JP2001274285A - Lead terminal - Google Patents

Lead terminal

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JP2001274285A
JP2001274285A JP2000088109A JP2000088109A JP2001274285A JP 2001274285 A JP2001274285 A JP 2001274285A JP 2000088109 A JP2000088109 A JP 2000088109A JP 2000088109 A JP2000088109 A JP 2000088109A JP 2001274285 A JP2001274285 A JP 2001274285A
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Japan
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lead terminal
input
ground
frequency
frequency circuit
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Application number
JP2000088109A
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Japanese (ja)
Inventor
Naoki Onishi
直樹 大西
Kanemi Sasaki
金見 佐々木
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Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
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  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide lead terminals of a high frequency circuit component whereby its parasitic inductances in its earth portion are reduced to obtain good high frequency characteristics, and the spatial coupling generated between its input/output lead terminals is prevented to avoid such unstable states as oscillation. SOLUTION: The lead terminals of a high frequency circuit component 3 provided on a board 1 having a metallic earth plate 2 as its rear metal comprise a ground lead terminal 21 and input/output lead terminals 22, 23. The ground lead terminal 21 has such a shape as to be storable in the surface of a through hole 11 provided in the board 1 and connects the high frequency circuit component 3 with the metallic earth plate 2 by being inserted into the through hole 11. The input/output lead terminals 22, 23 are provided on both sides of the ground led terminal 21 and connect the high frequency circuit component 3 respectively with input/output-oriented conductors 12, 13 provided on the board 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路部品の
リード端子に関し、特に、アース部分に寄生するインダ
クタンスを低減させて良好な高周波特性を得るととも
に、入出力リード端子間での空間的な結合を防止して発
振等の不安定状態を回避するリード端子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead terminal of a high-frequency circuit component, and more particularly to a method of obtaining a good high-frequency characteristic by reducing an inductance parasitic to a ground portion, and a spatial coupling between input and output lead terminals. The present invention relates to a lead terminal for preventing an unstable state such as oscillation by preventing the above.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば従来から利用されてきた周波数資
源が不足してきたことから、近年では、従来では利用さ
れていなかったマイクロ波帯やミリ波帯の信号が無線通
信等に用いられるようになってきており、このようなマ
イクロ波帯等の信号を扱うシステムの応用が非常に期待
されている。
2. Description of the Related Art For example, due to a shortage of conventionally used frequency resources, in recent years, microwave and millimeter wave band signals which have not been conventionally used have been used for wireless communication and the like. Therefore, application of a system for handling signals in the microwave band or the like is greatly expected.

【0003】マイクロ波帯やミリ波帯の信号は、他の低
い周波数の信号と比較して、空間的な減衰が大きくて無
線伝送距離が短いことから、比較的近い場所で同一の周
波数帯を重ならないように利用すること(周波数の折り
返し利用)が可能であるといった利点を有している。ま
た、マイクロ波帯やミリ波帯を用いると広帯域伝送が可
能であるため、このような高周波帯を用いて、大容量の
情報を高速に伝送するのに適した高速無線LANシステ
ムやコードレスカメラシステムや画像モニタシステムや
高速無線ネットワークシステム等を実用化することが急
速度で進められている。
[0003] Compared with other low frequency signals, microwave band and millimeter wave band signals have a large spatial attenuation and a short radio transmission distance. It has an advantage that it can be used without overlapping (return use of frequency). In addition, since wideband transmission is possible using a microwave band or a millimeter wave band, a high-speed wireless LAN system or a cordless camera system suitable for transmitting large-capacity information at high speed using such a high-frequency band. Practical application of image monitors, image monitor systems, high-speed wireless network systems, and the like is proceeding at a rapid pace.

【0004】上記のような高周波帯の信号を扱うシステ
ムを実現するに当たっては、一般に、マイクロ波集積回
路(MIC:Microwave Integrated Circuit)等の高周
波回路部品が用いられている。ここで、MICとして
は、例えばアルミナ等から成る誘電体基板上に伝送路を
形成してそれにチップ部品(例えばトランジスタ等の能
動素子)を搭載して構成されるハイブリッドMIC(H
MIC:Hybrid MIC)や、例えばガリウム砒素(GaA
s)やシリコン(Si)等から成る半導体基板上に受動
素子とトランジスタ等の能動素子を一括製造して構成さ
れるモノリシックMIC(MMIC:Monolithic MIC)
等が知られている。
In realizing a system that handles signals in the high frequency band as described above, high frequency circuit components such as a microwave integrated circuit (MIC) are generally used. Here, as the MIC, a hybrid MIC (H) formed by forming a transmission path on a dielectric substrate made of, for example, alumina and mounting chip components (for example, active elements such as transistors) on the transmission path is used.
MIC (Hybrid MIC) or, for example, gallium arsenide (GaAs)
s) and a monolithic MIC (MMIC: Monolithic MIC) composed of batch production of passive elements and active elements such as transistors on a semiconductor substrate made of silicon (Si).
Etc. are known.

【0005】以下で、従来の高周波回路部品の実装構造
の具体例を示す。図5には、従来の高周波回路部品の実
装構造の一例として、マイクロ波帯やミリ波帯の高周波
集積回路ユニットの構成例を示してある。このユニット
では、金属筐体31のキャビティ部に複数の誘電体基板
41〜44が併設されており、各誘電体基板41〜44
の上には1つ或いは複数の高周波回路部品45、46が
実装されている。なお、高周波回路部品としては、例え
ばパッケージMMICチップ45或いはMMICチップ
46が実装されている。
A specific example of a conventional mounting structure of a high-frequency circuit component will be described below. FIG. 5 shows a configuration example of a high frequency integrated circuit unit in a microwave band or a millimeter wave band as an example of a mounting structure of a conventional high frequency circuit component. In this unit, a plurality of dielectric substrates 41 to 44 are provided side by side in a cavity portion of a metal housing 31.
One or a plurality of high-frequency circuit components 45 and 46 are mounted thereon. As the high-frequency circuit component, for example, a package MMIC chip 45 or MMIC chip 46 is mounted.

