JP2001244162A - 実験結果を自動的に評価する方法 - Google Patents
実験結果を自動的に評価する方法Info
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- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造プロセスに適合する、実験結果を自動的
に処理方法を提供する。 【解決手段】 製造プロセスは複数の制御要因を有し、
実験は、少なくとも第一実験結果と第二実験結果とを取
得するために、ある特定の制御要因が少なくとも二種類
の状態を有するよう設定されるように行われる。各実験
結果は複数の実験データを有し、複数の属性を代表す
る。その処理方法は、普通のコンピュータを用いて、特
定の制御要因を変更することで影響されうる既知属性を
有するノウハウ表を提供する段階と、第一実験結果の実
験データと第二実験結果の実験データとの各属性におけ
る差異を比較させることによって評価表を生成し、第一
実験結果と第二実験結果との実験データにおいて差異を
有する属性を指示する段階と、評価表とノウハウ表との
両方に存在する属性を標示するために符合表を生成する
段階と、評価表に存在するがノウハウ表に存在しない属
性を標示するために不符合表を生成する段階とを有す
る。
に処理方法を提供する。 【解決手段】 製造プロセスは複数の制御要因を有し、
実験は、少なくとも第一実験結果と第二実験結果とを取
得するために、ある特定の制御要因が少なくとも二種類
の状態を有するよう設定されるように行われる。各実験
結果は複数の実験データを有し、複数の属性を代表す
る。その処理方法は、普通のコンピュータを用いて、特
定の制御要因を変更することで影響されうる既知属性を
有するノウハウ表を提供する段階と、第一実験結果の実
験データと第二実験結果の実験データとの各属性におけ
る差異を比較させることによって評価表を生成し、第一
実験結果と第二実験結果との実験データにおいて差異を
有する属性を指示する段階と、評価表とノウハウ表との
両方に存在する属性を標示するために符合表を生成する
段階と、評価表に存在するがノウハウ表に存在しない属
性を標示するために不符合表を生成する段階とを有す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、実験結果の処理方
法に係り、特に、コンピュータによって実験結果の実験
データを自動的に計算し、それを参考として実験者に提
供する方法に関する。
法に係り、特に、コンピュータによって実験結果の実験
データを自動的に計算し、それを参考として実験者に提
供する方法に関する。
【０００２】
【従来技術】一般に、大量生産を行うメーカーは、各種
製品に対応するそれぞれの製造プロセスを有する。例え
ば、半導体工場は、ウェーハ生産を主とする。製品の品
種が１６メガビットと６４メガビットとのダイナミック
RAM（DRAM）に区分される場合には、それに対応する二
つの製造プロセスが必要となる。また、製品をより完璧
に製造し、その歩留まりを更に高め、又は生産効率を更
に上げるために、たくさんの実験を積重ねて製造プロセ
スのやり方を改善する必要はしばしばある。
製品に対応するそれぞれの製造プロセスを有する。例え
ば、半導体工場は、ウェーハ生産を主とする。製品の品
種が１６メガビットと６４メガビットとのダイナミック
RAM（DRAM）に区分される場合には、それに対応する二
つの製造プロセスが必要となる。また、製品をより完璧
に製造し、その歩留まりを更に高め、又は生産効率を更
に上げるために、たくさんの実験を積重ねて製造プロセ
スのやり方を改善する必要はしばしばある。
【０００３】一般の実験は、製造プロセスの中で一つの
制御要因を変更することによって行われる。製造プロセ
スは、多結晶シリコンの臨界寸法、ある金属層の厚さ、
ある層におけるオーバーエッチの時間等の調整可能な制
御要因がたくさんある。例えば、多結晶シリコンの臨界
寸法が１６メガビットDRAMの製品および部品導電に与え
る影響を調べる場合には、実験者は、少なくとも二枚の
ウェーハを用いて、１６メガビットDRAMの製造プロセス
を行い、多結晶シリコンのフォトリソグラフィプロセス
を行う際に、二枚のウェーハの露光量状態を異ならせ
る。即ち、製造プロセスの全体において、二枚のウェー
ハは、多結晶シリコンフォトリソグラフィプロセスを行
う状態が異なることを除いて、その他の条件及び状態が
同様である。二枚のウェーハが全ての製造プロセスを終
えた後、実験者は、その二枚のウェーハの実験結果を得
られる。その実験結果は、たくさんの実験データを含
む。その実験データは、多種類の属性に分類されうる。
例えば、抵抗値、容量値、歩留まりなどである。実験者
は、実験結果を調べることによって実験を評価し、且
つ、それに基づいて製造プロセスを改良する。
制御要因を変更することによって行われる。製造プロセ
スは、多結晶シリコンの臨界寸法、ある金属層の厚さ、
ある層におけるオーバーエッチの時間等の調整可能な制
御要因がたくさんある。例えば、多結晶シリコンの臨界
寸法が１６メガビットDRAMの製品および部品導電に与え
る影響を調べる場合には、実験者は、少なくとも二枚の
ウェーハを用いて、１６メガビットDRAMの製造プロセス
を行い、多結晶シリコンのフォトリソグラフィプロセス
を行う際に、二枚のウェーハの露光量状態を異ならせ
る。即ち、製造プロセスの全体において、二枚のウェー
ハは、多結晶シリコンフォトリソグラフィプロセスを行
う状態が異なることを除いて、その他の条件及び状態が
同様である。二枚のウェーハが全ての製造プロセスを終
えた後、実験者は、その二枚のウェーハの実験結果を得
られる。その実験結果は、たくさんの実験データを含
む。その実験データは、多種類の属性に分類されうる。
例えば、抵抗値、容量値、歩留まりなどである。実験者
は、実験結果を調べることによって実験を評価し、且
つ、それに基づいて製造プロセスを改良する。
【０００４】サンプルの選択が少なすぎて判断ミスを犯
すことを避けるために、大量の実験データを用意する必
要がある。従来の方法によれば、実験データは属性に従
って、せいぜい最大値、最小値、平均値、最大偏差値等
の表に整理される。その後、実験者は、これらの表を手
動で一つ一つ検査していく。しかし、表が多すぎるの
で、実験者は全ての表を検査する時間がなく、個人の経
験に頼りに一部の表だけを検査するにとどまる。例え
ば、ベテランの実験者は、多結晶シリコンの臨界寸法を
