JP2001279477A - Substrate treatment apparatus - Google Patents

Substrate treatment apparatus

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JP2001279477A
JP2001279477A JP2000097090A JP2000097090A JP2001279477A JP 2001279477 A JP2001279477 A JP 2001279477A JP 2000097090 A JP2000097090 A JP 2000097090A JP 2000097090 A JP2000097090 A JP 2000097090A JP 2001279477 A JP2001279477 A JP 2001279477A
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pure water
processing liquid
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元 白川
Hiroaki Uchida
博章 内田
Shinria Araki
真理亜 荒木
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment apparatus which can shorten the measuring time of the characteristic of the treatment solution and reduce the consumption of the treatment solution. SOLUTION: This substrate treatment apparatus comprises a substrate treatment vessel 10 for treating a substrate B, a specific resistance of the solution measuring instrument 82, a cell having an internal space where a sensor is installed to measure the characteristic values of the solution in the cell. The characteristic value of the treatment solution is measured by feeding of the solution in the vessel 10 into the cell, the prescribed treatment is performed to the substrate B based on the result of measurement of the specific resistance measured by instrument 82. A judgment unit 19 is provided, which judges whether or not the treatment solution has the desired characteristic value by comparing the steepness of the rise of the detection signal of the sensor with that of the treatment solution.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板など(以下、単に基板と称す
る)に対して、処理液で表面処理を施す基板処理装置に
係り、特に、処理液の特性を計測する技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for treating a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, a substrate for an optical disk (hereinafter simply referred to as a substrate) with a processing liquid. The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing processing, and more particularly to a technique for measuring characteristics of a processing liquid.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、各種基板の製造プロセスにおい
て、目標とする濃度になるように純水と薬液とが混合さ
れた溶液、純水のみで構成されるリンス液などの各種の
処理液に、基板を浸漬して基板表面に種々の処理を施す
基板処理装置が汎用されている。このような基板処理装
置は、例えば、目標とする濃度になるように純水と薬液
とが混合された溶液が供給された処理槽に基板を浸漬し
てその基板表面に薬液処理を施している。そして、薬液
処理が終了すると、処理槽から薬液が排出されるように
処理槽にリンス液である純水のみを供給していき、処理
槽内を薬液から純水に置換していき、基板表面に付着し
ている薬液を洗い流すリンス処理を施すようになってい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, in a process of manufacturing various substrates, various processing solutions such as a solution in which pure water and a chemical solution are mixed so as to have a target concentration, and a rinsing solution composed only of pure water, have been used. 2. Description of the Related Art A substrate processing apparatus that immerses a substrate and performs various processes on the substrate surface is widely used. In such a substrate processing apparatus, for example, a substrate is immersed in a processing tank supplied with a solution in which pure water and a chemical solution are mixed so as to have a target concentration, and the substrate surface is subjected to a chemical solution treatment. . When the chemical processing is completed, only the pure water, which is a rinse liquid, is supplied to the processing tank so that the chemical is discharged from the processing tank, and the inside of the processing tank is replaced with the pure water from the processing tank, and the substrate surface is removed. A rinsing process is performed to wash out the chemical solution adhering to the device.

【0003】薬液が基板の表面に残留していると、必要
以上に薬液処理が進行したり、パーティクルの発生原因
となったりするため、リンス処理が十分に行われたかど
うかを確認してからリンス処理を終了させる必要があ
る。このため、処理槽から排出されるリンス液の排出経
路に、リンス液中の薬液の混入度合を検出する検出手段
としての比抵抗測定器の計測部を配設しておき、リンス
処理後のリンス液の比抵抗が所定値以上になったときに
リンス処理が終了したと判断するようになっている。す
なわち、リンス処理が十分に行われていないときにはリ
ンス液中に混入している薬液によりその比抵抗が低くな
るが、リンス処理が十分に行われてリンス液中に薬液が
ほとんど混入されなくなるとその比抵抗が高くなるの
で、比抵抗が所定値に達した段階でリンス処理が終了し
たと判断する。
If the chemical solution remains on the surface of the substrate, the chemical solution process may proceed more than necessary or particles may be generated. Therefore, it is necessary to confirm whether the rinsing process has been performed sufficiently before rinsing. Processing needs to be terminated. For this reason, a measuring section of a specific resistance measuring device as a detecting means for detecting the degree of mixing of the chemical solution in the rinsing liquid is provided in the discharge path of the rinsing liquid discharged from the processing tank, and the rinsing after the rinsing processing is performed. When the specific resistance of the liquid becomes equal to or more than a predetermined value, it is determined that the rinsing process has been completed. That is, when the rinsing treatment is not sufficiently performed, the specific resistance is lowered by the chemical mixed in the rinsing liquid, but when the rinsing treatment is sufficiently performed and the chemical liquid is hardly mixed into the rinsing liquid, the specific resistance is reduced. Since the specific resistance increases, it is determined that the rinsing process has been completed when the specific resistance reaches a predetermined value.

【0004】比抵抗測定器は、内部空間を有するセル
と、セル内にリンス液の比抵抗値を測定する計測部とを
備え、処理槽に使われるリンス液をそのセル内に導いて
元々セル内にあった溶液と置換させてこの送られてきた
リンス液の比抵抗値を測定するよう構成されている。な
お、薬液による計測部の腐食を軽減するために、リンス
処理を所定時間施して処理槽からの溶液の薬液濃度が非
常に低くなってから、すなわち、ほとんどリンス液にな
ってから、このリンス液をセル内に導いて計測部で比抵
抗値を測定するようにしている。
A specific resistance measuring device includes a cell having an internal space, and a measuring unit for measuring a specific resistance value of a rinsing liquid in the cell, and introduces a rinsing liquid used in a processing tank into the cell to originally supply the cell. It is configured to measure the specific resistance value of the rinsing liquid sent by displacing the solution existing in the rinsing liquid. In order to reduce the corrosion of the measuring section due to the chemical solution, the rinsing process is performed for a predetermined time, and after the chemical solution concentration of the solution from the processing tank becomes very low, that is, after the rinsing solution has almost become a rinsing solution, Is introduced into the cell, and the measurement unit measures the specific resistance value.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、目標濃度になるように純水と薬液とが
混合された溶液の供給される処理槽に基板を浸漬して基
板表面に薬液処理を施した後に、処理槽内を薬液から純
水に置換して基板表面の薬液を洗い流すリンス処理を、
図6に示すように、所定時間T(例えば、10分程度)
施してから、このリンス処理を継続しながら処理槽内の
溶液の比抵抗値を比抵抗測定器で測定している。処理槽
内の溶液の比抵抗値が上がって所定値B(例えば、16
〔MΩcm〕など)に達した時点(時間t3)でリンス
処理が完了したと判断するようになっている。
However, the prior art having such a structure has the following problems. That is, after the substrate is immersed in a processing tank to which a solution of a mixture of pure water and a chemical solution is supplied so as to have a target concentration and the surface of the substrate is subjected to the chemical processing, the processing tank is replaced with the pure water. To rinse off the chemical solution on the substrate surface
As shown in FIG. 6, a predetermined time T (for example, about 10 minutes)
After the application, the specific resistance value of the solution in the processing tank is measured by a specific resistance measuring device while the rinsing process is continued. The specific resistance value of the solution in the processing tank increases to a predetermined value B (for example, 16
[MΩcm]) (time t3), it is determined that the rinsing process has been completed.

【0006】しかしながら、比抵抗測定器のセル内に純
水が貯留されているという構成上、空気中に含まれてい
る炭酸ガスなどがその中に溶け込んでしまい、セル内の
純水の比抵抗を下げることになる。したがって、図6に
示すように、処理槽からセル内へのリンス液の導入が開
始され計測部で比抵抗値の計測を開始した時点(時間t
1)は前述の理由から比抵抗が低い所からスタートする
ことになり、セル内が処理槽からのリンス液(比抵抗の
高い純水)に置換されるまでに数分かかり、この数分間
は比抵抗としては所定値Bに到達せず低いままであるの
で、比抵抗回復に相当の時間がかかるという問題点があ
る。そして、実際には処理槽が純水で完全に置換されて
いるにも係わらず、計測部での計測開始当初の数分間は
比抵抗が所定値Bに到達していないことからリンス処理
が不完全であると判断されリンス処理が継続されること
になり、計測部で比抵抗が所定値Bに達したことを検出
するまでリンス処理が終了できず、処理時間が長くなる
ことによるスループットの悪化、リンス液が無駄に消費
されるという問題があり、装置ランニングコスト、いわ
ゆる、COO(cost of ownership )低下の大きな要因
となっている。
However, since pure water is stored in the cell of the specific resistance measuring instrument, carbon dioxide and the like contained in the air are dissolved therein, and the specific resistance of the pure water in the cell is reduced. Will be lowered. Therefore, as shown in FIG. 6, the time when the introduction of the rinsing liquid from the processing tank into the cell is started and the measurement unit starts measuring the specific resistance value (time t)
1) starts from a place where the specific resistance is low for the above-mentioned reason, and it takes several minutes for the inside of the cell to be replaced with a rinsing liquid (pure water having a high specific resistance) from the processing tank. Since the specific resistance does not reach the predetermined value B and remains low, there is a problem that it takes a considerable time to recover the specific resistance. In spite of the fact that the processing tank is actually completely replaced with pure water, the specific resistance has not reached the predetermined value B for several minutes at the beginning of the measurement by the measuring unit, so that the rinsing process is not performed. The rinsing process is determined to be complete, and the rinsing process is continued. The rinsing process cannot be completed until the measuring unit detects that the specific resistance has reached the predetermined value B, and the throughput is deteriorated due to an increase in the processing time. However, there is a problem that the rinsing liquid is wastefully consumed, which is a major factor in lowering the apparatus running cost, that is, the so-called COO (cost of ownership).

