KR100338402B1 - Memory device and method of controlling the same - Google Patents
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Abstract
메모리는 입력 판독 어드레스 신호와 입력 기입 어드레스 신호사이의 차분 값에 대응하는 신호를 출력하기 위한 차분회로, 차분 회로의 출력에 응답하여 판정 신호를 출력하기 위한 판정 회로, 및 입력 판독 어드레스 신호, 입력 기입 어드레스 신호 및 판정 회로에 근거하여, 부여되거나 또는 보다 큰 차분 신호 값을 갖는 생성 기입 어드레스 및 생성 판독 어드레스를 출력하기 위한 어드레스 생성 회로로 이루어진다.The memory includes a differential circuit for outputting a signal corresponding to the difference value between the input read address signal and the input write address signal, a decision circuit for outputting a determination signal in response to the output of the differential circuit, and an input read address signal, input write Based on the address signal and the determination circuit, an address generation circuit for outputting a generation write address and a generation read address having a given or greater difference signal value is made.
Description
본 발명은 비디오 시스템 등의 데이터 지연 회로에 사용되는 다중 포트 메모리를 제어하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for controlling a multi-port memory for use in data delay circuits such as video systems.
종래 다중 포트 메모리의 일실시예를 나타내는 다중 포트 메모리 (이하, "2 포트 메모리" 라 칭함) 는 판독 디코더 및 기입 디코더를 구비하며, 동일 주기 동안 판독 처리 및 기입 처리의 실행이 가능하다.The multi-port memory (hereinafter referred to as "two-port memory"), which represents one embodiment of the conventional multi-port memory, has a read decoder and a write decoder, and can execute read processing and write processing for the same period.
본 발명의 목적은, 메모리에 공급된 판독 어드레스 및 기입 어드레스의 주기가 서로 상이한 경우, 판독될 데이터가 판독 어드레스와 기입 어드레스의 일치에 인하여 손상되거나, 기록과 동시에 판독되는 문제를 회피하는데 있다.It is an object of the present invention to avoid the problem that data to be read is damaged due to matching of the read address and the write address or read simultaneously with writing when the periods of the read address and the write address supplied to the memory are different from each other.
도 1 은 본 발명의 실시예를 도시한 2 포트 메모리의 개략적인 블록도.1 is a schematic block diagram of a two port memory illustrating an embodiment of the invention.
도 2 는 기입 어드레스 생성 회로의 블록도.2 is a block diagram of a write address generation circuit.
도 3 은 판독 어드레스 생성 회로의 블록도.3 is a block diagram of a read address generation circuit.
도 4 는 어드레스 일치 검출 회로 (8) 의 회로도.4 is a circuit diagram of an address
도 5 는 어드레스 일치 검출 회로 (15) 의 회로도.5 is a circuit diagram of an address
도 6 은 본 발명의 실시예를 도시한 2 포트 메모리의 동작을 표시한 타이밍 차트.Fig. 6 is a timing chart showing the operation of a two port memory showing an embodiment of the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
1 : 차분 회로1: differential circuit
2 : 판정 회로2: judgment circuit
3 : 어드레스 생성 회로3: address generation circuit
4 : 판독 어드레스 디코더4: read address decoder
5 : 기입 어드레스 디코더5: write address decoder
6 : 입출력 회로6: input / output circuit
7 : 메모리7: memory
본 발명의 일 형태에 따르면, 상기 목적을 달성하기 위해서,According to one aspect of the present invention, in order to achieve the above object,
입력 판독 어드레스 신호와 입력 기입 어드레스 신호간의 차분 값에 대응하는 값을 갖는 신호를 출력하기 위한 차분 회로,A differential circuit for outputting a signal having a value corresponding to the difference value between the input read address signal and the input write address signal,
차분 회로로부터 출력된 신호값이 소정의 값 내에 있는 경우 제 1 레벨을 갖는 판정 신호를 출력하고 상기 값이 소정의 값을 초과한 경우 제 2 레벨을 갖는 판정 신호를 출력하기 위한 판정 회로,A determination circuit for outputting a determination signal having a first level when the signal value output from the difference circuit is within a predetermined value, and outputting a determination signal having a second level when the value exceeds the predetermined value;
