JP2001283721A - 突起付基板および平面型ディスプレイ - Google Patents

突起付基板および平面型ディスプレイ

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JP2001283721A JP2000092468A JP2000092468A JP2001283721A JP 2001283721 A JP2001283721 A JP 2001283721A JP 2000092468 A JP2000092468 A JP 2000092468A JP 2000092468 A JP2000092468 A JP 2000092468A JP 2001283721 A JP2001283721 A JP 2001283721A
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雅史 加藤
Kazuo Watada
一雄 和多田
Yasuto Muramoto
康人 村元
Yasuhiko Nishioka
尉彦 西岡
Kiyohiro Sakasegawa
清浩 逆瀬川
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ディスプレイ内部に浮遊する不純ガス量を容易
に低減でき、かつ容易に作製できる平面型ディスプレイ
およびそれに好適な突起付基板を提供する。 【解決手段】所定間隔離間して平行に形成された2枚の
基板である背面板2および正面板3間に、ガラスおよび
/またはセラミックスを含有するマトリックスと、該マ
トリックス中にクロム、モリブデン、鉄、シリコン、ジ
ルコン、亜鉛、銅、アルミニウム、錫の群から選ばれる
少なくとも1種の金属を分散含有する複合材料からなる
複数のスペーサ(突起)4を配設したフィールドエミッ
ションディスプレイ(FED)等の平面型ディスプレイ
を作製する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、平面型ディスプレ
イとして好適な突起付基板および平面型ディスプレイパ
ネルに関するものであり、特にディスプレイ内部の不純
ガスを容易に低減できる平面型ディスプレイに関するも
のである。
【0002】
【従来技術】近年、ブラウン管に代わるディスプレイと
してプラズマディスプレイパネル(PDP)、プラズマ
アドレス液晶パネル(PALC)、やフィールドエミッ
ションディスプレイ(FED)等の平面型ディスプレイ
が開発されている。
【0003】上記平面型ディスプレイの具体的な構造
は、例えばプラズマディスプレイパネル(PDP)で
は、一対の平行平板とスペーサにより仕切られた複数の
セル内に一対の放電電極を設けるとともに特定気圧の希
ガスを封入し、前記電極間に電圧を印加して放電させて
前記希ガスをプラズマ化し、これを一方の平板表面に被
着形成された蛍光体に作用させて発光させるものであ
る。また、フィールドエミッションディスプレイ(FE
D)では、一対の平行平板を有する真空容器内の一方の
平板側に電子放出素子を設けるとともに、他方の平板表
面に蛍光体を被着形成して、該蛍光体に前記電子放出素
子から放出された電子ビームを衝突させて発光させるも
のである。
【0004】かかる平面型ディスプレイにおいては、上
記のようにディスプレイ内に6×10-4Pa程度の希ガ
スを封入したり、10-3〜10-4Pa程度の真空状態と
する必要があり、また、製造工程においてディスプレイ
端部に設けられた排気口を通じてディスプレイ内部を真
空排気することが行われており、これによってディスプ
レイ内部と外部との間に気圧差が生じて前記一対の平行
平板にたわみが生じて平板間の距離が部分的に変化する
ことを防止するために前記一対の平板間の所定位置にス
ペーサを配設することが行われている。
【0005】一方、上記真空排気によってもディスプレ
イ内部の前記平板やスペーサ表面には吸着水や残留炭素
等に起因する水蒸気や二酸化炭素等の不純ガスが残存
し、これがディスプレイの排気口を封止した後にディス
プレイ内に浮遊してプラズマや電子ビームの挙動に悪影
響を及ぼす結果、発光効率が低下するという問題があっ
