JP2001264785A - 液晶表示装置及びそれに用いられる薄膜トランジスタ基板 - Google Patents
液晶表示装置及びそれに用いられる薄膜トランジスタ基板Info
- Publication number
- JP2001264785A JP2001264785A JP2001049954A JP2001049954A JP2001264785A JP 2001264785 A JP2001264785 A JP 2001264785A JP 2001049954 A JP2001049954 A JP 2001049954A JP 2001049954 A JP2001049954 A JP 2001049954A JP 2001264785 A JP2001264785 A JP 2001264785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate line
- thin film
- film transistor
- pixel electrode
- data line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134336—Matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造工程が単純な広視野角液晶表示装置を提
供する。 【解決手段】 絶縁基板と、絶縁基板上に形成されてい
るゲート線と、ゲート線と絶縁されて交差しているデー
タ線と、ゲート線及びデータ線に連結されていてゲート
線の信号によってデータ線の信号を画素電極に伝達した
り遮断したりするスイッチング素子と、スイッチング素
子に連結されていて開口パターンを有する画素電極とを
含み、画素電極の開口パターンは多数の開口部からな
り、これら開口部は隣接する開口部に対して一定の角度
に傾いていることを特徴とする薄膜トランジスタ基板を
提供する。
供する。 【解決手段】 絶縁基板と、絶縁基板上に形成されてい
るゲート線と、ゲート線と絶縁されて交差しているデー
タ線と、ゲート線及びデータ線に連結されていてゲート
線の信号によってデータ線の信号を画素電極に伝達した
り遮断したりするスイッチング素子と、スイッチング素
子に連結されていて開口パターンを有する画素電極とを
含み、画素電極の開口パターンは多数の開口部からな
り、これら開口部は隣接する開口部に対して一定の角度
に傾いていることを特徴とする薄膜トランジスタ基板を
提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びそ
れに用いられる薄膜トランジスタ基板に関し、特に画素
電極に開口パターンと突起とを形成する垂直配向液晶表
示装置及びそれに用いられる薄膜トランジスタ基板に関
する。
れに用いられる薄膜トランジスタ基板に関し、特に画素
電極に開口パターンと突起とを形成する垂直配向液晶表
示装置及びそれに用いられる薄膜トランジスタ基板に関
する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は一般に共通電極とカラー
フィルター（color filter）などが形成されている上部
基板と、薄膜トランジスタと画素電極などが形成されて
いる下部基板との間に液晶物質を注入しておき、画素電
極と共通電極とに互いに異なる電位を印加することによ
って電界を形成して液晶分子の配列を変更させ、これに
よって光の透過率を調節することによって画像を表現す
る装置である。
フィルター（color filter）などが形成されている上部
基板と、薄膜トランジスタと画素電極などが形成されて
いる下部基板との間に液晶物質を注入しておき、画素電
極と共通電極とに互いに異なる電位を印加することによ
って電界を形成して液晶分子の配列を変更させ、これに
よって光の透過率を調節することによって画像を表現す
る装置である。
【０００３】ところが、液晶表示装置は視野角が狭いの
が大きな短所である。このような短所を克服しようと視
野角を広くするための多様な方案が開発されているが、
その中でも液晶分子を上下基板に対して垂直に配向して
画素電極とその対向電極である共通電極とに一定の開口
パターンを形成する方法が有力視されている。
が大きな短所である。このような短所を克服しようと視
野角を広くするための多様な方案が開発されているが、
その中でも液晶分子を上下基板に対して垂直に配向して
画素電極とその対向電極である共通電極とに一定の開口
パターンを形成する方法が有力視されている。
【０００４】従来の開口パターンを形成する方法として
は、両基板に形成されている画素電極と共通電極とに各
々開口パターンを形成してこれらの開口パターンによっ
て形成されるフリンジフィールド（fringe field）を用
いて液晶分子が横になる方向を調節することによって視
野角を広くする方法がある。
は、両基板に形成されている画素電極と共通電極とに各
々開口パターンを形成してこれらの開口パターンによっ
て形成されるフリンジフィールド（fringe field）を用
いて液晶分子が横になる方向を調節することによって視
野角を広くする方法がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この場合には
カラーフィルター上に形成されているＩＴＯ（indium t
in oxide）からなる共通電極を写真エッチング（photol
ithography）工程を用いてパターニング（patterning）
しなければならないので写真エッチング工程が追加され
る。
カラーフィルター上に形成されているＩＴＯ（indium t
in oxide）からなる共通電極を写真エッチング（photol
ithography）工程を用いてパターニング（patterning）
しなければならないので写真エッチング工程が追加され
る。
【０００６】また、カラーフィルター上にスパッタリン
グ（sputtering）で蒸着されたＩＴＯとカラーフィルタ
ー樹脂（resin）との接着力がよくないため共通電極の
エッチングにおいて精密度が落ちる。また、ＩＴＯのエ
ッチング時にカラーフィルターが露出されて損傷を受け
る問題がある。従って、これを防止するためにはカラー
フィルター上に信頼性のある有機絶縁膜（オーバーコー
ト膜）をコーティング（coating）しなければならない
が、このオーバーコート膜の価格が高いという問題点が
ある。オーバーコート膜を形成すると共通電極がクロム
（Ｃｒ）等から形成されるブラックマトリックス（blac
k matrix）と直接接触できないので抵抗が増加してフリ
ッカー（flicker）不良が激しくなるなどの問題も発生
する。
グ（sputtering）で蒸着されたＩＴＯとカラーフィルタ
ー樹脂（resin）との接着力がよくないため共通電極の
