JP2001274117A - 半導体ウエハ固定用シート - Google Patents
半導体ウエハ固定用シートInfo
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- JP2001274117A JP2001274117A JP2000086796A JP2000086796A JP2001274117A JP 2001274117 A JP2001274117 A JP 2001274117A JP 2000086796 A JP2000086796 A JP 2000086796A JP 2000086796 A JP2000086796 A JP 2000086796A JP 2001274117 A JP2001274117 A JP 2001274117A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来の半導体ウエハ固定用シートを用いて半導
体ウエハをダイシングする際、切削抵抗によるチップと
ブレードの干渉によってチッピングや、ブレードの目詰
まりによって発生するダイシング速度制限という問題が
あった。 【解決手段】シート状の基材と、該基材上に積層された
粘着剤層を有する半導体ウエハ固定用シートにおいて、
粘着剤層の厚みを３〜７μｍにし、該粘着剤層の弾性率
を５．０×１０4〜５．０×１０6ｄｙｎ／ｃｍ2（測定
温度２３℃、周波数１Ｈｚ）としたことを特徴とする。
体ウエハをダイシングする際、切削抵抗によるチップと
ブレードの干渉によってチッピングや、ブレードの目詰
まりによって発生するダイシング速度制限という問題が
あった。 【解決手段】シート状の基材と、該基材上に積層された
粘着剤層を有する半導体ウエハ固定用シートにおいて、
粘着剤層の厚みを３〜７μｍにし、該粘着剤層の弾性率
を５．０×１０4〜５．０×１０6ｄｙｎ／ｃｍ2（測定
温度２３℃、周波数１Ｈｚ）としたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ固定用
シートに係り、特に発明の構成を最小限に抑えつつ半導
体ウエハをダイシングした際のチッピング（半導体ウエ
ハのチップに欠けを生じさせること）を防止でき、歩留
の向上、ダイシング速度向上を可能にした半導体ウエハ
固定用シートに関する。
シートに係り、特に発明の構成を最小限に抑えつつ半導
体ウエハをダイシングした際のチッピング（半導体ウエ
ハのチップに欠けを生じさせること）を防止でき、歩留
の向上、ダイシング速度向上を可能にした半導体ウエハ
固定用シートに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハは、その背面に半導
体ウエハ固定用シートが粘着されてからチップ状に切断
（ダイシング）される。
体ウエハ固定用シートが粘着されてからチップ状に切断
（ダイシング）される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このダイシングには、
切削抵抗によるチップとブレードの干渉によってチッピ
ング（チップの一部が欠けてしまう現象）や、ブレード
の目詰まりによって発生するダイシング速度制限（低速
であれば目詰まりが生じないため、ダイシング速度が上
がらない）という問題があった。
切削抵抗によるチップとブレードの干渉によってチッピ
ング（チップの一部が欠けてしまう現象）や、ブレード
の目詰まりによって発生するダイシング速度制限（低速
であれば目詰まりが生じないため、ダイシング速度が上
がらない）という問題があった。
【０００４】本出願人は、チッピングを防止する半導体
ウエハ固定用シートとして、基材と粘着剤層の間にチッ
ピング防止層を積層し、チッピング防止効果を持たせた
手段を開示している（特願平１１−８８５１３号）。
ウエハ固定用シートとして、基材と粘着剤層の間にチッ
ピング防止層を積層し、チッピング防止効果を持たせた
手段を開示している（特願平１１−８８５１３号）。
【０００５】この半導体ウエハ固定用シートは、チッピ
ング防止効果を有する優れた発明である。しかしなが
ら、本発明にあっては、積層数が増えるため、製品の構
成数及び製造工程が増えるという新たな課題が生じてし
まっていた。また、粘着剤層に新たな構成を付加してい
ないため、ダイシング速度が上がらないという課題を解
決できないままであった。
ング防止効果を有する優れた発明である。しかしなが
ら、本発明にあっては、積層数が増えるため、製品の構
成数及び製造工程が増えるという新たな課題が生じてし
まっていた。また、粘着剤層に新たな構成を付加してい
ないため、ダイシング速度が上がらないという課題を解
決できないままであった。
【０００６】したがって、本発明の目的は、発明の構成