た。
【0006】そこで、上述した真空排気の後に前記排気
口からアジ化バリウム等の無機化合物や、BaAl4、
Mg−Al合金、Sr−Al合金、Zr−Al合金等の
タブレット、いわゆるゲッターをディスプレイ端部のチ
ップ管等の排気管内に入れて加熱、活性化処理すること
により、前記ゲッターの金属が一部揮散してに不純ガス
を吸着することにより、ディスプレイ内の不純ガスを低
減する方法が知られている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ゲ
ッターを用いた平面型ディスプレイの不純ガス除去方法
では、該ゲッターがディスプレイの端部に配設されるた
めに、不純ガスがゲッター位置まで拡散、到達するのに
時間がかかり、また、その軌道中に存在する平板やスペ
ーサ等の他の表面部に再度吸着することによって、不純
ガスのゲッターへの吸着効率が悪く、不純ガスの除去効
果が不十分であるという問題があった。
【0008】本発明は前記課題を解決するためになされ
たもので、平面型ディスプレイにおいて、ディスプレイ
内部に浮遊する不純ガス量を容易に低減でき、かつ容易
に作製できる平面型ディスプレイおよびそれに好適な突
起付基板を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
について検討した結果、スペーサ表面をガラスおよび/
またはセラミックスを含有するマトリックス中に、クロ
ム、モリブデン、鉄、シリコン、ジルコン、亜鉛、銅、
アルミニウム、錫の群から選ばれる少なくとも1種の金
属が分散した複合材料にて形成することによって、該特
定の金属がゲッターの代替として機能するために、ペレ
ット状のゲッターを別途設ける必要がなく、前記金属が
効率よく不純ガスを吸着できるために、ディスプレイ内
部に浮遊する不純ガス量を容易に低減、除去できるとと
もに容易に作製できることを知見した。
【0010】すなわち、本発明の突起付基板は、基板表
面に、複数の突起を配設してなり、該突起表面が、ガラ
スおよび/またはセラミックスを含有するマトリックス
と、該マトリックス中にクロム、モリブデン、鉄、シリ
コン、ジルコン、亜鉛、銅、アルミニウム、錫の群から
選ばれる少なくとも1種の金属が分散含有する複合材料
からなることを特徴とするものである。
【0011】ここで、前記複合材料の気孔率が1〜25
%であること、前記複合材料の体積固有抵抗値が1×1
7〜1×1013Ωであること、前記突起全体が前記複
合材料からなることが望ましい。
【0012】また、本発明の平面型ディスプレイは、所
定間隔離間して平行に形成された2枚の基板間に複数の
スペーサを配設したものであって、前記スペーサ表面
が、ガラスおよび/またはセラミックスを含有するマト
リックスと、該マトリックス中にクロム、モリブデン、
鉄、シリコン、ジルコン、亜鉛、銅、アルミニウム、錫
の群から選ばれる少なくとも1種の金属を分散含有する
複合材料からなることを特徴とするものである。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明の平面型ディスプレイの一
例であるフィールドエミッションディスプレイ(以下、
FEDと略す)についての概略断面図である図1を基に
説明する。図1において、FED1は、所定間隔離間し
て平行に形成された背面板2と正面板3との2枚の基板
間の所定の位置にスペーサ4が配設されている。
【0014】背面板2は、石英ガラス、ソーダライムガ
ラス、低ソーダガラス、鉛アルカリケイ酸ガラス、ホウ
ケイ酸ガラス等のガラス基板、アルミナ、シリカ等のセ
ラミック基板、Si基板等が使用可能であるが、特にナ
トリウムおよび鉛成分の少ない低ソーダガラスが望まし
い。
【0015】一方、前面板3は、石英ガラス、ソーダラ
イムガラス、低ソーダガラス、鉛アルカリケイ酸ガラ
ス、ホウケイ酸ガラス等のガラス基板、サファイア、ク
ォーツ、単結晶ジルコニア、ダイヤモンド等を主体とす
る透明な基板にて形成されている。
【0016】スペーサ4は、リブ状、格子状、柱状、枠
状等からなり、例えば、リブ状である場合には、所定間
