JP2001287945A - ガラス組成 - Google Patents
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0036—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
- C03C10/0045—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3 and MgO as main constituents
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- C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Glass Compositions (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヤング率の高いガラスを提供する。
【解決手段】 ガラス組成において、主成分の組成範囲
を、ＳｉＯ2が４５．５ｗｔ％以上で且つ ４９．５ｗ
ｔ％以下、Ａｌ2Ｏ3が２０．５ｗｔ％以上で且つ ２
３．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３
０ｗｔ％以下、ＴｉＯ2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗ
ｔ％以下、とした。
を、ＳｉＯ2が４５．５ｗｔ％以上で且つ ４９．５ｗ
ｔ％以下、Ａｌ2Ｏ3が２０．５ｗｔ％以上で且つ ２
３．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３
０ｗｔ％以下、ＴｉＯ2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗ
ｔ％以下、とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はガラス組成、特に結
晶化ガラスに適したガラス組成に関する。さらに詳しく
は、結晶化ガラス磁気ディスクの組成に関する。
晶化ガラスに適したガラス組成に関する。さらに詳しく
は、結晶化ガラス磁気ディスクの組成に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気ディスク用の基板としては、
アルミニウム基板、ガラス基板等が実用化されている。
中でもガラス基板は、表面の平滑性や機械的強度が優れ
ていることから、最も注目されている。そのようなガラ
ス基板としては、ガラス基板表面をイオン交換で強化し
た化学強化ガラス基板や、基板に結晶成分を析出させて
結合の強化を図る結晶化ガラス基板が知られている。
アルミニウム基板、ガラス基板等が実用化されている。
中でもガラス基板は、表面の平滑性や機械的強度が優れ
ていることから、最も注目されている。そのようなガラ
ス基板としては、ガラス基板表面をイオン交換で強化し
た化学強化ガラス基板や、基板に結晶成分を析出させて
結合の強化を図る結晶化ガラス基板が知られている。
【０００３】ところで最近の基板に対する性能の要求
は、日に日に厳しくなってきており、とくに高速回転時
のたわみやそりに直接的に関わる強度に対する性能の向
上が求められている。これは基板材料のヤング率によっ
て表すことができ、数値が高ければ高いほど望ましい。
は、日に日に厳しくなってきており、とくに高速回転時
のたわみやそりに直接的に関わる強度に対する性能の向
上が求められている。これは基板材料のヤング率によっ
て表すことができ、数値が高ければ高いほど望ましい。
【０００４】例えば特開平１１−３２２３６２に示され
る組成においては、ヤング率は１３０以上を達成してい
る。しかし、上記先行技術においては熱処理温度が１次
処理温度で８００度、２次処理温度で１０００度と非常
に高く、製造が困難である。
る組成においては、ヤング率は１３０以上を達成してい
る。しかし、上記先行技術においては熱処理温度が１次
処理温度で８００度、２次処理温度で１０００度と非常
に高く、製造が困難である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって最近は高い
ヤング率を達成しながら、生産性の向上が求めらること
になる。そこで本発明は、ガラスのヤング率が向上し、
さらに生産性の高いを組成を提供することを目的とす
る。
ヤング率を達成しながら、生産性の向上が求めらること
になる。そこで本発明は、ガラスのヤング率が向上し、
さらに生産性の高いを組成を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１に記載された発明は、主成分の組成範囲を、
ＳｉＯ2が４５．５ｗｔ％以上で且つ ４９．５ｗｔ％
以下、Ａｌ2Ｏ3が２０．５ｗｔ％以上で且つ ２３．５
ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ
％以下、ＴｉＯ2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以
下、にしたことを特徴とする。
に請求項１に記載された発明は、主成分の組成範囲を、
ＳｉＯ2が４５．５ｗｔ％以上で且つ ４９．５ｗｔ％
以下、Ａｌ2Ｏ3が２０．５ｗｔ％以上で且つ ２３．５
ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ
％以下、ＴｉＯ2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以
下、にしたことを特徴とする。
【０００７】さらにＬｉ2Ｏが０．１ｗｔ％以上で且つ
