JP2001257189A - Resist removing device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はレジスト除去装置に
関し、詳しくは、リソグラフィーを用いる回路形成工程
において基板の表面に被着形成されるレジスト膜を化学
的加工処理や化学的洗浄処理に用いる高純度・高化学機
能の水蒸気を供給する技術に基づいて除去するものであ
り、さらには水と水蒸気の体積比が１：１７００にも達
することを積極的に利用することによって環境との調和
にも寄与するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist removing apparatus, and more particularly to a high-purity resist removing apparatus used in a circuit forming process using lithography, in which a resist film formed on a surface of a substrate is subjected to chemical processing or chemical cleaning.・ It is removed based on the technology of supplying water vapor with high chemical function, and also contributes to harmony with the environment by positively utilizing the fact that the volume ratio of water to water vapor reaches as high as 1: 1700. Is what you do.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在実用化されているレジスト膜の除去
処理技術は、次の三つの除去手段に分類される。 １）レジスト膜の分解：プラズマ灰化・酸化分解 ２）レジスト膜の溶解：有機溶媒による溶解・酸化剤〜
アルカリによる溶解 ３）レジスト膜の剥離：有機溶媒による剥離・粘着テー
プによる剥離2. Description of the Related Art The resist film removal technology currently in practical use is classified into the following three removal means. 1) Decomposition of resist film: plasma ashing and oxidative decomposition 2) Dissolution of resist film: dissolution and oxidizing agent with organic solvent
Dissolution by alkali 3) Stripping of resist film: stripping with organic solvent, stripping with adhesive tape
【０００３】一方、レジスト膜の分解・溶解には、酸素
プラズマによりレジスト膜を灰化除去する方法、有機溶
媒（フェノール系・ハロゲン系など有機溶媒、９０℃〜
１３０℃）を用いてレジスト膜を加熱溶解させる方法、
または濃硫酸・過酸化水素を用いる加熱溶解法などがあ
る。On the other hand, for the decomposition and dissolution of the resist film, a method in which the resist film is ashed and removed by oxygen plasma, an organic solvent (an organic solvent such as a phenol-based or halogen-based solvent, 90 ° C.
130 ° C.) to heat and dissolve the resist film,
Alternatively, there is a heat dissolution method using concentrated sulfuric acid / hydrogen peroxide.
【０００４】リソグラフィー工程の課題について説明す
る。リソグラフィー工程とは、基板加工表面にレジスト
膜を接着させ、マスク上の微細パターン間隙を通して光
その他の電磁波エネルギーを照射し、照射部位と非照射
部位のレジスト溶解性の差異を利用してパターンを現像
し、パターンエッチングを行い、回路を形成する工程で
ある。回路形成後にレジスト膜の除去工程が必要であ
る。除去工程の迅速性・完全性が工程能力を左右し、除
去表面の清浄性が製品の機能を左右する。The problem of the lithography process will be described. In the lithography process, a resist film is adhered to the substrate processing surface, light and other electromagnetic wave energy are irradiated through the fine pattern gap on the mask, and the pattern is developed using the difference in resist solubility between the irradiated and non-irradiated parts Then, pattern etching is performed to form a circuit. After the circuit formation, a step of removing the resist film is required. The speed and completeness of the removal process determines the process capability, and the cleanliness of the removal surface determines the function of the product.
【０００５】レジストには化学構造面の課題がある。リ
ソグラフィーでは集積度の世代の進展とともに、ｇ線、
ｉ線、エキシマレーザーと次第に短波長の紫外線が用い
られ、将来は電子線・Ｘ線リソグラフィー時代に向か
う。当然のこととして、レジストの化学構造は今後さら
に改革されてゆく。したがって、レジストとは常に不特
定多数の物質であり、レジストの化学構造が変転してゆ
くなかで基本的に変わらない基幹構造の共通性を見極め
ることが重要になる。There is a problem in the chemical structure of the resist. In lithography, g-line,
The use of i-rays and excimer lasers with shorter wavelengths of ultraviolet light will lead to the age of electron and X-ray lithography. Not surprisingly, the chemical structure of the resist will evolve further. Therefore, a resist is always an unspecified number of substances, and it is important to determine the commonality of the basic structure which does not basically change as the chemical structure of the resist changes.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】すなわち、従来のレジ
スト膜除去技術は、「分解」・「溶解」・「剥離」のいずれか
の手段の採用であった。しかし、いずれの方法も、レジ
スト膜を分解し溶解するために、時間・エネルギー及び
化学材料が必要であり、リソグラフィー工程の重い負担
となっている。That is, the conventional resist film removing technique employs any one of means of "decomposition", "dissolution", and "peeling". However, both methods require time, energy, and chemical materials to decompose and dissolve the resist film, which imposes a heavy burden on the lithography process.
【０００７】このようなレジスト分解やレジスト溶解に
替わる新しいレジスト剥離技術への要求は大きいが、剥
離技術は未だ開発途上にある。その代表例は、高周波超
音波の剥離作用を用いる剥離技術である。剥離液として
例えば「ＩＰＡ−Ｈ2Ｏ2成分系＋フッ化物などの塩類」
の剥離効果が認められている。また、粘着テープによる
接着剥離も試みられている。しかし、主流は酸素プラズ
マ灰化処理であり、時間・エネルギーの消費と、灰化後
の表面汚染に悩んでいるのが現状である。There is a great demand for a new resist stripping technique that can replace such resist decomposition and resist dissolution, but the stripping technique is still under development. A representative example is a peeling technique using a peeling action of high-frequency ultrasonic waves. As the stripping solution, for example, “IPA-H 2 O two- component system + salts such as fluorides”
A peeling effect has been observed. Attempts have also been made to peel off with an adhesive tape. However, the mainstream is oxygen plasma ashing, and at present it suffers from time and energy consumption and surface contamination after ashing.