隔離間して平行に形成されることが望ましい。
【0017】また、スペーサ4は、ガラスおよび/また
はセラミックス、例えば、鉛ガラス(PbO−B23
SiO2)、アルカリケイ酸系ガラス、ビスマス系ガラ
ス(Bi−B23)等公知のガラスが用いられるが、機
械的強度、絶縁基板との接着性、材質の長期化学的安定
性の点で、鉛ガラス(PbO−B23−SiO2)、ビ
スマス系ガラス(Bi−B23)であることが望まし
い。
【0018】本発明によれば、図2のスペーサ4の表面
部の構造についての模式図に示すように、スペーサ4表
面は、ガラスおよび/またはセラミックスを主体とする
マトリックス7中に、クロム、モリブデン、鉄、シリコ
ン、ジルコン、亜鉛、銅、アルミニウム、錫の群から選
ばれる少なくとも1種の金属8を分散してなることが大
きな特徴であり、これによって、スペーサ4表面に分散
する金属8が不純ガスを吸着、反応してFED1内に浮
遊する不純ガス量を低減することができる。
【0019】なお、本発明によれば、不純ガスの発生部
と金属8との距離が近いために不純ガスが容易に金属8
に吸着または結合でき、不純ガスがディスプレイ内に浮
遊することを防止できる。
【0020】ここで、金属8の不純ガス吸着の活性点を
増すとともに、スペーサ4の強度を維持するためには、
スペーサ4の気孔率が1〜25%、望ましくは10〜2
5%、特に15〜20%の気孔6が存在することが望ま
しい。
【0021】また、上記金属8としては、特に不純ガス
との吸着性の点で亜鉛、アルミニウムを含有することが
望ましく、また、開気孔6aの気孔径は、スペーサの強
度向上および表面に露出する金属の面積を増して不純ガ
スを吸着するための活性点を増加させるために、1〜2
0μmであることが望ましい。
【0022】なお、本発明によれば、金属8をスペーサ
4に強固に結合させるために、スペーサ4表面のみでな
くスペーサ4全体が上記複合材料からなることが望まし
い。
【0023】さらに、本発明によれば、上記金属のう
ち、シリコン、亜鉛、錫、銅、アルミニウム、チタン、
鉄の群から選ばれる少なくとも1種を原料中に添加し、
その一部を酸化、膨張させることにより、スペーサ4の
焼結による体積収縮を抑制することができ、スペーサ4
の厚み200μm以下、特に100μm以下、高さ50
0μm以上、特に1000μm以上の場合であってもス
ペーサ4が焼成により収縮して変形、剥離することなく
微細なスペーサを形成でき、かつスペーサ間のピッチが
5mm以下、特に0.4〜5mm、さらに0.4〜1m
m以下の微細ピッチのスペーサを形成可能である。
【0024】上記金属の中でも、上記金属としてシリコ
ン、亜鉛、錫、銅、特にシリコンが、導電性付与効果、
酸化開始温度、金属の酸化による体積膨張率の増加率の
点で好適である。
【0025】なお、スペーサ4の厚みは、強度および小
型化、ディスプレイの輝度の向上の点で100〜200
μm、スペーサ4の高さは、後述する電子放出素子10
と蛍光体13との間で高電界による短絡放電を生じず、
蛍光体13に到達する電子線密度を所望量に制御する点
で500〜4000μmであることが望ましい。
【0026】また、上記金属が酸化により形成された酸
化物のうち、例えばSnO2、ZnO、CuO等によっ
て、スペーサ4の体積固有抵抗を1×107〜1×10
13Ωに制御して導電性を付与することもでき、これによ
って、後述する電子放出素子10から放出された電子が
その軌道の近傍に配設されたスペーサ4表面に衝突して
スペーサ4表面が帯電することを防止でき、その後放出
された電子の軌道が帯電したスペーサ4によってずれて
正面板3に到達する電子量が低下し、発光輝度が低下す
ることを防止できる。
【0027】また、スペーサ4内には、所望により、セ
ラミックフィラーとして、TiO2、ZrO2、ZnO、
SiO2、BN、Al23等が用いられ、前記ガラス歪
点の調整して、焼成持のスペーサの変形を防止する効
果、スペーサ4の熱膨張係数の制御、着色等の作用をな
す。
【0028】さらに、背面板2または正面板3とスペー
サ4との間は、スペーサ4の焼成によって強固に接合さ
れ、一体化している。
【0029】なお、製造工程で、上記一体化した背面板