調整することが属性がNMOS及びPMOSである実験データに
影響を与えると思うので、NMOS及びPMOSに関する表を検
査するが、ｎ型ウェルの抵抗値等の影響を受けないと思
われる属性の実験データを検査しないことになる。
すことを避けるために、大量の実験データを用意する必
要がある。従来の方法によれば、実験データは属性に従
って、せいぜい最大値、最小値、平均値、最大偏差値等
の表に整理される。その後、実験者は、これらの表を手
動で一つ一つ検査していく。しかし、表が多すぎるの
で、実験者は全ての表を検査する時間がなく、個人の経
験に頼りに一部の表だけを検査するにとどまる。例え
ば、ベテランの実験者は、多結晶シリコンの臨界寸法を
調整することが属性がNMOS及びPMOSである実験データに
影響を与えると思うので、NMOS及びPMOSに関する表を検
査するが、ｎ型ウェルの抵抗値等の影響を受けないと思
われる属性の実験データを検査しないことになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の方法は、以下のような欠点がある。
の方法は、以下のような欠点がある。
【０００６】１． 時間がかかりすぎる。専ら人力に
頼って実験データを調べ且つ分析するので、非常に時間
がかかる。
頼って実験データを調べ且つ分析するので、非常に時間
がかかる。
【０００７】２． 実験結果の検査は不完全である。
従来の方法は、専ら個人経験に依存するので、僅か一部
の実験データしかを検査、分析することができない。万
が一、幾つか属性の実験データは、制御要因の状態変化
によって影響されても、実験者に遺漏される。特に、経
験不足の実験者は実験データに存在する重要な情報を遺
漏しやすい。これは、製造プロセス全体において判断ミ
スを犯し、重大な損失をもたらす恐れがある。
従来の方法は、専ら個人経験に依存するので、僅か一部
の実験データしかを検査、分析することができない。万
が一、幾つか属性の実験データは、制御要因の状態変化
によって影響されても、実験者に遺漏される。特に、経
験不足の実験者は実験データに存在する重要な情報を遺
漏しやすい。これは、製造プロセス全体において判断ミ
スを犯し、重大な損失をもたらす恐れがある。
【０００８】３． 分析は困難である。人工方法は、
単一の制御要因の状態変化によりもたらされた結果を検
査するためによく用いられるが、二つ異なる制御要因間
の交互作用を処理することが殆どできない。しかも、実
験は、ただ一つ又は少数の制御要因の状態を変更するこ
とによって行われるだけであっても、必ず順調であると
は限らない。その実験は、所定の制御要因の状態を変更
する以外に、実験対象物が異なる時間に又は異なる装置
において製造プロセスを行う。これによってもたらされ
た影響は実験データから取り除かれるべきである。しか
し、人工方法はこれを殆どできないので、決定ミスを犯
し易くなる。
単一の制御要因の状態変化によりもたらされた結果を検
査するためによく用いられるが、二つ異なる制御要因間
の交互作用を処理することが殆どできない。しかも、実
験は、ただ一つ又は少数の制御要因の状態を変更するこ
とによって行われるだけであっても、必ず順調であると
は限らない。その実験は、所定の制御要因の状態を変更
する以外に、実験対象物が異なる時間に又は異なる装置
において製造プロセスを行う。これによってもたらされ
た影響は実験データから取り除かれるべきである。しか
し、人工方法はこれを殆どできないので、決定ミスを犯
し易くなる。
【０００９】上述した問題を鑑みて、本発明の目的は、
実験結果の自動処理方法を提供することにある。この方
法は、実際の実験結果と実験者に予想された実験結果と
の共通点と相違点とを自動的に整理して、参考として実
験者に提供し、且つ、実験者の決定ミスを避けられる。
実験結果の自動処理方法を提供することにある。この方
法は、実際の実験結果と実験者に予想された実験結果と
の共通点と相違点とを自動的に整理して、参考として実
験者に提供し、且つ、実験者の決定ミスを避けられる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明は、製造プロセスに適合する実験結果の
処理方法を提供する。その製造プロセスは、複数の制御
要因を有する。実験は、一つ特定の制御要因を少なくと
も二つの状態を有するように設定して行われる。これに
よって、少なくとも第一実験結果と第二実験結果とが得
られる。各実験結果は、複数の実験データを有し、複数
の属性を代表する。その処理方法は、普通のコンピュー
タによって行われ、その特定制御要因を変更することに
より影響されうる既知の属性を有するノウハウ表を提供
し、第一実験結果及び第二実験結果の実験データの各属
性における差異を比較することによって、評価表を生成
し、第一実験結果及び第二実験結果の実験データにおい
て差異を有する属性を指し示し、その評価表とノウハウ
表との両方に存在する属性を標示するために、符合表を
生成し、その評価表に存在しているが、そのノウハウ表
に存在していない属性を標示するために、不符合表を生
成する各段階を有することを特徴とする。
ために、本発明は、製造プロセスに適合する実験結果の
処理方法を提供する。その製造プロセスは、複数の制御
要因を有する。実験は、一つ特定の制御要因を少なくと
も二つの状態を有するように設定して行われる。これに
よって、少なくとも第一実験結果と第二実験結果とが得
られる。各実験結果は、複数の実験データを有し、複数
の属性を代表する。その処理方法は、普通のコンピュー
タによって行われ、その特定制御要因を変更することに
より影響されうる既知の属性を有するノウハウ表を提供
し、第一実験結果及び第二実験結果の実験データの各属
性における差異を比較することによって、評価表を生成
し、第一実験結果及び第二実験結果の実験データにおい
て差異を有する属性を指し示し、その評価表とノウハウ
表との両方に存在する属性を標示するために、符合表を
生成し、その評価表に存在しているが、そのノウハウ表
に存在していない属性を標示するために、不符合表を生
成する各段階を有することを特徴とする。
【００１１】本発明の利点は、普通のコンピュータを用
いて、符号表と不符合表を自動的に生成することによっ
て、予想外の実験結果が現われたかどうかについて実験
者に知らせることにある。符合表に非特定製造プロセス
の他の製造プロセスが含まれておらず、且つ、不符合表
に如何なる属性が含まれていないことであれば、全ての