【０００８】本発明はこのような問題点に着目したもの
である。発明者らは、「水蒸気除去」という新しい手段を
提起する。本発明の目的は、水蒸気によるレジストの物
性変化と構造変化を利用して、レジスト膜を除去するこ
とにある。エネルギーや化学材料や有機溶剤に依存しな
いが、水蒸気の持つ物理化学作用によるレジスト膜の変
質・レジスト膜接着界面の変質を利用する。さらに、
「加熱と冷却の交絡」による界面の接着強度の変質を利用
する。The present invention has focused on such a problem. The inventors propose a new means of “water vapor removal”. An object of the present invention is to remove a resist film by utilizing a change in physical properties and a change in structure of a resist caused by water vapor. It does not depend on energy, chemical materials, or organic solvents, but utilizes the alteration of the resist film and the alteration of the resist film adhesion interface due to the physicochemical action of water vapor. further,
Utilizes the deterioration of the adhesive strength of the interface due to "entanglement of heating and cooling".
【０００９】これらは、従来から行われているレジスト
の分解・溶解・剥離のいずれにも属さない新しい手段で
あり、時間・エネルギーの消費を軽減でき、表面汚染を
生じないレジスト除去装置を実現できる。These are new means that do not belong to any of the conventional decomposition, dissolution, and stripping of resist, and can reduce the consumption of time and energy and realize a resist removal apparatus that does not cause surface contamination. .
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１は、所
定量の純水を供給する純水定量供給手段と、この純水定
量供給手段から供給される純水を加熱する加熱手段と、
加熱された純水の通路の内径を部分的に異ならせて内部
圧力を制御する内圧制御手段とを含み、これら各手段が
化学的耐蝕性部材で構成された水蒸気供給系統と、この
水蒸気供給系統から水蒸気が導入され、除去すべきレジ
ストが付着した基板が配置されるチャンバーとを備え、
水蒸気と基板とを相対的に移動させることを特徴とする
ものである。According to the present invention, there is provided a fixed water supply means for supplying a predetermined amount of pure water, and a heating means for heating the pure water supplied from the fixed water supply means. ,
Internal pressure control means for controlling the internal pressure by partially varying the inner diameter of the heated pure water passage, each of these means comprising a steam supply system composed of a chemical corrosion resistant member; And a chamber in which a substrate to which the resist to be removed is attached is disposed,
It is characterized in that the water vapor and the substrate are relatively moved.
【００１１】これにより、基板に付着したレジストは、
高純度の水蒸気が有する強大な化学機能により除去され
る。Thus, the resist adhering to the substrate is
It is removed by the powerful chemical function of high-purity steam.
【００１２】本発明の請求項２は、所定量の純水を供給
する純水定量供給手段と、この純水定量供給手段から供
給される純水を加熱する加熱手段と、加熱された純水の
通路の内径を部分的に異ならせて内部圧力を制御する内
圧制御手段とを含み、これら各手段が化学的耐蝕性部材
で構成された水蒸気供給系統と、所定量の薬液を供給す
る薬液定量供給手段を含み、バルブを介して純水供給系
統に接続される化学的耐蝕性部材で構成された薬液供給
系統と、前記水蒸気供給系統から水蒸気が導入され、除
去すべきレジストが付着した基板が配置されるチャンバ
ーとを備え、水蒸気と基板とを相対的に移動させること
を特徴とする。A second aspect of the present invention is a pure water quantitative supply means for supplying a predetermined amount of pure water, a heating means for heating the pure water supplied from the pure water constant supply means, Internal pressure control means for controlling the internal pressure by partially varying the inner diameter of the passages, each of these means comprising a steam supply system composed of a chemically corrosion-resistant member, Including a supply means, a chemical solution supply system composed of a chemical corrosion resistant member connected to a pure water supply system via a valve, and a substrate to which steam is introduced from the steam supply system and to which a resist to be removed is attached. And a chamber for disposing water vapor and the substrate relative to each other.
【００１３】これにより、基板に付着したレジストを除
去する高純度水蒸気の化学機能を拡大できる。Thus, the chemical function of the high-purity steam for removing the resist adhering to the substrate can be expanded.
【００１４】本発明の請求項３は、所定量の純水を供給
する純水定量供給手段と、この純水定量供給手段から供
給される純水を加熱する加熱手段と、加熱された純水の
通路の内径を部分的に異ならせて内部圧力を制御する内
圧制御手段とを含み、これら各手段が化学的耐蝕性部材
で構成された水蒸気供給系統と、所定量の薬液を供給す
る薬液定量供給手段を含み、バルブを介して純水供給系
統に接続される化学的耐蝕性部材で構成された薬液供給
系統と、所定量の気体を供給する気体定量供給手段を含
み、バルブを介して純水供給系統に接続される化学的耐
蝕性部材で構成された気体供給系統と、前記水蒸気供給
系統から水蒸気が導入され、除去すべきレジストが付着
した基板が配置されるチャンバーとを備え、水蒸気と基
板とを相対的に移動させることを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided a pure water quantitative supply means for supplying a predetermined amount of pure water; a heating means for heating the pure water supplied from the pure water quantitative supply means; Internal pressure control means for controlling the internal pressure by partially varying the inner diameter of the passages, each of these means comprising a steam supply system composed of a chemically corrosion-resistant member, Including a supply means, a chemical solution supply system composed of a chemical corrosion resistant member connected to a pure water supply system via a valve, and a gas quantitative supply means for supplying a predetermined amount of gas, the pure water via a valve A gas supply system composed of a chemical corrosion-resistant member connected to a water supply system, and a chamber in which water vapor is introduced from the water vapor supply system and a substrate on which a resist to be removed is attached is provided. Relative to the substrate Characterized in that to.
【００１５】これにより、レジストの除去にあたって、
高純度の気体を高純度の水蒸気と混合または併用の態様
で混合して供給でき、気体の化学機能を併用できる。Thus, when removing the resist,
A high-purity gas can be mixed with and supplied with high-purity steam in a mixed or combined mode, and the chemical function of the gas can be used together.
【００１６】本発明の請求項４は、請求項１から請求項
３記載のレジスト除去装置において、加熱手段を内圧制
御手段の前後に分割配置し、各加熱手段の加熱量を個別
に制御することを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, in the resist removing apparatus according to the first to third aspects, the heating means is divided before and after the internal pressure control means, and the heating amount of each heating means is individually controlled. It is characterized by.
