JP2001243608A - Yoke type magnetoresistive head - Google Patents

Yoke type magnetoresistive head

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JP2001243608A
JP2001243608A JP2000051194A JP2000051194A JP2001243608A JP 2001243608 A JP2001243608 A JP 2001243608A JP 2000051194 A JP2000051194 A JP 2000051194A JP 2000051194 A JP2000051194 A JP 2000051194A JP 2001243608 A JP2001243608 A JP 2001243608A
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JP
Japan
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yoke
magnetoresistive element
gap
length
magnetoresistive
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Application number
JP2000051194A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshiaki Satou
善顕 佐藤
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Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a yoke type magnetoresistive head having excellent repro ducing efficiency. SOLUTION: In the yoke type magnetoresistive head 1 having a magnetic gap 7 between an upper yoke 8 and a pair of lower yokes 5A and 5B and a magnetic circuit constituted of at least the pair of lower yokes 5A and 5B having a prescribed gap G, the upper yoke 8 and a magnetoresistive element 3 provided at the position corresponding to the yoke gap G, when the length of the magnetoresistive element 3 and the length of each end part overlapping the pair of lower yokes of the magnetoresistive element 3 are L and d, respectively, the relational formula 0.1×L<=d<=0.3×L is satisfied.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気テープ等の再
生装置に用いられるヨーク型磁気抵抗効果ヘッドに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a yoke type magnetoresistive head used in a reproducing apparatus for a magnetic tape or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ハードディスク等における磁気記
録再生装置の高密度化が進み2〜6Gbit/in2
記録密度が実用化されている。このような高密度を達成
するためには、再生ヘッドとして従来の誘導型ヘッドに
代わって記録媒体の磁束を直接検出する磁気抵抗効果ヘ
ッドの採用が必須であり、異方性磁気抵抗効果型ヘッド
やスピンバルブを中心とした巨大磁気抵抗効果型ヘッド
が検討されている。ところで、磁気テープの記録再生に
磁気抵抗効果ヘッドを用いる場合には、磁気ヘッドと磁
気テープが接触して摺動するために磁気抵抗効果素子が
磁気ヘッド表面に露出するシールド型磁気抵抗効果ヘッ
ドでは信頼性面に問題を残していた。そこで、この問題
を回避するために軟磁性膜によるヨーク(磁束誘導部)
を備えたヨーク型磁気抵抗効果ヘッドが開発された。
2. Description of the Related Art In recent years, the density of magnetic recording / reproducing devices in hard disks and the like has been increased, and recording densities of 2 to 6 Gbit / in 2 have been put to practical use. In order to achieve such a high density, it is necessary to employ a magnetoresistive head for directly detecting magnetic flux of a recording medium instead of a conventional inductive head as a reproducing head. A giant magnetoresistive head with a spin valve as the center has been studied. By the way, when a magnetoresistive head is used for recording / reproducing a magnetic tape, a shield type magnetoresistive head in which the magnetoresistive element is exposed on the surface of the magnetic head because the magnetic head and the magnetic tape come into contact with each other and slides. There was a problem with reliability. Therefore, in order to avoid this problem, a yoke (magnetic flux guide) using a soft magnetic film
A yoke-type magnetoresistive head having the following features has been developed.

