JP2001272566A - Method for manufacturing photonic crystal - Google Patents

Method for manufacturing photonic crystal

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JP2001272566A
JP2001272566A JP2000090749A JP2000090749A JP2001272566A JP 2001272566 A JP2001272566 A JP 2001272566A JP 2000090749 A JP2000090749 A JP 2000090749A JP 2000090749 A JP2000090749 A JP 2000090749A JP 2001272566 A JP2001272566 A JP 2001272566A
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JP
Japan
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photonic crystal
hole
medium
different
thickness direction
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JP2000090749A
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Hikari Yokoyama
光 横山
Kenji Kitaoka
賢治 北岡
Miyuki Teramoto
みゆき 寺本
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Minolta Co Ltd
Original Assignee
Minolta Co Ltd
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing photonic crystals which makes it possible easily to obtain the photonic crystals varying in optical characteristics by areas. SOLUTION: A base body 21 is formed by laminating plural media 6 and 7 having different etching characteristics and refractive indices on a substrate 3 and plural hole parts 6a and 6b periodically arrayed on the surface of the base body 21 are formed by etching or anodic oxidation, etc. The diameters of the hole parts 6a and 7a are thereafter enlarged by etching. As a result, the spurious three-dimensional photonic crystals which are periodically arrayed with the media 6 and the media 7 in a thickness direction at a section G-G and are periodically arrayed with the media 6 and air in a thickness direction at a section H-H are obtained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、屈折率の異なる複
数の媒質を周期的に配置したフォトニック結晶の製造方
法に関する。
The present invention relates to a method for manufacturing a photonic crystal in which a plurality of media having different refractive indexes are periodically arranged.

【0002】[0002]

【従来の技術】屈折率の異なる複数の媒質を周期的に配
置したフォトニック結晶は図12に示すような構造にな
っている。フォトニック結晶1は基板3上に屈折率の異
なる媒質2a、2bが周期的に配列されている。媒質2
a、2bから成る光導波層2の屈折率を基板3の屈折率
よりも大きくすることにより、光導波層2は屈折率の小
さい上部の空気層と基板3とに挟まれるため、光導波層
2に入射した光は光導波層2内に閉じこめられて導波す
る。
2. Description of the Related Art A photonic crystal in which a plurality of media having different refractive indexes are periodically arranged has a structure as shown in FIG. In the photonic crystal 1, media 2 a and 2 b having different refractive indexes are periodically arranged on a substrate 3. Medium 2
By making the refractive index of the optical waveguide layer 2 composed of a and 2b larger than the refractive index of the substrate 3, the optical waveguide layer 2 is sandwiched between the upper air layer having a small refractive index and the substrate 3. The light incident on the optical waveguide 2 is confined in the optical waveguide layer 2 and guided.

【0003】フォトニック結晶1は屈折率分散の異方性
が生じるという性質を有している。媒質2a、2bの屈
折率、円柱や角柱等の媒質2a、2bの形状、媒質2
a、2bの大きさ、三角格子や正方格子等の格子種類或
いは配列の周期を適切に選択することにより、所望の波
長や偏光方向の光に対して異なる光学的特性を得ること
ができる。
The photonic crystal 1 has a property that anisotropy of refractive index dispersion occurs. The refractive indices of the media 2a and 2b, the shapes of the media 2a and 2b such as cylinders and prisms, and the media 2
By appropriately selecting the sizes of a and 2b, the type of lattice such as a triangular lattice or a square lattice, or the period of arrangement, different optical characteristics can be obtained for light having a desired wavelength or polarization direction.

【0004】これにより、同図に示すように例えば、同
一方向から入射した波長λ1、λ2の光を異なる方向に
射出することができる。逆に異なる方向から入射した波
長の異なる光を同一方向に射出することもできる。ま
た、特定の波長の光を反射させることも可能である。こ
のような性質を利用することで、光信号の分波器や合波
器、或いはフィルターとして用いることができる。
Thus, as shown in FIG. 1, for example, light having wavelengths λ1 and λ2 incident from the same direction can be emitted in different directions. Conversely, light having different wavelengths incident from different directions can be emitted in the same direction. It is also possible to reflect light of a specific wavelength. By utilizing such a property, it can be used as a splitter, a multiplexer or a filter of an optical signal.

【0005】上記のフォトニック結晶1は図13に示す
製造方法により製造される。まず、図13(a)に示す
ように、レジスト塗布工程において媒質4の表面にレジ
スト11を塗布する。媒質4は、基板3(図12参照)
上に成膜により形成してもよい。次に、図13(b)に
示すようにパターニング工程において、フォトリソグラ
フィー技術によりレジスト11を周期的な形状にパター
ニングする。
The above photonic crystal 1 is manufactured by the manufacturing method shown in FIG. First, as shown in FIG. 13A, a resist 11 is applied to the surface of the medium 4 in a resist application step. The medium 4 is a substrate 3 (see FIG. 12).
It may be formed by film formation thereon. Next, as shown in FIG. 13B, in a patterning step, the resist 11 is patterned into a periodic shape by a photolithography technique.

【0006】次に、図13(c)に示すようにエッチン
グ工程において、RIE(ReactiveIon Etching)等によ
り媒質4をエッチングして孔部4aを形成する。そし
て、図13(d)に示すようにレジスト除去工程におい
てレジスト11を除去する。この時の断面図を図14に
示すと、孔部4aが周期的に配列されている。従って、
図13(a)のレジスト塗布工程〜図13(d)のレジ
スト除去工程は周期的な孔部4aを形成する孔部形成工
程を構成している。そして、媒質4と孔部4a内の空気
とにより屈折率の異なる媒質から成る周期構造を有する
フォトニック結晶が得られる。
Next, as shown in FIG. 13C, in the etching step, the medium 4 is etched by RIE (Reactive Ion Etching) or the like to form a hole 4a. Then, as shown in FIG. 13D, the resist 11 is removed in a resist removing step. FIG. 14 shows a cross-sectional view at this time, where the holes 4a are periodically arranged. Therefore,
The resist coating step of FIG. 13A to the resist removing step of FIG. 13D constitute a hole forming step of forming a periodic hole 4a. Then, a photonic crystal having a periodic structure made of a medium having a different refractive index is obtained by the medium 4 and the air in the hole 4a.

【0007】また、陽極酸化または陽極化成により周期
的に配列される孔部を形成する方法も知られている。図
15は、陽極酸化または陽極化成による孔部形成工程を
示す図である。アルミニウム、チタン等の金属や、シリ
コン、ガリウム砒素、インジウム砒素等の半導体から成
る媒質4は、適当な電解液中に浸積し、陽極に配して電
圧を印加すると酸化または化成する。その結果、同図に
示すように、規則正しく配列される孔部4aを得ること
ができる。
There is also known a method of forming holes arranged periodically by anodizing or anodizing. FIG. 15 is a diagram showing a hole forming step by anodization or anodization. The medium 4 made of a metal such as aluminum or titanium, or a semiconductor such as silicon, gallium arsenide, or indium arsenide is immersed in an appropriate electrolytic solution, and is oxidized or formed when a voltage is applied to the anode. As a result, as shown in the figure, the holes 4a that are regularly arranged can be obtained.

【0008】例えば基板上に形成されるアルミニウム薄
膜或いはアルミニウム基板から成る媒質4をシュウ酸等
の酸性電解液中で陽極酸化すると、直径が数nm〜数1
00nmの細孔からなる孔部4aが数nm〜数100n
mの間隔で三角格子状に規則正しく並んだ多孔質アルミ
ナ層5が形成される。孔部4aは非常に垂直性がよく、
陽極酸化または陽極化成によってアスペクト比の極めて
高い孔部を容易に得ることができる。
For example, when an aluminum thin film formed on a substrate or a medium 4 composed of an aluminum substrate is anodized in an acidic electrolytic solution such as oxalic acid, the diameter of the medium is several nm to several tens.
The pores 4a made of 00 nm pores are several nm to several hundreds n.
Porous alumina layers 5 regularly arranged in a triangular lattice at intervals of m are formed. The hole 4a has a very good verticality,
A hole having an extremely high aspect ratio can be easily obtained by anodizing or anodizing.