【００１７】この分割加熱体への分割供給熱量を、内圧
制御構造体により規定される内圧と純水または薬液の供
給量とともに相関的に調節することにより、水蒸気温度
・水蒸気圧力・水蒸気飽和度ならびに水蒸気発生量を制
御できる。なお、内圧制御機構は特に重要であって、本
発明では化学耐蝕性の細管抵抗体を採用している。By adjusting the divided supply heat quantity to the divided heating body together with the internal pressure defined by the internal pressure control structure and the supply amount of the pure water or the chemical liquid, the steam temperature, the steam pressure, the steam saturation and The amount of generated steam can be controlled. The internal pressure control mechanism is particularly important, and the present invention employs a thin tube resistor having chemical corrosion resistance.
【００１８】本発明の請求項５は、請求項３記載のレジ
スト除去装置において、気体供給系統に加熱手段を設
け、この加熱温度に基づき水蒸気乾燥度を制御すること
を特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the resist removing apparatus according to the third aspect, a heating means is provided in the gas supply system, and the steam drying degree is controlled based on the heating temperature.
【００１９】水蒸気乾燥度を制御することにより、レジ
スト除去表面をミストの影響を受けることなく乾燥させ
ることができる。By controlling the degree of steam drying, the resist-removed surface can be dried without being affected by mist.
【００２０】発明の請求項６は、請求項１から請求項３
記載のレジスト除去装置において、化学的耐蝕性部材
は、熱伝導率が１Ｗｍ-1Ｋ-1以上であることを特徴とす
る。[0020] Claim 6 of the invention relates to claims 1 to 3.
In the resist removing apparatus described above, the chemical corrosion-resistant member has a thermal conductivity of 1 Wm -1 K -1 or more.
【００２１】水は溶解能力と化学作用において優れた化
学物質であり、高温において、さらに水蒸気状態におい
て、この化学作用はさらに増大する。水蒸気供給システ
ムの化学耐蝕性対策手段は、高温水蒸気・高温薬液につ
いて充分でなければならないが、このような部材で構成
することにより化学的耐蝕性および熱効率の優れたレジ
スト除去装置が実現できる。Water is an excellent chemical in dissolving capacity and chemistry, and at high temperatures, and even in the steam state, this chemistry is further enhanced. The means for preventing chemical corrosion of the steam supply system must be sufficient for high-temperature steam and high-temperature chemicals. By using such members, a resist removing apparatus having excellent chemical corrosion resistance and thermal efficiency can be realized.
【００２２】本発明の請求項７は、請求項１から請求項
３記載のレジスト除去装置において、基板ウェハを冷却
する冷却手段を設けたことを特徴とすることを特徴とす
る。According to a seventh aspect of the present invention, in the resist removing apparatus according to the first to third aspects, a cooling means for cooling the substrate wafer is provided.
【００２３】発明の請求項８は、請求項７記載のレジス
ト除去装置において、冷却材料が液体窒素・液化炭酸ガ
ス・冷却空気・冷却水のいずれかであることを特徴とす
るAccording to an eighth aspect of the present invention, in the resist removing apparatus according to the seventh aspect, the cooling material is any one of liquid nitrogen, liquefied carbon dioxide, cooling air, and cooling water.
【００２４】発明の請求項９は、請求項４記載のレジス
ト除去装置において、冷却手段として冷却プレートを用
い、この冷却プレートに基板ウェハを配置することを特
徴とする。According to a ninth aspect of the present invention, in the resist removing apparatus of the fourth aspect, a cooling plate is used as cooling means, and a substrate wafer is arranged on the cooling plate.
【００２５】冷却によりレジスト膜は硬化し、線膨張係
数の差異により接着界面にストレスが発生する。これに
より、レジストの除去は促進される。そして、除去すべ
きレジストの組成に応じて適切な冷却材料および冷却手
段を選択することにより、適切なレジスト除去効果が得
られる。The resist film is hardened by cooling, and stress is generated at the bonding interface due to a difference in linear expansion coefficient. Thereby, removal of the resist is promoted. By selecting an appropriate cooling material and cooling means according to the composition of the resist to be removed, an appropriate resist removing effect can be obtained.
【００２６】本発明の請求項１０は、請求項１から請求
項４記載のレジスト除去装置において、基板ウェハに高
周波超音波と紫外線の少なくともいずれかを照射する照
射手段を設けたことを特徴とする。According to a tenth aspect of the present invention, in the resist removing apparatus according to the first to fourth aspects, irradiation means for irradiating the substrate wafer with at least one of high-frequency ultrasonic waves and ultraviolet rays is provided. .
【００２７】発明の請求項１１は、請求項１０記載のレ
ジスト除去装置において、超音波の周波数は１ＭＨｚ以
上であることを特徴とする。An eleventh aspect of the present invention is the resist removing apparatus according to the tenth aspect, wherein the frequency of the ultrasonic wave is 1 MHz or more.
【００２８】発明の請求項１２は、請求項１０記載のレ
ジスト除去装置において、紫外線の波長は水蒸気・窒素
・空気に対する50%透過距離が２ｍｍ以上であることを
特徴とする。According to a twelfth aspect of the present invention, in the resist removing apparatus according to the tenth aspect, the wavelength of ultraviolet rays is such that a 50% transmission distance to water vapor, nitrogen and air is 2 mm or more.
【００２９】高周波超音波はその振動によってレジスト
と基板ウェハの境界界面におけるレジスト接着力を変化
させて、レジストの剥離を加速させる。超音波の周波数
は１ＭＨｚ以上がより効果的である。紫外線はレジスト
を変質させるとともにレジスト透過性も大きく、レジス
トと基板ウェハとの境界界面に到達してレジスト接着力
を変化させる。紫外線の波長としては、水蒸気・窒素・
空気に対する50%透過距離が２ｍｍ以上であることがよ
り効果的である。The high-frequency ultrasonic waves change the resist adhesive force at the boundary interface between the resist and the substrate wafer due to the vibration, thereby accelerating the peeling of the resist. It is more effective that the frequency of the ultrasonic wave is 1 MHz or more. The ultraviolet rays modify the resist and have a large resist permeability, reach the boundary interface between the resist and the substrate wafer, and change the resist adhesive force. The wavelength of ultraviolet rays is water vapor, nitrogen,
It is more effective that the 50% transmission distance to air is 2 mm or more.
