JP2001244159A - One-sided mirror wafer - Google Patents
One-sided mirror waferInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は片面鏡面ウェー
ハ、例えばサンギヤが組み込まれていない両面研磨装置
を用いて半導体ウェーハを研磨することで、一面が鏡面
に仕上げされ、他面が複数のピットで構成された面であ
る片面鏡面ウェーハに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for polishing a semiconductor wafer using a single-sided mirror-faced wafer, for example, a semiconductor wafer using a double-side polishing apparatus without a built-in sun gear, so that one face is mirror-finished and the other face is composed of a plurality of pits. And a single-sided mirror surface wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の両面研磨ウェーハの製造では、単
結晶シリコンインゴットをスライスしてシリコンウェー
ハを作製した後、このシリコンウェーハに対して面取
り、ラッピング、エッチングの各工程が順次行われる。
それからウェーハ表裏両面に鏡面仕上げを施す両面研磨
が行われる。この両面研磨には、通常、中心部にサンギ
ヤが配置され、外周部にインターナルギヤが配置された
遊星歯車構造を有する両面研磨装置が用いられている。
この両面研磨装置では、キャリアプレートに複数形成さ
れたウェーハ保持孔の内部にシリコンウェーハを挿入・
保持し、その上方から研磨砥粒を含むスラリーを供給し
ながら、対向面に研磨布が張られた上定盤および下定盤
を各ウェーハの表裏両面に押しあてることで、キャリア
プレートをサンギヤとインターナルギヤとの間で自転・
公転させて、各シリコンウェーハの両面を同時に研磨す
る。2. Description of the Related Art In the conventional production of a double-side polished wafer, a silicon wafer is prepared by slicing a single crystal silicon ingot, and then each step of chamfering, lapping and etching is sequentially performed on the silicon wafer.
Then, double-side polishing for performing mirror finishing on both sides of the wafer is performed. For this double-side polishing, usually, a double-side polishing apparatus having a planetary gear structure in which a sun gear is disposed at a central portion and an internal gear is disposed at an outer peripheral portion is used.
In this double-side polishing machine, a silicon wafer is inserted and inserted into the wafer holding holes formed on the carrier plate.
The carrier plate is interposed between the sun gear and the sun gear by pressing the upper platen and the lower platen, each having a polishing cloth on the opposing surface, against the front and back surfaces of each wafer while supplying slurry containing abrasive grains from above. Rotation with the null gear
Revolving, both sides of each silicon wafer are polished simultaneously.
【０００３】ところで、このような遊星歯車式の両面研
磨装置は、その中央部にサンギヤが存在する。このた
め、例えば次世代のシリコンウェーハとして注目されて
いる３００ｍｍウェーハといった大口径ウェーハを両面
研磨することができる両面研磨装置を製作する場合、こ
のサンギヤの分だけキャリアプレート、ひいては両面研
磨装置全体が大型化してしまうという問題点があった。
例えば、３００ｍｍウェーハでは定盤の直径が３ｍ以上
にもなる。By the way, such a planetary gear type double-side polishing apparatus has a sun gear at the center thereof. For this reason, for example, when manufacturing a double-side polishing apparatus capable of polishing both surfaces of a large-diameter wafer such as a 300-mm wafer that is attracting attention as a next-generation silicon wafer, the carrier plate by the amount of the sun gear and, consequently, the entire double-side polishing apparatus are large. There was a problem that would be.
For example, in the case of a 300 mm wafer, the diameter of the platen is 3 m or more.
【０００４】そこで、これを解消する従来技術として、
例えば、特開平１１−２５４３０２号公報に記載の「両
面研磨装置」が知られている。この両面研磨装置は、シ
リコンウェーハが保持される複数個のウェーハ保持孔を
有するキャリアプレートと、このキャリアプレートの上
下に配置されて、それぞれの対向面に、ウェーハ表裏両
面の光沢度が同じになるように研磨する研磨布が展張さ
れた上定盤および下定盤と、両定盤間に保持されたキャ
リアプレートを、このキャリアプレートの表面と平行な
面内で運動させるキャリア運動手段とを備えている。こ
こでいうキャリアプレートの運動とは、両定盤の間に保
持されたシリコンウェーハが、その対応するウェーハ保
持孔内で旋回するような、キャリアプレートの自転をと
もなわない円運動を意味する。また、ウェーハ両面研磨
中、これらの定盤は垂直な各回転軸を中心にして、互い
に反対方向に回転する。Therefore, as a conventional technique for solving this problem,
For example, a "double-side polishing apparatus" described in JP-A-11-254302 is known. This double-side polishing apparatus is provided with a carrier plate having a plurality of wafer holding holes for holding a silicon wafer, and is disposed above and below the carrier plate. On each opposing surface, the glossiness of the front and rear surfaces of the wafer is the same. An upper surface plate and a lower surface plate on which a polishing cloth to be polished is spread, and carrier movement means for moving a carrier plate held between both surface plates in a plane parallel to the surface of the carrier plate. I have. Here, the movement of the carrier plate means a circular movement without rotation of the carrier plate, such that the silicon wafer held between the both stools rotates in the corresponding wafer holding hole. Also, during double-side polishing of the wafers, these platens rotate in opposite directions about respective vertical rotation axes.
【０００５】したがって、ウェーハ両面研磨時には、キ
ャリアプレートの各ウェーハ保持孔にシリコンウェーハ
を挿入・保持し、研磨砥粒を含むスラリーをシリコンウ
ェーハに供給しながら、しかも上定盤および下定盤を回
転させつつ、キャリアプレートに自転をともなわない円
運動を行わせることで、各シリコンウェーハが同時に両
面研磨される。ここでいう両面研磨装置（以下、無サン
ギヤ式両面研磨装置という場合がある）には、サンギヤ
が組み込まれていない。よって、その分だけ、キャリア
プレート上でのウェーハ保持孔の形成スペースが拡大さ
れる。その結果、大きさが同じ両面研磨装置であって
も、研磨処理ができるウェーハのサイズを大きくするこ
とができる。Therefore, when polishing both surfaces of a wafer, a silicon wafer is inserted and held in each wafer holding hole of the carrier plate, and while the slurry containing abrasive grains is supplied to the silicon wafer, the upper platen and the lower platen are rotated. While making the carrier plate perform circular motion without rotation, each silicon wafer is simultaneously polished on both sides. A sun gear is not incorporated in the double-side polishing apparatus (hereinafter sometimes referred to as a sunless-type double-side polishing apparatus). Therefore, the space for forming the wafer holding holes on the carrier plate is increased by that much. As a result, the size of a wafer that can be polished can be increased even with a double-side polishing apparatus having the same size.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
無サンギヤ式両面研磨装置を用いたシリコンウェーハの
両面研磨方法では、以下の問題点があった。すなわち、
従来装置によるウェーハ両面研磨方法では、日本電色社
の測定器による測定の結果が、シリコンウェーハの表裏
両面ともに、鏡面を示す光沢度３３０％であった。この
ため、例えばウェーハ裏面の光沢度を低下させてその面
を梨地面としたい場合、または、ウェーハ裏面をゲッタ
リング面化しようとウェーハ表面だけに鏡面研磨を施し
たい場合などには、それに対応することができなかっ
た。そこで、従来、一面が鏡面で他面が光沢度の低い梨
地面である片面鏡面ウェーハとしたい場合には、片面研
磨装置を用いた２つの研磨が行われていた。すなわち、
第１が混酸によるエッチドウェーハの表面だけを鏡面化
する方法である。また、第２がアルカリ液によるエッチ
ドウェーハ１００の裏面１００ｂに軽く軽ポリッシュを
施し、その後、ウェーハ表面１００ａだけを鏡面化する
方法である（特開平５−１３７７６３号公報：図９参
照）。However, the conventional double-side polishing method for silicon wafers using the sunless double-side polishing apparatus has the following problems. That is,
In the wafer double-side polishing method using the conventional apparatus, the result of measurement by a measuring device manufactured by Nippon Denshoku Co., Ltd. was that the glossiness of the mirror surface was 330% on both the front and back surfaces of the silicon wafer. For this reason, for example, when it is desired to reduce the glossiness of the back surface of the wafer to make it a matte surface, or when it is desired to perform mirror polishing only on the front surface of the wafer in order to make the back surface of the wafer a gettering surface, it corresponds thereto. I couldn't do that. Therefore, conventionally, when it is desired to use a single-sided mirror-faced wafer in which one surface is a mirror surface and the other surface is a matte surface having a low gloss level, two types of polishing using a single-side polishing apparatus have been performed. That is,
The first is a method in which only the surface of the etched wafer is mirror-finished by the mixed acid. The second is a method in which the back surface 100b of the etched wafer 100 is lightly polished with an alkaline solution, and thereafter, only the wafer surface 100a is mirror-finished (see Japanese Patent Laid-Open No. 5-137773: FIG. 9).
