JP2001285346A - Fifo type memory - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はFIFO型メモリに
関し、更に詳しくはデータを記憶するデュアルポート型
のメモリと、メモリへの書込パルス信号に従ってメモリ
の書込アドレスを生成する書込カウンタと、メモリへの
読出パルス信号に従ってメモリの読出アドレスを生成す
る読出カウンタと、前記書込パルス信号及び読出パルス
信号に従ってアップ/ダウンすることによりデータの記
憶数を計数する容量監視カウンタとを備えるFIFO型
メモリに関する。この種のメモリは伝送装置のクロック
乗換回路(エラスチックバッファ)等に広く利用されて
いる。The present invention relates to a FIFO type memory, and more particularly, to a dual port type memory for storing data, a write counter for generating a write address of the memory in accordance with a write pulse signal to the memory, FIFO type memory including a read counter for generating a read address of a memory in accordance with a read pulse signal to the memory, and a capacity monitoring counter for counting the number of data stored by up / down in accordance with the write pulse signal and the read pulse signal About. This type of memory is widely used in clock transfer circuits (elastic buffers) of transmission devices.
【0002】[0002]
【従来の技術】図7は従来のFIFO型メモリのブロッ
ク図で、クロック乗換回路への適用例を示している。図
において,11はデータ書込及び読出の2つのアクセス
ポートを有するデユアルポートRAM(DPRAM)、
12はDPRAM11の書込アドレスを生成する書込カ
ウンタ(WCTR)、13はDPRAM11の読出アド
レスを生成する読出カウンタ(RCTR)、14は伝送
路入力のシリアルデータSIをパラレルデータに変換す
るシリアル・パラレル変換部(S/P)、15はDPR
AM11出力のパラレルデータをシリアルデータSOに
変換するパラレル・シリアル変換部(P/S)、AはA
NDゲート回路、16はDPRAM11のデータ記憶数
を監視する容量監視部、17はDPRAM11の書込パ
ルス信号WPでカウントアップし、かつ読出イネーブル
信号REでカウントダウンするアップダウンカウンタか
らなる容量監視カウンタ(MCTR)、18は容量監視
カウンタ17のカウント出力=N(最大)でバッファフ
ル信号BF=1を出力するデコーダ(DEC)、19は
容量監視カウンタ17のカウント出力=0でバッファエ
ンプティー信号BE=1を出力するデコーダ(DEC)
である。2. Description of the Related Art FIG. 7 is a block diagram of a conventional FIFO type memory, showing an example of application to a clock transfer circuit. In the figure, reference numeral 11 denotes a dual port RAM (DPRAM) having two access ports for data writing and reading,
12 is a write counter (WCTR) for generating a write address of the DPRAM 11, 13 is a read counter (RCTR) for generating a read address of the DPRAM 11, and 14 is a serial / parallel which converts serial data SI of a transmission line input into parallel data. Conversion unit (S / P), 15 is DPR
A parallel / serial converter (P / S) for converting parallel data output from AM11 into serial data SO, where A is A
An ND gate circuit, 16 is a capacity monitoring unit for monitoring the number of data stored in the DPRAM 11, and 17 is a capacity monitoring counter (MCTR) composed of an up / down counter that counts up with a write pulse signal WP of the DPRAM 11 and counts down with a read enable signal RE. ), 18 are decoders (DEC) for outputting the buffer full signal BF = 1 when the count output of the capacity monitoring counter 17 is N (maximum), and 19 are for outputting the buffer empty signal BE = 1 when the count output of the capacity monitoring counter 17 is 0. Output decoder (DEC)
It is.
【0003】S/P14は伝送路入力のシリアルデータ
SIを書込(伝送路)側のクロック信号CKAにより所
定ビット数毎のパラレルデータに変換し、その変換完了
に同期して書込クロック信号WCKを出力する。この書
込クロック信号WCKはANDゲート回路A1に入力さ
れ、ANDゲート回路A1はバッファフル信号BF=1
でない場合は書込パルス信号WPを出力する。この書込
パルス信号WPにより上記パラレルデータがDPRAM
11に書き込まれる。またこの書込パルス信号WPの立
下りによりWCTR12及びMCTR17が夫々+1さ
れる。The S / P 14 converts the serial data SI input to the transmission line into parallel data of a predetermined number of bits by the clock signal CKA on the writing (transmission line) side, and in synchronization with the completion of the conversion, the write clock signal WCK. Is output. This write clock signal WCK is input to an AND gate circuit A1, and the AND gate circuit A1 outputs a buffer full signal BF = 1.
If not, a write pulse signal WP is output. The parallel data is transferred to the DPRAM by this write pulse signal WP.
11 is written. The WCTR 12 and the MCTR 17 are each incremented by +1 when the write pulse signal WP falls.
【0004】一方、P/S15はDPRAM11からの
読出しデータを読出(装置)側のクロック信号CKBに
よりシリアルデータに変換し、その変換完了に同期して
読出クロック信号RCKを出力する。この読出クロック
信号RCKはANDゲート回路A2に入力され、AND
ゲート回路A2はバッファエンプティー信号BE=1で
ない場合は読出イネーブル信号REを出力する。この読
出イネーブル信号REによりDPRAM11から次のデ
ータが読み出される。またこの読出イネーブル信号RE
の立下りによりRCTR13が+1され、かつMCTR
17が−1される。On the other hand, the P / S 15 converts read data from the DPRAM 11 into serial data by a clock signal CKB on the read (device) side, and outputs a read clock signal RCK in synchronization with the completion of the conversion. This read clock signal RCK is input to the AND gate circuit A2, and
Gate circuit A2 outputs read enable signal RE when buffer empty signal BE is not 1. The next data is read from the DPRAM 11 by the read enable signal RE. Also, the read enable signal RE
RCTR13 is incremented by 1 when MCTR falls and MCTR13
17 is decremented by one.
