JP2001267845A - Voltage controlled oscillator - Google Patents

Voltage controlled oscillator

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JP2001267845A
JP2001267845A JP2000080151A JP2000080151A JP2001267845A JP 2001267845 A JP2001267845 A JP 2001267845A JP 2000080151 A JP2000080151 A JP 2000080151A JP 2000080151 A JP2000080151 A JP 2000080151A JP 2001267845 A JP2001267845 A JP 2001267845A
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JP
Japan
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base
transistor
terminal
emitter
voltage
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Application number
JP2000080151A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenji Kamogawa
健司 鴨川
Kenjiro Nishikawa
健二郎 西川
Tadao Nakagawa
匡夫 中川
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a voltage controlled oscillator suited to a monolithic integrated circuit and having a wide frequency variation range independently of a temperature change. SOLUTION: A positive feedback circuit is formed between the base and emitter of a transistor(TR) (10), at least one of controllable power supplies (14, 16) for applying potential to the base or emitter of the TR (10) is provided, a power supply (15) for supplying potential to the collector of the TR (10) is provided, and a resistor (8) is connected between the base of the TR (10) and a power supply terminal for controlling base potential. The emitter of the TR (10) is connected to a power supply terminal for applying potential to the emitter by using at least one of an inductor and a transmission line, an output terminal (1) for obtaining an oscillation output from the TR (10) is formed and a capacitor (30) is connected between the base and collector of the TR (10).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波〜ミリ
波帯の無線装置に用いられる局部発振器および周波数シ
ンセサイザに関するものである。適用例として、ETC(E
lectircal Toll Collecting)、ワイヤレスLAN、FWA(Fix
ed Wireless Access)用無線端末/装置等があり、発振
器は必須の高周波回路である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a local oscillator and a frequency synthesizer used for a radio device in a microwave to millimeter wave band. As an application example, ETC ( E
lectircal T oll C ollecting), wireless LAN, FWA (F ix
ed W ireless A ccess) Wireless terminal / device or the like for the oscillator is an essential high-frequency circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】局部発振器はマイクロ波/ミリ波無線装
置において必須の要素回路の1つであり、無線装置の小
型化・経済化および高機能化を目的としてモノリシック
IC(モノリシックマイクロ波/ミリ波集積回路:MMIC)で
構成する研究が進められている。位相同期ループ(PLL)
局部発振器は基準信号に水晶発振器出力を使用するた
め、周波数安定度が高く、キャリア近傍の位相雑音を低
減できる等の特徴を有し、局部発振器の有効な構成法と
して従来からよく用いられている。PLL局部発振器は基
本的に電圧制御発振器、分周器および位相比較器より構
成され、電圧制御発振器はPLL局部発振器の特性を左右
するため、高い周波数安定度、高い出力レベル、広い周
波数可変範囲および低い位相雑音特性が望まれる。特
に、近年、様々な周波数帯、変調方式やデータフォーマ
ットに対してソフトの変更によって柔軟に対応するソフ
トウェアradio(例えば、Digital cellular phoneにおけ
る日本でのPDC(Personal Digital Cellular)、ヨーロッ
パでのGSM(Global System forMobile communication
s)、アメリカでのIS-95をソフトウェアで切り替えて1
台の無線機端末を共有する)の研究が進められており、
様々な周波数帯に対応できる広い周波数可変範囲を有す
る発振器が不可欠となっている。
2. Description of the Related Art A local oscillator is one of the essential element circuits in a microwave / millimeter-wave radio device, and is monolithic for the purpose of miniaturization, economy and high functionality of the radio device.
Research on ICs (monolithic microwave / millimeter-wave integrated circuits: MMICs) is under way. Phase locked loop (PLL)
Since the local oscillator uses a crystal oscillator output as a reference signal, it has features such as high frequency stability and the ability to reduce phase noise near the carrier, and has been widely used as an effective configuration method of local oscillators. . The PLL local oscillator basically consists of a voltage-controlled oscillator, a frequency divider and a phase comparator.The voltage-controlled oscillator affects the characteristics of the PLL local oscillator, so it has high frequency stability, high output level, wide frequency range and Low phase noise characteristics are desired. In particular, in recent years, various frequency bands, flexibly corresponding software radio by changing software against modulation scheme and data format (e.g., Digital cellular PDC (P ersonal D igital C ellular in Japan in Phone), in Europe GSM (G lobal S ystem for M obile communication
s), switching IS-95 in the US with software 1
Research is being promoted)
An oscillator having a wide frequency variable range that can support various frequency bands is indispensable.