【０００７】ところで、ウェーハ裏面の光沢度を同じ６
０％に調整したとき、エッチングで梨地面に現出された
ピットの幅は、第１の方法が５〜２０μｍと小さくな
る。このようにピットの幅が小さくなると、ウェーハ裏
面に微細なごみが付着しやすくなる。また、第２の方法
の軽ポリッシュによると、アルカリエッチングで発生し
たウェーハ裏面１００ｂの凹凸のうちの隆起した部分
は、ほぼ全部が一括して高さ方向の中間付近でポリッシ
ュされる。このため、各ピット間に平坦な部分１００ｃ
が現出されてしまう。その結果、隣接するピット同士が
不連続となり、後のデバイス工程などでウェーハを吸着
保持する静電チャックからのウェーハ１００の離脱がス
ムーズに行えないという問題があった。By the way, the glossiness of the back surface of the wafer is the same 6
When adjusted to 0%, the width of the pits exposed on the matte surface by etching becomes as small as 5 to 20 μm in the first method. As described above, when the width of the pits is small, fine dust easily adheres to the back surface of the wafer. Further, according to the light polishing in the second method, almost all of the raised portions of the irregularities on the wafer back surface 100b generated by the alkali etching are polished in the vicinity of the middle in the height direction. Therefore, a flat portion 100c is provided between each pit.
Appears. As a result, adjacent pits become discontinuous, and there has been a problem that the wafer 100 cannot be smoothly detached from the electrostatic chuck that sucks and holds the wafer in a subsequent device process or the like.
【０００８】[0008]
【発明の目的】そこで、この発明は、ウェーハ裏面が、
ウェーハ表面に対して識別可能かつ高光沢度で、さらに
ピット間には平坦部が存在しない片面鏡面ウェーハを提
供することを、その目的としている。また、この発明
は、良品率の高い片面鏡面ウェーハを効率良く作製する
ことができる片面鏡面ウェーハを提供することを、その
目的としている。さらに、この発明は、無サンギヤ式両
面研磨装置を用いて、簡単にウェーハ裏面を高光沢度の
梨地面にすることができる片面鏡面ウェーハを提供する
ことを、その目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention provides a wafer
It is an object of the present invention to provide a single-sided mirror surface wafer that can be identified with respect to the wafer surface, has high gloss, and has no flat portion between pits. Another object of the present invention is to provide a single-sided mirror-faced wafer capable of efficiently producing a single-sided mirror-faced wafer having a high yield rate. A further object of the present invention is to provide a single-sided mirror-surfaced wafer that can easily make the back surface of the wafer into a high-gloss matte surface using a sun-gearless double-side polishing apparatus.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、一面が鏡面で、他面が複数のピットを有する片面鏡
面ウェーハであって、上記他面の光沢度は、一面の光沢
度の６０〜９５％で、そのピットの幅は１０〜５０μｍ
で、これらのピット間には平坦な部分が存在せずにピッ
ト同士が連続している片面鏡面ウェーハである。ここで
いう半導体ウェーハには、シリコンウェーハなどがあ
る。この半導体ウェーハの大きさも限定されない。例え
ば、３００ｍｍウェーハなどの大口径ウェーハでもよ
い。According to a first aspect of the present invention, there is provided a single-sided mirror-finished wafer having one surface having a mirror surface and the other surface having a plurality of pits, wherein the other surface has a glossiness of one surface. Pit width is 10 to 50 μm
In this case, there is no flat portion between the pits, and the pits are continuous and the pits are continuous. The semiconductor wafer mentioned here includes a silicon wafer and the like. The size of the semiconductor wafer is not limited. For example, a large diameter wafer such as a 300 mm wafer may be used.
【００１０】この他面の光沢度が鏡面の６０〜９５％と
いうことを具体例を挙げて説明する。例えばこの光沢度
の測定は公知の測定器（例えば日本電色社製測定器）を
用いて行うことができる。この測定器による測定の場
合、一面（鏡面）の光沢度は３３０％である。したがっ
て、他面の光沢度は約２００〜３１０％となる。６０％
未満ではウェーハ表裏面を同時研磨する際に、ウェーハ
表面（鏡面）の光沢度が低下してしまって鏡面でなくな
る（図７（ａ）のグラフ参照）。また、９５％を超える
とウェーハ裏面がほとんど鏡面化して、ウェーハ表裏面
の識別度が低下する（図７（ｂ）のグラフ参照）。The fact that the glossiness of the other surface is 60 to 95% of the mirror surface will be described with reference to specific examples. For example, the glossiness can be measured using a known measuring device (for example, a measuring device manufactured by Nippon Denshoku Co., Ltd.). In the case of measurement by this measuring instrument, the glossiness of one surface (mirror surface) is 330%. Therefore, the glossiness of the other surface is about 200 to 310%. 60%
If it is less than the above, when the front and back surfaces of the wafer are simultaneously polished, the glossiness of the front surface (mirror surface) of the wafer decreases, and the wafer becomes not a mirror surface (see the graph of FIG. 7A). On the other hand, if it exceeds 95%, the rear surface of the wafer is almost mirror-finished, and the degree of discrimination between the front and rear surfaces of the wafer decreases (see the graph of FIG. 7B).
【００１１】上記ピットの幅が１０μｍ未満ではウェー
ハ裏面に微細なごみが付着しやすい（図８（ａ）のグラ
フ参照）。また、これが５０μｍを超えると、ウェーハ
の表面粗さが大きくなる（図８（ｂ）のグラフ参照）。
また、「ピット間に平坦な部分が存在しない」とは、上
記アルカリエッチング後の軽ポリッシュにより現出され
た面とは異なり、アルカリエッチングによる面での凹凸
のうち、隆起部の先部がカットされていない状態であ
る。これらの事項は、請求項３にも該当する。この片面
鏡面ウェーハの製造方法としては、例えば請求項３の無
サンギヤ式両面研磨装置を用いた方法などが挙げられ
る。ただし、これには限定されない。If the width of the pit is less than 10 μm, fine dust easily adheres to the back surface of the wafer (see the graph of FIG. 8A). On the other hand, if it exceeds 50 μm, the surface roughness of the wafer becomes large (see the graph of FIG. 8B).
In addition, "there is no flat portion between pits" is different from the surface exposed by the above-mentioned light polishing after alkali etching. It has not been done. These matters also correspond to claim 3. As a method of manufacturing the single-sided mirror-surfaced wafer, for example, a method using a sun-gearless double-side polishing apparatus of claim 3 can be mentioned. However, it is not limited to this.
【００１２】また、請求項２に記載の発明は、上記他面
の少なくともウェーハ半径の２分の１よりウェーハ中心
側の領域において、上記光沢度６０〜９５％、上記ピッ
トの幅１０〜５０μｍ、これらのピット間に平坦な部分
が存在しないという条件を満たしている請求項１に記載
の片面鏡面ウェーハである。According to a second aspect of the present invention, the glossiness is 60 to 95%, the pit width is 10 to 50 μm, and the other surface is at least half the radius of the wafer and closer to the center of the wafer. 2. The single-sided mirror surface wafer according to claim 1, which satisfies a condition that a flat portion does not exist between these pits.
【００１３】さらに、請求項３に記載の発明は、キャリ
アプレートに形成されたウェーハ保持孔内に半導体ウェ
ーハを保持し、アルカリ液中に研磨砥粒が混入されたス
ラリーを半導体ウェーハに供給しながら、それぞれ研磨
布が展張された上定盤および下定盤の間で、上記キャリ
アプレートの表面と平行な面内でこのキャリアプレート
を運動させて、上記半導体ウェーハの表裏両面を同時に
研磨することができる両面研磨装置によって作製された
片面鏡面ウェーハであって、上記上定盤の研磨布および
下定盤の研磨布のうちの一方に、残りの他方とは研磨時
における半導体ウェーハの沈み込み量が異なる研磨布を
用い、上記スラリーとして、ｐＨ１０〜１１．４のアル
カリ液を使用して両面研磨を行うことで、上記他面の光
沢度を、一面の光沢度の６０〜９５％とし、そのピット
の幅を１０〜５０μｍとし、これらのピット間には平坦
な部分が存在せずにピット同士が連続している片面鏡面
ウェーハである。Further, according to a third aspect of the present invention, a semiconductor wafer is held in a wafer holding hole formed in a carrier plate, and a slurry in which abrasive grains are mixed in an alkaline solution is supplied to the semiconductor wafer. By moving the carrier plate in a plane parallel to the surface of the carrier plate between the upper platen and the lower platen on which the polishing cloths are respectively spread, the front and back surfaces of the semiconductor wafer can be simultaneously polished. A single-sided mirror-polished wafer produced by a double-side polishing apparatus, wherein one of the polishing cloth of the upper surface plate and the polishing cloth of the lower surface plate has a different sinking amount of the semiconductor wafer from the other during polishing. By polishing both surfaces using a cloth and an alkaline solution having a pH of 10 to 11.4 as the slurry, the glossiness of the other surface can be reduced by the light of one surface. And 60% to 95% of the time, the width of the pit and 10 to 50 [mu] m, between these pits is one side polished wafers pits each other in the absence of a flat portion are continuous.
