JP2001250377A - Electronic equipment with energy saving function - Google Patents
Electronic equipment with energy saving functionInfo
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、待機状態では消費
電力を節減することが可能な、ファクシミリ装置などの
省エネルギー機能付き電子装置におけるDRAMのバッ
クアップに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a backup of a DRAM in an electronic device having an energy saving function such as a facsimile device, which can reduce power consumption in a standby state.
【0002】[0002]
【従来の技術】ファクシミリ装置などの画像情報を扱う
機器において画像情報のメモリとしてDRAM(Dynami
c Random Access Memory)が一般的に使用されている。
本来、DRAMは揮発性であるが不意の停電に対する備
え等の要請からこれにある程度の不揮発性を付与しよう
という要求がある。2. Description of the Related Art In a device that handles image information such as a facsimile machine, a DRAM (Dynami
c Random Access Memory) is commonly used.
DRAMs are volatile in nature, but there is a demand for providing some degree of non-volatility to such devices as a provision for unexpected power failure.
【0003】そのために、DRAMにバッテリバックア
ップを行うのであるが、DRAMはバッテリバックアッ
プの対象として多用されるSRAMと異なり、基本的に
コンデンサメモリであるため、バックアップモードにお
いても記憶セル中の電荷を定期的に回復させるリフレッ
シュ動作が必要であり、これに伴う電力消費が避けられ
ない。For this purpose, a battery backup is performed in the DRAM. However, unlike an SRAM which is frequently used as a battery backup target, the DRAM is basically a capacitor memory. It is necessary to perform a refresh operation to recover the power, and power consumption accompanying the refresh operation is inevitable.
【0004】周辺回路のものを含めてより消費電力の小
さいセルフリフレッシュモードが使用されることが多い
がそれでもSRAM(Static RAM)のように一次電
池でバックアップすると短時間で放電しきってしまうた
め、二次電池を使用するのが一般的である。二次電池の
一回の放電サイクルでバックアップできる時間は現実的
に使用できる二次電池の容量から高々1時間余りという
のが普通であった。A self-refresh mode, which consumes less power, including peripheral circuits, is often used. However, if a backup is made using a primary battery such as an SRAM (Static RAM), the battery is completely discharged in a short time. It is common to use a secondary battery. The backup time in one discharge cycle of the secondary battery is usually at most one hour or more from the capacity of the secondary battery that can be actually used.
【0005】一方、電子装置に対して、消費電力低減の
要求が近年大きくなってきている。これに応えるため待
機状態における消費電力を通常動作時よりも小さくす
る、いわゆる省エネモードを備える機器が多数提供され
るようになってきている。[0005] On the other hand, there has been a growing demand for electronic devices to reduce power consumption in recent years. In order to respond to this, a large number of devices provided with a so-called energy saving mode in which the power consumption in the standby state is made smaller than that in the normal operation have been provided.
【0006】例えば特開平8−214069号公報のよ
うに、待機状態における消費電力を低減する省エネルギ
ー機能付きファクシミリ装置において、主制御手段によ
り、通常状態には装置内の全ユニットを制御し、省エネ
制御手段に対する制御指示信号を送出するとともに、省
エネ制御手段により、待機状態においては主制御手段そ
の他の手段の主電源を遮断して省エネルギー状態に移行
させ、かつ省エネルギー状態においてはユーザーによる
省エネキーの押下、原稿のセット、受信時のリンギング
信号、送信時のオフフック信号等のイベント信号によっ
て省エネルギー状態から解除するもの、が知られてい
る。この例のように、省エネモードにおいては主制御部
への電源供給は停止され、操作者による操作入力あるい
は通信機器においては回線からの着信等のイベントを監
視するための最小限の回路の電源のみが供給される。For example, in a facsimile apparatus with an energy saving function for reducing power consumption in a standby state as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-214069, all units in the apparatus are controlled by a main control unit in a normal state by energy saving control. While sending a control instruction signal to the means, the energy saving control means cuts off the main power supply of the main control means and other means in the standby state to shift to the energy saving state, and in the energy saving state, the user presses the energy saving key, There is known a method of releasing from an energy saving state by an event signal such as a document set, a ringing signal at the time of reception, and an off-hook signal at the time of transmission. As in this example, the power supply to the main control unit is stopped in the energy saving mode, and only the minimum circuit power supply for monitoring events such as operation input by the operator or incoming calls from the line in communication equipment Is supplied.
【0007】また、省エネモードとDRAMを有する機
器において、DRAMは主制御部の電源と同じ系統の電
源に接続されるのが一般的である(例えば、特開平7−
334432号公報)。[0007] In a device having an energy-saving mode and a DRAM, the DRAM is generally connected to a power supply of the same system as the power supply of the main control unit (for example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-1995).
334432).
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】この場合、主制御部の
電源がオフになるとDRAMはバッテリからバックアッ
プされることになるが、これでは頻繁に生ずる省エネモ
ードにおいて二次電池が放電してしまい、肝心の停電等
の真にバックアップが必要な時にバックアップ動作を保
証できなくなってしまう。そこでDRAMにバックアッ
プすべき有意の記憶内容が存在すれば省エネモードに入
らないように制御している。In this case, when the power of the main control unit is turned off, the DRAM is backed up from the battery. However, in this case, the secondary battery is discharged in a frequently-used energy saving mode. The backup operation cannot be guaranteed when backup is truly required, such as in the event of a critical power failure. Therefore, if there is significant storage content to be backed up in the DRAM, control is performed so as not to enter the energy saving mode.
【0009】しかし、これでは省エネモードに入る機会
が減少する結果、消費電力低減の要請に十分応えられな
い。[0009] However, this reduces the chances of entering the energy saving mode, so that it is not possible to sufficiently meet the demand for reducing power consumption.