【0005】また、書込パルス信号WPと読出イネーブ
ル信号REとが同時に発生した場合は、DPRAM11
内ではその内部調停によりデータ書込と読出とが自動的
に行われる。一方、MCTR17では書込パルス信号W
Pと読出イネーブル信号REの各立下りが正確に同時に
発生した場合はカウントアップもカウントダウンもされ
ずに現在のカウント出力が維持される。こうして、通常
はMCTR17がDPRAM11のデータ記憶数を正確
に監視しており、よって伝送路からの書込データは過不
足なく装置側に読み出される。When the write pulse signal WP and the read enable signal RE are generated simultaneously, the DPRAM 11
Inside, data writing and reading are automatically performed by the internal arbitration. On the other hand, the write pulse signal W
If the falling edges of P and the read enable signal RE occur exactly at the same time, the current count output is maintained without being counted up or down. In this way, normally, the MCTR 17 accurately monitors the number of data stored in the DPRAM 11, so that the write data from the transmission line is read out to the device side without excess or deficiency.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来方
式によると、クロック信号CKA,CKBは互いに非同
期のため、書込パルス信号WPと読出イネーブル信号R
Eとが互いに接近したり重なり合ったりする場合が頻繁
に生じ得る。両信号の立下りが正確に重なる場合はMC
YR17はカウントアップもカウントダウンもされずに
現在のカウント出力を維持するため、DPRAM11の
記憶データ数との誤差は生じないが。両信号の立下りが
微妙にずれた場合はMCTR17のカウント動作が不安
定となる。即ち例えば直前の書込パルス信号WPで+1
されたのに直後の読出イネーブル信号REでは−1され
なかったり、又は直前の読出イネーブル信号REで−1
されたのに直後の書込パルス信号WPでは+1されない
ようなことが起こり得る。その結果、誤った容量監視信
号(BF、BE)を生成し、記憶容量以上のデータの書
込や空データの読出が行われる。According to the conventional method, since the clock signals CKA and CKB are asynchronous with each other, the write pulse signal WP and the read enable signal R
Frequently, E may approach or overlap with each other. If the falling edges of both signals overlap exactly, MC
Since the YR 17 maintains the current count output without being counted up or down, no error occurs with the number of data stored in the DPRAM 11. If the falling of both signals is slightly shifted, the counting operation of the MCTR 17 becomes unstable. That is, for example, +1 is given by the immediately preceding write pulse signal WP.
The read enable signal RE immediately after is not decremented by −1, or −1 by the immediately preceding read enable signal RE.
However, it may happen that the write pulse signal WP is not incremented by +1. As a result, an erroneous capacity monitoring signal (BF, BE) is generated, and writing of data larger than the storage capacity and reading of empty data are performed.
【0007】本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなさ
れたもので、その目的とするところは、常に正しいデー
タ記憶数を計数可能なFIFO型メモリを提供すること
にある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a FIFO memory capable of always counting the number of stored data.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の課題は例えば図1
の構成により解決される。即ち、本発明(1)のFIF
O型メモリは、データを記憶するデュアルポート型のメ
モリ31と、メモリ31への書込パルス信号WPに従っ
てメモリの書込アドレスWAを生成する書込カウンタ3
2と、メモリ31への読出パルス信号REに従ってメモ
リの読出アドレスRAを生成する読出カウンタ33と、
前記書込パルス信号WP及び読出パルス信号REに従っ
てアップ/ダウンすることによりデータの記憶数を計数
する容量監視カウンタ37とを備えるFIFO型メモリ
において、容量監視カウンタ37への書込パルス信号W
P又は読出パルス信号REをその読出側又は書込側のク
ロック信号CKB/CKAに同期化させたものである。The above-mentioned problem is solved, for example, by referring to FIG.
Is solved. That is, the FIF of the present invention (1)
The O-type memory includes a dual-port type memory 31 for storing data, and a write counter 3 for generating a write address WA of the memory according to a write pulse signal WP to the memory 31.
2, a read counter 33 for generating a read address RA of the memory according to a read pulse signal RE to the memory 31,
In a FIFO type memory having a capacity monitoring counter 37 for counting the number of stored data by going up / down according to the write pulse signal WP and the read pulse signal RE, a write pulse signal W to the capacity monitor counter 37 is provided.
P or the read pulse signal RE is synchronized with the clock signal CKB / CKA on the read side or the write side.
【0009】なお、図1は容量監視カウンタ37への読
出パルス信号REを書込側のクロック信号CKAに同期
化させた場合を示すが、容量監視カウンタ37への書込
パルス信号WPを読出側のクロック信号CKBに同期化
させても良いことは明らかである。FIG. 1 shows a case where the read pulse signal RE to the capacity monitoring counter 37 is synchronized with the clock signal CKA on the writing side, and the write pulse signal WP to the capacity monitoring counter 37 is synchronized with the reading side. May be synchronized with the clock signal CKB.
【0010】本発明(1)によれば、容量監視カウンタ
37への読出パルス信号REを書込側のクロック信号C
KAに同期化させる構成により、その出力のカウントダ
ウン(読出パルス)信号RPは容量監視カウンタ37へ
のカウントアップ(書込パルス)信号WPと位相が全く
同一か、又は少なくとも1クロック以上離れている。従
って、容量監視カウンタ37に対し、カウントアップ及
びカウントダウンの各信号がクリティカルなタイミング
で入力することは無く、よって常に正しいデータ記憶数
を計数可能である。According to the present invention (1), the read pulse signal RE to the capacity monitoring counter 37 is transmitted to the write side clock signal C.
Due to the configuration synchronized with KA, the count-down (read-out pulse) signal RP of the output is exactly the same in phase as the count-up (write-in pulse) signal WP to the capacity monitoring counter 37, or is separated by at least one clock or more. Therefore, the count-up and count-down signals are not input to the capacity monitoring counter 37 at a critical timing, so that the correct data storage number can always be counted.
【0011】好ましくは本発明(2)においては、上記
本発明(1)において、容量監視カウンタのカウント出
力をATMセルのバイト数を単位としてデコードし、A
TMセルのセル記憶数を監視可能に構成したものであ
る。従って、ATMセル数単位の容量監視が可能とな
り、特にATM(非同期転送モード)システムのクロッ
ク乗換回路に適用する場合に使い勝手がよい。Preferably, in the present invention (2), in the above-mentioned present invention (1), the count output of the capacity monitoring counter is decoded in units of the number of bytes of the ATM cell.
The configuration is such that the number of stored TM cells can be monitored. Therefore, it is possible to monitor the capacity in units of the number of ATM cells, and it is easy to use especially when applied to a clock transfer circuit of an ATM (asynchronous transfer mode) system.