【００１４】両面研磨装置は、サンギヤが組み込まれて
おらず、上定盤および下定盤の間でキャリアプレートを
運動させることで半導体ウェーハの表裏両面を同時に研
磨する無サンギヤ式両面研磨装置であれば、限定されな
い。キャリアプレートに形成されるウェーハ保持孔の個
数は、１個（枚葉式）でも複数個でもよい。ウェーハ保
持孔の大きさは、研磨される半導体ウェーハの大きさに
より、任意に変更される。The double-side polishing apparatus is a non-sun gear type double-side polishing apparatus which does not incorporate a sun gear and simultaneously polishes both front and back surfaces of a semiconductor wafer by moving a carrier plate between an upper surface plate and a lower surface plate. , But not limited to. The number of wafer holding holes formed in the carrier plate may be one (single wafer type) or a plurality. The size of the wafer holding hole is arbitrarily changed depending on the size of the semiconductor wafer to be polished.
【００１５】キャリアプレートの運動は、キャリアプレ
ートの表面（または裏面）と平行な面内での運動であれ
ば良く、運動の方向などは限定されない。例えば、上定
盤および下定盤の間で保持された半導体ウェーハがウェ
ーハ保持孔の内部で旋回するキャリアプレートの自転を
ともなわない円運動でもよい。なお、自転をともなわな
い円運動とは、キャリアプレートが上定盤および下定盤
の軸線から所定距離だけ偏心した状態を常に保持して旋
回するような円運動である。この円運動によって、キャ
リアプレート上の全ての点は、同じ大きさの小円の軌跡
を描くことになる。その他、キャリアプレートの中心線
を中心とした円運動、偏心位置での円運動、直線運動な
どでもよい。なお、この直線運動の場合には、上定盤お
よび下定盤をそれぞれの軸線を中心に回転させる方が、
ウェーハ表裏両面を均一に研磨することができる。The movement of the carrier plate may be any movement within a plane parallel to the front surface (or the back surface) of the carrier plate, and the direction of the movement is not limited. For example, the semiconductor wafer held between the upper stool and the lower stool may have a circular motion without rotation of the carrier plate that rotates inside the wafer holding hole. The circular motion without rotation is a circular motion in which the carrier plate rotates while always maintaining a state of being eccentric by a predetermined distance from the axis of the upper surface plate and the lower surface plate. Due to this circular motion, all points on the carrier plate draw a locus of small circles of the same size. In addition, a circular motion around the center line of the carrier plate, a circular motion at an eccentric position, a linear motion, or the like may be used. In addition, in the case of this linear motion, it is better to rotate the upper surface plate and the lower surface plate around their respective axes,
Both the front and back surfaces of the wafer can be uniformly polished.
【００１６】使用するスラリーの種類は、ｐＨが１０〜
１１．４の低いアルカリ性を有するアルカリ液に研磨砥
粒が分散されたものであれば限定されない。研磨砥粒の
平均粒径は、通常０．１〜０．０２μｍ程度である。ｐ
Ｈ１０未満では研磨レートが低い。ｐＨ１１．４を超え
ると研磨剤の凝集が生じるという不都合が生じる。スラ
リーの供給量はキャリアプレートの大きさにより異な
り、限定されない。通常は、１．０〜２．０リットル／
分である。スラリーの半導体ウェーハへの供給は、例え
ば、半導体ウェーハの鏡面とは反対側の上定盤側から行
うことができる。この場合、ウェーハの鏡面側の面は下
定盤により研磨される。[0016] The kind of slurry to be used has a pH of 10 to 10.
There is no limitation as long as the abrasive grains are dispersed in an alkaline liquid having a low alkalinity of 11.4. The average particle size of the abrasive grains is usually about 0.1 to 0.02 μm. p
If it is less than H10, the polishing rate is low. When the pH exceeds 11.4, there is a disadvantage that the abrasives are aggregated. The supply amount of the slurry varies depending on the size of the carrier plate and is not limited. Usually, 1.0-2.0 liters /
Minutes. The supply of the slurry to the semiconductor wafer can be performed, for example, from the upper surface plate side opposite to the mirror surface of the semiconductor wafer. In this case, the mirror surface of the wafer is polished by the lower platen.
【００１７】上定盤および下定盤の回転速度は限定され
ない。例えば、同じ速度で回転させてもよいし、異なる
速度で回転させてもよい。また、各回転方向も限定され
ない。すなわち、同じ方向に回転させてもよいし、互い
に反対方向へ回転させてもよい。ただし、必ずしも上定
盤および下定盤を同時に回転させなくてもよい。それ
は、この発明が、半導体ウェーハの表裏両面に上定盤お
よび下定盤の各研磨布を押し付けた状態でキャリアプレ
ートを運動させる構成を採用しているためである。上定
盤および下定盤の半導体ウェーハに対しての押圧力は限
定されない。ただし、通常は１５０〜２５０ｇ／ｃｍ２
である。また、ウェーハ表裏両面の研磨量および研磨速
度も限定されない。このウェーハ表面とウェーハ裏面と
の研磨速度の違いは、ウェーハ表裏両面の光沢度に大き
な影響を及ぼす。The rotation speeds of the upper stool and the lower stool are not limited. For example, they may be rotated at the same speed or at different speeds. Further, each rotation direction is not limited. That is, they may be rotated in the same direction or in opposite directions. However, it is not always necessary to rotate the upper platen and the lower platen simultaneously. This is because the present invention employs a configuration in which the carrier plate is moved while the respective polishing cloths of the upper surface plate and the lower surface plate are pressed against the front and back surfaces of the semiconductor wafer. The pressing force of the upper surface plate and the lower surface plate on the semiconductor wafer is not limited. However, usually 150 to 250 g / cm 2
It is. Also, the polishing amount and polishing rate on both the front and back surfaces of the wafer are not limited. This difference in polishing rate between the wafer front surface and the wafer back surface has a significant effect on the glossiness of both the front and back surfaces of the wafer.
【００１８】これらの上定盤および下定盤に展張される
研磨布の種類および材質は限定されない。例えば、硬質
発泡ウレタンフォームパッド、不織布にウレタン樹脂を
含浸・硬化させた不織布パッドが挙げられる。その他、
不織布からなる基布の上にウレタン樹脂を発泡させたパ
ッドなども挙げられる。ここでは、上定盤用の研磨布、
下定盤用の研磨布として、ウェーハ研磨時において、半
導体ウェーハの沈み込み量が異なるものが採用されてい
る。なお、沈み込みの量は限定されない。The type and material of the polishing cloth spread on the upper and lower stools are not limited. For example, a hard foamed urethane foam pad and a nonwoven fabric pad in which a nonwoven fabric is impregnated and cured with a urethane resin are exemplified. Others
A pad obtained by foaming a urethane resin on a base cloth made of a non-woven fabric may also be used. Here, polishing cloth for the upper surface plate,
As a polishing cloth for the lower surface plate, a polishing cloth having a different sinking amount of a semiconductor wafer during wafer polishing is employed. The amount of subduction is not limited.
【００１９】この半導体ウェーハの沈み込み量を異なら
せる方法は限定されない。例えば、硬度が異なる材質の
研磨布、密度が異なる材質の研磨布、圧縮率がちがう材
質の研磨布、または、圧縮弾性率がちがう材質の研磨布
などを採用することができる。このように硬度、密度、
圧縮率または圧縮弾性率が異なる研磨布を使用して、ウ
ェーハ表裏両面を研磨すれば、半導体ウェーハの表裏両
面が別々の光沢度に研磨される。また、この他、このよ
うに半導体ウェーハの沈み込み量を異ならせる方法とし
ては、例えば同じ材質の研磨布において、硬度、密度、
圧縮率、圧縮弾性率を異ならせるようにしてもよい。The method of making the amount of sink of the semiconductor wafer different is not limited. For example, a polishing cloth made of a material having a different hardness, a polishing cloth made of a material having a different density, a polishing cloth made of a material having a different compression ratio, a polishing cloth made of a material having a different compression modulus, or the like can be used. Thus hardness, density,
If the front and back surfaces of the wafer are polished using polishing cloths having different compression ratios or compression elasticities, the front and back surfaces of the semiconductor wafer are polished to different gloss levels. In addition, as a method of differentiating the sinking amount of the semiconductor wafer in this way, for example, in a polishing cloth of the same material, hardness, density,
The compression ratio and the compression elastic modulus may be different.
【００２０】[0020]
【作用】この発明に係る片面鏡面ウェーハによれば、他
面の光沢度が、鏡面である一面の６０〜９５％で、その
ピットの幅が１０〜５０μｍと従来より大きく、そして
このピット間に、従来の裏面軽ポリッシュウェーハのと
きのような平坦な部分が存在せず、隣接するピット同士
が連続している。このため、例えばウェーハ裏面が、ウ
ェーハ表面との間での識別力を保持したまま高光沢度と
なる。その結果、片面鏡面ウェーハの平坦度が高まり、
その裏面にごみが付着しにくい。また、ピット間には平
坦部が存在していないので、ウェーハを吸着保持する静
電チャックからのウェーハの離脱が容易となる。According to the single-sided mirror surface wafer of the present invention, the glossiness of the other side is 60 to 95% of that of the mirrored surface, the width of the pit is 10 to 50 μm, which is larger than before, and the gap between the pits is large. However, there is no flat portion as in the case of the conventional backside polished wafer, and adjacent pits are continuous. For this reason, for example, the back surface of the wafer has a high gloss while maintaining the discriminating power between the wafer and the front surface. As a result, the flatness of the single-sided mirror surface wafer increases,
Garbage does not easily adhere to the back surface. Further, since there is no flat portion between the pits, the wafer can be easily detached from the electrostatic chuck that holds the wafer by suction.