【0006】また、図示を省略したが、各誘電体基板4
1〜44間の信号ラインの接続の仕方としては、例えば
金属細線を用いたワイヤボンディングにより電気的に接
続する仕方が用いられる。また、金属筐体31の両側の
側壁にはそれぞれ、誘電体基板41〜44に設けられた
信号ライン及びグラウンドと接続されたコネクタ32
a、32bが設けられており、当該コネクタ32a、3
2bを介して外部回路と接続される構成となっている。
Although not shown, each dielectric substrate 4
As a method of connecting the signal lines 1 to 44, for example, a method of electrically connecting by wire bonding using a thin metal wire is used. In addition, connectors 32 connected to signal lines and grounds provided on dielectric substrates 41 to 44 are provided on both side walls of metal casing 31, respectively.
a, 32b are provided, and the connectors 32a, 3b
It is configured to be connected to an external circuit via 2b.

【0007】また、図示は省略したが、高周波回路部品
を実装する仕方としては種々な仕方が知られており、例
えばMMICチップ46を実装する仕方としては、金属
細線を用いたワイヤボンディングや、リボンボンディン
グや、金属バンプを用いて直接的に接続するフリップチ
ップボンディング等の仕方があり、また、例えばパッケ
ージMMICチップ45を実装する仕方としては、以上
に示したものの他に、導電性接着剤或いは半田付けを用
いて接続する仕方がある。なお、ワイヤボンディングが
用いられる場合には、一般に、複数のワイヤを並列的に
ボンディングすることにより低損失化が図られる。
Although not shown, there are various known methods for mounting high-frequency circuit components. For example, as a method for mounting the MMIC chip 46, wire bonding using fine metal wires, There are methods such as bonding and flip chip bonding for directly connecting using metal bumps. For example, as a method for mounting the package MMIC chip 45, in addition to the method described above, a conductive adhesive or solder may be used. There is a way to connect using the attachment. In addition, when wire bonding is used, a reduction in loss is generally achieved by bonding a plurality of wires in parallel.

【0008】次に、図6は、1枚の誘電体基板53の上
に1つのパッケージMMICチップ54を実装したユニ
ットの外観斜視図である。また、図7は、図6に示した
ユニットの主要部の側面断面図であり、この断面はパッ
ケージMMICチップ54の中心における断面である。
このユニットでは、金属筐体51の上にコバール(Fe
−Ni−Co合金)等から成る導電性の金属基板52が
ネジでとめられており、当該金属基板52の上に誘電体
基板53が金すず(AuSn)等を用いたろう付けや半
田付けにより接合されており、当該誘電体基板53の上
に例えば低雑音増幅器或いは高出力増幅器等を有したパ
ッケージMMICチップ54が実装されている。
FIG. 6 is an external perspective view of a unit in which one package MMIC chip 54 is mounted on one dielectric substrate 53. FIG. 7 is a side sectional view of a main part of the unit shown in FIG. 6, and this section is a section at the center of the package MMIC chip 54.
In this unit, Kovar (Fe
-Ni-Co alloy), etc., and a conductive metal substrate 52 is fixed with screws, and a dielectric substrate 53 is joined on the metal substrate 52 by brazing or soldering using gold tin (AuSn) or the like. A package MMIC chip 54 having, for example, a low-noise amplifier or a high-output amplifier is mounted on the dielectric substrate 53.

【0009】また、誘電体基板53の表面には入出力用
のマイクロストリップライン61、62やグラウンド用
(接地用)のアースパターン63、64が形成されてお
り、裏面にはベタアース67が形成されている。そし
て、誘電体基板53の表面に形成された各アースパター
ン63、64と裏面に形成されたベタアース67とは、
当該誘電体基板53に設けられたスルーホール65、6
6に導体を埋め込むことで接続されている。
On the surface of the dielectric substrate 53 are formed microstrip lines 61 and 62 for input and output and ground patterns 63 and 64 for ground (for grounding), and a solid ground 67 is formed on the back surface. ing. The ground patterns 63 and 64 formed on the front surface of the dielectric substrate 53 and the solid ground 67 formed on the back surface
Through holes 65 and 6 provided in the dielectric substrate 53
6 are connected by embedding a conductor.