【0012】また好ましくは本発明(3)においては、
上記本発明(2)において、ATMセルのセル記憶数が
第1の所定数を下回ることによりセルエンプティーの警
報信号を出力し、また第2の所定数を上回ることにより
セルフルの警報信号を出力する。従って、ATMセル数
を単位とした容量警報監視が容易に行える。Preferably, in the present invention (3),
In the present invention (2), a cell empty alarm signal is output when the number of stored ATM cells is less than the first predetermined number, and a cell full alarm signal is output when the number exceeds the second predetermined number. . Accordingly, capacity alarm monitoring can be easily performed in units of the number of ATM cells.
【0013】また好ましくは本発明(4)においては、
上記本発明(1)において、読出カウンタの読出アドレ
スが0のタイミングに書込カウンタの書込アドレスと容
量監視カウンタのカウント出力とを比較し、不一致の場
合はアラーム信号を生成するアラーム検出部を備える。Preferably, in the present invention (4),
In the present invention (1), the alarm detection unit which compares the write address of the write counter with the count output of the capacity monitoring counter at a timing when the read address of the read counter is 0, and generates an alarm signal when the addresses do not match is provided. Prepare.
【0014】ところで、上記本発明(1)によれば容量
監視カウンタ37のカウント動作を安定化できたが、実
際には回路に混入するノイズ等により書込カウンタ3
2,読出カウンタ33又は容量監視カウンタ37が誤動
作する場合も生じ得る。これを放置すると適正なデータ
転送は望めない。そこで、本発明(4)では、読出カウ
ンタ33の読出アドレスRA=0のタイミングでは、書
込カウンタ32の書込アドレスWAと容量監視カウンタ
37のカウント出力MCとが一致すべきであることに着
目し、もし不一致の場合はアラーム信号を生成する。従
って、FIFO型メモリの誤動作の継続を有効に防止で
きる。According to the present invention (1), the counting operation of the capacity monitoring counter 37 can be stabilized.
2. There may be a case where the read counter 33 or the capacity monitoring counter 37 malfunctions. If left unchecked, proper data transfer cannot be expected. Therefore, in the present invention (4), it is noted that at the timing of the read address RA = 0 of the read counter 33, the write address WA of the write counter 32 and the count output MC of the capacity monitoring counter 37 should match. If not, an alarm signal is generated. Therefore, the continuation of the malfunction of the FIFO memory can be effectively prevented.
【0015】また好ましくは本発明(5)においては、
上記本発明(1)において、前回の書込アドレスをラッ
チ保持してその出力をカウント更新後の書込カウンタの
出力と比較し、これらの差が所定以上の場合はアラーム
信号を生成するアラーム検出部を備える。Preferably, in the present invention (5),
In the above present invention (1), the previous write address is latched, the output is compared with the output of the write counter after the count is updated, and if the difference between them is equal to or greater than a predetermined value, an alarm signal for generating an alarm signal is generated. It has a unit.
【0016】通常、書込カウンタ32のカウント出力
(書込アドレス)WAはデータ書込の際に+1され、よ
って前回とのカウント(アドレス)差は1である。しか
し、ノイズ等の影響により書込カウンタ32が誤動作す
るとこの限りではない。そこで、本発明(5)ではこれ
らの差が所定値以上の場合はアラーム信号を生成する。
従って、FIFO型メモリの誤動作の継続を有効に防止
できる。Normally, the count output (write address) WA of the write counter 32 is incremented by one at the time of data writing, so that the count (address) difference from the previous time is one. However, this is not always the case if the write counter 32 malfunctions due to the influence of noise or the like. Therefore, in the present invention (5), when these differences are equal to or more than a predetermined value, an alarm signal is generated.
Therefore, the continuation of the malfunction of the FIFO memory can be effectively prevented.
【0017】また好ましくは本発明(6)においては、
上記本発明(1)において、前回の読出アドレスをラッ
チ保持してその出力をカウント更新後の読出カウンタの
出力と比較し、これらの差が所定以上の場合はアラーム
信号を生成するアラーム検出部を備える。読出カウンタ
33についても同様に構成できる。Preferably, in the present invention (6),
In the above present invention (1), the alarm detection unit that latches the previous read address, compares the output with the output of the read counter after updating the count, and generates an alarm signal when the difference between them is equal to or more than a predetermined value. Prepare. The read counter 33 can be similarly configured.
【0018】また好ましくは本発明(7)においては、
上記本発明(1)において、前回の容量監視カウンタの
カウント出力をラッチ保持してその出力をカウント更新
後の容量監視カウンタの出力と比較し、これらの差が所
定以上の場合はアラーム信号を生成するアラーム検出部
を備える。Preferably, in the present invention (7),
In the present invention (1), the count output of the previous capacity monitoring counter is latched and the output is compared with the output of the capacity monitoring counter after the count is updated. If the difference between them is greater than a predetermined value, an alarm signal is generated. An alarm detection unit that performs the operation.
【0019】通常、容量監視カウンタ37のカウント出
力MCはデータ書込の際に+1され、かつデータ読出の
際に−1される。よって前回とのカウント差は±1であ
る。しかし、ノイズ等の影響により容量監視カウンタ3
7が誤動作するとこの限りではない。そこで、本発明
(7)ではこれらの差が所定以上の場合はアラーム信号
を生成する。従って、FIFO型メモリの誤動作の継続
を有効に防止できる。Normally, the count output MC of the capacity monitoring counter 37 is incremented by one at the time of data writing and decremented by one at the time of data reading. Therefore, the count difference from the previous time is ± 1. However, due to the influence of noise or the like, the capacity monitoring counter 3
This is not the case if 7 malfunctions. Therefore, in the present invention (7), when these differences are equal to or larger than a predetermined value, an alarm signal is generated. Therefore, the continuation of the malfunction of the FIFO memory can be effectively prevented.
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】以下、添付図面に従って本発明に
好適なる実施の形態を詳細に説明する。なお、全図を通
して同一符号は同一又は相当部分を示すものとする。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. Note that the same reference numerals indicate the same or corresponding parts throughout the drawings.