【００３０】[0030]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。本発明は、水蒸気を用いる新しいレジスト膜除去
技術によって、「技術と環境の調和」を推進する。すなわ
ち、水１リットルから発生する高純度・高化学機能の水
蒸気１７００リットルを用いる技術によって資源・エネ
ルギー多消費型技術からの脱却を図り、「技術と環境の
調和」に寄与する環境共生型レジスト膜除去技術を実現
した。Embodiments of the present invention will be described below. The present invention promotes “harmony between technology and environment” by a new resist film removal technology using water vapor. In other words, by using technology that uses 1700 liters of high-purity and high-chemical water vapor generated from 1 liter of water, we aim to break away from resource- and energy-intensive technologies and contribute to “harmony between technology and the environment”. The removal technology was realized.
【００３１】まずレジスト化学構造の空孔性と水素結合
性について説明する。発明者らは、レジストのべースポ
リマー基幹構造の空孔性と水素結合性に着目した。図１
に、初期レジストから現在主流のレジスト、更にエキシ
マ用・電子線用レジストなど各種レジストのべースポリ
マー基幹構造を示す。First, the porosity and hydrogen bonding property of the resist chemical structure will be described. The inventors paid attention to porosity and hydrogen bonding of the base polymer backbone structure of the resist. FIG.
The base polymer basic structures of various resists, from initial resists to current mainstream resists, as well as excimer and electron beam resists, are shown below.
【００３２】図１から明らかなように、脂肪属系・芳香
属系、主鎖・側鎖の構造など各種各様に異なるが、ポリ
マー基幹構造に基本的共通点が存在する。それは、基幹
構造の空孔性と構成基の水素結合性である。レジストが
光エネルギーに敏感に感応するため、水素結合性の強い
構成基例えばフェノール基、カルボニール基、エステル
基などが導入されている。環状構造および脂環基・フェ
ノール基などの側鎖構造のために、ポリマー基幹構造は
大きい間隙を持っている。空孔性と水素結合性は、現像
液への溶解性のために必要な物性である。As is evident from FIG. 1, although there are various differences such as aliphatic / aromatic, main chain / side chain structures, there is a fundamental common point in the polymer backbone structure. It is the porosity of the core structure and the hydrogen bonding of the constituent groups. Since the resist is sensitive to light energy, a structural group having a strong hydrogen bond, such as a phenol group, a carbonyl group, or an ester group, is introduced. The polymer backbone has large gaps due to the cyclic structure and side chain structures such as alicyclic groups and phenol groups. Porosity and hydrogen bonding are physical properties necessary for solubility in a developer.
【００３３】高温水蒸気のレジスト膜透過性について説
明する。高温水蒸気のレジスト膜透過性は、水蒸気剥離
技術の核心である。レジストの水透過率は他の有機ポリ
マーより大きい。例えば、テフロン（登録商標）、ポリ
エチレンなどの構造規則性の有機ポリマーの水透過率は
約３×10-11(Ｐａ・ｃｍ3・ｓ-1・ｍ-2)であるが、レジス
トのそれは10-8〜１０-7と３〜４桁も大きい。この理由
は、構造規則性の有機ポリマーの緻密性に対して、レジ
ストのポリマー構造の空孔性と水素結合性を持っためで
ある。Next, the permeability of the high-temperature steam to the resist film will be described. The permeability of the high-temperature steam to the resist film is at the heart of the steam stripping technique. The water permeability of the resist is greater than other organic polymers. For example, an organic polymer having a structural regularity such as Teflon (registered trademark) and polyethylene has a water permeability of about 3 × 10 −11 (Pa · cm 3 · s −1 · m −2 ), whereas that of a resist is 10 × 10 −11 (Pa · cm 3 · s −1 · m −2 ). -8 to 10 -7, which is 3 to 4 digits larger. The reason for this is that the resist polymer has a porosity and a hydrogen bonding property with respect to the denseness of the organic polymer having structural regularity.
【００３４】レジスト膜の水蒸気による変質について説
明する。発明者らは、水蒸気によってレジスト膜の状態
が急速かつ顕著に変化する事実に着目した。高温水蒸気
による軟化・膨張などの物理的変化、膨潤・分離・凝固
などの物性的変化が生じ、レジスト膜の化学構造的変化
が認められる。この変化は、レジスト化学構造の空孔性
と水素結合性によると推測される。水蒸気接触は、瞬間
的高温化学反応系への投入である。高温の水の化学作用
は強力である。側鎖や光感応基の加水分解・酸化に留ま
らず、レジスト基幹構造の架橋も進行する。The alteration of the resist film due to water vapor will be described. The inventors have paid attention to the fact that the state of a resist film changes rapidly and significantly due to water vapor. Physical changes such as softening / expansion and physical changes such as swelling / separation / solidification due to high-temperature steam occur, and chemical structural changes in the resist film are recognized. This change is presumed to be due to porosity and hydrogen bonding of the resist chemical structure. Steam contact is the input to an instantaneous high temperature chemical reaction system. Hot water chemistry is powerful. Not only hydrolysis and oxidation of side chains and photosensitive groups, but also cross-linking of the resist basic structure proceeds.
【００３５】化学成分による変質促進について説明す
る。高温水蒸気による物性的・構造的変質は、化学成分
共存で促進される。特にイオン注入処理により硬化した
レジスト膜は分解・溶解が極めて困難なことで知られて
いるが、水蒸気に促進成分が含有されると迅速な除去が
可能となる。促進成分の内容は、レジストの種類によっ
て異なるので個々に選択する必要がある。また、レジス
ト除去後の構造基板の保護、例えばメタル配線基板のメ
タル表面への化学作用を配慮する必要がある。A description will now be given of the promotion of deterioration by chemical components. Physical and structural alteration due to high-temperature steam is promoted by the coexistence of chemical components. In particular, a resist film cured by ion implantation is known to be extremely difficult to decompose and dissolve. However, when water vapor contains an accelerating component, rapid removal is possible. Since the contents of the accelerating components vary depending on the type of the resist, they need to be individually selected. Further, it is necessary to consider protection of the structural substrate after removing the resist, for example, chemical action on the metal surface of the metal wiring substrate.
【００３６】ａ）アルカリは、強力な促進成分である。
例えばｐＨ値で8〜13、好ましくは10〜12の苛性アルカ
リ水溶液が用いられる。レジスト表面に濡れ性・浸透性
を持ち、除去作用が迅速となる。 ｂ）酸化性物質は、架橋または酸化の促進成分として有
効である。例えば、過酸化水素はイオン注入処理レジス
ト膜も短時間に変質・剥離させる。強力なラジカル反応
によるレジストの化学結合の酸化作用によると思われ
る。オゾン水も酸化の促進成分として有効である。A) Alkali is a powerful accelerator.