【0007】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、処理液の特性を計測する時間を短縮で
き処理液の消費量を削減できる基板処理装置を提供する
ことを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to provide a substrate processing apparatus capable of reducing the time for measuring the characteristics of a processing solution and reducing the consumption of the processing solution. I do.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の基板処理装置は、基板を処理液で
処理する処理手段と、前記処理液の特性値を測定する測
定手段とを有し、前記測定手段は、内部空間を有するセ
ルと、このセル内に処理液の特性値を測定するセンサと
を備え、前記処理手段に使われる処理液をそのセル内に
導いて元々セル内にあった溶液と置換させてこの送られ
てきた処理液の特性値を測定し、前記測定手段での測定
結果に基づいて前記基板に所定の処理を施す基板処理装
置において、前記センサの検出信号の立ち上がりの急峻
さを基準となる処理液での急峻さと比較することによっ
て、導入されてきた処理液が所望の特性値を持っている
かどうかを判定する判定手段を備えていることを特徴と
するものである。
The present invention has the following configuration in order to achieve the above object. In other words, the substrate processing apparatus according to claim 1 includes processing means for processing a substrate with a processing liquid, and measuring means for measuring a characteristic value of the processing liquid, wherein the measuring means has a cell having an internal space. And a sensor for measuring a characteristic value of the processing liquid in the cell, and the processing liquid used for the processing means is guided into the cell, replaced with the solution originally in the cell, and sent. In a substrate processing apparatus that measures a characteristic value of a processing liquid and performs predetermined processing on the substrate based on a measurement result by the measurement unit, a processing liquid with a processing liquid based on a steep rise of a detection signal of the sensor is used. It is characterized in that it is provided with a judging means for judging whether or not the introduced processing liquid has a desired characteristic value by comparing with the steepness.

【0009】また、請求項2に記載の基板処理装置は、
請求項1に記載の基板処理装置において、前記判定手段
は、前記センサの検出信号の立ち上がりの傾きを基準と
なる処理液での傾きと比較することによって、導入され
てきた処理液が所望の特性値を持っているかどうかを判
定することを特徴とするものである。
Further, the substrate processing apparatus according to claim 2 is
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the determination unit compares the slope of the rising edge of the detection signal of the sensor with a slope of the reference processing liquid so that the introduced processing liquid has a desired characteristic. It is characterized in that it is determined whether or not it has a value.

【0010】また、請求項3に記載の基板処理装置は、
請求項1に記載の基板処理装置において、前記判定手段
は、前記センサの検出信号の立ち上がり途中であってそ
の立ち上がり開始から所定時間経過時における検出信号
の値を、基準となる処理液での前記所定時間経過時にお
ける検出信号の値と比較することによって、導入されて
きた処理液が所望の特性値を持っているかどうかを判定
することを特徴とするものである。
Further, the substrate processing apparatus according to claim 3 is
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the determination unit determines a value of the detection signal in the middle of the rise of the detection signal of the sensor and a predetermined time after the start of the rise, with the processing liquid serving as a reference. 3. It is characterized in that it is determined whether or not the introduced processing liquid has a desired characteristic value by comparing with a value of the detection signal when a predetermined time has elapsed.

【0011】また、請求項4に記載の基板処理装置は、
請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板処理装置
において、前記処理手段は、処理液を貯留する処理槽を
備え、前記処理槽が、処理液が供給されることで元々あ
った溶液が徐々に排出されて槽内が処理液に置換されて
いき、この処理液中に基板を浸漬して所定の処理を施す
処理槽であることを特徴とするものである。
Further, the substrate processing apparatus according to claim 4 is
4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing unit includes a processing tank that stores the processing liquid, and the processing tank is configured to supply the processing liquid. 5. Is gradually discharged, the inside of the tank is replaced with a processing solution, and the substrate is immersed in the processing solution to perform a predetermined process.

【0012】また、請求項5に記載の基板処理装置は、
請求項4に記載の基板処理装置において、前記処理槽
は、基板に処理液をシャワー状に供給しながら、処理槽
内に元々あった溶液を急速排出したり、急速排出を止め
て処理液を貯留することで処理槽内を処理液に置換し、
この処理液中に基板を浸漬して所定の処理を施すことを
特徴とするものである。
Further, the substrate processing apparatus according to claim 5 is
5. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the processing tank quickly discharges the solution originally in the processing tank while supplying the processing liquid to the substrate in a shower shape, or stops the rapid discharge to discharge the processing liquid. By storing, the inside of the processing tank is replaced with the processing liquid,
The present invention is characterized in that the substrate is immersed in the processing liquid to perform a predetermined processing.

【0013】また、請求項6に記載の基板処理装置は、
請求項1から請求項5のいずれかに記載の基板処理装置
において、前記処理液は、純水であり、前記センサは、
純水の比抵抗を測定することを特徴とするものである。
Further, the substrate processing apparatus according to claim 6 is
6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid is pure water, and the sensor includes:
It is characterized by measuring the specific resistance of pure water.

【0014】[0014]

【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。測定しようとする処理液の特性値の大小に応じて、
その特性値を測定するセンサからの検出信号の立ち上が
りの急峻さは変化することになる。そこで、判定手段
は、センサの検出信号の立ち上がりの急峻さを基準とな
る処理液のそれと比較することによって、導入されてき
た処理液が所望の特性値を持っているかどうかを判定す
る。したがって、センサの検出信号の立ち上がりの急峻
さのみを検出するだけで、導入されてきた処理液の特性
値が即座に判定されるので、処理液の特性を計測する時
間が短縮され、処理液の消費量が削減される。
The operation of the first aspect of the invention is as follows. Depending on the magnitude of the characteristic value of the processing solution to be measured,
The steepness of the rise of the detection signal from the sensor that measures the characteristic value changes. Therefore, the determination means determines whether the introduced processing liquid has a desired characteristic value by comparing the steepness of the rise of the detection signal of the sensor with that of the reference processing liquid. Therefore, the characteristic value of the introduced processing liquid is immediately determined only by detecting the steepness of the rising edge of the detection signal of the sensor. The consumption is reduced.

【0015】また、請求項2に記載の発明によれば、判
定手段は、センサの検出信号の立ち上がりの傾きを基準
となる処理液のそれと比較することによって、導入され
てきた処理液が所望の特性値を持っているかどうかを判
定する。したがって、センサの検出信号の立ち上がりの
傾きのみを検出するだけで、導入されてきた処理液の特
性値が即座に判定されるので、処理液の特性を計測する
時間が短縮され、処理液の消費量が削減される。
According to the second aspect of the present invention, the judging means compares the slope of the rising edge of the detection signal of the sensor with that of the reference processing liquid to determine whether the introduced processing liquid is a desired one. It is determined whether or not it has a characteristic value. Therefore, the characteristic value of the introduced processing liquid is immediately determined only by detecting only the rising slope of the detection signal of the sensor, so that the time for measuring the characteristic of the processing liquid is reduced, and the consumption of the processing liquid is reduced. The amount is reduced.

【0016】また、請求項3に記載の発明によれば、判
定手段は、センサの検出信号の立ち上がり途中であって
その立ち上がり開始から所定時間経過時における検出信
号の値を、基準となる処理液のそれと比較することによ
って、導入されてきた処理液が所望の特性値を持ってい
るかどうかを判定する。したがって、センサの検出信号
の立ち上がり途中の検出信号の値を検出するだけで、導
入されてきた処理液の特性値が即座に判定されるので、
処理液の特性を計測する時間が短縮され、処理液の消費
量が削減される。
According to the third aspect of the present invention, the determination means determines the value of the detection signal in the middle of the rise of the detection signal of the sensor when a predetermined time has elapsed from the start of the rise of the detection signal as a reference. Then, it is determined whether or not the introduced processing solution has a desired characteristic value. Therefore, only by detecting the value of the detection signal in the middle of the rise of the detection signal of the sensor, the characteristic value of the introduced processing liquid is immediately determined,
The time for measuring the characteristics of the processing liquid is reduced, and the consumption of the processing liquid is reduced.

【0017】また、請求項4に記載の発明によれば、処
理槽は、処理液が供給されることで元々あった溶液が徐
々に排出されて槽内が処理液に置換されていき、この処
理液中に基板を浸漬して所定の処理を施している。この
ような処理槽の場合でも、処理槽から導入されてきた処
理液の特性値が即座に判定されるので、処理液の特性値
を計測する時間が短縮され、処理液の消費量が削減され
る。
According to the fourth aspect of the present invention, when the processing solution is supplied to the processing tank, the original solution is gradually discharged, and the inside of the processing tank is replaced with the processing liquid. The substrate is immersed in a processing solution to perform a predetermined process. Even in such a processing tank, since the characteristic value of the processing liquid introduced from the processing tank is immediately determined, the time for measuring the characteristic value of the processing liquid is shortened, and the consumption of the processing liquid is reduced. You.

【0018】また、請求項5に記載の発明によれば、処
理槽は、基板に処理液をシャワー状に供給し処理槽内に
元々あった溶液を急速排出することで、処理槽内を処理
液に置換し、この処理液中に基板を浸漬して所定の処理
を施している。このような処理槽の場合でも、処理槽か
ら導入されてきた処理液の特性値が即座に判定されるの
で、処理液の特性値を計測する時間が短縮され、処理液
の消費量が削減される。
According to the fifth aspect of the present invention, the processing tank supplies the processing liquid to the substrate in a shower state and rapidly discharges the solution originally in the processing tank, thereby processing the processing tank. Then, the substrate is immersed in the processing solution to perform a predetermined process. Even in such a processing tank, since the characteristic value of the processing liquid introduced from the processing tank is immediately determined, the time for measuring the characteristic value of the processing liquid is shortened, and the consumption of the processing liquid is reduced. You.