【0010】また、パッケージMMICチップ54に
は、入出力用のリード端子(入出力リード端子)71、
72及びグラウンド用のリード端子(グラウンドリード
端子)73、74が設けられている。そして、各入出力
リード端子71、72は誘電体基板53に形成された各
マイクロストリップライン61、62と導電性接着剤等
により電気的に接続されており、同様に、各グラウンド
リード端子73、74は誘電体基板53に形成された各
アースパターン63、64と電気的に接続されている。
The package MMIC chip 54 has input / output lead terminals (input / output lead terminals) 71,
72 and ground lead terminals (ground lead terminals) 73 and 74 are provided. Each of the input / output lead terminals 71 and 72 is electrically connected to each of the microstrip lines 61 and 62 formed on the dielectric substrate 53 by a conductive adhesive or the like. Reference numeral 74 is electrically connected to each of the ground patterns 63 and 64 formed on the dielectric substrate 53.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
上記図6に示したような従来の高周波回路部品の実装構
造では、誘電体基板53の上面(表面)に設けられたア
ース部分(例えば上記したグラウンドリード端子73、
74や上記したアースパターン63、64)がスルーホ
ール65、66を介して裏面のベタアース67と接続さ
れていることから、当該スルーホール65、66のイン
ダクタンス成分が発生してしまい、パッケージMMIC
チップ54を良好に高周波接地することができないとい
った不具合があった。また、このため、例えばパッケー
ジMMICチップ54に備えられた増幅器の増幅率が低
下してしまうことも生じていた。
However, in the conventional mounting structure of high-frequency circuit components as shown in FIG. 6, for example, a ground portion (for example, the above-described ground) provided on the upper surface (front surface) of the dielectric substrate 53 is provided. Lead terminal 73,
74 and the above-mentioned ground patterns 63 and 64) are connected to the solid ground 67 on the back surface through the through holes 65 and 66, so that an inductance component of the through holes 65 and 66 is generated, and the package MMIC is formed.
There is a problem that the chip 54 cannot be satisfactorily grounded at a high frequency. For this reason, for example, the amplification factor of the amplifier provided in the package MMIC chip 54 may be reduced.

【0012】なお、上記のような不具合を解消する対策
として、図示は省略するが、例えばパッケージMMIC
チップ54の各グラウンドリード端子73、74と各ス
ルーホール65、66とのそれぞれの間にコンデンサを
実装し、各コンデンサのインダクタンス成分と各スルー
ホール65、66のインダクタンス成分とによる直列共
振を用いて、誘電体基板53の表面に形成された各アー
スパターン63、64と裏面に形成されたベタアース6
7とを高周波的に短絡する仕方が考えられる。しかしな
がら、このような対策の仕方では、短絡されるのは共振
周波数近傍の限られた周波数帯域のみであり、また、共
振周波数近傍においてもスルーホール65、66の直列
抵抗やコンデンサの損失抵抗等が存在するため、短絡の
効果を十分には得ることができず、良好な高周波接地を
実現することはできないといった問題があった。
As a countermeasure for solving the above-mentioned problem, although not shown, for example, a package MMIC is used.
A capacitor is mounted between each of the ground lead terminals 73 and 74 of the chip 54 and each of the through holes 65 and 66, and a series resonance by the inductance component of each capacitor and the inductance component of each through hole 65 and 66 is performed. Ground patterns 63 and 64 formed on the front surface of the dielectric substrate 53 and a solid ground 6 formed on the back surface.
7 can be short-circuited at high frequency. However, in such a countermeasure method, short-circuiting occurs only in a limited frequency band near the resonance frequency, and also near the resonance frequency, the series resistance of the through holes 65 and 66, the loss resistance of the capacitor, and the like are reduced. Due to the existence, there is a problem that the effect of short circuit cannot be sufficiently obtained, and good high-frequency grounding cannot be realized.

【0013】また、例えば上記図6に示したような従来
の高周波回路部品の実装構造では、上記図7に示される
ようにパッケージMMICチップ54の入出力リード端
子71、72同士が空間的に結合可能な構造であったた
め、例えばミリ波帯において出力リード端子(例えば入
出力リード端子72)から入力リード端子(例えば入出
力リード端子71)へグラウンドリード端子73、74
を飛び越して空間的な結合が発生して、信号の帰還が生
じてしまうことがあるといった不具合があった。
In the conventional mounting structure of high-frequency circuit components as shown in FIG. 6, for example, the input / output lead terminals 71 and 72 of the package MMIC chip 54 are spatially connected to each other as shown in FIG. For example, ground lead terminals 73 and 74 from an output lead terminal (for example, the input / output lead terminal 72) to an input lead terminal (for example, the input / output lead terminal 71) in the millimeter wave band because of the possible structure.
There is a problem that spatial coupling is generated by jumping over the signal and signal feedback may occur.

【0014】そして、このため、例えばパッケージMM
ICチップ54に増幅率の大きい増幅器が備えられてい
るような場合には、帰還量の大きい周波数において発振
等の不安定状態が発生してしまうことがあるといった不
具合があった。ここで、図8には、周波数に対する帰還
量の特性の一例を示してあり、同図中のグラフの横軸は
周波数(GHz)を示しており、縦軸は帰還量(dB)
を示している。同図の例では、33GHzにおいて発振
等の不安定状態が発生している。
For this reason, for example, the package MM
When the IC chip 54 includes an amplifier having a large amplification factor, there is a problem that an unstable state such as oscillation may occur at a frequency with a large feedback amount. Here, FIG. 8 shows an example of the characteristic of the feedback amount with respect to the frequency. The horizontal axis of the graph in FIG. 8 shows the frequency (GHz), and the vertical axis shows the feedback amount (dB).
Is shown. In the example shown in the figure, an unstable state such as oscillation occurs at 33 GHz.

【0015】なお、2端子回路での無条件安定条件(例
えば前後にどのような受動回路を接続しても発振しない
ための条件)は、一般に、回路のSパラメータ及び安定
係数Kを用いて式1のように示される。式1に示される
ように、例えば利得(S21)が大きく帰還量(S12)が
大きいような場合には、回路は極めて不安定となる。
An unconditional stability condition (for example, a condition for preventing oscillation even if any passive circuit is connected before and after) in a two-terminal circuit is generally expressed by an equation using an S parameter and a stability coefficient K of the circuit. It is shown as 1. As shown in Equation 1, for example, when the gain (S21) is large and the feedback amount (S12) is large, the circuit becomes extremely unstable.

