JP2001265009A - 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶装置装置の製造過程で使用される、パド
ル現像における現像ムラを無くす方法及びそのたに最適
な装置を提供する。 【解決手段】 長方形の基板のパドル現像工程におい
て、現像液流出管の移動方向を、長方形の基板の短辺に
沿った方向にして、基板表面を走査する時間差を極力少
なくする。このための装置としては、長方形の基板を長
手方向に沿って搬送する搬送系と、基板を水平に保持し
て回転可能な基板支持部と、長方形の基板の短辺に向か
う方向に移動可能な現像液流出管とから構成する。ま
た、パドル現像と同時に洗浄処理もできるように構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は電気光学装置の製
造方法及び電気光学装置の製造に使用される電気光学装
置の製造装置に関するものである。さらに詳しくは、電
気光学パネルを構成する長方形の基板上に対してフォト
リソグラフィ法によってパターンを形成するときのレジ
ストの現像工程に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】長方形の基板に対するフォトリソグラフ
ィ法によるパターン形成は、例えば、電気光学装置の一
種である液晶装置の基板の製造で広く使用されている。
フォトリソグラフィ法は一種の写真技術であって、基板
上にレジストを塗布した後、所定のパターンを光で露光
し、現像液による現像処理、ポストベーク、冷却等の工
程を経て、基板上に所望のパターンを得る方法である。

【０００３】現像液による現像処理をする場合におい
て、基板と現像液を接触させる方法には、現像液を液槽
に貯留しておいて当該液槽中に基板を浸漬させるデイッ
プ法がある。デイップ法では、現像処理が進むにつれて
現像液が劣化し、現像ムラが生じる欠点がある。この欠
点を解決する手段として、多量の現像液を基板表面にシ
ャワー状に供給しながら現像するシャワー方式がある。
シャワー方式では、常に新鮮な現像液が供給される反
面、現像液の消費量が莫大になり、現像液を回収して再
利用するためには、新たな設備が必要となる。

【０００４】あるいはまた別の方法として、基板表面に
パドルから現像液を供給して、現像液の表面張力を利用
して基板表面上に現像液の液盛りを形成し、一定時間保
持して現像処理を行うするパドル方式も行われている。

【０００５】パドル方式は、デイップ法やシャワー方式
に比較して、１回の現像に使用する現像液の量を大幅に
節減できる利点を有し、メンテナンスも容易であるとい
う利点も有するため、電気光学装置の製造方法としても
広く実施されている方法である。

【０００６】上記パドル方式の現像方法において、現像
液流出管を基板表面に沿って移動させながら、現像液供
給管に設けた複数の現像液吐出ノズルから基板表面に現
像液を滴下する方法も採用されている。

【０００７】上記パドル方式の現像方法においては、現
像が不均一になって現像ムラを起こさないようにするこ
とが重要である。現像ムラを防ぐには、劣化のない良質
な同じ量の現像液を、基板表面に均一に供給する必要が
ある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】電気光学装置の製造に
おいては、一般に１枚のマザー基板から多数個の電気光
学パネルを製造することが行われている。電気光学装置
の製造装置では、長方形のマザー基板を基板の長辺方向
に搬送し、順次、所定の工程を経る搬送方式が採用され
ている。マザー基板の長辺方向に移動させた方が、基板
を安定して搬送できるとともに、装置のスペースを小さ
くできるからである。現像液塗布工程、現像処理工程、
現像液洗浄工程も１つの現像装置の中で実施されるが、
基板は１枚毎、基板の長辺に沿った方向に移動して、各
工程を経ている。

【０００９】現像液塗布工程において、現像液流出管を
マザー基板の短辺と平行に配置し、長方形のマザー基板
が長辺方向への搬送されるにつれて、マザー基板の１端
の短辺から他端の短辺に現像液が供給される場合には、
マザー基板の一端側の表面から現像液が供給され始める
時とマザー基板の他端側表面まで現像液が供給しおわる
時との間に時間的なズレが生じ、現像ムラの原因とな
る。例えば、長辺の長さ５００ｍｍの基板の表面を、毎
秒８０ｍｍの速度で現像液流出管を移動させる場合所要
時間は６．２５秒となり、最初に現像液が供給された部
分と最後に現像液が供給された部分とでは、現像時間に
６．２５秒の差異が生じることになる。現像液流出管と
基板搬送の相対的な移動速度を増して短時間に現像液を
供給しようとすると、基板と現像液との濡れ性が悪いた
め、現像液が基板表面で弾かれてにスムースに広がら
ず、いわゆる液切れ現象を呈するようになる。