【００２１】特に、請求項２に記載の片面鏡面ウェーハ
によれば、上記他面の少なくともウェーハ半径の２分の
１よりウェーハ中心側の領域を、このような請求項１に
記載されたそれぞれの条件を満たすウェーハ領域とした
ので、請求項１の効果を有し、かつ良品率の高い片面鏡
面ウェーハを効率良く作製することができる。In particular, according to the single-sided mirror-surfaced wafer according to the second aspect, the area of the other surface closer to the center of the wafer than at least a half of the wafer radius is adjusted to each of the above-mentioned respective areas according to the first aspect. Since the wafer region satisfies the conditions, it is possible to efficiently produce a single-sided mirror surface wafer having the effects of claim 1 and having a high yield rate.
【００２２】また、請求項３に記載の片面鏡面ウェーハ
によれば、スラリーを供給しながら、上定盤および下定
盤の間で、キャリアプレートをそのプレートの表面と平
行な面内で運動させる。これにより、ウェーハの両面が
研磨布により研磨される。その際、両定盤に展張された
研磨布の一方を、他方の研磨布とはウェーハ研磨時にお
ける半導体ウェーハの沈み込み量が異なるものとし、ス
ラリーのアルカリ液のｐＨをｐＨ１０〜１１．４とした
ので、無サンギヤ式両面研磨装置を使って、簡単にウェ
ーハ表面を鏡面とし、ウェーハ裏面を高光沢度の梨地面
にすることができる。According to the third aspect of the present invention, the carrier plate is moved between the upper platen and the lower platen in a plane parallel to the surface of the plate while supplying the slurry. Thereby, both surfaces of the wafer are polished by the polishing cloth. At this time, one of the polishing cloths spread on both platens is different from the other polishing cloth in the amount of sinking of the semiconductor wafer during wafer polishing, and the pH of the alkaline solution of the slurry is adjusted to pH 10 to 11.4. As a result, the front surface of the wafer can be easily made a mirror surface and the back surface of the wafer can be made to have a high-gloss matte surface using a sun-gearless double-side polishing apparatus.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。図１はこの発明の一実施例に係る片
面鏡面ウェーハの要部拡大断面図である。図１におい
て、Ｗはシリコンウェーハ（片面鏡面ウェーハ）であ
り、このシリコンウェーハＷは、ウェーハ表面Ｗａが鏡
面で、ウェーハ裏面Ｗｂが凹凸の小さいアルカリエッチ
されたと同様な面（梨地面）となった直径２００ｍｍ、
厚さ７３０μｍのものである。このシリコンウェーハＷ
の裏面Ｗｂの光沢度は、鏡面を１００％とした場合の６
０％、具体的には日本電色社製測定器を用いた光沢度測
定で２００％となっている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an enlarged sectional view of a main part of a single-sided mirror-surface wafer according to one embodiment of the present invention. In FIG. 1, W is a silicon wafer (single-sided mirror surface wafer), and the silicon wafer W has a mirror surface on the wafer surface Wa and a surface (pear surface) similar to the surface of the wafer back surface Wb which has been subjected to alkali etching with small unevenness. 200mm in diameter,
It has a thickness of 730 μm. This silicon wafer W
The glossiness of the back surface Wb is 6 when the mirror surface is 100%.
It is 0%, specifically, 200% in glossiness measurement using a measuring device manufactured by Nippon Denshoku Co., Ltd.
【００２４】しかも、ウェーハ裏面Ｗｂに現出されたピ
ットは、そのピット幅ｄが２０μｍであり、そのピット
深さｔが０．５μｍとなっている。なお、これらのウェ
ーハ裏面Ｗｂの光沢度やピットに関する条件は、ウェー
ハ中心側から半径の１０分の９の領域で満たされてい
る。このように、ウェーハ裏面Ｗｂはアルカリエッチ面
と同様な面であるため、例えば図９に示した従来のシリ
コンウェーハ１００の場合（アルカリエッチング後の軽
ポリッシュ面）のように、ピット間に平坦な部分１００
ｃが存在しない。したがって、隣接するピット同士は連
続している。ちなみに、上記従来ウェーハ１００のピッ
ト幅ｄ１は１００μｍと広い。また、従来のウェーハ１
００のピット深さｔ１は１μｍであって比較的深い。Moreover, the pits appearing on the back surface Wb of the wafer have a pit width d of 20 μm and a pit depth t of 0.5 μm. Note that these conditions regarding the glossiness and the pits on the back surface Wb of the wafer are satisfied in an area of 9/10 of the radius from the center of the wafer. As described above, since the wafer back surface Wb is a surface similar to the alkali-etched surface, for example, as in the case of the conventional silicon wafer 100 (lightly polished surface after alkali etching) shown in FIG. Part 100
c does not exist. Therefore, adjacent pits are continuous. Incidentally, the pit width d1 of the conventional wafer 100 is as large as 100 μm. Conventional wafer 1
The pit depth t1 of 00 is 1 μm, which is relatively deep.
【００２５】このように、アルカリエッチ面と同様の面
の光沢度を鏡面（１００％）の６０％、この面のピット
幅を２０μｍ、ピット間に平坦部分が存在しないように
したので、ウェーハ裏面Ｗｂをウェーハ表面Ｗａとの識
別力を保持したまま高光沢度に形成することができる。
その結果、ウェーハＷの平坦度が高まり、他面Ｗｂにご
みが付着しにくくなったり、例えばデバイス作製工程な
どにおいて、ピット間に平坦な部分１００ｃを有する従
来品にくらべて、静電チャックからのウェーハＷの離脱
が容易になる。As described above, the glossiness of the surface similar to the alkali-etched surface is 60% of the mirror surface (100%), the pit width of this surface is 20 μm, and no flat portion exists between the pits. Wb can be formed with high gloss while maintaining the discriminating power from the wafer surface Wa.
As a result, the flatness of the wafer W is increased, and dust is less likely to adhere to the other surface Wb. For example, in a device manufacturing process or the like, compared with a conventional product having a flat portion 100c between pits, the distance from the electrostatic chuck is reduced. The detachment of the wafer W becomes easy.
【００２６】また、このシリコンウェーハＷは、その裏
面Ｗｂの少なくともウェーハ中心からウェーハ半径の１
０分の９離れた円周よりウェーハ中心側の領域が、上記
光沢度およびピットの条件を満たす部分となっている。
これにより、両面研磨によりダレやすいウェーハ外周部
がこれらの条件領域が除かれ、片面鏡面ウェーハＷを不
良品が少なくかつ効率良く作製することができる。The silicon wafer W has a wafer radius of at least 1 from the center of the rear surface Wb of the wafer.
A region on the center side of the wafer with respect to the circumference separated by 9/0 is a portion that satisfies the conditions of the glossiness and the pits.
As a result, these condition regions are removed from the outer peripheral portion of the wafer that is easily sagged by double-side polishing, and the single-sided mirror-surfaced wafer W can be efficiently manufactured with few defective products.
【００２７】次に、図２〜図７に基づいて、このような
片面鏡面ウェーハＷの製造装置を説明する。図２におい
て、１０は一実施例に係る一面が鏡面で他面が梨地面の
片面鏡面ウェーハを作製可能な両面研磨装置（以下、両
面研磨装置という）である。この両面研磨装置１０は、
５個のウェーハ保持孔１１ａがプレート軸線回りに（円
周方向に）７２度ごとに穿設された平面視して円板形状
のガラスエポキシ製のキャリアプレート１１と、それぞ
れのウェーハ保持孔１１ａに旋回自在に挿入・保持され
たシリコンウェーハＷを、上下から挟み込むとともに、
シリコンウェーハＷに対して相対的に移動させることで
ウェーハ面を研磨する上定盤１２および下定盤１３とを
備えている。シリコンウェーハＷは、その片面がシリコ
ン酸化膜により覆われたものを採用してもよい。また、
キャリアプレート１１の厚さ（６００μｍ）は、シリコ
ンウェーハＷの厚さ（７３０μｍ）よりも若干薄くなっ
ている。Next, an apparatus for manufacturing such a single-sided mirror surface wafer W will be described with reference to FIGS. In FIG. 2, reference numeral 10 denotes a double-side polishing apparatus (hereinafter, referred to as a double-side polishing apparatus) capable of producing a single-sided mirror-polished wafer having one mirror surface and the other side having a matte surface according to one embodiment. This double-side polishing apparatus 10
Five wafer holding holes 11a are drilled every 72 degrees around the plate axis (in the circumferential direction). The carrier plate 11 is made of glass epoxy and has a disk shape in a plan view. While holding the silicon wafer W inserted and held in a freely rotatable manner from above and below,
An upper surface plate 12 and a lower surface plate 13 are provided for polishing the wafer surface by moving the wafer surface relative to the silicon wafer W. As the silicon wafer W, one having one surface covered with a silicon oxide film may be employed. Also,
The thickness (600 μm) of the carrier plate 11 is slightly smaller than the thickness (730 μm) of the silicon wafer W.
