JP2001238359A - Power supply circuit device - Google Patents

Power supply circuit device

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JP2001238359A JP2000044060A JP2000044060A JP2001238359A JP 2001238359 A JP2001238359 A JP 2001238359A JP 2000044060 A JP2000044060 A JP 2000044060A JP 2000044060 A JP2000044060 A JP 2000044060A JP 2001238359 A JP2001238359 A JP 2001238359A
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博一 石田
Hirotoshi Morishita
弘敏 森下
Tomie Tanaka
富恵 田中
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a battery in size and weight, and to manufacture the battery at a low cost. SOLUTION: A power supply circuit in the main circuit 1 of a of a portable information terminal comprises an IC circuit 4, a diode D3 for preventing reverse current, and a pnp bipolar transistor Q2 connected between the diode D3 and a battery 2. When the circuit 4 failes, the transistor Q2 is turned on, a current flowing in the diode D3 is increased, and the voltage drop in the diode D3 is increased, to prevent application of limit voltage to the battery 2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、電池を充電する
ための電源回路装置に関し、特に、携帯情報端末の本体
回路内に設置される電源回路装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power supply circuit device for charging a battery, and more particularly to a power supply circuit device installed in a main body circuit of a portable information terminal.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、携帯電話機、ノート型パソコンお
よびビデオカメラなどの携帯情報端末が普及している。
これらの携帯情報端末には、電力を供給するための電池
が用いられている。この電池としては、一般に、充電が
可能な2次電池が用いられている。
2. Description of the Related Art In recent years, portable information terminals such as portable telephones, notebook computers, and video cameras have become widespread.
These portable information terminals use batteries for supplying power. Generally, a rechargeable secondary battery is used as this battery.

【0003】他方、携帯情報端末の本体回路には、電池
の充電のための電源回路が設置される。図3に、従来の
携帯情報端末の本体内における電源回路の一例を示す。
On the other hand, a power supply circuit for charging a battery is installed in a main body circuit of the portable information terminal. FIG. 3 shows an example of a power supply circuit in a main body of a conventional portable information terminal.

【0004】図3に示すように、電源回路は、携帯情報
端末の本体回路1内に設置され、保護回路8を介して電
池2と接続される。保護回路8は、過充電等から電池を
保護するために設けられ、一般に、別途設けられた保護
回路基板上に形成される。
[0004] As shown in FIG. 3, the power supply circuit is installed in the main body circuit 1 of the portable information terminal, and is connected to the battery 2 via the protection circuit 8. The protection circuit 8 is provided to protect the battery from overcharging or the like, and is generally formed on a separately provided protection circuit board.

【0005】電源回路は、端子5〜7を介して外部と接
続され、電子回路3およびIC(Integrated circuit)回
路4と接続され、ダイオードD1,D2,D3と、抵抗
R1,R2と、MOS(Metal Oxide Semiconductor)ト
ランジスタQ1とを有する。
The power supply circuit is connected to the outside via terminals 5 to 7, is connected to an electronic circuit 3 and an integrated circuit (IC) circuit 4, and has diodes D1, D2, D3, resistors R1, R2, and a MOS ( Metal Oxide Semiconductor) transistor Q1.

【0006】ダイオードD1,D2は、電子回路3また
は電池2に電流を供給する。ダイオードD3は、電池2
からの電流が抵抗R2およびMOSトランジスタQ1を
通して電子回路3に流れる(逆流)ことを防止する。抵
抗R1は、IC回路4に電流が流れ込まない場合に、ノ
ードN2に所定の電圧を印加する。
The diodes D 1 and D 2 supply current to the electronic circuit 3 or the battery 2. The diode D3 is connected to the battery 2
From flowing to the electronic circuit 3 through the resistor R2 and the MOS transistor Q1 (backflow). The resistor R1 applies a predetermined voltage to the node N2 when no current flows into the IC circuit 4.

【0007】IC回路4は、抵抗R2の両側のノードN
3,N4間の電圧または一方の電圧をマイコン等の電子
回路で検出し、ノードN2を介してMOSトランジスタ
Q1のゲートに所定電圧を印加する。それにより、MO
SトランジスタQ1のゲート電圧を変化させ、端子7へ
の電流・電圧を制御する。
The IC circuit 4 includes a node N on both sides of the resistor R2.
The voltage between one and the other, or one of the voltages, is detected by an electronic circuit such as a microcomputer, and a predetermined voltage is applied to the gate of the MOS transistor Q1 via the node N2. As a result, MO
The gate voltage of the S transistor Q1 is changed to control the current / voltage to the terminal 7.