【００１０】現像時間（基板に現像液が供給され始めて
から、基板全面に現像液が供給されて、さらに基板上に
所定の時間現像液を保持する時間）に差異が生じると、
得られるレジストパターンの幅に差が生じる。すなわ
ち、このレジストパターンのばらつきに起因して、最終
的に基板上に形成されるパターン寸法について、基板面
内でばらつきが生じることになる。

【００１１】電気光学装置の一例であるアクティブマト
リクス型の液晶装置で考えると、液晶駆動用素子として
使用するＴＦＤ（ Thin Film Diode ） 素子 やＴＦＴ
（ Thin Film Transistor ） 素子のパターン寸法のば
らつきは、スイッチング特性がばらくつことを意味す
る。よって、ＴＦＤ素子が、一対の導電膜の間に絶縁層
が介されてなる２端子型の素子であって、一方の導電膜
をタンタル（Ｔａ）パターンで形成する場合、タンタル
パターンの幅は２．５μｍ程度であり、パターン幅のば
らつきは±０．２μｍ以内にすることが求められてい
る。また、他方の導電膜を構成するクロム（Ｃｒ）パタ
ーンを形成する場合、クロムパターンの幅は３．０μｍ
程度であり、パターン幅のばらつきは±０．２μｍ以内
にすることが求められている。

【００１２】タンタル膜やクロム膜からフォトリソグラ
フィ法を使用してＴＦＤ素子用のタンタルパターンやク
ロムパターンを形成する場合、レジストパターンの現像
処理に要する時間は、通常５０〜６０秒程度である。理
想的にはこの範囲内で基板全面が同じ時間現像処理され
ることが望ましい。５０〜６０秒程度の現像時間に対し
て６．２５秒の現像時間差が生じると１０％以上の差が
生じることとなり、基板面内で均一なレジストパターン
を得ることは期待できない。

【００１３】生産効率を高めるために液晶装置用のマザ
ー基板の大きさは益々大きくなり、現像時間の差は深刻
な問題となっている。大型のマザー基板に対応可能で現
像液の使用量が少なく、短時間でマザー基板全面に均一
に現像液を載置でき、しかも現像時間差が少なくなる処
理方法の提供が求められている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置の
製造方法は、所定のパターンに露光されたレジストが形
成された長方形の基板を現像液により現像する電気光学
装置の製造方法であって、現像液流出管を前記基板表面
と平行にかつ前記基板の短辺に沿った方向に移動させな
がら前記レジストが形成された前記基板上に前記現像液
を供給し、前記基板上に所定の時間前記現像液を保持し
て現像処理する工程を有することを特徴とする。

【００１５】さらに、前記現像液流出管は、前記基板の
長辺方向に平行に配置され、前記移動は、前記基板の１
端の長辺側から前記基板の他端の長辺側への移動である
ことを特徴とする。

【００１６】基板の長手方向よりも短辺方向に現像液流
出管を移動させることにより、基板上に現像液を載置す
るのに要する時間を短縮して、しかも現像液が最初に載
置される部分と最後に載置される部分との時間差を小さ
くすることができる。

【００１７】さらに、前記現像処理工程の後、前記基板
を洗浄する工程を有することを特徴とする。

【００１８】また、本発明では、前記現像液流出管とし
て、現像液流出管の基板と対向する側に複数の現像液吐
出ノズルを有するものを使用するのが好ましい。

【００１９】なるべく短時間に均一に基板表面全面に現
像液を載置するためである。

【００２０】さらに、本発明では、長方形の基板表面を
前記現像液流出管が移動する時間が、現像時間の１０％
以内とすることが好ましい。

【００２１】レジストパターンの現像処理に要する時間
は、通常５０〜６０秒程度であり、１０％以内の現像時
間の差では顕著な現像ムラは認められないからである。

【００２２】本発明の電気光学装置の製造装置は、長方
形の基板を有する電気光学装置を製造するための電気光
学装置の製造装置であって、前記基板を搬送する搬送系
と、前記基板を水平かつ回転可能に支持する基板支持部
と、前記基板表面と平行に、かつ前記基板の短辺に沿っ
た方向に移動可能でかつ複数の現像液吐出ノズルを有す
る現像液流出管と、前記基板表面上の前記現像液を洗浄
する洗浄手段と、を具備している。