差異を有する属性が予想された範囲内にあることは、示
される。符合表に少なくとも一つの他の製造プロセスが
含まれており、且つ、不符合表に少なくとも一つの属性
が含まれていることであれば、実験者は問題の所在を洗
い出さなければならない。その問題は、未発見の物理現
象であり、若しくは、実験中のエラーであるかもしれな
い。これによって、実験者の判断ミスは避けられうる。
いて、符号表と不符合表を自動的に生成することによっ
て、予想外の実験結果が現われたかどうかについて実験
者に知らせることにある。符合表に非特定製造プロセス
の他の製造プロセスが含まれておらず、且つ、不符合表
に如何なる属性が含まれていないことであれば、全ての
差異を有する属性が予想された範囲内にあることは、示
される。符合表に少なくとも一つの他の製造プロセスが
含まれており、且つ、不符合表に少なくとも一つの属性
が含まれていることであれば、実験者は問題の所在を洗
い出さなければならない。その問題は、未発見の物理現
象であり、若しくは、実験中のエラーであるかもしれな
い。これによって、実験者の判断ミスは避けられうる。
【００１２】上記課題を達成するための本発明の目的、
特徴、及び利点をより明確にするに、以下に図面と実施
例に基づいて詳細に説明する。
特徴、及び利点をより明確にするに、以下に図面と実施
例に基づいて詳細に説明する。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明は、製造プロセスに適合す
る、実験結果の処理方法を提供する。説明の便宜を図る
ために、半導体工場のウェーハ製造プロセスを例として
説明が進む。但し、本発明は、ウェーハ製造プロセスに
関する実験に限定するものではなく、如何なる同じ概念
の製造プロセスに適合する。
る、実験結果の処理方法を提供する。説明の便宜を図る
ために、半導体工場のウェーハ製造プロセスを例として
説明が進む。但し、本発明は、ウェーハ製造プロセスに
関する実験に限定するものではなく、如何なる同じ概念
の製造プロセスに適合する。
【００１４】図１は、本発明の実験及び製造プロセスを
示す図である。その製造プロセスは、複数の制御要因、
即ち、製造プロセスにおける変更可能なパラメーターを
有する。例えば、半導体製造プロセス１０が、大略に、
数百個の製造段階１２a〜１２ｃに分けられうる。各製
造段階はウェーハに対して一種類の目的を果たす。たと
えば、”ｎ型ウェルフォトリソグラフィ”という製造段
階は、ウェーハ上にｎ型ウェル図形（パターン）を有す
るレジスト層を形成する。”ｎ型ウェル注入”という製
造段階は、ウェーハに対してイオン注入を行うことによ
ってｎ型ウェルを生成する。ある製造段階での処理が終
了したら、その次の製造段階に移って処理は行われる。
各製造段階は調整可能なパラメーターを有する。例え
ば、”ｎ型ウェルフォトリソグラフィ”という製造段階
は、レジストの種類、レジストの厚さ、焼く時間、露光
量、焦点距離（フォーカス）、及びミスアライメント等
の調整可能な制御要因を有する。制御要因は、製造プロ
セスにおいて変更且つ比較することができるパラメータ
ーであればよいので、必ずしも一つの製造段階で行われ
た動作ではなく、二つの製造段階間の時間であってもよ
い。実験は、特定の制御要因を少なくとも二種類の状態
を有するように設定して行われるわけである。例えば、
多結晶シリコン層の臨界寸法の変化が製品及び部品に対
してどのような影響を及ぼすかを調べるために実験を行
う場合には、少なくとも二枚のウェーハを用いて製造プ
ロセスを行う必要がある。処理が”多結晶シリコンフォ
トリソグラフィ”という製造段階で行われるときには、
二枚のウェーハに異なる露光量を与えることによって、
二種類の異なる臨界寸法は得られる。そして、その後に
続く同じ製造段階での処理を行う。また、製造プロセス
では、幾つかの測量製造段階があり、そこからたくさん
の実験データが得られ、複数の属性を代表する。例え
ば、”ウェーハ合格テスト（wafer accept test, WA
T）”という製造段階では、属性が電流値及び容量値で
ある実験データが得られる。従って、図１に示すよう
に、二枚のウェーハが製造プロセスの全ての段階を経た
後、各段階で得られた実験データが１４において整理さ
れることによって、第一実験結果１６a及び第二実験結
果１６bは生成される。各実験結果は、複数の実験デー
タを有する。
示す図である。その製造プロセスは、複数の制御要因、
即ち、製造プロセスにおける変更可能なパラメーターを
有する。例えば、半導体製造プロセス１０が、大略に、
数百個の製造段階１２a〜１２ｃに分けられうる。各製
造段階はウェーハに対して一種類の目的を果たす。たと
えば、”ｎ型ウェルフォトリソグラフィ”という製造段
階は、ウェーハ上にｎ型ウェル図形（パターン）を有す
るレジスト層を形成する。”ｎ型ウェル注入”という製
造段階は、ウェーハに対してイオン注入を行うことによ
ってｎ型ウェルを生成する。ある製造段階での処理が終
了したら、その次の製造段階に移って処理は行われる。
各製造段階は調整可能なパラメーターを有する。例え
ば、”ｎ型ウェルフォトリソグラフィ”という製造段階
は、レジストの種類、レジストの厚さ、焼く時間、露光
量、焦点距離（フォーカス）、及びミスアライメント等
の調整可能な制御要因を有する。制御要因は、製造プロ
セスにおいて変更且つ比較することができるパラメータ
ーであればよいので、必ずしも一つの製造段階で行われ
た動作ではなく、二つの製造段階間の時間であってもよ
い。実験は、特定の制御要因を少なくとも二種類の状態
を有するように設定して行われるわけである。例えば、
多結晶シリコン層の臨界寸法の変化が製品及び部品に対
してどのような影響を及ぼすかを調べるために実験を行
う場合には、少なくとも二枚のウェーハを用いて製造プ
ロセスを行う必要がある。処理が”多結晶シリコンフォ
トリソグラフィ”という製造段階で行われるときには、
二枚のウェーハに異なる露光量を与えることによって、
二種類の異なる臨界寸法は得られる。そして、その後に
続く同じ製造段階での処理を行う。また、製造プロセス
では、幾つかの測量製造段階があり、そこからたくさん
の実験データが得られ、複数の属性を代表する。例え
ば、”ウェーハ合格テスト（wafer accept test, WA
T）”という製造段階では、属性が電流値及び容量値で
ある実験データが得られる。従って、図１に示すよう
に、二枚のウェーハが製造プロセスの全ての段階を経た
後、各段階で得られた実験データが１４において整理さ