【0008】端子5は、たとえば卓上アダプタ出力用端
子であり、端子6は、たとえばACアダプタ出力用端子
であり、端子7は、電池2との接続用端子である。
The terminal 5 is, for example, a desktop adapter output terminal, the terminal 6 is, for example, an AC adapter output terminal, and the terminal 7 is a terminal for connection to the battery 2.

【0009】電池2を充電する場合には、端子6に、た
とえば5.5Vの電圧を加える。このとき、IC回路4
が、ノードN3,N4間の電圧を検出するとともに抵抗
R2に流れる電流をも検出する。この検出結果に基づ
き、IC回路4は、ノードN3の電圧がたとえば4.2
VとなるようにノードN2の電圧を制御する。それによ
り、電池2に、規定電圧である4.3V以上の電圧が加
わるのを阻止することができる。
When charging the battery 2, a voltage of, for example, 5.5 V is applied to the terminal 6. At this time, the IC circuit 4
Detects the voltage between the nodes N3 and N4 and also detects the current flowing through the resistor R2. Based on the detection result, the IC circuit 4 sets the voltage of the node N3 to, for example, 4.2.
The voltage of the node N2 is controlled to be V. Thereby, it is possible to prevent a voltage higher than the specified voltage of 4.3 V from being applied to the battery 2.

【0010】しかしながら、IC回路4が何らかの要因
で故障し、ノードN2がロウ(Low)レベルとなり、
MOSトランジスタQ1がpチャネルMOSトランジス
タである場合、MOSトランジスタQ1がオンする。
However, the IC circuit 4 fails for some reason, and the node N2 goes to a low level.
When MOS transistor Q1 is a p-channel MOS transistor, MOS transistor Q1 turns on.

【0011】このとき、たとえば端子6の出力が5.5
Vであるとすると、ダイオードD1により0.6Vの電
圧降下があり、MOSトランジスタQ1により0.1V
の電圧降下があり、ダイオードD3により0.1V以下
の電圧降下がある(IC回路4が故障しかつ電池2への
電流が少ない場合、ダイオードD3による電圧降下量は
0.1V以下となる場合がある)。したがって、約4.
8Vの電圧が電池2に加わることとなる。
At this time, for example, the output of terminal 6 is 5.5
V, there is a voltage drop of 0.6 V due to the diode D1 and 0.1 V due to the MOS transistor Q1.
There is a voltage drop of 0.1 V or less due to the diode D3. (If the IC circuit 4 breaks down and the current to the battery 2 is small, the voltage drop due to the diode D3 may be 0.1 V or less. is there). Therefore, about 4.
A voltage of 8 V will be applied to the battery 2.

【0012】つまり、限界電圧以上の電圧が電池2に加
わることとなる。それにより、電池2が破壊することが
懸念される。かかる問題を解消すべく、上述の保護回路
8を別途設けている。この保護回路8を設けることによ
り、IC回路4が故障した場合でも、電池2を保護する
ことができる。
That is, a voltage higher than the limit voltage is applied to the battery 2. Thereby, there is a concern that the battery 2 is broken. In order to solve such a problem, the above-described protection circuit 8 is separately provided. By providing the protection circuit 8, even if the IC circuit 4 breaks down, the battery 2 can be protected.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の電
源回路では、IC回路4の故障時の補償用回路部が携帯
情報端末本体の電源回路側に設けられていなかったた
め、保護回路8を別途電池2側に設ける必要があった。
そのため、電池2の小型化および軽量化が困難となり、
また製造コストも増大するという問題があった。
As described above, in the conventional power supply circuit, a circuit section for compensating for a failure of the IC circuit 4 is not provided on the power supply circuit side of the portable information terminal main body. It had to be provided separately on the battery 2 side.
This makes it difficult to reduce the size and weight of the battery 2,
There is also a problem that the manufacturing cost increases.