입력 기입 어드레스 신호, 입력 판독 어드레스 신호 및 판정 신호를 수신하고, 입력 기입 어드레스 신호와 입력 판독 어드레스 신호간의 차분값에 무관하게 적어도 소정의 값을 초과하는 신호값의 차를 갖는 생성 기입 및 판독 어드레스를 출력하기 위한 어드레스 생성 회로,Receives an input write address signal, an input read address signal and a determination signal, and generates a write and read address having a difference in signal value exceeding at least a predetermined value regardless of the difference value between the input write address signal and the input read address signal; Address generation circuit for outputting,
생성 기입 어드레스를 디코딩하기 위한 기입 어드레스 디코더,A write address decoder for decoding the generated write address,
생성 판독 어드레스를 디코딩하기 위한 판독 어드레스 디코더, 및A read address decoder for decoding the generated read address, and
기입 어드레스 디코더로부터 생성된 출력에 대응하는 어드레스에 입력 데이터를 저장하고 판독 어드레스 디코더로부터 생성된 출력에 대응하는 어드레스로부터 출력 데이터를 출력하기 위한 메모리를 구비하는 기억 장치가 제공된다.A storage device is provided having a memory for storing input data at an address corresponding to an output generated from a write address decoder and outputting output data from an address corresponding to an output generated from a read address decoder.
이하, 발명을 적용한 다양한 발명중에 전형적인 하나를 간략히 설명한다. 그러나, 본 출원의 다양한 발명 및 이들 발명의 특정 구성은 이하 설명으로부터 이해되어질 것이다.Hereinafter, one typical of various inventions to which the invention is applied will be briefly described. However, various inventions and specific configurations of these inventions will be understood from the following description.
명세서는 본 발명의 개념 내용을 특정하는 청구항을 포함하며, 본 발명의 목적 및 특징, 본 발명의 또다른 목적, 특징, 및 이점은 첨부된 도면을 참조로 하여 이하 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.The specification includes claims that specify the subject matter of the invention, and the objects and features of the invention, further objects, features, and advantages of the invention will become apparent from the following description with reference to the accompanying drawings.
이하, 본 발명의 바람직한 일실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1 은 본 발명의 일실시예를 도시한 2 포트 메모리의 개략적인 블록도이다.Figure 1 is a schematic block diagram of a two port memory illustrating one embodiment of the present invention.
2 포트 메모리는 차분 회로 (1), 판정 회로 (2), 어드레스 생성 회로 (3), 판독 어드레스 디코더 (4), 기입 어드레스 디코더 (5), 입력/출력 회로 (6) 및 메모리 또는 저장부 (7) 로 이루어진다.The two-port memory includes a differential circuit (1), a determination circuit (2), an address generating circuit (3), a read address decoder (4), a write address decoder (5), an input / output circuit (6) and a memory or storage section ( 7) consists of.
차분 회로 (1) 는 입력 판독 어드레스와 입력 기입 어드레스간의 차의 절대값을 나타내는 차분 신호를 출력하는 회로로서 제공된다. 판정회로 (2) 는 차분 신호의 값이 소정의 값 (현 실시예에서는 2) 을 초과하는 지의 여부를 나타내는 판정신호를 출력하는 회로로서 제공된다. 상세하게 설명하면, 판정 회로 (2) 는 차분 신호 값이 2 보다 큰 경우 로우 레벨 판정 신호를 출력하고 차분 신호 값이 2 이하인 경우 하이 레벨 판정 신호를 출력한다. 어드레스 생성 회로 (3) 는 판독 어드레스 생성 회로 및 기입 어드레스 생성 회로로 이루어진다. 어드레스 생성 회로 (3) 는 입력 판독 어드레스, 입력 기입 어드레스, 판정 신호 및 차분 신호에 근거하여 생성 판독 어드레스 및 생성 기입 어드레스를 출력하는 회로로서 제공된다. 입력/출력 회로 (6) 는 외부로부터 데이터를 입력하고 이 데이터를 메모리 (7) 로 출력하며, 메모리 (7) 로부터 출력된 데이터를 입력하고 이 데이터를 외부로 출력하는 회로로서 제공된다. 판독 어드레스 디코더 (4) 는 생성 판독 어드레스를 디코딩하는 회로로서 제공된다. 기입 어드레스 디코더 (5) 는 생성 기입 어드레스를 디코딩하는 회로이다. 메모리 (7) 는 입력/출력 회로 (6) 로부터 출력된 데이터를 기입 어드레스 디코더 (5) 에 의해 지정된 어드레스에 기입하고, 판독 어드레스 디코더 (4) 에 의해서 지정된 어드레스에 저장된 데이터를 출력하는 회로로서 제공된다.The
도 2 는 기입 어드레스 생성 회로의 회로도이다.2 is a circuit diagram of a write address generation circuit.