れることによって、第一実験結果１６a及び第二実験結
果１６bは生成される。各実験結果は、複数の実験デー
タを有する。
【００１５】図２は、本発明の第一実験結果及び第二実
験結果を示す概略図である。半導体ウェーハを製造する
ときに、属性は、大略に、製造プロセス属性、導電属
性、及び製品属性に分かれる。製造プロセス属性は、製
造プロセスにおいて測定した製品の実験データを代表す
る。例えば、酸化層の厚さ及びエッチングの終点時間等
である。導電属性は、WATで測量した部品特性の実験デ
ータを代表する。例えば、抵抗、容量などである。製品
属性は、製品の歩留まりを測定した際に得られた実験デ
ータを代表する。例えば、歩留まり、I／O開路、チップ
数及びI／O短絡チップ数などである。図２に示すよう
に、第一実験結果１６a及び第二実験結果１６bは、一部
の属性だけの実験データを有してもよいし、また、全て
の属性の実験データを有してもよい。
験結果を示す概略図である。半導体ウェーハを製造する
ときに、属性は、大略に、製造プロセス属性、導電属
性、及び製品属性に分かれる。製造プロセス属性は、製
造プロセスにおいて測定した製品の実験データを代表す
る。例えば、酸化層の厚さ及びエッチングの終点時間等
である。導電属性は、WATで測量した部品特性の実験デ
ータを代表する。例えば、抵抗、容量などである。製品
属性は、製品の歩留まりを測定した際に得られた実験デ
ータを代表する。例えば、歩留まり、I／O開路、チップ
数及びI／O短絡チップ数などである。図２に示すよう
に、第一実験結果１６a及び第二実験結果１６bは、一部
の属性だけの実験データを有してもよいし、また、全て
の属性の実験データを有してもよい。
【００１６】図３は、一つ実験を行うフローチャートで
あり、また、本発明の処理方法３０をも示す。実験を行
おうとする場合には、実験者は、２０において実験計画
書（design of experiment, DOE）を予め制定し、それ
から実験を２２において行う。これによって、例えば、
２４において第一及び第二実験結果である実験データは
得られる。その後に、実験結果を検査するために、本発
明の処理方法３０が行われる。本発明の処理方法３０
は、普通のコンピュータにより実施され、三段階を有
し、即ち、ノウハウ表３２を提供すること、評価表３４
を生成すること、及び符合表と不符合表３６とを生成す
ることである。
あり、また、本発明の処理方法３０をも示す。実験を行
おうとする場合には、実験者は、２０において実験計画
書（design of experiment, DOE）を予め制定し、それ
から実験を２２において行う。これによって、例えば、
２４において第一及び第二実験結果である実験データは
得られる。その後に、実験結果を検査するために、本発
明の処理方法３０が行われる。本発明の処理方法３０
は、普通のコンピュータにより実施され、三段階を有
し、即ち、ノウハウ表３２を提供すること、評価表３４
を生成すること、及び符合表と不符合表３６とを生成す
ることである。
【００１７】ノウハウ表は、ベテランの実験者により提
供され、特定の制御要因を変更することにより影響され
うる既知の属性を含んでおり、且つコンピュータに保存
されている。例えば、ベテラン実験者は、多結晶シリコ
ンの臨界寸法を変更することによってNMOS電流及びPMOS
電流の実験データが影響されうると考えており且つ予測
しているのであれば、図４に示すように、ベテラン実験
者により提供されたノウハウ表４０には、多結晶シリコ
ン臨界寸法という制御要因とNMOS電流及びPMOS電流の属
性との相関性が表示される。また、経験の拡大と共に、
ノウハウ表４０には、その他の制御要因といつくか属性
の実験データとの相関性も表示されるようになる。例え
ば、多結晶シリコンの厚さが多結晶シリコンの抵抗値に
影響を及ぼすことが、図４からわかる。
供され、特定の制御要因を変更することにより影響され
うる既知の属性を含んでおり、且つコンピュータに保存
されている。例えば、ベテラン実験者は、多結晶シリコ
ンの臨界寸法を変更することによってNMOS電流及びPMOS
電流の実験データが影響されうると考えており且つ予測
しているのであれば、図４に示すように、ベテラン実験
者により提供されたノウハウ表４０には、多結晶シリコ
ン臨界寸法という制御要因とNMOS電流及びPMOS電流の属
性との相関性が表示される。また、経験の拡大と共に、
ノウハウ表４０には、その他の制御要因といつくか属性
の実験データとの相関性も表示されるようになる。例え
ば、多結晶シリコンの厚さが多結晶シリコンの抵抗値に
影響を及ぼすことが、図４からわかる。
【００１８】次に、第一実験結果と第二実験結果との実
験データの各属性における差異を比較することによっ
て、第一実験結果と第二実験結果との実験データにおけ
る差異を有する属性を指し示す評価表は、生成される。
例えば、ANOVA及びGLMの統計方法を用いて、第一実験結
果と第二実験結果との実験データの各属性における差異
を比較する。
験データの各属性における差異を比較することによっ
て、第一実験結果と第二実験結果との実験データにおけ
る差異を有する属性を指し示す評価表は、生成される。
例えば、ANOVA及びGLMの統計方法を用いて、第一実験結
果と第二実験結果との実験データの各属性における差異
を比較する。
【００１９】図５は、ある属性における、第一実験結果
の実験データと第二実験結果の実験データとの分布図で
ある。図５に示すように、各実験結果の各属性における
実験データは、分布図に一つのサンプリング点と見なさ
れ、サンプリング点は十分にあれば、分布、即ち、一つ
の実験結果における一つの属性の可能値を再現すること
ができる。例えば、図５に示すように、第一実験結果に
おける一つの属性の実験データは、平均値ｍ１及び標準
差σ１を有し、第二実験結果における一つの属性の実験
データは、平均値ｍ２及び標準差σ２を有する。その
後、ANOVA及びGLM等の統計方法を用いて、各属性におけ
る第一実験結果と第二実験結果との実験データの相関性
を計算し、且つ、一つの属性における第一実験結果と第
二実験結果との実験データの統計上での差異程度を表示
するために、各属性に一つの相異値を提供する。
の実験データと第二実験結果の実験データとの分布図で
ある。図５に示すように、各実験結果の各属性における
実験データは、分布図に一つのサンプリング点と見なさ
れ、サンプリング点は十分にあれば、分布、即ち、一つ
の実験結果における一つの属性の可能値を再現すること