【0014】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたものである。本発明の目的は、従来の保護
回路を省略可能な電源回路の構成とすることにより、電
池を小型化および軽量化するとともに電池を低コストで
製造可能とすることにある。
The present invention has been made to solve the above problems. An object of the present invention is to reduce the size and weight of a battery and make it possible to manufacture the battery at low cost by using a configuration of a power supply circuit in which a conventional protection circuit can be omitted.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明に係る電源回路装
置は、電池を充電するためのものあり、電池からの逆電
流を防止する逆電流防止用素子と、この逆電流防止用素
子による電圧降下量を制御して電池を保護するための電
圧降下量制御手段とを備える。
A power supply circuit device according to the present invention is for charging a battery, and includes a reverse current preventing element for preventing a reverse current from the battery and a voltage generated by the reverse current preventing element. Voltage drop control means for controlling the drop to protect the battery.

【0016】このように電圧降下量制御手段を備えるこ
とにより、逆電流防止用素子における電圧降下量を増大
させることができる。それにより、電池に過電圧が加わ
るのを阻止することができる。
With the provision of the voltage drop control means, the voltage drop in the reverse current preventing element can be increased. Thereby, it is possible to prevent an overvoltage from being applied to the battery.

【0017】上記電源回路装置は、電池への電流の供給
を制御するMOS(Metal Oxide Semiconductor)トラン
ジスタを有し、逆電流防止用素子は、ダイオードを含
み、MOSトランジスタと電池との間に設けられる。こ
のとき、上記電圧降下量制御手段は、逆電流防止用素子
と電池との間に接続される。
The power supply circuit device has a MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistor for controlling the supply of current to the battery, and the reverse current preventing element includes a diode and is provided between the MOS transistor and the battery. . At this time, the voltage drop amount control means is connected between the reverse current preventing element and the battery.

【0018】このようにスイッチ素子としてのMOSト
ランジスタと電池との間に設けられる逆電流防止用素子
における電圧降下量を増大させることにより、電池に過
電圧が加わるのを確実に阻止することができる。
As described above, by increasing the amount of voltage drop in the reverse current preventing element provided between the MOS transistor as a switching element and the battery, it is possible to reliably prevent the battery from being over-voltage applied.

【0019】上記電圧降下量制御手段としては、たとえ
ばバイポーラトランジスタを挙げることができる。そし
て、バイポーラトランジスタがpnp型バイポーラトラ
ンジスタである場合には、MOSトランジスタはpチャ
ネルMOSトランジスタであることが好ましく、バイポ
ーラトランジスタがnpn型バイポーラトランジスタで
ある場合には、MOSトランジスタは、nチャネルMO
Sトランジスタであることが好ましい。
As the voltage drop amount control means, for example, a bipolar transistor can be used. When the bipolar transistor is a pnp-type bipolar transistor, the MOS transistor is preferably a p-channel MOS transistor. When the bipolar transistor is an npn-type bipolar transistor, the MOS transistor is an n-channel MOS transistor.
It is preferably an S transistor.

【0020】それにより、上記のようにバイポーラトラ
ンジスタを設置することにより、逆電流防止用素子と電
池との間から所望量の電流を必要に応じて引き抜くこと
ができ、逆電流防止用素子を流れる電流量を増大させる
ことができる。
Thus, by installing the bipolar transistor as described above, a desired amount of current can be drawn from between the reverse current preventing element and the battery as necessary, and the reverse current preventing element flows. The amount of current can be increased.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図1および図2を用いて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0022】(実施の形態1)図1は、この発明の実施
の形態1における電源回路を示す回路図である。この電
源回路は、電池を充電するためのものあり、携帯電話機
等の携帯情報端端末の本体回路1内に設けられる。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a circuit diagram showing a power supply circuit according to Embodiment 1 of the present invention. This power supply circuit is for charging a battery, and is provided in the main body circuit 1 of a portable information terminal such as a mobile phone.

【0023】図1に示すように、電源回路は、端子5〜
7を介して外部と接続され、電子回路3およびIC回路
4と接続され、ダイオードD1,D2,D3と、抵抗R
1,R2,R3と、MOSトランジスタQ1と、pnp
型バイポーラトランジスタQ2とを有する。なお、図3
に示す従来例と同一の構成には、同一番号を付し、重複
説明は省略する。
As shown in FIG. 1, the power supply circuit has terminals 5 to 5.
7, and connected to the electronic circuit 3 and the IC circuit 4, the diodes D1, D2, D3 and the resistor R
1, R2, R3, MOS transistor Q1, pnp
Type bipolar transistor Q2. Note that FIG.
The same components as those of the conventional example shown in FIG.