【0010】本発明はこのような問題を解決し、省エネ
モードにおいては、省エネモードでもオフしない電源に
よりDRAMをバックアップすることにより、有意の記
憶内容が存在するか否かなどDRAMの記憶内容によら
ず省エネモードへの遷移が可能な電子装置を提供するこ
とを目的とする。The present invention solves such a problem, and in the energy saving mode, by backing up the DRAM with a power supply that does not turn off even in the energy saving mode, the DRAM is controlled by the memory content such as whether or not there is significant memory content. It is an object of the present invention to provide an electronic device capable of shifting to an energy saving mode.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
省エネ機能付き電子装置は、主電源から電源供給され、
省エネモードに制御する省エネ制御部と、省エネモード
時にオフされるスイッチ手段を介して前記主電源から電
力供給され、全体を制御する主制御部と、前記主電源か
ら電源供給され、リフレッシュモードを有するDRAM
とを備え、According to a first aspect of the present invention, there is provided an electronic device having an energy-saving function, wherein power is supplied from a main power source.
An energy-saving control unit for controlling to an energy-saving mode; a main control unit for supplying power from the main power supply via switch means turned off in the energy-saving mode to control the whole; and a power supply for supplying power from the main power supply and having a refresh mode. DRAM
With
【0012】前記主制御部への電源供給の停止時に、前
記主電源から電源供給して前記DRAMを電源バックア
ップし、リフレッシュすることを特徴とする。When the power supply to the main control unit is stopped, power is supplied from the main power supply to back up and refresh the DRAM.
【0013】この構成によれば、省エネモード時にも主
電源から電源供給してDRAMを電源バックアップして
リフレッシュするから、有意の記憶内容が存在するか否
かなどDRAMの記憶内容によらず、省エネモードへ移
行することができる。これにより、省エネモード時に、
主制御部がオフされ、当該電子装置の消費電力を低減す
ることができる。According to this configuration, even in the energy saving mode, the power is supplied from the main power supply to back up and refresh the DRAM, so that the energy saving can be performed regardless of the stored contents of the DRAM such as whether or not there is significant stored contents. Mode. As a result, in the energy saving mode,
The main control unit is turned off, so that power consumption of the electronic device can be reduced.
【0014】本発明の請求項2記載の省エネ機能付き電
子装置は、請求項1記載の省エネ機能付き電子装置にお
いて、前記DRAMのリフレッシュモードをセルフリフ
レッシュモードとし、前記主制御部への電源供給を監視
し、この監視結果によりセルフリフレッシュモード制御
信号を作成して、前記DRAMをセルフリフレッシュモ
ードにおくことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the electronic device with the energy saving function according to the first aspect, the refresh mode of the DRAM is set to a self-refresh mode, and power is supplied to the main control unit. Monitoring is performed, and a self-refresh mode control signal is generated based on the monitoring result, and the DRAM is placed in a self-refresh mode.
【0015】この構成によれば、省エネモード時には、
DRAMをセルフリフレッシュモードとするので、さら
に消費電力が少なくなる。そして、セルフリフレッシュ
モードの制御信号を、省エネモード時にオフする電源ラ
インを監視するリセット回路の出力を用いて、主制御部
とは別に形成しているから、構成が簡単になり、コスト
を低減することができる。According to this configuration, in the energy saving mode,
Since the DRAM is in the self-refresh mode, power consumption is further reduced. Since the control signal of the self-refresh mode is formed separately from the main control unit by using the output of the reset circuit for monitoring the power supply line which is turned off in the energy saving mode, the configuration is simplified and the cost is reduced. be able to.
【0016】本発明の請求項3記載の省エネ機能付き電
子装置は、請求項1、2記載の省エネ機能付き電子装置
において、バックアップ用電池の電圧と前記主電源の電
圧との関係に応じて、前記バックアップ用電池と前記主
電源を切り換えて、前記DRAMに電源供給するバック
アップ回路を備えることを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided the electronic device with the energy saving function according to the first and second aspects, wherein the voltage of the backup battery and the voltage of the main power supply are changed according to the relationship between the voltage of the backup battery and the voltage of the main power supply. A backup circuit for switching between the backup battery and the main power supply and supplying power to the DRAM is provided.
【0017】この構成によれば、バックアップ用電池と
主電源を切り換えてDRAMに電源供給するから、主電
源の停電時にもDRAMをバックアップすることができ
る。また、バックアップ用電池は主電源の停電時にのみ
電源供給すればよく、省エネ時と同様にDRAMはセル
フリフレッシュモードにされ消費電力が少なくなるか
ら、小容量のバックアップ用電池で長時間のバックアッ
プを行うことができる。According to this configuration, since the power is supplied to the DRAM by switching between the backup battery and the main power supply, the DRAM can be backed up even when the main power supply fails. Also, the backup battery need only be supplied with power when the main power supply fails, and the DRAM is placed in a self-refresh mode to reduce power consumption as in the case of energy saving. Therefore, backup is performed for a long time with a small-capacity backup battery. be able to.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】本発明の実施例について、図を参
照して、説明する。図1は、本発明を適用した省エネル
ギー機能付き電子装置の構成図を示すものであり、図2
はその省エネ動作時のタイミングチャートである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a configuration diagram of an electronic device with an energy saving function to which the present invention is applied.
Is a timing chart at the time of the energy saving operation.
【0019】図1において、主電源である直流電源12
はAC電源11の電圧を受けて、所定の直流電圧Vsを
出力する。スイッチ13は、通常動作時オンされ、省エ
ネモード時にオフされる。このスイッチ13を通った電
圧Vmが主制御部14及び主リセット回路15に供給さ
れる。In FIG. 1, a DC power supply 12 as a main power supply is provided.