ができる。例えば、図５に示すように、第一実験結果に
おける一つの属性の実験データは、平均値ｍ１及び標準
差σ１を有し、第二実験結果における一つの属性の実験
データは、平均値ｍ２及び標準差σ２を有する。その
後、ANOVA及びGLM等の統計方法を用いて、各属性におけ
る第一実験結果と第二実験結果との実験データの相関性
を計算し、且つ、一つの属性における第一実験結果と第
二実験結果との実験データの統計上での差異程度を表示
するために、各属性に一つの相異値を提供する。
【００２０】図６は、本発明の一つの評価表３８を示
す。その評価表３８の第一列から第五列までは、それぞ
れ、属性、平均値差、第一実験結果平均値、第二実験結
果平均値、及び相異値を示す。例えば、普通のコンピュ
ータにおいてある属性が相異であるかどうかを判断する
ために、相異臨界値が予め設定され、そして、この属性
の相異値が相異臨界値より小さい時に、第一実験結果と
第二実験結果とはこの属性における実験データが相当程
度に異なっていることが示され、且つ、評価表３８にお
いて相異値が相異臨界値を超えた属性は指し示される。
例えば、相異臨界値は０．０５である場合に、NMOS電
流、NMOS VT, PMOS電流、及びPMOS VTの相異値は、０．
０５未満であれば、評価表に表示される。
す。その評価表３８の第一列から第五列までは、それぞ
れ、属性、平均値差、第一実験結果平均値、第二実験結
果平均値、及び相異値を示す。例えば、普通のコンピュ
ータにおいてある属性が相異であるかどうかを判断する
ために、相異臨界値が予め設定され、そして、この属性
の相異値が相異臨界値より小さい時に、第一実験結果と
第二実験結果とはこの属性における実験データが相当程
度に異なっていることが示され、且つ、評価表３８にお
いて相異値が相異臨界値を超えた属性は指し示される。
例えば、相異臨界値は０．０５である場合に、NMOS電
流、NMOS VT, PMOS電流、及びPMOS VTの相異値は、０．
０５未満であれば、評価表に表示される。
【００２１】そして、コンピュータは符合表と不符合表
とをそれぞれ生成する。図７に示すように、符合表４２
が評価表３８とノウハウ表４０との両方に表示された属
性を含み、即ち、実験の中で影響を及ぼし且つ予想され
た属性である。図４に示すノウハウ表４０及び図５に示
す評価表３８から分かるのは、NMOS電流とPMOS電流との
両方が多結晶シリコン臨界寸法の変化に影響されうると
予想され且つ差異表に真実に反映されていることであ
る。従って、NMOS電流とPMOS電流とは共に符合表４２に
表示される。尚、符合表４２は、評価表３８に表示され
た、実験の制御原因ではない属性を含む。その属性をは
っきりさせる必要がある。
とをそれぞれ生成する。図７に示すように、符合表４２
が評価表３８とノウハウ表４０との両方に表示された属
性を含み、即ち、実験の中で影響を及ぼし且つ予想され
た属性である。図４に示すノウハウ表４０及び図５に示
す評価表３８から分かるのは、NMOS電流とPMOS電流との
両方が多結晶シリコン臨界寸法の変化に影響されうると
予想され且つ差異表に真実に反映されていることであ
る。従って、NMOS電流とPMOS電流とは共に符合表４２に
表示される。尚、符合表４２は、評価表３８に表示され
た、実験の制御原因ではない属性を含む。その属性をは
っきりさせる必要がある。
【００２２】図８に示すように、不符合表４４は、評価
表３８に表示されたが、ノウハウ表４０に現われなかっ
た属性、即ち、予想されていなかったが実験の中で影響
を及ぼした属性を含む。また、図４に示すノウハウ表４
０及び図５に示す評価表３８から分かるのは、NMOS VT
とPMOS VTとの属性が、確かに多結晶シリコンの臨界寸
法の実験により影響されており、しかし、ベテランの実
験者が提供したノウハウ表に表示されていないことであ
る。そのため、特に不符合表４４は生成される。
表３８に表示されたが、ノウハウ表４０に現われなかっ
た属性、即ち、予想されていなかったが実験の中で影響
を及ぼした属性を含む。また、図４に示すノウハウ表４
０及び図５に示す評価表３８から分かるのは、NMOS VT
とPMOS VTとの属性が、確かに多結晶シリコンの臨界寸
法の実験により影響されており、しかし、ベテランの実
験者が提供したノウハウ表に表示されていないことであ
る。そのため、特に不符合表４４は生成される。
【００２３】本発明の符合表４２に含まれる実験の制御
原因ではない部分及び不符合表４４は、実験者に一つ検
査の機会を与えている。不符合表４４の生成は、たくさ
んの可能性にある。一つの可能性は製造プロセスにおけ
る人為的な過失であり、たとえば、実験に用いられた二
枚の半導体ウェーハは、非実験の製造段階で処理される
時に、同時に処理されるのではなく、或いは、同一の製
造装置に入るのではないので、これについてはっきりさ
せる必要がある。しかも、実験結果の実験データを収集
し始めた時から、このような要素を収集された実験デー
タから取り除くべきである。もう一つの可能性は、新し
い物理要素の現われである。製造プロセスが進むにつれ
て、たくさんの新しい物理要素は発見されうる。このよ
うな予想されていない結果の発生は物理を探究する良い
機会であり、それについて更に研究する必要がある。こ
れによって、判断ミスは避けられうる。
原因ではない部分及び不符合表４４は、実験者に一つ検
査の機会を与えている。不符合表４４の生成は、たくさ
んの可能性にある。一つの可能性は製造プロセスにおけ
る人為的な過失であり、たとえば、実験に用いられた二
枚の半導体ウェーハは、非実験の製造段階で処理される
時に、同時に処理されるのではなく、或いは、同一の製
造装置に入るのではないので、これについてはっきりさ
せる必要がある。しかも、実験結果の実験データを収集
し始めた時から、このような要素を収集された実験デー
タから取り除くべきである。もう一つの可能性は、新し
い物理要素の現われである。製造プロセスが進むにつれ
て、たくさんの新しい物理要素は発見されうる。このよ
うな予想されていない結果の発生は物理を探究する良い
機会であり、それについて更に研究する必要がある。こ
れによって、判断ミスは避けられうる。
【００２４】ノウハウ表４０の中に、影響されうると予
想されたが評価表に表示されていない属性も、実験者に
よりある程度に明かにされるべきである。その属性は、
制御要因の変化量が少なすぎることで実験結果に差異性
が現われないかもしれないし、また、他の原因によるか
もしれない。これは、実験の過程及び結果を検討する良
