JP2001251102A - 薄膜共振器フィルタとその構成方法 - Google Patents
薄膜共振器フィルタとその構成方法Info
- Publication number
- JP2001251102A JP2001251102A JP2001026681A JP2001026681A JP2001251102A JP 2001251102 A JP2001251102 A JP 2001251102A JP 2001026681 A JP2001026681 A JP 2001026681A JP 2001026681 A JP2001026681 A JP 2001026681A JP 2001251102 A JP2001251102 A JP 2001251102A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tfr
- branch
- elements
- shunt
- series
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 230000004044 response Effects 0.000 description 18
- 210000001744 T-lymphocyte Anatomy 0.000 description 16
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 description 11
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 9
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 101100234408 Danio rerio kif7 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100221620 Drosophila melanogaster cos gene Proteins 0.000 description 1
- 240000000697 Pinguicula vulgaris Species 0.000 description 1
- 235000004262 Pinguicula vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- 101100007330 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) COS2 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100026144 Transferrin receptor protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 101100398237 Xenopus tropicalis kif11 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000010267 cellular communication Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/60—Electric coupling means therefor
- H03H9/605—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0421—Modification of the thickness of an element
- H03H2003/0428—Modification of the thickness of an element of an electrode
Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンド幅を広げながら通過帯域の性能のより
良好な平坦さを達成できるようなＴＦＲフィルタ回路を
提供する。 【解決手段】 入力ポートと出力ポートの間に、複数の
直列ブランチとシャントブランチを構成する複数の薄膜
共振器素子（ＴＦＲ）を有し、複数のＴＦＲ素子は、共
振周波数の組と電極キャパシタンスを有し、直列ブラン
チとシャントブランチの少なくとも１つのＴＦＲ素子の
電極キャパシタンスの組は、他の対応する直列ブランチ
とシャントブランチのＴＦＲ素子の電極キャパシタンス
とは異なり、直列ブランチとシャントブランチの少なく
とも１つのＴＦＲ素子の共振周波数の組は、他の対応す
る直列ブランチとシャントブランチのＴＦＲ素子の電極
キャパシタンスとは異なる。
良好な平坦さを達成できるようなＴＦＲフィルタ回路を
提供する。 【解決手段】 入力ポートと出力ポートの間に、複数の
直列ブランチとシャントブランチを構成する複数の薄膜
共振器素子（ＴＦＲ）を有し、複数のＴＦＲ素子は、共
振周波数の組と電極キャパシタンスを有し、直列ブラン
チとシャントブランチの少なくとも１つのＴＦＲ素子の
電極キャパシタンスの組は、他の対応する直列ブランチ
とシャントブランチのＴＦＲ素子の電極キャパシタンス
とは異なり、直列ブランチとシャントブランチの少なく
とも１つのＴＦＲ素子の共振周波数の組は、他の対応す
る直列ブランチとシャントブランチのＴＦＲ素子の電極
キャパシタンスとは異なる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜共振器に関し、
特に、薄膜共振器フィルタ回路に関する。
特に、薄膜共振器フィルタ回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜共振器（thin film resonators：Ｔ
ＦＲ）は、数百ＭＨｚから数ＧＨｚの範囲の高周波環境
で用いられる。図１は、従来のＴＦＲ素子１００の断面
図を示す。同図において従来のＴＦＲ素子１００は、導
電性電極層１０５と１１５の間に配置されたピエゾ電子
材料層１１０を有し、導電性電極層１１５側が支持構造
体１２０の上に形成されている。支持構造体１２０は薄
膜、あるいはシリコン、水晶等の半導体基板上に複数の
交互に配置した反射層からなる。ピエゾ電子材料層１１
０は、ＺｎＯ、ＣｄＳ、ＡｌＮからなるグループから選
択されたものである。導電性電極層１０５、１１５は導
電性材料、例えばＡｌから構成されるが、他の導電材料
も用いることができる。
ＦＲ）は、数百ＭＨｚから数ＧＨｚの範囲の高周波環境
で用いられる。図１は、従来のＴＦＲ素子１００の断面
図を示す。同図において従来のＴＦＲ素子１００は、導
電性電極層１０５と１１５の間に配置されたピエゾ電子
材料層１１０を有し、導電性電極層１１５側が支持構造
体１２０の上に形成されている。支持構造体１２０は薄
膜、あるいはシリコン、水晶等の半導体基板上に複数の
交互に配置した反射層からなる。ピエゾ電子材料層１１
０は、ＺｎＯ、ＣｄＳ、ＡｌＮからなるグループから選
択されたものである。導電性電極層１０５、１１５は導
電性材料、例えばＡｌから構成されるが、他の導電材料
も用いることができる。
【０００３】これらのＴＦＲ素子はフィルタで用いられ
るが、特にたくさんの通信技術に用いることが可能なＴ
ＦＲフィルタ回路で用いられる。例えばＴＦＲフィルタ
回路は、セルラ通信、ワイヤレス通信、光ファイバ通
信、あるいはコンピュータ関連の情報交換、あるいは情
報共有システムで採用される。
るが、特にたくさんの通信技術に用いることが可能なＴ
ＦＲフィルタ回路で用いられる。例えばＴＦＲフィルタ
回路は、セルラ通信、ワイヤレス通信、光ファイバ通
信、あるいはコンピュータ関連の情報交換、あるいは情
報共有システムで採用される。
【０００４】ますます複雑となっている通信システムを
ポータブルにすること、さらにはまた手のひらに乗せる
ような要望は、フィルタ技術に対する厳しい要求、特に
ますます込み合う無線周波数リソースにおいて、厳しい
要求を発生させている。ＴＦＲフィルタは、厳密な性能
要件を満足しなければならない。例えば（ａ）きわめて
頑強であること、（ｂ）容易に大量生産ができること、
（ｃ）ＧＨｚ領域にまでの周波数範囲で達成可能な大き
さに対する性能の比率を著しく向上させることが含まれ
る。しかしこれらの要件を満足することに加えて、さら
に大きなストップ（停止）帯域での減衰に対する需要と
同時に、通過帯域での挿入損失を低減することの必要性
がある。さらにはまた、ＴＦＲフィルタに対する上記の
あるアプリケーションでは、中心周波数の最大４％まで
の通過帯域の幅を必要としている（例えば２ＧＨｚの中
心周波数に対しては、必要とされる帯域幅は８０ＭＨｚ
である）。これはＡｌＮのようなピエゾ電子材料、特に
搭載した基板上に複数の反射層との組合せでは容易には
達成できない。
ポータブルにすること、さらにはまた手のひらに乗せる
ような要望は、フィルタ技術に対する厳しい要求、特に
ますます込み合う無線周波数リソースにおいて、厳しい
要求を発生させている。ＴＦＲフィルタは、厳密な性能
要件を満足しなければならない。例えば（ａ）きわめて
頑強であること、（ｂ）容易に大量生産ができること、
（ｃ）ＧＨｚ領域にまでの周波数範囲で達成可能な大き
さに対する性能の比率を著しく向上させることが含まれ
る。しかしこれらの要件を満足することに加えて、さら
に大きなストップ（停止）帯域での減衰に対する需要と
同時に、通過帯域での挿入損失を低減することの必要性
がある。さらにはまた、ＴＦＲフィルタに対する上記の
あるアプリケーションでは、中心周波数の最大４％まで
の通過帯域の幅を必要としている（例えば２ＧＨｚの中
心周波数に対しては、必要とされる帯域幅は８０ＭＨｚ
である）。これはＡｌＮのようなピエゾ電子材料、特に
搭載した基板上に複数の反射層との組合せでは容易には
達成できない。
【０００５】これらの共振器に対する従来の電子回路の
モデルを図２Ａに示す。この回路モデルは、Butterwort
h-Van Dyke model（ＢＶＤ）であり、入力端子１０と出
力端子２０との間のＴＦＲの運動（音響共振）を表す直
列ＲＬＣラインからなる。この直列ＲＬＣラインは、電
極（図１の導電性電極層１０５、１１５）の平行平板キ
ャパシタンス（静的キャパシタンス）を表すキャパシタ
Ｃ0と並列である。
モデルを図２Ａに示す。この回路モデルは、Butterwort
h-Van Dyke model（ＢＶＤ）であり、入力端子１０と出
力端子２０との間のＴＦＲの運動（音響共振）を表す直
列ＲＬＣラインからなる。この直列ＲＬＣラインは、電
極（図１の導電性電極層１０５、１１５）の平行平板キ
ャパシタンス（静的キャパシタンス）を表すキャパシタ
Ｃ0と並列である。
【０００６】図２Ａに示すＢＶＤモデルのインピーダン
ス回析によれば、２つの共振周波数の組、すなわちゼロ
共振周波数（zero）と、その後のポール共振周波数（po
le）との組が得られる。ゼロとポールとの分離は、Ｋ2
として知られるピエゾ電子音響結合係数に依存する。こ
の係数は、音響エネルギーが電気エネルギーにいかに結
合されるか、そしてＴＦＲ内で使用されるピエゾ電子材
料で変化する尺度である。後述するように、標準のＬＣ
通過帯域設計技術をエミレートする試みは困難である
が、その理由は、フィルタ内の各ＴＦＲは、２つの共振
点（ポールとゼロ）を有し、例えばChebychev 応答のよ
うな一般的なフィルタ応答に対する、標準的なＬＣ通過
帯域ブランチには１つの共振点しか存在しないからであ
る。後述するように、この余分の共振（ＴＦＲの設計に
よってはポール共振とゼロ共振のいずれか）は、通過帯
