JP2001267406A - Method and device for cleaning electrostatic attraction electrode - Google Patents
Method and device for cleaning electrostatic attraction electrodeInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、静電吸着電極の
クリーニング方法および装置に関し、特に、プラズマ処
理されるウエハを静電吸着力により支持する静電吸着電
極のクリーニング方法および装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for cleaning an electrostatic chucking electrode, and more particularly to a method and an apparatus for cleaning an electrostatic chucking electrode which supports a wafer to be plasma-processed by an electrostatic chucking force. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】図７は、従来のプラズマ処理装置の一例
としての有磁場マイクロ波エッチング装置の一部断面を
示す説明図である。図７において、放電管２内に導入し
たプロセスガス３を、マイクロ波４による電界とソレノ
イドコイル５の磁界との相互作用によりプラズマ化し、
放電管２内にプラズマ６が形成される。絶縁物８を介し
てチャンバ７内に絶縁して設けられた下部電極上には、
電極１３に絶縁膜１４をろう材１５により接合して構成
した静電吸着電極１６が固定されている。下部電極に
は、スイッチ１０を介して高周波電源１１と、ローパス
フィルタ１７を介して直流電源１９とが接続されてい
る。2. Description of the Related Art FIG. 7 is an explanatory view showing a partial cross section of a magnetic field microwave etching apparatus as an example of a conventional plasma processing apparatus. In FIG. 7, the process gas 3 introduced into the discharge tube 2 is turned into plasma by the interaction between the electric field of the microwave 4 and the magnetic field of the solenoid coil 5,
Plasma 6 is formed in discharge tube 2. On the lower electrode provided insulated in the chamber 7 via the insulator 8,
An electrostatic attraction electrode 16 formed by bonding an insulating film 14 to the electrode 13 with a brazing material 15 is fixed. The lower electrode is connected to a high-frequency power supply 11 via a switch 10 and a DC power supply 19 via a low-pass filter 17.
【０００３】直流電源１９から静電吸着電極１６の電極
１３に、数百Ｖの電圧を印加することにより、ウエハ１
が静電吸着電極１６に吸着され支持されている。その
後、下部電極にスイッチ１０をオンして高周波電源１１
により高周波を印加し、プラズマ中のイオンエネルギー
を制御しながら該イオンをウエハ１に入射させてプラズ
マエッチング処理が行われる。また、ウエハ１が静電吸
着電極１６に支持されている状態で、マスフローコント
ローラ２６を開いてＨｅガス２７をウエハ１裏面に導入
することによりウエハ１が冷却され、また、サーキュレ
ータ２８により冷媒２９を循環することにより、下部電
極が温調されている。A voltage of several hundred volts is applied from a DC power supply 19 to the electrode 13 of the electrostatic chucking electrode 16 so that
Is attracted to and supported by the electrostatic attraction electrode 16. Then, the switch 10 is turned on to the lower electrode, and the high-frequency power supply 11
A high frequency is applied, and the ions are incident on the wafer 1 while controlling the ion energy in the plasma to perform the plasma etching process. While the wafer 1 is supported by the electrostatic chucking electrode 16, the mass flow controller 26 is opened to introduce the He gas 27 to the back surface of the wafer 1, thereby cooling the wafer 1. By circulating, the temperature of the lower electrode is adjusted.
【０００４】以上の様に構成された装置において、プラ
ズマエッチング処理を重ねるに従い、該処理中の反応生
成物がチャンバ７内の静電吸着電極１６の絶縁膜１４上
に付着する。このため、静電吸着電極１６上へのウエハ
１の配置を行わずに、反応生成物の除去が可能なガスプ
ラズマを放電管２内に形成し、プラズマクリーニングを
実施する。その後、スイッチ２５を介して抵抗計２４に
より静電吸着電極１６に直流電圧を印加し、絶縁膜１４
の抵抗を逐次検出する。このとき、絶縁膜１４の抵抗は
プラズマクリーニングの進行にともない低下し、検出し
た抵抗値と予め設定していた設定値とが一致した時点
で、プラズマクリーニングを終了している。In the apparatus configured as described above, as the plasma etching process is repeated, the reaction product during the process adheres to the insulating film 14 of the electrostatic attraction electrode 16 in the chamber 7. For this reason, without disposing the wafer 1 on the electrostatic attraction electrode 16, a gas plasma capable of removing a reaction product is formed in the discharge tube 2, and plasma cleaning is performed. Thereafter, a DC voltage is applied to the electrostatic attraction electrode 16 by the resistance meter 24 through the switch 25, and the insulating film 14
Are sequentially detected. At this time, the resistance of the insulating film 14 decreases with the progress of the plasma cleaning, and when the detected resistance value matches a preset value, the plasma cleaning is completed.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来の静電吸着電極の
クリーニング方法および装置においては、静電吸着電極
１６の吸着面上における反応生成物の分布が面内で不均
一な場合、該反応生成物を完全に除去しようとすると、
長時間のプラズマクリーニングを必要とし、反応生成物
の堆積が少ない部分では過剰なプラズマクリーニングを
施して、静電吸着電極１６の吸着面の絶縁膜１４にダメ
ージを与えてしまうという問題点があった。このため、
絶縁膜１４が削れてしまい、吸着性能が低化し、静電吸
着電極１６の寿命を縮めてしまう場合があった。In the conventional electrostatic attraction electrode cleaning method and apparatus, when the distribution of the reaction product on the attraction surface of the electrostatic attraction electrode 16 is not uniform in the surface, the reaction product is generated. If you try to remove things completely,
There is a problem that plasma cleaning for a long time is required, and excessive plasma cleaning is performed in a portion where the deposition of a reaction product is small, thereby damaging the insulating film 14 on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode 16. . For this reason,
In some cases, the insulating film 14 is scraped, the adsorption performance is reduced, and the life of the electrostatic adsorption electrode 16 is shortened.
【０００６】また、静電吸着電極１６にダメージを与え
ないようにするためにクリーニング時間を短くすると、
吸着面上に除去できない反応生成物が残るという問題点
があった。このため、静電吸着電極１６の吸着性能、特
に残留吸着性能に影響を与え、ウエハ１を離脱しにくく
なる場合があった。When the cleaning time is shortened in order not to damage the electrostatic attraction electrode 16,
There is a problem that a reaction product that cannot be removed remains on the adsorption surface. For this reason, the suction performance of the electrostatic suction electrode 16, particularly the residual suction performance, is affected, and the wafer 1 may not be easily detached.
【０００７】この発明は、上述のような課題を解決する
為になされたものであり、静電吸着電極の吸着面上の反
応生成物を、絶縁膜にダメージを与えることなしに除去
できる静電吸着電極のクリーニング方法および装置を提
供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problem, and has been made in view of the above-mentioned circumstances, and is capable of removing a reaction product on an adsorption surface of an electrostatic adsorption electrode without damaging an insulating film. An object of the present invention is to provide a method and an apparatus for cleaning a suction electrode.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】この発明の第１の局面に
おける静電吸着電極のクリーニング方法は、マイクロ波
による電界とソレノイドコイルの磁界との相互作用でプ
ロセスガスをプラズマ化し、このプラズマ中のイオンエ
ネルギーを制御しながら行うプラズマエッチングにより
処理されるウエハを、絶縁膜との間に発生させた静電吸
着力により支持する静電吸着電極のクリーニング方法で
あって、プラズマエッチング処理中に発生し、静電吸着
電極に付着した反応生成物の堆積量分布と、クリーニン
グ用のプロセスガスのプラズマにより反応生成物を除去
するときの除去速度分布とが相殺されるようにして反応
生成物を除去するものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for cleaning an electrostatic attraction electrode, wherein a process gas is turned into a plasma by an interaction between an electric field generated by a microwave and a magnetic field of a solenoid coil. A method of cleaning an electrostatic attraction electrode that supports a wafer to be processed by plasma etching performed while controlling ion energy by an electrostatic attraction force generated between the insulating film and the wafer. The reaction product is removed such that the distribution of the amount of the reaction product deposited on the electrostatic adsorption electrode and the removal rate distribution when the reaction product is removed by the plasma of the cleaning process gas are offset. Things.
【０００９】また、静電吸着電極に付着した反応生成物
を除去する除去速度分布を、静電吸着電極の外周部に付
着した反応生成物が静電吸着電極の中央部に付着した反
応生成物より早く除去されるものである。The removal rate distribution for removing the reaction product attached to the electrostatic attraction electrode is shown by the reaction product attached to the outer periphery of the electrostatic attraction electrode and the reaction product attached to the center of the electrostatic attraction electrode. It will be removed sooner.
【００１０】また、ソレノイドコイルが少なくとも３段
に分かれて設けられ、各段のソレノイドコイルの励磁電
流を制御して、静電吸着電極に付着した反応生成物を除
去する除去速度分布を変えるものである。In addition, a solenoid coil is provided in at least three stages, and the exciting current of each stage of the solenoid coil is controlled to change a removal rate distribution for removing a reaction product attached to the electrostatic attraction electrode. is there.
【００１１】また、クリーニング用のプロセスガスの流
量を増加して静電吸着電極の中心部から外周部に向かう
クリーニング用のプロセスガスの流れを増大させ、静電
吸着電極の外周部の除去速度を上記静電吸着電極の中心
部より速くするものである。Further, the flow rate of the cleaning process gas is increased by increasing the flow rate of the cleaning process gas from the central portion to the outer peripheral portion of the electrostatic attraction electrode, and the removal rate of the outer peripheral portion of the electrostatic attraction electrode is increased. The speed is made faster than the central portion of the electrostatic chucking electrode.
【００１２】また、クリーニング用のプロセスガスの圧
力を高くして静電吸着電極の中心部におけるプロセスガ
スの流れを抑制し、静電吸着電極の外周部の除去速度を
静電吸着電極の中心部より速くするものである。Further, the pressure of the process gas for cleaning is increased to suppress the flow of the process gas in the central portion of the electrostatic chucking electrode, and the removal speed of the outer peripheral portion of the electrostatic chucking electrode is reduced. It is faster.
