JP2001256632A

JP2001256632A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2001256632A
Application number: JP2000069294A
Authority: JP
Inventors: Yoshiharu Kashiwakura; 良晴柏倉; Manabu Shimozato; 学下里; Nantetsu Cho; 南哲趙
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2000-03-13
Filing date: 2000-03-13
Publication date: 2001-09-21

Abstract

(57)【要約】【課題】保磁力およびＳＮＲなどの磁性特性のバラン
スを改善し、記録密度の改善された磁気記録媒体の提
供。【解決手段】非磁性基体上に非磁性下地層、磁性記録
層、および保護層が形成された３層以上の薄膜の積層構
造を有し、該磁性記録層が異なる組成の第一の磁性記録
層と第二の磁性記録層との２層より構成されており、該
第一の磁性記録層は非磁性基体に近い側に形成され、少
なくともＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、およびＴａを含有してお
り、該第二の磁性記録層は非磁性基体に遠い側に形成さ
れて、少なくともＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、およびＢを含有し
ている磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンピューターな
どの情報機器用記憶装置などに使用される磁気記録媒
体、特に記録密度が改善された磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報産業の著しい成長に伴い、コンピュ
ータを始めとする情報機器用記憶装置への高記憶密度化
の要求はより一層高まっている。磁気記録装置において
も、情報を読み書きする磁気ヘッドの高度化、および情
報が読み書きされる磁気記録媒体の高記録密度化が進ん
でいる。

【０００３】磁気記録媒体の高記録密度化のためには、
磁気記録媒体の磁気特性のひとつである保磁力、および
実際に情報信号の記録再生を行う際の再生信号と媒体ノ
イズの比率ＳＮＲを高める必要がある。

【０００４】図１に一般的な磁気記録媒体の層構成模式
図を示す。図１に示すように、一般に磁気記録媒体はア
ルミニウム合金やガラスなどの非磁性基体１上に、非磁
性下地層２が形成されており、この非磁性下地層２はそ
の上に成膜される磁性記録層３の結晶配向性を制御する
ためのものである。該非磁性下地層２の上に、情報が記
録される磁性記録層３、磁気ヘッドとの摺動から磁性記
録層３を保護するための保護層４を順次成膜することに
より磁気記録媒体は製造される。通常、下地層材料には
ＣｒまたはＣｒ合金薄膜、磁性記録層にはＣｏとＣｒの
合金を主体とし、これに数種類の元素を添加した磁性薄
膜、保護層にはカーボンを主体とする薄膜が使用され
る。

【０００５】成膜方法には、薄膜特性の制御が容易で、
かつ高品質の薄膜が得られることから、一般にスパッタ
法が用いられる。スパッタ法によって成膜されたＣｏ合
金層は、直径数十ｎｍレベルの微小なＣｏ合金結晶粒子
の集合からなる。それぞれのＣｏ粒子は中心部分にＣｏ
が存在し、これをＣｒが取り囲んだ偏析構造を取る。非
磁性のＣｒによってＣｏが囲まれることにより、隣り合
ったＣｏ粒子間の磁気的相互作用が弱まる。そのためよ
り細かい記録ビットを書き込むことが可能となり、かつ
信号再生に発生する媒体ノイズが減少し、記録密度を高
める一因となる。

【０００６】Ｃｏ粒子の偏析構造を促進するための方法
はいくつか提案されており、例えば、日本特開平４−２
２１４１８号および日本特開平５−１８９７３８号に記
載されているようにその一つとして磁性層の組成を適宜
選択する方法が挙げられる。これらには、Ｃｏ合金磁性
層に数ａｔ％のＢを添加することにより保磁力およびＳ
ＮＲの向上を図っている。これは、添加されたＢがＣｏ
合金中のＣｒと結合し、生じた化合物が粒界に偏析する
ことによって偏析構造の形成が促進される事に起因して
いると理解されている。よって、Ｂの添加によるＳＮＲ
向上を図る際には、Ｂと結合しやすい元素を極力排する
ことが望ましい。Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、およびＢからなる
４元磁性層は、Ｂの添加によるＳＮＲ向上効果が得られ
やすく、Ｐｔを添加することにより、媒体特性のひとつ
である保磁力（記録密度を向上するためにより高い値が
求められる）の増加が図られており、記録密度向上のた
めに有効な合金系であると考えられている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、さらなる高記
録密度化が進められる中、保磁力の増加およびＳＮＲ向
上の要求レベルは高まっている。

