエ
ハを剥離することが可能となる。
When the wafer holding device is placed on the peeling table, the position of the jetting means is shifted from a boundary surface between the retainer and the outer periphery of the wafer or a portion serving as a liquid passage to the back surface of the wafer, such as a notch formed in the retainer. However, in the invention according to claim 1, the groove of the peeling table is engraved at a position facing the retainer, and the ejecting means ejects the liquid from within the groove, so that the ejected liquid passes through the groove. Then, the liquid is introduced into a portion serving as the liquid passage. For this reason, even if the mounting position of the wafer holding device is slightly shifted, the jet liquid from the jet unit is surely introduced to the back surface of the wafer, and the wafer can be peeled by breaking the surface tension.

【0011】本発明における溝部は、ウエハ保持装置を
剥離台に載置した状態でリテナーに対向する位置に刻設
されていればその構成は特に限定されるものではなく、
リテナーとウエハ外周部との境界やリテナー内周面の切
り欠き部等、ウエハ裏面へ通ずる液体通路となる部分に
対向するか否かは問わない。
The configuration of the groove in the present invention is not particularly limited as long as it is cut at a position facing the retainer with the wafer holding device placed on the peeling table.
It does not matter whether or not it faces a portion serving as a liquid passage leading to the back surface of the wafer, such as a boundary between the retainer and the outer peripheral portion of the wafer or a cutout portion on the inner peripheral surface of the retainer.

【0012】例えば、ウエハ保持装置を剥離台に載置し
たときにリテナーとウエハ外周との境界あるいはリテナ
ーの切り欠き部の一部が溝部上に位置していれば、溝部
内から噴射手段によって噴射された液体は、溝部から直
ちに前記境界面若しくは切り欠き部に対して噴射される
ことになり、噴射液体がウエハ裏面に到達する。
For example, if the boundary between the retainer and the outer periphery of the wafer or a part of the notch of the retainer is located on the groove when the wafer holding device is mounted on the separation table, the injection means sprays from inside the groove. The ejected liquid is immediately ejected from the groove to the boundary surface or the notch, and the ejected liquid reaches the back surface of the wafer.

【0013】一方、リテナーとウエハ外周との境界、あ
るいはリテナーの切り欠き部の一部が溝部上からずれて
いる場合でも、噴射液体で溝部内が満たされるが、本発
明では、溝部の両端部が閉塞されているので、噴射液体
が両端部でせき止めされて、リテナーと剥離台と微小な
間隙に溢れ出る。そして溝部内の噴射液体はこの微小な
間隙を通過して前記ウエハ裏面への液体通路となる部分
へ導入される。
On the other hand, even when the boundary between the retainer and the outer periphery of the wafer or a part of the notch of the retainer is displaced from above the groove, the inside of the groove is filled with the jetting liquid. Is closed, so that the ejected liquid is dammed at both ends and overflows into the minute gap between the retainer and the peeling table. The jet liquid in the groove passes through the minute gap and is introduced into a portion serving as a liquid passage to the back surface of the wafer.

【0014】このように本発明では、ウエハ保持装置を
剥離台へ載置したときにウエハ裏面への前記液体通路と
なる部分に溝部の位置が対向しているか否かに拘わら
ず、噴射手段からの噴射液体はウエハ裏面に達するの
で、表面張力を破壊してウエハを確実に剥離することが
できる。
As described above, according to the present invention, when the wafer holding device is placed on the peeling table, regardless of whether or not the position of the groove portion is opposed to the portion serving as the liquid passage to the back surface of the wafer, the ejecting means can be used. The jetted liquid reaches the back surface of the wafer, so that the surface tension is destroyed and the wafer can be reliably separated.

【0015】また、本発明では、噴射手段の位置、溝部
の位置に拘わらずウエハを確実に剥離できるので、剥離
作業に要する時間が短縮化される。特にウエハの確実な
剥離が可能となるので、ウエハ保持装置を回転させる必
要もなく、ウエハの剥離作業に要する時間は従来の装置
に比べてより短縮化される。
Further, according to the present invention, the time required for the peeling operation can be reduced since the wafer can be reliably peeled irrespective of the position of the jetting means and the position of the groove. In particular, since the wafer can be surely peeled off, there is no need to rotate the wafer holding device, and the time required for the wafer peeling operation is further reduced as compared with the conventional apparatus.

【0016】本発明における溝部の数は、特に限定され
るものではなく、複数の溝部を剥離台に設けることがで
きる。
The number of grooves in the present invention is not particularly limited, and a plurality of grooves can be provided on the peeling table.

【0017】本発明における噴射手段は、溝部内から液
体を噴射するものであればその構成は限定されるもので
はない。このような噴射手段としては、溝部内に設けた
1又は2以上の噴射口と当該噴射口に噴射液体を導入す
る供給タンク等が挙げられる。
The construction of the ejection means in the present invention is not limited as long as it ejects liquid from inside the groove. Examples of such an ejection unit include one or more ejection ports provided in the groove and a supply tank for introducing the ejection liquid into the ejection ports.