８ｗｔ％以下、にしたことを特徴とする。
８ｗｔ％以下、にしたことを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。本発明に係る実施形態のガラス基板は、主成
分の組成範囲が、ＳｉＯ2が４５．５ｗｔ％以上で且つ
４９．５ｗｔ％以下、Ａｌ2Ｏ3が２０．５ｗｔ％以上で
且つ２３．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且
つ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ 2が５ｗｔ％以上で且つ２０
ｗｔ％以下、であることを特徴としている。
説明する。本発明に係る実施形態のガラス基板は、主成
分の組成範囲が、ＳｉＯ2が４５．５ｗｔ％以上で且つ
４９．５ｗｔ％以下、Ａｌ2Ｏ3が２０．５ｗｔ％以上で
且つ２３．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且
つ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ 2が５ｗｔ％以上で且つ２０
ｗｔ％以下、であることを特徴としている。
【０００９】さらにＬｉ2Ｏが０．１ｗｔ％以上で且つ
８ｗｔ％以下、にしたことを特徴とする。
８ｗｔ％以下、にしたことを特徴とする。
【００１０】ＳｉＯ2はガラス形成酸化物のため組成比
が４５．５ｗｔ％より少ないと、溶融性が悪くなり、４
９．５ｗｔ％を越えるとガラスとして安定状態になるた
め、結晶が析出しにくくなる。
が４５．５ｗｔ％より少ないと、溶融性が悪くなり、４
９．５ｗｔ％を越えるとガラスとして安定状態になるた
め、結晶が析出しにくくなる。
【００１１】Ａｌ2Ｏ3はガラス中間酸化物であり、熱処
理によって析出する結晶相であるマグネシウムアルミニ
ウム系結晶の構成成分である。組成比が２０．５ｗｔ％
より少ないと析出結晶が少なく、強度が得られず、２
３．５ｗｔ％を越えると溶融温度が高くなり失透しやす
くなる。
理によって析出する結晶相であるマグネシウムアルミニ
ウム系結晶の構成成分である。組成比が２０．５ｗｔ％
より少ないと析出結晶が少なく、強度が得られず、２
３．５ｗｔ％を越えると溶融温度が高くなり失透しやす
くなる。
【００１２】ＭｇＯは融剤であり、それを加えているた
め粒状の結晶を凝集させ結晶粒子塊を形成する。ただ
し、組成比が１０ｗｔ％より少ないと作業温度幅が狭く
なりう、ガラスマトリクス相の化学的耐久性が向上しな
い。３０ｗｔ％を越えると、他の結晶相が析出して求め
る強度を得ることが難しくなる。
め粒状の結晶を凝集させ結晶粒子塊を形成する。ただ
し、組成比が１０ｗｔ％より少ないと作業温度幅が狭く
なりう、ガラスマトリクス相の化学的耐久性が向上しな
い。３０ｗｔ％を越えると、他の結晶相が析出して求め
る強度を得ることが難しくなる。
【００１３】ＴｉＯは結晶核剤としてマグネシウムシリ
ケート系結晶析出には不可欠な成分である。また融剤と
して働くため生産時の安定性が向上している。組成比が
５ｗｔ％より少ないと溶融性が悪くなると共に、結晶成
長がしにくくなり、２０ｗｔ％を越えると結晶化が急激
に促進され、結晶化状態の制御が困難となり析出結晶の
粗大化、結晶相の不均質が発生し、微細で均質な結晶構
造が得られなくなり、研磨加工においてディスク基板と
して必要な平滑面が得られなくなる。さらに溶融成形時
に失透しやすくなり、生産性が低下する。
ケート系結晶析出には不可欠な成分である。また融剤と
して働くため生産時の安定性が向上している。組成比が
５ｗｔ％より少ないと溶融性が悪くなると共に、結晶成
長がしにくくなり、２０ｗｔ％を越えると結晶化が急激
に促進され、結晶化状態の制御が困難となり析出結晶の
粗大化、結晶相の不均質が発生し、微細で均質な結晶構
造が得られなくなり、研磨加工においてディスク基板と
して必要な平滑面が得られなくなる。さらに溶融成形時
に失透しやすくなり、生産性が低下する。
【００１４】またさらに、融剤として働くＬｉ2Ｏを加
えることにより生産時の安定性が向上している。組成比
が０．１ｗｔ％より少ないと溶融性が悪くなり、８ｗｔ
％を越えると、また研磨−洗浄工程における安定性が悪
くなる。
えることにより生産時の安定性が向上している。組成比
が０．１ｗｔ％より少ないと溶融性が悪くなり、８ｗｔ
％を越えると、また研磨−洗浄工程における安定性が悪
くなる。
【００１５】以下製造方法を説明する。最終的に生成さ
れるガラス基板の主成分の組成を含む原料を所定の割合
にて充分に混合し、これを白金るつぼに入れ溶融を行
う。溶融後金型に流し概略の形状を形成する。これを室
温までアニールする。続いて、５００〜６８０度の１次
熱処理温度と１次処理時間により保持し（熱処理）、結
晶核生成が行われる。引き続き、６８０〜８００度の２
次熱処理温度と２次処理時間により保持し結晶核成長を
行う。これを除冷することにより目的とする結晶化ガラ
スが得られる。
れるガラス基板の主成分の組成を含む原料を所定の割合
にて充分に混合し、これを白金るつぼに入れ溶融を行
う。溶融後金型に流し概略の形状を形成する。これを室
温までアニールする。続いて、５００〜６８０度の１次
熱処理温度と１次処理時間により保持し（熱処理）、結
晶核生成が行われる。引き続き、６８０〜８００度の２
次熱処理温度と２次処理時間により保持し結晶核成長を
行う。これを除冷することにより目的とする結晶化ガラ
スが得られる。
【００１６】さらにこれを所望の形状、厚さに研磨等の
加工を施すことにより、ディスク基板として利用でき
る。
加工を施すことにより、ディスク基板として利用でき
る。
【００１７】以上の製造方法によって得られたガラス基