域が広がるにつれて、通過帯域と幾分干渉するので好ま
しくない。しかし係数Ｋ2が大きな材料が用いられた場
合には、この余分な共振は、通過帯域からはるかに離れ
たものであり、これにより通過帯域フィルタに対する帯
域幅が広がることになる（Ｋ2のサイズは、ポール共振
とゼロ共振の間の分離量に直接関連する）。
ス回析によれば、２つの共振周波数の組、すなわちゼロ
共振周波数（zero）と、その後のポール共振周波数（po
le）との組が得られる。ゼロとポールとの分離は、Ｋ2
として知られるピエゾ電子音響結合係数に依存する。こ
の係数は、音響エネルギーが電気エネルギーにいかに結
合されるか、そしてＴＦＲ内で使用されるピエゾ電子材
料で変化する尺度である。後述するように、標準のＬＣ
通過帯域設計技術をエミレートする試みは困難である
が、その理由は、フィルタ内の各ＴＦＲは、２つの共振
点（ポールとゼロ）を有し、例えばChebychev 応答のよ
うな一般的なフィルタ応答に対する、標準的なＬＣ通過
帯域ブランチには１つの共振点しか存在しないからであ
る。後述するように、この余分の共振（ＴＦＲの設計に
よってはポール共振とゼロ共振のいずれか）は、通過帯
域が広がるにつれて、通過帯域と幾分干渉するので好ま
しくない。しかし係数Ｋ2が大きな材料が用いられた場
合には、この余分な共振は、通過帯域からはるかに離れ
たものであり、これにより通過帯域フィルタに対する帯
域幅が広がることになる（Ｋ2のサイズは、ポール共振
とゼロ共振の間の分離量に直接関連する）。
【０００７】共振器からフィルタを設計する一般的なア
プローチは、共振器を直列−シャント関係の階段状の構
成に配置することである（すなわち、「シャント共振
器」は、直列共鳴器の端子にシャント状態に接続す
る）。各シャント共振器と直列共振器は、ポール共振と
ゼロ共振とを有する。通過帯域の応答を得るためには、
シャント共振器のポール周波数を直列共振器のゼロ周波
数に幾分整合した周波数にシフトダウンすることが必要
である。直列共振ポール周波数にマッチングさせるため
に、シャント共振器のポール周波数をシフトダウンする
ことは、ある種の材料（例えば金属、金属酸化物等）
を、シャント共振器の上部電極に付加することにより達
成できる。
プローチは、共振器を直列−シャント関係の階段状の構
成に配置することである（すなわち、「シャント共振
器」は、直列共鳴器の端子にシャント状態に接続す
る）。各シャント共振器と直列共振器は、ポール共振と
ゼロ共振とを有する。通過帯域の応答を得るためには、
シャント共振器のポール周波数を直列共振器のゼロ周波
数に幾分整合した周波数にシフトダウンすることが必要
である。直列共振ポール周波数にマッチングさせるため
に、シャント共振器のポール周波数をシフトダウンする
ことは、ある種の材料（例えば金属、金属酸化物等）
を、シャント共振器の上部電極に付加することにより達
成できる。
【０００８】現在のところ、ＴＦＲラダーフィルタを設
計する従来の方法は、ＴＦＲ素子を個々に組立ブロック
で設計し、それらを互いに連鎖接続すること（直列ある
いはチェーン状に接続すること）である。単純化して述
べると、チェーン内の個々に接続された部分は、信号が
チェーン（連鎖）を通過するよりもより信号を連続的に
フィルタ処理することができるために、連鎖接続はフィ
ルタ全体に対するより大きなストップバンドの減衰を達
成できる。図２のＡとＢは、１つの組立ブロックを示
し、通常これらはＴ−セルとＬ−セルとして知られてい
る。図２Ａを参照すると、Ｔ−セル組立ブロック１２５
は、３個のＴＦＲ素子１３０Ａ、１３０Ｂ、ＴＦＲ素子
１３５を有する。ＴＦＲ素子１３０Ａと１３０Ｂは、Ｔ
−セルブロックの直列アーム部分であり、ＴＦＲ素子１
３０Ａは、入力ポート１３２とノード１３６の間で直列
接続を構成し、ＴＦＲ素子１３０Ｂは、ノード１３６と
Ｔ−セル組立ブロック１２５の出力ポート１３４とを接
続する。ＴＦＲ素子１３５は、Ｔ−セル組立ブロック１
２５の「シャントレグ」部分を含み、これは端子１３６
と接地との間をシャント状態に接続する。図２Ｂも同様
に、従来のＴＦＲフィルタ回路で使用されるＬセクショ
ンブロック１４５はＴＦＲ１４６を含み、このＴＦＲ１
４６は直列アーム部分を含み、そしてＴＦＲ１４７は端
子１４４でＴＦＲ１４６を接地電位にシャント状態に接
続する。
計する従来の方法は、ＴＦＲ素子を個々に組立ブロック
で設計し、それらを互いに連鎖接続すること（直列ある
いはチェーン状に接続すること）である。単純化して述
べると、チェーン内の個々に接続された部分は、信号が
チェーン（連鎖）を通過するよりもより信号を連続的に
フィルタ処理することができるために、連鎖接続はフィ
ルタ全体に対するより大きなストップバンドの減衰を達
成できる。図２のＡとＢは、１つの組立ブロックを示
し、通常これらはＴ−セルとＬ−セルとして知られてい
る。図２Ａを参照すると、Ｔ−セル組立ブロック１２５
は、３個のＴＦＲ素子１３０Ａ、１３０Ｂ、ＴＦＲ素子
１３５を有する。ＴＦＲ素子１３０Ａと１３０Ｂは、Ｔ
−セルブロックの直列アーム部分であり、ＴＦＲ素子１
３０Ａは、入力ポート１３２とノード１３６の間で直列
接続を構成し、ＴＦＲ素子１３０Ｂは、ノード１３６と
Ｔ−セル組立ブロック１２５の出力ポート１３４とを接
続する。ＴＦＲ素子１３５は、Ｔ−セル組立ブロック１
２５の「シャントレグ」部分を含み、これは端子１３６
と接地との間をシャント状態に接続する。図２Ｂも同様
に、従来のＴＦＲフィルタ回路で使用されるＬセクショ
ンブロック１４５はＴＦＲ１４６を含み、このＴＦＲ１
４６は直列アーム部分を含み、そしてＴＦＲ１４７は端
子１４４でＴＦＲ１４６を接地電位にシャント状態に接
続する。
【０００９】図３は、従来のＴＦＲフィルタ回路を示
す。図３のフィルタ回路は、４個のＴ−セル１５１−１
５４の連鎖接続により構成される。上述したように、複
数のＴ−セルを鎖状につなぐことにより、高いストップ
バンド減衰を有するフィルタを提供できる。さらにまた
図５に示すように、フィルタを小さくするために、冗長
性のある直列共振器を組み合わせることができる。図５
においては、冗長性の素子がスペースを節約するために
組み合わされている。図３と比較すると、直列アームで
ある直列アームＴＦＲ素子１６０、１６５が、１つのＴ
ＦＲ素子１７５を構成するために、「pulled」されてい
る（すなわち組み合わされている）。設計後の組合せで
あるために、図５の「内部」直列ブランチ電極キャパシ
タンス（ＴＦＲ素子１７５、１８０、１８５のＣＯＳ２
を参照）は、外部電極キャパシタンス（ＴＦＲ素子１９
０、１９５のＣＯＳ）とは異なっているが、「ルート」
デザインは、等しい直列ブランチ電極キャパシタンスの
すべてに基づいて、かつ図３に示すように等しいシャン
トブランチ電極のすべてに依存する。
す。図３のフィルタ回路は、４個のＴ−セル１５１−１
５４の連鎖接続により構成される。上述したように、複
数のＴ−セルを鎖状につなぐことにより、高いストップ
バンド減衰を有するフィルタを提供できる。さらにまた
図５に示すように、フィルタを小さくするために、冗長
性のある直列共振器を組み合わせることができる。図５
においては、冗長性の素子がスペースを節約するために
組み合わされている。図３と比較すると、直列アームで
ある直列アームＴＦＲ素子１６０、１６５が、１つのＴ
ＦＲ素子１７５を構成するために、「pulled」されてい
る（すなわち組み合わされている）。設計後の組合せで
あるために、図５の「内部」直列ブランチ電極キャパシ
タンス（ＴＦＲ素子１７５、１８０、１８５のＣＯＳ２
を参照）は、外部電極キャパシタンス（ＴＦＲ素子１９
０、１９５のＣＯＳ）とは異なっているが、「ルート」
デザインは、等しい直列ブランチ電極キャパシタンスの
すべてに基づいて、かつ図３に示すように等しいシャン
トブランチ電極のすべてに依存する。
【００１０】しかし、従来の連鎖接続のアプローチによ
り、図３、５に示されたフィルタを設計することはある
種の欠点がある。すなわち上記のアプローチで設計され
たフィルタは、通過帯域の幅を広げるのにフレキシビリ
ティがなく、かつ中心周波数からずれたときに性能の平
坦さに欠けることである。図４Ａ、Ｂは、ｄＢ（ｙ軸）
と、単位周波数（０．０２ＧＨｚ／線間、ｘ軸）で示し
た挿入損失とリターン損失からこれらの影響を示したも
のである。図４Ａは平坦さと非対称の問題を示し、図４
Ｂは不等リップルのリターン損失を示す。
り、図３、５に示されたフィルタを設計することはある
種の欠点がある。すなわち上記のアプローチで設計され
たフィルタは、通過帯域の幅を広げるのにフレキシビリ
ティがなく、かつ中心周波数からずれたときに性能の平
坦さに欠けることである。図４Ａ、Ｂは、ｄＢ（ｙ軸）
と、単位周波数（０．０２ＧＨｚ／線間、ｘ軸）で示し
た挿入損失とリターン損失からこれらの影響を示したも
のである。図４Ａは平坦さと非対称の問題を示し、図４
Ｂは不等リップルのリターン損失を示す。
【００１１】図６Ａ、Ｂは、バンド幅を広げるために従
来の連鎖接続を用いた挿入損失とリターン損失をｄＢと
単位周波数との関係で表した。従来の連鎖接続のアプロ
ーチで、バンド幅を広げるために、シャント共振器周波
数の組（ポールとゼロ）は、直列共振器周波数の組から
さらにシフトさせなけらばならない。しかし、シャント
共振器のポールとゼロの共振周波数は、直列共振周波数
からさらにシフトされるにつれて、「バンプ」がバンド
の中心でリターン損失応答でバンプが急速に形成され
る。これはグラフ上ではパスバンドの中心（１．９６Ｇ
Ｈｚ）で、図４Ｂと図６Ｂとを比較して示し、リターン
損失は、３０ｄＢ以上から１０ｄＢまで変化する。この
バンプは、フィルタが５０オーム（フィルタの各Ｔ−セ
ル組立ブロックに対する標準）にいかによくマッチして
いないかを示すものであり、バンプにおけるｄＢの変化
は、インピーダンスマッチのドロップオフ（drop off）
を示す。さらにまたリターン損失応答におけるバンプ
（凸）のために、それに対応する「ディップ」（凹）が
挿入損失応答内に形成される（図６Ａ）。この主な理由
は、フィルタ内の直列共振器のすべては、同一周波数の
共振器であり、フィルタ内のシャント共振器のすべては
同一周波数の共振器だからである。
来の連鎖接続を用いた挿入損失とリターン損失をｄＢと
単位周波数との関係で表した。従来の連鎖接続のアプロ
ーチで、バンド幅を広げるために、シャント共振器周波
数の組（ポールとゼロ）は、直列共振器周波数の組から
さらにシフトさせなけらばならない。しかし、シャント
共振器のポールとゼロの共振周波数は、直列共振周波数
からさらにシフトされるにつれて、「バンプ」がバンド
の中心でリターン損失応答でバンプが急速に形成され
る。これはグラフ上ではパスバンドの中心（１．９６Ｇ
Ｈｚ）で、図４Ｂと図６Ｂとを比較して示し、リターン
損失は、３０ｄＢ以上から１０ｄＢまで変化する。この
バンプは、フィルタが５０オーム（フィルタの各Ｔ−セ
ル組立ブロックに対する標準）にいかによくマッチして
いないかを示すものであり、バンプにおけるｄＢの変化
は、インピーダンスマッチのドロップオフ（drop off）
を示す。さらにまたリターン損失応答におけるバンプ
（凸）のために、それに対応する「ディップ」（凹）が
挿入損失応答内に形成される（図６Ａ）。この主な理由
は、フィルタ内の直列共振器のすべては、同一周波数の
共振器であり、フィルタ内のシャント共振器のすべては
同一周波数の共振器だからである。
【００１２】そのため従来の連鎖接続のアプローチは、
性能が平坦でなくなること、およびバンド幅が限られる
結果となる。連鎖接続のアプローチにより構成されたフ
ィルタは、パスバンドの中心で５０オームに完全にマッ