い機会である。
想されたが評価表に表示されていない属性も、実験者に
よりある程度に明かにされるべきである。その属性は、
制御要因の変化量が少なすぎることで実験結果に差異性
が現われないかもしれないし、また、他の原因によるか
もしれない。これは、実験の過程及び結果を検討する良
い機会である。
【００２５】異なる実験を積み重なることによって、ノ
ウハウ表４０は絶え間なく修正且つ拡充されうる。例え
ば、上述した実施例において、多結晶シリコンの臨界寸
法を変更することによって影響されうる属性は、NMOS電
流、NOMS VT、PMOS電流及びPOMS VTであることに修正さ
れるべきである。また、その他の制御要因を変更するこ
とで影響されうる属性を増加してもよい。このようなノ
ウハウ表４０は、コンピュータに保存され、全ての実験
者の参考として用いられ、また、新しい実験者の教材と
する重要な資料でもある。
ウハウ表４０は絶え間なく修正且つ拡充されうる。例え
ば、上述した実施例において、多結晶シリコンの臨界寸
法を変更することによって影響されうる属性は、NMOS電
流、NOMS VT、PMOS電流及びPOMS VTであることに修正さ
れるべきである。また、その他の制御要因を変更するこ
とで影響されうる属性を増加してもよい。このようなノ
ウハウ表４０は、コンピュータに保存され、全ての実験
者の参考として用いられ、また、新しい実験者の教材と
する重要な資料でもある。
【００２６】本発明の処理方法は、制御要因を異なる程
度に変更することで実験結果に与えた影響を検査するた
めに、制御要因を二種類以上の状態に設定された実験に
適合する。本発明の処理方法は、両制御要因間の交互作
用を検査するために、両制御要因を両種類の状態に設定
された実験にも適合する。簡単に言えば、第一から第ｎ
までの実験結果（ｎ＞＝２）がある場合には、各実験結
果は一つの実験の条件を代表しており、そして、統計の
方法を用いて第一から第ｎまでの実験結果の中に実験デ
ータが相当程度の差異を有する属性を洗い出し、実験者
に予め提出されたノウハウ表と比較させることによっ
て、不符合表と符合表とを生成する。これによって、異
なる実験条件が実験結果に与えた影響を認識することが
でき、遺漏などは避けられうる。
度に変更することで実験結果に与えた影響を検査するた
めに、制御要因を二種類以上の状態に設定された実験に
適合する。本発明の処理方法は、両制御要因間の交互作
用を検査するために、両制御要因を両種類の状態に設定
された実験にも適合する。簡単に言えば、第一から第ｎ
までの実験結果（ｎ＞＝２）がある場合には、各実験結
果は一つの実験の条件を代表しており、そして、統計の
方法を用いて第一から第ｎまでの実験結果の中に実験デ
ータが相当程度の差異を有する属性を洗い出し、実験者
に予め提出されたノウハウ表と比較させることによっ
て、不符合表と符合表とを生成する。これによって、異
なる実験条件が実験結果に与えた影響を認識することが
でき、遺漏などは避けられうる。
【００２７】上述した本発明の好ましい実施例は、本発
明を限定するものではない。当業界の如何なる熟練者
は、本発明の要旨及び範囲内において、各種の変更及び
修飾を行うことができる。従って、本発明の保護範囲
は、特許請求範囲に準ずる。
明を限定するものではない。当業界の如何なる熟練者
は、本発明の要旨及び範囲内において、各種の変更及び
修飾を行うことができる。従って、本発明の保護範囲
は、特許請求範囲に準ずる。
【００２８】
【発明の効果】本発明の処理方法は、以下の利点があ
る。
る。
【００２９】１． コンピュータによる自動化：実験
者は、ノウハウ表を提供するだけでその他の全ての計算
をコンピュータに任せるので、実験結果の分析をかなり
短時間で行うことが出来る。従って、時間は大幅に節約
され、研究開発の効率も上げられる。
者は、ノウハウ表を提供するだけでその他の全ての計算
をコンピュータに任せるので、実験結果の分析をかなり
短時間で行うことが出来る。従って、時間は大幅に節約
され、研究開発の効率も上げられる。
【００３０】２． 完全性：コンピュータは、一部属
性の実験データを比較するのではなく、全ての属性の実
験データを比較するので、如何なる遺漏も避けられう
る。
性の実験データを比較するのではなく、全ての属性の実
験データを比較するので、如何なる遺漏も避けられう
る。
【００３１】３． 良好な分析能力：実験データから
不要要素を予め排除することができ、且つ、異なる制御
要因を変更することによってもたらされた交互影響を処
理できる。
不要要素を予め排除することができ、且つ、異なる制御
要因を変更することによってもたらされた交互影響を処
理できる。
【００３２】４． 教育、学習：製造プロセスの実験
を積重ねることにつれて、ノウハウ表は絶え間なく修正
及び拡充されうる。これは、技術を引継ぐ際の基本資料
として用いられ、また実験者の教育資料としても用いら
れる。更に、実験者がコンピュータに保存されるノウハ
ウ表を簡単に読取ることができるので、学習の便利は図
られる。
を積重ねることにつれて、ノウハウ表は絶え間なく修正
及び拡充されうる。これは、技術を引継ぐ際の基本資料
として用いられ、また実験者の教育資料としても用いら
れる。更に、実験者がコンピュータに保存されるノウハ
ウ表を簡単に読取ることができるので、学習の便利は図
られる。
【００３３】従来の手動で実験を検査する方法と比べれ
ば、本発明の処理方法は、普通のコンピュータを用い
て、実験結果の全ての属性を自動的に分析し、且つ分析
結果を実験者に予想されたものと比較させることによっ
て、不符合表と符合表とを生成する。従って、本発明
は、コンピュータ自動化、完全性、良好な分析能力、及
び知識の伝授などの利点を有する。
ば、本発明の処理方法は、普通のコンピュータを用い
て、実験結果の全ての属性を自動的に分析し、且つ分析
結果を実験者に予想されたものと比較させることによっ
て、不符合表と符合表とを生成する。従って、本発明
は、コンピュータ自動化、完全性、良好な分析能力、及
び知識の伝授などの利点を有する。
【図１】本発明の実験及び製造プロセスを示す図であ
る。
る。
【図２】本発明の第一実験結果と第二実験結果とを示す
図である。
図である。
【図３】本発明の一つの実験を行うフローチャート及び
本発明の処理方法のフローチャートである。
本発明の処理方法のフローチャートである。
【図４】本発明の一種類のノウハウ表を示す。
【図５】一種類の属性における第一実験結果の実験デー