For example, an aqueous caustic solution having a pH value of 8 to 13, preferably 10 to 12 is used. The resist surface has wettability and permeability, and the removal action is quick. b) The oxidizing substance is effective as a crosslinking or oxidation promoting component. For example, hydrogen peroxide causes the ion-implanted resist film to be altered and peeled off in a short time. This is probably due to the oxidizing action of the chemical bond of the resist due to the strong radical reaction. Ozone water is also effective as an oxidation promoting component.
【００３７】ｃ）酸も変質の促進成分である。例えば、
Ｈ2ＳＯ4はレジストを強く架橋させる。 ｄ）界面活性剤は界面浸透作用を持つと同時に、除去さ
れたレジスト薄片が表面に再付着することを防止する界
面作用がある。C) Acid is also a component which promotes alteration. For example,
H 2 SO 4 strongly crosslinks the resist. d) The surfactant has an interfacial penetrating action and an interfacial action that prevents the removed resist flakes from re-adhering to the surface.
【００３８】レジスト膜の水蒸気処理について説明す
る。 １）水蒸気の接触 水蒸気の作用は、レジスト膜と水蒸気の接触で進行す
る。かならずしも水蒸気の噴射を必要としない。接触ス
テップにおいてレジスト膜変質を進行させた後、短時間
の噴射ステップで除去するという２ステップ処理が有効
である。化学成分含有水蒸気接触は、レジスト膜下のデ
バイス表面にダメージを与えない。金属配線表面処理で
は、接触ステップに変質促進成分を用い、噴射ステップ
には純水水蒸気を用いる処理が有効である。The steam treatment of the resist film will be described. 1) Contact with Water Vapor The action of water vapor proceeds by contact between the resist film and water vapor. It does not necessarily require the injection of water vapor. It is effective to perform a two-step process in which the deterioration of the resist film proceeds in the contacting step and then the resist film is removed in a short jetting step. Chemical component-containing water vapor contact does not damage the device surface under the resist film. In the metal wiring surface treatment, a treatment using a deterioration promoting component in the contacting step and a treatment using pure water vapor in the spraying step is effective.
【００３９】２）水蒸気の噴射 水蒸気の噴射力はレジスト除去に有効である。噴射の線
速度と噴射時間は、レジスト剥離によって露出する表面
構造の保護を考慮して選定される。 ３）飽和水蒸気または過熱水蒸気 飽和水蒸気はレジスト膜の変質に効果的である。過熱水
蒸気はレジスト膜の剥離に効果的である。紫外線照射重
畳において、過熱水蒸気はミストによる紫外線吸収と散
乱がなく、紫外線透過効率が高い。また、過熱水蒸気は
レジスト膜除去表面の乾燥においてミストの影響を受け
ない。2) Injection of Water Vapor The injection power of water vapor is effective for resist removal. The linear velocity and the injection time of the injection are selected in consideration of protection of the surface structure exposed by the resist stripping. 3) Saturated steam or superheated steam Saturated steam is effective in altering the quality of a resist film. Superheated steam is effective for removing the resist film. In the superposition of the ultraviolet irradiation, the superheated steam does not absorb and scatter the ultraviolet light due to the mist, and has a high ultraviolet light transmission efficiency. Further, the superheated steam is not affected by the mist in drying the resist film-removed surface.
【００４０】レジスト膜と基板の界面の接着強度につい
て説明する。レジスト膜の除去とは、換言すれば「レジ
スト膜と基板の界面の接着強度の変質」である。「加熱と
冷却の交絡」は接着強度を変質させ、接着界面ストレス
を発生させる。具体的には、水蒸気による加熱作用と冷
却手段による冷却作用を交絡する。The adhesive strength at the interface between the resist film and the substrate will be described. The removal of the resist film is, in other words, “deterioration of the adhesive strength at the interface between the resist film and the substrate”. The "entanglement of heating and cooling" alters the adhesive strength and generates an adhesive interface stress. Specifically, the heating action by steam and the cooling action by cooling means are entangled.
【００４１】線膨張係数でみると、シリコン基板0.076
×10-4/Kとレジスト膜約2.2〜5.0×10-4/Kと約２桁の差
がある。常温〜高温におけるレジストの伸び・柔軟性に
よって、線膨張係数差はシリコン/レジスト膜界面接着
力に影響力を与えることはない。しかし低温域において
は、冷却によるレジスト膜の硬化と、線膨張係数の差異
により、レジスト膜と基板界面の接着強度変質が発生す
る。In terms of the linear expansion coefficient, the silicon substrate 0.076
× There is a difference of 10 -4 / K and the resist film of about 2.2 to 5.0 × 10 -4 / K and about 2 orders of magnitude. Due to the elongation and flexibility of the resist at room temperature to high temperature, the difference in linear expansion coefficient does not affect the silicon / resist film interface adhesive force. However, in a low temperature range, the adhesive strength of the interface between the resist film and the substrate deteriorates due to the difference between the hardening of the resist film due to cooling and the linear expansion coefficient.
【００４２】図２は本発明に基づくレジスト除去装置の
構成例図である。レジスト除去部は、チャンバー１０、
基板ウェハ１１を搬出入する搬送機構１２、基板支持・
回転機構１３、駆動機構１４、雰囲気ガス導入機構１
５、排気機構１６などで構成されている。水蒸気・気体
供給機構２０は、純水水蒸気供給システム２１、化学成
分含有水蒸気供給システム２２、気体供給システム２
３、気体ボンベ２４から構成され、定量供給ポンプ２５
として超純水用２５１と薬液ポンプ用２５２のポンプを
備えている。FIG. 2 is a structural example of a resist removing apparatus according to the present invention. The resist removing unit is provided in the chamber 10,
A transport mechanism 12 for loading and unloading the substrate wafer 11;
Rotation mechanism 13, drive mechanism 14, atmosphere gas introduction mechanism 1
5, the exhaust mechanism 16 and the like. The steam / gas supply mechanism 20 includes a pure water steam supply system 21, a chemical component-containing steam supply system 22, and a gas supply system 2.
