KR100338402B1 - Memory device and method of controlling the same - Google Patents

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KR100338402B1 KR1019970037781A KR19970037781A KR100338402B1 KR 100338402 B1 KR100338402 B1 KR 100338402B1 KR 1019970037781 A KR1019970037781 A KR 1019970037781A KR 19970037781 A KR19970037781 A KR 19970037781A KR 100338402 B1 KR100338402 B1 KR 100338402B1
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야스노리 사또
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사와무라 시코
오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤
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    • GPHYSICS
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Abstract

메모리는 입력 판독 어드레스 신호와 입력 기입 어드레스 신호사이의 차분 값에 대응하는 신호를 출력하기 위한 차분회로, 차분 회로의 출력에 응답하여 판정 신호를 출력하기 위한 판정 회로, 및 입력 판독 어드레스 신호, 입력 기입 어드레스 신호 및 판정 회로에 근거하여, 부여되거나 또는 보다 큰 차분 신호 값을 갖는 생성 기입 어드레스 및 생성 판독 어드레스를 출력하기 위한 어드레스 생성 회로로 이루어진다.The memory includes a differential circuit for outputting a signal corresponding to the difference value between the input read address signal and the input write address signal, a decision circuit for outputting a determination signal in response to the output of the differential circuit, and an input read address signal, input write Based on the address signal and the determination circuit, an address generation circuit for outputting a generation write address and a generation read address having a given or greater difference signal value is made.

Description

기억 장치 및 그 제어 방법{MEMORY DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME}MEMORY DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

본 발명은 비디오 시스템 등의 데이터 지연 회로에 사용되는 다중 포트 메모리를 제어하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for controlling a multi-port memory for use in data delay circuits such as video systems.

종래 다중 포트 메모리의 일실시예를 나타내는 다중 포트 메모리 (이하, "2 포트 메모리" 라 칭함) 는 판독 디코더 및 기입 디코더를 구비하며, 동일 주기 동안 판독 처리 및 기입 처리의 실행이 가능하다.The multi-port memory (hereinafter referred to as "two-port memory"), which represents one embodiment of the conventional multi-port memory, has a read decoder and a write decoder, and can execute read processing and write processing for the same period.

본 발명의 목적은, 메모리에 공급된 판독 어드레스 및 기입 어드레스의 주기가 서로 상이한 경우, 판독될 데이터가 판독 어드레스와 기입 어드레스의 일치에 인하여 손상되거나, 기록과 동시에 판독되는 문제를 회피하는데 있다.It is an object of the present invention to avoid the problem that data to be read is damaged due to matching of the read address and the write address or read simultaneously with writing when the periods of the read address and the write address supplied to the memory are different from each other.

도 1 은 본 발명의 실시예를 도시한 2 포트 메모리의 개략적인 블록도.1 is a schematic block diagram of a two port memory illustrating an embodiment of the invention.

도 2 는 기입 어드레스 생성 회로의 블록도.2 is a block diagram of a write address generation circuit.

도 3 은 판독 어드레스 생성 회로의 블록도.3 is a block diagram of a read address generation circuit.

도 4 는 어드레스 일치 검출 회로 (8) 의 회로도.4 is a circuit diagram of an address match detection circuit 8;

도 5 는 어드레스 일치 검출 회로 (15) 의 회로도.5 is a circuit diagram of an address match detection circuit 15. FIG.

도 6 은 본 발명의 실시예를 도시한 2 포트 메모리의 동작을 표시한 타이밍 차트.Fig. 6 is a timing chart showing the operation of a two port memory showing an embodiment of the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

1 : 차분 회로1: differential circuit

2 : 판정 회로2: judgment circuit

3 : 어드레스 생성 회로3: address generation circuit

4 : 판독 어드레스 디코더4: read address decoder

5 : 기입 어드레스 디코더5: write address decoder

6 : 입출력 회로6: input / output circuit

7 : 메모리7: memory

본 발명의 일 형태에 따르면, 상기 목적을 달성하기 위해서,According to one aspect of the present invention, in order to achieve the above object,

입력 판독 어드레스 신호와 입력 기입 어드레스 신호간의 차분 값에 대응하는 값을 갖는 신호를 출력하기 위한 차분 회로,A differential circuit for outputting a signal having a value corresponding to the difference value between the input read address signal and the input write address signal,

차분 회로로부터 출력된 신호값이 소정의 값 내에 있는 경우 제 1 레벨을 갖는 판정 신호를 출력하고 상기 값이 소정의 값을 초과한 경우 제 2 레벨을 갖는 판정 신호를 출력하기 위한 판정 회로,A determination circuit for outputting a determination signal having a first level when the signal value output from the difference circuit is within a predetermined value, and outputting a determination signal having a second level when the value exceeds the predetermined value;

입력 기입 어드레스 신호, 입력 판독 어드레스 신호 및 판정 신호를 수신하고, 입력 기입 어드레스 신호와 입력 판독 어드레스 신호간의 차분값에 무관하게 적어도 소정의 값을 초과하는 신호값의 차를 갖는 생성 기입 및 판독 어드레스를 출력하기 위한 어드레스 생성 회로,Receives an input write address signal, an input read address signal and a determination signal, and generates a write and read address having a difference in signal value exceeding at least a predetermined value regardless of the difference value between the input write address signal and the input read address signal; Address generation circuit for outputting,

생성 기입 어드레스를 디코딩하기 위한 기입 어드레스 디코더,A write address decoder for decoding the generated write address,

생성 판독 어드레스를 디코딩하기 위한 판독 어드레스 디코더, 및A read address decoder for decoding the generated read address, and

기입 어드레스 디코더로부터 생성된 출력에 대응하는 어드레스에 입력 데이터를 저장하고 판독 어드레스 디코더로부터 생성된 출력에 대응하는 어드레스로부터 출력 데이터를 출력하기 위한 메모리를 구비하는 기억 장치가 제공된다.A storage device is provided having a memory for storing input data at an address corresponding to an output generated from a write address decoder and outputting output data from an address corresponding to an output generated from a read address decoder.

이하, 발명을 적용한 다양한 발명중에 전형적인 하나를 간략히 설명한다. 그러나, 본 출원의 다양한 발명 및 이들 발명의 특정 구성은 이하 설명으로부터 이해되어질 것이다.Hereinafter, one typical of various inventions to which the invention is applied will be briefly described. However, various inventions and specific configurations of these inventions will be understood from the following description.