【0019】また、請求項6に記載の発明によれば、処
理槽に供給される純水によって基板が洗浄処理される。
センサは、処理槽から導入されてきた純水の比抵抗値を
測定する。判定手段は、センサで検出される比抵抗値信
号の立ち上がりの急峻さを基準となる純水のそれと比較
することによって、処理槽から導入されてきた純水が所
望の比抵抗値を持っているかどうかを判定する。したが
って、センサで検出される比抵抗値信号の立ち上がりの
急峻さを検出するだけで、導入されてきた純水の比抵抗
値が即座に判定されるので、純水の比抵抗値を計測する
時間が短縮され、純水の消費量が削減される。
According to the sixth aspect of the present invention, the substrate is cleaned by the pure water supplied to the processing tank.
The sensor measures a specific resistance value of pure water introduced from the processing tank. The determination means compares the steepness of the rise of the specific resistance value signal detected by the sensor with that of the pure water as a reference to determine whether the pure water introduced from the processing tank has a desired specific resistance value. Determine whether Therefore, the specific resistance value of the introduced pure water is immediately determined only by detecting the steepness of the rise of the specific resistance value signal detected by the sensor. And the consumption of pure water is reduced.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。本実施例に係る基板処理装置の概略
構成を図1を参照して説明する。この基板処理装置は、
目標とする濃度になるように純水と薬液とが混合された
溶液、純水のみで構成されるリンス液などの各種の処理
液を貯留し、貯留する処理液中に半導体ウエハ等の基板
Bを浸漬し、基板Bに対して薬液処理又はリンス処理な
どの表面処理を施す基板処理槽10と、この基板処理槽
10内に所望の薬液を供給する薬液供給部12と、基板
処理槽10内にリンス液である純水を供給する純水供給
部14と、薬液供給部12からの薬液又は純水供給部1
4からの純水の供給によって基板処理槽10の上部開口
からオーバーフローした薬液又は純水を排出する処理液
排出部16と、装置全体の動作を制御する制御部18と
を備えている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. A schematic configuration of a substrate processing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG. This substrate processing equipment
Various processing liquids such as a solution in which pure water and a chemical solution are mixed to have a target concentration, and a rinsing liquid composed only of pure water are stored, and a substrate B such as a semiconductor wafer is stored in the stored processing liquid. A substrate processing tank 10 for performing a surface treatment such as a chemical treatment or a rinsing treatment on the substrate B, a chemical supply unit 12 for supplying a desired chemical into the substrate processing tank 10, Pure water supply unit 14 for supplying pure water as a rinsing liquid to the chemical liquid or pure water supply unit 1 from chemical liquid supply unit 12
The processing liquid discharge unit 16 discharges a chemical solution or pure water overflowing from the upper opening of the substrate processing tank 10 by the supply of pure water from 4, and a control unit 18 that controls the operation of the entire apparatus.

【0021】基板処理槽10は、石英ガラス等により側
面視略V字状で平面視略矩形状に構成される一方、その
内部に基板Bを収容したキャリア(図面省略)が搬送用
ロボットにより挟持されて搬入されるようになってお
り、その底部には薬液と純水の供給路を兼ねた処理液供
給管20が連結されている。この処理液供給管20に
は、導入弁連結管22、スタティックミキサ24及び給
排液切替弁26が上流側から下流側に向けて順に配設さ
れている。また、導入弁連結管22には、薬液供給部1
2からの薬液を導入する薬液導入弁28,30が連結さ
れている。なお、上述した基板処理槽10が本発明にお
ける処理手段に相当する。
The substrate processing tank 10 is made of quartz glass or the like and has a substantially V shape in a side view and a substantially rectangular shape in a plan view, and a carrier (not shown) in which a substrate B is housed is held by a transfer robot. A processing liquid supply pipe 20 which also serves as a supply path for a chemical solution and pure water is connected to the bottom thereof. In the processing liquid supply pipe 20, an introduction valve connecting pipe 22, a static mixer 24, and a supply / drainage switching valve 26 are arranged in order from the upstream side to the downstream side. In addition, the introduction valve connecting pipe 22 includes the chemical solution supply unit 1.
The chemical liquid introduction valves 28 and 30 for introducing the chemical liquid from 2 are connected. The above-described substrate processing tank 10 corresponds to a processing unit in the present invention.

【0022】なお、導入弁連結管22は、薬液導入弁2
8,30を介して薬液供給部12からの各薬液を個別に
導入するものである。また、スタティックミキサ24
は、薬液供給部12からの薬液と純水供給部14からの
純水とを混合して所定の濃度の薬液を生成するものであ
る。また、給排液切替弁26は、薬液又は純水を基板処
理槽10内に供給するか又は、基板処理槽10内の薬液
又は純水を後述する排液管74及び排液ドレン76を介
して装置外部に排出するものである。
The introduction valve connecting pipe 22 is connected to the chemical introduction valve 2.
Each of the chemicals from the chemical supply unit 12 is individually introduced via the liquid crystal units 8 and 30. In addition, the static mixer 24
Is for mixing a chemical solution from the chemical solution supply unit 12 and pure water from the pure water supply unit 14 to generate a chemical solution having a predetermined concentration. Further, the supply / drainage switching valve 26 supplies a chemical solution or pure water into the substrate processing tank 10, or supplies a chemical solution or pure water in the substrate processing tank 10 via a drain pipe 74 and a drain 76 described below. Is discharged outside the apparatus.

【0023】薬液供給部12は、複数種類の薬液QA
B を貯留する薬液容器38,40と、各薬液導入弁2
8,30及び各薬液容器38,40の間をそれぞれ連通
する薬液供給管48,50と、各薬液供給管48,50
をそれぞれ開閉する薬液切替弁481,501と、薬液
A ,QB をそれぞれ処理液供給管20側にそれぞれ圧
送する圧送ポンプ482,502と、各圧送ポンプ48
2,502の上流側にそれぞれ配設された薬液供給量測
定器483,503と、各圧送ポンプ482,502の
下流側にそれぞれ配設された薬液フィルタ484,50
4とを備えている。
The chemical solution supply section 12 includes a plurality of types of chemical solutions Q A ,
Chemical solution containers 38 and 40 for storing Q B and each chemical solution introduction valve 2
Chemical solution supply pipes 48 and 50 communicating between the chemical solution containers 8 and 30 and the chemical solution containers 38 and 40, respectively, and the chemical solution supply pipes 48 and 50
Switching valves 481 and 501 for opening and closing the respective pumps, pumps 482 and 502 for pumping the chemicals Q A and Q B to the processing liquid supply pipe 20 side, respectively, and pumps for each pump 48
Chemical liquid supply amount measuring devices 483 and 503 provided on the upstream side of the pumps 482 and 502, and the chemical liquid filters 484 and 50 provided on the downstream side of the pumps 482 and 502, respectively.
4 is provided.

【0024】純水供給部14は、純水供給源52から処
理液供給管20側に純水Wを圧送する純水供給管58
と、この純水供給管58に上流側から下流側にかけて順
に配設された純水加熱部60、純水開閉弁62、圧力調
整レギュレータ64、純水圧力測定器66及び純水フィ
ルタ68とを備えている。なお、圧力調整レギュレータ
64は、空気圧制御によって純水供給管58内を圧送さ
れる純水流量を制御するものである。
The pure water supply section 14 is a pure water supply pipe 58 for pumping pure water W from the pure water supply source 52 to the processing liquid supply pipe 20 side.
And a pure water heating unit 60, a pure water opening / closing valve 62, a pressure regulating regulator 64, a pure water pressure measuring device 66, and a pure water filter 68 which are arranged in this order from the upstream side to the downstream side in the pure water supply pipe 58. Have. The pressure adjustment regulator 64 controls the flow rate of pure water pumped through the pure water supply pipe 58 by air pressure control.

【0025】処理液排出部16は、基板処理槽10の上
部外周に配設され、基板処理槽10の上部開口からオー
バーフローする薬液又は純水を受け入れる排液槽70
と、この排液槽70の底部に形成された排出口72に一
端が連結された排液管74と、この排液管74の他端に
連結された排液ドレン76とを備えている。これらの排
液槽70、排液管74及び排液ドレン76により排液経
路が構成される。
The processing liquid discharge unit 16 is disposed on the outer periphery of the upper part of the substrate processing tank 10 and receives a chemical solution or pure water overflowing from the upper opening of the substrate processing tank 10.
And a drain pipe 74 having one end connected to a discharge port 72 formed at the bottom of the drain tank 70, and a drain 76 connected to the other end of the drain pipe 74. The drainage path is constituted by the drainage tank 70, the drainage pipe 74, and the drainage drain 76.

【0026】また、排液槽70内における基板処理槽1
0の上部外周には、その基板処理槽10の上端に形成さ
れた排出孔11に対応する位置に、その排出孔11から
排出されたリンス処理後の純水が流れ込む通路部材78
がゴムパッキング80を介して取り付けられている。こ
の通路部材78は、耐薬品性に優れた樹脂等で形成さ
れ、基板処理槽10内のリンス処理後の純水が内部を流
れる直方体形状の通路形成部材781と、この通路形成
部材781内の純水の流れを制御するアクチュエータ部
782とから構成されており、通路形成部材781には
純水中の比抵抗を測定する比抵抗測定器82が取り付け
られ、アクチュエータ部782にはソレノイド等からな
る後述する駆動手段782aが配設されている。
The substrate processing tank 1 in the drainage tank 70
On the outer periphery of the upper part of the substrate processing tank 10, a passage member 78 into which pure water after the rinsing process discharged from the discharge hole 11 flows into a position corresponding to the discharge hole 11 formed at the upper end of the substrate processing tank 10.
Is attached via a rubber packing 80. The passage member 78 is formed of a resin or the like having excellent chemical resistance, and has a rectangular parallelepiped passage forming member 781 through which pure water after rinsing in the substrate processing bath 10 flows. An actuator 782 for controlling the flow of pure water is provided. A specific resistance measuring device 82 for measuring the specific resistance in pure water is attached to the passage forming member 781. The actuator 782 is made of a solenoid or the like. Driving means 782a to be described later is provided.

【0027】図2は通路部材78の外観斜視図であり、
図3は図2に示した通路部材78の一部を切り欠いて示
す要部斜視図であり、図4は図2に示した通路部材78
のA−A線断面図であり、図5は図2に示した通路部材
78のB−B線断面図である。なお、これらの図には、
方向を明確にするためのXYZ直角座標系を併せて図示
している。
FIG. 2 is an external perspective view of the passage member 78.
FIG. 3 is a perspective view of a main part of the passage member 78 shown in FIG. 2 with a part cut away, and FIG. 4 is a perspective view of the passage member 78 shown in FIG.
5 is a cross-sectional view of the passage member 78 shown in FIG. 2 taken along the line BB. In these figures,
An XYZ rectangular coordinate system for clarifying directions is also shown.

【0028】すなわち、通路形成部材781には、その
内部に、前後方向(X方向)に形成された第1の通路7
83aと、左右方向(Y方向)に形成された第2の通路
783bと、上下方向(Z方向)に形成された第3の通
路783cとからなる導入通路783が形成されてい
る。
That is, the first passage 7 formed in the front-rear direction (X direction) is formed in the passage forming member 781.
An introduction passage 783 is formed which includes a second passage 783b formed in the left-right direction (Y direction), and a third passage 783c formed in the up-down direction (Z direction).