【0009】これにより、媒質4と孔部4a内の空気と
により屈折率の異なる媒質から成る周期構造を有するフ
ォトニック結晶が得られる。また、孔部4aの間隔は陽
極酸化の際の印加電圧に略比例するため、印加電圧を制
御することによって孔部4aの間隔を制御し、所望の光
学的特性を得ることができる。
As a result, a photonic crystal having a periodic structure composed of a medium having a different refractive index depending on the medium 4 and the air in the hole 4a is obtained. In addition, since the distance between the holes 4a is substantially proportional to the applied voltage at the time of anodic oxidation, the distance between the holes 4a can be controlled by controlling the applied voltage, and desired optical characteristics can be obtained.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来のフォトニック結晶の製造方法によると、媒質4の
厚み方向において、媒質4及び空気の屈折率、孔部4a
の形状、格子種類及び配列の周期が同じになる。このた
め、例えば、厚み方向にも異なる屈折率の媒質による周
期構造を有するいわゆる三次元フォトニック結晶を得る
には、上記の製造工程により二次元のフォトニック結晶
を作成し、その上に同様の製造工程により屈折率、孔部
の径、孔部の周期等の異なる二次元のフォトニック結晶
を作成する必要がある。
However, according to the above-described conventional method for manufacturing a photonic crystal, in the thickness direction of the medium 4, the refractive index of the medium 4 and the air, the hole 4a,
Have the same shape, lattice type and arrangement period. For this reason, for example, in order to obtain a so-called three-dimensional photonic crystal having a periodic structure with a medium having a different refractive index also in the thickness direction, a two-dimensional photonic crystal is created by the above-described manufacturing process, and a similar It is necessary to create two-dimensional photonic crystals having different refractive indexes, hole diameters, hole periods, etc. depending on the manufacturing process.

【0011】また、三次元フォトニック結晶に限らず、
媒質4の厚み方向に異なる光学的特性を有する二次元フ
ォトニック結晶は、厚み方向の異なる位置に同一方向か
ら入射する入射光を異なる方向に射出する等の作用をさ
せることができる。このようなフォトニック結晶を作成
する場合も三次元フォトニック結晶の場合と同じよう
に、同様の工程を複数回数行う必要がある。
[0011] In addition to the three-dimensional photonic crystal,
The two-dimensional photonic crystal having different optical characteristics in the thickness direction of the medium 4 can cause an action such as emitting incident light entering the different position in the thickness direction from the same direction in different directions. In the case of producing such a photonic crystal, it is necessary to perform the same steps a plurality of times as in the case of the three-dimensional photonic crystal.

【0012】また、陽極酸化または陽極化成によって孔
部4aを形成するフォトニック結晶の製造方法の場合
は、エッチングを用いる場合に比べて、アスペクト比の
高い孔部4aを少ない工程で形成することができる利点
がある。しかし、媒質4の面方向に孔部の径や孔部の周
期を可変することができず光学的特性の異なったフォト
ニック結晶を並設して作成することが困難である。
In the method of manufacturing a photonic crystal in which the holes 4a are formed by anodic oxidation or anodization, the holes 4a having a higher aspect ratio can be formed in fewer steps than in the case of using etching. There are advantages that can be done. However, the diameter of the hole and the period of the hole cannot be varied in the plane direction of the medium 4, and it is difficult to arrange photonic crystals having different optical characteristics side by side.

【0013】従って、厚み方向や面方向に屈折率、孔部
4aの形状、孔部4aの大きさ、格子種類或いは配列の
周期等が異なり、複数の光学的特性を得ることのできる
フォトニック結晶を作成するには、工数が大きくコスト
が高くなる問題があった。
Therefore, the photonic crystal which can obtain a plurality of optical characteristics by changing the refractive index, the shape of the hole 4a, the size of the hole 4a, the kind of lattice or the arrangement period in the thickness direction or the plane direction. However, there is a problem that the number of steps is large and the cost is high.

【0014】本発明は、厚み方向や面方向に光学的特性
の異なるフォトニック結晶を簡単に得ることのできるフ
ォトニック結晶の製造方法を提供することを目的とす
る。
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a photonic crystal that can easily obtain a photonic crystal having different optical characteristics in a thickness direction and a plane direction.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項1に記載された発明は、厚み方向に結晶軸方向
及びエッチング特性の少なくとも一方が異なる物質から
成る基体を形成する第1工程と、前記基体に周期的に配
列した複数の孔部を形成する第2工程と、を備えたこと
を特徴としている。
In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a first step of forming a substrate made of a substance having at least one of a crystal axis direction and an etching characteristic different in a thickness direction. And a second step of forming a plurality of holes periodically arranged in the base.

【0016】この構成によると、例えば異なる結晶軸方
向を有する複数の媒質を基板上に積層して基体が形成さ
れ、基体の表面に陽極酸化、陽極化成、フォトリソグラ
フィ技術によるエッチング加工、電子ビームによるビー
ム加工等の方法で周期的に配列される複数の孔部が形成
される。これにより、孔部は方向が異なって形成され、
断面によって媒質と空気の周期が厚み方向に異なるフォ
トニック結晶が得られる。
According to this structure, for example, a substrate is formed by laminating a plurality of media having different crystal axis directions on the substrate, and the surface of the substrate is subjected to anodization, anodization, etching by photolithography, and electron beam. A plurality of holes arranged periodically are formed by a method such as beam processing. Thereby, the hole is formed in a different direction,
A photonic crystal in which the period of the medium and the air differs in the thickness direction depending on the cross section is obtained.

【0017】また請求項2に記載された発明は、請求項
1に記載されたフォトニック結晶の製造方法において、
第1工程によって厚み方向に屈折率の異なる物質を形成
したことを特徴としている。この構成によると、一の媒
質と孔部内の空気とが面方向に周期的に配列される二次
元フォトニック結晶と、他の媒質と空気とが面方向に周
期的に配列される二次元フォトニック結晶とが厚み方向
に周期的に積層され、複数の光学的特性を有するフォト
ニック結晶が得られる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a photonic crystal according to the first aspect.
It is characterized in that substances having different refractive indexes in the thickness direction are formed by the first step. According to this configuration, a two-dimensional photonic crystal in which one medium and air in the hole are periodically arranged in the plane direction, and a two-dimensional photonic crystal in which the other medium and air are periodically arranged in the plane direction. Nick crystals are periodically laminated in the thickness direction to obtain a photonic crystal having a plurality of optical characteristics.

【0018】また請求項3に記載された発明は、請求項
2に記載されたフォトニック結晶の製造方法において、
該屈折率が厚み方向に徐々に異なるようにしたことを特
徴としている。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a photonic crystal according to the second aspect.
It is characterized in that the refractive index gradually changes in the thickness direction.

【0019】また請求項4に記載された発明は、請求項
1〜請求項3のいずれかに記載されたフォトニック結晶
の製造方法において、第2工程後、前記孔部の断面積を
エッチングにより拡大する第3工程を備えたことを特徴
としている。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a photonic crystal according to any one of the first to third aspects, the cross-sectional area of the hole is etched by etching after the second step. A third step of enlarging is provided.

【0020】この構成によると、例えば、異なるエッチ
ング特性を有する複数の媒質を基板上に積層して基体が
形成され、第2工程において基体の表面に周期的に配列
される複数の孔部が形成される。更に第3工程において
エッチングにより孔部を拡大すると、エッチング速度の
違いによって一の媒質と他の媒質との孔部の径が異なっ
て形成される。
According to this structure, for example, a substrate is formed by laminating a plurality of media having different etching characteristics on the substrate, and a plurality of holes periodically arranged on the surface of the substrate in the second step are formed. Is done. Further, when the hole is enlarged by etching in the third step, the diameter of the hole of one medium differs from that of the other medium due to the difference in etching rate.

【0021】また請求項5に記載された発明は、厚み方
向に物性値の異なる物質から成る基体を形成する第1工
程と、前記基体に電圧を加えて周期的に配列した複数の
孔部を形成する第2工程と、を備え、前記基体の部位に
応じて印加電圧を可変したことを特徴としている。
According to a fifth aspect of the present invention, a first step of forming a base made of a substance having different physical properties in a thickness direction, and a plurality of holes arranged periodically by applying a voltage to the base are provided. And a step of forming, wherein the applied voltage is varied according to the portion of the base.

