JP2001244261A - Formation method for dielectric thin film - Google Patents
Formation method for dielectric thin filmInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体薄膜の形成
方法に関し、特にＰＺＴ系の誘電体薄膜の形成方法に関
する。The present invention relates to a method of forming a dielectric thin film, and more particularly to a method of forming a PZT-based dielectric thin film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】強誘電体メモリやＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ
Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅ
ｍ）マイクロアクチュエータ等の材料して、ＰＺＴ（Ｐ
ｂＺｒ 1-xＴｉxＯ3、０≦Ｘ≦１）系の誘電体薄膜が注
目されている。ＰＺＴは、誘電率が大きい、自発分極が
大きい、圧電効果が大きいといった特長を有する。この
ため、メモリ用としては、不揮発性メモリのキャパシタ
材料として、アクチュエータ用としては、大きな駆動力
を得る材料として期待できる。また、ぺロブスカイト構
造と呼ばれる結晶構造の時に誘電体及び圧電体して作用
し、その結晶軸が[１１１]方向に最大分極する。2. Description of the Related Art Ferroelectric memories and MEMS (Micro)
Electro Mechanical System
m) PZT (P
bZr 1-xTixOThree, 0 ≦ X ≦ 1) dielectric thin film
Eyed. PZT has a large dielectric constant and spontaneous polarization.
It has the features of being large and having a large piezoelectric effect. this
Therefore, for memory, capacitors for nonvolatile memory
Large driving force for materials and actuators
Can be expected as a material for obtaining Also, the perovskite structure
Acts as a dielectric and a piezoelectric when the crystal structure is called
Then, the crystal axis is maximally polarized in the [111] direction.
【０００３】この誘電体薄膜を形成する方法としては、
例えば、特開平９−２３９８９１号公報に開示されてい
る方法がある。特開平９−２３９８９１号公報によれ
ば、スパッタ法により、Ｓｉ基板の表面を熱酸化して形
成されたＳｉＯ2層上にＴｉ層を形成し、引き続いて結
晶粒径が５０ｎｍになるようにしたＰｔ層を形成し、次
に、ゾルゲル法によりＰＺＴ層を形成すると、ＰＺＴ層
の柱状晶が[１１１]方向に配向して、残留分極値が向上
することが開示されている。[0003] As a method of forming this dielectric thin film,
For example, there is a method disclosed in JP-A-9-239891. According to Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-239891, a Ti layer is formed on a SiO 2 layer formed by thermally oxidizing the surface of a Si substrate by a sputtering method, and the crystal grain size is subsequently reduced to 50 nm. It is disclosed that when a Pt layer is formed and then a PZT layer is formed by a sol-gel method, the columnar crystals of the PZT layer are oriented in the [111] direction and the remanent polarization value is improved.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、強誘電
体メモリやＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍ
ｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）マイクロアクチュ
エータ等のデバイスの性能向上を目指す場合には、大幅
な残留分極値を向上させる必要があり、特開平９−２３
９８９１号公報に開示されている形成方法で作製された
ものよりも [１１１]方向の強いＰＺＴ層が必要とされ
ていた。However, a ferroelectric memory and a MEMS (Micro Electro M
In order to improve the performance of a device such as a micro-actuator, it is necessary to greatly improve the remanent polarization value.
There is a need for a PZT layer that is stronger in the [111] direction than that produced by the formation method disclosed in JP-A-9891.