タと第二実験結果の実験データとの分布図である。
タと第二実験結果の実験データとの分布図である。
【図６】本発明の一種類の差異表示図である。
【図７】本発明の一つの符合表を示す。
【図８】本発明の一つの不符号表を示す。
１０ 製造プロセス １２a 製造段階１ １２b 製造段階２ １２c 製造段階ｎ １６a 第一実験結果 １６b 第二実験結果 ２０ 実験計画書 ３０ 本発明の処理方法 ３８ 評価表 ４０ ノウハウ表 ４２ 符合表 ４４ 不符合表
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 599116362 モーゼル ヴィテリック インコーポレイ テッド Ｍｏｓｅｌ Ｖｉｔｅｌｉｃ Ｉｎｃ. 台湾，シンチュ，サイエンス−ベイスド インダストリアル パーク，リ−シン ロ ード，19番 (71)出願人 599002401 ジーメンス・アー・ゲー ドイツ連邦共和国、Ｄ−80333、ミュンヘ ン、ヴィッテルスバッハープラッツ ２ (72)発明者 クリス ツァイ 台湾、シン―チュ、サイエンス―ベイスド インダストリアル パーク、リ―シン ロード 19 Ｆターム(参考） 5F004 CB01 CB15
Claims (6)
- 【請求項１】 製造プロセスに適合し、該製造プロセス
は複数の制御要因を有し、少なくとも第一実験結果と第
二実験結果とを取得するために、実験はある特定の制御
要因を少なくとも二種類の状態に設定することによって
行われ、各実験結果は複数の実験データを有し、複数の
属性を代表する、実験結果を自動的に評価する方法であ
って、 前記特定の制御要因を変更することによって影響されう
る既知属性を有するノウハウ表を提供し、 前記第一実験結果と前記第二実験結果との実験データの
各属性における差異を比較することによって評価表を生
成し、前記第一実験結果と前記第二実験結果との実験デ
ータにおいて差異を有する属性を指摘し、 前記評価表に存在しているが前記ノウハウ表に存在して
いない属性を標示するために、不符合表（non-matching
table）を生成する各段階を有することを特徴とする実
験結果を自動的に評価する方法。 - 【請求項２】 前記製造プロセスは半導体ウェーハを製
造することに用いられる請求項１に記載の処理方法。 - 【請求項３】 前記複数の属性は、導電属性と、製造プ
ロセス属性と、製品属性とを有する請求項２に記載の処
理方法。 - 【請求項４】 前記第一実験結果と前記第二実験結果と
の実験データを比較する段階は、 統計方法を用いて、前記第一実験結果と前記第二実験結
果との実験データの一属性における差異を比較し、前記
属性相異値を設定し、 前記属性に対応する相異臨界値を提供し、 前記相異値が前記相異臨界値を超えると、前記属性を前
記評価表に標示する各段階を有する請求項１に記載の処
理方法。 - 【請求項５】 前記評価表に標示された属性且つ前記ノ
ウハウ表に現われた属性を有する符合表（matching tab
le）を生成する段階を更に有する請求項１に記載の処理
方法。 - 【請求項６】 前記ノウハウ表は、複数の制御要因と、
一つの制御要因を変更することによって対応に影響され
る既知属性とを有する請求項１に記載の処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000049828A JP2001244162A (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | 実験結果を自動的に評価する方法 |
| TW089103792A TW439108B (en) | 2000-02-25 | 2000-03-03 | Method for automatically evaluating the experiment result |
| US09/525,555 US6615157B1 (en) | 2000-02-25 | 2000-03-15 | System method and computer program product for automatically assessing experiment results |
| DE10015286A DE10015286A1 (de) | 2000-02-25 | 2000-03-28 | System, Verfahren und Produkt mit Computerbefehlssatz zum automatischen Abschätzen experimenteller Ergebnisse |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000049828A JP2001244162A (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | 実験結果を自動的に評価する方法 |
| TW089103792A TW439108B (en) | 2000-02-25 | 2000-03-03 | Method for automatically evaluating the experiment result |
| US09/525,555 US6615157B1 (en) | 2000-02-25 | 2000-03-15 | System method and computer program product for automatically assessing experiment results |
| DE10015286A DE10015286A1 (de) | 2000-02-25 | 2000-03-28 | System, Verfahren und Produkt mit Computerbefehlssatz zum automatischen Abschätzen experimenteller Ergebnisse |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001244162A true JP2001244162A (ja) | 2001-09-07 |
Family
ID=29554292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000049828A Pending JP2001244162A (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | 実験結果を自動的に評価する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6615157B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001244162A (ja) |