チングするが、フィルタのマッチングはパスバンドの通
過帯域の端に近づくにつれて、そしてストップバンドを
越えるにつれて５０オームから離れていく。理想的に
は、５０オームのＴ−セルの組立ブロックは、それらが
特定のバンド幅全体にわたって５０オームに十分マッチ
ングしているときのみ適切な方法で連鎖接続される。し
かし、図３、５に示した連鎖接続のアプローチは、周波
数が通過帯域の中心から離れるにつれて、近隣の組立ブ
ロックに不適切に負荷を与えること、そしてそれにより
フィルタの性能の理想的な全体的の平坦さが下がり、通
過帯域の幅が狭められることにより、このような原理が
犯される。
性能が平坦でなくなること、およびバンド幅が限られる
結果となる。連鎖接続のアプローチにより構成されたフ
ィルタは、パスバンドの中心で５０オームに完全にマッ
チングするが、フィルタのマッチングはパスバンドの通
過帯域の端に近づくにつれて、そしてストップバンドを
越えるにつれて５０オームから離れていく。理想的に
は、５０オームのＴ−セルの組立ブロックは、それらが
特定のバンド幅全体にわたって５０オームに十分マッチ
ングしているときのみ適切な方法で連鎖接続される。し
かし、図３、５に示した連鎖接続のアプローチは、周波
数が通過帯域の中心から離れるにつれて、近隣の組立ブ
ロックに不適切に負荷を与えること、そしてそれにより
フィルタの性能の理想的な全体的の平坦さが下がり、通
過帯域の幅が狭められることにより、このような原理が
犯される。
【００１３】通常フィルタを組立ブロックを連鎖接続す
ることによってではなく、一体として設計する際には、
特定の最悪の場合のリターン損失マッチング性能が選択
される。通常起こることは、リターン損失（マッチン
グ）は、通過帯域の端部近傍に比較すると通過帯域の方
がよく、そしてストップバンド領域に入ると急速に落ち
てくる。さらにまたフィルタは、そのいずれかの側で５
０オームの抵抗で終端される（５０オームは周波数に関
係なく５０オームである）。上記したような同様なリタ
ーン損失性能を具備する数個の組立ブロックを連鎖接続
する場合には、各Ｔ−セルは、元の場合の通過帯域の中
心点における完全な５０オームの挿入損失ではなく、通
過帯域の端部近傍の余裕を持ったリターン損失（マッ
チ）を具備した近隣のＴ−セルを終端する。そのためこ
の現象は、あるマッチ性能の限界に対し通過帯域の幅全
体を減少させる傾向がある。
ることによってではなく、一体として設計する際には、
特定の最悪の場合のリターン損失マッチング性能が選択
される。通常起こることは、リターン損失（マッチン
グ）は、通過帯域の端部近傍に比較すると通過帯域の方
がよく、そしてストップバンド領域に入ると急速に落ち
てくる。さらにまたフィルタは、そのいずれかの側で５
０オームの抵抗で終端される（５０オームは周波数に関
係なく５０オームである）。上記したような同様なリタ
ーン損失性能を具備する数個の組立ブロックを連鎖接続
する場合には、各Ｔ−セルは、元の場合の通過帯域の中
心点における完全な５０オームの挿入損失ではなく、通
過帯域の端部近傍の余裕を持ったリターン損失（マッ
チ）を具備した近隣のＴ−セルを終端する。そのためこ
の現象は、あるマッチ性能の限界に対し通過帯域の幅全
体を減少させる傾向がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、バンド幅を広げながら、通過帯域の性能のより良
好な平坦さを達成できるようなＴＦＲフィルタ回路を提
供することである。
的は、バンド幅を広げながら、通過帯域の性能のより良
好な平坦さを達成できるようなＴＦＲフィルタ回路を提
供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来のＴＦＲ
フィルタ回路に比較して、通過帯域応答の平坦さおよび
通過帯域の応答の平坦さを改善し、通過帯域の幅を広げ
た応答を有するＴＦＲフィルタ回路を提供する。本発明
のＴＦＲフィルタ回路は、フィルタの入力ポートと出力
ポートの間に直列ブランチ−シャントブランチの関係で
配列された、複数のＴＦＲ素子を有する。フィルタの直
列ブランチとシャントブランチの各ＴＦＲ素子は、共振
周波数の組と平行平板電極キャパシタンスとを有する。
フィルタ回路に比較して、通過帯域応答の平坦さおよび
通過帯域の応答の平坦さを改善し、通過帯域の幅を広げ
た応答を有するＴＦＲフィルタ回路を提供する。本発明
のＴＦＲフィルタ回路は、フィルタの入力ポートと出力
ポートの間に直列ブランチ−シャントブランチの関係で
配列された、複数のＴＦＲ素子を有する。フィルタの直
列ブランチとシャントブランチの各ＴＦＲ素子は、共振
周波数の組と平行平板電極キャパシタンスとを有する。
【００１６】本発明の一態様によれば、本発明は、フィ
ルタ回路の他の直列ブランチＴＦＲ素子の共振周波数の
組とは異なる直列ブランチの少なくとも１つのＴＦＲ素
子の共振周波数の組および／または、フィルタ回路の他
のシャントブランチＴＦＲ素子の共振周波数の組とは異
なるシャントブランチの、少なくとも１つのＴＦＲ素子
の共振周波数の組を提供する。
ルタ回路の他の直列ブランチＴＦＲ素子の共振周波数の
組とは異なる直列ブランチの少なくとも１つのＴＦＲ素
子の共振周波数の組および／または、フィルタ回路の他
のシャントブランチＴＦＲ素子の共振周波数の組とは異
なるシャントブランチの、少なくとも１つのＴＦＲ素子
の共振周波数の組を提供する。
【００１７】本発明の他の態様によれば、本発明は、フ
ィルタ回路の他の直列ブランチＴＦＲ素子の電極キャパ
シタンスとは異なる直列ブランチの少なくとも１つのＴ
ＦＲ素子の電極キャパシタンスおよび／またはフィルタ
回路の他のシャントブランチＴＦＲ素子の電極キャパシ
タンスとは異なるシャントブランチの、少なくとも１つ
のＴＦＲ素子の電極キャパシタンスを提供する。共振周
波数の組および／または電極キャパシタンスを変える利
点は、通過帯域の性能の平坦さを改善し、バンド幅を広
げることができる点である。
ィルタ回路の他の直列ブランチＴＦＲ素子の電極キャパ
シタンスとは異なる直列ブランチの少なくとも１つのＴ
ＦＲ素子の電極キャパシタンスおよび／またはフィルタ
回路の他のシャントブランチＴＦＲ素子の電極キャパシ
タンスとは異なるシャントブランチの、少なくとも１つ
のＴＦＲ素子の電極キャパシタンスを提供する。共振周
波数の組および／または電極キャパシタンスを変える利
点は、通過帯域の性能の平坦さを改善し、バンド幅を広
げることができる点である。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例は、通過帯域の
性能を改善するために、最大のフレキシビリティを与え
る薄膜共振器（ＴＦＲ）フィルタである。このことは、
ＴＦＲ共振周波数の組を個々に変化させることにより達
成され、その結果直列ブランチあるいはシャントブラン
チの少なくとも１つのＴＦＲ素子の共振周波数の組は、
（直列ブランチ共振周波数内のそれに対応する）他の直
列ＴＦＲ素子とシャントＴＦＲ素子の共振周波数の組と
は異ならせることである。
性能を改善するために、最大のフレキシビリティを与え
る薄膜共振器（ＴＦＲ）フィルタである。このことは、
ＴＦＲ共振周波数の組を個々に変化させることにより達
成され、その結果直列ブランチあるいはシャントブラン
チの少なくとも１つのＴＦＲ素子の共振周波数の組は、
（直列ブランチ共振周波数内のそれに対応する）他の直
列ＴＦＲ素子とシャントＴＦＲ素子の共振周波数の組と
は異ならせることである。
【００１９】別の構成例としては、通過帯域の性能およ
びバンド幅を改善する目的は、フィルタの組立ブロック
（例えばＬ−セルのＴ−セル）内の個々のＴＦＲ素子の
平行平板電極キャパシタンスを変えることによって得ら
れ、その結果、直列ブランチの少なくとも１つのＴＦＲ
素子の電極キャパシタンスは、他の直列ブランチの電極
キャパシタンスとは異なるかおよび／またはシャントブ
ランチ内の少なくとも１つのＴＦＲ素子の電極キャパシ
タンスは、他のシャントブランチの電極キャパシタンス
とは異なることになる。
びバンド幅を改善する目的は、フィルタの組立ブロック
（例えばＬ−セルのＴ−セル）内の個々のＴＦＲ素子の
平行平板電極キャパシタンスを変えることによって得ら
れ、その結果、直列ブランチの少なくとも１つのＴＦＲ
素子の電極キャパシタンスは、他の直列ブランチの電極
キャパシタンスとは異なるかおよび／またはシャントブ
ランチ内の少なくとも１つのＴＦＲ素子の電極キャパシ
タンスは、他のシャントブランチの電極キャパシタンス
とは異なることになる。
【００２０】この本発明のアプローチは、従来の各直列
アーム内の共振周波数の組は互いに等しくし、各シャン
トレグ内の共振周波数の組も互いに等しくさせるような
連鎖接続アプローチとは対照的なものである。同様に本
発明は、直列アーム内の各ＴＦＲのキャパシタンスは互
いに等しくし、シャントレグ内の各ＴＦＲのキャパシタ
ンスも互いに等しくさせるような従来の連鎖接続の方法
（図３の従来のルート組立ブロック）とは異なる。
アーム内の共振周波数の組は互いに等しくし、各シャン
トレグ内の共振周波数の組も互いに等しくさせるような
連鎖接続アプローチとは対照的なものである。同様に本
発明は、直列アーム内の各ＴＦＲのキャパシタンスは互
いに等しくし、シャントレグ内の各ＴＦＲのキャパシタ
ンスも互いに等しくさせるような従来の連鎖接続の方法
（図３の従来のルート組立ブロック）とは異なる。
【００２１】この本発明のアプローチは、図７に示した
従来のＬＣフィルタ回路の設計を根本的に覆すものであ
る。ＬＣフィルタにおいては、任意のバンド幅と通過帯
域の形状を設計できる。従来のＬＣフィルタにおいて
は、関心事となる電極キャパシタンスは存在しないため
に、余分のすなわち二次共振周波数が生成されず、これ
によりフィルタのバンド幅に制約を課し、フィルタの通
過帯域の性能を劣化させる。そのため、本発明において
は個々のＴＦＲの共振周波数の組（ポールとゼロ）を変
化させることができ、そして余分の共振の応答乱れを補
償しながら、通過帯域のＬＣフィルタの最適な応答を達
成できる。
従来のＬＣフィルタ回路の設計を根本的に覆すものであ
る。ＬＣフィルタにおいては、任意のバンド幅と通過帯
域の形状を設計できる。従来のＬＣフィルタにおいて
は、関心事となる電極キャパシタンスは存在しないため
に、余分のすなわち二次共振周波数が生成されず、これ
によりフィルタのバンド幅に制約を課し、フィルタの通
過帯域の性能を劣化させる。そのため、本発明において
は個々のＴＦＲの共振周波数の組（ポールとゼロ）を変
化させることができ、そして余分の共振の応答乱れを補
償しながら、通過帯域のＬＣフィルタの最適な応答を達
成できる。
【００２２】共振周波数は、従来の連鎖接続のアプロー
チで必要とされるように、設計では強制的に等しくする
ことはできないので、本発明の一実施例による共振周波
数の組は、従来の連鎖接続のアプローチにより得られた
ものに比較して、通過帯域の幅を全体的に広げることが
できる。同様に、ＴＦＲフィルタ内の個々のＴＦＲ素子
の電極キャパシタンスは、共振周波数の組をシフトさせ
ることにより得られたのと同様な結果を得るために、互
いに値を変えてもよい。各ＴＦＲ電極キャパシタンス
は、独立して変えることができるために、本発明のＴＦ
Ｒフィルタ回路は、Chebyshev 応答のような通過帯域の
標準的な通過帯域応答をより良好に近似することができ
る。
チで必要とされるように、設計では強制的に等しくする
ことはできないので、本発明の一実施例による共振周波
数の組は、従来の連鎖接続のアプローチにより得られた
ものに比較して、通過帯域の幅を全体的に広げることが