2または正面板3とスペーサ4とを再度加熱、冷却する
場合においてもスペーサ4がクラック等の欠陥を生成し
ないために、スペーサ4の15〜450℃における平均
熱膨張係数が7〜9ppm/℃、特に7.5〜8.2p
pm/℃であることが望ましい。
【0030】一方、背面板2の表面には、電子放出素子
10が形成されている。電子放出素子10の具体的な構
造は、例えば、所定間隔離間して平行に配設された複数
本のライン状の正電極層および負電極層が交差するよう
に形成され、正電極層および負電極層の交点に絶縁体を
介装するMIM型構造や、正電極層と負電極層とを絶縁
層間を介在させて所定間隔離間させる表面電導型、正電
極層と負電極層との間に絶縁体を介装し正電極層および
絶縁体を所定の位置にて一部切り欠くとともに該切り欠
き部にて突起状の絶縁体を配設した電界放出型等が好適
に使用できる。
【0031】上記正電極層および負電極層としては、
銀、アルミニウム、ニッケル、白金、金、パラジウムの
群から選ばれる少なくとも1種の金属または合金や、ア
モルファスシリコン、ポリシリコン、グラファイト等を
用いることができ、また、絶縁体としては、Si、T
i、Ga、W、Al、Pdの群から選ばれる少なくとも
1種の酸化物や窒化物等の化合物を主体とするものが好
適に使用できる。
【0032】また、背面板2と電子放出素子10との間
には電子放出素子10への不純物の拡散を防止するため
にシリカや窒化ケイ素等からなる拡散防止層11が形成
されている。
【0033】他方、正面板3のスペーサ4形成側の表面
には、蛍光体13が被着形成されている。蛍光体13は
赤(R)、緑(G)、青(B)の少なくとも3色のいず
れかを発光する少なくとも3種類の蛍光体13を1組と
して複数組が規則的に配列しており、各蛍光体13と対
向する位置にそれぞれ前記電子放出素子10が形成さ
れ、電子放出素子10から電子ビームを放出して対向す
る位置の蛍光体13に該電子ビームを衝突させることに
よって蛍光体13を発光させる。
【0034】また、図1によれば、正面板3と蛍光体1
3との間には、電子放出素子10から蛍光体13に向か
って放出される電子ビームを加速するため透明なITO
(インジウム−錫酸化物)膜14が形成されているが、
本発明はこれに限られるものではなく、前記電子ビーム
を加速するためおよび蛍光体13の散乱した発光を反射
して発光輝度を高めるために、ITO膜に代えて正面板
3表面に形成した蛍光体13表面に、例えば100〜3
00nmのアルミニウム、銀、ニッケル、白金等の金属
箔等の金属層からなるメタルバック(図示せず)を被着
形成することが望ましい。
【0035】さらに、正面板3の蛍光体13を形成した
表面側の蛍光体13形成部以外の部分には、FED1に
おける色のにじみを防止して表示画面のコントラストを
高めシャープな画像を得るために、例えば、鉄、ニッケ
ル、銅、マンガン等の酸化物と低融点ガラスとの混合物
や金属クロム、グラファイト等からなる黒色または暗色
のブラックマトリックス16が被着形成される。
【0036】また、背面板2および正面板3との外周部
には枠体17を配設し、フリットガラス等の接着剤によ
って背面板2および正面板3と枠体17が接着され、封
止されることによってFED1を作製することができ
る。さらに、背面板2の端部にはFED1中を真空とす
るためのガス排気口18が設けられており、ガス排気口
18にてFED内が真空封止されている。
【0037】なお、図1によれば、スペーサ4は蛍光体
13のR、G、Bの3つを1組として各組毎に配設され
ているが、本発明はこれに限られるものではなく、各蛍
光体13毎に配設されていてもよく、また前記蛍光体1
3の複数組毎に配設されていてもよい。
【0038】また、本発明は図1に示すFED1に限定
されるものではなく、例えばプラズマディスプレイパネ
ル(PDP)やプラズマアドレス液晶パネル(PAL
C)等のディスプレイ内を真空もしくは所定気圧のガス
にて封止した平面型ディスプレイについてはいずれも好
適に適応できる。
【0039】(製造方法)次に、本発明の突起付基板を
作製する方法について説明する。