【０００５】そこで、本発明は、上記のような問題点を
解消するためになされたもので、残留分極値を向上させ
た誘電体薄膜の形成方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a method of forming a dielectric thin film having an improved residual polarization value.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体薄膜の形
成方法は、ＳｉＯ2層上に下地層を積層した後、この下
地層上に形成する誘電体薄膜の形成方法において、前記
ＳｉＯ2層をプラズマＣＶＤ法により、テトラエトキシ
シランとＯ2との混合ガスを用い、ガス圧を０．４Ｔｏ
ｒｒ以下にして形成することを特徴とする。Method of forming a dielectric thin film of the present invention SUMMARY OF], after laminating an underlayer on the SiO 2 layer, the method of forming a dielectric thin film formed on the underlying layer, said SiO 2 The layer is formed by a plasma CVD method using a mixed gas of tetraethoxysilane and O 2 and a gas pressure of 0.4 To
rr or less.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】本発明の実施形態の誘電体薄膜の
形成方法について図面を用いて以下に説明する。本発明
の実施形態の誘電薄膜の形成方法は、従来の誘電体薄膜
の形成方法においてはＳｉＯ2層がＳｉ基板の表面を熱
酸化した熱酸化膜であったが、このＳｉＯ2層をプラズ
マＣＶＤ法により、Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4（テトラエトキ
シシラン）：Ｏ2＝１：２５のガスを用い、このガス圧
を０．４Ｔｏｒｒ以下にして形成したことが異なり、そ
の他は同様である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for forming a dielectric thin film according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Method of forming a dielectric thin film embodiment of the present invention is in the conventional method of forming a dielectric thin film was thermally oxidized film SiO 2 layer are thermally oxidizing the surface of the Si substrate, a plasma CVD the SiO 2 layer The method is different in that a gas of Si (OC 2 H 5 ) 4 (tetraethoxysilane): O 2 = 1: 25 is used and the gas pressure is set to 0.4 Torr or less by the method.
【０００８】以下に、本発明の誘電体薄膜の形成方法に
ついて詳細に図１を用いて説明する。図１は、本発明の
誘電体薄膜の形成方法を示す断面図であり、（Ａ）は、
プラズマＣＶＤでＳｉＯ2層を形成する工程、（Ｂ）
は、Ｔｉ層及びＰｔ層を形成する工程、（Ｃ）は、ＰＺ
Ｔ層を形成する工程である。図１（Ａ）に示すように、
プラズマＣＶＤ法により、Ｓｉ基板１の温度を２２５
℃、ＲＦパワーが１００Ｗ、成膜速度が２００〜３００
ｎｍ／ｍｉｎにし、所定ガス圧のＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）
4（テトラエトキシシラン）：Ｏ2＝１：２５のガスを用
いて、前記したＳｉ基板１上にＳｉＯ2層２を形成す
る。引き続いて、図１（Ｂ）に示すように、スパッタ法
により、Ｔｉ層３、Ｐｔ層４を順次形成する。この際、
このＴｉ層３及びＰｔ層４の形成条件は、Ｔｉ及びＰｔ
ターゲットを用いて、ＲＦパワーが１００Ｗ、成膜速度
が１０ｎｍ／ｍｉｎ、Ｓｉ基板１の温度が室温、ガス圧
が２ｍＴｏｒｒである。この条件下では、Ｐｔ層４は、
（１１１）面に配向する。Hereinafter, a method for forming a dielectric thin film of the present invention will be described in detail with reference to FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a method for forming a dielectric thin film according to the present invention.
Forming an SiO 2 layer by plasma CVD, (B)
Is a step of forming a Ti layer and a Pt layer, and FIG.
This is a step of forming a T layer. As shown in FIG.
The temperature of the Si substrate 1 is set to 225 by the plasma CVD method.
° C, RF power is 100W, film formation speed is 200 ~ 300
nm / min, and a predetermined gas pressure of Si (OC 2 H 5 )
4 (Tetraethoxysilane): An SiO 2 layer 2 is formed on the Si substrate 1 using a gas of O 2 = 1: 25. Subsequently, as shown in FIG. 1B, a Ti layer 3 and a Pt layer 4 are sequentially formed by a sputtering method. On this occasion,
The conditions for forming the Ti layer 3 and the Pt layer 4 are Ti and Pt.
Using a target, the RF power is 100 W, the deposition rate is 10 nm / min, the temperature of the Si substrate 1 is room temperature, and the gas pressure is 2 mTorr. Under these conditions, the Pt layer 4
Orient to the (111) plane.