【０００８】上述した従来技術では、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
−Ｂ磁性層がＣｒ下地層上にエピタキシャル成長を行う
ことで結晶性、磁気配向性が高められ高いＳＮＲ値を示
すことになる。そのためには、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ磁
性層とＣｒ下地層の結晶格子間隔が同等であることが必
要となる。しかし両者の間には数％のずれがあり、この
ずれがＳＮＲの低下を起こしていると考えられる。

【０００９】格子間隔のずれによるＳＮＲ低下分を補う
方法として、磁性層中のＣｒ添加量を増加すること、Ｃ
ｒ下地層の膜厚を減ずることにより結晶粒径を微細化す
ること、Ｈｋ（異方性磁界）が大きいため媒体ノイズ源
となるＰｔの添加量を減らすことなどの方法が考えられ
る。しかし、これらの方法はいずれも保磁力の低下を伴
うものである。前述のように、記録密度を向上させるた
めに保磁力はより大きな値を持つことが好ましい。その
ため、これらの方法でＳＮＲを向上させても最終的な目
的である記録密度の向上は逆行することになる。

【００１０】保磁力を高めるためには、磁性記録層の磁
性合金に異方性磁界（Ｈｋ）を増大させるための元素、
主にＰｔを添加すること、磁性合金中のＣｒ添加量を減
らすこと、または下地層の膜厚を厚くすることによって
その上に成膜される磁性記録層の磁気的な面内配向性を
高めることなどが行われている。

【００１１】ところが、一般にＰｔを添加することでＨ
ｋを高めた磁性記録層は、上述したように、同時に媒体
のノイズが高くなる欠点を有している。そのため多量の
Ｐｔを添加することにより高い保磁力が得られても、再
生信号に混在する媒体ノイズが高まってしまい、再生信
号と媒体ノイズの比率であるＳＮＲ（Single to Noise
ratio）が減少してしまう。ＳＮＲが小さい磁気記録媒
体はとくに記録ビットを小さくした場合に記録信号の再
生が困難となり、高記録密度化には不利である。コスト
的にも高価なＰｔを多量に添加することは好ましいこと
ではなく、Ｐｔ添加による保磁力増加には限界がある。

【００１２】また、磁性記録層中のＣｒ添加量を減少す
ることで保磁力を高める方法は、媒体ノイズの増加など
媒体特性を劣化させることにつながる。その理由は、Ｃ
ｏ磁性記録層に添加されたＣｒはＣｏ粒子の磁気的相互
作用を減少させるために必要不可欠であるからである。
そのため、磁性記録層中へのＣｒ添加量は年々増加する
傾向にある。

【００１３】さらに、Ｃｒ下地層の膜厚を増加させる
と、高記録密度を得るうえで好ましくない。Ｃｒ下地層
はＣｏ合金磁性層同様、微小結晶粒子の集合体である。
その大きさはＣｒ層の膜厚が増加するに従って増大し、
その上に形成されるＣｏ層中のＣｏ結晶粒子の大きさも
増大する。記録密度を向上させるためにはより小さな記
録ビットを形成する必要があり、そのためには信号を記
録されるＣｏ結晶粒子はより微細であることが要求され
る。

【００１４】以上のように、従来の保磁力を増加させる
方法では、同時にＳＮＲの劣化を招き、またＳＮＲを向
上させても最終的な目的である記録密度の向上には逆行
することになる。

【００１５】本発明は、保磁力およびＳＮＲなどの他の
磁気特性のバランスを考え、記録密度の向上を達成しよ
うとするものである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の磁気記録媒体は、非磁性基体上に非磁性下地
層、磁性記録層、および保護層が形成された３層以上の
薄膜の積層構造を有しており、前述の磁性記録層が異な
る組成の第一の磁性記録層と第二の磁性記録層との２層
より構成されており、該第一の磁性記録層は非磁性基体
に近い側に形成され、少なくともＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、お
よびＴａを含有しており、該第二の磁性記録層は非磁性
基体に遠い側に形成され、少なくともＣｏ、Ｃｒ、Ｐ
ｔ、およびＢを含有している。