【0022】この構成によると、例えば、第1工程にお
いて異なる物性値を有する複数の媒質を基板上に積層し
て基体を形成し、第2工程において基体に電圧を印加し
て陽極酸化または陽極化成により孔部が形成される。そ
して、基体の部位に応じて印加電圧を可変することによ
り、孔部の周期が異なって形成される。
According to this structure, for example, in the first step, a plurality of media having different physical properties are laminated on the substrate to form a base, and in the second step, a voltage is applied to the base to perform anodic oxidation or anodization. Thereby, a hole is formed. Then, by varying the applied voltage according to the portion of the base, the period of the hole is formed differently.

【0023】また請求項6に記載された発明は、厚み方
向に物性値の異なる物質から成る基体を形成する第1工
程と、前記基体に外部から磁界を加えて周期的に配列し
た複数の孔部を形成する第2工程と、を備え、前記基体
の厚み方向に対して前記孔部が傾斜するように前記磁界
の方向を可変したことを特徴としている。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a first step of forming a base made of substances having different physical properties in a thickness direction, and a plurality of holes periodically arranged by applying a magnetic field to the base from outside. A second step of forming a portion, wherein the direction of the magnetic field is changed so that the hole is inclined with respect to the thickness direction of the base.

【0024】この構成によると、例えば、第1工程にお
いて異なる物性値を有する複数の媒質を基板上に積層し
て基体を形成し、第2工程において基体に電圧を印加し
て陽極酸化または陽極化成により孔部を形成する。電界
により加速されたイオンは磁界の方向に応じて進行方向
が電界方向に対して傾斜する。これにより、磁界の方向
に応じて傾斜した孔部が形成される。
According to this structure, for example, in the first step, a plurality of media having different physical properties are laminated on the substrate to form a base, and in the second step, a voltage is applied to the base to perform anodic oxidation or anodization. To form a hole. The traveling direction of the ions accelerated by the electric field is inclined with respect to the direction of the electric field according to the direction of the magnetic field. Thereby, a hole inclined according to the direction of the magnetic field is formed.

【0025】また請求項7に記載された発明は、請求項
5または請求項6に記載されたフォトニック結晶の製造
方法において、前記物性値は屈折率、結晶軸方向及びエ
ッチング特性の少なくとも1つであることを特徴として
いる。
According to a seventh aspect of the present invention, in the method for manufacturing a photonic crystal according to the fifth or sixth aspect, the physical property value is at least one of a refractive index, a crystal axis direction, and an etching characteristic. It is characterized by being.

【0026】また請求項8に記載された発明は、請求項
5または請求項6に記載されたフォトニック結晶の製造
方法において、第1工程によって厚み方向に屈折率の異
なる物質を形成したことを特徴としている。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a photonic crystal according to the fifth or sixth aspect, wherein the materials having different refractive indexes in the thickness direction are formed in the first step. Features.

【0027】また請求項9に記載された発明は、請求項
8に記載されたフォトニック結晶の製造方法において、
該屈折率が厚み方向に徐々に異なるようにしたことを特
徴としている。
According to a ninth aspect of the present invention, in a method of manufacturing a photonic crystal according to the eighth aspect,
It is characterized in that the refractive index gradually changes in the thickness direction.

【0028】また請求項10に記載された発明は、面方
向に物性値の異なる物質から成る基体を形成する第1工
程と、前記基体に周期的に配列した複数の孔部を形成す
る第2工程と、を備えたことを特徴としている。
According to a tenth aspect of the present invention, a first step of forming a base made of a material having different physical properties in a plane direction and a second step of forming a plurality of holes periodically arranged in the base are provided. And a process.

【0029】この構成によると、面方向に異なる物性値
を有する複数の媒質を並列に配して基体を形成すること
により、陽極酸化やエッチング加工等によって周期的に
配列される複数の孔部が形成される。これにより一の媒
質と孔部内の空気とが面方向に周期的に配列される二次
元フォトニック結晶と、他の媒質と空気とが面方向に周
期的に配列される二次元フォトニック結晶とが面方向に
並設された複数の光学的特性を有するフォトニック結晶
を得ることができる。
According to this structure, a plurality of media having different physical property values in the plane direction are arranged in parallel to form the base, so that a plurality of holes periodically arranged by anodic oxidation, etching, or the like are formed. It is formed. Thus, a two-dimensional photonic crystal in which one medium and air in the hole are periodically arranged in the plane direction, and a two-dimensional photonic crystal in which the other medium and air are periodically arranged in the plane direction. Can be obtained in parallel with each other in a plane direction.

【0030】また請求項11に記載された発明は、請求
項10に記載されたフォトニック結晶の製造方法におい
て、前記物性値は屈折率、結晶軸方向及びエッチング特
性の少なくとも1つであることを特徴としている。
According to an eleventh aspect of the present invention, in the method for manufacturing a photonic crystal according to the tenth aspect, the physical property value is at least one of a refractive index, a crystal axis direction, and an etching characteristic. Features.

【0031】また請求項12に記載された発明は、媒質
に外部から磁界を加えて、前記媒質の表面に周期的に配
列した複数の孔部を凹設する孔部形成工程を有すること
を特徴としている。この構成によると、例えば、媒質に
電圧を印加して陽極酸化または陽極化成により孔部を形
成する。電界により加速されたイオンは磁界の方向に応
じて進行方向が電界方向に対して傾斜する。これによ
り、磁界の方向に応じて傾斜した孔部が形成される。
The invention according to claim 12 has a hole forming step of applying a magnetic field to the medium from the outside to recess a plurality of holes periodically arranged on the surface of the medium. And According to this configuration, for example, a voltage is applied to the medium to form a hole by anodization or anodization. The traveling direction of the ions accelerated by the electric field is inclined with respect to the direction of the electric field according to the direction of the magnetic field. Thereby, a hole inclined according to the direction of the magnetic field is formed.

【0032】また請求項13に記載された発明は、媒質
の部位に応じて異なる電圧を加えて、前記媒質の表面に
周期的に配列した複数の孔部を凹設する孔部形成工程を
有することを特徴としている。この構成によると、媒質
を形成した基板を所定の溶液中に浸積し、基板を陽極に
配して電圧を印加することにより陽極酸化または陽極化
成が行われる。これにより、基体が表面から酸化または
化成され、基体には周期的に配される孔部が形成され
る。この時、媒質の部位により異なる電圧を印加して孔
部の周期が可変される。
Further, the invention according to claim 13 has a hole forming step of applying a different voltage depending on a portion of the medium and recessing a plurality of holes periodically arranged on the surface of the medium. It is characterized by: According to this configuration, the substrate on which the medium is formed is immersed in a predetermined solution, and the substrate is placed on the anode and a voltage is applied to perform anodization or anodization. As a result, the substrate is oxidized or converted from the surface, and periodically arranged holes are formed in the substrate. At this time, a different voltage is applied depending on the portion of the medium, and the period of the hole is varied.

【0033】また請求項14に記載された発明は、請求
項13に記載されたフォトニック結晶の製造方法におい
て、前記媒質を抵抗材料から成る基板上に形成したこと
を特徴としている。この構成によると、電圧の印加点か
らの距離に応じて基板の抵抗によって電圧降下し、媒質
に印加される電圧が可変される。
According to a fourteenth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a photonic crystal according to the thirteenth aspect, the medium is formed on a substrate made of a resistive material. According to this configuration, the voltage drops due to the resistance of the substrate according to the distance from the voltage application point, and the voltage applied to the medium is varied.

【0034】また請求項15に記載された発明は、請求
項13に記載されたフォトニック結晶の製造方法におい
て、前記媒質を領域毎に異なる抵抗値で形成される下地
上に形成したことを特徴としている。この構成による
と、基板に印加される電圧が下地の抵抗によって電圧降
下し、領域毎に媒質に印加される電圧が可変される。
According to a fifteenth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a photonic crystal according to the thirteenth aspect, the medium is formed on a base having a different resistance value for each region. And According to this configuration, the voltage applied to the substrate drops due to the resistance of the base, and the voltage applied to the medium varies for each region.

【0035】また請求項16に記載された発明は、請求
項12〜請求項13のいずれかに記載されたフォトニッ
ク結晶の製造方法において、前記孔部形成工程を陽極酸
化または陽極化成により行うことを特徴としている。
According to a sixteenth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a photonic crystal according to any one of the twelfth to thirteenth aspects, the hole forming step is performed by anodization or anodization. It is characterized by.