できる。同様に、ＴＦＲフィルタ内の個々のＴＦＲ素子
の電極キャパシタンスは、共振周波数の組をシフトさせ
ることにより得られたのと同様な結果を得るために、互
いに値を変えてもよい。各ＴＦＲ電極キャパシタンス
は、独立して変えることができるために、本発明のＴＦ
Ｒフィルタ回路は、Chebyshev 応答のような通過帯域の
標準的な通過帯域応答をより良好に近似することができ
る。
【００２３】以下に述べるようにこのことは、従来の連
鎖接続の設計アプローチにより達成させるのよりも、よ
り好ましい等リップル（equi-ripple）となり、すべて
の直列ブランチ共振周波数の組は等しくなり、かつすべ
てのシャントブランチ共振周波数も等しくなり、すべて
の組立ブロックセルは、等しい直列ブランチ電極キャパ
シタンスと等しいシャントブランチ電極キャパシタンス
とを使用できる。図３は、ＴＦＲ階段フィルタ回路を示
し、これは複数のＴ−セルを連鎖接続することにより構
成された、Ｔ−セルＴＦＲラダー（階段状）フィルタ回
路を示す。しかし本発明は、このような構造に限定され
るものではなく、いかなるシャントシリーズ、あるいは
直列シリーズ、あるいはＴＦＲフィルタのようなバルク
音響波デバイスを構成するような薄膜共振器の構造体に
も等しく適用できる。
鎖接続の設計アプローチにより達成させるのよりも、よ
り好ましい等リップル（equi-ripple）となり、すべて
の直列ブランチ共振周波数の組は等しくなり、かつすべ
てのシャントブランチ共振周波数も等しくなり、すべて
の組立ブロックセルは、等しい直列ブランチ電極キャパ
シタンスと等しいシャントブランチ電極キャパシタンス
とを使用できる。図３は、ＴＦＲ階段フィルタ回路を示
し、これは複数のＴ−セルを連鎖接続することにより構
成された、Ｔ−セルＴＦＲラダー（階段状）フィルタ回
路を示す。しかし本発明は、このような構造に限定され
るものではなく、いかなるシャントシリーズ、あるいは
直列シリーズ、あるいはＴＦＲフィルタのようなバルク
音響波デバイスを構成するような薄膜共振器の構造体に
も等しく適用できる。
【００２４】図８は、ＴＦＲ素子の共振周波数の組がい
かにダウンシフトされるかを示したものである。図８に
おいては、共振周波数をシフトするために、設計段階
（あるいは製造段階）で従来のＴＦＲ素子１００に材料
が付加される。例えば製造段階においては、金属製薄膜
層が導電性電極層１０５に付加されて、ＴＦＲの共振周
波数（ポールとゼロ）をシフトダウンする。図８ではこ
れは、導電性電極層１０５の上に形成された金属製薄膜
層１１６として示されている。
かにダウンシフトされるかを示したものである。図８に
おいては、共振周波数をシフトするために、設計段階
（あるいは製造段階）で従来のＴＦＲ素子１００に材料
が付加される。例えば製造段階においては、金属製薄膜
層が導電性電極層１０５に付加されて、ＴＦＲの共振周
波数（ポールとゼロ）をシフトダウンする。図８ではこ
れは、導電性電極層１０５の上に形成された金属製薄膜
層１１６として示されている。
【００２５】この金属層を付加することにより、ＴＦＲ
素子の有効厚さが増加することになる。ＴＦＲ素子の共
振周波数は、素子の物理的特性により支配されているの
で、厚さが増加することは、ＴＦＲ内で共振する音響波
の波長が増加する（すなわち維持される）ことである。
波長は周波数に反比例するので、この波長が増加したこ
とは、シャントＴＦＲ素子の共振周するポールとゼロの
周波数をより低い値にシフトさせることになる。異なる
共振周波数で個々のＴＦＲを設計することにより（すな
わち、フィルタ内の各ＴＦＲの共振周波数をシフトさせ
ることにより）、従来のアプローチにより設計されたＴ
ＦＲフィルタに比較して、通過帯域で均等な応答を有す
るＴＦＲフィルタが得られる。
素子の有効厚さが増加することになる。ＴＦＲ素子の共
振周波数は、素子の物理的特性により支配されているの
で、厚さが増加することは、ＴＦＲ内で共振する音響波
の波長が増加する（すなわち維持される）ことである。
波長は周波数に反比例するので、この波長が増加したこ
とは、シャントＴＦＲ素子の共振周するポールとゼロの
周波数をより低い値にシフトさせることになる。異なる
共振周波数で個々のＴＦＲを設計することにより（すな
わち、フィルタ内の各ＴＦＲの共振周波数をシフトさせ
ることにより）、従来のアプローチにより設計されたＴ
ＦＲフィルタに比較して、通過帯域で均等な応答を有す
るＴＦＲフィルタが得られる。
【００２６】図９は、本発明によりＴＦＲフィルタ回路
を示し、ＴＦＲフィルタのフィルタバンド幅と所望のバ
ンドパス応答を達成する他の技術を説明するためのもの
である。図９において、ＴＦＲフィルタ回路２００は、
複数の直列アーム２０１と複数のシャントレグ２０２を
有する。直列アーム２０１とシャントレグ２０２は、複
数のＴＦＲ素子（ＴＦＲ素子２０５Ａ−Ｎと２１０Ａ−
Ｎ）を有する。
を示し、ＴＦＲフィルタのフィルタバンド幅と所望のバ
ンドパス応答を達成する他の技術を説明するためのもの
である。図９において、ＴＦＲフィルタ回路２００は、
複数の直列アーム２０１と複数のシャントレグ２０２を
有する。直列アーム２０１とシャントレグ２０２は、複
数のＴＦＲ素子（ＴＦＲ素子２０５Ａ−Ｎと２１０Ａ−
Ｎ）を有する。
【００２７】図９は、直列とシャントのブランチ周波数
の組および／または電極キャパシタンスは、互いに独立
で変化でき、従来のルートデザインには依存せず、そし
て各直列アーム内のすべてのパラメータは互いに等し
く、またシャントレグ内のすべてのパラメータも互いに
等しい。しかし図９は、図３の組立ブロックセルの連鎖
接合を示してはいないが、例えば本発明は組立ブロック
にも適用可能であり、これによりフィルタの直列ブラン
チおよび／またはシャントブランチのそれぞれでパラメ
ータが異なることが可能となる。
の組および／または電極キャパシタンスは、互いに独立
で変化でき、従来のルートデザインには依存せず、そし
て各直列アーム内のすべてのパラメータは互いに等し
く、またシャントレグ内のすべてのパラメータも互いに
等しい。しかし図９は、図３の組立ブロックセルの連鎖
接合を示してはいないが、例えば本発明は組立ブロック
にも適用可能であり、これによりフィルタの直列ブラン
チおよび／またはシャントブランチのそれぞれでパラメ
ータが異なることが可能となる。
【００２８】図９に示すように、各電極平行平板キャパ
シタンスＣＯｘは異なる。１つあるいは数個、あるいは
すべてのキャパシタンス値（図示せず）が、互いに異な
るか否かはＴＦＲフィルタで必要とされる特性に依存す
る。これらのキャパシタンス値は、ＴＦＲ素子の上部電
極と底部電極の表面積を操作することにより変えること
ができる。電極の表面積とキャパシタンスとの間には直
接的な関係がある。すなわち表面積が増えるとキャパシ
タンス値も増える。かくして許容可能なバンドパス応答
とフィルタバンド幅は、ＴＦＲフィルタを構成するＴＦ
Ｒ素子の１つ、あるいは数個、あるいはすべての電極の
表面積を独立に広くしたり狭くしたりすることにより、
応答を変えることができる。さらに図９に示すように共
振ブランチは、ＬｘＣｘで表される。ＬｘＣｘブランチ
の１つまたは数個、あるいはすべては、ＴＦＲフィルタ
に必要とされる特性により独立に変えることができる。
この共振ブランチが、ＴＦＲの共振周波数の組を決定
し、前述したように有効音響厚さを変えることにより変
えることができる。
シタンスＣＯｘは異なる。１つあるいは数個、あるいは
すべてのキャパシタンス値（図示せず）が、互いに異な
るか否かはＴＦＲフィルタで必要とされる特性に依存す
る。これらのキャパシタンス値は、ＴＦＲ素子の上部電
極と底部電極の表面積を操作することにより変えること
ができる。電極の表面積とキャパシタンスとの間には直
接的な関係がある。すなわち表面積が増えるとキャパシ
タンス値も増える。かくして許容可能なバンドパス応答
とフィルタバンド幅は、ＴＦＲフィルタを構成するＴＦ
Ｒ素子の１つ、あるいは数個、あるいはすべての電極の
表面積を独立に広くしたり狭くしたりすることにより、
応答を変えることができる。さらに図９に示すように共
振ブランチは、ＬｘＣｘで表される。ＬｘＣｘブランチ
の１つまたは数個、あるいはすべては、ＴＦＲフィルタ
に必要とされる特性により独立に変えることができる。
この共振ブランチが、ＴＦＲの共振周波数の組を決定
し、前述したように有効音響厚さを変えることにより変
えることができる。
【００２９】図１０Ａ、Ｂは本発明によるＴＦＲフィル
タ回路のパスバンド性能とリターン損失の性能を表す。
図１０Ａ、Ｂと従来のＴＦＲフィルタ回路（図４Ａ、４
Ｂ、６Ａ、６Ｂ）の通過帯域応答と比較すると、明らか
に異なる。図１０Ｂに示すように、リターン損失は図４
Ｂまたは６Ｂのいずれかで比較するように、通過帯域
（１．９３ＧＨｚと１．９９ＧＨｚの間）内でより等リ
ップルである。このことは、通過帯域の挿入損失がより
平坦となり（図１０Ａ）、ある最小のリターン損失レベ
ルにおいてバンド幅が広がることになる。具体的に説明
すると、図１０Ａのバンド幅は、３．７メモリ（すなわ
ち７４ＭＨｚ）で、図６Ａが３．５メモリ（すなわち７
０ＭＨｚ）、図４Ａが約３．３メモリ（すなわち６６Ｍ
Ｈｚ）である。
タ回路のパスバンド性能とリターン損失の性能を表す。
図１０Ａ、Ｂと従来のＴＦＲフィルタ回路（図４Ａ、４
Ｂ、６Ａ、６Ｂ）の通過帯域応答と比較すると、明らか
に異なる。図１０Ｂに示すように、リターン損失は図４
Ｂまたは６Ｂのいずれかで比較するように、通過帯域
（１．９３ＧＨｚと１．９９ＧＨｚの間）内でより等リ
ップルである。このことは、通過帯域の挿入損失がより
平坦となり（図１０Ａ）、ある最小のリターン損失レベ
ルにおいてバンド幅が広がることになる。具体的に説明
すると、図１０Ａのバンド幅は、３．７メモリ（すなわ
ち７４ＭＨｚ）で、図６Ａが３．５メモリ（すなわち７
０ＭＨｚ）、図４Ａが約３．３メモリ（すなわち６６Ｍ
Ｈｚ）である。
【００３０】そのため本発明のＴＦＲフィルタは、従来
のＴＦＲ回路に比較して、通過帯域でより均一な応答、
さらにまた、ある最小リターン損失でのバンド幅の改善
が得られる。これは、ＴＦＲ素子の共振周波数の組を独
立にシフトさせること、あるいはＴＦＲ素子の電極キャ
パシタンスを独立に変化させること、あるいはその両方
を行うことにより達成できる。さらにまた本発明のフィ
ルタ回路は、ＴＦＲフィルタ回路を設計する際に現在用
いられている、従来の組立ブロック構造体から離れて、
すべての直列ブランチＴＦＲ素子の共振周波数の組と電
極キャパシタンスは等しく、かつすべてのシャントブラ
ンチＴＦＲ素子の共振周波数の組と電極キャパシタンス
を等しくさせている。
のＴＦＲ回路に比較して、通過帯域でより均一な応答、
さらにまた、ある最小リターン損失でのバンド幅の改善
が得られる。これは、ＴＦＲ素子の共振周波数の組を独
立にシフトさせること、あるいはＴＦＲ素子の電極キャ
パシタンスを独立に変化させること、あるいはその両方
を行うことにより達成できる。さらにまた本発明のフィ
ルタ回路は、ＴＦＲフィルタ回路を設計する際に現在用
いられている、従来の組立ブロック構造体から離れて、
すべての直列ブランチＴＦＲ素子の共振周波数の組と電
極キャパシタンスは等しく、かつすべてのシャントブラ
ンチＴＦＲ素子の共振周波数の組と電極キャパシタンス
を等しくさせている。
【００３１】本発明の変形例として、本発明のフィルタ
構造はＴＦＲ素子のＴ−セル、Ｌ−セルを連鎖結合する
ことに限定されず、直列−シャントおよび／またはシャ
ント−直列の交互配列、あるいは入力ポートと出力ポー