【0029】第1の通路783aは、一端が通路形成部
材781の前面(+X方向)に開口しており、この開口
部分が基板処理槽10の排出孔11と対向する純水の流
入口783dを構成する。なお、通路部材78は、この
流入口783dが基板処理槽10の排出孔11に対向す
るようにこの基板処理槽10に取り付けられる。また、
第1の通路783aには、この第1の通路783aより
の小径のドレン孔783eが通路形成部材781の上面
(+Z方向)に通じるように形成されている。
One end of the first passage 783a is opened at the front surface (+ X direction) of the passage forming member 781, and this opening portion is connected to an inlet 783d of pure water facing the discharge hole 11 of the substrate processing tank 10. Constitute. The passage member 78 is attached to the substrate processing tank 10 such that the inflow port 783d faces the discharge hole 11 of the substrate processing tank 10. Also,
In the first passage 783a, a drain hole 783e having a smaller diameter than that of the first passage 783a is formed so as to communicate with the upper surface (+ Z direction) of the passage forming member 781.

【0030】また、第2の通路783bは、一端が第1
の通路783aの他端に連通される一方、他端が通路形
成部材781の左側面(+Y方向)に開口しており、こ
の開口部分が比抵抗測定器82の挿入口783fを構成
する。なお、比抵抗測定器82は、この挿入口783f
に挿入されて通路部材78に取り付けられ、その先端の
計測部821が第2の通路783b内に露出するように
なっている。
One end of the second passage 783b is the first passage 783b.
The other end of the passage 783a communicates with the other end, and the other end is opened on the left side surface (+ Y direction) of the passage forming member 781, and this opening constitutes an insertion port 783f of the resistivity measuring instrument 82. Note that the specific resistance measuring device 82 is provided with the insertion port 783f.
And is attached to the passage member 78 so that the measuring section 821 at the tip thereof is exposed in the second passage 783b.

【0031】また、第3の通路783cは、一端が第2
の通路783bに連通され、他端が通路形成部材781
の上面(+Z方向)に開口しており、この開口部分が純
水の流出口783gを構成する。従って、通路部材78
の前面の流入口783dから流入されたリンス処理後の
純水は第1,第2及び第3の通路783a,783b及
び783cからなる導入通路783を通過して上面の流
出口783gから流出されることになり、比抵抗測定器
82の計測部821はこの導入通路783内を流れる純
水の比抵抗を測定する。
The third passage 783c has one end connected to the second passage 783c.
And the other end thereof is connected to a passage forming member 781b.
, And the opening portion constitutes an outlet 783 g of pure water. Therefore, the passage member 78
The rinsed pure water that has flowed in from the inflow port 783d on the front surface passes through the introduction passage 783 composed of the first, second, and third passages 783a, 783b, and 783c, and flows out from the outlet 783g on the upper surface. That is, the measuring unit 821 of the specific resistance measuring device 82 measures the specific resistance of the pure water flowing in the introduction passage 783.

【0032】なお、上述した比抵抗測定器82と通路形
成部材781が本発明における測定手段に相当し、通路
形成部材781が本発明におけるセルに相当し、上述し
た計測部821が本発明におけるセンサに相当する。
The above-described resistivity measuring device 82 and the passage forming member 781 correspond to the measuring means in the present invention, the passage forming member 781 corresponds to the cell in the present invention, and the measuring section 821 corresponds to the sensor in the present invention. Is equivalent to

【0033】また、第1の通路783aと第2の通路7
83bとの接合部分には、アクチュエータ部782内に
配設されている駆動手段782aにより通路部材78の
軸挿入孔783iに挿入された軸体782bを介して前
後方向(X方向)に進退する弁体等からなる開閉部材7
82cが配設されている。そして、この開閉部材782
cが前側(+X方向)に移動したときに第1の通路78
3aと第2の通路783bとの間が遮断され、流入口7
83dから流入したリンス処理後の純水が流出口783
g側に流れるのが阻止される一方、後側(−X方向)に
移動したときに第1の通路783aと第2の通路783
bとの間が開放され、流入口783dから流入したリン
ス処理後の純水が流出口783g側に流れるようになっ
ている。
Further, the first passage 783a and the second passage 7
A valve that advances and retreats in the front-rear direction (X direction) through a shaft 782b inserted into a shaft insertion hole 783i of the passage member 78 by a driving means 782a provided in the actuator portion 782 at a joint portion with the actuator 83b. Opening / closing member 7 composed of body, etc.
82c is provided. And this opening / closing member 782
When c moves forward (in the + X direction), the first passage 78
3a and the second passage 783b are shut off, and the inlet 7
The pure water after the rinsing treatment that has flowed in through the 83d flows out of the outlet 783
The first passage 783a and the second passage 783 are prevented from flowing toward the g side while moving rearward (-X direction).
b is opened, so that the rinsed pure water that has flowed in through the inflow port 783d flows toward the outflow port 783g.

【0034】このように開閉部材782cを設けている
のは、通常、比抵抗測定器82の計測部821には耐薬
品性がないため、それが損傷しないように処理液濃度が
十分に低下して、処理液が十分に純水で置換されてから
取り込むようにするためである。比抵抗測定器82によ
って測定された比抵抗値は、制御部18に出力され、純
水による置換度合いの判断に利用される。
The reason why the opening / closing member 782c is provided is that the measuring portion 821 of the resistivity measuring device 82 generally has no chemical resistance, and the concentration of the processing solution is sufficiently reduced so as not to damage the measuring portion 821. This is because the processing liquid is taken in after being sufficiently replaced with pure water. The specific resistance value measured by the specific resistance measuring device 82 is output to the control unit 18 and used for determining the degree of replacement with pure water.

【0035】また、通路形成部材781の上面(+Z方
向)には、ドレン孔783e及び流出口783gよりも
前側(+X方向)の位置に左右方向(Y方向)の両端に
亘る衝立板784が上方に突設されており、ドレン孔7
83e及び流出口783gから外部に流出した純水が衝
立板784に遮られることによって基板処理槽10内に
流れ込まないようになっている。
On the upper surface (+ Z direction) of the passage forming member 781, a partition plate 784 extending at both ends in the left-right direction (Y direction) is located at a position forward (+ X direction) from the drain hole 783e and the outlet 783g. At the drain hole 7
The pure water that has flowed out from the outlet 83e and the outlet 783g is blocked by the partition plate 784 so as not to flow into the substrate processing bath 10.

【0036】図1に戻って、制御部18は、図示を省略
するが、所定の演算処理を行なうCPU(中央処理装
置)と、所定の処理プログラムが記憶されているROM
(読出し専用メモリ)と、処理データを記憶するRAM
(ランダムアクセスメモリ)とを備えており、上記所定
の処理プログラムに従って基板処理装置の動作を制御す
る。さらに、制御部18は、比抵抗測定器82の計測部
821からの検出信号の立ち上がりの急峻さを基準とな
る純水のそれと比較することによって、導入されてきた
リンス液が所望の特性値を持っているかどうかを判定す
る判定部19を備えている。判定部19は、上記CP
U,ROM,RAMを用いて上記所定の処理プログラム
に上記の判定機能を含めることによって実現できる。
Returning to FIG. 1, although not shown, the control unit 18 includes a CPU (central processing unit) for performing predetermined arithmetic processing and a ROM in which a predetermined processing program is stored.
(Read only memory) and RAM for storing processing data
(Random access memory), and controls the operation of the substrate processing apparatus according to the predetermined processing program. Further, the control unit 18 compares the steepness of the rise of the detection signal from the measuring unit 821 of the resistivity measuring device 82 with that of the reference pure water, so that the introduced rinsing liquid has a desired characteristic value. A determination unit 19 for determining whether or not the user has it is provided. The determination unit 19 determines that the CP
It can be realized by including the above-described determination function in the predetermined processing program using U, ROM, and RAM.

【0037】すなわち、制御部18には、薬液供給量測
定器483,503、純水圧力測定器66、及び比抵抗
測定器82が接続され、それらから所定の出力信号が入
力されるようになっている。また、制御部18には、給
排液切替弁26、薬液導入弁28,30、薬液切替弁4
81,501、圧送ポンプ482,502、純水加熱部
60、純水開閉弁62、圧力調整レギュレータ64、及
びアクチュエータ部782の駆動手段782aが接続さ
れ、上記出力信号に基づきそれぞれの動作が制御される
ようになっている。
That is, the control unit 18 is connected to the chemical liquid supply amount measuring devices 483 and 503, the pure water pressure measuring device 66, and the specific resistance measuring device 82, from which predetermined output signals are input. ing. The control unit 18 includes a supply / drainage switching valve 26, chemical introduction valves 28 and 30, and a chemical switching valve 4.
81, 501, the pressure pumps 482, 502, the pure water heating unit 60, the pure water opening / closing valve 62, the pressure regulating regulator 64, and the driving means 782a of the actuator unit 782 are connected, and their operations are controlled based on the output signals. It has become so.

【0038】次に上記のように構成された基板処理装置
の動作について説明する。 (1)基準となる純水のみの比抵抗回復曲線を予め取得
しておく事前準備を行なう。まず、スタートスイッチ
(図面省略)がONされると、純水開閉弁62が開かれ
る一方、純水供給源52から供給された純水Wが純水加
熱部60で所定温度に加熱され、処理液供給管20を介
して基板処理槽10内に供給される。このとき、薬液導
入弁28,30は閉じられており、純水だけが基板処理
槽10内に継続して供給される。そして、基板処理槽1
0の上部開口からオーバーフローした純水は排液槽70
内に排出され、その排出口72から排液管74、排液ド
レン76を介して装置外部に排出される。
Next, the operation of the substrate processing apparatus configured as described above will be described. (1) Preliminary preparation for acquiring in advance a specific resistance recovery curve of only pure water as a reference. First, when a start switch (not shown) is turned on, the pure water opening / closing valve 62 is opened, and the pure water W supplied from the pure water supply source 52 is heated to a predetermined temperature by the pure water heating unit 60 to perform processing. The liquid is supplied into the substrate processing tank 10 through the liquid supply pipe 20. At this time, the chemical solution introduction valves 28 and 30 are closed, and only pure water is continuously supplied into the substrate processing tank 10. And the substrate processing tank 1
Pure water overflowing from the upper opening of the drain tank 70
And is discharged from the apparatus through a drain 72 and a drain 76 from the outlet 72.