【００１３】また、外側のプロセスガス導入孔と内側の
プロセスガス導入孔とが同心状に配設されており、プロ
セスガスの導入は外側のプロセスガス導入口のみで行
い、静電吸着電極の外周部の除去速度を静電吸着電極の
中心部より速くするものである。The outer process gas inlet and the inner process gas inlet are arranged concentrically, and the process gas is introduced only through the outer process gas inlet. The removal speed of the portion is made faster than the central portion of the electrostatic chucking electrode.
【００１４】また、外側のリングヒータと内側のリング
ヒータとが静電吸着電極の内部に同心状に埋め込まれて
おり、外側のリングヒータに電力を供給して昇温し、静
電吸着電極の外周部の除去速度を静電吸着電極の中心部
より速くするものである。Further, an outer ring heater and an inner ring heater are concentrically embedded in the electrostatic attraction electrode, and the power is supplied to the outer ring heater to increase the temperature, thereby increasing the temperature of the electrostatic attraction electrode. The removal speed of the outer peripheral portion is made faster than that of the central portion of the electrostatic chucking electrode.
【００１５】また、外側の流路と内側の流路とが静電吸
着電極の内部に同心状に設けられており、内側の流路の
みに冷媒を供給して静電吸着電極の中心部の温度を外周
部の温度に比して下げ、静電吸着電極の外周部の除去速
度を静電吸着電極の中心部より速くするものである。The outer flow path and the inner flow path are provided concentrically inside the electrostatic attraction electrode, and the coolant is supplied only to the inner flow path to form a central portion of the electrostatic attraction electrode. The temperature is lowered compared to the temperature of the outer peripheral portion, and the removal speed of the outer peripheral portion of the electrostatic attraction electrode is made faster than that of the central portion of the electrostatic attraction electrode.
【００１６】この発明の第２の局面における静電吸着電
極のクリーニング装置は、マイクロ波による電界とソレ
ノイドコイルの磁界との相互作用でプロセスガスをプラ
ズマ化し、このプラズマ中のイオンエネルギーを制御し
ながら行うプラズマエッチングにより処理されるウエハ
を、絶縁膜との間に発生させた静電吸着力により支持す
る静電吸着電極のクリーニング装置であって、静電吸着
電極の上方に設けられ、チャンバとマイクロ波を導入す
るマイクロ波導入窓とにより構成されるエッチング室
と、静電吸着電極の上方でチャンバに設けられ、プロセ
スガスをエッチング室に導入するプロセスガス導入孔
と、エッチング室を取り囲むように少なくとも３段に分
かれて設けられたソレノイドコイルとを備えるものであ
る。The cleaning device for an electrostatic chucking electrode according to the second aspect of the present invention converts the process gas into plasma by the interaction between the electric field of the microwave and the magnetic field of the solenoid coil, and controls the ion energy in the plasma. A cleaning device for an electrostatic attraction electrode that supports a wafer to be processed by plasma etching with an electrostatic attraction force generated between the insulating film and an insulating film. An etching chamber formed by a microwave introduction window for introducing a wave; a process gas introduction hole provided in the chamber above the electrostatic chucking electrode, for introducing a process gas into the etching chamber; And a solenoid coil provided in three stages.
【００１７】また、マイクロ波による電界とソレノイド
コイルの磁界との相互作用でプロセスガスをプラズマ化
し、このプラズマ中のイオンエネルギーを制御しながら
行うプラズマエッチングにより処理されるウエハを、絶
縁膜との間に発生させた静電吸着力により支持する静電
吸着電極のクリーニング装置であって、静電吸着電極の
上方に設けられ、チャンバとマイクロ波を導入するマイ
クロ波導入窓とにより構成されるエッチング室と、静電
吸着電極の上方でチャンバに同心状に配設され、プロセ
スガスをエッチング室に導入する外側のプロセスガス導
入孔および内側のプロセスガス導入孔と、エッチング室
を取り囲むように少なくとも３段に分かれて設けられた
ソレノイドコイルとを備えるものである。Further, the process gas is turned into plasma by the interaction between the electric field of the microwave and the magnetic field of the solenoid coil, and the wafer processed by the plasma etching performed while controlling the ion energy in the plasma is placed between the wafer and the insulating film. A cleaning device for an electrostatic attraction electrode supported by an electrostatic attraction force generated in an etching chamber, the etching chamber being provided above the electrostatic attraction electrode, and configured by a chamber and a microwave introduction window for introducing microwaves. An outer process gas introduction hole and an inner process gas introduction hole, which are arranged concentrically in the chamber above the electrostatic chucking electrode and introduce a process gas into the etching chamber, and at least three steps surrounding the etching chamber. And a solenoid coil provided separately.
【００１８】また、静電吸着電極の内部に同心状に埋め
込まれ、外側のリングヒータおよび内側のリングヒータ
を備えるものである。[0018] Further, it is provided with an outer ring heater and an inner ring heater embedded concentrically inside the electrostatic attraction electrode.
【００１９】また、静電吸着電極の内部に同心状に設け
られ、冷媒を供給する外側の流路および内側の流路を備
えるものである。[0019] Further, it is provided concentrically inside the electrostatic attraction electrode and has an outer flow path and an inner flow path for supplying a coolant.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、この発明
の実施の形態１である静電吸着電極のクリーニング方法
および装置を説明するに際し、一例として、プラズマ処
理装置としての有磁場マイクロ波エッチング装置の一部
断面を示す説明図である。図２は、図１のクリーニング
方法を示す説明図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 FIG. 1 is an explanatory view showing a partial cross section of a magnetic field microwave etching apparatus as a plasma processing apparatus as an example when describing a method and apparatus for cleaning an electrostatic chucking electrode according to a first embodiment of the present invention. is there. FIG. 2 is an explanatory diagram showing the cleaning method of FIG.
【００２１】図１において、支持台５１の上に絶縁体３
８を介して電極３３とセラミック溶射によって形成され
た絶縁膜３４とによって構成した静電吸着電極３６が固
定され、ウエハ１が絶縁膜３４との間に発生させた静電
吸着力により静電吸着電極３６に支持されている。電極
３３は、マッチングボックス２１を介して高周波電源１
１に接続されている。エッチング室１２は、チャンバ７
とマイクロ波導入窓４０とによって構成され、マイクロ
波導入窓４０からマイクロ波４を導入している。In FIG. 1, an insulator 3 is placed on a support 51.
An electrostatic attraction electrode 36 composed of an electrode 33 and an insulating film 34 formed by ceramic spraying is fixed via the electrode 8, and is electrostatically attracted by the electrostatic attraction force generated between the wafer 1 and the insulating film 34. It is supported by the electrode 36. The electrode 33 is connected to the high-frequency power source 1 via the matching box 21.
1 connected. The etching chamber 12 includes the chamber 7
And the microwave introduction window 40, and the microwave 4 is introduced from the microwave introduction window 40.
【００２２】チャンバ７には、プロセスガス導入孔４１
がプロセスガス１０の流量を制御するバルブ４５とマス
フローコントローラ４３とを介して設けられ、プロセス
ガス１０を導入している。エッチング室１２内は、真空
ポンプ（図示せず）などによって所望の圧力に保たれて
いる。ソレノイドコイル３５ａ，３５ｂ，３５ｃがエッ
チング室１２を取り囲むように３段に分かれて設けられ
ており、該ソレノイドコイルでエッチング室１２内の磁
束密度分布を制御し、この制御された磁界とマイクロ波
４による電界との相互作用でプロセスガス１０をプラズ
マ化し、また、発生するプラズマ６の高さや分布を制御
する。なお、ソレノイドコイルは４段以上に分かれて設
けられていてもよく、上記と同様の作用効果を奏する。The chamber 7 has a process gas introduction hole 41.
Are provided via a valve 45 for controlling the flow rate of the process gas 10 and the mass flow controller 43, and the process gas 10 is introduced. The inside of the etching chamber 12 is maintained at a desired pressure by a vacuum pump (not shown) or the like. Solenoid coils 35a, 35b and 35c are provided in three stages so as to surround the etching chamber 12, and the magnetic flux density distribution in the etching chamber 12 is controlled by the solenoid coils. The process gas 10 is turned into plasma by the interaction with the electric field, and the height and distribution of the generated plasma 6 are controlled. In addition, the solenoid coil may be provided in four or more stages, and have the same operation and effect as described above.
【００２３】ローパスフィルタ１７を介して直流電源１
９から静電吸着電極３６の電極３３に、数百Ｖの電圧を
印加することにより、ウエハ１が絶縁膜３４との間に発
生させた静電吸着力により静電吸着電極３６に支持され
ている。また、ウエハ１が静電吸着電極３６に支持され
ている状態で、バルブ３２を開いてＨｅガス２７をウエ
ハ１裏面に導入し、マスフローメータ２６と圧力計２０
により、圧力を１〜２ｋＰａに制御する。また、サーキ
ュレータ２８で温調された冷媒２９が、静電吸着電極３
６に設けられている流路３９を循環することにより、電
極３３が温調され、ウエハ１が冷却される。DC power supply 1 through low-pass filter 17
By applying a voltage of several hundred volts to the electrode 33 of the electrostatic attraction electrode 36 from 9, the wafer 1 is supported by the electrostatic attraction electrode 36 by the electrostatic attraction force generated between the wafer 1 and the insulating film 34. I have. Further, while the wafer 1 is supported by the electrostatic chucking electrode 36, the valve 32 is opened to introduce He gas 27 to the back surface of the wafer 1, and the mass flow meter 26 and the pressure gauge 20
To control the pressure to 1-2 kPa. The refrigerant 29 whose temperature has been adjusted by the circulator 28 is supplied to the electrostatic attraction electrode 3.
By circulating through the flow path 39 provided in 6, the temperature of the electrode 33 is adjusted, and the wafer 1 is cooled.