【０００９】次に、図１（Ｃ）に示すように、ゾルゲル
法により、Ｐｔ層４上にＰＺＴゾルゲル先駆体溶液をス
ピンコートした後、このＰＺＴゾルゲル先駆体溶液を１
２０℃、１５分間の熱処理を行って、ＰＺＴゾルゲル先
駆体溶液中の水分溶媒を蒸発させた後、４８０℃、３０
分間の焼成を行って焼結させ、引き続いて、６６０℃、
３０分間の熱処理を行ってペロブスカイト構造の厚さ４
５０ｎｍのＰＺＴ層５を形成する。なお、Ｔｉ層３は、
ＳｉＯ2層２とＰｔ層４との間の密着性を向上させるも
ので、ＳｉＯ2層２とＰｔ層４との間の密着性が良好で
ある場合には、不要である。Next, as shown in FIG. 1 (C), a PZT sol-gel precursor solution is spin-coated on the Pt layer 4 by a sol-gel method, and
After heat treatment at 20 ° C. for 15 minutes to evaporate the water solvent in the PZT sol-gel precursor solution,
Sintering for 焼 成 minutes, followed by 660 ° C.
Heat treatment for 30 minutes to give a perovskite structure thickness 4
A PZT layer 5 having a thickness of 50 nm is formed. Note that the Ti layer 3 is
And it improves the adhesion between the SiO 2 layer 2 and the Pt layer 4, when the adhesion between the SiO 2 layer 2 and the Pt layer 4 is good, it is not necessary.
【００１０】ここで、本発明の実施形態において、Ｓｉ
Ｏ2層２を形成する際のプラズマＣＶＤのガス圧を０．
１５Ｔｏｒｒ、０．２Ｔｏｒｒ、０．３Ｔｏｒｒ、０．
４Ｔｏｒｒ、０．６Ｔｏｒｒと変化させた５種類の試料
を作製し、この５種類の試料のＰｔ層４及びＰＺＴ層５
のＸ線回折を行なって、（１１１）面のＸ線ピ−ク強度
について調べた。この際、従来の誘電体薄膜の形成方法
と同様に、ＳｉＯ2層２にＳｉ基板１の表面を熱酸化し
て形成された熱酸化膜を用いた試料も作製し、これを比
較例として用いた。Here, in the embodiment of the present invention, Si
The gas pressure of the plasma CVD for forming the O 2 layer 2 is set to 0.
15 Torr, 0.2 Torr, 0.3 Torr, 0.
Five kinds of samples were prepared by changing 4 Torr and 0.6 Torr, and the Pt layer 4 and the PZT layer 5 of the five kinds of samples were prepared.
X-ray diffraction was performed to examine the X-ray peak intensity on the (111) plane. At this time, similarly to the conventional method of forming a dielectric thin film, a sample using a thermal oxide film formed by thermally oxidizing the surface of the Si substrate 1 on the SiO 2 layer 2 was also prepared and used as a comparative example. Was.
【００１１】その結果を図２及び図３に示す。図２は、
各試料におけるＰＺＴ層及びＰｔ層のＸ線強度を示す図
である。図２中、は、０．３Ｔｏｒｒの場合の試料、
は、０．２Ｔｏｒｒの場合の試料、は、０．１５Ｔ
ｏｒｒの場合の試料、は、ＳｉＯ2層が熱酸化膜の場
合（従来の形成方法と同じ）の試料であり、０．６Ｔｏ
ｒｒ及び０．４Ｔｏｒｒの場合の試料については煩雑さ
を避けるために図示を省略してある。また、横軸は、回
折角２θ（°）、縦軸は、Ｘ線強度（ｃｐｓ）である。The results are shown in FIG. 2 and FIG. FIG.
It is a figure which shows the X-ray intensity of a PZT layer and a Pt layer in each sample. In FIG. 2, a sample at 0.3 Torr is shown.
Is the sample at 0.2 Torr, and 0.15 T
The sample in the case of orr is a sample in the case where the SiO 2 layer is a thermal oxide film (same as the conventional formation method), and is 0.6 To
The samples for rr and 0.4 Torr are not shown in order to avoid complexity. The horizontal axis indicates the diffraction angle 2θ (°), and the vertical axis indicates the X-ray intensity (cps).