【0016】[0016]

【数1】 (Equation 1)

【0017】以上のように、従来の高周波回路部品の実
装の仕方或いは当該高周波回路部品の物理的な構造で
は、高周波特性が非常に悪くなってしまうことがあり、
例えば最悪の場合には不用周波数での発振が生じてしま
う等といったように、本来の設計通りの高周波特性が得
られない等といった大きな問題があった。
As described above, the conventional method of mounting high-frequency circuit components or the physical structure of the high-frequency circuit components may cause extremely poor high-frequency characteristics.
For example, in the worst case, there is a serious problem that high-frequency characteristics as originally designed cannot be obtained, for example, oscillation at an unnecessary frequency occurs.

【0018】本発明は、このような従来の課題を解決す
るためになされたもので、良好な高周波特性を得ること
ができる高周波回路部品のリード端子を提供することを
目的とし、具体的には、例えばアース部分に寄生するイ
ンダクタンスを低減させて良好な高周波特性を得ること
ができるとともに、例えば入出力リード端子間での空間
的な結合を防止して発振等の不安定状態を回避すること
ができる高周波回路部品のリード端子を提供することを
目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a conventional problem, and has as its object to provide a lead terminal of a high-frequency circuit component capable of obtaining good high-frequency characteristics. For example, it is possible to obtain a good high-frequency characteristic by reducing an inductance parasitic to a ground portion, and to prevent an unstable state such as oscillation by preventing a spatial coupling between input and output lead terminals. An object of the present invention is to provide a lead terminal of a high-frequency circuit component that can be used.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るリード端子では、裏面に金属アース板
を備えた基板上に設けられる高周波回路部品のリード端
子を、基板に設けられた貫通孔に挿入されて高周波回路
部品と金属アース板とを接続する当該貫通孔の面内に収
まる形状を有したグラウンドリード端子と、当該グラウ
ンドリード端子の両側に配置されてそれぞれ高周波回路
部品と基板に設けられた入出力用の導体とを接続する入
出力リード端子とから構成した。
In order to achieve the above object, in a lead terminal according to the present invention, a lead terminal of a high-frequency circuit component provided on a substrate having a metal ground plate on the back surface is provided on the substrate. A ground lead terminal which is inserted into the through-hole and connects the high-frequency circuit component and the metal ground plate and has a shape that fits within the plane of the through-hole; and a high-frequency circuit component and a board disposed on both sides of the ground lead terminal, respectively. And an input / output lead terminal for connecting to an input / output conductor provided in the above.

【0020】従って、上記のような構造を有したグラウ
ンドリード端子ではアース部分に寄生するインダクタン
スを非常に小さくすることができるため、例えばマイク
ロ波帯やミリ波帯のような超高周波帯においても、高周
波回路部品の高周波接地を確実に行うことができ、これ
により、良好な高周波特性を得ることができる。また、
こうしたことから、例えばパッケージMMICチップ等
に備えられた増幅器の増幅率が接地不良により低下して
しまうのを防止することができる。
Accordingly, in the ground lead terminal having the above-described structure, the parasitic inductance at the ground portion can be made extremely small. Therefore, for example, even in an ultra-high frequency band such as a microwave band or a millimeter wave band, High-frequency grounding of the high-frequency circuit component can be reliably performed, and thereby good high-frequency characteristics can be obtained. Also,
For this reason, for example, it is possible to prevent the amplification factor of the amplifier provided in the package MMIC chip or the like from being reduced due to a grounding defect.

【0021】これとともに、上記のような構造を有した
入出力リード端子では、例えばマイクロ波帯やミリ波帯
のような超高周波帯においても、当該入出力リード端子
間での空間的な結合をグラウンドリード端子により防止
することができるため、高周波回路部品の発振等の不安
定状態を回避することができ、これにより、良好な高周
波特性を得ることができる。
In addition, in the input / output lead terminal having the above structure, the spatial coupling between the input / output lead terminals can be achieved even in an ultra-high frequency band such as a microwave band or a millimeter wave band. Since this can be prevented by the ground lead terminal, an unstable state such as oscillation of the high-frequency circuit component can be avoided, and thereby good high-frequency characteristics can be obtained.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】本発明に係る一実施例を図面を参
照して説明する。図1は、本発明の一実施例に係るリー
ド端子を有したパッケージMMICチップ3を実装した
ユニットの分解斜視図である。また、図2は、図1に示
したユニットの主要部の側面断面図であり、この断面は
パッケージMMICチップ3の中心における断面であ
る。また、図3は、図1に示したパッケージMMICチ
ップ3の底面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an exploded perspective view of a unit mounted with a package MMIC chip 3 having lead terminals according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a side sectional view of a main part of the unit shown in FIG. 1, and this section is a section at the center of the package MMIC chip 3. FIG. 3 is a bottom view of the package MMIC chip 3 shown in FIG.

【0023】このユニットでは、誘電体基板であるセラ
ミック基板1の表面に例えば低雑音増幅器から成るパッ
ケージMMICチップ3が実装されている。そして、セ
ラミック基板1は、良導電性金属基板であるコバール
(Fe−Ni−Co合金)板2の上に載せられて、金す
ず(AuSn)等を用いたろう付けや半田付けにより当
該コバール板2と接合されて一体化されている。なお、
セラミック基板1の比誘電率は例えば10.0であり、
厚さは例えば0.25mmである。
In this unit, a package MMIC chip 3 composed of, for example, a low noise amplifier is mounted on the surface of a ceramic substrate 1 which is a dielectric substrate. The ceramic substrate 1 is placed on a Kovar (Fe—Ni—Co alloy) plate 2 that is a good conductive metal substrate, and the Kovar plate 2 is brazed or soldered using gold tin (AuSn) or the like. And are integrated. In addition,
The relative permittivity of the ceramic substrate 1 is, for example, 10.0,
The thickness is, for example, 0.25 mm.