板は、主成分の組成範囲が、ＳｉＯ 2が４５．５ｗｔ％
以上で且つ４９．５ｗｔ％以下、Ａｌ2Ｏ3が２０．５ｗ
ｔ％以上で且つ２３．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ
％以上で且つ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ2が５ｗｔ％以上
で且つ２０ｗｔ％以下、とするために、非常に高いヤン
グ率と高い生産性を得ることが可能となった。
板は、主成分の組成範囲が、ＳｉＯ 2が４５．５ｗｔ％
以上で且つ４９．５ｗｔ％以下、Ａｌ2Ｏ3が２０．５ｗ
ｔ％以上で且つ２３．５ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ
％以上で且つ３０ｗｔ％以下、ＴｉＯ2が５ｗｔ％以上
で且つ２０ｗｔ％以下、とするために、非常に高いヤン
グ率と高い生産性を得ることが可能となった。
【００１８】また上記組成に加えさらにＬｉ2Ｏが０．
１ｗｔ％以上で且つ８ｗｔ％以下、とすることにより、
より高いヤング率と高い生産性を得ることが可能となっ
た。
１ｗｔ％以上で且つ８ｗｔ％以下、とすることにより、
より高いヤング率と高い生産性を得ることが可能となっ
た。
【００１９】また以下の組成を適正な範囲において加え
ることにより、よりよい性能が得られる。
ることにより、よりよい性能が得られる。
【００２０】融剤として働くＺｎＯを加えているため均
一な結晶析出を補助する。ただし、組成比が０．１ｗｔ
％より少ないと十分な結晶均質化の改善がなされない。
２２ｗｔ％を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑
制され、求める強度が得られにくくなる。
一な結晶析出を補助する。ただし、組成比が０．１ｗｔ
％より少ないと十分な結晶均質化の改善がなされない。
２２ｗｔ％を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑
制され、求める強度が得られにくくなる。
【００２１】融剤として働くＰ2Ｏ5は、シリケート系結
晶を析出させる核形成剤であり、ガラス全体に結晶を均
一に析出させるために重要な成分である。組成比が０．
１ｗｔ％より少ないと十分な結晶核が形成されにくくな
り、結晶粒子が粗大化したり結晶が不均質に析出し、微
細で均質な結晶構造が得られにくくなり、研磨加工にお
いてディスク基板として必要な平滑面が得られなくな
る。５．０ｗｔ％を越えると、溶融時の炉剤に対する反
応性が増し、また失透性も強くなることから溶融成形時
の生産性が低下する。また化学的耐久性が低下し、磁気
膜に影響を与える恐れがあると共に、研磨−洗浄工程に
おける安定性が悪くなる。
晶を析出させる核形成剤であり、ガラス全体に結晶を均
一に析出させるために重要な成分である。組成比が０．
１ｗｔ％より少ないと十分な結晶核が形成されにくくな
り、結晶粒子が粗大化したり結晶が不均質に析出し、微
細で均質な結晶構造が得られにくくなり、研磨加工にお
いてディスク基板として必要な平滑面が得られなくな
る。５．０ｗｔ％を越えると、溶融時の炉剤に対する反
応性が増し、また失透性も強くなることから溶融成形時
の生産性が低下する。また化学的耐久性が低下し、磁気
膜に影響を与える恐れがあると共に、研磨−洗浄工程に
おける安定性が悪くなる。
【００２２】ガラス修飾酸化物として働くＺｒＯ2を加
えているためガラスの結晶核剤が有効に機能する。組成
比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な結晶核が形成され
なくにくくなり、結晶粒子が粗大化したり結晶が不均質
に析出し、微細で均質な結晶構造が得られなくなり、研
磨加工においてディスク基板として必要な平滑面が得ら
れなくなる。また化学的耐久性および耐マイグレーショ
ンが低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあるととも
に、研磨−洗浄工程において安定性が悪くなる。また１
２ｗｔ％を越えると溶融温度が高くなり、また失透しや
すくなり溶融成形が困難となる。また析出結晶相が変化
し求める特性が得られにくくなる。
えているためガラスの結晶核剤が有効に機能する。組成
比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な結晶核が形成され
なくにくくなり、結晶粒子が粗大化したり結晶が不均質
に析出し、微細で均質な結晶構造が得られなくなり、研
磨加工においてディスク基板として必要な平滑面が得ら
れなくなる。また化学的耐久性および耐マイグレーショ
ンが低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあるととも
に、研磨−洗浄工程において安定性が悪くなる。また１
２ｗｔ％を越えると溶融温度が高くなり、また失透しや
すくなり溶融成形が困難となる。また析出結晶相が変化
し求める特性が得られにくくなる。
【００２３】融剤として働くＣaＯを加えているため均
一な結晶析出を補助する。ただし、組成比が０．１ｗｔ
％より少ないと十分な結晶均質化の改善がなされない。
９ｗｔ％を越えると、化学的耐久性を向上させることが
できなくなる。
一な結晶析出を補助する。ただし、組成比が０．１ｗｔ
％より少ないと十分な結晶均質化の改善がなされない。
９ｗｔ％を越えると、化学的耐久性を向上させることが
できなくなる。
【００２４】融剤として働くＮｂ2Ｏ5を加えているため
結晶核剤物質が増加することになる。ただし、組成比が
０．１ｗｔ％より少ないと十分な剛性の向上がなされな