명세서는 본 발명의 개념 내용을 특정하는 청구항을 포함하며, 본 발명의 목적 및 특징, 본 발명의 또다른 목적, 특징, 및 이점은 첨부된 도면을 참조로 하여 이하 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.The specification includes claims that specify the subject matter of the invention, and the objects and features of the invention, further objects, features, and advantages of the invention will become apparent from the following description with reference to the accompanying drawings.

이하, 본 발명의 바람직한 일실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1 은 본 발명의 일실시예를 도시한 2 포트 메모리의 개략적인 블록도이다.Figure 1 is a schematic block diagram of a two port memory illustrating one embodiment of the present invention.

2 포트 메모리는 차분 회로 (1), 판정 회로 (2), 어드레스 생성 회로 (3), 판독 어드레스 디코더 (4), 기입 어드레스 디코더 (5), 입력/출력 회로 (6) 및 메모리 또는 저장부 (7) 로 이루어진다.The two-port memory includes a differential circuit (1), a determination circuit (2), an address generating circuit (3), a read address decoder (4), a write address decoder (5), an input / output circuit (6) and a memory or storage section ( 7) consists of.

차분 회로 (1) 는 입력 판독 어드레스와 입력 기입 어드레스간의 차의 절대값을 나타내는 차분 신호를 출력하는 회로로서 제공된다. 판정회로 (2) 는 차분 신호의 값이 소정의 값 (현 실시예에서는 2) 을 초과하는 지의 여부를 나타내는 판정신호를 출력하는 회로로서 제공된다. 상세하게 설명하면, 판정 회로 (2) 는 차분 신호 값이 2 보다 큰 경우 로우 레벨 판정 신호를 출력하고 차분 신호 값이 2 이하인 경우 하이 레벨 판정 신호를 출력한다. 어드레스 생성 회로 (3) 는 판독 어드레스 생성 회로 및 기입 어드레스 생성 회로로 이루어진다. 어드레스 생성 회로 (3) 는 입력 판독 어드레스, 입력 기입 어드레스, 판정 신호 및 차분 신호에 근거하여 생성 판독 어드레스 및 생성 기입 어드레스를 출력하는 회로로서 제공된다. 입력/출력 회로 (6) 는 외부로부터 데이터를 입력하고 이 데이터를 메모리 (7) 로 출력하며, 메모리 (7) 로부터 출력된 데이터를 입력하고 이 데이터를 외부로 출력하는 회로로서 제공된다. 판독 어드레스 디코더 (4) 는 생성 판독 어드레스를 디코딩하는 회로로서 제공된다. 기입 어드레스 디코더 (5) 는 생성 기입 어드레스를 디코딩하는 회로이다. 메모리 (7) 는 입력/출력 회로 (6) 로부터 출력된 데이터를 기입 어드레스 디코더 (5) 에 의해 지정된 어드레스에 기입하고, 판독 어드레스 디코더 (4) 에 의해서 지정된 어드레스에 저장된 데이터를 출력하는 회로로서 제공된다.The difference circuit 1 is provided as a circuit for outputting a difference signal representing the absolute value of the difference between the input read address and the input write address. The determination circuit 2 is provided as a circuit for outputting a determination signal indicating whether or not the value of the difference signal exceeds a predetermined value (2 in the present embodiment). In detail, the determination circuit 2 outputs a low level determination signal when the difference signal value is larger than two, and outputs a high level determination signal when the difference signal value is two or less. The address generation circuit 3 consists of a read address generation circuit and a write address generation circuit. The address generation circuit 3 is provided as a circuit for outputting a generation read address and a generation write address based on an input read address, an input write address, a determination signal and a difference signal. The input / output circuit 6 is provided as a circuit which inputs data from the outside and outputs this data to the memory 7, inputs the data output from the memory 7 and outputs this data to the outside. The read address decoder 4 is provided as a circuit for decoding the generated read address. The write address decoder 5 is a circuit for decoding the generated write address. The memory 7 writes data output from the input / output circuit 6 to an address designated by the write address decoder 5 and serves as a circuit for outputting data stored at the address designated by the read address decoder 4. do.

도 2 는 기입 어드레스 생성 회로의 회로도이다.2 is a circuit diagram of a write address generation circuit.