【００２４】静電吸着電極３６上に支持されているウエ
ハ１に対するエッチング処理は、塩素系のプロセスガス
１０が所望の圧力（数Ｐａ程度）に保たれた後、マイク
ロ波４の電界とソレノイドコイル３５ａ，３５ｂ，３５
ｃの磁界の相互作用によりプラズマ６を形成し、高周波
電源１１により高周波を印加し、プラズマ６中のイオン
エネルギーを制御しながら該イオンをウエハ１に入射さ
せることにより行われる。The etching process for the wafer 1 supported on the electrostatic chucking electrode 36 is performed by maintaining the chlorine-based process gas 10 at a desired pressure (about several Pa), and then applying the electric field of the microwave 4 and the solenoid coil. 35a, 35b, 35
The plasma 6 is formed by the interaction of the magnetic field c, a high frequency is applied by the high frequency power supply 11, and the ions are incident on the wafer 1 while controlling the ion energy in the plasma 6.
【００２５】ウエハ１のエッチング処理終了後、ウエハ
１離脱のための逆バイアスなどの作業の後、静電吸着電
極３６に供給している直流電圧をＯＦＦにし、マスフロ
ーコントローラ２６直後のバルブ３２を閉じ、ウエハ１
裏面にＨｅガス２７を封止する。その間、エッチング室
１２内には塩素系ガスもしくはアルゴンなどの不活性ガ
スのプラズマ６でウエハ１もしくは絶縁膜３４に蓄積さ
れた電荷を逃がし、吸着力を低減させる。そして、Ｈｅ
ガス２７の圧力が所定の設定値に下がった時に、該プラ
ズマ６をＯＦＦにし、ウエハ離脱機構（図示せず）によ
ってウエハ１を搬出する作業を開始するようにしてお
く。このエッチング終了時からＨｅガス圧力が所定の圧
力値に下がるまでの時間を除電時間とし、静電吸着電極
３６の吸着性能を表す数値とする。After the completion of the etching process of the wafer 1, after the work such as the reverse bias for detaching the wafer 1, the DC voltage supplied to the electrostatic attraction electrode 36 is turned off, and the valve 32 immediately after the mass flow controller 26 is closed. , Wafer 1
He gas 27 is sealed on the back surface. In the meantime, the charges accumulated in the wafer 1 or the insulating film 34 are released into the etching chamber 12 by the plasma 6 of an inert gas such as a chlorine-based gas or argon to reduce the attraction force. And He
When the pressure of the gas 27 drops to a predetermined set value, the plasma 6 is turned off, and the operation of carrying out the wafer 1 by a wafer detachment mechanism (not shown) is started. The time from the end of the etching to the time when the He gas pressure decreases to a predetermined pressure value is defined as a static elimination time, and a numerical value representing the adsorption performance of the electrostatic adsorption electrode 36.
【００２６】次に、クリーニング方法について図２を用
いて説明する。処理後のウエハ１をウエハ搬送装置（図
示せず）にて、チャンバ７外に搬出した後、チャンバ７
内に付着した反応生成物を除去するために、ウエハ処理
毎に酸素ガス（以下、Ｏ2と呼ぶ）プラズマにてクリー
ニングを行う。図２（ａ）に示すように、反応生成物２
２は被エッチング物（ウエハ１）の近傍で最も多く発生
する。その多くはエッチング終了後のチャンバ７内の排
気によって排出されるが、そのうちのいくらかはエッチ
ング中もしくはエッチング後に、チャンバ７の内壁や静
電吸着電極３６の吸着面などに付着する。このとき、反
応生成物２２は発生源となる静電吸着電極３６近傍に多
く付着する。エッチング中に付着する反応生成物２２
は、ウエハ１以外の部分に付着するため、静電吸着電極
３６を囲むように付着する。Next, a cleaning method will be described with reference to FIG. After the processed wafer 1 is carried out of the chamber 7 by a wafer transfer device (not shown),
Cleaning is performed by oxygen gas (hereinafter, referred to as O 2 ) plasma for each wafer processing in order to remove reaction products adhered to the inside. As shown in FIG.
2 occurs most in the vicinity of the object to be etched (wafer 1). Most of them are exhausted by exhausting the inside of the chamber 7 after the etching, and some of them adhere to the inner wall of the chamber 7 or the suction surface of the electrostatic suction electrode 36 during or after the etching. At this time, a large amount of the reaction product 22 adheres to the vicinity of the electrostatic attraction electrode 36 serving as a generation source. Reaction products 22 adhering during etching
Is attached to portions other than the wafer 1 so as to surround the electrostatic attraction electrode 36.
【００２７】ウエハ１がチャンバ７外に搬出された後、
チャンバ７の内壁などに付着した反応生成物２２が次に
搬入されてくるウエハに付着しないように、Ｏ2プラズ
マによってチャンバ７内のクリーニングを行う。しか
し、このクリーニングはチャンバ７内壁に付着した少量
の反応生成物２２を除去するためのもので、静電吸着電
極３６近傍に付着している多量の反応生成物２２を除去
することはできない。さらに、図２（ｂ）に示すよう
に、弱いプラズマによって一時的に舞い上げられた反応
生成物２２は、通常冷却されている静電吸着電極３６の
吸着面に再付着し、吸着面外周部の反応生成物２２の量
がその他の部分に比べて多くなる。このように、静電吸
着電極３６の吸着面に堆積した反応生成物２２は、残留
吸着力の増大の原因となり、ウエハの離脱を妨げ、引い
ては装置の稼働率を低下させる。After the wafer 1 is carried out of the chamber 7,
The inside of the chamber 7 is cleaned with O 2 plasma so that the reaction products 22 attached to the inner wall of the chamber 7 and the like do not adhere to the wafer carried next. However, this cleaning is for removing a small amount of the reaction product 22 attached to the inner wall of the chamber 7 and cannot remove a large amount of the reaction product 22 attached to the vicinity of the electrostatic attraction electrode 36. Further, as shown in FIG. 2B, the reaction product 22 temporarily sowed by the weak plasma adheres again to the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode 36 which is normally cooled, and the outer periphery of the adsorption surface. The amount of the reaction product 22 becomes larger as compared with other portions. As described above, the reaction product 22 deposited on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode 36 causes an increase in the residual adsorption force, hinders separation of the wafer, and lowers the operation rate of the apparatus.
【００２８】そこで、単位ウエハ枚数（２００〜５００
枚）毎に、反応性生物２２を除去する能力の強い塩素系
ガスのプラズマによって静電吸着電極３６上の反応生成
物２２を除去するためのクリーニングを行う。これを静
電吸着電極クリーニングと呼ぶことにする。しかしなが
ら、静電吸着電極３６の吸着面上に付着した反応生成物
２２は、その面内で一様な分布で堆積しているのではな
く、その面内外周付近に多く堆積している。Therefore, the unit wafer number (200 to 500)
For each sheet, cleaning is performed to remove the reaction products 22 on the electrostatic adsorption electrodes 36 by plasma of a chlorine-based gas having a strong ability to remove the reactive products 22. This will be referred to as electrostatic attraction electrode cleaning. However, the reaction products 22 attached to the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode 36 are not deposited in a uniform distribution on the surface, but are deposited more in the vicinity of the outer periphery in the surface.
【００２９】図２（ｃ）の除去速度分布（イ）に示すよ
うに、吸着面内の反応生成物２２の除去速度分布を均一
にするような静電吸着電極クリーニングを施すと、反応
生成物２２の少ない中央部分の絶縁膜３４を削ってしま
うことにより、絶縁膜３４にダメージを与えて静電吸着
電極３６の寿命を縮める。また、例えば、クリーニング
時間を短くすることによって静電吸着電極の吸着面中央
部にダメージを与えないようにすると、吸着面外周部の
反応生成物２２は完全に除去されない。As shown in the removal rate distribution (a) of FIG. 2C, when the electrostatic adsorption electrode cleaning is performed so as to make the removal rate distribution of the reaction product 22 on the adsorption surface uniform, the reaction product is removed. By shaving the insulating film 34 in the central portion where the number 22 is small, the insulating film 34 is damaged and the life of the electrostatic chucking electrode 36 is shortened. Further, for example, if the cleaning time is shortened so as not to damage the center of the attraction surface of the electrostatic attraction electrode, the reaction product 22 at the outer periphery of the attraction surface is not completely removed.
【００３０】このため、静電吸着電極３６に付着した反
応生成物２２の堆積量分布と、クリーニング用のプロセ
スガスのプラズマにより反応生成物２２を除去するとき
の除去速度分布とが相殺されるようにして反応生成物を
除去する。すなわち、静電吸着電極３６に付着した反応
生成物２２の堆積量分布が多い部位には反応生成物の除
去速度を速い分布にし、静電吸着電極３６に付着した反
応生成物２２の堆積量分布が少ない部位には反応生成物
２２の除去速度を遅い分布にして、反応生成物２２を除
去する。Therefore, the distribution of the amount of the reaction product 22 deposited on the electrostatic adsorption electrode 36 and the removal rate distribution when the reaction product 22 is removed by the plasma of the cleaning process gas are offset. To remove the reaction product. In other words, the removal rate of the reaction product is set to a high distribution at a portion where the distribution amount of the reaction product 22 attached to the electrostatic attraction electrode 36 is large, and the distribution amount of the reaction product 22 attached to the electrostatic attraction electrode 36 is increased. The reaction product 22 is removed by setting the distribution of the removal rate of the reaction product 22 to a low distribution at a portion where the amount of the reaction product 22 is small.
【００３１】例えば、図２（ｄ）の除去速度分布（ロ）
に示すように、静電吸着電極３６に付着する反応生成物
２２を除去する除去速度分布を、静電吸着電極３６に付
着した反応生成物２２の堆積量分布に合わせて反応生成
物２２を除去する。このため、静電吸着電極クリーニン
グ時の静電吸着電極３６に対する反応生成物２２の除去
速度分布を変えて、外周部の反応生成物２２をより早く
除去し、中央部の反応生成物２２を遅く除去するように
する。なお、除去速度が速い分布は矢印を長くし、ま
た、矢印を短くして除去速度が遅い分布を示している。
このようにすることにより、静電吸着電極の３６吸着面
の反応生成物２２を面内で平均的に除去することができ
る。したがって、静電吸着電極３６の吸着面上の反応生
成物２２を、絶縁膜３４にダメージを与えることなしに
除去できる。For example, the removal rate distribution (b) in FIG.