【0003】以下に、従来のヨーク型磁気抵抗効果ヘッ
ドについて図5を用いて説明する。図5は、従来のヨー
ク型磁気抵抗効果ヘッドを示し、(A)は断面図、
(B)は絶縁層4がない場合の(A)のMM側見た磁気
抵抗効果素子と下ヨークとの関係を示す平面図である。
以下に、従来のヨーク型磁気抵抗効果ヘッド1の構成に
ついて説明する。図5(A)に示すように、非磁性基板
2上に絶縁層4が形成され、この絶縁層4中に矩形状の
磁気抵抗効果素子3と、この磁気抵抗効果素子3から上
方に距離tだけ離間した位置にヨークギャップGを有し
て形成された前部下ヨーク5A及び後部下ヨーク5Bか
らなる下ヨーク5と、この前部下ヨーク5A及び後部下
ヨーク5Bにそれぞれ対応して形成された前部中間ヨー
ク6A及び後部中間ヨーク6Bとからなる中間コア6と
が埋め込まれて順次形成されている。なお、図5(B)
に示すように、磁気抵抗効果素子3の長さはL、幅はD
であり、前部下ヨーク5A及び後部下ヨーク5Bと磁気
抵抗効果素子3の両端とのオーバーラップ長さは共にd
である。
Hereinafter, a conventional yoke type magnetoresistive head will be described with reference to FIG. 5A and 5B show a conventional yoke type magnetoresistive head, and FIG.
(B) is a plan view showing the relationship between the magnetoresistive element and the lower yoke viewed from the MM side in (A) when the insulating layer 4 is not provided.
Hereinafter, the configuration of the conventional yoke type magnetoresistive head 1 will be described. As shown in FIG. 5A, an insulating layer 4 is formed on a non-magnetic substrate 2, and a rectangular magneto-resistive element 3 is formed in the insulating layer 4 and a distance t is set upward from the magneto-resistive element 3. And a lower yoke 5 composed of a front lower yoke 5A and a rear lower yoke 5B formed with a yoke gap G at a position apart from the front yoke 5A. An intermediate core 6 composed of a partial intermediate yoke 6A and a rear intermediate yoke 6B is embedded and sequentially formed. FIG. 5B
As shown in the figure, the length of the magnetoresistive element 3 is L and the width is D.
The overlap length between the lower front yoke 5A and the rear lower yoke 5B and both ends of the magnetoresistive element 3 is d.
It is.

【0004】また、後部中間コア6Bに対応する絶縁層
4には、開口部Qが形成され、上ヨーク8がこの開口部
Qを介して後部中間コア6Bと接触すると共に、絶縁層
4上に形成されている。この際、前部中間コア6Aと上
ヨーク8との間の絶縁層4は、磁気ギャップ7となる。
なお、この磁気ギャップ7側が磁気記録媒体の摺動面S
となる。非磁性基板2の材料としては、例えば、Al2
3TiCがあり、上ヨーク8、下ヨーク5及び中間ヨ
ーク6の材料としては、例えば、CoZrNbアモルフ
ァス合金やNiFe等の軟磁性膜がある。また、絶縁層
4の材料としては、Al23がある。また、中間コア
6、下ヨーク5、磁気抵抗効果素子3及び上ヨーク8で
磁気回路を構成している。実際には、磁気抵抗効果素子
3は、下地膜、フリー層、Cuからなる分離膜、ピン
層、反強磁性膜、保護膜が積層された多層膜からなり、
磁気抵抗効果素子3に接続して、フリー層の磁区を制御
するハード膜やセンス電流を供給するための電極が形成
されているが図5中では省略してある。
An opening Q is formed in the insulating layer 4 corresponding to the rear intermediate core 6B, and the upper yoke 8 comes into contact with the rear intermediate core 6B through the opening Q and is formed on the insulating layer 4. Is formed. At this time, the insulating layer 4 between the front intermediate core 6A and the upper yoke 8 becomes the magnetic gap 7.
The magnetic gap 7 side is the sliding surface S of the magnetic recording medium.
Becomes As a material of the non-magnetic substrate 2, for example, Al 2
There is O 3 TiC, and as a material for the upper yoke 8, the lower yoke 5, and the intermediate yoke 6, for example, there is a soft magnetic film such as a CoZrNb amorphous alloy or NiFe. The material of the insulating layer 4 is Al 2 O 3 . Further, the intermediate core 6, the lower yoke 5, the magnetoresistive element 3, and the upper yoke 8 constitute a magnetic circuit. Actually, the magnetoresistive effect element 3 is composed of a multilayer film in which a base film, a free layer, a separation film made of Cu, a pin layer, an antiferromagnetic film, and a protective film are laminated.
A hard film for controlling the magnetic domain of the free layer and an electrode for supplying a sense current are formed to be connected to the magnetoresistive effect element 3, but are omitted in FIG.