【0018】本発明のウエハ剥離装置は、表面張力によ
ってウエハを保持するウエハ保持装置であれば全てのウ
エハ保持装置に適用することができる。
The wafer peeling device of the present invention can be applied to all wafer holding devices that hold a wafer by surface tension.

【0019】請求項2に係る発明は、請求項1に記載の
ウエハ剥離装置において、前記剥離台は、その周縁部で
前記リテナーに当接する土手部を有し、前記溝部は、前
記土手部の前記リテナーとの当接面で、前記土手部の内
周縁までの土手幅が前記土手部の外周縁までの土手幅よ
りも短くなる位置に刻設されていることを特徴とするも
のである。
According to a second aspect of the present invention, in the wafer peeling apparatus according to the first aspect, the peeling table has a bank portion abutting on the retainer at a peripheral portion thereof, and the groove portion is formed of the bank portion. It is characterized in that a bank width up to an inner peripheral edge of the bank portion is engraved on a contact surface with the retainer so as to be shorter than a bank width up to an outer peripheral edge of the bank portion.

【0020】この請求項2に係る発明では、剥離台に設
けられた土手部がリテナーと当接し、溝部が土手部に、
溝部から土手部の内周縁までの土手幅が溝部から土手部
の外周縁までの土手幅よりも短くなるように設けられて
いるので、リテナーと土手部との微小間隙に流れ込んだ
噴射液は、土手部外周縁よりも先に土手部内周縁に達す
る。このため溝部内を溢れ出た噴射液体は土手部外周縁
に達して外部に流出する前に、ウエハ外周とリテナーと
の境界あるいはリテナー内周の切り欠き部等の液体通路
にいち早く導入され、ウエハ裏面への到達が更に確実な
ものとなる。従って、ウエハ保持装置からのウエハの剥
離がより確実になると共に、剥離作業の時間も更に短時
間となる。
In the invention according to the second aspect, the bank provided on the peeling table comes into contact with the retainer, and the groove is provided on the bank.
Since the bank width from the groove to the inner peripheral edge of the bank portion is provided so as to be shorter than the bank width from the groove portion to the outer peripheral edge of the bank portion, the jet liquid flowing into the minute gap between the retainer and the bank portion is It reaches the inner edge of the bank earlier than the outer edge of the bank. Therefore, before the jetted liquid overflowing the groove reaches the outer peripheral edge of the bank portion and flows out to the outside, it is quickly introduced into the liquid passage such as a boundary between the outer periphery of the wafer and the retainer or a cutout portion of the inner periphery of the retainer, Reaching to the back surface is more reliable. Therefore, the separation of the wafer from the wafer holding device becomes more reliable, and the time for the separation operation is further shortened.

【0021】本発明における剥離台の土手部は、リテナ
ーに当接するものであれば良く、リテナーのサイズと一
致している必要はない。但し、土手部の全幅(土手部の
内周縁から外周縁までの土手幅)は環状リテナーの幅よ
り若干狭く構成することが好ましい。土手部の全幅が環
状リテナーの幅より広い場合には、ウエハ裏面における
表面張力が破壊されてウエハがリテナーから外れようと
する際に、土手部が障害となってウエハの剥離が不完全
なものとなる。しかし、土手部の全幅が環状リテナーの
幅より狭く構成されていれば、土手部が障害となること
もなく、かつ土手部全周により形成される剥離台の凹部
にウエハが確実に落下するので、ウエハの剥離がより完
全なものになるという利点がある。また、ウエハ保持装
置の剥離台への載置位置がずれた場合にも噴射された液
体を切り欠き部へより導入しやすくなるという利点もあ
る。
The bank portion of the peeling table in the present invention only needs to be in contact with the retainer, and does not need to match the size of the retainer. However, it is preferable that the entire width of the bank (the width of the bank from the inner peripheral edge to the outer peripheral edge of the bank) is slightly smaller than the width of the annular retainer. If the entire width of the bank is wider than the width of the ring-shaped retainer, when the surface tension on the back surface of the wafer is broken and the wafer tries to come off from the retainer, the bank will become an obstacle and the peeling of the wafer will be incomplete. Becomes However, if the entire width of the bank portion is configured to be smaller than the width of the annular retainer, the bank portion does not become an obstacle and the wafer surely falls into the concave portion of the peeling table formed by the entire circumference of the bank portion. This has the advantage that the peeling of the wafer becomes more complete. Also, there is an advantage that even when the mounting position of the wafer holding device on the peeling table is shifted, the jetted liquid can be more easily introduced into the cutout portion.

