JP2001291592A - Light emission device and electric fixture - Google Patents

Light emission device and electric fixture

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JP2001291592A
JP2001291592A JP2001023828A JP2001023828A JP2001291592A JP 2001291592 A JP2001291592 A JP 2001291592A JP 2001023828 A JP2001023828 A JP 2001023828A JP 2001023828 A JP2001023828 A JP 2001023828A JP 2001291592 A JP2001291592 A JP 2001291592A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a means to enhance a recombination efficiency of a carrier, and provide a light emission device of a high luminous efficiency. SOLUTION: An electron capture region 106 and a hole capture region 107 are formed on the inside of a luminous layer 103. The electron capture region 107 has an action of confining electrons, that have been transported on the lowest unoccupied molecular orbital(LUMO) level of luminous layer 103 in the luminous layer, and the hole capture region 107 has the action of confining holes that have been transported on the highest occupied molecular orbital(HOMO) level of luminous layer 103 in the luminous layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、発光性有機膜を用
いた発光装置に関する。また、その発光装置を表示部も
しくは光源として用いた電気器具に関する。なお、本発
明に用いることのできる発光性有機膜は、一重項励起も
しくは三重項励起または両者の励起を経由して発光(燐
光および/または蛍光)するすべての有機膜を含む。
The present invention relates to a light emitting device using a light emitting organic film. Further, the present invention relates to an electric appliance using the light emitting device as a display portion or a light source. Note that the light-emitting organic film that can be used in the present invention includes all organic films that emit light (phosphorescence and / or fluorescence) via singlet excitation or triplet excitation or both excitations.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、EL(Electro Luminescence)が
得られる発光性有機膜(以下、有機EL膜という)を利
用した発光素子(以下、EL素子という)を用いた発光
装置(以下、EL発光装置という)の開発が進んでい
る。EL発光装置は、陽極と陰極との間に有機EL膜を
挟んだ構造からなるEL素子を有し、陽極と陰極との間
に電圧を加えることで発光を得る。
2. Description of the Related Art In recent years, a light-emitting device (hereinafter, referred to as an EL device) using a light-emitting element (hereinafter, referred to as an EL element) using a light-emitting organic film (hereinafter, referred to as an organic EL film) capable of obtaining EL (Electro Luminescence). Is being developed. An EL light emitting device has an EL element having a structure in which an organic EL film is sandwiched between an anode and a cathode, and emits light by applying a voltage between the anode and the cathode.

【0003】このとき、陽極からは正孔(ホール)がE
L材料中へ注入され、陰極からは電子(エレクトロン)
が有機EL膜へ注入される。互いの電極から注入された
電荷(キャリア)は有機EL膜内部を移動して再結合す
る。再結合することによって励起状態が生成され、その
うちの一部が光子に変換される。この光子が外部に取り
出されることで発光として視認することができる。
At this time, holes (holes) from the anode are E
Injected into the L material and electrons (electrons) from the cathode
Is injected into the organic EL film. Charges (carriers) injected from the electrodes move inside the organic EL film and recombine. Recombination produces excited states, some of which are converted to photons. When this photon is taken out, it can be visually recognized as light emission.

【0004】このような従来の発光機構を図2(A)、
(B)に示す。図2(A)は従来のEL素子の接合構造
であり、201は陰極(Cathode)、202は電子輸送
層(Electron Transfer Layer)、203は発光層(Emi
ssion Layer)、204は正孔輸送層(Hole Transfer L
ayer)、205は陽極(Anode)である。また、図2
(B)はそのキャリア注入過程であり、陰極201と陽
極205との間に電圧が印加されることで電子206及
び正孔207が注入されて再結合し、発光208が得ら
れる。
[0004] Such a conventional light emitting mechanism is shown in FIG.
It is shown in (B). FIG. 2A shows a conventional EL element junction structure, in which 201 is a cathode, 202 is an electron transport layer, and 203 is a light emitting layer (Emi).
ssion layer), 204 is a hole transport layer (Hole Transfer L)
ayer) and 205 are anodes. FIG.
(B) shows the carrier injection process. When a voltage is applied between the cathode 201 and the anode 205, electrons 206 and holes 207 are injected and recombined, and light emission 208 is obtained.

【0005】このような発光機構を考えると、EL素子
から発せられる光の効率、即ち発光効率(η(発光)と
表す)は次式のように表される。 η(発光)=η(注入)×η(再結合)×η(励起)×
η(量子) ここでη(注入)はキャリアが電極から注入される際の
効率、η(再結合)は電子及び正孔が再結合する効率、
η(励起)は再結合により一重項励起子が生成する効
率、η(量子)は一重項励起子から光子に変換される効
率である。
Considering such a light emission mechanism, the efficiency of light emitted from the EL element, that is, the light emission efficiency (expressed as η (light emission)) is expressed by the following equation. η (emission) = η (injection) × η (recombination) × η (excitation) ×
η (quantum) where η (injection) is the efficiency when carriers are injected from the electrode, η (recombination) is the efficiency at which electrons and holes recombine,
η (excitation) is the efficiency at which singlet excitons are generated by recombination, and η (quantum) is the efficiency at which singlet excitons are converted to photons.

【0006】η(注入)は陰極(もしくは陽極)とEL
材料との界面における電位障壁に起因して変化し、電位
障壁が低いほど効率は高い。また、η(再結合)はキャ
リアの注入バランス(注入された電子及び正孔の割合の
バランス)により変化し、発光層(実際に発光する有機
EL膜)のキャリア輸送特性に影響される。また、η
(励起)は発光に寄与する一重項励起子の生成効率であ
り、理論上は約0.25と決まっている。また、η(量
子)は発光層が結晶質か非晶質かによって変化し、総じ
て結晶質の方が高い値が得られる。
[0006] η (injection) is the cathode (or anode) and EL
It changes due to the potential barrier at the interface with the material, and the lower the potential barrier, the higher the efficiency. Further, η (recombination) changes depending on the carrier injection balance (balance of the ratio of injected electrons and holes), and is affected by the carrier transport characteristics of the light emitting layer (the organic EL film that actually emits light). Also, η
(Excitation) is the generation efficiency of singlet excitons that contribute to light emission, and is theoretically determined to be about 0.25. Further, η (quantum) changes depending on whether the light emitting layer is crystalline or amorphous, and a higher value is generally obtained for crystalline.

【0007】さらに、発光層中で生成された光子は外部
に取り出されるまでに散乱や熱失活により殆どが失われ
る(約80%が失われる)ため、実際に観測される光は
その分の損失も含めたものとなる。以上のように、EL
素子の発光機構の過程では様々な要因により発光効率が
低下してしまう。高い発光効率を得るには、上記の様々
な効率を高め、総合的に高い発光効率を求めるしかな
い。
Further, most of the photons generated in the light emitting layer are lost by scattering or heat deactivation (about 80% is lost) before being extracted to the outside. This includes losses. As described above, EL
In the process of the light emitting mechanism of the device, the luminous efficiency is reduced by various factors. The only way to obtain high luminous efficiency is to increase the various efficiencies described above and seek a comprehensively high luminous efficiency.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明はEL素子にお
けるキャリアの再結合効率を高めるための手段を提供す
ることを課題とし、発光効率の高い発光装置を提供する
ことを課題とする。また、そのような発光装置を表示部
もしくは光源として用いた電気器具を提供することを課
題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide means for increasing the recombination efficiency of carriers in an EL element, and to provide a light emitting device having high luminous efficiency. Another object is to provide an electric appliance using such a light-emitting device as a display portion or a light source.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、電子及び正孔
の再結合効率(η(再結合)と表す)を改善するために
EL素子のバンド構造に着目し、特定の領域に電子及び
正孔を閉じ込めることで再結合する確率を増加させ、再
結合効率を高めることを特徴とする。そのために、図1
(A)に示すようなバンド構造のEL素子を形成する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention focuses on the band structure of an EL element in order to improve the recombination efficiency of electrons and holes (expressed as η (recombination)). By confining holes, the probability of recombination is increased, and the recombination efficiency is enhanced. Therefore, FIG.
An EL element having a band structure as shown in FIG.