【0005】磁気記録媒体からの信号読み取りは、磁気
抵抗効果素子3にセンス電流を流した状態で、磁気記録
媒体から信号磁界を磁気ギャップ7から供給して、磁気
抵抗効果素子3の抵抗変化とセンス電流との積、即ち電
圧変化として取り出すことによって行われる。
In reading a signal from the magnetic recording medium, a signal magnetic field is supplied from the magnetic recording medium through the magnetic gap 7 while a sense current is flowing through the magnetoresistive element 3 so that the resistance change of the magnetoresistive element 3 This is performed by taking out as a product of the sense current, that is, a voltage change.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁気抵
抗効果素子3に流すセンス電流が下ヨーク5に流れない
ように、下ヨーク5と磁気抵抗効果素子3との間が絶縁
層4により絶縁されているので、この間の磁気抵抗が増
大するため、再生効率を低下させていた。特に、巨大磁
気抵抗効果ヘッドの場合には、各磁性層が10nm以下
と薄くなることから再生効率の低下を最小限に抑えるこ
とが必要である。この対策として、特開平11−120
523号公報には、ヨーク前部及びヨーク後部と磁気抵
抗効果素子とのオーバーラップ長を0〜2μmにすると
良いことが開示されている。
However, the lower yoke 5 and the magnetoresistive element 3 are insulated by the insulating layer 4 so that the sense current flowing to the magnetoresistive element 3 does not flow to the lower yoke 5. Therefore, the magnetic resistance increases during this period, and the reproduction efficiency is reduced. In particular, in the case of a giant magnetoresistive head, since each magnetic layer becomes as thin as 10 nm or less, it is necessary to minimize a decrease in reproduction efficiency. As a countermeasure against this, JP-A-11-120
No. 523 discloses that the overlap length between the front and rear portions of the yoke and the magnetoresistive element is preferably set to 0 to 2 μm.

【0007】しかし、この再生効率は、磁気抵抗効果素
子内の磁束密度の分布とも関係するためオーバーラップ
長を規定するだけでは十分な向上を図ることができなか
った。そこで、本発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、良好な再生効率を有するヨー
ク型磁気抵抗効果ヘッドを提供することを目的とする。
However, since the reproduction efficiency is related to the distribution of the magnetic flux density in the magnetoresistive element, it is not possible to sufficiently improve the reproduction efficiency only by specifying the overlap length. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide a yoke type magnetoresistive head having good reproduction efficiency.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明のヨーク型磁気抵
抗効果ヘッドは、少なくとも、所定のヨークギャップを
有する一対の下ヨークと、上ヨークと、前記ヨークギャ
ップに設けられた磁気抵抗効果素子とにより磁気回路を
構成すると共に、前記上ヨークと前記一対の下ヨークと
の間に磁気ギャップを有するヨーク型磁気抵抗効果ヘッ
ドにおいて、前記磁気抵抗効果素子の長さをL、前記磁
気抵抗効果素子の両端が前記一対の下ヨークとオーバー
ラップする長さを共にdであるとした時、0.1×L≦
d≦0.3×Lの関係を満たすことを特徴とする。
The yoke type magnetoresistive head of the present invention comprises at least a pair of lower yokes having a predetermined yoke gap, an upper yoke, and a magnetoresistive element provided in the yoke gap. And a magnetic circuit is formed, and a yoke type magnetoresistive head having a magnetic gap between the upper yoke and the pair of lower yokes, wherein the length of the magnetoresistive element is L, When the length at which both ends overlap with the pair of lower yokes is d, 0.1 × L ≦
It is characterized by satisfying a relationship of d ≦ 0.3 × L.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明の実施形態のヨーク型磁気
抵抗効果ヘッドについて図1乃至図5を参照しながら以
下に説明する。従来例と同一構成には同一符号を付し、
その説明を省略する。本発明のヨーク型磁気抵抗効果ヘ
ッドは、従来のヨーク型磁気抵抗効果ヘッド1における
磁気抵抗効果素子3の両端が前部下ヨーク5A及び後部
下ヨーク5Bとオーバーラップする長さを共にdである
とした時、0.1×L≦d≦0.3×Lの関係を満たす
ようにしたものであり、その他は同一構成である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A yoke type magnetoresistive head according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. The same reference numerals are given to the same configurations as the conventional example,
The description is omitted. In the yoke type magnetoresistive head of the present invention, the length at which both ends of the magnetoresistive element 3 in the conventional yoke type magnetoresistive head 1 overlap the lower front yoke 5A and the lower rear yoke 5B is d. Then, the relationship of 0.1 × L ≦ d ≦ 0.3 × L is satisfied, and the other configuration is the same.