기입 어드레스 생성 회로는 어드레스 일치 검출 회로 (8), NOR 회로 (9), 카운터 (10), D 타입 플립플롭 (12 및 13), 래치 회로 (14) 및 선택기 (11) 로이루어진다. 어드레스 일치 검출 회로 (8) 는 차분 신호 값이 소정의 값 "2" 와 일치하는지를 나타내는 신호 (A) 를 출력하는 회로로서 제공된다. 상세하게 설명하면, 어드레스 일치 검출 회로 (8) 는 판정 회로 (2) 의 출력이 설정 값 "2" 와 일치하는 경우 로우 레벨 신호 (A) 를 출력하고, 판정 회로 (2) 의 출력이 설정 값 "2" 와 일치하지 않는 경우 하이 레벨 신호 (A) 를 출력한다. D 타입 플립플롭 (12) 은 판정 신호 및 기입 클록을 수신하고, 이 판정 신호를 기입 클록의 1 클록만큼 지연시킨 신호 (B) 를 출력하는 회로이다. NOR 회로 (9) 는 신호 (A) 와 신호 (B) 의 NOR 를 실행하여 신호 (C) 를 출력하는 회로로서 제공된다. 하이 레벨 신호 (C) 가 카운터 (10) 에 입력되는 경우, 카운터 (10) 는 그 다음의 기입 클록의 상승 에지에서 소정의 점프 어드레스 "16" 를 카운터 값 "16" 으로서 출력한다. 그후, 카운터 (10) 는 기입 클록의 리딩 에지에 응답하여 이전에 출력된 카운터 값을 증분시키고 증분된 결과를 출력한다. D 타입 플립 플롭 (13) 은 입력 기입 어드레스 및 기입 클록을 수신하고, 입력 기입 어드레스를 기입 클록의 1 클록만큼 지연시킨 신호를 출력하는 회로로서 제공된다. 선택기 (11) 는 카운터 (10) 의 출력 및 D 타입 플립 플롭 (12 내지 13) 의 출력을 수신하고, D 타입 플립 플롭 (12) 의 출력에 대응하는 신호 (B) 에 응답하여 카운터 (10) 및 D 타입 플립 플롭 (13) 의 출력중 하나를 생성 기입 어드레스로서 출력한다. 상세하게 설명하면, 선택기 (11) 는 로우 레벨 신호 (B) 가 선택기 (11) 에 입력된 경우에는 D 타입 플립플롭 (13) 의 출력을 출력하고, 하이 레벨 신호 (B) 는 선택기 (11) 에 입력된 경우에는 카운터 (10) 의 출력을 출력한다. 생성 기입어드레스 단자 (19) 는 생성 기입 어드레스를 공급받기 위하여 선택기 (11) 에 전기적으로 접속된다. 래치 회로 (14) 는 생성 기입 어드레스 및 신호 (C) 를 수신한다. 하이 레벨 신호 (C) 가 래치 회로 (14) 에 입력되는 경우, 래치 회로 (14) 는 여기에 입력 생성 기입 어드레스를 래치한 다음, 래치된 생성 기입 어드레스를 신호 (J) 로서 출력한다.The write address generation circuit consists of the address agreement detection circuit 8, the NOR circuit 9, the counter 10, the D type flip-flops 12 and 13, the latch circuit 14, and the selector 11. The address agreement detection circuit 8 is provided as a circuit for outputting a signal A indicating whether the difference signal value coincides with a predetermined value "2". In detail, the address agreement detection circuit 8 outputs the low level signal A when the output of the determination circuit 2 coincides with the setting value "2", and the output of the determination circuit 2 is the set value. If it does not coincide with "2", the high level signal A is output. The D-type flip-flop 12 is a circuit which receives a determination signal and a write clock, and outputs the signal B which delayed this determination signal by one clock of the write clock. The NOR circuit 9 is provided as a circuit which performs the NOR of the signals A and B and outputs the signal C. FIG. When the high level signal C is input to the counter 10, the counter 10 outputs the predetermined jump address "16" as the counter value "16" on the rising edge of the next write clock. The counter 10 then increments the previously output counter value in response to the leading edge of the write clock and outputs the incremented result. The D type flip flop 13 is provided as a circuit which receives an input write address and a write clock and outputs a signal which delayed the input write address by one clock of the write clock. The selector 11 receives the output of the counter 10 and the output of the D type flip flops 12 to 13, and responds to the signal B corresponding to the output of the D type flip flop 12. And one of the outputs of the D-type flip flop 13 as a generation write address. In detail, the selector 11 outputs the output of the D-type flip-flop 13 when the low level signal B is input to the selector 11, and the high level signal B outputs the selector 11. In the case of input to the output, the output of the counter 10 is output. The generation write address terminal 19 is electrically connected to the selector 11 to receive the generation write address. The latch circuit 14 receives the generation write address and the signal C. When the high level signal C is input to the latch circuit 14, the latch circuit 14 latches the input generation write address thereto, and then outputs the latched generation write address as the signal J.

도 4 는 어드레스 일치 검출 회로 (8) 를 도시한 회로도이다.4 is a circuit diagram showing the address match detection circuit 8. As shown in FIG.

어드레스 일치 검출 회로 (8) 는 8 개의 EXOR 회로 (81), 2 개의 NOR 회로 (82) 및 1 개의 NAND 회로 (83) 로 이루어진다. 8 개의 EXOR 회로 (81) 의 한 쪽의 입력 (A7, A6, A5, A4, A3, A2, A1 및 A0) 에는 (00000010) 의 형태로 표시되는 이진 표기 신호로서 설정값 <2> 이 공급된다. 한편, 8 개의 EXOR 회로 (81) 의 다른쪽 입력 (B7, B6, B5, B4, B3, B2, B1 및 B0) 에는 차분신호가 이진 표기된 신호로서 공급된다.The address agreement detection circuit 8 consists of eight EXOR circuits 81, two NOR circuits 82, and one NAND circuit 83. One input (A7, A6, A5, A4, A3, A2, A1 and A0) of the eight EXOR circuits 81 is supplied with a set value <2> as a binary representation signal in the form of (00000010). . On the other hand, to the other inputs B7, B6, B5, B4, B3, B2, B1, and B0 of the eight EXOR circuits 81, the differential signal is supplied as a binaryly indicated signal.

도 3 은 판독 어드레스 생성 회로를 도시한 회로도이다. 판독 어드레스 생성 회로는 어드레스 일치 검출 회로 (15), 카운터 (16), 선택기 (17) 및 T 타입 플립 플롭 (18) 으로 이루어진다.3 is a circuit diagram showing a read address generation circuit. The read address generation circuit consists of an address match detection circuit 15, a counter 16, a selector 17 and a T type flip flop 18.

어드레스 일치 검출회로 (15) 에는 신호 (J) 및 입력 판독 어드레스가 입력된다. 어드레스 일치 검출 회로 (15) 는 신호 (J) 및 입력 판독 어드레스 값이 서로 일치하지 않는 경우에는 로우 레벨 신호 (a) 를 출력하고, 신호 (J) 및 입력 판독 어드레스의 값이 서로 일치하는 경우에는 하이 레벨 신호 (a) 를 출력하는 회로로서 공급된다.The signal J and an input read address are input to the address match detection circuit 15. The address coincidence detection circuit 15 outputs a low level signal a when the signal J and the input read address value do not coincide with each other, and when the value of the signal J and the input read address coincide with each other. It is supplied as a circuit for outputting the high level signal a.