【0024】また、コバール板2は、本例のユニット
(例えばマイクロ波帯やミリ波帯の高周波集積回路ユニ
ット)を構成する金属筐体4の上に載せられて、例えば
4つのネジ5a〜5dを用いて当該金属筐体4に固定的
にとめられている。具体的には、4つのネジ貫通孔14
a〜14dがコバール板2に設けられているとともに、
4つのネジタップ15a〜15dが金属筐体4の上面に
設けられており、各ネジ貫通孔14a〜14dを通して
各ネジ5a〜5dを各ネジタップ15a〜15dにとめ
ることで、コバール板2と金属筐体4とが固定されてい
る。
The Kovar plate 2 is placed on a metal housing 4 constituting a unit of this embodiment (for example, a high frequency integrated circuit unit for a microwave band or a millimeter wave band) and, for example, four screws 5a to 5d. And is fixedly fixed to the metal housing 4. Specifically, four screw through holes 14
a to 14d are provided on the Kovar plate 2,
Four screw taps 15a to 15d are provided on the upper surface of the metal housing 4, and the screws 5a to 5d are fixed to the screw taps 15a to 15d through the screw through holes 14a to 14d, so that the Kovar plate 2 and the metal housing are connected. 4 are fixed.

【0025】また、セラミック基板1の表面(上面)に
は入出力用のマイクロストリップライン12、13が形
成されており、裏面(下面)にはベタアース(図示せ
ず)が形成されている。そして、セラミック基板1の裏
面に形成されたベタアースは、上記のように当該裏面に
備えられたコバール板2と接合されている。また、セラ
ミック基板1には、例えばパッケージMMICチップ3
が配置される位置(本例では、当該パッケージMMIC
チップ3の直下の位置)に、後述するグラウンドリード
端子21を貫通させる貫通孔11が設けられている。
Microstrip lines 12 and 13 for input and output are formed on the front surface (upper surface) of the ceramic substrate 1, and a solid ground (not shown) is formed on the back surface (lower surface). The solid earth formed on the back surface of the ceramic substrate 1 is joined to the Kovar plate 2 provided on the back surface as described above. The ceramic substrate 1 includes, for example, a package MMIC chip 3
(In this example, the package MMIC)
A through hole 11 through which a ground lead terminal 21 described later is penetrated is provided at a position directly below the chip 3).

【0026】また、パッケージMMICチップ3には、
1つのグラウンド用のリード端子(グラウンドリード端
子)21が底面に設けられているとともに、2つの入出
力用のリード端子(入出力リード端子)22、23が当
該グラウンドリード端子21の両側に設けられている。
The package MMIC chip 3 includes:
One ground lead terminal (ground lead terminal) 21 is provided on the bottom surface, and two input / output lead terminals (input / output lead terminals) 22 and 23 are provided on both sides of the ground lead terminal 21. ing.

【0027】ここで、グラウンドリード端子21は、例
えばセラミック基板1の厚さと同程度の厚さ(本例で
は、セラミック基板1の厚さより多少大きな厚さ)を有
するとともにセラミック基板1に設けられた貫通孔11
の面内に収まる形状を有した直方体の金属片から構成さ
れている。そして、グラウンドリード端子21は、例え
ば上記図2に示されるように、その両側の入出力リード
端子22、23と比較して、セラミック基板1の厚み程
度だけパッケージMMICチップ3の下方向に突出して
いる。
Here, the ground lead terminal 21 has, for example, a thickness substantially equal to the thickness of the ceramic substrate 1 (in this example, a thickness slightly larger than the thickness of the ceramic substrate 1) and is provided on the ceramic substrate 1. Through hole 11
Is formed of a rectangular parallelepiped metal piece having a shape that fits within the plane. The ground lead terminal 21 protrudes downward from the package MMIC chip 3 by the thickness of the ceramic substrate 1 as compared with the input / output lead terminals 22 and 23 on both sides thereof, for example, as shown in FIG. I have.

【0028】上記のような構成から成る本例のグラウン
ドリード端子21は、セラミック基板1に設けられた貫
通孔11に挿入されて、パッケージMMICチップ3
(例えば当該パッケージMMICチップ3内のグラウン
ド用の導体部分)とコバール板2とを接続する機能を有
している。なお、グラウンドリード端子21とコバール
板2との電気的な接続は、例えばセラミック基板1に設
けられた貫通孔11に半田或いはクリーム半田或いは導
電性接着剤等を塗布して行われ、当該接続の処理は例え
ばセラミック基板1とコバール板2とが接合されて一体
化された後に行われる。
The ground lead terminal 21 of the present embodiment having the above-described configuration is inserted into the through-hole 11 provided in the ceramic substrate 1 so that the package MMIC chip 3
(For example, a conductor portion for ground in the package MMIC chip 3) and the Kovar plate 2 are connected. The electrical connection between the ground lead terminal 21 and the Kovar plate 2 is performed by, for example, applying solder, cream solder, a conductive adhesive, or the like to the through-hole 11 provided in the ceramic substrate 1, and performing the connection. The processing is performed, for example, after the ceramic substrate 1 and the Kovar plate 2 are joined and integrated.