【0003】図4は第1の従来の電圧制御発振器であ
る。110は発振素子のFET(Field Effect Transistor)で
あり、該FET110のゲート端子111はインダクタ121を介し
て接地されているとともにインダクタ120を通じて電圧
制御可変容量素子としてのバラクタダイオード150の端
子151に接続される。バラクタダイオード150の端子152
は抵抗140を介して制御電圧入力端子114に接続されると
ともにキャパシタ130を通じて接地される。また、ソー
ス端子113はインダクタ122とキャパシタ131と接続さ
れ、該インダクタ122は抵抗141を介して、上記キャパシ
タ131は直接接地され、ドレイン端子112はインダクタ12
3を介してドレイン電圧供給端子115に接続されるととも
に、インダクタ124と出力容量素子133を通じて出力端子
100に接続される。また、上記端子115はキャパシタ132
を通じて接地され、上記インダクタ123、124、キャパシ
タ132、133より出力整合回路を形成している。上記端子
115にドレイン電圧が印加されると、FET110のゲートは
容量性の負性インピーダンスを呈するため、ゲート端子
111に可変インダクタンスを接続することにより、電圧
制御発振器が構成される。従来の技術において可変イン
ダクタンスは上記バラクタダイオード150とインダクタ1
20によって実現されている。また、上記バラクタダイオ
ード120はFETのドレインとソースを接続して、制御電圧
に対するゲート・ソース間容量Cgsとゲート・ドレイン
間容量Cgdの和を制御することにより電圧制御可変容量
素子を構成できるため、半導体基板上に集積して形成す
ることが可能であるとともに再現性よく経済的な回路が
実現できる。
FIG. 4 shows a first conventional voltage controlled oscillator. 110 is a FET oscillation device (F ield E ffect T ransistor) , terminal 151 of the varactor diode 150 of the voltage-controlled variable capacitance element through the inductor 120 with the gate terminal 111 of the FET110 is grounded through the inductor 121 Connected to. Terminal 152 of varactor diode 150
Is connected to the control voltage input terminal 114 through the resistor 140 and is grounded through the capacitor 130. The source terminal 113 is connected to an inductor 122 and a capacitor 131. The inductor 122 is directly grounded via a resistor 141, and the drain terminal 112 is connected to the inductor
3 and connected to the drain voltage supply terminal 115, and the output terminal through the inductor 124 and the output capacitance element 133.
Connected to 100. The terminal 115 is connected to the capacitor 132
Through the ground, and the inductors 123 and 124 and the capacitors 132 and 133 form an output matching circuit. The above terminal
When a drain voltage is applied to 115, the gate of the FET 110 exhibits a capacitive negative impedance, so that the gate terminal
By connecting a variable inductance to 111, a voltage controlled oscillator is configured. In the prior art, the variable inductance is the varactor diode 150 and the inductor 1
20 has been realized. Further, the varactor diode 120 connects the drain and the source of the FET, and controls the sum of the gate-source capacitance C gs and the gate-drain capacitance C gd with respect to the control voltage, thereby forming a voltage-controlled variable capacitance element. Therefore, it is possible to form an integrated circuit on a semiconductor substrate and realize an economical circuit with good reproducibility.

【0004】しかし、第1の従来の電圧制御発振器では
可変リアクタンスを得るためにバラクタを使用している
が、半導体基板上に集積化したモノリシックマイクロ波
集積回路(MMIC)で実現する場合、ゲート・ソース間容量
Cgsは1:2程度しか変化できないため、周波数チュー
ニング範囲の一層の拡大を図ることが困難である。
[0004] However, in the first conventional voltage controlled oscillator, a varactor is used to obtain a variable reactance. However, when the varactor is realized by a monolithic microwave integrated circuit (MMIC) integrated on a semiconductor substrate, a gate and a varactor are required. Source-to-source capacity
Since C gs can be changed only about 1: 2, it is difficult to further expand the frequency tuning range.

【0005】図5は米国特許5,973,575で開示された上
記の問題点を解決する第2の従来の電圧制御発振器であ
る。同図において210は発振素子であるトランジスタで
あり、該トランジスタ210のベース端子211は抵抗208を
介して第1の制御端子となるベース電圧制御端子214に
接続されると共に、伝送線路202を介してキャパシタ203
に接続され、接地している。また、エミッタ端子213は
伝送線路204とキャパシタ205に接続され、該キャパシタ
205は接地され、上記線路204はキャパシタ207を介して
接地されるとともに、インダクタ206を介して第2の制
御端子となるエミッタ電圧制御端子216に接続される。
ここで、上記トランジスタ210からみてベースとエミッ
タ間に正帰還回路が構成されている。また、上記トラン
ジスタ210のコレクタ端子212は伝送線路220に接続さ
れ、上記伝送線路220はキャパシタ223を介して出力端子
200に接続されるとともに、伝送線路221を介してキャパ
シタ222に接続され、接地している。ここで、コレクタ
電圧供給端子215は上記伝送線路221とキャパシタ222の
接続点に接続されている。上記コレクタ電圧供給端子21
5にコレクタ電圧が印加されると、トランジスタ210のベ
ースは容量性の負性インピーダンスを呈するため、ベー
ス端子211に伝送線路202を接続することにより、発振器
が構成される。ここで、トランジスタ210のベース端子2
11から出力負荷側を見た入力インピーダンスは文献(K.
Kamogawa, K. Nishikawa, C. Yamaguchi, M.Hirano, I.
Toyoda, and T. Tokumitsu,“Wide-Tuning Range Si B
ipolar VCO's Based on Three-Dimensional MMIC Techn
ology,” IEEE Transactions on Microwave Theory and
Techniques, vol.45, no.12, pp.2436-2443, December
1997)より次式で表される。
FIG. 5 shows a second conventional voltage controlled oscillator which solves the above-mentioned problem disclosed in US Pat. No. 5,973,575. In the figure, reference numeral 210 denotes a transistor which is an oscillation element, and a base terminal 211 of the transistor 210 is connected to a base voltage control terminal 214 serving as a first control terminal via a resistor 208, and via a transmission line 202. Capacitor 203
And grounded. The emitter terminal 213 is connected to the transmission line 204 and the capacitor 205,
205 is grounded, the line 204 is grounded via a capacitor 207, and connected to an emitter voltage control terminal 216 serving as a second control terminal via an inductor 206.
Here, a positive feedback circuit is formed between the base and the emitter as viewed from the transistor 210. The collector terminal 212 of the transistor 210 is connected to a transmission line 220, and the transmission line 220 is connected to an output terminal via a capacitor 223.
It is connected to a capacitor 200 via a transmission line 221 and is grounded. Here, the collector voltage supply terminal 215 is connected to a connection point between the transmission line 221 and the capacitor 222. Collector voltage supply terminal 21
When a collector voltage is applied to 5, the base of the transistor 210 presents a capacitive negative impedance. Therefore, an oscillator is configured by connecting the transmission line 202 to the base terminal 211. Here, the base terminal 2 of the transistor 210
The input impedance looking at the output load side from 11 is described in the literature (K.
Kamogawa, K. Nishikawa, C. Yamaguchi, M. Hirano, I.
Toyoda, and T. Tokumitsu, “Wide-Tuning Range Si B
ipolar VCO's Based on Three-Dimensional MMIC Techn
ology, ”IEEE Transactions on Microwave Theory and
Techniques, vol.45, no.12, pp.2436-2443, December
From 1997), it is expressed by the following equation.