【００１７】ここで、第一の磁性記録層は、Ｃｏ≧５５
ａｔ％、１８ａｔ％≦Ｃｒ≦２５ａｔ％、２ａｔ％≦Ｐ
ｔ≦１２ａｔ％、および０ａｔ％＜Ｔａ≦６ａｔ％を含
有していること、および第二の磁性記録層は、Ｃｏ≧５
５ａｔ％、１８ａｔ％≦Ｃｒ≦２５ａｔ％、２ａｔ％≦
Ｐｔ≦１２ａｔ％、および０ａｔ％＜Ｂ≦６ａｔ％を含
有していることが好ましい。

【００１８】また、第一の磁性記録層が、磁性記録層の
合計膜厚の８０％以下の膜厚を有することが好ましい。

【００１９】さらに、その所望する磁気特性に応じて、
第一の磁性記録層が、磁性記録層の合計膜厚の２０％未
満の膜厚を有する、または２０％以上８０％以下の膜厚
を有することが好ましい。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明についてより詳細に
説明する。

【００２１】図２に本発明の一例である磁気記録媒体の
断面略図を示す。図２に示す磁気記録媒体は、非磁性基
体１上に、非磁性下地層２、磁性記録層３、および保護
層４を順次形成した積層構造であり、磁性記録層３は、
基体側から第一の磁性記録層５、および第二の磁性記録
層６の異なる組成の２層より形成されている。

【００２２】非磁性基体１としては、ＮｉＰメッキが施
されたアルミ合金など慣用のものが用いられる。下地層
２としては、Ｃｒ合金など慣用のものが用いることがで
き、その厚さは第一の磁性記録層および第二の磁性記録
層のそれぞれの組成および膜厚比率により変化させるこ
とができるが、好ましくは５〜３０ｎｍである。

【００２３】第一の磁性記録層５は、少なくともＣｏ、
Ｃｒ、Ｐｔ、およびＴａが含まれる。これらの組成は、
Ｃｏ≧５５ａｔ％、１８ａｔ％≦Ｃｒ≦２５ａｔ％、２
ａｔ％≦Ｐｔ≦１２ａｔ％、および０ａｔ％＜Ｔａ≦６
ａｔ％を含有する。Ｃｏ量は実際に信号を読み書きする
ときの読み出し出力に影響を与えるのに最低限必要な組
成範囲である。Ｃｒ量は、ＳＮＲを維持するために最低
限必要な組成であり、保磁力を維持することのできる組
成範囲である。Ｐｔ量は保磁力が増加するのに最低限必
要な組成であり、ＳＮＲが許容することのできる組成範
囲である。Ｔａ量は磁性記録層中のＣｒがＣｏ粒子の粒
界に偏析することを促進するのに最低限必要な組成であ
り、Ｃｏの結晶構造を乱さない組成範囲である。

【００２４】また、例えばＣｏ−２４Ｃｒ−１０Ｐｔお
よびＣｏ−１５Ｃｒ−５Ｔａを第一の磁性記録層として
用いても、ＳＮＲの増加およびＨｃの増加は認められな
いことより、第一の磁性記録層には、少なくともＣｏ、
Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａを含む合金であることが必要であると
考えられる。

【００２５】第二の磁性記録層６は、少なくともＣｏ、
Ｃｒ、Ｐｔ、およびＢが含まれる。これらの組成は、Ｃ
ｏ≧５５ａｔ％、１８ａｔ％≦Ｃｒ≦２５ａｔ％、２ａ
ｔ％≦Ｐｔ≦１２ａｔ％、および０ａｔ％＜Ｂ≦６ａｔ
％を含有する。Ｃｏ、Ｃｒ、およびＰｔについては上述
した第一の磁性記録層５の場合と同様の理由で範囲を特
定している。また、Ｂについては上述した第一の磁性記
録層５のＴａと同様の理由で範囲を特定している。

