JP2001277109A - Backing film - Google Patents

Backing film

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JP2001277109A
JP2001277109A JP2000098895A JP2000098895A JP2001277109A JP 2001277109 A JP2001277109 A JP 2001277109A JP 2000098895 A JP2000098895 A JP 2000098895A JP 2000098895 A JP2000098895 A JP 2000098895A JP 2001277109 A JP2001277109 A JP 2001277109A
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茂 駒井
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a backing film, facilitating the mounting/demounting of a wafer to improve flatness of polishing and generate large wafer holding force, in a backing pad used for polishing the semiconductor wafer by a wax-less method for fixing the wafer. SOLUTION: In a backing pad, used for polishing a semiconductor wafer by a wax-less method for fixing the wafer, this backing film is characterized by a constitution such that this pad is in film shape to be formed with a silicon rubber in one surface of a base film to laminate in its opposite surface a pressure sensitive adhesive layer or a pressure sensitive adhesive double coated tape.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ワックスレス法に
よる半導体ウエハの研磨に好適なバッキングパッドに関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a backing pad suitable for polishing a semiconductor wafer by a waxless method.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体ウエハは仕上げ加工工程
や、デバイス化での多層配線プロセスにおいて、いわゆ
る化学的機械的研磨法(Chemical Mechanical Polishin
g )により鏡面研磨や、層間絶縁膜や導電膜の平坦化が
行われている。この様な研磨では、ウエハを研磨用キャ
リアに保持する方法としては、次に示すような物及び方
法がとられてきた。 ウエハの片面にウエハ接着用のワックスを塗布するワ
ックス法、(特開平05-013391など) 真空吸着によるワックスレス法 多孔質の樹脂、例えばポリウレタン樹脂多孔質体から
なるバッキングパッドを用いてウエハを水貼りするワッ
クスレス法とが利用されている。(特開平06-23664な
ど)
2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor wafer is subjected to a so-called chemical mechanical polishing method in a finishing process or a multi-layer wiring process for device fabrication.
According to g), mirror polishing and planarization of an interlayer insulating film and a conductive film are performed. In such polishing, as a method of holding a wafer on a polishing carrier, the following objects and methods have been adopted. Wax method of applying wax for bonding the wafer to one side of the wafer (Japanese Patent Laid-Open No. 05-013391, etc.) Waxless method by vacuum suction Using a backing pad made of a porous resin, for example, a polyurethane resin porous material, water is applied to the wafer. The waxless method of sticking is used. (Such as JP-A-06-23664)

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】前述のウエハ保持方法
はそれぞれ書きの様な問題点を有している。 ワックス法においては、接着層(ワックス層)の厚さ
の不均一性がそのまま、研磨後ウエハの平面度、平行度
等に反映するため、接着層厚さを均一にすることが重要
である。しかし、接着層厚さを均一にする作業は非常に
難しい。このため、従来より様々な手法が採られてお
り、例えば特開平5−13391では、ワックスに粒子
径の揃った粒子を入れて、ウエハを貼り付け加圧する事
で均一厚みになるようにしようとしている。しかし、こ
のような手法で均一にする事が出来たとしても、ワック
ス法では、ウエハ研磨後にウエハからワックスを除去す
る必要があるため、ウエハプロセスが複雑になるという
問題がある。
Each of the above-described wafer holding methods has a problem as described above. In the wax method, the nonuniformity of the thickness of the adhesive layer (wax layer) is directly reflected on the flatness, parallelism, and the like of the polished wafer. Therefore, it is important to make the thickness of the adhesive layer uniform. However, it is very difficult to make the thickness of the adhesive layer uniform. For this reason, various methods have conventionally been adopted. For example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-13391, a method is used in which particles having a uniform particle diameter are put into wax, and a wafer is attached and pressed so as to have a uniform thickness. I have. However, even if the uniformity can be achieved by such a method, the wax method has a problem that the wafer process becomes complicated because it is necessary to remove the wax from the wafer after polishing the wafer.

【0004】ワックスレス法は、ワックス法の上記欠
点を解消したもので、ウエハに対するワックスの塗布、
除去が不要になる長所がある。真空吸着によるワックス
レス法はこれら長所が有るが、真空吸着する為のピンホ
ールをバッキングプレートに開けておかなければなら
ず、また、それら穴の大きさ形状によっては、研磨面に
その形状が反映されてしまうなどの問題点を有してい
る。
The waxless method solves the above-mentioned disadvantages of the wax method.
There is an advantage that removal is unnecessary. The waxless method by vacuum suction has these advantages, but pin holes for vacuum suction must be opened in the backing plate, and the shape is reflected on the polished surface depending on the size and shape of these holes. There is a problem that it is done.

【0005】バッキングパッドによるワックスレス法
では、一般に独立発泡体を用いたウレタン樹脂多孔質体
ものが広く使われ、同発泡体層に水を染み込ませ、ウエ
ハを水貼りにて保持する。この方式では、ウエハを簡単
に保持でき、且つ、取り外しも容易である長所が有る
が、ウエハを保持する場合、バッキングパッドとウエハ
との間に余分な水分が無いように十分に水分を除去する
必要がある。この余分な水分除去が良好になされなかっ
た場合、研磨を行った際に不均一な研磨を引き起こす欠
点がある。また、近年、加工するウエハの口径が非常に
大きくなっており、不用な水分除去はより一層困難とな
ってきている。さらに、研磨される表層の種類によって
は、研磨時の摩擦抵抗が大きく、時には水貼りしたパッ
ドが研磨中に剥がれてしまう問題点もある。
[0005] In the waxless method using a backing pad, a urethane resin porous material using a closed cell is generally widely used, and the foam layer is impregnated with water, and the wafer is held in water. This method has the advantage that the wafer can be easily held and easily removed, but when holding the wafer, sufficient water is removed so that there is no excess water between the backing pad and the wafer. There is a need. If the excess water is not removed well, there is a disadvantage that uneven polishing is caused when polishing is performed. Further, in recent years, the diameter of a wafer to be processed has become extremely large, and it becomes more difficult to remove unnecessary moisture. Further, depending on the type of the surface layer to be polished, there is a problem that the frictional resistance at the time of polishing is large, and sometimes the pad that has been wetted comes off during polishing.