【0036】[0036]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。説明の便宜上、従来例の図12〜図
15と同一の部分については同一の符号を付している。
図1は第1実施形態のフォトニック結晶の製造方法を示
す断面図である。図1(a)に示すように、基板3上に
はエッチング特性の異なる媒質6、7が厚み方向に周期
的に積層され、多層膜から成る基体21が形成されてい
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. For convenience of description, the same parts as those in FIGS. 12 to 15 of the conventional example are denoted by the same reference numerals.
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a photonic crystal according to the first embodiment. As shown in FIG. 1A, media 6 and 7 having different etching characteristics are periodically laminated on a substrate 3 in a thickness direction, and a base 21 made of a multilayer film is formed.

【0037】媒質6、7は、スパッタリング、蒸着或い
はCVD等により成膜することができ、異なる材料を用
いて積層してもよいし、所望の材料の成膜中に他の材料
をドーピングしてもよい。次に、前述した図13に示す
ように、孔部形成工程においてフォトリソグラフィ技術
によりレジスト11を所望形状にパターニングし、RI
E等によりエッチングする。
The media 6 and 7 can be formed by sputtering, vapor deposition, CVD, or the like, and may be laminated using different materials, or by doping other materials during the formation of a desired material. Is also good. Next, as shown in FIG. 13, the resist 11 is patterned into a desired shape by photolithography in a hole forming step,
Etch with E or the like.

【0038】これにより、図1(b)に示すように、基
体21の厚み方向に凹設される周期的に配列された孔部
6a、7aを得ることができる。その結果、媒質6と孔
部6a内の空気とから成るフォトニック結晶と、媒質7
と孔部7a内の空気から成るフォトニック結晶とが積層
される。次に、孔部拡大工程において所定のエッチング
液に浸漬することにより孔部6a、7aの径を広くする
ことができる。この時、媒質6、7が異なるエッチング
特性を有しているので、図1(c)に示すように、孔部
6a、7aを異なる径にすることができる。
Thus, as shown in FIG. 1B, it is possible to obtain periodically arranged holes 6a and 7a which are recessed in the thickness direction of the base 21. As a result, the photonic crystal composed of the medium 6 and the air in the hole 6a,
And a photonic crystal composed of air in the hole 7a. Next, the diameter of the holes 6a and 7a can be increased by immersing the holes 6a and 7a in a predetermined etching solution in the hole expanding step. At this time, since the media 6 and 7 have different etching characteristics, the holes 6a and 7a can have different diameters as shown in FIG.

【0039】これにより、媒質6、7の屈折率が異なる
場合には、断面G−Gでは、媒質6、7が厚み方向に周
期的に配され、断面H−Hでは媒質6と空気とが厚み方
向に周期的に配された擬似的な三次元の周期構造を有す
るフォトニック結晶を得ることができる。
Accordingly, when the refractive indices of the media 6 and 7 are different, the media 6 and 7 are periodically arranged in the thickness direction in the section GG, and the medium 6 and the air are separated in the section HH. A photonic crystal having a pseudo three-dimensional periodic structure periodically arranged in the thickness direction can be obtained.

【0040】また、媒質6、7の屈折率が同じであって
も異なった径の孔部6a、7aが形成されるため、図1
(c)において、矢印X1、X2のように入射光の入射
位置に応じて異なる光学的特性が得られる。
Further, even if the media 6 and 7 have the same refractive index, the holes 6a and 7a having different diameters are formed.
In (c), different optical characteristics are obtained depending on the incident position of the incident light as indicated by arrows X1 and X2.

【0041】従って、同図に示すように、矢印X1、X
2のように入射光の入射位置に応じて異なる光学的特性
を有する二次元のフォトニック結晶を多層化したフォト
ニック結晶や、三次元のフォトニック結晶を1回の孔部
形成工程により低コストで作成することができる。ま
た、孔部形成工程は、前述の図15に示すように陽極酸
化或いは陽極化成により行っても同様の効果を得ること
ができる。
Therefore, as shown in FIG.
2, a two-dimensional photonic crystal having different optical characteristics depending on the incident position of incident light, such as a multi-layered photonic crystal, or a three-dimensional photonic crystal can be formed at a low cost by a single hole forming step. Can be created with The same effect can be obtained by performing the hole forming step by anodic oxidation or anodization as shown in FIG.

【0042】次に図2(a)、(b)は第2実施形態の
フォトニック結晶の製造方法を示す斜視図及び断面図で
ある。本実施形態は厚み方向(図中、上下方向)に屈折
率分布を有する基体22に、前述の図13に示すエッチ
ングまたは図15に示す陽極酸化や陽極化成を用いた孔
部形成工程により孔部22aが形成される。
Next, FIGS. 2A and 2B are a perspective view and a sectional view showing a method for manufacturing a photonic crystal according to the second embodiment. In the present embodiment, a hole is formed on a substrate 22 having a refractive index distribution in the thickness direction (vertical direction in the figure) by the etching shown in FIG. 13 or the hole forming step using anodic oxidation or anodization shown in FIG. 22a are formed.

【0043】屈折率分布を有する基体22は、所望の材
料の成膜中に他の物質をドーピングし、ドーピング量を
徐々に可変することにより作成することができる。ま
た、ドーピングを行う物質を徐々に変えてもよく、成膜
する材料を徐々に変えてもよい。
The substrate 22 having a refractive index distribution can be formed by doping another substance during film formation of a desired material and gradually changing the doping amount. Further, a substance to be doped may be gradually changed, and a material to be formed may be gradually changed.

【0044】このようにして得られるフォトニック結晶
1は矢印X1、X2のように入射光の入射位置に応じて
異なる光学的特性を有するフォトニック結晶を1回の孔
部形成工程により低コストで作成することができる。ま
た、第1実施形態と同様に、孔部拡大工程において所定
のエッチング液に浸漬することにより、孔部22aの径
を広くすることができる。この時、基体22が厚み方向
にエッチング特性の分布を有すると、図3に示すよう
に、孔部22aを厚み方向に異なる径にすることができ
る。
The photonic crystal 1 obtained in this manner is a photonic crystal having different optical characteristics depending on the incident position of incident light, as indicated by arrows X1 and X2, at low cost by a single hole forming step. Can be created. Further, as in the first embodiment, the diameter of the hole 22a can be increased by immersing the hole 22a in a predetermined etching solution in the hole enlarging step. At this time, if the base 22 has a distribution of etching characteristics in the thickness direction, the holes 22a can have different diameters in the thickness direction as shown in FIG.

【0045】これにより、入射光の厚み方向の入射位置
に応じて更に異なる光学的特性を有するフォトニック結
晶を得ることができる。また、第1実施形態と同様に、
基体22は厚み方向に屈折率が同じであってもエッチン
グ特性が異れば孔部拡大工程によって孔径を厚み方向に
可変し、入射位置に応じて異なる光学的特性を得ること
ができる。
Thus, it is possible to obtain a photonic crystal having further different optical characteristics depending on the incident position of the incident light in the thickness direction. Also, as in the first embodiment,
Even if the substrate 22 has the same refractive index in the thickness direction, if the etching characteristics are different, the hole diameter can be varied in the thickness direction by the hole enlarging step, and different optical characteristics can be obtained according to the incident position.

【0046】次に、図4は第3実施形態のフォトニック
結晶の製造方法を示す平面図である。本実施形態は図4
(a)に示すように、基体23は屈折率の異なる媒質
6、7が面方向(紙面に平行な方向)に並設されて形成
されている。そして、図4(b)に示すように、前述の
図13に示すエッチングまたは図15に示す陽極酸化や
陽極化成を用いた孔部形成工程により基体23に孔部6
a、7aが形成される。
Next, FIG. 4 is a plan view showing a method for manufacturing a photonic crystal according to the third embodiment. This embodiment is shown in FIG.
As shown in (a), the substrate 23 is formed by arranging media 6 and 7 having different refractive indexes in a plane direction (a direction parallel to the paper surface). Then, as shown in FIG. 4B, the holes 6 are formed in the base 23 by the above-described etching shown in FIG. 13 or the hole forming step using anodic oxidation or anodization shown in FIG.
a and 7a are formed.

【0047】屈折率の異なる媒質6、7を面方向に併設
した基体23は以下のような方法で作成することができ
る。まず、媒質6をスパッタリング等により成膜する。
次に、媒質7の領域をフォトリソグラフィによりパター
ニングしてエッチングする。次に、媒質7を成膜し、媒
質6の領域を媒質7の厚み分だけエッチングする。
The substrate 23 having the media 6 and 7 having different refractive indices arranged in the plane direction can be prepared by the following method. First, the medium 6 is formed by sputtering or the like.
Next, the region of the medium 7 is patterned and etched by photolithography. Next, the medium 7 is formed into a film, and the region of the medium 6 is etched by the thickness of the medium 7.