【0024】本発明に係る電源回路では、リチウムイオ
ン電池等の電池2からの逆電流を防止する逆電流防止用
素子による電圧降下量を制御して電池2を保護するため
の電圧降下量制御手段を設けることを重要な特徴とす
る。
In the power supply circuit according to the present invention, a voltage drop amount control means for protecting the battery 2 by controlling a voltage drop amount by a reverse current preventing element for preventing a reverse current from the battery 2 such as a lithium ion battery. Is an important feature.

【0025】このように電圧降下量制御手段を備えるこ
とにより、逆電流防止用素子における電圧降下量を増大
させることができ、電池2に限界電圧以上の過大電圧が
加わるのを阻止することができる。
With the provision of the voltage drop control means as described above, the voltage drop in the reverse current preventing element can be increased, and the application of an excessive voltage exceeding the limit voltage to the battery 2 can be prevented. .

【0026】図1に示す態様では、逆電流防止用素子と
してダイオードD3を設け、電圧降下量制御手段として
pnp型バイポーラトランジスタQ2を設けている。ダ
イオードD3は、スイッチ素子としてのpチャネルMO
SトランジスタQ1と電池2との間に設けられる。pn
p型バイポーラトランジスタQ2は、ダイオードD3と
電池2との間に接続される。
In the embodiment shown in FIG. 1, a diode D3 is provided as a reverse current preventing element, and a pnp bipolar transistor Q2 is provided as voltage drop amount control means. The diode D3 is a p-channel MO as a switch element.
It is provided between the S transistor Q1 and the battery 2. pn
The p-type bipolar transistor Q2 is connected between the diode D3 and the battery 2.

【0027】IC回路4が故障してノードN2がロウ
(Low)レベルとなった場合、MOSトランジスタQ
1がオンする。このとき、ノードN2はpnp型バイポ
ーラトランジスタQ2のベースに接続されているので、
該ベースに上記ロウ(Low)レベルの電位が印加さ
れ、バイポーラトランジスタQ2のエミッタはノードN
5に接続されているので、ベースに加わる電位よりも高
い電位が印加される。
When the IC circuit 4 fails and the node N2 goes to a low level, the MOS transistor Q
1 turns on. At this time, since the node N2 is connected to the base of the pnp bipolar transistor Q2,
The low-level potential is applied to the base, and the emitter of the bipolar transistor Q2 is connected to the node N.
5, a potential higher than the potential applied to the base is applied.

【0028】それにより、pnp型バイポーラトランジ
スタQ2がオン状態となり、pnp型バイポーラトラン
ジスタQ2に電流が流れ、ノードN5から所望量の電流
を引き抜くことができる。このとき、抵抗R3を設ける
ことにより、pnp型バイポーラトランジスタQ2に一
定の電流を流すことができる。
As a result, the pnp bipolar transistor Q2 is turned on, a current flows through the pnp bipolar transistor Q2, and a desired amount of current can be extracted from the node N5. At this time, by providing the resistor R3, a constant current can flow through the pnp bipolar transistor Q2.

【0029】その結果、ダイオードD3を流れる電流量
を増加させることができ、ダイオードD3における電圧
降下量を増大することができる。具体的には、端子6の
出力が5.5Vである場合に、ダイオードD3における
電圧降下量を0.6V程度にまで増大することができ
る。
As a result, the amount of current flowing through the diode D3 can be increased, and the amount of voltage drop in the diode D3 can be increased. Specifically, when the output of the terminal 6 is 5.5V, the voltage drop amount of the diode D3 can be increased to about 0.6V.

【0030】ここで、従来例の場合と同様に、ダイオー
ドD1では0.6Vの電圧降下があり、MOSトランジ
スタQ1では0.1Vの電圧降下があるので、結果とし
て4.2Vの電圧が電池2に加わることとなる。それに
より、電池2に規定電圧以上の電圧が加わることを阻止
することができ、電池2を過電圧から保護することがで
きる。その結果、従来設けていた保護回路を省略するこ
とができる。
Here, as in the case of the conventional example, the diode D1 has a voltage drop of 0.6 V, and the MOS transistor Q1 has a voltage drop of 0.1 V. Will join. Thus, it is possible to prevent a voltage higher than the specified voltage from being applied to the battery 2 and to protect the battery 2 from an overvoltage. As a result, the protection circuit provided conventionally can be omitted.