기입 어드레스 생성 회로는 어드레스 일치 검출 회로 (8), NOR 회로 (9), 카운터 (10), D 타입 플립플롭 (12 및 13), 래치 회로 (14) 및 선택기 (11) 로이루어진다. 어드레스 일치 검출 회로 (8) 는 차분 신호 값이 소정의 값 "2" 와 일치하는지를 나타내는 신호 (A) 를 출력하는 회로로서 제공된다. 상세하게 설명하면, 어드레스 일치 검출 회로 (8) 는 판정 회로 (2) 의 출력이 설정 값 "2" 와 일치하는 경우 로우 레벨 신호 (A) 를 출력하고, 판정 회로 (2) 의 출력이 설정 값 "2" 와 일치하지 않는 경우 하이 레벨 신호 (A) 를 출력한다. D 타입 플립플롭 (12) 은 판정 신호 및 기입 클록을 수신하고, 이 판정 신호를 기입 클록의 1 클록만큼 지연시킨 신호 (B) 를 출력하는 회로이다. NOR 회로 (9) 는 신호 (A) 와 신호 (B) 의 NOR 를 실행하여 신호 (C) 를 출력하는 회로로서 제공된다. 하이 레벨 신호 (C) 가 카운터 (10) 에 입력되는 경우, 카운터 (10) 는 그 다음의 기입 클록의 상승 에지에서 소정의 점프 어드레스 "16" 를 카운터 값 "16" 으로서 출력한다. 그후, 카운터 (10) 는 기입 클록의 리딩 에지에 응답하여 이전에 출력된 카운터 값을 증분시키고 증분된 결과를 출력한다. D 타입 플립 플롭 (13) 은 입력 기입 어드레스 및 기입 클록을 수신하고, 입력 기입 어드레스를 기입 클록의 1 클록만큼 지연시킨 신호를 출력하는 회로로서 제공된다. 선택기 (11) 는 카운터 (10) 의 출력 및 D 타입 플립 플롭 (12 내지 13) 의 출력을 수신하고, D 타입 플립 플롭 (12) 의 출력에 대응하는 신호 (B) 에 응답하여 카운터 (10) 및 D 타입 플립 플롭 (13) 의 출력중 하나를 생성 기입 어드레스로서 출력한다. 상세하게 설명하면, 선택기 (11) 는 로우 레벨 신호 (B) 가 선택기 (11) 에 입력된 경우에는 D 타입 플립플롭 (13) 의 출력을 출력하고, 하이 레벨 신호 (B) 는 선택기 (11) 에 입력된 경우에는 카운터 (10) 의 출력을 출력한다. 생성 기입어드레스 단자 (19) 는 생성 기입 어드레스를 공급받기 위하여 선택기 (11) 에 전기적으로 접속된다. 래치 회로 (14) 는 생성 기입 어드레스 및 신호 (C) 를 수신한다. 하이 레벨 신호 (C) 가 래치 회로 (14) 에 입력되는 경우, 래치 회로 (14) 는 여기에 입력 생성 기입 어드레스를 래치한 다음, 래치된 생성 기입 어드레스를 신호 (J) 로서 출력한다.The write address generation circuit consists of the address
도 4 는 어드레스 일치 검출 회로 (8) 를 도시한 회로도이다.4 is a circuit diagram showing the address
어드레스 일치 검출 회로 (8) 는 8 개의 EXOR 회로 (81), 2 개의 NOR 회로 (82) 및 1 개의 NAND 회로 (83) 로 이루어진다. 8 개의 EXOR 회로 (81) 의 한 쪽의 입력 (A7, A6, A5, A4, A3, A2, A1 및 A0) 에는 (00000010) 의 형태로 표시되는 이진 표기 신호로서 설정값 <2> 이 공급된다. 한편, 8 개의 EXOR 회로 (81) 의 다른쪽 입력 (B7, B6, B5, B4, B3, B2, B1 및 B0) 에는 차분신호가 이진 표기된 신호로서 공급된다.The address