【００２６】例えばＣｏ−１９Ｃｒ−４Ｔａ−４Ｐｔ、
Ｃｏ−１５Ｃｒ−５Ｔａの場合には、第一の磁性記録層
５の組成によらず、Ｈｃの増加が認められず、第二の磁
性記録層６は少なくともＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、およびＢを
含む合金であることが好ましい。

【００２７】本発明の磁気記録媒体中の第一の磁性記録
層５の膜厚は、第一の磁性記録層と第二の磁性記録層６
とを合計した磁性記録層３全体の厚さの８０％以下であ
ることにより、保磁力およびＳＮＲの向上を図ることが
できる。さらに、第一の磁性記録層５の膜厚が磁性記録
層３全体の厚さの２０％〜８０％の場合は、特に保磁力
が大きく増加するためＣｒ下地層の膜厚をはじめとする
磁気記録媒体の製造条件にマージンが生じる。これを利
用することによって、Ｃｒ下地層の膜厚を調節したり、
成膜条件を調節することなどによって、ＳＮＲなどの磁
気記録媒体の諸特性を改善することが可能となる。

【００２８】また、第一の磁性記録層５の膜厚が磁性記
録層３全体の厚さの２０％未満のときは、２０％〜８０
％の膜厚の場合ほど大きな保磁力の増加はみられない
が、保磁力の増加とともに好ましいＳＮＲ値の大きな向
上を得ることができる。

【００２９】磁性記録層３全体の厚さは所望する磁気特
性に応じて変えることが可能であるが、好ましくは１０
〜３０ｎｍである。

【００３０】磁性記録層３の上の保護層４は、カーボン
などの従来のものを用いることができる。

【００３１】このように、磁性記録層が第一の磁性記録
層５と第二の磁性記録層６との２層からなり、各磁性記
録層が上述したような組成を有し、上述したような膜厚
比率を有する本発明の磁気記録媒体は、保磁力およびＳ
ＮＲを高めることにより、記録密度の改善をすることが
可能となる。

【００３２】さらに、従来の磁気記録媒体では、ＳＮＲ
を改善するように、磁性記録層とＣｒ下地層との間に、
ＣｏＣｒ合金系非磁性層を設けることがある。本発明に
おいても、同様に例えばＣｏ−４０Ｃｒ、Ｃｏ−４５Ｃ
ｒ、Ｃｏ−４０Ｃｒ−２Ｗ、Ｃｏ−４２Ｃｒ−２Ｍｏの
ような非磁性のＣｏＣｒ系合金層を第一の磁性記録層５
と非磁性のＣｒ下地層２との間に設けた場合でも、同様
に保磁力・ＳＮＲ増加効果があることが確認されてい
る。つまり、非磁性ＣｏＣｒ系合金層を設けた構造にお
いても、磁性層を本発明のように二層化することは有効
である。

【００３３】以下本発明について実施例を用いて具体的
に説明する。

【００３４】（実施例）実施例１円周方向にテクスチャー加工が施されたＮｉ−Ｐメッキ
層を有するアルミ合金基板（外周φ９５ｍｍ−内周φ２
５ｍｍのドーナツ状で、厚さ０．８ｍｍ）を非磁性基板
１として複数枚用意し、下地層２を成膜する直前の各基
板温度が約２５０℃になるように加熱を行った。これら
の非磁性基板１の上に、それぞれ膜厚２０ｎｍのＣｒ−
２０Ｍｏ（ａｔ％）の組成のＣｒ合金下地層２を設け
た。

【００３５】次いで、このＣｒ合金下地層２の上に、Ｃ
ｏ−２０Ｃｒ−８Ｐｔ−３Ｔａ（ａｔ％）（以下ＣＣＰ
Ｔ）の組成のＣｏ合金磁性記録層を第一の磁性記録層５
（以下Ｃｏ１）として形成し、その上に、Ｃｏ−２４Ｃ
ｒ−１０Ｐｔ−４Ｂ（ａｔ％）（以下ＣＣＰＢ）の組成
のＣｏ合金磁性記録層を第二の磁性記録層６（以下Ｃｏ
２）として形成した。