【００２３】前記洗浄手段が、前記基板表面に純水を噴
射する水洗ノズルからなることを特徴とする。

【００２４】前記現像液流出管と前記洗浄手段が前記基
板支持部上に配置されており、前記基板の現像処理と洗
浄処理が前記基板支持部上で連続して行えるように構成
されていることが好ましい。

【００２５】前記現像液流出管と前記水洗ノズルが前記
基板支持装置直上に配置し、現状処理と水洗処理が同じ
基板支持装置上で連続して行えるように構成しておく
と、作業の連続性が確保されるので好ましいからであ
る。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下本発明に係わる電気光学装置
の製造方法及びそれに使用するのに適した電気光学装置
の製造装置について詳しく説明する。

【００２７】図１は、レジストの現像処理工程を中心と
した電気光学装置の製造工程の一部分を示した工程図で
ある。

【００２８】本発明の電気光学装置の製造工程の概略を
示せば、透明なガラスあるいはプラスチックなどからな
るマザー基板の表面全面に、所定の膜を形成した後、こ
の膜上にレジストを塗布する（工程ａ）。次いで、所定
のマスクを使用してレジストを露光してパターンを焼き
付ける（工程ｂ）。パターンを焼き付けた基板上に現像
液を供給し、所定時間保持したのち、基板を洗浄し、前
記膜上に必要なレジストパターン部分を残す（工程
ｃ）。本発明の中心的な工程である。現像処理工程は基
板表面に現像液を供給し、一定時間保持して現像処理を
行った後、基板を純水洗浄し脱水する工程を含んでい
る。次いで、残ったレジストパターンを低温で焼き固め
（工程ｄ）、さらに冷却（工程ｅ）して、所望のレジス
トパターンを得る。

【００２９】まず、上記のような一連の現像処理工程に
使用する装置について説明する。

【００３０】図２は本発明の電気光学装置の製造装置で
ある現像装置の一例を示す断面図で、図３は現像装置を
上からみた平面図ある。

【００３１】図２の電気光学装置の製造装置は、中央に
は位置された現像室１と、この現像室１の基板搬入側と
基板搬出側にそれぞれ隣接して配置された搬入室２と搬
出室３と、これらの部屋を貫通して基板１０を搬送する
基板搬送系４と、基板搬送系４により移送されてきた基
板１０の表面に、現像液を供給するために現像室１内に
配置された現像液流出管５と、現像液流出管５に現像液
を定量的に送り込むための、定量ポンプ６３を含む現像
液供給系６と、基板１０の搬送と定量ポンプ６３による
現像液の送出を、基板１０の搬送のタイミングに合わせ
て制御する制御部７とから主として構成されている。

【００３２】基板搬送系４は、回転軸４１とローラー４
２から構成されたローラーユニットを搬送ライン４０に
沿って多数配置することによって構成されている。現像
室１と搬入室２とを区画する搬入側隔壁１１には、基板
搬入口１３０が形成され、現像室１と搬出室３とを区画
する搬出側隔壁１３には、基板搬出口１４０が形成され
ている。上記搬送系４によって基板１０は基板搬入口１
３０から現像室１に入り、後述のようにして所定の現像
処理を行った後、基板搬出口１４０から搬出されるよう
になっている。

【００３３】基板１０の長辺方向に、搬入室２から現像
室１内に搬送された基板１０は、搬送ローラー４２から
基板支持部８へ載せかえられる。基板支持部８は例えば
真空チャク機構により基板１０を吸着保持できるように
なっている。そして基板支持部８は図示しない油圧式の
押し上げ機構及び電動式の回転機構を備えていて、基板
１０を吸着保持すると基板１０を搬送ローラー４２の面
よりも上に押し上げると同時に基板１０を９０度回転さ
せることができる。本発明の現像処理法法では、現像液
流出管５を基板１０の短辺に沿った方向（図３のＦの方
向）に移動させる必要がある。このために図３に示すよ
うに、直線の管状の現像液流出管５が、基板の搬送方向
に対して、垂直に設けられる場合には、基板１０を基板
支持部上で９０度回転して現像処理することになる。

【００３４】直線の管状の現像液流出管５が、基板の搬
送方向に対して、平行に設けられる場合には、基板を９
０度回転させる必要はない。

【００３５】現像液流出管５は、図３に示すように、少
なくとも基板の長辺の長さよりも長い直線の管状をして
いる。支持アーム５１によって現像室１の天井に取り付
けられた支持レール５４に移動可能に懸垂状態で取り付
けられ、図示しない駆動装置によって基板１０の短辺に
沿った方向に、基板１０のはじからはじまで（基板の１
端の長辺から他端の長辺まで）を移動可能に構成されて
いる。