【００１２】図３は、ＳｉＯ2層形成時のプラズマＣＶ
Ｄのガス圧に対するＰＺＴ層及びＰｔ層の（１１１）面
のＸ線ピーク強度との関係を示す図である。図３中、●
はＰｔの（１１１）面のＸ線ピーク強度、黒塗り四角は
ＰＺＴの（１１１）面のＸ線ピーク強度を示し、横軸
は、ＳｉＯ2層形成時のプラズマＣＶＤのガス圧（Ｔｏ
ｒｒ）、縦軸は、（１１１）面のＸ線ピーク強度（ｃｐ
ｓ）である。また、ＳｉＯ2層形成時のプラズマＣＶＤ
のガス圧が０．３Ｔｏｒｒ、０．２Ｔｏｒｒ、０．１５
Ｔｏｒｒの場合が図２に示した試料、、である。FIG. 3 shows a plasma CV at the time of forming the SiO 2 layer.
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a gas pressure of D and an X-ray peak intensity of a (111) plane of a PZT layer and a Pt layer. In FIG. 3, ●
Indicates the X-ray peak intensity of the (111) plane of Pt, the black square indicates the X-ray peak intensity of the (111) plane of PZT, and the horizontal axis indicates the gas pressure (To) of plasma CVD during the formation of the SiO 2 layer.
rr), the vertical axis represents the X-ray peak intensity (cp) of the (111) plane.
s). Also, plasma CVD for forming a SiO 2 layer
Gas pressure of 0.3 Torr, 0.2 Torr, 0.15
The case of Torr is the sample shown in FIG.
【００１３】図２に示すように、回折角２θが３１°近
傍にＰＺＴ層６の（１０１）面、３８°近傍にＰＺＴ層
６の（１１１）面、４０°近傍にＰｔ層５の（１１１）
面のＸ線ピークが現れ、試料、、のＸ線ピーク強
度は、試料よりも強くなっている。また、０．４Ｔｏ
ｒｒの場合の試料のＸ線ピーク強度は、いずれも試料
とほぼ同じであり、０．６Ｔｏｒｒの場合の試料のＸ線
ピーク強度は、試料よりも低くかった。また、図３に
示すように、ＳｉＯ2層２形成時のプラズマガス圧が
０．１５〜０．３Ｔｏｒｒの範囲では、ＰＺＴ層５のＸ
線ピーク強度は、Ｐｔ層４と共にほぼ横ばいであるが、
０．３Ｔｏｒｒ以上では低下する傾向を示すことがわか
る。As shown in FIG. 2, the (101) plane of the PZT layer 6 near the diffraction angle 2θ of 31 °, the (111) plane of the PZT layer 6 near the 38 °, and the (111) plane of the PtT layer 5 near the 40 °. )
An X-ray peak on the surface appears, and the X-ray peak intensity of the sample is higher than that of the sample. Also, 0.4 To
The X-ray peak intensities of the samples in the case of rr were almost the same as those of the samples, and the X-ray peak intensity of the sample in the case of 0.6 Torr was lower than that of the sample. As shown in FIG. 3, when the plasma gas pressure during the formation of the SiO 2 layer 2 is in the range of 0.15 to 0.3 Torr, the X
Although the line peak intensity is almost flat with the Pt layer 4,
It can be seen that there is a tendency to decrease at 0.3 Torr or more.
【００１４】このように、ＰＺＴ層５をプラズマＣＶＤ
のガス圧が０．４Ｔｏｒｒ以下で形成されたＳｉＯ2層
２上に形成すれば、従来のようにＳｉ基板１の表面を酸
化した熱酸化膜上に形成する場合よりも（１１１）面の
強いＸ線ピーク強度を有するＰＺＴ層５が得られる。こ
のため、従来の形成方法に比較して、大きな残留分極値
を有するＰＺＴ層５が得られる。As described above, the PZT layer 5 is formed by plasma CVD.
Is formed on the SiO 2 layer 2 formed at a gas pressure of 0.4 Torr or less, the (111) plane is stronger than in the conventional case where the surface of the Si substrate 1 is formed on a thermally oxidized film. A PZT layer 5 having an X-ray peak intensity is obtained. Therefore, a PZT layer 5 having a large remanent polarization value is obtained as compared with the conventional formation method.