【0021】図2は実施の形態によるFIFO型メモリ
のブロック図で、クロック乗換回路への適用例を示して
いる。図において、31はデータ書込及び読出の2つの
アクセスポートを有するデユアルポートRAM(DPR
AM)、32はDPRAM31の書込アドレスを生成す
る書込カウンタ(WCTR)、33はDPRAM31の
読出アドレスを生成する読出カウンタ(RCTR)、3
4は伝送路入力のシリアルデータSIをパラレルデータ
に変換するシリアル・パラレル変換部(S/P)、35
はDPRAM31の出力のパラレルデータをシリアルデ
ータSOに変換するパラレル・シリアル変換部(P/
S)、AはANDゲート回路、OはORゲート回路、3
6はFIFO型メモリの異常動作及びDPRAM31の
データ記憶数を監視する容量監視部、37はDPRAM
31の書込パルス信号WPでカウントアップし、かつ読
出パルス信号RPでカウントダウンするアップダウンカ
ウンタからなる容量監視カウンタ(MCTR)、38は
容量監視カウンタ37のカウント出力MC=N(最大)
でバッファフル信号BF=1、及びカウント出力MC=
N−1でバッファフル警告信号FLW=1を出力するデ
コーダ(DEC)、39は容量監視カウンタ37のカウ
ント出力MC=0でバッファエンプティー信号BE=
1、及びカウント出力MC=1でバッファエンプティー
警報信号EPW=1を出力するデコーダ(DEC)、4
0は容量監視カウンタ37への読出イネーブル信号RE
を書込側のクロック信号CKAに同期化させる微分回路
(DIF)、41は容量監視カウンタ37のカウント出
力MCをATMセルのバイト数を単位としてデコード
し、ATMセルのセル記憶数を監視可能に構成したセル
数変換部(CCT)、42はATMセルのセル記憶数が
第1の所定数(例えば1)を下回ることによりセルエン
プティーの警報信号CEW=1を出力し、また第2の所
定数(例えばM−1)を上回ることによりセルフルの警
報信号CFW=1を出力するデコーダ(DEC)、43
はFIFO型メモリのデータ転送動作に関して様々な異
常動作を検出してアラーム信号ALM=1を出力するア
ラーム検出部である。FIG. 2 is a block diagram of a FIFO type memory according to the embodiment, showing an example of application to a clock transfer circuit. In the figure, reference numeral 31 denotes a dual port RAM (DPR) having two access ports for data writing and reading.
AM), 32 is a write counter (WCTR) for generating a write address of the DPRAM 31; 33 is a read counter (RCTR) for generating a read address of the DPRAM 31;
Reference numeral 4 denotes a serial / parallel converter (S / P) for converting serial data SI input from the transmission path into parallel data;
Is a parallel-to-serial converter (P / P) that converts parallel data output from the DPRAM 31 into serial data SO.
S), A is an AND gate circuit, O is an OR gate circuit, 3
6 is a capacity monitoring unit for monitoring the abnormal operation of the FIFO type memory and the number of data stored in the DPRAM 31, and 37 is a DPRAM
A capacity monitoring counter (MCTR) composed of an up / down counter that counts up by 31 write pulse signals WP and counts down by read pulse signals RP, and 38 is a count output MC = N (maximum) of the capacity monitoring counter 37
And the buffer output signal BF = 1 and the count output MC =
A decoder (DEC) that outputs a buffer full warning signal FLW = 1 at N−1, 39 is a count output MC = 0 of the capacity monitoring counter 37 and a buffer empty signal BE =
1, a decoder (DEC) that outputs a buffer empty alarm signal EPW = 1 when the count output MC = 1, 4
0 is a read enable signal RE to the capacity monitoring counter 37
Circuit (DIF) 41 for synchronizing the clock signal CKA with the write-side clock signal CKA, decodes the count output MC of the capacity monitoring counter 37 in units of bytes of ATM cells, and monitors the number of stored ATM cells. The configured cell number converter (CCT) 42 outputs a cell empty warning signal CEW = 1 when the number of stored ATM cells falls below a first predetermined number (eg, 1), and outputs a second predetermined number. A decoder (DEC) 43 that outputs a cell-full warning signal CFW = 1 by exceeding (for example, M-1), 43
Is an alarm detection unit that detects various abnormal operations regarding the data transfer operation of the FIFO type memory and outputs an alarm signal ALM = 1.
【0022】S/P34及びP/S35の各動作は上記
図7で述べたものと同様でよい。ここでは、書込パルス
信号WPによりS/P34の出力のパラレルデータがD
PRAM31に書き込まれる。またこの書込パルス信号
WPの立下りによりWCTR32及びMCTR37が夫
々+1される。また読出イネーブル信号REの立下りに
よりRCTR13が+1され、かつ読出イネーブル信号
REの立下りをクロック信号CKAで微分した読出パル
ス信号RPの立下りによりMCTR37が−1される。The operations of S / P 34 and P / S 35 may be the same as those described with reference to FIG. Here, the parallel data output from S / P 34 is changed to D by write pulse signal WP.
The data is written to the PRAM 31. The WCTR 32 and the MCTR 37 are each incremented by 1 by the fall of the write pulse signal WP. RCTR13 is incremented by 1 when the read enable signal RE falls, and the MCTR 37 is decremented by 1 when the read pulse signal RP obtained by differentiating the fall of the read enable signal RE with the clock signal CKA.
【0023】また、書込パルス信号WPと読出パルス信
号RPとが略同時に発生した場合は、DPRAM31内
ではその内部調停機能によりデータ書込とデータ読出と
が自動的に行われる。一方、MCTR37では書込パル
ス信号WPと読出パルス信号RPの各立下りが同時に発
生した場合は、カウントアップもカウントダウンもされ
ずに現在のカウント出力MCが維持される。従って、M
CTR37に対し、カウントアップ及びカウントダウン
の各信号がクリティカルな(微妙にずれた)タイミング
で入力することは無く、よって常に正しいデータ記憶数
を計数可能である。以下、容量監視部36の詳細を説明
する。When the write pulse signal WP and the read pulse signal RP are generated substantially simultaneously, data writing and data reading are automatically performed in the DPRAM 31 by its internal arbitration function. On the other hand, if the falling of the write pulse signal WP and the falling of the read pulse signal RP occur simultaneously in the MCTR 37, the current count output MC is maintained without being counted up or down. Therefore, M
The count-up and count-down signals are not input to the CTR 37 at critical (slightly shifted) timings, so that the correct data storage number can always be counted. Hereinafter, the capacity monitoring unit 36 will be described in detail.