【００２８】上定盤１２の下面には、ウェーハ裏面Ｗｂ
を梨地面に研磨する硬質の発泡ウレタンフォームパッド
１４が展張されている。また、下定盤１３の上面には、
ウェーハ表面Ｗａを鏡面化させる不織布にウレタン樹脂
を含浸・硬化させた軟質の不織布パッド１５が展張され
ている。硬質発泡ウレタンフォームパッド１４（ロデー
ル社製ＭＨＳ１５Ａ）の硬度は８５゜（Ａｓｋｅｒ）、
密度は０．５３ｇ／ｃｍ３ 、圧縮率は３．０％、その
厚さは１０００μｍである。一方、軟質不織布パッド１
５（ロデール社製Ｓｕｂａ６００）の硬度は８０゜（Ａ
ｓｋｅｒ）、圧縮率は３．５％、圧縮弾性率は７５．０
％であって、厚さは１２７０μｍとなっている。このよ
うに、上定盤１２側の硬質発泡ウレタンフォームパッド
１４の方が硬いので、所定の研磨圧でのウェーハ両面研
磨時に、シリコンウェーハＷがパッドの内部に沈み込み
にくく、反対に軟質不織布パッド１５の方が軟らかいの
で、ウェーハ両面研磨時に、シリコンウェーハＷがパッ
ドの内側に向かって沈み込みやすい。On the lower surface of the upper platen 12, a wafer back surface Wb
A hard urethane foam pad 14 is laid on the surface of the pear to polish it. Also, on the upper surface of the lower platen 13,
A soft nonwoven fabric pad 15 is formed by impregnating and hardening a urethane resin into a nonwoven fabric for mirror-finishing the wafer surface Wa. The hardness of the rigid urethane foam pad 14 (Rodel MHS15A) is 85 mm (Asker),
The density is 0.53 g / cm 3 , the compressibility is 3.0%, and the thickness is 1000 μm. On the other hand, the soft non-woven fabric pad 1
5 (Rodale Suba600) has a hardness of 80 ° (A
Sker), the compression ratio is 3.5%, and the compression modulus is 75.0.
% And the thickness is 1270 μm. As described above, the hard foamed urethane foam pad 14 on the upper platen 12 side is harder, so that the silicon wafer W hardly sinks into the inside of the pad at the time of double-side polishing of the wafer at a predetermined polishing pressure. 15 is softer, so that the silicon wafer W easily sinks toward the inside of the pad during double-side polishing of the wafer.
【００２９】なお、これらの硬質発泡ウレタンフォーム
パッド１４と軟質不織布パッド１５との密度、圧縮率お
よび圧縮弾性率の各関係においても、同じように硬質発
泡ウレタンフォームパッド１４の方が、高密度で、高圧
縮率、低圧縮弾性率であって、いずれもシリコンウェー
ハＷがパッドの内部に沈み込みやすい条件となってい
る。このことは、図４を参照しても明らかである。すな
わち、硬質発泡ウレタンフォームパッド１４側の沈み込
み量ｄ１に比べて、軟質不織布パッド１５の沈み込み量
ｄ２の方が大きくなっている。なお、両パッド１４，１
５に関して、研磨砥粒を含むスラリーの保持力について
言及すると、当然、軟らかい軟質不織布パッド１５の方
が、硬い硬質発泡ウレタンフォームパッド１４と比較し
てスラリーの保持力は大きくなる。スラリーの保持力が
大きいほど、研磨砥粒がパッド面に多量に付着して、研
磨速度ははやくなる。The rigid urethane foam pad 14 also has a higher density in relation to the density, compression ratio, and compression modulus of the rigid urethane foam pad 14 and the soft nonwoven fabric pad 15. , High compression ratio, and low compression elasticity, all of which are conditions under which the silicon wafer W easily sinks into the inside of the pad. This is also apparent with reference to FIG. That is, the sink amount d2 of the soft nonwoven fabric pad 15 is larger than the sink amount d1 of the hard urethane foam pad 14 side. Note that both pads 14, 1
Referring to 5, regarding the holding power of the slurry containing the abrasive grains, the soft, soft non-woven fabric pad 15 naturally has a higher holding power of the slurry than the hard, hard urethane foam pad 14. As the holding power of the slurry is larger, a larger amount of abrasive grains adhere to the pad surface, and the polishing speed is faster.
【００３０】図２および図３に示すように、上定盤１２
は、上方に延びた回転軸１２ａを介して、上側回転モー
タ１６により水平面内で回転される。また、この上定盤
１２は軸線方向へ進退させる昇降装置１８により垂直方
向に昇降させられる。この昇降装置１８は、シリコンウ
ェーハＷをキャリアプレート１１に給排する際などに使
用される。なお、上定盤１２および下定盤１３のシリコ
ンウェーハＷの表裏両面に対する押圧は、上定盤１２お
よび下定盤１３に組み込まれた図示しないエアバック方
式などの加圧手段により行われる。下定盤１３は、その
出力軸１７ａを介して、下側回転モータ１７により水平
面内で回転する。このキャリアプレート１１は、そのプ
レート１１自体が自転しないように、キャリア円運動機
構１９によって、そのプレート１１の面と平行な面（水
平面）内で円運動する。次に、図２，図３，図５，図６
および図７を参照して、このキャリア円運動機構１９を
詳細に説明する。As shown in FIGS. 2 and 3, the upper platen 12
Is rotated in a horizontal plane by an upper rotation motor 16 via a rotation shaft 12a extending upward. The upper platen 12 is vertically moved up and down by an elevating device 18 that moves back and forth in the axial direction. The elevating device 18 is used when the silicon wafer W is supplied to and discharged from the carrier plate 11. The upper surface plate 12 and the lower surface plate 13 are pressed against both front and back surfaces of the silicon wafer W by a pressing means (not shown) built in the upper surface plate 12 and the lower surface plate 13 such as an air bag system. The lower surface plate 13 is rotated in a horizontal plane by a lower rotation motor 17 via an output shaft 17a. The carrier plate 11 makes a circular motion in a plane (horizontal plane) parallel to the surface of the plate 11 by the carrier circular motion mechanism 19 so that the plate 11 itself does not rotate. Next, FIG. 2, FIG. 3, FIG. 5, FIG.
The carrier circular motion mechanism 19 will be described in detail with reference to FIG.
【００３１】これらの図に示すように、キャリア円運動
機構１９は、キャリアプレート１１を外方から保持する
環状のキャリアホルダ２０を有している。これらの部材
１１，２０は、連結構造体２１を介して連結されてい
る。ここでいう連結構造体２１とは、キャリアプレート
１１を、そのキャリアプレート１１が自転せず、しかも
このプレート１１の熱膨張時の伸びを吸収できるように
キャリアホルダ２０に連結させる手段である。すなわ
ち、この連結構造体２１は、キャリアホルダ２０の内周
フランジ２０ａに、ホルダ周方向へ所定角度ごとに突設
された多数本のピン２３と、各対応するピン２３を、キ
ャリアプレート１１の外周部に各ピン２３と対応する位
置に対応する数だけ穿設された長孔形状のピン孔１１ｂ
とを有している。As shown in these figures, the carrier circular motion mechanism 19 has an annular carrier holder 20 for holding the carrier plate 11 from outside. These members 11 and 20 are connected via a connecting structure 21. The connecting structure 21 is means for connecting the carrier plate 11 to the carrier holder 20 so that the carrier plate 11 does not rotate and can absorb the expansion of the plate 11 during thermal expansion. That is, the connecting structure 21 is formed by connecting a plurality of pins 23 projecting from the inner peripheral flange 20 a of the carrier holder 20 at predetermined angles in the holder circumferential direction and the corresponding pins 23 to the outer periphery of the carrier plate 11. Slot-shaped pin holes 11b drilled in the portion by the number corresponding to the position corresponding to each pin 23
And
【００３２】これらのピン孔１１ｂは、ピン２３を介し
てキャリアホルダ２０に連結されたキャリアプレート１
１が、その半径方向へ若干移動できるように、その孔の
長さ方向をプレート半径方向と合致させている。それぞ
れのピン孔１１ｂにピン２３を遊挿させてキャリアプレ
ート１１をキャリアホルダ２０に装着することで、両面
研磨時のキャリアプレート１１の熱膨張による伸びが吸
収される。なお、各ピン２３の元部は、この部分の外周
面に刻設された外ねじを介して、上記内周フランジ２０
ａに形成されたねじ孔にねじ込まれている。また、各ピ
ン２３の元部の外ねじの直上部には、キャリアプレート
１１が載置されるフランジ２３ａが周設されている。し
たがって、ピン２３のねじ込み量を調整することで、フ
ランジ２３ａに載置されたキャリアプレート１１の高さ
位置が調整可能となる。The pin holes 11b are provided in the carrier plate 1 connected to the carrier holder 20 through the pins 23.