【0010】図1(A)において、101は陰極、10
2は電子輸送層、103は発光層、104は正孔輸送
層、105は陽極である。また、発光層103の内部に
は、電子捕獲領域(Electron Trap Region)106、正
孔捕獲領域(Hole Trap Region)107が形成される。
なお、電子捕獲領域106と正孔捕獲領域107のどち
らか片方が設けられた構造であっても良い。
In FIG. 1A, reference numeral 101 denotes a cathode, 10
2 is an electron transport layer, 103 is a light emitting layer, 104 is a hole transport layer, and 105 is an anode. An electron trapping region (Electron Trap Region) 106 and a hole trapping region (Hole Trap Region) 107 are formed inside the light emitting layer 103.
Note that a structure in which one of the electron capture region 106 and the hole capture region 107 is provided may be employed.

【0011】ここで、電子捕獲領域106は、発光層1
03の最低非占有分子軌道(LUMO)準位を輸送され
てきた電子を発光層内に閉じ込める作用を有する領域で
あり、発光層103のLUMO準位よりも低いLUMO
準位を示す領域を指す。また、正孔捕獲領域107は、
発光層103の最高占有分子軌道(HOMO)準位を輸
送されてきた正孔を発光層内に閉じ込める作用を有する
領域であり、発光層103のHOMO準位よりも高いH
OMO準位を示す領域を指す。
Here, the electron capture region 106 is formed in the light emitting layer 1
03 is a region having an effect of confining electrons transported to the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) level of the light-emitting layer 103 in the light-emitting layer, and a LUMO level lower than the LUMO level of the light-emitting layer 103.
Refers to a region indicating a level. Further, the hole capture region 107 is
This region has a function of confining holes transported to the highest occupied molecular orbital (HOMO) level of the light-emitting layer 103 in the light-emitting layer, and has a higher H than the HOMO level of the light-emitting layer 103.
Refers to a region showing the OMO level.

【0012】電子捕獲領域106は、発光層103の間
にLUMO準位を低くくするように作用する有機膜や有
機物のクラスターを挟んだ構造とすることで形成でき
る。また、正孔捕獲領域107は、発光層103の間に
HOMO準位を高くするように作用する有機膜や有機物
のクラスターを挟んだ構造とすることで形成できる。
The electron capture region 106 can be formed by a structure in which an organic film or an organic cluster acting to lower the LUMO level is interposed between the light emitting layers 103. Further, the hole-trapping region 107 can be formed by a structure in which an organic film or a cluster of organic substances acting to increase the HOMO level is sandwiched between the light-emitting layers 103.

【0013】また、上記電子捕獲領域106もしくは正
孔捕獲領域107を設けると同時に、電子輸送層102
と発光層103との間に正孔阻止層を設けても良いし、
発光層103と正孔輸送層104との間に電子阻止層を
設けても良い。勿論、正孔阻止層と電子阻止層を両方設
ける構造としても良い。
The electron transport layer 102 and the hole transport region 107 are provided at the same time as the electron transport layer 102 is provided.
A hole blocking layer may be provided between the light emitting layer 103 and
An electron blocking layer may be provided between the light emitting layer 103 and the hole transport layer 104. Of course, a structure in which both the hole blocking layer and the electron blocking layer are provided may be employed.

【0014】図1(A)に示したようなバンド構造とす
ると、図1(B)に示すようなキャリア注入過程とな
る。即ち、LUMO準位を輸送されてきた電子108は
発光層103の内部に設けられた電子捕獲領域106に
閉じ込められる。一方でHOMO準位を輸送されてきた
正孔109は正孔捕獲領域107に閉じ込められる。そ
の結果、電子捕獲領域106と正孔捕獲領域107との
間で電子108と正孔109の再結合が起こり、発光が
得られる。
With the band structure as shown in FIG. 1A, a carrier injection process as shown in FIG. 1B is performed. That is, the electrons 108 transported at the LUMO level are confined in the electron capture region 106 provided inside the light emitting layer 103. On the other hand, the holes 109 transported at the HOMO level are confined in the hole capture region 107. As a result, recombination of the electrons 108 and the holes 109 occurs between the electron capturing region 106 and the hole capturing region 107, and light emission is obtained.

【0015】このとき、本発明では電子もしくは正孔が
捕獲領域に閉じ込められた状態で再結合が行われるた
め、再結合効率(η(再結合))を従来例よりも向上さ
せることができる。発光層内部に準位の井戸を形成して
キャリアを閉じ込めるという発想は従来なかった発想と
言える。
At this time, in the present invention, recombination is performed in a state where electrons or holes are confined in the trapping region, so that recombination efficiency (η (recombination)) can be improved as compared with the conventional example. The idea of forming a level well inside the light emitting layer to confine carriers can be said to be an idea that has not existed in the past.

【0016】以上のように、本発明を実施することで発
光効率に寄与するいくつかのパラメータのうち再結合に
起因する効率(η(再結合))が向上し、EL素子の発
光効率が向上する。従って、従来と同じ輝度を得るにも
EL素子の駆動電圧を低く設定することができるため、
発光装置の低消費電力化が図れる。さらに、駆動電圧を
下げることで有機EL膜の劣化が抑制され信頼性が向上
する。
As described above, by implementing the present invention, among several parameters contributing to the luminous efficiency, the efficiency due to recombination (η (recombination)) is improved, and the luminous efficiency of the EL element is improved. I do. Therefore, the driving voltage of the EL element can be set low to obtain the same luminance as in the related art.
Low power consumption of the light emitting device can be achieved. Further, by lowering the driving voltage, the deterioration of the organic EL film is suppressed and the reliability is improved.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】本実施の形態では、図1(A)に
示したバンド構造を得るためのEL素子の構造について
図3を用いて説明する。図3(A)はアクティブマトリ
クス型発光装置の画素の断面構造を模式的に表してい
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In this embodiment, a structure of an EL element for obtaining a band structure shown in FIG. 1A will be described with reference to FIG. FIG. 3A schematically illustrates a cross-sectional structure of a pixel of an active matrix light-emitting device.

【0018】図3(A)において、301は基板、30
2はTFT(薄膜トランジスタ)、303は画素電極で
あり、画素電極303はEL素子の陽極として機能す
る。基板301はガラス基板、プラスチック基板(プラ
スチックフィルムも含む)を用いれば良い。また、TF
T302は如何なる構造のTFTを用いても良く、プレ
ーナ型TFTや逆スタガ型TFTを用いることができ
る。また、画素電極303は仕事関数の大きい透明導電
膜、代表的には酸化インジウムと酸化スズとの化合物膜
もしくは酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物膜を用い
れば良い。
In FIG. 3A, reference numeral 301 denotes a substrate;
2 is a TFT (thin film transistor), 303 is a pixel electrode, and the pixel electrode 303 functions as an anode of an EL element. As the substrate 301, a glass substrate or a plastic substrate (including a plastic film) may be used. Also, TF
For T302, a TFT having any structure may be used, and a planar TFT or an inverted staggered TFT can be used. The pixel electrode 303 may be formed using a transparent conductive film having a large work function, typically, a compound film of indium oxide and tin oxide or a compound film of indium oxide and zinc oxide.

【0019】次に、304は画素電極の段差にEL材料
が形成されないようにするための絶縁膜であり、珪素を
含む絶縁膜(酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜もし
くは窒化シリコン膜)または有機樹脂膜を用いることが
可能である。
Reference numeral 304 denotes an insulating film for preventing the EL material from being formed on the steps of the pixel electrode, and includes an insulating film containing silicon (a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, or a silicon nitride film) or an organic resin. It is possible to use a membrane.