トの間の薄膜共振器の他の構成も、本発明のフィルタを
構成するのに用いることができる。さらに本発明は、共
振周波数の組をシフトさせるか、あるいは平行平板電極
キャパシタンスを変化させることを例に説明したが、そ
の両方の技術を組み合わせて所望の結果を得ることもで
きる。
構造はＴＦＲ素子のＴ−セル、Ｌ−セルを連鎖結合する
ことに限定されず、直列−シャントおよび／またはシャ
ント−直列の交互配列、あるいは入力ポートと出力ポー
トの間の薄膜共振器の他の構成も、本発明のフィルタを
構成するのに用いることができる。さらに本発明は、共
振周波数の組をシフトさせるか、あるいは平行平板電極
キャパシタンスを変化させることを例に説明したが、そ
の両方の技術を組み合わせて所望の結果を得ることもで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の薄膜の共振器の断面図。
【図２】Ａ：従来のＴＦＲフィルタ回路で用いられるＴ
−セルブロックを表す図。 Ｂ：従来のＴＦＲフィルタ回路で用いられるＬ−セルブ
ロックを表す図。 Ｃ：従来のＴＦＲフィルタ回路で用いられるシャント回
路を表す図。
−セルブロックを表す図。 Ｂ：従来のＴＦＲフィルタ回路で用いられるＬ−セルブ
ロックを表す図。 Ｃ：従来のＴＦＲフィルタ回路で用いられるシャント回
路を表す図。
【図３】従来のＴＦＲフィルタ回路を表す図。
【図４】Ａ：図３のＴＦＲフィルタ回路の通過帯域挿入
（接続）損失性能を表す図。 Ｂ：図３のＴＦＲフィルタ回路のリターン損失性能を表
す図。
（接続）損失性能を表す図。 Ｂ：図３のＴＦＲフィルタ回路のリターン損失性能を表
す図。
【図５】従来のルート設計の冗長性のある近傍の直列ア
ームを組み合わせた、図３に類似したＴＦＲフィルタ回
路を表す図。
ームを組み合わせた、図３に類似したＴＦＲフィルタ回
路を表す図。
【図６】Ａ：共振周波数のシャントレグの組をシフトし
て離した後の、図３のＴＦＲフィルタ回路の通過帯域挿
入損失性能を表す図。 Ｂ：共振周波数のシャントレグの組をシフトして離した
後の、図３のＴＦＲフィルタ回路のリターン損失性能を
表す図。
て離した後の、図３のＴＦＲフィルタ回路の通過帯域挿
入損失性能を表す図。 Ｂ：共振周波数のシャントレグの組をシフトして離した
後の、図３のＴＦＲフィルタ回路のリターン損失性能を
表す図。
【図７】従来のＬＣフィルタ回路を表す図。
【図８】共振周波数の組をダウンシフトしたＴＦＲの断
面図。
面図。
【図９】本発明によるＴＦＲのフィルタ回路を表す図。
【図１０】Ａ：図９のＴＦＲフィルタ回路の通過帯域の
性能を表す図。 Ｂ：図９のＴＦＲフィルタ回路のリターン損失の性能を
表す図。
性能を表す図。 Ｂ：図９のＴＦＲフィルタ回路のリターン損失の性能を
表す図。
１００ 従来のＴＦＲ素子 １０５、１１５ 導電性電極層 １１０ ピエゾ電子材料層 １１６ 金属製薄膜層 １２０ 支持構造体 １２５ Ｔ−セル組立ブロック １３０、１３５ ＴＦＲ素子 １３２ 入力ポート １３４ 出力ポート １３６、１４８ ノード １４２、１４４ 端子 １４５ Ｌセクションブロック １４６、１４７ ＴＦＲ １５１−１５４ Ｔ−セル １６０、１６５ 直列アームＴＦＲ素子 １７５、１８０、１８５、１９０、１９５ ＴＦＲ素
子 ２００ ＴＦＲフィルタ回路 ２０１ 直列アーム ２０２ シャントレグ ２０５ ＴＦＲ素子
子 ２００ ＴＦＲフィルタ回路 ２０１ 直列アーム ２０２ シャントレグ ２０５ ＴＦＲ素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ジョージ イー、リッテンハウス アメリカ合衆国、07733 ニュージャージ ー、ホルムデル、ヘイワード ヒルズ ド ライブ ６ (72)発明者 マイケル ジョージ ジエルド アメリカ合衆国、08502 ニュージャージ ー、ベル メッド、リバービュー テラス 25
Claims (24)
- 【請求項１】 入力ポートと出力ポートの間に、複数の
直列ブランチとシャントブランチを構成する複数の薄膜
共振器素子（ＴＦＲ）を有し、 前記複数のＴＦＲ素子は、１組の共振周波数を有し、 前記直列ブランチと前記シャントブランチの少なくとも
１つのＴＦＲ素子の共振周波数の組は、他の対応する直
列ブランチとシャントブランチのＴＦＲ素子の共振周波
数とは異なることを特徴とする薄膜共振器フィルタ。 - 【請求項２】 前記複数の直列ブランチの複数のＴＦＲ
素子は、異なる共振周波数の組を有することを特徴とす
る請求項１記載のフィルタ。 - 【請求項３】 前記複数のシャントブランチの複数のＴ
ＦＲ素子は、異なる共振周波数の組を有することを特徴
とする請求項１記載のフィルタ。 - 【請求項４】 薄膜共振器を構成する方法において、 （Ａ）入力ポートと出力ポートの間に、複数の直列ブラ
ンチとシャントブランチを構成する複数の薄膜共振器素
子（ＴＦＲ）を接続するステップと、 前記複数のＴＦＲ素子は、１組の共振周波数を有し、 （Ｂ）前記直列ブランチとシャントブランチの少なくと
も１つのＴＦＲ素子の共振周波数の組をシフトするステ
ップと、を有し、 前記シフトされた共振周波数の組は、他の対応する直列
ブランチとシャントブランチのＴＦＲ素子の共振周波数
とは異なることを特徴とする薄膜共振器を構成する方
法。 - 【請求項５】 前記（Ｂ）ステップは、前記直列ブラン
チ内の前記複数のＴＦＲ素子の共振周波数の組をシフト
させ、 前記各直列ブランチＴＦＲ素子は、異なる共振周波数の
組を有することを特徴とする請求項４記載の方法。 - 【請求項６】 前記（Ｂ）ステップは、前記シャントブ
ランチ内の前記複数のＴＦＲ素子の共振周波数の組をシ
フトさせ、 前記各直列ブランチＴＦＲ素子は、異なる共振周波数の
組を有することを特徴とする請求項４記載の方法。 - 【請求項７】 入力ポートと出力ポートの間に、複数の
直列ブランチとシャントブランチを構成する複数の薄膜
共振器素子（ＴＦＲ）を有し、 前記複数のＴＦＲ素子は、電極キャパシタンスを有し、 前記直列ブランチと前記シャントブランチの少なくとも
１つのＴＦＲ素子の電極キャパシタンスは、他の対応す
る直列ブランチとシャントブランチのＴＦＲ素子の電極
キャパシタンスとは異なることを特徴とする薄膜共振器
フィルタ。 - 【請求項８】 前記複数の直列ブランチの複数のＴＦＲ
素子は、異なる電極キャパシタンスを有することを特徴
とする請求項７記載のフィルタ。 - 【請求項９】 前記複数のシャントブランチの複数のＴ
ＦＲ素子は、異なる電極キャパシタンスを有することを
特徴とする請求項７記載のフィルタ。 - 【請求項１０】 薄膜共振器を構成する方法において、 （Ａ）入力ポートと出力ポートの間に、複数の直列ブラ
ンチとシャントブランチを構成する複数の薄膜共振器素
子（ＴＦＲ）を接続するステップと、 前記複数のＴＦＲ素子は、電極キャパシタンスを有し、 （Ｂ）前記直列ブランチとシャントブランチの少なくと
も１つのＴＦＲ素子の電極キャパシタンスを変化するス
テップと、を有し、 前記シフトされた電極キャパシタンスは、他の対応する
直列ブランチとシャントブランチのＴＦＲ素子の電極キ
ャパシタンスとは異なることを特徴とする薄膜共振器を
構成する方法。 - 【請求項１１】 前記（Ｂ）ステップは、前記直列ブラ
ンチ内の前記複数のＴＦＲ素子の電極キャパシタンスを
シフトさせ、 前記各直列ブランチＴＦＲ素子は、異なる電極キャパシ
タンスを有することを特徴とする請求項１０記載の方
法。 - 【請求項１２】 前記（Ｂ）ステップは、前記シャント
ブランチ内の前記複数のＴＦＲ素子の電極キャパシタン
スをシフトさせ、 前記各直列ブランチＴＦＲ素子は、異なる電極キャパシ
タンスを有することを特徴とする請求項１０記載の方
法。 - 【請求項１３】 入力ポートと出力ポートの間に、複数
の直列ブランチとシャントブランチを構成する複数の薄
膜共振器素子（ＴＦＲ）を有し、 前記複数のＴＦＲ素子は、１組の共振周波数と電極キャ
パシタンスを有し、 前記直列ブランチと前記シャントブランチの少なくとも
１つのＴＦＲ素子の電極キャパシタンスは、他の対応す
る直列ブランチとシャントブランチのＴＦＲ素子の電極
キャパシタンスとは異なり、 前記直列ブランチと前記シャントブランチの少なくとも
１つのＴＦＲ素子の共振周波数の組は、他の対応する直
列ブランチとシャントブランチのＴＦＲ素子の共振周波
数とは異なることを特徴とする薄膜共振器フィルタ。 - 【請求項１４】 前記複数の直列ブランチの複数のＴＦ
Ｒ素子は、異なる共振周波数の組を有することを特徴と
する請求項１３記載のフィルタ。 - 【請求項１５】 前記複数のシャントブランチの複数の
ＴＦＲ素子は、異なる共振周波数の組を有することを特
徴とする請求項１３記載のフィルタ。 - 【請求項１６】 前記複数の直列ブランチの複数のＴＦ
Ｒ素子は、異なる電極キャパシタンスを有することを特
徴とする請求項１３記載のフィルタ。 - 【請求項１７】 前記複数のシャントブランチの複数の
ＴＦＲ素子は、異なる電極キャパシタンスを有すること
を特徴とする請求項１３記載のフィルタ。 - 【請求項１８】 薄膜共振器を構成する方法において、 （Ａ）入力ポートと出力ポートの間に、複数の直列ブラ
ンチとシャントブランチを構成する複数の薄膜共振器素
子（ＴＦＲ）を接続するステップと、 前記複数のＴＦＲ素子は、１組の共振周波数と電極キャ
パシタンスを有し、 （Ｂ）前記直列ブランチとシャントブランチの少なくと
も１つのＴＦＲ素子の共振周波数の組をシフトするステ
ップと、 前記シフトされた共振周波数の組は、他の対応する直列
ブランチとシャントブランチのＴＦＲ素子の共振周波数
とは異なる（Ｃ）前記直列ブランチとシャントブランチ
の少なくとも１つのＴＦＲ素子の電極キャパシタンスを
変化するステップと、を有し、 前記シフトされた電極キャパシタンスは、他の対応する
直列ブランチとシャントブランチのＴＦＲ素子の電極キ
ャパシタンスとは異なるを有することを特徴とする薄膜
共振器を構成する方法。 - 【請求項１９】 前記（Ｂ）ステップは、前記直列ブラ
ンチ内の前記複数のＴＦＲ素子の共振周波数の組をシフ
トさせ、 前記各直列ブランチＴＦＲ素子は、異なる共振周波数の
組を有することを特徴とする請求項１８記載の方法。 - 【請求項２０】 前記（Ｂ）ステップは、前記シャント
ブランチ内の前記複数のＴＦＲ素子の共振周波数の組を
シフトさせ、 前記各直列ブランチＴＦＲ素子は、異なる共振周波数の
組を有することを特徴とする請求項１８記載の方法。 - 【請求項２１】 前記（Ｃ）ステップは、前記直列ブラ
ンチ内の前記複数のＴＦＲ素子の電極キャパシタンスを
シフトさせ、 前記各直列ブランチＴＦＲ素子は、異なる電極キャパシ
タンスを有することを特徴とする請求項１８記載の方
法。 - 【請求項２２】 前記（Ｃ）ステップは、前記シャント
ブランチ内の前記複数のＴＦＲ素子の電極キャパシタン
スをシフトさせ、 前記各直列ブランチＴＦＲ素子は、異なる電極キャパシ
タンスを有することを特徴とする請求項１８記載の方
法。 - 【請求項２３】 複数のＴＦＲ素子から構成される薄膜
共振器フィルタにおいて、 前記各ＴＦＲ素子は、１組の共振周波数を有し、入力ポ
ートと出力ポートの間に複数の直列ブランチとシャント
ブランチの形態で配置され、 前記直列ブランチとシャントブランチの内の少なくとも
１つのＴＦＲ素子の共振周波数は、他の対応する直列ブ
ランチとシャントのブランチのＴＦＲ素子の共振周波数
とは異なることを特徴とする薄膜共振器フィルタ。 - 【請求項２４】 複数のＴＦＲ素子から構成される薄膜
共振器フィルタにおいて、 前記各ＴＦＲ素子は、電極キャパシタンスを有し、入力
ポートと出力ポートの間に複数の直列ブランチとシャン