【0039】制御部18は、図3に示す開閉部材782
cを後側(−X方向)に移動させるよう駆動手段782
aを駆動させ、第1の通路783aと第2の通路783
bとの間を開放し、流入口783dから流入した純水が
流出口783g側に流れるようにするとともに、比抵抗
測定器82に比抵抗の測定開始を指示する。比抵抗測定
器82の計測部821は、図6に示すように、第2の通
路783bに流入される純水の比抵抗値を微小単位時間
(例えば、0.1秒)毎に測定していき、計測部821
からの検出信号が制御部18に送られ、この測定結果か
ら得られる純水のみの比抵抗回復曲線(二点鎖線で示
す)が制御部18のRAMに記憶され取得される。な
お、前述したように比抵抗測定器82の通路形成部材7
81内に純水が貯留されているという構成上、空気中に
含まれている炭酸ガスなどがその中に溶け込んでしま
い、通路形成部材781内の純水の比抵抗を下げること
になるという理由から、この純水のみの比抵抗回復曲線
は、図6に二点鎖線で示すような立ち上がりを有する特
性となっている。制御部18の判定部19は、取得した
基準となる純水のみの比抵抗回復曲線の立ち上がりの急
峻さとして、例えばこの立ち上がりの傾きを算出して記
憶している。このようにして、事前準備が完了する。
The control unit 18 includes an opening / closing member 782 shown in FIG.
driving means 782 to move c backward (−X direction).
a to drive the first passage 783a and the second passage 783a.
b, the pure water flowing from the inflow port 783d is allowed to flow to the outflow port 783g, and the specific resistance measuring device 82 is instructed to start measuring the specific resistance. As shown in FIG. 6, the measuring unit 821 of the specific resistance measuring device 82 measures the specific resistance of the pure water flowing into the second passage 783b every minute unit time (for example, 0.1 second). Iki, measurement unit 821
Is sent to the control unit 18, and a resistivity recovery curve (shown by a two-dot chain line) of pure water alone obtained from the measurement result is stored and acquired in the RAM of the control unit 18. Note that, as described above, the passage forming member 7 of the resistivity measuring device 82
Due to the configuration in which pure water is stored in 81, the reason that carbon dioxide or the like contained in the air is dissolved therein and the specific resistance of pure water in the passage forming member 781 is reduced. Therefore, the specific resistance recovery curve of pure water only has a characteristic having a rising as shown by a two-dot chain line in FIG. The determination unit 19 of the control unit 18 calculates and stores, for example, a slope of the rising as a steepness of the rising of the specific resistance recovery curve of only the pure water as the reference. Thus, the advance preparation is completed.

【0040】(2)上記事前準備が完了すると通常の使
用状態になり、基板Bに所望の薬液処理を施す。具体的
には、上記の事前準備が完了すると、純水が上部開口か
らオーバーフローしている基板処理槽10内に基板Bが
搬入される。その後、基板処理槽10内に給送される1
の薬液QA ,QB に対応した薬液導入弁28,30が開
かれる一方、その1の薬液QA ,QB に対応する1の圧
送ポンプ482,502が駆動されて所定の薬液(原
液)が導入弁連結管22を介してスタティックミキサ2
4に給送される。このスタティックミキサ24に給送さ
れてきた薬液は、スタティックミキサ24内で純水供給
部14から給送されてきた純水と混合され、所定濃度の
薬液とした上で基板処理槽10内に供給される。
(2) When the above-mentioned advance preparation is completed, the apparatus is put into a normal use state, and the substrate B is subjected to a desired chemical treatment. Specifically, when the above-mentioned preliminary preparation is completed, the substrate B is carried into the substrate processing tank 10 in which pure water overflows from the upper opening. After that, 1 is fed into the substrate processing tank 10.
The chemical solution introduction valves 28 and 30 corresponding to the chemical solutions Q A and Q B are opened, and the one pressure pump 482 and 502 corresponding to the one chemical solution Q A and Q B are driven to perform a predetermined chemical solution (stock solution). Is connected via the introduction valve connecting pipe 22 to the static mixer 2
4 The chemical solution supplied to the static mixer 24 is mixed with the pure water supplied from the pure water supply unit 14 in the static mixer 24 to form a chemical solution having a predetermined concentration, and then supplied to the substrate processing tank 10. Is done.

【0041】そして、この動作が継続されることで基板
処理槽10内の純水が薬液に置換され、これにより基板
Bの表面に対して薬液処理が施される。なお、このとき
1の薬液導入弁28,30が開かれていることから薬液
処理であると判断され、純水供給源52から給送される
純水Wは圧力調整レギュレータ64によりリンス処理の
場合よりも少ない流量となるように制御されてスタティ
ックミキサ24に給送される。また、薬液処理であると
判断されたときには、通路部材78の開閉部材782c
は駆動手段782aにより前側(+X方向)に移動して
導入通路783を遮断するようになっており、基板処理
槽10内の薬液が導入通路783の開閉部材782cよ
りも下流側には流れ込まないようになっている。
Then, by continuing this operation, the pure water in the substrate processing tank 10 is replaced with a chemical, whereby the surface of the substrate B is subjected to the chemical processing. At this time, since the first chemical solution introduction valves 28 and 30 are open, it is determined that the chemical solution processing is to be performed. The flow is controlled to be smaller than the flow rate and is supplied to the static mixer 24. When it is determined that the process is a chemical solution process, the opening / closing member 782c of the passage member 78 is provided.
Is moved forward (in the + X direction) by the driving means 782a to shut off the introduction passage 783, so that the chemical solution in the substrate processing tank 10 does not flow downstream of the opening / closing member 782c of the introduction passage 783. It has become.

【0042】この結果、比抵抗測定器82の計測部82
1は薬液に浸漬されることがないので、計測部821の
電極等の薬液による腐食が抑制される。なお、薬液は導
入通路783の開閉部材782cの手前までは流入する
ことになるが、ドレン孔783eを介して通路部材78
の外部に排出されることになる。
As a result, the measuring section 82 of the resistivity measuring instrument 82
Since 1 is not immersed in the chemical, corrosion of the electrodes and the like of the measuring section 821 due to the chemical is suppressed. Note that the chemical solution flows into the introduction passage 783 up to just before the opening / closing member 782 c, but the passage member 78 passes through the drain hole 783 e.
Will be discharged to the outside.

【0043】(3)基板Bに対する薬液処理を終了しリ
ンス処理を施す。具体的には、一定時間が経過して基板
Bに対する薬液処理が終了すると、開いていた1の薬液
導入弁28,30が閉じられ、対応する1の圧送ポンプ
482,502の駆動が停止される。なお、このとき、
薬液導入弁28,30がすべて閉じられていることから
リンス処理であると判断され、純水供給源52から給送
される純水Wは圧力調整レギュレータ64により薬液処
理の場合よりも多い流量となるように制御されて基板処
理槽10内に給送される。
(3) The chemical treatment for the substrate B is completed and a rinsing treatment is performed. Specifically, when the chemical solution processing for the substrate B is completed after a certain period of time, the opened one chemical solution introduction valve 28, 30 is closed, and the driving of the corresponding one pressure feed pump 482, 502 is stopped. . At this time,
Since all of the chemical solution introduction valves 28 and 30 are closed, it is determined that the rinsing process is to be performed. And is fed into the substrate processing tank 10.

【0044】そして、純水のみが基板処理槽10内に供
給されると、基板処理槽10内の薬液が上部開口からオ
ーバーフローして排液槽70内に排出されることにより
基板処理槽10内の薬液が純水と置換される。排液槽7
0内に排出された薬液は、排出口72から排液管74及
び排液ドレン76を介して装置外部に排出される。この
ように、基板処理槽10内が純水で置換されることによ
り、基板Bの表面に対して薬液を洗い流すリンス処理が
施されることになる。
When only pure water is supplied into the substrate processing tank 10, the chemical in the substrate processing tank 10 overflows from the upper opening and is discharged into the drainage tank 70, so that the inside of the substrate processing tank 10 is discharged. Is replaced with pure water. Drainage tank 7
The chemical discharged into the chamber 0 is discharged from the discharge port 72 to the outside of the apparatus through a drain pipe 74 and a drain 76. As described above, by replacing the inside of the substrate processing tank 10 with the pure water, the surface of the substrate B is subjected to a rinsing process of washing out the chemical solution.

【0045】(4)基板処理槽10からのリンス処理後
の純水の比抵抗を測定し、その検出信号の立ち上がりの
急峻さから、基板Bに対するリンス処理の良否を判断す
る。具体的には、リンス処理を所定時間施した後に、通
路部材78の開閉部材782cが駆動手段782aによ
り後側(−X方向)に移動して導入通路783が開放さ
れるようになっており、基板処理槽10内のリンス処理
後の純水が排出口11を介して通路部材78の流入口7
83dから導入通路783内に流れ込んで流出口783
gから通路部材78の外部に流出される一方、導入通路
783内を流れる純水の比抵抗が比抵抗測定器82の計
測部821により測定される。
(4) The resistivity of the pure water after the rinsing treatment from the substrate treatment tank 10 is measured, and the quality of the rinsing treatment for the substrate B is judged from the steepness of the rise of the detection signal. Specifically, after performing the rinsing process for a predetermined time, the opening / closing member 782c of the passage member 78 is moved rearward (−X direction) by the driving means 782a to open the introduction passage 783. Pure water after the rinsing process in the substrate processing tank 10 is supplied to the inflow port 7 of the passage member 78 through the outlet port 11.
83d, flows into the introduction passage 783, and flows out of the outlet 783.
g, the specific resistance of the pure water flowing through the introduction passage 783 while flowing out of the passage member 78 is measured by the measuring unit 821 of the specific resistance measuring device 82.

【0046】制御部18の判定部19は、計測部821
からの検出信号の立ち上がり(図6に実線で示す)の急
峻さを、前述の事前準備で取得しておいた基準となる純
水での立ち上がり(図6に二点鎖線で示す)の急峻さと
比較し、基板処理槽10から導入通路783に導入され
てきたリンス処理後の純水が所望の特性値を持っている
かどうかを判定して、基板Bに対するリンス処理の良否
を判断する。なお、計測部821による比抵抗測定は、
測定開始からほんの短時間(例えば、15秒〜30秒)
となっている。
The determination section 19 of the control section 18 includes a measurement section 821
The rise of the detection signal (shown by a solid line in FIG. 6) is determined by the steepness of the rise (shown by a two-dot chain line in FIG. 6) in pure water, which is the reference obtained in the above-mentioned advance preparation. By comparison, it is determined whether or not the rinsed pure water introduced into the introduction passage 783 from the substrate processing tank 10 has a desired characteristic value, thereby determining whether the rinse treatment on the substrate B is good or not. Note that the specific resistance measurement by the measurement unit 821
Just a short time from the start of measurement (for example, 15 to 30 seconds)
It has become.

【0047】具体的には、基板処理槽10から導入通路
783に導入されてきたリンス処理後の純水を計測部8
21で測定したときのその検出信号の立ち上がり(図6
に実線で示す)の傾きが、前述の事前準備で取得してお
いた基準となる純水での立ち上がり(図6に二点鎖線で
示す)の傾きと同等あるいはそれより上回っている場合
には、判定部19は、リンス処理後の純水が所望の特性
値を持っている、すなわち、基板処理槽10内は十分に
純水に置換されたと判定し、基板Bに対するリンス処理
が良好に施されたとしてリンス処理を終了する。本実施
例では時間t2でリンス処理を終了している。
More specifically, the rinsing-treated pure water introduced from the substrate processing tank 10 into the introduction passage 783 is measured by the measuring unit 8.
The rise of the detection signal at the time of measurement in FIG.
(Shown by a solid line in FIG. 6) is equal to or greater than the slope of the rise in pure water (shown by a two-dot chain line in FIG. 6), which is the reference obtained in advance preparation described above. The determination unit 19 determines that the pure water after the rinsing process has a desired characteristic value, that is, that the inside of the substrate processing bath 10 has been sufficiently replaced with pure water, and the rinsing process for the substrate B is performed well. Then, the rinsing process ends. In this embodiment, the rinsing process ends at time t2.

【0048】なお、周囲環境などの影響により、基板処
理槽10からのリンス処理後の純水の特性値が変化する
場合があり、基板処理槽10からのリンス処理後の純水
を測定したその検出信号の立ち上がり(図6に実線で示
す)の傾きが、前述の事前準備で取得しておいた基準と
なる純水のみの検出信号の立ち上がり(図6に二点鎖線
で示す)の傾きを、僅かながら上回ることもある。
The characteristic value of the pure water after the rinsing process from the substrate processing bath 10 may change due to the influence of the surrounding environment and the like. The slope of the rise of the detection signal (shown by a solid line in FIG. 6) is the slope of the rise of the detection signal of pure water alone (shown by a two-dot chain line in FIG. 6), which is the reference obtained in the above-mentioned advance preparation. , Sometimes slightly.

【0049】これに対して仮に、図6に破線で示すよう
にリンス処理後の純水を測定したときのその検出信号の
立ち上がりの傾きが、前述の事前準備で取得しておいた
基準となる純水での立ち上がりの傾きより下回っている
場合には、判定部19は、リンス処理後の純水が所望の
特性値を持っていないと判定し、基板Bに対するリンス
処理が不十分で未完了であり不良であると判断する。こ
のような場合は、リンス処理をさらに継続してもリンス
処理が良好に完了しない場合であり、何らかの異常があ
ったとして警報等を発し、リンス処理を異常終了させる
ようにしている。
On the other hand, as shown by a broken line in FIG. 6, the rising slope of the detection signal when the rinsed pure water is measured is the reference obtained in the above-mentioned advance preparation. When the inclination is lower than the rising slope of pure water, the determination unit 19 determines that the pure water after the rinsing processing does not have a desired characteristic value, and the rinsing processing for the substrate B is insufficient and the rinsing processing is not completed. Is determined to be defective. In such a case, the rinsing process is not completed satisfactorily even if the rinsing process is further continued. An alarm or the like is issued as if there is any abnormality, and the rinsing process is abnormally terminated.

【0050】このようにリンス処理の良否が判定される
と、基板Bに対して次の薬液処理を施したり、基板Bを
次工程に払い出したりするなど上記所定の処理プログラ
ムに従った動作を行なう。
When the quality of the rinsing process is determined as described above, an operation according to the above-described predetermined processing program is performed, such as performing the next chemical solution processing on the substrate B or dispensing the substrate B to the next process. .

【0051】したがって、計測部821による比抵抗測
定は、測定開始からほんの短時間(例えば、15秒〜3
0秒)で十分であり、計測部821からの検出信号の立
ち上がりの急峻さのみを検出するだけで、基板処理槽1
0から導入通路783に導入されてきた純水の特性値が
即座に判定されるので、前述の従来例と比べて、純水の
特性を計測する時間を短縮でき純水の消費量を削減でき
る。
Therefore, the measurement of the specific resistance by the measuring section 821 takes only a short time (for example, 15 seconds to 3 seconds) from the start of the measurement.
0 seconds) is sufficient, and only the steepness of the rise of the detection signal from the measuring unit 821 is detected.
Since the characteristic value of the pure water introduced into the introduction passage 783 from 0 is immediately determined, the time for measuring the characteristic of the pure water can be reduced and the consumption of the pure water can be reduced as compared with the above-described conventional example. .

【0052】具体的には、前述の従来例では、導入通路
783に貯留されている純水に空気中の炭酸ガスなどが
溶け込むことでその比抵抗が低下するという理由から、
図6に示すように、計測開始当初の数分間は比抵抗が所
定値B(例えば、16〔MΩcm〕など)に到達しない
ので、実際に基板処理槽10が純水で完全に置換されて
いるとしても、計測部821に比抵抗が所定値Bに達す
るまで(時間t3〔分〕)リンス処理が継続され、リン
ス液が無駄に消費されるという問題があったが、本実施
例装置では、これらの問題が以下のように改善されてい
る。
Specifically, in the above-described conventional example, the specific resistance is lowered because carbon dioxide gas or the like in the air dissolves into the pure water stored in the introduction passage 783.
As shown in FIG. 6, since the specific resistance does not reach the predetermined value B (for example, 16 [MΩcm], etc.) for a few minutes at the beginning of the measurement, the substrate processing tank 10 is actually completely replaced with pure water. However, the measuring unit 821 has a problem that the rinsing process is continued until the specific resistance reaches the predetermined value B (time t3 [minutes]), and the rinsing liquid is wastefully consumed. These problems have been improved as follows.

【0053】図6に示すように、計測部821による比
抵抗測定は、測定開始からほんの短時間(例えば、15
秒〜30秒)で十分であり(この時間をt2〔分〕と表
記する。)、計測部821からの検出信号の立ち上がり
の急峻さのみを検出するだけで、基板処理槽10から導
入通路783に導入されてきた純水の特性値が即座に判
定されるので、前述の従来例と比べて、純水の特性を計
測する時間を数秒程度(時間t2〔分〕)に短縮でき、
単位時間当たりのオーバーフローリンス流量(以下、O
R流量と略す。)がX〔リットル/分〕であったとする
と、純水の消費量を(t3−t2)×X〔リットル〕に
削減できる。リンス処理する処理時間をt2〔分〕まで
削減でき、スループットを改善でき、装置ランニングコ
スト、いわゆる、COOを向上させることができる。
As shown in FIG. 6, the measurement of the specific resistance by the measuring unit 821 takes only a short time (for example, 15 minutes) from the start of the measurement.
Seconds to 30 seconds) is sufficient (this time is referred to as t2 [minutes]), and only the steepness of the rise of the detection signal from the measuring unit 821 is detected, and the introduction passage 783 from the substrate processing bath 10 is detected. Since the characteristic value of the pure water introduced into the sample is immediately determined, the time for measuring the characteristic of the pure water can be reduced to about several seconds (time t2 [minute]) as compared with the conventional example described above.
Overflow rinse flow rate per unit time (hereinafter referred to as O
Abbreviated as R flow rate. ) Is X [liter / minute], the consumption of pure water can be reduced to (t3−t2) × X [liter]. The processing time for the rinsing process can be reduced to t2 [minutes], the throughput can be improved, and the device running cost, so-called COO, can be improved.

【0054】具体的には、図7(a)に二点鎖線で示す
ように、リンス処理が所定時間(一律10分間)施され
た時点から、このリンス処理を継続しながらリンス処理
後の純水の比抵抗の傾きを計測している。前述の従来例
では、比抵抗が所定値に達することでリンス処理終了を
判定しているのでリンス処理に14分かかっていたが、
本実施例では、比抵抗の傾きを計測するだけで良いので
リンス処理を10.5分程度に短縮できる。
More specifically, as shown by a two-dot chain line in FIG. 7A, after the rinsing process is performed for a predetermined time (uniformly for 10 minutes), the rinsing process is continued and the pure The slope of the specific resistance of water is measured. In the above-mentioned conventional example, the rinsing process took 14 minutes since the termination of the rinsing process was determined when the specific resistance reached a predetermined value.
In the present embodiment, the rinsing process can be reduced to about 10.5 minutes because only the slope of the specific resistance needs to be measured.

【0055】なお、上記の一律10分間としている計測
前リンス時間は、水洗完了の確実性を確保するために経
験則により決定されたものであるので、かなりのマージ
ンが含まれており、過剰に純水が消費される場合があ
る。
Note that the above-mentioned rinsing time before measurement, which is uniformly set to 10 minutes, is determined by empirical rules in order to secure the certainty of the completion of washing, and therefore includes a considerable margin, and Pure water may be consumed.