【0022】請求項3に係る発明は、ウエハをその外周
から支持する環状リテナーを有し、ウエハ裏面に供給さ
れた液体の表面張力によってウエハを保持する研磨ヘッ
ドと、研磨ヘッドに保持されたウエハの表面を研磨する
研磨手段と、研磨ヘッドからウエハを剥離する剥離手段
とを備えたウエハ研磨装置において、前記環状リテナー
は、その内周面に刻設された切り欠き部を有し、前記剥
離手段は、その周縁部で前記リテナーに当接する土手部
を有する剥離台と、前記土手部の前記リテナーとの当接
面で、前記土手部の内周縁までの土手幅が前記土手部の
外周縁までの土手幅よりも短くなる位置に刻設され、両
端部を閉塞した溝部と、前記溝部内から前記リテナーに
対して液体を噴射する噴射手段と、を有するものである
ことを特徴とするものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a polishing head having an annular retainer for supporting a wafer from the outer periphery thereof, the polishing head holding the wafer by the surface tension of a liquid supplied to the back surface of the wafer, and the wafer held by the polishing head. A wafer polishing apparatus provided with a polishing means for polishing the surface of the wafer and a peeling means for peeling the wafer from the polishing head, wherein the annular retainer has a notch cut in the inner peripheral surface thereof, and The means may include a peeling table having a bank portion abutting on the retainer at a peripheral portion thereof, and a width of the bank portion up to an inner peripheral edge of the bank portion at an abutting surface of the bank portion with the retainer, the outer peripheral edge of the bank portion. A groove which is engraved at a position shorter than the bank width up to and has both ends closed, and an ejection means for ejecting liquid to the retainer from within the groove. Than it is.

【0023】この請求項3に係る発明は、請求項1及び
請求項2に係るウエハ剥離装置を、研磨ヘッドからのウ
エハの剥離手段に適用したウエハ研磨装置であり、請求
項1及び請求項2に係る発明と同様の作用効果を奏す
る。
The invention according to claim 3 is a wafer polishing apparatus in which the wafer peeling device according to claim 1 or 2 is applied to a means for peeling a wafer from a polishing head. The same operation and effect as those of the invention according to the first aspect are exerted.

【0024】更に、本発明では、ウエハの研磨工程、剥
離工程を自動化した場合において、研磨ヘッドの載置位
置が剥離台の所望の位置から多少ずれた場合でも研磨ヘ
ッドからのウエハの剥離を短時間でかつ確実に行うこと
ができるので、完全な自動化を図ることが可能となる。
Further, according to the present invention, when the polishing step and the peeling step of the wafer are automated, the peeling of the wafer from the polishing head can be shortened even if the mounting position of the polishing head slightly deviates from a desired position of the peeling table. Since it can be performed in a timely and reliable manner, complete automation can be achieved.

【0025】本発明における切り欠き部は、環状リテナ
ー内周面に刻設されていればその数及び構成は特に限定
されるものではない。切り欠き部の数は、ウエハの径等
の諸条件により任意に定めることができる。また、切り
欠き部の形状についても半円弧状、角形状等任意に定め
ることができる。切り欠き部の大きさも、リテナーの厚
さ方向に亘り一定サイズとする他、ウエハ裏面から剥離
台土手部に近づくに従って、切り欠き部の径を大きくす
るように構成することもできる。この場合には、切り欠
き部の開口部が溝部と接近するので、噴射液体を更に導
入しやすくなるという利点がある。
The number and configuration of the cutouts in the present invention are not particularly limited as long as they are cut on the inner peripheral surface of the annular retainer. The number of notches can be arbitrarily determined according to various conditions such as the diameter of the wafer. Also, the shape of the notch can be arbitrarily determined, such as a semicircular shape, a square shape, or the like. The size of the notch may be a constant size in the thickness direction of the retainer, or the diameter of the notch may be increased as the distance from the back surface of the wafer to the peeling base bank increases. In this case, since the opening of the notch approaches the groove, there is an advantage that the injection liquid can be more easily introduced.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態につい
て、以下図示例とともに説明する。本実施形態のウエハ
研磨装置は、シリコン単結晶から切り出されたシリコン
ウエハの表面を鏡面研磨するものであり、特に直径約4
00mmのいわゆる大径ウエハを対象としている。本実
施形態のウエハ研磨装置は、ウエハWを保持する研磨ヘ
ッドと、回転軸周りに回転する研磨ヘッドを押圧により
ウエハ表面を研磨する研磨プレートと、研磨工程終了後
に研磨ヘッドからウエハWを剥離する剥離装置とから構
成される。本実施形態では、研磨プレートは公知のもの
を利用しておりその具体的構成については説明を省略す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The wafer polishing apparatus according to the present embodiment is for mirror-polishing the surface of a silicon wafer cut from a silicon single crystal, and particularly has a diameter of about 4 mm.
It is intended for a so-called large diameter wafer of 00 mm. The wafer polishing apparatus according to the present embodiment includes a polishing head that holds a wafer W, a polishing plate that polishes the wafer surface by pressing a polishing head that rotates around a rotation axis, and that separates the wafer W from the polishing head after the polishing process. And a peeling device. In the present embodiment, a known polishing plate is used, and the description of the specific configuration is omitted.