エッチングにおいて精密度が落ちる。また、ＩＴＯのエ
ッチング時にカラーフィルターが露出されて損傷を受け
る問題がある。従って、これを防止するためにはカラー
フィルター上に信頼性のある有機絶縁膜（オーバーコー
ト膜）をコーティング（coating）しなければならない
が、このオーバーコート膜の価格が高いという問題点が
ある。オーバーコート膜を形成すると共通電極がクロム
（Ｃｒ）等から形成されるブラックマトリックス（blac
k matrix）と直接接触できないので抵抗が増加してフリ
ッカー（flicker）不良が激しくなるなどの問題も発生
する。
【０００７】また、共通電極に開口パターンが形成され
るので共通電極の抵抗増加が加重される。
るので共通電極の抵抗増加が加重される。
【０００８】本発明が目的とする技術的課題は製造工程
が単純な広視野角液晶表示装置を提供することにある。
が単純な広視野角液晶表示装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために本発明では画素電極に隣接する二つの開口部が
互いに一定の角度に傾くように形成する。
るために本発明では画素電極に隣接する二つの開口部が
互いに一定の角度に傾くように形成する。
【００１０】具体的には、絶縁基板の上にゲート線とこ
れと絶縁されて交差しているデータ線とが形成されてお
り、ゲート線及びデータ線に連結されていてゲート線の
信号によってデータ線の信号を画素電極に伝達したり遮
断したりするスイッチング素子が形成されており、開口
パターンを有する画素電極がスイッチング素子に連結さ
れており、画素電極の開口パターンは多数の開口部から
なり、これら開口部は隣接する開口部に対して一定の角
度に傾いている。
れと絶縁されて交差しているデータ線とが形成されてお
り、ゲート線及びデータ線に連結されていてゲート線の
信号によってデータ線の信号を画素電極に伝達したり遮
断したりするスイッチング素子が形成されており、開口
パターンを有する画素電極がスイッチング素子に連結さ
れており、画素電極の開口パターンは多数の開口部から
なり、これら開口部は隣接する開口部に対して一定の角
度に傾いている。
【００１１】この時、画素電極の上半面に位置する開口
部の平均方向と下半面に位置する開口部の平均方向とは
８０゜乃至１００゜をなすのが好ましく、開口パターン
と重畳する枝部を含む維持電極配線をさらに含むことが
でき、維持電極配線の枝部の幅は２乃至１０μｍであ
る。また、開口部の幅は３乃至１０μｍであり、維持電
極配線を適用しない場合には開口部の幅は１０乃至２０
μｍ とするのが好ましい。隣接する二つの開口部がな
す角度は５゜乃至４０゜の範囲内であるのが好ましい。
部の平均方向と下半面に位置する開口部の平均方向とは
８０゜乃至１００゜をなすのが好ましく、開口パターン
と重畳する枝部を含む維持電極配線をさらに含むことが
でき、維持電極配線の枝部の幅は２乃至１０μｍであ
る。また、開口部の幅は３乃至１０μｍであり、維持電
極配線を適用しない場合には開口部の幅は１０乃至２０
μｍ とするのが好ましい。隣接する二つの開口部がな
す角度は５゜乃至４０゜の範囲内であるのが好ましい。
【００１２】また、このような薄膜トランジスタ基板と
これに対向している第２基板、第２基板に形成されてい
る色フィルター、第２基板に形成されているブラックマ
トリックス、色フィルター及び前記ブラックマトリック
ス上に形成されている共通電極、薄膜トランジスタ基板
と第２基板との間に注入されている液晶物質、薄膜トラ
ンジスタ基板及び第２基板の外側に各々付着されている
第１及び第２偏光板を含む液晶表示装置を用意する。
これに対向している第２基板、第２基板に形成されてい
る色フィルター、第２基板に形成されているブラックマ
トリックス、色フィルター及び前記ブラックマトリック
ス上に形成されている共通電極、薄膜トランジスタ基板
と第２基板との間に注入されている液晶物質、薄膜トラ
ンジスタ基板及び第２基板の外側に各々付着されている
第１及び第２偏光板を含む液晶表示装置を用意する。
【００１３】この時、第１及び第２偏光板の偏光方向は
画素電極の開口部の平均方向と平行であるか垂直をなす
のが好ましい。
画素電極の開口部の平均方向と平行であるか垂直をなす
のが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例による液晶表示装置の構造について説明する。
施例による液晶表示装置の構造について説明する。
【００１５】図１は本発明の第１実施例による液晶表示
装置用薄膜トランジスタ基板の配置図であり、図２は図
１のII−II'線による断面図である。
装置用薄膜トランジスタ基板の配置図であり、図２は図
１のII−II'線による断面図である。
【００１６】絶縁基板１０上にアルミニウムまたはアル
ミニウム合金などの金属で作られたゲート配線と維持電
極配線とが形成されている。ゲート配線は横方向にのび
ているゲート線２２及びその一部である薄膜トランジス
タのゲート電極２６を含み、維持電極配線は横方向にの
びている上下の維持電極線９５、９６及び上下の維持電
極線９５、９６に連結されている多数の維持電極９７を
含む。この時、維持電極９７は互いに平行にならないよ
うに形成されている。つまり、隣接する維持電極９７間
の距離が上部と下部とで互いに異なるように形成されて
いる。言い換えるとスプレー（splay）している。
ミニウム合金などの金属で作られたゲート配線と維持電
極配線とが形成されている。ゲート配線は横方向にのび
ているゲート線２２及びその一部である薄膜トランジス
タのゲート電極２６を含み、維持電極配線は横方向にの
びている上下の維持電極線９５、９６及び上下の維持電
極線９５、９６に連結されている多数の維持電極９７を
含む。この時、維持電極９７は互いに平行にならないよ
うに形成されている。つまり、隣接する維持電極９７間
の距離が上部と下部とで互いに異なるように形成されて
いる。言い換えるとスプレー（splay）している。
【００１７】ゲート配線と維持電極配線との上にはゲー
ト絶縁膜３０が形成されており、ゲート絶縁膜３０上に
はデータ配線と薄膜トランジスタのチャンネル部をなす
半導体層４０とが形成されている。データ配線は縦方向
に形成されているデータ線６２とデータ線６２の分枝で
あるソース電極６５とソース電極６５と対向しているド
レーン電極６６とを含んでいる。ソース電極６５とドレ
ーン電極６６との下部には抵抗性接触層（図示しない）
が形成されている。
ト絶縁膜３０が形成されており、ゲート絶縁膜３０上に
はデータ配線と薄膜トランジスタのチャンネル部をなす
半導体層４０とが形成されている。データ配線は縦方向
に形成されているデータ線６２とデータ線６２の分枝で
あるソース電極６５とソース電極６５と対向しているド