【0056】そこで、本実施例装置では、リンス処理の
上記所定時間を短くしていきそのときのリンス処理後の
純水の比抵抗の傾きを計測することで、図7(a)に実
線で示すように、最適な計測前リンス時間(7分間)を
求めることができる。よって、リンス処理が7分間施さ
れた時点から、このリンス処理を継続しながらリンス処
理後の純水の比抵抗の傾きを計測(0.5分)すること
で、リンス処理終了を判定でき、リンス処理を7.5分
程度に短縮できる。図8に示すように、前述の従来例で
の純水消費量は、水洗時間14〔分〕×OR流量20
〔リットル/分〕=280〔リットル〕であったが、本
実施例での純水消費量は、水洗時間7.5〔分〕×OR
流量20〔リットル/分〕=150〔リットル〕であ
り、130〔リットル〕削減することができる。
Therefore, in the apparatus of the present embodiment, the above-described predetermined time of the rinsing process is shortened, and the slope of the specific resistance of the pure water after the rinsing process at that time is measured. As shown, the optimum pre-measurement rinsing time (7 minutes) can be determined. Therefore, from the time when the rinsing process is performed for 7 minutes, the end of the rinsing process can be determined by measuring the slope of the specific resistance of the pure water after the rinsing process while continuing the rinsing process (0.5 minutes), The rinsing process can be reduced to about 7.5 minutes. As shown in FIG. 8, the pure water consumption in the above-described conventional example is the washing time 14 [min] × OR flow rate 20
[Liter / minute] = 280 [liter], but the pure water consumption in the present embodiment is calculated as follows: the washing time 7.5 [minute] × OR
The flow rate is 20 [liter / min] = 150 [liter], and the reduction can be 130 [liter].

【0057】なお、本発明は以下のように変形実施する
ことも可能である。 (1)上述した実施例では、基板処理槽10をオーバー
フローリンス型としているが、基板Bに処理液をシャワ
ー状に供給しながら、基板処理槽10に元々あった溶液
を急速排出したり、急速排水を止めて処理液を貯留する
ことを1度ないし複数回行うことで基板処理槽10内を
処理液に置換するクイックダンプリンス(以下、QDR
と略す。)型とした場合であっても良い。以下にQDR
の場合について説明する。
The present invention can be modified as follows. (1) In the above-described embodiment, the substrate processing tank 10 is of the overflow rinse type. However, while the processing liquid is supplied to the substrate B in a shower state, the solution originally in the substrate processing tank 10 is rapidly discharged, A quick dump rinse (hereinafter referred to as QDR) that replaces the inside of the substrate processing tank 10 with the processing liquid by stopping the drainage and storing the processing liquid one or more times.
Abbreviated. ) Type. QDR below
The case will be described.

【0058】具体的には、図7(b)に二点鎖線で示す
ように、リンス処理が所定時間(一律10分間)施され
た時点から、このリンス処理を継続しながらリンス処理
後の純水の比抵抗の傾きを計測している。前述の従来例
では、比抵抗が所定値(例えば、16〔MΩcm〕な
ど)に達することでリンス処理終了を判定しているので
リンス処理に11分かかっていたが、本実施例のQDR
の場合でも、比抵抗の傾きを計測するだけで良いのでリ
ンス処理を10.5分程度に短縮できる。
More specifically, as shown by a two-dot chain line in FIG. 7B, after the rinsing process is performed for a predetermined time (uniformly 10 minutes), the rinsing process is continued and the pure The slope of the specific resistance of water is measured. In the above-described conventional example, the rinsing process is determined to be completed when the specific resistance reaches a predetermined value (for example, 16 [MΩcm]). Therefore, the rinsing process takes 11 minutes.
In this case, the rinsing process can be shortened to about 10.5 minutes only by measuring the slope of the specific resistance.

【0059】なお、上記の一律10分間としている計測
前リンス時間は、水洗完了の絶対的な確実性を確保する
ために経験則により決定されたものであるので、かなり
のマージンが含まれており、過剰に純水が消費される場
合がある。
The rinsing time before measurement, which is uniformly set to 10 minutes, is determined by an empirical rule in order to ensure the absolute certainty of the completion of washing, and therefore includes a considerable margin. However, excessive pure water may be consumed.

【0060】そこで、本実施例装置では、リンス処理の
上記所定時間を短くしていきそのときのリンス処理後の
純水の比抵抗の傾きを計測することで、図7(b)に実
線で示すように、最適な計測前リンス時間(3.5分
間)を求めることができる。よって、リンス処理が3.
5分間施された時点から、このリンス処理を継続しなが
らリンス処理後の純水の比抵抗の傾きを計測(0.5
分)することで、リンス処理終了を判定でき、リンス処
理を4分程度に短縮できる。図8に示すように、前述の
従来例での純水消費量は、水洗時間11〔分〕でシャワ
ー流量14〔リットル/分〕であることなどから254
〔リットル〕であったが、本実施例での純水消費量は、
水洗時間4〔分〕でシャワー流量14〔リットル/分〕
であることなどから87〔リットル〕であり、167
〔リットル〕削減することができる。
Therefore, in the apparatus of this embodiment, the above-mentioned predetermined time of the rinsing process is shortened, and the slope of the specific resistance of the pure water after the rinsing process at that time is measured. As shown, the optimal pre-measurement rinsing time (3.5 minutes) can be determined. Therefore, the rinsing process is performed in 3.
From the time when the rinsing treatment was continued for 5 minutes, the slope of the specific resistance of the pure water after the rinsing treatment was measured (0.5.
), The end of the rinsing process can be determined, and the rinsing process can be reduced to about 4 minutes. As shown in FIG. 8, the pure water consumption in the above-described conventional example is 254 since the shower time is 11 [minutes] and the shower flow rate is 14 [liter / minute].
[Liter], but the pure water consumption in this example is
Shower flow rate 14 [liter / minute] with 4 minutes of washing time
It is 87 [liters]
[Liters] can be reduced.

【0061】(2)上述した実施例では、判定部19
は、計測部821からの検出信号の立ち上がりの傾きを
基準となる処理液のそれと比較しているが、計測部82
1からの検出信号の立ち上がり途中であってその立ち上
がり開始から所定時間経過時(例えば、1分程度まで)
における検出信号の値を、基準となる処理液のそれと比
較することによって、導入されてきた処理液が所望の特
性値を持っているかどうかを判定する場合であっても、
同様の効果を得ることができる。
(2) In the embodiment described above, the judgment unit 19
Is comparing the slope of the rise of the detection signal from the measurement unit 821 with that of the processing liquid as a reference.
During the rise of the detection signal from 1 and when a predetermined time has elapsed from the start of the rise (for example, up to about 1 minute)
Even if it is determined whether the introduced processing solution has a desired characteristic value, by comparing the value of the detection signal at that with the reference processing solution,
Similar effects can be obtained.

【0062】(3)上述した実施例では、処理液の特性
値を測定するセンサとして、処理液の比抵抗を測定する
計測部821を例示しているが、処理液の濃度など比抵
抗以外の特性を測定するものとした場合であっても、同
様の効果を得ることができる。
(3) In the above-described embodiment, the measuring unit 821 for measuring the specific resistance of the processing liquid is exemplified as a sensor for measuring the characteristic value of the processing liquid. Similar effects can be obtained even when the characteristics are measured.

【0063】(4)上述した実施例では、センサ検出信
号の立ち上がりの急峻さからリンス処理の良否を即座に
判断しているが、このセンサ検出信号の立ち上がりの急
峻さから、所定時間経過時の処理液の特性値を推測した
り、処理液の特性値が所定値に到達するまでの時間を推
測したりすることもできる。
(4) In the above-described embodiment, the quality of the rinsing process is immediately determined from the steepness of the rising edge of the sensor detection signal. It is also possible to estimate the characteristic value of the processing liquid or to estimate the time until the characteristic value of the processing liquid reaches a predetermined value.

【0064】[0064]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、センサの検出信号の立ち上が
りの急峻さを基準となる処理液での急峻さと比較するこ
とによって、導入されてきた処理液が所望の特性値を持
っているかどうかを判定する判定手段を備えているの
で、センサの検出信号の立ち上がりの急峻さのみを検出
するだけで、導入されてきた処理液の特性値を即座に判
定することができ、処理液の特性を計測する時間を短縮
でき、処理液の消費量を削減できる。
As is apparent from the above description, according to the first aspect of the present invention, the steepness of the rising edge of the detection signal of the sensor is compared with the steepness of the reference processing liquid to thereby introduce the detection signal. A determination means is provided for determining whether or not the processed processing solution has a desired characteristic value. Therefore, only by detecting the steepness of the rising edge of the detection signal of the sensor, the characteristic of the introduced processing solution can be determined. The value can be determined immediately, the time for measuring the characteristics of the processing solution can be reduced, and the consumption of the processing solution can be reduced.

【0065】また、請求項2に記載の発明によれば、セ
ンサの検出信号の立ち上がりの傾きを基準となる処理液
での傾きと比較することによって、導入されてきた処理
液が所望の特性値を持っているかどうかを判定する判定
手段を備えているので、センサの検出信号の立ち上がり
の傾きのみを検出するだけで、導入されてきた処理液の
特性値を即座に判定することができ、処理液の特性を計
測する時間を短縮でき、処理液の消費量を削減できる。
According to the second aspect of the present invention, the slope of the rising edge of the detection signal of the sensor is compared with the slope of the reference processing liquid so that the introduced processing liquid has a desired characteristic value. Since it is provided with a determination means for determining whether or not the processing liquid has a characteristic value, the characteristic value of the introduced processing liquid can be immediately determined only by detecting the rising slope of the detection signal of the sensor. The time for measuring the characteristics of the liquid can be reduced, and the consumption of the processing liquid can be reduced.

【0066】また、請求項3に記載の発明によれば、セ
ンサの検出信号の立ち上がり途中であってその立ち上が
り開始から所定時間経過時における検出信号の値を、基
準となる処理液での前記所定時間経過時における検出信
号の値と比較することによって、導入されてきた処理液
が所望の特性値を持っているかどうかを判定する判定手
段を備えているので、センサの検出信号の立ち上がり途
中の検出信号の値を検出するだけで、導入されてきた処
理液の特性値を即座に判定することができ、処理液の特
性を計測する時間を短縮でき、処理液の消費量を削減で
きる。
According to the third aspect of the present invention, the value of the detection signal in the middle of the rise of the detection signal of the sensor and at the elapse of a predetermined time from the start of the rise is determined by the predetermined processing liquid as a reference. A determination means is provided for determining whether or not the introduced processing liquid has a desired characteristic value by comparing the value of the detection signal with the lapse of time. By simply detecting the value of the signal, the characteristic value of the introduced processing liquid can be immediately determined, so that the time for measuring the characteristic of the processing liquid can be reduced, and the consumption of the processing liquid can be reduced.