【００３６】このときＣｏ１およびＣｏ２の膜厚比を、
Ｃｏ１およびＣｏ２の成膜時の投入電力を変えることに
よって制御し、Ｃｏ１とＣｏ２の膜厚比率を変えて磁気
記録媒体を製造した。ここで、Ｃｏ１およびＣｏ２の合
計膜厚は、作製された磁気記録媒体が有する残留磁化・
磁性層膜厚積（Ｍｒｔ）が０．４５ｍｅｎｕ／ｃｍ²に
なるように調節し、１７ｎｍから２０ｎｍの範囲とし
た。各磁気記録媒体の実際に測定したＭｒｔを図３に示
す。

【００３７】次いで、膜厚が１０ｎｍのカーボン保護層
４を設けることによって磁気記録媒体を得た。

【００３８】各層は、アルゴン圧力５ｍＴｏｒｒにおけ
るＤＣマグネトロンスパッタによって成膜した。ターゲ
ット組成と膜組成は、ほぼ等しいことが確認されてい
る。

【００３９】このようにして得られた磁気記録媒体を、
試料振動式磁力計（ＶＳＭ）により磁気特性を測定し
た。得られた結果を図４に示す。図４（ａ）はＣｏ１の
膜厚比率の変化に対する保磁力Ｈｃの変化を示してお
り、図４（ｂ）はＣｏ１の膜厚比率の変化に対するＳ^*
の変化を示している。

【００４０】図４（ａ）から分かるように、磁性記録層
３が二層よりなる場合は、ＣＣＰＢ単層（Ｃｏ１＝０
％）およびＣＣＰＴ単層（Ｃｏ１＝１００％）の場合よ
りも保磁力が大きいことが分かる。特に、Ｃｏ１の膜厚
比率が２０％から８０％の範囲では、単層の場合よりも
約２００Ｏｅ大きい保磁力を示した。また、図４（ｂ）
からわかるように、保磁力が向上してもＳ^*は劣化する
ことなく一定であることがわかる。Ｓ^*は、磁場を振っ
たときの磁場反転の速さが速いほど１に近くなる。

【００４１】また、本実施例に示す以外にも、Ｃｏ１が
Ｃｏ−１９Ｃｒ−２Ｔａ−１２Ｐｔ、Ｃｏ−１９Ｃｒ−
４Ｐｔ−４Ｔａ、Ｃｏ−２０Ｃｒ−８Ｐｔ−３Ｔａ−１
Ｂなどの場合についてもＨｃが増加することが確認され
ている。

【００４２】比較例１第一の磁性記録層５のＣｏ１としてＣＣＰＢの組成の層
を成膜し、第二の磁性記録層６のＣｏ２としてＣＣＰＴ
の組成の層を成膜する、つまり第一の磁性記録層と第二
の磁性記録層の組成を逆にすることを除いて、実施例１
と同様にして磁気記録媒体を製造した。このときの各磁
気記録媒体における磁性記録層の残留磁化・磁性層膜厚
積（Ｍｒｔ）の値を図３に示す。

【００４３】得られた磁気記録媒体を、ＶＳＭにより磁
気特性を測定した。得られた結果を図４に記載する。

【００４４】図４（ａ）から分かるように、各層が同じ
組成を用いていても第一の磁性記録層と第二の磁性記録
層とを逆に設けると、実施例１とは逆に、Ｃｏ１のみま
たはＣｏ２のみの単層の場合よりも保磁力は減少する傾
向にあることがわかる。

【００４５】実施例２実施例１では、Ｍｒｔが０．４５ｍｅｍｕ／ｃｍ²にな
るように調節して磁性記録層を成膜したが、図３より実
際に製造された磁気記録媒体のＭｒｔは、Ｃｏ１の膜厚
比率によっては、０．４５ｍｅｎｕ／ｃｍ²よりわずか
にずれていることがわかった。そこで、実施例１をもと
に、本実施例では、さらに磁性記録層の成膜時の投入成
膜電力を調節することにより各磁性記録層が０．４５ｍ
ｅｍｕ／ｃｍ²となるようにし、表１に示す成膜条件お
よび構成にした以外は、実施例１と同様にして磁気記録
媒体を製造した。