As shown in (2), the reaction product 22 is removed by adjusting the removal rate distribution for removing the reaction product 22 attached to the electrostatic attraction electrode 36 to the deposition amount distribution of the reaction product 22 attached to the electrostatic attraction electrode 36. I do. For this reason, the removal rate distribution of the reaction product 22 with respect to the electrostatic attraction electrode 36 at the time of cleaning the electrostatic attraction electrode is changed to remove the reaction product 22 at the outer peripheral portion faster and to slow down the reaction product 22 at the central portion. To be removed. The distribution with a high removal rate shows a distribution with a long arrow and a short arrow with a low removal rate.
By doing so, the reaction products 22 on the 36 adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode can be averagely removed within the surface. Therefore, the reaction products 22 on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode 36 can be removed without damaging the insulating film 34.
【００３２】静電吸着電極クリーニングの静電吸着電極
３６に対する反応生成物の除去速度分布を変えるため
に、エッチング装置のソレノイドコイル３５ａ，３５
ｂ，３５ｂの励磁電流を制御する。例えば、通常の静電
吸着電極クリーニングにおいて１４Ａ（３５ａ），１７
Ａ（３５ｂ），９Ａ（３５ｃ）を、それぞれ１４Ａ（３
５ａ），５Ａ（３５ｂ），１４Ａ（３５ｃ）に変える。
このような励磁電流値の変化により、エッチング室１２
内の磁束密度が変化してプラズマ６中のイオン密度を変
化させ、クリーニングの除去速度分布を制御することが
できる。In order to change the distribution of the removal rate of the reaction product from the electrostatic attraction electrode 36 in the electrostatic attraction electrode cleaning, the solenoid coils 35a and 35 of the etching apparatus are changed.
b, 35b are controlled. For example, 14A (35a), 17
A (35b) and 9A (35c) are converted to 14A (3
5a), 5A (35b) and 14A (35c).
Such a change in the exciting current value causes the etching chamber 12
The magnetic flux density in the inside changes to change the ion density in the plasma 6 and control the cleaning removal rate distribution.
【００３３】なお、反応生成物２２の分布が吸着面の外
周部に比して中心部の方により多く付着する場合には、
ソレノイドコイル３５ａ，３５ｂ，３５ｂの励磁電流
を、例えば、２０Ａ（３５ａ），８Ａ（３５ｂ），７Ａ
（３５ｃ）に変えることにより、吸着面の中心部に付着
した反応生成物の除去速度を速くさせることができる。
このため、静電吸着電極３６の吸着面上の反応生成物２
２を、絶縁膜３４にダメージを与えることなしに除去で
きる。In the case where the distribution of the reaction product 22 adheres more to the central portion than to the outer peripheral portion of the adsorption surface,
The exciting current of the solenoid coils 35a, 35b, 35b is, for example, 20A (35a), 8A (35b), 7A.
By changing to (35c), the removal rate of the reaction product attached to the center of the adsorption surface can be increased.
Therefore, the reaction product 2 on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode 36
2 can be removed without damaging the insulating film 34.
【００３４】図３は、この発明の実施の形態１における
効果を示す説明図で、その（ａ）はこの発明を実施する
前の除電時間の変化を示すグラフであり、その（ｂ）は
この発明を実施した後の除電時間の変化を示すグラフで
ある。図３（ａ）では、ウエハ処理枚数に対して除電時
間が増大している。一方、図３（ｂ）のグラフでは、除
電時間はウエハ処理枚数に対してほぼ一定であり、ほと
んど変化していないことがわかる。FIGS. 3A and 3B are explanatory diagrams showing the effect of the first embodiment of the present invention. FIG. 3A is a graph showing a change in the static elimination time before the present invention is implemented, and FIG. 4 is a graph showing a change in a static elimination time after implementing the invention. In FIG. 3A, the charge elimination time increases with respect to the number of processed wafers. On the other hand, in the graph of FIG. 3B, it can be seen that the static elimination time is almost constant with respect to the number of processed wafers and hardly changes.
【００３５】実施の形態２．この発明の実施の形態２
は、図１に示すような構成のエッチング装置において、
マスフローメータ４３を制御することにより、静電吸着
電極３６クリーニング用のプロセスガス１０の流量を増
やす。例えば、プロセスガス１０の流量を２００ｃｍ3
／ｍｉｎ程度（通常１００ｃｍ3／ｍｉｎ）にすること
により、静電吸着電極３６の中心部から外周部へ向かう
プロセスガス１０の流れを増大させ、外周部でのエッチ
ャント（エッチング種；エッチング反応の元となる反応
因子）と、このエッチャントとのエッチング反応により
気化された反応生成物の置換速度を増やす。この結果、
外周部の除去速度を速くすることができる。したがっ
て、静電吸着電極３６の吸着面上に堆積した反応生成物
２２の分布を相殺するような除去速度分布を得ることが
でき、絶縁膜３４にダメージを与えることなしに静電吸
着電極クリーニングをすることが可能となる。Embodiment 2 Embodiment 2 of the present invention
Is an etching apparatus having a configuration as shown in FIG.
By controlling the mass flow meter 43, the flow rate of the process gas 10 for cleaning the electrostatic attraction electrode 36 is increased. For example, the flow rate of the process gas 10 is set to 200 cm 3
/ Min (usually 100 cm 3 / min) to increase the flow of the process gas 10 from the center of the electrostatic attraction electrode 36 to the outer periphery, and to increase the etchant (etching species; source of etching reaction) at the outer periphery. And the rate of substitution of reaction products vaporized by the etching reaction with the etchant. As a result,
The removal speed of the outer peripheral portion can be increased. Therefore, it is possible to obtain a removal rate distribution that offsets the distribution of the reaction product 22 deposited on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode 36, and to perform the electrostatic adsorption electrode cleaning without damaging the insulating film 34. It is possible to do.
【００３６】実施の形態３．この発明の実施の形態３
は、図１に示すような構成のエッチング装置において、
ターボ分子ポンプ６４直前に取り付けられているコンダ
クタンスバルブ６３を調整し、静電吸着電極クリーニン
グ時のチャンバ内のプロセスガスの圧力を高くする。例
えば、１．５Ｐａ（通常は０．５Ｐａ）にすることによ
り、静電吸着電極３６の中心部のプロセスガス１０の流
れを抑制し、該中心部でのエッチャントと、このエッチ
ャントとのエッチング反応により気化された反応生成物
の置換速度が遅くなる。この結果、外周部の除去速度を
速くすることがでる。したがって、静電吸着電極３６の
吸着面上に堆積した反応生成物２２の分布を相殺するよ
うな除去速度分布を得ることができ、絶縁膜３４にダメ
ージを与えることなしに静電吸着電極クリーニングする
ことが可能となる。Embodiment 3 FIG. Embodiment 3 of the present invention
Is an etching apparatus having a configuration as shown in FIG.
The conductance valve 63 attached just before the turbo molecular pump 64 is adjusted to increase the pressure of the process gas in the chamber at the time of cleaning the electrostatic chucking electrode. For example, by setting the pressure to 1.5 Pa (normally 0.5 Pa), the flow of the process gas 10 at the center of the electrostatic chucking electrode 36 is suppressed, and the etching reaction between the etchant at the center and this etchant is performed. The replacement rate of the vaporized reaction product is reduced. As a result, the removal speed of the outer peripheral portion can be increased. Therefore, it is possible to obtain a removal rate distribution that cancels the distribution of the reaction product 22 deposited on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode 36, and performs the electrostatic adsorption electrode cleaning without damaging the insulating film 34. It becomes possible.
【００３７】実施の形態４．この発明の実施の形態１〜
３を組み合わせることによって、制御範囲の広いエッチ
ング条件が設定可能である。具体的には、以下のような
条件を用いる。図１の構成のエッチング装置において、
通常の静電吸着電極クリーニング条件は、プロセスガス
（塩素系）流量値；１００ｃｍ3／ｍｉｎ、チャンバ内
圧力値；０．５Ｐａ、マイクロ波出力；６００Ｗ、高周
波出力；３０Ｗ、ソレノイドコイル励磁電流条件；１４
Ａ（３５ａ），１７Ａ（３５ｂ），９Ａ（３５ｃ）であ
る。Embodiment 4 FIG. Embodiment 1 of the present invention
By combining 3, etching conditions with a wide control range can be set. Specifically, the following conditions are used. In the etching apparatus having the configuration shown in FIG.
Normal electrostatic chucking electrode cleaning conditions are: process gas (chlorine) flow rate; 100 cm 3 / min, chamber pressure: 0.5 Pa, microwave output: 600 W, high frequency output: 30 W, solenoid coil exciting current condition; 14
A (35a), 17A (35b), and 9A (35c).
【００３８】反応生成物２２の分布を相殺するような反
応生成物の除去速度分布をもつ静電吸着電極クリーニン
グの条件は、プロセスガス流量値（塩素系）；２００ｃ
ｍ3／ｍｉｎ、チャンバ内圧力値；１．５Ｐａ、マイク
ロ波出力；６００Ｗ、高周波出力；３０Ｗ、ソレノイド
コイル励磁電流条件；１４Ａ（３５ａ），５Ａ（３５
ｂ），１４Ａ（３５ｃ）である。このようにすることに
より、所望の反応生成物の除去速度分布を得ることがで
きる。The conditions for cleaning the electrostatic chucking electrode having a reaction product removal rate distribution that cancels the distribution of the reaction product 22 are: process gas flow rate (chlorine);
m 3 / min, chamber pressure value: 1.5 Pa, microwave output: 600 W, high frequency output: 30 W, solenoid coil exciting current conditions: 14 A (35 a), 5 A (35
b), 14A (35c). By doing so, a desired reaction product removal rate distribution can be obtained.