【0027】図1は本実施形態の剥離装置の概略構成を
示す平面図であり、図2は本実施形態の剥離装置に研磨
ヘッドを載置した状態を示す断面図である。又、図3は
本実施形態の研磨ヘッドの底面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the peeling apparatus of the present embodiment, and FIG. 2 is a sectional view showing a state in which a polishing head is mounted on the peeling apparatus of the present embodiment. FIG. 3 is a bottom view of the polishing head of this embodiment.

【0028】図2及び図3に示すように、研磨ヘッド2
は、回転軸に固着されたベースプレート8と、ベースプ
レート8に固着された円環状リテナー10と、ベースプ
レート8に接着剤で貼付された軟質プレート9から主に
構成される。本実施形態の研磨ヘッド2は、ウエハWを
ワックスレス方式で保持するものであり、特にウエハ裏
面と軟質プレート9との間に水12を供給して、その表
面張力によってウエハWを保持している。
As shown in FIGS. 2 and 3, the polishing head 2
Is mainly composed of a base plate 8 fixed to the rotating shaft, an annular retainer 10 fixed to the base plate 8, and a soft plate 9 adhered to the base plate 8 with an adhesive. The polishing head 2 of the present embodiment holds the wafer W in a waxless manner. In particular, the polishing head 2 supplies water 12 between the back surface of the wafer and the soft plate 9 and holds the wafer W by the surface tension. I have.

【0029】軟質プレート9は、発砲ポリウレタン等の
材質で形成されており、この軟質プレート9にウエハW
を水貼りしてウエハWが保持されている。
The soft plate 9 is formed of a material such as polyurethane foam, and the soft plate 9
Is applied with water to hold the wafer W.

【0030】円環状リテナー10の内周径はウエハWの
直径とほぼ同一となっており、このため軟質プレート9
に水貼りされたウエハWを更にその外周部から支持し
て、位置ズレを防止している。また研磨ヘッド2で保持
されたウエハWの表面を研磨プレート(図示せず)によ
り研磨するため、円環状リテナー10の厚みはウエハW
の厚みよりも若干薄くなっている。
The inner diameter of the annular retainer 10 is substantially the same as the diameter of the wafer W.
Is further supported from the outer peripheral portion thereof to prevent positional deviation. Since the surface of the wafer W held by the polishing head 2 is polished by a polishing plate (not shown), the thickness of the annular retainer 10 is
Slightly thinner than the thickness.

【0031】本実施形態の研磨ヘッド2では、図2及び
図3に示すように、円環状リテナー10の内周面に15
°の角度間隔で、24個の半円孤状の切り欠き部11が
刻設されている。この切り欠き部11は後述するウエハ
剥離装置1から噴射された液体をウエハ裏面と軟質プレ
ート9の間に導入して、水の表面張力を破壊してウエハ
Wを研磨ヘッド2から剥離させるために用いられる。
In the polishing head 2 according to the present embodiment, as shown in FIGS.
Twenty-four semicircular cutouts 11 are formed at angular intervals of °. The notch 11 is used to introduce a liquid ejected from the wafer peeling device 1 described later between the back surface of the wafer and the soft plate 9 to break the surface tension of water and peel the wafer W from the polishing head 2. Used.

【0032】ウエハ剥離装置1は、研磨ヘッド2を載置
する剥離台3を備えており、この剥離台3は、その半周
の約5/6の周縁部で図1における左右2カ所に夫々上
方に突出した土手部4を有している。ここで、図4は、
本実施形態における剥離台3に研磨ヘッド2を載置した
場合の土手部4及びリテナー10の部分拡大断面図であ
る。図2及び図4に示すように、研磨ヘッド2を剥離台
3に載置した状態でこの土手部上面が研磨ヘッド2のリ
テナー下面と当接するようになっている。また、土手部
4の幅Cは円環状リテナー10の幅Dよりも短くなって
いる。
The wafer peeling apparatus 1 is provided with a peeling table 3 on which a polishing head 2 is placed. The peeling table 3 is located on the left and right in FIG. And has a bank portion 4 protruding therefrom. Here, FIG.
FIG. 3 is a partially enlarged cross-sectional view of a bank portion 4 and a retainer 10 when a polishing head 2 is placed on a separation table 3 in the present embodiment. As shown in FIGS. 2 and 4, when the polishing head 2 is placed on the separation table 3, the upper surface of the bank portion comes into contact with the lower surface of the retainer of the polishing head 2. The width C of the bank portion 4 is shorter than the width D of the annular retainer 10.