レーン電極６６とを含んでいる。ソース電極６５とドレ
ーン電極６６との下部には抵抗性接触層（図示しない）
が形成されている。
【００１８】データ配線上には接触孔８１を有する保護
膜８０が形成されており、保護膜８０上には開口部７１
を有する画素電極７０が形成されている。この時、開口
部７１は維持電極９７と重畳するように形成されてい
る。
膜８０が形成されており、保護膜８０上には開口部７１
を有する画素電極７０が形成されている。この時、開口
部７１は維持電極９７と重畳するように形成されてい
る。
【００１９】本発明のように開口部７１をスプレー形に
形成すると（即ち、互いに傾くように形成すると）、液
晶分子の動作が安定してその傾く方向が固定されるため
にテクスチャーが小ドメインの中央に安定的に形成され
る。つまり、テクスチャーが移動するのを防止すること
ができるのでテクスチャーによる画質及び応答速度の低
下の問題は発生しない。
形成すると（即ち、互いに傾くように形成すると）、液
晶分子の動作が安定してその傾く方向が固定されるため
にテクスチャーが小ドメインの中央に安定的に形成され
る。つまり、テクスチャーが移動するのを防止すること
ができるのでテクスチャーによる画質及び応答速度の低
下の問題は発生しない。
【００２０】図３は本発明の第２実施例による液晶表示
装置の配置図であり、図４は図３のIV−IV'線による断
面図である。
装置の配置図であり、図４は図３のIV−IV'線による断
面図である。
【００２１】まず、絶縁基板１０上にアルミニウムまた
はアルミニウム合金などの金属で作られたゲート配線と
維持電極配線とが形成されている。ゲート配線は横方向
にのびているゲート線２２及びその一部である薄膜トラ
ンジスタのゲート電極２６を含み、維持電極配線は横方
向にのびている維持電極線９０及び維持電極線９０に連
結されている維持電極部９１、９２、９３、９４を含
む。維持電極部９１、９２、９３、９４は上部及び下部
の枠部９１、９３と横枝部９４と縦枝部９２とに分れ
る。この時、横枝部９４は互いに平行でなく互いに一定
の角度に傾いてジグザグ（zigzag）に配列されている。
縦枝部９２も横枝部９４と同様に互いに一定の角度に傾
いてジグザグに配列されている。従って上部の枠部９１
と縦枝部９２とによって分割される各領域及び下部の枠
部９３と横枝部９４とによって分割される各領域は平行
四辺形をなす。維持電極配線９０、９１、９２、９３、
９４の幅は２乃至１０μｍに形成されている。
はアルミニウム合金などの金属で作られたゲート配線と
維持電極配線とが形成されている。ゲート配線は横方向
にのびているゲート線２２及びその一部である薄膜トラ
ンジスタのゲート電極２６を含み、維持電極配線は横方
向にのびている維持電極線９０及び維持電極線９０に連
結されている維持電極部９１、９２、９３、９４を含
む。維持電極部９１、９２、９３、９４は上部及び下部
の枠部９１、９３と横枝部９４と縦枝部９２とに分れ
る。この時、横枝部９４は互いに平行でなく互いに一定
の角度に傾いてジグザグ（zigzag）に配列されている。
縦枝部９２も横枝部９４と同様に互いに一定の角度に傾
いてジグザグに配列されている。従って上部の枠部９１
と縦枝部９２とによって分割される各領域及び下部の枠
部９３と横枝部９４とによって分割される各領域は平行
四辺形をなす。維持電極配線９０、９１、９２、９３、
９４の幅は２乃至１０μｍに形成されている。
【００２２】この時、ゲート配線２２、２６と維持電極
配線９０、９１、９２、９３、９４とは単一層で形成さ
れることができるが、二重層や三重層で形成されること
もできる。単一層で形成する場合にはアルミニウム（Ａ
ｌ）やアルミニウム（Ａｌ）−ネオジム（Ｎｄ）合金で
作り、二重層で形成する場合には下の層はアルミニウム
（Ａｌ）−ネオジム（Ｎｄ）合金で作って上の層はモリ
ブデン（Ｍｏ）−タングステン（Ｗ）合金で作ることが
できる。
配線９０、９１、９２、９３、９４とは単一層で形成さ
れることができるが、二重層や三重層で形成されること
もできる。単一層で形成する場合にはアルミニウム（Ａ
ｌ）やアルミニウム（Ａｌ）−ネオジム（Ｎｄ）合金で
作り、二重層で形成する場合には下の層はアルミニウム
（Ａｌ）−ネオジム（Ｎｄ）合金で作って上の層はモリ
ブデン（Ｍｏ）−タングステン（Ｗ）合金で作ることが
できる。
【００２３】ここで、維持電極配線９０、９１、９２、
９３、９４は形成されないこともある。
９３、９４は形成されないこともある。
【００２４】ゲート配線２２、２６及び維持電極配線９
０、９１、９２、９３、９４上には窒化ケイ素（ＳｉＮ
ｘ）などからなるゲート絶縁膜３０が形成されている。
０、９１、９２、９３、９４上には窒化ケイ素（ＳｉＮ
ｘ）などからなるゲート絶縁膜３０が形成されている。
【００２５】ゲート絶縁膜３０上には水素化非晶質ケイ
素などの半導体からなる半導体層４０が形成されてい
る。半導体層４０はゲート電極２６と重畳している。
素などの半導体からなる半導体層４０が形成されてい
る。半導体層４０はゲート電極２６と重畳している。
【００２６】半導体層４０上にはｎ型不純物で高濃度に
ドーピングされているｎ+水素化非晶質ケイ素などの物
質で作られた接触層（図示しない）が形成されている。
接触層はゲート電極２６を中心にして両側に分離されて
いる。
ドーピングされているｎ+水素化非晶質ケイ素などの物
質で作られた接触層（図示しない）が形成されている。
接触層はゲート電極２６を中心にして両側に分離されて
いる。
【００２７】接触層上にはクロム（Ｃｒ）やモリブデン
−タングステン合金などからなるデータ配線６２、６
５、６６が形成されている。データ配線６２、６５、６
６は縦方向に形成されていて一側の接触層上に形成され
ているソース電極６５と連結されているデータ線６２、
データ線６２と分離されていてゲート電極２６に対して
ソース電極６５の反対側に位置する接触層５６上に形成
されているドレーン電極６６を含む。この時、データ配
線６２、６５、６６もゲート配線２２、２６と同様に単
一層で形成されることができるが、二重層や三重層で形
成されることもできる。もちろん、二重層以上で形成す
る場合には一つの層は抵抗が小さい物質で形成し、他の
層は他の物質との接触特性が良い物質で作るのが好まし
い。
−タングステン合金などからなるデータ配線６２、６
５、６６が形成されている。データ配線６２、６５、６
６は縦方向に形成されていて一側の接触層上に形成され
ているソース電極６５と連結されているデータ線６２、
データ線６２と分離されていてゲート電極２６に対して
ソース電極６５の反対側に位置する接触層５６上に形成
されているドレーン電極６６を含む。この時、データ配
線６２、６５、６６もゲート配線２２、２６と同様に単
一層で形成されることができるが、二重層や三重層で形
成されることもできる。もちろん、二重層以上で形成す
る場合には一つの層は抵抗が小さい物質で形成し、他の
層は他の物質との接触特性が良い物質で作るのが好まし
い。
【００２８】以上で説明したゲート配線２２、２６、維
持電極配線９０、９１、９２、９３、９４、ゲート絶縁
膜３０、半導体層４０、接触層及びデータ配線６２、６
５、６６の構造はこの外にも多様な変形が可能である。
例えば、ゲート配線２２、２６は環状ゲート構造で形成
されて維持電極配線９０、９１、９２、９３、９４は形
成されないこともあり、接触層はデータ配線６２、６
５、６６と同一な形態に形成されることができ、半導体
層４０がデータ配線６２、６５、６６に沿って縦に長く
形成することもできる。
持電極配線９０、９１、９２、９３、９４、ゲート絶縁
膜３０、半導体層４０、接触層及びデータ配線６２、６
５、６６の構造はこの外にも多様な変形が可能である。
例えば、ゲート配線２２、２６は環状ゲート構造で形成
されて維持電極配線９０、９１、９２、９３、９４は形
成されないこともあり、接触層はデータ配線６２、６
５、６６と同一な形態に形成されることができ、半導体
層４０がデータ配線６２、６５、６６に沿って縦に長く
形成することもできる。
【００２９】データ配線６２、６５、６６上には窒化ケ
イ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質からなる保護絶縁
膜８０が形成されている。保護絶縁膜８０にはドレーン
電極６６を露出させる接触孔８１が形成されている。
イ素（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁物質からなる保護絶縁
膜８０が形成されている。保護絶縁膜８０にはドレーン
電極６６を露出させる接触孔８１が形成されている。
【００３０】以上のようにゲート電極２６、ソース電極
６５、ドレーン電極６６、半導体層４０及び接触層等に
よって薄膜トランジスタが形成され、この薄膜トランジ
スタはゲート線に沿って伝えられる走査信号によってデ
ータ線に沿って伝えられる画像信号を画素電極に伝達し
たり遮断したりするスイッチング素子である。
６５、ドレーン電極６６、半導体層４０及び接触層等に
よって薄膜トランジスタが形成され、この薄膜トランジ
スタはゲート線に沿って伝えられる走査信号によってデ
ータ線に沿って伝えられる画像信号を画素電極に伝達し
たり遮断したりするスイッチング素子である。
【００３１】保護絶縁膜８０は少なくともソース電極６
５とドレーン電極６６との間のチャンネル部を覆って保
護する役割を果たす。
５とドレーン電極６６との間のチャンネル部を覆って保
護する役割を果たす。
【００３２】保護絶縁膜８０上にはＩＴＯ（indium tin
oxide）またはＩＺＯ（indium zinc oxide）などの透
明な導電物質からなる画素電極７０が形成されている。
画素電極７０は露出されているドレーン電極６６と接触
して連結されており、画素電極７０には開口部７１、７
２が形成されている。開口部７１、７２は帯模様に形成
されていて縦方向開口部７１と横方向開口部７２とに分
れる。この時、縦方向開口部７１と横方向開口部７２と
は各々維持電極の縦枝部９２及び横枝部９４と重畳して
いる。従って帯模様の開口部７１、７２は互いに一定の
角度に傾いてジグザグに配列されている。ここで隣接す
る二つの開口部の傾きの程度は５゜乃至４０゜の範囲内
である。また開口部７１、７２の幅は３乃至１０μｍ程
度である。維持電極配線９０、９１、９２、９３、９４
を形成しない場合には開口部７１、７２の幅をさらに広
く形成する。つまり、１０乃至２０μｍ程度に形成す
る。ここで維持電極配線９０、９１、９２、９３、９４
は画素電極７０との間で電気場を形成して維持畜電容量
を提供し、開口部７１、７２によって形成されるフリン
ジフィールド（fringe field）を強化する役割を果た
す。
oxide）またはＩＺＯ（indium zinc oxide）などの透
明な導電物質からなる画素電極７０が形成されている。
画素電極７０は露出されているドレーン電極６６と接触
して連結されており、画素電極７０には開口部７１、７
２が形成されている。開口部７１、７２は帯模様に形成
されていて縦方向開口部７１と横方向開口部７２とに分
れる。この時、縦方向開口部７１と横方向開口部７２と
は各々維持電極の縦枝部９２及び横枝部９４と重畳して
いる。従って帯模様の開口部７１、７２は互いに一定の
角度に傾いてジグザグに配列されている。ここで隣接す
る二つの開口部の傾きの程度は５゜乃至４０゜の範囲内
である。また開口部７１、７２の幅は３乃至１０μｍ程
度である。維持電極配線９０、９１、９２、９３、９４
を形成しない場合には開口部７１、７２の幅をさらに広
く形成する。つまり、１０乃至２０μｍ程度に形成す
る。ここで維持電極配線９０、９１、９２、９３、９４
は画素電極７０との間で電気場を形成して維持畜電容量
を提供し、開口部７１、７２によって形成されるフリン
ジフィールド（fringe field）を強化する役割を果た
す。
【００３３】ここでは画素電極７０の材料の例として透
明なＩＴＯやＩＺＯをあげたが、反射型液晶表示装置の
場合には不透明な導電物質を用いてもよい。
明なＩＴＯやＩＺＯをあげたが、反射型液晶表示装置の
場合には不透明な導電物質を用いてもよい。
【００３４】上部基板１１０にはブラックマトリックス
１２０と色フィルター１３０とが形成されており、ブラ
ックマトリックス１２０と色フィルター１３０との上に
はＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電物質からなる共通電
極１７０が形成されている。共通電極１７０には開口部
が形成されていない。
１２０と色フィルター１３０とが形成されており、ブラ
ックマトリックス１２０と色フィルター１３０との上に
はＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電物質からなる共通電
極１７０が形成されている。共通電極１７０には開口部
が形成されていない。
【００３５】上部基板１１０と下部基板１０との間には
液晶物質２００が注入されていて、上部基板１１０と下
部基板１０との外側面には偏光板３１０、３２０が付着
されている。この時、偏光板３１０、３２０の偏光方向
は開口部７１、７２の平均方向と垂直または平行をな
す。
液晶物質２００が注入されていて、上部基板１１０と下
部基板１０との外側面には偏光板３１０、３２０が付着
されている。この時、偏光板３１０、３２０の偏光方向
は開口部７１、７２の平均方向と垂直または平行をな
す。
【００３６】この時、画素電極７０の開口部７１、７２
は画素電極７０と共通電極１７０との間で形成される電
気場を図２で点線で示したように一定のパターンで傾く
ようにすることによって液晶分子の横になる方向を制御
する。つまり、開口部によって画素領域が多数の小ドメ
イン（domain）に分割される。
は画素電極７０と共通電極１７０との間で形成される電
気場を図２で点線で示したように一定のパターンで傾く
ようにすることによって液晶分子の横になる方向を制御
する。つまり、開口部によって画素領域が多数の小ドメ
イン（domain）に分割される。
【００３７】このように画素電極７０にだけ開口部７
１、７２を形成する場合には開口部７１、７２によって
分割される各小ドメイン内に図１に示したようにテクス
チャー（Ｔ）が発生する。ところが、本発明のように開
口部７１、７２を互いに傾くように形成すると液晶分子
の動作が安定してその傾く方向が固定されるためにテク
スチャー（Ｔ）が小ドメインの中央に安定的に形成され
る。つまり、テクスチャー（Ｔ）が移動するのを防止す
ることができるのでテクスチャーによる画質及び応答速
度の低下の問題は発生しない。
１、７２を形成する場合には開口部７１、７２によって
分割される各小ドメイン内に図１に示したようにテクス
チャー（Ｔ）が発生する。ところが、本発明のように開
口部７１、７２を互いに傾くように形成すると液晶分子
の動作が安定してその傾く方向が固定されるためにテク
スチャー（Ｔ）が小ドメインの中央に安定的に形成され
る。つまり、テクスチャー（Ｔ）が移動するのを防止す
ることができるのでテクスチャーによる画質及び応答速
度の低下の問題は発生しない。
【００３８】このような液晶表示装置は通常の垂直配向
液晶表示装置を製造する方法をそのまま適用して製造す
ることができる。
液晶表示装置を製造する方法をそのまま適用して製造す
ることができる。
【００３９】図５は画素電極７０に形成する開口部７
１、７２の他の実施例を示す図面である。このように開
口部７１、７２の模様は多様な変形が可能であるが隣接
する開口部が互いに一定の角度に傾いている点は変わり
がない。また、画素電極の上半面に位置する開口部の平
均方向と下半面に位置する開口部の平均方向とは互いに
垂直に近い角度、つまり８０゜乃至１００゜の角度をな
す。これは液晶分子の傾く方向を４方向に平均して分布
させるためである。
１、７２の他の実施例を示す図面である。このように開
口部７１、７２の模様は多様な変形が可能であるが隣接
する開口部が互いに一定の角度に傾いている点は変わり
がない。また、画素電極の上半面に位置する開口部の平
均方向と下半面に位置する開口部の平均方向とは互いに
垂直に近い角度、つまり８０゜乃至１００゜の角度をな
す。これは液晶分子の傾く方向を４方向に平均して分布
させるためである。
【００４０】
【発明の効果】以上のような方法で薄膜トランジスタ基
板を製造すれば、通常の垂直配向液晶表示装置に比べて
工程を全く追加しないでも良質の広視野角液晶表示装置
を製造することができ、上板の共通電極をパターニング
しなくてもよいので共通電極電圧が増加したり高価なオ
ーバーコート（overcoat）膜を形成しなければならない
などの問題点が解消される。
板を製造すれば、通常の垂直配向液晶表示装置に比べて
工程を全く追加しないでも良質の広視野角液晶表示装置
を製造することができ、上板の共通電極をパターニング
しなくてもよいので共通電極電圧が増加したり高価なオ
ーバーコート（overcoat）膜を形成しなければならない
などの問題点が解消される。
【図１】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜
トランジスタ基板の配置図である。
トランジスタ基板の配置図である。
【図２】図１のII−II'線による断面図である。
【図３】本発明の第２実施例による液晶表示装置の配置
図である。
図である。
【図４】図３のIV−IV'線による断面図である。
【図５】画素電極に形成する開口部の他の実施例を示す
図面である。
図面である。
１０ 絶縁基板 ２２ ゲート線 ２６ ゲート電極 ３０ ゲート絶縁膜 ４０ 半導体層 ６２ データ線 ６５ ソース電極 ６６ ドレーン電極 ７０ 画素電極 ７１、７２ 開口部 ８０ 保護膜 ８１ 接触孔 ９０、９５、９６ 維持電極線 ９１、９３ 枠部 ９２ 縦枝部 ９４ 横枝部 ９７ 維持電極 １２０ ブラックマトリックス １３０ 色フィルター １７０ 共通電極 ２００ 液晶物質 ３１０、３２０ 偏光板
Claims (12)
- 【請求項１】絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成されているゲート線と、 前記ゲート線と絶縁されて交差しているデータ線と、 前記ゲート線及び前記データ線に連結されていて前記ゲ
ート線の信号によって前記データ線の信号を画素電極に
伝達したり遮断したりするスイッチング素子と、 前記スイッチング素子に連結されていて開口パターンを
有する画素電極と、を含み、 前記画素電極の開口パターンは多数の開口部からなり、
これら開口部は隣接する開口部に対して一定の角度に傾
いていることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。 - 【請求項２】絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成されているゲート線と、 前記ゲート線と絶縁されて交差しているデータ線と、 前記ゲート線及び前記データ線に連結されていて前記ゲ
ート線の信号によって前記データ線の信号を画素電極に
伝達したり遮断したりするスイッチング素子と、 前記スイッチング素子に連結されていて開口パターンを
有する画素電極と、を含み、 前記画素電極の開口パターンは多数の開口部からなり、
前記開口部はスプレーしていることを特徴とする薄膜ト
ランジスタ基板。 - 【請求項３】絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成されているゲート線と、 前記ゲート線と絶縁されて交差しているデータ線と、 前記ゲート線及び前記データ線に連結されていて前記ゲ
ート線の信号によって前記データ線の信号を画素電極に
伝達したり遮断するスイッチング素子と、 前記スイッチング素子に連結されており開口パターンを
有する画素電極と、を含み、 前記画素電極の開口パターンは多数の開口部からなり、
隣接する前記開口部の間の距離は前記開口部の開始部分
と終了部分とで互いに異なることを特徴とする薄膜トラ
ンジスタ基板。 - 【請求項４】絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成されているゲート線と、 前記ゲート線と絶縁されて交差しているデータ線と、 前記ゲート線及び前記データ線に連結されていて前記ゲ
ート線の信号によって前記データ線の信号を画素電極に
伝達したり遮断したりするスイッチング素子と、 前記スイッチング素子に連結されていて開口パターンを
有する画素電極と、を含み、 前記画素電極の開口パターンは、多数の帯形状の開口部
からなり、これら開口部が前記ゲート線またはデータ線
となす角度が、隣接する開口部が前記ゲート線またはデ
ータ線となす角度と異なることを特徴とする薄膜トラン
ジスタ基板。 - 【請求項５】前記画素電極の上半面に位置する開口部の
平均方向と下半面に位置する開口部の平均方向とは８０
゜乃至１００゜をなすことを特徴とする請求項１〜４の
いずれかに記載の薄膜トランジスタ基板。 - 【請求項６】前記開口パターンと重畳する枝部を含む維
持電極配線をさらに含む請求項１〜４のいずれかに記載
の薄膜トランジスタ基板。 - 【請求項７】前記維持電極配線の枝部の幅は２乃至１０
μｍであることを特徴とする請求項６に記載の薄膜トラ
ンジスタ基板。 - 【請求項８】前記開口部の幅は３乃至１０μｍであるこ
とを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ基
板。 - 【請求項９】前記開口部の幅は１０乃至２０μｍである
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の薄膜
トランジスタ基板。 - 【請求項１０】前記隣接する二つの開口部がなす角度は
５゜乃至４０゜の範囲内であることを特徴とする請求項
１〜４のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板。 - 【請求項１１】請求項５に記載の薄膜トランジスタ基板
と、 前記薄膜トランジスタ基板に対向している第２基板と、 前記第２基板に形成されている色フィルターと、 前記第２基板に形成されているブラックマトリックス
と、 前記色フィルター及び前記ブラックマトリックス上に形
成されている共通電極と、 前記薄膜トランジスタ基板と前記第２基板との間に注入
されている液晶物質と、 前記薄膜トランジスタ基板及び前記第２基板の外側に各
々付着されている第１及び第２偏光板と、を含む液晶表
示装置。 - 【請求項１２】前記第１及び第２偏光板の偏光方向は前
記画素電極の開口部の平均方向と平行であるか垂直をな
すことを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000012485A KR100612995B1 (ko) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 박막 트랜지스터 기판 |
| KR2000-12485 | 2000-03-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001264785A true JP2001264785A (ja) | 2001-09-26 |
Family
ID=19654597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001049954A Pending JP2001264785A (ja) | 2000-03-13 | 2001-02-26 | 液晶表示装置及びそれに用いられる薄膜トランジスタ基板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6570638B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001264785A (ja) |
| KR (1) | KR100612995B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006053546A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-23 | Casio Comput Co Ltd | 垂直配向型の液晶表示素子 |
| KR100794569B1 (ko) | 2006-04-26 | 2008-01-17 | 미래산업 주식회사 | 액정표시장치 |
| CN100385322C (zh) * | 2002-12-13 | 2008-04-30 | 三星电子株式会社 | 用于液晶显示器的薄膜晶体管面板 |
| JP2013047819A (ja) * | 2012-10-02 | 2013-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100482468B1 (ko) * | 2000-10-10 | 2005-04-14 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 구동 액정 표시 장치 |
| JP3774858B2 (ja) * | 2001-04-07 | 2006-05-17 | 大林精工株式会社 | 液晶表示装置とその駆動方法 |
| US6798483B2 (en) * | 2002-04-25 | 2004-09-28 | Hannstar Display Corp. | Floating electrode switching liquid crystal display |
| KR100929669B1 (ko) * | 2003-01-27 | 2009-12-03 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| US20050078253A1 (en) * | 2003-08-04 | 2005-04-14 | Hee-Seop Kim | Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor |
| KR100672215B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2007-01-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계 방식 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| US7466385B2 (en) * | 2004-12-23 | 2008-12-16 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Vertical alignment liquid crystal displays with high transmittance and wide view angle |
| EP1674922A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| US7667809B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-02-23 | Lg. Display Co., Ltd. | FFS mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| US20070195251A1 (en) * | 2006-02-22 | 2007-08-23 | Toppoly Optoelectronics Corp. | Systems for displaying images involving alignment liquid crystal displays |
| US7450208B2 (en) * | 2006-03-01 | 2008-11-11 | Tpo Displays Corp. | Vertical alignment liquid crystal displays |
| KR20080032768A (ko) * | 2006-10-10 | 2008-04-16 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
| JP4571166B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2010-10-27 | 統寶光電股▲ふん▼有限公司 | 垂直配向型液晶表示装置 |
| JP5138481B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2013-02-06 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
| TWI382539B (zh) * | 2008-07-18 | 2013-01-11 | Chimei Innolux Corp | 薄膜電晶體基板及其製程 |
| KR100984364B1 (ko) * | 2010-01-05 | 2010-09-30 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
| CN103901647A (zh) * | 2012-12-27 | 2014-07-02 | 群康科技(深圳)有限公司 | 显示装置及液晶显示面板 |
| US9997652B2 (en) | 2015-03-23 | 2018-06-12 | Sunpower Corporation | Deposition approaches for emitter layers of solar cells |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10333170A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Samsung Electron Co Ltd | 広視野角液晶表示装置 |
| JPH11344710A (ja) * | 1998-06-01 | 1999-12-14 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
| JPH11352489A (ja) * | 1998-05-16 | 1999-12-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 広視野角液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2000075297A (ja) * | 1994-05-18 | 2000-03-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970000359B1 (ko) * | 1991-09-26 | 1997-01-08 | 가부시기가이샤 도오시바 | 액정표시장치 |
| US5309264A (en) * | 1992-04-30 | 1994-05-03 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal displays having multi-domain cells |
| JP3194127B2 (ja) * | 1996-04-16 | 2001-07-30 | 大林精工株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3022463B2 (ja) * | 1998-01-19 | 2000-03-21 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR100354904B1 (ko) * | 1998-05-19 | 2002-12-26 | 삼성전자 주식회사 | 광시야각액정표시장치 |
| KR100313952B1 (ko) * | 1998-08-20 | 2002-11-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
| JP3926056B2 (ja) * | 1999-03-16 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
-
2000
- 2000-03-13 KR KR1020000012485A patent/KR100612995B1/ko active IP Right Grant
-
2001
- 2001-02-26 JP JP2001049954A patent/JP2001264785A/ja active Pending
- 2001-03-13 US US09/804,052 patent/US6570638B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000075297A (ja) * | 1994-05-18 | 2000-03-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH10333170A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Samsung Electron Co Ltd | 広視野角液晶表示装置 |
| JPH11352489A (ja) * | 1998-05-16 | 1999-12-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 広視野角液晶表示装置及びその製造方法 |
| JPH11344710A (ja) * | 1998-06-01 | 1999-12-14 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100385322C (zh) * | 2002-12-13 | 2008-04-30 | 三星电子株式会社 | 用于液晶显示器的薄膜晶体管面板 |