【0024】図3〜図5は実施の形態による容量監視部
の詳細説明図(1)〜(3)で、図3(A)は微分回路
40の構成、図3(B)はその動作タイミングチャート
を夫々示している。ここで、FF1,FF2はDタイプ
のフリップフロップである。読出イネーブル信号RE=
0の間は、FF1の反転出力Q/=1、FF2の出力Q
=0により、ANDゲート回路A3の出力の読出パルス
信号RP=0である。読出イネーブル信号REが0から
1に変化しても、FF1の反転出力Q/=0、FF2の
出力Q=1により、読出パルス信号RP=0である。読
出イネーブル信号REが1から0に変化すると、FF1
の反転出力Q/=1、FF2の出力Q=1により、読出
パルス信号RPは1クロック期間だけ1になる。従っ
て、読出イネーブル信号REの立下りに同期してクロッ
ク信号CKAに同期した読出パルス信号RPが生成され
る。3 to 5 are detailed explanatory diagrams (1) to (3) of the capacity monitoring unit according to the embodiment. FIG. 3 (A) shows the configuration of the differentiating circuit 40, and FIG. 3 (B) shows its operation timing. Each chart is shown. Here, FF1 and FF2 are D-type flip-flops. Read enable signal RE =
During 0, the inverted output Q / = 1 of FF1 and the output Q of FF2
Since = 0, the read pulse signal RP of the output of the AND gate circuit A3 = 0. Even if the read enable signal RE changes from 0 to 1, the read pulse signal RP = 0 due to the inverted output Q / = 0 of the FF1 and the output Q = 1 of the FF2. When the read enable signal RE changes from 1 to 0, FF1
, The read pulse signal RP becomes 1 only for one clock period. Therefore, a read pulse signal RP synchronized with the clock signal CKA is generated in synchronization with the fall of the read enable signal RE.
【0025】図3(C)はセル数変換部(CCT)41
の構成を示している。ここで、CMPはコンパレータ、
ENCはエンコーダである。CMP1は容量監視カウン
タ(MCTR)37のカウント出力MCと所定数M1と
を比較し、MC≧M1であると比較結果の信号m1=1
を出力する。ここで、所定数M1は例えばATMの1セ
ルのバイト数=53又はそのペイロード部のバイト数=
48又はこれらのn倍(nは自然数)の値である。CM
P2は容量監視カウンタ37のカウント出力MCと所定
数M2とを比較し、MC≧M2であると比較結果の信号
m2=1を出力する。ここで、所定数M2は例えば2×
M1(少なくともM2>M1)である。CMP3は容量
監視カウンタ37のカウント出力MCと所定数M3とを
比較し、MC≧M3であると比較結果の信号m3=1を
出力する。ここで、所定数M3は3×M1である。FIG. 3C shows a cell number conversion unit (CCT) 41.
Is shown. Here, CMP is a comparator,
ENC is an encoder. CMP1 compares the count output MC of the capacity monitoring counter (MCTR) 37 with a predetermined number M1, and if MC ≧ M1, the comparison result signal m1 = 1
Is output. Here, the predetermined number M1 is, for example, the number of bytes of one ATM cell = 53 or the number of bytes of the payload portion thereof =
48 or n times these (n is a natural number). CM
P2 compares the count output MC of the capacity monitoring counter 37 with a predetermined number M2, and outputs a comparison result signal m2 = 1 when MC ≧ M2. Here, the predetermined number M2 is, for example, 2 ×
M1 (at least M2> M1). The CMP3 compares the count output MC of the capacity monitoring counter 37 with a predetermined number M3, and outputs a comparison result signal m3 = 1 when MC ≧ M3. Here, the predetermined number M3 is 3 × M1.
【0026】エンコーダENCは入力の信号m1〜m3
に基づき記憶セル数の信号CELCを出力する。一例の
エンコード方法を具体的に言うと、「m3,m2,m
1」=「0,0,0」の時はセル数CELC=0(バイ
ナリ表記)、「m3,m2,m1」=「0,0,1」の
時はセル数CELC=1、「m3,m2,m1」=
「0,1,×」の時はセル数CELC=2、「m3,m
2,m1」=「1,×,×」の時はセル数CELC=3
を出力する。ここで、記号×はビット信号の論理「1/
0」に感知しないことを表す。図示しないが、以下同様
にして4以上のセル数をカウントできる。The encoder ENC receives input signals m1 to m3.
, And outputs a signal CELC of the number of storage cells based on. Specifically, an example of the encoding method is “m3, m2, m
When “1” = “0,0,0”, the number of cells CELC = 0 (binary notation), and when “m3, m2, m1” = “0,0,1”, the number of cells CELC = 1, “m3, m2, m1 "=
When “0,1, ×”, the number of cells CELC = 2, “m3, m
When “2, m1” = “1, ×, ×”, the number of cells CELC = 3
Is output. Here, the symbol x represents the logic “1 /” of the bit signal.
"0" indicates no sensing. Although not shown, four or more cells can be counted in the same manner.
【0027】図4(A)はアラーム検出部43の一例の
構成を示す図で。読出カウンタ33の読出アドレスRA
=0のタイミングに書込カウンタ32の書込アドレスW
Aと容量監視カウンタ37のカウント出力MCとを比較
し、不一致の場合はアラーム信号を生成する場合を示し
ている。FIG. 4A is a diagram showing an example of the configuration of the alarm detection unit 43. Read address RA of read counter 33
= 0, the write address W of the write counter 32
A and the count output MC of the capacity monitoring counter 37 are compared, and when they do not match, an alarm signal is generated.
【0028】なお、以下にいくつかのアラーム検出部4
3の構成を示すが、容量監視部36にはこれらを各単独
で設けても、又はこれらの1又は2以上を組み合わせて
設けても良い。また、図2に示す如くアラーム検出部4
3の出力のアラーム信号ALMはORゲート回路01を
介して各カウンタのリセット端子に導かれ、外部から入
力されるリセット信号SRSと同様にして、各カウンタ
を初期化する。It should be noted that some alarm detection units 4 will be described below.
Although the third configuration is shown, these may be provided individually in the capacity monitoring unit 36, or one or more of them may be provided in combination. Also, as shown in FIG.