【0033】各土手部4は、剥離台3の円周方向に延在
する溝部5が刻設されており、この溝部5は土手部4の
中央からやや内周寄りに位置している。このため、溝部
5から土手部内周縁4aまでの土手幅Aは、溝部5から
土手部外周縁4bまでの土手幅Bよりも短くなってい
る。また、溝部5は、その両端部分5aで閉塞され、溝
部5内の液体が両端部5aでせき止めされるようになっ
ている。
Each bank 4 is provided with a groove 5 extending in the circumferential direction of the peeling table 3, and the groove 5 is located slightly inward from the center of the bank 4. For this reason, the bank width A from the groove 5 to the bank inner peripheral edge 4a is shorter than the bank width B from the groove 5 to the bank outer peripheral edge 4b. Further, the groove 5 is closed at both end portions 5a, so that the liquid in the groove 5 is dammed at both ends 5a.

【0034】各土手部4の溝部底面には、夫々2カ所に
液体を噴射する噴射口6が設けられている。この噴射口
6は剥離台外部の給液タンク(図示せず)に連通してお
り、このタンクから供給される液体を溝部内からリテナ
ー下面に向けて噴射するようになっている。
The bottom of the groove of each bank 4 is provided with a jet port 6 for jetting a liquid at two locations. The injection port 6 communicates with a liquid supply tank (not shown) outside the peeling table, and jets the liquid supplied from the tank toward the lower surface of the retainer from inside the groove.

【0035】以上のように構成されたウエハ剥離装置1
を用いて研磨ヘッド2からウエハWを剥離する方法につ
いて説明する。本実施形態のウエハ研磨装置では、ウエ
ハWの研磨及びウエハWの剥離を全て自動的に行ってい
る。
The wafer peeling apparatus 1 configured as described above
A method of peeling the wafer W from the polishing head 2 using the method will be described. In the wafer polishing apparatus of the present embodiment, the polishing of the wafer W and the peeling of the wafer W are all automatically performed.

【0036】研磨工程が終了すると、研磨ヘッドの回転
を停止し、研磨ヘッド2を研磨プレートから剥離装置1
上に移動して載置する。このとき、図4に示すように、
研磨ヘッド2は、リテナー10の切り欠き部11と剥離
台3の溝部5とが対応しない位置に載置される。尚、本
実施形態では、このように切り欠き部11と溝部5との
位置がずれているが、切り欠き部11と溝部5が一致す
る位置になるようにリテナー10及び土手部4を構成し
ても良い。
When the polishing step is completed, the rotation of the polishing head is stopped, and the polishing head 2 is separated from the polishing plate by the peeling device 1.
Move up and place. At this time, as shown in FIG.
The polishing head 2 is placed at a position where the notch 11 of the retainer 10 does not correspond to the groove 5 of the peeling table 3. In the present embodiment, the positions of the notch 11 and the groove 5 are shifted as described above, but the retainer 10 and the bank 4 are configured so that the notch 11 and the groove 5 coincide with each other. May be.

【0037】次いで、研磨ヘッドの回転を停止した状態
で、溝部内の噴射口6からリテナー下面に向けて液体を
噴射する。このとき、溝部5はリテナー下面によって塞
がれており、また溝部両端は閉塞されているため、溝部
内に充満した液体はリテナー下面と土手部4と微小な間
隙に溢れ出る。ここで、土手幅Aが土手幅Bよりも短い
ため、液体は土手部外周縁4bより土手部内周縁4aに
先に達する。このため液体は土手部外周縁4bに達して
外部に流出する前に、土手部内周縁4a付近に位置する
切り欠き部11に導入され軟質プレート9に到達する。
Next, while the rotation of the polishing head is stopped, the liquid is ejected from the ejection port 6 in the groove toward the lower surface of the retainer. At this time, since the groove 5 is closed by the lower surface of the retainer and both ends of the groove are closed, the liquid filled in the groove overflows into a minute gap between the lower surface of the retainer and the bank 4. Here, since the bank width A is shorter than the bank width B, the liquid reaches the bank inner peripheral edge 4a before the bank outer peripheral edge 4b. Therefore, before the liquid reaches the outer peripheral edge 4 b of the bank portion and flows out to the outside, the liquid is introduced into the notch portion 11 located near the inner peripheral edge 4 a of the bank portion and reaches the soft plate 9.

【0038】軟質プレート9に到達した液体は次第に軟
質プレート9とウエハ裏面との間に浸透していき、表面
張力を破壊する。その結果ウエハWが軟質プレート9か
ら剥離されることになる。このときウエハWは軟質プレ
ート9及びリテナー10から外れるが、土手部4の幅C
が円環状リテナー10の幅Dよりも短くなっているの
で、土手部4の内周縁付近が障害となることもなく、ウ
エハWが確実に剥離され、土手部4で形成された剥離台
3の凹部13に収容される。
The liquid that has reached the soft plate 9 gradually penetrates between the soft plate 9 and the back surface of the wafer to destroy the surface tension. As a result, the wafer W is separated from the soft plate 9. At this time, the wafer W comes off the soft plate 9 and the retainer 10, but the width C of the bank 4
Is shorter than the width D of the annular retainer 10, the vicinity of the inner peripheral edge of the bank portion 4 does not become an obstacle, the wafer W is reliably separated, and the separation table 3 formed by the bank portion 4 is removed. It is accommodated in the recess 13.