【００４６】

【表１】

【００４７】得られた各磁気記録媒体について、ＶＳＭ
により磁気特性を測定し、回転数７２００ｒｐｍ、測定
判定３３．４９ｍｍ、記録線密度３０８ｋｆｃｉの条件
でＭＲヘッドを用いたＲ／Ｗテスターにより信号の書き
込み／読み出し特性（Ｒ／Ｗ特定）を測定した。測定結
果を表２に示す。

【００４８】

【表２】

【００４９】表２より、サンプル１は、単層磁性記録層
を有するサンプル２、およびサンプル３のほぼ中間のＳ
ＮＲ値、Ｏ／Ｗ値を示している。記録密度を表すＤ５０
は、サンプル１がサンプル２およびサンプル３を上回っ
ており、高保磁力化の効果が現れている。また、本発明
によるＨｃ増加効果を利用すれば、サンプル２およびサ
ンプル３よりもＣｒ下地層の膜厚を減じながら、サンプ
ル２およびサンプル３と同程度の保磁力を有するサンプ
ルを作製することが可能である。こうして作製されたサ
ンプル４のＲ／Ｗ特性は、ＳＮＲ値においてはＳＮＲ特
性とＯ／Ｗ特性のバランスに優れ、またＤ５０値も単層
磁性記録層であるサンプル２およびサンプル３よりも優
れている。Ｃｒ下地層をより薄くすることにより、磁性
記録層のＣｏ結晶粒子を微細化することが可能となり、
その結果、記録ビットをより細かくすることができる。
サンプル４のＤ５０特性が優れるのはこのことに起因し
ている。単層磁性記録層であるサンプル２およびサンプ
ル３のＣｒ下地層の膜厚をそのまま薄くすると、同時に
保磁力の低下を招き、Ｄ５０特性の改善は望めない。

【００５０】実施例３実施例１と同様にして、Ｃｏ１およびＣｏ２の膜厚比率
を変えて磁気記録媒体を製造した。ここで、Ｍｒｔを一
定にした理由は、Ｍｒｔの変化はＲ／Ｗ特性に影響を与
えるため本実施例による効果が判断し難くなることへの
配慮である。

【００５１】得られた各磁気記録媒体について、回転数
７２００ｒｐｍ、測定判定３３．４９ｍｍ、記録線密度
３０８ｋｆｃｉの条件でＭＲヘッドを用いたＲ／Ｗテス
ターによって、Ｒ／Ｗ特性を測定した。得られた結果を
図５から図７に示す。図５は、Ｃｏ１磁性記録層の膜厚
比率の変化に対するＳＮＲの変化を表しており、図６は
Ｃｏ１磁性記録層の変化に対するＤ５０の変化を表して
おり、図７はＣｏ１磁性記録層の変化に対するシグナル
の大きさで規格化したノイズの変化を表している。

【００５２】図５からわかるように、ＣＣＰＢ単層（Ｃ
ｏ１膜厚比率＝０％）である従来媒体と比較して、Ｃｏ
１膜厚比率を約２０％まで増加させた本発明の媒体では
ＳＮＲの増加が認められている。さらに図６では、これ
に伴い記録密度の指標となるＤ５０値も増加しており、
本発明が記録密度向上に有効であることが確認される。
さらに、図７よりＣｏ１膜厚比率が約２０％までのとき
は、ノイズも減少していることがわかる。

【００５３】Ｃｏ１膜厚比率を２０％以上に増やすと従
来媒体よりもＳＮＲが劣化している。Ｃｏ１として用い
たＣＣＰＴ磁性記録層はＣｏ２に用いたＣＣＰＢ磁性記
録層よりも本質的に高ノイズであるため、Ｃｏ１膜厚を
増加させることで得られる格子間隔整合の効果を打ち消
して媒体ノイズが増加し、ＳＮＲが劣化すると考えられ
る。

【００５４】しかし、実施例１および実施例２からもわ
かるように、Ｃｏ１の膜厚比率が２０％〜８０％の場合
には、保磁力が大きく増加し、膜構成および成膜条件に
マージンが生じ、それを利用することによって、改善さ
れた記録密度を得ることができる。