【0006】また、このウエハが剥がれてしまう問題点
を解決する為に特開平6−61202では、バッキング
プレート状に直接シリコーン樹脂をコーティングして、
該シリコーン樹脂層でウエハを保持しようとしている。
これは、平坦性、保持力は改善されるが、シリコーン樹
脂層をコートするのに前処理が煩雑であったり、シリコ
ーン層が劣化した場合には、再度バックプレートごと交
換ないしは、再コーティングが必要となってしまう問題
点がある。
In order to solve the problem that the wafer is peeled off, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-61202 discloses that a silicone resin is directly coated on a backing plate.
An attempt is made to hold the wafer with the silicone resin layer.
This improves flatness and holding power, but if the pretreatment is complicated to coat the silicone resin layer, or if the silicone layer has deteriorated, it is necessary to replace or recoat the entire back plate again. There is a problem that becomes.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウエハ
をワックスレス法により研磨するのに用いるウエハ固定
用のバッキングパッドにおいて、ウエハの脱着が容易で
且つ、研磨の平坦性が良く、更に、ウエハ保持力が大き
なバッキングフィルムを提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a backing pad for fixing a wafer used for polishing a semiconductor wafer by a waxless method, in which the wafer can be easily attached and detached and the flatness of the polishing is good. This provides a backing film having a large wafer holding force.

【0008】即ち本発明は、半導体ウエハをワックスレ
ス法により研磨するのに用いるウエハ固定用のバッキン
グパッドにおいて、該パッドがフィルム状であり、ベー
スフィルムの片面にシリコーンゴムが形成されており、
その反対面に粘着剤層ないしは、両面テープが積層され
た構成となっている事を特徴とするバッキングフィルム
である。本発明では、ベースフィルムの片面に積層ない
しは張合わされた粘着剤層で、研磨装置のバッキングプ
レートに容易に貼り付ける事が出来、かつ容易に取り替
えが可能となる。更に、該粘着層とは反対側にシリコー
ン樹脂層を設ける事により、該シリコーン樹脂層でウエ
ハを平面性良く、強固に保持する事が可能となる。
That is, the present invention relates to a backing pad for fixing a wafer used for polishing a semiconductor wafer by a waxless method, wherein the pad is in the form of a film, and a silicone rubber is formed on one surface of a base film;
A backing film characterized in that an adhesive layer or a double-sided tape is laminated on the opposite surface. In the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer laminated or adhered to one surface of the base film can be easily attached to the backing plate of the polishing apparatus, and can be easily replaced. Further, by providing a silicone resin layer on the side opposite to the adhesive layer, the silicone resin layer can firmly hold the wafer with good flatness.

【0009】更に本発明では該ベースフィルムがポリエ
ステルフィルムである事が好ましい。ベースフィルムに
ポリエステルフィルムを用いる事で、十分な強度が有
り、安価なバックフィルムを提供する事が出来る。
Further, in the present invention, the base film is preferably a polyester film. By using a polyester film as the base film, an inexpensive back film having sufficient strength can be provided.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明におけるポリエステルフィ
ルムは、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナ
フタレート、ポリブチレンテレフタレート等を主成分と
するものであれば任意に使用できる。このポリエステル
フィルムとして、その表面を活性線で処理したり、ポリ
エステルフィルムの表面に接着性を向上させる化合物を
積層したりした易接着性ポリエステルフィルムを使用す
ることができ、この場合は前記シリコーンゴムフィルム
における接着性向上剤の配合量を少なくすることができ
る。すなわち、上記の活性線処理、易接着性ポリエステ
ルフィルムの選択および上記接着性向上剤の配合量等の
組合わせにより、シリコーンゴム層およびポリエステル
フィルムの界面剥離強度が設定されるが、その大きさは
4N/20mm以上が好ましく、6N/20mm以上が一層
好ましく、8N/20mm以上が更に好ましい。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The polyester film of the present invention can be arbitrarily used as long as it contains polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate or the like as a main component. As the polyester film, an easily adhesive polyester film obtained by treating the surface with an actinic ray or laminating a compound for improving the adhesiveness on the surface of the polyester film can be used. In this case, the silicone rubber film can be used. Can reduce the amount of the adhesion improver. That is, the interface ray peel strength of the silicone rubber layer and the polyester film is set by the above-mentioned actinic ray treatment, selection of the easily-adhesive polyester film, and the combination of the amount of the adhesiveness improver and the like. It is preferably at least 4 N / 20 mm, more preferably at least 6 N / 20 mm, even more preferably at least 8 N / 20 mm.

【0011】上記の活性線による処理方法としては、コ
ロナ放電処理、紫外線照射処理、プラズマ処理、火炎処
理等が例示され、易接着層積層フィルムの易接着成分と
しては、ポリエステル系、ポリウレタン系、ポリアクリ
ル系の化合物、またはこれらの配合物が挙げられる。易
接着層を積層する方法は、製膜時に積層するいわゆるイ
ンライン法、または製膜したフィルムに積層するいわゆ
るオフライン法のいずれでもよい。また、易接着層を積
層したフィルムの易接着層表面を上記の活性線で処理し
たもの等を挙げることができるが、これらに限定される
ものではない。
Examples of the above-mentioned treatment method using actinic radiation include corona discharge treatment, ultraviolet irradiation treatment, plasma treatment, flame treatment, and the like. Acrylic compounds or blends thereof are mentioned. The method of laminating the easy-adhesion layer may be a so-called in-line method of laminating at the time of film formation, or a so-called off-line method of laminating the formed film. In addition, a film obtained by treating the surface of the easy-adhesion layer of the film having the easy-adhesion layer laminated thereon with the above-mentioned active ray can be used, but is not limited thereto.