【００１５】次に、本発明の実施形態において、ＳｉＯ
2層２の形成をスパッタ法により行ない、この時のガス
圧を変化させた試料を作製し、この試料のＸ線ピーク強
度について調べた。ＳｉＯ2層２形成時のガス圧は、３
ｍＴｏｒｒ、１０ｍＴｏｒｒと変化させた。その他の条
件は、ＲＦパワー７００Ｗ、成膜レート２５ｎｍ、Ｓｉ
基板温度８０℃である。その結果を図４に示す。図４
は、ＳｉＯ2層形成時のスパッタのガス圧に対するＰｔ
層及びＰＺＴ層のＸ線ピーク強度を示す図である。図４
中、は、ガス圧が３ｍＴｏｒｒの場合の試料、は、
１０ｍＴｏｒｒの場合の試料、は、ＳｉＯ2層２にＳ
ｉ基板１の表面を熱酸化して形成された熱酸化膜を用い
た場合（従来の形成方法と同じ）の試料である。Next, in the embodiment of the present invention, SiO 2
The two layers 2 were formed by a sputtering method, a sample was prepared in which the gas pressure was changed at this time, and the X-ray peak intensity of this sample was examined. The gas pressure when forming the SiO 2 layer 2 is 3
mTorr and 10 mTorr were changed. Other conditions are RF power 700 W, film formation rate 25 nm, Si
The substrate temperature is 80 ° C. FIG. 4 shows the results. FIG.
Is Pt with respect to the gas pressure of sputtering at the time of forming the SiO 2 layer.
FIG. 4 is a diagram showing X-ray peak intensities of a PZT layer and a PZT layer. FIG.
The sample in the case where the gas pressure is 3 mTorr is
Samples in the case of 10 mTorr, will, S the SiO 2 layer 2
This is a sample in the case of using a thermal oxide film formed by thermally oxidizing the surface of the i-substrate 1 (same as the conventional formation method).
【００１６】図４の横軸のスパッタのガス圧（ｍＴｏｒ
ｒ）、縦軸は、Ｘ線ピーク強度（ｃｐｓ）である。図４
中、●は、Ｐｔの（１１１）面のピーク強度、黒塗り四
角は、ＰＺＴの（１１１）面のピーク強度を示してい
る。図４に示すように、試料、のＸ線ピーク強度は
従来の形成方法で作製された試料よりも低かった。The sputtering gas pressure (mTorr) on the horizontal axis of FIG.
r), the vertical axis is the X-ray peak intensity (cps). FIG.
In the figure, ● indicates the peak intensity of the (111) plane of Pt, and the black square indicates the peak intensity of the (111) plane of PZT. As shown in FIG. 4, the X-ray peak intensity of the sample was lower than that of the sample manufactured by the conventional forming method.
【００１７】以上のように、本発明の実施形態によれ
ば、プラズマＣＶＤ法により、テトラエトキシシラン：
Ｏ2＝１：２５のガスを用いて、ガス圧を０．４Ｔｏｒ
ｒ以下にして、ＳｉＯ2層２を形成した後、このＳｉＯ2
層２上にＰｔ層４を形成し、次に、ゾルゲル法によりＰ
ＺＴ層５を形成するので、従来よりも残留分極値を大幅
に向上させることができる。なお、本発明の実施形態で
は、ＰＺＴ層をゾルゲル法により形成したが、スパッタ
法、ＭＯＣＶＤ法等で形成しても同様な効果が得られ
る。As described above, according to the embodiment of the present invention, tetraethoxysilane:
Using a gas of O 2 = 1: 25, the gas pressure was set to 0.4 Torr.
in the r below, after forming the SiO 2 layer 2, the SiO 2
A Pt layer 4 is formed on the layer 2, and then a Pt layer is formed by a sol-gel method.
Since the ZT layer 5 is formed, the remanent polarization value can be greatly improved as compared with the related art. Although the PZT layer is formed by the sol-gel method in the embodiment of the present invention, the same effect can be obtained by forming the PZT layer by the sputtering method, the MOCVD method, or the like.