【００５５】本実施例に示す以外にも、Ｃｏ１がＣｏ−
１９Ｃｒ−２Ｔａ−１２Ｐｔ、Ｃｏ−１９Ｃｒ−４Ｐｔ
−４Ｔａ、Ｃｏ−２０Ｃｒ−８Ｐｔ−３Ｔａ−１Ｂなど
の場合についてもＳＮＲが増加することが確認されてい
る。

【００５６】

【発明の効果】以上のように、本発明は非磁性基体上に
スパッタリング法により少なくとも非磁性下地層、磁性
記録層が順次積層され、さらに連続してスパッタリング
法もしくはＣＶＤ法により保護層が形成された３層以上
の薄膜の積層構造を有する磁気記録媒体において、磁性
記録層を、規定された組成を有する２種類の磁性記録層
を所定の順番で所定の膜厚比率に積層することによっ
て、他の媒体特性を犠牲にすることなく保磁力が増加さ
れた改善された記録密度を有する磁気記録媒体、または
ＳＮＲを増加させた改善された記録密度を有する磁気記
録媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、従来の磁気記録媒体の断面略図であ
る。

【図２】図２は、本発明の一例を示す磁気記録媒体の断
面略図である。

【図３】図３は、実施例１および比較例１において製造
された磁気記録媒体の第一の磁性記録層の膜厚比率の変
化に対応するＭｒｔの変化を示す図である。

【図４】図４は、実施例１および比較例１において製造
された磁気記録媒体の磁気特性を表す図であり、（ａ）
は第一の磁性記録層の膜厚比率の変化に対応する保磁力
Ｈｃの変化を表す図であり、（ｂ）は第一の磁性記録層
の膜厚比率の変化に対応するＳ^*の変化を表す図であ
る。

【図５】図５は、実施例３において製造された磁気記録
媒体の第一の磁性記録層の膜厚比率の変化に対応するＳ
ＮＲの変化を表す図である。

【図６】図６は、実施例３において製造された磁気記録
媒体の第一の磁性記録層の膜厚比率の変化に対応するＤ
５０の変化を表す図である。

【図７】図７は、実施例３において製造された磁気記録
媒体の第一の磁性記録層の膜厚比率の変化に対応するシ
グナルの大きさで規格化したノイズの変化を表す図であ
る。

【符号の説明】

１非磁性基体２非磁性下地層３磁性記録層４保護層５第一の磁性記録層６第二の磁性記録層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者趙南哲神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号富士電機株式会社内Ｆターム(参考） 5D006 BB01 BB07 BB08 5E049 AA04 AA09 AC05 BA06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基体上に非磁性下地層、磁性記録
層、および保護層が形成された３層以上の薄膜の積層構
造を有する磁気記録媒体において、前記磁性記録層が異なる組成の第一の磁性記録層と第二
の磁性記録層との２層より構成されていること、前記第一の磁性記録層は非磁性基体から近い側に形成さ
れており、少なくともＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、およびＴａを
含有していること、および前記第二の磁性記録層は非磁
性基体から遠い側に形成されており、少なくともＣｏ、
Ｃｒ、Ｐｔ、およびＢを含有していることを特徴とする
磁気記録媒体。
【請求項２】前記第一の磁性記録層は、Ｃｏ≧５５ａ
ｔ％、１８ａｔ％≦Ｃｒ≦２５ａｔ％、２ａｔ％≦Ｐｔ
≦１２ａｔ％、および０ａｔ％＜Ｔａ≦６ａｔ％を含有
していること、および前記第二の磁性記録層は、Ｃｏ≧
５５ａｔ％、１８ａｔ％≦Ｃｒ≦２５ａｔ％、２ａｔ％
≦Ｐｔ≦１２ａｔ％、および０ａｔ％＜Ｂ≦６ａｔ％を
含有していることを特徴とする請求項１に記載の磁気記
録媒体。
【請求項３】前記第一の磁性記録層が、磁性記録層の
合計膜厚の８０％以下の膜厚を有することを特徴とする
請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】前記第一の磁性記録層が、磁性記録層の
合計膜厚の２０％未満の膜厚を有することを特徴とする
請求項３に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】前記第一の磁性記録層が、磁性記録層の
合計膜厚の２０％以上８０％以下の膜厚を有することを
特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体。