하이 레벨 신호 (a) 가 카운터 (16) 에 입력된 경우, 카운터 (16) 는 다음의 판독 클록의 상승 에지에서 소정의 점프 어드레스 (여기서는 16) 를 카운터 값 (16) 으로서 출력한다. 그 후, 카운터 (16) 는 판독 클록의 리딩 에지에 응답하여 이전에 출력된 카운터 값을 증분시키고 이 증분된 결과를 출력한다. T 타입 플립플롭 (18) 은 신호 (a) 를 수신하고 신호 (b) 를 출력하는 회로로서 제공한다. 상세하게 설명하면, T 타입 플립 플롭 (18) 은 이전에 출력된 신호 (b) 의 레벨을 반전하고 하이 레벨로부터 로우 레벨로의 신호의 하강 에지에 응답하여 이 레벨이 반전된 신호를 출력한다. 선택기 (17) 는 카운터 (16) 의 출력, 신호 (b) 및 입력 판독 어드레스를 수신한다. 선택기 (17) 는 신호 (b) 레벨에 응답하여 입력 판독 어드레스와 카운터 (16) 의 출력중의 어느 하나를 생성 판독 어드레스로서 출력하는 회로로서 제공된다. 상세하게 설명하면, 선택기 (17) 는 로우 레벨 신호 (b) 가 입력된 경우에는 입력 판독 어드레스를 출력하고 하이 레벨 신호 (b) 가 입력된 경우에는 카운터 (16) 의 출력을 출력한다. 생성 판독 어드레스 단자 (20) 는 선택기 (17) 에 전기적으로 접속되어 생성 판독 어드레스가 공급된다.When the high level signal a is input to the counter 16, the counter 16 outputs a predetermined jump address (here 16) as the counter value 16 on the rising edge of the next read clock. The counter 16 then increments the previously output counter value in response to the leading edge of the read clock and outputs this incremented result. The T type flip-flop 18 serves as a circuit that receives the signal a and outputs the signal b. In detail, the T-type flip flop 18 inverts the level of the previously output signal b and outputs a signal whose level is inverted in response to the falling edge of the signal from the high level to the low level. The selector 17 receives the output of the counter 16, the signal b and the input read address. The selector 17 is provided as a circuit which outputs either the input read address or the output of the counter 16 as a generated read address in response to the signal (b) level. In detail, the selector 17 outputs an input read address when the low level signal b is input, and outputs an output of the counter 16 when the high level signal b is input. The generation read address terminal 20 is electrically connected to the selector 17 and supplied with the generation read address.

도 5 는 어드레스 일치 검출 회로 (15) 를 도시한 회로도이다.5 is a circuit diagram showing the address match detection circuit 15. As shown in FIG.

어드레스 일치 검출 회로 (15) 는 8 개의 EXNOR 회로 (151), 2 개의 NAND 회로 (152) 및 1 개의 NOR 회로 (153) 으로 이루어진다. 8 개의 EXNOR 회로 (151) 중 한쪽의 입력 (A7, A6, A5, A4, A3, A2, A1 및 A0) 에는 이진 표기된 신호로서 "J" 가 공급된다. 한편, 8 개의 EXNOR 회로 (151) 의 다른 입력(B7, B6, B5, B4, B3, B2, B1 및 B0) 에는 입력 판독 어드레스가 이진 표기된 신호로서 공급된다.The address agreement detection circuit 15 is composed of eight EXNOR circuits 151, two NAND circuits 152, and one NOR circuit 153. One input (A7, A6, A5, A4, A3, A2, A1 and A0) of the eight EXNOR circuits 151 is supplied with "J" as a binary notation signal. On the other hand, to the other inputs B7, B6, B5, B4, B3, B2, B1 and B0 of the eight EXNOR circuits 151, input read addresses are supplied as signals in binary notation.

이하, 도 6 을 참조하여 본 발명에 따른 실시예의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. 6.

도 6 은 본 발명에 따른 실시예를 도시한 2 포트 메모리의 동작을 설명한 타이밍 차트이다.6 is a timing chart illustrating the operation of a two port memory, showing an embodiment in accordance with the present invention.

타이밍 차트에 따르면, 주기 T에서 2 포트 메모리에 입력된 데이터 (10, 12, 13, …) 가 지연되고, 주기 T 의 2 배에 대응하는 주기 2T 에서 출력된다. 또한, 타이밍 차트에 따르면, 기입 어드레스는 도시되지 않은 기입 어드레스 카운터에 의해서 각 주기 (8T) 동안 반복된다.According to the timing chart, the data (10, 12, 13, ...) input to the two-port memory in the period T is delayed and output in the period 2T corresponding to twice the period T. Further, according to the timing chart, the write address is repeated for each period 8T by a write address counter not shown.

우선, 제 1 주기 동안의 2 포트 메모리의 동작을 설명한다.First, the operation of the two-port memory during the first period will be described.

이 주기는 입력 판독 어드레스와 입력 기입 어드레스간의 차의 절대값이 2 보다 큰 동안의 주기에 해당한다. 차분 회로 (1) 는 2 보다 큰 값을 지시하는 차분 신호를 출력한다. 차분 신호 값이 2 보다 크기 때문에 판정 회로 (2) 는 로우 레벨 판정 신호를 출력한다. 이 주기 동안 기입 어드레스 생성 회로의 D 타입 플립 플롭 (12) 이 로우 레벨 신호 (B) 를 출력하기 때문에, 선택기 (11) 는 D 타입 플립플롭 (13) 의 출력을 출력한다. 즉, 어드레스 생성 회로 (3) 는 입력 기입 어드레스를 기입 클록의 1 클록만큼 지연시킴으로써 얻어진 신호를 생성 기입 어드레스로서 출력한다. 또한, 판독 어드레스 생성 회로의 T 타입 플립 플롭 (18) 이 리세트되어 로우 레벨 신호 (b) 를 출력하기 때문에, 선택기 (17) 는 입력 판독 어드레스를 출력한다. 즉, 어드레스 생성 회로 (3) 는 입력 판독 어드레스를 생성 판독 어드레스로서 출력한다.This period corresponds to a period during which the absolute value of the difference between the input read address and the input write address is greater than two. The difference circuit 1 outputs a difference signal indicating a value larger than two. Since the difference signal value is larger than two, the determination circuit 2 outputs a low level determination signal. Since the D-type flip flop 12 of the write address generation circuit outputs the low level signal B during this period, the selector 11 outputs the output of the D-type flip-flop 13. That is, the address generation circuit 3 outputs a signal obtained by delaying the input write address by one clock of the write clock as the generation write address. Further, since the T-type flip flop 18 of the read address generation circuit is reset to output the low level signal b, the selector 17 outputs an input read address. That is, the address generation circuit 3 outputs the input read address as the generation read address.

다음으로, 제 2 주기 동안 2 포트 메모리의 동작을 설명한다.Next, the operation of the two-port memory during the second period will be described.