【0012】また、本発明では、該シリコーンゴム層
が、シリコーンゴム100重量部に対し多価アルコール
のメタクリル酸エステルを0.2〜20重量部配合して
得られたシリコーンゴム組成物である事が好ましい。シ
リコーンゴム層がシリコーンゴム100重量部に対し多
価アルコールのメタクリル酸エステルを0.2〜20重
量部配合したシリコーンゴム組成物から製造されるた
め、シリコーンゴムフィルムとポリエステルフィルムの
界面剥離強度を前記のように4N/20mm以上、好まし
くは6N/20mm以上、特に好ましくは8N/20mm以
上に大きくすることが可能であり、そのため上記装置へ
の接着後にシリコーンゴム層がポリエステルフィルムと
の界面から剥離することもない。
In the present invention, the silicone rubber layer is preferably a silicone rubber composition obtained by blending 0.2 to 20 parts by weight of a polyhydric alcohol methacrylate ester with 100 parts by weight of silicone rubber. Is preferred. Since the silicone rubber layer is produced from a silicone rubber composition in which 0.2 to 20 parts by weight of a polyhydric alcohol methacrylate is blended with respect to 100 parts by weight of the silicone rubber, the interfacial peel strength between the silicone rubber film and the polyester film is as described above. It is possible to increase the thickness to 4 N / 20 mm or more, preferably 6 N / 20 mm or more, particularly preferably 8 N / 20 mm or more, so that the silicone rubber layer peels off from the interface with the polyester film after bonding to the above device. Not even.

【0013】本発明で用いるシリコーンゴムは、平均単
位式:Ra Si O(4-a)/2 で表されるオルガノポリシロ
キサンである。上式中、Rは置換または非置換の一価炭
化水素基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル
基、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、
ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、ベ
ンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、3−クロロ
プロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等の
ハロゲン化アルキル基等が挙げられ、好ましくはメチル
基、ビニル基、フェニル基、3,3,3−トリフルオロ
プロピル基である。また、上式中、aは1.9〜2.1
の範囲内の数である。シリコーンゴム成分は、上記の平
均単位式で表されるが、これを構成する具体的なシロキ
サン単位としては、例えば、R3 Si O1/2 単位、R2
(HO)Si O1/2 単位、R 2 Si O2/2 単位、RSi
3/2 単位およびSi O4/2 単位が挙げられる。
The silicone rubber used in the present invention has an average
Ordering formula: Ra SiO(4-a) / 2Organopolysilos represented by
It is a xan. In the above formula, R is a substituted or unsubstituted monovalent carbon
A hydrogen group, such as a methyl group, an ethyl group,
Alkyl such as benzyl, butyl, pentyl and hexyl
Group, vinyl group, allyl group, butenyl group, pentenyl group,
Alkenyl group such as hexenyl group, phenyl group, tolyl
Group, xylyl group, aryl group such as naphthyl group, cyclope
Cycloalkyl groups such as methyl group and cyclohexyl group,
Aralkyl groups such as benzyl group and phenethyl group, 3-chloro
Propyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group
Halogenated alkyl groups and the like, preferably methyl
Group, vinyl group, phenyl group, 3,3,3-trifluoro
Propyl group. In the above formula, a is 1.9 to 2.1.
Is a number within the range. The silicone rubber component is
It is expressed by the average unit formula, but the specific siloki
As the sun unit, for example, RThreeSiO1/2Unit, RTwo
(HO) SiO1/2Unit, R TwoSiO2/2Unit, RSi
O3/2Units and SiO4/2Units.

【0014】本発明でのシリコーンゴム成分の主成分
は、R2 Si O2/2 単位とR3 Si O 1/2 単位もしくは
2 (HO)Si O1/2 単位を必須とする直鎖状の重合
体であり、場合により少量のRSi O3/2 単位および/
またはR3 Si O1/2 単位を含有して、一部分岐構造を
有することができる。また、シリコーンゴム成分の一部
としてR3Si O1/2 単位およびSi O4/2 単位からな
る樹脂状の重合体を配合することができる。このように
シリコーンゴム成分は、二種以上の重合体の混合物であ
ってもよい。また、本組成物が付加反応硬化型シリコー
ンゴム組成物である場合には、上記平均単位式で表され
るオルガノポリシロキサン中のRの少なくとも2個はア
ルケニル基であることが必要である。
The main component of the silicone rubber component in the present invention
Is RTwoSiO2/2Unit and RThreeSiO 1/2Unit or
RTwo(HO) SiO1/2Linear polymerization requiring units
Body and possibly small amounts of RSi O3/2Units and / or
Or RThreeSiO1/2Contains a unit and has a partially branched structure
Can have. Some of the silicone rubber components
As RThreeSiO1/2Units and SiO4/2From units
Resinous polymers can be blended. in this way
The silicone rubber component is a mixture of two or more polymers.
You may. In addition, the composition is an addition reaction-curable silicone.
In the case of a rubber composition, it is represented by the above average unit formula.
At least two Rs in the organopolysiloxane are
It must be a alkenyl group.