を最小限に抑えつつ半導体ウエハダイシング時にチッピ
ングが生じない一方、ダイシング速度を向上させた半導
体ウエハ固定用シートを提供することにある。
を最小限に抑えつつ半導体ウエハダイシング時にチッピ
ングが生じない一方、ダイシング速度を向上させた半導
体ウエハ固定用シートを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記に鑑み
鋭意検討を行った結果、シート状の基材と、該基材上に
積層された粘着剤層を有する半導体ウエハ固定用シート
において、粘着剤層の厚みを３〜７μｍにし、該粘着剤
層の弾性率を５．０×１０4〜５．０×１０6ｄｙｎ／ｃ
ｍ2（測定温度２３℃、周波数１Ｈｚ）にしたことによ
って、上記課題を解決できることを見出だし、本発明を
完成した。
鋭意検討を行った結果、シート状の基材と、該基材上に
積層された粘着剤層を有する半導体ウエハ固定用シート
において、粘着剤層の厚みを３〜７μｍにし、該粘着剤
層の弾性率を５．０×１０4〜５．０×１０6ｄｙｎ／ｃ
ｍ2（測定温度２３℃、周波数１Ｈｚ）にしたことによ
って、上記課題を解決できることを見出だし、本発明を
完成した。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明にあっては、粘着剤層の厚
みと粘着剤層の弾性率を限定することにより、ダイシン
グ時の切削抵抗を抑制しチップとブレードの干渉を抑え
て上記チッピングを防止しする一方、ブレードの目詰ま
りを抑制してダイシング速度の向上を図るものである。
みと粘着剤層の弾性率を限定することにより、ダイシン
グ時の切削抵抗を抑制しチップとブレードの干渉を抑え
て上記チッピングを防止しする一方、ブレードの目詰ま
りを抑制してダイシング速度の向上を図るものである。
【０００９】本発明にかかる半導体ウエハ固定用シート
の粘着剤層として、厚みを３〜７μｍにしたのは、あま
りに薄いとダイシング時にチップを保持するのに十分な
粘着力が得られずチップ飛びが発生し、あまりに厚いと
チッピング防止効果が出ないためである。該粘着剤層の
弾性率を５．０×１０4〜５．０×１０6ｄｙｎ／ｃｍ 2
（測定温度２３℃、周波数１Ｈｚ）としたのは、あまり
に低いと裏面チッピング、すなわち粘着剤貼り付け側の
チップ面の欠けが生じ、あまりに高いとチップの粘着力
が低くなり十分なチップ保持性が得られずダイシング時
にチップ飛びを引き起こすためである。
の粘着剤層として、厚みを３〜７μｍにしたのは、あま
りに薄いとダイシング時にチップを保持するのに十分な
粘着力が得られずチップ飛びが発生し、あまりに厚いと
チッピング防止効果が出ないためである。該粘着剤層の
弾性率を５．０×１０4〜５．０×１０6ｄｙｎ／ｃｍ 2
（測定温度２３℃、周波数１Ｈｚ）としたのは、あまり
に低いと裏面チッピング、すなわち粘着剤貼り付け側の
チップ面の欠けが生じ、あまりに高いとチップの粘着力
が低くなり十分なチップ保持性が得られずダイシング時
にチップ飛びを引き起こすためである。
【００１０】上記粘着剤層の素材としては、アクリル系
ポリマ、エラストマ等の従来公知の一般型粘着剤を使用
できる。また、該粘着剤層に紫外線硬化作用を発揮させ
る場合には、該粘着剤層に、紫外線硬化性化合物や上記
紫外線硬化開始剤を添加することができる。
ポリマ、エラストマ等の従来公知の一般型粘着剤を使用
できる。また、該粘着剤層に紫外線硬化作用を発揮させ
る場合には、該粘着剤層に、紫外線硬化性化合物や上記
紫外線硬化開始剤を添加することができる。
【００１１】該紫外線硬化性化合物としては、具体的に
は２個以上の官能基を有する官能性の紫外線硬化物がよ
く、例えばアクリレート系化合物、ウレタンアクリレー
ト、ウレタンアクリレート系オリゴマ及び／又はモノ
マ、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート
等の単体又は混合系がある。
は２個以上の官能基を有する官能性の紫外線硬化物がよ
く、例えばアクリレート系化合物、ウレタンアクリレー
ト、ウレタンアクリレート系オリゴマ及び／又はモノ
マ、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート
等の単体又は混合系がある。
【００１２】前記アクリレート系化合物としては、例え
ばトリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメ
チロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリト
ールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラア
クリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペ
ンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアク
リレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリ
レート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポ
リエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステル
アクリレート等がある。
ばトリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメ
チロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリト
ールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラア
クリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペ
ンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアク
リレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリ
レート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポ
リエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステル
アクリレート等がある。
【００１３】前記ウレタンアクリレートとしては、例え
ばポリエステルウレタンアクリレート、ポリエーテルウ
レタンアクリレート、４官能ウレタンアクリレート、６
官能ウレタンアクリレート等がある。
ばポリエステルウレタンアクリレート、ポリエーテルウ
レタンアクリレート、４官能ウレタンアクリレート、６
官能ウレタンアクリレート等がある。
【００１４】該ウレタンアクリレート系オリゴマは、炭
素−炭素二重結合を少なくとも二個以上有する紫外線硬
化性化合物であり、例えば、ポリエステル型又はポリエ
ーテル型等のポリオール化合物と、多価イソシアネート
化合物、例えば（２，４−トリレンジイソシアナート、
２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレ
ンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナ
ート、ジフエニルメタン４，４−ジイソシアナート等）
を反応させて得られる端末イソシアナートウレタンプレ
ポリマにヒドロキシル基を有するアクリレートあるいは
メタクリレート（例えば２−ヒドロキシエチルアクリレ
ート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒド
ロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピル
メタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレー
ト、ポリエチレングリコールメタクリレート等）を反応
させて得られるものがある。
素−炭素二重結合を少なくとも二個以上有する紫外線硬
化性化合物であり、例えば、ポリエステル型又はポリエ
ーテル型等のポリオール化合物と、多価イソシアネート
化合物、例えば（２，４−トリレンジイソシアナート、
２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレ
ンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナ
ート、ジフエニルメタン４，４−ジイソシアナート等）
を反応させて得られる端末イソシアナートウレタンプレ
ポリマにヒドロキシル基を有するアクリレートあるいは
メタクリレート（例えば２−ヒドロキシエチルアクリレ
ート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒド
ロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピル
メタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレー
ト、ポリエチレングリコールメタクリレート等）を反応
させて得られるものがある。
【００１５】上記エポキシアクリレートとしては、エポ
キシ基とアクリル酸又はメタクリル酸との反応によって
合成されるものであり、ビスフエノールＡ型、ビスフエ
ノールＳ型、ビスフエノールＦ型、エポキシ油化型、フ