Receives the voltage of the AC power supply 11 and outputs a predetermined DC voltage Vs. The switch 13 is turned on during a normal operation and turned off during an energy saving mode. The voltage Vm passed through the switch 13 is supplied to the main control unit 14 and the main reset circuit 15.
【0020】主制御部14は、通常動作時においてSD
RAM(シンクロナスDRAM)へのアクセスも含めて
電子装置全体の動作を制御する。主リセット回路15
は、電圧Vmを受けて、リセット信号あるいはパワーオ
ンリセット信号を作成し、この信号Rmを主制御部14
に供給する。The main control unit 14 controls the SD during normal operation.
It controls the operation of the entire electronic device including access to a RAM (synchronous DRAM). Main reset circuit 15
Receives the voltage Vm, generates a reset signal or a power-on reset signal, and outputs this signal Rm to the main control unit 14.
To supply.
【0021】省エネ制御部16は、主制御部14からの
指令入力(一定時間入力イベントが発生しなかった等を
検出し、仕掛かり中の各部動作の終端処理を完了した後
発せられる。図示せず。)を受けて省エネモード時の制
御を行う。省エネモードの最初にスイッチ13をオフし
て主制御部14の電源を落とし、省エネモード中に操作
入力等の所定のイベント信号を受信したらスイッチ13
をオンにし、主制御部14を起動して省エネモードの解
除および解除原因を報告する(図示せず)。また、省エ
ネリセット回路17は、直流電源12の電圧Vsを受け
て、リセット信号あるいはパワーオンリセット信号を作
成し、この信号Rsを省エネ制御部16に供給する。The energy-saving control unit 16 is issued after a command input from the main control unit 14 (for example, when an input event has not occurred for a certain period of time, etc., and termination processing of each unit in progress is completed. Control in energy saving mode. At the beginning of the energy saving mode, the switch 13 is turned off to turn off the power of the main control unit 14. When a predetermined event signal such as an operation input is received during the energy saving mode, the switch 13 is turned off.
Is turned on, and the main control unit 14 is activated to release the energy saving mode and report the cause of the release (not shown). Further, the energy saving reset circuit 17 receives the voltage Vs of the DC power supply 12, creates a reset signal or a power-on reset signal, and supplies this signal Rs to the energy saving control unit 16.
【0022】バックアップ回路19は、直流電源12の
電圧Vs及び浮動充電されている二次電池18の電圧の
いずれか高い方の電圧を選択して出力する。この電圧選
択は、図のようにダイオードの突き合わせ回路を用いて
行っても、あるいは切替スイッチにより行ってもよく、
いずれにしても電圧の高い方を選択するものであればよ
い。The backup circuit 19 selects and outputs the higher one of the voltage Vs of the DC power supply 12 and the voltage of the floating-charged secondary battery 18. This voltage selection may be performed using a diode matching circuit as shown in the figure, or may be performed using a changeover switch.
In any case, it is only necessary to select the higher voltage.
【0023】SDRAM(Synchronous DRAM)2
1は、外部クロックに同期して入出力を行ない、データ
転送速度を高めたDRAMであり、例えば100MHz
程度の高速な外部クロックCLKに同期して動作し、ク
ロックの立ち上がりエッジで外部信号を取り込む。SD
RAMには、リフレッシュモードとして、内部のタイマ
ーにより一定間隔ごとにリフレッシュ動作を自動的に行
うセルフリフレッシュモードが備えられており、本発明
では省エネモード時にこのセルフリフレッシュを行わせ
ることで、より省エネ効果を得るものである。また、S
DRAM21の電源端子には、バックアップ回路19か
らのバックアップ電源が供給され、直流電源12の停電
時には二次電池18から、それ以外の通常動作時及び省
エネモード時には直流電源12の電圧Vsが供給され
る。SDRAM (Synchronous DRAM) 2
Reference numeral 1 denotes a DRAM which performs input / output in synchronization with an external clock to increase the data transfer rate, and has a DRAM of, for example, 100 MHz.
It operates in synchronization with an external clock CLK that is as fast as possible, and takes in an external signal at the rising edge of the clock. SD
The RAM is provided with a self-refresh mode as a refresh mode, in which a refresh operation is automatically performed at regular intervals by an internal timer. According to the present invention, the self-refresh is performed in the energy-saving mode, thereby achieving a more energy-saving effect. Is what you get. Also, S
A backup power supply from a backup circuit 19 is supplied to a power supply terminal of the DRAM 21, and a voltage Vs of the DC power supply 12 is supplied from the secondary battery 18 when the DC power supply 12 is out of power and during other normal operation and the energy saving mode. .
【0024】ドライバ回路20は、主制御部14からの
制御信号を受けて、SDRAM21にリード、ライト、
リフレッシュなど各種の駆動信号を供給する。なお、バ
ックアップ回路19からの電源はドライバ回路20にも
供給される。The driver circuit 20 receives a control signal from the main control unit 14 and reads, writes,
It supplies various drive signals such as refresh. The power from the backup circuit 19 is also supplied to the driver circuit 20.
【0025】クロックイネーブル信号発生回路(CKE
発生回路)22は、省エネモード時にSDRAM21を
セルフリフレッシュモードに入れるためのもので、主リ
セット回路15のリセット信号あるいはパワーオンリセ
ット信号である信号Rm、主制御部14からのクロック
信号CLKを受けて、クロック信号CLKに同期したク
ロックイネーブル信号CKEのハイレベル(Hレベル)
からローレベル(Lレベル)へのH→L遷移を発生し、
同時にリフレッシュコマンドの発行指示信号REFを発
生する。また、CKE発生回路22は、セルフリフレッ
シュモードを解除するための、クロック信号CLKと非
同期のクロックイネーブル信号CKEのL→H遷移等の
発生を行う。A clock enable signal generation circuit (CKE)
The generation circuit 22 is for putting the SDRAM 21 into the self-refresh mode in the energy saving mode, and receives the reset signal or the power-on reset signal Rm of the main reset circuit 15 and the clock signal CLK from the main control unit 14. , The high level (H level) of the clock enable signal CKE synchronized with the clock signal CLK
From the low level (L level) to the low level (L level),
At the same time, a refresh command issuance instruction signal REF is generated. Further, the CKE generation circuit 22 generates an L → H transition of the clock enable signal CKE asynchronous with the clock signal CLK for releasing the self-refresh mode.