【0006】[0006]

【数1】 (Equation 1)

【0007】なお、gbeはベース・エミッタ間コンダク
タンス(ベース・エミッタ間抵抗Rbeの逆数)、Cbcはべー
ス・コレクタ間容量、Rbはべース抵抗、gmは相互コンダ
クタンスであり、ZL(=RL+jXL)はコレクタに接続される
負荷インピーダンスである。上式から、トランジスタ21
0のベース・エミッタ間抵抗Rbeが変化すると、ベースは
可変容量性の負性インピーダンスとなり、これより発振
周波数が変化し、電圧制御発振器が構成される。トラン
ジスタ210のベース・エミッタ間抵抗Rbeはべース端子21
1とエミッタ端子213間の電圧に依存したべース電流によ
り制御できる。ベース電流を制御する方法としては、ベ
ース電圧制御端子214とエミッタ電圧制御端子216から供
給される電圧を同時に制御する場合と、どちらか一方を
固定にし、他方を制御する方法がある。
Note that g be is the conductance between the base and the emitter (the reciprocal of the resistance R be between the base and the emitter), C bc is the capacitance between the base and the collector, R b is the base resistance, and g m is the mutual conductance. Yes, Z L (= R L + jX L ) is the load impedance connected to the collector. From the above formula, transistor 21
0 base when emitter resistor R BE is changed, the base is negative impedance of the variable capacitive, than this oscillation frequency is changed, the voltage controlled oscillator is constituted. Between the base and emitter of the transistor 210 resistance R be Habe over the pin w 21
It can be controlled by a base current depending on the voltage between 1 and the emitter terminal 213. As a method of controlling the base current, there are a method of controlling the voltages supplied from the base voltage control terminal 214 and the emitter voltage control terminal 216 simultaneously, and a method of fixing one of them and controlling the other.

【0008】以上のように、第2の従来の電圧制御発振
器では、制御電圧によりベース電流を制御することによ
り大きな比で容量性リアクタンスを変えることができる
ため、バラクタを用いたものに比べて非常に広い周波数
チューニングが可能となる。また、トランジスタ1つか
ら電圧制御発振器が構成されているため、構成が簡易で
経済的であるとともに、モノリシック化した場合、従来
の2倍以上の歩留り向上が可能となる。また、電圧制御
発振器の位相雑音は発振素子の1/f雑音が発振素子や
可変リアクタンス素子(従来ではバラクタダイオード等)
の非線形性によるミキシング効果で発振周波数近傍にア
ップコンバージョンされることにより発生しているが、
本回路は発振素子のトランジスタ内のバリスタ特性によ
り可変インダクタンスを実現しており、従来のものに比
べて発振素子以外の非線形要因を取り除くことができる
ため低位相雑音な発振器が実現できる。また、一般にト
ランジスタのベース電流はべース・エミッタ間電圧に対
して指数関数的に増加するため発振周波数が急峻に変化
するが、抵抗208を挿入することにより、抵抗208に流れ
る電流による電圧降下を利用してベース端子に印加する
電圧を緩やかに変化させることが可能となるため、制御
性に優れた電圧制御発振器を実現できる。
As described above, in the second conventional voltage controlled oscillator, since the capacitive reactance can be changed at a large ratio by controlling the base current with the control voltage, the voltage controlled oscillator is very different from the one using a varactor. Wide frequency tuning is possible. Further, since the voltage-controlled oscillator is constituted by one transistor, the structure is simple and economical, and when monolithic, the yield can be improved more than twice as much as the conventional one. In addition, the phase noise of the voltage controlled oscillator is 1 / f noise of the oscillation element, and the oscillation element and the variable reactance element
Is caused by up-conversion near the oscillation frequency due to the mixing effect due to the nonlinearity of
This circuit realizes a variable inductance by the varistor characteristic in the transistor of the oscillation element, and can remove a non-linear factor other than the oscillation element as compared with the conventional circuit, so that an oscillator with low phase noise can be realized. In general, the oscillation frequency changes sharply because the base current of a transistor increases exponentially with respect to the base-emitter voltage, but the insertion of the resistor 208 causes a voltage drop due to the current flowing through the resistor 208. It is possible to gradually change the voltage applied to the base terminal by utilizing the above, so that a voltage-controlled oscillator having excellent controllability can be realized.