エノールノボラツク型、脂環型等がある。
キシ基とアクリル酸又はメタクリル酸との反応によって
合成されるものであり、ビスフエノールＡ型、ビスフエ
ノールＳ型、ビスフエノールＦ型、エポキシ油化型、フ
エノールノボラツク型、脂環型等がある。
【００１６】上記ポリエステルアクリレートは、ジオー
ル、ポリオールと２塩基酸より合成したポリエステル骨
格に残ったＯＨ基に、アクリル酸を縮合してアクリレー
トにしたものであり、例えば無水フタル酸／プロピレン
オキサイドジオール／アクリル酸、アジピン酸／１，６
−ヘキサンジオール／アクリル酸、トリメリツト酸／ジ
エチレングリコール／アクリル酸等がある。
ル、ポリオールと２塩基酸より合成したポリエステル骨
格に残ったＯＨ基に、アクリル酸を縮合してアクリレー
トにしたものであり、例えば無水フタル酸／プロピレン
オキサイドジオール／アクリル酸、アジピン酸／１，６
−ヘキサンジオール／アクリル酸、トリメリツト酸／ジ
エチレングリコール／アクリル酸等がある。
【００１７】本発明における上記紫外線硬化開始剤は、
ダイシングされたチップをピックアップする前に粘着剤
層全体の凝集力を高めてその粘着力を下げるために用い
られるものであり、この配合比はあまりに少ないと硬化
が遅く作業性に劣り、あまりに多いと未反応の開始剤が
残り汚染が生じてしまうため、好ましくは０．１〜１０
重量部、さらに好ましくは１〜５重量部がよい。
ダイシングされたチップをピックアップする前に粘着剤
層全体の凝集力を高めてその粘着力を下げるために用い
られるものであり、この配合比はあまりに少ないと硬化
が遅く作業性に劣り、あまりに多いと未反応の開始剤が
残り汚染が生じてしまうため、好ましくは０．１〜１０
重量部、さらに好ましくは１〜５重量部がよい。
【００１８】上記紫外線硬化開始剤としては、具体的に
は、クロロアセトフエノン、ジエトキシアセトフエノ
ン、ヒドロキシアセトフエノン、１−ヒドロキシシクロ
ヘキシルフエニルケトン、α−アミノアセトフエノン、
２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フエニル）−２
−モルホリノープロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−
２−メチル−１−フエニルプロパン−１−オン、１−
（４−イソプロピルフエニル）−２−ヒドロキシ−２−
メチルプロパン−１−オン、１−（４−ドデシルフエニ
ル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オ
ン、混合光開始剤、４−（２−ヒドロキシエトキシ）−
フエニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、ア
リルケトン含有光開始剤、ベンゾイン、ベンゾインメチ
ルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイ
ソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、
ベンゾインエーテル、ベンジルジメチルケタール、ベン
ゾフエノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸
メチル、４−フエニルベンゾフエノン、ヒドロキシベン
ゾフエノン、アクリル化ベンゾフエノン、４−ベンゾイ
ル−４’−メチルジフエニルサルフアイド、３，３’−
ジメチル−４−メトキシベンゾフエノン、メチル−Ｏ−
ベンゾイルベンゾエート、チオキサンソン、２−クロル
チオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−
ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソ
ン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチ
ルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサン
ソン、α−アシルオキシムエステル、α−アシロキシム
エステル、アシルホスフインオキサイド、メチルフエニ
ルグリオキシレート、グリオキシエステル、３−ケトク
マリン、２−エチルアンスラキノン、カンフアーキノ
ン、ベンジル、９，１０−フエナンスレンキノン、アン
スラキノン、ジベンゾスベロン、４’，４’’−ジエチ
ルイソフタロフエノン、ミヒラーケトン、環状光開始
剤、テトラメチルチウラムモノサルフアイド、３，
３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボ
ニル）ベンゾフエノン等がある。上記クロロアセトフエ
ノンとしては、４−フエノキシジクロロアセトフエノ