【0039】このように本実施形態のウエハ研磨装置で
は、研磨ヘッド2を剥離台3へ載置したときに円環状リ
テナー10の切り欠き部11と溝部5の位置が一致して
いるか否かに拘わらず、噴射口6から噴射された液体は
切り欠き部11を通過して軟質プレート9に達するの
で、ウエハWの剥離を確実に行うことができる。
As described above, in the wafer polishing apparatus according to the present embodiment, when the polishing head 2 is mounted on the peeling table 3, it is determined whether the position of the notch 11 of the annular retainer 10 and the position of the groove 5 match. Regardless, the liquid ejected from the ejection port 6 passes through the notch 11 and reaches the soft plate 9, so that the wafer W can be reliably separated.

【0040】また、噴射液体は、溝部内を満たしてから
溢れ出て切り欠き部11へ到達するので、噴射口6の位
置と切り欠き部11の位置とが対応していなくても、確
実に噴射液体が切り欠き部を通過してウエハ裏面へ到達
しウエハWの剥離が確実なものとなる。このため研磨ヘ
ッドも回転させる必要はない。
Further, since the jetting liquid overflows after filling the inside of the groove and reaches the notch 11, even if the position of the injection port 6 does not correspond to the position of the notch 11, it is ensured. The jet liquid passes through the notch and reaches the back surface of the wafer, so that the wafer W can be reliably separated. Therefore, it is not necessary to rotate the polishing head.

【0041】更には、ウエハの剥離が確実なものとな
り、研磨ヘッドの回転も不要となることから、剥離作業
の時間も短縮化される。また、このように短時間で確実
にウエハの剥離が完了するので、ウエハWの研磨工程、
剥離工程の完全な自動化を図ることが可能となる。
Furthermore, the peeling of the wafer is made reliable and the rotation of the polishing head is not required, so that the time required for the peeling operation is shortened. Further, since the peeling of the wafer is completed in such a short time, the polishing process of the wafer W,
Complete automation of the peeling step can be achieved.

【0042】尚、本実施形態のウエハ研磨装置では、直
径400mmの大径ウエハを対象としているが、直径3
00mm、200mm等の400mm以下のウエハに対
しても適用できることは言うまでもない。
Although the wafer polishing apparatus of this embodiment targets a large-diameter wafer having a diameter of 400 mm,
Needless to say, the present invention can be applied to a wafer of 400 mm or less such as 00 mm and 200 mm.

【0043】また、本実施形態のウエハ研磨装置では、
ウエハの鏡面研磨工程に本発明を適用しているが、この
他、SOI処理工程や、半導体デバイス製造工程の平坦
化研磨(CMP)工程、ディスクや液晶等の製造工程に
本発明を適用することも可能である。
Further, in the wafer polishing apparatus of the present embodiment,
Although the present invention is applied to a mirror polishing process of a wafer, the present invention is also applied to an SOI processing process, a flattening polishing (CMP) process of a semiconductor device manufacturing process, and a manufacturing process of a disk or a liquid crystal. Is also possible.

【0044】[0044]

【実施例】上記実施の形態に記載のウエハ研磨装置を次
のように構成した。
EXAMPLE The wafer polishing apparatus described in the above embodiment was constructed as follows.

【0045】(研磨ヘッド) 円環状リテナーの外周径=435.00mm±1.59
mm 円環状リテナーの内周径=401.00mm±0.13
mm 円環状リテナーの幅D=17.00mm 切り欠き部の半径:4mm (切り欠き部は角度15°
間隔で24個)
(Polishing Head) Outer diameter of annular retainer = 435.00 mm ± 1.59
mm Inner diameter of annular retainer = 401.00 mm ± 0.13
mm Width of annular retainer D = 17.00 mm Radius of notch: 4 mm (The notch has an angle of 15 °
24 at intervals)

【0046】(剥離台) 剥離台の外周径=435.00mm±1.59mm 土手部の幅C=14.6mm 溝部の幅=5mm 溝部の深さ=2mm 溝部から土手部内周縁までの土手幅A=2.1mm 溝部から土手部外周縁までの土手幅B=7.5mm 液体の噴射圧力=約1kg/cm (Peeling Table) Outer diameter of the peeling table = 435.00 mm ± 1.59 mm Bank width C = 14.6 mm Groove width = 5 mm Groove depth = 2 mm Bank width A from the groove to the inner peripheral edge of the bank = 2.1 mm Embankment width B from groove to outer periphery of embankment B = 7.5 mm Injection pressure of liquid = about 1 kg / cm 2

【0047】直径400mmのシリコンウエハを水貼り
保持した研磨ヘッドを剥離台に載置して剥離作業を行っ
たところ、作業開始から約30秒でシリコンウエハの剥
離作業が完了し、かつ確実にウエハが剥離された。
When a polishing head holding a 400 mm diameter silicon wafer stuck on water was placed on a peeling table and peeling was performed, the peeling operation of the silicon wafer was completed in about 30 seconds from the start of the work, and the wafer was surely removed. Was peeled off.