【0048】本実施形態によると、孔部6a内の空気と
媒質6とが周期的に配列された二次元フォトニック結晶
と、孔部7a内の空気と媒質7とが周期的に配列された
二次元フォトニック結晶とが同一面内の異なる位置に配
されている。これにより、同一面内の異なる位置に入射
する入射光の入射位置に応じて異なる光学的特性を有す
るフォトニック結晶を1回の孔部形成工程により低コス
トで作成することができる。
According to this embodiment, the two-dimensional photonic crystal in which the air and the medium 6 in the hole 6a are periodically arranged, and the air and the medium 7 in the hole 7a are periodically arranged. Two-dimensional photonic crystals are arranged at different positions in the same plane. Thus, a photonic crystal having different optical characteristics depending on the incident position of incident light incident on different positions in the same plane can be formed at a low cost by one hole forming step.

【0049】また、図4(b)のフォトニック結晶は、
孔部拡大工程において所定のエッチング液に浸漬するこ
とにより孔部6a、7aの径を広くすることができる。
この時、媒質6、7が異なるエッチング特性を有する
と、図4(c)に示すように、孔部6a、7aを異なる
径にすることができる。
Also, the photonic crystal of FIG.
The diameter of the holes 6a and 7a can be increased by immersing the holes 6a and 7a in a predetermined etching solution in the hole expanding step.
At this time, if the media 6 and 7 have different etching characteristics, the holes 6a and 7a can have different diameters as shown in FIG.

【0050】これにより、孔部形成工程をエッチングに
より行う場合はパターニングによって孔部6a、7aの
径を可変できるが、陽極酸化または陽極化成により行う
場合においても、孔部拡大工程によって孔部6a、7a
の径を可変することができる。従って、入射光の面方向
の入射位置に応じて更に異なる光学的特性を有するフォ
トニック結晶を得ることができる。
Thus, when the hole forming step is performed by etching, the diameter of the holes 6a and 7a can be changed by patterning. However, when the hole forming step is performed by anodic oxidation or anodization, the hole 6a, 7a
Can be varied. Therefore, it is possible to obtain a photonic crystal having further different optical characteristics depending on the incident position of the incident light in the plane direction.

【0051】また、第1、第2実施形態と同様に、基体
23の媒質6、7は屈折率が同じであってもよく、エッ
チング特性が異れば孔部形成工程を陽極酸化または陽極
化成により行った場合でも孔部拡大工程によって孔径を
同一面内で可変し、面方向の異なる入射位置に入射する
入射光に対して異なる光学的特性を得ることができる。
Further, similarly to the first and second embodiments, the media 6 and 7 of the substrate 23 may have the same refractive index. If the etching characteristics are different, the hole forming step may be performed by anodizing or anodizing. Even in the case of the above, the hole diameter can be varied in the same plane by the hole enlarging step, and different optical characteristics can be obtained with respect to incident light incident on different incident positions in the plane direction.

【0052】また、図11に示すように、媒質7をL字
型に配して基体25を形成することによって、媒質7に
よる導波路を構成することができる。従って、従来の技
術では不可能であった鋭角に屈曲した損失のない導波路
を低コストで作成することができる。
Further, as shown in FIG. 11, a waveguide made of the medium 7 can be formed by arranging the medium 7 in an L-shape to form the base 25. Accordingly, it is possible to produce a waveguide without a loss bent at an acute angle at a low cost, which is impossible with the conventional technique.

【0053】次に、第4実施形態について説明する。ス
パッタリング、蒸着或いはCVD等により基板上に所望
の媒質を成膜する際に、図5(a)に示すように、基板
3を傾斜させ、図中、上方から媒質8を成膜すると、媒
質8は結晶軸8bの方向が基板3に対して傾斜して形成
される。この媒質8にエッチングや陽極酸化等により孔
部を形成すると、図5(b)に示すように、孔部8aが
結晶軸8bに応じて形成され、孔部8aが基板3に対し
て傾斜する。
Next, a fourth embodiment will be described. When a desired medium is formed on a substrate by sputtering, vapor deposition, CVD, or the like, the substrate 3 is inclined as shown in FIG. Is formed such that the direction of the crystal axis 8 b is inclined with respect to the substrate 3. When a hole is formed in the medium 8 by etching, anodic oxidation, or the like, as shown in FIG. 5B, the hole 8a is formed along the crystal axis 8b, and the hole 8a is inclined with respect to the substrate 3. .

【0054】この性質を利用した第4実施形態を図6、
図7に示す。図6(a)、(b)、(c)はそれぞれ図
7のA面、B面、C面に平行な断面図である。本実施形
態では、結晶軸9bの方向が異なる媒質9p、9q、9
r、9sを積層して基体24が形成されている。
A fourth embodiment utilizing this property is shown in FIG.
As shown in FIG. FIGS. 6A, 6B, and 6C are cross-sectional views parallel to planes A, B, and C of FIG. 7, respectively. In the present embodiment, the media 9p, 9q, and 9p in which the directions of the crystal axes 9b are different.
The base 24 is formed by laminating r and 9s.

【0055】媒質9p、9q、9r、9sは、図6
(c)における点p、点q、点r、点sを紙面から上方
に離れるように傾斜させた状態で、紙面から離れた上方
から成膜することによって、それぞれ異なった結晶軸9
bの方向に形成されている。
The media 9p, 9q, 9r, 9s are shown in FIG.
In the state where the points p, q, r, and s in (c) are inclined upward away from the plane of the paper, film formation is performed from above the plane away from the plane of the paper, so that different crystal axes 9 are formed.
It is formed in the direction of b.

【0056】そして、基体24には、前述の図13に示
すエッチングまたは図15に示す陽極酸化や陽極化成を
用いた孔部形成工程により孔部9aが形成される。この
時、孔部9aは結晶軸9bに応じて形成されるので、図
7に示すように螺旋状になる。
A hole 9a is formed in the base 24 by the above-described etching shown in FIG. 13 or the hole forming step using anodic oxidation or anodization shown in FIG. At this time, since the holes 9a are formed according to the crystal axes 9b, the holes 9a have a spiral shape as shown in FIG.

【0057】積層された媒質9p〜9sから成る各層
は、媒質の屈折率、孔部の径、孔部の周期等が同じ面方
向の周期構造を形成する。基体24の厚み方向には4層
毎に孔部9a内の空気と媒質9p〜9sとが周期的に配
された周期構造となる。従って、三次元のフォトニック
結晶を1回の孔部形成工程により低コストで作成するこ
とができる。尚、基体24の傾斜方向をより細分化或い
は連続的に変化させて成膜することにより、孔部9aを
より滑らかな螺旋状に形成することができる。
Each layer composed of the stacked media 9p to 9s forms a periodic structure in the plane direction in which the refractive index of the medium, the diameter of the hole, the period of the hole, and the like are the same. In the thickness direction of the base 24, a periodic structure is formed in which the air in the holes 9a and the media 9p to 9s are periodically arranged every four layers. Therefore, a three-dimensional photonic crystal can be formed at low cost by one hole forming step. The hole 9a can be formed in a smoother spiral by forming the film while changing the inclination direction of the base 24 more finely or continuously.

【0058】また、前述の図1〜図4に示す第1〜第3
実施形態の基体21〜23として、結晶軸の方向が異な
る媒質を積層して形成することによって、より複雑な光
学的特性を有するフォトニック結晶を得ることができ
る。
Further, the first to third elements shown in FIGS.
A photonic crystal having more complicated optical characteristics can be obtained by stacking and forming media having different crystal axis directions as the substrates 21 to 23 of the embodiment.

【0059】次に、第5実施形態について説明する。図
8(a)は、基板3上にアルミニウム等の媒質10を成
膜等により形成して前述の図15に示す陽極酸化または
陽極化成を用いた孔部形成工程によって孔部10aを形
成した状態を示す図である。この時、媒質10には外部
から磁界が加えられている。
Next, a fifth embodiment will be described. FIG. 8A shows a state in which the medium 10 such as aluminum is formed on the substrate 3 by film formation or the like, and the hole 10a is formed by the hole forming step using anodic oxidation or anodization shown in FIG. FIG. At this time, a magnetic field is applied to the medium 10 from the outside.