【0009】しかし、トランジスタのベース・コレクタ
間容量は外部温度に対して変化するため、従来の電圧制
御発振器では、温度変化に対する発振周波数の不安定性
が問題となっていた。
However, since the base-collector capacitance of the transistor changes with respect to the external temperature, in the conventional voltage controlled oscillator, the instability of the oscillation frequency with respect to the temperature change has been a problem.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
を解決し、モノリシック集積回路に適し且つ温度変化に
かかわらず広い周波数可変範囲を有する電圧制御発振器
を実現することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to realize a voltage controlled oscillator suitable for a monolithic integrated circuit and having a wide frequency variable range regardless of a temperature change.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明の特徴は、トランジスタのベースとエミッタの
間に正帰還回路を形成し、該トランジスタのベースまた
はエミッタに電位を与える制御可能な電源を少なくとも
ひとつ具備し、該トランジスタのコレクタに電位を供給
する電源を具備し、前記トランジスタのベースとベース
電位を制御する電源供給端子の間に抵抗を接続し、前記
トランジスタのエミッタとエミッタに電位を与える電源
供給端子の間がインダクタ及び伝送線路の少なくとも一
方を用いて接続され、前記トランジスタの発振出力をと
り出す出力端子がもうけられ、前記トランジスタのベー
スとコレクタの間にキャパシタが接続される電圧制御発
振器にある。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, a feature of the present invention is to form a positive feedback circuit between a base and an emitter of a transistor, and to control the potential of the base or the emitter of the transistor. A power supply for supplying a potential to the collector of the transistor; a resistor connected between a base of the transistor and a power supply terminal for controlling a base potential; a potential connected to the emitter and the emitter of the transistor; Are connected using at least one of an inductor and a transmission line, an output terminal for taking out an oscillation output of the transistor is provided, and a voltage at which a capacitor is connected between a base and a collector of the transistor is provided. In the controlled oscillator.

【0012】図1の実施例では、トランジスタのベース
・コレクタ間容量と並列して、ベース端子とコレクタ端
子間にキャパシタが挿入されているため、等価的に両者
の和の容量がべース・コレクタ間に接続されているよう
に見える。従って、ベース端子とコレクタ端子間に接続
するキャパシタが、トランジスタのベース・コレクタ間
容量に比べて十分大きい場合、温度変化に対するベース
・コレクタ間容量の変動を無視することができる。その
結果、温度に対する高い周波数安定性を有する電圧制御
発振器を実現できる。
In the embodiment shown in FIG. 1, a capacitor is inserted between the base terminal and the collector terminal in parallel with the base-collector capacitance of the transistor. Seems to be connected between collectors. Therefore, when the capacitor connected between the base terminal and the collector terminal is sufficiently larger than the capacitance between the base and the collector of the transistor, the change in the capacitance between the base and the collector due to the temperature change can be ignored. As a result, a voltage controlled oscillator having high frequency stability with respect to temperature can be realized.

【0013】また、図2の実施例では、出力側の負荷が
エミッタ端子にキャパシタを介して直接接続されている
ため、該出力側の負荷は負性抵抗を発生させるための負
荷として作用できる。その結果、あらかじめ上記出力側
の負荷を考慮して発振条件が決定できるため、出力側の
インピーダンス整合回路が不要となる。すなわち、図2
の実施例では、図1の実施例の効果に加えて、インピー
ダンス整合回路を除去し回路を大幅に小型化できるとと
もに、出力側の反射特性を改善できる。
In the embodiment shown in FIG. 2, since the load on the output side is directly connected to the emitter terminal via a capacitor, the load on the output side can act as a load for generating negative resistance. As a result, the oscillation condition can be determined in consideration of the load on the output side in advance, so that the impedance matching circuit on the output side becomes unnecessary. That is, FIG.
In the embodiment, in addition to the effects of the embodiment of FIG. 1, the impedance matching circuit can be eliminated to greatly reduce the size of the circuit and improve the reflection characteristics on the output side.

【0014】また、第3の実施例では、トランジスタの
エミッタがインダクタまたは伝送線路により短絡され、
エミッタの電位を常時0Vに設定できるため、エミッタ
電圧制御端子を削除でき、回路構成が簡易になる。
Further, in the third embodiment, the emitter of the transistor is short-circuited by the inductor or the transmission line,
Since the potential of the emitter can always be set to 0 V, the emitter voltage control terminal can be omitted, and the circuit configuration can be simplified.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明によ
る実施例について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0016】[第1の実施例]図1は本発明の電圧制御
発振器の第1の実施例である。
[First Embodiment] FIG. 1 shows a first embodiment of a voltage controlled oscillator according to the present invention.