【0040】まず、上述した材料からなる背面板を作製
し、所定形状にカットし、背面板の一方の表面にスパッ
タリング法、CVD法、イオンビーム法、蒸着法、MB
E法等によって拡散防止層を被着形成した後、その表面
にフォトリソグラフィー法等により電子放出素子の電極
を、マスク等を施し、スパッタリング法、蒸着法、イオ
ンビーム法、CVD法、MBE法等の公知の薄膜形成法
によって電子放出素子の絶縁体を形成して電子放出素子
を形成する。
【0041】一方、平均粒径0.5〜6μmのガラス粉
末に対して、クロム、モリブデン、鉄、シリコン、ジル
コン、亜鉛、銅、アルミニウム、錫の群から選ばれる少
なくとも1種の金属、および、所望により、例えば、平
均粒径0.3〜3μmのTiO2等セラミックフィラ
ー、アクリル系等のバインダ、可塑剤、分散剤等の有機
樹脂、有機溶剤とを添加、混練してペーストを作製す
る。
【0042】なお、前記金属粉末は、球状、不定形状、
中空状、フレーク状等の粉末状または繊維状等の形状か
らなり、平均粒径0.5〜6μm、特に1.0〜3.0
μmであることが焼結体中に金属を残存させる点、およ
び金属粉末の比表面積を高め、ゲッターとして活性な表
面積を増すとともに金属の酸化による体積膨張効果を促
進する点で望ましい。
【0043】そして、該ペーストを用いて前述の背面板
の表面に、例えば、厚み100〜200μm、高さ50
0〜4000μmスペーサ用成形体をピッチ400μm
以上にて複数本作製する。
【0044】具体的な方法としては、(a)前記ペース
トを複数回印刷塗布してスペーサ用成形体を形成する方
法、(b)ゴム、金属、セラミックス等からなる成形型
内に前記スペーサ用ペーストを充填し、前記成形型を絶
縁性基板上に当接した後、該成形型を抜き取る方法、
(c)絶縁性基板表面に前記ペーストを用いて所望の厚
みのシートを形成し、該シートの表面にスペーサ形状の
溝が形成された剛性の高い平板状の成形型を配置して押
圧した後、該成形型を抜きとる方法、(d)前記シート
表面にスペーサ形状の溝が形成された剛性が高いロール
状の成形型を配置し、押圧しながら回転移動させ、スペ
ーサ用成形体を形成する方法、(e)サンドブラスト
法、(f)スペーサを別途形成し、加工してガラスフリ
ット等の接着剤により背面板の所定の位置に接着する方
法等が使用可能である。
【0045】上記スペーサ用成形体の形成方法として
は、特に高さ1000μm以上の高いスペーサを容易に
形成できるとともに、スペーサの気孔率を所定の範囲内
とするために方法(b)、または上記以外の方法とし
て、前記基板表面に樹脂層を形成してスペーサ形状の突
起が形成された上記成形型にて、押圧、離型して溝を形
成した後、該溝内に上述したスペーサ形成用のスラリー
を充填して硬化し、前記樹脂層を除去する方法が望まし
い。
【0046】この後、スペーサ用成形体が形成された基
板を、例えば、450〜500℃で焼成することによっ
て背面板とスペーサとを一体化させた突起付基板を作製
する。
【0047】上記焼成を大気や酸素等の酸化性雰囲気下
にて行えば、スペーサ用成形体中のガラスは焼結して収
縮するが、前記金属が表面より酸化して体積膨張するこ
とにより、全体としてスペーサ用成形体の焼成収縮が抑
制され、寸法変化率の小さいスペーサを作製することが
でき、変形や絶縁基板からの剥離のない寸法精度の高い
スペーサを形成することができる。
【0048】また、この場合には、スペーサ表面の金属
酸化物を再度金属に還元するために、上記焼成後、還元
雰囲気中、例えば350〜500℃にて還元処理を施す
ことが望ましい。なお、例えば金属Siは、大気中での
酸化温度が約450℃である。
【0049】上記以外にスペーサ表面に特定の金属を分
散させる方法としては、特定の金属イオンまたは粉末を
含有する溶液を作製し、該溶液中に上述のスペーサを浸
漬して引き上げた後、スペーサを乾燥し、所望により熱
処理することも可能である。
【0050】さらに、スペーサ表面に特定の金属を分散
させる他の方法としては、スペーサ表面にプラズマや電
子ビーム等を照射してエッチングすることにより金属表
面の酸化被膜を除去し、不純ガスとの吸着活性の高い金