【0010】次に、本発明のヨーク型磁気抵抗効果ヘッ
ド1の再生効率を調べるため、磁気抵抗効果素子3をフ
リー層のみとし、磁気キャップ7近傍に永久磁石を配置
して磁界を発生させ、磁気抵抗効果素子3内の磁束密度
を磁界解析ソフト(Ansoft社製 Maxwell3D)を用いて
シミュレーションを行った。ここで、下ヨーク5、上ヨ
ーク8及び中間ヨーク6の透磁率は1000、フリー層
の透磁率は、600、距離tは、0.1μm、フリー層
の厚さは6μmである。また、磁気抵抗効果素子3と前
部下ヨーク5A及び後部下ヨーク5Bとのオーバーラッ
プ幅dは共に等しくしてある。
Next, in order to examine the reproduction efficiency of the yoke type magnetoresistive head 1 of the present invention, the magnetoresistive element 3 is made only of a free layer, and a permanent magnet is arranged near the magnetic cap 7 to generate a magnetic field. The magnetic flux density in the magnetoresistance effect element 3 was simulated using magnetic field analysis software (Maxwell 3D manufactured by Ansoft). Here, the magnetic permeability of the lower yoke 5, the upper yoke 8, and the intermediate yoke 6 is 1,000, the magnetic permeability of the free layer is 600, the distance t is 0.1 μm, and the thickness of the free layer is 6 μm. The overlap width d of the magnetoresistive element 3 and the front lower yoke 5A and the rear lower yoke 5B are the same.

【0011】まず始めに、磁気抵抗効果素子3の長さL
を2μm、幅Dを16μmに固定し、ヨークギャップG
を0.5μm〜1.5μmの範囲で変化させて、磁気抵
抗効果素子3内の位置と磁束密度との関係について調べ
た。この際、磁束密度は、摺動面S側の磁気抵抗効果素
子3の一端Cを基準として、この一端Cからの位置で測
定した値である。その結果を図1に示す。図1は、ヨー
クギャプを変化させた時の磁気抵抗効果素子内の位置と
磁束密度との関係を示す図である。ヨークギャップGを
0.5μm〜1.5μmの範囲で変化させたいずれの場
合も磁束密度は、磁気抵抗効果素子3の中央部、即ち1
μmで最大となり、この中央部の左右で低くなる傾向を
示している。磁気抵抗効果素子3の中央部の左右は、磁
気抵抗効果素子3と下ヨーク5とのオーバーラップした
部分に相当する。例えば、ヨークギャップGが0.5μ
mの場合、磁気抵抗効果素子3と下ヨーク5とのオーバ
ーラップした部分は0.75μmである。この部分で
は、磁束密度が減少する傾向にあることがわかる。
First, the length L of the magnetoresistive element 3
Is fixed to 2 μm and the width D is fixed to 16 μm.
Was changed in the range of 0.5 μm to 1.5 μm, and the relationship between the position in the magnetoresistance effect element 3 and the magnetic flux density was examined. At this time, the magnetic flux density is a value measured at a position from one end C of the magnetoresistive element 3 on the sliding surface S side as a reference. The result is shown in FIG. FIG. 1 is a diagram showing the relationship between the position in the magnetoresistive element and the magnetic flux density when the yoke gap is changed. In each case where the yoke gap G was changed in the range of 0.5 μm to 1.5 μm, the magnetic flux density was changed in the central portion of the magnetoresistive effect element 3, that is, 1 μm.
It has a maximum at μm and shows a tendency to decrease at the left and right of this central part. The left and right sides of the center of the magnetoresistive element 3 correspond to the overlapping portion of the magnetoresistive element 3 and the lower yoke 5. For example, when the yoke gap G is 0.5 μm
In the case of m, the overlapping portion between the magnetoresistive element 3 and the lower yoke 5 is 0.75 μm. It can be seen that in this portion, the magnetic flux density tends to decrease.