【0017】図1において10は発振素子であるトランジ
スタであり、該トランジスタ10のベース端子11は抵抗8
を介して第1の制御端子となるベース電圧制御端子14に
接続されると共に、伝送線路2を介してキャパシタ3に
接続され、接地している。また、エミッタ端子13は伝送
線路4とキャパシタ5に接続され、該キャパシタ5は接
地され、上記線路4はキャパシタ7を介して接地される
とともに、インダクタ6を介して第2の制御端子となる
エミッタ電圧制御端子16に接続される。ここで、上記ト
ランジスタ10からみてベースとエミッタ間に正帰還回路
が構成されている。また、上記トランジスタ10のコレク
タ端子12は伝送線路20に接続され、上記伝送線路20はキ
ャパシタ23を介して出力端子1に接続されるとともに、
伝送線路21を介してキャパシタ22に接続され、接地して
いる。ここで、コレクタ電圧供給端子15は上記伝送線路
21とキャパシタ22の接続点に接続されている。また、上
記トランジスタ10のベース端子11とコレクタ端子12の間
はキャパシタ30を介して接続されている。上記コレクタ
電圧供給端子15にコレクタ電圧が印加されると、トラン
ジスタ10のベースは容量性の負性インピーダンスを呈す
るため、ベース端子11に伝送線路2を接続することによ
り、発振器が構成される。また、ベース電圧制御端子14
とエミッタ電圧制御端子16から供給される電圧によりト
ランジスタ10に流れるベース電流が制御できる。トラン
ジスタ10のベース・エミッタ間抵抗Rb eはべース電流に
依存するバリスタとして機能し、正帰還回路内において
等価的に可変容量として動作するため、ベースは可変容
量性の負性インピーダンスとなり、これより発振周波数
が変化し、電圧制御発振器が構成される。ベース電流を
制御する方法としては、ベース電圧制御端子14とエミッ
タ電圧制御端子16から供給される電圧を同時に制御する
場合と、どちらか一方を固定にし、他方を制御する方法
がある。
In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a transistor which is an oscillation element, and a base terminal 11 of the transistor 10 has a resistor 8
Is connected to the base voltage control terminal 14 serving as a first control terminal via the transmission line 2 and to the capacitor 3 via the transmission line 2 and is grounded. Further, the emitter terminal 13 is connected to the transmission line 4 and the capacitor 5, the capacitor 5 is grounded, and the line 4 is grounded via the capacitor 7, and becomes the second control terminal via the inductor 6. Connected to voltage control terminal 16. Here, a positive feedback circuit is formed between the base and the emitter as viewed from the transistor 10. The collector terminal 12 of the transistor 10 is connected to a transmission line 20, and the transmission line 20 is connected to the output terminal 1 via a capacitor 23.
It is connected to a capacitor 22 via a transmission line 21 and is grounded. Here, the collector voltage supply terminal 15 is connected to the transmission line
It is connected to the connection point of 21 and capacitor 22. The base terminal 11 and the collector terminal 12 of the transistor 10 are connected via a capacitor 30. When a collector voltage is applied to the collector voltage supply terminal 15, the base of the transistor 10 exhibits a capacitive negative impedance, so that the transmission line 2 is connected to the base terminal 11 to form an oscillator. Also, the base voltage control terminal 14
And the base current flowing through the transistor 10 can be controlled by the voltage supplied from the emitter voltage control terminal 16. Functions as a varistor which depends on the base-emitter resistance R b e Habe over scan current of the transistor 10, to operate equivalently as a variable capacitance in a positive feedback circuit, the base becomes negative impedance of the variable capacitive, Thus, the oscillation frequency changes, and a voltage controlled oscillator is formed. As a method of controlling the base current, there are a method of controlling the voltage supplied from the base voltage control terminal 14 and the voltage supplied from the emitter voltage control terminal 16 simultaneously, and a method of fixing one of them and controlling the other.

【0018】以上のように、本発明第1の実施例では、
トランジスタのベース・コレクタ間容量Cbcと並列し
て、ベース端子とコレクタ端子間にキャパシタ30が挿入
されているため、等価的に両者の和の容量CBCがべース
・コレクタ間に接続されているようになる。従って、ト
ランジスタ10のベース端子11から出力負荷側を見た入力
インピーダンスは以下のように表される。
As described above, in the first embodiment of the present invention,
In parallel with the base-collector capacitance C bc in a transistor and the capacitor 30 is inserted between the base and collector terminals, is equivalently connected between the capacitance of the sum of both C BC Gabe over scan collector It will be like. Therefore, the input impedance when the output load side is viewed from the base terminal 11 of the transistor 10 is expressed as follows.

【0019】[0019]

【数2】 (Equation 2)

【0020】ここで、CBC=Cbc+Cc (Cc:キャパシタ30
の容量値)である。キャパシタ30の容量値がトランジス
タのべース・コレクタ間容量Cbcに比べて十分大きい場
合、温度変化に伴ってベース・コレクタ間容量Cbcが変
動しても、容量CBCはほとんど変化しないため、式(2)
のリアクタンス成分は変化しない。従って、本発明第1
の実施例では、温度変化に対する発振周波数の変動を抑
圧することが可能となり、高い安定性を有する電圧制御
発振器を実現することができる。また、トランジスタ10
のべース・エミッタ間抵抗はキャパシタ30から影響を受
けないため、第2の従来の電圧制御発振器と同様に非常
に広い周波数チューニング範囲を実現することができ
る。また、トランジスタ1つから電圧制御発振器が構成
されているため、構成が簡易で経済的である。また、電
圧制御発振器の位相雑音は発振素子の1/f雑音が発振
素子や可変リアクタンス素子(従来ではバラクタダイオ
ード等)の非線形性によるミキシング効果で発振周波数
近傍にアップコンバージョンされることにより発生して
いるが、本発明の第1の実施例では発振素子以外にトラ
ンジスタを利用しないため、従来のものに比べて位相雑
音特性の優れた電圧制御発振器が実現できる。さらに、
1/f雑音特性に優れるバイポーラトランジスタを用い
た場合、一層の低位相雑音化が可能となる。また、一般
にトランジスタのベース電流はべース・エミッタ間電圧
に対して指数関数的に増加するため発振周波数が急峻に
変化するが、抵抗8を挿入することにより、抵抗8に流
れる電流による電圧降下を利用してベース端子に印加す
る電圧を緩やかに変化させることが可能となるため、制
御性に優れた電圧制御発振器を実現できる。なお、本発
明第1の実施例では、インダクタ6の代りに伝送線路を
用いても同様の効果を得る。また、伝送線路2と伝送線
路4の代りにインダクタを用いても同様である。
Here, C BC = C bc + C c (C c : capacitor 30
Capacity value). The capacitance value of the capacitor 30 is sufficiently larger than the to database collector capacity C bc transistor, the capacitance C bc between the base and the collector with the temperature change be varied, the capacitance C BC scarcely changes , Equation (2)
Does not change. Therefore, the first aspect of the present invention
In this embodiment, it is possible to suppress the fluctuation of the oscillation frequency due to the temperature change, and it is possible to realize a voltage control oscillator having high stability. Also, transistor 10
Since the base-emitter resistance is not affected by the capacitor 30, a very wide frequency tuning range can be realized similarly to the second conventional voltage controlled oscillator. Further, since the voltage-controlled oscillator is constituted by one transistor, the structure is simple and economical. Also, the phase noise of the voltage controlled oscillator is generated by the up-conversion of the 1 / f noise of the oscillation element to the vicinity of the oscillation frequency due to the mixing effect due to the nonlinearity of the oscillation element or the variable reactance element (conventionally, a varactor diode, etc.) However, in the first embodiment of the present invention, since no transistor is used other than the oscillation element, a voltage controlled oscillator having better phase noise characteristics than the conventional one can be realized. further,
When a bipolar transistor having excellent 1 / f noise characteristics is used, the phase noise can be further reduced. In general, the oscillation frequency changes sharply because the base current of the transistor increases exponentially with respect to the base-emitter voltage. However, when the resistor 8 is inserted, the voltage drop due to the current flowing through the resistor 8 is reduced. It is possible to gradually change the voltage applied to the base terminal by utilizing the above, so that a voltage-controlled oscillator having excellent controllability can be realized. In the first embodiment of the present invention, the same effect can be obtained by using a transmission line instead of the inductor 6. The same applies to the case where an inductor is used instead of the transmission line 2 and the transmission line 4.