属をスペーサ表面に露出させることも可能である。な
お、上記方法のうち、製造の容易性の点でスペーサを形
成するための原料中に上述の金属を添加することが望ま
しい。
【0051】また、前記金属の添加量は、焼成収縮抑制
効果の点、前述のスペーサ用ペーストの分散性を向上さ
せる点、およびスペーサの強度向上の点で、ガラス粉末
100重量部に対して、5〜50重量部、特に20〜4
0重量部であることが望ましい。
【0052】一方、上述した材料からなる正面板を作製
し、所定形状に加工した後、正面板の一方の表面にスク
リーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法等の
公知の印刷法等の印刷法、ロールコータ法等のペースト
塗布法や蒸着法等によりITO膜を被着形成した後、所
定形状のブラックマトリックスをフォトリソグラフィ
法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印
刷法等の公知の印刷法により被着形成する。
【0053】次に、上記正面板のブラックマトリックス
によって囲まれた領域の所定の位置にフォトリソグラフ
ィ法や、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセッ
ト印刷法等の印刷法、インクジェット法等により蛍光体
ペーストを被着形成する。また、上記ITO膜を形成し
ない場合には、所望により、正面板表面に樹脂ペースト
を用いてフォトリソグラフィ法、スクリーン印刷法、グ
ラビア印刷法、オフセット印刷法等の印刷法にて樹脂層
を形成した後、所定の位置に蒸着法等によってメタルバ
ックを被着形成し、さらにメタルバック表面に樹脂層を
形成する。
【0054】さらに、蛍光体ペースト、または該ペース
トおよび樹脂層を400〜600℃、特に450〜50
0℃で熱処理して蛍光体中の有機物成分および樹脂層を
揮散、除去することにより正面板を形成する。
【0055】他方、背面板および正面板の外周に配設し
て、ディスプレイ内部を封止するための枠体を作製す
る。
【0056】そして、背面板の外周部に枠体を配置して
フリットガラス等の接着剤により貼り合わせた後、該枠
体の頂部、および上述のスペーサを焼結一体化した背面
板のスペーサ頂部にフリットガラス等の接着剤を塗布
し、正面板の蛍光体形成面を前記スペーサの頂部が前記
蛍光体形成部以外の所定の位置に配設されるように位置
合わせして貼り合わせる。
【0057】さらに、背面板の端部には予めディスプレ
イ内部とのガスをやり取りするためのガス排気口を形成
しておき、外部のガス排気管と接続する。そして、前記
枠体に設けられたガス排気管に真空ポンプを接続してパ
ネル内を10-4〜10-2Paに真空減圧しながら400
〜500℃に加熱して、接着剤を正面板、背面板および
枠体間で固着させて、ガス排気口を封止することに本発
明の平面型ディスプレイを作製することができる。
【0058】
【実施例】(実施例1)歪点が410℃のPbO−B2
3−SiO2系の低融点ガラス100重量部に対して、
セラミックフィラーとしてTiO2を30重量部添加
し、さらに、表1に示す金属粉末を上記ガラス粉末10
0重量部に対して表1に示す割合で添加し、ジルコニア
ボールを用いたボールミルにて、IPA(イソプロピル
アルコール)中で18時間湿式混合を行った。
【0059】そして、得られた混合粉体100重量部に
対して、バインダ、重合開始剤、分散剤を合量で42重
量部となるように添加し、カルビトール溶剤中で混粘し
ぺーストを作製し、シリコーンゴム型に前記ペーストを
充填して十分に脱泡した後、厚さ2mmで40mm×4
0mmのホウケイ酸ガラス製の絶縁基板表面に当接し
て、真空封止し、110℃で30分間熱処理を行い、シ
リコーンゴム型を抜き取ることによりスペーサ用成形体
を形成した。
【0060】得られた成形体は、レーザー変位計(キー
エンス社製LC−2440/2400)を用いて成形体
スペーサの厚みと高さの測定を行い、測定精度内でシリ
コーンゴム型と同サイズであることを確認した。
【0061】なお、前記シリコーンゴム型は、深さ(ス
ペーサの高さ)1200μm、幅(スペーサの厚み)2