The alarm signal ALM of the output 3 is guided to the reset terminal of each counter via the OR gate circuit 01, and initializes each counter in the same manner as the reset signal SRS input from the outside.
【0029】図4(A)において、コンパレータCMP
4は書込アドレスWAと容量監視カウンタ37のカウン
ト出力MCとを比較しており、読出アドレスRA=0の
時にWA≠MCであると、アラーム信号ALM1=1を
出力する。読出アドレスRA≠0の時は常にアラーム信
号ALM1=0である。In FIG. 4A, the comparator CMP
Reference numeral 4 compares the write address WA with the count output MC of the capacity monitoring counter 37. If WA ≠ MC when the read address RA = 0, an alarm signal ALM1 = 1 is output. When the read address RA10, the alarm signal ALM1 = 0 is always present.
【0030】図4(B)はアラーム検出部43の他の例
を示す図で、前回の書込アドレスWAをラッチ保持して
その出力をカウント更新後の書込カウンタ32の出力と
比較し、これらの差が所定以上の場合はアラーム信号を
生成する場合を示している。図において、ラッチ回路L
UT1は入力の書込アドレスWAを書込パルス信号WP
の立ち上がりでラッチする。その後、この書込アドレス
WAは前記書込パルス信号WPの立下りで+1(更新)
される。減算器51は前記更新された書込アドレスWA
から前記ラッチされた書込アドレスWALを差し引き、
比較器CMP5はその差分出力(通常は1)と所定数2
とを比較する。そして、A≧Bであるとアラーム信号A
LM2=1を出力する。FIG. 4B is a diagram showing another example of the alarm detection section 43. The previous write address WA is latched and its output is compared with the output of the write counter 32 after the count is updated. When these differences are equal to or greater than a predetermined value, it indicates a case where an alarm signal is generated. In the figure, a latch circuit L
UT1 outputs the input write address WA to the write pulse signal WP.
Latch at the rising edge of. Thereafter, the write address WA is incremented by +1 (updated) at the fall of the write pulse signal WP.
Is done. The subtractor 51 outputs the updated write address WA
Subtracting the latched write address WAL from
The comparator CMP5 outputs the difference output (usually 1) and a predetermined number 2
Compare with If A ≧ B, the alarm signal A
LM2 = 1 is output.
【0031】なお、図2に示す如く、書込カウンタ32
はその最大値=Nまでカウントアップするとキャリー信
号CAW=1を出力し、次の書込パルス信号WPの立下
りでカウント出力WA=0に初期化される。図4(B)
に戻り、ANDゲート回路A4はキャリー信号CAW=
1の時に書込パルス信号WPが入力するとリセット信号
を生成し、ラッチ回路LUT1をリセットする。従っ
て、この場合のWA=WAL=0となり、アラームは検
出されない。また、図は書込カウンタ32への適用例を
示すが、読出カウンタ33にも同様に適用できる。As shown in FIG. 2, the write counter 32
Outputs a carry signal CAW = 1 when it counts up to its maximum value = N, and is initialized to a count output WA = 0 at the next fall of the write pulse signal WP. FIG. 4 (B)
And the AND gate circuit A4 outputs the carry signal CAW =
When the write pulse signal WP is input at 1, a reset signal is generated, and the latch circuit LUT1 is reset. Therefore, in this case, WA = WAL = 0, and no alarm is detected. Although the figure shows an example of application to the write counter 32, the present invention can be similarly applied to the read counter 33.
【0032】図5はアラーム検出部43の他の例を示す
図で、前回の容量監視カウンタ37のカウント出力MC
をラッチ保持してその出力をカウント更新後の容量監視
カウンタ37のカウント出力MCと比較し、これらの差
が所定以上の場合はアラーム信号を生成する場合を示し
ている。図において、ラッチ回路LUT2は書込パルス
信号WP又は読出パルス信号RPの各立上がりでその時
点の容量監視カウンタ37のカウント出力MCをラッチ
する。その後、容量監視カウンタ37は前記書込パルス
信号WP又は読出パルス信号RPの各立下りでそのカウ
ント出力MCに±1(更新)される。FIG. 5 is a diagram showing another example of the alarm detection unit 43. The count output MC of the previous capacity monitoring counter 37 is shown in FIG.
Is latched, the output is compared with the count output MC of the capacity monitoring counter 37 after the count is updated, and when the difference is equal to or greater than a predetermined value, an alarm signal is generated. In the figure, a latch circuit LUT2 latches the count output MC of the capacity monitoring counter 37 at the time of each rise of the write pulse signal WP or the read pulse signal RP. Thereafter, the capacity monitoring counter 37 is incremented by ± 1 (updated) to the count output MC at each falling of the write pulse signal WP or the read pulse signal RP.
【0033】一方、R−SタイプのFF3は、通常は、
書込パルス信号WP又は読出パルス信号RPにより強制
セット/リセットされる。セレクタSEL1,SEL2
はFF3の出力Q/=「0/1」に従い、容量監視カウ
ンタ37の前記更新されたカウント出力MC又はラッチ
回路LUT2のラッチ出力MCLを夫々選択出力する。
選択の態様は、選択信号S=0のときは入力端子a側を
選択し、選択信号S=1のときは入力端子b側を選択す
る。On the other hand, the RS type FF3 is usually
Forcibly set / reset by the write pulse signal WP or the read pulse signal RP. Selectors SEL1, SEL2
Selects and outputs the updated count output MC of the capacity monitoring counter 37 or the latch output MCL of the latch circuit LUT2 according to the output Q / = "0/1" of the FF3.
When the selection signal S = 0, the input terminal a is selected, and when the selection signal S = 1, the input terminal b is selected.
【0034】従って、今、書込パルス信号WPのみが発
生した場合は、SEL1は更新後のMCを選択出力し、
またSEL2はラッチされたMCLを選択出力する。こ
れにより減算器53は、通常は、MC−MCL=1を出
力する。コンパレータCMP6は減算出力Aと所定数B
=2とを比較しており、A≧Bの場合はアラーム信号A
LM3=1を出力する。Therefore, if only the write pulse signal WP is generated, SEL1 selects and outputs the updated MC.
SEL2 selects and outputs the latched MCL. Thereby, the subtractor 53 normally outputs MC-MCL = 1. The comparator CMP6 has a subtraction output A and a predetermined number B
= 2, and if A ≧ B, the alarm signal A
LM3 = 1 is output.