【００１８】[0018]
【発明の効果】本発明によれば、ＳｉＯ2層上に下地層
を積層した後、この下地層上に形成する誘電体薄膜の形
成方法において、前記ＳｉＯ2層をプラズマＣＶＤ法に
より、テトラエトキシシランとＯ2との混合ガスを用
い、ガス圧を０．４Ｔｏｒｒ以下にして形成するので、
従来よりも残留分極値を大幅に向上させることができ
る。According to the present invention, after laminating an underlayer on the SiO 2 layer, the method of forming a dielectric thin film formed on the underlying layer by a plasma CVD method the SiO 2 layer, tetraethoxy Since it is formed by using a mixed gas of silane and O 2 at a gas pressure of 0.4 Torr or less,
The remanent polarization value can be greatly improved as compared with the related art.
【図１】本発明の誘電体薄膜の形成方法を示す断面図で
あり、（Ａ）は、プラズマＣＶＤでＳｉＯ2層を形成す
る工程、（Ｂ）は、Ｔｉ層及びＰｔ層を形成する工程、
（Ｃ）は、ＰＺＴ層を形成する工程である。1A and 1B are cross-sectional views illustrating a method of forming a dielectric thin film according to the present invention. FIG. 1A is a step of forming an SiO 2 layer by plasma CVD, and FIG. 1B is a step of forming a Ti layer and a Pt layer. ,
(C) is a step of forming a PZT layer.
【図２】各試料におけるＰＺＴ層及びＰｔ層のＸ線強度
を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing X-ray intensities of a PZT layer and a Pt layer in each sample.
【図３】ＳｉＯ2層形成時のプラズマＣＶＤのガス圧に
対するＰＺＴ層及びＰｔ層の（１１１）面のＸ線ピーク
強度との関係を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the gas pressure of plasma CVD at the time of forming an SiO 2 layer and the X-ray peak intensity of the (111) plane of the PZT layer and the Pt layer.
【図４】ＳｉＯ2層形成時のスパッタのガス圧に対する
Ｐｔ層及びＰＺＴ層のＸ線ピーク強度を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the X-ray peak intensities of a Pt layer and a PZT layer with respect to the gas pressure of sputtering when forming a SiO 2 layer.
１…Ｓｉ基板、２…ＳｉＯ2層、３…Ｔｉ層、４…Ｐｔ
層（下地層）、５…ＰＺＴ層1 ... Si substrate, 2 ... SiO 2 layer, 3 ... Ti layer, 4 ... Pt
Layer (underlayer), 5 ... PZT layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 27/108 Ｈ０１Ｌ 27/10 ６５１ 21/8242 41/18 １０１Ｚ 41/18 41/22 Ａ 41/24 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA09 AA14 BA44 CA04 FA01 HA03 JA09 LA11 LA15 5F058 BA11 BC02 BC03 BC20 BF06 BF07 BF12 BF25 BF29 BF36 BF37 BF46 BH01 BJ01 5F083 AD21 FR01 GA30 JA15 JA38 JA39 PR21 PR22 PR23 PR33 5G303 AA10 AB20 BA03 CA01 CB25 CB30 CB35 CB39 DA01 DA06──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 27/108 H01L 27/10 651 21/8242 41/18 101Z 41/18 41/22 A 41 / 24F Terms (Reference) 4K030 AA06 AA09 AA14 BA44 CA04 FA01 HA03 JA09 LA11 LA15 5F058 BA11 BC02 BC03 BC20 BF06 BF07 BF12 BF25 BF29 BF36 BF37 BF46 BH01 BJ01 5F083 AD21 FR01 GA30 JA15 JA38 JA39 PR21 PR22 BA30CB35 5 DA01 DA06
Claims (1)
下地層上に形成する誘電体薄膜の形成方法において、 前記ＳｉＯ2層をプラズマＣＶＤ法により、テトラエト
キシシランとＯ2との混合ガスを用い、ガス圧を０．４
Ｔｏｒｒ以下にして形成することを特徴とする誘電体薄
膜の形成方法。1. A method of forming a dielectric thin film on a SiO 2 layer after laminating an under layer on the SiO 2 layer, the method comprising: forming a dielectric thin film on the SiO 2 layer by mixing the SiO 2 layer with tetraethoxysilane and O 2 by plasma CVD. Using a mixed gas, gas pressure 0.4
A method for forming a dielectric thin film, wherein the method is performed at a pressure of Torr or less.
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2000
- 2000-02-29 JP JP2000053293A patent/JP2001244261A/en active Pending
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