ン、４−ｔ−ブチル−ジクロロアセトフエノン、４−ｔ
−ブチル−トリクロロアセトフエノン等がある。
は、クロロアセトフエノン、ジエトキシアセトフエノ
ン、ヒドロキシアセトフエノン、１−ヒドロキシシクロ
ヘキシルフエニルケトン、α−アミノアセトフエノン、
２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フエニル）−２
−モルホリノープロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−
２−メチル−１−フエニルプロパン−１−オン、１−
（４−イソプロピルフエニル）−２−ヒドロキシ−２−
メチルプロパン−１−オン、１−（４−ドデシルフエニ
ル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オ
ン、混合光開始剤、４−（２−ヒドロキシエトキシ）−
フエニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、ア
リルケトン含有光開始剤、ベンゾイン、ベンゾインメチ
ルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイ
ソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、
ベンゾインエーテル、ベンジルジメチルケタール、ベン
ゾフエノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸
メチル、４−フエニルベンゾフエノン、ヒドロキシベン
ゾフエノン、アクリル化ベンゾフエノン、４−ベンゾイ
ル−４’−メチルジフエニルサルフアイド、３，３’−
ジメチル−４−メトキシベンゾフエノン、メチル−Ｏ−
ベンゾイルベンゾエート、チオキサンソン、２−クロル
チオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−
ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソ
ン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチ
ルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサン
ソン、α−アシルオキシムエステル、α−アシロキシム
エステル、アシルホスフインオキサイド、メチルフエニ
ルグリオキシレート、グリオキシエステル、３−ケトク
マリン、２−エチルアンスラキノン、カンフアーキノ
ン、ベンジル、９，１０−フエナンスレンキノン、アン
スラキノン、ジベンゾスベロン、４’，４’’−ジエチ
ルイソフタロフエノン、ミヒラーケトン、環状光開始
剤、テトラメチルチウラムモノサルフアイド、３，
３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボ
ニル）ベンゾフエノン等がある。上記クロロアセトフエ
ノンとしては、４−フエノキシジクロロアセトフエノ
ン、４−ｔ−ブチル−ジクロロアセトフエノン、４−ｔ
−ブチル−トリクロロアセトフエノン等がある。
【００１９】また、本発明にかかる粘着剤層にあって
は、該紫外線硬化開始剤に対して必要に応じて光開始助
剤を配合しても良い。該光開始助剤は、それ自体は紫外
線照射によって活性化はしないが、紫外線硬化開始剤と
併用することにより紫外線硬化開始剤単独使用より開始
反応が促進され、硬化反応を効率的にするものである。
は、該紫外線硬化開始剤に対して必要に応じて光開始助
剤を配合しても良い。該光開始助剤は、それ自体は紫外
線照射によって活性化はしないが、紫外線硬化開始剤と
併用することにより紫外線硬化開始剤単独使用より開始
反応が促進され、硬化反応を効率的にするものである。
【００２０】該光開始助剤としては、主として脂肪族、
芳香族アミンがあり、具体的にはトリエタノールアミ
ン、メチルジエタノールアミン、トリイソプロパノール
アミン、ｎ−ブチルアミン、Ｎ−メチルジエタノールア
ミン、ジエチルアミノエチルメタクリレート、ミヒラー
ケトン、４，４’−ジエチルアミノフエノン、４，４’
−ジエチルアミノベンゾフエノン、２−ジメチルアミノ
安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、
４−ジメチルアミノ安息香酸（ｎブトキシ）エチル、４
−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、４−ジメチルア
ミノ安息香酸２−エチルヒキシル、重合性３級アミン、
トリエチルアミン、テトラエチルペンタアミン、ジメチ
ルアミノエーテル等がある。
芳香族アミンがあり、具体的にはトリエタノールアミ