【0031】上記のようにpnp型バイポーラトランジ
スタQ2を採用した場合には、上述のようにMOSトラ
ンジスタQ1はpチャネルMOSトランジスタであるこ
とが好ましい。それにより、IC回路4が故障した場合
に、pnp型バイポーラトランジスタQ2をオン状態と
することができ、ノードN5から所望の電流を引き抜く
ことができる。
When pnp type bipolar transistor Q2 is employed as described above, MOS transistor Q1 is preferably a p-channel MOS transistor as described above. Thereby, when IC circuit 4 fails, pnp bipolar transistor Q2 can be turned on, and a desired current can be drawn from node N5.

【0032】(実施の形態2)次に、図2を用いて、本
発明の実施の形態2について説明する。図2は、この発
明の実施の形態2における電源回路を示す回路図であ
る。
(Embodiment 2) Next, Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a circuit diagram showing a power supply circuit according to Embodiment 2 of the present invention.

【0033】図2に示すように、本実施の形態2では、
pnp型バイポーラトランジスタQ2に代えてnpn型
バイポーラトランジスタQ3を採用している。この場
合、MOSトランジスタQ1は、nチャネルMOSトラ
ンジスタとする。
As shown in FIG. 2, in the second embodiment,
An npn-type bipolar transistor Q3 is employed instead of the pnp-type bipolar transistor Q2. In this case, the MOS transistor Q1 is an n-channel MOS transistor.

【0034】MOSトランジスタQ1がnチャネルMO
Sトランジスタの場合、IC回路4の異常時の出力がハ
イ(High)レベルとなる。よって、npn型バイポ
ーラトランジスタQ3を設置することにより、このnp
n型バイポーラトランジスタQ3をオン状態とすること
ができる。
The MOS transistor Q1 is an n-channel MO
In the case of the S transistor, the output of the IC circuit 4 at the time of abnormality is at a high level. Therefore, by providing npn-type bipolar transistor Q3,
The n-type bipolar transistor Q3 can be turned on.

【0035】それにより、前述の実施の形態1の場合と
同様に、ノードN5から所望の電流量を引き抜くことが
でき、ダイオードD3における電圧降下量を増大するこ
とができる。その結果、電池2に過電圧が印加されるの
を阻止することができ、電池2を保護することができ
る。
Thus, as in the first embodiment, a desired amount of current can be extracted from node N5, and the amount of voltage drop in diode D3 can be increased. As a result, application of overvoltage to the battery 2 can be prevented, and the battery 2 can be protected.

【0036】なお、npn型バイポーラトランジスタQ
3を使用する場合には、図2に示すように、ダイオード
D4,D5や、抵抗R4を設置することが好ましい。
The npn type bipolar transistor Q
When using No. 3, it is preferable to install diodes D4 and D5 and a resistor R4 as shown in FIG.

【0037】以上のように本発明の実施の形態について
説明したが、上述の実施の形態はあくまでも例示であ
り、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではな
い。
Although the embodiment of the present invention has been described above, the above embodiment is merely an example, and the present invention is not limited to the above embodiment.

【0038】たとえば、電池2からの逆電流を防止でき
るものであれば、ダイオードD3以外の素子や回路を使
用することができる。また、電圧降下量制御手段の一例
としてバイポーラトランジスタを挙げたが、それ以外の
素子や回路を用いて逆電流防止用素子の電圧降下量を制
御してもよい。
For example, any element or circuit other than the diode D3 can be used as long as a reverse current from the battery 2 can be prevented. Although a bipolar transistor has been described as an example of the voltage drop amount control means, the voltage drop amount of the reverse current preventing element may be controlled using other elements or circuits.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上説明したように本発明の電源回路装
置によれば、電源回路における中間段階の回路が壊れた
場合でも電池に限界電圧が加わるのを阻止することがで
きるので、電池側に別途設けていた従来のような保護回
路を省略することができる。それにより、電池の小型化
および軽量化が可能となるばかりでなく製造コストをも
低減することができる。
As described above, according to the power supply circuit device of the present invention, it is possible to prevent the limit voltage from being applied to the battery even if the intermediate stage circuit in the power supply circuit is broken. A separately provided conventional protection circuit can be omitted. Thereby, not only the size and weight of the battery can be reduced, but also the manufacturing cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1における電源回路の
回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of a power supply circuit according to Embodiment 1 of the present invention.