3. A fixed volume supply pump 25 which is composed of a gas cylinder 24
Pump 251 for ultrapure water and 252 for chemical pump.
【００４３】化学成分含有溶液供給システム２６は、水
蒸気・気体供給機構２０の出力側に接続されている。こ
の化学成分含有溶液供給システム２６は、化学成分含有
水蒸気あるいは化学成分含有加熱溶液混合水蒸気を供給
することに寄与する。The chemical component-containing solution supply system 26 is connected to the output side of the steam / gas supply mechanism 20. The chemical component-containing solution supply system 26 contributes to supplying the chemical component-containing steam or the chemical component-containing heating solution mixed steam.
【００４４】水蒸気および気体の導入機構３０は、水蒸
気導入口３１、水蒸気噴射ノズル３２、気体噴射ノズル
３３を備えている。The steam and gas introducing mechanism 30 includes a steam inlet 31, a steam jet nozzle 32, and a gas jet nozzle 33.
【００４５】加熱制御システム３６は、内圧制御機構３
５により分割されている加熱体３４の温度をそれぞれ制
御する。The heating control system 36 includes the internal pressure control mechanism 3
The temperature of each of the divided heating elements 34 is controlled by 5.
【００４６】冷却機構４０は、冷却材料導入システム４
１を備え、液体窒素４１１・液化炭酸ガス４１２・冷却
空気４１３・冷却水４１４により基板ウェハを冷却す
る。基板ウェハは、冷却プレート４１５によっても冷却
することができる。The cooling mechanism 40 includes a cooling material introduction system 4
The substrate wafer is cooled by liquid nitrogen 411, liquefied carbon dioxide 412, cooling air 413, and cooling water 414. The substrate wafer can also be cooled by the cooling plate 415.
【００４７】高周波超音波照射機構５０は、超音波照射
ノズル５１を備えている。紫外線照射機構６０は、紫外
線ランプハウス６１内部の紫外線ランプ６２から紫外線
窓板６３を通して基板表面に紫外線を照射する。The high-frequency ultrasonic irradiation mechanism 50 has an ultrasonic irradiation nozzle 51. The ultraviolet irradiation mechanism 60 irradiates the substrate surface with ultraviolet light from an ultraviolet lamp 62 inside an ultraviolet lamp house 61 through an ultraviolet window plate 63.
【００４８】このように構成されるレジスト除去装置の
運転例を説明する。 １）純水水蒸気と促進成分含有水蒸気の切り替え 超純水の水蒸気発生時には超純水ライン用バルブ２５１
を開き、促進成分を含有する水蒸気発生時には薬液ライ
ン用バルブ２５２を開く。 ２）水蒸気と促進成分含有溶液の混合噴射 図には例示していないが、純水水蒸気あるいは促進成分
含有水蒸気と共に、促進成分含有溶液を混合噴射するこ
ともできる。An operation example of the thus configured resist removing apparatus will be described. 1) Switching between pure water steam and steam containing an accelerating component When ultrapure water steam is generated, the valve 251 for the ultrapure water line is used.
Is opened, and the chemical solution line valve 252 is opened when steam containing the accelerating component is generated. 2) Mixing and Injection of Water Vapor and Acceleration Component-Containing Solution Although not shown in the figure, it is also possible to mix and inject an acceleration component-containing solution together with pure water vapor or an accelerating component-containing water vapor.
【００４９】３）飽和水蒸気と過熱水蒸気の切り替え 飽和水蒸気供給時は、加熱体３４bには熱量を供給しな
い。過熱水蒸気供給時は、加熱体３４bに熱量を供給
し、加熱制御システム３５により過熱度を制御する。 ４）水蒸気接触と水蒸気噴射の切り替え 基板表面のレジストを水蒸気処理する場合は、水蒸気を
導入する場合は水蒸気導入バルブ３１を開く。水蒸気を
処理表面に噴射する場合は、水蒸気噴射バルブ３２を開
き水蒸気噴射ノズル３３から処理表面１１に水蒸気を噴
射する。3) Switching Between Saturated Steam and Superheated Steam When the saturated steam is supplied, no heat is supplied to the heater 34b. When the superheated steam is supplied, the heat amount is supplied to the heating body 34b, and the heating control system 35 controls the degree of superheating. 4) Switching between Water Vapor Contact and Water Vapor Injection In the case where the resist on the substrate surface is subjected to steam treatment, the steam introduction valve 31 is opened when introducing steam. When injecting steam to the processing surface, the steam injection valve 32 is opened to inject steam from the steam injection nozzle 33 to the processing surface 11.
【００５０】５）加熱気体噴射 加熱気体を噴射する場合は、加熱体により加熱された気
体を気体噴射ノズル３３から噴射する。水蒸気噴射バル
ブ３２から、加熱気体と水蒸気を混合して噴射すること
もできる。 ６）冷却 レジスト膜除去条件として、冷却と水蒸気加熱あるいは
噴射を任意に組み合わせる。冷却と加熱の交絡態様は、
レジスト膜の種類・レジスト接着界面層・デバイス構造
などにより異なる。5) Injection of heated gas When injecting heated gas, the gas heated by the heating element is injected from the gas injection nozzle 33. From the steam injection valve 32, the heated gas and the steam can be mixed and injected. 6) Cooling As a resist film removing condition, cooling and steam heating or spraying are arbitrarily combined. The confounding aspect of cooling and heating is
It depends on the type of resist film, resist bonding interface layer, device structure, etc.
【００５１】７）高周波超音照射 必要により重畳する。 ８）紫外線照射 必要により重畳する。回路パターンの微細間隙にレジス
ト断片が残存する場合、その除去に有効である。7) Irradiation of high-frequency supersonic superimposed if necessary. 8) UV irradiation Irradiate as necessary. When resist fragments remain in the fine gaps of the circuit pattern, they are effective in removing them.
【００５２】水蒸気供給の制御条件例について説明す
る。図３に水蒸気供給の制御条件を例示し、図４に水蒸
気噴射ノズルの条件を例示する。ここで、ノズル形状・
水蒸気量・噴射速度は、目的に適合するよう任意に設計
する。An example of the control conditions for the steam supply will be described. FIG. 3 illustrates the control conditions of the steam supply, and FIG. 4 illustrates the conditions of the steam injection nozzle. Here, the nozzle shape
The amount of water vapor and the injection speed are arbitrarily designed to suit the purpose.