ン、メチルジエタノールアミン、トリイソプロパノール
アミン、ｎ−ブチルアミン、Ｎ−メチルジエタノールア
ミン、ジエチルアミノエチルメタクリレート、ミヒラー
ケトン、４，４’−ジエチルアミノフエノン、４，４’
−ジエチルアミノベンゾフエノン、２−ジメチルアミノ
安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、
４−ジメチルアミノ安息香酸（ｎブトキシ）エチル、４
−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、４−ジメチルア
ミノ安息香酸２−エチルヒキシル、重合性３級アミン、
トリエチルアミン、テトラエチルペンタアミン、ジメチ
ルアミノエーテル等がある。
【００２１】紫外線硬化を開始するためには、紫外線照
射が必要になる。この紫外線照射量は、紫外線硬化開始
剤や紫外線硬化性化合物の種類によって異なるが、例え
ば２０〜５００Ｊ／ｃｍ2（３６５ｎｍ）の範囲が好ま
しく、さらに好ましくは５０〜１５０Ｊ／ｃｍ2（３６
５ｎｍ）の範囲がよい。これはあまりに少ないと紫外線
照射による凝集力向上が図れず、粘着力が低下しないた
め切断されたチップをピックアップする際にピックアッ
プ不良を発生させることとなり、あまりに多いと紫外線
照射ラインの速度が遅くなり生産性が悪くなるためであ
る。
射が必要になる。この紫外線照射量は、紫外線硬化開始
剤や紫外線硬化性化合物の種類によって異なるが、例え
ば２０〜５００Ｊ／ｃｍ2（３６５ｎｍ）の範囲が好ま
しく、さらに好ましくは５０〜１５０Ｊ／ｃｍ2（３６
５ｎｍ）の範囲がよい。これはあまりに少ないと紫外線
照射による凝集力向上が図れず、粘着力が低下しないた
め切断されたチップをピックアップする際にピックアッ
プ不良を発生させることとなり、あまりに多いと紫外線
照射ラインの速度が遅くなり生産性が悪くなるためであ
る。
【００２２】本発明で採用されるシート状の基材は、半
導体固定用シートの基材として使用される従来公知の合
成樹脂を採用でき、上記粘着剤層に紫外線硬化組成物等
を配合する場合には基材側からの紫外線を粘着剤層にま
で届かせる必要があるため紫外線透過性のシートである
必要がある。具体的には、ポリ塩化ビニル、ポリブテ
ン、ポリブタジエン、ポリウレタン、エチレン−酢酸ビ
ニルコポリマ、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチ
レン、ポリプロピレン等の単独層、複合層又は複数層を
採用できる。なお、該基材の厚みは１０〜５００μｍの
範囲内から選択される。
導体固定用シートの基材として使用される従来公知の合
成樹脂を採用でき、上記粘着剤層に紫外線硬化組成物等
を配合する場合には基材側からの紫外線を粘着剤層にま
で届かせる必要があるため紫外線透過性のシートである
必要がある。具体的には、ポリ塩化ビニル、ポリブテ
ン、ポリブタジエン、ポリウレタン、エチレン−酢酸ビ
ニルコポリマ、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチ
レン、ポリプロピレン等の単独層、複合層又は複数層を
採用できる。なお、該基材の厚みは１０〜５００μｍの
範囲内から選択される。
【００２３】本発明にかかる半導体ウエハ固定用シート
は、必要に応じて粘着剤上にポリエチレンラミネート
紙、剥離処理プラスチツクフイルム等の剥離紙又は剥離
シートを密着させて保存される。
は、必要に応じて粘着剤上にポリエチレンラミネート
紙、剥離処理プラスチツクフイルム等の剥離紙又は剥離
シートを密着させて保存される。
【００２４】本発明にあっては、シート状の基材と、該
基材上に積層された粘着剤層を有する半導体ウエハ固定
用シートにおいて、粘着剤層の厚みを３〜７μｍにし、
該粘着剤層の弾性率を５．０×１０4〜５．０×１０6ｄ
ｙｎ／ｃｍ2（測定温度２３℃、周波数１Ｈｚ）とした
ことを特徴とし、これにより細かいチッピングが生じ
ず、ダイシング速度向上を可能にし、さらに発明の構成
を最小限に抑えた。
基材上に積層された粘着剤層を有する半導体ウエハ固定
用シートにおいて、粘着剤層の厚みを３〜７μｍにし、
該粘着剤層の弾性率を５．０×１０4〜５．０×１０6ｄ
ｙｎ／ｃｍ2（測定温度２３℃、周波数１Ｈｚ）とした
ことを特徴とし、これにより細かいチッピングが生じ
ず、ダイシング速度向上を可能にし、さらに発明の構成
を最小限に抑えた。
【００２５】
【実施例】本発明にかかる半導体ウエハ固定用シートの
各実施例を比較例と比較しつつ、表１を用いて詳細に説
明する。
各実施例を比較例と比較しつつ、表１を用いて詳細に説
明する。
【００２６】実施例１にかかる半導体ウエハ固定用シー
トは、厚さ１００μｍのポリプロピレンでできたシート