【0060】孔部10aの拡大図を図8(b)に示す
と、例えば陽極酸化を行う場合には、基板3に電圧が印
加されて電解液中の酸素イオン16には電界Eが作用す
る。これにより、酸素イオン16は電界Eの方向に孔部
10aを掘り下げて、多孔質アルミナ等の酸化物10b
を形成する。更に、紙面に垂直な方向に磁界を加えるこ
とにより、酸素イオン16には図中、左右方向に電磁力
Fが働く。これにより、酸素イオン16は媒質10の表
面に対して傾斜して進行し、孔部10aが傾斜して形成
される。
FIG. 8B shows an enlarged view of the hole 10a. For example, when performing anodic oxidation, a voltage is applied to the substrate 3 and an electric field E acts on the oxygen ions 16 in the electrolyte. . As a result, the oxygen ions 16 dig down the hole 10a in the direction of the electric field E, and form an oxide 10b such as porous alumina.
To form Further, by applying a magnetic field in a direction perpendicular to the paper surface, an electromagnetic force F acts on the oxygen ions 16 in the left-right direction in the figure. As a result, the oxygen ions 16 travel obliquely with respect to the surface of the medium 10, and the holes 10a are formed obliquely.

【0061】従って、陽極酸化または陽極化成の際に媒
質10にかける磁界の方向を可変することにより、前述
の図7に示す第4実施形態と同様に、螺旋状の孔部を形
成することとができる。その結果、三次元のフォトニッ
ク結晶を1回の孔部形成工程により低コストで作成する
ことができる。
Accordingly, by changing the direction of the magnetic field applied to the medium 10 during the anodization or the anodization, a spiral hole can be formed as in the fourth embodiment shown in FIG. Can be. As a result, a three-dimensional photonic crystal can be formed at low cost by a single hole forming step.

【0062】また、前述の図1〜図7に示す第1〜第4
実施形態の基体21〜24を陽極酸化または陽極化成に
より孔部を形成する際に、基体21〜24に磁界をかけ
ることによって、より複雑な光学的特性を有するフォト
ニック結晶を得ることができる。
Further, the first to fourth data shown in FIGS.
By applying a magnetic field to the substrates 21 to 24 when forming the holes in the substrates 21 to 24 of the embodiment by anodizing or anodizing, a photonic crystal having more complicated optical characteristics can be obtained.

【0063】次に、図9は第6実施形態を示す図であ
る。基板3上にはアルミニウム等の媒質10が成膜等に
より形成され、陽極酸化または陽極化成の際に基板3の
電圧を印加する電源13が基板3の端部に接続されてい
る。基板3はカーボンや鉄ニッケル合金等の抵抗材料か
ら成り、電源13による電圧の印加点Qからの距離に応
じて異なる抵抗値を有する。
Next, FIG. 9 is a view showing a sixth embodiment. A medium 10 such as aluminum is formed on the substrate 3 by film formation or the like, and a power supply 13 for applying a voltage of the substrate 3 during anodization or anodization is connected to an end of the substrate 3. The substrate 3 is made of a resistance material such as carbon or an iron-nickel alloy, and has a different resistance value according to a distance from a voltage application point Q by the power supply 13.

【0064】このため、基板3に電圧を印加して前述の
図15に示す陽極酸化または陽極化成を行うと、印加点
Qから近い位置では電圧降下が小さく媒質10に高い電
圧が印加される。印加点Qから遠い位置では電圧降下が
大きく媒質10に低い電圧が印加される。
For this reason, when a voltage is applied to the substrate 3 and the anodic oxidation or anodization shown in FIG. 15 is performed, a high voltage is applied to the medium 10 with a small voltage drop near the application point Q. At a position far from the application point Q, a large voltage drop is applied to the medium 10.

【0065】孔部10aの周期Pは、印加される電圧に
略比例するため、矢印D2方向に行く程孔部10aの周
期Pが小さく、矢印D1方向に行く程孔部10aの周期
Pが大きくなる。従って、所望の抵抗値を有する抵抗材
料により基板3を形成することによって、孔部10aの
周期Pが徐々に変化した所望の周期を得ることができ、
複雑な光学的特性を有するフォトニック結晶を得ること
ができる。
Since the period P of the hole 10a is substantially proportional to the applied voltage, the period P of the hole 10a decreases in the direction of the arrow D2, and the period P of the hole 10a increases in the direction of the arrow D1. Therefore, by forming the substrate 3 with a resistance material having a desired resistance value, it is possible to obtain a desired period in which the period P of the hole 10a is gradually changed,
A photonic crystal having complicated optical characteristics can be obtained.

【0066】また、前述の図1〜図7に示す第1〜第4
実施形態の基体21〜24を陽極酸化または陽極化成に
より孔部を形成する際に、基板3を所定の抵抗値を有す
る抵抗材料から形成することによって、より複雑な光学
的特性を有するフォトニック結晶を得ることができる。
Also, the first to fourth data shown in FIGS.
When the holes are formed by anodizing or anodizing the substrates 21 to 24 of the embodiment, the substrate 3 is formed from a resistive material having a predetermined resistance value, so that a photonic crystal having more complicated optical characteristics is obtained. Can be obtained.

【0067】次に、図10(a)、(b)は第7実施形
態を示す側面図及び平面図である。導電性の基板3の上
面は、SiO2等の絶縁体14により領域R1〜R5に
分割されている。各領域R1〜R5には、基板3上に抵
抗材料から成る下地層12が形成され、下地層12上に
アルミニウム等の媒質10が成膜等により形成されてい
る。基板3には電源13が接続され、媒質10に電圧を
印加することにより前述の図15に示す陽極酸化または
陽極化成が行われる。
Next, FIGS. 10A and 10B are a side view and a plan view showing a seventh embodiment. The upper surface of the conductive substrate 3 is divided into regions R1 to R5 by an insulator 14 such as SiO 2 . In each of the regions R1 to R5, an underlayer 12 made of a resistance material is formed on the substrate 3, and a medium 10 such as aluminum is formed on the underlayer 12 by film formation or the like. A power supply 13 is connected to the substrate 3, and by applying a voltage to the medium 10, the above-described anodization or anodization shown in FIG. 15 is performed.

【0068】各領域R1〜R5の下地層12は抵抗値が
異なるように形成され、下地層12による電圧降下によ
って、各領域R1〜R5の媒質10には異なる電圧が印
加される。孔部10aの周期Pは、印加される電圧に略
比例するため、各領域R1〜R5毎に異なる周期の孔部
10aが形成される。各領域R1〜R5の下地層12
は、同図に示すように抵抗材料の厚みにより抵抗値を可
変してもよいし、異なる抵抗材料を形成してもよい。
The underlayers 12 in the regions R1 to R5 are formed so as to have different resistance values, and different voltages are applied to the medium 10 in the regions R1 to R5 by the voltage drop due to the underlayer 12. Since the period P of the holes 10a is substantially proportional to the applied voltage, the holes 10a having different periods are formed in each of the regions R1 to R5. Underlayer 12 of each region R1 to R5
The resistance value may be varied depending on the thickness of the resistance material as shown in the figure, or a different resistance material may be formed.

【0069】これにより、前述の図9に示す第6実施形
態では印加点Qから同心円状に孔部の周期Pが可変され
るのに対し、所望の形状の領域毎に孔部10aの周期を
可変することができる。従って、複数の入射光の面方向
に異なる入射位置に応じて異なる光学的特性を有するフ
ォトニック結晶を得ることができる。
Thus, in the sixth embodiment shown in FIG. 9 described above, the period P of the holes is changed concentrically from the application point Q, whereas the period of the holes 10a is changed for each region of a desired shape. Can be variable. Therefore, it is possible to obtain a photonic crystal having different optical characteristics according to different incident positions in a plane direction of a plurality of incident lights.

【0070】また、前述の図1〜図7に示す第1〜第4
実施形態の基体21〜24を陽極酸化または陽極化成に
より孔部を形成する際に、基板3と基体21〜24との
間に分割された各領域毎に所定の抵抗値を有する下地層
を形成することによって、より複雑な光学的特性を有す
るフォトニック結晶を得ることができる。
Also, the first to fourth data shown in FIGS.
When the holes are formed by anodizing or anodizing the substrates 21 to 24 of the embodiment, an underlayer having a predetermined resistance value is formed in each of the divided regions between the substrate 3 and the substrates 21 to 24. By doing so, a photonic crystal having more complicated optical characteristics can be obtained.