トブランチの形態で配置され、 前記直列ブランチとシャントブランチの内の少なくとも
１つのＴＦＲ素子の電極キャパシタンスは、他の対応す
る直列ブランチとシャントのブランチのＴＦＲ素子の電
極キャパシタンスとは異なることを特徴とする薄膜共振
器フィルタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/497860 | 2000-02-04 | ||
| US09/497,860 US6377136B1 (en) | 2000-02-04 | 2000-02-04 | Thin film resonator filter having at least one component with different resonant frequency sets or electrode capacitance |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001251102A true JP2001251102A (ja) | 2001-09-14 |
| JP2001251102A5 JP2001251102A5 (ja) | 2008-03-21 |
| JP4782929B2 JP4782929B2 (ja) | 2011-09-28 |
Family
ID=23978601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001026681A Expired - Fee Related JP4782929B2 (ja) | 2000-02-04 | 2001-02-02 | 薄膜共振器フィルタとその構成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6377136B1 (ja) |
| EP (1) | EP1126603A3 (ja) |
| JP (1) | JP4782929B2 (ja) |
| KR (1) | KR100752733B1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0012439D0 (en) * | 2000-05-24 | 2000-07-12 | Univ Cranfield | Improvements to filters |
| GB0012437D0 (en) * | 2000-05-24 | 2000-07-12 | Univ Cranfield | Improvements to filters |
| GB0014630D0 (en) * | 2000-06-16 | 2000-08-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Bulk accoustic wave filter |
| DE10058339A1 (de) * | 2000-11-24 | 2002-06-06 | Infineon Technologies Ag | Bulk-Acoustic-Wave-Filter |
| JP2003229743A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-08-15 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法 |
| US6635519B2 (en) * | 2002-01-10 | 2003-10-21 | Agere Systems, Inc. | Structurally supported thin film resonator and method of fabrication |
| US7014112B2 (en) * | 2003-04-29 | 2006-03-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electronic identification label and interrogator for use therewith |
| US7586389B2 (en) * | 2006-06-19 | 2009-09-08 | Maxim Integrated Products, Inc. | Impedance transformation and filter using bulk acoustic wave technology |
| US7598827B2 (en) | 2006-06-19 | 2009-10-06 | Maxim Integrated Products | Harmonic termination of power amplifiers using BAW filter output matching circuits |
| DE102013100286B3 (de) * | 2013-01-11 | 2014-06-05 | Epcos Ag | Breitbandiges Filter in Abzweigtechnik |
| US9325294B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-04-26 | Resonant Inc. | Microwave acoustic wave filters |
| CN111525906B (zh) * | 2020-03-30 | 2021-11-16 | 北京邮电大学 | 基于薄膜ipd技术的n77与n79带通滤波器芯片 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4456850A (en) * | 1982-02-09 | 1984-06-26 | Nippon Electric Co., Ltd. | Piezoelectric composite thin film resonator |
| US4642508A (en) * | 1984-03-09 | 1987-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Piezoelectric resonating device |
| JPS6421525A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | Nec Corp | Magnetic disk control device |
| JPH0191328U (ja) * | 1987-07-22 | 1989-06-15 | ||
| JPH0522073A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-01-29 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 梯子型電気濾波器 |
| JPH1051267A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Kyocera Corp | ラダー型フィルター |
| US5789845A (en) * | 1994-11-24 | 1998-08-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Film bulk acoustic wave device |
Family Cites Families (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4556812A (en) | 1983-10-13 | 1985-12-03 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Acoustic resonator with Al electrodes on an AlN layer and using a GaAs substrate |
| US4502932A (en) | 1983-10-13 | 1985-03-05 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Acoustic resonator and method of making same |
| US4719383A (en) | 1985-05-20 | 1988-01-12 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Piezoelectric shear wave resonator and method of making same |
| US4837533A (en) * | 1987-07-22 | 1989-06-06 | Toko Kabushiki Kaisha | Ladder-type ceramic filter |
| JPH0513061Y2 (ja) * | 1987-07-27 | 1993-04-06 | ||
| JPH0618314B2 (ja) | 1987-10-09 | 1994-03-09 | 株式会社村田製作所 | 集積型共振子の製造方法 |
| US4988957A (en) | 1989-05-26 | 1991-01-29 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Electronically-tuned thin-film resonator/filter controlled oscillator |
| US5075641A (en) | 1990-12-04 | 1991-12-24 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | High frequency oscillator comprising cointegrated thin film resonator and active device |
| US5231327A (en) | 1990-12-14 | 1993-07-27 | Tfr Technologies, Inc. | Optimized piezoelectric resonator-based networks |
| EP0498198B1 (en) | 1991-02-04 | 1995-11-22 | Motorola, Inc. | Hermetic device package for microelectronic frequency selection components |
| US5263259A (en) | 1991-05-14 | 1993-11-23 | Fausto Cimador | Design apparatus |
| EP0546696A1 (en) | 1991-12-13 | 1993-06-16 | Hewlett-Packard Company | Process for lithography on piezoelectric films |
| US5348617A (en) | 1991-12-23 | 1994-09-20 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Selective etching process |
| US5232571A (en) | 1991-12-23 | 1993-08-03 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Aluminum nitride deposition using an AlN/Al sputter cycle technique |