【0012】次に、磁気抵抗効果素子3の幅Dを16μ
mに固定し、長さLが1、2、3μmの各場合について
ヨークギャップGを変化させた時の磁気抵抗効果素子3
内の最大磁束密度Bmax及び平均磁束密度Bavgについて
調べた。磁気抵抗効果素子3の長さLが1μmの場合に
は、ヨークギャップGを0.2μm〜1.2μmの範囲
で、2μmの場合には、0.5μm〜2.5μmの範囲
で、3μmの場合には、0.6μm〜3.5μmの範囲
で変化させた。その結果を図2乃至図4に示す。図2
は、磁気抵抗効果素子の長さLが1μmの場合のヨーク
ギャップGと磁気抵抗効果素子内の相対的な磁束密度を
示す図である。図3は、磁気抵抗効果素子の長さLが2
μmの場合のヨークギャップGと磁気抵抗効果素子内の
相対的な磁束密度を示す図である。図4は、磁気抵抗効
果素子の長さLが3μmの場合のヨークギャップGと磁
気抵抗効果素子内の相対的な磁束密度を示す図である。
Next, the width D of the magnetoresistive element 3 is set to 16 μm.
m and the length L is 1, 2, and 3 μm, and the yoke gap G is changed in each case.
The maximum magnetic flux density Bmax and the average magnetic flux density Bavg in the above were examined. When the length L of the magnetoresistive element 3 is 1 μm, the yoke gap G is in the range of 0.2 μm to 1.2 μm, and when it is 2 μm, the yoke gap G is in the range of 0.5 μm to 2.5 μm. In this case, the thickness was changed in the range of 0.6 μm to 3.5 μm. The results are shown in FIGS. FIG.
FIG. 4 is a diagram showing a relative magnetic flux density in the yoke gap G and the magnetoresistive element when the length L of the magnetoresistive element is 1 μm. FIG. 3 shows that the length L of the magnetoresistance effect element is 2
It is a figure which shows the yoke gap G in the case of micrometers, and the relative magnetic flux density in a magnetoresistive effect element. FIG. 4 is a diagram illustrating the relative magnetic flux density in the yoke gap G and the magnetoresistive element when the length L of the magnetoresistive element is 3 μm.