【0020】また、有機EL層305は有機EL膜を単
層で用いても積層して用いても良い。即ち、有機EL膜
を単層で用いて発光層としても良いし、様々な有機膜を
組み合わせて積層し、各々を正孔輸送層(正孔注入層も
含む)、正孔阻止層、発光層、電子阻止層もしくは電子
輸送層(電子注入層も含む)のいずれかとして機能させ
ることも可能である。
The organic EL layer 305 may be a single layer or a stacked organic EL film. That is, the organic EL film may be used as a single layer to form a light emitting layer, or various organic films may be combined and stacked, each of which may be a hole transport layer (including a hole injection layer), a hole blocking layer, and a light emitting layer. It can also function as either an electron blocking layer or an electron transporting layer (including an electron injection layer).

【0021】また、陰極306は仕事関数の小さい材料
を用いることが好ましく、周期表の1族もしくは2族に
属する元素を含む材料を用いる。代表的にはアルミニウ
ムとリチウムとの合金膜、マグネシウムと銀との合金膜
を用いれば良い。勿論、他のどのような組み合わせの導
電膜を用いても良い。
The cathode 306 is preferably made of a material having a small work function, and is made of a material containing an element belonging to Group 1 or 2 of the periodic table. Typically, an alloy film of aluminum and lithium or an alloy film of magnesium and silver may be used. Of course, any other combination of conductive films may be used.

【0022】ここで、図3(A)において307で示さ
れる領域を拡大した構造を図3(B)に示す。本実施の
形態において、有機EL層305は正孔輸送層308、
発光層309、電子輸送層310で形成されている。さ
らに、発光層309は発光層309a、発光層309b、
発光層309cの三層構造となっている。勿論、発光層
309a、発光層309b及び発光層309cはすべて同
一の有機EL膜である。さらに、発光層309aと発光
層309bとの界面には有機物のクラスター311が形
成され、発光層309bと発光層309cとの界面には有
機物のクラスター312が形成される。
Here, FIG. 3B shows an enlarged structure of a region indicated by 307 in FIG. In this embodiment mode, the organic EL layer 305 includes a hole transport layer 308,
The light emitting layer 309 and the electron transport layer 310 are formed. Further, the light-emitting layer 309 includes a light-emitting layer 309a, a light-emitting layer 309b,
The light emitting layer 309c has a three-layer structure. Of course, the light emitting layer 309a, the light emitting layer 309b, and the light emitting layer 309c are all the same organic EL film. Further, an organic cluster 311 is formed at the interface between the light emitting layer 309a and the light emitting layer 309b, and an organic cluster 312 is formed at the interface between the light emitting layer 309b and the light emitting layer 309c.

【0023】ここで、有機物のクラスター311は正孔
捕獲領域を形成し、有機物のクラスター312は電子捕
獲領域を形成する。但し、材料を変えることで有機物の
クラスター311で電子捕獲領域を形成し、有機物のク
ラスター312で正孔捕獲領域を形成することも可能で
ある。
Here, the organic material cluster 311 forms a hole capturing region, and the organic material cluster 312 forms an electron capturing region. However, by changing the material, it is also possible to form an electron capture region with the organic material cluster 311 and to form a hole capture region with the organic material cluster 312.

【0024】ここで示した有機EL層305は蒸着法、
塗布法(スピンコーティング法、ディップ法、LB法も
しくはナイフエッジ法)または印刷法で形成すれば良
い。但し、有機物のクラスター311、312は蒸着法
により形成することが望ましい。また、有機物のクラス
ターは規則的に設けられていても不規則に設けられてい
ても良い。さらに、平板状の形状であっても粒状の形状
であっても良い。勿論、本発明は上記成膜方法に限定さ
れるものではなく、図3(B)の構造を形成しうるなら
ば如何なる成膜方法を用いても良い。
The organic EL layer 305 shown here is formed by an evaporation method,
It may be formed by a coating method (spin coating method, dip method, LB method or knife edge method) or a printing method. However, it is desirable that the organic clusters 311 and 312 be formed by an evaporation method. Further, the clusters of the organic substance may be provided regularly or irregularly. Further, the shape may be a flat shape or a granular shape. Needless to say, the present invention is not limited to the above film formation method, and any film formation method may be used as long as the structure shown in FIG. 3B can be formed.

【0025】本実施の形態のような構造からなる有機E
L層を有したEL素子では、陽極304から注入された
正孔が有機物のクラスター311に捕獲され、陰極30
6から注入された電子が有機物のクラスター312に捕
獲される。これは有機物のクラスター311ではHOM
O準位が高くなっており、有機物のクラスター312で
はLUMO準位が低くなっているからである。
The organic E having the structure as in this embodiment
In the EL device having the L layer, holes injected from the anode 304 are trapped by the organic cluster 311 and the holes are injected into the cathode 30.
The electrons injected from 6 are captured by the organic cluster 312. This is the HOM in the organic cluster 311
This is because the O level is high and the LUMO level is low in the organic substance cluster 312.

【0026】従って、局部的なポテンシャル(エネルギ
ー準位)の井戸に閉じ込められた電子及び正孔は高い効
率で再結合し、EL素子全体の発光効率が向上する。そ
の結果、消費電力が低く、信頼性の高い発光装置が得ら
れる。
Therefore, the electrons and holes confined in the well of the local potential (energy level) are recombined with high efficiency, and the luminous efficiency of the entire EL element is improved. As a result, a light-emitting device with low power consumption and high reliability can be obtained.

【0027】なお、発光層309に蛍光物質を添加して
発光中心を蛍光物質に移しても良い。また、カラー発色
をさせる場合には、R(赤)、G(緑)、B(青)の三
種類の発光層を画素ごとに並べて成膜しても良いし、白
色発光の発光層にカラーフィルターを組み合わせても良
い。さらに、青色発光の発光層に色変換層(CCM)と
カラーフィルターを組み合わせても良い。また、フォト
ブリーチング法と呼ばれる技術(光照射より蛍光色素が
劣化する現象を利用した技術)を用いることも可能であ
る。
It is to be noted that a fluorescent substance may be added to the light emitting layer 309 to shift the emission center to the fluorescent substance. In the case of color development, three types of light-emitting layers of R (red), G (green), and B (blue) may be formed side by side for each pixel, or a white light-emitting layer may be formed of a color. Filters may be combined. Further, a color conversion layer (CCM) and a color filter may be combined with the blue light emitting layer. It is also possible to use a technique called a photobleaching technique (a technique utilizing a phenomenon in which a fluorescent dye is deteriorated by light irradiation).

【0028】また、本実施の形態ではTFTとEL素子
とを電気的に接続させたアクティブマトリクス型発光装
置を例に挙げたが、パッシブマトリクス型発光装置に本
発明を実施しても構わない。また、液晶ディスプレイの
バックライトもしくは蛍光表示灯のバックライトとなる
光源として用いることも可能である。
In this embodiment mode, an active matrix type light emitting device in which a TFT and an EL element are electrically connected has been described as an example. However, the present invention may be applied to a passive matrix type light emitting device. Further, it can be used as a light source serving as a backlight of a liquid crystal display or a backlight of a fluorescent display lamp.

【0029】[0029]

【実施例】〔実施例1〕本実施例では、図3(B)に示
した有機物のクラスター311、312の代わりに有機
膜を用いる場合の例を図4に示す。なお、発光装置の構
造は図3(A)と同様である。
Embodiment 1 In this embodiment, FIG. 4 shows an example in which an organic film is used instead of the organic clusters 311 and 312 shown in FIG. Note that the structure of the light-emitting device is similar to that of FIG.