【0021】[第2の実施例]図2は本発明の電圧制御
発振器の第2の実施例である。図2において図1と同一
のものについては同一の符号を付している。
[Second Embodiment] FIG. 2 shows a second embodiment of the voltage-controlled oscillator according to the present invention. 2, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

【0022】図2において10は発振素子であるトランジ
スタであり、該トランジスタ10のベース端子11は抵抗8
を介して第1の制御端子となるベース電圧制御端子14に
接続されると共に、伝送線路2を介してキャパシタ3に
接続され、接地している。また、エミッタ端子13は伝送
線路4とキャパシタ5に接続され、該キャパシタ5は接
地され、上記線路4はキャパシタ7を介して接地される
とともに、インダクタ6を介して第2の制御端子となる
エミッタ電圧制御端子16に接続される。さらに、上記エ
ミッタ端子13はキャパシタ9を通じて出力端子1に接続
される。ここで、上記トランジスタ10からみてベースと
エミッタ間に正帰還回路が構成されている。また、上記
トランジスタ10のコレクタ端子12はインダクタ24を介し
てコレクタ電圧供給端子15に接続されるとともに、キャ
パシタ25と接続し、該キャパシタ25は接地される。ま
た、上記トランジスタ10のベース端子11とコレクタ端子
12の間はキャパシタ30を介して接続されている。上記コ
レクタ電圧供給端子15にコレクタ電圧が印加されると、
トランジスタ10のベースは容量性の負性インピーダンス
を呈するため、ベース端子11に伝送線路2を接続するこ
とにより、発振器が構成される。また、ベース電圧制御
端子14とエミッタ電圧制御端子16から供給される電圧に
よりトランジスタ10に流れるベース電流が制御できる。
トランジスタ10のベース・エミッタ間抵抗Rbeはべース
電流に依存するバリスタとして機能し、正帰還回路内に
おいて等価的に可変容量として動作するため、ベースは
可変容量性の負性インピーダンスとなり、これより発振
周波数が変化し、電圧制御発振器が構成される。ベース
電流を制御する方法としては、ベース電圧制御端子14と
エミッタ電圧制御端子16から供給される電圧を同時に制
御する場合と、どちらか一方を固定にし、他方を制御す
る方法がある。
In FIG. 2, reference numeral 10 denotes a transistor which is an oscillation element, and a base terminal 11 of the transistor 10 has a resistor 8
Is connected to the base voltage control terminal 14 serving as a first control terminal via the transmission line 2 and to the capacitor 3 via the transmission line 2 and is grounded. Further, the emitter terminal 13 is connected to the transmission line 4 and the capacitor 5, the capacitor 5 is grounded, and the line 4 is grounded via the capacitor 7, and becomes the second control terminal via the inductor 6. Connected to voltage control terminal 16. Further, the emitter terminal 13 is connected to the output terminal 1 through the capacitor 9. Here, a positive feedback circuit is formed between the base and the emitter as viewed from the transistor 10. Further, the collector terminal 12 of the transistor 10 is connected to a collector voltage supply terminal 15 via an inductor 24, and is also connected to a capacitor 25, which is grounded. Also, the base terminal 11 and the collector terminal of the transistor 10
12 are connected via a capacitor 30. When a collector voltage is applied to the collector voltage supply terminal 15,
Since the base of the transistor 10 exhibits a capacitive negative impedance, an oscillator is configured by connecting the transmission line 2 to the base terminal 11. Further, the base current flowing through the transistor 10 can be controlled by the voltages supplied from the base voltage control terminal 14 and the emitter voltage control terminal 16.
Functions as a varistor which depends on the base-emitter resistance R BE Habe over scan current of the transistor 10, to operate equivalently as a variable capacitance in a positive feedback circuit, the base becomes negative impedance of the variable capacitive, this The oscillation frequency further changes, and a voltage controlled oscillator is formed. As a method of controlling the base current, there are a method of controlling the voltage supplied from the base voltage control terminal 14 and the voltage supplied from the emitter voltage control terminal 16 simultaneously, and a method of fixing one of them and controlling the other.