【0035】また読出パルス信号RPのみが発生した場
合は、SEL1はラッチされたMCLを選択出力し、ま
たSEL2は更新後のMCを選択出力する。これにより
減算器53は、通常は、MCL−MC=1を出力する。
そしてコンパレータCMP6はA≧Bの場合はアラーム
信号ALM3=1を出力する。When only the read pulse signal RP is generated, SEL1 selects and outputs the latched MCL, and SEL2 selects and outputs the updated MC. Thus, the subtractor 53 normally outputs MCL-MC = 1.
When A ≧ B, the comparator CMP6 outputs an alarm signal ALM3 = 1.
【0036】なお、書込パルス信号WPと読出パルス信
号RPとが同時に発生した場合は、NANDゲート回路
NA1の作用によりANDゲート回路A5及びA6の各
出力が消勢される結果、FF3は前の状態を保持する。
一方、ラッチLUT2は容量監視カウンタ37のカウン
ト出力MCをラッチするが、このカウント出力MCはカ
ウントアップもカウントダウンもされない。従って、直
前のアラーム検出モード(アップ方向又はダウン方向)
が維持される。When the write pulse signal WP and the read pulse signal RP are generated simultaneously, the outputs of the AND gate circuits A5 and A6 are deactivated by the operation of the NAND gate circuit NA1, so that the FF3 is turned off. Keep state.
On the other hand, the latch LUT2 latches the count output MC of the capacity monitoring counter 37, but this count output MC is not counted up or down. Therefore, the last alarm detection mode (up direction or down direction)
Is maintained.
【0037】図6は他の実施の形態によるクロック乗換
回路の一部構成を示す図で、主にシリアル・パラレル変
換部の構成を示している。ここでは、4ビットパラレル
のデータID0〜ID3と1ビットのパリティービット
IDPとからなる5ビットデータがシリアルに入力す
る。このうちの奇数番目のデータはラッチパルス信号L
P1によりレジスタREG1にラッチされ、また偶数番
目のデータはラッチパルス信号LP2によりレジスタR
EG2にラッチされ、こうして8ビットデータ+2パリ
ティーのパラレルデータに変換される。FIG. 6 is a diagram showing a partial configuration of a clock transfer circuit according to another embodiment, and mainly shows the configuration of a serial / parallel conversion unit. Here, 5-bit data consisting of 4-bit parallel data ID0 to ID3 and 1-bit parity bit IDP is serially input. The odd-numbered data among them is the latch pulse signal L
P1 latches the data in the register REG1, and the even-numbered data is stored in the register R by the latch pulse signal LP2.
The data is latched by EG2 and converted into parallel data of 8-bit data + 2 parity.
【0038】パリティーチェッカPCK1はラッチデー
タD0〜D3とラッチパリティーP0とにつきパリティ
ー検査を行い、エラーが検出された場合はパリティーエ
ラー信号PER0=1を出力する。またパリティーチェ
ッカPCK2はラッチデータD4〜D7とラッチパリテ
ィーP1とにつきパリティー検査を行い、エラーが検出
された場合はパリティーエラー信号PER1=1を出力
する。これらのエラー信号はORゲート回路03で論理
ORされ、装置側に知らされる。これにより伝送路側で
生じたデータエラーを検査できる。The parity checker PCK1 performs a parity check on the latch data D0 to D3 and the latch parity P0, and outputs an error signal PER0 = 1 when an error is detected. The parity checker PCK2 performs a parity check on the latch data D4 to D7 and the latch parity P1, and outputs an error signal PER1 = 1 when an error is detected. These error signals are logically ORed by the OR gate circuit 03 and notified to the device side. Thereby, a data error occurring on the transmission line side can be inspected.
【0039】一方、パリティー生成部PGはラッチデー
タD0〜D7に基づき新たなパリティービット信号P3
を生成する。そして、ラッチデータD0〜D7とその生
成パリティーP3とがDPRAM31に書き込まれる。
図示しないが、DPRAM31の読出データにつきパリ
ティー検査を行うことで、FIFO型メモリ(DPRA
M31)で生じるデータエラーを検査できる。On the other hand, the parity generation unit PG generates a new parity bit signal P3 based on the latch data D0 to D7.
Generate Then, the latch data D0 to D7 and the generated parity P3 are written into the DPRAM 31.
Although not shown, by performing a parity check on the read data of the DPRAM 31, a FIFO type memory (DPRA
The data error generated in M31) can be checked.
【0040】なお、上記実施の形態を具体的数値例を伴
って述べたが、本発明はこれらの数値例には限定されな
い。Although the above embodiment has been described with specific numerical examples, the present invention is not limited to these numerical examples.
【0041】また、上記本発明に好適なる実施の形態を
述べたが、本発明思想を逸脱しない範囲内で各部の構
成、制御及びこれらの組み合わせの様々な変更が行える
ことは言うまでも無い。Although the preferred embodiments of the present invention have been described, it goes without saying that various changes can be made in the configuration, control, and combination of these components without departing from the spirit of the present invention.
【0042】[0042]
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、FIF
O型メモリにおける読書クロックの位相接近による誤動
作を有効に回避できるため、常に正しいデータ記憶数を
計数可能となり、高信頼性のFIFO型メモリを提供で
きる。As described above, according to the present invention, the FIF
Since malfunctions due to the approach of the phase of the reading clock in the O-type memory can be effectively avoided, the number of stored data can be always counted, and a highly reliable FIFO type memory can be provided.
【図1】本発明の原理を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.
【図2】実施の形態によるFIFO型メモリのブロック
図である。FIG. 2 is a block diagram of a FIFO memory according to the embodiment;
【図3】実施の形態による容量監視部の詳細説明図
(1)で ある。FIG. 3 is a detailed explanatory diagram (1) of a capacity monitoring unit according to the embodiment;
【図4】実施の形態による容量監視部の詳細説明図
(2)で ある。FIG. 4 is a detailed explanatory diagram (2) of the capacity monitoring unit according to the embodiment;
【図5】実施の形態による容量監視部の詳細説明図
(3)で ある。FIG. 5 is a detailed explanatory diagram (3) of the capacity monitoring unit according to the embodiment;
【図6】他の実施の形態によるクロック乗換回路の一部
構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a partial configuration of a clock transfer circuit according to another embodiment.