【0030】本実施例では、電子捕獲領域を形成するた
めにLUMO準位を低くくするように作用する有機膜4
01もしくは正孔捕獲領域を形成するためにHOMO準
位を高くするように作用する有機膜402を設けた構造
とする点に特徴がある。有機膜401、402は両方と
も設けても良いし、どちらか片方を設けても良い。ま
た、有機膜401、402の膜厚は10〜50nm(好
ましくは20〜30nm)とすれば良い。
In the present embodiment, the organic film 4 acting to lower the LUMO level to form an electron capture region is formed.
01 or a structure in which an organic film 402 acting to increase the HOMO level in order to form a hole trapping region is provided. Both of the organic films 401 and 402 may be provided, or one of them may be provided. The thickness of the organic films 401 and 402 may be set to 10 to 50 nm (preferably, 20 to 30 nm).

【0031】本実施例の構造とした場合においても、有
機膜401で正孔が捕獲され、有機膜402で電子が捕
獲されるため、再結合効率を向上させることができ、E
L素子の駆動電圧を低くすることができる。即ち、消費
電力が低く、信頼性の高い発光装置を得ることができ
る。
Also in the structure of this embodiment, holes are captured by the organic film 401 and electrons are captured by the organic film 402, so that the recombination efficiency can be improved,
The drive voltage of the L element can be reduced. That is, a light-emitting device with low power consumption and high reliability can be obtained.

【0032】〔実施例2〕図3(B)に示した構造で
は、正孔捕獲領域となる有機物のクラスター311が陽
極303側に設けられ、電子捕獲領域となる有機物のク
ラスター312が陰極306側に設けられた構造となっ
ているが、この配置は逆でも良い。即ち、正孔捕獲領域
となる有機物のクラスター311が陰極306側に設け
られ、電子捕獲領域となる有機物のクラスター312が
陽極303側に設けられた構造となっていても構わな
い。
[Embodiment 2] In the structure shown in FIG. 3B, an organic material cluster 311 serving as a hole-capturing region is provided on the anode 303 side, and an organic material cluster 312 serving as an electron-capturing region is provided on the cathode 306 side. , But this arrangement may be reversed. That is, the organic substance cluster 311 serving as a hole capture region may be provided on the cathode 306 side, and the organic material cluster 312 serving as an electron capture region may be provided on the anode 303 side.

【0033】同様に、図4に示した構造において、正孔
捕獲領域となる有機膜401が陰極306側に設けら
れ、電子捕獲領域となる有機膜402が陽極303側に
設けられた構造となっていても構わない。
Similarly, in the structure shown in FIG. 4, an organic film 401 serving as a hole capturing region is provided on the cathode 306 side, and an organic film 402 serving as an electron capturing region is provided on the anode 303 side. It does not matter.

【0034】〔実施例3〕本実施例では、図1(A)と
異なるバンド構造を有するEL素子を用いた発光装置に
ついて図5を用いて説明する。なお、図5において図1
と異なる点は発光層500の部分だけなのでその他の部
分は同一の符号を用いる。
Embodiment 3 In this embodiment, a light emitting device using an EL element having a band structure different from that of FIG. 1A will be described with reference to FIG. In FIG. 5, FIG.
The only difference is that the light emitting layer 500 is the same.

【0035】図5(A)に示す本実施例の構造は、発光
層500の内部に電子捕獲領域501、正孔阻止領域5
02、正孔捕獲領域503及び電子阻止領域504が形
成されている点に特徴がある。ここで正孔阻止領域と
は、正孔109の陰極101側への移動を阻止する電位
障壁となる領域であり、電子阻止領域とは電子108の
陽極105側への移動を阻止する電位障壁となる領域で
ある。
The structure of this embodiment shown in FIG. 5A has an electron trapping region 501 and a hole blocking region 5 inside a light emitting layer 500.
02, characterized in that a hole trapping region 503 and an electron blocking region 504 are formed. Here, the hole blocking region is a region serving as a potential barrier for preventing the movement of the holes 109 to the cathode 101 side, and the electron blocking region is a potential barrier for preventing the movement of the electrons 108 to the anode 105 side. Area.

【0036】本実施例では、電子捕獲領域501と正孔
阻止領域502とが同一の有機物で形成され、正孔捕獲
領域503と電子阻止領域504とが同一の有機物で形
成される。同一の有機物とは有機膜もしくは有機物のク
ラスターであるが、本実施例ではLUMO準位及びHO
MO準位を低くする作用を持つ有機物と、LUMO準位
及びHOMO準位を高くする作用を持つ有機物とを用い
る必要がある。その際、LUMO準位及びHOMO準位
を低くする作用を持つ有機物により電子捕獲領域501
及び正孔阻止領域502が形成され、LUMO準位及び
HOMO準位を高くする作用を持つ有機物により正孔捕
獲領域503及び電子阻止領域504が形成される。
In this embodiment, the electron trapping region 501 and the hole blocking region 502 are formed of the same organic material, and the hole trapping region 503 and the electron blocking region 504 are formed of the same organic material. The same organic substance is an organic film or a cluster of organic substances. In this embodiment, the LUMO level and the HO
It is necessary to use an organic substance having an action of lowering the MO level and an organic substance having an action of increasing the LUMO level and the HOMO level. At this time, the electron trapping region 501 is formed by an organic substance having a function of lowering the LUMO level and the HOMO level.
In addition, a hole blocking region 502 is formed, and a hole trapping region 503 and an electron blocking region 504 are formed by an organic substance having a function of increasing the LUMO level and the HOMO level.

【0037】なお、本実施例では、発光層500の内部
に電子捕獲領域501、正孔阻止領域502、正孔捕獲
領域503及び電子阻止領域504の四つの領域が形成
された例を示したが、いずれか一つまたはいずれか二つ
もしくは三つとしても良い。勿論、二つもしくは三つと
する場合の組み合わせは自由である。
In this embodiment, an example is shown in which four regions, ie, the electron trapping region 501, the hole blocking region 502, the hole trapping region 503, and the electron blocking region 504 are formed inside the light emitting layer 500. , Any one or any two or three. Of course, any combination of two or three is optional.

【0038】本実施例の構造とすると、電極から注入さ
れたキャリアは阻止領域に阻まれて発光層500の内部
に留まるため、捕獲領域に閉じ込められる確率が向上
し、延いては再結合効率(η(再結合))が向上する。
その結果、EL素子の駆動電圧が下がり、発光装置の消
費電力の低下、信頼性の向上が図れる。
According to the structure of the present embodiment, carriers injected from the electrode are blocked by the blocking region and remain inside the light emitting layer 500, so that the probability of being trapped in the trapping region is improved, and the recombination efficiency ( η (recombination)) is improved.
As a result, the driving voltage of the EL element is reduced, so that the power consumption of the light emitting device is reduced and the reliability is improved.

【0039】〔実施例4〕本実施例では、図1(A)と
異なるバンド構造を有するEL素子を用いた発光装置に
ついて図6を用いて説明する。なお、図6において図1
と異なる点は発光層600の部分だけなのでその他の部
分は同一の符号を用いる。
Embodiment 4 In this embodiment, a light emitting device using an EL element having a band structure different from that of FIG. 1A will be described with reference to FIG. In FIG. 6, FIG.
The only difference is that the light emitting layer 600 is the same.

【0040】図6(A)に示す本実施例の構造は、発光
層600の内部に電子捕獲領域601及び正孔捕獲領域
602が形成され、両者が同一の有機物で形成されてい
る点に特徴がある。同一の有機物とは有機膜もしくは有
機物のクラスターであるが、本実施例ではLUMO準位
を低くし、且つ、HOMO準位を高くする作用を持つ有
機物を用いる必要がある。
The structure of this embodiment shown in FIG. 6A is characterized in that an electron capturing region 601 and a hole capturing region 602 are formed inside a light emitting layer 600, and both are formed of the same organic substance. There is. The same organic substance is an organic film or a cluster of organic substances. In this embodiment, it is necessary to use an organic substance having a function of lowering the LUMO level and increasing the HOMO level.