【0023】以上の第2の実施例によれば、本発明の第
1の実施例と同様の効果を得る。また、出力端子1の負
荷(例えば50[Ω])はエミッタ端子13にキャパシタ9を
介して直接接続されているため、該出力端子1の負荷は
負性抵抗を発生させるための負荷として回路設計に組み
込むことができる。そのため、あらかじめ上記出力側の
負荷を考慮して発振条件が決定できるため、上記出力端
子1の負荷からの反射係数を改善でき、出力側のインピ
ーダンス整合回路が不要となる。また、インピーダンス
整合回路を削除できるため、回路の大幅な小型化が可能
となる。エミッタ端子13とキャパシタ9の間にインダク
タ、伝送線路やキャパシタ等で構成される無損失回路が
挿入されている場合においても、同様の効果を有する。
According to the above-described second embodiment, the same effects as in the first embodiment of the present invention can be obtained. Further, since the load of the output terminal 1 (for example, 50 [Ω]) is directly connected to the emitter terminal 13 via the capacitor 9, the load of the output terminal 1 is designed as a load for generating a negative resistance. Can be incorporated into Therefore, since the oscillation condition can be determined in consideration of the load on the output side in advance, the reflection coefficient from the load on the output terminal 1 can be improved, and the impedance matching circuit on the output side becomes unnecessary. Further, since the impedance matching circuit can be omitted, the circuit can be significantly reduced in size. The same effect is obtained even when a lossless circuit including an inductor, a transmission line, a capacitor, and the like is inserted between the emitter terminal 13 and the capacitor 9.

【0024】[第3の実施例]図3は本発明の電圧制御
発振器の第3の実施例である。図3において図1と同一
のものについては同一の符号を付している。
Third Embodiment FIG. 3 shows a third embodiment of the voltage controlled oscillator according to the present invention. 3, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

【0025】図3において10は発振素子であるトランジ
スタであり、該トランジスタ10のベース端子11は抵抗8
を介して第1の制御端子となるベース電圧制御端子14に
接続されると共に、伝送線路2を介してキャパシタ3に
接続され、該キャパシタ3は接地される。また、エミッ
タ端子13は伝送線路4とキャパシタ5に接続され、該伝
送線路4とキャパシタ5はともに接地され、上記トラン
ジスタ10からみてベースとエミッタ間に正帰還回路が構
成されている。さらに、上記トランジスタ10のコレクタ
端子12は伝送線路20に接続され、上記伝送線路20はキャ
パシタ23を介して出力端子1に接続されるとともに、伝
送線路21を介してキャパシタ22に接続され、接地してい
る。ここで、コレクタ電圧供給端子15は上記伝送線路21
とキャパシタ22の接続点に接続されている。また、上記
トランジスタ10のべース端子11とコレクタ端子12の間は
キャパシタ30を介して接続されている。上記コレクタ電
圧供給端子15にコレクタ電圧が印加されると、トランジ
スタ10のベースは容量性の負性インピーダンスを呈する
ため、ベース端子11に伝送線路2を接続することによ
り、発振器が構成される。また、ベース電圧制御端子14
から供給される電圧によりトランジスタ10に流れるべー
ス電流が制御できる。トランジスタ10のベース・エミッ
タ間抵抗Rbeはべース電流に依存するバリスタとして機
能し、正帰還回路内において等価的に可変容量として動
作するため、ベースは可変容量性の負性インピーダンス
となり、これより発振周波数が変化し、電圧制御発振器
が構成される。
In FIG. 3, reference numeral 10 denotes a transistor which is an oscillation element, and a base terminal 11 of the transistor 10 has a resistor 8
Is connected to a base voltage control terminal 14 serving as a first control terminal, and is connected to a capacitor 3 via a transmission line 2, and the capacitor 3 is grounded. The emitter terminal 13 is connected to the transmission line 4 and the capacitor 5. The transmission line 4 and the capacitor 5 are both grounded, and a positive feedback circuit is formed between the base and the emitter as viewed from the transistor 10. Further, the collector terminal 12 of the transistor 10 is connected to the transmission line 20, and the transmission line 20 is connected to the output terminal 1 via the capacitor 23, and is connected to the capacitor 22 via the transmission line 21, and is grounded. ing. Here, the collector voltage supply terminal 15 is connected to the transmission line 21.
And the connection point of the capacitor 22. The base terminal 11 and the collector terminal 12 of the transistor 10 are connected via a capacitor 30. When a collector voltage is applied to the collector voltage supply terminal 15, the base of the transistor 10 exhibits a capacitive negative impedance, so that the transmission line 2 is connected to the base terminal 11 to form an oscillator. Also, the base voltage control terminal 14
The base current flowing through the transistor 10 can be controlled by the voltage supplied from the transistor. Functions as a varistor which depends on the base-emitter resistance R BE Habe over scan current of the transistor 10, to operate equivalently as a variable capacitance in a positive feedback circuit, the base becomes negative impedance of the variable capacitive, this The oscillation frequency further changes, and a voltage controlled oscillator is formed.