차분 회로 (1) 는 입력 판독 어드레스 "2" 및 입력 기입 어드레스 "0"의 입력과 입력 판독 어드레스 "5" 및 입력 기입 어드레스 "7"의 입력간의 시간 간격동안 2 이하의 값을 나타내는 차분 신호를 출력한다. 차분 회로 (1) 가 2 이하의 값을 나타내는 차분 신호를 출력하는 동안, 판정 회로는 하이 레벨 판정 신호를 출력한다. 먼저, 차분 회로 (1) 로부터 출력된 차분 신호 값이 제 2 주기동안 "2" 에 도달한 경우, NOR 회로 (9) 는 로우 레벨 신호 (A) 및 로우 레벨 신호 (B) 를 수신하고 하이 레벨 신호 (C) 를 출력한다. 하이 레벨 신호 (C) 에 응답하여, 래치 회로 (14) 는 그 때에 입력된 생성 기입 어드레스 "7" 을 래치한다. 래치 회로 (14) 는 래치된 생성 기입 어드레스 "7" 를 신호 (J) 로서 출력한다. 하이 레벨 신호 (C) 에 응답하여, 카운터 (10) 는 다음의 기입 클록의 상승 에지에서 소정의 점프 어드레스 "16" 를 카운터 값 "16" 으로서 출력한다. 연속해서, 카운터 (10) 는 기입 클록의 리딩 에지에 응답하여 이전에 입력된 카운터 값을 증분시키고 증분 결과를 출력한다. 선택기 (11) 가 로우 레벨 신호 (B) 를 수신하는 경우, 선택기 (11) 는 D 타입 플립 플롭 (13) 의 출력을 생성 기입 어드레스로서 출력한다. 한편, 선택기 (11) 가 하이 레벨 신호 (B) 를 수신하는 경우, 선택기 (11) 는 카운터 (10) 의 출력을 생성 기입 어드레스로서 출력한다. 다음으로, 차분 회로 (1) 는 입력 판독 어드레스 "6" 를 수신하고 입력 기입 어드레스 "0" 를 수신한다. 또한, 차분 회로 (1) 는 값이 "6" 인 차분 신호를 출력한다. 이때, 판정 회로 (2) 는 차분 신호 값이 2 보다 크기 때문에 로우 레벨 판정 신호를 출력한다. D 타입 플립플롭 (12) 이 기입 트레인 (train) 클록의 한 클록만큼 지연된 판정 신호를 출력하기 때문에, 이 D 타입 플립플롭 (12) 은, 판정 신호의 레벨이 로우로 된 후 기입 클록의 한 클록만큼 지연된 로우 레벨 신호 (B) 를 출력한다. 선택기 (11) 가 로우 레벨 신호 (B)를 수신하면, 선택기 (11) 는 플립 플롭 (13) 의 출력을 출력한다. 즉, 어드레스 생성 회로 (3) 는 입력 기입 어드레스를 기입 클록의 한 클록만큼 지연시켜 얻어진 신호를 생성 기입 어드레스로서 출력한다. 입력 판독 어드레스의 값이 제 2 주기 동안 신호 (J) 의 값 "7" 과 일치하지 않기 때문에, 어드레스 일치 검출 회로 (15) 는 로우 레벨 신호를 출력한다. T 타입 플립플롭 (18) 이 로우 레벨 신호 (b) 를 출력하기 때문에, 선택기 (17) 는 입력 판독 어드레스를 출력한다. 즉, 어드레스 생성 회로 (3) 는 제 2 주기 동안에 입력 판독 어드레스를 출력한다.The differential circuit 1 supplies a differential signal representing a value of 2 or less during the time interval between the input of the input read address “2” and the input write address “0” and the input of the input read address “5” and the input write address “7”. Output While the difference circuit 1 outputs a difference signal representing a value of 2 or less, the decision circuit outputs a high level decision signal. First, when the difference signal value output from the difference circuit 1 reaches " 2 " during the second period, the NOR circuit 9 receives the low level signal A and the low level signal B and the high level. Output the signal (C). In response to the high level signal C, the latch circuit 14 latches the generation write address " 7 " input at that time. The latch circuit 14 outputs the latched generation write address "7" as the signal J. In response to the high level signal C, the counter 10 outputs a predetermined jump address " 16 " as the counter value " 16 " on the rising edge of the next write clock. Subsequently, the counter 10 increments the previously input counter value in response to the leading edge of the write clock and outputs the incremental result. When the selector 11 receives the low level signal B, the selector 11 outputs the output of the D-type flip flop 13 as a generation write address. On the other hand, when the selector 11 receives the high level signal B, the selector 11 outputs the output of the counter 10 as a generation write address. Next, the differential circuit 1 receives the input read address "6" and receives the input write address "0". Further, the difference circuit 1 outputs a difference signal whose value is "6". At this time, the determination circuit 2 outputs a low level determination signal because the difference signal value is larger than two. Since the D-type flip-flop 12 outputs a decision signal delayed by one clock of the write train clock, this D-type flip-flop 12 has one clock of the write clock after the level of the decision signal goes low. Output the low level signal B delayed by. When the selector 11 receives the low level signal B, the selector 11 outputs the output of the flip flop 13. That is, the address generation circuit 3 outputs a signal obtained by delaying the input write address by one clock of the write clock as the generation write address. Since the value of the input read address does not coincide with the value "7" of the signal J during the second period, the address coincidence detection circuit 15 outputs a low level signal. Since the T type flip-flop 18 outputs the low level signal b, the selector 17 outputs an input read address. That is, the address generation circuit 3 outputs an input read address during the second period.

다음으로, 제 3 주기 동안의 2 포트 메모리의 동작을 설명한다.Next, the operation of the two-port memory during the third period will be described.