【0026】なお、SDRAM21のクロックイネーブ
ル信号CKEの入力端子に接続された接地抵抗RはCK
E発生回路22の電源がオフであってもLレベルを保持
するためのものである。The ground resistance R connected to the input terminal of the clock enable signal CKE of the SDRAM 21 is CK
This is to maintain the L level even when the power of the E generation circuit 22 is off.
【0027】このように構成されている省エネルギー機
能付き電子装置の動作について説明する。先ず、通常動
作中に、省エネモードに入る場合の動作について説明す
る。この時の各信号の状態を図2にタイミングチャート
として示している。The operation of the thus configured electronic device with an energy saving function will be described. First, an operation for entering the energy saving mode during the normal operation will be described. The state of each signal at this time is shown as a timing chart in FIG.
【0028】通常動作時には、直流電源12から電圧V
sが出力され、省エネ制御部16及び省エネリセット回
路17には電圧Vsが供給されており、またスイッチ1
3はオンしているから、主制御部14及び主リセット回
路15には電圧Vmが供給されている。また、SDRA
M21及びドライバ回路20には、バックアップ回路1
9を介して電圧Vsが供給されている。During normal operation, the voltage V
s is output, and the voltage Vs is supplied to the energy saving control unit 16 and the energy saving reset circuit 17.
3 is on, the voltage Vm is supplied to the main control unit 14 and the main reset circuit 15. Also, SDRA
M21 and the driver circuit 20 include a backup circuit 1
9, the voltage Vs is supplied.
【0029】この状態においては、図2に示すように、
省エネリセット回路17からのリセット信号或いはパワ
ーオンリセット信号である信号RsはHレベルにあり、
また主リセット回路15からのリセット信号或いはパワ
ーオンリセット信号である信号RmもHレベルにあり、
これら信号Rs、信号Rmを受ける省エネ制御部16及
び主制御部14は、通常状態の動作をおこなう。主制御
部14は、通常動作時に、例えば、入力イベントを監視
したり、またSDRAM21に対してドライバ回路20
を介して書き込み、読み出し、リフレッシュ等のメモリ
動作を制御するなど、省エネ制御部16,SDRAM2
1を含め、当該電子装置全体の動作を制御している。In this state, as shown in FIG.
The signal Rs which is a reset signal or a power-on reset signal from the energy saving reset circuit 17 is at the H level,
A reset signal from the main reset circuit 15 or a signal Rm which is a power-on reset signal is also at the H level,
The energy saving control unit 16 and the main control unit 14 receiving these signals Rs and Rm operate in the normal state. During normal operation, the main control unit 14 monitors, for example, an input event and controls the SDRAM 21 for a driver circuit 20.
Energy saving control unit 16, SDRAM 2 such as controlling memory operations such as writing, reading, and refreshing via
And 1 controls the entire operation of the electronic device.
【0030】また、主制御部14からのクロック信号C
LKと信号Rmを受けるCKE発生回路22は、信号R
mがHレベルにある間は、クロックイネーブル信号CK
EをHレベルにし、リフレッシュコマンドの発行指示信
号REFを発生しない。したがって、SDRAM21は
セルフリフレッシュモードに入らない。The clock signal C from the main control unit 14
CKE generating circuit 22 receiving LK and signal Rm outputs signal R
While m is at the H level, the clock enable signal CK
E is set to the H level, and the refresh command issuance instruction signal REF is not generated. Therefore, SDRAM 21 does not enter the self-refresh mode.
【0031】さて、以上のような通常動作状態におい
て、主制御部14は、一定時間入力イベントが発生しな
い等、待機状態が一定時間続いた場合に、当該電子装置
を省エネモードにするべく、省エネ制御部16に省エネ
指令信号を供給する。なお、この省エネ指令信号を省エ
ネ制御部16に供給する際には、主制御部14は、実行
中のジョブの終端処理及びSDRAM21へのアクセス
を終了している。In the normal operation state as described above, the main control unit 14 sets the energy saving mode so that the electronic device is set to the energy saving mode when the standby state continues for a certain period of time, such as when no input event occurs for a certain period of time. An energy saving command signal is supplied to the control unit 16. When the energy saving command signal is supplied to the energy saving control unit 16, the main control unit 14 has finished terminating the running job and accessing the SDRAM 21.
【0032】省エネ制御部16は、この主制御部14か
らの省エネ指令信号を受けてスイッチ13をオフする。
この省エネモード時においても、直流電源12の電圧V
sは定常電圧にあるから、SDRAM21には電圧Vs
が供給される。The energy saving control section 16 receives the energy saving command signal from the main control section 14 and turns off the switch 13.
Even in this energy saving mode, the voltage V
Since s is at a steady voltage, the voltage Vs
Is supplied.
【0033】スイッチ13のオフにより、主制御部14
及び主リセット回路15の電圧Vmは、図2のように低
下していく。主リセット回路15は、この電圧Vmが定
常電圧からある値まで低下すると、図2に信号Rmで示
されるように、Lレベルのリセット信号Rmを出力す
る。When the switch 13 is turned off, the main control unit 14
Further, the voltage Vm of the main reset circuit 15 decreases as shown in FIG. When the voltage Vm decreases from the steady voltage to a certain value, the main reset circuit 15 outputs an L-level reset signal Rm as shown by a signal Rm in FIG.