【0029】また、各入出力リード端子22、23は、
上述のようにグラウンドリード端子21の両側に配置さ
れた例えば金属端子から構成されており、それぞれパッ
ケージMMICチップ3(例えば当該パッケージMMI
Cチップ3内の入出力用の導体部分)とセラミック基板
1の表面に設けられた入出力用のマイクロストリップラ
イン12、13とを接続する機能を有している。具体的
には、本例では、一方の入出力リード端子22は一方の
マイクロストリップライン12と導電性接着剤等により
電気的に接続されており、同様に、他方の入出力リード
端子23は他方のマイクロストリップライン13と電気
的に接続されている。
The input / output lead terminals 22 and 23 are
As described above, it is composed of, for example, metal terminals arranged on both sides of the ground lead terminal 21, and each of the package MMIC chips 3 (for example, the package MMI)
It has a function of connecting input / output conductor portions in the C chip 3) to input / output microstrip lines 12 and 13 provided on the surface of the ceramic substrate 1. Specifically, in this example, one input / output lead terminal 22 is electrically connected to one microstrip line 12 by a conductive adhesive or the like, and similarly, the other input / output lead terminal 23 is connected to the other input / output lead terminal 23. Are electrically connected to the microstrip line 13.

【0030】以上のように、本例のパッケージMMIC
チップ3のリード端子(グラウンド端子21及び入出力
リード端子22、23)では、例えばグラウンドリード
端子21がコバール板2に直接的に接地されていて、セ
ラミック基板1を挟んだ導体パターンの対が形成されな
いため、アース部分に寄生するインダクタンスを例えば
従来と比べて大幅に低減させることができる。このた
め、本例のリード端子では、例えばマイクロ波帯やミリ
波帯のような超高周波帯においても、パッケージMMI
Cチップ3の高周波接地を確実に行うことができ、これ
により、良好な高周波特性を得ることができる。また、
こうしたことから、例えばパッケージMMICチップ3
に備えられた増幅器の増幅率が接地不良により低下して
しまうのを防止することもできる。
As described above, the package MMIC of this embodiment
In the lead terminals (ground terminal 21 and input / output lead terminals 22 and 23) of the chip 3, for example, the ground lead terminal 21 is directly grounded to the Kovar plate 2, and a pair of conductor patterns sandwiching the ceramic substrate 1 is formed. Therefore, the inductance parasitic to the ground portion can be significantly reduced, for example, as compared with the related art. For this reason, in the lead terminal of this example, the package MMI is used even in an ultra-high frequency band such as a microwave band or a millimeter wave band.
The high frequency grounding of the C chip 3 can be reliably performed, and thereby, a good high frequency characteristic can be obtained. Also,
For this reason, for example, the package MMIC chip 3
It is also possible to prevent the amplification factor of the amplifier provided in the device from being lowered due to the grounding failure.

【0031】また、本例のパッケージMMICチップ3
のリード端子では、例えばグラウンドリード端子21が
入出力端子22、33間を完全に仕切るような立体的な
形状を有していることから、例えばマイクロ波帯やミリ
波帯のような超高周波帯においても、入出力リード端子
22、23間での空間的な結合を小さく抑えることがで
きる。このため、本例のリード端子では、例えばパッケ
ージMMICチップ3に備えられた増幅器が不用周波数
において異常発振してしまう等といった不安定状態を回
避することができ、これにより、例えば設計通りに良好
な高周波特性を得ることができる。
The package MMIC chip 3 of this embodiment
For example, since the ground lead terminal 21 has a three-dimensional shape that completely separates the input / output terminals 22 and 33 from each other, for example, an ultra-high frequency band such as a microwave band or a millimeter wave band is used. In this case, the spatial coupling between the input / output lead terminals 22 and 23 can be reduced. For this reason, in the lead terminal of this example, it is possible to avoid an unstable state in which, for example, the amplifier provided in the package MMIC chip 3 abnormally oscillates at an unnecessary frequency. High frequency characteristics can be obtained.

【0032】また、本例のパッケージMMICチップ3
のリード端子では、例えば上記従来例の図6に示したよ
うなアースパターン63、64やスルーホール65、6
6をセラミック基板1の上に設けることが不要となると
いった効果を得ることもできる。
The package MMIC chip 3 of this embodiment
For example, the ground terminals 63 and 64 and the through holes 65 and 6 as shown in FIG.
It is also possible to obtain an effect that it is not necessary to provide 6 on the ceramic substrate 1.

【0033】ここで、例えば上記図1に示した本発明の
一実施例に係るリード端子を有したパッケージMMIC
チップ3に関して得られた周波数に対する帰還量の特性
(以下で、「“本実施例”に係る帰還量特性」と言う)
を、例えば上記従来例の図6に示した従来のリード端子
を有したパッケージMMICチップに関して得られた周
波数に対する帰還量の特性(以下で、「“従来例”に係
る帰還量特性」と言う)と比較する。なお、ここで言う
帰還量とは、例えば上記課題で示したように、出力リー
ド端子(本例では、例えば入出力リード端子23)から
入力リード端子(本例では、例えば入出力リード端子2
2)へグラウンドリード端子(本例では、グラウンドリ
ード端子21)を飛び越して起きる信号帰還の量のこと
である。
Here, for example, the package MMIC having the lead terminal according to the embodiment of the present invention shown in FIG.
Characteristics of feedback amount with respect to frequency obtained for chip 3 (hereinafter, referred to as “feedback amount characteristics according to“ the present embodiment ”)”
Is, for example, the characteristic of the feedback amount with respect to the frequency obtained with respect to the conventional packaged MMIC chip having the lead terminals shown in FIG. 6 of the conventional example (hereinafter, referred to as “the feedback amount characteristic according to the“ conventional example ”)”. Compare with Note that the feedback amount referred to here means, for example, as described in the above-mentioned problem, from the output lead terminal (for example, the input / output lead terminal 23 in this example) to the input lead terminal (for example, the input / output lead terminal 2 in this example).
2) This is the amount of signal feedback that occurs when jumping over the ground lead terminal (ground lead terminal 21 in this example).