【0015】また、シリコーンゴム成分の分子構造は特
に限定されず、例えば、直鎖状、一部分岐を有する直鎖
状、分岐鎖状、樹脂状等が挙げられ、シリコーンゴムを
形成するためには、直鎖状の重合体か、または直鎖状の
重合体を主成分とする混合物である。このようなシリコ
ーンゴム成分としては、例えば、分子鎖両末端トリメチ
ルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末
端トリメチルシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサ
ン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルフェ
ニルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ
基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共
重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチ
ルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分
子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサ
ン・メチル(3,3,3−トリフルオロプロピル)シロ
キサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封
鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチ
ルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチル
ビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖
両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルビニルポリ
シロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封
鎖メチルフェニルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチ
ルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビ
ニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニル
シロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシ
ロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキ
シ基封鎖ジメチルシロキサン・メチル(3,3,3−ト
リフルオロプロピル)シロキサン共重合体、分子鎖両末
端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・
メチルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共
重合体、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルポリシ
ロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖メチルビニル
ポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖メチル
フェニルポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封
鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合
体、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン
・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端シ
ラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチル(3,3,
3−トリフルオロプロピル)シロキサン共重合体、分子
鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチル
ビニルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合
体、分子鎖両末端トリメトキシシロキシ基封鎖ジメチル
ポリシロキサン、分子鎖両末端トリメトキシシロキシ基
封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重
合体、分子鎖両末端トリメトキシシロキシ基封鎖ジメチ
ルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分
子鎖両末端トリメトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキ
サン・メチルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキ
サン共重合体、R3 Si O1/2 単位とSi O4/2 単位か
らなるオルガノポリシロキサン共重合体、R2 Si O
2/2 単位とRSi O3/2 単位からなるオルガノポリシロ
キサン共重合体、R3 Si O1/2 単位とR2 Si O2/2
単位とRSi O3/2 単位からなるオルガノポリシロキサ
ン共重合体、これら二種以上の混合物が挙げられる。な
お、上記シリコーンゴム成分の25℃における粘度は、
特に限定されないが、実用的には100センチストーク
ス以上、特に1,000センチストークス以上が好まし
い。
The molecular structure of the silicone rubber component is not particularly limited, and may be, for example, linear, partially branched linear, branched, or resinous. , A linear polymer, or a mixture mainly composed of a linear polymer. Such silicone rubber components include, for example, dimethylpolysiloxane having trimethylsiloxy groups at both ends of molecular chains, methylvinylpolysiloxane having trimethylsiloxy groups at both ends of molecular chains, methylphenylpolysiloxane having trimethylsiloxy groups at both ends of molecular chains, and methylphenylpolysiloxane. Trimethylsiloxy group-blocked dimethylsiloxane / methylvinylsiloxane copolymer at both ends of chain, trimethylsiloxy group-blocked dimethylsiloxane / methylphenylsiloxane copolymer at both ends of molecular chain, dimethylsiloxane / methyl-blocked trimethylsiloxy group at both ends of molecular chain 3,3-trifluoropropyl) siloxane copolymer, molecular chain terminal trimethylsiloxy group-blocked dimethylsiloxane / methylvinylsiloxane / methylphenylsiloxane copolymer, molecular chain terminal dimethyl Nylsiloxy group-blocked dimethylpolysiloxane, molecular chain terminal dimethylvinylsiloxy group-blocked methylvinylpolysiloxane, molecular chain terminal dimethylvinylsiloxy group-blocked methylphenylpolysiloxane, molecular chain terminal dimethylvinylsiloxy group-blocked dimethylsiloxane / methylvinylsiloxane Copolymer, dimethylvinylsiloxy-group-blocked dimethylsiloxane / methylphenylsiloxane copolymer with both ends of molecular chain, dimethylsiloxane-methyl (3,3,3-trifluoropropyl) siloxane-copolymer with both ends of molecular chain dimethylvinylsiloxy-group Coupling, dimethylvinylsiloxy group-blocked dimethylsiloxane at both ends of molecular chain
Methylvinylsiloxane / methylphenylsiloxane copolymer, dimethylpolysiloxane with silanol groups at both ends of molecular chain, methylvinylpolysiloxane with silanol groups at both ends of molecular chain, methylphenylpolysiloxane with silanol groups at both ends of molecular chain, both ends of molecular chain Silanol group-blocked dimethylsiloxane / methylvinylsiloxane copolymer, molecular chain terminal silanol group-blocked dimethylsiloxane / methylphenylsiloxane copolymer, molecular chain terminal silanol group-blocked dimethylsiloxane / methyl (3,3
3-trifluoropropyl) siloxane copolymer, dimethylsiloxane / methylvinylsiloxane / methylphenylsiloxane copolymer with silanol groups at both ends of molecular chain, dimethylpolysiloxane with trimethoxysiloxy groups at both ends of molecular chain, tris at both ends of molecular chain Methoxysiloxy group-blocked dimethylsiloxane / methylvinylsiloxane copolymer, molecular chain terminal trimethoxysiloxy group-blocked dimethylsiloxane / methylphenylsiloxane copolymer, molecular chain terminal trimethoxysiloxy group-blocked dimethylsiloxane / methylvinylsiloxane / methyl Phenylsiloxane copolymer, organopolysiloxane copolymer comprising R 3 SiO 1/2 units and SiO 2/2 units, R 2 SiO
Organopolysiloxane copolymers consisting of 2/2 units and RSi O 3/2 units, R 3 Si O 1/2 units and R 2 Si O 2/2
And organopolysiloxane copolymers consisting of RSiO 3/2 units and a mixture of two or more of these. The viscosity of the silicone rubber component at 25 ° C.
Although not particularly limited, practically, it is preferably 100 centistokes or more, particularly preferably 1,000 centistokes or more.