い。９ｗｔ％を越えると、ガラスの結晶化が不安定とな
り、析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が得ら
れにくくなる。
結晶核剤物質が増加することになる。ただし、組成比が
０．１ｗｔ％より少ないと十分な剛性の向上がなされな
い。９ｗｔ％を越えると、ガラスの結晶化が不安定とな
り、析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が得ら
れにくくなる。
【００２５】融剤として働くＴａ2Ｏ5を加えているため
溶融性、強度を向上させ、またガラスマトリクス相の化
学的耐久性を向上させる。ただし、組成比が０．１ｗｔ
％より少ないと十分な剛性の向上がなされない。９ｗｔ
％を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結
晶相を制御できなくなり、求める特性が得られにくくな
る。
溶融性、強度を向上させ、またガラスマトリクス相の化
学的耐久性を向上させる。ただし、組成比が０．１ｗｔ
％より少ないと十分な剛性の向上がなされない。９ｗｔ
％を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結
晶相を制御できなくなり、求める特性が得られにくくな
る。
【００２６】融剤として働くＫ2Ｏを加えているため生
産時の安定性が向上している。ただし、組成比が０．１
ｗｔ％より少ないと十分な溶融性改善がなされない。９
ｗｔ％を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制さ
れ、また化学的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える
恐れがあると共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪
くなる。
産時の安定性が向上している。ただし、組成比が０．１
ｗｔ％より少ないと十分な溶融性改善がなされない。９
ｗｔ％を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制さ
れ、また化学的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える
恐れがあると共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪
くなる。
【００２７】フォーマーとして働くＢ2Ｏ3を加えている
ためガラスの分相を促し、結晶析出および成長を促進さ
せる。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分
な溶融性改善がなされない。９ｗｔ％を越えると、ガラ
スが失透しやすくなり成形が困難になると共に、結晶が
粗大化し微細な結晶が得られなくなる。
ためガラスの分相を促し、結晶析出および成長を促進さ
せる。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分
な溶融性改善がなされない。９ｗｔ％を越えると、ガラ
スが失透しやすくなり成形が困難になると共に、結晶が
粗大化し微細な結晶が得られなくなる。
【００２８】融剤として働くＹ2Ｏ3を加えているため剛
性が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より
少ないと十分な剛性向上が得られない。９ｗｔ％を越え
ると、結晶析出が抑制され、十分な結晶化度が得られ
ず、所望の特性が達成されない。
性が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より
少ないと十分な剛性向上が得られない。９ｗｔ％を越え
ると、結晶析出が抑制され、十分な結晶化度が得られ
ず、所望の特性が達成されない。
【００２９】清澄剤として働くＳｂ2Ｏ3を加えているた
め生産時の安定性が向上している。ただし、組成比が
０．１ｗｔ％より少ないと十分な清澄効果が得られなく
なり、生産性が低下する。９ｗｔ％を越えると、ガラス
の結晶化が不安定となり析出結晶相を制御できなくな
り、求める特性が得られにくくなる。
め生産時の安定性が向上している。ただし、組成比が
０．１ｗｔ％より少ないと十分な清澄効果が得られなく
なり、生産性が低下する。９ｗｔ％を越えると、ガラス
の結晶化が不安定となり析出結晶相を制御できなくな
り、求める特性が得られにくくなる。
【００３０】清澄剤として働くＡｓ2Ｏ3を加えているた
め生産時の安定性が向上している。ただし、組成比が
０．１ｗｔ％より少ないと十分な清澄効果が得られなく
なり、生産性が低下する。９ｗｔ％を越えると、ガラス
の結晶化が不安定となり析出結晶相を制御できなくな
り、求める特性が得られにくくなる。
め生産時の安定性が向上している。ただし、組成比が
０．１ｗｔ％より少ないと十分な清澄効果が得られなく
なり、生産性が低下する。９ｗｔ％を越えると、ガラス
の結晶化が不安定となり析出結晶相を制御できなくな
り、求める特性が得られにくくなる。
【００３１】
【実施例】以下に実施例をあげて本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。表１〜６には実施例１〜５２のガラス組成を重量％
で示した。これらの数値に従って、先述した製造方法に
よりガラス基板を得た。
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。表１〜６には実施例１〜５２のガラス組成を重量％
で示した。これらの数値に従って、先述した製造方法に