【0013】図2中では、ヨークギャップGが0.2μ
mの時の最大磁束密度Bmax及び平均磁束密度Bavgを基
準にした相対値であり、図3中では、ヨークギャップG
が0.5μmの時の最大磁束密度Bmax及び平均磁束密
度Bavgを基準にした相対値であり、図4中では、ヨー
クギャップGが0.6μmの時の最大磁束密度Bmax
び平均磁束密度Bavgを基準にした相対値である。ま
た、図2中、ヨークギャップGが1μm以上の場合、図
3中、ヨークギャップGが2μm以上の場合、図4中、
ヨークギャップGが3μm以上の場合は、下ヨーク5が
磁気抵抗効果素子3から離間してオーバーラップしない
ことを示す。前記したように、最大磁束密度Bmaxは、
磁気抵抗効果素子3の長さLの中央部の値であるので、
この長さLが1μm、2μm、3μmの時には、それぞ
れ0.5μm、1μm、1.5μmの位置での値とな
る。
In FIG. 2, the yoke gap G is 0.2 μm.
m, the relative value is based on the maximum magnetic flux density B max and the average magnetic flux density B avg . In FIG.
Is a relative value based on the maximum magnetic flux density B max and the average magnetic flux density B avg when the magnetic flux density is 0.5 μm. In FIG. 4, the maximum magnetic flux density B max and the average magnetic flux when the yoke gap G is 0.6 μm. This is a relative value based on the density B avg . In FIG. 2, when the yoke gap G is 1 μm or more, in FIG. 3, when the yoke gap G is 2 μm or more,
When the yoke gap G is 3 μm or more, it indicates that the lower yoke 5 is separated from the magnetoresistive element 3 and does not overlap. As described above, the maximum magnetic flux density B max is
Since the value is at the center of the length L of the magnetoresistive element 3,
When the length L is 1 μm, 2 μm, and 3 μm, the values are at the positions of 0.5 μm, 1 μm, and 1.5 μm, respectively.

【0014】平均磁束密度Bavgとは、磁気抵抗効果素
子3の長さLの方向における磁束密度の平均値であり、
ヨーク型磁気抵抗効果ヘッド1の再生出力に相当する。
図2乃至図3に示すように、最大磁束密度Bmaxは、磁
気抵抗効果素子3の長さLが1、2、3μmの場合のい
ずれもヨークギャップGが長くなると共に減少する傾向
にある。これは、ヨークギャップG部分での磁気抵抗が
増加し、磁気抵抗効果素子3内を通過する磁束密度が減
少するためと考えられる。また、図2中の磁気抵抗効果
素子3の長さが1μmの場合、最大磁束密度Bma xがヨ
ークギャップGが0.4μm以下で低いのは、ヨークギ
ャップG部分の磁気抵抗が小さくなり前部下ヨーク5A
と後部下ヨーク5Bとの間で短絡を生じやすくなるため
と考えられる。
The average magnetic flux density B avg is the average value of the magnetic flux density in the direction of the length L of the magnetoresistive effect element 3,
This corresponds to the reproduction output of the yoke type magnetoresistive head 1.
As shown in FIGS. 2 and 3, the maximum magnetic flux density B max tends to decrease as the yoke gap G increases as the length L of the magnetoresistive element 3 becomes 1, 2, or 3 μm. This is probably because the magnetic resistance at the yoke gap G increases and the magnetic flux density passing through the magnetoresistive element 3 decreases. Further, when the length of the magnetoresistive element 3 in FIG. 2 of 1 [mu] m, the maximum magnetic flux density B ma x that low below the yoke gap G is 0.4μm, the front magnetic resistance of the yoke gap portion G decreases Subordinate yoke 5A
It is considered that a short circuit is likely to occur between the lower yoke 5B and the lower lower yoke 5B.

【0015】一方、平均磁束密度Bavgは、磁気抵抗効
果素子3の長さLが1μm、2μm、3μmの場合、そ
れぞれに対応して、ヨークギャップGが0.6μm、
1.2μm、1.8μmで最大となる上に凸な曲線とな
り、これらの位置よりも長い部分の減少する傾きは最大
磁束密度Bmaxよりも小さくなっている。これは、平均
磁束密度Bavgが磁気抵抗効果素子3内の平均値である
ことと、従来例で説明したように下ヨーク5と磁気抵抗
効果素子3とのオーバーラップ部分では磁束密度が低下
する傾向にあることが起因していると思われる。
On the other hand, when the length L of the magnetoresistive element 3 is 1 μm, 2 μm, and 3 μm, the average magnetic flux density B avg is 0.6 μm,
The curve becomes an upwardly convex curve which is maximum at 1.2 μm and 1.8 μm, and the decreasing slope of the portion longer than these positions is smaller than the maximum magnetic flux density Bmax . This is because the average magnetic flux density B avg is an average value in the magnetoresistive element 3, and the magnetic flux density decreases in the overlapping portion between the lower yoke 5 and the magnetoresistive element 3 as described in the conventional example. This seems to be due to the tendency.