【0048】(従来のウエハ剥離装置による比較)一
方、従来のウエハ剥離装置を使用して、研磨ヘッドに水
貼りされた直径400mmのシリコンウエハを剥離台に
載置し、研磨ヘッドを回転軸周りに回転させながらリテ
ナーの切り欠き部に対し液体をジェット噴射させるとい
う剥離作業を行ったところ、ウエハを確実に剥離できな
い場合もあり、剥離できる場合でも作業開始から約22
0秒の時間を要した。
(Comparison with Conventional Wafer Peeling Apparatus) On the other hand, using a conventional wafer peeling apparatus, a silicon wafer having a diameter of 400 mm attached to a polishing head with water was placed on a peeling table, and the polishing head was rotated around a rotation axis. When the peeling operation of jetting the liquid to the notch portion of the retainer while rotating the wafer was performed, there were cases where the wafer could not be reliably peeled off.
It took 0 seconds.

【0049】[0049]

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明は、ウエハ
保持装置を載置する剥離台と、該剥離台のリテナーに対
向する位置に、両端部を閉塞して刻設された溝部と、前
記溝部内から液体を噴射する噴射手段と、を備えている
ので、ウエハ保持装置を剥離台への載置位置が多少ずれ
た場合でも、噴射手段の位置、溝部の位置に拘わらずウ
エハを確実に剥離することができるという効果を有す
る。また、本発明では、ウエハ保持装置の剥離台への載
置位置が多少ずれた場合でも、ウエハの剥離作業に要す
る時間が短縮化されるという効果を有する。
As described above, according to the present invention, there is provided a peeling table on which a wafer holding device is mounted, and a groove formed by closing both ends at positions facing the retainer of the peeling table. Ejection means for ejecting the liquid from inside the groove, so that even if the mounting position of the wafer holding device on the peeling table is slightly shifted, the wafer can be securely held regardless of the position of the ejection means and the position of the groove. It has the effect that it can be peeled off. Further, according to the present invention, there is an effect that even when the mounting position of the wafer holding device on the peeling table is slightly shifted, the time required for the wafer peeling operation is reduced.

【0050】また、本発明では確実かつ短時間でウエハ
の剥離を行えるので、ウエハの研磨工程、剥離工程等の
完全な自動化を図れるという効果を有する。
Further, in the present invention, since the wafer can be peeled off reliably and in a short time, there is an effect that the wafer polishing step and the peeling step can be completely automated.

【0051】更に本発明では、短時間でウエハの剥離が
完了するので、ウエハに乾きシミやパーティクル付着等
の汚染を低減することができるという効果を有する。更
に、本発明では、ウエハを完全な非接触で剥離すること
ができるので、ウエハに傷等が生じることを防止できる
という効果を有する。
Further, according to the present invention, since the peeling of the wafer is completed in a short time, there is an effect that contamination such as drying spots and adhesion of particles to the wafer can be reduced. Furthermore, according to the present invention, since the wafer can be peeled off without complete contact, there is an effect that scratches and the like can be prevented from being generated on the wafer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本実施形態のウエハ剥離装置の構成を示す平面
図である。
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a wafer peeling apparatus of the present embodiment.

【図2】本実施形態のウエハ剥離装置に研磨ヘッドを載
置した状態を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state where a polishing head is mounted on the wafer peeling device of the present embodiment.

【図3】本実施形態の研磨ヘッドの底面図である。FIG. 3 is a bottom view of the polishing head of the embodiment.

【図4】本実施形態のウエハ剥離装置に研磨ヘッドを載
置した状態における土手部の拡大断面図である。
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a bank portion in a state where a polishing head is mounted on the wafer peeling device of the present embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:剥離装置 2:研磨ヘッド 3:剥離台 4:土手部 4a:土手部内周縁 4b:土手部外周縁 5:溝部 5a:溝部端部 6:噴射口 7:回転軸 8:ベースプレート 9:軟質プレート 10:円環状リテナー 11:切り欠き部 12:水 13:剥離台凹部 W:シリコンウエハ 1: Peeling device 2: Polishing head 3: Peeling table 4: Bank portion 4a: Bank portion inner peripheral edge 4b: Bank portion outer peripheral edge 5: Groove portion 5a: Groove end portion 6: Injection port 7: Rotating shaft 8: Base plate 9: Soft plate 10: Annular retainer 11: Notch 12: Water 13: Detachment recess W: Silicon wafer