이 주기는 입력 판독 어드레스와 입력 기입 어드레스간의 차분 절대값이 2 보다 큰 동안의 주기에 대응한다. 차분 회로 (1) 는 2 보다 큰 값을 나타내는 차분 신호를 출력한다. 차분 신호 값이 2 이상이기 때문에, 판정 회로 (2) 는 로우 레벨 판정 신호를 출력한다. 이 주기 동안에, 기입 어드레스 생성 회로의 D 타입 플립 플롭 (12) 이 로우 레벨 신호 (B) 를 출력하기 때문에, 선택기 (11) 는 D 타입 플립 플롭 (13) 의 출력을 출력한다. 즉, 어드레스 생성 회로 (3) 는 입력 기입 어드레스를 기입 클록의 한 클록만큼 지연시킴으로써 얻어진 신호를생성 기입 어드레스로서 출력한다. 판독 어드레스 생성 회로의 어드레스 일치 검출 회로 (15) 가 입력 판독 어드레스 "7" 을 수신하는 경우, 어드레스 일치 검출 회로 (15) 는 하이 레벨 신호를 출력한다. 그후, 입력 판독 어드레스 값이 "7" 이외의 값으로 되는 경우, 어드레스 일치 검출 회로 (15) 는 로우 레벨 신호를 출력한다. 카운터 (16) 는, 어드레스 일치 검출 회로 (15) 로부터 출력된 하이 레벨 신호 (a) 에 응답하여, 이 하이 레벨 신호를 카운터 (16) 에 입력한 후의 다음 판독 클록의 상승 에지에서 소정의 점프 어드레스 (이 경우에는 16) 를 카운터 값 (16) 으로서 출력한다. 그 후, 카운터 (16) 는 판독 클록의 리딩 에지에 응답하여 이전에 출력된 카운터 값을 증분하고 증분 결과를 출력한다. T 타입 플립 플롭 (18) 은, 신호 (a) 가 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하는 것에 응답하여, 하이 레벨 신호 (b) 를 출력한다. 선택기 (17) 는 하이 레벨 신호 (b) 가 입력되는 동안 카운터 (16) 의 출력을 출력한다.This period corresponds to the period while the absolute difference value between the input read address and the input write address is greater than two. The difference circuit 1 outputs a difference signal representing a value greater than two. Since the difference signal value is two or more, the determination circuit 2 outputs a low level determination signal. During this period, since the D type flip flop 12 of the write address generation circuit outputs the low level signal B, the selector 11 outputs the output of the D type flip flop 13. That is, the address generating circuit 3 outputs a signal obtained by delaying the input write address by one clock of the write clock as the generated write address. When the address match detection circuit 15 of the read address generation circuit receives the input read address "7", the address match detection circuit 15 outputs a high level signal. Then, when the input read address value becomes a value other than "7", the address match detection circuit 15 outputs a low level signal. The counter 16 responds to the high level signal a output from the address coincidence detection circuit 15 and, at the rising edge of the next read clock after inputting the high level signal to the counter 16, the predetermined jump address. (In this case, 16) is output as the counter value (16). The counter 16 then increments the previously output counter value in response to the leading edge of the read clock and outputs the incremental result. The T type flip flop 18 outputs the high level signal b in response to the signal a transitioning from the high level to the low level. The selector 17 outputs the output of the counter 16 while the high level signal b is input.

다음으로, 제 4 주기 동안의 2 포트 메모리 동작을 설명한다.Next, the two-port memory operation during the fourth period will be described.

입력 판독 어드레스 "2" 및 입력 기입 어드레스 "0" 의 입력과 입력 판독 어드레스 "5" 및 입력 기입 어드레스 "7" 의 입력 사이의 간격동안, 차분 회로 (1) 는 2 이하의 값을 나타내는 차분 신호를 출력한다. 차분 회로 (1) 가 2 이하의 값을 나타내는 차분 신호를 출력하는 동안, 차분 회로 (2) 는 하이 레벨 판정 신호를 출력한다. 먼저, 차분 회로 (1) 로부터 출력된 차분 신호값이 제 4 주기동안 "2" 에 도달되면, NOR 회로 (9) 는 로우 레벨 신호 (A) 및 로우 레벨 신호 (B) 를 수신하고 하이 레벨 신호 (C) 를 출력한다. 이 하이 레벨 신호(C) 에 응답하여, 래치 회로 (14) 는 이 때 입력된 생성 기입 어드레스 "7" 를 래치한 다음, 이를 신호 (J) 로서 출력한다. 하이 레벨 신호 (C) 가 카운터 (10) 에 입력된 후에, 카운터 (10) 는 이후의 기입 클록의 상승 에지에서 소정의 점프 어드레스 (이 경우에서는, 16) 를 카운터 값 "16" 으로서 출력한다. 연속해서, 카운터 (10) 는 기입 클록의 리딩 에지에 응답하여 이전에 출력된 카운터 값을 증분하고 증분 결과를 출력한다. 선택기 (11) 는, 로우 레벨 신호 (B) 를 수신하는 동안, 생성 기입 어드레스로서 D 타입 플립 플롭 (13) 의 출력을 출력한다. 한편, 선택기 (11) 가 하이 레벨 신호 (B) 를 수신하면, 선택기 (11) 는 카운터 (10) 의 출력을 선택된 기입 어드레스로서 출력한다. 다음으로, 차분 회로 (1) 는, 입력 판독 어드레스 "6" 및 입력 기입 어드레스 "0" 을 수신하는 경우, 값이 "6" 인 차분 신호를 출력한다. 이때, 차분 신호 값이 2 보다 크기 때문에, 판정 회로 (2) 는 로우 레벨 판정 신호를 출력한다. D 타입 플립 플롭 (12) 이 기입 클록의 한 클록만큼 지연된 판정 신호를 출력하기 때문에, D 타입 플립 플롭 (12) 은, 판정 신호가 로우 레벨로 된 후에 기입 클록의 한 클록만큼 지연된 로우 레벨 신호 (B) 를 출력한다. 선택기 (11) 는, 로우 레벨 신호 (B) 를 수신하면, 플립 플롭 (13) 의 출력을 출력한다. T 타입 플립 플롭 (18) 이 제 4 주기 동안 하이 레벨 신호 (b) 를 출력하므로, 선택기 (17) 는 카운터 (16) 의 출력을 출력한다.During the interval between the input of the input read address "2" and the input write address "0" and the input of the input read address "5" and the input write address "7", the differential circuit 1 displays a difference signal representing a value of 2 or less. Outputs While the difference circuit 1 outputs a difference signal representing a value of 2 or less, the difference circuit 2 outputs a high level determination signal. First, when the difference signal value output from the difference circuit 1 reaches " 2 " for the fourth period, the NOR circuit 9 receives the low level signal A and the low level signal B and the high level signal. Output (C). In response to this high level signal C, the latch circuit 14 latches the generation write address " 7 " input at this time and then outputs it as the signal J. FIG. After the high level signal C is input to the counter 10, the counter 10 outputs a predetermined jump address (in this case 16) as the counter value "16" on the rising edge of the subsequent write clock. Subsequently, the counter 10 increments the previously output counter value in response to the leading edge of the write clock and outputs the incremental result. The selector 11 outputs the output of the D-type flip flop 13 as a generation write address while receiving the low level signal B. As shown in FIG. On the other hand, when the selector 11 receives the high level signal B, the selector 11 outputs the output of the counter 10 as the selected write address. Next, when the difference circuit 1 receives the input read address "6" and the input write address "0", the difference circuit 1 outputs a difference signal whose value is "6". At this time, since the difference signal value is larger than 2, the determination circuit 2 outputs a low level determination signal. Since the D-type flip flop 12 outputs a determination signal delayed by one clock of the write clock, the D-type flip flop 12 is a low-level signal (delayed by one clock of the write clock after the determination signal becomes low level). Output B). When the selector 11 receives the low level signal B, the selector 11 outputs the output of the flip flop 13. Since the T type flip flop 18 outputs the high level signal b during the fourth period, the selector 17 outputs the output of the counter 16.