状基材と、該基材上に積層された厚さ５μｍ、弾性率９
×１０5ｄｙｎ／ｃｍ2の粘着剤層としてのアクリル系粘
着剤を備えたものである。
トは、厚さ１００μｍのポリプロピレンでできたシート
状基材と、該基材上に積層された厚さ５μｍ、弾性率９
×１０5ｄｙｎ／ｃｍ2の粘着剤層としてのアクリル系粘
着剤を備えたものである。
【００２７】
【表１】
【００２８】表１における「弾性率」は、測定温度２３
℃、周波数１Ｈｚの条件下で測定器ＲＤＡ−ＩＩ（レオ
メトリック社）で測定したものであり、「チップ飛び」
はダイシング時にチップ飛びが一つも無いものを○、チ
ップ飛びが一つでも発生したものを×とした。「チッピ
ング」は半導体固定用シート上に厚さ４００μｍのシリ
コンウエハを貼り付けてから２０分後に３．８ｍｍ×
７．０ｍｍ角チップへフルカツトしたチップを２００倍
の顕微鏡で見て任意に抽出したサンプル３０個全てに１
５μｍ以上の大きさの欠けが１個もなかった場合を○、
そうでない場合を×とした。
℃、周波数１Ｈｚの条件下で測定器ＲＤＡ−ＩＩ（レオ
メトリック社）で測定したものであり、「チップ飛び」
はダイシング時にチップ飛びが一つも無いものを○、チ
ップ飛びが一つでも発生したものを×とした。「チッピ
ング」は半導体固定用シート上に厚さ４００μｍのシリ
コンウエハを貼り付けてから２０分後に３．８ｍｍ×
７．０ｍｍ角チップへフルカツトしたチップを２００倍
の顕微鏡で見て任意に抽出したサンプル３０個全てに１
５μｍ以上の大きさの欠けが１個もなかった場合を○、
そうでない場合を×とした。
【００２９】実施例１にあっては、チッピング飛び及び
チッピングの両方において良好であった。
チッピングの両方において良好であった。
【００３０】実施例２は、実施例１の粘着剤層をベース
ポリマとしてのポリアクリル１００重量部の他、紫外線
硬化性化合物としての６官能性ウレタンアクリレートオ
リゴマ１００重量部と、紫外線硬化開始剤としてのベン
ゾインイソプロピルエーテル８重量部を配合し、さらに
基材を紫外線透過型にしたものである。
ポリマとしてのポリアクリル１００重量部の他、紫外線
硬化性化合物としての６官能性ウレタンアクリレートオ
リゴマ１００重量部と、紫外線硬化開始剤としてのベン
ゾインイソプロピルエーテル８重量部を配合し、さらに
基材を紫外線透過型にしたものである。
【００３１】表１における各比較例は、実施例２をベー
スに表１に示した粘着剤厚と弾性率を変化させたもので
ある。
スに表１に示した粘着剤厚と弾性率を変化させたもので
ある。
【００３２】弾性率が高かった比較例１では粘着剤層が
硬くなりすぎチップ飛びに問題があり、弾性率が低かっ
た比較例２では軟らかすぎるためチッピングに問題があ
った。粘着剤層の厚みが厚かった比較例３ではチップの
振動が抑制しきれずチッピングに問題があり、同厚みが
薄かった比較例４ではチップの保持に十分な粘着力が得
られずチップ飛びに問題があった。また、粘着剤層の厚
みが厚く且つ弾性率が高い比較例５ではチッピングに問
題があった。
硬くなりすぎチップ飛びに問題があり、弾性率が低かっ
た比較例２では軟らかすぎるためチッピングに問題があ
った。粘着剤層の厚みが厚かった比較例３ではチップの
振動が抑制しきれずチッピングに問題があり、同厚みが
薄かった比較例４ではチップの保持に十分な粘着力が得
られずチップ飛びに問題があった。また、粘着剤層の厚
みが厚く且つ弾性率が高い比較例５ではチッピングに問
題があった。
【００３３】また、実施例１にあっては、比較例１〜５
で行ったダイシング速度を１６０％に高速化しても、チ
ップ飛び及びチッピングが生じなかった。
で行ったダイシング速度を１６０％に高速化しても、チ
ップ飛び及びチッピングが生じなかった。
【００３４】
【発明の効果】本発明にかかる半導体ウエハ固定用シー
トは、シート状の基材と、該基材上に積層された粘着剤
層を有する半導体ウエハ固定用シートにおいて、粘着剤
層の厚みを３〜７μｍにし、該粘着剤層の弾性率を５．
０×１０4〜５．０×１０6ｄｙｎ／ｃｍ2（測定温度２
３℃、周波数１Ｈｚ）としたことを特徴とし、これによ
り発明の構成を最小限に抑えつつダイシング時の切削抵
抗を抑制しチップとブレードの干渉を抑えているのでチ
ッピングを防止でき、さらに、ブレードの目詰まりを抑
制しているのでダイシング速度の向上が図れた。
トは、シート状の基材と、該基材上に積層された粘着剤
層を有する半導体ウエハ固定用シートにおいて、粘着剤
層の厚みを３〜７μｍにし、該粘着剤層の弾性率を５．
０×１０4〜５．０×１０6ｄｙｎ／ｃｍ2（測定温度２
３℃、周波数１Ｈｚ）としたことを特徴とし、これによ
り発明の構成を最小限に抑えつつダイシング時の切削抵
抗を抑制しチップとブレードの干渉を抑えているのでチ
ッピングを防止でき、さらに、ブレードの目詰まりを抑