【0034】このLレベルのリセット信号Rmは主制御
部14とCKE発生回路22に送られ、主制御部14は
リセットされる。この時、CKE発生回路22はLレベ
ルのリセット信号Rmを受けたことで、主制御部14か
らのクロック信号CLKに同期したクロックイネーブル
信号CKEのH→L遷移を行うとともに、同時にリフレ
ッシュコマンドの発行指示信号REFをドライバ回路2
0に供給する。This L-level reset signal Rm is sent to the main control unit 14 and the CKE generation circuit 22, and the main control unit 14 is reset. At this time, since the CKE generation circuit 22 receives the L-level reset signal Rm, the clock enable signal CKE from the main control unit 14 makes an H → L transition in synchronization with the clock signal CLK, and simultaneously issues a refresh command. The instruction signal REF is supplied to the driver circuit 2
Supply 0.
【0035】リフレッシュコマンド発行指示信号REF
を受けたドライバ回路20はリフレッシュコマンドをS
DRAM21に発行し、SDRAM21はセルフリフレ
ッシュ状態に置かれる。これらの一連の動作は、電圧V
mが降下中の過渡期において実行される。Refresh command issuance instruction signal REF
The driver circuit 20 having received the refresh command S
Issued to DRAM 21, SDRAM 21 is placed in a self-refresh state. These series of operations are performed by the voltage V
m is executed in the transition period during descent.
【0036】セルフリフレッシュ状態に置かれたSDR
AM21は、その内部で発生されるクロック信号によっ
て順次アドレスをインクリメントしながらリフレッシュ
に必要なワード線を順番に選択し、全てのワード線が選
択されると一周のリフレッシュが完了するが、セルフリ
フレッシュモードが解除されない限りこの動作が繰り返
される。SDR in self-refresh state
The AM 21 sequentially selects word lines necessary for refreshing while sequentially incrementing the address by a clock signal generated therein. When all the word lines are selected, one round of refresh is completed. This operation is repeated unless is canceled.
【0037】このようにセルフリフレッシュモードで
は、内部で発生されるクロック信号を用いることから、
SDRAM21の外部よりコマンドを与えてリフレッシ
ュサイクルを行う通常動作時のリフレッシュとは異な
り、SDRAM外部のリフレッシュのトリガ回路の電源
も落とすことができ、消費電力を節約することができ
る。As described above, in the self-refresh mode, an internally generated clock signal is used.
Unlike refreshing in a normal operation in which a refresh cycle is performed by giving a command from the outside of the SDRAM 21, the power supply of the refresh trigger circuit outside the SDRAM can be turned off, and power consumption can be reduced.
【0038】また、セルフリフレッシュはSDRAM2
1にアクセスする必要がないときにデータを保持するた
めのものであるから、内部クロック周期を長くし、消費
電流を低減することができ、例えば通常動作時のリフレ
ッシュ時の消費電流に比べて2桁ほど小さくすることが
できる。The self refresh is performed in the SDRAM 2
1 is used to hold data when it is not necessary to access 1. Therefore, the internal clock cycle can be lengthened and current consumption can be reduced. It can be as small as an order of magnitude.
【0039】この省エネ動作中、省エネ制御部16は操
作入力等の所定のイベント信号を監視しており、何らか
のイベント信号を受信したらスイッチ13をオンにす
る。スイッチ13のオンにより電圧Vmが上昇し所定の
レベルを越えると、主リセット回路15のパワーオンリ
セット信号である信号RmはHレベルに変化する。During this energy saving operation, the energy saving control unit 16 monitors a predetermined event signal such as an operation input, and turns on the switch 13 when any event signal is received. When the voltage Vm rises and exceeds a predetermined level when the switch 13 is turned on, the signal Rm as the power-on reset signal of the main reset circuit 15 changes to the H level.
【0040】このパワーオンリセット信号である信号R
mのHレベルへの遷移を受けて、主制御部14では初期
設定処理が行われ、CKE発生回路22ではクロックイ
ネーブル信号CKEをLレベルからHレベルに遷移させ
る。これはSDRAM21ののクロックCLKとは非同
期でよい。これによりSDRAM21はセルフリフレッ
シュモードを解除し、通常動作状態に戻る。The power-on reset signal R
In response to the transition of m to the H level, the main control unit 14 performs an initial setting process, and the CKE generation circuit 22 causes the clock enable signal CKE to transition from the L level to the H level. This may be asynchronous with the clock CLK of the SDRAM 21. Thereby, the SDRAM 21 releases the self-refresh mode and returns to the normal operation state.
【0041】このように、省エネモード時にも直流電源
12の電圧VsをSDRAM21に供給して電源バック
アップし、SDRAM21をリフレッシュするから、通
常動作状態から省エネ動作状態に移行する際に、有意の
記憶内容が存在するか否かなどDRAMの記憶内容によ
らず、省エネモードへ移行することができる。これによ
り、省エネモード時に、主制御部14がオフされ、当該
電子装置の消費電力を低減することができる。As described above, even in the energy saving mode, the voltage Vs of the DC power supply 12 is supplied to the SDRAM 21 to back up the power supply and refresh the SDRAM 21. Therefore, when shifting from the normal operation state to the energy saving operation state, significant storage contents are obtained. It is possible to shift to the energy saving mode irrespective of the stored contents of the DRAM, such as whether or not there is a memory. Thus, in the energy saving mode, the main control unit 14 is turned off, and the power consumption of the electronic device can be reduced.