다음으로, 제 5 주기 동안의 2 포트 메모리의 동작을 설명한다.Next, the operation of the two-port memory during the fifth period will be described.

이 주기는 입력 판독 어드레스와 입력 기입 어드레스간의 차의 절대값이 2보다 큰 동안의 주기에 대응한다. 차분 회로 (1) 는 2 보다 큰 값을 나타내는 차분 신호를 출력한다. 판정 회로 (2) 는 차분 신호 값이 2 보다 크기 때문에 로우 레벨 판정 신호를 출력한다. 이 주기동안 기입 어드레스 생성 회로의 D 타입 플립 플롭 (12) 이 로우 레벨 신호 (B) 를 출력하므로, 선택기 (11) 는 D 타입 플립 플롭 (13) 의 출력을 출력한다. 즉, 어드레스 생성 회로 (3) 는 입력 기입 어드레스를 기입 클록의 한 클록만큼 지연시키므로써 얻어진 신호를 생성 기입 어드레스로서 출력한다. 어드레스 일치 검출 회로 (15) 는, 입력 판독 어드레스의 값 "7" 을 수신하는 경우, 하이 레벨 신호를 출력한다. 그후, 입력 판독 어드레스 값이 "7" 이외의 값으로 되는 경우, 어드레스 일치 검출 회로 (15) 는 로우 레벨 신호를 출력한다. 카운터 (16) 는, 하이 레벨 신호 (a) 에 응답하여, 이하이 레벨 신호 (a)를 카운터 (16) 에 입력한 후의 다음 판독 클록의 상승 에지에서 소정의 점프 어드레스 (이 경우에서는, 16) 를 카운터 값 (16) 으로서 출력한다. 그후, 카운터 (16) 는 판독 클록의 리딩 에지에 응답하여 이전에 출력된 카운터 값을 증분하고 증분 결과를 출력한다. T 타입 플립 플립 (18) 은, 신호 (a) 가 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하는 것에 응답하여, 로우 레벨 신호 (b) 를 출력한다. 로우 레벨 신호 (b) 는 선택기 (17) 에 입력되면, 선택기 (17) 는 입력 판독 어드레스를 생성 판독 어드레스로서 출력한다.This period corresponds to the period while the absolute value of the difference between the input read address and the input write address is greater than two. The difference circuit 1 outputs a difference signal representing a value greater than two. The determination circuit 2 outputs a low level determination signal because the difference signal value is larger than two. During this period, since the D type flip flop 12 of the write address generation circuit outputs the low level signal B, the selector 11 outputs the output of the D type flip flop 13. That is, the address generation circuit 3 outputs the signal obtained by delaying the input write address by one clock of the write clock as the generation write address. The address agreement detection circuit 15 outputs a high level signal when it receives the value "7" of the input read address. Then, when the input read address value becomes a value other than "7", the address match detection circuit 15 outputs a low level signal. The counter 16, in response to the high level signal a, follows the predetermined jump address (in this case 16) at the rising edge of the next read clock after inputting the level signal a to the counter 16. It outputs as a counter value (16). The counter 16 then increments the previously output counter value in response to the leading edge of the read clock and outputs the incremental result. The T type flip flip 18 outputs the low level signal b in response to the signal a transitioning from the high level to the low level. When the low level signal b is input to the selector 17, the selector 17 outputs an input read address as a generation read address.

제 1 내지 제 5 주기동안, 기입 어드레스 디코더 (5) 는 생성 기입 어드레스를 디코드하고 판독 어드레스 디코더 (4) 는 생성 판독 어드레스를 디코드한다. 또한, 메모리 (7) 는 기입 어드레스 디코더 (5) 의 출력에 대응하는 어드레스에 입력 데이터를 저장하고 판독 어드레스 디코더 (4) 의 출력에 대응하는 어드레스로부터 데이터를 출력한다.During the first to fifth periods, the write address decoder 5 decodes the generation write address and the read address decoder 4 decodes the generation read address. In addition, the memory 7 stores input data at an address corresponding to the output of the write address decoder 5 and outputs data from an address corresponding to the output of the read address decoder 4.

예시적인 실시예를 참조하여 본 발명을 설명했지만, 이러한 설명을 한정적인 의미로 해석해서는 안된다. 예시적인 실시예 뿐만 아니라 본 발명의 다른 실시예도 현 설명을 참조로하여 당해 기술 분야에 숙력된자에게 다양한 변경이 가능한 것은 명백하다. 따라서, 첨부된 청구항은 발명의 실질적인 범주내에서 임의의 변경을 커버하는 것으로 이해되어져야 한다.Although the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, such description should not be interpreted in a limiting sense. It is apparent that various modifications can be made by those skilled in the art with reference to the present description as well as exemplary embodiments. Accordingly, the appended claims should be understood to cover any modifications within the substantial scope of the invention.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 2 포트 메모리는, 입력 판독 어드레스와 입력 기입 어드레스간의 차가 소정의 값을 초과하는 경우, 소망의 어드레스 차를 갖는 2 개의 어드레스를 메모리에 공급한다. 따라서, 메모리에 공급된 어드레스간의 충돌이 방지될 수 있기 때문에, 기억 장치의 오동작을 방지할 수 있다. 또한, 2 포트 메모리의 사용에 있어서 어드레스 제어를 검토할 필요가 없어지기 때문에, 시스템의 구축이 용이하게 된다.As described above, the two-port memory according to the embodiment of the present invention supplies two addresses having a desired address difference to the memory when the difference between the input read address and the input write address exceeds a predetermined value. Therefore, since a collision between addresses supplied to the memory can be prevented, malfunction of the storage device can be prevented. In addition, since there is no need to examine address control in the use of the two-port memory, the system can be easily constructed.