【0016】本発明に使用される多価アルコールのメタ
クリル酸エステルは、2個以上のアルコール性水酸基を
有する多価アルコールのアルコール性水酸基2個以上を
メタクリル酸でエステル化したエステル化合物であり、
例えばエチレングリコールジメタクリレート、1,3ブ
タンジオールジメタクリレート、1,4ブタンジオール
ジメタクリレート、1,6ヘキサンジオールジメタクリ
レート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、
2,2′ビス(4−メタクリロキシジエトキシフェニ
ル)プロン、グリセンジメタクリレート、グリセントリ
メタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリ
レート、ペンタエリスリトールジメタクリレート、ペン
タエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリ
トールテトラメタクリレート、テトラメチロールメタン
ジメタクリレート、テトラメチロールメタントリメタク
リレート、テトラメチロールテトラメタクリレート等が
挙げられ、特に3個以上のメタクリル酸エステルを含む
化合物が好ましい。なお、上記の化合物は、いずれか一
種を単独で用いてもよく、また二種以上を併用してもよ
い。
The methacrylic acid ester of a polyhydric alcohol used in the present invention is an ester compound obtained by esterifying two or more alcoholic hydroxyl groups of a polyhydric alcohol having two or more alcoholic hydroxyl groups with methacrylic acid,
For example, ethylene glycol dimethacrylate, 1,3 butanediol dimethacrylate, 1,4 butanediol dimethacrylate, 1,6 hexanediol dimethacrylate, neopentyl glycol dimethacrylate,
2,2'bis (4-methacryloxydiethoxyphenyl) pron, glycene dimethacrylate, glycentrimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol dimethacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, tetramethylolmethane dimethacrylate And tetramethylolmethanetrimethacrylate, tetramethyloltetramethacrylate, and the like, and a compound containing three or more methacrylates is particularly preferable. In addition, any one of the above compounds may be used alone, or two or more of them may be used in combination.

【0017】上記メタクリル酸エステルの配合量は、シ
リコーンゴム100重量部に対して0.2〜20重量
部、好ましくは0.5〜10重量部であり、0.2重量
部未満ではポリエステルフィルムとの接着強度が不十分
となり、反対に20重量部を超えると上記接着強度の向
上効果が飽和に達し、かつシリコーンゴムの物性が低下
する。なお、上記のメタクリル酸エステルは、シリコー
ンゴム組成物の接着性向上剤となるものであるが、必要
に応じて補強性充填剤、顔料、染料、老化防止剤、酸化
防止剤、離型剤、難燃剤、チクソトロピー性付与剤、充
填剤用分散剤、共架橋剤等を配合することができる。
The compounding amount of the methacrylic acid ester is 0.2 to 20 parts by weight, preferably 0.5 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the silicone rubber. Has an insufficient adhesive strength. On the other hand, if it exceeds 20 parts by weight, the effect of improving the adhesive strength reaches saturation and the physical properties of the silicone rubber deteriorate. The methacrylic acid ester serves as an adhesiveness improver for the silicone rubber composition.If necessary, a reinforcing filler, a pigment, a dye, an antioxidant, an antioxidant, a release agent, A flame retardant, a thixotropic agent, a dispersant for a filler, a co-crosslinking agent and the like can be added.

【0018】シリコーンゴムに上記配合剤を配合する方
法は、特に限定されず、例えばシリコーンゴムコンパウ
ンドを作製する際に2本ロール、バンバリーミキサー、
ドウミキサー(ニーダー)などのゴム練り機を用いて行
ってもよく、またシリコーンゴムを溶剤に溶解し、流延
法で製膜する場合は、シリコーンゴムコンパウンドを溶
媒に溶解して溶液を作製する際、または得られた溶液に
添加配合する方法で実施してもよい。
The method of compounding the above compounding agent with the silicone rubber is not particularly limited. For example, when a silicone rubber compound is produced, two rolls, a Banbury mixer,
It may be carried out using a rubber kneading machine such as a dough mixer (kneader). In the case where silicone rubber is dissolved in a solvent and a film is formed by a casting method, the silicone rubber compound is dissolved in the solvent to prepare a solution. At this time, it may be carried out by a method of adding and blending to the obtained solution.

【0019】本発明では、該シリコーンゴム層の表面
に、ポリ−4−メチルペンテン−1を主成分とする布帛
またはフィルムないしは、エチレン・メチルメタクリレ
ート共重合体からなる布帛またはフィルムをカバーシー
トとして積層した構成が好ましい。これにより、フィル
ムのシリコーン層表層の汚れ付着を防止する事が出来
る。
In the present invention, a cloth or film mainly composed of poly-4-methylpentene-1 or a cloth or film composed of an ethylene / methyl methacrylate copolymer is laminated on the surface of the silicone rubber layer as a cover sheet. A preferred configuration is preferred. As a result, it is possible to prevent adhesion of dirt on the surface of the silicone layer of the film.

【0020】本発明において、ポリエステルフィルムに
シリコーンゴム層を積層する方法は、任意であり、例え
ば、ポリエステルフィルムの表面にシリコーンゴム組成
物を溶媒に溶解した溶液を塗工、乾燥してシリコーンゴ
ムの薄膜を形成する方法、ポリエステルフィルムの表面
にシリコーンゴム組成物を高圧下で押出してシリコーン
ゴムの薄膜を形成する方法等が挙げられる。液状シリコ
ーンゴムの場合は、溶剤で希釈することなく塗工する方
法でもよい。なお、本発明におけるシリコーンゴムフィ
ルムおよびポリエステルフィルムの厚み構成比は、複合
体の用途に応じて任意に設定することができる。
In the present invention, the method of laminating the silicone rubber layer on the polyester film is optional. For example, a solution obtained by dissolving the silicone rubber composition in a solvent is applied to the surface of the polyester film and dried to form a silicone rubber layer. A method of forming a thin film, a method of extruding a silicone rubber composition on the surface of a polyester film under high pressure to form a thin film of silicone rubber, and the like can be mentioned. In the case of liquid silicone rubber, a method of coating without dilution with a solvent may be used. In addition, the thickness composition ratio of the silicone rubber film and the polyester film in the present invention can be arbitrarily set according to the use of the composite.