【００３９】実施の形態５．図４は、この発明の実施の
形態５である静電吸着電極のクリーニング方法および装
置を説明するに際し、一例として、プラズマ処理装置と
しての有磁場マイクロ波エッチング装置の一部断面を示
す説明図である。図４に示されている符号のうち、図１
と同一のものは同じまたは相当を示し、その説明を省略
する。図４において、プロセスガス１０の導入孔は、２
重の同心状に配設されており、外側のプロセスガス導入
孔４１ａと内側のプロセスガス導入孔４１ｂとからな
る。それぞれ独立したバルブ４５ａ，４５ｂとマスフロ
ーコントローラ４３ａ，４３ｂに接続され、プロセスガ
ス１０の流量を制御している。Embodiment 5 FIG. 4 is an explanatory view showing a partial cross section of a magnetic field microwave etching apparatus as a plasma processing apparatus as an example when describing a method and apparatus for cleaning an electrostatic chucking electrode according to a fifth embodiment of the present invention. is there. Of the reference numerals shown in FIG.
Are the same or equivalent, and description thereof is omitted. In FIG. 4, the introduction holes of the process gas 10 are 2
It is arranged in a heavy concentric manner and comprises an outer process gas inlet 41a and an inner process gas inlet 41b. They are connected to independent valves 45a and 45b and mass flow controllers 43a and 43b, respectively, and control the flow rate of the process gas 10.
【００４０】図４に示すようなエッチング装置におい
て、通常のエッチングではプラズマ６の分布が均一にな
るように、内側のプロセスガス導入孔４１ｂからのプロ
セスガス１０の流量は、外側のプロセスガス導入口４１
ａからのプロセスガス１０の流量に対して、やや多目に
なるよう制御される。しかし、静電吸着電極クリーニン
グ時には、エッチング室１２内のプラズマの分布状態
を、中心部の反応生成物除去速度が遅くなり、相対的に
外周部の反応生成物除去速度が速くなるように制御して
いる。この制御をするために、エッチング室１２内のプ
ロセスガスの流れを、外側が速く循環し、中心部はガス
がよどんで循環しにくくなるように、マスフローコント
ローラ４３ａ，４３ｂおよびバルブ４５ａ，４５ｂを制
御している。In the etching apparatus as shown in FIG. 4, the flow rate of the process gas 10 from the inner process gas inlet 41b is adjusted so that the distribution of the plasma 6 becomes uniform in normal etching. 41
The flow rate of the process gas 10 from a is controlled to be slightly larger. However, at the time of cleaning the electrostatic chucking electrode, the distribution state of the plasma in the etching chamber 12 is controlled so that the reaction product removal rate at the center becomes slower and the reaction product removal rate at the outer periphery becomes relatively faster. ing. In order to perform this control, the mass flow controllers 43a and 43b and the valves 45a and 45b are controlled so that the flow of the process gas in the etching chamber 12 circulates quickly on the outside and the gas stagnates and hardly circulates in the center. are doing.
【００４１】例えば、プロセスガス１０のエッチング室
１２への導入は外側のプロセスガス導入口４１ａのみで
行い、内側のプロセスガス導入孔４１ｂに通じるバルブ
４５ｂは閉じておく。また、マスフローコントローラ４
３ａ，４３ｂを制御して、外側のプロセスガス導入孔４
１ａからのプロセスガス１０の流量を、内側のプロセス
ガス導入孔４１ｂからのプロセスガス１０の流量に対し
て多くして、図４に示す矢印（ハ）（ニ）のように、プ
ロセスガス１０を外周部に多く供給し、また中心部にプ
ロセスガス１０をよどませることより、図２（ｄ）に示
すような反応生成物の除去速度分布（ロ）を形成するこ
とができる。このため、静電吸着電極３６の吸着面上の
反応生成物２２を、絶縁膜３４にダメージを与えること
なしに除去できる。For example, the process gas 10 is introduced into the etching chamber 12 only through the outer process gas inlet 41a, and the valve 45b communicating with the inner process gas inlet 41b is closed. In addition, the mass flow controller 4
3a and 43b to control the outer process gas inlet 4
The flow rate of the process gas 10 from 1a is increased with respect to the flow rate of the process gas 10 from the inner process gas introduction hole 41b, and as shown by arrows (c) and (d) in FIG. By supplying a large amount to the outer peripheral portion and stagnating the process gas 10 at the central portion, it is possible to form a distribution (b) of removing reaction products as shown in FIG. 2D. Therefore, the reaction product 22 on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode 36 can be removed without damaging the insulating film 34.
【００４２】なお、反応生成物２２の分布が吸着面の外
周部に比して中心部の方により多く付着する場合には、
内側のプロセスガス導入孔４１ｂからのプロセスガス１
０の流量を、外側のプロセスガス導入孔４１ａからのプ
ロセスガス１０の流量に対して多くすることにより、プ
ロセスガス１０を中心部に多く供給し、中心部の反応生
成物除去速度を速くすることができる。このため、静電
吸着電極３６の吸着面上の反応生成物２２を、絶縁膜３
４にダメージを与えることなしに除去できる。When the distribution of the reaction product 22 adheres more to the central portion than to the outer peripheral portion of the adsorption surface,
Process gas 1 from inner process gas inlet 41b
By increasing the flow rate of 0 with respect to the flow rate of the process gas 10 from the outer process gas introduction hole 41a, a large amount of the process gas 10 is supplied to the center and the reaction product removal rate at the center is increased. Can be. For this reason, the reaction product 22 on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode 36 is transferred to the insulating film 3.
4 can be removed without damaging it.
【００４３】実施の形態６．図５はこの発明の実施の形
態６である静電吸着電極の断面を示した説明図であり、
この静電吸着電極は、例えば、図１あるいは図４に示す
ようなプラズマ処理装置としての有磁場マイクロ波エッ
チング装置に設けられている。図５に示されている符号
のうち、図１と同一のものは、同じまたは相当を示し、
その説明を省略する。図５において、静電吸着電極３６
の内部には、外側のリングヒータ３０ａと内側のリング
ヒータ３０ｂとが同心状に埋め込まれている。Embodiment 6 FIG. FIG. 5 is an explanatory diagram showing a cross section of an electrostatic chucking electrode according to Embodiment 6 of the present invention.
This electrostatic attraction electrode is provided, for example, in a magnetic field microwave etching apparatus as a plasma processing apparatus as shown in FIG. 1 or FIG. 5 that are the same as those in FIG. 1 indicate the same or corresponding elements.
The description is omitted. In FIG. 5, the electrostatic attraction electrode 36
, An outer ring heater 30a and an inner ring heater 30b are embedded concentrically.
【００４４】静電吸着電極クリーニング時に、外側のリ
ングヒータ３０ａに電力を供給（図示せず）して、昇温
させることにより、静電吸着電極３６の吸着面の中心部
に比して外周部の方の温度がより上昇し、この結果、温
度が上昇した部分の反応生成物除去速度は速くなる。こ
のようにすることにより、図２（ｄ）に示すような反応
生成物の除去速度分布（ロ）を形成することができる。
このため、静電吸着電極３６の吸着面上の反応生成物２
２を、絶縁膜３４にダメージを与えることなしに除去で
きる。At the time of cleaning the electrostatic chucking electrode, electric power is supplied to the outer ring heater 30a (not shown) to increase the temperature, so that the outer circumferential portion of the electrostatic chucking electrode 36 has an outer peripheral portion as compared with the central portion thereof. Is higher, and as a result, the reaction product removal rate of the portion where the temperature has increased becomes faster. By doing so, a distribution (b) of removing the reaction product as shown in FIG. 2D can be formed.
Therefore, the reaction product 2 on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode 36
2 can be removed without damaging the insulating film 34.
【００４５】なお、反応生成物２２の分布が吸着面の外
周部に比して中心部の方により多く付着する場合には、
吸着面の中心部のリングヒータ３０ｂを昇温することに
より、吸着面の中心部に付着した反応生成物の除去速度
を速くさせることができる。このため、静電吸着電極３
６の吸着面上の反応生成物２２を、絶縁膜３４にダメー
ジを与えることなしに除去できる。When the distribution of the reaction product 22 adheres more to the center portion than to the outer peripheral portion of the adsorption surface,
By raising the temperature of the ring heater 30b at the center of the adsorption surface, the removal rate of the reaction product attached to the center of the adsorption surface can be increased. For this reason, the electrostatic attraction electrode 3
6 can be removed without damaging the insulating film 34.
【００４６】実施の形態７．図６はこの発明の実施の形
態７である静電吸着電極の断面を示した説明図であり、
この静電吸着電極は、例えば、図１あるいは図４に示す
ようなプラズマ処理装置としての有磁場マイクロ波エッ
チング装置に設けられている。図６に示されている符号
のうち、図１と同一のものは、同じまたは相当を示し、
その説明を省略する。図６において、静電吸着電極３６
の内部には同心状の２つの流路が設けられており、外側
の流路３１ａと内側の流路３１ｂとからなる。該流路に
はサーキュレータ２８で温調された冷媒２９が流され
る。Embodiment 7 FIG. FIG. 6 is an explanatory view showing a cross section of an electrostatic chucking electrode according to Embodiment 7 of the present invention.
This electrostatic attraction electrode is provided, for example, in a magnetic field microwave etching apparatus as a plasma processing apparatus as shown in FIG. 1 or FIG. 6 that are the same as those in FIG. 1 indicate the same or corresponding elements.
The description is omitted. In FIG. 6, the electrostatic attraction electrode 36
Are provided with two concentric flow paths, and include an outer flow path 31a and an inner flow path 31b. A coolant 29 whose temperature is controlled by a circulator 28 flows through the flow path.
【００４７】静電吸着電極クリーニング時に、冷媒２９
を内側の流路３１ｂのみに供給することにより、静電吸
着電極３６の吸着面の中心部における温度が外周部の温
度に比して下がり、外周部はプラズマ６からの入熱によ
り温度が上昇し、相対的に外周部の反応生成物の除去速
度が速くなる。この結果、温度が上昇した部分の反応生
成物除去速度は速くなる。このようにすることにより、
図２（ｄ）に示すような反応生成物の除去速度分布
（ロ）を形成することができる。このため、静電吸着電
極３６の吸着面上の反応生成物２２を、絶縁膜３４にダ
メージを与えることなしに除去できる。At the time of cleaning the electrostatic chucking electrode, the refrigerant 29
Is supplied only to the inner flow path 31b, so that the temperature at the center of the suction surface of the electrostatic suction electrode 36 is lower than the temperature at the outer periphery, and the temperature at the outer periphery is increased by heat input from the plasma 6. However, the removal rate of the reaction product in the outer peripheral portion is relatively increased. As a result, the reaction product removal rate in the portion where the temperature has increased is increased. By doing this,
The removal rate distribution (b) of the reaction product as shown in FIG. 2D can be formed. Therefore, the reaction products 22 on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode 36 can be removed without damaging the insulating film 34.