【0042】また、省エネモード時には、SDRAM2
1をセルフリフレッシュモードとすることで、さらに消
費電力が少なくなる。そして、セルフリフレッシュモー
ドの制御信号REF、CKEを、省エネモード時にオフ
する電源ラインを監視する主リセット回路15の出力R
mを用いて、主制御部14とは別に設けた、CKE発生
回路22で形成しているから、構成が簡単になり、コス
トを低減することができる。In the energy saving mode, the SDRAM 2
Setting 1 to the self-refresh mode further reduces power consumption. Then, the control signals REF and CKE in the self-refresh mode are changed to the output R of the main reset circuit 15 for monitoring the power supply line which is turned off in the energy saving mode.
Since m is used to form the CKE generation circuit 22 provided separately from the main control unit 14, the configuration is simplified and the cost can be reduced.
【0043】以上のように、通常動作状態と省エネ動作
状態とを考慮する場合には、図1の構成から、二次電池
18とバックアップ回路19を削除し、SDRAM21
の電源を電圧Vsに接続した構成にすることができる。
この場合でも、省エネモード時の効果を奏する。As described above, when the normal operation state and the energy saving operation state are taken into consideration, the secondary battery 18 and the backup circuit 19 are deleted from the configuration of FIG.
May be connected to the voltage Vs.
Even in this case, the effect in the energy saving mode is exhibited.
【0044】次に、通常動作中に、停電などにより直流
電源12の入力が停止した場合の動作について説明す
る。この時の各信号の状態を図3にタイミングチャート
として示している。Next, the operation when the input of the DC power supply 12 is stopped due to a power failure or the like during the normal operation will be described. The state of each signal at this time is shown as a timing chart in FIG.
【0045】通常動作時の動作については、図2での説
明と同様であるので、省略する。通常動作中に停電する
と、直流電源12の電圧Vsが低下する。この場合に
は、省エネモードでないのでスイッチ13はオンになっ
ているため、電圧Vmも同様に低下する。主リセット回
路15及び省エネリセット回路17は、電圧Vm及び電
圧Vsが定常電圧からある値まで低下すると、図3に信
号Rm、信号Rsで示すように、それぞれLレベルのリ
セット信号を出力する。The operation during the normal operation is the same as that described with reference to FIG. If a power failure occurs during normal operation, the voltage Vs of the DC power supply 12 decreases. In this case, since the switch 13 is on because the mode is not the energy saving mode, the voltage Vm also decreases. When the voltage Vm and the voltage Vs decrease from the steady voltage to a certain value, the main reset circuit 15 and the energy-saving reset circuit 17 output L-level reset signals as shown by the signals Rm and Rs in FIG.
【0046】このLレベルのリセット信号Rsは省エネ
制御部16に送られ、省エネ制御部16は実行中のジョ
ブの終端処理を行った後リセットされる。The L-level reset signal Rs is sent to the energy-saving control unit 16, and the energy-saving control unit 16 is reset after performing the termination processing of the job being executed.
【0047】一方、Lレベルのリセット信号Rmは主制
御部14とCKE発生回路22に送られ、主制御部14
は実行中のジョブの終端処理を行った後リセットされ
る。この時、CKE発生回路22はLレベルのリセット
信号Rmを受けたことで、主制御部14からのクロック
信号CLKに同期したクロックイネーブル信号CKEの
H→L遷移を行うとともに、同時にリフレッシュコマン
ドの発行指示信号REFをドライバ回路20に供給す
る。On the other hand, the L-level reset signal Rm is sent to the main control unit 14 and the CKE generation circuit 22,
Is reset after terminating the running job. At this time, since the CKE generation circuit 22 receives the L-level reset signal Rm, the clock enable signal CKE from the main control unit 14 makes an H → L transition in synchronization with the clock signal CLK, and simultaneously issues a refresh command. The instruction signal REF is supplied to the driver circuit 20.
【0048】リフレッシュコマンド発行指示信号REF
を受けたドライバ回路20はリフレッシュコマンドをS
DRAM21に発行する。これらの一連の動作は、それ
ぞれ電圧Vm、電圧Vsが降下中の過渡期において実行
される。Refresh command issuance instruction signal REF
The driver circuit 20 having received the refresh command S
It is issued to the DRAM 21. These series of operations are executed in a transition period in which the voltage Vm and the voltage Vs are falling.
【0049】他方SDRAM21の電源は、バックアッ
プ回路19により電圧Vsがある値に低下した時に自動
的に二次電池18から供給されるようになる。こうして
SDRAM21はセルフリフレッシュモードに置かれ
る。On the other hand, the power supply of the SDRAM 21 is automatically supplied from the secondary battery 18 when the voltage Vs falls to a certain value by the backup circuit 19. Thus, SDRAM 21 is placed in the self-refresh mode.
【0050】SDRAM21のセルフリフレッシュは、
図2で説明した省エネモード時と同様であり、内部で発
生されるクロック信号を用いることから、SDRAM外
部のリフレッシュのトリガ回路の電源も落とすことがで
き、消費電力を低減できる。また、内部クロック周期を
長くすることで消費電流が、例えば通常動作時のリフレ
ッシュ時の消費電流に比べて2桁ほど小さくすることが
できる。The self refresh of the SDRAM 21
This is the same as in the energy saving mode described with reference to FIG. 2, and since the internally generated clock signal is used, the power supply of the refresh trigger circuit outside the SDRAM can also be turned off, and the power consumption can be reduced. Further, by increasing the internal clock cycle, the current consumption can be reduced by about two digits, for example, compared to the current consumption during refresh in normal operation.
【0051】停電状態時には、セルフリフレッシュモー
ドに置かれたSDRAM21へ二次電池18から電源供
給されるが、消費電力が低減されているから長期間のバ
ックアップが可能になり、また消費電流が著しく少なく
なるから、電流容量の小さい電池を用いることができ
る。In the power failure state, power is supplied from the secondary battery 18 to the SDRAM 21 placed in the self-refresh mode. However, since the power consumption is reduced, a long-term backup is possible, and the current consumption is significantly reduced. Therefore, a battery having a small current capacity can be used.