【0067】また、請求項4に記載の発明によれば、処
理手段は、処理液を貯留する処理槽を備え、前記処理槽
が、処理液が供給されることで元々あった溶液が徐々に
排出されていき槽内が処理液に置換されていく処理槽の
場合であっても、処理槽から導入されてきた処理液の特
性値を即座に判定でき、処理液の特性値を計測する時間
を短縮でき、処理液の消費量を削減できる。
According to the fourth aspect of the present invention, the processing means includes a processing tank for storing the processing liquid, and the processing tank gradually supplies the solution originally supplied with the processing liquid. Even in the case of a processing tank where the inside of the tank is discharged and replaced with the processing liquid, the characteristic value of the processing liquid introduced from the processing tank can be immediately determined, and the characteristic value of the processing liquid is measured. And the consumption of the processing solution can be reduced.

【0068】また、請求項5に記載の発明によれば、基
板に処理液をシャワー状に供給しながら、処理槽内に元
々あった溶液を急速排出したり、急速排出を止めて処理
液を貯留することで処理槽内の処理液を急速に置換する
処理槽の場合であっても、処理槽から導入されてきた処
理液の特性値を即座に判定でき、処理液の特性値を計測
する時間を短縮することができ、処理液の消費量を削減
できる。
According to the fifth aspect of the present invention, while the processing liquid is supplied to the substrate in a shower form, the solution originally in the processing tank is rapidly discharged, or the processing liquid is stopped by stopping the rapid discharge. Even in the case of a processing tank that rapidly replaces the processing liquid in the processing tank by storing, the characteristic value of the processing liquid introduced from the processing tank can be immediately determined, and the characteristic value of the processing liquid is measured. The time can be reduced, and the consumption of the processing liquid can be reduced.

【0069】また、請求項6に記載の発明によれば、基
板は処理槽に供給される純水によって洗浄処理され、セ
ンサは処理槽から導入されてきた純水の比抵抗値を測定
し、判定手段は、センサで検出される比抵抗値信号の立
ち上がりの急峻さを基準となる純水のそれと比較するこ
とによって、処理槽から導入されてきた純水が所望の比
抵抗値を持っているかどうかを判定している。したがっ
て、センサで検出される比抵抗値信号の立ち上がりの急
峻さを検出するだけで、導入されてきた純水の比抵抗値
を即座に判定することができ、純水の比抵抗値を計測す
る時間を短縮でき、純水の消費量を削減できる。
According to the sixth aspect of the present invention, the substrate is washed with pure water supplied to the processing tank, and the sensor measures a specific resistance value of the pure water introduced from the processing tank. The determination means compares the steepness of the rise of the specific resistance value signal detected by the sensor with that of the pure water as a reference to determine whether the pure water introduced from the processing tank has a desired specific resistance value. Has been determined. Therefore, the specific resistance value of the introduced pure water can be immediately determined only by detecting the steepness of the rising of the specific resistance value signal detected by the sensor, and the specific resistance value of the pure water is measured. The time can be reduced, and the consumption of pure water can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例に係る基板処理装置の概略構成
を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す基板処理装置の基板処理槽に設けら
れている通路部材の外観斜視図である。
FIG. 2 is an external perspective view of a passage member provided in a substrate processing tank of the substrate processing apparatus shown in FIG.

【図3】図2に示す通路部材の一部を切り欠いて示す要
部斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a main part of the passage member shown in FIG. 2 with a part cut away.

【図4】図2に示す通路部材のA−A線断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line AA of the passage member shown in FIG. 2;

【図5】図2に示す通路部材のB−B線断面図である。FIG. 5 is a sectional view taken along line BB of the passage member shown in FIG. 2;

【図6】実施例に係る比抵抗回復曲線を示す特性図であ
る。
FIG. 6 is a characteristic diagram showing a specific resistance recovery curve according to an example.

【図7】実施例に係るOR,QDR処理時の水洗時間を
示す特性図である。
FIG. 7 is a characteristic diagram showing a washing time during OR and QDR processing according to the embodiment.

【図8】実施例に係るOR,QDR処理時の純水消費量
を示す図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating pure water consumption during OR and QDR processing according to the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 … 基板処理槽 12 … 薬液供給部 14 … 純水供給部 16 … 処理液排出部 18 … 制御部 19 … 判定部 78 … 通路部材 82 … 比抵抗測定器 781 … 通路形成部材 782 … アクチュエータ部 783 … 導入通路 821 … 計測部 B … 基板 W … 純水 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Substrate processing tank 12 ... Chemical liquid supply part 14 ... Pure water supply part 16 ... Processing liquid discharge part 18 ... Control part 19 ... Judgment part 78 ... Passage member 82 ... Resistivity measuring device 781 ... Passage forming member 782 ... Actuator part 783 … Introductory passage 821… Measurement part B… Substrate W… Pure water

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 648 H01L 21/304 648H 21/306 21/306 A (72)発明者 内田 博章 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 荒木 真理亜 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 2G060 AA05 AE17 AF07 EA06 EB09 4K053 PA17 QA06 RA07 SA04 TA18 YA03 ZA10 5F043 AA01 BB27 DD23 DD24 DD26 EE22 EE23 EE25 EE32 EE40 GG10 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/304 648 H01L 21/304 648H 21/306 21/306 A (72) Inventor Hiroaki Uchida Kamigyo, Kyoto Honkawa-dori Terunouchi-ku 4-chome Tenjin Kitamachi 1-1-1 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. (72) Inventor Mari Araki 4-chome Tenjin Kita-machi 1-chome Tenjo Kitamachi 1-Central Japan F term in the screen manufacturing company (reference) 2G060 AA05 AE17 AF07 EA06 EB09 4K053 PA17 QA06 RA07 SA04 TA18 YA03 ZA10 5F043 AA01 BB27 DD23 DD24 DD26 EE22 EE23 EE25 EE32 EE40 GG10

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板を処理液で処理する処理手段と、 前記処理液の特性値を測定する測定手段とを有し、 前記測定手段は、内部空間を有するセルと、このセル内
に処理液の特性値を測定するセンサとを備え、前記処理
手段に使われる処理液をそのセル内に導いて元々セル内
にあった溶液と置換させてこの送られてきた処理液の特
性値を測定し、 前記測定手段での測定結果に基づいて前記基板に所定の
処理を施す基板処理装置において、 前記センサの検出信号の立ち上がりの急峻さを基準とな
る処理液での急峻さと比較することによって、導入され
てきた処理液が所望の特性値を持っているかどうかを判
定する判定手段を備えていることを特徴とする基板処理
装置。
1. A processing unit for processing a substrate with a processing liquid, and a measuring unit for measuring a characteristic value of the processing liquid, wherein the measuring unit includes a cell having an internal space, and a processing liquid in the cell. And a sensor for measuring the characteristic value of the processing liquid. The processing liquid used in the processing means is introduced into the cell, and replaced with the solution originally in the cell, and the characteristic value of the sent processing liquid is measured. In a substrate processing apparatus that performs a predetermined process on the substrate based on the measurement result of the measurement unit, the steepness of a rising edge of a detection signal of the sensor is compared with a steepness of a reference processing solution, thereby introducing A substrate processing apparatus, comprising: a determination unit configured to determine whether a processed liquid has a desired characteristic value.
【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記判定手段は、前記センサの検出信号の立ち上がりの
傾きを基準となる処理液での傾きと比較することによっ
て、導入されてきた処理液が所望の特性値を持っている
かどうかを判定することを特徴とする基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the determination unit compares the slope of a rising edge of a detection signal of the sensor with a slope of a reference processing liquid, thereby introducing the processing. A substrate processing apparatus for determining whether a liquid has a desired characteristic value.
【請求項3】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記判定手段は、前記センサの検出信号の立ち上がり途
中であってその立ち上がり開始から所定時間経過時にお
ける検出信号の値を、基準となる処理液での前記所定時
間経過時における検出信号の値と比較することによっ
て、導入されてきた処理液が所望の特性値を持っている
かどうかを判定することを特徴とする基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the determination unit uses a value of the detection signal in the middle of the rise of the detection signal of the sensor and a predetermined time after the start of the rise as a reference. A substrate processing apparatus characterized in that it is determined whether or not the introduced processing liquid has a desired characteristic value by comparing with a value of a detection signal of the processing liquid when the predetermined time has elapsed.
【請求項4】 請求項1から請求項3のいずれかに記載
の基板処理装置において、 前記処理手段は、処理液を貯留する処理槽を備え、前記
処理槽が、処理液が供給されることで元々あった溶液が
徐々に排出されて槽内が処理液に置換されていき、この
処理液中に基板を浸漬して所定の処理を施す処理槽であ
ることを特徴とする基板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing unit includes a processing tank for storing a processing liquid, and the processing tank is supplied with the processing liquid. A substrate processing apparatus characterized in that the original solution is gradually discharged, the inside of the tank is replaced with a processing liquid, and the substrate is immersed in the processing liquid to perform a predetermined processing.
【請求項5】 請求項4に記載の基板処理装置におい
て、 前記処理槽は、基板に処理液をシャワー状に供給しなが
ら、処理槽内に元々あった溶液を急速排出したり、急速
排出を止めて処理液を貯留することで処理槽内を処理液
に置換し、この処理液中に基板を浸漬して所定の処理を
施すことを特徴とする基板処理装置。
5. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the processing tank rapidly discharges a solution originally in the processing tank while supplying the processing liquid to the substrate in a shower shape, or performs a rapid discharge. A substrate processing apparatus, wherein the processing liquid is stopped and the processing liquid is stored in the processing tank to replace the processing tank, and the substrate is immersed in the processing liquid to perform predetermined processing.
【請求項6】 請求項1から請求項5のいずれかに記載
の基板処理装置において、 前記処理液は、純水であり、前記センサは、純水の比抵
抗を測定することを特徴とする基板処理装置。
6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid is pure water, and the sensor measures a specific resistance of the pure water. Substrate processing equipment.
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