00μm、ピッチ(スペーサ間ピッチ)が800μmの
複数の溝部を有するものを使用した。
【0062】さらに、該成形体を大気中で、460℃、
15分間焼成した後、窒素ガス中で、450℃、30分
間加熱処理を行い、上記と同様にレーザー変位計にてス
ペーサの高さを測定し、スペーサ用成形体の高さに対す
るスペーサの高さに対する比率((スペーサの高さ/ス
ペーサ用成形体の高さ)×100(%))を寸法変化率
として算出した。
【0063】得られた試料について、顕微鏡を用いてス
ペーサの形成状態を確認した。スペーサの一部を切り出
し、その表面についてSEM観察を行いルーゼックス画
像解析法によってスペーサ表面の気孔率を測定した。ま
た、スペーサ表面についてX線回折測定を行い、添加し
た金属の残存の有無を確認した。
【0064】さらに、上記スペーサを焼結一体化した背
面板のスペーサ頂部に他の平板を載置し、スペーサ高さ
方向に両基板を圧縮する力を負荷して、スペーサが破断
する荷重Fを測定し、スペーサの総断面積Sに対する圧
力P(F/S)をスペーサ強度として算出した。また、
スペーサの一部について絶縁計にて体積固有抵抗値(表
では抵抗と記載)を測定した。
【0065】一方、厚さ2mmで40mm×40mmの
ホウケイ酸ガラス製の他の絶縁基板および厚さ1.2m
m、外周40mm×40mm、肉厚5mmの枠状でガス
排気口を設けた枠体を準備した。
【0066】そして、上記スペーサを焼結一体化した背
面板の外周部にガラスフリットを介して枠体を貼り合わ
せ、さらにスペーサ頂部に該枠体の背面板貼り合わせ面
とは反対の面およびスペーサの頂部にガラスフリットを
塗布して上記他の絶縁基板を貼り合わせた後、背面板に
形成したガス排気口にガス排気口を取りつけ、これを真
空ポンプを接続して疑似パネル内に設けた真空計が1.
3×10-4Paの真空状態となるように真空引きしなが
ら、500℃に加熱して背面板、枠体および他の絶縁基
板間を固着、封止した疑似パネルを作製した。
【0067】そして、疑似パネル内の1時間後の気圧を
パネル内の真空計にて測定し初期値に対する変化率を測
定した。結果は表1に示した。
【0068】(比較例)実施例1の試料No.6に対し
て、大気中での焼成後、非酸化雰囲気中での焼成を行わ
ない以外は、実施例1の試料No.6と同様に疑似パネ
ルを作製し、同様に評価した(試料No.15)。
【0069】
【表1】
【0070】表1から、特定の金属を添加しない試料N
o.1では、寸法変化率が大きくスペーサ内にクラック
が発生し、またスペーサが基板から剥離してパネル内を
真空にすることができなかった。また、スペーサ表面に
特定金属が析出しない試料No.15では、真空変化率
が1200%と高いものであった。
【0071】これに対して、本発明に従い特定の金属を
スペーサ表面に分散させた試料No.2〜14では、い
ずれも真空変化率が30%以下と低いものであった。
【0072】(実施例2)実施例1のガラス粉末100
重量部に対して、セラミックフィラーとしてTiO2
30重量部添加し、さらに、金属シリコン粉末を上記ガ
ラス粉末100重量部に対して30重量部添加して実施
例1と同様にペーストを作製し、板状に成形した後、実
施例1と同様に焼成して幅0.2mm×長さ30mm×
高さ1.2mmのスペーサ形状に切り出し、実施例1の
絶縁基板の所定の位置にガラスフリットを用いてピッチ
5mmの間隔で接着する以外は実施例1と同様に疑似パ
ネルを作製し、同様に真空変化率を測定した結果、真空
変化率29%と低いものであり、不純ガス吸着効果があ
ることを確認した。
【0073】
【発明の効果】以上詳述したとおり、本発明の突起付基
板および平面型ディスプレイによれば、スペーサ(突
起)として、その表面をガラスおよび/またはセラミッ
クスを含有するマトリックス中に、クロム、モリブデ
ン、鉄、シリコン、ジルコン、亜鉛、銅、アルミニウム
の群から選ばれる少なくとも1種の金属が分散した複合
材料にて形成することによって、該特定の金属がゲッタ
ーの代替として機能するために、ペレット状のゲッター
を別途設ける必要がなく、前記金属が効率よく不純ガス
を吸着できるために、ディスプレイ内部に浮遊する不純