【００３６】また、現像液流出管５は、フレキシブルホ
ース５３を介して現像液供給系６の主配管５０に接続さ
れている。この現像液流出管５の内径は６〜１０ｍｍ程
度である。現像液流出管５の基板１０と対向する位置に
は複数の現像液吐出ノズル５２が設けられている。現像
液吐出ノズル５２の口径は、例えばノボラック系レジス
トをアルカリ水溶液で現像する場合は１ｍｍ程度であ
り、現像液吐出ノズル５２の間隔は２〜４ｍｍ程度であ
る。しかしながらこれらの値は特に制限があるわけでは
なく、現像液の種類、吐出温度、基板１０と現像液吐出
ノズル５２の間隔等を考慮して、適宜決めればよい。

【００３７】現像液供給系６は、本発明の液晶装置の製
造装置外に配置された現像液タンク６１と、現像液タン
ク６１から現像液流出管５の現像液を供給するための供
給側配管６２とを備えている。そして供給側配管６２に
よる現像液の供給経路の途中には、定量ポンプ６３、フ
ィルター６４、電磁弁６５及びサックバック６６がこの
順序で挿入されている。

【００３８】現像液タンク６１は、窒素等の不活性ガス
でパージされていて、現像液が空気と反応して酸化劣化
するのを防止するようにしてある。また、現像液タンク
６１には必要により新しい現像液が補給されるようにな
っている。

【００３９】定量ポンプ６３は、現像液を現像液タンク
６１から現像液流出管５に定量的に供給するものであ
る。定量ポンプ６３は図示しない流量コントローラーを
備えており、制御部７からの信号で電磁弁６５が開く
と、現像液流出管５に現像液を送り込み、各現像液吐出
ノズル５２から所定量の現像液が吐出されるようになっ
ている。現像液の供給停止は制御部７を通して任意のプ
ログラムで行えるようになっている。基板１０の大きさ
や、現像液の種類が変更になった場合には、制御部を通
して適宜流量コントローラーを調整し、所定量の現像液
が供給されるようにする。現像液の供給停止は制御部７
からの信号で任意のプログラムを設定して行えるように
なっている。

【００４０】フィルター６４は、現像液に万が一混入し
た異物を除去するためのものであり、従来周知のものが
利用できる。

【００４１】サックバック６６は、電磁弁６５が閉じた
ときに配管内の現像液の圧力を負圧にして、現像液吐出
ノズル５２からの現像液の滴下を防止するためのもので
ある。

【００４２】本装置の現像室１内では、現像処理に引き
続き現像処理の後半に相当する洗浄処理を行う方式を採
っている。基板１０の中心部直上に配置された散水ノズ
ル９から散水された洗浄用の純水を基板に向けて噴射
し、基板は基板支持部の回転により回転させられ、この
回転の遠心力を利用して、純水を吹き飛ばす。洗浄が終
了すると、再び基板支持部８を搬送ローラー４２のレベ
ルまで下げて、基板１０を搬出室３側の搬送ローラー４
２へ載せ変えて、搬出室３へ搬送する。

【００４３】次に、図２に示した電気光学装置の製造装
置を使用して、電気液晶基板を製造する際の現像処理の
方法につて説明する。

【００４４】図３は、図２に示した現像装置の現像室１
を中心にして、上から見た平面配置を示す図である。レ
ジストを塗布した基板１０が、基板搬送系４によって、
基板の長手方向に沿って搬入室２から現像室１へ搬入さ
れる。現像室１へ搬入された基板１０は、基板支持部８
に乗せられる。ここで、基板１０を乗せた基板支持部８
は、図示しない押し上げ装置と回転装置により、搬送ロ
ーラー４２面よりも上に押し上げられると共に、基板１
０を９０度回転させて停止する。

【００４５】基板１０の一端（図３では紙面右端）に配
置された現像液流出管５から現像液が定量的に吐出し、
同時に現像液流出管５は基板１０の他端（図３では紙面
左端）に向かって、基板１０の短辺に沿った方向に所定
の速度で移動する。この間に基板１０の表面に滴下され
た現像液は、基板全面に広がり、表面張力により一定厚
さの均一な液盛りを形成する。

【００４６】この時、現像液流出管５の移動方向は、図
４に詳細に示すように基板１０の短辺（Ｗ）に沿った方
向の図中Ｆの方向に移動させることとする。長編（Ｌ）
に沿った方向よりも移動時間が短く、基板の長辺の一端
から他端までに現像液を供給する間の時間差を少なくす
るためである。この時間差が少なくなる結果、最初の現
像液が載置された部分（図４では右端の記号Ｓの部分）
と、現像液が最後に載置された部分（図４では左端の記
号Ｅの部分）とで現像時間差が小さくなり、現像ムラを
回避することができる。

【００４７】図５は現像液流出管５が移動する様子を説
明する概観図である。現像液流出管５は支持アーム５１
を介して現像室１内に設けられた支持レール５４に懸垂
状態で支えられ、図示しない駆動装置によって図面Ｆ方
向に移動する。勿論、現像液流出管５は支持アーム５１
を介して下から支えるような方式でも良い。

【００４８】図６には、上記のようにして得られる現像
液の液盛り形成過程（現像液の供給過程）を示してい
る。まず、基板１０上の一端部Ｓに滴下された現像液
は、周辺に広がって表面張力により液盛り２０を形成す
る（図６（ａ）参照）。現像液流出管５が移動するに従
って、液盛り２０も順次拡大し（図６（ｂ）参照）、現
像液流出管５が基板１０上の他端部Ｅに到達したときに
は、図６（ｃ）に示すように基板１０の全面にわたって
液盛り２０が形成される。

【００４９】基板１０の全面にわたって液盛り２０が形
成された後、現像液の供給を停止し所定時間保持してた
後、図２に示す基板支持部８を回転させながら、現像室
１の天井に取り付けられた散水ノズル９から洗浄用の純
水を噴射し、基板１０の表面を十分に洗浄する。洗浄を
終えた基板１０は、基板支持部８を回転させ長手方向に
向けて、再び基板搬送系４により搬出室３に搬送し、次
工程に送られる。

【００５０】また、本発明で現像時間とは、基板の一端
から現像液が供給され始めた時から、他端まで現像液が
供給された後、一定時間保持されて、基板の洗浄が始ま
る前までをいう。

【００５１】この一連の工程は、基板１０の搬送・回
転、現像液流出管５の移動、現像液の吐出、洗浄水の吐
出等全ての工程を制御部７からの信号で自動的に制御す
ることができる。

【００５２】（液晶装置の具体例）本発明の電気光学装
置の製造方法と現像装置を使用して製造される電気光学
装置の一例として、アクティブマトリクス型の液晶装置
を説明する。この液晶装置は、スイッチング素子として
ＴＦＤ素子を備えるものである。

【００５３】図７は、本発明の製造方法により得られる
液晶装置の部分構成図を示す図である。図７において、
各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとする
ため、各層や各部材の縮尺は実際のものとは異なるよう
に表している。

【００５４】図７に示すように、液晶装置１００におい
て、ＴＦＤ素子２５備えた素子基板（下側基板）１１１
と、カラーフィルター層１８を備えたカラーフィルター
基板（上側基板）１２１とが、それぞれの基板の周縁部
において図示は省略しているシール材を介して所定間隔
を保って貼り合わせてあり、素子基板１１１とカラーフ
ィルター基板１２１の間に液晶層（図示省略）が挟持さ
れている。

【００５５】素子基板１１１は、ガラス等あるいはプラ
スチックからなる透明の基板１１０と、その上に形成さ
れた画素電極２８とＴＦＤ素子２５とを主体に構成され
ている。カラーフィルター基板１２１は、ガラス等から
なる透明の基板１２０と、その下面側（液晶層側）に積
層形成されたカラーフィルター層１８と透明電極１９と
を主体に構成されている。

【００５６】図７に示すように、基板１１０上には、複
数の画素電極２８がマトリクス状に配置され、これらの
画素電極２８を駆動するためのＴＦＤ素子２５が各画素
電極２８毎に配置されている。また、基板１１０上にお
いて、また、ＴＦＤ素子を列あるいは行毎に接続する複
数の配線部２１が設けられる。

【００５７】基板１２０の液晶層側の表面上には、カラ
ー画素１８ａ及び遮光層１８ｂからなるカラーフィルタ
ー層１８が形成されている。カラー画素１８ａは、着色
感材法、染色法、転写法、印刷法などにより形成され、
例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色が所定のパ
ターンで配列している。また、遮光層１８ｂはカラー画
素１８ａが形成されない箇所に形成され、クロムなどの
金属や、黒色顔料を分散させたカラーレジストなどから
構成されている。

【００５８】カラーフィルター層１８の液晶層側には、
インジウム錫酸化物（ Injium TinOxide ：ＩＴＯ）な
どからなる複数の透明電極１９が各々短冊状に形成さ
れ、各透明電極１９は素子基板１１０に設けられた配線
部２１と交差するように設けられている。また、カラー
フィルター層１８と透明電極１９との間には保護膜や絶
縁膜などが形成されているが、図面上は簡略化のため省
略している。

【００５９】液晶装置１００において、透明電極１９、
配線部２１のうち、一方には走査信号が印加され、もう
一方にはデータ信号が印加される。

【００６０】画素電極２８の液晶層側、透明電極１９の
液晶層側には配向膜が形成されているが、図面上は簡略
化のため省略している。また、素子基板１１１、カラー
フィルター基板１２１間には、液晶セルのセルギャップ
を均一化するために多数の球状のスペーサーが配置され
ているが図面上は省略している。また、素子基板１１
１、カラーフィルター基板１２１の外側には位相差板、
偏光板などの光学素子が設置されているが、図面上は省
略している。

【００６１】上記の液晶装置１００の素子基板１１１を
取り上げて、本発明に係る電気光学装置の製造方法を説
明する。

【００６２】図８は、液晶装置に使用するＴＦＤ素子の
一例を示す平面図である。図９は、図８に示すＴＦＤ素
子の線Ａ−Ａ’に沿った断面構造を示す図である。図８
は、一つの画素３０の液晶駆動素子の近傍部分を拡大し
て示したものである。

【００６３】図８及び図９において、ＴＦＤ素子２５は
基板１１０上に形成された絶縁膜３１を下地層として、
この上に順に形成された第１導電膜であるタンタルパタ
ーン２２、タンタルの陽極酸化膜からなる絶縁膜２４及
び第２導電膜であるクロムパターン２６から構成された
ＴＦＤ素子構造を形成している。タンタルパターン２２
は基板１１０上に形成された配線部２１の第１導電膜に
接続されており、クロムパターン２６はインジウム錫酸
化物等からなる透明な画素電極２８の隅部に一部が重複
して接続されている。タンタルパターン２２の厚さは約
１５０ｎｍ程度、絶縁膜２４の厚さは約５０ｎｍ程度、
クロムパターン２６の厚さは約８０〜１００ｎｍ程度で
ある。

【００６４】このようなＴＦＤ素子２５は、以下のよう
な工程を経て形成させる。

【００６５】図１０は、ガラス等から形成される透明な
基板上にＴＦＤ素子を形成する工程を示したものであ
る。ここで使用する基板は、１枚の基板表面に多数個の
液晶パネルを面取りする、いわゆるマザー基板である。

【００６６】先ず、図１０の工程（ａ）では、大きさが
（３７０×４７０）ｍｍのガラス製の基板１１０の上
に、下地層３１としてタンタル（Ｔａ）膜をスパッタリ
ングにより基板表面の全面に堆積させた後、熱酸化させ
ることにより５０〜２００μｍ程度の厚さの酸化タンタ
ル膜を形成する。このように下地層３１を形成すること
により、基板１１０と後述するＴＦＤ素子の構成要素で
あるタンタル膜との密着性を向上させることが可能とな
り、また、基板１１０からタンタル膜への不純物の拡散
を防止することもできる。なお、タンタル膜への不純物
の拡散が問題とならない場合には、下地層３１の形成を
省略することができる。

【００６７】次に、下地層３１の上に、第１の導電膜と
してタングステンが０．１〜６原子％の割合で含まれた
タンタルターゲットを使用し、スパッタリングにより１
００〜５００ｎｍ程度の厚さのタンタル合金膜１２２を
成膜する。

【００６８】次に、工程（ｂ）では、工程（ａ）にて形
成されたタンタル合金膜１２２をフォトリソグラフィに
よりパターニングして、配線部２１のタンタルパターン
と素子部のタンタルパターン２２を形成する。

【００６９】タンタル合金膜１２２をパターニングする
には、図１に示した工程に従って、基板１１０上のタン
タル合金膜１２２の表面にレジストを塗布し（図１
ａ）、所定のパターンを有するマスクによりレジストを
露光して（図１ｂ）複数個のパターンを焼き付け、現像
液を使用して現像処理を施し（図１ｃ）、ポストベーク
（図１ｄ）した後冷却してレジストパターンを得る。次
いで、レジストパターンをマスクとして基板１１０をエ
ッチング処理すれば、図１０（ｂ）に示す配線部２１の
タンタルパターンと素子部のタンタルパターン２２が得
られる。

【００７０】さらに詳しく現像処理の条件を説明する
と、レジストは約１．３μｍの厚さに塗布する。次いで
所定のパターンを露光した後、現像処理をする。具体的
には、図２及び図３に示す装置を使用して、基板１１０
の短辺に沿った方向に短辺の長さ３７０ｍｍの距離につ
いて、現像液流出管５を毎秒６１ｍｍの速度で約６秒間
かけて移動させ、この間に現像液流出管５の先端に取り
付けた２０個の現像液吐出ノズル５２から、現像液を供
給する。現像液流出管５が基板の他端近傍に到達し、基
板１１０の全面に現像液を載置したたら現像液の供給を
停止し、そのまま６０秒間所定時間静置して現像処理を
行う。その後基板を回転させながら、散水ノズル９から
純水を散布して洗浄し、脱水した後、現像処理を終了す
る。このようにして、基板上に所定の形状のタンタルパ
ターンが得られる。

【００７１】次に、図１０に示す工程（ｃ）では、図１
０（ｂ）工程で得られた配線部２１のタンタルパターン
と素子部のタンタルパターン２２の上に、陽極酸化法に
より２０〜７０μｍ程度の厚さのタンタル酸化膜からな
る絶縁膜２４を形成する。

【００７２】次に、図１０に示す工程（ｄ）では、図１
０（ｃ）工程で得られた素子部のタンタルパターン２２
上に形成された絶縁膜２４と一部が重なるように、第２
の導電膜となるクロム（Ｃｒ）膜２６を形成する。膜厚
は５０〜３００μｍとする。

【００７３】絶縁膜２４と一部が重なるようにクロム膜
２６を形成するに際しても、先ず、全面にクロム膜をス
パッタリング成膜した後、クロム膜を、本発明の現像処
理工程を含むフォトリソグラフィを利用してパターニン
グする。そして最後に、図１０に示す工程（ｅ）では、
クロム膜２６とその一部が重なるようにして、厚さ３０
〜２００ｎｍのＩＴＯからなる透明な画素電極２８を形
成する。

【００７４】画素電極２８を形成する際も、前記タンタ
ル合金膜やクロム膜の形成の場合と同様に、先ず、全面
にＩＴＯ膜をスパッタリング成膜した後、ＩＴＯ膜をフ
ォトリソグラフィを利用してパターニングする。

【００７５】このようにして、素子部のタンタルパター
ン２２と絶縁膜２４とクロムパターン２６が重なる部分
の領域に、ＴＦＤ素子２５が得られる。このようにして
得られたＴＦＤ素子２５のタンタルパターン２２の幅は
２．５μｍ±０．１０μｍ、クロムパターン２６の幅は
３．０μｍ±０．１５μｍで、線切れがなく、バラツキ
が極めて少なくて良好な結果が得られており、液晶パネ
ル面内でＴＦＤ素子としての特性にばらつきのない均一
な素子が得られる。

【００７６】このようにして得られた素子基板１１１
を、もう一方の基板である例えばカラーフィルター基板
１２１と画素の位置合わせをして所定の間隔を保って貼
り合わせ、２枚の基板間に液晶を封じ込んで液晶パネル
とした後、液晶を駆動するための外部回路等を液晶パネ
ルに接続して液晶装置１００とする。

【００７７】本発明の製造方法および製造装置により製
造される電気光学装置の具体例として、本実施例では液
晶装置を例として説明したが、本発明はこれに限定され
ない。例えば、長方形の基板から製造されるＥＬ（エレ
クトロルミネッセンス）装置、フィールドエミッション
ダイオードパネル、プラズマディスプレイパネルなどの
電気光学装置の製造方法および製造装置について適用可
能である。

【００７８】

【発明の効果】本発明の電気光学装置の製造方法によれ
ば、露光済みのレジスト膜上に現像液を供給する際に、
基板面内での現像時間の時間差を少なくすることができ
る。

【００７９】

【図面の簡単な説明】

【図１】 レジストパターンの現像処理工程を中心とし
た、基板の製造工程の一部分を示した工程図である。

【図２】 本発明の基板の製造装置の一例を示す断面図
である。

【図３】 図２に示した基板の製造装置の現像室１を中
心にして、上から見た平面配置を示す図である。

【図４】 現像液流出管５の移動方向を説明する図であ
る。

【図５】 現像液流出管５が移動する様子を説明する概
観図である。

【図６】 現像液の液盛りの形成過程を示す図である。

【図７】 液晶装置の部分構造を示す斜視図である。

【図８】 液晶装置に使用するＴＦＤ素子の一例を示す
平面図である。

【図９】 図８に示すＴＦＤ素子の線Ａ−Ａ’に沿った
断面構造を示す図である。

【図１０】 ＴＦＤ素子を形成する工程を説明する図で
ある。

【符号の説明】

１・・・・・現像室 ２・・・・・搬入室 ３・・・・・搬出室 ４・・・・・基板搬送系 ４０・・・・・搬送ライン ５・・・・・現像液流出管 ５０・・・・・主配管 ５１・・・・・支持アーム ５２・・・・・現像液吐出ノズル ５３・・・・・フレキシブルホース ５４・・・・・支持レール ６・・・・・現像液供給系 ６１・・・・・現像液タンク ６２・・・・・供給側配管 ６３・・・・・定量ポンプ ６４・・・・・フィルター ６５・・・・・電磁弁 ６６・・・・・サックバック ７・・・・・制御部 ８・・・・・基板支持部 ９・・・・・散水ノズル １０・・・・・基板 １８・・・・・カラーフィルター層 １８ａ・・・・・カラー画素 １８ｂ・・・・・遮光層 １９・・・・・透明電極 ２０・・・・・液盛り ２１・・・・・配線部 ２２・・・・・タンタルパターン ２４・・・・・絶縁膜 ２５・・・・・ＴＦＤ素子 ２６・・・・・クロムパターン ２８・・・・・画素電極 ３０・・・・・画素 ３１・・・・・下地層 １００・・・・・液晶装置 １１０、１２０・・・・・基板 １１１、１２１・・・・・カラーフィルター基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 FA10 FA16 FA17 FA18 FA21 FA24 FA28 FA30 HA02 HA08 MA16 MA18 2H092 JA03 JB12 KA16 KA18 MA05 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA24 MA35 MA37 MA41 NA25 NA27 NA29 2H096 AA27 AA28 GA17 GA23 GA24 GA26 5F046 LA03 LA04 LA14 5G435 AA00 AA17 BB12 KK05 KK09

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定のパターンに露光されたレジストが
   形成された長方形の基板の前記レジストを現像液により
   現像する電気光学装置の製造方法であって、現像液流出
   管を前記基板表面と平行にかつ前記基板の短辺に沿った
   方向に移動させながら前記レジストが形成された前記基
   板上に前記現像液を供給し、前記基板上に所定の時間、
   前記現像液を保持して現像処理する工程を有することを
   特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の電気光学装置の製造方法
   であって、前記現像液流出管は、前記基板の長辺方向に
   平行に配置され、前記移動は、前記基板の１端の長辺側
   から前記基板の他端の長辺側への移動であることを特徴
   とする電気光学装置の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１記載の電気光学装置の製造方法
   であって、前記現像処理工程が、前記基板を洗浄する工
   程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記現像液流出管として、現像液流出管
   の前記基板と対向する側に、複数の現像液吐出ノズルを
   有するものを使用することを特徴とする請求項１に記載
   の電気光学装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記基板表面を前記現像液流出管が移動
   する時間が、現像時間の１０％以内であることを特徴と
   する請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電気光学
   装置の製造方法。
6. 【請求項６】 長方形の基板を有する電気光学装置を製
   造するための電気光学装置の製造装置であって、前記基
   板を搬送する搬送系と、前記基板を水平かつ回転可能に
   支持する基板支持部と、前記基板表面と平行に、かつ前
   記基板の短辺に沿った方向に移動可能でかつ複数の現像
   液吐出ノズルを有する現像液流出管と、前記基板表面上
   の前記現像液を洗浄する洗浄手段と、を具備してなる電
   気光学装置の製造装置。
7. 【請求項７】 前記洗浄手段が、前記基板表面に純水を
   噴射する水洗ノズルからなることを特徴とする請求項６
   記載の電気光学装置の製造装置。
8. 【請求項８】 前記現像液流出管と前記洗浄手段が前記
   基板支持部上に配置されており、前記基板に現像液を供
   給する処理と洗浄処理が前記基板支持部上で連続して行
   えるように構成されてなる請求項６に記載の電気光学装
   置の製造装置。