フロントページの続き (72)発明者 松崎 順一 群馬県安中市中野谷555番地の1 株式会 社スーパーシリコン研究所内 (72)発明者 林 健郎 群馬県安中市中野谷555番地の1 株式会 社スーパーシリコン研究所内 (72)発明者 川副 公之 群馬県安中市中野谷555番地の1 株式会 社スーパーシリコン研究所内 (72)発明者 波田野 光一 東京都千代田区神田多町2−2−22 ラッ プマスターエスエフティ株式会社内 (72)発明者 松本 康男 東京都千代田区神田多町2−2−22 ラッ プマスターエスエフティ株式会社内 Fターム(参考) 3C058 AB03 AB04 AC01 CB03 DA17Continued on the front page (72) Inventor Junichi Matsuzaki 1 at 555 Nakanoya, Annaka-shi, Gunma Co., Ltd. Inside Super Silicon Research Laboratories (72) Inventor Kenro Hayashi 555 at Nakanoya, Annaka-shi, Gunma 1 Co., Ltd. Inside the Super Silicon Research Laboratories (72) Inventor Kimiyuki Kawasoe 555-1, Nakanotani, Annaka-shi, Gunma 1 Inside the Super Silicon Research Laboratories Co., Ltd. (72) Inventor Koichi Hatano 2-2-22 Kandatamachi, Chiyoda-ku, Tokyo (72) Inventor Yasuo Matsumoto 2-2-22 Kandatamachi, Chiyoda-ku, Tokyo F-term (reference) in Rapmaster STF Co., Ltd. 3C058 AB03 AB04 AC01 CB03 DA17

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウエハ保持装置に液体の表面張力とウエ
ハを外周から支持するリテナーとにより保持されたウエ
ハを剥離するウエハ剥離装置において、 前記ウエハ保持装置を載置する剥離台と、 該剥離台の前記リテナーに対向する位置に、両端部を閉
塞して刻設された溝部と、 前記溝部内から液体を噴射する噴射手段と、を備えたこ
とを特徴とするウエハ剥離装置。
1. A wafer peeling device for peeling a wafer held by a surface tension of a liquid on a wafer holding device and a retainer for supporting the wafer from the outer periphery, comprising: a peeling table on which the wafer holding device is mounted; A wafer peeling device, comprising: a groove formed by closing both ends at a position facing the retainer; and an ejection unit for ejecting a liquid from inside the groove.
【請求項2】 前記剥離台は、その周縁部で前記リテナ
ーに当接する土手部を有し、 前記溝部は、前記土手部の前記リテナーとの当接面で、
前記土手部の内周縁までの土手幅が前記土手部の外周縁
までの土手幅よりも短くなる位置に刻設されていること
を特徴とする請求項1に記載のウエハ剥離装置。
2. The exfoliating table has a bank portion that contacts the retainer at a peripheral edge thereof, and the groove portion is a contact surface of the bank portion with the retainer,
2. The wafer peeling device according to claim 1, wherein a bank width up to an inner peripheral edge of the bank portion is cut at a position shorter than a bank width up to an outer peripheral edge of the bank portion. 3.
【請求項3】 ウエハをその外周から支持する環状リテ
ナーを有し、ウエハ裏面に供給された液体の表面張力に
よってウエハを保持する研磨ヘッドと、研磨ヘッドに保
持されたウエハの表面を研磨する研磨手段と、研磨ヘッ
ドからウエハを剥離する剥離手段とを備えたウエハ研磨
装置において、 前記環状リテナーは、その内周面に刻設された切り欠き
部を有し、 前記剥離手段は、その周縁部で前記リテナーに当接する
土手部を有する剥離台と、前記土手部の前記リテナーと
の当接面で、前記土手部の内周縁までの土手幅が前記土
手部の外周縁までの土手幅よりも短くなる位置に刻設さ
れ、両端部を閉塞した溝部と、前記溝部内から前記リテ
ナーに対して液体を噴射する噴射手段と、を有するもの
であることを特徴とするウエハ研磨装置。
3. A polishing head having an annular retainer for supporting the wafer from the outer periphery thereof and holding the wafer by the surface tension of a liquid supplied to the back surface of the wafer, and polishing for polishing the surface of the wafer held by the polishing head. Means, and a peeling means for peeling the wafer from the polishing head, wherein the annular retainer has a cutout carved in the inner peripheral surface thereof, the peeling means, the peripheral portion In a peeling table having a bank portion abutting on the retainer, and on a contact surface of the bank portion with the retainer, a bank width up to an inner peripheral edge of the bank portion is larger than a bank width up to an outer peripheral edge of the bank portion. A wafer polishing apparatus, comprising: a groove engraved at a position to be shortened, the groove closed at both ends; and an ejection unit configured to eject liquid from inside the groove to the retainer.
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