ガス量を容易に低減、除去できるとともに容易に作製で
きる。
【0074】また、スペーサ表面に所定の気孔を存在さ
せることにより上記特定金属の露出面積を高めることが
でき、不純ガスを効率よく低減、除去できる。
【0075】さらに、スペーサに導電性を付与すること
ができ、スペーサ表面での帯電を防止することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の平面型ディスプレイの一例であるフィ
ールドエミッションディスプレイ(FED)の一例を示
す概略断面図である。
【図2】本発明の突起付基板における突起表面の構成を
説明するための概念図である。
【符号の説明】
1 フィールドエミッションディスプレイ(FE
D) 2 背面板 3 正面板 4 スペーサ 6 気孔 6a 開気孔 7 マトリックス 8 金属 10 電子放出素子 11 拡散防止層 13 蛍光体 14 ITO膜 16 ブラックマトリックス 17 枠体 18 ガス排気口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01J 5/03 H01J 5/03 29/87 29/87 29/94 29/94 31/12 31/12 Z (72)発明者 西岡 尉彦 鹿児島県国分市山下町1番4号 京セラ株 式会社総合研究所内 (72)発明者 逆瀬川 清浩 鹿児島県国分市山下町1番4号 京セラ株 式会社総合研究所内 Fターム(参考) 2H089 LA09 LA19 MA01X MA11X NA13 NA14 NA15 PA03 QA04 QA14 QA16 TA13 5C032 AA07 CC10 JJ08 JJ10 JJ17 5C035 JJ10 JJ11 5C036 EE19 EF01 EF06 EF08 EG02 EH04 EH11 5C094 AA43 AA60 BA21 CA19 EB01 EC04 GB10 HA08

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板表面に、複数の突起を配設してなり、
    該突起表面が、ガラスおよび/またはセラミックスを含
    有するマトリックスと、該マトリックス中にクロム、モ
    リブデン、鉄、シリコン、ジルコン、亜鉛、銅、アルミ
    ニウム、錫の群から選ばれる少なくとも1種の金属を分
    散して含有する複合材料からなることを特徴とする突起
    付基板。
  2. 【請求項2】前記複合材料の気孔率が1〜25%である
    ことを特徴とする請求項1記載の突起付基板。
  3. 【請求項3】前記複合材料の体積固有抵抗値が1×10
    7〜1×1013Ωであることを特徴とする請求項1また
    は2記載の突起付基板。
  4. 【請求項4】前記突起全体が前記複合材料からなること
    を特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の突起付基
    板。
  5. 【請求項5】所定間隔離間して平行に形成された2枚の
    基板間に複数のスペーサを配設した平面型ディスプレイ
    であって、前記スペーサ表面が、ガラスおよび/または
    セラミックスを含有するマトリックスと、該マトリック
    ス中にクロム、モリブデン、鉄、シリコン、ジルコン、
    亜鉛、銅、アルミニウム、錫の群から選ばれる少なくと
    も1種の金属を分散して含有する複合材料からなること
    を特徴とする平面型ディスプレイ。
  6. 【請求項6】前記複合材料の気孔率が1〜25%である
    ことを特徴とする請求項5記載の平面型ディスプレイ。
  7. 【請求項7】前記複合材料の体積固有抵抗値が1×10
    7〜1×1013Ωであることを特徴とする請求項5また
    は6記載の平面型ディスプレイ。
  8. 【請求項8】前記スペーサ全体が前記複合材料からなる
    ことを特徴とする請求項5乃至7のいずれか記載の平面
    型ディスプレイ。
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