【0026】以上の第3の実施例によれば、本発明の第
1の実施例と同様の効果を得るとともに、トランジスタ
10のエミッタは伝送線路4により直流的に短絡され、エ
ミッタの電位が一義的に0Vに設定できるため、エミッ
タ電圧制御端子を削除できる。従って、回路構成の簡易
な電圧制御発振器が実現できる。
According to the third embodiment, the same effects as those of the first embodiment of the present invention can be obtained,
The ten emitters are short-circuited in a DC manner by the transmission line 4 and the potential of the emitter can be uniquely set to 0 V, so that the emitter voltage control terminal can be omitted. Therefore, a voltage controlled oscillator having a simple circuit configuration can be realized.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上のとおり、本発明によると、トラン
ジスタのベース・コレクタ間容量の外部温度による変化
にかかわらず安定に動作する電圧制御発振器が提供され
る。
As described above, according to the present invention, there is provided a voltage controlled oscillator that operates stably irrespective of a change in the base-collector capacitance of a transistor due to an external temperature.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例である電圧制御発振器の
回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of a voltage controlled oscillator according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例である電圧制御発振器の
回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of a voltage controlled oscillator according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施例である電圧制御発振器の
回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram of a voltage controlled oscillator according to a third embodiment of the present invention.

【図4】第1の従来の電圧制御発振器の回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of a first conventional voltage controlled oscillator.

【図5】第2の従来の電圧制御発振器の回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram of a second conventional voltage controlled oscillator.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 出力端子 2、4、20、21 伝送線路 3、5、7、9、23、25、30 キャパシタ 6、24 インダクタ 8 抵抗 10 トランジスタ 11 ベース端子 12 コレクタ端子 13 エミッタ端子 14 ベース電圧制御端子 15 コレクタ電圧制御端子 16 エミッタ電圧制御端子 100 出力端子 110 FET 111 ゲート端子 112 ドレイン端子 113 ソース端子 114 制御電圧入力端子 115 ドレイン電圧供給端子 120、121、122、123、124 インダクタ 130、131、132、133 キャパシタ 140、141、208 抵抗 150 バラクタダイオード 151、152 端子 200 出力端子 202、204、220、221 伝送線路 203、205、207、209、223、225、230 キャパシタ 206、224 インダクタ 210 トランジスタ 211 ベース端子 212 コレクタ端子 213 エミッタ端子 214 ベース電圧制御端子 215 コレクタ電圧制御端子 216 コレクタ電圧制御端子 1 Output terminal 2, 4, 20, 21 Transmission line 3, 5, 7, 9, 23, 25, 30 Capacitor 6, 24 Inductor 8 Resistance 10 Transistor 11 Base terminal 12 Collector terminal 13 Emitter terminal 14 Base voltage control terminal 15 Collector Voltage control terminal 16 Emitter voltage control terminal 100 Output terminal 110 FET 111 Gate terminal 112 Drain terminal 113 Source terminal 114 Control voltage input terminal 115 Drain voltage supply terminal 120, 121, 122, 123, 124 Inductor 130, 131, 132, 133 Capacitor 140, 141, 208 Resistance 150 Varactor diode 151, 152 Terminal 200 Output terminal 202, 204, 220, 221 Transmission line 203, 205, 207, 209, 223, 225, 230 Capacitor 206, 224 Inductor 210 Transistor 211 Base terminal 212 Collector Terminal 213 Emitter terminal 214 Base voltage control terminal 215 Collector voltage control terminal 216 Collector voltage control terminal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中川 匡夫 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 Fターム(参考) 5J081 AA02 AA11 BB01 BB06 BB10 CC07 CC17 CC30 DD03 DD24 DD29 EE02 EE03 EE09 GG02 KK02 KK08 KK22 LL02 MM02 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Masao Nakagawa 3-19-2 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo F-term in Nippon Telegraph and Telephone Corporation (reference) 5J081 AA02 AA11 BB01 BB06 BB10 CC07 CC17 CC30 DD03 DD24 DD29 EE02 EE03 EE09 GG02 KK02 KK08 KK22 LL02 MM02

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 トランジスタのベースとエミッタの間に
正帰還回路を形成し、 該トランジスタのベースまたはエミッタに電位を与える
制御可能な電源を少なくともひとつ具備し、 該トランジスタのコレクタに電位を供給する電源を具備
し、 前記トランジスタのベースとベース電位を制御する電源
供給端子の間に抵抗を接続し、 前記トランジスタのエミッタとエミッタに電位を与える
電源供給端子の間がインダクタ及び伝送線路の少なくと
も一方を用いて接続され、 前記トランジスタの発振出力をとり出す出力端子がもう
けられる電圧制御発振器において、 前記トランジスタのベースとコレクタの間にキャパシタ
が接続されることを特徴とする電圧制御発振器。
1. A power supply for forming a positive feedback circuit between a base and an emitter of a transistor, comprising at least one controllable power supply for applying a potential to the base or the emitter of the transistor, and supplying a potential to a collector of the transistor. A resistor is connected between a base of the transistor and a power supply terminal for controlling a base potential, and at least one of an inductor and a transmission line is used between an emitter of the transistor and a power supply terminal for applying a potential to the emitter. A voltage controlled oscillator having an output terminal for taking out an oscillation output of the transistor, wherein a capacitor is connected between a base and a collector of the transistor.
【請求項2】 前記トランジスタのエミッタがインダク
タ及び伝送線路の少なくとも一方を介して接地される請
求項1記載の電圧制御発振器。
2. The voltage controlled oscillator according to claim 1, wherein an emitter of said transistor is grounded via at least one of an inductor and a transmission line.
【請求項3】 前記出力端子がインピーダンス整合回路
を介して前記トランジスタのコレクタに接続される請求
項1又は2に記載の電圧制御発振器。
3. The voltage controlled oscillator according to claim 1, wherein the output terminal is connected to a collector of the transistor via an impedance matching circuit.
【請求項4】 前記出力端子がキャパシタを介して前記
トランジスタのエミッタに接続される請求項1又は2に
記載の電圧制御発振器。
4. The voltage controlled oscillator according to claim 1, wherein said output terminal is connected to an emitter of said transistor via a capacitor.
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