도 3 은 판독 어드레스 생성 회로를 도시한 회로도이다. 판독 어드레스 생성 회로는 어드레스 일치 검출 회로 (15), 카운터 (16), 선택기 (17) 및 T 타입 플립 플롭 (18) 으로 이루어진다.3 is a circuit diagram showing a read address generation circuit. The read address generation circuit consists of an address
어드레스 일치 검출회로 (15) 에는 신호 (J) 및 입력 판독 어드레스가 입력된다. 어드레스 일치 검출 회로 (15) 는 신호 (J) 및 입력 판독 어드레스 값이 서로 일치하지 않는 경우에는 로우 레벨 신호 (a) 를 출력하고, 신호 (J) 및 입력 판독 어드레스의 값이 서로 일치하는 경우에는 하이 레벨 신호 (a) 를 출력하는 회로로서 공급된다.The signal J and an input read address are input to the address
하이 레벨 신호 (a) 가 카운터 (16) 에 입력된 경우, 카운터 (16) 는 다음의 판독 클록의 상승 에지에서 소정의 점프 어드레스 (여기서는 16) 를 카운터 값 (16) 으로서 출력한다. 그 후, 카운터 (16) 는 판독 클록의 리딩 에지에 응답하여 이전에 출력된 카운터 값을 증분시키고 이 증분된 결과를 출력한다. T 타입 플립플롭 (18) 은 신호 (a) 를 수신하고 신호 (b) 를 출력하는 회로로서 제공한다. 상세하게 설명하면, T 타입 플립 플롭 (18) 은 이전에 출력된 신호 (b) 의 레벨을 반전하고 하이 레벨로부터 로우 레벨로의 신호의 하강 에지에 응답하여 이 레벨이 반전된 신호를 출력한다. 선택기 (17) 는 카운터 (16) 의 출력, 신호 (b) 및 입력 판독 어드레스를 수신한다. 선택기 (17) 는 신호 (b) 레벨에 응답하여 입력 판독 어드레스와 카운터 (16) 의 출력중의 어느 하나를 생성 판독 어드레스로서 출력하는 회로로서 제공된다. 상세하게 설명하면, 선택기 (17) 는 로우 레벨 신호 (b) 가 입력된 경우에는 입력 판독 어드레스를 출력하고 하이 레벨 신호 (b) 가 입력된 경우에는 카운터 (16) 의 출력을 출력한다. 생성 판독 어드레스 단자 (20) 는 선택기 (17) 에 전기적으로 접속되어 생성 판독 어드레스가 공급된다.When the high level signal a is input to the
도 5 는 어드레스 일치 검출 회로 (15) 를 도시한 회로도이다.5 is a circuit diagram showing the address
어드레스 일치 검출 회로 (15) 는 8 개의 EXNOR 회로 (151), 2 개의 NAND 회로 (152) 및 1 개의 NOR 회로 (153) 으로 이루어진다. 8 개의 EXNOR 회로 (151) 중 한쪽의 입력 (A7, A6, A5, A4, A3, A2, A1 및 A0) 에는 이진 표기된 신호로서 "J" 가 공급된다. 한편, 8 개의 EXNOR 회로 (151) 의 다른 입력(B7, B6, B5, B4, B3, B2, B1 및 B0) 에는 입력 판독 어드레스가 이진 표기된 신호로서 공급된다.The address
이하, 도 6 을 참조하여 본 발명에 따른 실시예의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. 6.
도 6 은 본 발명에 따른 실시예를 도시한 2 포트 메모리의 동작을 설명한 타이밍 차트이다.6 is a timing chart illustrating the operation of a two port memory, showing an embodiment in accordance with the present invention.