| JP2006053546A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-23 | Casio Comput Co Ltd | 垂直配向型の液晶表示素子 |
| KR100794569B1 (ko) | 2006-04-26 | 2008-01-17 | 미래산업 주식회사 | 액정표시장치 |
| JP2013047819A (ja) * | 2012-10-02 | 2013-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100612995B1 (ko) | 2006-08-14 |
| KR20010091118A (ko) | 2001-10-23 |
| US20010024246A1 (en) | 2001-09-27 |
| US6570638B2 (en) | 2003-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001264785A (ja) | 液晶表示装置及びそれに用いられる薄膜トランジスタ基板 | |
| US6573532B2 (en) | Thin film transistor array panel for liquid crystal display | |
| KR100748442B1 (ko) | 수평전계 구동방식 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그제조 방법 | |
| KR100857133B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 | |
| KR100333983B1 (ko) | 광시야각 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및그의 제조 방법 | |
| US6459465B1 (en) | Liquid crystal panel for IPS mode liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
| KR100961946B1 (ko) | 수직 배향형 액정 표시 장치 | |
| JP5351388B2 (ja) | 表示装置 | |
| KR101112539B1 (ko) | 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판 | |
| US7847906B2 (en) | Liquid crystal display | |
| KR101112543B1 (ko) | 다중 도메인 박막 트랜지스터 표시판 | |
| JP2001021894A (ja) | 液晶表示装置 | |
| US7460192B2 (en) | Liquid crystal display, thin film diode panel, and manufacturing method of the same | |
| US20070070261A1 (en) | Thin film transistor array panel | |
| US20060131582A1 (en) | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof | |
| US20030043309A1 (en) | Active matrix substrate and manufacturing method thereof | |
| KR20060131316A (ko) | 수평 전계 인가형 액정 표시 패널 및 그 제조방법 | |
| JP2005182048A (ja) | 多重ドメイン薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置 | |
| KR100612993B1 (ko) | 광시야각 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 기판 | |
| KR20020074056A (ko) | 액정 표시 장치, 그의 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 | |
| US7116389B2 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
| KR100670054B1 (ko) | 광시야각 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 기판 | |
| KR20060121453A (ko) | 액정표시장치용 기판 및 형성방법 | |
| KR101320047B1 (ko) | 액정표시장치 | |
| KR100237680B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070903 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070918 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071119 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110128 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110208 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110427 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110427 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110712 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111020 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20111027 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20111222 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20121213 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130322 |