1 aligns the length of the hole with the plate radial so that it can move slightly in the radial direction. By mounting the carrier plate 11 on the carrier holder 20 with the pins 23 loosely inserted into the respective pin holes 11b, the expansion due to the thermal expansion of the carrier plate 11 during double-side polishing is absorbed. The base of each pin 23 is connected to the inner peripheral flange 20 via an external screw carved on the outer peripheral surface of this part.
It is screwed into the screw hole formed in a. A flange 23a on which the carrier plate 11 is placed is provided directly above the outer screw at the base of each pin 23. Therefore, by adjusting the screwing amount of the pin 23, the height position of the carrier plate 11 placed on the flange 23a can be adjusted.
【００３３】このキャリアホルダ２０の外周部には、９
０度ごとに外方へ突出した４個の軸受部２０ｂが配設さ
れている。各軸受部２０ｂには、小径円板形状の偏心ア
ーム２４の上面の偏心位置に突設された偏心軸２４ａが
挿着されている。また、これら４個の偏心アーム２４の
各下面の中心部には、回転軸２４ｂが垂設されている。
これらの回転軸２４ｂは、環状の装置基体２５に９０度
ごとに合計４個配設された軸受部２５ａに、それぞれ先
端部を下方へ突出させた状態で挿着されている。各回転
軸２４ｂの下方に突出した先端部には、それぞれスプロ
ケット２６が固着されている。そして、各スプロケット
２６には、一連にタイミングチェーン２７が水平状態で
架け渡されている。なお、このタイミングチェーン２７
をギヤ構造の動力伝達系に変更してもよい。これらの４
個のスプロケット２６とタイミングチェーン２７とは、
４個の偏心アーム２４が同期して円運動を行うように、
４本の回転軸２４ｂを同時に回転させる同期手段を構成
している。The outer periphery of the carrier holder 20 has 9
Four bearing portions 20b projecting outward at every 0 degree are provided. An eccentric shaft 24a projecting from the eccentric position on the upper surface of the small-diameter disk-shaped eccentric arm 24 is inserted into each bearing portion 20b. At the center of each lower surface of the four eccentric arms 24, a rotating shaft 24b is vertically provided.
These rotary shafts 24b are inserted into a ring-shaped device base 25 with a total of four bearing portions 25a arranged at 90 degrees with their tips protruding downward. Sprockets 26 are fixed to the tip portions of the rotating shafts 24b projecting downward. Further, a timing chain 27 is stretched over each sprocket 26 in a horizontal state. The timing chain 27
May be changed to a power transmission system having a gear structure. These four
The sprockets 26 and the timing chain 27
So that the four eccentric arms 24 perform a circular motion synchronously,
Synchronizing means for simultaneously rotating the four rotating shafts 24b is provided.
【００３４】また、これらの４本の回転軸２４ｂのう
ち、１本の回転軸２４ｂはさらに長尺に形成されてお
り、その先端部がスプロケット２６より下方に突出され
ている。この部分に動力伝達用のギヤ２８が固着されて
いる。このギヤ２８は、例えばギヤドモータなどの円運
動用モータ２９の上方へ延びる出力軸に固着された大径
な駆動用のギヤ３０に噛合されている。なお、このよう
にタイミングチェーン２７により同期させなくても、例
えば４個の偏心アーム２４のそれぞれに円運動用モータ
２９を配設させて、各偏心アーム２４を個別に回転させ
てもよい。ただし、各編心アーム２４の回転は同期させ
る必要がある。One of the four rotation shafts 24b is formed to be longer, and the tip of the rotation shaft 24b projects downward from the sprocket 26. A power transmission gear 28 is fixed to this portion. The gear 28 is meshed with a large-diameter driving gear 30 fixed to an output shaft extending above a circular motion motor 29 such as a geared motor. Instead of being synchronized by the timing chain 27, the eccentric arms 24 may be individually rotated by, for example, disposing a circular motion motor 29 in each of the four eccentric arms 24. However, the rotation of each knitting center arm 24 must be synchronized.
【００３５】したがって、円運動用モータ２９の出力軸
を回転させると、その回転力は、ギヤ３０，２８および
長尺な回転軸２４ｂに固着されたスプロケット２６を介
してタイミングチェーン２７に伝達され、このタイミン
グチェーン２７が周転することで、他の３個のスプロケ
ット２６を介して、４個の偏心アーム２４が同期して回
転軸２４ｂを中心に水平面内で回転する。これにより、
それぞれの偏心軸２４ａに一括して連結されたキャリア
ホルダ２０、ひいてはこのホルダ２０に保持されたキャ
リアプレート１１が、このプレート１１に平行な水平面
内で、自転をともなわない円運動を行う。すなわち、キ
ャリアプレート１１は上定盤１２および下定盤１３の軸
線ａから距離Ｌだけ偏心した状態を保って旋回する。こ
の距離Ｌは、偏心軸２４ａと回転軸２４ｂとの距離と同
じである。この自転をともなわない円運動により、キャ
リアプレート１１上の全ての点は、同じ大きさの小円の
軌跡を描く。Therefore, when the output shaft of the circular motion motor 29 is rotated, the rotational force is transmitted to the timing chain 27 via the gears 30 and 28 and the sprocket 26 fixed to the long rotary shaft 24b. As the timing chain 27 rotates, the four eccentric arms 24 are synchronously rotated about the rotation shaft 24b in the horizontal plane via the other three sprockets 26. This allows
The carrier holder 20, which is collectively connected to the respective eccentric shafts 24a, and the carrier plate 11 held by the holder 20, perform a circular motion without rotation in a horizontal plane parallel to the plate 11. That is, the carrier plate 11 turns while maintaining a state of being eccentric by a distance L from the axis a of the upper stool 12 and the lower stool 13. This distance L is the same as the distance between the eccentric shaft 24a and the rotating shaft 24b. By this circular motion without rotation, all the points on the carrier plate 11 draw a locus of a small circle of the same size.
【００３６】次に、この両面研磨装置１０を用いたシリ
コンウェーハＷの研磨方法を説明する。まず、キャリア
プレート１１の各ウェーハ保持孔１１ａにそれぞれ旋回
自在にシリコンウェーハＷを挿入する。このとき、各ウ
ェーハ裏面Ｗｂは上向きとする。次いで、この状態のま
ま、各ウェーハ裏面Ｗｂに硬質発泡ウレタンフォームパ
ッド１４を２００ｇ／ｃｍ２ で押し付けるとともに、
各ウェーハ表面Ｗａに軟質不織布パッド１５を２００ｇ
／ｃｍ２ で押し付ける。その後、これらの両パッド１
４，１５をウェーハ表裏両面に押し付けたまま、上定盤
１２側からスラリーを供給しながら、円運動用モータ２
９によりタイミングチェーン２７を周転させる。これに
より、各偏心アーム２４が水平面内で同期回転し、各偏
心軸２４ａに一括して連結されたキャリアホルダ２０お
よびキャリアプレート１１が、このプレート１１表面に
平行な水平面内で、自転をともなわない円運動を２４ｒ
ｐｍで行う。その結果、各シリコンウェーハＷは、対応
するウェーハ保持孔１１ａ内で水平面内で旋回しなが
ら、それぞれのウェーハ表裏両面が両面研磨される。な
お、ここで使用するスラリーは、ｐＨ１０．６のアルカ
リ性の液中に、粒度０．０５μｍのコロイダルシリカか
らなる研磨砥粒が分散されたものである。Next, a method for polishing a silicon wafer W using the double-side polishing apparatus 10 will be described. First, the silicon wafer W is rotatably inserted into each of the wafer holding holes 11a of the carrier plate 11. At this time, the back surface Wb of each wafer is directed upward. Next, in this state, the rigid urethane foam pad 14 is pressed against the back surface Wb of each wafer at 200 g / cm 2 ,
200 g of soft nonwoven pad 15 on each wafer surface Wa
/ Cm 2 . Then, these two pads 1
4 and 15 are pressed against the front and back surfaces of the wafer, and while the slurry is supplied from the upper platen 12 side, the circular motion motor 2
9, the timing chain 27 is rotated. As a result, the eccentric arms 24 rotate synchronously in the horizontal plane, and the carrier holder 20 and the carrier plate 11 collectively connected to the eccentric shafts 24a do not rotate in a horizontal plane parallel to the surface of the plate 11. 24r circular motion
pm. As a result, each silicon wafer W is polished on both the front and back surfaces of each silicon wafer while turning in the horizontal plane in the corresponding wafer holding hole 11a. The slurry used here is a slurry in which abrasive grains made of colloidal silica having a particle size of 0.05 μm are dispersed in an alkaline liquid having a pH of 10.6.