【００４８】なお、反応生成物の分布が吸着面の外周部
に比して中心部の方により多く付着する場合には、外周
部の流路３１ａのみに冷媒を流すことにより、静電吸着
電極３６の吸着面における外周部の温度が中心部に比し
て下がり、中心部はプラズマ６からの入熱により温度が
上昇し、相対的に中心部の反応生成物除去速度が速くな
る。このため、静電吸着電極３６の吸着面上の反応生成
物２２を、絶縁膜３４にダメージを与えることなしに除
去できる。When the distribution of the reaction product adheres more to the central portion than to the outer peripheral portion of the adsorption surface, the refrigerant is caused to flow only in the flow path 31a at the outer peripheral portion, so that the electrostatic adsorption electrode is formed. The temperature of the outer peripheral portion of the adsorption surface 36 is lower than that of the central portion, the temperature of the central portion rises due to the heat input from the plasma 6, and the reaction product removal rate of the central portion is relatively increased. Therefore, the reaction products 22 on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode 36 can be removed without damaging the insulating film 34.
【００４９】[0049]
【発明の効果】この発明の第１の局面における静電吸着
電極のクリーニング方法によれば、プラズマエッチング
処理中に発生し、静電吸着電極に付着した反応生成物の
堆積量分布と、クリーニング用のプロセスガスのプラズ
マにより反応生成物を除去するときの除去速度分布とが
相殺されるようにして反応生成物を除去することによ
り、静電吸着電極に付着した反応生成物の堆積量分布が
多い部位には反応生成物の除去速度を速い分布にし、静
電吸着電極に付着した反応生成物の堆積量分布が少ない
部位には反応生成物の除去速度を遅い分布にし、静電吸
着電極の吸着面の反応生成物を面内で平均的に除去する
ことができる。このため、静電吸着電極の吸着面上の反
応生成物を、絶縁膜にダメージを与えることなしに除去
することが可能となる。According to the method for cleaning an electrostatic attraction electrode according to the first aspect of the present invention, the distribution of the amount of reaction products generated during the plasma etching process and adhered to the electrostatic attraction electrode, By removing the reaction products in such a manner that the removal rate distribution when the reaction products are removed by the plasma of the process gas is offset, the distribution of the deposition amount of the reaction products attached to the electrostatic adsorption electrode is large. The reaction product removal rate is set to a fast distribution in the part, and the reaction product removal rate is set to a slow distribution in the part where the deposition amount of the reaction product deposited on the electrostatic adsorption electrode is small, and the electrostatic adsorption electrode is adsorbed. The reaction products on the surface can be evenly removed in the surface. Therefore, it is possible to remove the reaction products on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode without damaging the insulating film.
【００５０】また、静電吸着電極に付着した反応生成物
を除去する除去速度分布を、静電吸着電極の外周部に付
着した反応生成物が静電吸着電極の中央部に付着した反
応生成物より速く除去されることにより、外周部の反応
生成物をより早く除去し、中央部の反応生成物を遅く除
去するようにし、静電吸着電極の吸着面の反応生成物を
面内で平均的に除去することができる。このため、静電
吸着電極の吸着面上の反応生成物を、絶縁膜にダメージ
を与えることなしに除去できる。The removal rate distribution for removing the reaction product adhered to the electrostatic attraction electrode is shown by the reaction product attached to the outer peripheral portion of the electrostatic attraction electrode and the reaction product attached to the central portion of the electrostatic attraction electrode. By being removed faster, the reaction products on the outer periphery are removed faster, the reaction products on the center are removed later, and the reaction products on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode are averaged in the plane. Can be removed. Therefore, the reaction products on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode can be removed without damaging the insulating film.
【００５１】また、ソレノイドコイルが少なくとも３段
に分かれて設けられ、各段のソレノイドコイルの励磁電
流を制御して、静電吸着電極に付着した反応生成物を除
去する除去速度分布を変えることにより、静電吸着電極
に付着した反応生成物の堆積量分布が多い部位には反応
生成物の除去速度を速い分布にし、静電吸着電極に付着
した反応生成物の堆積量分布が少ない部位には反応生成
物の除去速度を遅い分布にすることができる。Also, the solenoid coils are provided in at least three stages, and the exciting current of each stage of the solenoid coils is controlled to change the removal rate distribution for removing the reaction products attached to the electrostatic adsorption electrodes. In areas where the distribution of reaction products deposited on the electrostatic adsorption electrode is large, the reaction product removal rate is set to a high distribution rate, and in areas where the distribution of reaction products deposited on the electrostatic adsorption electrode is small, The removal rate of the reaction product can be made to have a slow distribution.
【００５２】また、クリーニング用のプロセスガスの流
量を増加して静電吸着電極の中心部から外周部に向かう
クリーニング用のプロセスガスの流れを増大させ、静電
吸着電極の外周部の除去速度を上記静電吸着電極の中心
部より速くすることにより、外周部の反応生成物をより
早く除去し、中央部の反応生成物を遅く除去するように
し、静電吸着電極の吸着面の反応生成物を面内で平均的
に除去することができる。このため、静電吸着電極の吸
着面上の反応生成物を、絶縁膜にダメージを与えること
なしに除去できる。Further, by increasing the flow rate of the cleaning process gas, the flow of the cleaning process gas from the central portion to the outer peripheral portion of the electrostatic attraction electrode is increased, and the removal rate of the outer peripheral portion of the electrostatic attraction electrode is increased. By making it faster than the central part of the electrostatic attraction electrode, the reaction products at the outer peripheral part are removed more quickly, and the reaction products at the central part are removed at a later time. Can be removed on average in the plane. Therefore, the reaction products on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode can be removed without damaging the insulating film.
【００５３】また、クリーニング用のプロセスガスの圧
力を高くして静電吸着電極の中心部におけるプロセスガ
スの流れを抑制し、静電吸着電極の外周部の除去速度を
静電吸着電極の中心部より速くすることにより、外周部
の反応生成物をより早く除去し、中央部の反応生成物を
遅く除去するようにし、静電吸着電極の吸着面の反応生
成物を面内で平均的に除去することができる。このた
め、静電吸着電極の吸着面上の反応生成物を、絶縁膜に
ダメージを与えることなしに除去できる。Further, the pressure of the process gas for cleaning is increased to suppress the flow of the process gas at the central portion of the electrostatic chucking electrode, and the removal speed of the outer peripheral portion of the electrostatic chucking electrode is reduced. By increasing the speed, the reaction products on the outer periphery are removed faster, the reaction products on the center are removed later, and the reaction products on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode are removed evenly in the plane. can do. Therefore, the reaction products on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode can be removed without damaging the insulating film.
【００５４】また、外側のプロセスガス導入孔と内側の
プロセスガス導入孔とが同心状に配設されており、プロ
セスガスの導入は外側のプロセスガス導入口のみで行
い、静電吸着電極の外周部の除去速度を静電吸着電極の
中心部より速くすることにより、外周部の反応生成物を
より早く除去し、中央部の反応生成物を遅く除去するよ
うにし、静電吸着電極の吸着面の反応生成物を面内で平
均的に除去することができる。このため、静電吸着電極
の吸着面上の反応生成物を、絶縁膜にダメージを与える
ことなしに除去できる。The outer process gas inlet and the inner process gas inlet are arranged concentrically, and the process gas is introduced only through the outer process gas inlet. By increasing the removal rate of the portion from the center of the electrostatic attraction electrode, the reaction products at the outer peripheral portion are removed more quickly, and the reaction products at the central portion are removed at a slower rate. Can be evenly removed in-plane. Therefore, the reaction products on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode can be removed without damaging the insulating film.
【００５５】また、外側のリングヒータと内側のリング
ヒータとが静電吸着電極の内部に同心状に埋め込まれて
おり、外側のリングヒータに電力を供給して昇温し、静
電吸着電極の外周部の除去速度を静電吸着電極の中心部
より速くすることにより、外周部の反応生成物をより早
く除去し、中央部の反応生成物を遅く除去するように
し、静電吸着電極の吸着面の反応生成物を面内で平均的
に除去することができる。このため、静電吸着電極の吸
着面上の反応生成物を、絶縁膜にダメージを与えること
なしに除去できる。Further, an outer ring heater and an inner ring heater are concentrically embedded inside the electrostatic chucking electrode, and the power is supplied to the outer ring heater to increase the temperature, and the outer ring heater is heated. By removing the outer peripheral portion faster than the central portion of the electrostatic attraction electrode, reaction products at the outer peripheral portion are removed more quickly, and the reaction products at the central portion are removed at a slower rate. The reaction products on the surface can be evenly removed in the surface. Therefore, the reaction products on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode can be removed without damaging the insulating film.
【００５６】また、外側の流路と内側の流路とが静電吸
着電極の内部に同心状に設けられており、内側の流路の
みに冷媒を供給して静電吸着電極の中心部の温度を外周
部の温度に比して下げ、静電吸着電極の外周部の除去速
度を静電吸着電極の中心部より速くすることにより、外
周部の反応生成物をより早く除去し、中央部の反応生成
物を遅く除去するようにし、静電吸着電極の吸着面の反
応生成物を面内で平均的に除去することができる。この
ため、静電吸着電極の吸着面上の反応生成物を、絶縁膜
にダメージを与えることなしに除去できる。Further, the outer flow path and the inner flow path are provided concentrically inside the electrostatic attraction electrode, and the coolant is supplied only to the inner flow path to form the central portion of the electrostatic attraction electrode. By lowering the temperature compared to the temperature of the outer peripheral portion and making the removal speed of the outer peripheral portion of the electrostatic attraction electrode faster than that of the central portion of the electrostatic attraction electrode, the reaction products at the outer peripheral portion are removed more quickly, and the central portion is removed. The reaction product on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode can be evenly removed in the plane by removing the reaction product of the above at a slow speed. Therefore, the reaction products on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode can be removed without damaging the insulating film.