【0016】図2乃至図4より、磁気抵抗効果素子3の
長さLが1μm、2μm、3μmの各場合において、平
均磁束密度Bavgの最大となるヨークギャップGは、磁
気抵抗効果素子3の長さLの60%となる。一般的に、
最大磁束密度Bmaxよりも1dB以内の低下であれば、
十分な実用範囲として支障なく用いられる。これを実現
するヨークギャップGの長さ範囲は、下ヨーク5と磁気
抵抗効果素子3とがオーバーラップする範囲内で生じ、
磁気抵抗効果素子の長さL=1μmの場合には、0.4
μm〜0.8μm、L=2μmの場合には、0.8μm
〜1.6μm、L=3μmの場合には、1.2μm〜
2.4μmである。
2 to 4, when the length L of the magnetoresistive element 3 is 1 μm, 2 μm, and 3 μm, the yoke gap G at which the average magnetic flux density B avg becomes maximum is equal to that of the magnetoresistive element 3. This is 60% of the length L. Typically,
If reduction within 1dB than the maximum magnetic flux density B max,
It is used without any problem as a sufficient practical range. The length range of the yoke gap G for realizing this occurs within a range where the lower yoke 5 and the magnetoresistive element 3 overlap,
When the length L of the magnetoresistive element is 1 μm, 0.4
0.8 μm when μm to 0.8 μm and L = 2 μm
1.6 μm, 1.2 μm when L = 3 μm
2.4 μm.

【0017】磁気抵抗効果素子の長さLとオーバーラッ
プ長dとの関係に言い換えると、オーバーラップ長dの
範囲は、L=1μmの場合には、0.1μm〜0.3μ
m、L=2μmの場合には、0.2μm〜0.6μm、
L=3μmの場合には、0.3μm〜0.9μmであ
る。この関係を一般化すると、L=1μmの場合の最大
磁束密Bmaxよりも1dB以内の低下するオーバーラッ
プ長dを基本とし、このオーバーラップ長dをL倍した
ものとなる。即ち、前記したように、L=1μmの場合
の最大磁束密Bmaxよりも1dB以内の低下するオーバ
ーラップ長dは、0.1μm〜0.3μmの範囲である
ので、0.1×L≦d≦0.3×Lとなる。オーバーラ
ップ長dがこの条件を満すことによって、良好な再生効
率を有するヨーク型磁気抵抗効果ヘッド1を得ることが
できる。
In other words, in the relationship between the length L of the magnetoresistive element and the overlap length d, the range of the overlap length d is 0.1 μm to 0.3 μm when L = 1 μm.
m, L = 2 μm, 0.2 μm to 0.6 μm,
When L = 3 μm, it is 0.3 μm to 0.9 μm. Generalizing this relationship, for a base of overlap length d to decrease within 1dB than the maximum magnetic flux density B max in the case of L = 1 [mu] m, the ones the overlap length d and L times. That is, as described above, overlap length d to decrease within 1dB than the maximum magnetic flux density B max in the case of L = 1 [mu] m, because in the range of 0.1μm~0.3μm, 0.1 × L ≦ d ≦ 0.3 × L. When the overlap length d satisfies this condition, it is possible to obtain the yoke type magnetoresistive head 1 having good reproduction efficiency.