Claims (3)

입력 판독 어드레스 신호와 입력 기입 어드레스 신호간의 차분값에 대응하는 값을 갖는 신호를 출력하기 위한 차분 회로,A differential circuit for outputting a signal having a value corresponding to the difference value between the input read address signal and the input write address signal; 상기 차분 회로로부터 출력된 신호값이 소정의 값 내에 있는 경우에는 제 1 레벨을 갖는 판정 신호를 출력하고, 상기 값이 소정의 값을 초과한 경우에는 제 2 레벨을 갖는 판정 신호를 출력하기 위한 판정 회로,A determination for outputting a determination signal having a first level when the signal value output from the difference circuit is within a predetermined value and a determination signal for outputting a determination signal having a second level when the value exceeds a predetermined value Circuit, 상기 입력 기입 어드레스 신호, 상기 입력 판독 어드레스 신호 및 상기 판정 신호를 수신하고, 상기 입력 기입 어드레스 신호와 상기 입력 판독 어드레스 신호간의 차분값에 무관하게 적어도 소정의 값을 초과하는 신호값의 차를 갖는 생성 기입 및 판독 어드레스를 출력하기 위한 어드레스 생성 회로,A generation having received the input write address signal, the input read address signal and the determination signal and having a difference in signal value exceeding at least a predetermined value regardless of the difference between the input write address signal and the input read address signal An address generation circuit for outputting write and read addresses, 상기 생성 기입 어드레스를 디코딩하기 위한 기입 어드레스 디코더,A write address decoder for decoding the generated write address; 상기 생성 판독 어드레스를 디코딩하기 위한 판독 어드레스 디코더, 및A read address decoder for decoding said generated read address, and 상기 기입 어드레스 디코더로부터 생성된 출력에 대응하는 어드레스에 입력 데이터를 저장하고 상기 판독 어드레스 디코더로부터 생성된 출력에 대응하는 어드레스로부터 출력 데이터를 출력하기 위한 메모리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기억 장치.And a memory for storing input data at an address corresponding to the output generated from the write address decoder and outputting the output data from an address corresponding to the output generated from the read address decoder. 입력 판독 어드레스 신호와 입력 기입 어드레스 신호간의 차분값에 대응하는 값을 갖는 신호를 출력하기 위한 차분 회로,A differential circuit for outputting a signal having a value corresponding to the difference value between the input read address signal and the input write address signal; 상기 차분 회로로부터 출력된 신호값이 소정의 값 내에 있는 경우에는 제 1 레벨을 갖는 판정 신호를 출력하고, 상기 값이 소정의 값을 초과한 경우에는 제 2 레벨을 갖는 판정 신호를 출력하기 위한 판정 회로,A determination for outputting a determination signal having a first level when the signal value output from the difference circuit is within a predetermined value and a determination signal for outputting a determination signal having a second level when the value exceeds a predetermined value Circuit, 상기 입력 기입 어드레스 신호, 상기 입력 판독 회로 어드레스 신호 및 상기 판정 신호를 수신하고, 생성 판독 어드레스 단자로부터 생성 판독 어드레스 신호를 출력하며, 상기 제 1 레벨을 갖는 상기 판정 신호에 응답하여 생성 기입 어드레스 단자로부터, 적어도 소정의 값을 초과한 상기 제 1 값을 갖는 신호와 상기 입력 기입 어드레스 신호간의 차분값으로 설정된 제 1 값을 갖는 신호를 출력하고, 상기 제 2 레벨을 갖는 상기 판정 신호에 응답하여 상기 생성 기입 어드레스 단자로부터 상기 입력 기입 어드레스에 대응하는 신호를 출력하기 위한 어드레스 생성회로,Receives the input write address signal, the input read circuit address signal and the determination signal, outputs a generation read address signal from a generation read address terminal, and generates a generation read address signal from the generation write address terminal in response to the determination signal having the first level. Output a signal having a first value set as a difference value between the signal having the first value exceeding a predetermined value and the input write address signal, and generating the response in response to the determination signal having the second level. An address generation circuit for outputting a signal corresponding to the input write address from a write address terminal, 상기 생성 기입 어드레스 단자로부터 얻어진 출력을 디코딩하기 위한 기입 어드레스 디코더,A write address decoder for decoding the output obtained from the generation write address terminal, 상기 생성 판독 어드레스 단자로부터 얻어진 출력을 디코딩하기 위한 판독 어드레스 디코더, 및A read address decoder for decoding the output obtained from said generated read address terminal, and 상기 기입 어드레스 디코더로부터 생성된 출력에 대응하는 어드레스에 입력 데이터를 저장하고 상기 판독 어드레스 디코더로부터 생성된 출력에 대응하는 어드레스에 저장된 입력 데이터를 출력하기 위한 메모리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기억 장치.And a memory for storing input data at an address corresponding to the output generated from the write address decoder and outputting the input data stored at an address corresponding to the output generated from the read address decoder. 입력 판독 어드레스 신호와 상기 입력 판독 어드레스 신호와는 주기가 다른입력 기입 어드레스 신호간의 차분값이 소정의 값을 초과하는 것에 응답하여 상기 입력 판독 어드레스 신호에 대응하는 신호 및 상기 입력 기입 어드레스 신호에 대응하는 신호를 메모리에 공급하는 단계, 및A signal corresponding to the input read address signal and the input write address signal in response to a difference value between an input read address signal and an input write address signal having a period different from the input read address signal exceeds a predetermined value; Supplying a signal to the memory, and 상기 차분값이 소정의 값내에 있는 것에 응답하여, 적어도 상기 소정의 값을 초과하는 차분 신호값을 가지며 상기 메모리로부터 데이터를 판독하고 상기 메모리에 데이터를 기입하는데 사용되는 생성 판독 어드레스 및 생성 기입 어드레스를 상기 메모리에 공급하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기억 장치 제어 방법.In response to the difference value being within a predetermined value, generating a generation read address and a generation write address having a difference signal value that exceeds at least the predetermined value and used to read data from and write data to the memory. And supplying the memory to the memory.
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JPH05135583A (en) * 1991-11-15 1993-06-01 Oki Electric Ind Co Ltd Memory access system

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05135583A (en) * 1991-11-15 1993-06-01 Oki Electric Ind Co Ltd Memory access system

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