【図2】 この発明の実施の形態2における電源回路の
回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of a power supply circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図3】 従来の電源回路の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional power supply circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 本体回路、2 電池、3 電子回路、4 IC回
路、5〜7 端子、D1〜D5 ダイオード、N1〜N
5 ノード、Q1 MOSトランジスタ、Q2pnp型
バイポーラトランジスタ、Q3 npn型バイポーラト
ランジスタ、R1〜R4 抵抗。
1 body circuit, 2 batteries, 3 electronic circuits, 4 IC circuits, 5 to 7 terminals, D1 to D5 diodes, N1 to N
5 nodes, Q1 MOS transistor, Q2pnp bipolar transistor, Q3 npn bipolar transistor, R1 to R4 resistors.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H02J 7/00 H02J 7/00 S (72)発明者 石田 博一 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 森下 弘敏 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 田中 富恵 東京都千代田区大手町二丁目6番2号 三 菱電機エンジニアリング株式会社内 Fターム(参考) 5G003 AA01 BA01 CA12 CC02 FA04 GA01 5G065 BA01 DA06 DA07 EA06 HA04 JA02 LA01 NA04 NA05 NA06 5H030 AS11 BB01 5H430 BB01 BB09 BB11 BB12 CC02 EE06 EE17 FF01 FF08 FF13 LA02 LA11 LB06 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H02J 7/00 H02J 7/00 S (72) Inventor Hirokazu Ishida 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo No. Mitsubishi Electric Co., Ltd. (72) Inventor Hirotoshi Morishita 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Mitsui Electric Co., Ltd. (72) Tomie Tanaka 2-5-2, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo F term (reference) in Mitsubishi Electric Engineering Co., Ltd.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電池を充電するための電源回路装置であ
って、 前記電源回路装置は、前記電池からの逆電流を防止する
逆電流防止用素子と、 前記逆電流防止用素子による電圧降下量を制御して前記
電池を保護するための電圧降下量制御手段と、を備え
た、電源回路装置。
1. A power supply circuit device for charging a battery, wherein the power supply circuit device includes a reverse current prevention element for preventing a reverse current from the battery, and a voltage drop caused by the reverse current prevention element. Power supply circuit device, comprising: a voltage drop amount control unit for controlling the battery to protect the battery.
【請求項2】 前記電源回路装置は、前記電池への電流
の供給を制御するMOS(Metal Oxide Semiconductor)
トランジスタを有し、 前記逆電流防止用素子は、ダイオードを含み、前記MO
Sトランジスタと前記電池との間に設けられ、 前記電圧降下量制御手段は、前記逆電流防止用素子と前
記電池との間に接続される、請求項1に記載の電源回路
装置。
2. The power supply circuit device includes a metal oxide semiconductor (MOS) for controlling supply of current to the battery.
A transistor, wherein the reverse current preventing element includes a diode;
The power supply circuit device according to claim 1, wherein the power supply circuit device is provided between an S transistor and the battery, and the voltage drop amount control means is connected between the reverse current preventing element and the battery.
【請求項3】 前記電圧降下量制御手段は、バイポーラ
トランジスタを含む、請求項2に記載の電源回路装置。
3. The power supply circuit device according to claim 2, wherein said voltage drop amount control means includes a bipolar transistor.
【請求項4】 前記バイポーラトランジスタは、pnp
型バイポーラトランジスタであり、 前記MOSトランジスタは、pチャネルMOSトランジ
スタである、請求項3に記載の電源回路装置。
4. The method according to claim 1, wherein the bipolar transistor is a pnp.
The power supply circuit device according to claim 3, wherein the power supply circuit device is a type bipolar transistor, and the MOS transistor is a p-channel MOS transistor.
【請求項5】 前記バイポーラトランジスタは、npn
型バイポーラトランジスタであり、 前記MOSトランジスタは、nチャネルMOSトランジ
スタである、請求項3に記載の電源回路装置。
5. The device according to claim 1, wherein the bipolar transistor is npn.
The power supply circuit device according to claim 3, wherein the power supply circuit device is a type bipolar transistor, and the MOS transistor is an n-channel MOS transistor.
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