【0041】本実施例の構造としたとき、電極から注入
されたキャリアは同一層に形成された捕獲領域に閉じ込
められるが、この場合にはLUMO準位とHOMO準位
のバンドギャップが非常に小さくなるため再結合効率
(η(再結合))が向上する。その結果、EL素子の駆
動電圧が下がり、発光装置の消費電力の低下、信頼性の
向上が図れる。
In the structure of this embodiment, the carriers injected from the electrodes are confined in the trapping region formed in the same layer. In this case, the band gap between the LUMO level and the HOMO level is very small. Therefore, the recombination efficiency (η (recombination)) is improved. As a result, the driving voltage of the EL element is reduced, so that the power consumption of the light emitting device is reduced and the reliability is improved.

【0042】〔実施例5〕本実施例では、本願発明の発
光装置の一例について図7を用いて説明する。なお、図
7(A)は断面図、図7(B)は上面図である。
Embodiment 5 In this embodiment, an example of the light emitting device of the present invention will be described with reference to FIG. 7A is a cross-sectional view, and FIG. 7B is a top view.

【0043】図7(A)において、701は基板であ
り、その上に画素部702及び駆動回路703が形成さ
れている。画素部702及び駆動回路703は配線70
4〜706によって電気信号の授受を行うことができ
る。基板701は可視光に対して透明であれば如何なる
材料を用いても良い。
In FIG. 7A, reference numeral 701 denotes a substrate, on which a pixel portion 702 and a driving circuit 703 are formed. The pixel portion 702 and the driving circuit 703 are connected to the wiring 70
The transmission and reception of electric signals can be performed by 4-706. The substrate 701 may be made of any material as long as it is transparent to visible light.

【0044】画素部702にはTFT及びEL素子を含
む複数の画素(典型的には図3(A)に示したような構
造の画素)がマトリクス状に形成されており、その上に
はパッシベーション膜707が形成されている。本実施
例ではパッシベーション膜707として酸化タンタル膜
をスパッタ法により形成しているが、有機EL膜を劣化
させない温度で成膜可能であれば窒化シリコン膜を設け
ても良い。
In the pixel portion 702, a plurality of pixels (typically, pixels having a structure as shown in FIG. 3A) including a TFT and an EL element are formed in a matrix, and passivation is formed thereon. A film 707 is formed. In this embodiment, a tantalum oxide film is formed as the passivation film 707 by a sputtering method; however, a silicon nitride film may be provided as long as the film can be formed at a temperature that does not deteriorate the organic EL film.

【0045】また、配線704、706の上にはエポキ
シ系樹脂からなるシール剤708が画素部702及び駆
動回路703を囲むように形成され、シール剤708に
よってプリント配線板(PWB:Printed wiring boar
d)709が貼り合わせてある。なお、プリント配線板
の材質としては、典型的にはガラス布−エポキシ、エポ
キシ系フィルム、ガラス布−耐熱エポキシ、セラミック
ス、アルミナ、紙ベース−フェノールもしくは紙ベース
−エポキシを用いることができる。また、ガラス基板、
結晶化ガラス基板もしくはプラスチック基板を用いても
良い。本実施例では、コア材にセラミックス710を用
い、それをガラス布−エポキシ系基材711で挟んだプ
リント配線板を用いる。
On the wirings 704 and 706, a sealing agent 708 made of an epoxy resin is formed so as to surround the pixel portion 702 and the driving circuit 703, and the sealing agent 708 allows the printed wiring board (PWB) to be printed.
d) 709 is attached. In addition, as a material of the printed wiring board, typically, glass cloth-epoxy, epoxy-based film, glass cloth-heat resistant epoxy, ceramics, alumina, paper base-phenol or paper base-epoxy can be used. Also, a glass substrate,
A crystallized glass substrate or a plastic substrate may be used. In this embodiment, a printed wiring board in which ceramics 710 is used as a core material and sandwiched between a glass cloth and an epoxy-based base material 711 is used.

【0046】このとき、シール剤708の内部には異方
導電性フィルム(代表的には、金属粒子を分散させた樹
脂)もしくはメタルバンプ(代表的には、はんだバン
プ、金バンプ、ニッケルバンプもしくは銅バンプ)から
なる導電体712、713が設けられ、導電体712、
713を介して配線704もしくは706とプリント配
線板709に形成された配線群714とが電気的に接続
されている。なお、ここでいう配線群とは、プリント配
線板709の表面、裏面もしくは内部に形成されている
配線の総称である。
At this time, an anisotropic conductive film (typically, a resin in which metal particles are dispersed) or a metal bump (typically, a solder bump, a gold bump, a nickel bump, Copper conductors 712 and 713 are provided.
The wiring 704 or 706 and the wiring group 714 formed on the printed wiring board 709 are electrically connected via the wiring 713. Here, the wiring group is a general term for wiring formed on the front surface, the back surface, or inside the printed wiring board 709.

【0047】また、配線群714はFPC(Flexible P
rinted circuit)715に伝送されてきた電気信号を導
電体712、713に伝送したり、プリント配線板70
9上に接続された様々なIC(集積回路)715、71
6の間で電気信号をやりとりするための配線であり、1
〜20μmの厚さで形成されている。配線群714とし
て、代表的には銅箔、金箔、銀箔、ニッケル箔もしくは
アルミニウム箔からなるパターンが用いられる。
The wiring group 714 is formed of an FPC (Flexible P
rinted circuit) 715 to transmit electric signals transmitted to the conductors 712 and 713, and to the printed wiring board 70.
Various ICs (integrated circuits) 715, 71 connected on
6 are wires for exchanging electrical signals between
It is formed with a thickness of 2020 μm. As the wiring group 714, a pattern made of copper foil, gold foil, silver foil, nickel foil, or aluminum foil is typically used.

【0048】以上のような構造を含む本実施例の発光装
置は、FPC715に伝送されてきた電気信号をプリン
ト配線板709で処理し、処理を行った電気信号を導電
体712、713を介して画素部702もしくは駆動回
路703に伝送する。このとき、本実施例ではプリント
配線板709がEL素子を外的な衝撃から保護する保護
板となっている。また、プリント配線板709はEL素
子を閉空間に封入するための基板として用いることもで
きる。
In the light emitting device of this embodiment having the above structure, the electric signal transmitted to the FPC 715 is processed by the printed wiring board 709, and the processed electric signal is transmitted through the conductors 712 and 713. The data is transmitted to the pixel portion 702 or the driving circuit 703. At this time, in this embodiment, the printed wiring board 709 serves as a protection plate for protecting the EL element from external impact. Further, the printed wiring board 709 can be used as a substrate for enclosing the EL element in a closed space.

【0049】なお、本実施例ではプリント配線板709
に信号処理機能を持たせるべくICを搭載した例を示し
たが、単に配線群のみを形成し、画素部702や駆動回
路703で用いられる配線を低抵抗化するための冗長配
線として用いることもできる。こうすることで、例えば
EL素子に電流を供給する配線やTFTのゲート配線の
信号遅延を改善することができる。
In this embodiment, the printed wiring board 709 is used.
Although an example is shown in which an IC is mounted to have a signal processing function, a wiring group is simply formed and a wiring used in the pixel portion 702 or the driving circuit 703 may be used as a redundant wiring for lowering resistance. it can. By doing so, for example, it is possible to improve the signal delay of the wiring for supplying current to the EL element or the gate wiring of the TFT.

【0050】以上のように、プリント配線板を発光装置
の基板の一つとして用いることで発光装置の高性能化や
高信頼性化が図れる。なお、本実施例の構成に実施例1
〜4のいずれの構成を組み合わせて実施しても良い。
As described above, by using the printed wiring board as one of the substrates of the light emitting device, the performance and reliability of the light emitting device can be improved. It should be noted that the configuration of the present embodiment includes the first embodiment.
Any one of the configurations 4 to 4 may be implemented in combination.