【図7】従来のFIFO型メモリのブロック図である。FIG. 7 is a block diagram of a conventional FIFO memory.
31 デユアルポートRAM(DPRAM) 32 書込カウンタ(WCTR) 33 読出カウンタ(RCTR) 34 シリアル・パラレル変換部(S/P) 35 パラレル・シリアル変換部(P/S) 36 容量監視部 37 容量監視カウンタ(MCTR) 38,39 デコーダ(DEC) 40 微分回路(DIF) 41 セル数変換部(CCT) 42 デコーダ(DEC) 43 アラーム検出部 31 Dual Port RAM (DPRAM) 32 Write Counter (WCTR) 33 Read Counter (RCTR) 34 Serial / Parallel Converter (S / P) 35 Parallel / Serial Converter (P / S) 36 Capacity Monitor 37 Capacity Monitor Counter (MCTR) 38, 39 Decoder (DEC) 40 Differentiating circuit (DIF) 41 Cell number conversion unit (CCT) 42 Decoder (DEC) 43 Alarm detection unit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04L 13/08 H04L 11/20 G (72)発明者 上垣 崇宣 神奈川県横浜市港北区新横浜2丁目3番9 号 富士通ディジタル・テクノロジ株式会 社内 (72)発明者 諏訪 進 神奈川県横浜市港北区新横浜2丁目3番9 号 富士通ディジタル・テクノロジ株式会 社内 Fターム(参考) 5B060 AB18 AC07 5K030 HA10 KA03 KA21 LA15 MA13 MB15 5K034 AA06 HH48 HH64 MM08 TT01 9A001 BB02 BB03 EE02 KK56 LL06 LL09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H04L 13/08 H04L 11/20 G (72) Inventor Takanori Uegaki 2-3-3 Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa No. 9 Fujitsu Digital Technology Co., Ltd. In-house (72) Susumu Suwa 2-3-9 Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama, Kanagawa Prefecture Fujitsu Digital Technology Co., Ltd. F-term (reference) 5B060 AB18 AC07 5K030 HA10 KA03 KA21 KA21 MA13 MB15 5K034 AA06 HH48 HH64 MM08 TT01 9A001 BB02 BB03 EE02 KK56 LL06 LL09
Claims (7)
モリと、メモリへの書込パルス信号に従ってメモリの書
込アドレスを生成する書込カウンタと、メモリへの読出
パルス信号に従ってメモリの読出アドレスを生成する読
出カウンタと、前記書込パルス信号及び読出パルス信号
に従ってアップ/ダウンすることによりデータの記憶数
を計数する容量監視カウンタとを備えるFIFO型メモ
リにおいて、 容量監視カウンタへの書込パルス信号又は読出パルス信
号をその読出側又は書込側のクロック信号に同期化させ
たことを特徴とするFIFO型メモリ。1. A dual-port memory for storing data, a write counter for generating a memory write address in accordance with a write pulse signal to the memory, and a memory read address in accordance with a read pulse signal for the memory And a capacity monitoring counter for counting the number of data stored by going up / down in accordance with the write pulse signal and the read pulse signal. A FIFO memory in which a pulse signal is synchronized with a clock signal on a read side or a write side.
Mセルのバイト数を単位としてデコードし、ATMセル
のセル記憶数を監視可能に構成したことを特徴とする請
求項1に記載のFIFO型メモリ。2. The count output of the capacity monitoring counter is set to AT
2. The FIFO type memory according to claim 1, wherein the number of bytes of the M cell is decoded as a unit, and the number of stored ATM cells can be monitored.
を下回ることによりセルエンプティーの警報信号を出力
し、また第2の所定数を上回ることによりセルフルの警
報信号を出力することを特徴とする請求項2に記載のF
IFO型メモリ。3. A cell empty warning signal is output when the number of stored ATM cells falls below a first predetermined number, and a cell full warning signal is output when the number of ATM cells exceeds a second predetermined number. The F according to claim 2,
IFO type memory.
ミングに書込カウンタの書込アドレスと容量監視カウン
タのカウント出力とを比較し、不一致の場合はアラーム
信号を生成するアラーム検出部を備えることを特徴とす
る請求項1に記載のFIFO型メモリ。4. An alarm detecting section for comparing a write address of a write counter with a count output of a capacity monitoring counter at a timing when a read address of the read counter is 0, and generating an alarm signal when they do not match. The FIFO type memory according to claim 1, wherein
の出力をカウント更新後の書込カウンタの出力と比較
し、これらの差が所定以上の場合はアラーム信号を生成
するアラーム検出部を備えることを特徴とする請求項1
に記載のFIFO型メモリ。5. An alarm detector for latching a previous write address, comparing the output with the output of a write counter after updating the count, and generating an alarm signal if the difference is equal to or greater than a predetermined value. 2. The method according to claim 1, wherein
3. The FIFO memory according to claim 1.
の出力をカウント更新後の読出カウンタの出力と比較
し、これらの差が所定以上の場合はアラーム信号を生成
するアラーム検出部を備えることを特徴とする請求項1
に記載のFIFO型メモリ。6. An alarm detecting section for latching a previous read address and comparing the output with the output of a read counter after updating the count, and generating an alarm signal when the difference is equal to or more than a predetermined value. Claim 1.
3. The FIFO memory according to claim 1.
をラッチ保持してその出力をカウント更新後の容量監視
カウンタの出力と比較し、これらの差が所定以上の場合
はアラーム信号を生成するアラーム検出部を備えること
を特徴とする請求項1に記載のFIFO型メモリ。7. An alarm detection for latching a previous count output of the capacity monitoring counter, comparing the output with the output of the capacity monitoring counter after the count is updated, and generating an alarm signal when the difference between them is equal to or greater than a predetermined value. The FIFO type memory according to claim 1, further comprising a unit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000090105A JP2001285346A (en) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | Fifo type memory |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7353356B2 (en) | 2002-03-07 | 2008-04-01 | Renesas Technology Corp. | High speed, low current consumption FIFO circuit |
JP2015049917A (en) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | アルプス電気株式会社 | Memory devices |
-
2000
- 2000-03-29 JP JP2000090105A patent/JP2001285346A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015049917A (en) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | アルプス電気株式会社 | Memory devices |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070605 |