【0052】停電が回復すると、まず直流電源12の電
圧Vsが立ち上がる。スイッチ13がオンしているか
ら、この電圧Vsとともに電圧Vmも立ち上がり、その
立ち上がりが主リセット回路15及び省エネリセット回
路17で検出され、Hレベルのパワーオンリセット信号
である信号Rmが主制御部14に、信号Rsが省エネ制
御部16に、それぞれ送られる。なお、スイッチ13が
オフしていた場合には、省エネ制御部16が立ち上がっ
た後、スイッチ13をオンにし、主制御部14に電源を
供給する。When the power failure is restored, first, the voltage Vs of the DC power supply 12 rises. Since the switch 13 is turned on, the voltage Vm rises together with the voltage Vs, and the rise is detected by the main reset circuit 15 and the energy-saving reset circuit 17, and the signal Rm, which is an H level power-on reset signal, is output from the main control unit 14. Then, the signal Rs is sent to the energy saving control unit 16 respectively. When the switch 13 has been turned off, the switch 13 is turned on after the energy saving control unit 16 starts up, and power is supplied to the main control unit 14.
【0053】一方、SDRAM21には、直流電源12
の電圧Vsが、二次電池18の電圧を上回った時点で、
バックアップ回路19により二次電池18に代わって、
供給されている。On the other hand, the SDRAM 21 has a DC power supply 12
When the voltage Vs exceeds the voltage of the secondary battery 18,
Instead of the secondary battery 18 by the backup circuit 19,
Supplied.
【0054】パワーオンリセット信号である信号Rmの
Hレベルへの遷移を受けて、主制御部14では初期設定
処理が行われ、CKE発生回路22ではクロックイネー
ブル信号CKEをLレベルからHレベルに遷移させる。
これはSDRAM21のクロックCLKとは非同期でよ
い。これによりSDRAM21はセルフリフレッシュモ
ードを解除し、停電前の通常動作状態に戻る。In response to the transition of the signal Rm, which is the power-on reset signal, to the H level, the main control unit 14 performs an initialization process, and the CKE generation circuit 22 transitions the clock enable signal CKE from the L level to the H level. Let it.
This may be asynchronous with the clock CLK of the SDRAM 21. Thereby, the SDRAM 21 releases the self-refresh mode and returns to the normal operation state before the power failure.
【0055】本発明の実施例によれば、省エネモード時
にも直流電源12の電圧VsをSDRAM21に供給し
て電源バックアップし、SDRAM21をリフレッシュ
するから、通常動作状態から省エネ動作状態に移行する
際に、有意の記憶内容が存在するか否かなどDRAMの
記憶内容によらず、省エネモードへ移行することができ
る。これにより、省エネモード時に、主制御部14がオ
フされ、当該電子装置の消費電力を低減することができ
る。According to the embodiment of the present invention, even in the energy saving mode, the voltage Vs of the DC power supply 12 is supplied to the SDRAM 21 to back up the power, and the SDRAM 21 is refreshed. It is possible to shift to the energy saving mode irrespective of the storage contents of the DRAM, such as whether or not significant storage contents exist. Thus, in the energy saving mode, the main control unit 14 is turned off, and the power consumption of the electronic device can be reduced.
【0056】また、省エネモード時及び停電状態時に
は、SDRAM21をセルフリフレッシュモードとする
ことで、さらに消費電力を少なくすることができる。In the power saving mode and the power failure state, the power consumption can be further reduced by setting the SDRAM 21 in the self refresh mode.
【0057】そして、省エネモード時及び停電状態時と
も、その状態検出を省エネモード時にオフする電源ライ
ンを監視する主リセット回路15で検出し、かつ、その
検出信号Rmに基づいて、主制御部14とは別に設け
た、CKE発生回路22により、SDRAM21をセル
フリフレッシュモードに置くための制御信号REF、C
KEを形成している。従って、状態検出及び制御信号形
成のための構成が簡単になり、コストを低減することが
できる。In both the energy saving mode and the power failure state, the state detection is detected by the main reset circuit 15 which monitors the power supply line which is turned off in the energy saving mode, and based on the detection signal Rm, the main controller 14 A control signal REF, C for setting the SDRAM 21 in the self-refresh mode is provided by a CKE generation circuit 22 separately provided.
KE is formed. Therefore, the configuration for detecting the state and forming the control signal is simplified, and the cost can be reduced.
【0058】また、停電状態時には、セルフリフレッシ
ュモードに置かれたSDRAM21へ二次電池18から
電源供給されるが、消費電力が低減されているから長期
間のバックアップが可能になり、また消費電流が著しく
少なくなるから、電流容量の小さい電池を用いることが
できる。In a power failure state, power is supplied from the secondary battery 18 to the SDRAM 21 placed in the self-refresh mode. However, since power consumption is reduced, long-term backup is possible and current consumption is reduced. Since the amount is significantly reduced, a battery having a small current capacity can be used.
【0059】[0059]
【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、省エネモ
ード時にも主電源から電源供給してDRAMを電源バッ
クアップしてリフレッシュするから、有意の記憶内容が
存在するか否かなどDRAMの記憶内容によらず、省エ
ネモードへ移行することができる。これにより、省エネ
モード時に、主制御部がオフされ、当該電子装置の消費
電力を低減することができる。According to the first aspect of the present invention, even in the energy saving mode, the power is supplied from the main power source to back up and refresh the DRAM, so that the storage of the DRAM, such as whether or not there is significant storage content, is performed. Regardless of the content, the mode can be shifted to the energy saving mode. Thus, in the energy saving mode, the main control unit is turned off, and the power consumption of the electronic device can be reduced.