【００５３】紫外線波長の選定例について説明する。紫
外線の照射雰囲気の透過率は短波長になるほど小にな
る。雰囲気分子の光吸収断面積と光透過率の関係は１式
で与えられる。透過率の対数と距離が比例関係である。An example of selecting the ultraviolet wavelength will be described. The transmittance of the ultraviolet irradiation atmosphere becomes smaller as the wavelength becomes shorter. The relationship between the light absorption cross section of the atmospheric molecules and the light transmittance is given by the following equation. The logarithm of the transmittance is proportional to the distance.
【００５４】発明者らは、50%透過距離を指標とする。5
0%透過距離は２式で与えられる。例えば、波長172nmの
紫外線の空気50%透過距離は、酸素の光吸収断面積(0.25
9・10- 19分子数/ｃｍ2)から3.1mmが得られ、一方実測値
は2.2mmになって、両者はほぼ一致する。１式から、水
蒸気雰囲気で50%透過距離が10mm以上である紫外線波長
は、185nm以上であることがわかる。 δCL=ln（I0/I） （１） δ：光吸収断面積(分子数/ｃｍ2),Ｏ2・・・0.259・10
-19 C：分子濃度(分子分圧) L：透過距離(ｃｍ2) I0/I：光透過率=入射光強度/透過光強度 （２） δＣＬ50=ln(100/50) Ｌ50：50%透過距離The inventors use the 50% transmission distance as an index. Five
The 0% transmission distance is given by equation (2). For example, the 50% air transmission distance of ultraviolet light with a wavelength of 172 nm is the light absorption cross section of oxygen (0.25
9.10 - 19 molecular number / cm 2) from 3.1mm is obtained, whereas the actual measurement value becomes 2.2 mm, both of which substantially coincide. Formula 1 shows that the ultraviolet wavelength at which the 50% transmission distance is 10 mm or more in a water vapor atmosphere is 185 nm or more. δCL = ln (I 0 / I) (1) δ: light absorption cross section (number of molecules / cm 2 ), O 2 ··· 0.259 · 10
-19 C: molecular concentration (molecular partial pressure) L: transmission distance (cm 2 ) I 0 / I: light transmittance = incident light intensity / transmitted light intensity (2) δCL 50 = ln (100/50) L 50 : 50% transmission distance
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
時間・エネルギーの消費を軽減でき、表面汚染を生じな
い環境に調和したレジスト除去装置を実現できる。As described above, according to the present invention,
Time and energy consumption can be reduced, and a resist removing apparatus that is in harmony with the environment and does not cause surface contamination can be realized.
【図１】各種レジストのべースポリマー基幹構造図であ
る。FIG. 1 is a diagram of a base polymer backbone structure of various resists.
【図２】本発明の実施態様の一例を示す構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram illustrating an example of an embodiment of the present invention.
【図３】水蒸気供給の制御条件例図である。FIG. 3 is a diagram showing an example of control conditions for water vapor supply.
【図４】水蒸気噴射ノズルの条件例図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of conditions of a steam injection nozzle.
１０ チャンバー ２０ 水蒸気・気体供給機構 ３０ 水蒸気・気体導入機構 ４０ 冷却機構 ５０ 高周波超音波照射機構 ６０ 紫外線照射機構 Reference Signs List 10 chamber 20 steam / gas supply mechanism 30 steam / gas introduction mechanism 40 cooling mechanism 50 high-frequency ultrasonic irradiation mechanism 60 ultraviolet irradiation mechanism
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｅ 21/306 Ｂ０１Ｊ 19/08 Ｆ 21/308 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ // Ｂ０１Ｊ 19/08 21/306 Ｄ (72)発明者 新田 雄久 東京都文京区本郷４丁目１番４号 株式会 社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究 所内 (72)発明者 斉藤 輝夫 神奈川県相模原市小山１丁目１番10号 ラ ムリサーチ株式会社内 (72)発明者 佐々木 光彦 東京都武蔵野市中町２丁目９番32号 横河 電機株式会社内 (72)発明者 前田 慶之 東京都武蔵野市中町２丁目９番32号 横河 電機株式会社内 (72)発明者 牛丸 正志 東京都武蔵野市中町２丁目９番32号 横河 電機株式会社内 (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ヶ袋２−１−17− 301 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA26 LA02 LA03 4G075 AA24 BA05 BB05 BC10 BD14 BD16 CA02 CA03 CA23 CA33 DA02 EA02 EA06 EB31 EC01 FB12 5F043 CC16 DD07 DD08 DD10 EE05 EE27 EE35 EE36 5F046 MA02 MA04 MA07 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/027 H01L 21/308 E 21/306 B01J 19/08 F 21/308 H01L 21/30 572B // B01J 19/08 21/306 D (72) Inventor Yuhisa Nitta 4-1-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo Inside the Ultra Clean Technology Development Laboratory (72) Inventor Teruo Saito 1-chome Koyama, Sagamihara City, Kanagawa Prefecture No. 1-10 Inside Lam Research Co., Ltd. (72) Mitsuhiko Sasaki Inventor 2-9-132 Nakamachi, Musashino-shi, Tokyo Inside Yokogawa Electric Corporation (72) Inventor Yoshiyuki Maeda 2-9-132 Nakamachi, Musashino-shi, Tokyo No. Within Yokogawa Electric Corporation (72) Inventor Masashi Ushimaru 2-93-2 Nakamachi, Musashino-shi, Tokyo Inside Yokogawa Electric Corporation (72) Inventor Large Tadahiro Mi 2-1-17-301 Yonegabukuro, Aoba-ku, Sendai, Miyagi F term (reference) 2H096 AA25 AA26 LA02 LA03 4G075 AA24 BA05 BB05 BC10 BD14 BD16 CA02 CA03 CA23 CA33 DA02 EA02 EA06 EB31 EC01 FB12 5F043 CC16 DD07 DD08 DD10 EE05 EE27 EE35 EE36 5F046 MA02 MA04 MA07
Claims (12)
と、この純水定量供給手段から供給される純水を加熱す
る加熱手段と、加熱された純水の通路の内径を部分的に
異ならせて内部圧力を制御する内圧制御手段とを含み、
これら各手段が化学的耐蝕性部材で構成された水蒸気供
給系統と、 この水蒸気供給系統から水蒸気が導入され、除去すべき
レジストが付着した基板が配置されるチャンバーとを備
え、 水蒸気と基板とを相対的に移動させることを特徴とする
レジスト除去装置。1. A pure water quantitative supply means for supplying a predetermined amount of pure water, a heating means for heating pure water supplied from the pure water quantitative supply means, and an inner diameter of a passage of the heated pure water. Internal pressure control means for controlling the internal pressure by differently,
Each of these means is provided with a steam supply system composed of a chemical corrosion resistant member, and a chamber in which steam is introduced from the steam supply system and a substrate on which a resist to be removed is attached is disposed. A resist removing device that moves relatively.