【００３７】このとき、前述したように上定盤１２の硬
質発泡ウレタンフォームパッド１４は、下定盤１３の軟
質不織布パッド１５よりもシリコンウェーハＷの沈み込
み量が小さい。そのため、この両面研磨装置１０を用い
た両面研磨では、ウェーハ裏面Ｗｂが梨地面で、ウェー
ハ表面Ｗａが鏡面となった、表裏両面の光沢度が異なる
両面研磨を実現することができる。また、ここでは、両
面研磨時に、キャリアプレート１１を、このプレート１
１の自転をともなわない円運動をさせてウェーハ表裏両
面を研磨させる。このようなキャリアプレート１１の特
殊な運動によりシリコンウェーハＷを両面研磨したの
で、ウェーハ表裏両面の略全域において均一に研磨を行
うことができる。そして、このように研磨布１４，１５
の材質を異ならせることで、シリコンウェーハＷの沈み
込み量を異ならせるように構成したので、簡単にかつ低
コストで、ウェーハ表裏両面の光沢度が異なるシリコン
ウェーハＷが得られる。なお、このように光沢度を異な
らせたウェーハ表裏面は、その光沢度に応じて所定の平
坦度が達成されている。At this time, the hard urethane foam pad 14 of the upper surface plate 12 has a smaller amount of sinking of the silicon wafer W than the soft non-woven fabric pad 15 of the lower surface plate 13 as described above. Therefore, in the double-side polishing using the double-side polishing apparatus 10, it is possible to realize double-side polishing in which the front and back surfaces of the wafer have different gloss levels, in which the back surface Wb of the wafer is a matte surface and the front surface Wa of the wafer is a mirror surface. Here, the carrier plate 11 is used for polishing both sides during polishing on both sides.
1. The wafer is polished on both front and back surfaces by making a circular motion without rotation. Since the silicon wafer W is polished on both sides by such a special movement of the carrier plate 11, the polishing can be performed uniformly over substantially the entire area on both the front and back surfaces of the wafer. And the polishing cloths 14 and 15
Are made different so that the amount of sinking of the silicon wafer W is made different, so that the silicon wafer W having different glossiness on both front and rear surfaces can be obtained easily and at low cost. It should be noted that predetermined flatness is achieved on the front and back surfaces of the wafer having different gloss levels in accordance with the gloss levels.
【００３８】なお、この一実施例の両面研磨装置１０
は、キャリアプレート１１を円運動させなくても、例え
ば上側回転モータ１６により上定盤１２を５ｒｐｍで回
転させるとともに、下側回転モータ１７により下定盤１
３を２５ｒｐｍで回転させるだけで、各シリコンウェー
ハＷを両面研磨することもできる。この場合、各シリコ
ンウェーハＷがウェーハ保持孔１１ａの中で旋回自在に
挿入・保持されているので、この研磨中、各シリコンウ
ェーハＷは回転速度が速い側の定盤の回転方向へ連れ回
り（自転）する。このようにシリコンウェーハＷを自転
させることで、上定盤１２および下定盤１３による研磨
ではウェーハ外周へ向かうほど周速度が大きくなるとい
う影響をなくすことができる。その結果、ウェーハ表裏
両面のそれぞれの面全域を均一に研磨することができ
る。また、これらの上定盤１２と下定盤１３とに回転速
度の差をつけるようにして両面研磨をしても、無サンギ
ヤ式両面研磨装置１０を用いて、鏡面仕上げのウェーハ
表面Ｗａと、梨地仕上げのウェーハ裏面Ｗｂとを有する
シリコンウェーハＷを得ることができる。さらに、上定
盤１２および下定盤１３を同じ回転速度で回転させて、
ウェーハ表面Ｗａが鏡面でウェーハ裏面Ｗｂが梨地面の
シリコンウェーハＷを製造するようにしてもよい。The double-side polishing apparatus 10 of this embodiment is
For example, the upper platen 12 is rotated at 5 rpm by the upper rotary motor 16 and the lower platen 1 is rotated by the lower rotary motor 17 without rotating the carrier plate 11 circularly.
Each silicon wafer W can be polished on both sides only by rotating 3 at 25 rpm. In this case, since each silicon wafer W is rotatably inserted and held in the wafer holding hole 11a, during this polishing, each silicon wafer W rotates along with the rotation direction of the surface plate having the higher rotation speed ( Rotation). By rotating the silicon wafer W in this way, it is possible to eliminate the effect that the peripheral speed increases toward the outer periphery of the wafer in the polishing by the upper and lower lapping plates 12 and 13. As a result, the entire surface of each of the front and back surfaces of the wafer can be uniformly polished. Further, even when the upper surface plate 12 and the lower surface plate 13 are polished on both sides so as to make a difference in rotation speed, the mirror-finished wafer surface Wa and the satin A silicon wafer W having a finished wafer back surface Wb can be obtained. Further, by rotating the upper surface plate 12 and the lower surface plate 13 at the same rotation speed,
The silicon wafer W may be manufactured such that the wafer surface Wa is a mirror surface and the wafer back surface Wb has a matte surface.
【００３９】さらには、キャリアプレート１１を円運動
させながら、上定盤１２および下定盤１３を回転させ
て、シリコンウェーハＷを両面研磨してもよい。この場
合、上定盤１２および下定盤１３の回転速度は、ウェー
ハ表裏両面に研磨ムラが発生しな程度に遅くした方が好
ましい。このようにすれば、シリコンウェーハＷの表裏
両面をその各面の全域において均一に研磨することがで
きる。なお、上定盤１２および下定盤１３を回転させれ
ば、シリコンウェーハＷに接触する定盤面を常に新しく
させて、スラリーをシリコンウェーハＷの全面に平均的
に供給することができて好ましい。Furthermore, while the carrier plate 11 is making a circular motion, the upper surface plate 12 and the lower surface plate 13 may be rotated to polish both surfaces of the silicon wafer W. In this case, it is preferable that the rotation speeds of the upper stool 12 and the lower stool 13 be reduced to such an extent that polishing unevenness does not occur on both the front and back surfaces of the wafer. In this way, the front and back surfaces of the silicon wafer W can be uniformly polished over the entire area of each surface. It is preferable to rotate the upper platen 12 and the lower platen 13 so that the surface of the platen in contact with the silicon wafer W can be constantly renewed and the slurry can be supplied evenly to the entire surface of the silicon wafer W.
【００４０】この一実施例では、このような構成の無サ
ンギヤ式両面研磨装置１０を用いての片面鏡面ウェーハ
Ｗの製造方法、具体的にはスラリーを供給しながら、上
定盤１２および下定盤１３の間で、キャリアプレート１
１をそのプレート１１の表面と平行な面内で運動させ
て、ウェーハ表面Ｗａを鏡面、ウェーハ裏面Ｗｂをアル
カリエッチ面となるように、両定盤１２，１３に張られ
たそれぞれの研磨布１４，１５の沈み込み量を異ならせ
るとともに、ｐＨ１０．６のスラリーを裏面側から供給
しながらシリコンウェーハＷを製造するようにしたの
で、図２に示すような無サンギヤ式両面研磨装置１０を
採用して、簡単にウェーハ表面Ｗａが鏡面で、かつウェ
ーハ裏面Ｗｂが高光沢度のアルカリエッチ面と同様な面
となった片面鏡面ウェーハＷを得ることができる。In this embodiment, a method for manufacturing a single-sided mirror-faced wafer W using the sun-gearless double-side polishing apparatus 10 having such a structure, specifically, the upper platen 12 and the lower platen while supplying slurry is provided. 13 and carrier plate 1
1 is moved in a plane parallel to the surface of the plate 11 so that the wafer surface Wa is a mirror surface and the wafer back surface Wb is an alkali-etched surface. , 15 are different from each other, and the silicon wafer W is manufactured while supplying a slurry having a pH of 10.6 from the back surface side. Therefore, a sun-gearless double-side polishing apparatus 10 as shown in FIG. Thus, it is possible to easily obtain a single-sided mirror-surfaced wafer W in which the wafer surface Wa is a mirror surface and the wafer back surface Wb is a surface similar to a high gloss alkaline etch surface.
【００４１】[0041]
【発明の効果】この発明によれば、裏面の光沢度を鏡面
の６０〜９５％、裏面のピット幅を１０〜５０μｍ、ピ
ット間に平坦部分が存在しないようにしたので、ウェー
ハ裏面をウェーハ表面との識別力を保持したまま高光沢
度に形成することができる。その結果、ウェーハの平坦
度が高まり、裏面にごみが付着しにくく、静電チャック
からのウェーハの離脱も容易になる。According to the present invention, the back surface has a glossiness of 60 to 95% of the mirror surface, the pit width of the back surface is 10 to 50 μm, and there is no flat portion between the pits. Can be formed with high gloss while maintaining the discriminating power of As a result, the flatness of the wafer is increased, dust is less likely to adhere to the back surface, and detachment of the wafer from the electrostatic chuck is facilitated.
【００４２】特に、請求項２に記載の片面鏡面ウェーハ
によれば、裏面の少なくともウェーハ半径の２分の１よ
りウェーハ中心側の領域を請求項１の条件を満たす部分
としたので、良品率の高い片面鏡面ウェーハを効率良く
作製することができる。In particular, according to the single-sided mirror-surfaced wafer according to the second aspect, the area on the back side at least half the wafer radius and closer to the center of the wafer is a portion satisfying the condition of the first aspect. A high single-sided mirror surface wafer can be efficiently manufactured.