【００５７】この発明の第２の局面における静電吸着電
極のクリーニング装置によれば、マイクロ波による電界
とソレノイドコイルの磁界との相互作用でプロセスガス
をプラズマ化し、このプラズマ中のイオンエネルギーを
制御しながら行うプラズマエッチングにより処理される
ウエハを、絶縁膜との間に発生させた静電吸着力により
支持する静電吸着電極のクリーニング装置であって、静
電吸着電極の上方に設けられ、チャンバとマイクロ波を
導入するマイクロ波導入窓とにより構成されるエッチン
グ室と、静電吸着電極の上方でチャンバに設けられ、プ
ロセスガスをエッチング室に導入するプロセスガス導入
孔と、エッチング室を取り囲むように少なくとも３段に
分かれて設けられたソレノイドコイルとを備えることに
より、プラズマエッチング処理中に発生し、静電吸着電
極に付着した反応生成物の堆積量分布が多い部位には反
応生成物の除去速度を速い分布にし、静電吸着電極に付
着した反応生成物の堆積量分布が少ない部位には反応生
成物の除去速度を遅い分布にし、静電吸着電極の吸着面
の反応生成物を面内で平均的に除去することができる。
このため、静電吸着電極の吸着面上の反応生成物を、絶
縁膜にダメージを与えることなしに除去することが可能
となる。According to the electrostatic adsorbing electrode cleaning apparatus in the second aspect of the present invention, the process gas is turned into plasma by the interaction between the electric field of the microwave and the magnetic field of the solenoid coil, and the ion energy in the plasma is controlled. A cleaning device for an electrostatic attraction electrode that supports a wafer to be processed by plasma etching performed by an electrostatic attraction force generated between the insulating film and an insulating film, wherein the cleaning device is provided above the electrostatic attraction electrode and includes a chamber. An etching chamber comprising a microwave introduction window for introducing a microwave; a process gas introduction hole provided in the chamber above the electrostatic chucking electrode for introducing a process gas into the etching chamber; And a solenoid coil provided at least in three stages. The rate at which reaction products are removed from the electrostatic adsorption electrode is generated during the chucking process and has a large distribution of reaction products attached to the electrostatic adsorption electrode. The removal rate of the reaction product is set to a slow distribution at a portion where the distribution is small, so that the reaction product on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode can be averagely removed within the surface.
Therefore, it is possible to remove the reaction products on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode without damaging the insulating film.
【００５８】また、マイクロ波による電界とソレノイド
コイルの磁界との相互作用でプロセスガスをプラズマ化
し、このプラズマ中のイオンエネルギーを制御しながら
行うプラズマエッチングにより処理されるウエハを、絶
縁膜との間に発生させた静電吸着力により支持する静電
吸着電極のクリーニング装置であって、静電吸着電極の
上方に設けられ、チャンバとマイクロ波を導入するマイ
クロ波導入窓とにより構成されるエッチング室と、静電
吸着電極の上方でチャンバに同心状に配設され、プロセ
スガスをエッチング室に導入する外側のプロセスガス導
入孔および内側のプロセスガス導入孔と、エッチング室
を取り囲むように少なくとも３段に分かれて設けられた
ソレノイドコイルとを備えることにより、プラズマエッ
チング処理中に発生し、静電吸着電極に付着した反応生
成物の堆積量分布が多い部位には反応生成物の除去速度
を速い分布にし、静電吸着電極に付着した反応生成物の
堆積量分布が少ない部位には反応生成物の除去速度を遅
い分布にし、静電吸着電極の吸着面の反応生成物を面内
で平均的に除去することができる。このため、静電吸着
電極の吸着面上の反応生成物を、絶縁膜にダメージを与
えることなしに除去することが可能となる。Further, the process gas is turned into plasma by the interaction between the electric field of the microwave and the magnetic field of the solenoid coil, and the wafer processed by the plasma etching performed while controlling the ion energy in the plasma is placed between the wafer and the insulating film. A cleaning device for an electrostatic attraction electrode supported by an electrostatic attraction force generated in an etching chamber, the etching chamber being provided above the electrostatic attraction electrode, and configured by a chamber and a microwave introduction window for introducing microwaves. An outer process gas introduction hole and an inner process gas introduction hole, which are arranged concentrically in the chamber above the electrostatic chucking electrode and introduce a process gas into the etching chamber, and at least three steps surrounding the etching chamber. With a solenoid coil provided separately for the plasma etching process. However, the reaction product removal rate is set to a high distribution rate in a portion where the deposition amount of the reaction product attached to the electrostatic adsorption electrode is large, and to a portion where the deposition amount distribution of the reaction product attached to the electrostatic adsorption electrode is small. Can make the removal rate of the reaction product a slow distribution, so that the reaction product on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode can be averagely removed within the surface. Therefore, it is possible to remove the reaction products on the adsorption surface of the electrostatic adsorption electrode without damaging the insulating film.
【００５９】また、静電吸着電極の内部に同心状に埋め
込まれ、外側のリングヒータおよび内側のリングヒータ
を備えることにより、外側のリングヒータを昇温して静
電吸着電極の外周部の除去速度を静電吸着電極の中心部
より速くすることができる。このため、外周部の反応生
成物をより早く除去し、中央部の反応生成物を遅く除去
することが可能となる。Further, by providing the outer ring heater and the inner ring heater embedded concentrically inside the electrostatic chucking electrode, the outer ring heater is heated to remove the outer peripheral portion of the electrostatic chucking electrode. The speed can be made faster than the center of the electrostatic chucking electrode. For this reason, it is possible to remove the reaction product in the outer peripheral portion earlier and to remove the reaction product in the central portion later.
【００６０】また、静電吸着電極の内部に同心状に設け
られ、冷媒を供給する外側の流路および内側の流路を備
えることにより、内側の流路のみに冷媒を供給して静電
吸着電極の中心部の温度を外周部の温度に比して下げ、
静電吸着電極の外周部の除去速度を静電吸着電極の中心
部より速くすることことができる。このため、外周部の
反応生成物をより早く除去し、中央部の反応生成物を遅
く除去することが可能となる。Further, by providing an outer flow path and an inner flow path which are provided concentrically inside the electrostatic attraction electrode and supply the refrigerant, the refrigerant is supplied only to the inner flow path and electrostatically adsorbed. Lower the temperature at the center of the electrode compared to the temperature at the outer periphery,
The removal speed at the outer peripheral portion of the electrostatic attraction electrode can be made faster than at the central portion of the electrostatic attraction electrode. For this reason, it is possible to remove the reaction product in the outer peripheral portion earlier and to remove the reaction product in the central portion later.
【図１】 この発明の実施の形態１である静電吸着電極
のクリーニング方法および装置を説明するに際し、一例
として、プラズマ処理装置としての有磁場マイクロ波エ
ッチング装置の一部断面を示す説明図である。FIG. 1 is a diagram illustrating, as an example, a partial cross section of a magnetic field microwave etching apparatus as a plasma processing apparatus in describing a method and an apparatus for cleaning an electrostatic chucking electrode according to a first embodiment of the present invention; is there.
【図２】 図１のクリーニング方法を示す説明図であ
る。FIG. 2 is an explanatory view showing the cleaning method of FIG.
【図３】 この発明の実施の形態１における効果を示す
説明図で、その（ａ）はこの発明を実施する前の除電時
間の変化を示すグラフであり、その（ｂ）はこの発明を
実施した後の除電時間の変化を示すグラフである。FIGS. 3A and 3B are explanatory diagrams showing the effects of the first embodiment of the present invention, in which FIG. 3A is a graph showing a change in static elimination time before the present invention is implemented, and FIG. 6 is a graph showing a change in a static elimination time after the removal.
【図４】 この発明の実施の形態５である静電吸着電極
のクリーニング方法および装置を説明するに際し、一例
として、プラズマ処理装置としての有磁場マイクロ波エ
ッチング装置の一部断面を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing, as an example, a partial cross section of a magnetic field microwave etching apparatus as a plasma processing apparatus when describing a method and an apparatus for cleaning an electrostatic chucking electrode according to a fifth embodiment of the present invention. is there.
【図５】 この発明の実施の形態６である静電吸着電極
の断面を示した説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a cross section of an electrostatic attraction electrode according to a sixth embodiment of the present invention.
【図６】 この発明の実施の形態７である静電吸着電極
の断面を示した説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a cross section of an electrostatic attraction electrode according to a seventh embodiment of the present invention.
【図７】 従来のプラズマ処理装置の一例としての有磁
場マイクロ波エッチング装置の一部断面を示す説明図で
ある。FIG. 7 is an explanatory view showing a partial cross section of a magnetic field microwave etching apparatus as an example of a conventional plasma processing apparatus.