と、この純水定量供給手段から供給される純水を加熱す
る加熱手段と、加熱された純水の通路の内径を部分的に
異ならせて内部圧力を制御する内圧制御手段とを含み、
これら各手段が化学的耐蝕性部材で構成された水蒸気供
給系統と、 所定量の薬液を供給する薬液定量供給手段を含み、バル
ブを介して純水供給系統に接続される化学的耐蝕性部材
で構成された薬液供給系統と、 前記水蒸気供給系統から水蒸気が導入され、除去すべき
レジストが付着した基板が配置されるチャンバーとを備
え、 水蒸気と基板とを相対的に移動させることを特徴とする
レジスト除去装置。2. A pure water quantitative supply means for supplying a predetermined amount of pure water, a heating means for heating pure water supplied from the pure water quantitative supply means, and an inner diameter of a passage of the heated pure water. Internal pressure control means for controlling the internal pressure by differently,
Each of these means includes a steam supply system composed of a chemical corrosion-resistant member, and a chemical solution quantitative supply unit that supplies a predetermined amount of a chemical solution, and a chemical corrosion-resistant member connected to a pure water supply system via a valve. A chemical solution supply system configured; and a chamber in which steam is introduced from the steam supply system and a substrate to which a resist to be removed is attached is disposed, and the steam and the substrate are relatively moved. Resist removal equipment.
と、この純水定量供給手段から供給される純水を加熱す
る加熱手段と、加熱された純水の通路の内径を部分的に
異ならせて内部圧力を制御する内圧制御手段とを含み、
これら各手段が化学的耐蝕性部材で構成された水蒸気供
給系統と、 所定量の薬液を供給する薬液定量供給手段を含み、バル
ブを介して純水供給系統に接続される化学的耐蝕性部材
で構成された薬液供給系統と、 所定量の気体を供給する気体定量供給手段を含み、バル
ブを介して純水供給系統に接続される化学的耐蝕性部材
で構成された気体供給系統と、 前記水蒸気供給系統から水蒸気が導入され、除去すべき
レジストが付着した基板が配置されるチャンバーとを備
え、 水蒸気と基板とを相対的に移動させることを特徴とする
レジスト除去装置。3. A pure water quantitative supply means for supplying a predetermined amount of pure water, a heating means for heating the pure water supplied from the pure water quantitative supply means, and an inner diameter of a passage of the heated pure water. Internal pressure control means for controlling the internal pressure by differently,
Each of these means includes a steam supply system composed of a chemical corrosion-resistant member, and a chemical solution quantitative supply unit that supplies a predetermined amount of a chemical solution, and a chemical corrosion-resistant member connected to a pure water supply system via a valve. A gas supply system including a chemical solution supply system, a gas quantitative supply unit for supplying a predetermined amount of gas, and a chemical corrosion-resistant member connected to a pure water supply system via a valve; A resist removal apparatus, comprising: a chamber in which water vapor is introduced from a supply system and in which a substrate having a resist to be removed adhered is disposed, and the water vapor and the substrate are relatively moved.
装置において、 加熱手段を内圧制御手段の前後に分割配置し、各加熱手
段の加熱量を個別に制御することを特徴とするレジスト
除去装置。4. A resist removing apparatus according to claim 1, wherein the heating means is divided before and after the internal pressure control means, and the heating amount of each heating means is individually controlled. apparatus.
て、 気体供給系統に加熱手段を設け、この加熱温度に基づき
水蒸気乾燥度を制御することを特徴とするレジスト除去
装置。5. The resist removing apparatus according to claim 3, wherein a heating means is provided in the gas supply system, and the steam drying degree is controlled based on the heating temperature.
装置において、 化学的耐蝕性部材は、熱伝導率が１Ｗｍ-1Ｋ-1以上であ
ることを特徴とするレジスト除去装置。6. The resist removing apparatus according to claim 1, wherein the chemical corrosion-resistant member has a thermal conductivity of 1 Wm -1 K -1 or more.
装置において、 基板ウェハを冷却する冷却手段を設けたことを特徴とす
るレジスト除去装置。7. The resist removing apparatus according to claim 1, further comprising cooling means for cooling a substrate wafer.
て、 冷却材料が液体窒素・液化炭酸ガス・冷却空気・冷却水
のいずれかであることを特徴とするレジスト除去装置。8. The resist removing apparatus according to claim 7, wherein the cooling material is any one of liquid nitrogen, liquefied carbon dioxide, cooling air, and cooling water.
て、 冷却手段として冷却プレートを用い、この冷却プレート
に基板ウェハを配置することを特徴とするレジスト除去
装置。9. The resist removing apparatus according to claim 4, wherein a cooling plate is used as cooling means, and a substrate wafer is arranged on the cooling plate.
去装置において、 基板ウェハに高周波超音波と紫外線の少なくともいずれ
かを照射する照射手段を設けたことを特徴とするレジス
ト除去装置。10. The resist removing apparatus according to claim 1, further comprising an irradiating means for irradiating the substrate wafer with at least one of high-frequency ultrasonic waves and ultraviolet rays.
いて、 超音波の周波数は１ＭＨｚ以上であることを特徴とする
レジスト除去装置。11. The resist removing apparatus according to claim 10, wherein the frequency of the ultrasonic wave is 1 MHz or more.
いて、 紫外線の波長は水蒸気・窒素・空気に対する50%透過距
離が２ｍｍ以上であることを特徴とするレジスト除去装
置。12. The resist removing apparatus according to claim 10, wherein a wavelength of the ultraviolet rays is such that a 50% transmission distance with respect to water vapor, nitrogen and air is 2 mm or more.
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