【0018】[0018]

【発明の効果】本発明のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドに
よれば、磁気抵抗効果素子の長さをL、前記磁気抵抗効
果素子の両端が前記一対の下ヨークとオーバーラップす
る長さが共にdである時、0.1×L≦d≦0.3×L
の関係を満たすので、良好な再生効率を有するヨーク型
磁気抵抗効果ヘッドを得ることができる。
According to the yoke type magnetoresistive head of the present invention, the length of the magnetoresistive element is L, and the length of both ends of the magnetoresistive element overlapping the pair of lower yokes is d. When 0.1 × L ≦ d ≦ 0.3 × L
Is satisfied, it is possible to obtain a yoke type magnetoresistive effect head having good reproduction efficiency.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】ヨークギャプを変化させた時の磁気抵抗効果素
子内の位置と磁束密度との関係を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a relationship between a position in a magnetoresistive element and a magnetic flux density when a yoke gap is changed.

【図2】磁気抵抗効果素子の長さLが1μmの場合のヨ
ークギャップGと磁気抵抗効果素子内の相対的な磁束密
度を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a yoke gap G and a relative magnetic flux density in the magnetoresistive element when the length L of the magnetoresistive element is 1 μm.

【図3】磁気抵抗効果素子の長さLが2μmの場合のヨ
ークギャップGと磁気抵抗効果素子内の相対的な磁束密
度を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a yoke gap G and a relative magnetic flux density in the magnetoresistive element when the length L of the magnetoresistive element is 2 μm.

【図4】磁気抵抗効果素子の長さLが3μmの場合のヨ
ークギャップGと磁気抵抗効果素子内の相対的な磁束密
度を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a relative magnetic flux density in the yoke gap G and the magnetoresistive element when the length L of the magnetoresistive element is 3 μm.

【図5】従来のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドを示し、
(A)は断面図、(B)は絶縁層がない場合のMM側見
た磁気抵抗効果素子と下ヨークとの関係を示す平面図で
ある。
FIG. 5 shows a conventional yoke type magnetoresistive head;
(A) is a cross-sectional view, and (B) is a plan view showing the relationship between the magnetoresistive element and the lower yoke as viewed from the MM side when there is no insulating layer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ヨーク型磁気抵抗効果ヘッド、2…非磁性基板、3
…磁気抵抗効果素子、4…絶縁層、5…下ヨーク、5A
…前部下ヨーク、5B…後部下ヨーク、6…中間ヨー
ク、6A…前部中間ヨーク、6B…後部中間ヨーク、7
…磁気ギャップ、8…上ヨーク、G…ヨークギャップ、
L…磁気抵抗効果素子の長さ、d…オーバーラップ長、
D…幅
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Yoke type magnetoresistive head, 2 ... Nonmagnetic substrate, 3
... Magnetoresistance effect element, 4 ... Insulating layer, 5 ... Lower yoke, 5A
... front lower yoke, 5B ... rear lower yoke, 6 ... middle yoke, 6A ... front middle yoke, 6B ... rear middle yoke, 7
... magnetic gap, 8 ... upper yoke, G ... yoke gap,
L: length of the magnetoresistive element, d: overlap length,
D ... width

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも、所定のヨークギャップを有す
る一対の下ヨークと、上ヨークと、前記ヨークギャップ
に対応する位置に設けられた磁気抵抗効果素子とにより
磁気回路を構成すると共に、前記上ヨークと前記一対の
下ヨークとの間に磁気ギャップを有するヨーク型磁気抵
抗効果ヘッドにおいて、 前記磁気抵抗効果素子の長さをL、前記磁気抵抗効果素
子の両端が前記一対の下ヨークとオーバーラップする長
さを共にdであるとした時、0.1×L≦d≦0.3×
Lの関係を満たすことを特徴とするヨーク型磁気抵抗効
果ヘッド。
A magnetic circuit comprising at least a pair of lower yokes having a predetermined yoke gap, an upper yoke, and a magnetoresistive element provided at a position corresponding to the yoke gap; A yoke type magnetoresistive head having a magnetic gap between the pair of lower yokes, wherein the length of the magnetoresistive element is L, and both ends of the magnetoresistive element overlap the lower yoke. When both lengths are d, 0.1 × L ≦ d ≦ 0.3 ×
A yoke-type magnetoresistive effect head characterized by satisfying a relationship of L.
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