【0021】架橋方法も特に限定されない。例えば、シ
リコーンゴム組成物にパーオキサイド化合物を配合し、
上記の方法で積層した後、積層体を加熱処理して架橋さ
せてもよく、また紫外線、電子線、γ線等の活性線を照
射して架橋させてもよい。これらの架橋処理における各
種助剤を添加することは何ら制限されない。そして、本
発明では、前記のポリエステルフィルムにシリコーンゴ
ム層およびカバーシートを順に積層した後、上記の架橋
処理を行い、しかるのちカバーシートを剥離することに
より、ポリエステルフィルムとシリコーンゴムフィルム
の複合体を製造する。
The crosslinking method is not particularly limited. For example, a peroxide compound is compounded in a silicone rubber composition,
After laminating by the above method, the laminate may be subjected to a heat treatment to be crosslinked, or may be crosslinked by irradiation with an actinic ray such as an ultraviolet ray, an electron beam, or a γ ray. The addition of various auxiliaries in these crosslinking treatments is not limited at all. Then, in the present invention, after laminating a silicone rubber layer and a cover sheet on the polyester film in this order, the above crosslinking treatment is performed, and then the cover sheet is peeled off to form a composite of the polyester film and the silicone rubber film. To manufacture.

【0022】更に本発明では、ウエハを保持する層であ
るシリコーンゴム層の表層に、余分な空気、及び水を除
去しやすくする目的で、溝加工を施しても良い。該溝加
工の形状は特に限定されるものではないが、好ましくは
格子状または、バックフィルム中心からの放射状が好ま
しい。
Further, in the present invention, a groove may be formed on the surface of the silicone rubber layer, which is the layer holding the wafer, for the purpose of easily removing excess air and water. The shape of the groove processing is not particularly limited, but is preferably a lattice shape or a radial shape from the center of the back film.

【0023】それぞれの溝と溝との間隔、溝の巾、溝の
深さ、溝の断面形状も特に限定するものではないが、好
ましくは溝と溝との間隔が30mm以下、より好ましくは20
mm以下が良い。また、溝の巾は5mm以下、より好ましく
は2mm以下が良い。溝の巾がこれ以上になると、研磨し
た場合その形状がウエハの表面状態に影響を及ぼしてし
まう。更に、溝の深さは、20μm以上が好ましい。
The distance between the grooves, the width of the grooves, the depth of the grooves, and the cross-sectional shape of the grooves are not particularly limited, but the distance between the grooves is preferably 30 mm or less, more preferably 20 mm or less.
mm or less is good. The width of the groove is preferably 5 mm or less, more preferably 2 mm or less. If the width of the groove is larger than that, the shape of the groove will affect the surface condition of the wafer when polished. Further, the depth of the groove is preferably 20 μm or more.

【0024】[0024]

【実施例】実施例1 シリコーンゴムコンパウンドとして、市販の高強度型シ
リコーンゴムコンパウンド(信越化学工業社製、「KE
555−U」)および市販の一般成形用シリコーンゴム
コンパウンド(信越化学工業社製、「KE958−
U」)を60:40の重量比で配合し、2本ロールを用
い、100〜200℃で混練して厚み3mmのゴムシート
を成形した。この未加硫のゴムシートを切断して1cm角
の細片とし、この細片をトルエンに対する重量比率が2
3%となるように秤量し、トルエンと共に真空脱泡装置
付き攪拌機に投入し、大気圧下で15時間攪拌して上記
細片をトルエンに溶解した後、該溶液にトリメチロール
プロパントリメタクリレートを、シリコーンゴムコンパ
ウンド100部に対して2部となるように添加し、均一
に攪拌した後、真空脱泡装置を駆動し、ゲージ圧が−7
50mmHgの真空下で更に20分間攪拌し、脱泡した。
Example 1 A commercially available high-strength silicone rubber compound ("KE" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was used as the silicone rubber compound.
555-U ") and a commercially available silicone rubber compound for general molding (" KE958- "manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
U ") in a weight ratio of 60:40, and kneaded at 100 to 200 ° C using two rolls to form a rubber sheet having a thickness of 3 mm. The unvulcanized rubber sheet was cut into 1 cm square strips, and the weight ratio of the strips to toluene was 2%.
It was weighed so as to be 3%, put into a stirrer equipped with a vacuum defoaming device together with toluene, and stirred at atmospheric pressure for 15 hours to dissolve the small pieces in toluene. Then, trimethylolpropane trimethacrylate was added to the solution. After adding 2 parts to 100 parts of the silicone rubber compound and stirring uniformly, the vacuum defoaming device was driven and the gauge pressure was -7.
The mixture was further stirred for 20 minutes under a vacuum of 50 mmHg and defoamed.