【0071】[0071]

【発明の効果】請求項1の発明によると、厚み方向に結
晶軸方向或いはエッチング特性の異なる基体の表面に、
周期的に配列した複数の孔部を凹設することにより、孔
部は径や方向が異なって形成される。これにより、入射
光の入射位置に応じて異なる光学的特性を有するフォト
ニック結晶を1回の孔部形成工程により低コストで作成
することができる。
According to the first aspect of the present invention, the crystal axis direction in the thickness direction or the surface of the substrate having different etching characteristics is
By recessing a plurality of holes arranged periodically, the holes are formed with different diameters and directions. Thus, a photonic crystal having different optical characteristics depending on the incident position of the incident light can be formed at a low cost by one hole forming step.

【0072】また請求項2、請求項3の発明によると、
厚み方向に屈折率の異なる物質を形成しているので、一
の媒質と孔部内の空気とが面方向に周期的に配列される
二次元フォトニック結晶と、他の媒質と空気とが面方向
に周期的に配列される二次元フォトニック結晶とが厚み
方向に周期的に積層され、複数の光学的特性を有するフ
ォトニック結晶を1回の孔部形成工程により低コストで
作成することができる。
According to the second and third aspects of the present invention,
Since a substance having a different refractive index is formed in the thickness direction, a two-dimensional photonic crystal in which one medium and the air in the hole are periodically arranged in the plane direction, and the other medium and the air are in the plane direction. A two-dimensional photonic crystal periodically arranged in a matrix is periodically stacked in the thickness direction, and a photonic crystal having a plurality of optical characteristics can be formed at a low cost by a single hole forming step. .

【0073】また請求項4の発明によると、孔部の断面
積をエッチングにより拡大するので、異なるエッチング
特性を有する複数の媒質に形成された孔部をエッチング
により拡大すると、エッチング速度の違いによって一の
媒質の孔部の径が他の媒質の孔部の径と異なるように形
成される。従って、三次元フォトニック結晶等の厚み方
向に異なる光学的特性を有するフォトニック結晶を簡単
に得ることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the cross-sectional area of the hole is enlarged by etching, if the holes formed in a plurality of media having different etching characteristics are enlarged by etching, one hole is formed due to a difference in etching rate. The diameter of the hole of the medium is different from the diameter of the hole of the other medium. Therefore, it is possible to easily obtain a photonic crystal such as a three-dimensional photonic crystal having different optical characteristics in the thickness direction.

【0074】また請求項5の発明によると、基体の部位
に応じて印加電圧を可変して孔部を形成することによっ
て孔部の周期が可変される。従って、孔部の周期が徐々
に変化した所望の周期が得られ、複雑な光学的特性を有
するフォトニック結晶を1回の孔部形成工程により低コ
ストで作成することができる。
According to the fifth aspect of the present invention, the period of the holes is changed by forming the holes by changing the applied voltage according to the position of the base. Therefore, a desired period in which the period of the hole gradually changes is obtained, and a photonic crystal having complicated optical characteristics can be produced at a low cost by a single hole forming process.

【0075】また請求項6の発明によると、外部から磁
界をかけて孔部を形成することにより、酸素イオン等に
電磁力が働くため傾斜した孔部が形成される。従って、
磁界の方向を可変することにより、螺旋状の孔部を形成
することとができる。その結果、三次元のフォトニック
結晶を1回の孔部形成工程により低コストで作成するこ
とができる。
According to the sixth aspect of the present invention, by forming a hole by applying a magnetic field from the outside, an inclined hole is formed because an electromagnetic force acts on oxygen ions and the like. Therefore,
By changing the direction of the magnetic field, a helical hole can be formed. As a result, a three-dimensional photonic crystal can be formed at low cost by a single hole forming step.

【0076】また請求項7〜請求項9の発明によると、
基体は厚み方向に異なる屈折率、結晶軸方向、エッチン
グ特性を有するため、より複雑なフォトニック結晶を作
成することができる。
According to the invention of claims 7 to 9,
Since the substrate has different refractive indexes, crystal axis directions, and etching characteristics in the thickness direction, a more complicated photonic crystal can be formed.

【0077】また請求項10、請求項11の発明による
と、面方向に屈折率等の物性値の異なる基体の表面に、
周期的に配列した複数の孔部を凹設することにより、孔
部は径や方向が異なって形成される。これにより、同一
面内の異なる位置に入射する入射光に応じて異なる光学
的特性を有するフォトニック結晶を1回の孔部形成工程
により低コストで作成することができる。
According to the tenth and eleventh aspects of the present invention, the surface of a substrate having different physical properties such as a refractive index in the plane direction is provided on the surface of the substrate.
By recessing a plurality of holes arranged periodically, the holes are formed with different diameters and directions. Thus, photonic crystals having different optical characteristics according to incident light incident on different positions in the same plane can be formed at a low cost by one hole forming step.

【0078】また請求項12の発明によると、外部から
磁界をかけて孔部を形成することにより、酸素イオン等
に電磁力が働くため傾斜した孔部が形成される。従っ
て、磁界の方向を可変することにより、螺旋状の孔部を
形成することとができる。その結果、三次元のフォトニ
ック結晶を1回の孔部形成工程により低コストで作成す
ることができる。
According to the twelfth aspect of the present invention, by forming a hole by applying a magnetic field from the outside, an inclined hole is formed because an electromagnetic force acts on oxygen ions and the like. Therefore, a spiral hole can be formed by changing the direction of the magnetic field. As a result, a three-dimensional photonic crystal can be formed at low cost by a single hole forming step.

【0079】また請求項13の発明によると、基体の部
位に応じて印加電圧を可変して孔部を形成することによ
って孔部の周期が可変される。従って、孔部の周期が徐
々に変化した所望の周期が得られ、複雑な光学的特性を
有するフォトニック結晶を1回の孔部形成工程により低
コストで作成することができる。
According to the thirteenth aspect of the present invention, the period of the holes is varied by forming the holes by varying the applied voltage according to the position of the base. Therefore, a desired period in which the period of the hole gradually changes is obtained, and a photonic crystal having complicated optical characteristics can be produced at a low cost by a single hole forming process.

【0080】また請求項14の発明によると、基板に抵
抗材料を用いて陽極酸化または陽極化成を行うことによ
り、媒質に印加される電圧を可変して簡単に孔部の周期
を可変することができる。
According to the fourteenth aspect of the present invention, by performing anodic oxidation or anodization using a resistive material on the substrate, it is possible to change the voltage applied to the medium and easily change the period of the hole. it can.

【0081】また請求項15の発明によると、領域毎に
媒質に抵抗を有する下地を設けて陽極酸化または陽極化
成を行うことにより、簡単に孔部の周期を可変すること
ができる。また、領域毎に所望の周期の孔部を形成する
ことができる。
According to the fifteenth aspect of the present invention, the period of the hole can be easily varied by providing an underlayer having resistance in the medium for each region and performing anodic oxidation or anodization. Further, a hole having a desired period can be formed for each region.

【0082】また請求項16の発明によると、陽極酸化
または陽極化成を行って孔部を形成することにより、簡
単に孔部の方向や周期を可変することができる。
According to the sixteenth aspect of the present invention, the direction and period of the hole can be easily changed by forming the hole by performing anodic oxidation or anodization.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1実施形態のフォトニック結晶
の製造方法を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a photonic crystal according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の第2実施形態のフォトニック結晶
の孔部形成工程を示す図である。
FIG. 2 is a view illustrating a step of forming a hole in a photonic crystal according to a second embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の第2実施形態のフォトニック結晶
の孔部拡大工程を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a step of enlarging a hole in a photonic crystal according to a second embodiment of the present invention.

【図4】 本発明の第3実施形態のフォトニック結晶
の製造方法を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a photonic crystal according to a third embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の第4実施形態のフォトニック結晶
の製造方法を示す断面図である。
FIG. 5 is a sectional view illustrating a method for manufacturing a photonic crystal according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の第4実施形態のフォトニック結晶
の製造方法を示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view illustrating a method for manufacturing a photonic crystal according to a fourth embodiment of the present invention.

【図7】 本発明の第4実施形態のフォトニック結晶
の製造方法を示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view illustrating a method for manufacturing a photonic crystal according to a fourth embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の第5実施形態のフォトニック結晶
の製造方法を示す断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a photonic crystal according to a fifth embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の第6実施形態のフォトニック結晶
の製造方法を示す断面図である。
FIG. 9 is a sectional view illustrating a method for manufacturing a photonic crystal according to a sixth embodiment of the present invention.