【0051】〔実施例6〕本実施例では、本発明に用い
ることができる有機EL膜について説明する。本発明の
特徴は、発光層の内部にLUMO準位もしくはHOMO
準位を局部的に変化させる有機物のクラスターや有機膜
を設ける点にあり、この条件を満たすものであれば如何
なる有機膜を用いても構わない。なお、三重項励起を経
由して発光する有機物のクラスターもしくは有機膜を用
いても構わない。
[Embodiment 6] In this embodiment, an organic EL film that can be used in the present invention will be described. A feature of the present invention is that a LUMO level or a HOMO level
An organic film or an organic film that locally changes the level is provided, and any organic film may be used as long as the condition is satisfied. Note that an organic substance cluster or an organic film which emits light through triplet excitation may be used.

【0052】具体的には、発光層としてAlq3(トリ
ス−6−キノリラトアルミニウム錯体)、DPVBi
(ジスチルアリーレン誘導体)、BeBq2(ビスベン
ゾキノリラトベリリウム錯体)、TPD(トリフェニル
アミン誘導体)、α−NPD、PPV(ポリパラフェニ
レンビニレン)、PVK(ポリビニルカルバゾール)と
いった材料を用いることが可能である。ここで発光層と
して用いることのできる上記材料の分子構造を以下に示
す。
More specifically, Alq3 (tris-6-quinolinato aluminum complex), DPVBi
(Distyl arylene derivative), BeBq2 (bisbenzoquinolilatoberylium complex), TPD (triphenylamine derivative), α-NPD, PPV (polyparaphenylenevinylene), PVK (polyvinylcarbazole) It is. Here, the molecular structures of the above materials which can be used as the light-emitting layer are shown below.

【0053】[0053]

【化1】 Embedded image

【0054】[0054]

【化2】 Embedded image

【0055】[0055]

【化3】 Embedded image

【0056】[0056]

【化4】 Embedded image

【0057】[0057]

【化5】 Embedded image

【0058】[0058]

【化6】 Embedded image

【0059】[0059]

【化7】 Embedded image

【0060】また、具体的には、蛍光色素としてクマリ
ン6、DCM1、DCM2、キナクリドン、ルブレンも
しくはペリレンといった材料を用いることが可能であ
る。ここで発光層として用いることのできる上記材料の
分子構造を以下に示す。
More specifically, materials such as coumarin 6, DCM1, DCM2, quinacridone, rubrene, or perylene can be used as the fluorescent dye. Here, the molecular structures of the above materials which can be used as the light-emitting layer are shown below.

【0061】[0061]

【化8】 Embedded image

【0062】[0062]

【化9】 Embedded image

【0063】[0063]

【化10】 Embedded image

【0064】[0064]

【化11】 Embedded image

【0065】[0065]

【化12】 Embedded image

【0066】上記発光層と蛍光物質を適切に組み合わせ
ることで本発明のバンド構造を形成することが可能であ
る。なお、本実施例の構成は実施例1〜6のいずれの構
成とも自由に組み合わせることが可能である。
The band structure of the present invention can be formed by appropriately combining the light emitting layer and the fluorescent substance. Note that the configuration of this embodiment can be freely combined with any of the configurations of Embodiments 1 to 6.

【0067】〔実施例7〕本発明を実施して作製された
発光装置は様々な電気器具の表示部として用いることが
できる。例えば、TV放送等を大画面で鑑賞するには対
角20〜60インチのディスプレイとして本発明の発光
装置を筐体に組み込んだディスプレイを用いるとよい。
なお、発光装置を筐体に組み込んだディスプレイには、
パソコン用ディスプレイ、TV放送受信用ディスプレ
イ、広告表示用ディスプレイ等の全ての情報表示用ディ
スプレイが含まれる。
[Embodiment 7] A light emitting device manufactured by carrying out the present invention can be used as a display portion of various electric appliances. For example, in order to watch a TV broadcast or the like on a large screen, a display in which the light emitting device of the present invention is incorporated in a housing may be used as a display having a diagonal of 20 to 60 inches.
In addition, the display incorporating the light emitting device in the housing,
All information displays such as a display for a personal computer, a display for receiving a TV broadcast, and a display for displaying an advertisement are included.

【0068】また、液晶モジュール(液晶パネル)を筐
体に組み込んだ液晶ディスプレイにおいて、バックライ
トの光源として本発明の発光装置を用いることも可能で
ある。さらに、工事現場の蛍光表示灯などの光源として
用いても良い。これら液晶ディスプレイや蛍光表示灯も
電気器具である。
Further, in a liquid crystal display in which a liquid crystal module (liquid crystal panel) is incorporated in a housing, the light emitting device of the present invention can be used as a light source of a backlight. Further, it may be used as a light source such as a fluorescent display lamp at a construction site. These liquid crystal displays and fluorescent display lamps are also electrical appliances.

【0069】また、その他にも様々な電気器具の表示部
として本発明の発光装置を用いることができる。本発明
の電気器具としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、
ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレ
イ)、ナビゲーションシステム、音楽再生装置(代表的
にはカーオーディオもしくはオーディオコンポーネン
ト)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、
携帯情報端末(代表的にはモバイルコンピュータ、携帯
電話、携帯型ゲーム機もしくは電子書籍)、画像再生装
置(代表的には記録媒体に記録された画像を再生し、表
示する表示部を備えた装置)が挙げられる。特に、斜め
方向から見ることの多い携帯情報端末は視野角の広さが
重要視されるため、発光装置を用いることが望ましい。
それら電気器具の具体例を図8、図9に示す。
In addition, the light emitting device of the present invention can be used as a display unit of various electric appliances. As the electric appliance of the present invention, a video camera, a digital camera,
Goggle-type displays (head-mounted displays), navigation systems, music players (typically car audio or audio components), notebook personal computers, game devices,
A portable information terminal (typically, a mobile computer, a mobile phone, a portable game machine or an electronic book), an image reproducing apparatus (typically, an apparatus having a display unit for reproducing and displaying an image recorded on a recording medium) ). In particular, it is desirable to use a light-emitting device for a portable information terminal that is often viewed from an oblique direction, since a wide viewing angle is regarded as important.
8 and 9 show specific examples of these electric appliances.

【0070】図8(A)は発光装置を筐体に組み込んだ
ディスプレイであり、筐体2001、支持台2002、
表示部2003等を含む。本願発明は表示部2003に
用いることができる。このようなディスプレイは発光型
であるためバックライトが必要なく、液晶ディスプレイ
よりも薄い表示部とすることができる。
FIG. 8A shows a display in which a light emitting device is incorporated in a housing.
A display unit 2003 and the like are included. The present invention can be used for the display portion 2003. Such a display is of a light-emitting type and does not require a backlight, and can be a display portion thinner than a liquid crystal display.

【0071】図8(B)はビデオカメラであり、本体2
101、表示部2102、音声入力部2103、操作ス
イッチ2104、バッテリー2105、受像部2106
等を含む。本願発明の発光装置は表示部2102に用い
ることができる。
FIG. 8B shows a video camera,
101, display unit 2102, voice input unit 2103, operation switch 2104, battery 2105, image receiving unit 2106
And so on. The light emitting device of the present invention can be used for the display portion 2102.

【0072】図8(C)は頭部取り付け型のELディス
プレイの一部(右片側)であり、本体2201、信号ケ
ーブル2202、頭部固定バンド2203、表示部22
04、光学系2205、発光装置2206等を含む。本
願発明は発光装置2206に用いることができる。
FIG. 8C shows a part (one side on the right) of the head-mounted EL display, which includes a main body 2201, a signal cable 2202, a head fixing band 2203, and a display unit 22.
04, an optical system 2205, a light emitting device 2206, and the like. The present invention can be used for the light-emitting device 2206.