【0034】図4には、上記した“本実施例”に係る帰
還量特性の一例を(a)として実線で示してあるととも
に、上記した“従来例”に係る帰還量特性の一例を
(b)として点線で示してあり、同図中のグラフの横軸
は周波数(GHz)を示しており、縦軸は帰還量(d
B)を示している。ここで、同図に示した“従来例”に
係る帰還量特性は上記図8に示した特性と同じものであ
る。
FIG. 4 shows an example of the feedback amount characteristic according to the above-mentioned "this embodiment" by a solid line as (a), and shows an example of the feedback amount characteristic according to the above-mentioned "conventional example" by (b). ) Is indicated by a dotted line, and the horizontal axis of the graph in the figure indicates the frequency (GHz), and the vertical axis indicates the feedback amount (d).
B) is shown. Here, the feedback amount characteristic according to the "conventional example" shown in FIG. 8 is the same as the characteristic shown in FIG.

【0035】上記図4に示されるように、本例(“本実
施例”)のリード端子では、入出力リード端子22、2
3間での空間的な結合が従来(“従来例”)と比べて小
さく抑えられていることから、広い周波数帯域にわたっ
て、従来(“従来例”)と比べて帰還量が低減させられ
ている。また、同図に示されるように、従来(“従来
例”)のリード端子では33GHzにおいて発振等の不
安定状態が発生しているが、本例(“本実施例”)のリ
ード端子では、特定周波数で異常発振を引き起こすよう
な急峻な帰還量の増加は生じておらず、良好な高周波特
性が得られている。
As shown in FIG. 4, the input / output lead terminals 22, 2
Since the spatial coupling between the three is smaller than that of the related art (“conventional example”), the feedback amount is reduced over a wide frequency band as compared with the related art (“conventional example”). . As shown in the figure, an unstable state such as oscillation occurs at 33 GHz in the conventional (“conventional example”) lead terminal, but in the present example (“this example”), No steep increase in feedback amount causing abnormal oscillation at a specific frequency occurs, and good high-frequency characteristics are obtained.

【0036】なお、本例では、上記したコバール板2が
本発明に言う金属アース板に相当し、上記したセラミッ
ク基板1が本発明に言う基板に相当し、上記したパッケ
ージMMICチップ3が本発明に言う高周波回路部品に
相当し、上記したマイクロストリップライン12、13
が本発明に言う入出力用の導体に相当する。
In this embodiment, the above-mentioned Kovar plate 2 corresponds to the metal ground plate of the present invention, the above-mentioned ceramic substrate 1 corresponds to the substrate of the present invention, and the above-mentioned package MMIC chip 3 corresponds to the present invention. And the microstrip lines 12 and 13 described above.
Corresponds to the input / output conductor according to the present invention.

【0037】ここで、本発明に係るリード端子の構成と
しては、必ずしも以上に示したものに限られず、種々な
構成が用いられてもよい。例えば、本例では、高周波回
路部品としてパッケージMMICチップを用いた場合を
示したが、本発明に言う高周波回路部品としては、種々
なものが用いられてもよく、例えばMMICチップ(M
MICベアチップ)やHMICチップ等が用いられても
よい。また、本発明に言う基板や本発明に言う金属アー
ス板としても種々なものが用いられてもよく、また、導
体同士を接続する仕方としても種々な仕方が用いられて
もよい。
Here, the configuration of the lead terminal according to the present invention is not necessarily limited to the configuration described above, and various configurations may be used. For example, in this example, a case where a packaged MMIC chip is used as the high-frequency circuit component has been described. However, various types of high-frequency circuit components according to the present invention may be used.
(MIC bare chip), an HMIC chip, or the like may be used. In addition, various types may be used as the substrate according to the present invention and the metal ground plate according to the present invention, and various methods may be used to connect the conductors.

【0038】また、本発明に言うグラウンドリード端子
や本発明に言う貫通孔としては、種々な形状のものが用
いられてもよい。なお、本例では、好ましい態様とし
て、グラウンドリード端子の下面(金属アース板に接続
される方の面)を平らな形状として、グラウンドリード
端子と金属アース板との接続を容易にした。また、本発
明に言う入出力リード端子の形状や配置の仕方として
は、種々なものが用いられてもよい。
The ground lead terminal according to the present invention and the through hole according to the present invention may have various shapes. In the present embodiment, as a preferred embodiment, the lower surface of the ground lead terminal (the surface connected to the metal ground plate) is made flat to facilitate the connection between the ground lead terminal and the metal ground plate. In addition, various shapes and arrangements of the input / output lead terminals according to the present invention may be used.