【0025】次いで、上記の溶解、脱泡で得られたシリ
コーンゴム溶液をロールコーターに供給し、コロナ処理
を施した厚み75μmのポリエチレンテレフタレートフィ
ルム(東洋紡績社製 コスモシャインA4100)のコロナ
処理面に乾燥後厚みが150μmとなるように塗布し、続
いてオーブンに導入し、80℃で乾燥し、そのシリコー
ンゴム側の面にポリ−4−メチルペンテン−1の共重合
体からなる厚みが35μmのマット加工フィルム(三井
石油化学社製、「オピュランX−60YMT4」)をそ
のマット加工面がシリコーンゴムに向くように重ね、圧
着ロールを用いて圧力5 kgf/cm2で押さえながら連続
して積層し、得られた積層体を更に連続して電子線照射
装置(200KV、15Mrad )に導いて架橋処理を施
し、しかるのちカバーシートを剥離し、シリコーンゴム
フィルムとポリエステルフィルムからなる総厚み225
μmの複合体を得、これをロール状に巻取った。さら
に、このロールをロールラミネーターを使って、両面接
着テープ(寺岡社製 #761)を同フィルムのポリエ
ステル面にラミネートし、バックキングフィルムとし
た。
Next, the silicone rubber solution obtained by the above-mentioned dissolution and defoaming is supplied to a roll coater, and the corona-treated surface of a 75 μm-thick polyethylene terephthalate film (Cosmoshine A4100 manufactured by Toyobo Co., Ltd.) is treated. After drying, it was coated so as to have a thickness of 150 μm, subsequently introduced into an oven, dried at 80 ° C., and a silicone rubber-side surface having a thickness of 35 μm comprising a copolymer of poly-4-methylpentene-1 was obtained. A mat-processed film ("Opulan X-60YMT4", manufactured by Mitsui Petrochemical Co., Ltd.) is stacked so that the mat-processed surface faces the silicone rubber, and is continuously laminated while being pressed with a pressure roll at a pressure of 5 kgf / cm 2. The obtained laminate was further continuously guided to an electron beam irradiation device (200 KV, 15 Mrad) to perform a crosslinking treatment, and then the cover sheet was removed. And the total thickness of a silicone rubber film and the polyester film 225
A μm composite was obtained, which was wound into a roll. Further, using a roll laminator, this roll was laminated with a double-sided adhesive tape (# 761 manufactured by Teraoka Co.) on the polyester surface of the film to obtain a backing film.

【0026】得られたバッキングフィルムを研磨機械
(岡本工作機械社製 SPP600S)のバッキングプレート
に該両面テープを使って貼り合わせ、表面のシリコーン
樹脂層にシリコンウエハを押し付けてウエハを保持し研
磨実験を行った。この時評価に用いたウエハは10000オ
ングストロームの熱酸化膜が付いた6インチシリコンウ
エハを研磨した。研磨した条件としては、スラリーにセ
リア系スラリーを用い、定板回転数50rpm、研磨パッド
としてはウレタン系多孔質パッド(ロデール社製 IC10
00/S400)であった。研磨荷重を100g/cm2から次第に増
やして行きウエハが保持できなくなる荷重を見たとこ
ろ、1kg/cm2まで加圧してもウエハが外れてしまう事は
なかった。
The obtained backing film was bonded to a backing plate of a polishing machine (SPP600S manufactured by Okamoto Machine Tool Co., Ltd.) using the double-sided tape, and a silicon wafer was pressed against a silicone resin layer on the surface to hold the wafer and perform a polishing experiment. went. At this time, a 6-inch silicon wafer provided with a thermal oxide film of 10,000 angstroms was polished as a wafer used for evaluation. The polishing conditions were as follows: a ceria-based slurry was used as the slurry, the rotation speed of the plate was 50 rpm, and a urethane-based porous pad (Rodel IC10) was used as the polishing pad.
00 / S400). When the polishing load was gradually increased from 100 g / cm 2 and the load at which the wafer could not be held was observed, the wafer did not come off even if the pressure was increased to 1 kg / cm 2 .

【0027】実施例2 実施例1で得られたバッキングフィルム材のシリコーン
ゴム層表層に、巾1mm、ピッチ10mm、深さ25μmの格子
状の溝加工を施した。同パッドを用いて、実施例1と同
様の評価を行ったところ、研磨荷重を100g/cm2から次第
に増やして行きウエハが保持できなくなる荷重を見たと
ころ、1kg/cm2まで加圧してもウエハが外れてしまう事
はなかった。
Example 2 A lattice-shaped groove having a width of 1 mm, a pitch of 10 mm and a depth of 25 μm was formed on the surface of the silicone rubber layer of the backing film material obtained in Example 1. Using the same pad, was evaluated in the same manner as in Example 1, where the wafer gradually increasing progressively polishing load from 100 g / cm 2 saw a load can not be held, even if pressurized to 1 kg / cm 2 The wafer did not come off.

【0028】実施例3 実施例1で得られたバッキングフィルム材のシリコーン
ゴム層表層に、巾1mm、ピッチ10mm、深さ25μmの放射
状の溝加工を施した。同パッドを用いて、実施例1と同
様の評価を行ったところ、研磨荷重を100g/cm2から次第
に増やして行きウエハが保持できなくなる荷重を見たと
ころ、1kg/cm2まで加圧してもウエハが外れてしまう事
はなかった。
Example 3 The surface of the silicone rubber layer of the backing film material obtained in Example 1 was subjected to radial groove processing with a width of 1 mm, a pitch of 10 mm and a depth of 25 μm. Using the same pad, was evaluated in the same manner as in Example 1, where the wafer gradually increasing progressively polishing load from 100 g / cm 2 saw a load can not be held, even if pressurized to 1 kg / cm 2 The wafer did not come off.

【0029】比較例1 研磨機のバッキングプレートにウレタン発泡系バッキン
グパッド(ロデール社製 NF200)に置換えて、実施例1
と同様に評価を行った。研磨荷重を100g/cm2から次第に
増やして行きウエハが保持できなくなる荷重を見たとこ
ろ、300g/cm2まで加圧するとウエハが外れてしまう事は
ないが、ウエハが摩擦抵抗に耐えかねて移動し、ウエハ
周辺部を支えているガイドにぶつかってしまう現象が発
生し、400g/cm2まで加圧すると、遂にはウエハがバッキ
ングフィルムから外れてしまう現象が発生してしまっ
た。
Comparative Example 1 Example 1 was repeated, except that the backing plate of the polishing machine was replaced with a urethane foam-based backing pad (NF200 manufactured by Rodale).
The evaluation was performed in the same manner as described above. When a polishing load saw the load on which the wafer can not be held continue to increase gradually from 100g / cm 2, but it is not that is pressurized up to 300g / cm 2 wafer comes off, the wafer is moved can not withstand the frictional resistance However, a phenomenon of hitting the guide supporting the peripheral portion of the wafer occurred, and when the pressure was increased to 400 g / cm 2 , a phenomenon that the wafer finally came off the backing film occurred.