【図10】 本発明の第7実施形態のフォトニック結晶
の製造方法を示す図である。
FIG. 10 is a view illustrating a method for manufacturing a photonic crystal according to a seventh embodiment of the present invention.

【図11】 本発明の第3実施形態のフォトニック結晶
の製造方法によって形成される他のフォトニック結晶を
示す図である。
FIG. 11 is a view showing another photonic crystal formed by the method for manufacturing a photonic crystal according to the third embodiment of the present invention.

【図12】 従来のフォトニック結晶を示す斜視図であ
る。
FIG. 12 is a perspective view showing a conventional photonic crystal.

【図13】 従来のフォトニック結晶の製造方法を示す
斜視図である。
FIG. 13 is a perspective view showing a conventional method for manufacturing a photonic crystal.

【図14】 従来のフォトニック結晶を示す断面図であ
る。
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a conventional photonic crystal.

【図15】 従来のフォトニック結晶の他の製造方法を
示す斜視図である。
FIG. 15 is a perspective view showing another method for manufacturing a conventional photonic crystal.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 フォトニック結晶 2 光導波層 3 基板 4、6〜10 媒質 5 多孔質アルミナ層 11 レジスト 12 下地層 13 電源 14 絶縁体 16 酸素イオン 21〜24 基体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Photonic crystal 2 Optical waveguide layer 3 Substrate 4, 6-10 Medium 5 Porous alumina layer 11 Resist 12 Underlayer 13 Power supply 14 Insulator 16 Oxygen ion 21-24 Substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02B 6/12 N (72)発明者 寺本 みゆき 大阪市中央区安土町二丁目3番13号 大阪 国際ビル ミノルタ株式会社内 Fターム(参考) 2H047 KA03 LA18 PA01 PA24 QA01 2H049 AA01 AA02 AA31 AA33 AA37 AA44 AA48 AA57 AA59 AA65 BA01 BA42 BB01 BB03 BB06 BB62 BC08 BC25 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme Court ゛ (Reference) G02B 6/12 N (72) Inventor Miyuki 2-13-13 Azuchicho, Chuo-ku, Osaka City Osaka International Building Minolta Co., Ltd. F term (reference) 2H047 KA03 LA18 PA01 PA24 QA01 2H049 AA01 AA02 AA31 AA33 AA37 AA44 AA48 AA57 AA59 AA65 BA01 BA42 BB01 BB03 BB06 BB62 BC08 BC25

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 厚み方向に結晶軸方向及びエッチング特
性の少なくとも一方が異なる物質から成る基体を形成す
る第1工程と、 前記基体に周期的に配列した複数の孔部を形成する第2
工程と、 を備えたことを特徴とするフォトニック結晶の製造方
法。
A first step of forming a base made of a substance having at least one of a crystal axis direction and an etching characteristic different in a thickness direction, and a second step of forming a plurality of holes periodically arranged in the base.
A method for producing a photonic crystal, comprising:
【請求項2】 第1工程によって厚み方向に屈折率の異
なる物質を形成したことを特徴とする請求項1に記載の
フォトニック結晶の製造方法。
2. The method for producing a photonic crystal according to claim 1, wherein a substance having a different refractive index in a thickness direction is formed in the first step.
【請求項3】 該屈折率が厚み方向に徐々に異なるよう
にしたことを特徴とする請求項2に記載のフォトニック
結晶の製造方法。
3. The method for producing a photonic crystal according to claim 2, wherein said refractive index is made to gradually differ in a thickness direction.
【請求項4】 第2工程後、前記孔部の断面積をエッチ
ングにより拡大する第3工程を備えたことを特徴とする
請求項1〜請求項3のいずれかに記載のフォトニック結
晶の製造方法。
4. The photonic crystal according to claim 1, further comprising, after the second step, a third step of enlarging a sectional area of the hole by etching. Method.
【請求項5】 厚み方向に物性値の異なる物質から成る
基体を形成する第1工程と、 前記基体に電圧を加えて周期的に配列した複数の孔部を
形成する第2工程と、 を備え、前記基体の部位に応じて印加電圧を可変したこ
とを特徴とするフォトニック結晶の製造方法。
5. A first step of forming a base made of substances having different physical properties in the thickness direction, and a second step of applying a voltage to the base to form a plurality of holes arranged periodically. And a method of manufacturing a photonic crystal, wherein an applied voltage is varied according to a portion of the substrate.
【請求項6】 厚み方向に物性値の異なる物質から成る
基体を形成する第1工程と、 前記基体に外部から磁界を加えて周期的に配列した複数
の孔部を形成する第2工程と、 を備え、前記基体の厚み方向に対して前記孔部が傾斜す
るように前記磁界の方向を可変したことを特徴とするフ
ォトニック結晶の製造方法。
6. A first step of forming a base made of a substance having different physical properties in the thickness direction, a second step of applying a magnetic field to the base from the outside to form a plurality of holes arranged periodically. Wherein the direction of the magnetic field is varied so that the hole is inclined with respect to the thickness direction of the substrate.
【請求項7】 前記物性値は屈折率、結晶軸方向及びエ
ッチング特性の少なくとも1つであることを特徴とする
請求項5または請求項6に記載のフォトニック結晶の製
造方法。
7. The method according to claim 5, wherein the physical property value is at least one of a refractive index, a crystal axis direction, and an etching characteristic.
【請求項8】 第1工程によって厚み方向に屈折率の異
なる物質を形成したことを特徴とする請求項5または請
求項6に記載のフォトニック結晶の製造方法。
8. The method for producing a photonic crystal according to claim 5, wherein a substance having a different refractive index in a thickness direction is formed in the first step.
【請求項9】 該屈折率が厚み方向に徐々に異なるよう
にしたことを特徴とする請求項8に記載のフォトニック
結晶の製造方法。
9. The method for manufacturing a photonic crystal according to claim 8, wherein said refractive index is made to gradually differ in a thickness direction.
【請求項10】 面方向に物性値の異なる物質から成る
基体を形成する第1工程と、 前記基体に周期的に配列した複数の孔部を形成する第2
工程と、 を備えたこと特徴とするフォトニック結晶の製造方法。
10. A first step of forming a base made of a substance having different physical properties in a plane direction, and a second step of forming a plurality of holes periodically arranged in the base.
A method for producing a photonic crystal, comprising:
【請求項11】 前記物性値は屈折率、結晶軸方向及び
エッチング特性の少なくとも1つであることを特徴とす
る請求項10に記載のフォトニック結晶の製造方法。
11. The method according to claim 10, wherein the physical property value is at least one of a refractive index, a crystal axis direction, and an etching characteristic.
【請求項12】 媒質に外部から磁界を加えて、前記媒
質の表面に周期的に配列した複数の孔部を凹設する孔部
形成工程を有することを特徴とするフォトニック結晶の
製造方法。
12. A method for manufacturing a photonic crystal, comprising a step of forming a plurality of holes that are periodically arranged in the surface of the medium by applying a magnetic field to the medium from the outside.
【請求項13】 媒質の部位に応じて異なる電圧を加え
て、前記媒質の表面に周期的に配列した複数の孔部を凹
設する孔部形成工程を有することを特徴とするフォトニ
ック結晶の製造方法。
13. A photonic crystal according to claim 1, further comprising a hole forming step of applying a different voltage depending on a portion of the medium to form a plurality of holes periodically arranged on the surface of the medium. Production method.
【請求項14】 前記媒質を抵抗材料から成る基板上に
形成したことを特徴とする請求項13に記載のフォトニ
ック結晶の製造方法。
14. The method according to claim 13, wherein the medium is formed on a substrate made of a resistive material.
【請求項15】 前記媒質を領域毎に異なる抵抗値で形
成される下地上に形成したことを特徴とする請求項13
に記載のフォトニック結晶の製造方法。
15. The medium according to claim 13, wherein the medium is formed on a base formed with a different resistance value for each region.
3. The method for producing a photonic crystal according to item 1.
【請求項16】 前記孔部形成工程を陽極酸化または陽
極化成により行うことを特徴とする請求項12〜請求項
15のいすれかに記載のフォトニック結晶の製造方法。
16. The method for producing a photonic crystal according to claim 12, wherein the hole forming step is performed by anodic oxidation or anodization.
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