| DE (1) | DE10015286A1 (ja) |
| TW (1) | TW439108B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111639145A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-09-08 | 国电锅炉压力容器检验有限公司 | 一种燃气轮机热端动叶片寿命评估方法 |
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| US6586265B2 (en) * | 2001-07-26 | 2003-07-01 | Promos Technologies Inc. | Method and apparatus of tool matching for a semiconductor manufacturing process |
| US6929962B1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-08-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for wafer acceptance test configuration |
| US20090138415A1 (en) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | James Justin Lancaster | Automated research systems and methods for researching systems |
| TW200929412A (en) * | 2007-12-18 | 2009-07-01 | Airoha Tech Corp | Model modification method for a semiconductor device |
| US20110093226A1 (en) * | 2008-07-04 | 2011-04-21 | Inotera Memories, Inc. | Fault detection and classification method for wafer acceptance test parameters |
| TWI447605B (zh) * | 2011-06-22 | 2014-08-01 | Inotera Memories Inc | 半導體製程之失效偵測方法及執行此方法之系統架構 |
| EP2814202A1 (fr) * | 2013-06-14 | 2014-12-17 | OpenTV Europe SAS | Système et méthode de maintenance à distance d unités d utilisateur |
| CN111223030A (zh) * | 2018-11-27 | 2020-06-02 | 奇酷互联网络科技（深圳）有限公司 | 实验修正方法、智能终端及可读存储介质 |
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| JPH08287154A (ja) * | 1995-04-17 | 1996-11-01 | Hitachi Ltd | 製造不良解析システム、方法およびこれに関連したデータベースの生成方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| US6389380B1 (en) * | 1997-09-16 | 2002-05-14 | Evolving Logic Associates | System and method for performing compound computational experiments |
| JP2001516963A (ja) * | 1997-09-17 | 2001-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスプラズマ処理を監視しかつ管理するためのシステムおよび方法 |
| US6141608A (en) * | 1997-10-28 | 2000-10-31 | Snap-On Tools Company | System for dynamic diagnosis of apparatus operating conditions |
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-
2000
- 2000-02-25 JP JP2000049828A patent/JP2001244162A/ja active Pending
- 2000-03-03 TW TW089103792A patent/TW439108B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-03-15 US US09/525,555 patent/US6615157B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-28 DE DE10015286A patent/DE10015286A1/de not_active Ceased
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06325109A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-11-25 | Hitachi Ltd | 製品設計仕様評価システム及び製品設計仕様評価方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW439108B (en) | 2001-06-07 |
| DE10015286A1 (de) | 2001-10-04 |
| US6615157B1 (en) | 2003-09-02 |
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