よりガラス基板を得た。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【００３４】
【表２】
【００３５】
【００３６】
【表３】
【００３７】
【００３８】
【表４】
【００３９】
【００４０】
【表５】
【００４１】
【００４２】
【表６】
【００４３】
【００４４】
【発明の効果】本発明によると、ヤング率が１１０以上
かつ生産性の高いガラス基板を得ることができる。
かつ生産性の高いガラス基板を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河合 秀樹 大阪府大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪国際ビル ミノルタ株式会社内 (72)発明者 石丸 和彦 大阪府大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪国際ビル ミノルタ株式会社内 Ｆターム(参考） 4G062 AA11 BB01 CC04 DA05 DB04 DC01 DC02 DC03 DD01 DD02 DD03 DE01 DE02 DE03 DE04 DF01 EA02 EA03 EB01 EC01 EC02 EC03 ED04 EE01 EE02 EE03 EF01 EG01 FA01 FB03 FB04 FC01 FC02 FC03 FC04 FD01 FE01 FF01 FG01 FG02 FG03 FH01 FH02 FH03 FJ01 FJ02 FJ03 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ04 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM27 NN33 QQ06 QQ15 QQ20 5D006 CB04 DA03 FA00
Claims (2)
- 【請求項１】 主成分の組成範囲を、 ＳｉＯ2が４５．５ｗｔ％以上で且つ ４９．５ｗｔ％
以下、 Ａｌ2Ｏ3が２０．５ｗｔ％以上で且つ ２３．５ｗｔ％
以下、 ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ ３０ｗｔ％以下、 ＴｉＯ2が５ｗｔ％以上で且つ ２０ｗｔ％以下、とし
たことを特徴とするガラス組成。 - 【請求項２】 上記組成に加えさらに、 Ｌｉ2Ｏが０．１ｗｔ％以上で且つ ８ｗｔ％以下、と
したことを特徴とする請求項１記載のガラス組成。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000100832A JP2001287945A (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | ガラス組成 |
| US09/822,325 US20010056018A1 (en) | 2000-04-03 | 2001-04-02 | Glass composition for crystallized glass |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000100832A JP2001287945A (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | ガラス組成 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001287945A true JP2001287945A (ja) | 2001-10-16 |
Family
ID=18614977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000100832A Pending JP2001287945A (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | ガラス組成 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010056018A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001287945A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010041760A1 (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | 株式会社オハラ | ガラスセラミックス及びその製造方法、ガラスセラミックス焼結体の製造方法、複合体の製造方法、光触媒機能性成形体、並びに親水性成形体 |
| KR102256945B1 (ko) * | 2020-05-14 | 2021-05-27 | 코닝 인코포레이티드 | 신규한 유리 및 유리-세라믹 조성물 |
-
2000
- 2000-04-03 JP JP2000100832A patent/JP2001287945A/ja active Pending
-
2001
- 2001-04-02 US US09/822,325 patent/US20010056018A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010056018A1 (en) | 2001-12-27 |
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Legal Events
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