【0073】図8(D)は記録媒体を備えた画像再生装
置(具体的にはDVD再生装置)であり、本体230
1、記録媒体(DVD等)2302、操作スイッチ23
03、表示部(a)2304、表示部(b)2305等
を含む。表示部(a)は主として画像情報を表示し、表
示部(b)は主として文字情報を表示するが、本願発明
の発光装置はこれら表示部(a)、(b)に用いること
ができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家
庭用ゲーム機器なども含まれる。
FIG. 8D shows an image reproducing apparatus (specifically, a DVD reproducing apparatus) provided with a recording medium.
1, recording medium (DVD or the like) 2302, operation switch 23
03, a display unit (a) 2304, a display unit (b) 2305, and the like. The display section (a) mainly displays image information, and the display section (b) mainly displays character information. The light emitting device of the present invention can be used for these display sections (a) and (b). Note that the image reproducing device provided with the recording medium includes a home game machine and the like.

【0074】図8(E)は携帯型(モバイル)コンピュ
ータであり、本体2401、カメラ部2402、受像部
2403、操作スイッチ2404、表示部2405等を
含む。本願発明の発光装置は表示部2405に用いるこ
とができる。
FIG. 8E shows a portable computer, which includes a main body 2401, a camera section 2402, an image receiving section 2403, operation switches 2404, a display section 2405, and the like. The light emitting device of the present invention can be used for the display portion 2405.

【0075】図8(F)はパーソナルコンピュータであ
り、本体2501、筐体2502、表示部2503、キ
ーボード2504等を含む。本願発明の発光装置は表示
部2503に用いることができる。
FIG. 8F shows a personal computer, which includes a main body 2501, a housing 2502, a display portion 2503, a keyboard 2504, and the like. The light emitting device of the present invention can be used for the display portion 2503.

【0076】なお、将来的に発光輝度がさらに高くなれ
ば、出力した画像情報を含む光をレンズや光ファイバー
等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェ
クターに用いることも可能となる。
If the light emission luminance is further increased in the future, it is possible to use the front light or rear light projector by enlarging and projecting the light including the output image information with a lens or an optical fiber.

【0077】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが望ましい。
In the light emitting device, since the light emitting portion consumes power, it is desirable to display information so that the light emitting portion is reduced as much as possible. Therefore, when a light emitting device is used for a portable information terminal, particularly a display portion mainly for character information such as a mobile phone or a sound reproducing device, the light emitting portion is driven to form character information with a non-light emitting portion as a background. It is desirable to do.

【0078】ここで図9(A)は携帯電話であり、本体
2601、音声出力部2602、音声入力部2603、
表示部2604、操作スイッチ2605、アンテナ26
06を含む。本願発明の発光装置は表示部2604に用
いることができる。なお、表示部2604は黒色の背景
に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑
えることができる。
FIG. 9A shows a mobile phone, which includes a main body 2601, an audio output unit 2602, an audio input unit 2603,
Display unit 2604, operation switch 2605, antenna 26
06. The light emitting device of the present invention can be used for the display portion 2604. Note that the display portion 2604 can display power of the mobile phone by displaying white characters on a black background.

【0079】また、図9(B)は音楽再生装置、具体的
にはカーオーディオであり、本体2701、表示部27
02、操作スイッチ2703、2704を含む。本願発
明の発光装置は表示部2702に用いることができる。
また、本実施例ではカーオーディオを示すが、携帯型や
家庭用の音響再生装置に用いても良い。なお、表示部2
704は黒色の背景に白色の文字を表示することで消費
電力を抑えられる。これは携帯型の音響再生装置におい
て特に有効である。
FIG. 9B shows a music reproducing apparatus, specifically, a car audio system.
02, including operation switches 2703 and 2704. The light emitting device of the present invention can be used for the display portion 2702.
In this embodiment, a car audio is shown, but the present invention may be applied to a portable or home sound reproducing apparatus. The display unit 2
Reference numeral 704 denotes that white characters are displayed on a black background to reduce power consumption. This is particularly effective in a portable sound reproducing device.

【0080】以上の様に、本願発明の適用範囲は極めて
広く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電気器具は実施例1〜5に示した
いずれの構成発光装置を用いても良い。
As described above, the applicable range of the present invention is extremely wide, and the present invention can be used for electric appliances in various fields. Further, the electric appliance of this embodiment may use any of the light emitting devices shown in Embodiments 1 to 5.

【0081】〔実施例8〕本発明の発光装置を表示部と
する電気器具を屋外で使う場合、当然暗い所で見る場合
も明るい所で見る場合もある。このとき、暗い所ではさ
ほど輝度が高くなくても十分に認識できるが、明るい所
では輝度が高くないと認識できない場合がありうる。E
L発光装置の場合、輝度は素子を動作させる電流量に比
例して変化するため、輝度を高くする場合は消費電力も
増してしまう。しかし、発光輝度をそのような高いレベ
ルに合わせてしまうと、暗い所では消費電力ばかり大き
くで必要以上に明るい表示となってしまうことになる。
[Embodiment 8] When an electric appliance having the light emitting device of the present invention as a display portion is used outdoors, it may be viewed in a dark place or a bright place. At this time, in a dark place, it is possible to sufficiently recognize even if the luminance is not so high, but in a bright place, it may not be possible to recognize the image unless the luminance is high. E
In the case of the L light emitting device, since the luminance changes in proportion to the amount of current for operating the element, when the luminance is increased, the power consumption also increases. However, if the light emission luminance is adjusted to such a high level, the display will be large in power consumption in a dark place and the display will be unnecessarily bright.

【0082】そのような場合に備えて、本発明のEL発
光装置もしくは電気器具に外部の明るさをセンサーで感
知して、明るさの程度に応じて発光輝度を調節する機能
を持たせることは有効である。即ち、明るい所では発光
輝度を高くし、暗い所では発光輝度を低くする。その結
果、消費電力の増加を防ぐとともに観測者に疲労感を与
えないEL発光装置を実現することができる。
To prepare for such a case, it is not possible to provide the EL light emitting device or the electric appliance of the present invention with a function of detecting the external brightness with a sensor and adjusting the light emission luminance according to the degree of the brightness. It is valid. That is, the light emission luminance is increased in a bright place, and the light emission luminance is decreased in a dark place. As a result, it is possible to realize an EL light emitting device that prevents an increase in power consumption and does not give a viewer a feeling of fatigue.

【0083】なお、外部の明るさを感知するセンサーと
しては、CMOSセンサーやCCD(チャージカップル
ドデバイス)を用いることができる。CMOSセンサー
は公知の技術を用いてEL素子の形成された基板上に一
体形成することもできるし、ICを外付けしても良い。
また、CCDを形成したICをEL素子の形成された基
板に取り付けても良いし、EL発光装置を表示部として
用いた電気器具の一部にCCDやCMOSセンサーを設
ける構造としても構わない。
As a sensor for detecting external brightness, a CMOS sensor or a CCD (charge coupled device) can be used. The CMOS sensor can be integrally formed on a substrate on which an EL element is formed using a known technique, or an IC may be externally provided.
Further, an IC in which a CCD is formed may be attached to a substrate in which an EL element is formed, or a structure in which a CCD or a CMOS sensor is provided in a part of an electric appliance using an EL light emitting device as a display portion may be employed.

【0084】こうして外部の明るさを感知するセンサー
によって得られた信号に応じて、発光素子を動作させる
電流量を変えるための制御回路を設け、それにより外部
の明るさに応じてEL素子の発光輝度を調節しうる。な
お、このような調節は自動で行われるようにしても良い
し、手動で行えるようにしても良い。
A control circuit for changing the amount of current for operating the light emitting element according to the signal obtained by the sensor for sensing the external brightness is provided, whereby the light emission of the EL element is controlled according to the external brightness. Brightness can be adjusted. It should be noted that such adjustment may be performed automatically or manually.