| US5294898A (en) | 1992-01-29 | 1994-03-15 | Motorola, Inc. | Wide bandwidth bandpass filter comprising parallel connected piezoelectric resonators |
| US5166646A (en) | 1992-02-07 | 1992-11-24 | Motorola, Inc. | Integrated tunable resonators for use in oscillators and filters |
| US5283458A (en) | 1992-03-30 | 1994-02-01 | Trw Inc. | Temperature stable semiconductor bulk acoustic resonator |
| US5367308A (en) | 1992-05-29 | 1994-11-22 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Thin film resonating device |
| US5373268A (en) | 1993-02-01 | 1994-12-13 | Motorola, Inc. | Thin film resonator having stacked acoustic reflecting impedance matching layers and method |
| US5334960A (en) | 1993-02-16 | 1994-08-02 | Motorola, Inc. | Conjugately matched acoustic wave transducers and method |
| US5434827A (en) | 1993-06-15 | 1995-07-18 | Hewlett-Packard Company | Matching layer for front acoustic impedance matching of clinical ultrasonic tranducers |
| US5381385A (en) | 1993-08-04 | 1995-01-10 | Hewlett-Packard Company | Electrical interconnect for multilayer transducer elements of a two-dimensional transducer array |
| US5446306A (en) | 1993-12-13 | 1995-08-29 | Trw Inc. | Thin film voltage-tuned semiconductor bulk acoustic resonator (SBAR) |
| US5587620A (en) | 1993-12-21 | 1996-12-24 | Hewlett-Packard Company | Tunable thin film acoustic resonators and method for making the same |
| US5572173A (en) * | 1994-02-15 | 1996-11-05 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ladder type filter with adjustable resonator positioning member |
| US5552655A (en) | 1994-05-04 | 1996-09-03 | Trw Inc. | Low frequency mechanical resonator |
| US5864261A (en) | 1994-05-23 | 1999-01-26 | Iowa State University Research Foundation | Multiple layer acoustical structures for thin-film resonator based circuits and systems |
| US5630949A (en) | 1995-06-01 | 1997-05-20 | Tfr Technologies, Inc. | Method and apparatus for fabricating a piezoelectric resonator to a resonant frequency |
| US5596239A (en) | 1995-06-29 | 1997-01-21 | Motorola, Inc. | Enhanced quality factor resonator |
| US5617065A (en) | 1995-06-29 | 1997-04-01 | Motorola, Inc. | Filter using enhanced quality factor resonator and method |
| US5692279A (en) * | 1995-08-17 | 1997-12-02 | Motorola | Method of making a monolithic thin film resonator lattice filter |
| US5698928A (en) | 1995-08-17 | 1997-12-16 | Motorola, Inc. | Thin film piezoelectric arrays with enhanced coupling and fabrication methods |
| US5702775A (en) | 1995-12-26 | 1997-12-30 | Motorola, Inc. | Microelectronic device package and method |
| US5821833A (en) | 1995-12-26 | 1998-10-13 | Tfr Technologies, Inc. | Stacked crystal filter device and method of making |
| US5646583A (en) | 1996-01-04 | 1997-07-08 | Rockwell International Corporation | Acoustic isolator having a high impedance layer of hafnium oxide |
| US5760663A (en) | 1996-08-23 | 1998-06-02 | Motorola, Inc. | Elliptic baw resonator filter and method of making the same |
| US5714917A (en) | 1996-10-02 | 1998-02-03 | Nokia Mobile Phones Limited | Device incorporating a tunable thin film bulk acoustic resonator for performing amplitude and phase modulation |
| US6051907A (en) * | 1996-10-10 | 2000-04-18 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for performing on-wafer tuning of thin film bulk acoustic wave resonators (FBARS) |
| US5873154A (en) | 1996-10-17 | 1999-02-23 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for fabricating a resonator having an acoustic mirror |
| US5780713A (en) | 1996-11-19 | 1998-07-14 | Hewlett-Packard Company | Post-fabrication tuning of acoustic resonators |
| US5963856A (en) | 1997-01-03 | 1999-10-05 | Lucent Technologies Inc | Wireless receiver including tunable RF bandpass filter |
| JPH10242799A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Kyocera Corp | 弾性表面波フィルタ |
| US6087198A (en) | 1998-02-12 | 2000-07-11 | Texas Instruments Incorporated | Low cost packaging for thin-film resonators and thin-film resonator-based filters |
| US5872493A (en) * | 1997-03-13 | 1999-02-16 | Nokia Mobile Phones, Ltd. | Bulk acoustic wave (BAW) filter having a top portion that includes a protective acoustic mirror |
| US5853601A (en) | 1997-04-03 | 1998-12-29 | Northrop Grumman Corporation | Top-via etch technique for forming dielectric membranes |
| US6127768A (en) | 1997-05-09 | 2000-10-03 | Kobe Steel Usa, Inc. | Surface acoustic wave and bulk acoustic wave devices using a Zn.sub.(1-X) Yx O piezoelectric layer device |
| US5910756A (en) * | 1997-05-21 | 1999-06-08 | Nokia Mobile Phones Limited | Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators |
| US5894647A (en) | 1997-06-30 | 1999-04-20 | Tfr Technologies, Inc. | Method for fabricating piezoelectric resonators and product |
| JP3227649B2 (ja) * | 1997-08-07 | 2001-11-12 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
| US5883575A (en) | 1997-08-12 | 1999-03-16 | Hewlett-Packard Company | RF-tags utilizing thin film bulk wave acoustic resonators |