【００４３】また、請求項３に記載の片面鏡面ウェーハ
によれば、スラリーを供給しながら、上定盤および下定
盤の間で、キャリアプレートをそのプレートの表面と平
行な面内で運動させてウェーハの片面を鏡面、ウェーハ
他面を梨地面に研磨するようにしたので、両定盤に張ら
れたそれぞれの研磨布の沈み込み量を異ならせ、かつス
ラリー中のアルカリ液のｐＨを１０〜１１．４としたの
で、無サンギヤ式両面研磨装置を使って、簡単にウェー
ハ裏面を高光沢度の梨地面にすることができる。According to the single-sided mirror surface wafer of the third aspect, the carrier plate is moved between the upper surface plate and the lower surface plate in a plane parallel to the surface of the plate while supplying the slurry. Since one side of the wafer was polished to a mirror surface and the other side of the wafer was polished to a matte surface, the amount of sinking of each polishing cloth stretched on both platens was varied, and the pH of the alkaline solution in the slurry was adjusted to 10 to 10. Since it is 11.4, the back surface of the wafer can be easily made to have a high-gloss satin surface using a sun-gearless double-side polishing apparatus.
【図１】この発明の一実施例に係る片面鏡面ウェーハの
拡大断面図である。FIG. 1 is an enlarged sectional view of a single-sided mirror surface wafer according to one embodiment of the present invention.
【図２】この発明の一実施例に係る片面鏡面ウェーハの
作製が可能な両面研磨装置の全体斜視図である。FIG. 2 is an overall perspective view of a double-side polishing apparatus capable of producing a single-sided mirror surface wafer according to one embodiment of the present invention.
【図３】この発明の一実施例に係る片面鏡面ウェーハを
作製可能な両面研磨装置によるウェーハ両面研磨中の縦
断面図である。FIG. 3 is a vertical cross-sectional view during double-side polishing of a wafer by a double-side polishing apparatus capable of producing a single-sided mirror surface wafer according to one embodiment of the present invention.
【図４】この発明の一実施例に係る片面鏡面ウェーハを
作製可能な両面研磨装置による両面研磨中の状態を示す
その断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state during double-side polishing by a double-side polishing apparatus capable of producing a single-sided mirror surface wafer according to one embodiment of the present invention.
【図５】この発明の一実施例に係る片面鏡面ウェーハを
作製可能な両面研磨装置の概略平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view of a double-side polishing apparatus capable of producing a single-sided mirror-surface wafer according to one embodiment of the present invention.
【図６】この発明の一実施例に係る片面鏡面ウェーハを
作製可能な両面研磨装置のキャリアプレートに運動力を
伝達する運動力伝達系の要部拡大断面図である。FIG. 6 is an enlarged sectional view of a main part of a kinetic force transmission system for transmitting a kinetic force to a carrier plate of a double-side polishing apparatus capable of producing a single-sided mirror surface wafer according to one embodiment of the present invention.
【図７】（ａ）この発明の一実施例に係る片面鏡面ウェ
ーハの表裏面の光沢度の関係を示すグラフである。 （ｂ）この発明の一実施例に係る片面鏡面ウェーハの裏
面光沢度と表裏面の識別度との関係を示すグラフであ
る。FIG. 7A is a graph showing the relationship between the glossiness of the front and back surfaces of a single-sided mirror-surfaced wafer according to one embodiment of the present invention. (B) is a graph showing the relationship between the glossiness of the back surface of a single-sided mirror surface wafer and the discrimination degree of the front and back surfaces according to one embodiment of the present invention.
【図８】（ａ）この発明の一実施例に係る片面鏡面ウェ
ーハのウェーハ裏面のピット幅とウェーハ裏面へのごみ
付着度を示すグラフである。 （ｂ）この発明の一実施例に係る片面鏡面ウェーハのウ
ェーハ裏面のピット幅とウェーハ裏面のＰＶ値との関係
を示すグラフである。FIG. 8A is a graph showing a pit width on the back surface of a single-sided mirror-surfaced wafer according to one embodiment of the present invention and a degree of dust adhesion on the back surface of the wafer; (B) A graph showing the relationship between the pit width on the back surface of the wafer and the PV value on the back surface of the single-sided mirror surface wafer according to one embodiment of the present invention.
【図９】従来手段に係る片面鏡面ウェーハの要部拡大断
面図である。FIG. 9 is an enlarged sectional view of a main part of a single-sided mirror surface wafer according to a conventional means.
１０ 無サンギヤ式両面研磨装置、 １１ キャリアプレート、 １１ａ ウェーハ保持孔、 １２ 上定盤、 １３ 下定盤、 １４ 研磨布、 １５ 研磨布、 Ｗ シリコンウェーハ（片面鏡面ウェーハ）、 Ｗａ ウェーハ表面（一面）、 Ｗｂ ウェーハ裏面（他面）。 Reference Signs List 10 Sunless double-side polishing machine, 11 Carrier plate, 11a Wafer holding hole, 12 Upper platen, 13 Lower platen, 14 Polishing cloth, 15 Polishing cloth, W Silicon wafer (single-sided mirror surface wafer), Wa wafer surface (one surface), Wb Wafer back surface (other surface).
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野 五十六 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AA09 AA11 AB01 CB04 DA06 DA18 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing from the front page (72) Inventor Isoroku Ono 1-5-1, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo F-term in Mitsubishi Materials Silicon Corporation (reference) 3C058 AA07 AA09 AA11 AB01 CB04 DA06 DA18
Claims (3)
する片面鏡面ウェーハであって、 上記他面の光沢度は一面の光沢度の６０〜９５％で、そ
のピットの幅は１０〜５０μｍで、これらピット間には
平坦な部分が存在せずにピット同士が連続している片面
鏡面ウェーハ。1. A single-sided mirror-finished wafer having a mirror surface on one surface and a plurality of pits on another surface, wherein the glossiness of the other surface is 60 to 95% of the glossiness of one surface, and the width of the pit is 10 to 10. A single-sided mirror-faced wafer having a thickness of 50 μm and no pits between the pits and continuous pits.
なくともウェーハ半径の２分の１よりウェーハ中心側の
領域において、 上記光沢度６０〜９５％、上記ピットの幅１０〜５０μ
ｍ、これらピット間に平坦な部分が存在しないという条
件を満たしている請求項１に記載の片面鏡面ウェーハ。2. The single-sided mirror-surfaced wafer has a glossiness of 60 to 95% and a pit width of 10 to 50 μm in a region closer to the center of the wafer than at least half the wafer radius of the other surface.
2. The single-sided mirror surface wafer according to claim 1, which satisfies a condition that a flat portion does not exist between these pits.
保持孔内に半導体ウェーハを保持し、アルカリ液中に研
磨砥粒が混入されたスラリーを半導体ウェーハに供給し
ながら、それぞれ研磨布が展張された上定盤および下定
盤の間で、上記キャリアプレートの表面と平行な面内で
このキャリアプレートを運動させて、上記半導体ウェー
ハの表裏両面を同時に研磨する両面研磨装置を使用して
作製された片面鏡面ウェーハであって、 上記上定盤の研磨布および下定盤の研磨布のうちのいず
れか一方に、残りの他方とは研磨時における半導体ウェ
ーハの沈み込み量が異なる研磨布を用い、 上記スラリーとして、ｐＨ１０〜１１．４のアルカリ液
を使用して両面研磨を行うことにより、上記他面の光沢
度を、一面の光沢度の６０〜９５％とし、そのピットの
幅を１０〜５０μｍとし、これらのピット間には平坦な
部分が存在せずにピット同士が連続している片面鏡面ウ
ェーハ。3. A semiconductor wafer is held in a wafer holding hole formed in a carrier plate, and a polishing cloth is spread on each of the semiconductor wafers while slurry containing abrasive grains mixed in an alkaline solution is supplied to the semiconductor wafer. Between the surface plate and the lower surface plate, this carrier plate is moved in a plane parallel to the surface of the carrier plate, and a single-sided mirror surface manufactured using a double-side polishing device for simultaneously polishing both front and back surfaces of the semiconductor wafer. A wafer, using one of the polishing cloth of the upper surface plate and the polishing cloth of the lower surface plate, using a polishing cloth in which the sink amount of the semiconductor wafer is different from that of the other during polishing, as the slurry By performing double-side polishing using an alkaline solution having a pH of 10 to 11.4, the glossiness of the other surface is set to 60 to 95% of the glossiness of one surface. The width of the Tsu door and 10~50μm, one side polished wafers which pit each other are continuous in the absence of a flat portion between these pits.
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| CN101459096B (en) * | 2007-12-13 | 2010-12-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Method for wafer back flattening and method for enhancing wire width consistency of photo-etching process |
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| CN101459096B (en) * | 2007-12-13 | 2010-12-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Method for wafer back flattening and method for enhancing wire width consistency of photo-etching process |
| JP2011040753A (en) * | 2009-08-12 | 2011-02-24 | Siltronic Ag | Method of producing polished semiconductor wafer |
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