【0085】本発明のEL発光装置もしくは電気器具に
本実施例の構成を加えると、EL発光装置のさらなる低
消費電力化を図ることが可能である。なお、本実施例の
構成は、実施例7に示したどの電気器具においても実施
することが可能である。
When the configuration of this embodiment is added to the EL light emitting device or the electric appliance of the present invention, it is possible to further reduce the power consumption of the EL light emitting device. Note that the configuration of this embodiment can be implemented in any of the electric appliances shown in Embodiment 7.

【0086】[0086]

【発明の効果】本発明を実施することでEL素子の駆動
電圧を下げることが可能となり、発光装置の低消費電力
化及び高信頼性化(長寿命化)が図れる。さらには、本
発明の発光装置を表示部に用いた電気器具の低消費電力
化を図ることが可能となる。
According to the present invention, the driving voltage of the EL element can be reduced, and the power consumption and the reliability (lifetime) of the light emitting device can be reduced. Furthermore, it is possible to reduce the power consumption of an electric appliance using the light emitting device of the present invention for a display portion.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 EL素子のバンド構造を示す図。FIG. 1 illustrates a band structure of an EL element.

【図2】 EL素子のバンド構造を示す図。FIG. 2 illustrates a band structure of an EL element.

【図3】 EL発光装置の画素及びEL素子の断面構造
を示す図。
FIG. 3 illustrates a cross-sectional structure of a pixel and an EL element of an EL light-emitting device.

【図4】 EL素子の断面構造を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a cross-sectional structure of an EL element.

【図5】 EL素子のバンド構造を示す図。FIG. 5 illustrates a band structure of an EL element.

【図6】 EL素子のバンド構造を示す図。FIG. 6 illustrates a band structure of an EL element.

【図7】 EL発光装置の断面構造を示す図。FIG. 7 illustrates a cross-sectional structure of an EL light-emitting device.

【図8】 電気器具の一例を示す図。FIG. 8 illustrates an example of an electric appliance.

【図9】 電気器具の一例を示す図。FIG. 9 illustrates an example of an electric appliance.

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/26 H05B 33/26 A Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) H05B 33/26 H05B 33/26 A

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】陰極、陽極及び発光層を含む発光素子を有
した発光装置において、前記発光層の内部には電子捕獲
領域もしくは正孔捕獲領域が設けられていることを特徴
とする発光装置。
1. A light-emitting device having a light-emitting element including a cathode, an anode, and a light-emitting layer, wherein an electron-capturing region or a hole-capturing region is provided inside the light-emitting layer.
【請求項2】陰極、陽極及び発光層を含む発光素子を有
した発光装置において、前記発光層の内部には電子捕獲
領域、正孔捕獲領域、電子阻止領域もしくは正孔阻止領
域が設けられていることを特徴とする発光装置。
2. A light-emitting device having a light-emitting element including a cathode, an anode, and a light-emitting layer, wherein an electron-capturing region, a hole-capturing region, an electron-blocking region, or a hole-blocking region is provided inside the light-emitting layer. A light-emitting device, characterized in that:
【請求項3】請求項2において、前記電子阻止領域とは
前記発光層のLUMO準位よりも高いLUMO準位を形
成する有機物のクラスターもしくは有機膜であることを
特徴とする発光装置。
3. The light emitting device according to claim 2, wherein the electron blocking region is an organic cluster or an organic film forming a LUMO level higher than the LUMO level of the light emitting layer.
【請求項4】請求項2において、前記正孔阻止領域とは
前記発光層のHOMO準位よりも低いHOMO準位を形
成する有機物のクラスターもしくは有機膜であることを
特徴とする発光装置。
4. The light emitting device according to claim 2, wherein the hole blocking region is an organic cluster or an organic film forming a HOMO level lower than a HOMO level of the light emitting layer.
【請求項5】請求項1または請求項2において、前記電
子捕獲領域とは前記発光層のLUMO準位よりも低いL
UMO準位を形成する有機物のクラスターもしくは有機
膜であることを特徴とする発光装置。
5. The electron capturing region according to claim 1, wherein the electron trapping region is an L lower than the LUMO level of the light emitting layer.
A light-emitting device comprising a cluster or an organic film of an organic substance forming a UMO level.
【請求項6】請求項1または請求項2において、前記正
孔捕獲領域とは前記発光層のHOMO準位よりも高いH
OMO準位を形成する有機物のクラスターもしくは有機
膜であることを特徴とする発光装置。
6. The light emitting device according to claim 1, wherein the hole-capturing region is higher than a HOMO level of the light emitting layer.
A light-emitting device, which is an organic substance cluster or an organic film that forms an OMO level.
【請求項7】陰極、陽極及び発光層を含む発光素子を有
した発光装置において、前記発光層の内部には前記発光
層のLUMO準位よりも低いLUMO準位を示す領域も
しくは前記発光層のHOMO準位よりも高いHOMO準
位を示す領域が設けられていることを特徴とする発光装
置。
7. A light-emitting device having a light-emitting element including a cathode, an anode and a light-emitting layer, wherein a region exhibiting a LUMO level lower than the LUMO level of the light-emitting layer or the light-emitting layer is provided inside the light-emitting layer. A light-emitting device including a region having a HOMO level higher than the HOMO level.
【請求項8】請求項7において、前記発光層のLUMO
準位よりも低いLUMO準位を示す領域もしくは前記発
光層のHOMO準位よりも高いHOMO準位を示す領域
は、前記発光層の内部に設けられた有機物のクラスター
もしくは有機膜であることを特徴とする発光装置。
8. The light emitting device according to claim 7, wherein
The region showing a LUMO level lower than the level or a region showing a HOMO level higher than the HOMO level of the light emitting layer is a cluster or an organic film of an organic substance provided inside the light emitting layer. Light emitting device.
【請求項9】陰極、陽極及び発光層を含む発光素子を有
した発光装置において、前記発光層の内部には前記発光
層のLUMO準位よりも低いLUMO準位を示す領域、
前記発光層のHOMO準位よりも高いHOMO準位を示
す領域、前記発光層のLUMO準位よりも高いLUMO
準位を示す領域もしくは前記発光層のHOMO準位より
も低いHOMO準位を示す領域が設けられていることを
特徴とする発光装置。
9. A light-emitting device having a light-emitting element including a cathode, an anode, and a light-emitting layer, wherein a region exhibiting a LUMO level lower than the LUMO level of the light-emitting layer is provided inside the light-emitting layer.
A region exhibiting a HOMO level higher than the HOMO level of the light emitting layer, a LUMO level higher than the LUMO level of the light emitting layer
A light-emitting device provided with a region showing a level or a region showing a HOMO level lower than the HOMO level of the light-emitting layer.
【請求項10】請求項9において、前記発光層のLUM
O準位よりも低いLUMO準位を示す領域、前記発光層
のHOMO準位よりも高いHOMO準位を示す領域、前
記発光層のLUMO準位よりも高いLUMO準位を示す
領域もしくは前記発光層のHOMO準位よりも低いHO
MO準位を示す領域は、前記発光層の内部に設けられた
有機物のクラスターもしくは有機膜であることを特徴と
する発光装置。
10. The LUM of claim 9, wherein:
A region exhibiting a LUMO level lower than the O level, a region exhibiting a HOMO level higher than the HOMO level of the light emitting layer, a region exhibiting a LUMO level higher than the LUMO level of the light emitting layer, or the light emitting layer HO lower than the HOMO level of
A light-emitting device, wherein the region exhibiting the MO level is an organic cluster or an organic film provided inside the light-emitting layer.
【請求項11】請求項1乃至請求項10に記載の発光装
置を表示部に用いたことを特徴とする電気器具。
11. An electric appliance using the light emitting device according to claim 1 for a display unit.
【請求項12】請求項1乃至請求項10に記載の発光装
置を光源として用いたことを特徴とする電気器具。
12. An electric appliance using the light emitting device according to claim 1 as a light source.
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