【0039】また、本例では、本発明に言うグラウンド
リード端子や本発明に言う入出力リード端子を高周波回
路部品に設けた場合を示したが、例えばグラウンドリー
ド端子の一部或いは全部を金属アース板側に設けること
もでき、また、例えば入出力リード端子の一部或いは全
部を基板側に設けることもできる。一例として、金属ア
ース板にグラウンドリード端子の一部或いは全部を設け
る場合には、例えば当該金属アース板をエッチング処理
することにより当該金属アース板上に突起した金属部分
を形成することができる。
In this embodiment, the case where the ground lead terminal according to the present invention and the input / output lead terminal according to the present invention are provided on the high-frequency circuit component is shown. It can be provided on the board side, and for example, a part or all of the input / output lead terminals can be provided on the board side. As an example, when part or all of the ground lead terminals are provided on the metal ground plate, for example, the metal ground plate can be etched to form a protruding metal portion on the metal ground plate.

【0040】また、本例では、説明を簡易にするため
に、上記図1等を用いて1つの高周波回路部品を実装し
た場合の例を示したが、例えば複数の高周波回路部品を
実装する場合においても、本例で示したようなリード端
子の構造を用いることにより、本例と同様な効果を得る
ことができる。
Further, in this example, for the sake of simplicity, an example in which one high-frequency circuit component is mounted has been described with reference to FIG. 1 and the like. Also in this case, by using the structure of the lead terminal as shown in this example, the same effect as in this example can be obtained.

【0041】[0041]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るリー
ド端子によると、裏面に金属アース板を備えた基板上に
設けられる高周波回路部品のリード端子を、基板に設け
られた貫通孔に挿入されて高周波回路部品と金属アース
板とを接続する当該貫通孔の面内に収まる形状を有した
グラウンドリード端子と、当該グラウンドリード端子の
両側に配置されてそれぞれ高周波回路部品と基板に設け
られた入出力用の導体とを接続する入出力リード端子と
から構成したため、例えばマイクロ波帯やミリ波帯のよ
うな超高周波帯においても、高周波回路部品の高周波接
地を確実に行うことができるとともに、高周波回路部品
の発振等の不安定状態を回避することができ、これによ
り、良好な高周波特性を得ることができる。
As described above, according to the lead terminal according to the present invention, the lead terminal of the high-frequency circuit component provided on the substrate provided with the metal ground plate on the back surface is inserted into the through hole provided on the substrate. A ground lead terminal having a shape that fits within the plane of the through hole that connects the high-frequency circuit component and the metal ground plate, and is disposed on both sides of the ground lead terminal and provided on the high-frequency circuit component and the substrate, respectively. Since the input / output conductor and the input / output lead terminal for connecting the input / output conductor are used, for example, even in a super high frequency band such as a microwave band or a millimeter wave band, the high frequency circuit components can be reliably grounded at a high frequency, An unstable state such as oscillation of the high-frequency circuit component can be avoided, and thereby good high-frequency characteristics can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例に係るパッケージMMICチ
ップを実装したユニットの分解斜視図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view of a unit mounting a package MMIC chip according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例に係るパッケージMMICチ
ップを実装したユニットの断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a unit mounted with a package MMIC chip according to one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例に係るパッケージMMICチ
ップの底面図である。
FIG. 3 is a bottom view of the package MMIC chip according to one embodiment of the present invention.

【図4】周波数に対する帰還量を本発明の一実施例と従
来例とで比較する図である。
FIG. 4 is a diagram comparing the feedback amount with respect to frequency between the embodiment of the present invention and the conventional example.

【図5】高周波集積回路ユニットの一例を示す図であ
る。
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a high-frequency integrated circuit unit.

【図6】従来例に係るパッケージMMICチップを実装
したユニットの斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view of a unit on which a packaged MMIC chip according to a conventional example is mounted.

【図7】従来例に係るパッケージMMICチップを実装
したユニットの断面図である。
FIG. 7 is a sectional view of a unit on which a packaged MMIC chip according to a conventional example is mounted.

【図8】従来例に係る周波数に対する帰還量の一例を示
す図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a feedback amount with respect to a frequency according to a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・セラミック基板、 2・・コバール板、3・・パ
ッケージMMICチップ、 4・・金属筐体、 5a〜
5c・・ネジ、11・・貫通孔、 12、13・・マイ
クロストリップライン、14a〜14d・・ネジ貫通
孔、 15a〜15d・・ネジタップ、21・・グラウ
ンドリード端子、 22、23・・入出力リード端子、
1. Ceramic substrate, 2. Kovar plate, 3. Package MMIC chip, 4. Metal housing, 5a ~
5c screw, 11 through hole, 12, 13 microstrip line, 14a to 14d screw through hole, 15a to 15d screw tap, 21 ground lead terminal, 22, 23 input / output Lead terminal,

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 裏面に金属アース板を備えた基板上に設
けられる高周波回路部品のリード端子において、 基板に設けられた貫通孔に挿入されて高周波回路部品と
金属アース板とを接続する当該貫通孔の面内に収まる形
状を有したグラウンドリード端子と、 当該グラウンドリード端子の両側に配置されてそれぞれ
高周波回路部品と基板に設けられた入出力用の導体とを
接続する入出力リード端子とから構成されたことを特徴
とするリード端子。
1. A lead terminal of a high-frequency circuit component provided on a substrate having a metal ground plate on the back surface, wherein the lead terminal is inserted into a through hole provided in the substrate and connects the high-frequency circuit component and the metal ground plate. A ground lead terminal having a shape that fits in the plane of the hole, and input / output lead terminals arranged on both sides of the ground lead terminal to connect high-frequency circuit components and input / output conductors provided on the substrate, respectively. A lead terminal characterized by being constituted.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8125009B2 (en) 2009-10-06 2012-02-28 Mitsubishi Electric Corporation Mounting circuit substrate

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