타이밍 차트에 따르면, 주기 T에서 2 포트 메모리에 입력된 데이터 (10, 12, 13, …) 가 지연되고, 주기 T 의 2 배에 대응하는 주기 2T 에서 출력된다. 또한, 타이밍 차트에 따르면, 기입 어드레스는 도시되지 않은 기입 어드레스 카운터에 의해서 각 주기 (8T) 동안 반복된다.According to the timing chart, the data (10, 12, 13, ...) input to the two-port memory in the period T is delayed and output in the period 2T corresponding to twice the period T. Further, according to the timing chart, the write address is repeated for each period 8T by a write address counter not shown.
우선, 제 1 주기 동안의 2 포트 메모리의 동작을 설명한다.First, the operation of the two-port memory during the first period will be described.
이 주기는 입력 판독 어드레스와 입력 기입 어드레스간의 차의 절대값이 2 보다 큰 동안의 주기에 해당한다. 차분 회로 (1) 는 2 보다 큰 값을 지시하는 차분 신호를 출력한다. 차분 신호 값이 2 보다 크기 때문에 판정 회로 (2) 는 로우 레벨 판정 신호를 출력한다. 이 주기 동안 기입 어드레스 생성 회로의 D 타입 플립 플롭 (12) 이 로우 레벨 신호 (B) 를 출력하기 때문에, 선택기 (11) 는 D 타입 플립플롭 (13) 의 출력을 출력한다. 즉, 어드레스 생성 회로 (3) 는 입력 기입 어드레스를 기입 클록의 1 클록만큼 지연시킴으로써 얻어진 신호를 생성 기입 어드레스로서 출력한다. 또한, 판독 어드레스 생성 회로의 T 타입 플립 플롭 (18) 이 리세트되어 로우 레벨 신호 (b) 를 출력하기 때문에, 선택기 (17) 는 입력 판독 어드레스를 출력한다. 즉, 어드레스 생성 회로 (3) 는 입력 판독 어드레스를 생성 판독 어드레스로서 출력한다.This period corresponds to a period during which the absolute value of the difference between the input read address and the input write address is greater than two. The
다음으로, 제 2 주기 동안 2 포트 메모리의 동작을 설명한다.Next, the operation of the two-port memory during the second period will be described.
차분 회로 (1) 는 입력 판독 어드레스 "2" 및 입력 기입 어드레스 "0"의 입력과 입력 판독 어드레스 "5" 및 입력 기입 어드레스 "7"의 입력간의 시간 간격동안 2 이하의 값을 나타내는 차분 신호를 출력한다. 차분 회로 (1) 가 2 이하의 값을 나타내는 차분 신호를 출력하는 동안, 판정 회로는 하이 레벨 판정 신호를 출력한다. 먼저, 차분 회로 (1) 로부터 출력된 차분 신호 값이 제 2 주기동안 "2" 에 도달한 경우, NOR 회로 (9) 는 로우 레벨 신호 (A) 및 로우 레벨 신호 (B) 를 수신하고 하이 레벨 신호 (C) 를 출력한다. 하이 레벨 신호 (C) 에 응답하여, 래치 회로 (14) 는 그 때에 입력된 생성 기입 어드레스 "7" 을 래치한다. 래치 회로 (14) 는 래치된 생성 기입 어드레스 "7" 를 신호 (J) 로서 출력한다. 하이 레벨 신호 (C) 에 응답하여, 카운터 (10) 는 다음의 기입 클록의 상승 에지에서 소정의 점프 어드레스 "16" 를 카운터 값 "16" 으로서 출력한다. 연속해서, 카운터 (10) 는 기입 클록의 리딩 에지에 응답하여 이전에 입력된 카운터 값을 증분시키고 증분 결과를 출력한다. 선택기 (11) 가 로우 레벨 신호 (B) 를 수신하는 경우, 선택기 (11) 는 D 타입 플립 플롭 (13) 의 출력을 생성 기입 어드레스로서 출력한다. 