１ ウエハ ４ マイクロ波 ６ プラズマ ７ チャンバ １０ プロセスガス １２ エッチング室 ２２ 反応生成物 ２９ 冷媒 ３０ａ 外側のリングヒータ ３０ｂ 内側のリングヒータ ３１ａ 外側の流路 ３１ｂ 内側の流路 ３４ 絶縁膜 ３５ａ，３５ｂ，３５ｃ ソレノイドコイル ３６ 静電吸着電極 ４０ マイクロ波導入窓 ４１ プロセスガス導入口 ４１ａ 外側のプロセスガス導入口 ４１ｂ 内側のプロセスガス導入口 Reference Signs List 1 wafer 4 microwave 6 plasma 7 chamber 10 process gas 12 etching chamber 22 reaction product 29 refrigerant 30a outer ring heater 30b inner ring heater 31a outer flow path 31b inner flow path 34 insulating film 35a, 35b, 35c solenoid Coil 36 Electrostatic adsorption electrode 40 Microwave introduction window 41 Process gas inlet 41a Outer process gas inlet 41b Inner process gas inlet
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 CA12 DA06 FA01 FA02 GA02 KA14 KA23 KA26 5F004 AA15 BB14 BB18 BB22 DA22 DA23 DA26 5F031 CA02 HA16 MA28 MA32 PA24 5F045 AA08 AC11 AC17 AE15 BB14 DP03 DQ10 EB02 EB06 EE12 EE20 EH16 EM05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4K030 CA12 DA06 FA01 FA02 GA02 KA14 KA23 KA26 5F004 AA15 BB14 BB18 BB22 DA22 DA23 DA26 5F031 CA02 HA16 MA28 MA32 PA24 5F045 AA08 AC11 AC17 AE15 BB14 DP03 DQ10 EE02 EB02 EB06
Claims (12)
ルの磁界との相互作用でプロセスガスをプラズマ化し、
このプラズマ中のイオンエネルギーを制御しながら行う
プラズマエッチングにより処理されるウエハを、絶縁膜
との間に発生させた静電吸着力により支持する静電吸着
電極のクリーニング方法であって、 上記プラズマエッチング処理中に発生し、上記静電吸着
電極に付着した反応生成物の堆積量分布と、クリーニン
グ用のプロセスガスのプラズマにより上記反応生成物を
除去するときの除去速度分布とが相殺されるようにして
上記反応生成物を除去することを特徴とする静電吸着電
極のクリーニング方法。1. A process gas is turned into plasma by an interaction between an electric field generated by a microwave and a magnetic field of a solenoid coil.
A method of cleaning an electrostatic attraction electrode for supporting a wafer to be processed by plasma etching while controlling ion energy in the plasma by an electrostatic attraction force generated between the wafer and the insulating film. The deposition amount distribution of the reaction product generated during the treatment and attached to the electrostatic adsorption electrode is offset from the removal rate distribution when the reaction product is removed by the plasma of the cleaning process gas. A method for cleaning an electrostatic attraction electrode, wherein the reaction product is removed.
去する除去速度分布を、上記静電吸着電極の外周部に付
着した上記反応生成物が上記静電吸着電極の中央部に付
着した上記反応生成物より早く除去されることを特徴と
する請求項１記載の静電吸着電極のクリーニング方法。2. The removal rate distribution for removing a reaction product attached to an electrostatic attraction electrode, the reaction product attached to an outer peripheral portion of the electrostatic attraction electrode being attached to a central portion of the electrostatic attraction electrode. 2. The method for cleaning an electrostatic attraction electrode according to claim 1, wherein the cleaning agent is removed earlier than the reaction product.
かれて設けられ、上記各段のソレノイドコイルの励磁電
流を制御して、静電吸着電極に付着した反応生成物を除
去する除去速度分布を変えることを特徴とする請求項１
または２記載の静電吸着電極のクリーニング方法。3. The method according to claim 1, wherein the solenoid coil is provided in at least three stages, and the excitation current of the solenoid coil in each stage is controlled to change a removal rate distribution for removing a reaction product attached to the electrostatic attraction electrode. Claim 1 characterized by the following:
Or the method for cleaning an electrostatic attraction electrode according to 2.
増加して静電吸着電極の中心部から外周部に向かうクリ
ーニング用のプロセスガスの流れを増大させ、上記静電
吸着電極の外周部の除去速度を上記静電吸着電極の中心
部より速くすることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
か１項に記載の静電吸着電極のクリーニング方法。4. The flow rate of the cleaning process gas is increased to increase the flow of the cleaning process gas from the central portion to the outer peripheral portion of the electrostatic attraction electrode, thereby removing the outer peripheral portion of the electrostatic attraction electrode. 4. The method for cleaning an electrostatic attraction electrode according to claim 1, wherein the cleaning time is made faster than the center of the electrostatic attraction electrode.
高くして静電吸着電極の中心部におけるプロセスガスの
流れを抑制し、上記静電吸着電極の外周部の除去速度を
上記静電吸着電極の中心部より速くすることを特徴とす
る請求項１〜３のいずれか１項に記載の静電吸着電極の
クリーニング方法。5. The process gas for cleaning is increased in pressure to suppress the flow of the process gas in the central portion of the electrostatic chucking electrode, and the removal speed of the outer peripheral portion of the electrostatic chucking electrode is increased. The method for cleaning an electrostatic attraction electrode according to any one of claims 1 to 3, wherein the cleaning speed is higher than that of a central portion.
セスガス導入孔とが同心状に配設されており、プロセス
ガスの導入は上記外側のプロセスガス導入口のみで行
い、静電吸着電極の外周部の除去速度を上記静電吸着電
極の中心部より速くすることを特徴とする請求項１〜３
のいずれか１項に記載の静電吸着電極のクリーニング方
法。6. An outer process gas introduction hole and an inner process gas introduction hole are arranged concentrically, and the introduction of the process gas is performed only through the outer process gas introduction port. 4. The removal rate of an outer peripheral portion is made faster than that of a central portion of the electrostatic chucking electrode.
The method for cleaning an electrostatic attraction electrode according to any one of the above items.
タとが静電吸着電極の内部に同心状に埋め込まれてお
り、上記外側のリングヒータに電力を供給して昇温し、
上記静電吸着電極の外周部の除去速度を上記静電吸着電
極の中心部より速くすることを特徴とする請求項１〜３
のいずれか１項に記載の静電吸着電極のクリーニング方
法。7. An outer ring heater and an inner ring heater are embedded concentrically inside the electrostatic attraction electrode, and supply power to the outer ring heater to raise the temperature,
The removal speed of the outer peripheral part of the said electrostatic attraction electrode is made faster than the center part of the said electrostatic attraction electrode.
The method for cleaning an electrostatic attraction electrode according to any one of the above items.
極の内部に同心状に設けられており、上記内側の流路の
みに冷媒を供給して上記静電吸着電極の中心部の温度を
外周部の温度に比して下げ、上記静電吸着電極の外周部
の除去速度を上記静電吸着電極の中心部より速くするこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の静
電吸着電極のクリーニング方法。8. An outer flow path and an inner flow path are provided concentrically inside the electrostatic attraction electrode, and a coolant is supplied only to the inner flow path to form a center of the electrostatic attraction electrode. The temperature of the portion is reduced as compared with the temperature of the outer peripheral portion, and the removal speed of the outer peripheral portion of the electrostatic attraction electrode is made faster than that of the central portion of the electrostatic attraction electrode. 2. The method for cleaning an electrostatic attraction electrode according to claim 1.
ルの磁界との相互作用でプロセスガスをプラズマ化し、
このプラズマ中のイオンエネルギーを制御しながら行う
プラズマエッチングにより処理されるウエハを、絶縁膜
との間に発生させた静電吸着力により支持する静電吸着
電極のクリーニング装置であって、 上記静電吸着電極の上方に設けられ、チャンバと上記マ
イクロ波を導入するマイクロ波導入窓とにより構成され
るエッチング室と、 上記静電吸着電極の上方で上記チャンバに設けられ、上
記プロセスガスを上記エッチング室に導入するプロセス
ガス導入孔と、 上記エッチング室を取り囲むように少なくとも３段に分
かれて設けられたソレノイドコイルとを備えることを特
徴とする静電吸着電極のクリーニング装置。9. The process gas is turned into plasma by an interaction between an electric field generated by a microwave and a magnetic field of a solenoid coil,
A cleaning device for an electrostatic attraction electrode for supporting a wafer to be processed by plasma etching performed while controlling ion energy in the plasma by an electrostatic attraction force generated between the insulating film and the wafer. An etching chamber provided above a suction electrode and comprising a chamber and a microwave introduction window for introducing the microwave; and an etching chamber provided above the electrostatic suction electrode in the chamber and supplying the process gas to the etching chamber. A process gas introduction hole to be introduced into the etching chamber, and a solenoid coil provided in at least three steps so as to surround the etching chamber.
イルの磁界との相互作用でプロセスガスをプラズマ化
し、このプラズマ中のイオンエネルギーを制御しながら
行うプラズマエッチングにより処理されるウエハを、絶
縁膜との間に発生させた静電吸着力により支持する静電
吸着電極のクリーニング装置であって、 上記静電吸着電極の上方に設けられ、チャンバと上記マ
イクロ波を導入するマイクロ波導入窓とにより構成され
るエッチング室と、 上記静電吸着電極の上方で上記チャンバに同心状に配設
され、上記プロセスガスを上記エッチング室に導入する
外側のプロセスガス導入孔および内側のプロセスガス導
入孔と、 上記エッチング室を取り囲むように少なくとも３段に分
かれて設けられたソレノイドコイルとを備えることを特
徴とする静電吸着電極のクリーニング装置。10. A process gas is plasmatized by an interaction between an electric field generated by microwaves and a magnetic field of a solenoid coil, and a wafer to be processed by plasma etching performed while controlling ion energy in the plasma is interposed between an insulating film. A cleaning device for an electrostatic attraction electrode that is supported by the electrostatic attraction force generated in the above, and is provided above the electrostatic attraction electrode, and includes a chamber and a microwave introduction window that introduces the microwave. An etching chamber, an outer process gas inlet and an inner process gas inlet that are concentrically disposed in the chamber above the electrostatic chucking electrode and that introduce the process gas into the etching chamber; And a solenoid coil provided in at least three stages so as to surround the solenoid coil. Cleaning device for electrostatic attraction electrodes.
まれ、外側のリングヒータおよび内側のリングヒータを
備えることを特徴とする請求項９または１０記載の静電
吸着電極のクリーニング装置。11. The cleaning apparatus for an electrostatic attraction electrode according to claim 9, further comprising an outer ring heater and an inner ring heater embedded concentrically inside the electrostatic attraction electrode.
れ、冷媒を供給する外側の流路および内側の流路を備え
ることを特徴とする請求項９または１０記載の静電吸着
電極のクリーニング装置。12. The electrostatic attraction electrode according to claim 9, further comprising concentrically provided inside the electrostatic attraction electrode and having an outer flow path and an inner flow path for supplying a coolant. Cleaning device.
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|---|---|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040630 |