【0060】請求項2記載の発明によれば、省エネモー
ド時には、DRAMをセルフリフレッシュモードとする
ので、さらに消費電力が少なくなる。そして、セルフリ
フレッシュモードの制御信号を、省エネモード時にオフ
する電源ラインを監視するリセット回路の出力を用い
て、主制御部とは別に形成しているから、構成が簡単に
なり、コストを低減することができる。According to the second aspect of the present invention, in the energy saving mode, the DRAM is in the self refresh mode, so that the power consumption is further reduced. Since the control signal of the self-refresh mode is formed separately from the main control unit by using the output of the reset circuit for monitoring the power supply line which is turned off in the energy saving mode, the configuration is simplified and the cost is reduced. be able to.
【0061】請求項3記載の発明によれば、バックアッ
プ用電池と主電源を切り換えてDRAMに電源供給する
から、主電源の停電時にもDRAMをバックアップする
ことができる。また、バックアップ用電池は主電源の停
電時にのみ電源供給すればよく、省エネ時と同様にDR
AMはセルフリフレッシュモードにされ消費電力が少な
くなるから、小容量のバックアップ用電池で長時間のバ
ックアップを行うことができる。According to the third aspect of the present invention, since the power is supplied to the DRAM by switching between the backup battery and the main power supply, the DRAM can be backed up even when the main power supply fails. Also, the backup battery only needs to be supplied when the main power supply is interrupted.
Since the AM is in the self-refresh mode and consumes less power, a long-time backup can be performed with a small-capacity backup battery.
【図1】本発明の実施例に係る省エネルギー機能付き電
子装置の構成図。FIG. 1 is a configuration diagram of an electronic device with an energy saving function according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の実施例における省エネ動作時のタイミ
ングチャート。FIG. 2 is a timing chart during an energy saving operation according to the embodiment of the present invention.
【図3】本発明の実施例における停電動作時のタイミン
グチャート。FIG. 3 is a timing chart during a power failure operation according to the embodiment of the present invention.
11 AC電源 12 直流電源 13 スイッチ 14 主制御部 15 主リセット回路 16 省エネ制御部 17 省エネリセット回路 18 二次電池 19 バックアップ回路 20 ドライバ回路 21 SDRAM 22 CKE発生回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 AC power supply 12 DC power supply 13 Switch 14 Main control part 15 Main reset circuit 16 Energy saving control part 17 Energy saving reset circuit 18 Secondary battery 19 Backup circuit 20 Driver circuit 21 SDRAM 22 CKE generation circuit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5B011 DA02 DA13 DB21 EA10 EB01 GG03 HH02 JB02 KK02 KK03 MA07 5B024 AA01 BA29 CA27 DA01 DA20 5C062 AB43 AB50 AB51 BA00 5K037 AA13 AB07 5K101 KK01 NN21 NN45 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page F term (reference) 5B011 DA02 DA13 DB21 EA10 EB01 GG03 HH02 JB02 KK02 KK03 MA07 5B024 AA01 BA29 CA27 DA01 DA20 5C062 AB43 AB50 AB51 BA00 5K037 AA13 AB07 5K101 KK01 NN21 NN45
Claims (3)
に制御する省エネ制御部と、省エネモード時にオフされ
るスイッチ手段を介して前記主電源から電力供給され、
全体を制御する主制御部と、前記主電源から電源供給さ
れ、リフレッシュモードを有するDRAMとを備え、 前記主制御部への電源供給の停止時に、前記主電源から
電源供給して前記DRAMを電源バックアップし、リフ
レッシュすることを特徴とする省エネ機能付き電子装
置。An electric power is supplied from a main power supply through an energy saving control unit that is supplied with power from a main power supply and controls an energy saving mode, and a switch that is turned off in the energy saving mode.
A DRAM which is supplied with power from the main power supply and has a refresh mode, and which is supplied with power from the main power supply when the supply of power to the main control unit is stopped. An electronic device with an energy-saving function that backs up and refreshes.
において、前記DRAMのリフレッシュモードをセルフ
リフレッシュモードとし、前記主制御部への電源供給を
監視し、この監視結果によりセルフリフレッシュモード
制御信号を作成して、前記DRAMをセルフリフレッシ
ュモードにおくことを特徴とする省エネ機能付き電子装
置。2. The electronic device with an energy saving function according to claim 1, wherein a refresh mode of said DRAM is a self-refresh mode, a power supply to said main control unit is monitored, and a self-refresh mode control signal is generated based on a result of the monitoring. An electronic device with an energy saving function, wherein the electronic device is created and the DRAM is placed in a self-refresh mode.
装置において、バックアップ用電池の電圧と前記主電源
の電圧との関係に応じて、前記バックアップ用電池と前
記主電源を切り換えて、前記DRAMに電源供給するバ
ックアップ回路を備えることを特徴とする省エネ機能付
き電子装置。3. The electronic device with an energy saving function according to claim 1, wherein the backup battery and the main power are switched according to a relationship between a voltage of a backup battery and a voltage of the main power. An electronic device with an energy saving function, comprising a backup circuit for supplying power to a DRAM.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000138490A JP2001250377A (en) | 1999-12-28 | 2000-05-11 | Electronic equipment with energy saving function |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP37214399 | 1999-12-28 | ||
JP11-372143 | 1999-12-28 | ||
JP2000138490A JP2001250377A (en) | 1999-12-28 | 2000-05-11 | Electronic equipment with energy saving function |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001250377A true JP2001250377A (en) | 2001-09-14 |
Family
ID=26582385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000138490A Pending JP2001250377A (en) | 1999-12-28 | 2000-05-11 | Electronic equipment with energy saving function |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001250377A (en) |
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- 2000-05-11 JP JP2000138490A patent/JP2001250377A/en active Pending
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