한편, 선택기 (11) 가 하이 레벨 신호 (B) 를 수신하는 경우, 선택기 (11) 는 카운터 (10) 의 출력을 생성 기입 어드레스로서 출력한다. 다음으로, 차분 회로 (1) 는 입력 판독 어드레스 "6" 를 수신하고 입력 기입 어드레스 "0" 를 수신한다. 또한, 차분 회로 (1) 는 값이 "6" 인 차분 신호를 출력한다. 이때, 판정 회로 (2) 는 차분 신호 값이 2 보다 크기 때문에 로우 레벨 판정 신호를 출력한다. D 타입 플립플롭 (12) 이 기입 트레인 (train) 클록의 한 클록만큼 지연된 판정 신호를 출력하기 때문에, 이 D 타입 플립플롭 (12) 은, 판정 신호의 레벨이 로우로 된 후 기입 클록의 한 클록만큼 지연된 로우 레벨 신호 (B) 를 출력한다. 선택기 (11) 가 로우 레벨 신호 (B)를 수신하면, 선택기 (11) 는 플립 플롭 (13) 의 출력을 출력한다. 즉, 어드레스 생성 회로 (3) 는 입력 기입 어드레스를 기입 클록의 한 클록만큼 지연시켜 얻어진 신호를 생성 기입 어드레스로서 출력한다. 입력 판독 어드레스의 값이 제 2 주기 동안 신호 (J) 의 값 "7" 과 일치하지 않기 때문에, 어드레스 일치 검출 회로 (15) 는 로우 레벨 신호를 출력한다. T 타입 플립플롭 (18) 이 로우 레벨 신호 (b) 를 출력하기 때문에, 선택기 (17) 는 입력 판독 어드레스를 출력한다. 즉, 어드레스 생성 회로 (3) 는 제 2 주기 동안에 입력 판독 어드레스를 출력한다.The
다음으로, 제 3 주기 동안의 2 포트 메모리의 동작을 설명한다.Next, the operation of the two-port memory during the third period will be described.
이 주기는 입력 판독 어드레스와 입력 기입 어드레스간의 차분 절대값이 2 보다 큰 동안의 주기에 대응한다. 차분 회로 (1) 는 2 보다 큰 값을 나타내는 차분 신호를 출력한다. 차분 신호 값이 2 이상이기 때문에, 판정 회로 (2) 는 로우 레벨 판정 신호를 출력한다. 이 주기 동안에, 기입 어드레스 생성 회로의 D 타입 플립 플롭 (12) 이 로우 레벨 신호 (B) 를 출력하기 때문에, 선택기 (11) 는 D 타입 플립 플롭 (13) 의 출력을 출력한다. 즉, 어드레스 생성 회로 (3) 는 입력 기입 어드레스를 기입 클록의 한 클록만큼 지연시킴으로써 얻어진 신호를생성 기입 어드레스로서 출력한다. 판독 어드레스 생성 회로의 어드레스 일치 검출 회로 (15) 가 입력 판독 어드레스 "7" 을 수신하는 경우, 어드레스 일치 검출 회로 (15) 는 하이 레벨 신호를 출력한다. 그후, 입력 판독 어드레스 값이 "7" 이외의 값으로 되는 경우, 어드레스 일치 검출 회로 (15) 는 로우 레벨 신호를 출력한다. 카운터 (16) 는, 어드레스 일치 검출 회로 (15) 로부터 출력된 하이 레벨 신호 (a) 에 응답하여, 이 하이 레벨 신호를 카운터 (16) 에 입력한 후의 다음 판독 클록의 상승 에지에서 소정의 점프 어드레스 (이 경우에는 16) 를 카운터 값 (16) 으로서 출력한다. 그 후, 카운터 (16) 는 판독 클록의 리딩 에지에 응답하여 이전에 출력된 카운터 값을 증분하고 증분 결과를 출력한다. T 타입 플립 플롭 (18) 은, 신호 (a) 가 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하는 것에 응답하여, 하이 레벨 신호 (b) 를 출력한다. 선택기 (17) 는 하이 레벨 신호 (b) 가 입력되는 동안 카운터 (16) 의 출력을 출력한다.This period corresponds to the period while the absolute difference value between the input read address and the input write address is greater than two. The
다음으로, 제 4 주기 동안의 2 포트 메모리 동작을 설명한다.Next, the two-port memory operation during the fourth period will be described.
입력 판독 어드레스 "2" 및 입력 기입 어드레스 "0" 의 입력과 입력 판독 어드레스 "5" 및 입력 기입 어드레스 "7" 의 입력 사이의 간격동안, 차분 회로 (1) 는 2 이하의 값을 나타내는 차분 신호를 출력한다. 차분 회로 (1) 가 2 이하의 값을 나타내는 차분 신호를 출력하는 동안, 차분 회로 (2) 는 하이 레벨 판정 신호를 출력한다. 먼저, 차분 회로 (1) 로부터 출력된 차분 신호값이 제 4 주기동안 "2" 에 도달되면, NOR 회로 (9) 는 로우 레벨 신호 (A) 및 로우 레벨 신호 (B) 를 수신하고 하이 레벨 신호 (C) 를 출력한다. 이 하이 레벨 신호(C) 에 응답하여, 래치 회로 (14) 는 이 때 입력된 생성 기입 어드레스 "7" 를 래치한 다음, 이를 신호 (J) 로서 출력한다. 하이 레벨 신호 (C) 가 카운터 (10) 에 입력된 후에, 카운터 (10) 는 이후의 기입 클록의 상승 에지에서 소정의 점프 어드레스 (이 경우에서는, 16) 를 카운터 값 "16" 으로서 출력한다. 연속해서, 카운터 (10) 는 기입 클록의 리딩 에지에 응답하여 이전에 출력된 카운터 값을 증분하고 증분 결과를 출력한다. 선택기 (11) 는, 로우 레벨 신호 (B) 를 수신하는 동안, 생성 기입 어드레스로서 D 타입 플립 플롭 (13) 의 출력을 출력한다. 한편, 선택기 (11) 가 하이 레벨 신호 (B) 를 수신하면, 선택기 (11) 는 카운터 (10) 의 출력을 선택된 기입 어드레스로서 출력한다. 다음으로, 차분 회로 (1) 는, 입력 판독 어드레스 "6" 및 입력 기입 어드레스 "0" 을 수신하는 경우, 값이 "6" 인 차분 신호를 출력한다. 이때, 차분 신호 값이 2 보다 크기 때문에, 판정 회로 (2) 는 로우 레벨 판정 신호를 출력한다. D 타입 플립 플롭 (12) 이 기입 클록의 한 클록만큼 지연된 판정 신호를 출력하기 때문에, D 타입 플립 플롭 (12) 은, 판정 신호가 로우 레벨로 된 후에 기입 클록의 한 클록만큼 지연된 로우 레벨 신호 (B) 를 출력한다. 선택기 (11) 는, 로우 레벨 신호 (B) 를 수신하면, 플립 플롭 (13) 의 출력을 출력한다. T 타입 플립 플롭 (18) 이 제 4 주기 동안 하이 레벨 신호 (b) 를 출력하므로, 선택기 (17) 는 카운터 (16) 의 출력을 출력한다.During the interval between the input of the input read address "2" and the input write address "0" and the input of the input read address "5" and the input write address "7", the
다음으로, 제 5 주기 동안의 2 포트 메모리의 동작을 설명한다.Next, the operation of the two-port memory during the fifth period will be described.
이 주기는 입력 판독 어드레스와 입력 기입 어드레스간의 차의 절대값이 2보다 큰 동안의 주기에 대응한다. 차분 회로 (1) 는 2 보다 큰 값을 나타내는 차분 신호를 출력한다. 판정 회로 (2) 는 차분 신호 값이 2 보다 크기 때문에 로우 레벨 판정 신호를 출력한다. 이 주기동안 기입 어드레스 생성 회로의 D 타입 플립 플롭 (12) 이 로우 레벨 신호 (B) 를 출력하므로, 선택기 (11) 는 D 타입 플립 플롭 (13) 의 출력을 출력한다. 즉, 어드레스 생성 회로 (3) 는 입력 기입 어드레스를 기입 클록의 한 클록만큼 지연시키므로써 얻어진 신호를 생성 기입 어드레스로서 출력한다. 어드레스 일치 검출 회로 (15) 는, 입력 판독 어드레스의 값 "7" 을 수신하는 경우, 하이 레벨 신호를 출력한다. 그후, 입력 판독 어드레스 값이 "7" 이외의 값으로 되는 경우, 어드레스 일치 검출 회로 (15) 는 로우 레벨 신호를 출력한다. 카운터 (16) 는, 하이 레벨 신호 (a) 에 응답하여, 이하이 레벨 신호 (a)를 카운터 (16) 에 입력한 후의 다음 판독 클록의 상승 에지에서 소정의 점프 어드레스 (이 경우에서는, 16) 를 카운터 값 (16) 으로서 출력한다. 그후, 카운터 (16) 는 판독 클록의 리딩 에지에 응답하여 이전에 출력된 카운터 값을 증분하고 증분 결과를 출력한다. T 타입 플립 플립 (18) 은, 신호 (a) 가 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하는 것에 응답하여, 로우 레벨 신호 (b) 를 출력한다. 로우 레벨 신호 (b) 는 선택기 (17) 에 입력되면, 선택기 (17) 는 입력 판독 어드레스를 생성 판독 어드레스로서 출력한다.This period corresponds to the period while the absolute value of the difference between the input read address and the input write address is greater than two. The
제 1 내지 제 5 주기동안, 기입 어드레스 디코더 (5) 는 생성 기입 어드레스를 디코드하고 판독 어드레스 디코더 (4) 는 생성 판독 어드레스를 디코드한다. 또한, 메모리 (7) 는 기입 어드레스 디코더 (5) 의 출력에 대응하는 어드레스에 입력 데이터를 저장하고 판독 어드레스 디코더 (4) 의 출력에 대응하는 어드레스로부터 데이터를 출력한다.During the first to fifth periods, the
예시적인 실시예를 참조하여 본 발명을 설명했지만, 이러한 설명을 한정적인 의미로 해석해서는 안된다. 예시적인 실시예 뿐만 아니라 본 발명의 다른 실시예도 현 설명을 참조로하여 당해 기술 분야에 숙력된자에게 다양한 변경이 가능한 것은 명백하다. 따라서, 첨부된 청구항은 발명의 실질적인 범주내에서 임의의 변경을 커버하는 것으로 이해되어져야 한다.Although the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, such description should not be interpreted in a limiting sense. It is apparent that various modifications can be made by those skilled in the art with reference to the present description as well as exemplary embodiments. Accordingly, the appended claims should be understood to cover any modifications within the substantial scope of the invention.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 2 포트 메모리는, 입력 판독 어드레스와 입력 기입 어드레스간의 차가 소정의 값을 초과하는 경우, 소망의 어드레스 차를 갖는 2 개의 어드레스를 메모리에 공급한다. 따라서, 메모리에 공급된 어드레스간의 충돌이 방지될 수 있기 때문에, 기억 장치의 오동작을 방지할 수 있다. 또한, 2 포트 메모리의 사용에 있어서 어드레스 제어를 검토할 필요가 없어지기 때문에, 시스템의 구축이 용이하게 된다.As described above, the two-port memory according to the embodiment of the present invention supplies two addresses having a desired address difference to the memory when the difference between the input read address and the input write address exceeds a predetermined value. Therefore, since a collision between addresses supplied to the memory can be prevented, malfunction of the storage device can be prevented. In addition, since there is no need to examine address control in the use of the two-port memory, the system can be easily constructed.
Claims (3)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP96-208427 | 1996-08-07 | ||
JP8208427A JPH1049444A (en) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | Storage device and its control method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980018484A KR19980018484A (en) | 1998-06-05 |
KR100338402B1 true KR100338402B1 (en) | 2002-07-18 |
Family
ID=58262277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970037781A KR100338402B1 (en) | 1996-08-07 | 1997-08-07 | Memory device and method of controlling the same |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100338402B1 (en) |
TW (1) | TW326529B (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05135583A (en) * | 1991-11-15 | 1993-06-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | Memory access system |
-
1997
- 1997-07-15 TW TW086109949A patent/TW326529B/en active
- 1997-08-07 KR KR1019970037781A patent/KR100338402B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05135583A (en) * | 1991-11-15 | 1993-06-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | Memory access system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19980018484A (en) | 1998-06-05 |
TW326529B (en) | 1998-02-11 |
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