【0030】比較例2 研磨機のバッキングプレートを約80℃程度に加熱し、試
料接着用ワックス(ビューラー社製エレクトロンワック
ス)を約80℃で溶かしバッキングプレート上に薄く均一
に広げた後、6インチシリコンウエハを貼り付け、温度
が下がった時点にて、実施例1と同様な研磨の評価を行
った。研磨荷重を100g/cm2から次第に増やして行きウエ
ハが保持できなくなる荷重を見たところ、1kg/cm2まで
加圧してもウエハが外れてしまう事はなかった。しか
し、研磨されたウエハの面内での酸化膜の厚みの均一性
が極めて悪いものであった。また、サンプルを脱着する
為に、毎回バッキングプレートごと交換せねばならず、
極めて作業が煩雑となった。
Comparative Example 2 A backing plate of a polishing machine was heated to about 80 ° C., and a wax for bonding a sample (Electron wax manufactured by Buehler) was melted at about 80 ° C. and spread thinly and uniformly on the backing plate. When a silicon wafer was attached and the temperature dropped, the same polishing evaluation as in Example 1 was performed. When the polishing load was gradually increased from 100 g / cm 2 and the load at which the wafer could not be held was observed, the wafer did not come off even if the pressure was increased to 1 kg / cm 2 . However, the uniformity of the thickness of the oxide film in the plane of the polished wafer was extremely poor. Also, in order to detach the sample, the backing plate must be replaced every time,
The work became extremely complicated.

【0031】本発明は、ウエハの脱着が容易で且つ、研
磨の平坦性が良く、更に、ウエハ保持力が大きなバッキ
ングフィルムであった。
According to the present invention, there is provided a backing film capable of easily attaching and detaching a wafer, having good flatness of polishing, and having a large wafer holding force.

【0032】[0032]

【発明の効果】ウエハを保持する力が強く、かつ、ウエ
ハの脱着が容易である。また、片面に粘着層を有するた
め、バッキングフィルムの張り替えも容易である。
The force for holding the wafer is strong, and the wafer can be easily attached and detached. Moreover, since the adhesive layer is provided on one side, the backing film can be easily replaced.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3C058 AB04 CB01 CB03 CB04 CB10 DA12 DA17 4F071 AA43 AA67 AC10 DA17 4J002 CP031 EH046 GF00 GQ05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 3C058 AB04 CB01 CB03 CB04 CB10 DA12 DA17 4F071 AA43 AA67 AC10 DA17 4J002 CP031 EH046 GF00 GQ05

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体ウエハをワックスレス法により研磨
するのに用いるウエハ固定用のバッキングパッドにおい
て、該パッドがフィルム状であり、ベースフィルムの片
面にシリコーンゴムが形成されており、その反対面に粘
着剤層ないしは、両面テープが積層された構成となって
いる事を特徴とするバッキングフィルム。
1. A backing pad for fixing a semiconductor wafer, which is used for polishing a semiconductor wafer by a waxless method, wherein the pad is in the form of a film, and silicone rubber is formed on one surface of a base film, and on the opposite surface thereof. A backing film having a configuration in which an adhesive layer or a double-sided tape is laminated.
【請求項2】請求項1に記載のバッキングフィルムにお
いて、該ベースフィルムがポリエステルフィルムである
事を特徴とするバッキングフィルム。
2. The backing film according to claim 1, wherein said base film is a polyester film.
【請求項3】請求項1から2に記載のバッキングフィル
ムにおいて、該シリコーンゴム層が、シリコーンゴム1
00重量部に対し多価アルコールのメタクリル酸エステ
ルを0.2〜20重量部配合して得られたシリコーンゴ
ム組成物からなるバッキングフィルム。
3. The backing film according to claim 1, wherein the silicone rubber layer is a silicone rubber layer.
A backing film comprising a silicone rubber composition obtained by mixing 0.2 to 20 parts by weight of a polyhydric alcohol methacrylate with respect to 00 parts by weight.
【請求項4】請求項1から3に記載のバッキングフィル
ムにおいて、該シリコーンゴム層の表面に、ポリ−4−
メチルペンテン−1を主成分とする布帛またはフィルム
をカバーシートとして積層した事を特徴とするバッキン
グフィルム。
4. The backing film according to claim 1, wherein the surface of said silicone rubber layer is poly-4-
A backing film characterized by laminating a cloth or a film containing methylpentene-1 as a main component as a cover sheet.
【請求項5】請求項1から3に記載のバッキングフィル
ムにおいて、該シリコーンゴム層の表面に、エチレン・
メチルメタクリレート共重合体からなる布帛またはフィ
ルムをカバーシートとして積層した事を特徴とするバッ
キングフィルム。
5. The backing film according to claim 1, wherein an ethylene.
A backing film characterized by laminating a cloth or film comprising a methyl methacrylate copolymer as a cover sheet.
【請求項6】請求項1から5に記載のバッキングフィル
ムにおいて、該シリコーンゴム層に溝加工が施されてい
る事を特徴とするバッキングフィルム。
6. The backing film according to claim 1, wherein a groove is formed in the silicone rubber layer.
【請求項7】請求項6に記載のバッキングフィルムにお
いて、該シリコーンゴム層に加工された溝が、格子状で
ある事を特徴とするバッキングフィルム。
7. The backing film according to claim 6, wherein the grooves formed in the silicone rubber layer are lattice-shaped.
【請求項8】請求項6に記載のバッキングフィルムにお
いて、該シリコーンゴム層に加工された溝が、放射状で
ある事を特徴とするバッキングフィルム。
8. The backing film according to claim 6, wherein the grooves formed in the silicone rubber layer are radial.
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