| US6081171A (en) * | 1998-04-08 | 2000-06-27 | Nokia Mobile Phones Limited | Monolithic filters utilizing thin film bulk acoustic wave devices and minimum passive components for controlling the shape and width of a passband response |
| US6060818A (en) | 1998-06-02 | 2000-05-09 | Hewlett-Packard Company | SBAR structures and method of fabrication of SBAR.FBAR film processing techniques for the manufacturing of SBAR/BAR filters |
| FI108583B (fi) | 1998-06-02 | 2002-02-15 | Nokia Corp | Resonaattorirakenteita |
| US6150703A (en) | 1998-06-29 | 2000-11-21 | Trw Inc. | Lateral mode suppression in semiconductor bulk acoustic resonator (SBAR) devices using tapered electrodes, and electrodes edge damping materials |
| US5942958A (en) * | 1998-07-27 | 1999-08-24 | Tfr Technologies, Inc. | Symmetrical piezoelectric resonator filter |
| US6185589B1 (en) | 1998-07-31 | 2001-02-06 | Hewlett-Packard Company | Automatic banner resizing for variable-width web pages using variable width cells of HTML table |
| US6201457B1 (en) * | 1998-11-18 | 2001-03-13 | Cts Corporation | Notch filter incorporating saw devices and a delay line |
| US6215375B1 (en) | 1999-03-30 | 2001-04-10 | Agilent Technologies, Inc. | Bulk acoustic wave resonator with improved lateral mode suppression |
| JP4327942B2 (ja) | 1999-05-20 | 2009-09-09 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜圧電素子 |
-
2000
- 2000-02-04 US US09/497,860 patent/US6377136B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-01-22 EP EP01300508A patent/EP1126603A3/en not_active Ceased
- 2001-02-02 JP JP2001026681A patent/JP4782929B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-02 KR KR1020010005025A patent/KR100752733B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4456850A (en) * | 1982-02-09 | 1984-06-26 | Nippon Electric Co., Ltd. | Piezoelectric composite thin film resonator |
| US4642508A (en) * | 1984-03-09 | 1987-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Piezoelectric resonating device |
| JPS6421525A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | Nec Corp | Magnetic disk control device |
| JPH0191328U (ja) * | 1987-07-22 | 1989-06-15 | ||
| JPH0522073A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-01-29 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 梯子型電気濾波器 |
| US5789845A (en) * | 1994-11-24 | 1998-08-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Film bulk acoustic wave device |
| JPH1051267A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Kyocera Corp | ラダー型フィルター |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010078275A (ko) | 2001-08-20 |
| US6377136B1 (en) | 2002-04-23 |
| KR100752733B1 (ko) | 2007-08-28 |
| EP1126603A2 (en) | 2001-08-22 |
| EP1126603A3 (en) | 2005-09-07 |
| JP4782929B2 (ja) | 2011-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4326063B2 (ja) | 薄膜バルク弾性波装置を利用したモノリシック・フィルタ、および通過帯域レスポンスの形状と幅を制御するための最小受動素子 | |
| JP5296282B2 (ja) | バルク音響波装置 | |
| CN106253877B (zh) | 梯型弹性波滤波器和天线共用器 | |
| US5942958A (en) | Symmetrical piezoelectric resonator filter | |
| US7116187B2 (en) | Saw element and saw device | |
| US10873318B2 (en) | Filter circuits having acoustic wave resonators in a transversal configuration | |
| US7479847B2 (en) | Filter using piezoelectric resonator | |
| US20040130410A1 (en) | Filter using film bulk acoustic resonator and transmission/reception switch | |
| US7518410B2 (en) | Duplexer | |
| JP2004515149A (ja) | フィルタの、もしくはフィルタに関連する改善 | |
| JP4629571B2 (ja) | マイクロ波回路 | |
| CN107306120A (zh) | 可调谐振器元件、滤波器电路和方法 | |
| CN113162578B (zh) | 滤波器、多工器以及电子设备 | |
| US6323744B1 (en) | Grounding of TFR ladder filters | |
| JP4782929B2 (ja) | 薄膜共振器フィルタとその構成方法 | |
| EP1548938B1 (en) | TFR ladder filter and method of grounding of TFR ladder filters | |
| US7078984B2 (en) | Duplexer and method of manufacturing same | |
| CN114465600A (zh) | 集成芯片及其制备方法 | |
| EP1126604A2 (en) | Thin film resonator filter with inductance | |
| CN111342806B (zh) | 具有兰姆波谐振器的压电滤波器、双工器和电子设备 | |
| WO2004066494A1 (en) | Resonator filter structure with improved balance | |
| JP2003037476A (ja) | 高周波圧電フィルタ | |
| US7187255B2 (en) | Arrangement of lattice filter | |
| US11923827B2 (en) | Bulk acoustic wave resonator stacked onto an integrated passive device | |
| JPH11239035A (ja) | Ｓａｗフィルタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080131 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080131 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090603 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090608 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090908 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090911 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091208 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100913 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101213 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101216 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110309 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110615 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110708 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140715 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees | ||
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |