JP2001264716A - 光変調器および光変調方法 - Google Patents
光変調器および光変調方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光変調振幅が大きくかつＳ／Ｎが高い光変調
器を提供する。 【解決手段】 光変調器１０の磁性ガーネット単結晶１
２上のマイクロストリップライン１４の一端には、マイ
クロ波信号発生器１６がマイクロ波増幅アンプ１８を介
して接続される。マイクロストリップライン１４の他端
には、終端抵抗器２０が接続される。磁性ガーネット単
結晶１２の一方の側面の外側には、レーザー光源２２、
偏光子２４、第１のレンズ２６が設けられる。磁性ガー
ネット単結晶１２の他方の側面の外側には、第２のレン
ズ２８、検光子３０、第３のレンズ３２、フォトダイオ
ード３４が設けられる。光軸回りの検光子３０の回転角
度は、直流光の検光子３０の透過光量が最小になる回転
角度（消光位）からさらに９０度回転させて設定され
る。
器を提供する。 【解決手段】 光変調器１０の磁性ガーネット単結晶１
２上のマイクロストリップライン１４の一端には、マイ
クロ波信号発生器１６がマイクロ波増幅アンプ１８を介
して接続される。マイクロストリップライン１４の他端
には、終端抵抗器２０が接続される。磁性ガーネット単
結晶１２の一方の側面の外側には、レーザー光源２２、
偏光子２４、第１のレンズ２６が設けられる。磁性ガー
ネット単結晶１２の他方の側面の外側には、第２のレン
ズ２８、検光子３０、第３のレンズ３２、フォトダイオ
ード３４が設けられる。光軸回りの検光子３０の回転角
度は、直流光の検光子３０の透過光量が最小になる回転
角度（消光位）からさらに９０度回転させて設定され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は光変調器および光
変調方法に関し、特に数１００ＭＨｚ以上のたとえばマ
イクロ波やミリ波などの高周波信号で変調された光強度
を得る光変調器および光変調方法に関する。
変調方法に関し、特に数１００ＭＨｚ以上のたとえばマ
イクロ波やミリ波などの高周波信号で変調された光強度
を得る光変調器および光変調方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、イットリウム鉄ガーネット（ＹＩ
Ｇ）などの磁性フェライト単結晶中に光を透過させ、こ
れに細線状のトランスデューサやマイクロストリップラ
インなどを用いてマイクロ波やミリ波を印加すること
で、マイクロ波やミリ波によって光強度を変調する光変
調器が考えられてきた（たとえば、堤誠、上田哲也；信
学技報 Vol.98 No.123 MW98-41,OPE98-33(1988) p.45参
照）。このような光変調器の構成を図１に示す。
Ｇ）などの磁性フェライト単結晶中に光を透過させ、こ
れに細線状のトランスデューサやマイクロストリップラ
インなどを用いてマイクロ波やミリ波を印加すること
で、マイクロ波やミリ波によって光強度を変調する光変
調器が考えられてきた（たとえば、堤誠、上田哲也；信
学技報 Vol.98 No.123 MW98-41,OPE98-33(1988) p.45参
照）。このような光変調器の構成を図１に示す。
【０００３】図１はこの発明の背景となりかつこの発明
が適用される従来の光変調器の一例を示す図解図であ
る。図１に示す光変調器１０は、磁性体として板状の磁
性ガーネット単結晶１２を含む。磁性ガーネット単結晶
１２の一つの主面の中央には、マイクロストリップライ
ン（トランスデューサ）１４が設けられる。マイクロス
トリップライン１４の一端には、マイクロ波信号発生器
１６の出力端がマイクロ波増幅アンプ１８を介して接続
される。また、マイクロストリップライン１４の他端
は、終端抵抗器２０に接続される。さらに、磁性ガーネ
ット単結晶１２の近傍には、永久磁石（図示せず）が設
けられる。この永久磁石は、磁性ガーネット単結晶１２
に平行にかつマイクロストリップライン１４に直交する
方向に直流磁場を印加するためのものである。また、磁
性ガーネット単結晶１２の一方の側面の外側には、レー
ザー光源２２、偏光子２４および第１のレンズ２６が、
この順に磁性ガーネット単結晶１２に近づくように設け
られる。レーザー光源２２は、レーザー光を発生するた
めのものである。偏光子２４は、レーザー光源２２で発
生したレーザー光を特定方向の直線偏光とするためのも
のである。第１のレンズ２６は、レーザー光源２２で発
生したレーザー光を磁性ガーネット単結晶１２中に集中
するためのものである。さらに、磁性ガーネット単結晶
１２の他方の側面の外側には、第２のレンズ２８、検光
子３０、第３のレンズ３２およびフォトダイオード３４
が、この順に磁性ガーネット単結晶１２から離れるよう
に設けられる。第２のレンズ２８は、磁性ガーネット単
結晶１２を透過したレーザー光を平行光線にするための
ものである。検光子３０は、レーザー光の特定方向の直
線偏光を透過するためのものであり、偏光子２４とクロ
スニコルの関係で設置される。第３のレンズ３２は、検
光子３０を透過したレーザー光を集光するためのもので
ある。フォトダイオード３４は、レーザー光の信号を検
出するためのものである。また、フォトダイオード３４
の出力端は、光電流増幅アンプ３６の入力端に接続され
る。
が適用される従来の光変調器の一例を示す図解図であ
る。図１に示す光変調器１０は、磁性体として板状の磁
性ガーネット単結晶１２を含む。磁性ガーネット単結晶
１２の一つの主面の中央には、マイクロストリップライ
ン（トランスデューサ）１４が設けられる。マイクロス
トリップライン１４の一端には、マイクロ波信号発生器
１６の出力端がマイクロ波増幅アンプ１８を介して接続
される。また、マイクロストリップライン１４の他端
は、終端抵抗器２０に接続される。さらに、磁性ガーネ
ット単結晶１２の近傍には、永久磁石（図示せず）が設
けられる。この永久磁石は、磁性ガーネット単結晶１２
に平行にかつマイクロストリップライン１４に直交する
方向に直流磁場を印加するためのものである。また、磁
性ガーネット単結晶１２の一方の側面の外側には、レー
ザー光源２２、偏光子２４および第１のレンズ２６が、
この順に磁性ガーネット単結晶１２に近づくように設け
られる。レーザー光源２２は、レーザー光を発生するた
めのものである。偏光子２４は、レーザー光源２２で発
生したレーザー光を特定方向の直線偏光とするためのも
のである。第１のレンズ２６は、レーザー光源２２で発
生したレーザー光を磁性ガーネット単結晶１２中に集中
するためのものである。さらに、磁性ガーネット単結晶
１２の他方の側面の外側には、第２のレンズ２８、検光
子３０、第３のレンズ３２およびフォトダイオード３４
が、この順に磁性ガーネット単結晶１２から離れるよう
に設けられる。第２のレンズ２８は、磁性ガーネット単
結晶１２を透過したレーザー光を平行光線にするための
ものである。検光子３０は、レーザー光の特定方向の直
線偏光を透過するためのものであり、偏光子２４とクロ
スニコルの関係で設置される。第３のレンズ３２は、検
光子３０を透過したレーザー光を集光するためのもので
ある。フォトダイオード３４は、レーザー光の信号を検
出するためのものである。また、フォトダイオード３４
の出力端は、光電流増幅アンプ３６の入力端に接続され
る。
【０００４】図１に示す光変調器１０では、その光学系
（磁性ガーネット単結晶１２およびその両側の構成）
は、ファラデー効果などの透過型の光磁気効果の測定光
学系とほぼ同じである。すなわち、磁性ガーネット単結
晶１２（マイクロストリップライン（トランスデュー
サ）１４）にマイクロ波を印加することによって、磁性
ガーネット単結晶１２中で光とマイクロ波とを結合さ
せ、光の偏光状態をマイクロ波によって変調する。これ
をファラデー光学系によって強度の変化に変換して検出
するものである。図２は図１に示す光変調器１０におい
てマイクロ波を印加していないときに検出される光信号
出力の波形を示す図解図であり、図３は図１に示す光変
調器１０においてマイクロ波を印加しているときに検出
される光信号出力の波形を示す図解図である。マイクロ
波を印加していないときには、図２に示すように磁性ガ
ーネット単結晶１２の透過光も直流のままであり、検出
される光出力は一定である。それに対して、マイクロ波
を印加しているときには、図３に示すように変調された
交流成分が直流成分に重畳する。なお、図１に示す光変
調器１０において、磁性ガーネット単結晶１２に外部磁
場を印加しないか印加してもかなり弱いときには、マイ
クロ波はそのまま伝搬してマイクロ波による光変調がお
こなわれる。また、磁性ガーネット単結晶１２に十分に
強い外部磁場を印加したときには、静磁波が励起され、
静磁波による光変調がおこなわれる。
（磁性ガーネット単結晶１２およびその両側の構成）
は、ファラデー効果などの透過型の光磁気効果の測定光
学系とほぼ同じである。すなわち、磁性ガーネット単結
晶１２（マイクロストリップライン（トランスデュー
サ）１４）にマイクロ波を印加することによって、磁性
ガーネット単結晶１２中で光とマイクロ波とを結合さ
せ、光の偏光状態をマイクロ波によって変調する。これ
をファラデー光学系によって強度の変化に変換して検出
するものである。図２は図１に示す光変調器１０におい
てマイクロ波を印加していないときに検出される光信号
出力の波形を示す図解図であり、図３は図１に示す光変
調器１０においてマイクロ波を印加しているときに検出
される光信号出力の波形を示す図解図である。マイクロ
波を印加していないときには、図２に示すように磁性ガ
ーネット単結晶１２の透過光も直流のままであり、検出
される光出力は一定である。それに対して、マイクロ波
を印加しているときには、図３に示すように変調された
交流成分が直流成分に重畳する。なお、図１に示す光変
調器１０において、磁性ガーネット単結晶１２に外部磁
場を印加しないか印加してもかなり弱いときには、マイ
クロ波はそのまま伝搬してマイクロ波による光変調がお
こなわれる。また、磁性ガーネット単結晶１２に十分に
強い外部磁場を印加したときには、静磁波が励起され、
静磁波による光変調がおこなわれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来、マイ
クロ波やミリ波あるいは静磁波による光の変調現象を生
じさせることに注意が払われてきたが、大きな変調を得
ることにはあまり注意が払われていなかった。そのた
め、図１に示す構成を持った従来の光変調器では、検出
される光変調振幅が大きくなりにくく、Ｓ／Ｎが小さい
という問題があった。
クロ波やミリ波あるいは静磁波による光の変調現象を生
じさせることに注意が払われてきたが、大きな変調を得
ることにはあまり注意が払われていなかった。そのた
め、図１に示す構成を持った従来の光変調器では、検出
される光変調振幅が大きくなりにくく、Ｓ／Ｎが小さい
という問題があった。
【０００６】それゆえに、この発明の主たる目的は、光
変調振幅が大きくかつＳ／Ｎが高い光変調器および光変
調方法を提供することである。
変調振幅が大きくかつＳ／Ｎが高い光変調器および光変
調方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる光変調
器は、磁性体に形成したトランスデューサに高周波信号
を印加することにより、磁性体中を透過する光を変調す
る光変調器において、光軸回りの検光子の回転角度が、
直流光の検光子の透過光量が最小になる回転角度（消光
位）からさらに９０度回転させて設定されていることを
特徴とする、光変調器である。この発明にかかる光変調
方法は、磁性体に形成したトランスデューサに高周波信
号を印加することにより、磁性体中を透過する光を変調
する光変調方法において、光軸回りの検光子の回転角度
を、直流光の検光子の透過光量が最小になる回転角度
（消光位）からさらに９０度回転させて設定することを
特徴とする、光変調方法である。この発明にかかる光変
調器および光変調方法では、高周波信号はたとえばマイ
クロ波またはミリ波の信号を含む。この発明にかかる光
変調器および光変調方法では、受光系の周波数帯域はた
とえばマイクロ波やミリ波の高周波信号の周波数を含
む。この発明にかかる光変調器および光変調方法では、
磁性体はたとえばフェライト単結晶であり、フェライト
単結晶はたとえば鉄イットリウムガーネットである。
器は、磁性体に形成したトランスデューサに高周波信号
を印加することにより、磁性体中を透過する光を変調す
る光変調器において、光軸回りの検光子の回転角度が、
直流光の検光子の透過光量が最小になる回転角度（消光
位）からさらに９０度回転させて設定されていることを
特徴とする、光変調器である。この発明にかかる光変調
方法は、磁性体に形成したトランスデューサに高周波信
号を印加することにより、磁性体中を透過する光を変調
する光変調方法において、光軸回りの検光子の回転角度
を、直流光の検光子の透過光量が最小になる回転角度
（消光位）からさらに９０度回転させて設定することを
特徴とする、光変調方法である。この発明にかかる光変
調器および光変調方法では、高周波信号はたとえばマイ
クロ波またはミリ波の信号を含む。この発明にかかる光
変調器および光変調方法では、受光系の周波数帯域はた
とえばマイクロ波やミリ波の高周波信号の周波数を含
む。この発明にかかる光変調器および光変調方法では、
磁性体はたとえばフェライト単結晶であり、フェライト
単結晶はたとえば鉄イットリウムガーネットである。
【０００８】この発明にかかる光変調器および光変調方
法では、光軸回りの検光子の回転角度を最適化すること
によって、具体的には、光軸回りの検光子の回転角度
を、直流光の検光子の透過光量が最小になる回転角度
（消光位）からさらに９０度回転することによって、略
最大のＳ／Ｎが得られる。
法では、光軸回りの検光子の回転角度を最適化すること
によって、具体的には、光軸回りの検光子の回転角度
を、直流光の検光子の透過光量が最小になる回転角度
（消光位）からさらに９０度回転することによって、略
最大のＳ／Ｎが得られる。
【０００９】この発明の上述の目的、その他の目的、特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【００１０】
【発明の実施の形態】図４は図１に示す光変調器１０の
光学系の部分だけを取り出した図解図である。磁性ガー
ネット単結晶１２に入射する入射光ＩＢの振動方向ａ
（電場の振動方向）は光軸回りの偏光子２４の回転角度
によって決まる。ただし、光源が直線偏光を出射するレ
ーザーであれば、偏光子２４を使わずにレーザーの光軸
回りの回転角度によって、入射光ＩＢの振動方向ａを決
めることも可能である。入射光ＩＢの振動方向ａは適宜
決めればよいが、磁性ガーネット単結晶１２の出射光の
光変調振幅が大きくなる角度とすることが望ましい。入
射光ＩＢの振動方向ａをある方向に固定したとする。こ
のとき検光子３０を光軸の回りに回転させていくと、図
３に示す直流成分ＤＣの大きさとマイクロ波によって生
じた光変調振幅（交流成分ＡＣの大きさ）とが、それぞ
れ変化する。本発明者らは鋭意研究を進めた結果、これ
らの直流成分ＤＣと交流成分ＡＣとはそれぞれ独立に変
化するのではなく、ある一定の関係をたもつことを見出
した。さて、一般に以下のことが知られている。磁性体
に直線偏光を入射させると、光磁気効果によりその出射
光の振動面が回転する。また、出射光は楕円偏光となる
こともある。後者は、たとえば、ファラデー効果におい
ては磁気円二色性（磁性体の光吸収係数が、右回りおよ
び左回り円偏光に対して異なること）によって生じる。
したがって、図４に示す検光子３０を光軸回りに回転し
ていくとき、図３に示す直流成分ＤＣの大きさが最大と
なる方向に光磁気効果により出射光の振動面が回転する
のである。また、この角度から検光子３０を９０度回転
した方向で直流成分ＤＣの大きさは最小となる。すなわ
ち、この直流成分ＤＣの大きさが最小となる角度が、消
光位である。このときの直流成分ＤＣの大きさは、出射
光が楕円偏光となれば０とはならない。本発明者らの研
究によれば、消光位から検光子３０を９０度回転させた
とき、すなわち、直流成分ＤＣが最大となるように検光
子３０の回転角度を調整したとき、交流成分ＡＣの大き
さが最大となることが判明した。すなわち、消光位から
検光子３０を光軸回りに９０度回転した角度に設定する
ことで、マイクロ波により変調された大きな振幅を検出
することができ、高いＳ／Ｎを実現できる。
光学系の部分だけを取り出した図解図である。磁性ガー
ネット単結晶１２に入射する入射光ＩＢの振動方向ａ
（電場の振動方向）は光軸回りの偏光子２４の回転角度
によって決まる。ただし、光源が直線偏光を出射するレ
ーザーであれば、偏光子２４を使わずにレーザーの光軸
回りの回転角度によって、入射光ＩＢの振動方向ａを決
めることも可能である。入射光ＩＢの振動方向ａは適宜
決めればよいが、磁性ガーネット単結晶１２の出射光の
光変調振幅が大きくなる角度とすることが望ましい。入
射光ＩＢの振動方向ａをある方向に固定したとする。こ
のとき検光子３０を光軸の回りに回転させていくと、図
３に示す直流成分ＤＣの大きさとマイクロ波によって生
じた光変調振幅（交流成分ＡＣの大きさ）とが、それぞ
れ変化する。本発明者らは鋭意研究を進めた結果、これ
らの直流成分ＤＣと交流成分ＡＣとはそれぞれ独立に変
化するのではなく、ある一定の関係をたもつことを見出
した。さて、一般に以下のことが知られている。磁性体
に直線偏光を入射させると、光磁気効果によりその出射
光の振動面が回転する。また、出射光は楕円偏光となる
こともある。後者は、たとえば、ファラデー効果におい
ては磁気円二色性（磁性体の光吸収係数が、右回りおよ
び左回り円偏光に対して異なること）によって生じる。
したがって、図４に示す検光子３０を光軸回りに回転し
ていくとき、図３に示す直流成分ＤＣの大きさが最大と
なる方向に光磁気効果により出射光の振動面が回転する
のである。また、この角度から検光子３０を９０度回転
した方向で直流成分ＤＣの大きさは最小となる。すなわ
ち、この直流成分ＤＣの大きさが最小となる角度が、消
光位である。このときの直流成分ＤＣの大きさは、出射
光が楕円偏光となれば０とはならない。本発明者らの研
究によれば、消光位から検光子３０を９０度回転させた
とき、すなわち、直流成分ＤＣが最大となるように検光
子３０の回転角度を調整したとき、交流成分ＡＣの大き
さが最大となることが判明した。すなわち、消光位から
検光子３０を光軸回りに９０度回転した角度に設定する
ことで、マイクロ波により変調された大きな振幅を検出
することができ、高いＳ／Ｎを実現できる。
【００１１】
【実施例】磁性体として、フローティングゾーン法によ
り育成された純ＹＩＧのバルク単結晶を用いた。これを
５ｍｍ×５ｍｍ×０．８ｍｍの大きさに切り出し各面を
鏡面研磨した。波長１．３μｍの半導体レーザーを光源
とし、５ｍｍ×０．８ｍｍの面の一つから結晶中に入射
させた。入射光の振動方向は、板状結晶の板面の法線方
向に一致するように固定した。結晶の５ｍｍ×５ｍｍの
面には、特性インピーダンスが５０Ωとなるようなマイ
クロストリップライン（トランスデューサ）を設置し
た。マイクロストリップラインには、周波数８００ＭＨ
ｚのマイクロ波を印加した。マイクロストリップライン
の方向と光の進行方向とは直交するようにした。外部磁
場は印加していない。受光系には、図１に示すフォトダ
イオード３４、光電流増幅アンプ３６およびオシロスコ
ープ（図示せず）を一体化した光コミュニケーションア
ナライザを用いた。そして、検光子を回転させたときの
検出された光信号出力の直流成分の大きさおよび交流成
分の大きさ（光変調振幅）を図５のグラフに示す。な
お、ここで、θｐは、消光位からの検光子の光軸回りの
回転角度であり、したがってθｐ＝０度のときに消光位
となる。直流成分が最大となる角度θｐは９０度であ
り、光変調振幅が最大となる角度θｐは９０度であり、
このときの消光位からの角度差は９０度である。
り育成された純ＹＩＧのバルク単結晶を用いた。これを
５ｍｍ×５ｍｍ×０．８ｍｍの大きさに切り出し各面を
鏡面研磨した。波長１．３μｍの半導体レーザーを光源
とし、５ｍｍ×０．８ｍｍの面の一つから結晶中に入射
させた。入射光の振動方向は、板状結晶の板面の法線方
向に一致するように固定した。結晶の５ｍｍ×５ｍｍの
面には、特性インピーダンスが５０Ωとなるようなマイ
クロストリップライン（トランスデューサ）を設置し
た。マイクロストリップラインには、周波数８００ＭＨ
ｚのマイクロ波を印加した。マイクロストリップライン
の方向と光の進行方向とは直交するようにした。外部磁
場は印加していない。受光系には、図１に示すフォトダ
イオード３４、光電流増幅アンプ３６およびオシロスコ
ープ（図示せず）を一体化した光コミュニケーションア
ナライザを用いた。そして、検光子を回転させたときの
検出された光信号出力の直流成分の大きさおよび交流成
分の大きさ（光変調振幅）を図５のグラフに示す。な
お、ここで、θｐは、消光位からの検光子の光軸回りの
回転角度であり、したがってθｐ＝０度のときに消光位
となる。直流成分が最大となる角度θｐは９０度であ
り、光変調振幅が最大となる角度θｐは９０度であり、
このときの消光位からの角度差は９０度である。
【００１２】なお、磁性フェライト単結晶としては、バ
ルク単結晶以外に、液相エピタキシャル法などで育成さ
れた薄膜単結晶が使用されてもよい。
ルク単結晶以外に、液相エピタキシャル法などで育成さ
れた薄膜単結晶が使用されてもよい。
【００１３】
【発明の効果】この発明によれば、従来の技術によって
検出される光変調振幅が０．１μＷ以下にもなることが
あり得るのに対して、光変調振幅を２０μＷ以上とする
ことができるという顕著な効果を奏する。
検出される光変調振幅が０．１μＷ以下にもなることが
あり得るのに対して、光変調振幅を２０μＷ以上とする
ことができるという顕著な効果を奏する。
【図１】この発明の背景となりかつこの発明が適用され
る従来の光変調器の一例を示す図解図である。
る従来の光変調器の一例を示す図解図である。
【図２】図１に示す光変調器において、マイクロ波を印
加していないときに光電流増幅アンプの出力端から出力
される光信号の波形を示す図解図である。
加していないときに光電流増幅アンプの出力端から出力
される光信号の波形を示す図解図である。
【図３】図１に示す光変調器において、マイクロ波を印
加しているときに光電流増幅アンプの出力端から出力さ
れる光信号の波形を示す図解図である。
加しているときに光電流増幅アンプの出力端から出力さ
れる光信号の波形を示す図解図である。
【図４】図１に示す光変調器の光学系の部分だけを取り
出した図解図である。
出した図解図である。
【図５】検光子を回転させたときの検出された光出力信
号の直流成分の大きさおよび交流成分の大きさ（光変調
振幅）を示すグラフである。
号の直流成分の大きさおよび交流成分の大きさ（光変調
振幅）を示すグラフである。
１０ 光変調器 １２ 磁性ガーネット単結晶 １４ マイクロストリップライン（トランスデューサ） １６ マイクロ波信号発生器 １８ マイクロ波増幅アンプ ２０ 終端抵抗器 ２２ レーザー光源 ２４ 偏光子 ２６ 第１のレンズ ２８ 第２のレンズ ３０ 検光子 ３２ 第３のレンズ ３４ フォトダイオード ３６ 光電流増幅アンプ ＯＵＴ 光信号出力 ＤＣ 直流成分 ＡＣ 交流成分 ＧＲＤ グランドレベル ＩＢ 入射光 ａ 入射光の振動方向 ＴＢ 磁性ガーネット単結晶の透過光 ｂ 検光子の透過光の振動方向 θｐ 消光位からの検光子の光軸回りの回転角度
Claims (10)
- 【請求項１】 磁性体に形成したトランスデューサに高
周波信号を印加することにより、前記磁性体中を透過す
る光を変調する光変調器において、 光軸回りの検光子の回転角度が、直流光の検光子の透過
光量が最小になる回転角度（消光位）からさらに９０度
回転させて設定されていることを特徴とする、光変調
器。 - 【請求項２】 前記高周波信号はマイクロ波またはミリ
波の信号を含む、請求項１に記載の光変調器。 - 【請求項３】 受光系の周波数帯域は前記高周波信号の
周波数を含む、請求項１または請求項２に記載の光変調
器。 - 【請求項４】 前記磁性体はフェライト単結晶である、
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の光変調器。 - 【請求項５】 前記フェライト単結晶は鉄イットリウム
ガーネットである、請求項４に記載の光変調器。 - 【請求項６】 磁性体に形成したトランスデューサに高
周波信号を印加することにより、前記磁性体中を透過す
る光を変調する光変調方法において、 光軸回りの検光子の回転角度を、直流光の検光子の透過
光量が最小になる回転角度（消光位）からさらに９０度
回転させて設定することを特徴とする、光変調方法。 - 【請求項７】 前記高周波信号はマイクロ波またはミリ
波の信号を含む、請求項６に記載の光変調方法。 - 【請求項８】 受光系の周波数帯域は前記高周波信号の
周波数を含む、請求項６または請求項７に記載の光変調
方法。 - 【請求項９】 前記磁性体はフェライト単結晶である、
請求項６ないし請求項８のいずれかに記載の光変調方
法。 - 【請求項１０】 前記フェライト単結晶は鉄イットリウ
ムガーネットである、請求項９に記載の光変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000080559A JP2001264716A (ja) | 2000-03-22 | 2000-03-22 | 光変調器および光変調方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000080559A JP2001264716A (ja) | 2000-03-22 | 2000-03-22 | 光変調器および光変調方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001264716A true JP2001264716A (ja) | 2001-09-26 |
Family
ID=18597648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000080559A Pending JP2001264716A (ja) | 2000-03-22 | 2000-03-22 | 光変調器および光変調方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001264716A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022163753A1 (ja) * | 2021-01-28 | 2022-08-04 | 株式会社フジクラ | 光位相変調器、光デバイス、及び光演算装置 |
-
2000
- 2000-03-22 JP JP2000080559A patent/JP2001264716A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022163753A1 (ja) * | 2021-01-28 | 2022-08-04 | 株式会社フジクラ | 光位相変調器、光デバイス、及び光演算装置 |
| JP7523597B2 (ja) | 2021-01-28 | 2024-07-26 | 株式会社フジクラ | 光位相変調器、光デバイス、及び光演算装置 |
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