制しているのでダイシング速度の向上が図れた。
フロントページの続き (72)発明者 高津 知道 神奈川県鎌倉市台２丁目13番１号 東洋化 学株式会社内 Ｆターム(参考） 4J004 AA10 AB01 CA04 CA05 CA06 CC02 DB02 EA01 FA08
Claims (2)
- 【請求項１】 シート状の基材と、該基材上に積層され
た粘着剤層を有する半導体ウエハ固定用シートにおい
て、粘着剤層の厚みを３〜７μｍにし、該粘着剤層の弾
性率を５．０×１０4〜５．０×１０6ｄｙｎ／ｃｍ
2（測定温度２３℃、周波数１Ｈｚ）としたことを特徴
とする半導体ウエハ固定用シート。 - 【請求項２】 上記基材が紫外線透過性シートであり、
上記粘着剤層には紫外線硬化化合物及び紫外線硬化開始
剤が含有されていることを特徴とする請求項１記載の半
導体ウエハ固定用シート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000086796A JP2001274117A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 半導体ウエハ固定用シート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000086796A JP2001274117A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 半導体ウエハ固定用シート |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007329459A Division JP2008098669A (ja) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | 半導体ウエハ・ダイシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001274117A true JP2001274117A (ja) | 2001-10-05 |
Family
ID=18602907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000086796A Pending JP2001274117A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 半導体ウエハ固定用シート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001274117A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7041190B2 (en) | 2002-06-10 | 2006-05-09 | Nitto Denko Corporation | Adhesive sheet for dicing glass substrate and method of dicing glass substrate |
-
2000
- 2000-03-27 JP JP2000086796A patent/JP2001274117A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7041190B2 (en) | 2002-06-10 | 2006-05-09 | Nitto Denko Corporation | Adhesive sheet for dicing glass substrate and method of dicing glass substrate |
| KR101261045B1 (ko) | 2002-06-10 | 2013-05-03 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 유리 기판 다이싱용 점착 시이트 및 유리 기판 다이싱 방법 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070424 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070620 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071030 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071221 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080104 |
|
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